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JP2007006555A - 降圧型スイッチングレギュレータ、その制御回路、ならびにそれを用いた電子機器 - Google Patents

降圧型スイッチングレギュレータ、その制御回路、ならびにそれを用いた電子機器 Download PDF

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Abstract

【課題】 回路面積の増加を抑えつつ、軽負荷時の効率を改善した降圧型スイッチングレギュレータおよびその制御回路を提供する。
【解決手段】 出力監視コンパレータ10は、出力電圧Voutが基準電圧Vrefより低くなるとオン信号SIG10を出力する。パルス変調器12は、オン信号SIG10が出力されてからオン時間Ton、所定レベルとなるパルス信号SIG16を生成する。ドライバ回路20は、パルス信号SIG16にもとづきスイッチングトランジスタM1および同期整流用トランジスタM2をデッドタイムを挟んで交互にオンする。軽負荷モード検出部30は、スイッチングトランジスタM1と同期整流用トランジスタM2の接続点のスイッチング電圧Vswと接地電位とを比較し、出力監視コンパレータ10からオン信号SIG10が出力されるタイミングにおいて、スイッチング電圧Vswが接地電位より高いとき、オン信号SIG10を無効化する。
【選択図】 図1

Description

本発明は、降圧型スイッチングレギュレータに関し、特に同期整流方式のスイッチングレギュレータの制御技術に関する。
近年の携帯電話、PDA(Personal Digital Assistant)、ノート型パーソナルコンピュータなどのさまざまな電子機器に、デジタル信号処理を行うマイクロプロセッサが搭載されている。こうしたマイクロプロセッサの駆動に必要とされる電源電圧は、半導体製造プロセスの微細化に伴って低下しており、1.5V以下の低電圧で動作するものがある。
一方、こうした電子機器にはリチウムイオン電池などの電池が電源として搭載される。リチウムイオン電池から出力される電圧は、3V〜4V程度であるため、この電圧をそのままマイクロプロセッサに供給したのでは、無駄な電力消費が発生するため、降圧型のスイッチングレギュレータや、シリーズレギュレータなどを用いて電池電圧を降圧し、定電圧化してマイクロプロセッサに供給するのが一般的である。
降圧型のスイッチングレギュレータは、整流用のダイオードを用いる方式(以下、ダイオード整流方式という)と、ダイオードの代わりに、整流用トランジスタを用いる方式(以下、同期整流方式という)が存在する。前者の場合、負荷に流れる負荷電流が小さいときに高効率が得られるという利点を有するが、制御回路の外部に、インダクタ、キャパシタに加えてダイオードが必要となるため、回路面積が大きくなる。後者の場合、負荷に供給する電流が小さいときの効率は、前者に比べて劣るが、ダイオードの代わりにトランジスタを用いるため、LSIの内部に集積化することができ、周辺部品を含めた回路面積としては小型化が可能となる。携帯電話などの電子機器において、小型化が要求される場合には、同期整流用トランジスタを用いたスイッチングレギュレータ(以下、同期整流方式スイッチングレギュレータという)が用いられることが多い。たとえば、特許文献1、2には、同期整流方式、ダイオード整流方式のスイッチングレギュレータが開示されている。
ここで、同期整流方式の降圧型スイッチングレギュレータでは、負荷電流が小さいときの効率が問題となる。負荷電流が小さくなると、出力インダクタに流れる電流も低下していき、やがて負の向きに流れるようになる。出力インダクタに流れる電流が負となると、同期整流用トランジスタがオンの期間、出力インダクタに流れる電流は同期整流用トランジスタを介して接地に流れるため、無駄な電力を消費することになる。
軽負荷時における同期整流方式の降圧型スイッチングレギュレータの効率を改善するために、同期整流用トランジスタや出力インダクタと直列に抵抗素子を設け、抵抗素子の両端の電圧にもとづいて、軽負荷状態を検出する手法が知られている(特許文献3)。
特開2004−32875号公報 特開2002−252971号公報 特開2003−244946号公報
特許文献3に記載される同期整流用トランジスタと直列に設けた抵抗素子は、電力損失を抑えるために、小さな抵抗値を用いることになる。したがって、抵抗素子での電圧降下は数mVから数十mV程度の小さな値となる。この抵抗素子の両端の電圧を、コンパレータを用いて検出する場合、オフセット電圧の非常に小さなコンパレータを用いる必要があるため、回路面積が増大するという問題があった。
本発明はかかる課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、回路面積の増加を抑えつつ、軽負荷時の効率を改善した降圧型スイッチングレギュレータおよびその制御回路の提供にある。
