JP2007105661A - パターン形成方法及び液滴吐出装置 - Google Patents

Abstract

【課題】液滴に照射するレーザ光の光学特性を維持して、液滴からなるパターンの形状制御性を向上したパターン形成方法及び液滴吐出装置を提供する。
【解決手段】レーザヘッド３５の搭載されたキャリッジ２８に、レーザヘッド３５の各照射口３６を開閉するキャップ３９を有した開閉機構３７を設けた。そして、閉動開始位置ＰｃがノズルＮの直下に位置するタイミングで、キャップ３９を閉動し、液状体Ｆを捨て打ちする間、各照射口３６の閉じた状態を保持するようにした。
【選択図】図４

Description

本発明は、パターン形成方法及び液滴吐出装置に関する。

従来、液晶表示装置やエレクトロルミネッセンス表示装置等の表示装置には、画像を表示するための基板が備えられている。この種の基板には、品質管理や製造管理を目的として、その製造元や製品番号等の製造情報をコード化した識別コード（例えば、２次元コード）が形成されている。こうした識別コードは、配列された多数のパターン形成領域（データセル）の一部に、パターンとしてのコードパターン（例えば、有色の薄膜や凹部等のドット）を備え、そのコードパターンの有無によって製造情報を再現可能にしている。

識別コードの形成方法には、金属箔にレーザ光を照射してコードパターンをスパッタ成膜するレーザスパッタ法や、研磨材を含んだ水を基板等に噴射してコードパターンを刻印するウォータージェット法が提案されている（特許文献１、特許文献２）。

しかし、上記レーザスパッタ法では、所望するサイズのコードパターンを得るために、金属箔と基板の間隙を、数〜数十μｍに調整しなければならない。つまり、基板と金属箔の表面に対して非常に高い平坦性が要求され、しかも、これらの間隙をμｍオーダの精度で調整しなければならない。その結果、識別コードを形成できる対象基板が制限されて、その汎用性を損なう問題を招いていた。また、ウォータージェット法では、基板の刻印時に、水や塵埃、研磨剤等が飛散するため、同基板を汚染する問題があった。

近年、こうした生産上の問題を解消する識別コードの形成方法として、インクジェット法が注目されている。インクジェット法では、金属微粒子を含む液滴を吐出口から吐出して、その液滴を乾燥させることによってコードパターンを形成する。そのため、識別コードを形成する基板の対象範囲を拡大することができ、同基板の汚染等を回避して識別コードを形成することができる。
特開平１１−７７３４０号公報 特開２００３−１２７５３７号公報

しかしながら、上記インクジェット法では、液滴を乾燥することによってコードパターンを形成するために、基板の表面状態や液滴の表面張力等に応じて、以下の問題を招いていた。すなわち、基板に対する液滴の濡れ性が高くなると、基板に着弾した液滴は、基板表面に沿って直ちに濡れ広がる。そのため、液滴の乾燥に時間を要すると（例えば、１００ミリ秒以上の時間を要すると）、着弾した液滴が基板表面で過剰に濡れ広がって、対応するデータセル内から食み出すようになる。その結果、コードパターンを読み取り不可能にして基板情報を損失する問題があった。

こうした問題は、液滴を吐出する液滴吐出装置にレーザ照射手段を搭載し、レーザ照射手段からのレーザ光を所望のサイズの液滴に照射する、すなわち所望のサイズの液滴を瞬時に乾燥することによって回避可能と考えられる。

しかし、上記する液滴吐出装置では、一般的に、パターンの描画を開始する前、あるいはパターンの描画中に、全てのノズルから、描画と無関係の液滴を大量に吐出させて（捨て打ちさせて）、各ノズル内の増粘した液状体を排出し、各ノズルの液滴吐出動作を安定
化させる、いわゆるフラッシング動作を行っている。こうしたフラッシング動作では、増粘した液状体を捨て打ち領域内に強制的に捨て打ちするため、サイズの異なる多数の液滴が吐出されて、その中の微小な液滴（ミスト）が、捨て打ち領域の近傍で浮遊するようになる。あるいは、捨て打ち領域に捨て打ちされた液状体の一部が飛散して、捨て打ち領域の近傍で浮遊するようになる。

その結果、液滴吐出装置にレーザ照射手段を搭載すると、液状体のミスト等がレーザ光の光学系（特に、露出するレンズの光学面）に付着して、レーザ光の照射強度や照射位置を大きく変動させる虞があった。

本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、その目的は、液滴に照射するレーザ光の光学特性を維持して、液滴からなるパターンの形状制御性を向上したパターン形成方法及び液滴吐出装置を提供することである。

本発明のパターン形成方法は、パターン形成材料を含む液滴を液滴吐出ヘッドから対象物に向かって吐出し、前記対象物に着弾した前記液滴の領域に照射口からのレーザ光を照射してパターンを形成するようにしたパターン形成方法において、前記液滴吐出ヘッドが捨て打ち領域に前記液滴を捨て打ちしているときに、前記照射口の閉じた状態を保持するようにした。

本発明のパターン形成方法によれば、照射口を閉じた状態にしている分だけ、レーザ光の光学系に対して、捨て打ち動作に起因したミスト等の付着を回避することができる。その結果、レーザ光の光学系の汚染を回避することができ、レーザ光の光学特性を維持して、液滴からなるパターンの形状制御性を向上することができる。

このパターン形成方法は、前記対象物に着弾した前記液滴の領域に前記照射口からの前記レーザ光を照射する前に、前記照射口を開けるようにしてもよい。
このパターン形成方法によれば、照射口の閉じた状態を保持し続ける分だけ、レーザ光の光学系の汚染を、さらに回避することができる。

このパターン形成方法において、前記対象物に着弾した前記液滴の領域に前記照射口からのレーザ光を照射した後に、前記照射口の閉じた状態を保持するようにしてもよい。
このパターン形成方法によれば、レーザ光を照射しない間、照射口を閉じ続けることができる。従って、光学系に対するミスト等の付着を、確実に回避することができる。

本発明の液滴吐出装置は、捨て打ち領域に液滴を捨て打ちして、対象物に液滴を吐出する液滴吐出ヘッドと、前記対象物に着弾した前記液滴の領域に照射口からレーザ光を照射するレーザ照射手段と、を備えた液滴吐出装置において、前記レーザ照射手段は、前記照射口を開閉する開閉機構と、前記液滴吐出ヘッドが前記液滴を捨て打ちしているときに、前記照射口の閉じた状態を保持する開閉制御手段と、を備えた。

本発明の液滴吐出装置によれば、液滴吐出ヘッドが捨て打ちをしているときに、照射口の閉じた状態を保持することができる。従って、照射口を閉じた状態にしている分だけ、レーザ光の光学系に対して、捨て打ち動作に起因したミスト等の付着を回避することができる。その結果、レーザ光の光学系の汚染を回避することができ、レーザ光の光学特性を維持して、液滴からなるパターンの形状制御性を向上することができる。

本発明の液滴吐出装置は、捨て打ち領域に液滴を捨て打ちして、対象物に液滴を吐出する液滴吐出ヘッドと、前記対象物に着弾した前記液滴の領域に照射口からレーザ光を照射
するレーザ照射手段と、を備えた液滴吐出装置において、前記レーザ照射手段は、前記照射口を開閉する開閉機構と、前記液滴吐出ヘッドが前記捨て打ち領域上に位置するときに、前記照射口の閉じた状態を保持する開閉制御手段と、を備えた。

