JP2007192658A

JP2007192658A - Structure forming method and apparatus, and probe pin

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Publication number: JP2007192658A
Application number: JP2006010857A
Authority: JP
Inventors: Kenichi Kataoka; 憲一片岡; Hisahiro Ito; 寿浩伊藤
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2006-01-19
Filing date: 2006-01-19
Publication date: 2007-08-02

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a structure forming method and a structure forming apparatus, capable of forming a structure such as a probe pin or the like in various shapes, and to provide the probe pin which is formed by using the structure forming method or the structure forming apparatus. <P>SOLUTION: A raw material which solidifies with heat, is discharged uninterruptedly from a nozzle 22, while moving the nozzle 22 at least upward relatively to an electrode pad 13 disposed on a contactor main body 11d, and then a solidified raw material is obtained by heating the discharged raw material, thereby forming the structure in a shape corresponding to a movement path of the nozzle 22 relative to the electrode pad 13. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は，構造物形成方法，プローブピン及び構造物形成装置に関する。 The present invention relates to a structure forming method, a probe pin, and a structure forming apparatus.

例えば半導体ウェハ上に形成されたＩＣ，ＬＳＩ等の電子回路の電気的特性の検査は，プローブ装置に装着されたプローブカードを用いて行われている。プローブカードには，回路基板やコンタクタが備えられている。ウェハに対向するコンタクタの下面には，多数のプローブピン（接触端子）が電極パッドを介して支持されており，各接触端子を，ウェハ上に形成された電子回路の各電極にそれぞれ接触させることにより，ウェハの電気的特性の検査を行っている。 For example, the inspection of the electrical characteristics of an electronic circuit such as an IC or LSI formed on a semiconductor wafer is performed using a probe card attached to the probe device. The probe card is provided with a circuit board and a contactor. A number of probe pins (contact terminals) are supported via electrode pads on the lower surface of the contactor facing the wafer, and each contact terminal is brought into contact with each electrode of an electronic circuit formed on the wafer. In this way, the electrical characteristics of the wafer are inspected.

プローブピンの構造としては，スタッドバンプ状（突起状）のもの（特許文献１参照），カンチレバー状のもの（特許文献２，３参照），略Ｓ字状に湾曲したもの（特許文献４参照）など，様々なものが提案されている。 As the structure of the probe pin, a stud bump shape (projection shape) (refer to Patent Document 1), a cantilever shape (refer to Patent Documents 2 and 3), and a substantially S-shaped curve (refer to Patent Document 4) Various things have been proposed.

プローブカードを製造する工程において，プローブピンをコンタクタの電極パッド上に取り付ける方法としては，従来，ワイヤボンディング技術を用いて，スタッドバンプ状のプローブピンを電極パッド上に成形するものが提案されている（特許文献１参照）。また，カンチレバー状や略Ｓ字状のプローブピンについては，プローブピンを予め曲げ加工，レーザ加工，被膜形成技術等を用いて作製した後，電極パッドに対して接合する方法が提案されている（特許文献２，３，４参照）。さらに，近年では，微細なプローブピンを高密度で配設するために，フォトリソグラフィー技術等を用いて多数のプローブピンを一括して作製する方法も提案されている（特許文献５参照）。 In the process of manufacturing a probe card, as a method of mounting a probe pin on an electrode pad of a contactor, a method of forming a stud bump-like probe pin on an electrode pad by using a wire bonding technique has been conventionally proposed. (See Patent Document 1). As for the cantilever-shaped or substantially S-shaped probe pin, a method is proposed in which the probe pin is manufactured in advance using a bending process, a laser process, a film forming technique or the like and then bonded to the electrode pad ( (See Patent Documents 2, 3, and 4). Furthermore, in recent years, in order to arrange fine probe pins at a high density, a method of collectively producing a large number of probe pins using a photolithography technique or the like has been proposed (see Patent Document 5).

特開２００５−１９９６１号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2005-19961 特開２００４−７７２４２号公報JP 2004-77242 A 特開平１１−１３３０６２号公報JP 11-133302 A 特開２００２−５９６０号公報JP 2002-5960 A 特開２０００−３４６８７８号公報JP 2000-346878 A

しかしながら，従来のプローブピン形成方法では，以下のような問題があった。例えば曲げ加工，レーザ加工，被膜形成技術等を用いてプローブピンを形成する方法では，微細なプローブピンを精密に加工することや，電極パッドに対してプローブピンの位置決めを正確に行うことが難しく，加工や取り付けに時間がかかり，生産性が低い問題があった。また，例えばワイヤボンディング技術やフォトリソグラフィー技術等を用いてプローブピンを形成する方法では，成形できるプローブピンの高さや形状に限界があり，コンタクタやプローブカードの設計上の制約となる問題があった。さらに，従来のプローブピン形成方法では，プローブピンの形状や配置等の設計変更に柔軟に対応することが難しかった。例えば，フォトリソグラフィー技術を用いた方法では，被検査体であるウェハ上のデバイス構造に合わせて，異なる新しいパターンのマスクを作製する必要があり，製造コストが高く，製作に長期間を要する問題があった。 However, the conventional probe pin forming method has the following problems. For example, in the method of forming a probe pin using bending, laser processing, film formation technology, etc., it is difficult to precisely process a fine probe pin and accurately position the probe pin with respect to the electrode pad. , It took time to process and install, and there was a problem of low productivity. In addition, in the method of forming probe pins using, for example, wire bonding technology or photolithography technology, there is a limit to the height and shape of the probe pins that can be molded, and there is a problem that restricts the design of contactors and probe cards. . Furthermore, with the conventional probe pin forming method, it has been difficult to flexibly cope with design changes such as the shape and arrangement of the probe pins. For example, in the method using the photolithography technique, it is necessary to fabricate a mask having a different new pattern in accordance with the device structure on the wafer to be inspected. there were.

本発明は，上記の点に鑑みてなされたものであり，プローブピン等の構造物を多様な形状で作製できる構造物形成方法及び構造物形成装置を提供することを目的とする。さらに，かかる構造物形成方法又は構造物形成装置によって形成されたプローブピンを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a structure forming method and a structure forming apparatus capable of manufacturing structures such as probe pins in various shapes. Furthermore, it aims at providing the probe pin formed by this structure formation method or structure formation apparatus.

上記課題を解決するため，本発明によれば，基材の上面に構造物を形成する方法であって，ノズルを基材に対して相対的に少なくとも上方に移動させながら，前記ノズルから熱によって固化する原料を途切れなく吐出させ，前記吐出された原料を順次加熱し，前記原料を固化させることにより，前記ノズルの基材に対する移動経路に沿った形状の構造物を形成することを特徴とする，構造物形成方法が提供される。 In order to solve the above problems, according to the present invention, there is provided a method of forming a structure on the upper surface of a base material, wherein the nozzle is moved by heat from the nozzle while moving the nozzle at least upward relative to the base material. The material to be solidified is discharged without interruption, the discharged material is sequentially heated, and the material is solidified to form a structure having a shape along a movement path with respect to the base material of the nozzle. , A structure forming method is provided.

この構造物形成方法にあっては，前記ノズルを基材に対して相対的に横向きに移動させながら前記原料を吐出させても良い。前記ノズルを基材に対して相対的に下方に移動させながら前記原料を吐出させても良い。前記ノズルを基材に対して相対的に螺旋状に移動させながら前記原料を吐出させても良い。 In this structure forming method, the raw material may be discharged while the nozzle is moved laterally relative to the substrate. The raw material may be discharged while the nozzle is moved downward relative to the substrate. The raw material may be discharged while moving the nozzle in a spiral relative to the substrate.

前記ノズルの傾斜方向を変化させて前記原料を吐出させても良い。前記ノズルを移動させながら前記原料を吐出させる工程と，前記ノズルの移動を停止させ前記吐出された原料を固化させる工程とを交互に繰り返すようにしても良い。 The raw material may be discharged by changing the inclination direction of the nozzle. The step of discharging the raw material while moving the nozzle and the step of solidifying the discharged raw material by stopping the movement of the nozzle may be alternately repeated.

また，前記基材を加熱することにより，前記原料を加熱しても良い。前記原料が吐出される前記ノズルの吐出口を加熱することにより，前記原料を加熱するようにしても良い。前記原料にレーザ光，赤外線又は電子ビームのいずれかを照射することにより，前記原料を加熱させても良い。前記原料に熱風を供給することにより，前記原料を加熱しても良い。 Further, the raw material may be heated by heating the base material. The raw material may be heated by heating the discharge port of the nozzle through which the raw material is discharged. The raw material may be heated by irradiating the raw material with any of laser light, infrared light, and electron beam. The raw material may be heated by supplying hot air to the raw material.

前記原料は，熱硬化性樹脂を含有するものであっても良い。前記原料は，導電性を有する材料を含有するものであっても良い。 The raw material may contain a thermosetting resin. The raw material may contain a conductive material.

前記基材は，被検査体の電気的特性を検査するプローブカードに設けられる電極パッドであり，前記構造物は，前記被検査体に接触させるためのプローブピンであっても良い。前記基材は，電子部品に設けられた電極部であって，前記構造物は，前記電極部を他の電極部に対して電気的に接続する部材であっても良い。前記基材は，電子デバイスを覆う蓋体に設けられた配線であって，前記構造物は，前記配線と前記電子デバイスとを電気的に接続する部材であっても良い。 The base material may be an electrode pad provided on a probe card for inspecting the electrical characteristics of the object to be inspected, and the structure may be a probe pin for making contact with the object to be inspected. The base material may be an electrode portion provided in an electronic component, and the structure may be a member that electrically connects the electrode portion to another electrode portion. The base material may be a wiring provided on a lid that covers the electronic device, and the structure may be a member that electrically connects the wiring and the electronic device.

また，本発明は，被検査体の電気的特性を検査するために被検査体に接触させるプローブピンであって，上記構造物形成方法を用いて前記構造物として形成されたプローブピンであっても良い。 The present invention also relates to a probe pin that is brought into contact with an object to be inspected in order to inspect the electrical characteristics of the object to be inspected, and is a probe pin formed as the structure using the structure forming method. Also good.

