JP2007073499A

JP2007073499A - 発光装置およびその作製方法

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Publication number: JP2007073499A
Application number: JP2006200285A
Authority: JP
Inventors: Yasuo Nakamura; 康男中村; Noriko Shibata; 典子柴田
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2005-08-08
Filing date: 2006-07-24
Publication date: 2007-03-22

Abstract

【課題】パネルが高精細化した場合にも実現可能であり、各画素の発光素子間で輝度特性にばらつきを生じないようなアクティブマトリクス型の発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置は、第１の電極と第２の電極との間に発光物質を含む層を挟んでなる発光素子の一方の電極（第２電極）と補助配線とが、周辺部だけでなく画素部においても電気的に接続されている。なお、発光物質を含む層は、第１のバッファー層、発光層、および第２のバッファー層を少なくとも有する。画素部において第２の電極と補助配線（第１の補助配線）が電気的に接続される接続部（第１の接続部）では、補助配線（第１の補助配線）と第２の電極との間に第１のバッファー層または第２のバッファー層のいずれか一方、または両方が挟まれている。
【選択図】図１

Description

本発明は、発光素子を有する発光装置、およびその作製方法に関する。

一対の電極（陽極と陰極）間に発光物質を挟んでなる発光素子は、薄型軽量、高速応答性などの特徴を有し、次世代のフラットパネルディスプレイへの応用が期待されている。また、発光素子をマトリクス状に配置した発光装置は、従来の液晶表示装置と比較して、視野角が広く視認性が優れる点に優位性があると言われている。

なお、発光装置の駆動方式として、単純マトリクス方式とアクティブマトリクス方式が挙げられるが、高精細なパネル（例えば、ＱＶＧＡ以上の画素数を有するパネル）の場合には薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などの能動素子を用いたアクティブマトリクス方式が多く採用されている。

アクティブマトリクス方式の発光装置の場合には、画素部の各画素に形成されたＴＦＴと発光素子とが電気的に接続されており、発光素子は、ＴＦＴと接続された一方の電極（以下、第１の電極という）と、他方の電極（以下、第２の電極という）との間に発光物質を挟んでなる構造を有する。なお、発光素子の第２の電極は、同一の導電膜で形成され、画素部の全ての発光素子に共通する導電膜が用いられている。

しかし、パネルが高精細化し、画素数が増えるにつれて、全ての画素に共通する導電膜で形成された第２の電極は、電極の材料抵抗などによる電圧降下が大きくなり、各画素の発光素子間で第２の電極から印加される電圧にばらつきが生じてしまう。発光素子は、輝度が電流量に依存するため、それに伴って発光素子の輝度にもばらつきが生じるという問題を有している。

これに対して、各画素の発光素子に安定的に駆動電圧あるいは電流を供給するために、配線構造や配線レイアウトを最適化するといった方法がとられている（例えば、特許文献１参照。）。
特開２００４−１０２２４５号公報

しかし、上述した特許文献１に記載の場合には、第２の電極の配線抵抗による電圧降下を低減させるために、画素部の周辺に第２の電極用の配線を発光用電源配線よりも広い線幅となるように形成する必要がある為、パネルの有効領域外の面積を小さくしたい（いわゆる挟額縁化を図りたい）場合には好ましくない。

そこで、本発明では、アクティブマトリクス型のパネルが高精細化した場合にも実現可能であり、各画素の発光素子間で輝度特性にばらつきを生じないような発光装置を提供することを目的とする。

本発明の発光装置は、第１の電極と第２の電極との間に発光物質を含む層を挟んでなる発光素子の一方の電極（第２電極）と補助配線とが、周辺部だけでなく画素部においても電気的に接続されていることを特徴とする。

なお、本発明において発光素子に含まれる発光物質を含む層は、第１のバッファー層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、および第２のバッファー層のうち、前記第１のバッファー層、前記発光層、および前記第２のバッファー層を少なくとも有することを特徴とする。画素部において第２の電極と補助配線（第１の補助配線）が電気的に接続される接続部（第１の接続部）では、補助配線（第１の補助配線）と前記第２の電極との間に前記第１のバッファー層または前記第２のバッファー層のいずれか一方、または両方が挟まれていることを特徴とする。

なお、周辺部に形成された第２の電極と補助配線（第２の補助配線）との接続部（第２の接続部）では、補助配線（第２の補助配線）と第２の電極が接して形成される。

また、本発明の別の構成は、発光装置の作製方法であって、第１の電極、第１の補助配線、および第２の補助配線を形成し、前記第１の電極および前記第１の補助配線上に第１のバッファー層を形成し、前記第１の電極上に発光層を形成し、前記第１の電極および前記第１の補助配線上に第２のバッファー層を形成し、前記第１の電極、前記第１の補助配線、および前記第２の補助配線上に第２の電極を形成する。その結果、前記第１の電極、前記第１のバッファー層、前記発光層、前記第２のバッファー層、および前記第２の電極を含む発光素子と、前記第１の補助配線、前記第１のバッファー層、前記第２のバッファー層、および前記第２の電極を含む第１の接続部と、前記第２の補助配線および前記第２の電極を含む第２の接続部とが、それぞれ、形成されることを特徴とする。

なお、上記構成において、第１の補助配線上に第１のバッファー層を形成せず、前記第１の電極、前記第１のバッファー層、前記発光層、前記第２のバッファー層、および前記第２の電極を含む発光素子と、前記第１の補助配線、前記第２のバッファー層、および前記第２の電極を含む第１の接続部と、前記第２の補助配線および前記第２の電極を含む第２の接続部とを形成することを特徴とする別の構成も本発明に含めることとする。

さらに、第１の補助配線上に第２のバッファー層を形成せず、前記第１の電極、前記第１のバッファー層、前記発光層、前記第２のバッファー層、および前記第２の電極を含む発光素子と、前記第１の補助配線、前記第１のバッファー層、および前記第２の電極を含む第１の接続部と、前記第２の補助配線および前記第２の電極を含む第２の接続部とを形成することを特徴とする別の構成も本発明に含めることとする。

上記各構成において、第１のバッファー層は、正孔（ホール）輸送性を示す物質でなる層であることを特徴とする。また、正孔輸送性を示す物質として、有機化合物と金属化合物を含む物質を用いる。有機化合物は、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素（ビニル骨格を少なくとも一つ含む芳香族炭化水素を含む）のうちのいずれかである。また、金属化合物は、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、レニウム酸化物、チタン酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、タングステン酸化物、銀酸化物のうちのいずれか一であることを特徴とする。これらの有機化合物と金属化合物とでなる複合材料を用いることにより、第１のバッファー層は正孔輸送層として機能する。

また、上記各構成において、第２のバッファー層は、電子輸送性物質またはバイポーラ性物質に電子供与性物質を含ませた層である。また、第２のバッファー層は電子供与性物質でなる層として形成することもできる。電子供与性物質として例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属窒化物、アルカリ土類金属窒化物、アルカリ金属フッ化物、アルカリ土類金属フッ化物を用いることができる。電子輸送性物質またはバイポーラ性物質に電子供与性物質を含ませた物質、および電子供与性物質は、それぞれ、電子輸送性を示す物質であるので、第２のバッファー層は、電子輸送性を示す物質でなる層として形成することができる。

さらに、上記各構成において、第１のバッファー層は、第１の電極または第２の電極の一方と接し、第２のバッファー層は、第１の電極または第２の電極の他方と接することを特徴とする。

本発明を実施することにより、発光素子の近傍に補助配線を形成することができる。よって、発光表示パネルの周辺部だけでなく発光素子を有する画素部にも第２の電極と電気的に接続される補助配線が形成することが可能になるため、画素部において第２の電極の電圧降下に起因する発光素子間の輝度のばらつきを低減させることができる。

また、本発明において、画素部には発光物質を含む層（第１のバッファー層、正孔（ホール）輸送層、発光層、電子輸送層、第２のバッファー層等を含む）が形成されるが、本発明における発光素子の構造の場合には、第１のバッファー層、または第２のバッファー層のいずれか一方、または両方が間に挟まれる構造の場合でも、第２の電極と補助配線は電気的に接続されるため、発光物質を含む層のうち、正孔（ホール）輸送層、発光層、および電子輸送層のみ接続部にかからないように形成すればよい。よって、発光物質を含む層を構成する全ての層を微細な形状に加工する必要がないため、発光物質を含む層の全てを接続部にかからないように形成する場合に比べて、作製工程の削減が可能となる。

以下に、本発明の一態様について図面等を用いながら詳細に説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

（実施の形態１）
本実施の形態１では、本発明の発光装置に用いることができるアクティブマトリクス型の発光表示パネルであって、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と電気的に接続された発光素子に含まれる一対の電極のうち、ＴＦＴと直接電気的に接続されない電極（第２の電極）が周辺部に形成された補助配線だけでなく、画素部に形成された補助配線とも電気的に接続される場合について図１を用いて説明する。

図１において、基板１０１上の画素部１２０には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成されている。なお、ここでは、画素部１２０に形成され、かつ発光素子１１９と電気的に接続されるＴＦＴを電流制御用ＴＦＴ１０２とよぶ。

図１において、電流制御用ＴＦＴ１０２は、トップゲート型であり、ソース領域１０３、ドレイン領域１０４、およびチャネル形成領域１０５上にゲート絶縁膜１０６を介してゲート電極１０７が形成され、ソース領域１０３と電気的に接続されたソース電極１０９、ドレイン領域１０４と電気的に接続されたドレイン電極１１０とで構成されている。

なお、基板１０１には、ガラス基板、石英基板、アルミナなどのセラミック等絶縁物質で形成される基板、プラスチック基板、シリコンウェハ、金属板等を用いることができる。

また、ソース領域１０３、ドレイン領域１０４、およびチャネル形成領域１０５は、半導体層で形成され、ソース領域１０３およびドレイン領域１０４には、ｎ導電型またはｐ導電型の不純物（例えば、リン、ヒ素、ボロン等）が添加されている（なお、場合によっては、チャネル形成領域１０５にも微量の上記不純物が添加される。）。また、半導体層は、結晶性の半導体であっても、非結晶性の半導体であってもよい。さらには、セミアモルファス半導体等でも良い。また、半導体層の膜厚は、１０〜１５０ｎｍとし、さらに３０〜７０ｎｍとするのが好ましい。

結晶性の半導体としては、単結晶または多結晶性の珪素、或いはシリコンゲルマニウム等から成るものが挙げられる。これらはレーザ結晶化によって形成されたものでもよいし、例えばニッケル等を用いた固相成長法による結晶化によって形成されたものでもよい。また、非晶質の半導体としては、例えばアモルファスシリコンが挙げられる。

また、ここでいうセミアモルファス半導体とは、非晶質と結晶構造（単結晶、多結晶を含む）の中間的な構造を有し、自由エネルギー的に安定な第３の状態を有する半導体であって、短距離秩序を持ち格子歪みを有する結晶質な領域を含んでいるものである。また少なくとも膜中の一部の領域には、０．５〜２０ｎｍの結晶粒を含んでいる。ラマンスペクトルが５２０ｃｍ^−１よりも低波数側にシフトしている。Ｘ線回折ではＳｉ結晶格子に由来するとされる（１１１）、（２２０）の回折ピークが観測される。また、未結合手（ダングリングボンド）を終端するために水素またはハロゲンを少なくとも１原子％またはそれ以上含ませている。また、セミアモルファス半導体は、微結晶半導体（マイクロクリスタル半導体）とも言われている。

また、ゲート絶縁膜１０６は、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、及び窒化酸化珪素膜、その他の珪素を含む絶縁膜等により、単層または積層構造で形成され、その膜厚は、１０〜１５０ｎｍとするのが好ましく、さらに３０〜７０ｎｍとするのが好ましい。

また、ゲート電極１０７には、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｂａ、Ｎｄ等の金属元素からなる膜、または前記元素を主成分とする合金材料からなる膜、Ｍｏ膜、Ａｌ膜、Ｍｏ膜を順次積層した積層膜、Ｔｉ膜、Ａｌ膜、Ｔｉ膜を順次積層した積層膜、ＭｏＮ膜、Ｎｄを添加したＡｌ膜、ＭｏＮ膜を順次積層した積層膜、Ｍｏ膜、Ｎｄを添加したＡｌ膜、Ｍｏ膜を順次積層した積層膜、Ａｌ膜と、Ａｌ膜上にＣｒ膜を積層した積層膜、又は金属窒化物等の化合物材料からなる膜、透明導電膜として用いられるインジウム錫酸化物（ＩＴＯ：ｉｎｄｉｕｍｔｉｎｏｘｉｄｅ）、酸化インジウムに２〜２０［ｗｔ％］の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍｚｉｎｃｏｘｉｄｅ）膜、酸化ケイ素を組成物として有するＩＴＯ等の膜を用いることができる。また、ゲート電極１０７の膜厚は、２００ｎｍ以上とするのが好ましく、さらに３００〜５００ｎｍとするのが好ましい。

さらに、ゲート電極１０７上に形成される層間絶縁膜１０８は、単層で形成されていても多層で形成されていてもよい。なお、層間絶縁膜１０８には、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、または窒化酸化珪素等のような無機物からなる膜や、アクリル、ポリイミド、ポリアミド、またはシロキサン（シロキサンは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される。）等の有機物からなる膜を用いることができる。