本発明の液滴吐出装置によれば、液滴吐出ヘッドが捨て打ち領域上に位置するときに、照射口の閉じた状態を保持することができる。従って、照射口を閉じた状態にしている分だけ、レーザ光の光学系に対して、捨て打ち領域からのミスト等の付着を回避することができる。その結果、レーザ光の光学系の汚染を回避することができ、レーザ光の光学特性を維持して、液滴からなるパターンの形状制御性を向上することができる。

この液滴吐出装置において、前記開閉制御手段は、前記対象物に着弾した前記液滴の領域に前記照射口からの前記レーザ光を照射する前に、前記照射口を開けるようにしてもよい。

この液滴吐出装置によれば、照射口の閉じた状態を保持し続ける分だけ、レーザ光の光学系の汚染を、さらに回避することができる。
この液滴吐出装置において、前記開閉制御手段は、前記対象物に着弾した前記液滴の領域に前記照射口からの前記レーザ光を照射した後に、前記照射口の閉じた状態を保持するようにしてもよい。

この液滴吐出装置によれば、レーザ光を照射しない間、照射口を閉じ続けることができる。従って、光学系に対するミスト等の付着を、確実に回避することができる。

（第１実施形態）
以下、本発明を具体化した第１実施形態を図１〜図７に従って説明する。まず、本発明のパターン形成方法を利用して形成した識別コードを有する液晶表示装置について説明する。

図１において、液晶表示装置１には、四角形状に形成された基板２が備えられて、本実施形態では、その基板２の長手方向をＸ矢印方向とし、Ｘ矢印方向と直交する方向をＹ矢印方向とする。

基板２の一側面（表面２ａ）であって、その略中央位置には、液晶分子を封入した四角形状の表示部３が形成されて、その表示部３の外側には、走査線駆動回路４及びデータ線駆動回路５が形成されている。液晶表示装置１は、これら走査線駆動回路４の供給する走査信号と、データ線駆動回路５の供給するデータ信号に基づいて、前記表示部３内の液晶分子の配向状態を制御するようになっている。そして、液晶表示装置１は、図示しない照明装置からの平面光を液晶分子の配向状態によって変調して、表示部３の領域に所望の画像を表示するようになっている。

基板２の表面２ａであって、その左側下隅には、液晶表示装置１の識別コード１０が形成されている。識別コード１０は、一辺が約１ｍｍの正方形で形成されたコード形成領域Ｓ内に形成されている。コード形成領域Ｓは、１６行×１６列のデータセルＣに仮想分割されて、そのデータセルＣの領域に、半球状のパターンとしてのドットＤが選択的に形成されている。

本実施形態では、最もＸ矢印方向側に位置する列のデータセルＣを「先端セルＣ１」とし、最も反Ｘ矢印方向側に位置する列のデータセルを「末端セルＣ１６」という。また、ドットＤの形成されたデータセルＣの中心位置を「目標吐出位置Ｐ」とし、各データセル
Ｃの一辺の長さを「セル幅Ｗ」という。

各ドットＤは、その外径がデータセルＣの一辺の長さ（前記セル幅Ｗ）で形成されたパターンであって、パターン形成材料としての金属微粒子（例えば、ニッケル微粒子やマンガン微粒子）を分散媒に分散させた液状体Ｆ（図４参照）の液滴ＦｂをデータセルＣに吐出し、データセルＣに着弾した液滴Ｆｂを乾燥及び焼成させることによって形成されている。着弾した液滴Ｆｂの乾燥・焼成は、レーザ光Ｂ（図６参照）を照射することによって行われる。尚、本実施形態では、液滴Ｆｂを乾燥・焼成することによってドットＤを形成するようにしているが、これに限らず、例えばレーザ光Ｂの乾燥のみによって形成するようにしてもよい。

そして、識別コード１０は、各データセルＣ内のドットＤの有無によって、液晶表示装置１の製品番号やロット番号等を再現できるようになっている。
次に、前記識別コード１０を形成するための液滴吐出装置について説明する。

図２に示すように、液滴吐出装置２０には、その長手方向がＸ矢印方向に沿う直方体形状に形成された基台２１が備えられている。基台２１の上面には、Ｘ矢印方向に延びる一対の案内溝２２が形成されるとともに、Ｘ軸モータＭＸ（図７参照）に駆動連結される基板ステージ２３が、その案内溝２２に案内されて所定の速度（搬送速度Ｖｘ）でＸ矢印方向及び反Ｘ矢印方向に直動するようになっている。基板ステージ２３の上面（載置面２３ａ）には、図示しない吸引式のチャック機構が設けられるとともに、載置される基板２が、表面２ａ（コード形成領域Ｓ）を上側にして位置決め固定されるようになっている。

載置面２３ａの一側端であって載置された基板２のＸ矢印方向側には、基板ステージ２３のＹ矢印方向略全幅にわたって帯状に凹設された捨て打ち領域としてのフラッシング領域２４が形成されている。フラッシング領域２４には、多孔質の吸収部材２４ａが収納されて、液滴吐出ヘッド（以下単に、「吐出ヘッド」という。）３０から吐出（捨て打ち）された液滴Ｆｂを受容して吸収するようになっている。このフラッシング領域２４は、液滴Ｆｂの吐出動作を安定化するために利用されて、前記ドットＤを形成する直前に、吐出ヘッド３０からの増粘した液状体Ｆを吸収するようになっている。

そして、フラッシング領域２４に向かって液滴Ｆｂを捨て打ちする（フラッシングする）と、フラッシング領域２４は、増粘した液状体Ｆを吸収部材２４ａに吸収して収容して、吐出ヘッド３０は、その吐出動作を安定化させる。

尚、こうしたフラッシング動作では、増粘した液状体Ｆを大量に捨て打ちするために、液滴Ｆｂのサイズが不均一になって、微小なサイズの液滴Ｆｂが飛散するようになる。また、大量の液状体Ｆの着弾にともなって、その一部が、フラッシング領域２４から吐出ヘッド３０の近傍に飛散するようになる。そのため、フラッシング領域２４の近傍では、図４に示すように、飛行方向の定まらない液状体Ｆが、ミストＭとなって浮遊するようになる。

本実施形態では、載置面２３ａ上の位置であって、このフラッシング領域２４のＸ矢印方向側端部の形成位置を、「閉動開始位置Ｐｃ」という。
図２に示すように、基台２１のＹ矢印方向両側には、門型に形成された案内部材２５が配設されている。案内部材２５の上側には、液状体Ｆを収容する収容タンク２６が配設されて、収容する液状体Ｆを吐出ヘッド３０に導出するようになっている。案内部材２５の下側には、Ｙ矢印方向に延びる上下一対の案内レール２７がＹ矢印方向全幅にわたり形成されて、Ｙ軸モータＭＹ（図７参照）に駆動連結されるキャリッジ２８が、その案内レール２７に沿ってＹ矢印方向及び反Ｙ矢印方向に直動するようになっている。

キャリッジ２８の下側には、吐出ヘッド３０が搭載されている。図３は、吐出ヘッド３０を基板２側から見た斜視図であって、図４〜図６は、それぞれ基板ステージ２３をＸ矢印方向に搬送するときの吐出ヘッド３０の状態を説明する概略側断面図である。

図３に示すように、吐出ヘッド３０の基板２側（反Ｚ矢印方向側）には、ノズルプレート３１が備えられている。ノズルプレート３１は、ステンレス等の板部材で形成されて、その基板２側の側面（ノズル形成面３１ａ）には、Ｙ矢印方向に沿って等間隔（前記セル幅Ｗのピッチ幅）に配列された１６個のノズルＮが形成されている。