さらに本発明によれば，基材の上面に構造物を形成する構造物形成装置であって，基材を保持する保持部と，基材に対して熱によって固化する原料を途切れなく吐出させるノズルと，前記ノズルを前記保持部に保持された基材に対して相対的に移動させる移動機構と，前記ノズルから途切れなく吐出された原料を加熱する加熱機構とを備えることを特徴とする，構造物形成装置が提供される。 Furthermore, according to the present invention, there is provided a structure forming apparatus for forming a structure on the upper surface of a base material, a holding portion for holding the base material, and a nozzle for discharging the raw material solidified by heat to the base material without interruption. A moving mechanism for moving the nozzle relative to the base material held by the holding portion, and a heating mechanism for heating the raw material discharged from the nozzle without interruption. An object forming apparatus is provided.

前記移動機構は，前記ノズルを基材に対して相対的に少なくとも上下方向に移動させるものでも良い。前記移動機構は，前記ノズルを基材に対して相対的に横方向に移動させる構成であっても良い。前記移動機構は，前記ノズルを基材に対して相対的に螺旋状に移動させる構成であっても良い。前記ノズルの傾斜方向は可変にしても良い。 The moving mechanism may move the nozzle relative to the base material at least in the vertical direction. The moving mechanism may be configured to move the nozzle in a lateral direction relative to the base material. The moving mechanism may be configured to move the nozzle in a spiral relative to the substrate. The inclination direction of the nozzle may be variable.

前記加熱機構は，前記保持部に設けられ前記基材を加熱するヒータを備えるとしても良い。前記加熱機構は，前記ノズルの吐出口から吐出される原料を加熱するノズルヒータを設けても良い。前記原料に対してレーザ光，赤外線又は電子ビームのいずれかを照射する照射部を備えても良い。前記加熱機構には，前記原料に対して熱風を供給する熱風供給口を備えても良い。 The heating mechanism may include a heater provided in the holding unit for heating the base material. The heating mechanism may be provided with a nozzle heater for heating the raw material discharged from the nozzle outlet. You may provide the irradiation part which irradiates any one of a laser beam, infrared rays, or an electron beam with respect to the said raw material. The heating mechanism may include a hot air supply port for supplying hot air to the raw material.

前記原料は，熱硬化性樹脂を含有するものでも良い。前記原料は，導電性を有する材料を含有するものでも良い。 The raw material may contain a thermosetting resin. The raw material may contain a conductive material.

本発明によれば，プローブピン等の微細な構造物であっても簡単かつ効率的に形成することができる。従来のワイヤボンディング技術やフォトリソグラフィー技術等を用いた形成方法よりも，高さのある構造物を形成でき，成形可能な形状の自由度が高い。電極パッド等の基材に対して構造物を直接形成するので，構造物を作製してから基材に接合する方法と比較して，構造物の取り付けを迅速に行うことができる。プローブピンの形状や配置等の設計変更があっても，ノズルの移動経路等の設定を変更するだけで柔軟に対応でき，低コストで新たな設計のプローブピンを形成できる。 According to the present invention, even a fine structure such as a probe pin can be easily and efficiently formed. Compared with conventional forming methods using wire bonding technology, photolithography technology, etc., a structure with a height can be formed, and the degree of freedom of formable shape is high. Since the structure is directly formed on the base material such as the electrode pad, the structure can be quickly attached as compared to the method of manufacturing the structure and then joining the base material. Even if there is a change in design such as the shape and arrangement of the probe pins, it can be flexibly handled simply by changing the setting of the nozzle movement path, etc., and a probe pin with a new design can be formed at low cost.

以下，本発明の好ましい実施の形態について説明する。図１は，本発明にかかる構造物形成装置によって形成される構造物であるプローブピンを備えたプローブ装置１の構成を示している。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described. FIG. 1 shows a configuration of a probe apparatus 1 including probe pins that are structures formed by the structure forming apparatus according to the present invention.

プローブ装置１には，例えば被検査体であるウェハＷの電気的特性を検査するプローブカード２と，ウェハＷを載置する載置台３が設けられている。プローブカード２は，ウェハＷの電気的特性を検査するためにウェハＷの電極に接触させるための複数のプローブピン１０を有するコンタクタ１１と，プリント配線基板（回路基板）１２を備えている。プリント配線基板１２は，例えば略円形の板状に形成されている。 The probe device 1 is provided with, for example, a probe card 2 for inspecting electrical characteristics of a wafer W that is an object to be inspected, and a mounting table 3 on which the wafer W is placed. The probe card 2 includes a contactor 11 having a plurality of probe pins 10 for contacting the electrodes of the wafer W and a printed wiring board (circuit board) 12 in order to inspect the electrical characteristics of the wafer W. The printed wiring board 12 is formed in a substantially circular plate shape, for example.

コンタクタ１１は，コンタクタ基板１１ａ，複数の基材としての電極パッド１３，及び，プローブピン１０を備えている。コンタクタ基板１１ａは，例えば略長方形の板状に形成されており，電気的特性の検査の際にウェハＷに対向させられる外面（下面）１１ｂと，プリント配線基板１２に取り付けられる接続面（上面）１１ｃと，を有している。電極パッド１３は，外面１１ｂに取り付けられている。電極パッド１３は，金属（例えばアルミニウム合金）などの導電性を有する材料によって形成されている。プローブピン１０は，各電極パッド１３に１つずつ，電極パッド１３の下面側の平面１３ａに対して形成され，電極パッド１３から下方に向かって凸状に突出するように形成されている。一方，コンタクタ基板１１ａの接続面１１ｃには，プリント配線基板１２に接続される複数の電極１４，キャパシタ（コンデンサ）１５等が設けられている。プリント配線基板１２は，電極１４を介してコンタクタ１１と通電可能に配設されている。即ち，プリント配線基板１２とプローブピン１０とは，電極パッド１３，電極１４を介して，互いに電気的に接続されている。なお，図示はしないが，プリント配線基板１２の更に上方にはテスタが備えられており，プリント配線基板１２はテスタに対して電気的に接続されている。 The contactor 11 includes a contactor substrate 11 a, electrode pads 13 as a plurality of base materials, and probe pins 10. The contactor substrate 11a is formed in, for example, a substantially rectangular plate shape, and has an outer surface (lower surface) 11b that is opposed to the wafer W in the inspection of electrical characteristics, and a connection surface (upper surface) that is attached to the printed wiring board 12. 11c. The electrode pad 13 is attached to the outer surface 11b. The electrode pad 13 is formed of a conductive material such as a metal (for example, an aluminum alloy). One probe pin 10 is formed for each electrode pad 13 with respect to the flat surface 13a on the lower surface side of the electrode pad 13, and is formed so as to protrude downward from the electrode pad 13. On the other hand, the connection surface 11c of the contactor substrate 11a is provided with a plurality of electrodes 14 and capacitors (capacitors) 15 connected to the printed wiring board 12. The printed wiring board 12 is disposed so as to be capable of energizing the contactor 11 via the electrode 14. That is, the printed wiring board 12 and the probe pin 10 are electrically connected to each other via the electrode pad 13 and the electrode 14. Although not shown, a tester is provided further above the printed wiring board 12, and the printed wiring board 12 is electrically connected to the tester.

ウェハＷ上に形成された電子回路の電気的特性の検査を行う際は，図１に示すように，ウェハＷが載置台３上に載置され，載置台３によってコンタクタ１１側に上昇させられる。そして，ウェハＷの各電極が対応するプローブピン１０の先端部（下端部）に接触させられ，電極１４，電極パッド１３及びプローブピン１０を介して，プリント配線基板１２とウェハＷとの間で電気信号が授受される。即ち，プリント配線基板１２及びコンタクタ１１を介して，テスタとウェハＷとの間で電気信号が授受される。これにより，ウェハＷ上の電子回路の電気的特性が検査されるようになっている。 When inspecting the electrical characteristics of the electronic circuit formed on the wafer W, as shown in FIG. 1, the wafer W is mounted on the mounting table 3 and raised to the contactor 11 side by the mounting table 3. . Then, each electrode of the wafer W is brought into contact with the tip (lower end) of the corresponding probe pin 10, and between the printed wiring board 12 and the wafer W via the electrode 14, the electrode pad 13 and the probe pin 10. Electrical signals are sent and received. That is, electrical signals are exchanged between the tester and the wafer W via the printed wiring board 12 and the contactor 11. As a result, the electrical characteristics of the electronic circuit on the wafer W are inspected.

次に，プローブピン１０を基材としての電極パッド１３に形成する構造物形成装置１８について説明する。なお，以下では説明の便宜のため，コンタクタ基板１１ａと電極パッド１３を備えているがプローブピン１０が形成されていない状態の，未完成のコンタクタ１１を，「コンタクタ本体１１ｄ」と呼ぶこととする。図２に示すように，構造物形成装置１８は，プリント配線基板１２に取り付ける前のコンタクタ本体１１ｄを保持する保持部としての保持台２０，プローブピン１０の原料を貯留する原料貯留容器２１，原料貯留容器２１からプローブピン１０の原料を吐出させるノズル２２，及び，ノズル２２を支持し，保持台２０上に載置されたコンタクタ本体１１ｄ（電極パッド１３）に対して相対的に移動させるノズル移動機構２３を備えている。 Next, the structure forming apparatus 18 that forms the probe pin 10 on the electrode pad 13 as a base material will be described. In the following, for convenience of explanation, the incomplete contactor 11 having the contactor substrate 11a and the electrode pads 13 but not having the probe pins 10 formed thereon is referred to as a “contactor body 11d”. . As shown in FIG. 2, the structure forming apparatus 18 includes a holding table 20 as a holding unit that holds the contactor body 11 d before being attached to the printed wiring board 12, a raw material storage container 21 that stores the raw material of the probe pin 10, A nozzle 22 that discharges the raw material of the probe pin 10 from the storage container 21 and a nozzle movement that supports the nozzle 22 and moves relative to the contactor body 11 d (electrode pad 13) placed on the holding table 20. A mechanism 23 is provided.