本発明のある態様は、同期整流方式の降圧型スイッチングレギュレータの制御回路に関する。この制御回路は、スイッチングレギュレータの出力電圧とその目標値である基準電圧とを比較し、出力電圧が基準電圧より低くなるとオン信号を出力する出力監視コンパレータと、出力監視コンパレータからオン信号が出力されてから所定のオン時間、所定レベルとなるパルス信号を生成するパルス変調器と、パルス変調器から出力されるパルス信号にもとづき第1、第2制御信号を生成し、第1制御信号によりスイッチングトランジスタを、第2制御信号により同期整流用トランジスタをデッドタイムを挟んで交互にオンするドライバ回路と、スイッチングトランジスタと同期整流用トランジスタの接続点に現れるスイッチング電圧を所定のしきい値電圧と比較し、出力監視コンパレータからオン信号が出力されるタイミングにおいて、スイッチング電圧がしきい値電圧より高いとき、オン信号を無効化する軽負荷モード検出部と、を備える。しきい値電圧は、接地電位であってもよい。
同期整流方式の降圧型スイッチングレギュレータでは、スイッチングトランジスタ、同期整流用トランジスタが同時にオンしないように、デッドタイムが設けられる。重負荷時においては、出力インダクタに流れる電流は正であるため、デッドタイムにおいて、同期整流トランジスタのボディダイオードがオンし、スイッチング電圧は負電位となる。一方、軽負荷状態においては、出力インダクタに流れる電流が負となるため、デッドタイムにおいて、スイッチングトランジスタのボディダイオードがオンする。スイッチングトランジスタのボディダイオードに電流が流れるとき、スイッチング電圧は正電位となるため、スイッチング電位としきい値電圧を比較することにより、軽負荷状態の発生を検出することができる。こうして軽負荷状態を検出し、オン信号を無効化することにより、スイッチングトランジスタがオンするのを防止する。その結果、出力電圧は上昇し、やがて出力電圧が基準電圧まで低下するまでの期間、スイッチング動作は停止するため、ゲートドライブ電流を低減し、高効率化を図ることができる。
軽負荷モード検出部は、第2制御信号が入力され、出力監視コンパレータからオン信号が出力されるタイミングにおいて、スイッチング電圧がしきい値電圧より高いとき第2制御信号を遅延してパルス変調器へと出力してもよい。そして、パルス変調器は、遅延した第2制御信号とオン信号との論理演算結果にもとづきパルス信号を生成してもよい。
第2制御信号とオン信号をANDゲートなどで論理演算することにより、第2制御信号が遅延された場合に、オン信号を無効化することができる。
軽負荷モード検出部は、スイッチングトランジスタと同期整流用トランジスタの接続点のスイッチング電圧としきい値電圧とを比較する軽負荷検出用コンパレータと、第2制御信号によりセットされ、軽負荷検出用コンパレータの出力信号によりリセットされる第1フリップフロップ回路と、第1フリップフロップ回路がセットされた状態においてアクティブとなり、第2制御信号を遅延し、非アクティブの状態においては、第2制御信号を遅延せずに出力する遅延回路と、を含んでもよい。パルス変調器は、遅延回路の出力信号と、オン信号との論理演算結果にもとづきパルス信号を生成してもよい。
軽負荷検出用コンパレータを設け、第2制御信号に遅延を与える遅延回路のアクティブ、非アクティブを、この軽負荷検出用コンパレータの出力信号にもとづいて制御することにより、軽負荷時にオン信号を無効化することができる。
遅延回路は、電源電圧と接地間に直列に接続された第1トランジスタ、遅延抵抗および第2トランジスタと、遅延抵抗と第2トランジスタの接続点と接地間に直列に接続された遅延キャパシタおよび第3トランジスタと、を含んでもよい。第1、第2トランジスタの接続点に第2制御信号が入力されるとともに、第3トランジスタの制御端子に第1フリップフロップ回路の出力が入力され、遅延抵抗および第2トランジスタの接続点から信号を出力してもよい。
この場合、第3トランジスタがオンの期間、遅延キャパシタと遅延抵抗によりCR回路が構成され、第2制御信号に遅延を与えることができる。
パルス変調器は、オン信号によりセットされる第2フリップフロップ回路と、第2フリップフロップ回路がセットされてからオン時間経過後に、第2フリップフロップ回路をリセットするオン時間設定回路と、を含み、第2フリップフロップ回路の出力信号をパルス信号として出力してもよい。
この場合、スイッチングトランジスタがオンするオン時間をオン時間設定回路により自由に設定することができる。
ドライバ回路は、パルス信号を反転した信号によりセットされ、オン信号によりリセットされる第3フリップフロップ回路を含み、当該第3フリップフロップ回路の出力信号にもとづき、第2制御信号を生成してもよい。
この場合、軽負荷時においてオン信号が無効化された場合にも、同期整流用トランジスタを好適にオフすることができる。
本発明の別の態様は、降圧型スイッチングレギュレータである。この降圧型スイッチングレギュレータは、入力端子と接地間に直列に接続されたスイッチングトランジスタおよび同期整流用トランジスタを含むスイッチングレギュレータ出力回路と、スイッチングトランジスタおよび同期整流用トランジスタを駆動する上述の制御回路と、を備える。
この態様によると、降圧型スイッチングレギュレータの出力電流が低下した場合の効率を改善することができる。
本発明のさらに別の態様は、電子機器である。この電子機器は、電池と、マイクロプロセッサと、電池の電圧を降圧してマイクロプロセッサに供給する上述の降圧型スイッチングレギュレータと、を備える。