図５に示すように、各ノズルＮは、基板２の法線方向（Ｚ矢印方向）に沿ってノズルプレート３１に貫通形成された円形孔であって、その内部に、上記液状体Ｆの界面（メニスカスＫ）を形成している。

本実施形態では、表面２ａ上の位置であって、各ノズルＮの反Ｚ矢印方向に相対する位置を、それぞれ「着弾位置ＰＦ」という。
各ノズルＮのＺ矢印方向には、収容タンク２６に連通するキャビティ３２が形成されて、収容タンク２６の導出する液状体Ｆを、それぞれ対応するノズルＮ内に供給するようになっている。各キャビティ３２の上側には、Ｚ矢印方向及び反Ｚ矢印方向（上下方向）に振動可能な振動板３３が貼り付けられて、キャビティ３２内の容積を拡大・縮小するようになっている。振動板３３の上側には、各ノズルＮに対応する複数の圧電素子ＰＺが配設されて、圧電素子ＰＺを駆動制御するための信号（圧電素子駆動電圧ＣＯＭ１：図７参照）を受けて上下方向に収縮・伸張し、対応する振動板３３をＺ矢印方向及び反Ｚ矢印方向に振動させるようになっている。

そして、基板ステージ２３を搬送速度ＶｘでＸ矢印方向に搬送し、フラッシング領域２４がノズルＮの直下に侵入するタイミング（「閉動開始位置Ｐｃ」がノズルＮの直下に位置するタイミング）で、全ての圧電素子ＰＺを収縮・伸張させる。すると、図４に示すように、各キャビティ３２内の容積が拡大・縮小してノズルＮ内のメニスカスＫが振動し、増粘した液状体Ｆが、全てのノズルＮから捨て打ちされる。すなわち、増粘した液状体Ｆが、全てのノズルＮから排出されて、フラッシングが行われる。

フラッシング動作によって捨て打ちされた液状体Ｆは、液滴Ｆｂとなってフラッシング領域２４の吸収部材２４ａに吸収される、あるいはミストＭとなってフラッシング領域２４の近傍を浮遊する。

そして、フラッシング領域２４がノズルＮの直下から離脱するタイミングでフラッシング動作を終了する。すると、フラッシング動作によって発生したミストＭは、フラッシング領域２４や吐出ヘッド３０の周辺に付着して消失する。

続いて、基板ステージ２３をＸ矢印方向に搬送し続けて、先端セルＣ１の目標吐出位置Ｐが着弾位置ＰＦに位置するタイミングで、所望の圧電素子ＰＺを収縮・伸張させる。すると、図５に示すように、対応するキャビティ３２内の容積が拡大・縮小して対応するノズルＮ内のメニスカスＫが振動し、所定容量の液状体Ｆが、対応するノズルＮから液滴Ｆｂとして吐出される。

ノズルＮから吐出された液滴Ｆｂは、上記フラッシング動作によってその吐出動作が安定化されているため、均一なサイズで反Ｚ矢印方向に飛行して、対応する着弾位置ＰＦ（目標吐出位置Ｐ）に着弾する。目標吐出位置Ｐに着弾した液滴Ｆｂは、基板ステージ２３の搬送移動とともにＸ矢印方向に移動して、その搬送時間の経過とともに、対応するデー
タセルＣ内で濡れ広がって、乾燥するためのサイズ（本実施形態では、前記セル幅Ｗ）まで拡大する。

本実施形態では、搬送移動される液滴Ｆｂの中心位置（目標吐出位置Ｐ）であって、その液滴Ｆｂの外径がセル幅Ｗになる位置を、「照射位置ＰＴ」という。また、液滴Ｆｂの吐出動作の開始時から、吐出した液滴Ｆｂが前記照射位置ＰＴに到達するまでの時間を、「照射待機時間Ｔ１」という。

図３に示すように、吐出ヘッド３０のＸ矢印方向側には、キャリッジ２８に配設されてレーザ照射手段を構成するレーザヘッド３５が備えられている。レーザヘッド３５は、箱体状に形成された筐体３５ａを有し、その筐体３５ａが、キャリッジ２８から基板２側（反Ｚ矢印方向側）に延びる一対の支持部２８ａに支持固定されている。

筐体３５ａの一側面であって基板２側（反Ｚ矢印方向側）の側面（照射面３５ｓ）には、１６個の照射口３６が備えられている。各照射口３６は、照射面３５ｓを貫通形成した円形孔であって、それぞれ前記ノズルＮのＸ矢印方向側に形成されて、Ｙ矢印方向に沿ってセル幅Ｗの等間隔で一列に配列されている。

筐体３５ａの内部には、各照射口３６に対応する半導体レーザＬＤ（図７参照）と各種光学系（例えば、コリメータや集光レンズ）が配設されて、液状体Ｆ（分散媒や金属微粒子）の吸収波長に対応した波長領域のレーザ光Ｂを前記照射位置ＰＴに導くようになっている。

そして、基板ステージ２３を搬送速度ＶｘでＸ矢印方向に搬送し、先端セルＣ１が照射位置ＰＴに侵入するタイミングで、レーザ光Ｂを出射するための駆動信号（レーザ駆動電圧ＣＯＭ２：図７参照）を対応する半導体レーザＬＤに供給する。すると、図６に示すように、所定強度のレーザ光Ｂが、対応する照射口３６から照射位置ＰＴの領域に向けて出射されて、照射位置ＰＴを通過する液滴Ｆｂを瞬時に乾燥して固化する。固化した液滴Ｆｂは、連続するレーザ光Ｂの照射によって金属微粒子が焼成されて、外径がセル幅ＷからなるドットＤとして基板２の表面２ａに固着する。

図３に示すように、レーザヘッド３５と吐出ヘッド３０との間には、レーザ照射手段を構成する開閉機構３７が配設されている。開閉機構３７は、前記支持部２８ａに取着される一対の回動部材３８と、前記一対の回動部材３８に連結されるキャップ３９を有している。

一対の回動部材３８は、それぞれ短冊状に形成されて、一対の支持部２８ａの先端部に回動可能に取着されている。各回動部材３８は、その基端部が回動モータＭＲ（図７参照）に駆動連結されて、対応する支持部２８ａの先端部（回動軸Ａ）を中心にして、その先端部３８ａを回動するようになっている。

詳述すると、図４の実線で示すように、各回動部材３８は、それぞれの先端部３８ａを吐出ヘッド３０側に向ける位置（以下単に、「閉位置」という。）と、図４の破線で示すように、それぞれの先端部３８ａをキャリッジ２８側に向ける位置（以下単に、「開位置」という。）との間を回動するようになっている。そして、回動モータＭＲを正転駆動すると、各回動部材３８は、「開位置」から右回りに回動して「閉位置」まで移動する。反対に、回動モータＭＲを逆転駆動すると、各回動部材３８は、「閉位置」から左回りに回動して「開位置」まで移動する。

キャップ３９は、Ｙ矢印方向から見て、断面Ｌ字状に形成された可撓性部材であって、
そのＹ矢印方向の幅が筐体３５ａと略同じ幅に形成されている。キャップ３９は、そのＹ矢印方向の両側端部が、それぞれ前記一対の回動部材３８の先端部３８ａに連結固定されて、そのレーザヘッド３５側の側面には、シール面３９ｓが形成されている。シール面３９ｓは、一対の回動部材３８が「開位置」に位置するときに、照射面３５ｓから離間して照射口３６を開放し、一対の回動部材３８が「閉位置」に位置するときに、照射面３５ｓと密着して各照射口３６を封止するようになっている。