また、層間絶縁膜１０８の一部に形成された開口部を介して、ソース領域１０３およびドレイン領域１０４と電気的に接続するように形成されたソース電極１０９、ドレイン電極１１０には、Ｓｉ、ＧｅまたはＳｉとＧｅの化合物にドーパントを添加して導電性を高めた半導体、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｂａ等の金属元素からなる膜、または前記元素を主成分とする合金材料からなる膜、又は金属窒化物等の化合物材料からなる膜、透明導電膜として用いられるインジウム錫酸化物（ＩＴＯ：ｉｎｄｉｕｍｔｉｎｏｘｉｄｅ）、酸化インジウムに２〜２０［ｗｔ％］の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍｚｉｎｃｏｘｉｄｅ）、酸化ケイ素を組成物として有するＩＴＯ等の膜を用いることができる。また、ソース電極１０９、およびドレイン電極１１０の膜厚は、２００ｎｍ以上とするのが好ましく、さらに３００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲とするのが好ましい。

また、ソース電極１０９およびドレイン電極１１０と同時に補助配線（第１の補助配線１１２および第２の補助配線１１３）が形成される。すなわち、補助配線（第１の補助配線１１２および第２の補助配線１１３）は、ソース電極１０９およびドレイン電極１１０と同一の材料で形成される。

電流制御用ＴＦＴ１０２のドレイン電極１１０と電気的に接続されるように発光素子１１９の第１の電極１１１が形成されている。なお、第１の電極１１１は、第１のバッファー層１１５と接して形成されていることから、第１の電極１１４に印加される電圧が第２の電極１１８に印加される電圧よりも大きい場合（すなわち、第１の電極１１４が陽極として機能する場合）であっても、仕事関数の値に関係なく電極材料を選択することができる。

従って、第１の電極１１４の材料として、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：ｉｎｄｉｕｍｔｉｎｏｘｉｄｅ）、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物、酸化インジウムに２〜２０［ｗｔ％］の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍｚｉｎｃｏｘｉｄｅ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、金属材料の窒化物（例えば、ＴｉＮ等）、ＬｉやＣｓ等のアルカリ金属、およびＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（Ｍｇ：Ａｇ、Ａｌ：Ｌｉ）や化合物（ＬｉＦ、ＣｓＦ、ＣａＦ_２）の他、希土類金属を含む遷移金属等を用いることができる。

本発明において、第１の電極１１４は、陽極として機能する電極であっても、陰極として機能する電極でも良いが、陽極として機能する電極である場合には、電流制御用ＴＦＴ１０２は、Ｐチャネル型ＴＦＴであることが好ましく、陰極として機能する電極である場合には、電流制御用ＴＦＴ１０２は、ｎチャネル型ＴＦＴであることが好ましい。

また、第１の電極１１４および補助配線（第１の補助配線１１２および第２の補助配線１１３）の端部を覆って絶縁体１２２が形成されている。なお、絶縁体１２２は、アクリル、シロキサン、レジスト等の有機膜や、酸化珪素等の無機膜を用いて形成される。なお、これらの無機膜と有機膜のいずれか一方を用いて単層で形成されていてもよいし、両方を用いて多層で形成してもよい。

画素部１２０において、第１の電極１１４上に第１のバッファー層１１５が形成されている。なお、第１のバッファー層１１５は、画素部１２０において、画素ごとに分割されることなく１つの膜（連続するベタ膜）で形成されることから、第１の補助配線１１２上にも第１のバッファー層１１５が形成されている。なお、図１に示す第１のバッファー層１１５は、微細な形状の加工がされていないベタ膜で形成される場合について示したが、後述する発光層１１６と同様に、発光素子１１９が形成される部分に選択的に形成される構成とすることもできる。

第１のバッファー層１１５には、正孔（ホール）輸送層として機能する機能層を用いることができる。正孔輸送層を形成するには、有機化合物と金属化合物でなる発光素子用の第１の複合材料を用いることができる。本発明における発光素子用の第１の複合材料において、有機化合物には、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、または芳香族炭化水素（ビニル骨格を少なくとも一つ含む芳香族炭化水素を含む）を用いることができる。なお、本実施の形態１における発光素子用の第１の複合材料の具体例としては、実施の形態７に挙げる物質を用いることができるので、実施の形態７を参照することとし、説明を省略する。

また、第１のバッファー層１１５上であって、第１の電極１１４と重なる位置に発光層１１６が形成される。第１のバッファー層１１５と異なり、発光層１１６はベタ膜で形成せず、画素ごとに分割され、画素の所定の領域に形成される。本発明において、発光層１１６を画素ごとに分割して、所望の形状に形成することにより、第１の接続部１２３において、第１の補助配線１１２と第２の電極１１８は、発光層１１６を挟まずに、第１のバッファー層１１５および第２のバッファー層１１７を間に挟んで電気的に接続される。

なお、発光層１１６は、少なくとも一種の発光物質を含んでおり、ここでいう発光物質とは、発光効率が良好で、所望の波長の発光をし得る物質である。発光層は、発光物質のみから形成された層であってもよいが、発光物質の有するエネルギーギャップ（ＬＵＭＯ準位とＨＯＭＯ準位との間のエネルギーギャップをいう）よりも大きいエネルギーギャップを有する物質からなる層中に、発光物質が分散するように混合された層（いわゆる、ホストとゲストの関係にある物質をそれぞれ含む層）であっても良い。なお、本実施の形態１における発光層１１６に用いることができる発光物質の具体例としては、実施の形態７に挙げる発光物質を用いることができるので、実施の形態７を参照することとし、説明を省略する。

発光層１１６上に第２のバッファー層１１７が形成されている。第２のバッファー層１１７は、画素部１２０において、微細な形状の加工をすることなく、ベタ膜で形成されることから、第１のバッファー層１１５上にも形成されている。なお、図１に示す第２のバッファー層１１７は、ベタ膜で形成される場合について示したが、発光層１１６と同様に、発光素子１１９が形成される部分に形成される構成とすることもできる。

第２のバッファー層１１７には、発光素子用の第２の複合材料を用いることができる。本発明における発光素子用の第２の複合材料とは、電子輸送性物質またはバイポーラ性物質から選ばれるいずれかの物質と、これらの物質に対し電子供与性を示す物質（ドナー）とを組み合わせた材料である。なお、本実施の形態１における発光素子用の第２の複合材料の具体例としては、実施の形態７に挙げる物質を用いることができるので、実施の形態７を参照することとし、説明を省略する。

さらに、第２のバッファー層１１７上に第２の電極１１８が形成されている。なお、第２の電極１１８は、微細な形状の加工をすることなく、画素部１２０および周辺部１２１に１つのベタ膜で形成されることから、画素部１２０の第２のバッファー層１１７上だけでなく、周辺部１２１の第２の補助配線１１３上にも形成され、第２の補助配線１１３と第２の電極１１８とが電気的に接続された第２の接続部１２４が形成される。

また、第２の電極１１８は、第２のバッファー層１１７と接して形成されていることから、発光素子１１９において、第２の電極１１８に印加される電圧が第１の電極１１４に印加される電圧よりも大きい場合（すなわち、第２の電極１１８が陰極として機能する場合）であっても、仕事関数の値に関係なく電極材料を選択することができる。従って、第１の電極１１４に挙げたものと同様の材料を用いて第２の電極１１８を形成することができる。

以上により、本発明では、周辺部１２１に形成される第２の接続部１２４だけでなく、画素部１２０に形成される第１の接続部１２３により、第２の電極と補助配線と電気的に接続することができる。すなわちこのような構造とすることにより、発光表示パネルの大型化に伴い画素部の面積が大きくなったり、高精細化により画素数が多くなったりした場合に、第２の電極１１８が全画素共通で形成されていても、別の言い方をすると、画素部で１つの導電層として形成されていても、第２の補助配線１１３から離れた位置にある画素の第２の電極１１８と、近い位置にある画素の第２の電極１１８との間で遅延を生じることなく電圧を印加することができる。

また、画素部１２０に形成される第１の接続部１２３は、画素ごとに形成しても良いが、複数の画素ごとに形成しても良い。

（実施の形態２）
本実施の形態では、発光表示パネルの画素部２００における発光素子、および接続部の構造の一例について、図２の断面図を用いて説明する。なお、ここでは、各画素に形成される発光素子と接続部の構造についての説明を容易にするため、図１で説明したような基板上の画素部に形成されるＴＦＴ（電流制御用ＴＦＴ、スイッチング用ＴＦＴ等）、層間絶縁膜、絶縁体等についての説明は省略することとする。

図２（Ａ）に示すように、基板２０１上には、複数の画素（赤色で発光する画素Ｒ（２１０ａ）、緑色で発光する画素Ｇ（２１０ｂ）、青色で発光する画素Ｂ（２１０ｃ））と、接続部２１１が形成されている。

なお、画素Ｒ（２１０ａ）は、第１の電極２０２、第１のバッファー層２０４、発光層Ｒ（２０５ａ）、第２のバッファー層２０６、および第２の電極２０７を順次積層してなる発光素子Ｒ（２０８ａ）を有し、画素Ｇ（２１０ｂ）は、第１の電極２０２、第１のバッファー層２０４、発光層Ｇ（２０５ｂ）、第２のバッファー層２０６、および第２の電極２０７を順次積層してなる発光素子Ｇ（２０８ｂ）を有し、画素Ｂ（２１０ｃ）は、第１の電極２０２、第１のバッファー層２０４、発光層Ｂ（２０５ｃ）、第２のバッファー層２０６、および第２の電極２０７を順次積層してなる発光素子Ｂ（２０８ｃ）を有している。

また、接続部２１１では、補助配線２０３上に第１のバッファー層２０４、第２のバッファー層２０６、および第２の電極２０７が順次積層されており、補助配線２０３と第２の電極２０７が、第１のバッファー層２０４および第２のバッファー層２０６を介して電気的に接続される構造を有している。

ここで、第１のバッファー層２０４、第２のバッファー層２０６、および第２の電極２０７は、画素部において、微細な形状の加工をすることなく、ベタ膜で形成されている為、複数の画素（画素Ｒ（２１０ａ）、画素Ｇ（２１０ｂ）、画素Ｂ（２１０ｃ））と、接続部２１１において、連続する膜として形成されている。

なお、図２（Ａ）の場合には、各画素の発光素子は、一対の電極間に第１のバッファー層２０４、発光層２０５、第２のバッファー層２０６で構成される発光物質を含む層を挟んでなる場合について示したが、図２（Ｂ）に示すように一対の電極（第１の電極２０２、第２の電極２０７）間に形成される発光物質を含む層２１９は、第１のバッファー層２０４、発光層２０５、および第２のバッファー層２０６に加えて、正孔（ホール）輸送層２１４および電子輸送層２１６を含む構造とすることもできる。なお、発光層２０５が画素ごとに分割されて、所望の微細な形状に加工される場合において、ここでは、それぞれの発光層（発光層Ｒ（２０５ａ）、発光層Ｇ（２０５ｂ）、発光層Ｂ（２０５ｃ））に対して異なる材料を用いる場合について説明したが、これに限られることはなく、同一の材料を用いて形成することもできる。

また、図２（Ｃ）には、図２（Ａ）で示した発光素子のそれぞれが、図２（Ｂ）で示した発光物質を含む層の構成を有する場合について示す。なお、図２（Ｃ）において、図２（Ａ）、（Ｂ）と共通の部分については共通の符号を用いることとする。

すなわち、複数の画素（画素Ｒ（２２０ａ）、画素Ｇ（２２０ｂ）、画素Ｂ（２２０ｃ））は、第１の電極２０２と第２の電極２０７との間に発光物質を含む層２１９を有しており、発光物質を含む層２１９のうち、第１のバッファー層２０４および第２のバッファー層２０６は、図２（Ａ）の場合と同様に画素部において、微細な形状の加工をすることなく、ベタ膜で形成されている。また、正孔（ホール）輸送層２１４、発光層２０５（発光層Ｒ（２０５ａ）、発光層Ｇ（２０５ｂ）、発光層Ｂ（２０５ｃ））、電子輸送層２１６については、各画素（画素Ｒ（２２０ａ）、画素Ｇ（２２０ｂ）、画素Ｂ（２２０ｃ））の発光素子（発光素子Ｒ（２２１ａ）、発光素子Ｇ（２２１ｂ）、発光素子Ｂ（２２１ｃ））ごとに分割され、所望の微細な形状に形成される。

なお、図２（Ｃ）の場合にも、接続部２１１には、補助配線２０３上に第１のバッファー層２０４、第２のバッファー層２０６、および第２の電極２０７のみが順次積層される構造となるため、補助配線２０３と第２の電極２０７は、第１のバッファー層２０４および第２のバッファー層２０６を介して電気的に接続されている。つまり、図２（Ａ）、（Ｃ）に示す画素部の接続部において、第１のバッファー層から、補助配線にホールが流れると、第１のバッファー層と第２のバッファー層の界面で電荷が発生し、第２のバッファー層から第２の電極に電子が流れる。第２の電極を流れた電子は、各画素の発光素子にある第２のバッファー層から発光層に流れ込む。

なお、本実施の形態２で説明した発光物質を含む層（第１のバッファー層２０４、発光層２０５、第２のバッファー層２０６、正孔（ホール）輸送層２１４、電子輸送層２１６）に用いる物質の具体例としては、実施の形態７に挙げる物質を用いることができるので、実施の形態７を参照することとし、説明を省略する。

（実施の形態３）
本実施の形態では、実施の形態２とは異なる発光表示パネルの画素部３００における発光素子、および接続部の構造の一例について、図３の断面図を用いて説明する。なお、ここでは、各画素に形成される発光素子と接続部の構造についての説明を容易にするため、図１で説明したような基板上の画素部に形成されるＴＦＴ（電流制御用ＴＦＴ、スイッチング用ＴＦＴ等）、層間絶縁膜、絶縁体等についての説明は省略することとする。

図３（Ａ）に示すように、基板３０１上には、複数の画素（赤色に発光する画素Ｒ（３１０ａ）、緑色に発光する画素Ｇ（３１０ｂ）、青色に発光する画素Ｂ（３１０ｃ））と、接続部３１１が形成されている。