この態様によると、マイクロプロセッサの消費電流が低下した場合における、降圧型スイッチングレギュレータの効率を改善することができ、電池の寿命を延ばすことができる。
なお、以上の構成要素の任意の組合せや本発明の構成要素や表現を、方法、装置、システムなどの間で相互に置換したものもまた、本発明の態様として有効である。
本発明に係る降圧型スイッチングレギュレータの制御回路によれば、軽負荷時の効率を改善することができる。
(第1の実施の形態)
図1は、第1の実施の形態に係る降圧型スイッチングレギュレータ200の構成を示す回路図である。図2は、図1の降圧型スイッチングレギュレータ200を搭載した電子機器300の構成を示すブロック図である。電子機器300は、たとえばノート型パソコンであり、電池310、マイクロプロセッサ320、降圧型スイッチングレギュレータ200を備える。
電池310は、たとえば複数リチウムイオン電池のセルで構成され、12V程度の電池電圧Vbatを出力する。マイクロプロセッサ320は、様々な演算処理を行い、また電子機器300全体を統括的に制御するブロックであり、電源電圧が1.5V程度で動作するLSIである。
本実施形態に係る降圧型スイッチングレギュレータ200は、12V程度の電池電圧Vbatを降圧して、マイクロプロセッサ320の電源電圧として供給する。マイクロプロセッサ320は、演算処理を行う際には消費電流が大きく、演算処理を行わない待機状態においては、消費電流を低下させ、省電力化を図る。したがって、降圧型スイッチングレギュレータ200からマイクロプロセッサ320に流れる電流Ioutは、マイクロプロセッサ320の動作状態によって大きく変化する。本実施の形態に係る降圧型スイッチングレギュレータ200は、消費電流が非常に小さいモードで動作するデバイスを負荷として高効率に電圧変換を行う用途に好適に使用される。以下、図1をもとに、降圧型スイッチングレギュレータ200の構成について詳細に説明する。
降圧型スイッチングレギュレータ200は、スイッチングレギュレータ出力回路120と制御回路100を含む。スイッチングレギュレータ出力回路120は、一般的な同期整流方式の降圧型スイッチングレギュレータの出力回路であって、入力端子202に印加された入力電圧Vinを降圧し、出力端子204から出力電圧Voutを出力する。入力電圧Vinは、図2の電池電圧Vbatである。入力端子202と接地間には、スイッチングトランジスタM1、同期整流用トランジスタM2が直列に接続される。スイッチングトランジスタM1、同期整流用トランジスタM2はNチャンネルMOSトランジスタであり、ゲートに印加される第1制御信号Vg1、第2制御信号Vg2によりオンオフが制御される。図中、D1、D2で示すのは、スイッチングトランジスタM1、同期整流用トランジスタM2のバックゲートおよびドレイン間に存在するボディダイオード(寄生ダイオードである)。
スイッチングトランジスタM1と同期整流用トランジスタM2の接続点と出力端子204の間には、出力インダクタL1が設けられる。出力キャパシタCoは、出力端子204と接地間に設けられる。本実施の形態において、スイッチングトランジスタM1と同期整流用トランジスタM2の接続点の電圧をスイッチング電圧Vswという。また、出力インダクタL1に流れる電流をインダクタ電流ILといいう。このインダクタ電流ILは、出力キャパシタCoに向かって流れる向きを正とする。また、出力キャパシタCoから出力端子204を介して負荷に流れる電流を出力電流Ioutという。
制御回路100は、スイッチングトランジスタM1、同期整流用トランジスタM2のゲートに印加すべき第1制御信号Vg1、第2制御信号Vg2を生成し、スイッチングトランジスタM1、同期整流用トランジスタM2のオン、オフを制御する。降圧型スイッチングレギュレータ200は、スイッチングトランジスタM1、同期整流用トランジスタM2が交互にオン、オフを繰り返すことにより、出力インダクタL1によりエネルギ変換が行われ、入力電圧Vinが降圧される。降圧された電圧は、出力インダクタL1、出力キャパシタCoによって平滑化され、出力電圧Voutとして出力される。
制御回路100は、ひとつの半導体基板に集積化されたLSIチップである。本実施の形態においては、スイッチングトランジスタM1、同期整流用トランジスタM2は制御回路100の外部に設けられるが、制御回路100に内蔵してもよい。制御回路100は、入出力用の端子として、第1スイッチング端子102、第2スイッチング端子104、帰還端子106、スイッチング電圧検出端子108を備える。第1スイッチング端子102は、スイッチングトランジスタM1のゲートに接続され、第2スイッチング端子104は同期整流用トランジスタM2のゲートに接続される。第1スイッチング端子102、第2スイッチング端子104からはそれぞれ第1制御信号Vg1、第2制御信号Vg2が出力される。帰還端子106は、降圧型スイッチングレギュレータ200の出力端子204と接続され、降圧型スイッチングレギュレータ200の出力電圧Voutが帰還される端子である。スイッチング電圧検出端子108は、スイッチングトランジスタM1、同期整流用トランジスタM2の接続点と接続され、スイッチング電圧Vswが入力される。
