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JP2007096216A - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents

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JP2007096216A
JP2007096216A JP2005286749A JP2005286749A JP2007096216A JP 2007096216 A JP2007096216 A JP 2007096216A JP 2005286749 A JP2005286749 A JP 2005286749A JP 2005286749 A JP2005286749 A JP 2005286749A JP 2007096216 A JP2007096216 A JP 2007096216A
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JP
Japan
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semiconductor integrated
integrated circuit
circuit device
pads
pad
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Application number
JP2005286749A
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Japanese (ja)
Inventor
Akio Hara
章雄 原
Noriaki Saito
則章 齋藤
Yasushi Ebihara
康 蛯原
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Abstract

【課題】 従来の半導体集積回路装置は、コア領域の一辺に対して最大数のI/Oユニットを配置するようにしていたため、例えば、配置すべきI/Oの数が少ない場合には、I/O領域に無駄な空きが生じて占有面積が増大することになっていた。
【解決手段】 コア領域11に接続された複数の第1のパッド23および複数の第2のパッド24を備える半導体集積回路装置1aであって、前記コア領域11の少なくとも一辺に設けられる前記各第1のパッド23および前記各第2のパッド24を、それぞれ当該一辺の長さ方向に並べて配置するように構成する。
【選択図】 図2
A conventional semiconductor integrated circuit device has a maximum number of I / O units arranged on one side of a core region. For example, when the number of I / Os to be arranged is small, I An unnecessary space is generated in the / O area and the occupied area is increased.
A semiconductor integrated circuit device (1a) including a plurality of first pads (23) and a plurality of second pads (24) connected to a core region (11), wherein each of the first pads provided on at least one side of the core region (11). One pad 23 and each second pad 24 are arranged side by side in the length direction of the one side.
[Selection] Figure 2

Description

本発明は、半導体集積回路装置に関し、特に、ワイヤボンディング用パッドおよびウエハ試験用パッドを有する半導体集積回路装置に関する。   The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device, and more particularly to a semiconductor integrated circuit device having a wire bonding pad and a wafer test pad.

近年、半導体集積回路装置の高集積化および高機能化に伴って、I/O(Input/Output)の数が増加し、チップの占有面積がI/Oの構成によって決定される場合も多くなって来ている。   In recent years, with the higher integration and higher functionality of semiconductor integrated circuit devices, the number of I / O (Input / Output) has increased, and the occupied area of the chip is often determined by the configuration of the I / O. Is coming.

そのため、I/Oの数が多くてもチップの占有面積が小さくなるように、幅の狭いI/Oが標準ライブラリとして作成されている。また、この標準ライブラリに提供されるパッドには、ダイシングされたICチップとパッケージの入出力ピンとの接続を行うためのワイヤボンディング用パッド(WBP:Wire Bonding Pad)、および、ウエハ上に形成されたICチップにプローブピンを接触させて試験を行うためのウエハ試験用パッド(PP:Probing Pad)が含まれる。   Therefore, a narrow I / O is created as a standard library so that the occupied area of the chip is reduced even if the number of I / Os is large. In addition, the pads provided in the standard library are formed on a wafer bonding pad (WBP: Wire Bonding Pad) for connecting the diced IC chip and the input / output pins of the package, and on the wafer. A wafer test pad (PP: Probing Pad) for performing a test by bringing a probe pin into contact with the IC chip is included.

図1は従来の半導体集積回路装置の一例の要部を模式的に示す図である。図1において、参照符号1は半導体集積回路装置(ICチップ)、2はI/Oユニット(I/O)、11はコア領域、そして、12はI/O領域を示している。   FIG. 1 is a diagram schematically showing a main part of an example of a conventional semiconductor integrated circuit device. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a semiconductor integrated circuit device (IC chip), 2 denotes an I / O unit (I / O), 11 denotes a core area, and 12 denotes an I / O area.