そして、照射口３６を開放した状態から、フラッシング領域２４がノズルＮの直下に侵入するタイミング（「閉動開始位置Ｐｃ」がノズルＮの直下に位置するタイミング）で、回動部材３８を「閉位置」まで回動する。すると、キャップ３９は、回動軸Ａを中心にして、図４の破線位置から右回りに回動（閉動）し、図４の実線位置でシール面３９ｓを照射面３５ｓに密着させて、照射口３６を封止する。

すなわち、フラッシング動作を実行する前に、開閉機構３７を駆動して（回動モータＭＲを正転駆動して）、レーザヘッド３５内の光学系を外気から遮断する。これによって、後続するフラッシング動作によって発生するミストＭからレーザヘッド３５内の光学系を保護することができ、ミストＭの付着による光学系の汚染を回避することができる。

続いて、基板ステージ２３をＸ矢印方向に搬送して、先端セルＣ１の目標吐出位置Ｐが着弾位置ＰＦに位置するタイミングで、回動部材３８を「開位置」まで回動する。すると、図５に示すように、キャップ３９は、回動軸Ａを中心にして、図５の破線位置から左回りに回動（開動）し、図５の実線位置でシール面３９ｓを照射面３５ｓから離間させて、照射口３６を開放する。

すなわち、液滴Ｆｂの吐出動作を開始するときに、開閉機構３７を駆動して（回動モータＭＲを逆転駆動して）、レーザヘッド３５の光学系を解放する。これによって、汚染を回避した光学系（照射口３６）からレーザ光Ｂを出射することができ、照射位置ＰＴに搬送移動された液滴Ｆｂを、順次乾燥・焼成することができる。

次に、上記のように構成した液滴吐出装置２０の電気的構成を図７に従って説明する。
図７において、開閉制御手段を構成する制御装置４１は、ＣＰＵ、ＲＡＭ、ＲＯＭ等を備え、ＲＯＭ等に格納された各種データと各種制御プログラムに従って、基板ステージ２３を移動させて、液滴吐出ヘッド３０、レーザヘッド３５及び開閉機構３７を駆動させる。

詳述すると、制御装置４１のＲＯＭには、液状体Ｆを捨て打ちしてフラッシング動作を実行するためのフラッシングデータＦＩと、液滴Ｆｂを吐出して識別コード１０を形成するためのドットデータＤＩが格納されている。

フラッシングデータＦＩは、各ビットの値（０あるいは１）に応じて、圧電素子ＰＺのオンあるいはオフを規定するビットマップデータであり、所定の時間（ノズルＮの直下をフラッシング領域２４が通過する時間）だけ、全ての圧電素子ＰＺをオンするように設定されている。

ドットデータＤＩは、各ビットの値（０あるいは１）に応じて、圧電素子ＰＺのオンあるいはオフを規定するものであり、二次元描画平面（コード形成領域Ｓ）上における各データセルＣに、液滴Ｆｂを吐出するか否かを規定するデータである。

制御装置４１には、起動スイッチ、停止スイッチ等の操作スイッチを有した入力装置４２が接続されて、入力装置４２からの各種操作信号や識別コード１０の画像が既定形式の
描画データＩａとして入力されるようになっている。そして、制御装置４１は、入力装置４２からの描画データＩａを受けて、前記ドットデータＤＩと、前記圧電素子駆動電圧ＣＯＭ１と、前記レーザ駆動電圧ＣＯＭ２を生成する。

制御装置４１には、Ｘ軸モータ駆動回路４３が接続されて、Ｘ軸モータ駆動回路４３に対応する駆動制御信号を出力するようになっている。Ｘ軸モータ駆動回路４３は、制御装置４１からの駆動制御信号に応答して、基板ステージ２３を搬送速度Ｖｘで往復移動させるＸ軸モータＭＸを正転又は逆転させるようになっている。

制御装置４１には、Ｙ軸モータ駆動回路４４が接続されて、Ｙ軸モータ駆動回路４４に対応する駆動制御信号を出力するようになっている。Ｙ軸モータ駆動回路４４は、制御装置４１からの駆動制御信号に応答して、キャリッジ２８を往復移動させるＹ軸モータＭＹを正転又は逆転させるようになっている。

制御装置４１には、基板２の端縁を検出可能な基板検出装置４５が接続されて、基板検出装置４５からの検出信号に基づいて、ノズルＮの直下（着弾位置ＰＦ）を通過する基板２の位置を算出するようになっている。

制御装置４１には、Ｘ軸モータ回転検出器４６が接続されて、Ｘ軸モータ回転検出器４６からの検出信号が入力されるようになっている。制御装置４１は、Ｘ軸モータ回転検出器４６からの検出信号に基づいて、基板ステージ２３（フラッシング領域２４）及び基板２（データセルＣ）の移動方向及び移動量を演算するようになっている。

そして、制御装置４１は、フラッシング領域２４の「閉動開始位置Ｐｃ」がノズルＮの直下に位置するタイミングで、吐出ヘッド駆動回路４８及び回動モータ駆動回路５０にフラッシングタイミング信号ＬＰ１を出力するようになっている。また、制御装置４１は、先端セルＣ１の目標吐出位置Ｐが着弾位置ＰＦに位置するタイミングで、吐出ヘッド駆動回路４８、レーザ駆動回路４９及び回動モータ駆動回路５０に、それぞれ吐出タイミング信号ＬＰ２を出力するようになっている。

制御装置４１には、Ｙ軸モータ回転検出器４７が接続されて、Ｙ軸モータ回転検出器４７からの検出信号が入力されるようになっている。制御装置４１は、Ｙ軸モータ回転検出器４７からの検出信号に基づいて、液滴吐出ヘッド３０のＹ矢印方向の移動方向及び移動量を演算するようになっている。そして、制御装置４１は、各ノズルＮに対応する着弾位置ＰＦを、それぞれ目標吐出位置Ｐの搬送経路上に配置するようになっている。

制御装置４１には、吐出ヘッド駆動回路４８が接続されて、フラッシングタイミング信号ＬＰ１と吐出タイミング信号ＬＰ２を出力するようになっている。また、制御装置４１は、圧電素子駆動電圧ＣＯＭ１を所定の基準クロック信号に同期させて、吐出ヘッド駆動回路４８に出力するようになっている。さらにまた、制御装置４１は、フラッシングデータＦＩ及びドットデータＤＩを、それぞれ所定の基準クロック信号に同期させてフラッシング制御信号ＳＩＦ及び吐出制御信号ＳＩＰを生成し、これらフラッシング制御信号ＳＩＦ及び吐出制御信号ＳＩＰを吐出ヘッド駆動回路４８にシリアル転送するようになっている。吐出ヘッド駆動回路４８は、制御装置４１からのフラッシング制御信号ＳＩＦ及び吐出制御信号ＳＩＰを、それぞれ各圧電素子ＰＺに対応させて順次シリアル／パラレル変換するようになっている。

そして、吐出ヘッド駆動回路４８は、制御装置４１からのフラッシングタイミング信号ＬＰ１を受けると、フラッシング制御信号ＳＩＦに基づいて、全ての圧電素子ＰＺに圧電素子駆動電圧ＣＯＭ１を供給するようになっている。また、吐出ヘッド駆動回路４８は、
制御装置４１からの吐出タイミング信号ＬＰ２を受けると、吐出制御信号ＳＩＰに基づいて選択された圧電素子ＰＺに、それぞれ圧電素子駆動電圧ＣＯＭ１を供給するようになっている。