制御回路100は、出力監視コンパレータ10、パルス変調器12、ドライバ回路20、軽負荷モード検出部30を含む。この制御回路100は、所定のオン時間Tonの期間、スイッチングトランジスタM1をオンし、同期整流用トランジスタM2をオフする第1状態と、同期整流用トランジスタM2をオンし、スイッチングトランジスタM1をオフする第2状態を交互に繰り返す。第1状態と第2状態の間には、スイッチングトランジスタM1、同期整流用トランジスタM2がいずれもオンしない期間(以下、デッドタイムTdという)が設けられる。
制御回路100は、第1状態において、所定のオン時間Tonの間、スイッチングトランジスタM1を介して出力キャパシタCoを充電し、出力電圧Voutをわずかに上昇させる。オン時間Ton経過後、第2状態に移行し、同期整流用トランジスタM2をオンする。第2状態において、出力電圧Voutが所定の基準電圧Vrefまで低下すると、制御回路100は再度第1状態に移行する。
この第1、第2状態間の遷移は、出力監視コンパレータ10、パルス変調器12によって行われる。出力監視コンパレータ10は、反転入力端子に降圧型スイッチングレギュレータ200の出力電圧Voutが入力され、非反転入力端子に基準電圧Vrefが入力される。出力監視コンパレータ10は、降圧型スイッチングレギュレータ200の出力電圧Voutと、基準電圧Vrefとを比較し、出力電圧Voutが基準電圧Vrefより低くなるとハイレベルのオン信号SIG10を出力する。パルス変調器12は、出力監視コンパレータ10からオン信号SIG10が出力されてから所定のオン時間Ton、ハイレベルとなるパルス信号SIG16を生成する。出力監視コンパレータ10は、出力電圧Voutを抵抗により分圧して基準電圧Vrefと比較してもよい。
パルス変調器12は、ANDゲート14、第2RSフリップフロップ回路16、オン時間設定回路18を含む。ANDゲート14は、出力監視コンパレータ10から出力されるオン信号SIG10と、軽負荷モード検出部30から出力される軽負荷検出信号SIG12の論理積を出力する。第2RSフリップフロップ回路16のセット端子には、ANDゲート14の出力信号SIG14が入力されており、軽負荷検出信号SIG12がハイレベルのとき、オン信号SIG10によりセットされる。
オン時間設定回路18には、第2RSフリップフロップ回路16の反転出力信号SIG16’が入力される。オン時間設定回路18は、第2RSフリップフロップ回路16がセットされてから所定のオン時間Ton経過後に、ハイレベルのリセット信号SIG18を出力する。このリセット信号SIG18により第2RSフリップフロップ回路16はリセットされる。第2RSフリップフロップ回路16の出力信号SIG16は、出力監視コンパレータ10からオン信号SIG10が出力されてからオン時間Tonが経過するまでの期間、ハイレベルとなり、その後、再度オン信号SIG10が出力されるまでの期間、ローレベルとなる。パルス変調器12は、第2RSフリップフロップ回路16の出力信号SIG16および反転出力信号SIG16’をパルス信号として出力する。
ドライバ回路20は、パルス変調器12から出力されるパルス信号SIG16、SIG16’および出力監視コンパレータ10から出力されるオン信号SIG10にもとづき、スイッチングトランジスタM1および同期整流用トランジスタM2をデッドタイムTdを挟んで交互にオンする。図3は、ドライバ回路20の構成を示す回路図である。ドライバ回路20は、第3RSフリップフロップ回路21、第1デッドタイム生成回路22、第2デッドタイム生成回路24、第1バッファ回路26、第2バッファ回路28を含む。
第1デッドタイム生成回路22、第1バッファ回路26は、パルス信号SIG16にもとづき第1制御信号Vg1を生成する。第1デッドタイム生成回路22は、パルス信号SIG16の立ち上がりエッジ(以下、ポジエッジという)から所定のデッドタイムTd経過後にその出力をハイレベルとし、パルス信号SIG16の立ち下がりエッジ(以下、ネガエッジという)と同時にその出力をローレベルとする。第1バッファ回路26は、第1デッドタイム生成回路22の出力信号にもとづき、第1制御信号Vg1を生成する。
第3RSフリップフロップ回路21、第2デッドタイム生成回路24、第2バッファ回路28は、パルス信号SIG16’にもとづき第2制御信号Vg2を生成する。第3RSフリップフロップ回路21のセット端子には、パルス信号SIG16’が入力され、リセット端子には、オン信号SIG10が入力される。第3RSフリップフロップ回路21の出力信号SIG17は、第2デッドタイム生成回路24に入力される。第2デッドタイム生成回路24は、第3RSフリップフロップ回路21の出力信号SIG17のポジエッジから所定のデッドタイムTd経過後にその出力をハイレベルとし、出力信号SIG17のネガエッジと同時にその出力をローレベルとする。第2バッファ回路28は、第2デッドタイム生成回路24の出力信号にもとづき第2制御信号Vg2を生成する。
スイッチングトランジスタM1および同期整流用トランジスタM2はそれぞれ、第1制御信号Vg1、第2制御信号Vg2がハイレベルの期間にオンすることから、デッドタイムTdの期間、スイッチングトランジスタM1、同期整流用トランジスタM2はいずれもオフとなる。