図1に示されるように、I/O領域12には、例えば、入力バッファや出力バッファ或いは入出力バッファ等を含むI/O回路部21、コア領域11に形成された回路(コア回路)を静電気から保護するESD保護素子部22、ICチップ1とICパッケージ(図示しない)の入出力ピンとの接続を行うワイヤボンディング用パッド23、および、ウエハ上に形成されたICチップ1に対してプローバのピンを接触させて試験を行うウエハ試験用パッド24が設けられている。   As shown in FIG. 1, the I / O area 12 includes, for example, an I / O circuit unit 21 including an input buffer, an output buffer, an input / output buffer, and the like, and a circuit (core circuit) formed in the core area 11. An ESD protection element portion 22 for protecting against static electricity, a wire bonding pad 23 for connecting the IC chip 1 to an input / output pin of an IC package (not shown), and a prober for the IC chip 1 formed on the wafer. A wafer test pad 24 for testing by bringing pins into contact is provided.

ここで、従来のICチップ1のI/O領域12において、ICチップ1の占有面積を小さく保ちつつ多数のI/Oを配設置可能とするために、例えば、I/O回路部21,ESD保護素子部22,ワイヤボンディング用パッド23およびウエハ試験用パッド24をコア回路領域11から外側方向(高さ方向)へ順次配置した幅の狭いI/Oユニット2を、コア領域11に形成される回路の各配線に対して設けるようになっている。   Here, in the I / O region 12 of the conventional IC chip 1, for example, an I / O circuit unit 21, ESD is provided in order to allow a large number of I / Os to be installed while keeping the occupied area of the IC chip 1 small. A narrow I / O unit 2 is formed in the core region 11, in which the protection element portion 22, the wire bonding pad 23 and the wafer test pad 24 are sequentially arranged from the core circuit region 11 in the outer direction (height direction). It is provided for each wiring of the circuit.

すなわち、従来のICチップ1は、例えば、コア領域11の一辺に対して最大数のI/Oユニット2を配置するために、1つのI/Oを構成するI/O回路部21,ESD保護素子部22,ワイヤボンディング用パッド23およびウエハ試験用パッド24を高さ方向に積み上げて幅が狭くなるように配置している。   That is, the conventional IC chip 1 has, for example, an I / O circuit unit 21 that constitutes one I / O, ESD protection in order to arrange the maximum number of I / O units 2 on one side of the core region 11. The element part 22, the wire bonding pad 23 and the wafer test pad 24 are stacked in the height direction so as to be narrowed.

なお、図1(他の図も同様)において、コア領域11には、各ICチップ1の機能を実現する回路、例えば、RAMやROM或いはフラッシュEEPROM等のメモリ回路、または、MPUやDSP等の演算回路、或いは、他の様々な論理回路等(図示しない)が形成されている。また、コア領域11の回路,I/O回路部21,ESD保護素子部22,ワイヤボンディング用パッド23およびウエハ試験用パッド24間の配線は省略されているが、実際にはそれぞれを繋ぐ配線がなされているのはいうまでもない。   In FIG. 1 (the same applies to other figures), the core area 11 includes a circuit that realizes the function of each IC chip 1, such as a memory circuit such as a RAM, a ROM, or a flash EEPROM, or an MPU, a DSP, or the like. An arithmetic circuit or other various logic circuits (not shown) are formed. In addition, wiring between the circuit in the core region 11, the I / O circuit unit 21, the ESD protection element unit 22, the wire bonding pad 23, and the wafer test pad 24 is omitted. Needless to say, this is done.

さらに、本明細書において、I/O領域12には、I/O回路部21,ESD保護素子部22,ワイヤボンディング用パッド23およびウエハ試験用パッド24が設けられる場合を一例として説明しているが、例えば、パッドはワイヤボンディング用およびウエハ試験用のものに限定されるものではなく、また、I/Oユニットとして他の機能を実現する部分が設けられたICチップであってもよいのはもちろんである。   Further, in this specification, the case where the I / O region 12 is provided with an I / O circuit portion 21, an ESD protection element portion 22, a wire bonding pad 23, and a wafer test pad 24 is described as an example. However, for example, the pads are not limited to those for wire bonding and wafer testing, and may be an IC chip provided with a part for realizing other functions as an I / O unit. Of course.

