JP2007110060A - Light emitting device - Google Patents
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 43
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 29
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 20
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 17
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 3
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 8
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 7
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UHAQRCJYQAKQEE-UHFFFAOYSA-M [O-2].[OH-].O.[Al+3].P Chemical compound [O-2].[OH-].O.[Al+3].P UHAQRCJYQAKQEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N Calcium oxide Chemical compound [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- 235000012255 calcium oxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N nobelium Chemical compound [No] ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 1
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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Abstract
Description
本発明は、照明器具、ディスプレイ、液晶ディスプレイのバックライト光源などに利用できる発光装置に関し、特に、高輝度かつ配光色度ムラが抑制された発光装置に関する。 The present invention relates to a light-emitting device that can be used for a backlight source of a lighting fixture, a display, a liquid crystal display, and the like, and more particularly, to a light-emitting device with high brightness and suppressed light distribution chromaticity unevenness.
例えば、特開2005−166937号公報に開示されるように、発光素子と蛍光物質とを備えた発光装置において、蛍光物質は、発光素子を被覆する封止部材に含有される。発光素子は、その発光素子に電力を供給する導体配線が施された支持体の凹部に配置されている。さらに、蛍光物質は、その凹部に充填された封止部材中に含有されている。より具体的には、凹部の側壁は、発光素子からの光取り出し効率を向上させるために、凹部の開口方向に向かって内径が大きくなっている。このような擂り鉢状の凹部に、透光性樹脂を材料とする封止部材が発光素子を被覆するように充填されている。さらに、蛍光物質は、その封止部材の材料に混合されて凹部に充填され、蛍光物質が封止部材で結着された波長変換部材が形成されている。 For example, as disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2005-166937, in a light emitting device including a light emitting element and a fluorescent material, the fluorescent material is contained in a sealing member that covers the light emitting element. The light emitting element is disposed in a concave portion of a support body provided with a conductor wiring for supplying power to the light emitting element. Furthermore, the fluorescent material is contained in the sealing member filled in the recess. More specifically, the side wall of the recess has an inner diameter that increases toward the opening direction of the recess in order to improve the light extraction efficiency from the light emitting element. Such a bowl-shaped recess is filled with a sealing member made of a translucent resin so as to cover the light emitting element. Furthermore, the fluorescent substance is mixed with the material of the sealing member and filled in the recess, and a wavelength conversion member in which the fluorescent substance is bound by the sealing member is formed.
しかしながら、発光素子の周辺における蛍光物質の配置は、凹部の形状により型取りされた封止部材の形状の影響を受けることとなる。そのため、従来の発光装置について、各発光観測方位において、蛍光物質が良好な分布状態となるように封止部材に含有させることは困難である。したがって、発光観測方位ごとに発光装置の色度に差が生じる。また、蛍光物質による波長変換効率をさらに向上させ、高輝度な波長変換光が得られる発光装置が求められるようになってきている。 However, the arrangement of the fluorescent material in the periphery of the light emitting element is affected by the shape of the sealing member formed by the shape of the recess. Therefore, it is difficult for the conventional light-emitting device to be contained in the sealing member so that the fluorescent material is in a good distribution state in each light emission observation direction. Therefore, a difference occurs in the chromaticity of the light emitting device for each light emission observation direction. In addition, there has been a demand for a light emitting device that can further improve the wavelength conversion efficiency of a fluorescent material and obtain wavelength conversion light with high luminance.
そこで、本発明は、高輝度かつ発光観測方位ごとに均一な色度で発光する発光装置を提供することを目的とする。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a light emitting device that emits light with high luminance and uniform chromaticity for each light emission observation direction.
以上の目的を達成するために本発明に係る発光装置は、発光素子と、その発光素子と異なる波長を発光する蛍光物質が含有された波長変換部材と、凹部を有する支持体と、を備えた発光装置であって、上記凹部は、上記発光素子の平面形状に相似な開口形状と、上記発光素子を配置する底面に垂直な側壁面とを有し、上記凹部の開口部から底面までの深さは、上記発光素子の厚みの1.2倍から30倍であり、かつ、上記凹部の側壁面と上記発光素子の側面との間隔は、上記発光素子の厚みの1倍から5倍であり、上記凹部に配置された波長変換部材の最表面の少なくとも一部は、上記凹部の側壁の上面まで達していることを特徴とする。 In order to achieve the above object, a light-emitting device according to the present invention includes a light-emitting element, a wavelength conversion member containing a fluorescent material that emits light having a wavelength different from that of the light-emitting element, and a support having a recess. In the light emitting device, the concave portion has an opening shape similar to a planar shape of the light emitting element, and a side wall surface perpendicular to a bottom surface on which the light emitting element is disposed, and a depth from the opening portion to the bottom surface of the concave portion. Is 1.2 to 30 times the thickness of the light emitting element, and the distance between the side wall surface of the recess and the side surface of the light emitting element is 1 to 5 times the thickness of the light emitting element. At least a part of the outermost surface of the wavelength conversion member disposed in the recess reaches the upper surface of the side wall of the recess.
上記発光素子の形状は、矩形であることが好ましい。 The light emitting element preferably has a rectangular shape.