保持台２０は，コンタクタ基板１１ａの外面１１ｂを上面側に向け，電極パッド１３の平面１３ａが略水平になる状態で，コンタクタ本体１１ｄを保持するように構成されている。保持台２０の内部には，加熱機構としての電気ヒータ２８が内蔵されている。かかる電気ヒータ２８が発熱することにより保持台２０が加熱され，保持台２０の熱が保持台２０上のコンタクタ基板１１ａに伝熱して，該コンタクタ基板１１ａに設けられた電極パッド１３が昇温され，さらには，電極パッド１３の上方においてノズル２２から吐出された原料が加熱されるようになっている。 The holding table 20 is configured to hold the contactor body 11d with the outer surface 11b of the contactor substrate 11a facing upward and the flat surface 13a of the electrode pad 13 being substantially horizontal. An electric heater 28 as a heating mechanism is built in the holding table 20. When the electric heater 28 generates heat, the holding table 20 is heated, the heat of the holding table 20 is transferred to the contactor substrate 11a on the holding table 20, and the electrode pad 13 provided on the contactor substrate 11a is heated. Further, the raw material discharged from the nozzle 22 is heated above the electrode pad 13.

図２に示すように，ノズル２２は，原料貯留容器２１の下端部に取り付けられている。ノズル２２の下端部には，原料を吐出させる吐出口２２ｂが開口されている。また，原料貯留容器２１には，外部から原料貯留容器２１内に対して例えば空気等の加圧用ガスを供給するガス供給路３２が接続されている。原料貯留容器２１に充填された原料は，ガス供給路３２から供給された加圧用ガスによって圧力を加えられることにより，ノズル２２内に押し入れられ，吐出口２２ｂから押し出される。即ち，原料貯留容器２１に対する加圧用ガスの供給量を調整することによって，原料貯留容器２１内の原料の圧力を調節し，これにより，吐出口２２ｂから吐出される原料の吐出量を精密に制御できるようになっている。 As shown in FIG. 2, the nozzle 22 is attached to the lower end portion of the raw material storage container 21. A discharge port 22 b for discharging the raw material is opened at the lower end of the nozzle 22. Further, a gas supply path 32 for supplying a pressurizing gas such as air to the inside of the raw material storage container 21 from the outside is connected to the raw material storage container 21. The raw material filled in the raw material storage container 21 is pushed into the nozzle 22 by being pressurized by the pressurizing gas supplied from the gas supply path 32, and is pushed out from the discharge port 22b. That is, the pressure of the raw material in the raw material storage container 21 is adjusted by adjusting the supply amount of the pressurizing gas to the raw material storage container 21, thereby precisely controlling the discharge amount of the raw material discharged from the discharge port 22b. It can be done.

なお，ノズル２２から供給される原料はペースト状であり，導電性を有する材料からなる粒子（例えば銀（Ａｇ）等の金属の微粒子），熱硬化性樹脂等を含有しており，かかる熱硬化性樹脂と導電性粒子とが，アルコール系の溶剤中に混合された状態になっている。かかる原料は，加熱されると溶剤が乾燥させられ，また，熱硬化性樹脂が硬化することにより，ペースト状から固体状に変化する性質を有している。また，原料の粘度は，加圧用ガスの圧力によってノズル２２から容易に押し出すことが可能な程度に低くすることが好ましく，例えば約１２Ｐａ・ｓ（パスカル秒）（絶対粘度）程度にしても良い。また，原料は，後に詳細に説明するプローブピン１０の形成工程の際，原料の固化物と吐出口２２ｂとの間において途切れることなく保持されることが可能な程度の表面張力を有することが好ましい。原料の粘度や表面張力は，例えば粒子，熱硬化性樹脂，溶剤の混合比等を調節することによって所望の値に調整できる。 The raw material supplied from the nozzle 22 is in the form of a paste and contains particles made of a conductive material (for example, metal fine particles such as silver (Ag)), a thermosetting resin, and the like. The conductive resin and the conductive particles are mixed in an alcohol solvent. Such a raw material has a property that when heated, the solvent is dried and the thermosetting resin is cured to change from a paste to a solid. Further, the viscosity of the raw material is preferably lowered to such an extent that it can be easily extruded from the nozzle 22 by the pressure of the pressurizing gas, and may be, for example, about 12 Pa · s (pascal second) (absolute viscosity). Further, it is preferable that the raw material has a surface tension that can be held without interruption between the solidified material and the discharge port 22b in the process of forming the probe pin 10 described in detail later. . The viscosity and surface tension of the raw material can be adjusted to a desired value by adjusting, for example, the mixing ratio of particles, thermosetting resin, and solvent.

図２に示すように，ノズル移動機構２３は，原料貯留容器２１及びノズル２２を支持する支持部材４１，及び，支持部材４１を３軸方向（水平方向であるＸ軸方向，Ｘ軸方向に対して略垂直なＹ軸方向，及び，鉛直方向（上下方向）であるＺ軸方向）に移動させる駆動部４２を備えている。ノズル２２は吐出口２２ｂを下方に向けた状態で，支持部材４１によって保持台２０の上方に支持されている。支持部材４１は駆動部４２に接続されている。駆動部４２の駆動により，支持部材４１は，Ｘ軸方向，Ｙ軸方向及びＺ軸方向に沿ってそれぞれ往復移動させられる。ノズル２２は原料貯留容器２１及び支持部材４１と一体的に，保持台２０の上方の三次元空間において，任意の位置，即ち，保持台２０上の各電極パッド１３に対してプローブピン１０を形成可能な位置に，適宜移動できるようになっている。 As shown in FIG. 2, the nozzle moving mechanism 23 includes a support member 41 that supports the raw material storage container 21 and the nozzle 22, and the support member 41 in three axial directions (horizontal X-axis direction and X-axis direction). And a drive unit 42 that moves in a substantially vertical Y-axis direction and a vertical direction (vertical direction) in the Z-axis direction). The nozzle 22 is supported above the holding table 20 by the support member 41 with the discharge port 22b facing downward. The support member 41 is connected to the drive unit 42. By driving the drive unit 42, the support member 41 is reciprocated along the X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction, respectively. The nozzle 22 integrally forms the probe pin 10 with respect to each electrode pad 13 on the holding table 20 in an arbitrary position in the three-dimensional space above the holding table 20, integrally with the raw material storage container 21 and the support member 41. It can be moved to a possible position as appropriate.

次に，以上のように構成された構造物形成装置１８を用いてプローブピン１０を形成する方法について説明する。先ず，コンタクタ本体１１ｄが保持台２０上に載置され，外面１１ｂを上面側に向け，電極パッド１３の平面１３ａが略水平になるように保持される。そして，図３に示すように，ノズル２２がコンタクタ本体１１ｄ上に移動させられ，吐出口２２ｂが電極パッド１３の平面１３ａに上方から近接させられる。また，電気ヒータ２８の抵抗熱によって，保持台２０及びコンタクタ本体１１ｄを昇温させる。かかる状態において，ガス供給路３２から所定量の加圧用ガスを供給することで，原料貯留容器２１の内部に貯留されていた原料を，吐出口２２ｂから強制的に押し出させる。押し出された原料は吐出口２２ｂから垂れ下がり，原料の下端部が平面１３ａ上の所定位置に付着する。 Next, a method for forming the probe pin 10 using the structure forming apparatus 18 configured as described above will be described. First, the contactor body 11d is placed on the holding base 20, and held so that the outer surface 11b faces the upper surface and the flat surface 13a of the electrode pad 13 is substantially horizontal. Then, as shown in FIG. 3, the nozzle 22 is moved onto the contactor body 11d, and the discharge port 22b is brought close to the flat surface 13a of the electrode pad 13 from above. Further, the holding base 20 and the contactor body 11d are heated by the resistance heat of the electric heater 28. In this state, by supplying a predetermined amount of pressurizing gas from the gas supply path 32, the raw material stored in the raw material storage container 21 is forcibly pushed out from the discharge port 22b. The extruded material hangs down from the discharge port 22b, and the lower end of the material adheres to a predetermined position on the flat surface 13a.

原料の下端部が平面１３ａ上に到達したら，ガス供給路３２からの加圧用ガスの供給を一旦停止させ，原料の吐出を停止させる。このとき，吐出口２２ｂの下方において，原料の下端部は，図４に示すように，平面１３ａ上において外周囲に環状に広がるが，この原料は比較的高い粘度を有するので，形状の変化が緩やかであり，平面１３ａ上において広がる速度は遅い。また，原料が平面１３ａ上に接触すると同時に平面１３ａの熱が伝熱するので，原料はすぐに固まり始める。従って，平面１３ａ上において原料が広範囲に広がりすぎることはない。従って，平面１３ａ上に供給された原料は，ある程度の範囲まで広がった状態で静止し，そのままの形状で平面１３ａの熱によって固化される。即ち，電極パッド１３上の原料中に含有されていた溶剤が乾燥させられ，熱硬化性樹脂が硬化する。これにより，図５に示すように，原料の下端部の周囲を囲む環状固化部が形成される。また，このように環状固化部が形成される間，原料は表面張力によって，平面１３ａ上と吐出口２２ｂとの間で途切れずに繋がったままになっている。従って，電極パッド１３の熱は，環状固化部と吐出口２２ｂとの間で保持されている原料に伝達し，これにより，原料が環状固化部側（下方）から吐出口２２ｂ側（上方）に向かって順次昇温され，環状固化部側から次第に固くなっていく。 When the lower end of the raw material reaches the flat surface 13a, the supply of the pressurizing gas from the gas supply path 32 is temporarily stopped, and the discharge of the raw material is stopped. At this time, under the discharge port 22b, the lower end portion of the raw material spreads in an annular shape around the outer surface on the plane 13a as shown in FIG. 4, but since this raw material has a relatively high viscosity, the change in shape is It is gentle and the speed of spreading on the plane 13a is slow. Moreover, since the heat of the flat surface 13a is transferred at the same time when the raw material comes into contact with the flat surface 13a, the raw material starts to harden immediately. Accordingly, the raw material does not spread over a wide range on the flat surface 13a. Therefore, the raw material supplied on the flat surface 13a stops in a state where it has spread to a certain extent, and is solidified by the heat of the flat surface 13a as it is. That is, the solvent contained in the raw material on the electrode pad 13 is dried, and the thermosetting resin is cured. Thereby, as shown in FIG. 5, an annular solidified portion surrounding the periphery of the lower end portion of the raw material is formed. Further, while the annular solidified portion is formed in this way, the raw material is continuously connected between the flat surface 13a and the discharge port 22b by the surface tension. Accordingly, the heat of the electrode pad 13 is transmitted to the raw material held between the annular solidified portion and the discharge port 22b, whereby the raw material moves from the annular solidified portion side (lower) to the discharge port 22b side (upper). The temperature is gradually raised toward the annular solidification part and gradually becomes harder.