ところで、従来、DA(Design Automation)処理によりレイアウト構成したマスタースライス方式の半導体集積回路として、半導体基板上の少なくとも一辺に入力バッファ回路と入出力バッファ回路もしくは出力バッファ回路からなるセルを繰り返し規則的に配置したものも提案されている(例えば、特許文献1参照)。   Conventionally, as a master slice type semiconductor integrated circuit laid out by DA (Design Automation) processing, a cell consisting of an input buffer circuit and an input / output buffer circuit or an output buffer circuit is repeatedly and regularly arranged on at least one side of the semiconductor substrate. An arrangement is also proposed (for example, see Patent Document 1).

特開昭60−059766号公報JP 60-059766 A

上述したように、従来のICチップ(半導体集積回路装置)1は、占有面積を小さく保ちつつ多数のI/Oを配置可能とするために、幅の狭いI/Oユニット2を設けるようになっている。   As described above, the conventional IC chip (semiconductor integrated circuit device) 1 is provided with the narrow I / O unit 2 so that a large number of I / Os can be arranged while keeping the occupied area small. ing.

しかしながら、図1に示されるように、個々のICチップ1において、例えば、コア領域11の或る辺のサイズ(コア領域11の任意の一辺の長さ)に対して配置すべきI/Oの数(必要とされるワイヤボンディング用パッド23およびウエハ試験用パッド24の数)が少ない場合も存在し、このようなときには、各I/Oユニット2の間隔を広く設定することが行われている。しかしながら、各I/Oユニット2の間隔を広く設定すると、I/O領域12に無駄な空きが生じ、結果的にICチップ1の占有面積が増大することになっていた。   However, as shown in FIG. 1, in each IC chip 1, for example, the I / O to be arranged with respect to the size of a certain side of the core region 11 (the length of any one side of the core region 11). There are cases where the number (required number of wire bonding pads 23 and wafer test pads 24) is small, and in such a case, the interval between the I / O units 2 is set wide. . However, if the interval between the I / O units 2 is set wide, useless empty space is generated in the I / O region 12, and as a result, the occupied area of the IC chip 1 is increased.

本発明は、I/O領域の無駄な空きを極力小さくして占有面積の小さい半導体集積回路装置の提供を目的とする。   An object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit device having a small occupied area by minimizing a wasteful I / O area.

本発明によれば、コア領域に接続された複数の第1のパッドおよび複数の第2のパッドを備える半導体集積回路装置であって、前記コア領域の少なくとも一辺に設けられる前記各第1のパッドおよび前記各第2のパッドを、それぞれ当該一辺の長さ方向に並べて配置したことを特徴とする半導体集積回路装置が提供される。   According to the present invention, there is provided a semiconductor integrated circuit device including a plurality of first pads and a plurality of second pads connected to the core region, wherein each of the first pads provided on at least one side of the core region. In addition, a semiconductor integrated circuit device is provided in which the second pads are arranged in the length direction of the one side.

本発明によれば、I/O領域の無駄な空きを極力小さくして占有面積の小さい半導体集積回路装置を提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide a semiconductor integrated circuit device having a small occupation area by minimizing a wasteful I / O region.

以下、本発明に係る半導体集積回路装置の実施例を、添付図面を参照して詳述する。
本発明に係る半導体集積回路装置は、例えば、I/Oユニットにおけるワイヤボンディング用パッド,ウエハ試験用パッド,I/O回路部およびESD保護素子部をそれぞれパーツ化して自由に組み合わせることにより、無駄な空き領域を極力小さくしてチップのサイズを縮小するものである。
Hereinafter, embodiments of a semiconductor integrated circuit device according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
The semiconductor integrated circuit device according to the present invention is useless, for example, by freely combining the parts for wire bonding, wafer test pad, I / O circuit and ESD protection element in the I / O unit. The free space is made as small as possible to reduce the chip size.

図2は本発明に係る半導体集積回路装置の第1実施例の要部を模式的に示す図である。図2において、参照符号1aは半導体集積回路装置(ICチップ)、2aはI/Oユニット、11はコア領域、そして、12はI/O領域を示している。   FIG. 2 is a diagram schematically showing the main part of the first embodiment of the semiconductor integrated circuit device according to the present invention. In FIG. 2, reference numeral 1a denotes a semiconductor integrated circuit device (IC chip), 2a denotes an I / O unit, 11 denotes a core area, and 12 denotes an I / O area.