上記支持体は、セラミックスを材料としており、上記凹部の側壁面は、銀、アルミニウム、ロジウムから選択された少なくとも一種の金属を含む金属層を有することが好ましい。 The support is preferably made of ceramics, and the side wall surface of the recess preferably has a metal layer containing at least one metal selected from silver, aluminum, and rhodium.
上記発光素子の電極は、上記支持体の凹部の外側に設けられた導体配線に、導電性ワイヤを介して接続されていることが好ましい。 It is preferable that the electrode of the light emitting element is connected to a conductor wiring provided outside the concave portion of the support via a conductive wire.
上記発光装置は、上記導電性ワイヤを被覆する透光性部材をさらに備えていることが好ましい。さらに、透光性部材は、発光観測方向に凸な形状を有することが好ましい。 It is preferable that the light emitting device further includes a translucent member that covers the conductive wire. Furthermore, the translucent member preferably has a convex shape in the emission observation direction.
上記発光素子とは別の半導体素子は、上記発光素子が配置された凹部の外側に配置されていることが好ましい。 The semiconductor element different from the light emitting element is preferably disposed outside the recess in which the light emitting element is disposed.
本発明は、発光観測方位による色度ずれを抑制し、高輝度な発光装置とすることができる。 The present invention can suppress a chromaticity shift due to a light emission observation direction and can be a high-luminance light-emitting device.
本発明を実施するための最良の形態を、以下に図面を参照しながら説明する。ただし、以下に示す形態は、本発明の技術思想を具体化するための発光装置を例示するものであって、本発明は発光装置を以下に限定するものではない。 The best mode for carrying out the present invention will be described below with reference to the drawings. However, the form shown below illustrates the light emitting device for embodying the technical idea of the present invention, and the present invention does not limit the light emitting device to the following.
また、本明細書は特許請求の範囲に示される部材を、実施の形態の部材に特定するものでは決してない。実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特に特定的な記載がない限りは、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例にすぎない。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。さらに以下の説明において、同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材を示しており、詳細な説明を適宜省略する。さらに、本発明を構成する各要素は、複数の要素を同一の部材で構成して一の部材で複数の要素を兼用する態様としてもよいし、逆に一の部材の機能を複数の部材で分担して実現することもできる。 Further, the present specification by no means specifies the members shown in the claims to the members of the embodiments. The dimensions, materials, shapes, relative arrangements, and the like of the components described in the embodiments are not intended to limit the scope of the present invention only to the description unless otherwise specified. It is just an example. Note that the size, positional relationship, and the like of the members shown in each drawing may be exaggerated for clarity of explanation. Further, in the following description, the same name and reference sign indicate the same or the same members, and detailed description will be omitted as appropriate. Furthermore, each element constituting the present invention may be configured such that a plurality of elements are constituted by the same member and the plurality of elements are shared by one member, and conversely, the function of one member is constituted by a plurality of members. It can also be realized by sharing.
発光素子と、その発光素子からの光の少なくとも一部を吸収して異なる波長を有する光を発する蛍光物質が含有された波長変換部材と、発光素子および波長変換部材を配置するための凹部を有する支持体と、を備えた発光装置について、発光観測方位について色度の差が生じることなく、高輝度な光を発する発光装置とするため、本発明者は、種々の検討を行った。その結果、少なくとも以下の構成(A)から(C)を有する発光装置とすることにより、上述の課題を解決するにするに至った。
(A)支持体に設けられた凹部は、発光素子の平面形状に相似な開口形状と、発光素子を配置する底面と、その底面に垂直な側壁面とから形成されている。
A light emitting element, a wavelength conversion member containing a fluorescent material that emits light having a different wavelength by absorbing at least part of the light from the light emitting element, and a recess for disposing the light emitting element and the wavelength conversion member The present inventor has made various studies in order to obtain a light emitting device that emits high-luminance light without causing a difference in chromaticity in the light emission observation direction. As a result, the light emitting device having at least the following configurations (A) to (C) is used to solve the above-described problems.
(A) The recess provided in the support is formed of an opening shape similar to the planar shape of the light emitting element, a bottom surface on which the light emitting element is disposed, and a side wall surface perpendicular to the bottom surface.
例えば、凹部の開口形状が長方形のときには、発光素子の平面形状も開口形状と相似な長方形とする。このとき、凹部の開口形状の長軸方向と、発光素子の平面形状の長軸方向とを一致させることが好ましい。凹部に充填された波長変換部材の分布状態を良好にするためである。
(B)凹部に配置された発光素子を被覆する波長変換部材の少なくとも一部は、凹部の側壁の上面まで達している。
For example, when the opening shape of the recess is rectangular, the planar shape of the light emitting element is also a rectangle similar to the opening shape. At this time, it is preferable that the major axis direction of the opening shape of the concave portion coincides with the major axis direction of the planar shape of the light emitting element. This is to improve the distribution state of the wavelength conversion member filled in the recesses.
(B) At least a part of the wavelength conversion member covering the light emitting element disposed in the recess reaches the upper surface of the sidewall of the recess.