こうして，図６に示すように，原料が平面１３ａ上である程度の高さまで固化し，原料の固化物が形成されたら，ノズル２２を上昇させながら，原料の吐出を再開させる。原料は連続的（継続的）に吐出させるようにし，ノズル２２を移動させる間も，ペースト状の原料が平面１３ａ上の固化物の上端部と吐出口２２ｂとの間で途切れずに常に繋がったままになるようにすることが好ましい。なお，原料の表面張力は予め適度な値に調整されているので，原料が固化物の上端部と吐出口２２ｂとの間から崩れ落ちることを十分に防止できる。 Thus, as shown in FIG. 6, when the raw material is solidified to a certain height on the flat surface 13a and a solidified material is formed, the discharge of the raw material is resumed while the nozzle 22 is raised. The raw material was discharged continuously (continuously), and the paste-like raw material was always connected between the upper end of the solidified product on the flat surface 13a and the discharge port 22b while the nozzle 22 was moved. It is preferable to keep it. In addition, since the surface tension of the raw material is adjusted to an appropriate value in advance, it is possible to sufficiently prevent the raw material from collapsing from between the upper end portion of the solidified product and the discharge port 22b.

ノズル２２を所定の高さまで上昇させたら，ノズル２２の移動を停止させ，かつ，吐出口２２ｂからの原料の吐出を再び一旦停止させる。ペースト状の原料は，固化物の上端部と吐出口２２ｂとの間で途切れなく繋がったままの状態で保持される（図７参照）。即ち，原料（ペースト状の原料及び固化物）は，平面１３ａ上から吐出口２２まで連続した一続きの線状に繋がったまま保持される。電極パッド１３の熱は，固化物と吐出口２２ｂとの間に保持されているペースト状の原料に固化物を介して伝達し，これにより，原料が下方から上方に向かって，即ち，先に吐出された側から順次昇温され，次第に固くなっていく。即ち，固化物の高さが次第に高くなっていく。 When the nozzle 22 is raised to a predetermined height, the movement of the nozzle 22 is stopped and the discharge of the raw material from the discharge port 22b is once again stopped. The pasty raw material is held in a state where it is continuously connected between the upper end portion of the solidified product and the discharge port 22b (see FIG. 7). That is, the raw material (paste-like raw material and solidified product) is held while being connected in a continuous line from the flat surface 13 a to the discharge port 22. The heat of the electrode pad 13 is transmitted through the solidified material to the paste-like raw material held between the solidified material and the discharge port 22b, so that the raw material is directed from below to above, that is, first. The temperature is gradually increased from the discharged side and gradually becomes harder. That is, the height of the solidified product gradually increases.

同様にして，ノズル２２を原料の固化物から上昇移動させ，ノズル２２から原料を連続的に固化物上に吐出させる吐出工程と，ノズル２２の移動及び原料の吐出を停止させ，吐出されたペースト状の原料が加熱により固化されるまで待機する待機工程とが，交互に複数回繰り返される。原料は，ノズル２２の移動経路に沿った一続きの連続した線状に吐出され，電極パッド１３の平面１３ａから吐出口２２ｂまで一続きに途切れることなく繋がった状態のまま，下方から順次加熱され，固化させられていく。電極パッド１３上には，原料の固化物が上方に向かって延びるように成長させられていく。即ち，ノズル２２の移動経路に沿った一続きの連続した線状（柱状）の形状をなす固化物が形成されていく。 Similarly, the nozzle 22 is moved upward from the solidified material, and the discharge process of continuously discharging the raw material from the nozzle 22 onto the solidified material, the movement of the nozzle 22 and the discharge of the raw material are stopped, and the discharged paste The standby process of waiting until the raw material is solidified by heating is alternately repeated a plurality of times. The raw material is discharged in a continuous line along the movement path of the nozzle 22 and is heated sequentially from below while continuously connected from the flat surface 13a of the electrode pad 13 to the discharge port 22b without interruption. , Will be solidified. On the electrode pad 13, the solidified material is grown so as to extend upward. That is, a solidified product having a continuous linear (columnar) shape along the movement path of the nozzle 22 is formed.

原料が十分な高さまで吐出されたら，吐出口２２ｂからの原料の吐出を停止させ，ノズル２２を上昇移動させ，吐出口２２ｂを固化物から離隔させる。これにより，図８に示すように，固化物の上端部と吐出口２２ｂとの間で繋がっていたペースト状の原料が分断され，固化物から引き離される。このときのノズル２２の移動速度は，吐出工程におけるノズル２２の移動速度よりも高速にしても良い。これにより，固化物の上端部からペースト状の原料を好適に引き離すことができる。こうして，原料の固化物からなる構造物，即ち，電極パッド１３の平面１３ａに対して略垂直に立設し，平面１３ａから所定の高さを有する略直棒状のプローブピン１０が完成する（図８参照）。 When the raw material is discharged to a sufficient height, the discharge of the raw material from the discharge port 22b is stopped, the nozzle 22 is moved up, and the discharge port 22b is separated from the solidified material. Thereby, as shown in FIG. 8, the pasty raw material connected between the upper end of the solidified product and the discharge port 22b is divided and separated from the solidified product. The moving speed of the nozzle 22 at this time may be higher than the moving speed of the nozzle 22 in the discharge process. Thereby, a paste-form raw material can be suitably pulled away from the upper end part of a solidified material. In this way, a structure made of a solidified material, that is, a substantially straight rod-like probe pin 10 that is erected substantially perpendicular to the plane 13a of the electrode pad 13 and has a predetermined height from the plane 13a is completed (FIG. 8).

以上のような形成方法を用いて，構造物形成装置１８によって各電極パッド１３に対してプローブピン１０をそれぞれ形成していく。そして，総ての電極パッド１３にプローブピン１０が形成されたら，電気ヒータ２８の加熱を停止させ，コンタクタ１１を構造物形成装置１８から搬出した後，プリント配線基板１２に取り付ける。こうして，プローブカード２を完成させることができる。 Using the above forming method, the probe pin 10 is formed on each electrode pad 13 by the structure forming apparatus 18. When the probe pins 10 are formed on all the electrode pads 13, the heating of the electric heater 28 is stopped, and the contactor 11 is unloaded from the structure forming apparatus 18 and then attached to the printed wiring board 12. Thus, the probe card 2 can be completed.

かかる構造物形成方法によれば，プローブピン１０のような微細な構造物を簡単かつ効率的に形成することができる。従来のワイヤボンディング技術やフォトリソグラフィー技術等を用いたプローブピンの形成方法よりも，高さを有する細長い（アスペクト比が高い）プローブピン１０を形成できる。従って，コンタクタ１１やプローブカード２の設計上の自由度を向上させることができる。また，プローブピン１０の長さに設計変更があった場合は，吐出工程においてノズル２２を移動させる高さを調節したり，吐出工程の回数を増減させたりすることで，原料の固化物の高さ，即ちプローブピン１０の長さを調節できる。また，電極パッド１３に対して直接プローブピン１０を形成するので，プローブピンを加工してから電極パッド１３に接合するような従来の方法と比較して，プローブピン１０の設置を円滑かつ迅速に行うことができる。従って，コンタクタ１１の生産性を向上させることができる。 According to this structure forming method, a fine structure such as the probe pin 10 can be formed easily and efficiently. Compared to a conventional method for forming a probe pin using a wire bonding technique, a photolithography technique, etc., the elongated probe pin 10 having a height (having a high aspect ratio) can be formed. Therefore, the design freedom of the contactor 11 and the probe card 2 can be improved. If the design of the probe pin 10 is changed in length, the height of the solidified material can be increased by adjusting the height at which the nozzle 22 is moved in the discharge process or by increasing or decreasing the number of discharge processes. That is, the length of the probe pin 10 can be adjusted. Further, since the probe pin 10 is directly formed on the electrode pad 13, the probe pin 10 can be installed smoothly and quickly compared to the conventional method in which the probe pin is processed and then joined to the electrode pad 13. It can be carried out. Therefore, the productivity of the contactor 11 can be improved.

以上の実施形態では，ノズル移動機構２３によってノズル２２を移動させることにより，固定された保持台２０に対してノズル２２を相対的に移動させる構成としたが，保持台２０を移動可能にする保持台移動機構を備え，保持台移動機構によって保持台２０を移動させることにより，ノズル２２と保持台２０が相対的に移動する構成としても良い。また，ノズル２２は，保持台２０に対して三次元空間における任意の相対的な位置に移動できれば良く，保持台２０に対して３軸方向に直線移動する構成には限定されず，例えば回転移動する構成にしても良い。 In the above embodiment, the nozzle 22 is moved by the nozzle moving mechanism 23 to move the nozzle 22 relative to the fixed holding table 20, but the holding table 20 can be moved. It is good also as a structure provided with a stand moving mechanism and the nozzle 22 and the holding stand 20 move relatively by moving the holding stand 20 with a holding stand moving mechanism. The nozzle 22 only needs to be able to move to an arbitrary relative position in the three-dimensional space with respect to the holding table 20, and is not limited to a configuration that moves linearly in three axial directions with respect to the holding table 20. You may make it the structure to carry out.