制御装置４１には、レーザ駆動回路４９が接続されて、吐出タイミング信号ＬＰ２を出力するようになっている。また、制御装置４１は、レーザ駆動電圧ＣＯＭ２を所定の基準クロック信号に同期させて、レーザ駆動回路４９に出力するようになっている。さらにまた、制御装置４１は、ドットデータＤＩを所定の基準クロック信号に同期させて照射制御信号ＳＩＬを生成し、その照射制御信号ＳＩＬを、レーザ駆動回路４９にシリアル転送するようになっている。レーザ駆動回路４９は、制御装置４１からの照射制御信号ＳＩＬを各半導体レーザＬＤに対応させてシリアル／パラレル変換するようになっている。

そして、レーザ駆動回路４９は、制御装置４１からの吐出タイミング信号ＬＰ２を受けると、所定の時間（前記照射待機時間Ｔ１）だけ待機して、照射制御信号ＳＩＬに対応した各半導体レーザＬＤに、それぞれレーザ駆動電圧ＣＯＭ２を供給するようになっている。すなわち、制御装置４１は、レーザ駆動回路４９を介して、着弾した液滴Ｆｂが照射位置ＰＴに搬送移動される都度、液滴Ｆｂに対応する照射口３６から、同液滴Ｆｂの領域に向かってレーザ光Ｂを照射するようになっている。

制御装置４１には、回動モータ駆動回路５０が接続されて、回動モータ駆動回路５０にフラッシングタイミング信号ＬＰ１及び吐出タイミング信号ＬＰ２を出力するようになっている。回動モータ駆動回路５０は、制御装置４１からのフラッシングタイミング信号ＬＰ１及び吐出タイミング信号ＬＰ２に応答して、照射口３６を開閉させる回動モータＭＲを正転又は逆転させるようになっている。

そして、回動モータ駆動回路５０は、制御装置４１からのフラッシングタイミング信号ＬＰ１を受けると、回動モータＭＲを正転駆動してキャップ３９（シール面４２ｓ）の閉動を開始し、照射口３６の閉じた状態を保持するようになっている。また、回動モータ駆動回路５０は、制御装置４１からの吐出タイミング信号ＬＰ２を受けると、回動モータＭＲを逆転駆動してキャップ３９（シール面４２ｓ）の開動を開始し、照射口３６を開放するようになっている。

次に、液滴吐出装置２０を使って識別コード１０を形成する方法について説明する。
まず、図２に示すように、基板ステージ２３上に、表面２ａが上側になるように基板２を配置固定する。このとき、フラッシング領域２４の「閉動開始位置Ｐｃ」は、案内部材２５（キャリッジ２８）よりも反Ｘ矢印方向側に配置されて、開閉機構３７（キャップ３９）は、各照射口３６を開放した状態で待機している。

この状態から、入力装置４２を操作して描画データＩａを制御装置４１に入力する。すると、制御装置４１は、描画データＩａに基づくドットデータＤＩを生成して格納し、圧電素子駆動電圧ＣＯＭ１及びレーザ駆動電圧ＣＯＭ２を生成する。圧電素子駆動電圧ＣＯＭ１及びレーザ駆動電圧ＣＯＭ２を生成すると、制御装置４１は、Ｙ軸モータＭＹを駆動制御して、基板２をＸ矢印方向に搬送するときに、各目標吐出位置Ｐがそれぞれ対応する着弾位置ＰＦを通過するように、キャリッジ２８（各ノズルＮ）をセットする。

キャリッジ２８をセットすると、制御装置４１は、Ｘ軸モータＭＸを駆動制御して、基板２のＸ矢印方向への搬送を開始し、基板検出装置４５及びＸ軸モータ回転検出器４６からの検出信号に基づいて、「閉動開始位置Ｐｃ」がノズルＮの直下まで搬送されたか否か判断する。

この間、制御装置４１は、吐出ヘッド駆動回路４８に、圧電素子駆動電圧ＣＯＭ１及びフラッシング制御信号ＳＩＦを出力し、回動モータ駆動回路５０及び吐出ヘッド駆動回路４８の双方に、それぞれフラッシングタイミング信号ＬＰ１を出力するタイミングを待つ。

そして、「閉動開始位置Ｐｃ」がノズルＮの直下に搬送されると、制御装置４１は、回動モータ駆動回路５０及び吐出ヘッド駆動回路４８の双方に、それぞれフラッシングタイミング信号ＬＰ１を出力する。

フラッシングタイミング信号ＬＰ１を回動モータ駆動回路５０に出力すると、制御装置４１は、回動モータ駆動回路５０を介して回動モータＭＲを正転駆動し、キャップ３９を閉動して各照射口３６を閉じる。

フラッシングタイミング信号ＬＰ１を吐出ヘッド駆動回路４８に出力すると、制御装置４１は、吐出ヘッド駆動回路４８を介して、全ての圧電素子ＰＺに圧電素子駆動電圧ＣＯＭ１を供給し、全てのノズルＮから、一斉に液状体Ｆを捨て打ちさせて、フラッシング動作を実行する。

この間、捨て打ちされた液状体Ｆの一部は、ミストＭとなってフラッシング領域２４の近傍を浮遊するが、レーザヘッド３５内の光学系は、開閉機構３７（キャップ３９）の閉動によって外気から遮断されている。これによって、レーザヘッド３５内の光学系をミストＭから保護することができ、ミストＭの付着による光学系の汚染を回避することができる。

フラッシング動作を実行すると、制御装置４１は、基板検出装置４５及びＸ軸モータ回転検出器４６からの検出信号に基づいて、先端セルＣ１の目標吐出位置Ｐが着弾位置ＰＦまで搬送されたか否か判断する。

この間、制御装置４１は、吐出ヘッド駆動回路４８に、圧電素子駆動電圧ＣＯＭ１及び吐出制御信号ＳＩＰを出力し、レーザ駆動回路４９に、レーザ駆動電圧ＣＯＭ２及び照射制御信号ＳＩＬを出力する。

そして、先端セルＣ１の目標吐出位置Ｐが着弾位置ＰＦに搬送されると、制御装置４１は、回動モータ駆動回路５０、吐出ヘッド駆動回路４８及びレーザ駆動回路４９に吐出タイミング信号ＬＰ２を出力する。

吐出タイミング信号ＬＰ２を回動モータ駆動回路５０に出力すると、制御装置４１は、回動モータ駆動回路５０を介して、回動モータＭＲを逆転駆動し、キャップ３９を開動して各照射口３６を開放する。

吐出タイミング信号ＬＰ２を吐出ヘッド駆動回路４８に出力すると、制御装置４１は、吐出ヘッド駆動回路４８を介して、吐出制御信号ＳＩＰに基づいて選択された圧電素子ＰＺに、それぞれ圧電素子駆動電圧ＣＯＭ１を供給し、選択されたノズルＮから、一斉に液滴Ｆｂを吐出させる。吐出された液滴Ｆｂは、対応する着弾位置ＰＦ（目標吐出位置Ｐ）に着弾して、搬送時間の経過とともに濡れ広がる。そして、吐出動作の開始から照射待機時間Ｔ１だけ経過すると、制御装置４１は、先端セルＣ１の液滴Ｆｂの外径がセル幅Ｗになるタイミングで、同液滴Ｆｂを照射位置ＰＴに搬送する。

吐出タイミング信号ＬＰ２をレーザ駆動回路４９に出力すると、制御装置４１は、レーザ駆動回路４９を介して、半導体レーザＬＤを照射待機時間Ｔ１だけ待機させ、その後に
、吐出制御信号ＳＩＰに基づいて選択された半導体レーザＬＤに、それぞれレーザ駆動電圧ＣＯＭ２を供給する。そして、制御装置４１は、選択された半導体レーザＬＤから、一斉にレーザ光Ｂを出射させる。