図2に示されるように、I/O領域12には、例えば、入力バッファや出力バッファ或いは入出力バッファを含むI/O回路部21、コア領域11に形成された回路(コア回路)を静電気から保護するESD保護素子部22、ICチップ1aとICパッケージ(図示しない)の入出力ピンとの接続を行うワイヤボンディング用パッド23、および、ウエハ上に形成されたICチップ1aに対してプローバを接触させて試験を行うウエハ試験用パッド24が設けられている。   As shown in FIG. 2, the I / O area 12 includes, for example, an I / O circuit unit 21 including an input buffer, an output buffer, or an input / output buffer, and a circuit (core circuit) formed in the core area 11. A prober is brought into contact with the ESD protection element portion 22 that protects from the IC, the wire bonding pad 23 that connects the IC chip 1a to the input / output pins of the IC package (not shown), and the IC chip 1a formed on the wafer. A wafer test pad 24 for performing a test is provided.

ここで、図2と図1との比較から明らかなように、本第1実施例のICチップ1aにおけるI/Oユニット2aは、従来例のI/Oユニット2のように、I/O回路部21,ESD保護素子部22,ワイヤボンディング用パッド23およびウエハ試験用パッド24を単に高さ方向(コア回路領域11から外側方向)に積み上げるのではなく、コア領域11の一辺に設けられたI/O回路部21およびESD保護素子部22を、その一辺の長さ方向(横方向)に並べて配置すると共に、これらI/O回路部21およびESD保護素子部22の上方にワイヤボンディング用パッド23およびウエハ試験用パッド24を横方向に並べて配置するようになっている。   Here, as is clear from the comparison between FIG. 2 and FIG. 1, the I / O unit 2a in the IC chip 1a of the first embodiment is an I / O circuit like the conventional I / O unit 2. The part 21, the ESD protection element part 22, the wire bonding pad 23, and the wafer test pad 24 are not simply stacked in the height direction (outward from the core circuit area 11), but are provided on one side of the core area 11. The / O circuit portion 21 and the ESD protection element portion 22 are arranged side by side in the length direction (lateral direction) of one side, and the wire bonding pad 23 is disposed above the I / O circuit portion 21 and the ESD protection element portion 22. The wafer test pads 24 are arranged side by side in the horizontal direction.

すなわち、例えば、コア領域11の或る辺のサイズに対して配置すべきI/Oの数(必要とされるワイヤボンディング用パッド23およびウエハ試験用パッド24の数)が少ない場合、従来のICチップ1におけるI/O領域12の無駄な空きを埋めるように本実施例のI/Oユニット2aを配置することで、I/Oユニット2a(I/O領域12)の高さを低くしてICチップ1aの占有面積を縮小することができる。   That is, for example, when the number of I / Os to be arranged with respect to the size of a certain side of the core region 11 (the number of wire bonding pads 23 and wafer test pads 24 required) is small, the conventional IC By disposing the I / O unit 2a of this embodiment so as to fill a useless space in the I / O area 12 of the chip 1, the height of the I / O unit 2a (I / O area 12) is reduced. The area occupied by the IC chip 1a can be reduced.

なお、横方向に並べるワイヤボンディング用パッド23およびウエハ試験用パッド24は交互に配置されており、ダイシングされたICチップ1とパッケージの入出力ピンとの接続を行うためのワイヤボンディング処理、並びに、ウエハ試験時のプローブピンをウエハ試験用パッド24に接触させる処理において、隣接するパッドの間隙を広くして処理を容易に行えるようになされている。   Note that the wire bonding pads 23 and the wafer test pads 24 arranged in the horizontal direction are alternately arranged, and wire bonding processing for connecting the diced IC chip 1 and the input / output pins of the package, and the wafer In the process of bringing the probe pins into contact with the wafer test pad 24 during the test, the gap between adjacent pads is widened to facilitate the process.

