JP2007188971A - ジャンパーチップ部品 - Google Patents

Abstract

【課題】導体の抵抗値の上昇を防止するとともに、耐硫化特性に優れ、かつ、製造コストを抑えることができるジャンパーチップを提供する。
【解決手段】ジャンパーチップ部品Ａ１は、絶縁基板１０の上面に形成された導体１２と、導体１２における両側の端部領域を除く領域を被覆する保護膜１４と、導体１２の両側の端部領域に接続して形成された一対の電極部４０で、導体１２における保護膜１４に被覆されていない端部領域を被覆するように形成され、一部が保護膜１４に乗り上げる状態で形成された一対の上面電極１６とを有し、上面電極１６は、銀パラジウム系厚膜により形成されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、ジャンパーチップ部品に関するものである。

従来より、プリント基板上の配線の欠損部を接続するための部品として、ジャンパーチップ部品（「ジャンパーチップ」、「ジャンパー抵抗器」、「０Ω抵抗器」ともいう）が知られている。

ここで、従来におけるジャンパーチップ部品（以下単に「ジャンパーチップ」とする）としては、図９に示す構成のものが一般的である。つまり、従来におけるジャンパーチップＢは、絶縁基板１１０と、導体１１２と、保護膜１１４と、下面電極１１８と、側面電極１２０と、メッキ１２２と、を有している。メッキ１２２は、ニッケルメッキ１２４と、錫メッキ１２６とから構成される。そして、導体１１２としては、一般に銀系厚膜が用いられている。この銀系厚膜を使用した場合には、抵抗値が低く低コストであるために適している。

また、図９のジャンパーチップＢに対して耐硫化特性を高くするために、図１０に示す構成のジャンパーチップＣがある。このジャンパーチップＣは、絶縁基板１１０と、導体１１２と、保護膜１１４と、第２の導体１１６と、下面電極１１８と、側面電極１２０と、メッキ１２２と、を有した構成とし、導体１１２を銀系厚膜とし、第２の導体１１６を銀パラジウム系厚膜として、第２の導体１１６におけるパラジウム比率を高くしたものがある。つまり、導体１１２の上面に第２の導体１１６を設け、保護膜１１４と第２の導体１１６の境界の下側に、パラジウム比率の高い第２の導体１１６を設けることにより、導体１１２の硫化を防止しようとするものである。

また、出願人は、先行技術文献として、以下の特許文献１に示す文献と、特許文献２に示す文献を知得している。
特開２００５−７９２３５号公報 特開２０００−１５６３０４号公報

しかし、図９に示すジャンパーチップＢにおいては、銀系厚膜は硫化しやすいため、ジャンパーチップを硫化雰囲気中で使用すると、銀系厚膜で構成された導体が硫化してしまい、断線に至るおそれがある。つまり、具体的には、保護膜１１４とメッキ１２２の接合部分から硫化雰囲気（例えば、硫化水素）が侵入して、導体１１２が硫化され、硫化銀が該接合部分から露出する現象を呈してしまう。このジャンパーチップＢにおいて、導体１１２をＰｄ比率の高い銀パラジウムに変更した場合には、耐硫化特性は向上するものの、導体１１２の抵抗値が高くなってしまうという問題がある。この場合に、導体１１２を金（Ａｕ）により形成することも考えられるが、その場合には、ジャンパーチップの製造コストが上がってしまう。

また、図１０に示すジャンパーチップＣにおいては、図９に示すジャンパーチップＢに比べて耐硫化特性は向上するが、第２の導体１１６の焼成時に銀パラジウムにおけるパラジウムが導体１１２に拡散して（その際、導体１１２の銀も第２の導体１１６に拡散して、相互拡散が生じることになる）、導体１１２の抵抗値が高くなってしまうという問題があり、また、第２の導体１１６のパラジウム比率が下がってしまうことから、十分な耐硫化特性を得ることができないという問題がある。

また、上記特許文献１に記載のジャンパーチップ部品においては、第１導体と第２導体との間の相互拡散は生じないことから、第１導体の抵抗値が上がってしまうおそれはないが、第２導体にはパラジウムが含有されていないことから、どうしても十分な耐硫化特性を得ることができないという問題がある。

また、同様に、上記特許文献２に記載のジャンパー抵抗器においては、二次上面電極層をＡｕ系の金属により形成することから、製造コストが上がってしまうという問題がある。

そこで、本発明は、導体の抵抗値の上昇を防止するとともに、耐硫化特性に優れ、かつ、製造コストを抑えることができるジャンパーチップを提供することを目的とするものである。

本発明は上記問題点を解決するために創作されたものであって、第１には、ジャンパーチップ部品であって、絶縁基板と、絶縁基板の上面に形成された導体と、導体における両側の端部領域を除く領域を被覆する保護膜と、導体の両側の端部領域に接続して形成された一対の電極部で、導体における保護膜に被覆されていない端部領域を被覆するように形成され、一部が保護膜に乗り上げる状態で形成された一対の上面電極で、パラジウムを含有する材料により形成された上面電極と、電極部の外側を構成するメッキと、を有する電極部と、を有することを特徴とする。

この第１の構成のジャンパーチップ部品においては、保護膜が導体の両側の端部領域を除く領域を被覆し、パラジウムを含有する材料により形成された上面電極が、導体における保護膜に被覆されていない端部領域を被覆し、一部が保護膜に乗り上げる状態で形成されているので、保護膜とメッキの境界から硫化雰囲気が侵入しても、導体が硫化するおそれがない。特に、上面電極がパラジウムを含有しているので、耐硫化特性を高くすることができる。また、上面電極は、その一部が保護膜に乗り上げた状態となっており、これにより、上面電極と導体との接続領域を少なくしているので、上面電極にパラジウムが含有されている場合でも、上面電極におけるパラジウムが導体に拡散する度合いを小さくでき、導体の抵抗値の上昇を防止することができる。また、保護膜とメッキとの境界に近い側においては、上面電極の下側には保護膜が接しているので、上面電極における保護膜の上面に形成された領域からはパラジウムは保護膜に拡散しないため、上面電極における該境界に近い側の領域におけるパラジウム比率の低下を防止でき、耐硫化特性を高く維持することができる。また、上面電極をパラジウムを含有する材料により形成して耐硫化特性を高くするので、Ａｕ等の高価な材料を用いる必要がなく、製造コストを抑えることができる。なお、上記第１の構成において、「パラジウムを含有する材料により形成された上面電極」を「銀パラジウム厚膜により形成された上面電極」としてもよい。