なお、画素Ｒ（３１０ａ）は、第１の電極３０２、第１のバッファー層３０４、発光層Ｒ（３０５ａ）、第２のバッファー層３０６、および第２の電極３０７を順次積層してなる発光素子Ｒ（３０８ａ）を有し、画素Ｇ（３１０ｂ）は、第１の電極３０２、第１のバッファー層３０４、発光層Ｒ（３０５ａ）、第２のバッファー層３０６、および第２の電極３０７を順次積層してなる発光素子Ｇ（３０８ｂ）を有し、画素Ｂ（３１０ｃ）は、第１の電極３０２、第１のバッファー層３０４、発光層Ｂ（３０５ｃ）、第２のバッファー層３０６、および第２の電極３０７を順次積層してなる発光素子Ｂ（３０８ｃ）を有している。

また、接続部３１１では、補助配線３０３上に第２のバッファー層３０６および第２の電極３０７が順次積層されており、補助配線３０３と第２の電極３０７が、第２のバッファー層３０６を介して電気的に接続される構造を有している。

ここで、第２のバッファー層３０６および第２の電極３０７は、画素部において、微細な形状の加工をすることなく、ベタ膜で形成されている為、複数の画素（画素Ｒ（３１０ａ）、画素Ｇ（３１０ｂ）、画素Ｂ（３１０ｃ））と、接続部３１１において、連続する膜として形成されている。

なお、図３（Ａ）には、各画素の発光素子は、一対の電極間に第１のバッファー層３０４、発光層３０５、第２のバッファー層３０６で構成される発光物質を含む層を挟んでなり、第１のバッファー層３０４および発光層（発光層Ｒ（３０５ａ）、発光層Ｇ（３０５ｂ）、発光層Ｂ（３０５ｃ））のみが画素ごとに分割されて、所望の形状に形成される場合について示したが、発光素子を図３（Ｂ）に示すような構造とすることもできる。図３（Ｂ）に示すように、一対の電極（第１の電極３０２、第２の電極３０７）間に形成される発光物質を含む層が、第１のバッファー層３０４、正孔（ホール）輸送層３１４、発光層３０５、電子輸送層３１６、および第２のバッファー層３０６で形成され、第１のバッファー層３０４、正孔（ホール）輸送層３１４、発光層３０５、および電子輸送層３１６が所望の形状に形成されている。なお、発光層３０５が所望の微細な形状に加工される場合において、ここでは、それぞれの発光層（発光層Ｒ（３０５ａ）、発光層Ｇ（３０５ｂ）、発光層Ｂ（３０５ｃ））に対して異なる材料を用いる場合について説明したが、これに限られることはなく、同一の材料を用いて形成することもできる。

なお、図３（Ｂ）の場合には、第１のバッファー層３０４が、各画素の発光素子ごとに所望の形状に形成されているため、接続部３１１では、補助配線３０３上に第２のバッファー層３０６および第２の電極３０７のみが順次積層される構造となる。従って、補助配線３０３と第２の電極３０７は、第２のバッファー層３０６を介して電気的に接続されている。つまり、図３（Ａ）、（Ｂ）に示す画素部の接続部において、電子が補助配線から第２のバッファー層を通過して、第２の電極に電子が流れる。第２の電極を流れた電子は、各画素の発光素子にある第２のバッファー層から発光層に流れ込む。

なお、本実施の形態３で説明した発光物質を含む層（第１のバッファー層３０４、発光層３０５、第２のバッファー層３０６、正孔（ホール）輸送層３１４、電子輸送層３１６）に用いる物質の具体例としては、実施の形態７に挙げる物質を用いることができるので、実施の形態７を参照することとし、説明を省略する。

（実施の形態４）
本実施の形態では、実施の形態２または実施の形態３とは異なる発光表示パネルの画素部４００における発光素子、および接続部の構造の一例について、図４の断面図を用いて説明する。なお、ここでは、各画素に形成される発光素子と接続部の構造についての説明を容易にするため、図１で説明したような基板上の画素部に形成されるＴＦＴ（電流制御用ＴＦＴ、スイッチング用ＴＦＴ等）、層間絶縁膜、絶縁体等についての説明は省略することとする。

図４（Ａ）に示すように、基板４０１上には、複数の画素（赤色で発光する画素Ｒ（４１０ａ）、緑色で発光する画素Ｇ（４１０ｂ）、青色で発光する画素Ｂ（４１０ｃ））と、接続部４１１が形成されている。

なお、画素Ｒ（４１０ａ）は、第１の電極４０２、第１のバッファー層４０４、発光層Ｒ（４０５ａ）、第２のバッファー層４０６、および第２の電極４０７を順次積層してなる発光素子Ｒ（４０８ａ）を有し、画素Ｇ（４１０ｂ）は、第１の電極４０２、第１のバッファー層４０４、発光層Ｇ（４０５ｂ）、第２のバッファー層４０６、および第２の電極４０７を順次積層してなる発光素子Ｇ（４０８ｂ）を有し、画素Ｂ（４１０ｃ）は、第１の電極４０２、第１のバッファー層４０４、発光層Ｂ（４０５ｃ）、第２のバッファー層４０６、および第２の電極４０７を順次積層してなる発光素子Ｂ（４０８ｃ）を有している。

また、接続部４１１では、補助配線４０３上に第１のバッファー層４０４および第２の電極４０７が順次積層されており、補助配線４０３と第２の電極４０７が、第１のバッファー層４０４を介して電気的に接続される構造を有している。

ここで、第１のバッファー層４０４および第２の電極４０７は、画素部において、微細な形状の加工をすることなくベタ膜で形成されている為、複数の画素（画素Ｒ（４１０ａ）、画素Ｇ（４１０ｂ）、画素Ｂ（４１０ｃ））と、接続部４１１において、連続する膜として形成されている。

なお、図４（Ａ）の場合には、各画素の発光素子は、一対の電極間に第１のバッファー層４０４、発光層４０５、第２のバッファー層４０６で構成される発光物質を含む層を挟んでなり、発光層（発光層Ｒ（４０５ａ）、発光層Ｇ（４０５ｂ）、発光層Ｂ（４０５ｃ））および第２のバッファー層４０６のみが所望の微細な形状に加工される場合について示したが、図４（Ｂ）に示す構造とすることもできる。図４（Ｂ）に示すように、一対の電極（第１の電極４０２、第２の電極４０７）間に形成される発光物質を含む層が、第１のバッファー層４０４、正孔（ホール）輸送層４１４、発光層４０５、電子輸送層４１６、および第２のバッファー層４０６で形成され、正孔（ホール）輸送層４１４、発光層４０５、電子輸送層４１６、および第２のバッファー層４０６が所望の形状に形成されている。なお、発光層４０５が所望の形状に形成される場合において、ここでは、それぞれの発光層（発光層Ｒ（４０５ａ）、発光層Ｇ（４０５ｂ）、発光層Ｂ（４０５ｃ））に対して異なる材料を用いる場合について説明したが、これに限られることはなく、同一の材料を用いて形成することもできる。

図４（Ｂ）の場合には、第２のバッファー層４０６が、各画素の発光素子ごとに所望の形状に形成されているため、接続部４１１では、補助配線４０３上に第１のバッファー層４０４および第２の電極４０７のみが順次積層される構造となる。従って、補助配線４０３と第２の電極４０７は、第１のバッファー層４０４を介して電気的に接続されている。つまり、図４（Ａ）、（Ｂ）に示す画素部の接続部において、ホールが第１のバッファー層から補助配線に流れ、電子は第２の電極、画素の第２のバッファー層を通じて発光層に流れる。

なお、本実施の形態４で説明した発光物質を含む層（第１のバッファー層４０４、発光層４０５、第２のバッファー層４０６、正孔（ホール）輸送層４１４、電子輸送層４１６）に用いる物質の具体例としては、実施の形態７に挙げる物質を用いることができるので、実施の形態７を参照することとし、説明を省略する。

（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の発光表示パネルの画素部５００におけるＴＦＴ、発光素子、および補助配線の構造の一例について、図５の断面図および図６の平面図を用いて説明する。ただし、図６に示す平面図は、説明を容易にするため、第１の電極５０２まで形成された状態を示しているが、図５の断面図は、図６の平面図中のＡ−Ａ’およびＢ−Ｂ’における断面図であって、第１の電極５０２上に順次積層して第２の電極５０７まで形成された状態を示している。なお、図５および図６において、共通する部分については共通の符号を用いることとする。

図５（Ａ）は、発光表示パネルの画素部の一部を示すものであり、基板５０１上に形成されるＴＦＴ（図６に示すスイッチング用ＴＦＴ５０８、電流制御用ＴＦＴ５０９）のうち、電流制御用ＴＦＴ５０９のみについて示している。

また、電流制御用ＴＦＴ５０９は、図５（Ａ）および図６に示すように領域Ｄ５１５において電流供給線５１２と電気的に接続されるソース電極５２１と、領域Ｅ５１６において第１の電極５０２と電気的に接続されたドレイン電極５２２と、ソース領域、ドレイン領域、およびチャネル形成領域とを含む半導体領域５２３と、ゲート電極５１７とで構成される。なお、ソース電極５２１は電流供給線５１２と一体に形成されている。

スイッチング用ＴＦＴ５０８は電流制御用ＴＦＴ５０９と同様の断面構造を有する。図６に示すように領域Ｂ５１３においてソース信号線５１０と電気的に接続されるソース電極５２５と、領域Ｃ５１４において電流制御用ＴＦＴ５０９のゲート電極５１７と電気的に接続されたドレイン電極５２６と、ソース領域、ドレイン領域、およびチャネル形成領域とを含む半導体領域５２７と、ゲート電極５１１とで構成される。

また、補助配線５０３は、図６に示すようにソース信号線５１０および電流供給線５１２と平行して形成されている。領域Ｆ５１８に、第２の電極５０７を補助配線５０３に電気的に接続するための接続部５２０が設けられている。図５（Ａ）に示すように、領域Ｆ５１８において、補助配線５０３上に第１のバッファー層５０４、第２のバッファー層５０６、および第２の電極５０７が順次積層され、接続部５２０が形成される。

なお、図５（Ａ）の場合には、第１のバッファー層５０４および第２のバッファー層５０６は、微細な形状の加工をすることなくベタ膜で形成され、各画素に共通して用いられており、発光層のみが画素ごとに分割され、所望の形状に形成される場合について示したが、実施の形態３または４で示した第１のバッファー層５０４、または第２のバッファー層５０６も発光層５０５と同様に画素ごとに分割された所望の形状に形成する構成とすることもできる。

さらに、本実施の形態５で示す図５の場合には、発光物質を含む層が第１のバッファー層５０４、発光層５０５（発光層Ｒ（５０５ａ）、発光層Ｇ（５０５ｂ））で構成される場合について示したが、これに限らず、正孔（ホール）輸送層、電子輸送層も発光物質を含む層に含める構成とすることができる。なお、その場合に、これらの層を形成する際に用いる物質の具体例としては、実施の形態７に挙げる物質を用いることができるので、実施の形態７を参照することとし、説明を省略する。

また、図５（Ａ）に示す発光層５０５（５０５ａ発光層Ｒ、５０５ｂ発光層Ｇ）は、メタルマスク等のマスクを用いた蒸着法（真空蒸着法などの公知の成膜方法）等により、画素ごとに分割された所望の形状に形成される場合について示したものであるが、本発明の場合には、図５（Ｂ）に示すように湿式法（インクジェット法、液滴塗布法などの公知の成膜方法）等により所望の形状に形成することもできる。

湿式法を用いる場合には、発光層５０５に用いることができる物質を溶媒に溶解（または分散）させた溶液を用いる。なお、発光層に用いることができる物質としては、実施の形態７で示す物質の他に高分子系の物質（本明細書中においては、ポリマーだけでなく、オリゴマーやデンドリマー等の中程度の分子量の化合物も含む）を用いることもできる。なお、低分子系の物質を用いる場合には、成膜するときの膜質を考慮し、バインダーとなる材料（以下、バインダー物質）を含んでいても良い。

なお、高分子系の物質としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリアルキルフェニレン、ポリアセチレン誘導体等が挙げられる。

具体的には、ポリ（２，５−ジアルコキシ−１，４−フェニレンビニレン）：ＲＯ−ＰＰＶ、ポリ（２−ジアルコキシフェニル−１，４−フェニレンビニレン）：ＲＯＰｈ−ＰＰＶ、ポリ（２−メトキシ−５−（２−エチル−ヘキソキシ）−１，４−フェニレンビニレン）：ＭＥＨ−ＰＰＶ、ポリ（２，５−ジメチルオクチルシリル−１，４−フェニレンビニレン）：ＤＭＯＳ−ＰＰＶ、ポリ（２，５−ジアルコキシ−１，４−フェニレン）：ＲＯ−ＰＰＰ、ポリ（３−アルキルチオフェン）：ＰＡＴ、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）：ＰＨＴ、ポリ（３−シクロヘキシルチオフェン）：ＰＣＨＴ、ポリ（３−シクロヘキシル−４−メチルチオフェン）：ＰＣＨＭＴ、ポリ（３−［４−オクチルフェニル］−２，２’−ビチオフェン）：ＰＴＯＰＴ、ポリ（３−（４−オクチルフェニル）−チオフェン）：ＰＯＰＴ−１、ポリ（ジアルキルフルオレン）：ＰＤＡＦ、ポリ（ジオクチルフルオレン）：ＰＤＯＦ、ポリプロピルフェニルアセチレン：ＰＰＡ−ｉＰｒ、ポリブチルフェニルフェニルアセチレン：ＰＤＰＡ−ｎＢｕ、ポリヘキシルフェニルアセチレン：ＰＨＰＡ等が挙げられる。