「凹部に配置された波長変換部材の少なくとも一部が凹部の側壁の上面まで達する」とは、凹部に配置された波長変換部材の最表面の全体が凹部の側壁の上面と同一平面となるものに限定されることはない。すなわち、波長変換部材の最表面の中央部が発光素子の方向に窪み、かつ、波長変換部材の最表面の周辺部が凹部の側壁の上面まで達する波長変換部材も含む。このうち特に、凹部に配置された波長変換部材の最表面が凹部の側壁の上面と同一平面とすることが好ましい。これは、波長変換部材の最表面を凹部の側壁の上面と同一平面とすることにより、蛍光物質の分布状態を良好にすることができるからである。また、これにより、発光素子の周囲に、蛍光物質を高密度に配置することができる。
(C)凹部の開口部から底面までの深さは、発光素子の厚みの1.2倍から30倍であり、かつ、凹部の側壁面と発光素子の側面との間隔は、発光素子の厚みの1倍から5倍である。
“At least a part of the wavelength conversion member disposed in the recess reaches the upper surface of the side wall of the recess” means that the entire outermost surface of the wavelength conversion member disposed in the recess is flush with the upper surface of the side wall of the recess. It is not limited to. That is, the wavelength conversion member includes a wavelength conversion member in which the central portion of the outermost surface of the wavelength conversion member is recessed in the direction of the light emitting element and the peripheral portion of the outermost surface of the wavelength conversion member reaches the upper surface of the side wall of the recess. Among these, it is particularly preferable that the outermost surface of the wavelength conversion member arranged in the recess is flush with the upper surface of the sidewall of the recess. This is because the distribution state of the fluorescent substance can be improved by making the outermost surface of the wavelength conversion member flush with the upper surface of the side wall of the recess. This also allows the fluorescent material to be arranged at high density around the light emitting element.
(C) The depth from the opening to the bottom of the recess is 1.2 to 30 times the thickness of the light emitting element, and the distance between the side wall surface of the recess and the side of the light emitting element is the thickness of the light emitting element. 1 to 5 times.
発光素子の周囲に、蛍光物質を高密度に配置させるため、凹部の開口形状の大きさを発光素子の平面形状の大きさに対して大きくし過ぎることなく、凹部の側壁面と発光素子の側面との間隔は、発光素子の厚みの1倍から5倍とすることが好ましい。また、凹部の開口部から底面までの深さは、光取り出し効率をさらに向上させることを考慮すると、発光素子の厚みの1.2倍から5倍とすることがより好ましい。以下、図面を参照しながら本発明について詳述する。 In order to arrange the fluorescent material at a high density around the light emitting element, the side wall surface of the concave part and the side surface of the light emitting element are formed without increasing the size of the opening shape of the concave part with respect to the size of the planar shape of the light emitting element. Is preferably 1 to 5 times the thickness of the light emitting element. The depth from the opening to the bottom of the recess is more preferably 1.2 to 5 times the thickness of the light emitting element in consideration of further improving the light extraction efficiency. Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
図1は、本形態における発光装置の斜視図であり、図2は、断面図である。また、図4は、本形態における支持体の凹部の断面を拡大した図である。 FIG. 1 is a perspective view of a light-emitting device in this embodiment, and FIG. 2 is a cross-sectional view. Moreover, FIG. 4 is the figure which expanded the cross section of the recessed part of the support body in this form.
図4に示されるように、本形態における発光素子の厚みtとは、発光素子が配置された凹部の底面から発光素子の最上面までの高さをいう。また、発光素子と凹部の側壁との間隔とは、凹部に配置された発光素子の側面と凹部の側壁面との距離Wをいうものとする。ここで、発光素子は、樹脂や共晶半田などの接着材により凹部の底面に接着されているものとする。また、凹部の深さDとは、凹部の底面から凹部の側壁上面までの鉛直距離をいう。また、凹部の内壁面に金属層を配置するとき、凹部の側壁面、底面および側壁上面は、それぞれ金属層の最表面とするものとする。また、発光素子は、凹部の中央に配置されることが好ましい。これにより、発光素子の周囲に含有される蛍光物質の分布状態が良好になるからである。 As shown in FIG. 4, the thickness t of the light emitting element in this embodiment refers to the height from the bottom surface of the recess where the light emitting element is disposed to the top surface of the light emitting element. Further, the interval between the light emitting element and the side wall of the recess means the distance W between the side surface of the light emitting element disposed in the recess and the side wall surface of the recess. Here, it is assumed that the light emitting element is bonded to the bottom surface of the recess with an adhesive such as resin or eutectic solder. Moreover, the depth D of a recessed part means the perpendicular distance from the bottom face of a recessed part to the side wall upper surface of a recessed part. Moreover, when arrange | positioning a metal layer on the inner wall face of a recessed part, the side wall surface of a recessed part, a bottom face, and a side wall upper surface shall each be the outermost surface of a metal layer. Moreover, it is preferable that the light emitting element is arranged at the center of the recess. This is because the distribution state of the fluorescent material contained around the light emitting element is improved.