ここで、出力監視コンパレータ10、パルス変調器12、ドライバ回路20、スイッチングレギュレータ出力回路120の動作について図4をもとに説明する。図4は、降圧型スイッチングレギュレータ200の動作状態を示すタイムチャートである。ここでは説明の簡略化のため、軽負荷検出信号SIG12はハイレベルであるとし、ANDゲート14を無視して考える。
時刻T0に、出力電圧Voutが基準電圧Vrefより低くなると、出力監視コンパレータ10からハイレベルのオン信号SIG10が出力される。このオン信号SIG10によって、第2RSフリップフロップ回路16はセットされ、パルス信号SIG16はハイレベルとなる。
パルス信号SIG16がハイレベルとなってからデッドタイムTd経過後の時刻T1に、ドライバ回路20は第1制御信号Vg1をハイレベルとしてスイッチングトランジスタM1をオンし、出力電圧Voutを上昇させる。また、オン時間設定回路18は、時刻T0から所定のオン時間Ton経過後の時刻T2に、ハイレベルのリセット信号SIG18を出力する。このリセット信号SIG18によって第2RSフリップフロップ回路16はリセットされ、パルス信号SIG16はローレベルとなる。ドライバ回路20は、時刻T2に第1制御信号Vg1をローレベルとしてスイッチングトランジスタM1をオフする。
ドライバ回路20は、時刻T2からデッドタイムTd経過後の時刻T3に、第2制御信号Vg2をハイレベルとする。第2制御信号Vg2がハイレベルとなると、同期整流用トランジスタM2がオンし、出力電圧Voutが下降し始める。その後、時刻T4に、出力電圧Voutが再度、基準電圧Vrefまで低下すると、出力監視コンパレータ10はハイレベルのオン信号SIG10を出力し、第2RSフリップフロップ回路16をセットする。
図4に示すように、軽負荷検出信号SIG12がハイレベルのとき、第2RSフリップフロップ回路16の反転出力信号SIG16’と、第3RSフリップフロップ回路21の出力信号SIG17は同じ信号となっている。したがって、重負荷時のみ考えた場合、第3RSフリップフロップ回路21は設けなくてもよいことになる。第3RSフリップフロップ回路21を設ける理由については後述する。
本実施の形態に係る降圧型スイッチングレギュレータ200は、時刻T0〜T4の状態を繰り返すことにより、スイッチングトランジスタM1、同期整流用トランジスタM2を駆動し、出力電圧Voutを所定の基準電圧Vrefに安定化する。
図1に戻る。本実施の形態に係る制御回路100は、軽負荷時における効率を改善するために、軽負荷モード検出部30をさらに備える。軽負荷モード検出部30は、スイッチング電圧Vswと接地電位(0V)とを比較し、出力監視コンパレータ10からハイレベルのオン信号SIG10が出力されるタイミングにおいて、スイッチング電圧Vswが接地電位より高いとき、オン信号SIG10を強制的にローレベルに固定して無効化する。
軽負荷モード検出部30は、軽負荷検出用コンパレータ32、第1RSフリップフロップ回路34、遅延回路36を含む。
軽負荷検出用コンパレータ32の非反転入力端子は接地されており、反転入力端子にはスイッチング電圧Vswが入力される。軽負荷検出用コンパレータ32は、スイッチング電圧Vswと接地電位とを比較し、Vsw<0Vのときハイレベル、Vsw>0Vのときローレベルとなる比較信号SIG20を出力する。
第1RSフリップフロップ回路34のリセット端子は、軽負荷検出用コンパレータ32の出力端子と接続され、比較信号SIG20が入力される。また、第1RSフリップフロップ回路34のセット端子は、第2スイッチング端子104と接続され、第2制御信号Vg2が入力される。第1RSフリップフロップ回路34の出力信号SIG22は、遅延回路36へと出力される。
遅延回路36は、第1RSフリップフロップ回路34がセットされた状態においてアクティブとなり、同期整流用トランジスタM2の第2制御信号Vg2を遅延し、非アクティブの状態においては、第2制御信号Vg2を遅延せずに出力する。遅延回路36の出力信号は、軽負荷検出信号SIG12としてパルス変調器12に出力される。
遅延回路36は、第1トランジスタM10、第2トランジスタM12、第3トランジスタM14、遅延抵抗R10、遅延キャパシタC10を含む。
遅延回路36は、電源電圧と接地間に直列に接続された第1トランジスタM10、遅延抵抗R10および第2トランジスタM12を含む。第1トランジスタM10、第2トランジスタM12のゲートは共通に接続され、第2制御信号Vg2が入力される。第1トランジスタM10、第2トランジスタM12、遅延抵抗R10は第2制御信号Vg2を反転して出力するインバータである。
遅延抵抗R10と第2トランジスタM12の接続点と接地間には、遅延キャパシタC10および第3トランジスタM14が直列に接続される。第3トランジスタM14の制御端子であるゲートには、第1RSフリップフロップ回路34の出力信号SIG22が入力される。第3トランジスタM14は、第1RSフリップフロップ回路34の出力信号SIG22がハイレベルのときオン、出力信号SIG22がローレベルのときオフとなる。第3トランジスタM14がオンのとき、遅延キャパシタC10と遅延抵抗R10とによってCR回路が形成され、遅延回路36の出力信号SIG12はCR時定数に従って上昇する。一方、第3トランジスタM14がオフのとき、遅延キャパシタC10の一端は開放されるため、CR回路は構成されず、遅延回路36は第2制御信号Vg2を遅延せずに出力する。このようにして、遅延回路36は第1RSフリップフロップ回路34の出力信号SIG22にもとづき、アクティブ、非アクティブの状態が切り替えられる。