また、これらの物質に用いる代表的な溶媒としては、トルエン、ベンゼン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロホルム、テトラリン、キシレン、アニソール、ジクロロメタン、γ−ブチルラクトン、ブチルセルソルブ、シクロヘキサン、ＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノン、ジオキサンまたは、ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）等が挙げられる。

また、バインダー物質としては、ポリビニルアルコール、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、またはフェノール樹脂等を用いることができる。

（実施の形態６）
本実施の形態では、実施の形態５とは異なる発光表示パネルの画素部７００におけるＴＦＴ、発光素子、および補助配線の構造の一例について、図７の断面図および図８の平面図を用いて説明する。ただし、図８に示す平面図は、説明を容易にするため、第１の電極７０２まで形成された状態を示しているが、図７の断面図は、図８の平面図中のＡ−Ａ’およびＢ−Ｂ’における断面図であって、第１の電極７０２上に順次積層して第２の電極７０７まで形成された状態を示している。なお、図７および図８において、共通する部分については共通の符号を用いることとする。

図７（Ａ）は、発光表示パネルの画素部の一部を示すものであり、基板７０１上に形成されるＴＦＴ（図８に示すスイッチング用ＴＦＴ７０８、電流制御用ＴＦＴ７０９）のうち、電流制御用ＴＦＴ７０９のみについて示している。

また、電流制御用ＴＦＴ７０９は、図８に示すように領域Ｄ７１５において電流供給線７１２と電気的に接続されるソース電極と、領域Ｅ７１６において第１の電極７０２と電気的に接続されたドレイン電極と、ソース領域、ドレイン領域、およびチャネル形成領域とを含む半導体領域と、ゲート電極７１７とで構成される。

なお、スイッチング用ＴＦＴ７０８は電流制御用ＴＦＴ７０９と同様の断面構造を有し、図８に示すように領域Ｂ７１３においてソース信号線７１０と電気的に接続されるソース電極７２５と、領域Ｃ７１４において電流制御用ＴＦＴ７０９のゲート電極７１７と電気的に接続されたドレイン電極７２６と、ソース領域、ドレイン領域、およびチャネル形成領域とを含む半導体領域７２７と、ゲート電極７１１とで構成される。なお、ソース電極７２５はソース信号線７１０と一体に形成されている。

また、補助配線７０３は、図８に示すようにゲート信号線７１９と平行して形成されている。領域Ｆ７１８に、第２の電極７０７を補助配線７０３に接続するための接続部７２０が形成されている。図７（Ａ）に示すように、領域Ｆ７１８において、補助配線７０３上に第１のバッファー層７０４、第２のバッファー層７０６、および第２の電極７０７が順次積層され、接続部７２０が形成される。

なお、図７（Ａ）の場合には、第１のバッファー層７０４および第２のバッファー層７０６は、微細な形状の加工を行うことなくベタ膜で形成され、各画素に共通して用いられており、発光層のみが画素ごとに分割され、所望の形状に形成される場合について示したが、実施の形態３または４で示した第１のバッファー層７０４、または第２のバッファー層７０６も発光層と同様に、画素ごとに分割した所望の微細な形状に形成する構成とすることもできる。

さらに、本実施の形態６で示す図７の場合には、発光物質を含む層が第１のバッファー層７０４、発光層７０５（発光層Ｒ（７０５ａ）、発光層Ｇ（７０５ｂ））で構成される場合について示したが、これに限らず、正孔（ホール）輸送層、電子輸送層も発光物質を含む層に含める構成とすることができる。なお、その場合に、これらの層を形成する際に用いる物質の具体例としては、実施の形態７に挙げる物質を用いることができるので、実施の形態７を参照することとし、説明を省略する。

また、図７（Ａ）に示す発光層７０５（７０５ａ発光層Ｒ、７０５ｂ発光層Ｇ）は、メタルマスク等のマスクを用いた蒸着法（真空蒸着法などの公知の成膜方法）等により、画素ごとに分割され、所望の形状に形成される場合について示したものであるが、本発明の場合には、図７（Ｂ）に示すように湿式法（インクジェット法、液滴塗布法などの公知の成膜方法）等により所望の形状に形成することもできる。

なお、湿式法を用いて発光層７０５を形成する場合に用いる物質としては、実施の形態５に示した物質を用いることができるとし、説明を省略する。

（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明において適用できる発光素子の構成について、図９を用いて説明する。すなわち、本実施の形態に示す発光素子の構成を他の実施の形態における発光素子部分に適用できるものとする。なお、図９（Ａ）〜（Ｆ）のいずれの場合も基板９０１上に形成される発光素子は、第１の電極９０２、発光物質を含む層９０３、第２の電極９０４が順次積層された構造を有する。また、本実施の形態で示す図９の場合には、基板上に薄膜トランジスタが形成されている場合も、基板９０１に含まれることとして、説明を省略する。また、本実施の形態において、第１の電極９０２は、陽極として機能し、第２の電極９０４は、陰極として機能するものとする。

図９（Ａ）の場合は、第１の電極９０２が透明導電膜で形成され、第２の電極９０４が遮光性（反射性）導電膜で形成され、発光層９０７で生じた光が第１の電極９０２側（図中の矢印の方向）から射出される構成となる。なお、この場合には、発光物質を含む層９０３は、第１の電極９０２側から第１のバッファー層９０５、発光層９０７、第２のバッファー層９０９が順次積層された構造を有する。なお、図９（Ａ）に示すように第１のバッファー層９０５と発光層９０７との間に正孔輸送層９０６を設けてもよい。さらに、発光層９０７と第２のバッファー層９０９との間に電子輸送層９０８を設けてもよい。

第１の電極９０２を形成する材料としては、透光性を有する導電性材料を用いることが好ましい。なお、透光性を有する導電性材料としては、その膜に対する可視光の透過率が４０％以上であり、かつその抵抗率が１×１０^−２Ωｃｍ以下の膜のことをいう。

なお、第１の電極９０２を形成する材料の具体例としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：ｉｎｄｉｕｍｔｉｎｏｘｉｄｅ）、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物、酸化インジウムに２〜２０［ｗｔ％］の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍｚｉｎｃｏｘｉｄｅ）等を用いることができる。

さらに、第１の電極９０２に必要な透光性を確保するために１００ｎｍ以下の薄膜で用いる場合には、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、または金属材料の窒化物、例えば、窒化チタン（ＴｉＮ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、アルカリ金属、マグネシウム（Ｍｇ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（Ｍｇ：Ａｇ、Ａｌ：Ｌｉ）等を用いることもできる。

なお、図９（Ａ）の場合には、第１の電極９０２に接して第１のバッファー層９０５が設けられていることから、一般に仕事関数の小さい材料として知られるアルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、アルカリ金属、マグネシウム（Ｍｇ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（Ｍｇ：Ａｇ、Ａｌ：Ｌｉ）等も用いることができる。これは、第１のバッファー層９０５を設けることにより幅広い範囲の仕事関数を有する電極材料に対してのオーム接触が可能となるためである。

また、第２の電極９０４を形成する材料としては、遮光性（反射性）を有する導電性材料を用いることが好ましい。なお、遮光性を有する導電性材料としては、その膜に対する可視光の透過率が１０％未満であり、かつその抵抗率が１×１０^−２Ωｃｍ以下の膜のことをいう。また、反射性を有する導電性材料としては、その膜に対する可視光の反射率が４０％〜１００％、好ましくは７０％〜１００％であり、かつその抵抗率が１×１０^−２Ωｃｍ以下の膜のことをいう。

なお、第２の電極９０４を形成する材料の具体例としては、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、または金属材料の窒化物、例えば窒化チタン（ＴｉＮ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、アルカリ金属、マグネシウム（Ｍｇ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（Ｍｇ：Ａｇ、Ａｌ：Ｌｉ）等が挙げられる。

さらに、第２の電極９０４に必要な遮光性（反射性）を確保するために他の遮光性（反射性）を有する材料と組み合わせて用いる場合には、透光性材料であるＩＴＯ、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物、ＩＺＯ等を用いることもできる。

なお、図９（Ａ）の場合には、第２の電極９０４に接して第２のバッファー層９０９が設けられていることから、一般に仕事関数の大きい材料として知られるＩＴＯ、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物、ＩＺＯ等も用いることができる。これは、第２のバッファー層９０９を設けることにより幅広い範囲の仕事関数を有する電極材料に対してのオーム接触が可能となるためである。

第１のバッファー層９０５には、正孔輸送性を示す物質として、発光素子用の第１の複合材料を用いることができる。なお、本発明において、発光素子用の第１の複合材料とは、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素（ビニル骨格を少なくとも一つ含む芳香族炭化水素を含む）のうちのいずれかと、金属化合物との組み合わせで構成される。

芳香族アミン化合物としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｍ−トリルアミノ）フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ，Ｎ−ジ（ｍ−トリル）アミノ］ベンゼン（略称：ｍ−ＭＴＤＡＢ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（略称：ＴＣＴＡ）、２，３−ビス（４−ジフェニルアミノフェニル）キノキサリン（略称：ＴＰＡＱｎ）、２，２’，３，３’−テトラキス（４−ジフェニルアミノフェニル）−６，６’−ビスキノキサリン（略称：Ｄ−ＴｒｉＰｈＡＱｎ）、２，３−ビス｛４−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］フェニル｝−ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：ＮＰＡＤｉＢｚＱｎ）等が挙げられる。

また、カルバゾール誘導体としては、下記一般式（１）で示されるものが挙げられる。なお、具体例としては、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）等が挙げられる。この構造を有するカルバゾール誘導体を用いた発光素子用の複合材料は熱的安定性に優れ、信頼性が良い。

（式中、Ｒ^１およびＲ^３は、それぞれ同一でも異なっていてもよく、水素、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数６〜２５のアリール基、炭素数５〜９のヘテロアリール基、アリールアルキル基、炭素数１〜７のアシル基のいずれかを表し、Ａｒ^１は、炭素数６〜２５のアリール基、炭素数５〜９のヘテロアリール基のいずれかを表し、Ｒ^２は、水素、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^４は、水素、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、一般式（２）で示される置換基のいずれかを表し、一般式（２）で示される置換基において、Ｒ^５は、水素、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数６〜２５のアリール基、炭素数５〜９のヘテロアリール基、アリールアルキル基、炭素数１〜７のアシル基のいずれかを表し、Ａｒ^２は、炭素数６〜２５のアリール基、炭素数５〜９のヘテロアリール基のいずれかを表し、Ｒ^６は、水素、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基のいずれかを表す。）

また、下記一般式（３）乃至（６）のいずれかで示されるようなカルバゾール誘導体も用いることができる。下記一般式（３）乃至（６）のいずれかで表されるカルバゾール誘導体の具体例としては、Ｎ−（２−ナフチル）カルバゾール（略称：ＮＣｚ）、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、９，１０−ビス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］アントラセン（略称：ＢＣＰＡ）、３，５−ビス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ビフェニル（略称：ＢＣＰＢｉ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）等を挙げることができる。

式中Ａｒは炭素数６〜４２の芳香族炭化水素基を表し、ｎは１〜３の自然数を表し、Ｒ^１、Ｒ^２は水素、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜１２のアリール基を表す。

ただし、式中Ａｒは炭素数６〜４２の１価の芳香族炭化水素基を表し、Ｒ^１、Ｒ^２は水素、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜１２のアリール基を表す。

ただし、式中Ａｒは炭素数６〜４２の２価の芳香族炭化水素基を表し、Ｒ^１〜Ｒ^４は水素、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜１２のアリール基を表す。

ただし、式中Ａｒは炭素数６〜４２の３価の芳香族炭化水素基を表し、Ｒ^１〜Ｒ^６は水素、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜１２のアリール基を表す。

また、芳香族炭化水素（ビニル骨格を少なくとも一つ含む芳香族炭化水素を含む）としては、アントラセン、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、テトラセン、ルブレン、ペンタセン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。

また、上記金属化合物としては、遷移金属の酸化物や窒化物が望ましく、４〜８族に属する金属の酸化物もしくは窒化物がさらに望ましい。また、上述した芳香族アミン、カルバゾール誘導体、および芳香族炭化水素（ビニル骨格を少なくとも一つ含む芳香族炭化水素を含む）のいずれに対しても電子受容性を示すものが好ましい。このような金属化合物として、例えば、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、レニウム酸化物等が挙げられる。この他、チタン酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、タングステン酸化物、銀酸化物等の金属化合物を用いることもできる。

なお、第１のバッファー層９０５において、金属化合物は、芳香族アミン、カルバゾール誘導体、および芳香族炭化水素（ビニル骨格を少なくとも一つ含む芳香族炭化水素を含む）のいずれを用いた場合でもこれらに対して質量比が０．５〜２、若しくはモル比が１〜４（＝金属化合物／芳香族炭化水素）となるように含まれていることが好ましい。このように第１のバッファー層９０５において、金属化合物を、芳香族アミン、カルバゾール誘導体、および芳香族炭化水素（ビニル骨格を少なくとも一つ含む芳香族炭化水素を含む）のいずれかと混合することにより結晶化しやすい傾向にあるこれらの物質の結晶化を抑えることができる。

また、上述した金属化合物の中でも特にモリブデン酸化物は、単体で層にしたときに結晶化し易いが、芳香族アミン、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素（ビニル骨格を少なくとも一つ含む芳香族炭化水素を含む）のうちのいずれかと混合することによって、同様に結晶化を抑えることができる。従って、第１のバッファー層９０５は、複数の材料を混合することにより互いの結晶化が阻害されるため、結晶化し難い層であるといえる。なお、第１のバッファー層９０５は、導電率が高いことから５０ｎｍ以上の膜厚とすることができる。