半導体レーザＬＤから出射されたレーザ光Ｂは、開放された照射口３６を介して、照射位置ＰＴに搬送された液滴Ｆｂの領域、すなわちセル幅Ｗからなる液滴Ｆｂの領域に照射される。レーザ光Ｂの照射された液滴Ｆｂは、分散媒の蒸発と金属微粒子の焼成によって、その外径がセル幅ＷのドットＤとして基板２の表面２ａに固着される。これによって、先端セルＣ１に、セル幅Ｗに整合したドットＤが形成される。

以後、同様に、制御装置４１は、基板２をＸ矢印方向に搬送して、各目標吐出位置Ｐが着弾位置ＰＦに到達する毎に、選択したノズルＮから液滴Ｆｂを吐出し、着弾した液滴Ｆｂがセル幅Ｗになるタイミングで、液滴Ｆｂの領域にレーザ光Ｂを照射する。これによって、コード形成領域Ｓ内に、全てのドットＤを形成する。

次に、上記のように構成した本実施形態の効果を以下に記載する。
（１）上記実施形態によれば、レーザヘッド３５の搭載されたキャリッジ２８に、レーザヘッド３５の各照射口３６を開閉するキャップ３９を有した開閉機構３７を設けた。そして、フラッシング動作を実行しているときに、各照射口３６の閉じた状態を保持するようにした。

従って、フラッシング動作時に発生するミストＭを、レーザ光Ｂの光学系から遮断することができ、光学系に対するミストＭの付着、すなわち光学系の汚染を回避することができる。その結果、レーザ光Ｂの光学特性を維持することができ、液滴ＦｂからなるドットＤの形状制御性を向上することができる。
（２）上記実施形態によれば、閉動開始位置ＰｃがノズルＮの直下に位置するタイミングで、フラッシングタイミング信号ＬＰ１を、回動モータ駆動回路５０と吐出ヘッド駆動回路４８の双方に出力するようにした。そして、ノズルＮの直下にフラッシング領域２４が侵入するタイミングで、キャップ３９を閉動して各照射口３６を閉じるようにした。

従って、フラッシング領域２４に対する吐出ヘッド３０の相対位置に基づいて、照射口３６を開閉することができる。その結果、少なくとも液状体Ｆを捨て打ちしてフラッシング動作を実行するときには、確実に照射口３６の閉じた状態を保持していることができる。そのため、レーザ光Ｂの光学系の汚染を、より確実に回避することができる。
（３）しかも、捨て打ちを開始するタイミングで、キャップ３９を閉動するようにした。従って、フラッシング動作によって発生するミストＭの汚染を、フラッシング動作の開始時から回避することができ、レーザ光Ｂの光学特性を、より長期間にわたって維持することができる。
（４）上記実施形態によれば、先端セルＣ１の目標吐出位置Ｐが着弾位置ＰＦに位置するタイミングで、吐出タイミング信号ＬＰ２を、回動モータ駆動回路５０と吐出ヘッド駆動回路４８に出力するようにした。そして、照射口３６からのレーザ光Ｂを照射するときに、照射口３６を開放しているようにした。

従って、液滴Ｆｂの乾燥・焼成を開始する直前まで、光学系を外気から遮断することができる。その結果、照射口３６の閉じた状態を保持し続ける分だけ、レーザ光Ｂの光学系の汚染を、さらに回避することができる。
（第２実施形態）
次に、本発明を具体化した第２実施形態を、図８に従って説明する。尚、第２実施形態では、第１実施形態における電気的構成を変更した構成である。そのため以下では、電気的構成の変更点ついて詳細に説明する。

図８に示すように、制御装置４１のＲＯＭには、ヘッド制御データＨＣＩが格納されている。ヘッド制御データＨＩは、第１実施形態のフラッシングデータＦＩのヘッダーとフッターに、それぞれ回動モータＭＲの正転駆動を規定するビット（閉動データＣＩ）と回動モータＭＲの逆転駆動を規定するビット（開動データＯＩ）を付加したデータである。

制御装置４１には、ヘッド制御部５１が接続されて、ヘッド制御部５１に前記フラッシングタイミング信号ＬＰ１、吐出タイミング信号ＬＰ２、圧電素子駆動電圧ＣＯＭ１及びレーザ駆動電圧ＣＯＭ２を出力するようになっている。

また、制御装置４１は、前記ヘッド制御データＨＣＩのフッターにドットデータＤＩを付加したデータを所定の基準クロック信号に同期させてヘッド制御信号ＳＩを生成し、そのヘッド制御信号ＳＩをヘッド制御部５１にシリアル転送するようになっている。

ヘッド制御部５１には、吐出ヘッド駆動回路５２、回動モータ駆動回路５３及びレーザ駆動回路５４が備えられている。
吐出ヘッド駆動回路５２は、制御装置４１からの前記閉動データＣＩ及び前記開動データＯＩに対応するヘッド制御信号ＳＩに応答して、それぞれ閉動制御信号ＳＣ及び開動制御信号ＳＯを生成し、回動モータ駆動回路５０に、それぞれ閉動制御信号ＳＣ及び開動制御信号ＳＯを出力するようになっている。そして、吐出ヘッド駆動回路５２は、制御装置４１からのフラッシングタイミング信号ＬＰ１を受けると、前記閉動データＣＩに対応する閉動制御信号ＳＣを回動モータ駆動回路５３に出力するようになっている。また、吐出ヘッド駆動回路５２は、吐出タイミング信号ＬＰ２を受けると、開動データＯＩに対応する開動制御信号ＳＯを回動モータ駆動回路５３に出力するようになっている。

また、吐出ヘッド駆動回路５２は、制御装置４１からの前記フラッシングデータＦＩに対応するヘッド制御信号ＳＩを、各圧電素子ＰＺに対応させて順次シリアル／パラレル変換するようになっている。そして、吐出ヘッド駆動回路５２は、制御装置４１からのフラッシングタイミング信号ＬＰ１を受けると、前記フラッシングデータＦＩに対応するヘッド制御信号ＳＩに基づいて、全ての圧電素子ＰＺに圧電素子駆動電圧ＣＯＭ１を供給するようになっている。

また、吐出ヘッド駆動回路５２は、制御装置４１からの前記ドットデータＤＩに対応するヘッド制御信号ＳＩを、各圧電素子ＰＺに対応させて順次シリアル／パラレル変換するようになっている。そして、吐出ヘッド駆動回路５２は、制御装置４１からの吐出タイミング信号ＬＰ２を受けると、前記ドットデータＤＩに対応するヘッド制御信号ＳＩに基づいて、選択された圧電素子ＰＺに圧電素子駆動電圧ＣＯＭ１を供給するようになっている。また、吐出ヘッド駆動回路５２は、シリアル／パラレル変換したヘッド制御信号ＳＩをレーザ駆動回路５４に出力するようになっている。

回動モータ駆動回路５３は、吐出ヘッド駆動回路５２からの閉動制御信号ＳＣ及び開動制御信号ＳＯに応答して、それぞれ回動モータＭＲを正転及び逆転させるようになっている。そして、回動モータ駆動回路５３は、吐出ヘッド駆動回路５２から閉動制御信号ＳＣを受けると、回動モータＭＲを正転駆動してキャップ３９（シール面４２ｓ）の閉動を開始し、照射口３６の閉じた状態を保持するようになっている。また、回動モータ駆動回路５３は、吐出ヘッド駆動回路５２からの開動制御信号ＳＯを受けると、回動モータＭＲを逆転駆動してキャップ３９（シール面４２ｓ）の開動を開始し、照射口３６を開放するようになっている。