以下、本発明の効果について詳述する。例えば、発光素子の厚みと、凹部の深さが同じとき、すなわち凹部の側壁上面と発光素子の上面が同一平面上となるときには、発光素子の上方に良好な分布状態で波長変換部材を配置することができない。また、発光素子の周囲で波長変換部材が厚過ぎると、発光装置の光出力が低下するため、発光素子を包囲する波長変換部材の厚みは薄い方が好ましい。支持体の凹部と発光素子との関係を上述の構成(A)から(C)とすることにより、発光素子の周囲に蛍光物質が密集するため、蛍光物質による波長変換効率が向上する。したがって、高輝度な光を発する発光装置とすることができる。 Hereinafter, the effects of the present invention will be described in detail. For example, when the thickness of the light emitting element is the same as the depth of the concave portion, that is, when the upper surface of the side wall of the concave portion and the upper surface of the light emitting element are on the same plane, the wavelength conversion member is disposed in a well distributed state above the light emitting element. I can't. In addition, if the wavelength conversion member is too thick around the light emitting element, the light output of the light emitting device is reduced. Therefore, it is preferable that the wavelength conversion member surrounding the light emitting element is thin. By setting the relationship between the concave portion of the support and the light emitting element to the above-described configurations (A) to (C), the fluorescent substance is concentrated around the light emitting element, so that the wavelength conversion efficiency by the fluorescent substance is improved. Therefore, a light-emitting device that emits light with high luminance can be obtained.
また、上述の構成(A)から(C)とすることにより、従来のように、開口方向に内径が大きくなるような擂り鉢状の凹部とすることなく、光取り出し効率を向上させ、高輝度かつ均一発光する発光装置とすることができる。すなわち、蛍光物質の分布状態を良好にするため、波長変換部材の形状を考慮して、凹部の底面に垂直な側壁とすると、側壁の反射を利用した光取り出し効率が低下してしまう。しかしながら、本発明の構成(C)を有する凹部の大きさとすることにより、光取り出し効率を向上させつつ各発光観測方位で均一な色度の発光をする発光装置とすることができる。 In addition, by adopting the above-described configurations (A) to (C), the light extraction efficiency is improved and high brightness is achieved without forming a bowl-shaped recess having an inner diameter that increases in the opening direction as in the prior art. And it can be set as the light-emitting device which light-emits uniformly. That is, in order to improve the distribution state of the fluorescent material, if the side wall is perpendicular to the bottom surface of the recess in consideration of the shape of the wavelength conversion member, the light extraction efficiency utilizing the reflection of the side wall is lowered. However, by setting the size of the concave portion having the configuration (C) of the present invention, it is possible to obtain a light emitting device that emits light with uniform chromaticity in each light emission observation direction while improving light extraction efficiency.
また、発光素子の平面形状は、矩形、六角形のような多角形など、半導体素子の製造工程において形成することができる形状を全て含む。特に、発光素子の平面形状は、正方形や長方形などの矩形であることが好ましい。これらの形状は、発光素子を製造する工程において、半導体ウエハを個片化して発光素子とする工程が容易であるため、量産性の高い発光装置とすることができるからである。 The planar shape of the light emitting element includes all shapes that can be formed in the manufacturing process of the semiconductor element, such as a rectangle and a polygon such as a hexagon. In particular, the planar shape of the light emitting element is preferably a rectangle such as a square or a rectangle. These shapes are because a process for manufacturing a light-emitting element by dividing a semiconductor wafer into individual light-emitting elements is easy, and thus a light-emitting device with high mass productivity can be obtained.
また、支持体は、セラミックスを材料としており、凹部の側壁面に露出されるセラミックス素地面は、銀、アルミニウム、ロジウムから選択された少なくとも一種の金属を含む金属層により被覆されていることが好ましい。このような反射率の高い金属を含有する金属層とすることにより、多孔質なセラミックスを透過する光を抑制して発光装置からの光取り出し効率を向上させ、さらに高輝度な発光装置とすることができる。 Further, the support is made of ceramic, and the ceramic base exposed on the side wall surface of the recess is preferably covered with a metal layer containing at least one metal selected from silver, aluminum, and rhodium. . By using such a metal layer containing a highly reflective metal, light passing through porous ceramics is suppressed to improve light extraction efficiency from the light emitting device, and a light emitting device with higher brightness can be obtained. Can do.
また、発光素子の電極は、導電性ワイヤにより凹部の外側の導体配線と接続されていることが好ましい。すなわち、凹部内に導電性ワイヤを接続する領域を設けることなく、凹部の外側に支持体の導体配線との接続させる。これにより、導電性ワイヤをワイヤーボンディングする領域を凹部内にて考慮することなく、凹部と発光素子との関係を本発明の構成とすることが容易にできる。 Moreover, it is preferable that the electrode of a light emitting element is connected with the conductor wiring outside a recessed part with the electroconductive wire. That is, the conductive wire of the support is connected to the outside of the recess without providing a region for connecting the conductive wire in the recess. Thereby, the relationship between the recess and the light emitting element can be easily made the configuration of the present invention without considering the region where the conductive wire is wire-bonded in the recess.