図3は本発明に係る半導体集積回路装置の第2実施例の要部を模式的に示す図である。
図3と図2との比較から明らかなように、本第2実施例のICチップ1bのI/Oユニット2bは、上述した第1実施例のICチップ1aのI/Oユニット2aにおいて、ワイヤボンディング用パッド23およびウエハ試験用パッド24のみを横方向に並べて配置し、I/O回路部21およびESD保護素子部22は、図1を参照して説明した従来のICチップ1のI/Oユニット2と同様に(I/O回路部21およびESD保護素子部22の各サイズが大きい方の辺が積み重なるようにして)、高さ方向に積み上げるようになっている。
FIG. 3 is a diagram schematically showing a main part of a second embodiment of the semiconductor integrated circuit device according to the present invention.
As apparent from the comparison between FIG. 3 and FIG. 2, the I / O unit 2b of the IC chip 1b of the second embodiment is the same as the I / O unit 2a of the IC chip 1a of the first embodiment described above. Only the bonding pads 23 and the wafer test pads 24 are arranged side by side in the horizontal direction, and the I / O circuit unit 21 and the ESD protection element unit 22 are the I / Os of the conventional IC chip 1 described with reference to FIG. Similar to the unit 2 (the larger sides of the I / O circuit portion 21 and the ESD protection element portion 22 are stacked), they are stacked in the height direction.

図4は本発明に係る半導体集積回路装置の第3実施例の要部を模式的に示す図である。
図4と図3との比較から明らかなように、本第3実施例のICチップ1cのI/Oユニット2cは、上記の第2実施例のICチップ1aのI/Oユニット2aにおいて、I/O回路部21およびESD保護素子部22を、I/O回路部21およびESD保護素子部22の各サイズが小さい方の辺が積み重なるようにして、高さ方向に積み上げられている。
FIG. 4 is a diagram schematically showing a main part of a third embodiment of the semiconductor integrated circuit device according to the present invention.
As apparent from the comparison between FIG. 4 and FIG. 3, the I / O unit 2c of the IC chip 1c of the third embodiment is the same as the I / O unit 2a of the IC chip 1a of the second embodiment described above. The / O circuit unit 21 and the ESD protection element unit 22 are stacked in the height direction so that the sides of the I / O circuit unit 21 and the ESD protection element unit 22 having smaller sizes are stacked.

ここで、図2〜図4に示すI/Oユニット2a〜2cは、I/O回路部21,ESD保護素子部22,ワイヤボンディング用パッド23およびウエハ試験用パッド24を模式的に描いているが、実際の形状やサイズは、様々に変化し得るのはいうまでもない。   Here, the I / O units 2a to 2c shown in FIGS. 2 to 4 schematically depict the I / O circuit unit 21, the ESD protection element unit 22, the wire bonding pad 23, and the wafer test pad 24. However, it goes without saying that the actual shape and size can vary.

このように、本発明の各実施例によれば、I/O回路部21およびESD保護素子部22は分離してパーツ化され、横方向に並べて配置される各ワイヤボンディング用パッド23および各ウエハ試験用パッド24とコア領域11との間に、任意に組み合わせて配置される。   As described above, according to each embodiment of the present invention, the I / O circuit unit 21 and the ESD protection element unit 22 are separated into parts, and the wire bonding pads 23 and the wafers arranged in the horizontal direction are arranged. Arbitrary combinations are arranged between the test pad 24 and the core region 11.

上述した本発明の半導体集積回路装置の各実施例によれば、I/Oユニットの幅(横方向のサイズ)は大きくなるものの、その幅の広がりをI/O領域の無駄な空きで吸収することで、その高さを低くするという長所を生かすことができ、その結果、ICチップの占有面積を低減することが可能になる。このことは、1枚のウエハから取得できるICチップの数(ダイの有効数)の増加に直結し、半導体集積回路装置の価格を低廉化することが可能になる。   According to each of the embodiments of the semiconductor integrated circuit device of the present invention described above, although the width (size in the horizontal direction) of the I / O unit is increased, the expansion of the width is absorbed by a wasteful I / O area. Thus, the advantage of lowering the height can be utilized, and as a result, the area occupied by the IC chip can be reduced. This directly leads to an increase in the number of IC chips (effective number of dies) that can be obtained from one wafer, and the price of the semiconductor integrated circuit device can be reduced.