レーザ駆動回路５４は、吐出ヘッド駆動回路５２からのシリアル／パラレル変換された
ヘッド制御信号ＳＩを受けて、前記照射待機時間Ｔ１だけ待機し、ヘッド制御信号ＳＩ（ドットデータＤＩ）に対応した各半導体レーザＬＤに、それぞれレーザ駆動電圧ＣＯＭ２を供給するようになっている。

今、キャリッジ２８をセットして基板２のＸ矢印方向への搬送を開始すると、制御装置４１は、ヘッド制御部５１に、圧電素子駆動電圧ＣＯＭ１、レーザ駆動電圧ＣＯＭ２及びヘッド制御信号ＳＩを出力し、フラッシングタイミング信号ＬＰ１を出力するタイミングを待つ。

そして、フラッシング領域２４の「閉動開始位置Ｐｃ」がノズルＮの直下に搬送されると、制御装置４１は、ヘッド制御部５１に、フラッシングタイミング信号ＬＰ１を出力する。

制御装置４１からのフラッシングタイミング信号ＬＰ１を受けると、ヘッド制御部５１は、吐出ヘッド駆動回路５２を介して、ヘッド制御信号ＳＩ（閉動データＣＩ）に基づく閉動制御信号ＳＣを生成し、その閉動制御信号ＳＣを回動モータ駆動回路５３に出力する。そして、ヘッド制御部５１は、回動モータ駆動回路５３を介して回動モータＭＲを正転駆動し、キャップ３９を閉動して各照射口３６を閉じる。

また、ヘッド制御部５１は、吐出ヘッド駆動回路５２を介して、ヘッド制御信号ＳＩ（フラッシングデータＦＩ）に基づく全ての圧電素子ＰＺに圧電素子駆動電圧ＣＯＭ１を供給する。そして、ヘッド制御部５１は、全てのノズルＮから、一斉に液状体Ｆを捨て打ちさせて、フラッシング動作を実行する。

この間、捨て打ちされた液状体Ｆの一部は、ミストＭとなってフラッシング領域２４の近傍を浮遊するが、レーザヘッド３５内の光学系は、キャップ３９によって外気から遮断されている。これによって、レーザヘッド３５内の光学系をミストＭから保護することができ、ミストＭの付着による光学系の汚染を回避することができる。

フラッシング動作を実行すると、制御装置４１は、基板検出装置４５及びＸ軸モータ回転検出器４６からの検出信号に基づいて、先端セルＣ１の目標吐出位置Ｐが着弾位置ＰＦまで搬送されたか否か判断する。

そして、先端セルＣ１の目標吐出位置Ｐが着弾位置ＰＦに搬送されると、制御装置４１は、ヘッド制御部５１に吐出タイミング信号ＬＰ２を出力する。
制御装置４１からの吐出タイミング信号ＬＰ２を受けると、ヘッド制御部５１は、吐出ヘッド駆動回路５２を介して、ヘッド制御信号ＳＩ（開動データＯＩ）に基づく開動制御信号ＳＯを生成し、その開動制御信号ＳＯを回動モータ駆動回路５３に出力する。そして、ヘッド制御部５１は、回動モータ駆動回路５０を介して回動モータＭＲを逆転駆動し、キャップ３９を開動して各照射口３６を開放する。

また、ヘッド制御部５１は、吐出ヘッド駆動回路５２を介して、ヘッド制御信号ＳＩ（ドットデータＤＩ）に基づく選択された圧電素子ＰＺに圧電素子駆動電圧ＣＯＭ１を供給する。そして、ヘッド制御部５１は、選択したノズルＮから、一斉に液滴Ｆｂを吐出させる。吐出された液滴Ｆｂは、対応する着弾位置ＰＦ（目標吐出位置Ｐ）に着弾して、搬送時間の経過とともに濡れ広がる。そして、吐出動作の開始から照射待機時間Ｔ１だけ経過すると、制御装置４１は、先端セルＣ１の液滴Ｆｂの外径がセル幅Ｗになるタイミングで、同液滴Ｆｂを照射位置ＰＴに搬送する。

さらに、ヘッド制御部５１は、吐出ヘッド駆動回路５２を介して、シリアル／パラレル
変換したヘッド制御信号ＳＩ（ドットデータＤＩ）をレーザ駆動回路５４に出力する。そして、ヘッド制御部５１は、レーザ駆動回路５４を介してヘッド制御信号ＳＩ（ドットデータＤＩ）に基づいて選択された半導体レーザＬＤに、それぞれレーザ駆動電圧ＣＯＭ２を供給し、選択された半導体レーザＬＤから、一斉にレーザ光Ｂを出射させる。

半導体レーザＬＤから出射されたレーザ光Ｂは、開放された照射口３６を介して、照射位置ＰＴに位置する液滴Ｆｂの領域、すなわちセル幅Ｗからなる液滴Ｆｂの領域に照射される。レーザ光Ｂの照射された液滴Ｆｂは、分散媒の蒸発と金属微粒子の焼成によって、その外径がセル幅ＷのドットＤとして基板２の表面２ａに固着される。これによって、先端セルＣ１に、セル幅Ｗに整合したドットＤが形成される。

以後、同様に、制御装置４１は、基板２をＸ矢印方向に搬送して、各目標吐出位置Ｐが着弾位置ＰＦに到達する毎に、選択したノズルＮから液滴Ｆｂを吐出し、着弾した液滴Ｆｂがセル幅Ｗになるタイミングで、液滴Ｆｂの領域にレーザ光Ｂを照射する。これによって、コード形成領域Ｓ内に、全てのドットＤを形成する。

上記する第２実施形態においても、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
なお、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
・上記実施形態では、フラッシング領域２４を、基板２のＸ矢印方向にのみ形成する構成にした。これに限らず、例えば基板２の反Ｘ矢印方向や、Ｘ矢印方向と反Ｘ矢印方向の双方に形成する構成にしてもよく、フラッシング領域２４は、パターンを形成するための液滴Ｆｂを吐出する前に、液状体Ｆを捨て打ち可能な位置に形成される構成であればよい。・上記実施形態では、捨て打ち領域を基板ステージ２３に設けたフラッシング領域２４に具体化した。これに限らず、例えばパターンを形成する領域（本実施形態ではコード形成領域Ｓ）以外の基板２の領域に、捨て打ち領域を形成する構成にしてもよく、捨て打ち領域は、パターンを形成する領域以外で、捨て打ちした液状体Ｆを受容可能な領域であればよい。
・上記実施形態では、閉動開始位置ＰｃがノズルＮの直下に位置するタイミングで照射口３６を閉じるようにした。これに限らず、例えば閉動開始位置ＰｃがノズルＮの直下に位置する前に、回動モータ駆動回路５０あるいはヘッド制御部５１に対して、キャップ３９を閉動するための駆動制御信号を出力する構成にしてもよい。

つまり、捨て打ち動作を開始する前に、照射口３６を先行して閉じる構成にしてもよい。これによれば、捨て打ち動作によって発生するミストＭを、フラッシング動作の開始前から確実に遮断することができ、光学系の汚染を、さらに回避することができる。
・上記実施形態では、先端セルＣ１の目標吐出位置Ｐが着弾位置ＰＦに位置するタイミングで照射口３６を開放するようにした。これに限らず、例えば先端セルＣ１の目標吐出位置Ｐが照射位置ＰＴに位置する直前に、回動モータ駆動回路５０あるいはヘッド制御部５１に、キャップ３９を開動するための駆動制御信号を出力する構成にしてもよい。