以上のように構成された降圧型スイッチングレギュレータ200の動作について図5、図6をもとに説明する。図5は、重負荷時における降圧型スイッチングレギュレータ200の動作波形図を示す。図6は、軽負荷時における降圧型スイッチングレギュレータ200の動作波形図を示す。また、図7(a)、(b)は、それぞれ重負荷、軽負荷時におけるインダクタ電流IL、出力電流Ioutを示す。
はじめに、重負荷時の動作について図5および図7(a)を参照しつつ説明する。
図5において、時刻T0〜T1の期間は、同期整流用トランジスタM2がオンの状態を示している。同期整流用トランジスタM2がオンのとき、スイッチング電圧Vswはほぼ接地電位となる。図4で説明したように、同期整流用トランジスタM2がオンの期間においては、出力電圧Voutは時間とともに低下する。時刻T1に、出力電圧Voutが基準電圧Vrefを下回ると、出力監視コンパレータ10の出力であるオン信号SIG10はハイレベルとなる。
時刻T1にオン信号SIG10がハイレベルとなると、ドライバ回路20は、第2制御信号Vg2をハイレベルからローレベルに切り替え、同期整流用トランジスタM2をオフする。このとき、遅延回路36は非アクティブであり、第2制御信号Vg2を反転して出力するため、軽負荷検出信号SIG12は時刻T1にハイレベルとなる。時刻T1に、オン信号SIG10、軽負荷検出信号SIG12がともにハイレベルとなると、ANDゲート14の出力信号SIG14はハイレベルとなり、第2RSフリップフロップ回路16がセットされ、パルス信号SIG16がハイレベルとなる。
ここで、重負荷時におけるインダクタ電流ILの向きに着目する。図7(a)に示すように、スイッチングトランジスタM1がオンする第1期間Tp1および同期整流用トランジスタM2がオンする第2期間Tp2のいずれにおいても、インダクタ電流ILは、正である。したがって、スイッチングトランジスタM1、同期整流用トランジスタM2はいずれもオフされるデッドタイムの期間、インダクタ電流ILは、ボディダイオードD2を介して供給される。ボディダイオードD2を介して接地からインダクタ電流ILが流れると、スイッチング電圧Vswは、接地電位よりもボディダイオードD2の順方向電圧Vfだけ低い電圧−Vfとなる。
時刻T1にボディダイオードD2がオンし、スイッチング電圧Vswが負となると、軽負荷検出用コンパレータ32はハイレベルの比較信号SIG20を出力する。ハイレベルの比較信号SIG20によって第1RSフリップフロップ回路34はリセットされ、第1RSフリップフロップ回路34の出力信号SIG22はローレベルとなる。第1RSフリップフロップ回路34の出力信号SIG22がローレベルのとき、遅延回路36は非アクティブとなるため、第2制御信号Vg2を反転して出力する。その結果、軽負荷検出信号SIG12はハイレベルとなる。オン信号SIG10、軽負荷検出信号SIG12がともにハイレベルとなると、ANDゲート14の出力信号SIG14もハイレベルとなるため、第2RSフリップフロップ回路16がセットされ、パルス信号SIG16がハイレベルとなる。
ドライバ回路20は、時刻T1にパルス信号SIG16がハイレベルとなってからデッドタイムTd経過後の時刻T2に第1制御信号Vg1をハイレベルとしてスイッチングトランジスタM1をオンする。スイッチングトランジスタM1がオンの期間、スイッチング電圧Vswは、入力電圧Vinにほぼ等しくなる。スイッチングトランジスタM1がオンされると、出力電圧Voutは上昇を開始する。
時刻T1から所定のオン時間Ton経過後の時刻T3に、第2RSフリップフロップ回路16がリセットされ、パルス信号SIG16はローレベルとなる。同時にドライバ回路20は、第1制御信号Vg1をローレベルとしてスイッチングトランジスタM1をオフする。時刻T3にスイッチングトランジスタM1がオフされると、スイッチングトランジスタM1、同期整流用トランジスタM2が両方ともオフとなる。その結果、インダクタ電流ILは、時刻T0〜T1と同様に、ボディダイオードD2を介して供給される。この間、スイッチング電圧Vswは−Vfとなり、比較信号SIG20はハイレベルとなる。このとき、第1RSフリップフロップ回路34はリセット状態であるため、その出力信号SIG22は変化しない。
時刻T3から所定のデッドタイムTd経過後の時刻T4に、ドライバ回路20は、第2制御信号Vg2をハイレベルとして同期整流用トランジスタM2をオンする。このとき、遅延回路36は非アクティブであるため、軽負荷検出信号SIG12は遅延無くローレベルに遷移する。時刻T5に、出力電圧Voutが基準電圧Vrefまで低下すると、出力監視コンパレータ10は再度、ハイレベルのオン信号SIG10を出力する。
このように、本実施の形態に係る降圧型スイッチングレギュレータ200は、重負荷時において、時刻T1〜時刻T5に示す動作を一周期として降圧動作を行い、出力電圧Vtoutを基準電圧Vref付近に安定させる。
次に、降圧型スイッチングレギュレータ200の軽負荷時の動作について図6および図7(b)を参照しつつ説明する。図6において、時刻T0〜T4までは重負荷の状態を示しており、時刻T4に軽負荷に切り替わったものとする。