また、第２には、上記第１の構成において、導体が、電極部間方向においては、絶縁基板の両端にまで形成され、保護膜が、電極部間方向においては、絶縁基板の両端にまで形成されずに、導体の両側の端部領域が保護膜から露出していることを特徴とする。

また、第３には、上記第１の構成において、導体が、電極部間方向においては、絶縁基板の両端にまで形成され、保護膜が、電極部間方向においては、絶縁基板の両端にまで形成されていて、導体の端部の領域の一部が保護膜から露出して、導体における保護膜に被覆されていない上記端部領域を構成していることを特徴とする。よって、導体と上面電極の接続領域を少なくできるので、上面電極のパラジウムが導体に拡散する度合いを小さくして、導体の抵抗値の上昇を防止することができる。

また、第４には、上記第３の構成において、導体における電極部間方向の端部の領域の幅が絶縁基板の幅と同一に形成され、該端部の領域以外の領域が絶縁基板の幅よりも小さく形成され、また、保護膜が、導体における電極部間方向の端部の領域の一部を露出するように形成されていることを特徴とする。

また、第５には、ジャンパーチップ部品であって、絶縁基板と、絶縁基板の上面に形成された導体で、電極部間方向に絶縁基板の両端にまで形成された導体と、導体の上面に形成された保護膜で、電極部間方向に絶縁基板の端部にまで形成され、導体の上面を全て被覆する保護膜と、導体の両側の端部領域に接続して形成された一対の電極部で、保護膜の上面に接続された一対の上面電極で、パラジウムを含有する材料により形成された上面電極と、絶縁基板の側面に形成された側面電極で、断面略コ字状を呈し、上面電極に接続されているとともに、導体の端面と接続された側面電極と、電極部の外側を構成するメッキと、を有する電極部と、を有することを特徴とする。

この第５の構成のジャンパーチップ部品においては、導体の上面に保護膜が被覆され、該保護膜の上面にパラジウムを含有する材料により形成された上面電極が形成されているので、保護膜とメッキの境界から硫化雰囲気が侵入しても、導体が硫化するおそれがない。特に、上面電極がパラジウムを含有しているので、耐硫化特性を高くすることができる。また、上面電極は、保護膜の上面に形成されており、また、保護膜が絶縁基板の端部にまで形成されていて、これにより、上面電極と導体とは直接には接続していないので、上面電極におけるパラジウムが導体に拡散することがなく、導体の抵抗値の上昇を防止することができる。また、上面電極の下側には保護膜が接しているので、上面電極からはパラジウムは保護膜に拡散しないため、上面電極のパラジウム比率の低下を防止でき、耐硫化特性を高く維持することができる。また、上面電極をパラジウムを含有する材料、すなわち、銀パラジウムにより形成して耐硫化特性を高くするので、Ａｕ等の高価な材料を用いる必要がなく、製造コストを抑えることができる。なお、上記第５の構成において、「パラジウムを含有する材料により形成された上面電極」を「銀パラジウム厚膜により形成された上面電極」としてもよい。

また、第６には、上記第１から第５までのいずれかの構成において、上面電極が、銀パラジウム系厚膜により形成されていることを特徴とする。なお、この銀パラジウム系厚膜における銀とパラジウムの相対比率は、重量比で、銀が７０〜９０％で、パラジウムが１０〜３０％であることが好ましい。

また、第７には、上記第１から第６までのいずれかの構成において、導体が、銀系厚膜又は銀パラジウム系厚膜により形成されていることを特徴とする。

また、第７の構成として、以下の構成としてもよい。すなわち、「ジャンパーチップ部品の製造方法であって、ジャンパーチップ部品における絶縁基板の素体となる基板素体で、絶縁基板の複数個分の大きさを少なくとも有する基板素体の上面に導体を形成する導体形成工程と、各ジャンパーチップ部品ごとの導体の両側の端部領域を除く領域を被覆するように保護膜を形成する保護膜形成工程と、導体の両側の端部領域を被覆するとともに、保護膜に乗り上げる状態に上面電極をパラジウムを含有する材料により形成する上面電極形成工程と、基板素体を一次分割して、短冊状基板を形成する一次分割工程と、短冊状基板に対して側面電極を形成する側面電極形成工程と、側面電極が形成された短冊状基板を二次分割して、チップ片を形成する二次分割工程と、形成されたチップ片に対してメッキを形成するメッキ工程と、を有することを特徴とするジャンパーチップ部品の製造方法。」としてもよい。

この第７の構成のジャンパーチップ部品の製造方法により製造されたジャンパーチップ部品によれば、保護膜が導体の両側の端部領域を除く領域を被覆し、パラジウムを含有する材料により形成された上面電極が、導体における保護膜に被覆されていない端部領域を被覆し、一部が保護膜に乗り上げる状態で形成されているので、保護膜とメッキの境界から硫化雰囲気が侵入しても、導体が硫化するおそれがない。特に、上面電極がパラジウムを含有しているので、耐硫化特性を高くすることができる。また、上面電極は、その一部が保護膜に乗り上げた状態となっており、これにより、上面電極と導体との接続領域を少なくしているので、上面電極にパラジウムが含有されている場合でも、上面電極におけるパラジウムが導体に拡散する度合いを小さくでき、導体の抵抗値の上昇を防止することができる。また、保護膜とメッキとの境界に近い側においては、上面電極の下側には保護膜が接しているので、上面電極における保護膜の上面に形成された領域からはパラジウムは保護膜に拡散しないため、上面電極における該境界に近い側の領域におけるパラジウム比率の低下を防止でき、耐硫化特性を高く維持することができる。また、上面電極をパラジウムを含有する材料により形成して耐硫化特性を高くするので、Ａｕ等の高価な材料を用いる必要がなく、製造コストを抑えることができる。