以上の実施形態においては，保持台２０の内部に設けられた電気ヒータ２８によって，電極パッド１３の上方に吐出された原料が加熱される構成としたが，原料を加熱する加熱機構はかかるものに限定されない。例えば図９に示すように，ノズル２２の先端部に，吐出口２２ｂを加熱することにより原料を加熱するノズルヒータ４５を設けても良い。そうすれば，ノズルヒータ４５の発熱により，吐出口２２ｂから吐出された直後の，未だ十分に固化していない原料に対して，該原料に近い位置から熱を効率良く与えることができる。電極パッド１３から固化物の上方，即ち十分に固化していない原料に熱が伝熱するまで待機するよりも，原料を速く確実に固化させることができる。従って，原料を吐出した後に原料が固化するまで待機する待機工程を短縮することができ，プローブピン１０を効率的に形成できる。特に，固化物の形成が進行し，固化物の高さが次第に高くなって，未だ固化していない原料と電極パッド１３との間の距離が離れた場合でも，原料を常に確実に固化させることができる。従って，ノズル２２の移動経路に忠実な，より正確な形状のプローブピン１０を形成できる。なお，ノズル２２の温度がノズルヒータ４５の加熱により上昇し過ぎることを防止するため，即ちノズル２２内の原料が温度上昇により固化することを防止するため，ノズル２２を冷却させる冷却機構を設けても良い。 In the above embodiment, the raw material discharged above the electrode pad 13 is heated by the electric heater 28 provided inside the holding table 20, but the heating mechanism for heating the raw material is such. It is not limited. For example, as shown in FIG. 9, a nozzle heater 45 that heats the raw material by heating the discharge port 22 b may be provided at the tip of the nozzle 22. If it does so, with the heat_generation | fever of the nozzle heater 45, the heat | fever can be efficiently given from the position close | similar to this raw material with respect to the raw material which has not yet fully solidified immediately after discharged from the discharge outlet 22b. The raw material can be solidified faster and more reliably than waiting until the heat is transferred from the electrode pad 13 to above the solidified material, that is, to the raw material that is not sufficiently solidified. Therefore, it is possible to shorten the standby process for waiting until the raw material is solidified after discharging the raw material, and the probe pin 10 can be formed efficiently. In particular, the solidification of the raw material is always ensured even when the formation of the solidified product progresses and the height of the solidified product gradually increases and the distance between the raw material that has not yet solidified and the electrode pad 13 is increased. Can do. Therefore, the probe pin 10 having a more accurate shape faithful to the moving path of the nozzle 22 can be formed. In order to prevent the temperature of the nozzle 22 from excessively rising due to the heating of the nozzle heater 45, that is, to prevent the raw material in the nozzle 22 from solidifying due to the temperature increase, a cooling mechanism for cooling the nozzle 22 may be provided. good.

また，ノズル２２や保持台２０の外部から原料に対してエネルギーを与えることにより熱を生じさせる加熱機構を備えても良い。例えば図１０に示すように，原料に対してレーザ光等の光線（エネルギー波）を照射する照射部４６を設けても良い。この場合も，ノズル２２から吐出された原料をレーザ光によって好適に加熱し，固化させることができる。電極パッド１３から固化物の上方に熱が伝熱するまで待機するよりも，固化物の上方の原料に照射部４６からレーザ光を与えることで，原料を速く確実に固化させることができる。従って，待機工程を短縮でき，プローブピン１０を効率的に形成できる。固化物の上端部の高さが次第に高くなって，電極パッド１３からの距離が離れても，照射部４６から原料に対してレーザ光を局所的に照射することにより，固化物の上方の原料を常に確実に固化させることができる。従って，ノズル２２の移動経路に忠実な，正確な形状のプローブピン１０を形成できる。その他，加熱機構としては，原料に対して電子ビームを照射する照射部，あるいは，原料に対して赤外線を照射する照射部を設けても良い。この場合も，ノズル２２から吐出された原料を電子ビームのエネルギーあるいは赤外線のエネルギーによって加熱し，固化させることができる。 Moreover, you may provide the heating mechanism which produces a heat | fever by giving energy with respect to a raw material from the nozzle 22 or the holding stand 20 outside. For example, as shown in FIG. 10, an irradiation unit 46 that irradiates a raw material with a light beam (energy wave) such as a laser beam may be provided. Also in this case, the raw material discharged from the nozzle 22 can be suitably heated and solidified by the laser beam. Rather than waiting until heat is transferred from the electrode pad 13 to the upper side of the solidified material, the raw material can be quickly and surely solidified by applying laser light from the irradiation unit 46 to the raw material above the solidified material. Therefore, the standby process can be shortened and the probe pin 10 can be formed efficiently. Even if the height of the upper end portion of the solidified product is gradually increased and the distance from the electrode pad 13 is increased, the raw material above the solidified product is irradiated by locally irradiating the raw material with laser light from the irradiation unit 46. Can always be solidified reliably. Therefore, it is possible to form the probe pin 10 having an accurate shape faithful to the movement path of the nozzle 22. In addition, as a heating mechanism, an irradiation unit that irradiates the raw material with an electron beam or an irradiation unit that irradiates the raw material with infrared rays may be provided. Also in this case, the raw material discharged from the nozzle 22 can be heated and solidified by the energy of electron beam or infrared energy.

また，例えば図１１に示すように，原料に対して熱風を供給する熱風供給器４７を加熱機構として設けても良い。図１１において，熱風供給器４７は，例えば空気等の気体を加熱する加熱部４８と，加熱部４８によって加熱された気体をノズル２２の下方に吐出された原料に対して供給する熱風供給口４９とを備えている。熱風供給口４９から供給された高温の気体は，熱風となって原料に対して吹き付けられる。この場合も，原料を熱風によって加熱し，固化させることができる。電極パッド１３から固化物の上方に熱が伝熱するまで待機するよりも，原料を速く確実に固化させることができる。従って，待機工程を短縮でき，プローブピン１０を効率的に形成できる。固化物の上端部の高さが次第に高くなって，電極パッド１３からの距離が離れても，固化物の上方の原料を常に確実に固化させることができる。従って，ノズル２２の移動経路に忠実な，正確な形状のプローブピン１０を形成できる。 For example, as shown in FIG. 11, a hot air supply device 47 that supplies hot air to the raw material may be provided as a heating mechanism. In FIG. 11, a hot air supply unit 47 includes, for example, a heating unit 48 that heats a gas such as air, and a hot air supply port 49 that supplies the gas heated by the heating unit 48 to the raw material discharged below the nozzle 22. And. The high-temperature gas supplied from the hot air supply port 49 becomes hot air and is blown against the raw material. Also in this case, the raw material can be heated and solidified with hot air. The raw material can be solidified faster and more reliably than waiting until heat is transferred from the electrode pad 13 to above the solidified product. Therefore, the standby process can be shortened and the probe pin 10 can be formed efficiently. Even if the height of the upper end portion of the solidified product is gradually increased and the distance from the electrode pad 13 is increased, the raw material above the solidified product can always be solidified reliably. Therefore, it is possible to form the probe pin 10 having an accurate shape faithful to the movement path of the nozzle 22.

以上の実施形態では，吐出工程と待機工程とを交互に行うことにより，プローブピン１０を形成する方法を説明したが，ノズル２２の移動と原料の吐出のタイミングは，かかる形態に限定されない。例えばノズル２２の移動や原料の吐出を一旦停止させず，連続的に行っても良い。特に，ノズルヒータ４５（図９），照射部４６（図１０），熱風供給器４７（図１１）など，ノズル２２から吐出された直後の原料を局所的に加熱できる加熱手段を設けた場合には，待機工程を省略して，原料の吐出と固化とを連続的に行うことが可能である。即ち，移動するノズル２２から原料を連続的に吐出させながら，吐出された直後の原料をノズルヒータ４５や照射部４６などによって順次連続的に加熱して固化させることが可能である。これにより，プローブピン１０の加工速度を大幅に向上させることができる。 In the above embodiment, the method of forming the probe pin 10 by alternately performing the discharge process and the standby process has been described. However, the timing of the movement of the nozzle 22 and the discharge of the raw material is not limited to such a form. For example, the movement of the nozzle 22 and the discharge of the raw material may be continuously performed without being temporarily stopped. In particular, when a heating means capable of locally heating the raw material immediately after being discharged from the nozzle 22, such as a nozzle heater 45 (FIG. 9), an irradiation unit 46 (FIG. 10), a hot air supply device 47 (FIG. 11), is provided. It is possible to omit the standby process and continuously discharge and solidify the raw material. That is, while the raw material is continuously discharged from the moving nozzle 22, the raw material immediately after being discharged can be sequentially heated and solidified sequentially by the nozzle heater 45, the irradiation unit 46, and the like. Thereby, the processing speed of the probe pin 10 can be improved significantly.

以上の実施形態においては，プローブピン１０は略直棒状としたが，構造物形成装置１８によって製造できるプローブピン１０の形状はかかるものに限定されない。例えば図１２に示すように，ノズル２２を電極パッド１３に対して相対的に横方向に移動させて原料を吐出していくようにすれば，横向きの構造物を形成することができる。図示の例では，ノズル２２を略鉛直方向に移動させて縦方向に立設した縦腕部１０ａを形成した後，ノズル２２を縦腕部１０ａの先端部上方から略水平方向（Ｘ軸方向）に移動させて原料を吐出していき，原料の固化物を縦腕部１０ａの先端部から横方向に向かって連結させている。これにより，図１３に示すように，縦腕部１０ａの先端部から横向きに延びる横腕部１０ｂを形成できる。このように，構造物形成装置１８によれば，ノズル２２の移動経路を縦方向と横方向からなるＬ字状にすることで，縦腕部１０ａと横腕部１０ｂからなる略Ｌ字状のプローブピン，即ち，カンチレバー状のプローブピン１０を形成することもできる。 In the above embodiment, the probe pin 10 has a substantially straight rod shape, but the shape of the probe pin 10 that can be manufactured by the structure forming apparatus 18 is not limited to this. For example, as shown in FIG. 12, if the nozzle 22 is moved in the horizontal direction relative to the electrode pad 13 to discharge the raw material, a horizontal structure can be formed. In the example shown in the figure, the nozzle 22 is moved in a substantially vertical direction to form a vertical arm portion 10a standing in the vertical direction, and then the nozzle 22 is moved in a substantially horizontal direction (X-axis direction) from the upper end of the vertical arm portion 10a. Then, the raw material is discharged, and the solidified material is connected in the lateral direction from the tip of the vertical arm portion 10a. Thereby, as shown in FIG. 13, the horizontal arm part 10b extended in the horizontal direction from the front-end | tip part of the vertical arm part 10a can be formed. As described above, according to the structure forming apparatus 18, the movement path of the nozzle 22 is formed in an L shape having the vertical direction and the horizontal direction, so that the substantially L shape having the vertical arm portion 10a and the horizontal arm portion 10b is obtained. A probe pin, that is, a cantilever-like probe pin 10 can also be formed.