時刻T4に軽負荷に切り替わると、インダクタ電流ILおよび出力電流Ioutは、図7(b)に示す波形となる。図7(b)で斜線を付した部分は、インダクタ電流ILが負となっている。したがって、スイッチングトランジスタM1、同期整流用トランジスタM2がともにオフするデッドタイムにおいて、インダクタ電流ILは出力キャパシタCoからボディダイオードD1を介して入力端子202に流れることになる。このとき、ボディダイオードD1はオンするため、スイッチング電圧Vswは、入力端子202に印加される入力電圧Vinよりも順方向電圧Vfだけ高い電圧Vin+Vfとなる。
図6に戻る。時刻T4以降、出力電圧Voutは徐々に低下していく。時刻T5に出力電圧Voutが基準電圧Vrefより低くなると、出力監視コンパレータ10はハイレベルのオン信号SIG10を出力する。このオン信号SIG10によって、ドライバ回路20内部の第3RSフリップフロップ回路21はリセットされるため、第2制御信号Vg2はローレベルとなり、同期整流用トランジスタM2がオフされる。時刻T5に同期整流用トランジスタM2がオフすると、図7(b)で説明したように、ボディダイオードD1を介してインダクタ電流ILが流れることになる。その結果、スイッチング電圧Vswは、Vin+Vfまで上昇し、出力電圧Voutもこれにともなって上昇する。
ここで、時刻T5における軽負荷モード検出部30の動作に着目する。時刻T5においては、Vsw>0Vであるため、比較信号SIG20はローレベルのままとなる。したがって、第1RSフリップフロップ回路34はリセットされず、その出力信号SIG22はハイレベルを保持し続ける。出力信号SIG22がハイレベルのとき、第3トランジスタM14はオンとなり、遅延回路36はアクティブとなり、軽負荷検出信号SIG12は時定数を持って上昇していく。時刻T5において、オン信号SIG10はハイレベルであるが、軽負荷検出信号SIG12は遅延されることによりローレベルとなるため、ANDゲート14の出力信号SIG14は、ローレベルとなる。その結果、時刻T5において、第2RSフリップフロップ回路16がセットされず、パルス信号SIG16はローレベルを保持し続ける。
パルス信号SIG16がローレベルを保持し続けると、ドライバ回路20によるスイッチングトランジスタM1、同期整流用トランジスタM2の駆動が停止する。時刻T5以降、スイッチングトランジスタM1、同期整流用トランジスタM2がともにハイインピーダンスとなると、スイッチングレギュレータ出力回路120の出力インダクタL1、出力キャパシタCoによりLC共振が誘起され、出力電圧Voutは振動しながら徐々に低下していく。こうして出力電圧Voutが基準電圧Vrefに低下するまでの期間、スイッチングトランジスタM1、同期整流用トランジスタM2のスイッチング動作が停止される。
以上のように、本実施の形態に係る降圧型スイッチングレギュレータ200によれば、軽負荷時においてスイッチングトランジスタM1、同期整流用トランジスタM2のスイッチング動作を停止することにより、ゲートドライブ電流を低減することができる。ゲートドライブ電流を低減することにより、降圧型スイッチングレギュレータ200全体の変換効率を改善することができる。
軽負荷状態の検出には、抵抗素子による電圧降下ではなく、接地から入力電圧より広い範囲でフルスイングするスイッチング電圧Vswをモニタする。その結果、軽負荷検出用コンパレータ32として高性能なコンパレータを用いる必要がないため、回路面積の増大を抑えることができる。
また、パルス変調器12は、遅延した第2制御信号Vg2すなわち軽負荷検出信号SIG12とオン信号SIG10をANDゲート14により論理演算し、その結果にもとづきパルス信号SIG16を生成する。その結果、第2制御信号Vg2が遅延される軽負荷状態において、オン信号SIG10を無効化し、スイッチング動作を停止することができる。
さらに、軽負荷検出用コンパレータ32を設け、第2制御信号Vg2に遅延を与える遅延回路36のアクティブ、非アクティブを、スイッチング電圧Vswにもとづいて切り替えることにより、第2制御信号Vg2を軽負荷時のみ遅延してオン信号SIG10を無効化し、スイッチング動作を停止することができる。
(第2の実施の形態)
図8は、第2の実施の形態に係る降圧型スイッチングレギュレータ200aの構成を示す回路図である。同図において、図1と同一もしくは同等の構成要素には同一の符号を付し、適宜説明を省略する。以下では、第1の実施の形態で説明した図1の降圧型スイッチングレギュレータ200との相違点を中心に説明する。
図8の制御回路100aは、図1の制御回路100と、軽負荷モード検出部30およびドライバ回路20内部の構成を異にする。
図8の軽負荷モード検出部30aは、図1の軽負荷モード検出部30に加えて、第3デッドタイム生成回路40、インバータ44、ANDゲート46を更に備える。
第3デッドタイム生成回路40は、第2制御信号Vg2のネガエッジを遅延した信号SIG30を出力する。インバータ44は、第3デッドタイム生成回路40の出力信号SIG30を反転する。ANDゲート46は、遅延回路36の出力信号SIG12と、インバータ44の出力信号SIG32の論理積をとって出力する。軽負荷モード検出部30aからパルス変調器12へは、ANDゲート46の出力信号SIG12’が出力される。