また、第８の構成として、以下の構成としてもよい。すなわち、「ジャンパーチップ部品の製造方法であって、ジャンパーチップ部品における絶縁基板の素体となる基板素体で、絶縁基板の複数個分の大きさを少なくとも有する基板素体の上面に導体を形成する導体形成工程で、個々のジャンパーチップ部品とした際に、絶縁基板の両端にまで形成されるように、複数のジャンパーチップ部品分まとめて帯状に形成する導体形成工程と、上記帯状の導体を被覆するように複数のジャンパーチップ部品分まとめて帯状に保護膜を形成する保護膜形成工程と、保護膜の上面に上面電極をパラジウムを含有する材料により形成する上面電極形成工程と、基板素体を一次分割して、短冊状基板を形成する一次分割工程と、短冊状基板に対して側面電極を形成する側面電極形成工程と、側面電極が形成された短冊状基板を二次分割して、チップ片を形成する二次分割工程と、形成されたチップ片に対してメッキを形成するメッキ工程と、を有することを特徴とするジャンパーチップ部品の製造方法。」としてもよい。

この第８の構成のジャンパーチップ部品の製造方法により製造されたジャンパーチップ部品によれば、導体の上面に保護膜が被覆され、該保護膜の上面にパラジウムを含有する材料により形成された上面電極が形成されているので、保護膜とメッキの境界から硫化雰囲気が侵入しても、導体が硫化するおそれがない。特に、上面電極がパラジウムを含有しているので、耐硫化特性を高くすることができる。また、上面電極は、保護膜の上面に形成されており、また、保護膜が絶縁基板の端部にまで形成されていて、これにより、上面電極と導体とは直接には接続していないので、上面電極におけるパラジウムが導体に拡散することがなく、導体の抵抗値の上昇を防止することができる。また、上面電極の下側には保護膜が接しているので、上面電極からはパラジウムは保護膜に拡散しないため、上面電極のパラジウム比率の低下を防止でき、耐硫化特性を高く維持することができる。また、上面電極をパラジウムを含有する材料、すなわち、銀パラジウムにより形成して耐硫化特性を高くするので、Ａｕ等の高価な材料を用いる必要がなく、製造コストを抑えることができる。

本発明に基づくジャンパーチップによれば、導体の抵抗値の上昇を防止するとともに、耐硫化特性に優れ、かつ、製造コストを抑えることができるジャンパーチップを提供することができる。

本発明においては、導体の抵抗値の上昇を防止するとともに、耐硫化特性に優れ、かつ、製造コストを抑えることができるジャンパーチップを提供するという目的を以下のようにして実現した。なお、図面において、Ｙ１−Ｙ２方向は、Ｘ１−Ｘ２方向に直角な方向であり、Ｚ１−Ｚ２方向は、Ｘ１−Ｘ２方向及びＹ１−Ｙ２方向に直角な方向である。

本発明に基づくジャンパーチップ（ジャンパーチップ部品）Ａ１は、図１、図２に示すように構成され、絶縁基板１０と、導体１２と、保護膜１４と、上面電極１６と、下面電極１８と、側面電極２０と、メッキ２２とを有している。なお、図２において、（ａ）は、ジャンパーチップＡ１の平面図であり、（ｂ）は、ジャンパーチップＡ１のメッキ２２と側面電極２０とを除いた状態を示す平面図であり、（ｃ）は、ジャンパーチップＡ１のメッキ２２と側面電極２０と上面電極１６とを除いた状態を示す平面図であり、（ｄ）は、ジャンパーチップＡ１のメッキ２２と側面電極２０と上面電極１６と保護膜１４とを除いた状態を示す平面図である。また、図１は、図２（ａ）におけるＰ−Ｐ断面図である。

ここで、ジャンパーチップＡ１についてさらに詳しく説明すると、絶縁基板１０は、含有率９６％程度のアルミナにて形成された絶縁体である。この絶縁基板１０は、直方体形状を呈しており、平面視すると、略長方形形状を呈している。この絶縁基板１０は、上記ジャンパーチップＡ１の基礎部材、すなわち、基体として用いられている。

また、導体１２は、図１に示すように、上記絶縁基板１０上面に形成され、層状で平面形状は矩形状を呈している。つまり、導体１２は、長手方向（電極間方向、通電方向としてもよい））（Ｘ１−Ｘ２方向）に四角形状の帯状に形成され、具体的には、絶縁基板１０のＸ１側の端部からＸ２側の端部にまで帯状に形成されている（図１、図２参照）。また、導体１２は、Ｙ１−Ｙ２方向には、絶縁基板１０の幅よりも小さく形成されていて、絶縁基板１０の端部とは間隔が形成されている（図２参照）。この導体１２は、具体的には、銀（Ａｇ）系厚膜又は銀パラジウム（ＡｇＰｄ）系厚膜により形成されている。つまり、この銀系厚膜は、銀と、ガラス成分とにより構成され、その含有率は、重量比で、銀８５〜９９％、ガラス成分１〜１５％となっている。また、銀パラジウム系厚膜は、銀パラジウム（ＡｇＰｄ）と、ガラス成分とにより構成され、その含有率は、重量比で、銀パラジウム９０〜９９％、ガラス成分１〜１０％となっていて、銀パラジウムにおける、銀とパラジウムの相対比率は、重量比で、銀が９０〜９９％で、パラジウムが１〜１０％となっている。なお、銀パラジウム系厚膜も銀系厚膜の一種であるといえる。