発光層９０７は、少なくとも一種の発光物質を含んでいる。ここでいう発光物質とは、発光効率が良好で、所望の波長の発光をし得る物質である。発光層は、発光物質のみから形成された層であってもよいが、発光物質の有するエネルギーギャップ（ＬＵＭＯ準位とＨＯＭＯ準位との間のエネルギーギャップをいう。）よりも大きいエネルギーギャップを有する物質からなる層中に、発光物質が分散するように混合された層（いわゆる、ホストとゲストの関係にある物質をそれぞれ含む層）であっても良い。なお、発光層において、ホストとして機能する発光物質（ホスト物質ともいう）にゲストとして機能する発光物質（ゲスト物質ともいう）を分散して存在させることにより、発光が濃度に起因して消光してしまうことを防ぐこともできる。

なお、発光層９０７に用いることができる具体的な発光物質としては、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（以下、Ａｌｑ_３と示す）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（以下、Ａｌｍｑ_３と示す）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］−キノリナト）ベリリウム（以下、ＢｅＢｑ_２と示す）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（以下、ＢＡｌｑと示す）、ビス［２−（２’−ヒドロキシフェニル）−ベンゾオキサゾラト］亜鉛（以下、Ｚｎ（ＢＯＸ）_２と示す）、ビス［２−（２’−ヒドロキシフェニル）−ベンゾチアゾラト］亜鉛（以下、Ｚｎ（ＢＴＺ）_２と示す）、４−（ジシアノメチレン）−２−イソプロピル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン（以下、ＤＣＪＴＩと示す）、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン（以下、ＤＣＪＴと示す）、４−（ジシアノメチレン）−２−ｔｅｒｔ−ブチル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン（以下、ＤＣＪＴＢと示す）やペリフランテン、１，４−ビス［２−（１０−メトキシ）−１，１，７，７−テトラメチルジュロリジン−９−イル）エテニル］−２，５−ジシアノベンゼン、Ｎ，Ｎ’−ジメチルキナクリドン（以下、ＤＭＱｄと示す）、クマリン６やクマリン５４５Ｔ、９，１０−ジ（２−ナフチル）−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（以下、ｔ−ＢｕＤＮＡと示す）、９，９’−ビアントリル、９，１０−ジフェニルアントラセン（以下、ＤＰＡと示す）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（以下、ＤＮＡと示す）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニルフェノラト−ガリウム（以下、ＢＧａｑと示す）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（以下、ＢＡｌｑと示す）、トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（以下、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３と示す）、（２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリナト）白金（以下、ＰｔＯＥＰと示す）、ビス｛２−［３’，５’−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’｝イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（以下、Ｉｒ（ＣＦ_３ｐｐｙ）_２（ｐｉｃ）と示す）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（以下、ＦＩｒ（ａｃａｃ）と示す）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（以下、ＦＩｒ（ｐｉｃ）と示す）、などの各種発光物質が有効である。

なお、ホスト物質とゲスト物質とを組み合わせて発光層を形成する場合には、上述した発光物質と以下に示すようなホスト物質とを組み合わせて形成すればよい。

具体的なホスト物質としては、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（以下、Ａｌｑ_３と示す）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（以下、Ａｌｍｑ_３と示す）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］−キノリナト）ベリリウム（以下、ＢｅＢｑ_２と示す）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（以下、ＢＡｌｑと示す）、ビス［２−（２’−ヒドロキシフェニル）−ベンゾオキサゾラト］亜鉛（以下、Ｚｎ（ＢＯＸ）_２と示す）、ビス［２−（２’−ヒドロキシフェニル）−ベンゾチアゾラト］亜鉛（以下、Ｚｎ（ＢＴＺ）_２と示す）、９，１０−ジ（２−ナフチル）−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（以下、ｔ−ＢｕＤＮＡと示す）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（以下、ＤＮＡと示す）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニルフェノラト−ガリウム（以下、ＢＧａｑと示す）、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（以下、ＣＢＰと示す）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（以下、ＴＣＴＡと示す）、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）−トリス（１−フェニル−１Ｈ −ベンゾイミダゾール）（以下、ＴＰＢｉと示す）、ＴＰＡＱｎ等を用いることができる。

また、第２のバッファー層９０９には、発光素子用の第２の複合材料を用いることができる。本発明における発光素子用の第２の複合材料とは、電子輸送性物質およびバイポーラ性物質から選ばれる少なくとも一の物質と、これらの物質に対し電子供与性を示す物質（ドナー）との組み合わせで構成される。電子輸送性物質およびバイポーラ性物質としては、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が好ましい。

なお、電子輸送性物質およびバイポーラ性物質については、それぞれ、後述する電子輸送層９０８についての説明で示す材料を用いることができる。さらに、電子輸送性物質およびバイポーラ性物質の中から、電子輸送層９０８の形成に用いる物質よりも電子親和力が大きい物質を選択することが好ましい。

また、電子供与性を示す物質（ドナー）としては、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の中から選ばれた物質、具体的にはリチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、マグネシウム（Ｍｇ）等のアルカリ金属やアルカリ土類金属を用いることができる。さらに、アルカリ金属酸化物およびアルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属窒化物、アルカリ土類金属窒化物、アルカリ金属フッ化物、アルカリ土類金属フッ化物等のアルカリ金属またはアルカリ土類金属の化合物、具体的にはリチウム酸化物（Ｌｉ_２Ｏ）、カルシウム酸化物（ＣａＯ）、ナトリウム酸化物（Ｎａ_２Ｏ）、カリウム酸化物（Ｋ_２Ｏ）、マグネシウム酸化物（ＭｇＯ）、リチウム窒化物（ＬｉＮ_ｘ）、マグネシウム窒化物（ＭｇＮ_ｘ）、カルシウム窒化物（ＣａＮ_ｘ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）等の物質も電子供与性を示す物質として用いることができる。

また、第２のバッファー層９０９は、上述した電子供与性を示す物質（ドナー）のみで形成しても良い。

正孔輸送層９０６は、正孔の輸送性に優れた層であり、特に１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を示す正孔輸送性物質またはバイポーラ性物質を用いて形成することが好ましい。なお、正孔輸送性物質とは、電子よりも正孔の移動度が高い物質であり、好ましくは電子の移動度に対する正孔の移動度の比の値（＝正孔移動度／電子移動度）が１００よりも大きい物質をいう。

正孔輸送性物質としては、例えば芳香族アミン系（すなわち、ベンゼン環−窒素の結合を有するもの）の化合物が好適である。広く用いられている物質として、例えば、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（以下、ＴＰＤと示す）の他、その誘導体である４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェニル（以下、ＮＰＢと示す）や、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−カルバゾリル）−トリフェニルアミン（以下、ＴＣＴＡと示す）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（以下、ＴＤＡＴＡと示す）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（以下、ＭＴＤＡＴＡと示す）などのスターバースト型芳香族アミン化合物が挙げられる。

また、バイポーラ性物質とは、電子の移動度と正孔の移動度とを比較したときに、一方のキャリアの移動度に対する他方のキャリアの移動度の比の値が１００以下、好ましくは１０以下である物質をいう。バイポーラ性の物質として、例えば、２，３−ビス（４−ジフェニルアミノフェニル）キノキサリン（略称：ＴＰＡＱｎ）、２，３−ビス｛４−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］フェニル｝−ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：ＮＰＡＤｉＢｚＱｎ）等が挙げられる。バイポーラ性の物質の中でも特に、正孔及び電子の移動度が１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の物質を用いることが好ましい。

電子輸送層９０８は、電子の輸送性に優れた層であり、特に１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を示す電子輸送性物質またはバイポーラ性物質を用いて形成することが好ましい。なお、電子輸送性物質とは、正孔よりも電子の移動度が高い物質であり、好ましくは正孔の移動度に対する電子の移動度の比の値（＝電子移動度／正孔移動度）が１００よりも大きい物質をいう。

具体的な電子輸送性物質としては、先に述べたＡｌｑ_３、Ａｌｍｑ_３、ＢｅＢｑ_２などのキノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体や、混合配位子錯体であるＢＡｌｑなどが好適である。また、Ｚｎ（ＢＯＸ）_２、Ｚｎ（ＢＴＺ）_２などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体もある。さらに、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（以下、ＰＢＤと示す）、１，３−ビス［５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（以下、ＯＸＤ−７と示す）などのオキサジアゾール誘導体、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（以下、ＴＡＺと示す）、３−（４−ビフェニリル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（以下、ｐ−ＥｔＴＡＺと示す）などのトリアゾール誘導体、バソフェナントロリン（以下、ＢＰｈｅｎと示す）、バソキュプロイン（以下、ＢＣＰと示す）等のフェナントロリン誘導体、その他、４，４−ビス（５−メチルベンズオキサゾリル−２−イル）スチルベン（以下、ＢｚＯｓと示す）等を用いることができる。なお、バイポーラ性物質としては、上述した材料を用いることができる。

図９（Ｂ）の場合は、第２の電極９０４が透明導電膜で形成され、第１の電極９０２が遮光性（反射性）導電膜で形成され、発光層９０７で生じた光が第２の電極９０４側（図中の矢印の方向）から射出される構成となる。なお、この場合も発光物質を含む層９０３を構成する各層の積層構成は、図９（Ａ）と同様の構造を有する。また、図９（Ｂ）において、第１の電極９０２および第２の電極９０４以外（発光物質を含む層９０３に含まれる各層）で、図９（Ａ）と同一の番号で示される層には、同一の材料を用いて形成することができるものとし、説明を省略する。

図９（Ｂ）の第１の電極９０２を形成する材料としては、遮光性（反射性）を有する導電性材料を用いることが好ましい。

なお、第１の電極９０２を形成する材料の具体例としては、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、または金属材料の窒化物、例えば窒化チタン（ＴｉＮ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、アルカリ金属、マグネシウム（Ｍｇ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（Ｍｇ：Ａｇ、Ａｌ：Ｌｉ）等を用いることができる。さらに、第１の電極９０２に必要な遮光性（反射性）を確保するために遮光性（反射性）を有する材料と積層して用いる場合には、ＩＴＯ、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物、ＩＺＯ等を用いることができる。

なお、図９（Ｂ）の場合には、第１の電極９０２に接して第１のバッファー層９０５が設けられていることから、一般に仕事関数の小さい材料として知られるアルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、アルカリ金属、マグネシウム（Ｍｇ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（Ｍｇ：Ａｇ、Ａｌ：Ｌｉ）等も用いることができる。これは、第１のバッファー層９０５を設けることにより幅広い範囲の仕事関数を有する電極材料に対してのオーム接触が可能となるためである。

また、第２の電極９０４を形成する材料としては、透光性を有する導電性材料を用いることが好ましい。第２の電極９０４を形成する材料の具体例としては、ＩＴＯ、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物、ＩＺＯ等を用いることができる。また、第２の電極９０４に必要な透光性を確保するために１００ｎｍ以下の薄膜で用いる場合には、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、または金属材料の窒化物、例えば窒化チタン（ＴｉＮ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、アルカリ金属、マグネシウム（Ｍｇ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（Ｍｇ：Ａｇ、Ａｌ：Ｌｉ）等を用いることができる。

図９（Ｃ）の場合は、第１の電極９０２および第２の電極９０４が透明導電膜で形成され、発光層９０７で生じた光が第１の電極９０２側と、第２の電極９０４側の両側（図中の矢印の方向）から射出される構成となる。なお、この場合も発光物質を含む層９０３を構成する各層の積層構成は、図９（Ａ）と同様の構造を有する。また、図９（Ｃ）において、第２の電極９０４以外（第１の電極９０２および発光物質を含む層９０３に含まれる各層）で、図９（Ａ）と同一の番号で示される層、もしくは電極には、同一の材料を用いて形成することができるものとし、説明を省略する。

図９（Ｄ）の場合は、第１の電極９０２が透明導電膜で形成され、第２の電極９０４が遮光性（反射性）導電膜で形成され、発光層９０７で生じた光が第１の電極９０２側（図中の矢印の方向）から射出される構成となる。なお、この場合には、図９（Ａ）〜（Ｃ）に示した場合と異なり、発光物質を含む層９０３は、第１の電極９０２側から第２のバッファー層９０９、発光層９０７、第１のバッファー層９０５が順次積層された構造を有する。なお、図９（Ｄ）に示すように第２のバッファー層９０９と発光層９０７との間に電子輸送層９０８を設けても良い。さらに、発光層９０７と第１のバッファー層９０５との間に正孔輸送層９０６を設けてもよい。

また、図９（Ｄ）において、図９（Ａ）と同一の番号で示される層、もしくは電極には、同一の材料を用いて形成することができるものとし、説明を省略する。

図９（Ｅ）の場合は、第２の電極９０４が透明導電膜で形成され、第１の電極９０２が遮光性（反射性）導電膜で形成され、発光層９０７で生じた光が第２の電極９０４側（図中の矢印の方向）から射出される構成となる。なお、この場合も発光物質を含む層９０３を構成する各層の積層構成は、図９（Ｄ）と同様の構造を有する。また、図９（Ｅ）において、図９（Ｂ）と同一の番号で示される層、もしくは電極には、同一の材料を用いて形成することができるものとし、説明を省略する。

図９（Ｆ）の場合は、第１の電極９０２および第２の電極９０４が透明導電膜で形成され、発光層９０７で生じた光が第１の電極９０２側と、第２の電極９０４側の両側（図中の矢印の方向）から射出される構成となる。なお、この場合も発光物質を含む層９０３を構成する各層の積層構成は、図９（Ｄ）と同様の構造を有する。また、図９（Ｆ）において、図９（Ｃ）と同一の番号で示される層、もしくは電極には、同一の材料を用いて形成することができるものとし、説明を省略する。