また，図１４に示すように，縦腕部１０ａから斜め上方に傾斜した方向に延びる横腕部１０ｂを形成したり，さらには，横腕部１０ｂの先端部から上方に突出した突起１０ｃを形成したりすることも可能である。ノズル２２の移動経路を略Ｓ字状に蛇行させれば，図１５に示すような，略Ｓ字状のプローブピン１０を形成することもできる。また，ノズル２２は，電極パッド１３に対して相対的に回転移動可能にしても良い。さらに，ノズル２２を電極パッド１３に対して相対的に上昇させながら回転させ，移動経路を螺旋状にすれば，例えば螺旋状，バネ状のプローブピン１０を形成することも可能である。即ち，構造物形成装置１８においては，ノズル２２を三次元において自由に移動可能としたことにより，電極パッド１３に対するノズル２２の相対的な移動経路を自在に変化させ，ノズル２２の相対的な移動経路に沿った多様な形状の構造物を形成できる。従って，プローブピン１０の形状の自由度を向上させることができる。また，プローブピン１０の形状の変更，電極パッド１３の配置変更，コンタクタ１１の設計変更等があっても，ノズル２２の移動経路等の設定を変更するだけで柔軟に対応でき，低コストで新たな設計のプローブピン１０を容易に形成し，異なる設計のコンタクタ１１を容易に製造できる。 Further, as shown in FIG. 14, a horizontal arm portion 10b extending in a direction inclined obliquely upward from the vertical arm portion 10a is formed, and further, a protrusion 10c protruding upward from the distal end portion of the horizontal arm portion 10b is formed. It is also possible to do. If the moving path of the nozzle 22 is made to meander in a substantially S shape, a substantially S-shaped probe pin 10 as shown in FIG. 15 can be formed. Further, the nozzle 22 may be rotatable relative to the electrode pad 13. Furthermore, if the nozzle 22 is rotated while being raised relative to the electrode pad 13 to make the movement path spiral, it is possible to form, for example, a spiral or spring-like probe pin 10. That is, in the structure forming apparatus 18, the nozzle 22 can be freely moved in three dimensions, so that the relative movement path of the nozzle 22 with respect to the electrode pad 13 can be freely changed, and the relative movement of the nozzle 22 can be changed. Various shapes of structures along the path can be formed. Therefore, the degree of freedom of the shape of the probe pin 10 can be improved. Even if the shape of the probe pin 10, the arrangement of the electrode pad 13, the design change of the contactor 11, etc. are changed, it can be flexibly handled by changing the setting of the moving path of the nozzle 22, etc. A probe pin 10 with a simple design can be easily formed, and a contactor 11 with a different design can be easily manufactured.

図１６に示すように，ノズル２２を電極パッド１３に対して相対的に下降させながら原料を吐出させるようにしても良い。図１６に示す例では，先ず電極パッド１３からノズル２２を上昇させながら原料を吐出させ，これにより縦腕部１０ａを形成する。その後，ノズル２２を縦腕部１０ａの上端部から横方向に移動させながら原料を吐出させ，これにより横腕部１０ｂを形成する。その後，ノズル２２を横腕部１０ｂの先端部から下降させながら原料を吐出させ，これにより，横腕部１０ｂの先端部から垂れ下がるように設けられた第二の縦腕部１０ｄを形成している。さらに，第二の縦腕部１０ｄを形成した後，ノズル２２を横方向，上方等に移動させ，縦腕部や横腕部を形成しても良い。例えば図１７に示すように，ノズル２２を第二の縦腕部１０ｄの下端部から横方向に移動させながら原料を吐出させ，第二の横腕部１０ｅを形成し，ノズル２２を第二の横腕部１０ｅの先端部から上昇させながら原料を吐出させ，第二の横腕部１０ｅに支持された第三の縦腕部１０ｆを形成しても良い。このように，ノズル２２の移動経路に上方から下方に向かう部分を設けることにより，下方に向かって折れ曲がった形状を含む構造物を形成することもできる。 As shown in FIG. 16, the material may be discharged while the nozzle 22 is lowered relative to the electrode pad 13. In the example shown in FIG. 16, first, the raw material is discharged from the electrode pad 13 while raising the nozzle 22, thereby forming the vertical arm portion 10a. Thereafter, the raw material is discharged while moving the nozzle 22 from the upper end of the vertical arm portion 10a in the horizontal direction, thereby forming the horizontal arm portion 10b. Thereafter, the raw material is discharged while lowering the nozzle 22 from the distal end portion of the horizontal arm portion 10b, thereby forming the second vertical arm portion 10d provided to hang down from the distal end portion of the lateral arm portion 10b. . Furthermore, after the second vertical arm portion 10d is formed, the nozzle 22 may be moved in the horizontal direction, upward, or the like to form the vertical arm portion or the horizontal arm portion. For example, as shown in FIG. 17, the raw material is discharged while moving the nozzle 22 from the lower end of the second vertical arm portion 10d in the lateral direction, thereby forming the second horizontal arm portion 10e. The third vertical arm portion 10f supported by the second horizontal arm portion 10e may be formed by discharging the raw material while being raised from the distal end portion of the horizontal arm portion 10e. In this way, by providing a portion from the upper side to the lower side in the movement path of the nozzle 22, it is possible to form a structure including a shape bent downward.

なお，図１７に例示したように，横方向の軸を中心として上下に互い違いに折曲（あるいは湾曲）させた構造にすることで，プローブピン１０の高さを抑えながらも，プローブピン１０に柔軟性を持たせることができる。一方，図１５に例示したような，縦方向の軸を中心として左右に互い違いに湾曲（あるいは折曲）させた構造，あるいは，縦方向の軸を中心として螺旋状にした構造でも，プローブピン１０に柔軟性を持たせることができるが，図１７のように横方向の軸を中心として互い違いに折曲（あるいは湾曲）させたり螺旋状にした構造のほうが，プローブピン１０の高さをより低く抑えることができる。 Note that, as illustrated in FIG. 17, the probe pin 10 has a structure in which the height of the probe pin 10 is suppressed while the height of the probe pin 10 is suppressed by using a structure that is alternately bent (or curved) around the horizontal axis. Flexibility can be given. On the other hand, as shown in FIG. 15, the probe pin 10 may have a structure that is alternately bent (or bent) left and right around the longitudinal axis, or a spiral structure around the longitudinal axis. However, the height of the probe pin 10 is lower in a structure in which it is alternately bent (or curved) or spiraled around the horizontal axis as shown in FIG. Can be suppressed.

また，ノズル２２の傾斜方向や，吐出口２２ｂの向き等を，電極パッド１３に対して相対的に可変にしても良い。このようにすると，例えば図１６に示すように，ノズル２２を下降させながら原料を吐出させる際などにも，吐出口２２ｂと原料の固化物との間において，原料を常に途切れることなく繋げた状態で保持させ易くすることができる。例えば縦腕部１０ａや横腕部１０ｂを形成するときは，ノズル２２の長さ方向（中心軸方向）を略鉛直方向に向け，吐出口２２ｂを下方に向けるようにし，第二の縦腕部１０ｄを形成するときは，ノズル２２の傾斜方向を変化させる。即ち，ノズル２２の長さ方向を略鉛直方向に対して傾斜させ，下方に向かうほど横腕部１０ｂ側に向かうようにし，吐出口２２ｂを斜め下方に，固化物の先端部側に向ける。これにより，吐出口２２ｂと固化物の先端部との間の間隔が，ノズル２２を略鉛直に向けた場合よりも狭くなり，吐出口２２ｂと固形物の先端部との間において，原料が表面張力によって保持され易くなる。従って，下方に向かって折れ曲がった形状を含む構造物などを形成する場合も，ノズル２２の移動経路に忠実な，正確な形状の構造物を形成できる。なお，ノズル２２の傾斜方向の調節機能は，例えばノズル移動機構２３に備えても良い。ノズル２２の傾斜方向は，ノズル２２の移動経路に応じて，原料を常に途切れることなく繋げた状態で吐出できるような向きに制御するようにしても良い。 Further, the inclination direction of the nozzle 22 and the direction of the discharge port 22b may be made relatively variable with respect to the electrode pad 13. In this case, as shown in FIG. 16, for example, when the raw material is discharged while the nozzle 22 is lowered, the raw material is always connected without interruption between the discharge port 22b and the solidified material. It can be made easy to hold. For example, when forming the vertical arm portion 10a and the horizontal arm portion 10b, the length direction (center axis direction) of the nozzle 22 is directed in a substantially vertical direction, the discharge port 22b is directed downward, and the second vertical arm portion is formed. When forming 10d, the inclination direction of the nozzle 22 is changed. That is, the length direction of the nozzle 22 is inclined with respect to the substantially vertical direction so that the nozzle 22 is directed toward the side arm portion 10b toward the lower side, and the discharge port 22b is directed obliquely downward toward the front end side of the solidified product. Thereby, the space | interval between the discharge port 22b and the front-end | tip part of a solidified material becomes narrower than the case where the nozzle 22 is orient | assigned substantially perpendicularly, and between the discharge port 22b and the front-end | tip part of a solid substance, It becomes easy to be held by tension. Accordingly, even when a structure including a shape bent downward is formed, it is possible to form a structure having an accurate shape faithful to the movement path of the nozzle 22. The function of adjusting the inclination direction of the nozzle 22 may be provided in the nozzle moving mechanism 23, for example. The inclination direction of the nozzle 22 may be controlled in such a direction that the raw material can be discharged in a connected state without being interrupted according to the movement path of the nozzle 22.

以上の実施形態においては，プローブカードに設けられるプローブピンを構造物として形成する方法について説明したが，本発明における構造物とはかかるものに限定されず，本発明は様々な構造物の形成に適用できる。 In the above embodiment, the method of forming the probe pin provided on the probe card as a structure has been described. However, the structure in the present invention is not limited to such a structure, and the present invention can be used to form various structures. Applicable.