また、保護膜１４は、導体１２の一部と絶縁基板１０の一部を被覆するように形成されている。すなわち、図１、図２に示すように、保護膜１４は、平面視においては矩形状に形成され、Ｙ１−Ｙ２方向には、導体１２の幅よりも大きく形成されているとともに、絶縁基板１０の幅よりも小さく形成され、さらに、Ｘ１−Ｘ２方向には、導体１２の長さよりも短く形成され、導体１２の両側は保護膜１４から露出している。つまり、保護膜１４は、Ｙ１−Ｙ２方向には、導体１２を被覆しているが、Ｘ１−Ｘ２方向には、導体１２の両側の端部領域を除く領域を被覆している。すなわち、導体１２において保護膜１４から露出した両側の領域が端部領域である。この保護膜１４は、高温焼成（例えば、８４０℃〜８６０℃（好適には８５０℃））のガラス（ガラス系厚膜）により形成されている。例えば、保護膜１４は、Ｐｂフリーの結晶化ガラス系厚膜により形成されている。なお、保護膜１４のＹ１−Ｙ２方向の幅を絶縁基板１０のＹ１−Ｙ２方向の幅と略同一としてもよい。

また、上面電極１６は、図１に示すように、主に、上記導体１２の上面の長手方向（Ｘ１−Ｘ２方向（図１参照））の両端部領域に一対形成されている。つまり、上面電極１６は、図２（ｂ）に示すように矩形状を呈し、導体１２の上面のＸ１側の端部から所定の長さに形成されているとともに、上面電極１６は、導体１２の上面のＸ２側の端部から所定長さに形成されている。この上面電極１６は、主として導体１２の上面に積層して形成されているが、内側の領域は、保護膜１４に乗り上げる（つまり、積層する）状態で形成されている。また、上面電極１６のＹ１−Ｙ２方向の端部の領域の一部は、導体１２からはみ出ている関係で絶縁基板１０の上面に形成されている。すなわち、上面電極１６のＹ１−Ｙ２方向の幅は、導体１２のＹ１−Ｙ２方向の幅よりも若干大きく形成されていて、絶縁基板１０のＹ１−Ｙ２方向の幅よりも小さく形成されている。この上面電極１６は、銀パラジウム系厚膜により形成されている。この銀パラジウム系厚膜は、銀パラジウム系メタルグレーズ厚膜であり、具体的には、銀パラジウムと、ガラス成分とにより構成され、その含有率は、重量比で、銀パラジウム（ＡｇＰｄ）９０〜９９％、ガラス成分１〜１０％となっていて、銀パラジウムにおける、銀とパラジウムの相対比率は、重量比で、銀が７０〜９０％で、パラジウムが１０〜３０％となっている。また、導体１２を銀パラジウム系厚膜とした場合には、この上面電極１６におけるパラジウムの重量比における含有率は、導体１２におけるパラジウムの重量比における含有率よりも高くなっている。すなわち、上面電極１６は、耐硫化特性を有する材料により形成されている。なお、上面電極１６は、耐硫化特性を有する材料として、銀パラジウム系の材料により形成されているとしたが、パラジウムを含有する材料により形成されたものであればよく、また、他の耐硫化特性を有する材料により形成してもよい。

以上のように、保護膜１４が導体１２の両側を除く領域をカバーし、さらに、上面電極１６が、保護膜１４から露出した導体１２の領域をカバーしているので、導体１２を十分保護している。

また、下面電極１８は、図１に示すように、上記絶縁基板１０の下面の長手方向（Ｘ１−Ｘ２方向（図１参照））の両端部領域に一対形成されている。つまり、下面電極１８は、絶縁基板１０の下面のＸ１側の端部から所定の長さに形成されているとともに、下面電極１８は、絶縁基板１０の下面のＸ２側の端部から所定の長さに形成されている。なお、下面電極１８のＹ１−Ｙ２方向の幅は、絶縁基板１０のＹ１−Ｙ２方向の幅と略同一（同一としてもよい）に形成されている。この下面電極１８は、銀系厚膜（具体的には、銀系メタルグレーズ厚膜）又は銀パラジウム系厚膜により形成されている。

また、側面電極２０は、上面電極１６の一部と、下面電極１８の一部と、絶縁基板１０の上面の一部と、絶縁基板１０の側面と、絶縁基板１０の下面の一部を被覆するように断面略コ字状に層状に形成されている。この側面電極２０は、Ｘ１側の端部とＸ２側の端部にそれぞれ設けられている。この側面電極２０の上面部分は、Ｘ１−Ｘ２方向には上面電極１６の長さよりも短く形成され、Ｙ１−Ｙ２方向には、絶縁基板１０の幅と略同一（同一としてもよい）に形成されている。また、側面電極２０の側面部分は、絶縁基板１０の１つの側面（つまり、一方の側面電極２０においてはＸ１側の側面であり、他方の側面電極２０においてはＸ２側の側面）の全面と、Ｙ１側とＹ２側の側面の一部に形成されている。また、側面電極２０の下面部分は、Ｘ１−Ｘ２方向には下面電極１８の長さよりも短く形成され、Ｙ１−Ｙ２方向には、絶縁基板１０の幅と略同一（同一としてもよい）に形成されている。なお、導体１２は、絶縁基板１０のＸ１−Ｘ２方向の端部にまで形成されているので、導体１２の端部と側面電極２０とは接触している。また、側面電極２０は、銀系厚膜（具体的には、銀系メタルグレーズ厚膜）又は導電性樹脂（例えば、銀含有エポキシ樹脂）により形成されている。

また、メッキ２２は、ニッケルメッキ２４と、錫メッキ２６とから構成されていて、Ｘ１側の端部とＸ２側の端部にそれぞれ設けられている。

また、ニッケルメッキ２４は、上面電極１６の一部と、側面電極２０と、下面電極１８の一部とを被覆するように形成されている。つまり、上面電極１６と側面電極２０と下面電極１８の露出部分を被覆するように形成され、電気メッキにより略均一の膜厚で配設されている。このニッケルメッキ２４は、ニッケルにて形成されており、上面電極１６等の内部電極のはんだ食われを防止するために形成されている。