さらに、I/Oユニットを分離してパーツ化することにより、種類の異なる半導体集積回路装置に対してそのパーツを共用することができるため、I/Oの開発工数の削減といった効果も期待できる。   Furthermore, by separating the I / O unit into parts, the parts can be shared with different types of semiconductor integrated circuit devices, so that an effect of reducing the I / O development man-hour can be expected.

図5は本発明に係る半導体集積回路装置の第4実施例の全体構成を概略的に示す図である。   FIG. 5 is a diagram schematically showing an overall configuration of a fourth embodiment of the semiconductor integrated circuit device according to the present invention.

図5に示されるように、本第4実施例の半導体集積回路装置は、例えば、コア領域11の上方の辺では、その辺のサイズに対して必要とされるI/Oの数が少ないために、上述した第1〜第3実施例のような幅方向(横方向)が広くて高さ方向が低いI/Oユニット20を配置し、且つ、コア領域11の左方の辺では、その辺のサイズに対して必要とされるI/Oの数が多いために、図1に示すような従来の幅方向が狭くて高さ方向が高いI/Oユニット2を配置するようになっている。この場合、従来のICチップと比較して、コア領域11の上方の辺に配置したI/Oユニット20により高さ方向でdだけ縮小され、ICチップ1dの占有面積の低減が可能になる。このように、本発明の適用は、コア領域11の全ての辺に対して行う必要はなく、各辺に対して選択的に適用することができる。   As shown in FIG. 5, in the semiconductor integrated circuit device of the fourth embodiment, for example, the number of I / Os required for the size of the side on the upper side of the core region 11 is small. In the left side of the core region 11, the I / O unit 20 having a wide width direction (lateral direction) and a low height direction as in the first to third embodiments described above is disposed. Since the number of I / Os required for the size of the side is large, the conventional I / O unit 2 having a narrow width direction and a high height direction as shown in FIG. 1 is arranged. Yes. In this case, as compared with the conventional IC chip, the I / O unit 20 disposed on the upper side of the core region 11 reduces the height by d in the height direction, and the area occupied by the IC chip 1d can be reduced. Thus, the application of the present invention does not have to be performed for all the sides of the core region 11 and can be selectively applied to each side.

以上において、ワイヤボンディング用パッドおよびウエハ試験用パッドは、それぞれICチップとパッケージの入出力ピンとをワイヤボンディングするためのパッドおよびウエハ上に形成されたICチップに対してプローブピンを接触させて試験を行うためのパッドとして説明したが、I/Oユニットに対して他の目的に使用するパッドを設ける場合でも本発明は同様に適用することができる。さらに、I/O回路部およびESD保護素子部に関しても、I/Oユニットに対して他の機能を実現する部分を設ける場合でも本発明は同様に適用することができるのはいうまでもない。   In the above, the wire bonding pad and the wafer test pad are tested by bringing the probe pin into contact with the IC chip formed on the wafer and the pad for wire bonding the IC chip and the input / output pin of the package, respectively. Although described as a pad for performing, the present invention can be similarly applied even when a pad used for another purpose is provided for the I / O unit. Furthermore, it goes without saying that the present invention can be similarly applied to the I / O circuit portion and the ESD protection element portion even when a portion for realizing another function is provided for the I / O unit.

(付記1)
コア領域に接続された複数の第1のパッドおよび複数の第2のパッドを備える半導体集積回路装置であって、
前記コア領域の少なくとも一辺に設けられる前記各第1のパッドおよび前記各第2のパッドを、それぞれ当該一辺の長さ方向に並べて配置したことを特徴とする半導体集積回路装置。
(Appendix 1)
A semiconductor integrated circuit device comprising a plurality of first pads and a plurality of second pads connected to a core region,
A semiconductor integrated circuit device, wherein the first pads and the second pads provided on at least one side of the core region are arranged side by side in the length direction of the one side.

(付記2)
付記1に記載の半導体集積回路装置において、前記第1のパッドは、ダイシングされた該半導体集積回路装置とパッケージの入出力ピンとの接続を行うためのワイヤボンディング用パッドであり、且つ、前記第2のパッドは、ウエハ上に形成された該半導体集積回路装置に対してプローブピンを接触させて試験を行うためのウエハ試験用パッドであることを特徴とする半導体集積回路装置。
(Appendix 2)
The semiconductor integrated circuit device according to appendix 1, wherein the first pad is a wire bonding pad for connecting the diced semiconductor integrated circuit device to an input / output pin of a package, and the second pad. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein the pad is a wafer test pad for performing a test by bringing a probe pin into contact with the semiconductor integrated circuit device formed on the wafer.