また、発光装置は、上記導電性ワイヤを被覆する透光性部材をさらに備えていることが好ましい。透光性部材の材料は、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂などの透光性樹脂やガラスのような透光性無機部材から選択することができる。また、透光性部材は、それらを材料として、圧縮成型、射出成型あるいはトランスファーモールドなどの種々の成型方法により形成することができる。本形態の発光装置に透光性部材を設けることにより、凹部の外側に露出された導電性ワイヤを、透光性部材により外部環境から保護して、信頼性の高い発光装置とすることができる。また、上記透光性部材を、発光観測方向に凸な形状を有することにより、凹部からの出射光を集光させ、高輝度な発光装置とすることができる。以下、本形態の各構成について詳述する。 Moreover, it is preferable that the light-emitting device further includes a translucent member that covers the conductive wire. The material of the translucent member can be selected from translucent resins such as epoxy resins and silicone resins, and translucent inorganic members such as glass. Moreover, a translucent member can be formed by various molding methods, such as compression molding, injection molding, or transfer molding, using them as a material. By providing the light-transmitting member in the light-emitting device of this embodiment, the conductive wire exposed to the outside of the concave portion can be protected from the external environment by the light-transmitting member, and a highly reliable light-emitting device can be obtained. . In addition, since the translucent member has a convex shape in the light emission observation direction, the light emitted from the concave portion can be condensed and a light emitting device with high luminance can be obtained. Hereinafter, each structure of this form is explained in full detail.
(支持体)
本形態の支持体とは、発光素子を搭載する凹部を有し、光反射壁や導体配線としての金属層を配置することができる部材である。したがって、本形態の支持体は、アルミ、鉄入り銅を主な材料とするリードフレームや、そのようなリードフレームを樹脂にインサート成型させたパッケージとすることができる。
(Support)
The support in this embodiment is a member that has a recess for mounting a light emitting element and can be arranged with a light reflection wall or a metal layer as a conductor wiring. Therefore, the support body of this embodiment can be a lead frame mainly made of aluminum or iron-containing copper, or a package in which such a lead frame is insert-molded into a resin.
本形態における基材の材料は、ガラスエポキシ樹脂、セラミックスあるいはガラスを挙げることができる。特に、セラミックスを材料とすることにより、耐熱性の高い支持体とすることができる。 Examples of the base material in this embodiment include glass epoxy resin, ceramics, and glass. In particular, by using ceramics as a material, a support having high heat resistance can be obtained.
セラミックスは、アルミナ、窒化アルミニウム、ムライト、炭化ケイ素あるいは窒化ケイ素などが好ましい。特に、原料粉末の90〜96重量%がアルミナであり、焼結助剤として粘度、タルク、マグネシア、カルシア及びシリカ等が4〜10重量%添加され1500から1700℃の温度範囲で焼結させたセラミックスや原料粉末の40〜60重量%がアルミナで焼結助剤として60〜40重量%の硼珪酸ガラス、コージュライト、フォルステライト、ムライトなどが添加され800〜1200℃の温度範囲で焼結させたセラミックス基板などが挙げられる。 The ceramic is preferably alumina, aluminum nitride, mullite, silicon carbide or silicon nitride. In particular, 90 to 96% by weight of the raw material powder is alumina, and 4 to 10% by weight of viscosity, talc, magnesia, calcia, silica and the like are added as sintering aids and sintered in a temperature range of 1500 to 1700 ° C. 40-60% by weight of ceramics and raw material powder is alumina, and 60-40% by weight of borosilicate glass, cordierite, forsterite, mullite, etc. are added as sintering aids and sintered in the temperature range of 800-1200 ° C. And ceramic substrates.
セラミックスの粉体と、バインダー樹脂を混合して得られる材料をシート状に成型して得られるセラミックスグリーンシートを積層させて焼成することにより、板状の支持体とすることができる。あるいは、セラミックスグリーンシートに種々の大きさのスルーホールを形成して積層することにより、凹部を有する支持体とすることができる。このような支持体に配される第一の金属の下地層は、未焼成のセラミックスグリーンシートの段階で、タングステン、モリブデンのような高融点金属の微粒子を含む導体ペーストを所定のパターンに塗布したものを焼成することにより得ることができる。さらに、セラミックスグリーンシートを焼成した後、予め形成させておいた下地層に、ニッケル、金あるいは銀を順に鍍金して凹部の側面に配される金属層や導体配線とすることができる。 By laminating and firing ceramic green sheets obtained by molding a ceramic powder and a material obtained by mixing a binder resin into a sheet shape, a plate-shaped support can be obtained. Or it can be set as the support body which has a recessed part by forming and laminating | stacking through-hole of various magnitude | sizes in a ceramic green sheet. The first metal underlayer disposed on such a support was coated with a predetermined pattern of conductive paste containing fine particles of a refractory metal such as tungsten or molybdenum at the stage of an unfired ceramic green sheet. It can be obtained by firing. Furthermore, after firing the ceramic green sheet, nickel, gold, or silver can be plated in order on the pre-formed base layer to form a metal layer or conductor wiring disposed on the side surface of the recess.
なお、セラミックスを材料とする支持体は、上述のように、導体配線と絶縁部を一体的に形成する他、予め焼成されたセラミックスの板材に、導体配線を配置することにより形成することもできる。 As described above, the support made of ceramic material can be formed by arranging the conductor wiring on a pre-fired ceramic plate in addition to integrally forming the conductor wiring and the insulating portion. .
(発光素子)
本形態における発光素子は、発光ダイオードやレーザダイオードなど、発光装置の光源となり得るものである。本形態における支持体には、発光素子とともに、受光素子、およびそれらの半導体素子を過電圧による破壊から守る保護素子(例えば、ツェナーダイオードやコンデンサー)、あるいはそれらを組み合わせたものを搭載することができる。
(Light emitting element)
The light emitting element in this embodiment can be a light source of a light emitting device such as a light emitting diode or a laser diode. The support in this embodiment can be equipped with a light-emitting element, a light-receiving element, and a protective element (for example, a Zener diode or a capacitor) that protects these semiconductor elements from destruction due to overvoltage, or a combination thereof.