また、錫メッキ２６は、ニッケルメッキ２４の表面を被覆するように形成され、電気メッキにより略均一の膜厚で配設されている。この錫メッキ２６は、上記ジャンパーチップＡ１の配線基板へのはんだ付けを良好に行うために形成されている。なお、この錫メッキ２６は、錫メッキ以外に、はんだが用いられる場合もある。

なお、上面電極１６と、下面電極１８と、側面電極２０と、メッキ２２により電極部４０が構成される。

以上のように、ジャンパーチップＡ１においては、導体１２が、電極部間方向においては、絶縁基板１０の両端にまで形成され、保護膜１４が、電極部間方向においては、絶縁基板１０の両端にまで形成されずに、導体１２の両側の端部領域が保護膜１４から露出している。

上記構成のジャンパーチップＡ１の製造方法について、図３〜図５等を使用して説明する。まず、予め一次スリットと二次スリットとが表裏両面に設けられた無垢のアルミナ基板（このアルミナ基板は、複数のジャンパーチップの絶縁基板の大きさを少なくとも有する大判のものである）（基板素体）を用意し、このアルミナ基板の下面（裏面、底面としてもよい）に下面電極を形成する（図３のＳ１１、下面電極形成工程）。つまり、下面電極用ペーストを印刷し、乾燥・焼成（８４０℃〜８６０℃（好適には８５０℃）による焼成）する。この場合の下面電極用ペーストは、銀系メタルグレーズペースト又は銀パラジウム系メタルグレーズペーストである。なお、この下面電極の形成に際しては、隣接するジャンパーチップについて同時に下面電極を形成する。つまり、Ｘ方向（このＸ方向は二次スリットの方向である）に隣接する２つのジャンパーチップに対応するアルミナ基板の領域について、境界位置（つまり、一次スリット）となる位置を跨ぐように１つの印刷領域で下面電極を形成する。さらには、Ｙ方向（このＹ方向は一次スリットの方向であり、Ｘ方向とは直角の方向である）には、帯状に連続して下面電極を形成する。

次に、該アルミナ基板の表側の面（すなわち、上面）（図４のＷ１参照）に導体を形成する（図３のＳ１２、図４のＷ２参照、導体形成工程）。つまり、導体ペーストを印刷した後に乾燥・焼成（８４０℃〜８６０℃（好適には８５０℃）による焼成）して導体Ｇ１２を形成する。なお、この導体ペーストは、銀系ペースト（具体的には、銀系メタルグレーズペースト）又は銀パラジウム系ペースト（具体的には、銀パラジウム系メタルグレーズペースト）である。なお、他の材料により導体を形成してもよい。この導体Ｇ１２は、Ｘ方向の複数の導体１２分の導体であり、導体ペーストの印刷の際、アルミナ基板においてＸ方向（上面電極間方向）に導体ペーストを帯状に連続して印刷する。つまり、アルミナ基板において、最終的に個々のジャンパーチップとなった場合のＸ方向に連なる一連の絶縁基板１０の領域（これを「集合領域」とする。この集合領域は、基板素体における個々のジャンパーチップ形成領域が直線状に複数連なる領域であるともいえる）において、該集合領域の一方の端部から他方の端部にまで１本の帯状に導体ペーストを印刷する。つまり、Ｘ方向に複数のジャンパーチップ分まとめて一連の帯状に導体ペーストを印刷する。また、Ｙ方向には、導体ペーストは、絶縁基板１０のＹ方向の幅よりも小さい幅に形成する。なお、図４においては、導体Ｇ１２については見やすくするためにハッチングを付して示してある。また、図４、図５は、アルミナ基板を上面側から見た状態を示す図である。

次に、保護膜Ｇ１４を形成する（図３のＳ１３、図４のＷ３参照、保護膜形成工程）。つまり、一対の一次スリットＪ１間及び一対の二次スリットＪ２間の個々の領域ごとに、導体Ｇ１２をＹ方向には被覆し、Ｘ方向には導体の両側が露出するように矩形状に保護膜用ペーストを印刷した後に乾燥・焼成（８４０℃〜８６０℃（好適には８５０℃）による焼成）させる。保護膜１４の焼成温度は、導体Ｇ１２の焼成温度と同じとするのが好ましい。この場合の保護膜用ペーストは、ガラスペーストである。なお、保護膜ペーストをＹ方向に複数のジャンパーチップ分まとめて一連の帯状に形成するようにしてもよい。

次に、上面電極Ｇ１６を形成する（図３のＳ１４、図５のＷ４参照、上面電極形成工程）。すなわち、保護膜１４から露出している導体Ｇ１２をカバーし、一部が保護膜１４に乗り上げる状態に上面電極Ｇ１６を矩形状に形成する。つまり、上面電極ペーストを印刷し、乾燥・焼成（８４０℃〜８６０℃（好適には８５０℃）による焼成）する。なお、上面電極Ｇ１６の焼成温度は、導体Ｇ１２や保護膜Ｇ１４の焼成温度と同じとするのが好ましい。この場合の上面電極ペーストは、銀パラジウム系メタルグレーズペーストである。なお、図５において、上面電極Ｇ１６は、ジャンパーチップＡ１における上面電極１６の２つ分の上面電極である。つまり、ジャンパーチップとなった場合に隣接するジャンパーチップの上面電極で互いに隣接し合う上面電極については１つの印刷領域で形成する。また、上面電極Ｇ１６は、Ｙ方向には、導体Ｇ１２の幅よりも若干大きく形成する。

その後は、一次スリットＪ１に沿って一次分割する（図３のＳ１５参照、一次分割工程）。つまり、導体Ｇ１２と保護膜１４と上面電極Ｇ１６とが形成されたアルミナ基板５を一次スリットＪ１に沿って分割して、１つの抵抗器分のアルミナ基板の部分を直線状に配列してなる短冊状基板を形成する。