(付記3)
付記2に記載の半導体集積回路装置において、さらに、分離してパーツ化されたI/O回路部およびESD保護素子部を備え、該I/O回路部および該ESD保護素子部を、前記コア領域の少なくとも一辺の長さ方向に並べて配置される前記各ワイヤボンディング用パッドおよび前記各ウエハ試験用パッドと前記コア領域との間に、任意に組み合わせて配置したことを特徴とする半導体集積回路装置。
(Appendix 3)
The semiconductor integrated circuit device according to attachment 2, further comprising an I / O circuit part and an ESD protection element part separated into parts, wherein the I / O circuit part and the ESD protection element part are arranged in the core region A semiconductor integrated circuit device, wherein the wire bonding pads and the wafer test pads arranged in the length direction of at least one side are arranged in any combination between the core region and the core region.

(付記4)
付記3に記載の半導体集積回路装置において、前記I/O回路部および前記ESD保護素子部を、前記コア領域の少なくとも一辺の長さ方向に並べて配置される前記各ワイヤボンディング用パッドおよび前記各ウエハ試験用パッドに対応させて、当該コア領域の少なくとも一辺の長さ方向に並べて配置したことを特徴とする半導体集積回路装置。
(Appendix 4)
The semiconductor integrated circuit device according to appendix 3, wherein the I / O circuit portion and the ESD protection element portion are arranged side by side in the length direction of at least one side of the core region, and the wire bonding pads and the wafers A semiconductor integrated circuit device, wherein the semiconductor integrated circuit device is arranged side by side in the length direction of at least one side of the core region so as to correspond to the test pad.

(付記5)
付記3に記載の半導体集積回路装置において、前記I/O回路部および前記ESD保護素子部を、前記コア領域の少なくとも一辺の長さ方向に並べて配置される前記各ワイヤボンディング用パッドおよび前記各ウエハ試験用パッドに対応させて、当該コア領域の少なくとも一辺の高さ方向に並べて配置したことを特徴とする半導体集積回路装置。
(Appendix 5)
The semiconductor integrated circuit device according to appendix 3, wherein the I / O circuit portion and the ESD protection element portion are arranged side by side in the length direction of at least one side of the core region, and the wire bonding pads and the wafers A semiconductor integrated circuit device, wherein the semiconductor integrated circuit device is arranged side by side in the height direction of at least one side of the core region so as to correspond to the test pad.

(付記6)
付記1に記載の半導体集積回路装置において、前記各第1のパッドおよび前記各第2のパッドをそれぞれ前記コア領域の一辺の長さ方向に並べて配置する該コア領域の一辺は、当該コア領域の一辺のサイズが、その一辺に必要とされる数の該第1のパッドおよび該第2のパッドを長さ方向に並べたサイズよりも大きい辺であることを特徴とする半導体集積回路装置。
(Appendix 6)
The semiconductor integrated circuit device according to attachment 1, wherein each side of the core region in which the first pads and the second pads are arranged in the length direction of one side of the core region, A semiconductor integrated circuit device characterized in that the size of one side is larger than the size in which the number of the first pads and the second pads required for the one side are arranged in the length direction.

本発明は、様々な半導体集積回路装置に対して幅広く適用することができ、特に、ワイヤボンディング用パッドおよびウエハ試験用パッドを有する半導体集積回路装置に対して適用され、I/O領域の無駄な空きを極力小さくして半導体集積回路装置の占有面積の低減を可能とする。   The present invention can be widely applied to various semiconductor integrated circuit devices. In particular, the present invention is applied to a semiconductor integrated circuit device having a wire bonding pad and a wafer test pad, and wastes an I / O region. It is possible to reduce the occupancy area of the semiconductor integrated circuit device by making the space as small as possible.