本形態において、波長変換部材にて被覆させない半導体素子は、波長変換部材への照射光を出力する発光素子が配置された凹部の外側に配置することが好ましい。このような半導体素子として、例えば、波長変換部材によって波長を変換させることなく、出射光をそのまま発光装置の光の一部として利用する発光素子、あるいは、本形態の発光素子とともに支持体に搭載され得る受光素子や保護素子が挙げられる。これらの素子は、波長変換部材へ照射させる光を出力する発光素子が配置された凹部内に配置される領域を設けられることなく、その凹部の外側に配置されて、支持体に設けられた導体配線と接続される。さらに、これらの素子は、上記凹部の外側に設けられた別の凹部内に配置させてもよい。これにより、波長変換部材への照射光を出力する発光素子以外の素子は、波長変換部材により波長変換される光の光学特性に影響を与えることがなくなる。したがって、波長変換部材への照射光を出力する発光素子以外の素子の大きさや、それをダイボンディングする領域を、同一の凹部について考慮する必要がなくなる。そのため、波長変換部材への照射光を出力する発光素子が配置される凹部と、その発光素子との関係を本発明の構成とすることが容易にできる。 In this embodiment, it is preferable that the semiconductor element not covered with the wavelength conversion member is disposed outside the concave portion in which the light emitting element that outputs the irradiation light to the wavelength conversion member is disposed. As such a semiconductor element, for example, a light emitting element that directly uses emitted light as part of light of a light emitting device without converting the wavelength by a wavelength conversion member, or mounted on a support together with the light emitting element of this embodiment. Examples thereof include a light receiving element and a protective element to be obtained. These elements are arranged on the outside of the concave portion without being provided with a region in the concave portion in which the light emitting element for outputting the light to be irradiated to the wavelength conversion member is arranged, and are provided on the support. Connected with wiring. Furthermore, these elements may be arranged in another recess provided outside the recess. Thereby, elements other than the light emitting element that outputs the irradiation light to the wavelength conversion member do not affect the optical characteristics of the light subjected to wavelength conversion by the wavelength conversion member. Therefore, it is not necessary to consider the size of the elements other than the light emitting element that outputs the irradiation light to the wavelength conversion member and the region for die bonding the same for the same recess. For this reason, the configuration of the present invention can be easily set to the relationship between the light emitting element and the concave portion in which the light emitting element that outputs the irradiation light to the wavelength conversion member is disposed.
本形態では、発光素子の一例として、LEDチップについて説明する。LEDチップを構成する半導体発光素子としては、ZnSeやGaNなど種々の半導体を使用したものを挙げることができるが、蛍光物質を有する発光装置とする場合には、その蛍光物質を効率良く励起できる短波長が発光可能な窒化物半導体(InXAlYGa1−X−YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)が好適に挙げられる。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を種々選択することができる。例えば、LEDチップは、可視光領域の光だけでなく、紫外線や赤外線を出力する発光素子とすることができる。 In this embodiment, an LED chip will be described as an example of a light emitting element. Examples of the semiconductor light-emitting element that constitutes the LED chip include those using various semiconductors such as ZnSe and GaN. However, in the case of a light-emitting device having a fluorescent material, the short-circuit that can efficiently excite the fluorescent material. wavelength capable of emitting nitride semiconductor (in X Al Y Ga 1- X-Y N, 0 ≦ X, 0 ≦ Y, X + Y ≦ 1) is preferably exemplified. Various emission wavelengths can be selected depending on the material of the semiconductor layer and the degree of mixed crystal. For example, the LED chip can be a light emitting element that outputs not only visible light but also ultraviolet rays and infrared rays.
半導体素子は、その電極がバンプと呼ばれる導電性材料を介して支持体や、サブマウントと呼ばれる補助部材の導体配線に電気的および機械的に接続することもできる。 The semiconductor element can also be electrically and mechanically connected to a conductor of an auxiliary member called a support or a submount via a conductive material called a bump.
(導電性ワイヤ)
本形態において、半導体素子の電極と、支持体の導体配線とを接続する導電性ワイヤは、導体配線とのオーミック性、機械的接続性、電気伝導性及び熱伝導性がよいものが求められる。熱伝導度としては0.01cal/(s)(cm2)(℃/cm)以上が好ましく、より好ましくは0.5cal/(s)(cm2)(℃/cm)以上である。また、作業性などを考慮して導電性ワイヤの直径は、好ましくは、Φ10μm以上、Φ45μm以下である。このような導電性ワイヤとして具体的には、金、銅、白金、アルミニウム等の金属及びそれらの合金を用いた導電性ワイヤが挙げられる。このような導電性ワイヤは、導体配線に形成させたワイヤーボンディング領域と、半導体素子の電極と、をワイヤーボンディング機器によって容易に接続させることができる。
(Conductive wire)
In this embodiment, the conductive wire that connects the electrode of the semiconductor element and the conductor wiring of the support is required to have good ohmic properties, mechanical connectivity, electrical conductivity, and thermal conductivity with the conductor wiring. Preferably 0.01cal / (s) (cm 2 ) (℃ / cm) or higher as heat conductivity, and more preferably 0.5cal / (s) (cm 2 ) (℃ / cm) or more. In consideration of workability and the like, the diameter of the conductive wire is preferably Φ10 μm or more and Φ45 μm or less. Specific examples of such conductive wires include conductive wires using metals such as gold, copper, platinum, and aluminum, and alloys thereof. Such a conductive wire can easily connect the wire bonding region formed in the conductor wiring and the electrode of the semiconductor element by a wire bonding apparatus.