次に、該短冊状基板に対して、側面電極を形成する（図３のＳ１６参照、側面電極形成工程）。つまり、側面電極用ペーストを印刷し、乾燥・焼成（５９０℃〜６１０℃（好適には６００℃）する。この場合の側面電極用ペーストは、銀系メタルグレーズペーストである。なお、側面電極用ペーストを導電性樹脂ペーストとして乾燥・硬化（１９０℃〜２１０℃（好適には２００℃））してもよい。また、スパッタ法により側面電極を金属薄膜で形成してもよい。その後、二次スリットに沿って二次分割して、チップ片を形成する（図３のＳ１７参照、二次分割工程）。

次に、形成されたチップ片に対して、メッキを形成して、ジャンパーチップＡ１とする（図３のＳ１８参照、メッキ工程）。つまり、ニッケルメッキを形成し、その後、錫メッキを形成して、ジャンパーチップＡ１とする。

上記のように構成されるジャンパーチップＡ１は、配線基板に実装して使用する。すなわち、通常のジャンパーチップと同様に、ジャンパーチップＡ１と配線基板との間にはんだを介在させてジャンパーチップＡ１を配線基板に接続させる。

本実施例のジャンパーチップＡ１によれば、保護膜１４が導体１２の両側を露出させた状態で被覆し、さらに、上面電極１６が、導体１２の露出部分を被覆するとともに保護膜１４に乗り上げた状態で形成されているので、保護膜１４とメッキ２２の境界から硫化雰囲気が侵入しても、銀パラジウム系厚膜により形成された上面電極１６が形成されているので、導体１２が硫化するおそれがない。特に、上面電極１６がパラジウムを含有しているので、耐硫化特性を高くすることができる。

また、上面電極１６は、その一部が保護膜１４に乗り上げた状態となっており、これにより、上面電極１６と導体１２との接続領域を少なくしているので、上面電極１６におけるパラジウムが導体１２に拡散する度合いを小さくでき、導体１２の抵抗値の上昇を防止することができる。

また、保護膜１４とメッキ２２との境界に近い側においては、上面電極１６の下側には保護膜１４が接しているので、上面電極１６における保護膜１４の上面に形成された領域からはパラジウムは保護膜１４に拡散しないため、上面電極１６における該境界に近い側の領域におけるパラジウム比率の低下を防止でき、耐硫化特性を高く維持することができる。

また、上面電極をパラジウムを含有する材料、すなわち、銀パラジウムにより形成して耐硫化特性を高くするので、Ａｕ等の高価な材料を用いる必要がなく、製造コストを抑えることができる。

次に、実施例２のジャンパーチップについて説明する。本実施例のジャンパーチップＡ２は、上記実施例１のジャンパーチップＡ１と同様の構成であるが、導体と保護膜の形状が実施例１のジャンパーチップＡ１とは異なる。なお、図７において、（ａ）は、ジャンパーチップＡ２の平面図であり、（ｂ）は、ジャンパーチップＡ２のメッキ２２と側面電極２０とを除いた状態を示す平面図であり、（ｃ）は、ジャンパーチップＡ２のメッキ２２と側面電極２０と上面電極１６とを除いた状態を示す平面図であり、（ｄ）は、ジャンパーチップＡ２のメッキ２２と側面電極２０と上面電極１６と保護膜１４とを除いた状態を示す平面図である。また、図６は、図７（ａ）におけるＱ−Ｑ断面図である。

すなわち、図６、図７に示すように、実施例２のジャンパーチップＡ２は、絶縁基板１０と、導体１２と、保護膜１４と、上面電極１６と、下面電極１８と、側面電極２０と、メッキ２２とを有しているが、導体１２は、Ｘ１−Ｘ２方向の両側の端部領域においては、絶縁基板１０の幅（Ｙ１−Ｙ２方向の幅）と略同一（同一としてもよい）の幅を有し、該端部領域以外の領域においては、絶縁基板１０の幅よりも小さい幅を有している。

つまり、導体１２は、主領域１２ａと、端領域１２ｂ、１２ｃとを有し、全体に略Ｈ形状を呈している。すなわち、主領域１２ａは、方形状（具体的には長方形状）の帯状を呈し、そのＹ１−Ｙ２方向の幅は、絶縁基板１０のＹ１−Ｙ２方向の幅よりも小さく形成され、また、Ｘ１−Ｘ２方向の幅は、端部領域１２ｂ、１２ｃの分だけ絶縁基板１０のＸ１−Ｘ２方向の長さよりも短く形成されている。

また、端領域１２ｂ、１２ｃは、Ｙ１−Ｙ２方向に細長の矩形状を呈し、そのＹ１−Ｙ２方向の幅は、絶縁基板１０のＹ１−Ｙ２方向の幅と略同一となっている。また、端領域１２ｂのＸ１−Ｘ２方向の幅は、端部領域１２ｃのＸ１−Ｘ２方向の幅と同一に形成されている。また、端領域１２ｂ、１２ｃのＸ１−Ｘ２方向の幅は、上面電極１６のＸ１−Ｘ２方向の幅よりも小さく形成されていて、保護膜１４から露出した導体１２の領域が上面電極１６により確実に被覆されるようになっている。ここで、この端領域１２ｂ、１２ｃの幅が、絶縁基板１０の幅と略同一としたのは、保護膜１４の長さ（Ｘ１−Ｘ２方向の長さ）が、絶縁基板１０の長さと略同一となっているため、導体１２と上面電極１６との接続領域を確保するためである。

また、保護膜１４は、方形状（具体的には長方形状）の４つの角部に切欠部を設けた形状を呈している。つまり、保護膜１４は、長方形状の４つの角部に方形状の切欠部を設けた形状を呈していて、保護膜１４のＹ１−Ｙ２方向の最大幅は、導体１２の主領域１２ａのＹ１−Ｙ２方向の幅よりも大きく形成され、また、保護膜１４のＸ１−Ｘ２方向の最大幅は、絶縁基板１０のＸ１−Ｘ２方向の長さと略同一（同一としてもよい）に形成されている。これにより、保護膜１４は、方形状の主領域１４ａの各辺から突出部１４ｂ、突出部１４ｃ、突出部１４ｄ、突出部１４ｅが突出して形成された形状を呈している。この各突出部１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ、１４ｅは、長方形状を呈していて、突出部１４ｂと突出部１４ｄは、同一の大きさ・形状を有し、突出部１４ｃと突出部１４ｅは、同一の大きさ・形状を呈している。