従来の半導体集積回路装置の一例の要部を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the principal part of an example of the conventional semiconductor integrated circuit device. 本発明に係る半導体集積回路装置の第1実施例の要部を模式的に示す図である。1 is a diagram schematically showing a main part of a first embodiment of a semiconductor integrated circuit device according to the present invention. 本発明に係る半導体集積回路装置の第2実施例の要部を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the principal part of 2nd Example of the semiconductor integrated circuit device based on this invention. 本発明に係る半導体集積回路装置の第3実施例の要部を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the principal part of 3rd Example of the semiconductor integrated circuit device based on this invention. 本発明に係る半導体集積回路装置の第4実施例の全体構成を概略的に示す図である。It is a figure which shows schematically the whole structure of 4th Example of the semiconductor integrated circuit device based on this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1,1a,1b,1c,1d 半導体集積回路装置(ICチップ)
2,2a,2b,2c,20 I/Oユニット(I/O)
11 コア領域
12 I/O領域
21 I/O回路部
22 ESD保護素子部
23 ワイヤボンディング用パッド(第1のパッド)
24 ウエハ試験用パッド(第2のパッド)
1, 1a, 1b, 1c, 1d Semiconductor integrated circuit device (IC chip)
2, 2a, 2b, 2c, 20 I / O unit (I / O)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Core area | region 12 I / O area | region 21 I / O circuit part 22 ESD protection element part 23 Wire bonding pad (1st pad)
24 Wafer test pad (second pad)

Claims (4)

コア領域に接続された複数の第1のパッドおよび複数の第2のパッドを備える半導体集積回路装置であって、
前記コア領域の少なくとも一辺に設けられる前記各第1のパッドおよび前記各第2のパッドを、それぞれ当該一辺の長さ方向に並べて配置したことを特徴とする半導体集積回路装置。
A semiconductor integrated circuit device comprising a plurality of first pads and a plurality of second pads connected to a core region,
A semiconductor integrated circuit device, wherein the first pads and the second pads provided on at least one side of the core region are arranged side by side in the length direction of the one side.
請求項1に記載の半導体集積回路装置において、前記第1のパッドは、ダイシングされた該半導体集積回路装置とパッケージの入出力ピンとの接続を行うためのワイヤボンディング用パッドであり、且つ、前記第2のパッドは、ウエハ上に形成された該半導体集積回路装置に対してプローブピンを接触させて試験を行うためのウエハ試験用パッドであることを特徴とする半導体集積回路装置。   2. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein the first pad is a wire bonding pad for connecting the diced semiconductor integrated circuit device to an input / output pin of a package, and the first pad. 2. The semiconductor integrated circuit device according to claim 2, wherein the pad 2 is a wafer test pad for performing a test by bringing a probe pin into contact with the semiconductor integrated circuit device formed on the wafer. 請求項2に記載の半導体集積回路装置において、さらに、分離してパーツ化されたI/O回路部およびESD保護素子部を備え、該I/O回路部および該ESD保護素子部を、前記コア領域の少なくとも一辺の長さ方向に並べて配置される前記各ワイヤボンディング用パッドおよび前記各ウエハ試験用パッドと前記コア領域との間に、任意に組み合わせて配置したことを特徴とする半導体集積回路装置。   3. The semiconductor integrated circuit device according to claim 2, further comprising an I / O circuit portion and an ESD protection element portion separated into parts, wherein the I / O circuit portion and the ESD protection element portion are arranged in the core. A semiconductor integrated circuit device, wherein the wire bonding pads and the wafer test pads arranged in the length direction of at least one side of the region are arranged in any combination between the wafer test pad and the core region. . 請求項1に記載の半導体集積回路装置において、前記各第1のパッドおよび前記各第2のパッドをそれぞれ前記コア領域の一辺の長さ方向に並べて配置する該コア領域の一辺は、当該コア領域の一辺のサイズが、その一辺に必要とされる数の該第1のパッドおよび該第2のパッドを長さ方向に並べたサイズよりも大きい辺であることを特徴とする半導体集積回路装置。   2. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein one side of the core region in which the first pads and the second pads are arranged side by side in the length direction of one side of the core region is the core region. A semiconductor integrated circuit device characterized in that the size of one side is larger than the size in which the number of the first pads and the second pads required for the one side are arranged in the length direction.
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