(波長変換部材)
本形態における波長変換部材は、発光素子からの光の少なくとも一部を吸収して異なる波長を有する光を発する蛍光物質を含有する部材である。このような波長変換部材は、蛍光物質と、その蛍光物質を固着させるための結着剤となるエポキシ樹脂やシリコーン樹脂のような透光性樹脂、ガラスなどの透光性無機部材とともに支持体の凹部内に充填され成型されて波長変換部材とされる。
(Wavelength conversion member)
The wavelength conversion member in this embodiment is a member containing a fluorescent material that emits light having different wavelengths by absorbing at least a part of light from the light emitting element. Such a wavelength conversion member includes a fluorescent substance, a transparent resin such as an epoxy resin or a silicone resin, which is a binder for fixing the fluorescent substance, and a transparent inorganic member such as glass. The concave portion is filled and molded into a wavelength conversion member.
本形態に利用することができる蛍光物質は、発光素子の光を変換させるものであり、発光素子からの光をより長波長に変換させるものの方が効率がよい。発光素子からの光がエネルギーの高い短波長の可視光の場合、アルミニウム酸化物系蛍光体の一種であるYAG:Ceが好適に用いられる。特に、YAG:Ce蛍光体は、その含有量によってLEDチップからの青色系の光を一部吸収して補色となる黄色系の光を発するため、白色系の混色光を発する高出力な発光ダイオードを、比較的簡単に形成することができる。なお、蛍光物質は、波長変換部材に含有されるものの他、導電性ワイヤを被覆する透光性部材に含有させることもできる。 The fluorescent material that can be used in this embodiment converts light from the light emitting element, and it is more efficient to convert light from the light emitting element to a longer wavelength. When the light from the light-emitting element is short-wavelength visible light with high energy, YAG: Ce, which is a kind of aluminum oxide phosphor, is preferably used. In particular, the YAG: Ce phosphor absorbs part of the blue light from the LED chip depending on its content and emits yellow light that is a complementary color. Can be formed relatively easily. Note that the fluorescent material can be contained in a translucent member covering the conductive wire in addition to those contained in the wavelength conversion member.
以下、本発明に係る実施例について詳述する。なお、本発明は以下に示す実施例のみに限定されないことは言うまでもない。 Examples according to the present invention will be described in detail below. Needless to say, the present invention is not limited to the following examples.
図1は、本実施例にかかる発光装置100の斜視図であり、図2は、本実施例にかかる発光装置の断面図である。また、図4は、本実施例の凹部の断面を拡大して示す図である。
FIG. 1 is a perspective view of a
本実施例における発光装置100は、LEDチップ101および波長変換部材108を配置するための凹部を有する支持体と、凹部の底面にダイボンディングされたLEDチップ101の電極を支持体に施された導体配線103に接続するための導電性ワイヤ104と、波長変換部材108や導電性ワイヤ104を被覆する透光性部材102とを備える。
The
本実施例における支持体は、セラミックスを材料とする基材105に、導体配線を施したものである。この導体配線は、凹部の側壁の上面に露出されたワイヤーボンディング領域103から、基材105に設けられたスルーホールを介して、支持体の背面側に設けられた電極106まで電気的に接続されている。
The support in this example is obtained by applying conductor wiring to a
本実施例のLEDチップ101は、寸法が600μm四方の正方形の平面形状を有する。LEDチップ101の厚みtは、85μmである。
The
本実施例における支持体の凹部の開口形状は、LEDチップ101の平面形状と相似な正方形である。また、この開口形状は、凹部の開口部から底面まで同じ大きさおよび形状である。さらに、凹部の側壁は、最表面が銀となるような金属層107が配置されている。
The opening shape of the concave portion of the support in the present embodiment is a square similar to the planar shape of the
凹部は、その深さDが102μm(厚みtの1.2倍)であり、LEDチップ101の側面と金属層108の最表面との間隔Wは、85μm(厚みtの1.0倍)である。
The depth D of the recess is 102 μm (1.2 times the thickness t), and the interval W between the side surface of the
波長変換部材107は、シリコーン樹脂にアルミニウム酸化物系蛍光体が含有された混合物が凹部に充填されることにより形成されている。凹部内に形成された波長変換部材108の最表面は、凹部の側壁上面と同一平面とさせてある。
The
本実施例により、発光観測方位による色度ずれが抑制され、高輝度な発光装置とすることができる。 According to this embodiment, a chromaticity shift due to the emission observation direction is suppressed, and a light-emitting device with high luminance can be obtained.