ここで、突出部１４ｂと突出部１４ｄのＸ１−Ｘ２方向の幅は、端領域１２ｂ、１２ｃのＸ１−Ｘ２方向の幅と略同一（同一としてもよい）となっている。また、突出部１４ｂと突出部１４ｄのＹ１−Ｙ２方向の幅は、主領域１２ａのＹ１−Ｙ２方向の幅よりも大きく形成されていて、突出部１４ｂ、１４ｄのＸ１−Ｘ２方向の辺部は、主領域１２ａのＸ１−Ｘ２方向の辺部よりもＹ１−Ｙ２方向に外側に位置している。

ジャンパーチップＡ２を構成する各部において、上記導体１２と保護膜１４の構成以外の構成は、上記実施例１と同様である。なお、上面電極１６は、導体１２とは、保護膜１４から露出した領域（つまり、領域１２ｂ−１、領域１２ｂ−２、領域１２ｃ−１、領域１２ｃ−２の４つの角部の領域）と接続している。なお、導体１２は、絶縁基板１０のＸ１−Ｘ２方向の端部にまで形成されているので、導体１２の端部と側面電極２０とは接触している。

以上のように、導体１２が、電極部間方向においては、絶縁基板１０の両端にまで形成され、保護膜１４が、電極部間方向においては、絶縁基板１０の両端にまで形成されていて、導体１２の端領域１２ｂ、１２ｃの一部が保護膜１４から露出して、導体１２における保護膜１４に被覆されていない端部領域を構成しているといえる。すなわち、導体１２において保護膜１４から露出した４つの領域が端部領域である。

上記構成のジャンパーチップＡ２の製造方法は、実施例１のジャンパーチップＡ１と同様である。ただし、導体の形成に当たっては、導体１２が上記の形状となるように形成し、保護膜の形成に当たっては、保護膜１４が上記の形状となるように形成する。特に、保護膜１４は、絶縁基板１０の両端にまで形成されているので、保護膜１４の形成に当たっては、導体と同様に、複数のジャンパーチップ分まとめて帯状に形成すればよい。また、上記のように構成されるジャンパーチップＡ２は、実施例１のジャンパーチップＡ１と同様に、配線基板に実装して使用する。

本実施例のジャンパーチップＡ２によれば、保護膜１４が導体１２の４つの角部の領域を露出させた状態で被覆し、さらに、上面電極１６が、導体１２の露出部分を被覆するとともに保護膜１４に乗り上げた状態で形成されているので、保護膜１４とメッキ２２の境界から硫化雰囲気が侵入しても、銀パラジウム系厚膜により形成された上面電極１６が形成されているので、導体１２が硫化するおそれがない。特に、上面電極１６がパラジウムを含有しているので、耐硫化特性を高くすることができる。

また、上面電極１６は、その一部が保護膜１４に乗り上げた状態となっており、また、保護膜１４が絶縁基板１０の端部にまで形成されていて、これにより、上面電極１６と導体１２との接続領域を少なくしているので、上面電極１６におけるパラジウムが導体１２に拡散する度合いを小さくでき、導体１２の抵抗値の上昇を防止することができる。

また、保護膜１４とメッキ２２との境界に近い側においては、上面電極１６の下側には保護膜１４が接しているので、上面電極１６における保護膜１４の上面に形成された領域からはパラジウムは保護膜１４に拡散しないため、上面電極１６における該境界に近い側の領域におけるパラジウム比率の低下を防止でき、耐硫化特性を高く維持することができる。

また、上面電極をパラジウムを含有する材料、すなわち、銀パラジウムにより形成して耐硫化特性を高くするので、Ａｕ等の高価な材料を用いる必要がなく、製造コストを抑えることができる。

次に、実施例３のジャンパーチップについて説明する。本実施例のジャンパーチップＡ３は、上記実施例１のジャンパーチップＡ１と同様の構成であるが、保護膜の形状が実施例１のジャンパーチップＡ１とは異なる。なお、図８において、（ａ）は、ジャンパーチップＡ３の平面図であり、（ｂ）は、ジャンパーチップＡ３のメッキ２２と側面電極２０とを除いた状態を示す平面図であり、（ｃ）は、ジャンパーチップＡ３のメッキ２２と側面電極２０と上面電極１６とを除いた状態を示す平面図であり、（ｄ）は、ジャンパーチップＡ３のメッキ２２と側面電極２０と上面電極１６と保護膜１４とを除いた状態を示す平面図である。また、図６は、図８（ａ）におけるＲ−Ｒ断面図である。

すなわち、図６、図８に示すように、実施例３のジャンパーチップＡ３は、絶縁基板１０と、導体１２と、保護膜１４と、上面電極１６と、下面電極１８と、側面電極２０と、メッキ２２とを有しているが、保護膜１４は、絶縁基板１０の両端部にまで形成されている。すなわち、保護膜１４のＹ１−Ｙ２方向の幅は、実施例１の保護膜１４と同様であるが、保護膜１４のＸ１−Ｘ２方向の長さは、絶縁基板１０のＸ１−Ｘ２方向の長さと同一となっている。これにより、導体１２の上面は全て保護膜１４により被覆されていて、導体１２と上面電極１６とは直接には接続されていない。つまり、導体１２の両端面が側面電極２０に接続しているので、導体１２は、上面電極１６とは側面電極２０を介して接続されている。