つまり、レーザ光の照射を開始する直前に、照射口３６を開放する構成にしてもよい。これによれば、より長時間にわたって照射口３６の閉じた状態を保持することができ、光学系の汚染を、さらに回避することができる。
・上記第１実施形態では、閉動開始位置ＰｃがノズルＮの直下に位置するタイミングで照射口３６を閉じ、先端セルＣ１の目標吐出位置Ｐが着弾位置ＰＦに位置するタイミングで照射口３６を開放するようにした。

これに限らず、例えば先行する基板２の末端セルＣ１６が照射位置ＰＴを通過したタイミングで、キャップ３９を閉動するための駆動制御信号を制御装置４１から回動モータ駆動回路５０に出力し、照射口３６を閉じる構成にしてもよい。そして、後続する基板２の
先端セルＣ１の目標吐出位置Ｐが照射位置ＰＴに位置する直前に、キャップ３９を開動するための駆動制御信号を制御装置４１から回動モータ駆動回路５０に出力し、照射口３６を開放する構成にしてもよい。

つまり、液滴Ｆｂの領域にレーザ光Ｂを照射する間だけ、照射口３６を開放する構成にしてもよい。これによれば、照射口３６の閉じた状態を最も長く保持することができ、光学系の汚染を、より確実に回避することができる。
・上記第２実施形態では、フラッシングデータＦＩのヘッダーとフッターに、それぞれ閉動データＣＩと開動データＯＩを付加する構成にした。これに限らず、例えばドットデータＤＩのヘッダーとフッターに、それぞれ開動データＯＩと閉動データＣＩを付加するようにしてもよい。

つまり、液滴Ｆｂの領域にレーザ光Ｂを照射する間だけ、照射口３６を開放する構成にしてもよい。これによれば、照射口３６の閉じた状態を最も長く保持することができ、光学系の汚染を、より確実に回避することができる。
・上記実施形態では、フラッシング動作とドットＤの形成動作を、同じ圧電素子駆動電圧ＣＯＭ１に基づいて実行する構成にした。これに限らず、例えばフラッシング動作とドットＤの形成動作で異なる圧電素子駆動電圧を供給し、フラッシング動作では、高い吐出力を有した圧電素子駆動電圧を供給する構成にしてもよい。これによれば、増粘した液状体Ｆを、フラッシング動作によって、より確実に捨て打ちすることができる。
・上記実施形態では、液滴Ｆｂの領域に照射するレーザ光Ｂによって、液滴Ｆｂを乾燥・焼成する構成にした。これに限らず、例えば照射するレーザ光Ｂのエネルギーによって、液滴Ｆｂを所望の方向に流動させる構成にしてもよく、あるいは液滴Ｆｂの外縁のみに照射して液滴Ｆｂをピニングする構成にしてもよい。すなわち、液滴Ｆｂの領域に照射するレーザ光Ｂによってパターンを形成する構成であればよい。
・上記実施形態では、レーザ光源を半導体レーザＬＤで具体化したが、これに限らず、例えば炭酸ガスレーザやＹＡＧレーザであってもよく、着弾した液滴Ｆｂを乾燥可能な波長のレーザ光Ｂを出力するレーザであればよい。
・上記実施形態では、液滴Ｆｂによって半円球状のドットＤを形成する構成にしたが、これに限らず、例えば、楕円形状のドットや線状のパターンを形成する構成であってもよい。
・上記実施形態では、パターンを識別コード１０のドットＤに具体化した。これに限らず、例えば液晶表示装置１や、平面状の電子放出素子を備えて同素子から放出された電子による蛍光物質の発光を利用した電界効果型装置（ＦＥＤやＳＥＤ等）の絶縁膜や金属配線等、各種パターンに具体化してもよく、着弾した液滴Ｆｂをレーザ光Ｂで乾燥するパターンであればよい。
・上記実施形態では、対象物を液晶表示装置１の基板２に具体化したが、これに限らず、例えばシリコン基板やフレキシブル基板、あるいは金属基板等であってもよく、着弾した液滴Ｆｂによってパターンを形成する対象物であればよい。

本実施形態を具体化した液晶表示装置を示す平面図。 同じく、液滴吐出装置を示す概略斜視図。 第１実施形態の吐出ヘッド及びレーザヘッドを示す概略斜視図。 同じく、吐出ヘッド及びレーザヘッドを説明する説明図。 同じく、吐出ヘッド及びレーザヘッドを説明する説明図。 同じく、吐出ヘッド及びレーザヘッドを説明する説明図。 同じく、液滴吐出装置の電気的構成を示す電気ブロック回路図。 第２実施形態の液滴吐出装置の電気的構成を示す電気ブロック回路図。

符号の説明

２…対象物としての基板、２０…液滴吐出装置、２４…捨て打ち領域としてのフラッシング領域、３０…液滴吐出ヘッド、３５…レーザ照射手段を構成するレーザヘッド、３６…照射口、３７…開閉機構、４１…開閉制御手段を構成する制御装置、Ｂ…レーザ光、Ｄ…パターンとしてのドット、Ｆｂ…液滴。

Claims (7)

1. パターン形成材料を含む液滴を液滴吐出ヘッドから対象物に向かって吐出し、前記対象物に着弾した前記液滴の領域に照射口からのレーザ光を照射してパターンを形成するようにしたパターン形成方法において、
   前記液滴吐出ヘッドが捨て打ち領域に前記液滴を捨て打ちしているときに、前記照射口の閉じた状態を保持するようにしたことを特徴とするパターン形成方法。
2. 請求項１に記載のパターン形成方法において、
   前記対象物に着弾した前記液滴の領域に前記照射口からの前記レーザ光を照射する前に、前記照射口を開けるようにしたことを特徴とするパターン形成方法。
3. 請求項２に記載のパターン形成方法において、
   前記対象物に着弾した前記液滴の領域に前記照射口からの前記レーザ光を照射した後に、前記照射口の閉じた状態を保持するようにしたことを特徴とするパターン形成方法。
4. 捨て打ち領域に液滴を捨て打ちして、対象物に液滴を吐出する液滴吐出ヘッドと、前記対象物に着弾した前記液滴の領域に照射口からレーザ光を照射するレーザ照射手段と、を備えた液滴吐出装置において、
   前記レーザ照射手段は、
   前記照射口を開閉する開閉機構と、
   前記液滴吐出ヘッドが前記液滴を捨て打ちしているときに、前記照射口の閉じた状態を保持する開閉制御手段と、
   を備えたことを特徴とする液滴吐出装置。
5. 捨て打ち領域に液滴を捨て打ちして、対象物に液滴を吐出する液滴吐出ヘッドと、前記対象物に着弾した前記液滴の領域に照射口からレーザ光を照射するレーザ照射手段と、を備えた液滴吐出装置において、
   前記レーザ照射手段は、
   前記照射口を開閉する開閉機構と、
   前記液滴吐出ヘッドが前記捨て打ち領域上に位置するときに、前記照射口の閉じた状態を保持する開閉制御手段と、
   を備えたことを特徴とする液滴吐出装置。
6. 請求項４又は５に記載の液滴吐出装置において、
   前記開閉制御手段は、前記対象物に着弾した前記液滴の領域に前記照射口からの前記レーザ光を照射する前に、前記照射口を開けることを特徴とする液滴吐出装置。
7. 請求項６に記載の液滴吐出装置において、
   前記開閉制御手段は、前記対象物に着弾した前記液滴の領域に前記照射口からの前記レーザ光を照射した後に、前記照射口の閉じた状態を保持することを特徴とする液滴吐出装置。

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