（実施の形態８）
本実施形態では、表示パネルの一例として、発光表示パネルの外観について、図１０を用いて説明する。図１０（Ａ）は、第１の基板と、第２の基板との間を第１のシール材１００５によって封止されたパネルの上面図であり、図１０（Ｂ）は、図１０（Ａ）のＡ−Ａ’、Ｂ−Ｂ’における断面図に相当する。

図１０（Ａ）において、点線で示された１００１はソース側駆動回路、１００２は画素部、１００３はゲート側駆動回路である。また、１００４は基板、１００５はシール材であり、シール材１００５で囲まれた内側は、空間になっている。また、シール材としては、粘性の高いエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。なお、シール材は、できるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。

なお、１０３６はソース側駆動回路１００１及びゲート側駆動回路１００３に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）１００９からビデオ信号やクロック信号を受け取る。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、外部電源と電気的に接続されている。

次に、断面構造について図１０（Ｂ）を用いて説明する。基板１０１０上には駆動回路及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路としてソース側駆動回路１００１とゲート側駆動回路１００３が示されている。

なお、ソース側駆動回路１００１、ゲート側駆動回路１００３はｎチャネル型ＴＦＴ１０１３とｐチャネル型ＴＦＴ１０１４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される。また、駆動回路はＴＦＴを用いて、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバ一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、基板上ではなく外部に形成することもできる。

また、画素部１００２は、ソース側駆動回路からの映像信号が入力されるスイッチング用ＴＦＴ１０１１と、スイッチング用ＴＦＴ１０１１と接続され、かつ発光素子の輝度を制御する機能を有する電流制御用ＴＦＴ１０１２と、電流制御用ＴＦＴ１０１２のドレインに電気的に接続された第１の電極（陽極）１００６を含む複数の画素により形成される。

また、これらのＴＦＴ１０１３、１０１４、１０１１、１０１２の層間絶縁膜１０２３としては、無機材料（酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコンなど）、有機材料（ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテン、またはシロキサンポリマー）を主成分とする材料を用いて形成することができる。

また、第１の電極１００６の両端には絶縁物（バンク、隔壁、障壁、土手などと呼ばれる）１０２４が形成される。絶縁物１０２４に形成する膜の被覆率（カバレッジ）を良好なものとするため、絶縁物１０２４の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。また、第１の電極１００６上には、第１のバッファー層１０２５、発光層１０２６、第２のバッファー層１０２７等を順次積層してなる発光物質を含む層１０１５が形成される。なお、発光物質を含む層１０１５には、さらに正孔輸送層や電子輸送層が含まれる構成としても良い。さらに、発光物質を含む層１０１５上には第２の電極１０１６が形成される。これにより、第１の電極（陽極）１００６、発光物質を含む層１０１５、及び第２の電極（陰極）１０１６からなる発光素子１０１８が形成される。なお、本実施の形態に示す発光物質を含む層１０１５には、他の実施の形態において発光物質を含む層に用いることができるとして示した材料を用いることができる。また、本実施の形態の場合、発光素子１０１８は、基板１０１０側に発光する。

また、各ＴＦＴ（１０１３、１０１４、１０１１、１０１２）のソース電極・ドレイン電極と同じ層に補助配線１００８、１０３８が形成される。補助配線１００８は、第２の接続領域１０１９で第２の電極１０１６と電気的に接続されており、補助配線１０３８は、接続領域１０３４で、第１のバッファー層１０２５および第２のバッファー層１０２７を挟んで、第２の電極１０１６と電気的に接続される。

また、補助配線１０３５は、接続配線１０３６と電気的に接続されており、ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）１００９を介して外部電源と電気的に接続されている。なお、接続配線１０３６とＦＰＣ１００９とは、異方性導電膜（又は異方性導電樹脂）１０３７を介して電気的に接続されている。また、接続配線１０３６は、ソース側駆動回路１００１及びゲート側駆動回路１００３に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ１００９から、ビデオ信号やクロック信号を受け取る。

また、基板１０１０上に形成された発光素子１０１８を封止するためにシール材１００５により基板１００４が貼り合わされている。なお、基板１００４と発光素子１０１８との間隔を確保するために樹脂膜からなるスペーサを設けても良い。そして、シール材１００５の内側の空間には窒素等の不活性気体が充填されている。

なお、基板１０１０の一部には、凹みが形成され、乾燥剤１０３３が備えられており、封止された空間の内部に存在する水分を吸収させることができる。乾燥剤１０３３としては、酸化カルシウム（ＣａＯ）や酸化バリウム（ＢａＯ）等のようなアルカリ土類金属の酸化物のような化学吸着によって水（Ｈ_２Ｏ）を吸着する物質を用いるのが好ましい。但し、これに限らずゼオライトやシリカゲル等の物理吸着によって水を吸着する物質を用いても構わない。

以上のようにして発光素子を空間に封入して発光表示パネルを形成することにより、発光素子を外部から完全に遮断することができ、外部から水分や酸素等の有機化合物層の劣化を促す物質が侵入することを防ぐことができる。なお、ここで示した発光表示パネルに電源回路、コントローラ等の外部回路を接続することにより、発光表示モジュールを形成することが可能である。

なお、実施形態１乃至実施形態７のいずれをも本実施形態に適用することができる。

（実施の形態９）
本実施の形態では、本発明の発光表示パネルにおける駆動回路の実装方法について、図１１を用いて説明する。

図１１（Ａ）の場合には、画素部１１０１の周辺にソース側駆動回路１１０２、及びゲート側駆動回路１１０３ａ、１１０３ｂを実装される。すなわち、公知の異方性導電接着剤、及び異方性導電フィルムを用いた実装方法、ＣＯＧ方式、ワイヤボンディング方法、並びに半田バンプを用いたリフロー処理等により基板１１００上にＩＣチップ１１０５を実装することで、ソース側駆動回路１１０２、及びゲート側駆動回路１１０３ａ、１１０３ｂ等が実装される。なお、ＩＣチップ１１０５は、ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）１１０６を介して、外部回路と接続される。

なお、ソース側駆動回路１１０２の一部、例えばアナログスイッチを基板上に一体形成し、かつその他の部分を別途ＩＣチップで実装してもよい。

また、図１１（Ｂ）の場合には、画素部１１０１とゲート側駆動回路１１０３ａ、１１０３ｂ等が基板上に一体形成され、ソース側駆動回路１１０２等が別途ＩＣチップで実装される。すなわち、ＣＯＧ方式などの実装方法により、画素部１１０１とゲート側駆動回路１１０３ａ、１１０３ｂ等が一体形成された基板１１００上にＩＣチップ１１０５を実装することで、ソース側駆動回路１１０２等が実装される。なお、ＩＣチップ１１０５は、ＦＰＣ１１０６を介して、外部回路と接続される。

さらに、図１１（Ｃ）の場合には、ＴＡＢ方式によりソース側駆動回路１１０２等が実装される。なお、ＩＣチップ１１０５は、ＦＰＣ１１０６を介して、外部回路と接続される。図１１（Ｃ）の場合には、ソース側駆動回路１１０２等をＴＡＢ方式により実装しているが、ゲート側駆動回路等をＴＡＢ方式により実装してもよい。

ＩＣチップ１１０５をＴＡＢ方式により実装すると、基板に対して画素部を大きく設けることができ、狭額縁化を達成することができる。

また、ＩＣチップ１１０５の代わりにガラス基板上にＩＣを形成したＩＣ（以下、ドライバＩＣと表記する）を設けてもよい。ＩＣチップ１１０５は、円形のシリコンウェハからＩＣチップを取り出すため、母体基板形状に制約がある。一方ドライバＩＣは、母体基板がガラスであり、形状に制約がないため、生産性を高めることができる。そのため、ドライバＩＣの形状寸法は自由に設定することができる。例えば、ドライバＩＣの長辺の長さを１５〜８０ｍｍとして形成すると、ＩＣチップを実装する場合と比較し、必要な数を減らすことができる。その結果、接続端子数を低減することができ、製造上の歩留まりを向上させることができる。

ドライバＩＣは、基板上に形成された結晶質半導体を用いて形成することができ、結晶質半導体は連続発振型のレーザ光を照射することで形成するとよい。連続発振型のレーザ光を照射して得られる半導体膜は、結晶欠陥が少なく、大粒径の結晶粒を有する。その結果、このような半導体膜を有するトランジスタは、移動度や応答速度が良好となり、高速駆動が可能となり、ドライバＩＣに好適である。

（実施の形態１０）
本発明の発光装置を備えた電子機器として、テレビジョン装置（単にテレビ、又はテレビジョン受信機ともよぶ）、デジタルカメラやデジタルビデオカメラ等のカメラ、携帯電話装置（単に携帯電話機、携帯電話ともよぶ）、ＰＤＡ等の携帯情報端末、携帯型ゲーム機、コンピュータ用のモニター、コンピュータ、カーオーディオ等の音響再生装置、家庭用ゲーム機等の記録媒体を備えた画像再生装置等が挙げられる。その好ましい形態について、図１２を参照して説明する。

図１２（Ａ）に示すテレビジョン装置は、本体８００１、表示部８００２等を含んでいる。表示部８００２は、本発明の発光装置を適用することができる。なお、本発明の発光装置では、発光表示パネルの画素部にも発光素子の第２の電極と電気的に接続された補助配線が形成されている為、各画素の発光素子に対して印加される電圧のばらつきを押さえることができる。これにより、画素部における画素間での輝度ムラを防ぐことができるため優れた画像表示が実現可能なテレビジョン装置を提供することができる。

図１２（Ｂ）に示す携帯情報端末機器は、本体８１０１、表示部８１０２等を含んでいる。表示部８１０２は、本発明の発光装置を適用することができる。なお、本発明の発光装置では、発光表示パネルの画素部にも発光素子の第２の電極と電気的に接続された補助配線が形成されている為、各画素の発光素子に対して印加される電圧のばらつきを押さえることができる。これにより、画素部における画素間での輝度ムラを防ぐことができるため優れた画像表示が実現可能な携帯情報端末機器を提供することができる。

図１２（Ｃ）に示すデジタルビデオカメラは、本体８２０１、表示部８２０２等を含んでいる。表示部８２０２は本発明の発光装置を適用することができる。なお、本発明の発光装置では、発光表示パネルの画素部にも発光素子の第２の電極と電気的に接続された補助配線が形成されている為、各画素の発光素子に対して印加される電圧のばらつきを押さえることができる。これにより、画素部における画素間での輝度ムラを防ぐことができるため優れた画像表示が実現可能なデジタルビデオカメラを提供することができる。

図１２（Ｄ）に示す携帯電話機は、本体８３０１、表示部８３０２等を含んでいる。表示部８３０２は、本発明の発光装置を適用することができる。なお、本発明の発光装置では、発光表示パネルの画素部にも発光素子の第２の電極と電気的に接続された補助配線が形成されている為、各画素の発光素子に対して印加される電圧のばらつきを押さえることができる。これにより、画素部における画素間での輝度ムラを防ぐことができるため優れた画像表示が実現可能な携帯電話機を提供することができる。

図１２（Ｅ）に示す携帯型のテレビジョン装置は、本体８４０１、表示部８４０２等を含んでいる。表示部８４０２は、本発明の発光装置を適用することができる。なお、本発明の発光装置では、発光表示パネルの画素部にも発光素子の第２の電極と電気的に接続された補助配線が形成されている為、各画素の発光素子に対して印加される電圧のばらつきを押さえることができる。これにより、画素部における画素間での輝度ムラを防ぐことができるため優れた画像表示が実現可能な携帯型のテレビジョン装置を提供することができる。またテレビジョン装置としては、携帯電話機などの携帯端末に搭載する小型のものから、持ち運びをすることができる中型のもの、また、大型のもの（例えば４０インチ以上）まで、幅広いものに、本発明の発光装置を適用することができる。

このように、画素部における画素間での輝度ムラを防ぐことができる本発明の発光装置をその表示部に用いることにより、優れた画像表示が実現可能な電子機器を提供することができる。

本発明の発光表示パネルは、その画素部に発光素子と、一対の導電体（本明細書中に記載の補助配線と第２の電極）の間にバッファー層（本明細書中に記載の第１のバッファー層、または第２のバッファー層のいずれか一方、または両方）を挟んでなる第１の接続部が形成されており、また、その周辺部には一対の導電体間にバッファー層を挟まない構造の第２の接続部が形成されている。

なお、発光素子の一部に含まれる第２の電極は、補助配線と電気的に接続され、第２の電極に印加される電圧は補助配線を介して外部から与えられる。従って、補助配線と第２の電極との間の電気的な接続が不十分であると、第２の電極に対して十分な電圧が印加されないため、発光素子の素子特性が悪くなってしまう。

そこで、本実施例では、図１３に示す素子（発光素子、第１の接続部、および第２の接続部の構造が含まれる素子）を作製し、第１の接続部を用いた場合（すなわち、第１の接続部から発光素子の第２の電極へ電圧を印加した場合）について、発光素子の素子特性を測定した。

まず、図１３に示す素子の構造、および作製方法について説明する。図１３に示す素子は、基板１３０１上に発光素子の第１の電極１３０２、第１の補助配線１３０３、第２の補助配線１３０４が形成される。なお、本実施例では、第１の電極１３０２は陽極として機能する。第１の電極１３０２および第１の補助配線１３０３には、透明導電膜であるＩＴＯを用い、スパッタリング法により１１０ｎｍの膜厚で形成する。また、第２の補助配線１３０４には、Ａｌ膜（３００ｎｍ）上にＴｉ膜（１００ｎｍ）を積層した積層膜を用い、スパッタリング法により形成する。なお、ここで用いるスパッタリング法としては、２極スパッタ法、イオンビームスパッタ法、または対向ターゲットスパッタ法等がある。また、第１の電極１３０２、第１の補助配線１３０３、および第２の補助配線１３０４の大きさは２ｍｍ×２ｍｍとする。