例えば図１８に示すような，電子デバイスの一例としてのＭＥＭＳ（マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム）デバイス５０を封止したパッケージ５１において，基板５２と蓋体５３との間に設けられた接続端子の形成を行うこともできる。図１８において，パッケージ５１は，例えばセンサ等のＭＥＭＳデバイス５０が上面中央部に取り付けられた基板５２と，ＭＥＭＳデバイス５０の上方を覆う蓋体５３とを備えており，パッケージ５１の内部には，基板５２と蓋体５３によって囲まれた収納空間５６が設けられている。蓋体５３は，基板５２上に設けられたＭＥＭＳデバイス５０の周囲及び上方を覆う構造になっている。かかる蓋体５３を基板５２に対して取り付けることにより，ＭＥＭＳデバイス５０を収納する収納空間５６が，蓋体５３と基板５２とによって形成され，ＭＥＭＳデバイス５０が保護される構成になっている。 For example, as shown in FIG. 18, in a package 51 in which a MEMS (micro electro mechanical system) device 50 as an example of an electronic device is sealed, connection terminals provided between a substrate 52 and a lid 53 are provided. Formation can also be performed. In FIG. 18, a package 51 includes, for example, a substrate 52 on which a MEMS device 50 such as a sensor is attached at the center of the upper surface, and a lid 53 that covers the top of the MEMS device 50. A storage space 56 surrounded by the substrate 52 and the lid 53 is provided. The lid 53 has a structure that covers the periphery and the top of the MEMS device 50 provided on the substrate 52. By attaching the lid 53 to the substrate 52, a storage space 56 for accommodating the MEMS device 50 is formed by the lid 53 and the substrate 52, and the MEMS device 50 is protected.

基板５２の上面には，ＭＥＭＳデバイス５０に連結された電極６１が設けられている。一方，蓋体５３には，蓋体５３の上面側と下面側との間で貫通するように設けられた配線６２が設けられている。収納空間５６側に設けられた配線６２の下端部６２ａには，構造物としての突起状の接続端子（バンプ）６３が取り付けられている。パッケージ５１の外部上面に設けられた配線６２の上端部６２ｂには，パッケージ５１の外部の電子部品等に接触させられる接触端子６４が取り付けられている。かかる構成において，蓋体５３が基板５２に取り付けられたとき，接続端子６３の下端部は，基板５２の電極６１に接触させられる。即ち，パッケージ５１内に封止されたＭＥＭＳデバイス５０とパッケージ５１の外部の他の電子部品等とを，電極６１，接続端子６３，配線６２，接触端子６４を介して電気的に接続できる状態になる。このような接続端子６３を構造物として，配線６２の下端部（基材）６２ａに形成する場合にも，本発明を好適に適用できる。また，接触端子６４を構造物として，配線６２の上端部（基材）６２ｂに形成する場合にも，本発明を好適に適用できる。 On the upper surface of the substrate 52, an electrode 61 connected to the MEMS device 50 is provided. On the other hand, the lid 53 is provided with a wiring 62 provided so as to penetrate between the upper surface side and the lower surface side of the lid body 53. A projecting connection terminal (bump) 63 as a structure is attached to a lower end 62a of the wiring 62 provided on the storage space 56 side. A contact terminal 64 that is brought into contact with an electronic component or the like outside the package 51 is attached to an upper end portion 62 b of the wiring 62 provided on the outer upper surface of the package 51. In such a configuration, when the lid 53 is attached to the substrate 52, the lower end portion of the connection terminal 63 is brought into contact with the electrode 61 of the substrate 52. That is, the MEMS device 50 sealed in the package 51 and other electronic components outside the package 51 can be electrically connected via the electrode 61, the connection terminal 63, the wiring 62, and the contact terminal 64. Become. The present invention can also be suitably applied to the case where such a connection terminal 63 is formed on the lower end portion (base material) 62a of the wiring 62 as a structure. Further, the present invention can also be suitably applied to the case where the contact terminal 64 is formed as a structure on the upper end portion (base material) 62b of the wiring 62.

また，かかるＭＥＭＳデバイス５０における接続端子６３や接触端子６４としても，様々な形状のものを自在に作製することができる。例えば図１９に示すような，略Ｓ字状をなすバネ状の接続端子６３（マイクロスプリング）を形成することもできる。また，例えば図１７に示したプローブピン１０のように，横方向の軸を中心として上下に互い違いに折曲（あるいは湾曲）させた形状の接続端子６３を形成することもできる。この場合，接続端子６３の高さを抑え，省スペースを図ることができる。従って，例えば収納空間５６の高さが小さい場合，あるいは，配線６２の下端部６２ａと電極６１との間の隙間の高さが小さい場合などでも，横方向の軸を中心として互い違いに折曲（あるいは湾曲）させた構造にすることで，接続端子６３をパッケージ５１内に収めながらも，接続端子６３に柔軟性を持たせることができる。 Moreover, as the connection terminal 63 and the contact terminal 64 in the MEMS device 50, various shapes can be freely produced. For example, as shown in FIG. 19, a spring-like connection terminal 63 (microspring) having a substantially S-shape can be formed. Further, for example, like the probe pin 10 shown in FIG. 17, it is also possible to form the connection terminal 63 having a shape that is alternately bent (or curved) up and down around the horizontal axis. In this case, the height of the connection terminal 63 can be suppressed to save space. Therefore, for example, even when the height of the storage space 56 is small, or when the height of the gap between the lower end 62a of the wiring 62 and the electrode 61 is small, the bending ( By adopting a curved structure, the connection terminal 63 can be flexible while being accommodated in the package 51.

なお，このようなＭＥＭＳデバイス５０を封止するパッケージ５１においては，蓋体５３の構造や，配線６２の下端部６２ａの周辺構造等が複雑である場合など，従来の接続端子６３の形成方法では，接続端子６３を所望の位置に取り付けることが困難な場合があった。そのような場合でも，本発明にかかる構造物の形成方法によれば，接続端子６３を所望の位置に所望の形状で，簡単に形成することが可能である。 In the package 51 for sealing such a MEMS device 50, when the structure of the lid 53, the peripheral structure of the lower end portion 62a of the wiring 62, and the like are complicated, In some cases, it is difficult to attach the connection terminal 63 to a desired position. Even in such a case, according to the structure forming method of the present invention, the connection terminal 63 can be easily formed in a desired shape at a desired position.

また，上記のようなＭＥＭＳデバイス５０用のパッケージ５１の製造工程には限定されず，その他の様々な大きさや機能構成等を有する電子デバイスを封止するパッケージの製造工程においても，本発明を好適に適用できる。即ち，電子デバイスを封止するパッケージの蓋体に設けられた，配線６２と同様の機能を有する配線等に対して，接続端子６３と同様の機能を有する接続端子や，接触端子６４と同様の機能を有する接触端子等を形成する場合にも，本発明を適用できる。 Further, the present invention is not limited to the manufacturing process of the package 51 for the MEMS device 50 as described above, and the present invention is also suitable in the manufacturing process of a package for sealing electronic devices having various other sizes and functional configurations. Applicable to. That is, a connection terminal having the same function as that of the connection terminal 63 or a contact terminal 64 having the same function as that of the connection terminal 63 is provided on the lid of the package for sealing the electronic device. The present invention can also be applied when forming a contact terminal or the like having a function.

また，本発明は，例えばＩＣチップや回路基板等の各種電子部品において，電子部品に設けられた電極部を他の電極部に対して電気的に接続するためのバンプ，端子，配線等といった部材を構造物とした形成方法に適用することもできる。図２０に示すように，例えばＩＣチップ７１等の上面において互いに離隔した位置に形成された２つの電極部７２，７３を互いに電気的に接続する配線７４を構造物として形成することもできる。例えば一方の電極部７２を基材として，原料の固化物を形成していき，固化物の先端部を他方の電極部７３に接続することにより，配線７４を形成できる。電極部７２と電極部７３との間に他の部材７５等が存在しても，ノズル２２を上昇，横移動，下降させながら固化物を順次形成することで，配線７４を高さのある立体的な形状とし，部材７５を跨ぐような形状にすることができる。従って，電極部７２，７３を好適に接続できる。 Further, the present invention relates to various electronic parts such as IC chips and circuit boards, such as bumps, terminals, wirings and the like for electrically connecting electrode parts provided on the electronic parts to other electrode parts. It is also possible to apply to a forming method using a structure. As shown in FIG. 20, for example, a wiring 74 that electrically connects two electrode portions 72 and 73 formed at positions separated from each other on the upper surface of the IC chip 71 or the like can be formed as a structure. For example, the wiring 74 can be formed by forming a solidified raw material using one electrode portion 72 as a base material and connecting the tip of the solidified material to the other electrode portion 73. Even if another member 75 or the like exists between the electrode part 72 and the electrode part 73, the wiring 74 is formed in a three-dimensional shape having a height by forming the solidified material sequentially while raising, laterally moving, and lowering the nozzle 22. It is possible to make a shape that crosses the member 75. Therefore, the electrode parts 72 and 73 can be connected suitably.

さらに，ＩＣチップ７１の上面において電極部７２，７３から離隔した位置に形成された他の電極部８１と配線７４との間を繋ぐ配線８２を形成することもできる。即ち，配線７４，８２を備えた配線構造８３を構造物として形成することもできる。例えば配線７４を形成した後，配線７４の途中の部分を基材として，原料の固化物を形成していき，その固化物の先端部を電極部８１に接続することにより，配線８２を形成できる。これにより，一端部が電極部８１に接続され他端部が２本に分岐して電極部７２，７３に接続された立体的な配線構造８３を形成し，電極部７２，７３，８１を互いに電気的に接続することができる。 Furthermore, a wiring 82 that connects the other electrode part 81 formed at a position separated from the electrode parts 72 and 73 on the upper surface of the IC chip 71 and the wiring 74 can also be formed. That is, the wiring structure 83 including the wirings 74 and 82 can be formed as a structure. For example, after the wiring 74 is formed, a raw material solidified product is formed using a middle portion of the wiring 74 as a base material, and the tip of the solidified product is connected to the electrode portion 81, whereby the wiring 82 can be formed. . As a result, a three-dimensional wiring structure 83 having one end connected to the electrode portion 81 and the other end branched into two to be connected to the electrode portions 72 and 73 is formed, and the electrode portions 72, 73, and 81 are connected to each other. Can be electrically connected.