本実施例のLEDチップ101は、寸法が800μm四方の正方形の平面形状を有する。LEDチップ101の厚みtは、85μmである。
The
本実施例における支持体の凹部の開口形状は、LEDチップ101の平面形状と相似な正方形である。本実施例の凹部の深さDは、1360μm(厚みtの16倍)であり、LEDチップ101の側面と金属層108の最表面との間隔Wは、212.5μm(厚みtの2.5倍)である。
The opening shape of the concave portion of the support in the present embodiment is a square similar to the planar shape of the
その他は、実施例1と同様に発光装置を形成する。本実施例により、発光観測方位による色度ずれが抑制され、高輝度な発光装置とすることができる。 Otherwise, the light emitting device is formed in the same manner as in Example 1. According to this embodiment, a chromaticity shift due to the emission observation direction is suppressed, and a light-emitting device with high luminance can be obtained.
本実施例のLEDチップ101は、寸法が240μm×420μmの長方形の平面形状を有する。LEDチップ101の厚みtは、85μmである。
The
本実施例における支持体の凹部の開口形状は、LEDチップ101の平面形状と相似な長方形である。また、LEDチップ101は、LEDチップ101の平面形状と相似な長方形の凹部底面の中央に配置させる。本実施例の凹部の深さDは、2550μm(厚みtの30倍)であり、LEDチップ101の側面と金属層108の最表面との間隔Wは、425μm(厚みtの5.0倍)である。
In this embodiment, the opening shape of the concave portion of the support is a rectangle similar to the planar shape of the
その他は、実施例1と同様に発光装置を形成する。本実施例により、発光観測方位による色度ずれが抑制され、高輝度な発光装置とすることができる。 Otherwise, the light emitting device is formed in the same manner as in Example 1. According to this embodiment, a chromaticity shift due to the emission observation direction is suppressed, and a light-emitting device with high luminance can be obtained.
本実施例のLEDチップ101は、寸法が600μm四方の正方形の平面形状を有する。LEDチップ101の厚みtは、120μmである。
The
本実施例における支持体の凹部の開口形状は、LEDチップ101の平面形状と相似な正方形である。その凹部の深さDは、300μm(厚みtの2.5倍)であり、LEDチップ101の側面と金属層108の最表面との間隔Wは、200μm(厚みtの1.67倍)である。
The opening shape of the concave portion of the support in the present embodiment is a square similar to the planar shape of the
その他は、実施例1と同様に発光装置を形成する。本実施例により、発光観測方位による色度ずれが抑制され、高輝度な発光装置とすることができる。 Otherwise, the light emitting device is formed in the same manner as in Example 1. According to this embodiment, a chromaticity shift due to the emission observation direction is suppressed, and a light-emitting device with high luminance can be obtained.
図3は、本実施例にかかる発光装置200の断面図を示す。本実施例の発光装置200は、実施例1の透光性部材102の形状を、発光観測方位に凸なレンズ形状としたものである。これにより、高輝度な発光装置とすることができる。
FIG. 3 is a cross-sectional view of the
本発明は、照明器具、ディスプレイ、液晶ディスプレイのバックライト光源などに利用できる。 The present invention can be used for a lighting device, a display, a backlight light source of a liquid crystal display, and the like.
100、200・・・発光装置
101・・・発光素子
102・・・透光性部材
103・・・導体配線
104・・・導電性ワイヤ
105・・・基材
106・・・電極
107・・・金属層
108・・・波長変換部材
DESCRIPTION OF
Claims (7)
前記凹部は、前記発光素子の平面形状に相似な開口形状と、前記発光素子が配置された底面に垂直な側壁面とを有し、前記凹部の開口部から底面までの深さは、前記発光素子の厚みの1.2倍から30倍であり、かつ、前記凹部の側壁面と前記発光素子の側面との間隔は、前記発光素子の厚みの1倍から5倍であり、
前記凹部に配置された前記波長変換部材の最表面の少なくとも一部は、前記凹部の側壁の上面まで達していることを特徴とする発光装置。 A light-emitting device comprising: a light-emitting element; a wavelength conversion member containing a fluorescent material that emits light having a wavelength different from that of the light-emitting element; and a support having a recess.
The recess has an opening shape similar to the planar shape of the light emitting element and a side wall surface perpendicular to the bottom surface on which the light emitting element is disposed, and the depth from the opening to the bottom surface of the recess is the light emission The thickness of the element is 1.2 to 30 times, and the distance between the side wall surface of the recess and the side surface of the light emitting element is 1 to 5 times the thickness of the light emitting element,
At least a part of the outermost surface of the wavelength conversion member disposed in the recess reaches the upper surface of the side wall of the recess.
The light emitting device according to claim 1, wherein the semiconductor element different from the light emitting element is disposed outside a recess in which the light emitting element is disposed.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005364340A JP2007110060A (en) | 2005-09-15 | 2005-12-19 | Light emitting device |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005269280 | 2005-09-15 | ||
JP2005364340A JP2007110060A (en) | 2005-09-15 | 2005-12-19 | Light emitting device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007110060A true JP2007110060A (en) | 2007-04-26 |
Family
ID=38035660
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005364340A Pending JP2007110060A (en) | 2005-09-15 | 2005-12-19 | Light emitting device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007110060A (en) |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A02 | Decision of refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
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A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
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|
A521 | Written amendment |
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|
A521 | Written amendment |
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A521 | Written amendment |
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