第１の電極（陽極）１３０２上には、発光物質を含む層が形成される。なお、本実施例における発光物質を含む層は、第１の電極１３０２側から第１のバッファー層１３０５、正孔輸送層１３０６、発光層１３０７、電子輸送層１３０８、第２のバッファー層１３０９を含む積層構造を有している。

また、図１３（Ａ）〜（Ｃ）には、一部の積層構造がそれぞれ異なる素子を示している。図１３（Ａ）〜（Ｃ）において、発光素子１３００と第２の接続部１３１２は、積層構造が共通であり、第１の接続部１３１１、１３２１、１３３１の積層構造が異なっている。発光素子１３００は、第１の電極１３０２、第１のバッファー層１３０５、正孔輸送層１３０６、発光層１３０７、電子輸送層１３０８、および第２の電極１３１０が積層された積層構造である。また、第２の接続部１３１２は、第２の補助配線１３０４、第２の電極１３１０が積層する積層構造である。

なお、図１３（Ａ）の第１の接続部１３１１は、第１の補助配線１３０３上に第１のバッファー層１３０５、および第２のバッファー層１３０９が積層されて形成されている。また、図１３（Ｂ）の第１の接続部１３２１は、第１の補助配線１３０３上に第２のバッファー層１３０９、第２の電極１３１０が積層されて形成されている。図１３（Ｃ）の第１の接続部１３３１は、第１の補助配線１３０３上に第１のバッファー層１３０５、第２の電極１３１０が積層されて形成されている。なお、図１３（Ａ）〜（Ｃ）は、いずれも第１の電極１３０２上のみに正孔輸送層１３０６、発光層１３０７、および電子輸送層１３０８が形成された構造を有する。

第１の電極１３０２、第１の補助配線１３０３、および第２の補助配線１３０４が形成された基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに第１の電極１３０２等が形成された面を下方にして固定し、真空蒸着装置の内部に備えられた蒸発源の一方にＤＮＴＰＤを入れ、他方に金属化合物としてモリブデン酸化物を入れ、抵抗加熱法を用いた共蒸着法により１２０ｎｍの膜厚で第１のバッファー層１３０５を形成する。なお、ここで形成される第１のバッファー層１３０５におけるＤＮＴＰＤとモリブデン酸化物との重量比は１：０．５（モル比は、１：１．８）（＝ＤＮＴＰＤ：モリブデン酸化物）となるようにする。

図１３（Ａ）、図１３（Ｃ）の素子を形成する場合には、第１のバッファー層１３０５は、第１の電極１３０２および第１の補助配線１３０３上の所望の位置に形成されるようにマスクを用いて成膜される。また、図１３（Ｂ）の素子を形成する場合には、第１のバッファー層１３０５は、第１の電極１３０２上の所望の位置に形成されるようにマスクを用いて成膜される。

次に正孔輸送性に優れた材料により正孔輸送層１３０６を形成する。ここでは、正孔輸送性に優れた材料としてＮＰＢを、抵抗加熱法を用いた蒸着法により、１０ｎｍの膜厚で形成する。なお、ここで正孔輸送層１３０６は、第１の電極１３０２上の所望の位置に形成されるようにマスクを用いて成膜される。

次に発光層１３０７が形成される。なお、発光層１３０７において正孔と電子が再結合し、発光を生じる。ここでは、Ａｌｑ_３とクマリン６とをバッファー層と同様の共蒸着法により４０ｎｍの膜厚で形成する。なお、Ａｌｑ_３とクマリン６との重量比は、１：０．０１（モル比は、１：０．０１３）（＝Ａｌｑ_３：クマリン６）となるようにした。これによって、クマリン６はＡｌｑ_３からなる層の中に分散して含まれた状態となる。なお、発光層１３０７も第１の電極１３０２上の所望の位置に形成されるようにマスクを用いて成膜される。

次に、電子輸送層１３０８が形成される。なお、電子輸送層１３０８は、Ａｌｑ_３を正孔輸送層１３０６と同様の蒸着法により１５ｎｍの膜厚で形成する。なお、電子輸送層１３０８も第１の電極１３０２上の所望の位置に形成されるようにマスクを用いて成膜される。

次に、第２のバッファー層１３０９が形成される。なお、第２のバッファー層１３０９は、ＢＣＰとＬｉを第１のバッファー層１３０５と同様の蒸着法により１５ｎｍの膜厚で形成する。

図１３（Ａ）、図１３（Ｂ）の素子を形成する場合には、第２のバッファー層１３０９は、第１の電極１３０２および第１の補助配線１３０３上の所望の位置に形成されるようにマスクを用いて成膜される。また、図１３（Ｃ）の素子を形成する場合には、第２のバッファー層１３０９は、第１の電極１３０２上の所望の位置に形成されるようにマスクを用いて成膜される。

上述したように積層構造を有する発光物質を含む層を形成した後、陰極として機能する第２の電極１３１０をスパッタリング法または蒸着法により形成する。なお、本実施例では、発光物質を含む層上にアルミニウムを蒸着法により２００ｎｍの膜厚で形成することにより第２の電極１３１０を得る。なお、第２の電極１３１０は、第１の電極１３０２、第１の補助配線１３０３、および第２の補助配線１３０４上に形成される。

以上により作製された素子のうち、図１３（Ａ）に示す素子において、第１の接続部を用いた場合（すなわち、第１の接続部から発光素子の第２の電極へ電圧を印加した場合）における電流−電圧特性、輝度−電圧特性、電流効率−輝度特性について測定した結果を、それぞれ、図１４、図１５、図１６の黒い丸印（発光素子（１））で表されるプロットで示した。また、図１３（Ｂ）に示す素子において、第１の接続部を用いた場合における電流−電圧特性、輝度−電圧特性、電流効率−輝度特性をについて測定した結果を、それぞれ、図１７、図１８、図１９の黒い丸印（発光素子（２））で表されるプロットで示した。また、図１３（Ｃ）に示す素子において、第１の接続部を用いた場合における電流−電圧特性、輝度−電圧特性、電流効率−輝度特性について測定した結果を、それぞれ、図２０、図２１、図２２の黒い丸印（発光素子（３））で表されるプロットで示すこととする。

なお、発光素子（１）（図１３（Ａ）第１の接続部１３１１と組み合わされた発光素子１３００）の構造は、具体的には、第１の電極１３０２：ＩＴＯ（１１０ｎｍ）、第１のバッファー層１３０５：（ＤＮＴＰＤ、ＭｏＯ_３）（１２０ｎｍ）、正孔輸送層１３０６：ＮＰＢ（１０ｎｍ）、発光層１３０７：（Ａｌｑ_３、クマリン６）（４０ｎｍ）、電子輸送層１３０８：Ａｌｑ_３（４０ｎｍ）、第２のバッファー層１３０９：（ＢＣＰ、Ｌｉ）（１５ｎｍ）、第２の電極１３１０：Ａｌ（１１０ｎｍ）、第２のバッファー層１３０９：（ＢＣＰ、Ｌｉ）（１５ｎｍ）、第１のバッファー層１３０５：（ＤＮＴＰＤ、ＭｏＯ_３）（１２０ｎｍ）、第１の補助配線１３０３：ＩＴＯ（１００ｎｍ）が順次接するように形成された構造である。

また、発光素子（２）（図１３（Ｂ）の第１の接続部１３２１と組み合わされた発光素子１３００）の構造は、具体的には、第１の電極１３０２：ＩＴＯ（１１０ｎｍ）、第１のバッファー層１３０５：（ＤＮＴＰＤ、ＭｏＯ_３）（１２０ｎｍ）、正孔輸送層：ＮＰＢ（１０ｎｍ）、発光層：（Ａｌｑ_３、クマリン６）（４０ｎｍ）、電子輸送層：Ａｌｑ_３（４０ｎｍ）、第２のバッファー層１３０９：（ＢＣＰ、Ｌｉ）（１５ｎｍ）、第２の電極１３１０：Ａｌ（１１０ｎｍ）、第２のバッファー層１３０９：（ＢＣＰ、Ｌｉ）（１５ｎｍ）、第１の補助配線１３０３：ＩＴＯ（１００ｎｍ）が順次接するように形成された構造である。

さらに、発光素子（３）（図１３（Ｃ）第１の接続部１３３１と組み合わされた発光素子１３００）の構造は、具体的には、第１の電極１３０２：ＩＴＯ（１１０ｎｍ）、第１のバッファー層１３０５：（ＤＮＴＰＤ、ＭｏＯ_３）（１２０ｎｍ）、正孔輸送層：ＮＰＢ（１０ｎｍ）、発光層：（Ａｌｑ_３、クマリン６）（４０ｎｍ）、電子輸送層：Ａｌｑ_３（４０ｎｍ）、第２のバッファー層１３０９：（ＢＣＰ、Ｌｉ）（１５ｎｍ）、第２の電極１３１０：Ａｌ（１１０ｎｍ）、第１のバッファー層１３０５：（ＤＮＴＰＤ、ＭｏＯ_３）（１２０ｎｍ）、第１の補助配線１３０３：ＩＴＯ（１００ｎｍ）が順次接するように形成された構造である。

第１の接続部１３２１と組み合わされた各発光素子（１）、（２）、（３）の電流−電圧特性（図１４、図１７、図２０）において、いずれの場合も７Ｖの電圧を印加して１．０ｍＡ程度の電流が流れた。この結果から、第２の電極１３１０と第１の補助配線１３０３との間に第１のバッファー層１３０５、または第２のバッファー層１３０９のいずれか一方、または両方が挟まれている構造の場合（第１の接続部を用いる場合）でも発光素子の発光物質を含む層に電流が十分に注入されている様子が確認される。

また、第１の接続部を用いた各発光素子（１）、（２）、（３）の輝度−電圧特性（図１５、図１８、図２１）において、いずれの場合も６Ｖの電圧を印加して、１０００ｃｄ／ｍ^２程度の輝度が得られた。この結果から、第２の電極１３１０と第１の補助配線１３０３との間に第１のバッファー層１３０５、または第２のバッファー層１３０９のいずれか一方、または両方が挟まれている構造の場合（第１の接続部を用いる場合）でも電圧に対する輝度特性に対して良好な効果が得られることが分かる。

また、第１の接続部を用いた各発光素子（１）、（２）、（３）の電流効率−輝度特性（図１６、図１９、図２２）において、いずれの場合も１００ｃｄ／ｍ^２の輝度が得られた場合における電流効率は１３ｃｄ／Ａ程度であった。この結果からは、発光素子の発光物質を含む層において、正孔（ホール）と電子とがバランス良く存在しており、効率よく再結合できる環境にあるといえる。

（比較例１）
発光素子（１）、（２）、（３）対して、図１３（Ａ）〜（Ｃ）の第２の接続部１３１２と組み合わせた発光素子１３００を、それぞれ、発光素子（１’）、発光素子（２’）、発光素子（３’）とし、各発光素子（１’）（２’）（３’）の素子特性を測定した。図１３（Ａ）における第２の接続部１３１２を有する発光素子１３００の電流−電圧特性、輝度−電圧特性、電流効率−輝度特性を、それぞれ、図１４、図１５、図１６に白い丸印（発光素子（１’））で表されるプロットで示した。また、図１３（Ｂ）に示す第２の接続部１３１２を有する発光素子１３００の電流−電圧特性、輝度−電圧特性、電流効率−輝度特性を、それぞれ、図１７、図１８、図１９の白い丸印（発光素子（２’））で表されるプロットで示した。また、図１３（Ｃ）における第２の接続部１３１２を有する発光素子１３００の電流−電圧特性、輝度−電圧特性、電流効率−輝度特性を、それぞれ、図２０、図２１、図２２に白い丸印（発光素子（３’））で表されるプロットで示した。

なお、図１３（Ａ）の発光素子（１’）の構造、図１３（Ｂ）の発光素子（２’）の構造、図１３（Ｃ）の発光素子（３’）の構造は、いずれも同じであり、具体的には、第１の電極１３０２：ＩＴＯ（１１０ｎｍ）、第１のバッファー層１３０５：（ＤＮＴＰＤ、ＭｏＯ_３）（１２０ｎｍ）、正孔輸送層：ＮＰＢ（１０ｎｍ）、発光層：（Ａｌｑ_３、クマリン６）（４０ｎｍ）、電子輸送層：Ａｌｑ_３（４０ｎｍ）、第２のバッファー層１３０９：（ＢＣＰ、Ｌｉ）（１５ｎｍ）、第２の電極１３１０：Ａｌ（１１０ｎｍ）、第２の補助配線１３０４：Ｔｉ（１００ｎｍ）、Ａｌ（３００ｎｍ）が順次接する構造である。

電流−電圧特性（図１４、図１７、図２０）において、発光素子（１’）、発光素子（２’）、および発光素子（３’）のいずれの場合も１．０ｍＡの電流を流すために６．８Ｖ程度の電圧印加が必要であった。すなわち、発光素子（１’）、発光素子（２’）、および発光素子（３’）は、本発明に係る発光素子（１）、発光素子（２）、発光素子（３）と同程度の素子特性を示すことが確認される。

図１３（Ａ）〜（Ｃ）の素子構造の場合における輝度−電圧特性（図１５、図１８、図２１）において、発光素子（１’）、発光素子（２’）、および発光素子（３’）のいずれの場合も１０００ｃｄ／ｍ^２程度の輝度を得るために５．５Ｖ程度の電圧印加が必要であった。すなわち、発光素子（１’）、発光素子（２’）、および発光素子（３’）は、本発明に係る発光素子（１）、発光素子（２）、発光素子（３）と同程度の素子特性を示すことが確認される。