ジャンパーチップＡ３を構成する各部において、上記保護膜１４の構成以外の構成は、上記実施例１と同様であるので詳しい説明を省略する。

上記構成のジャンパーチップＡ３の製造方法は、実施例１のジャンパーチップＡ１と同様である。ただし、保護膜の形成に当たっては、保護膜１４が上記の形状となるように形成する。特に、保護膜１４は、絶縁基板１０の両端にまで形成されているので、保護膜１４の形成に当たっては、導体と同様に、複数のジャンパーチップ分まとめて帯状に形成すればよい。また、上記のように構成されるジャンパーチップＡ３は、実施例１のジャンパーチップＡ１と同様に、配線基板に実装して使用する。

本実施例のジャンパーチップＡ３によれば、導体１２の上面に保護膜１４が被覆され、該保護膜１４の上面に上面電極１６が形成されているので、保護膜１４とメッキ２２の境界から硫化雰囲気が侵入しても、銀パラジウム系厚膜により形成された上面電極１６が形成されているので、導体１２が硫化するおそれがない。特に、上面電極１６がパラジウムを含有しているので、耐硫化特性を高くすることができる。

また、上面電極１６は、そのほとんどが保護膜１４の上面に形成されており、また、保護膜１４が絶縁基板１０の端部にまで形成されていて、これにより、上面電極１６と導体１２とは直接には接続していないので、上面電極１６におけるパラジウムが導体１２に拡散することがなく、導体１２の抵抗値の上昇を防止することができる。

また、上面電極１６の下側には保護膜１４が接しているので、上面電極１６からはパラジウムは保護膜１４に拡散しないため、上面電極１６のパラジウム比率の低下を防止でき、耐硫化特性を高く維持することができる。

また、上面電極をパラジウムを含有する材料、すなわち、銀パラジウムにより形成して耐硫化特性を高くするので、Ａｕ等の高価な材料を用いる必要がなく、製造コストを抑えることができる。

また、上記の説明において、保護膜１４を高温焼成のガラスにより形成するものとしたが、低温焼成（具体的には、５９０℃〜６１０℃（好適には６００℃））のホウ珪酸鉛ガラスにより形成してもよい。なお、保護膜１４に低温焼成ガラスを使用する場合には、上面電極１６は、保護膜１４と同様の焼成温度の銀パラジウム系厚膜とする。

本発明の実施例に基づくジャンパーチップの構成を示す断面図である。 本発明の実施例に基づくジャンパーチップの構成を示す説明図である。 本発明の実施例に基づくジャンパーチップの製造工程を示すフローチャート図である。 本発明の実施例に基づくジャンパーチップの製造工程を示す説明図である。 本発明の実施例に基づくジャンパーチップの製造工程を示す説明図である。 本発明の他の実施例に基づくジャンパーチップの構成を示す断面図である。 本発明の他の実施例に基づくジャンパーチップの構成を示す説明図である。 本発明の他の実施例に基づくジャンパーチップの構成を示す説明図である。 従来のジャンパーチップの構成を示す断面図である。 従来のジャンパーチップの構成を示す断面図である。

符号の説明

Ａ１、Ａ２，Ａ３ Ｂ、Ｃ ジャンパーチップ
１０、１１０ 絶縁基板
１２、１１２ 導体
１４、１１４ 保護膜
１６ 上面電極
１８、１１８ 下面電極
２０、１２０ 側面電極
２２、１２２ メッキ
２４、１２４ ニッケルメッキ
２６、１２６ 錫メッキ

Claims (7)

1. ジャンパーチップ部品であって、
   絶縁基板と、
   絶縁基板の上面に形成された導体と、
   導体における両側の端部領域を除く領域を被覆する保護膜と、
   導体の両側の端部領域に接続して形成された一対の電極部で、
   導体における保護膜に被覆されていない端部領域を被覆するように形成され、一部が保護膜に乗り上げる状態で形成された一対の上面電極で、パラジウムを含有する材料により形成された上面電極と、
   電極部の外側を構成するメッキと、を有する電極部と、
   を有することを特徴とするジャンパーチップ部品。
2. 導体が、電極部間方向においては、絶縁基板の両端にまで形成され、保護膜が、電極部間方向においては、絶縁基板の両端にまで形成されずに、導体の両側の端部領域が保護膜から露出していることを特徴とする請求項１に記載のジャンパーチップ部品。
3. 導体が、電極部間方向においては、絶縁基板の両端にまで形成され、保護膜が、電極部間方向においては、絶縁基板の両端にまで形成されていて、導体の端部の領域の一部が保護膜から露出して、導体における保護膜に被覆されていない上記端部領域を構成していることを特徴とする請求項１に記載のジャンパーチップ部品。
4. 導体における電極部間方向の端部の領域の幅が絶縁基板の幅と同一に形成され、該端部の領域以外の領域が絶縁基板の幅よりも小さく形成され、また、保護膜が、導体における電極部間方向の端部の領域の一部を露出するように形成されていることを特徴とする請求項３に記載のジャンパーチップ部品。
5. ジャンパーチップ部品であって、
   絶縁基板と、
   絶縁基板の上面に形成された導体で、電極部間方向に絶縁基板の端部にまで形成された導体と、
   導体の上面に形成された保護膜で、電極部間方向に絶縁基板の両端にまで形成され、導体の上面を全て被覆する保護膜と、
   導体の両側の端部領域に接続して形成された一対の電極部で、
   保護膜の上面に接続された一対の上面電極で、パラジウムを含有する材料により形成された上面電極と、
   絶縁基板の側面に形成された側面電極で、断面略コ字状を呈し、上面電極に接続されているとともに、導体の端面と接続された側面電極と、
   電極部の外側を構成するメッキと、を有する電極部と、
   を有することを特徴とするジャンパーチップ部品。
6. 上面電極が、銀パラジウム系厚膜により形成されていることを特徴とする請求項１又は２又は３又は４又は５に記載のジャンパーチップ部品。
7. 導体が、銀系厚膜又は銀パラジウム系厚膜により形成されていることを特徴とする請求項１又は２又は３又は４又は５又は６に記載のジャンパーチップ部品。
   

Images