図２１に示すような，高さ１００μｍ，外径５０μｍの略円柱状のプローブピン１０を電極パッド１３上に形成する場合における各種数値の好ましい値を例示する。原料は，平均粒径約１μｍ以下の銀粒子，熱硬化性樹脂，有機溶剤を混合したペースト状とし，粘度は約１２Ｐａ・ｓに調整する。ノズル２２の吐出口２２ｂは，内径約２０μｍの円孔とする。原料を供給する前の電極パッド１３の温度は約８０℃に加熱する。一回の吐出工程において吐出口２２ｂから吐出される原料の量は，約２０ｐＬ〜３０ｐＬ（約２×１０^−１４ｍ^３〜３×１０^−１４ｍ^３）とする。また，一回の吐出工程においてノズル２２を電極パッド１３から相対的に上昇させる高さは，約１０μｍとする。このような吐出工程と待機工程とからなるプロセスを，１０回程度繰り返して行う。最初の吐出工程においては，外径約１００μｍ程度の環状固化部が形成される。以上のようにして，プローブピン１０を好適に形成できる。 Examples of preferable values of various numerical values in the case where the substantially cylindrical probe pin 10 having a height of 100 μm and an outer diameter of 50 μm as shown in FIG. The raw material is a paste in which silver particles having an average particle size of about 1 μm or less, a thermosetting resin, and an organic solvent are mixed, and the viscosity is adjusted to about 12 Pa · s. The discharge port 22b of the nozzle 22 is a circular hole having an inner diameter of about 20 μm. The temperature of the electrode pad 13 before supplying the raw material is heated to about 80.degree. The amount of the raw material discharged from the discharge port 22b in one discharge step is about 20 pL to 30 pL (about 2 × 10 ⁻¹⁴ m ^{3 to} 3 × 10 ⁻¹⁴ m ³ ). In addition, the height at which the nozzle 22 is relatively raised from the electrode pad 13 in one discharge process is about 10 μm. A process consisting of such a discharge process and a standby process is repeated about 10 times. In the first discharge process, an annular solidified portion having an outer diameter of about 100 μm is formed. As described above, the probe pin 10 can be suitably formed.

本発明は，例えば電子部品等において，プローブピンやバンプといった各種接続端子等を形成する構造物形成方法，プローブピン及び構造物形成装置に適用できる。 The present invention can be applied to, for example, a structure forming method, a probe pin, and a structure forming apparatus for forming various connection terminals such as probe pins and bumps in electronic parts and the like.

プローブ装置の構成を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining the structure of a probe apparatus. 本実施形態にかかる構造物形成装置の構成を説明する概略側面図である。It is a schematic side view explaining the structure of the structure formation apparatus concerning this embodiment. ノズルを電極パッドに近接させた状態を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining the state which made the nozzle adjoin to an electrode pad. ノズルから電極パッドに原料を吐出させた状態を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining the state which discharged the raw material to the electrode pad from the nozzle. 環状固化部が形成された状態を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining the state in which the annular solidification part was formed. 吐出工程を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining a discharge process. 待機工程を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining a standby process. ノズルを固化物から離隔させる工程を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining the process of separating a nozzle from a solidified material. ノズルヒータを設けた実施形態を説明する概略断面図である。It is a schematic sectional drawing explaining embodiment provided with the nozzle heater. 照射部を設けた実施形態にかかる説明図である。It is explanatory drawing concerning embodiment provided with the irradiation part. 熱風供給器を設けた実施形態にかかる説明図である。It is explanatory drawing concerning embodiment provided with the hot air supply device. ノズルを横向きに移動させて横腕部を形成する実施形態にかかる説明図である。It is explanatory drawing concerning embodiment which moves a nozzle sideways and forms a horizontal arm part. 縦腕部と横腕部を有するプローブピンの概略側面図である。It is a schematic side view of the probe pin which has a vertical arm part and a horizontal arm part. 突起部を有するプローブピンの概略側面図である。It is a schematic side view of the probe pin which has a projection part. 略Ｓ字状のプローブピンの概略側面図である。It is a schematic side view of a substantially S-shaped probe pin. ノズルを下降させて第二の縦腕部を形成する実施形態にかかる説明図である。It is explanatory drawing concerning embodiment which descends a nozzle and forms a 2nd vertical arm part. 第二の縦腕部，第二の横腕部，第三の縦腕部を備える構造物の説明図である。It is explanatory drawing of a structure provided with a 2nd vertical arm part, a 2nd horizontal arm part, and a 3rd vertical arm part. ＭＥＭＳデバイスを有するパッケージの部分断面図である。It is a fragmentary sectional view of the package which has a MEMS device. ＭＥＭＳデバイスを有し，略Ｓ字状の接続端子を備えたパッケージの部分断面図である。It is a fragmentary sectional view of the package which has a MEMS device and was provided with the connection terminal of a substantially S shape. 配線の一例を説明する概略側面図である。It is a schematic side view explaining an example of wiring. 実施例にかかるプローブピンの概略側面図である。It is a schematic side view of the probe pin concerning an Example.

Explanation of symbols

１プローブ装置
１０プローブピン
１１コンタクタ
１３電極パッド
１８構造物形成装置
２０保持台
２２ノズル
２３ノズル移動機構
２８電気ヒータ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Probe apparatus 10 Probe pin 11 Contactor 13 Electrode pad 18 Structure formation apparatus 20 Holding stand 22 Nozzle 23 Nozzle movement mechanism 28 Electric heater

Claims

A method of forming a structure on an upper surface of a substrate,
While moving the nozzle at least upward relative to the substrate, the raw material to be solidified by heat from the nozzle is discharged without interruption, the discharged raw material is sequentially heated, and the raw material is solidified, A structure forming method comprising forming a structure having a shape along a movement path of a nozzle relative to a base material.

The structure forming method according to claim 1, wherein the raw material is discharged while the nozzle is moved laterally relative to the base material.

The structure forming method according to claim 1, wherein the raw material is discharged while moving the nozzle relatively downward with respect to the base material.

The structure forming method according to claim 1, wherein the raw material is discharged while moving the nozzle relatively spirally with respect to the substrate.

The structure forming method according to claim 1, wherein the raw material is discharged while changing an inclination direction of the nozzle.

The process of discharging the raw material while moving the nozzle and the step of solidifying the discharged raw material by stopping the movement of the nozzle are alternately repeated. The structure formation method as described.

The structure forming method according to claim 1, wherein the raw material is solidified by heating the base material.

The structure forming method according to claim 1, wherein the raw material is heated by heating a discharge port of the nozzle through which the raw material is discharged.

The structure forming method according to claim 1, wherein the raw material is heated by irradiating the raw material with any one of a laser beam, an infrared ray, and an electron beam.

The structure forming method according to claim 1, wherein the raw material is heated by supplying hot air to the raw material.

The structure forming method according to claim 1, wherein the raw material contains a thermosetting resin.

The structure forming method according to claim 1, wherein the raw material contains a conductive material.

The base material is an electrode pad provided on a probe card for inspecting electrical characteristics of an object to be inspected,
The structure forming method according to claim 1, wherein the structure is a probe pin for making contact with the object to be inspected.

The base material is an electrode portion provided in an electronic component,
The said structure is a member which electrically connects the said electrode part with respect to another electrode part, The structure formation method in any one of Claims 1-12 characterized by the above-mentioned.

The base material is a wiring provided on a lid that covers the electronic device,
The said structure is a member which electrically connects the said wiring and the said electronic device, The structure formation method in any one of Claims 1-12 characterized by the above-mentioned.

A probe pin that is in contact with the object to be inspected in order to inspect the electrical characteristics of the object;
A probe pin formed as the structure using the structure forming method according to claim 1.

A structure forming apparatus for forming a structure on an upper surface of a base material,
A holding unit that holds the base material, a nozzle that discharges the raw material solidified by heat to the base material without interruption, and a moving mechanism that moves the nozzle relative to the base material held by the holding unit; And a heating mechanism for heating the raw material discharged from the nozzle without any interruption.

18. The structure forming apparatus according to claim 17, wherein the moving mechanism moves the nozzle at least in the vertical direction relative to the base material.

The structure forming apparatus according to claim 17 or 18, wherein the moving mechanism moves the nozzle in a lateral direction relative to the base material.

The structure forming apparatus according to claim 17, wherein the moving mechanism moves the nozzle in a spiral relative to the base material.

21. The structure forming apparatus according to claim 17, wherein an inclination direction of the nozzle is variable.

The structure forming apparatus according to any one of claims 17 to 21, wherein the heating mechanism includes a heater that is provided in the holding portion and heats the base material.

The structure forming apparatus according to any one of claims 17 to 22, wherein the heating mechanism includes a nozzle heater that is provided at a discharge port of the nozzle and heats a raw material discharged from the discharge port.

The structure forming apparatus according to any one of claims 17 to 23, wherein the heating mechanism includes an irradiation unit that irradiates the raw material with one of laser light, infrared light, and electron beam.

The structure forming apparatus according to any one of claims 17 to 24, wherein the heating mechanism includes a hot air supply port for supplying hot air to the raw material.

The structure forming apparatus according to claim 17, wherein the raw material contains a thermosetting resin.

27. The structure forming apparatus according to any one of claims 17 to 26, wherein the raw material contains a conductive material.

The base material is an electrode pad provided on a probe card for inspecting electrical characteristics of an object to be inspected,
The structure forming apparatus according to any one of claims 17 to 27, wherein the structure is a probe pin for contacting the object to be inspected.

The base material is an electrode portion provided in an electronic component,
The said structure is a member which electrically connects the said electrode part with respect to another electrode part, The structure formation apparatus in any one of Claims 17-27 characterized by the above-mentioned.

The base material is a wiring provided on a lid that covers the electronic device,
28. The structure forming apparatus according to any one of claims 17 to 27, wherein the structure is a member that electrically connects the wiring and the electronic device.