また、図１３（Ａ）〜（Ｃ）の素子構造の場合における電流効率−輝度特性（図１６、図１９、図２２）において、発光素子（１’）、発光素子（２’）、および発光素子（３’）のいずれの場合も１３ｃｄ／Ａ程度の電流効率に対して１００ｃｄ／ｍ^２の輝度が得られた。すなわち、発光素子（１’）、発光素子（２’）、および発光素子（３’）は、本発明に係る発光素子（１）、発光素子（２）、発光素子（３）と同程度の素子特性を示すことが確認される。

以上の結果から、本発明の発光素子において、第２の電極１３１０と第１の補助配線１３０３との間に第１のバッファー層１３０５、または第２のバッファー層１３０９のいずれか一方、または両方を挟んで形成される第１の接続部（１３１１、１３２１、１３３１）を用いた場合でも、第２の電極１３１０と第２の補助配線１３０４とが直接電気的に接続された第２の接続部１３１２を用いた場合でも素子特性に大きく影響を与えないことが確認された。

本発明の発光表示パネルを説明する図。発光表示パネルの画素部における発光素子および接続部の断面図。発光表示パネルの画素部における発光素子および接続部の断面図。発光表示パネルの画素部における発光素子および接続部の断面図。発光表示パネルの画素部における発光素子および接続部の断面図。発光表示パネルの画素部における平面図。発光表示パネルの画素部における発光素子および接続部の断面図。発光表示パネルの画素部における平面図。本発明の発光表示パネルを説明する図。発光素子の構造について説明する図。発光表示パネルに実装される駆動回路について説明する図。電子機器について説明する図。実施例１に示す発光素子の構造を説明する図。実施例１に示す発光素子の電圧−電流特性を示す図。実施例１に示す発光素子の電圧−輝度特性を示す図。実施例１に示す発光素子の輝度−電流効率特性を示す図。実施例１に示す発光素子の電圧−電流特性を示す図。実施例１に示す発光素子の電圧−輝度特性を示す図。実施例１に示す発光素子の輝度−電流効率特性を示す図。実施例１に示す発光素子の電圧−電流特性を示す図。実施例１に示す発光素子の電圧−輝度特性を示す図。実施例１に示す発光素子の輝度−電流効率特性を示す図。

符号の説明

１０１基板
１０２電流制御用ＴＦＴ
１０３ソース領域
１０４ドレイン領域
１０５チャネル形成領域
１０６ゲート絶縁膜
１０７ゲート電極
１０８層間絶縁膜
１０９ソース電極
１１０ドレイン電極
１１１電極
１１２補助配線
１１３補助配線
１１４第１の電極
１１５第１のバッファー層
１１６発光層
１１７第２のバッファー層
１１８第２の電極
１１９発光素子
１２０画素部
１２１周辺部
１２２絶縁体
１２３第１の接続部
１２４第２の接続部
２００画素部
２０１基板
２０２第１の電極
２０３補助配線
２０４第１のバッファー層
２０５発光層
２０６第２のバッファー層
２０７第２の電極
２１１接続部
２１４正孔（ホール）輸送層
２１６電子輸送層
２１９発光物質を含む層
３００画素部
３０１基板
３０２第１の電極
３０３補助配線
３０４第１のバッファー層
３０５発光層
３０６第２のバッファー層
３０７第２の電極
３１１接続部
３１４正孔（ホール）輸送層
３１６電子輸送層
４００画素部
４０１基板
４０２第１の電極
４０３補助配線
４０４第１のバッファー層
４０５発光層４０６第２のバッファー層
４０７第２の電極
４１１接続部
４１４正孔（ホール）輸送層
４１６電子輸送層
５００画素部
５０１基板
５０２第１の電極
５０３補助配線
５０４第１のバッファー層
５０５発光層
５０６第２のバッファー層
５０７第２の電極
５０８スイッチング用ＴＦＴ
５０９電流制御用ＴＦＴ
５１０ソース信号線
５１１ゲート電極
５１２電流供給線
５１３領域Ｂ
５１４領域Ｃ
５１５領域Ｄ
５１６領域Ｅ
５１７ゲート電極
５１８領域Ｆ
５２０接続部
５２４半導体領域
５２５ソース電極
５２６ドレイン電極
５２７半導体領域
７００画素部
７０１基板
７０２第１の電極
７０３補助配線
７０４第１のバッファー層
７０５発光層
７０６第２のバッファー層
７０７第２の電極
７０８スイッチング用ＴＦＴ
７０９電流制御用ＴＦＴ
７１０ソース信号線
７１１ゲート電極
７１２電流供給線
７１３領域Ｂ
７１４領域Ｃ
７１５領域Ｄ
７１６領域Ｅ
７１７ゲート電極
７１８領域Ｆ
７１９ゲート信号線
７２０接続部
７２４半導体領域
７２５ソース電極
７２６ドレイン電極
７２７半導体領域
９０１基板
９０２第１の電極
９０３発光物質を含む層
９０４第２の電極
９０５第１のバッファー層
９０６正孔輸送層
９０７発光層
９０８電子輸送層
９０９第２のバッファー層
１００１ソース側駆動回路
１００２画素部
１００３ゲート側駆動回路
１００４基板
１００５シール材
１００６第１の電極
１００８補助配線
１００９ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）
１０１０基板
１０１１スイッチング用ＴＦＴ
１０１２電流制御用ＴＦＴ
１０１３ｎチャネル型ＴＦＴ
１０１４ｐチャネル型ＴＦＴ
１０１５発光物質を含む層
１０１６第２の電極（陰極）
１０１８発光素子
１０１９接続領域
１０２３層間絶縁膜
１０２４絶縁物
１０２５第１のバッファー層
１０２６発光層
１０２７第２のバッファー層
１０３３乾燥剤
１０３４接続領域
１０３５補助配線
１０３６接続配線
１０３７異方性導電樹脂
１０３８補助配線
１１００基板
１１０１画素部
１１０２ソース信号線駆動回路
１１０５ＩＣチップ
１１０６ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）
１３００発光素子
１３０１基板
１３０２第１の電極
１３０２第２の電極（陽極）
１３０３補助配線
１３０４補助配線
１３０５第１のバッファー層
１３０６正孔輸送層
１３０７発光層
１３０８電子輸送層
１３０９第２のバッファー層
１３１０電極
１３１１第１の接続部
１３１２第２の接続部
１３２１第１の接続部
１３３１第１の接続部
８００１本体
８００２表示部
８１０１本体
８１０２表示部
８２０１本体
８２０２表示部
８３０１本体
８３０２表示部
８４０１本体
８４０２表示部

Claims

第１の電極と第２の電極との間に発光物質を含む層を挟んでなる発光素子と、前記第２の電極と電気的に接続された補助配線とを含み、
前記発光物質を含む層は、第１のバッファー層、発光層、および第２のバッファー層を少なくとも含み、
前記補助配線と前記第２の電極との間に前記第１のバッファー層または前記第２のバッファー層のいずれか一方、または両方が挟まれていることを特徴とする発光装置。
第１の電極と第２の電極との間に発光物質を含む層を挟んでなる発光素子と、前記第２の電極と電気的に接続された第１の補助配線および第２の補助配線とを含み、
前記発光物質を含む層は、第１のバッファー層、発光層、および第２のバッファー層を少なくとも含み、
前記第１の補助配線と前記第２の電極との間に前記第１のバッファー層または前記第２のバッファー層のいずれか一方、または両方が挟まれており、
前記第２の補助配線は、前記第２の電極と接していることを特徴とする発光装置。
請求項１または請求項２において、
前記第１のバッファー層は、正孔輸送性を示す物質でなる層であることを特徴とする発光装置。
請求項３において、
前記正孔輸送性を示す物質は、有機化合物と金属化合物との複合材料であることを特徴とする発光装置。
請求項３において、
前記正孔輸送性を示す物質は、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、および芳香族炭化水素（ビニル骨格を少なくとも一つ含む芳香族炭化水素を含む）から選ばれた有機化合物と、金属化合物との複合材料であることを特徴とする発光装置。
請求項１または請求項２において、
前記第１のバッファー層は、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、および芳香族炭化水素（ビニル骨格を少なくとも一つ含む芳香族炭化水素を含む）のうちの少なくとも１つと、金属化合物とを含むことを特徴とする発光装置。
請求項４乃至６のいずれか１項において、
前記金属化合物は、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、レニウム酸化物、チタン酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、タングステン酸化物、および銀酸化物のうちのいずれかであることを特徴とする発光装置。
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
第２のバッファー層は、電子輸送性を示す物質でなる層であることを特徴とする発光装置。
請求項８において、
前記電子輸送性を示す物質は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属窒化物、アルカリ土類金属窒化物、アルカリ金属フッ化物、およびアルカリ土類金属フッ化物から選ばれた物質であることを特徴とする発光装置。
請求項８において、
前記電子輸送性を示す物質は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属窒化物、アルカリ土類金属窒化物、アルカリ金属フッ化物、およびアルカリ土類金属フッ化物から選ばれた物質と、有機化合物との複合材料であることを特徴とする発光装置。
請求項８において、
前記電子輸送性を示す物質は、電子輸送性物質またはバイポーラ性物質と、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属窒化物、アルカリ土類金属窒化物、アルカリ金属フッ化物、およびアルカリ土類金属フッ化物から選ばれた物質との複合材料であることを特徴とする発光装置。
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、
前記第１のバッファー層は、前記第１の電極または前記第２の電極の一方と接し、
前記第２のバッファー層は、前記第１の電極または前記第２の電極の他方と接することを特徴とする発光装置。
第１の電極、第１の補助配線、および第２の補助配線を形成し、
前記第１の電極および前記第１の補助配線上に第１のバッファー層を形成し、
前記第１の電極上に発光層を形成し、
前記第１の電極および前記第１の補助配線上に第２のバッファー層を形成し、
前記第１の電極、前記第１の補助配線、および前記第２の補助配線上に第２の電極を形成し、
前記第１の電極、前記第１のバッファー層、前記発光層、前記第２のバッファー層、および前記第２の電極を含む発光素子と、
前記第１のバッファー層または前記第２のバッファー層のいずれか一方のバッファー層、前記第１の補助配線、および前記第２の電極を含む第１の接続部と、
前記第２の補助配線および前記第２の電極を含む第２の接続部と、を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
第１の電極および前記第１の補助配線上に第１のバッファー層を形成し、
前記第１の電極上に発光層を形成し、
前記第１の電極および前記第１の補助配線上に第２のバッファー層を形成し、
前記第１の電極、前記第１の補助配線、および前記第２の補助配線上に第２の電極を形成し、
前記第１の電極、前記第１のバッファー層、前記発光層、前記第２のバッファー層、および前記第２の電極を含む発光素子と、
前記第１の補助配線、前記第１のバッファー層、前記第２のバッファー層、および前記第２の電極を含む第１の接続部と、
第１の電極、第１の補助配線、および第２の補助配線を形成し、
前記第１の電極上に第１のバッファー層を形成し、
前記第１の電極上に発光層を形成し、
前記第１の電極および前記第１の補助配線上に第２のバッファー層を形成し、
前記第１の電極、前記第１の補助配線、および前記第２の補助配線上に第２の電極を形成し、
前記第１の電極、前記第１のバッファー層、前記発光層、前記第２のバッファー層、および前記第２の電極を含む発光素子と、前記第１の補助配線、前記第２のバッファー層、および前記第２の電極を含む第１の接続部と、前記第２の補助配線および前記第２の電極を含む第２の接続部とをそれぞれ形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
第１の電極、第１の補助配線、および第２の補助配線を形成し、
前記第１の電極および前記第１の補助配線上に第１のバッファー層を形成し、
前記第１の電極上に発光層を形成し、
前記第１の電極上に第２のバッファー層を形成し、
前記第１の電極、前記第１の補助配線、および前記第２の補助配線上に第２の電極を形成し、
前記第１の電極、前記第１のバッファー層、前記発光層、前記第２のバッファー層、および前記第２の電極を含む発光素子と、前記第１の補助配線、前記第１のバッファー層、および前記第２の電極を含む第１の接続部と、前記第２の補助配線および前記第２の電極を含む第２の接続部とをそれぞれ形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
請求項１３乃至請求項１６のいずれか一において、
前記第１のバッファー層として、正孔輸送性を示す物質でなる層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
請求項１７において、
前記正孔輸送性を示す物質でなる層は、有機化合物と金属化合物とを含むことを特徴とする発光装置の作製方法。
請求項１８において、
前記有機化合物は、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、および芳香族炭化水素（ビニル骨格を少なくとも一つ含む芳香族炭化水素を含む）のうちのいずれかであることを特徴とする発光装置の作製方法。
請求項１８において、
前記金属化合物は、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、レニウム酸化物、チタン酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、タングステン酸化物、および銀酸化物のうちのいずれかであることを特徴とする発光装置の作製方法。
請求項１３乃至請求項２０のいずれか一において、
前記第２のバッファー層は、電子輸送性を示す物質でなる層で形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
請求項２１において、
前記電子輸送性を示す物質は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属窒化物、アルカリ土類金属窒化物、アルカリ金属フッ化物、またはアルカリ土類金属フッ化物のいずれかの物質であることを特徴とする発光装置の作製方法。
請求項２１において、
前記電子輸送性を示す物質は、電子輸送性物質またはバイポーラ性物質と、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属窒化物、アルカリ土類金属窒化物、アルカリ金属フッ化物、およびアルカリ土類金属フッ化物から選ばれた物質との複合材料であることを特徴とする発光装置の作製方法。