図9は、図8のドライバ回路20aの構成を示す回路図である。ドライバ回路20aは、パルス変調器12から出力されるパルス信号SIG16および出力監視コンパレータ10から出力されるオン信号SIG10にもとづき、スイッチングトランジスタM1および同期整流用トランジスタM2をデッドタイムTdを挟んで交互にオンする。ドライバ回路20は、第1バッファ回路26、第4デッドタイム生成回路42、インバータ48、第3RSフリップフロップ回路21、第2バッファ回路28を含む。
第1バッファ回路26は、パルス信号SIG16にもとづき第1制御信号Vg1を生成する。
第4デッドタイム生成回路42、インバータ48、第3RSフリップフロップ回路21、第2バッファ回路28は、パルス信号SIG16にもとづき第2制御信号Vg2を生成する。第4デッドタイム生成回路42は、パルス信号SIG16のネガエッジから所定のデッドタイムTd経過後にその出力をローレベルとし、パルス信号SIG16のポジエッジと同時にその出力をハイレベルとする。インバータ48は、第4デッドタイム生成回路42の出力信号SIG24を反転する。第3RSフリップフロップ回路21のセット端子には、インバータ48の出力信号SIG26が入力され、リセット端子には、出力監視コンパレータ10から出力されるオン信号SIG10が入力される。第2バッファ回路28は、第3RSフリップフロップ回路21の出力信号SIG28にもとづき第2制御信号Vg2を生成する。
以上のように構成された第2の実施の形態に係る降圧型スイッチングレギュレータ200の動作について図10、図11をもとに説明する。図10は、重負荷時における降圧型スイッチングレギュレータ200aの動作波形図を示す。図11は、軽負荷時における降圧型スイッチングレギュレータ200aの動作波形図を示す。
はじめに、重負荷時の動作について図10を参照しつつ説明する。
図10において、時刻T0〜T1の期間は、同期整流用トランジスタM2がオンの状態を示している。同期整流用トランジスタM2がオンのとき、スイッチング電圧Vswはほぼ接地電位となる。同期整流用トランジスタM2がオンの期間においては、出力電圧Voutは時間とともに低下する。時刻T1に、出力電圧Voutが基準電圧Vrefを下回ると、出力監視コンパレータ10の出力であるオン信号SIG10はハイレベルとなる。
時刻T1に、オン信号SIG10がハイレベルとなると、ドライバ回路20aの第3RSフリップフロップ回路21がリセットされ、その出力信号SIG28および第2制御信号Vg2がローレベルに遷移し、同期整流用トランジスタM2がオフする。同期整流用トランジスタM2がオフすると、ボディダイオードD2に電流が流れ、スイッチング電圧Vswは負電圧となる。その結果、軽負荷検出用コンパレータ32の出力である比較信号SIG20はハイレベルとなり、第1RSフリップフロップ回路34がリセットされ、第1RSフリップフロップ回路34の出力信号SIG22はローレベルとなる。出力信号SIG22がローレベルとなることにより、遅延回路36は非アクティブとなる。時刻T1に遅延回路36が非アクティブとなることにより、遅延回路36の出力信号SIG12は、第2制御信号Vg2を遅延なく反転した信号となる。
第2制御信号Vg2のネガエッジは、第3デッドタイム生成回路40によって所定のデッドタイムTdだけ遅延される。時刻T1からデッドタイムTd経過後の時刻T2に、第3デッドタイム生成回路40の出力信号SIG30はローレベルとなり、同時にインバータ44の出力信号SIG32はハイレベルとなる。
時刻T2にインバータ44の出力信号SIG32がハイレベルとなると、ANDゲート46の出力信号SIG12’はハイレベルとなる。同時にANDゲート14の出力信号SIG14も、ハイレベルとなり、第2RSフリップフロップ回路16がセットされて第1制御信号Vg1がハイレベルとなり、スイッチングトランジスタM1がオンする。スイッチングトランジスタM1がオンすると、出力電圧Voutは上昇を開始し、基準電圧Vrefを上回った時点で、オン信号SIG10は再度ローレベルとなる。スイッチングトランジスタM1がオンの期間、スイッチング電圧Vswは入力電圧Vin付近の電圧となるため、軽負荷検出用コンパレータ32の出力である比較信号SIG20はローレベルとなる。
時刻T2に第2RSフリップフロップ回路16がセットされてから所定のオン時間Ton経過後の時刻T3に、パルス信号SIG16および第1制御信号Vg1はローレベルとなり、スイッチングトランジスタM1がオフする。スイッチングトランジスタM1がオフすると、再びボディダイオードD2に電流が流れ、スイッチング電圧Vswは負電圧となり、比較信号SIG20がハイレベルとなる。
また、ドライバ回路20aの第4デッドタイム生成回路42は、パルス信号SIG16のネガエッジを遅延するため、時刻T3からデッドタイムTd経過後の時刻T4に、出力信号SIG24はローレベルとなる。時刻T4に第3RSフリップフロップ回路21がセットされ、第3RSフリップフロップ回路21の出力信号SIG28および第2制御信号Vg2はハイレベルとなって同期整流用トランジスタM2がオンする。同期整流用トランジスタM2がオンすると、スイッチング電圧Vswは接地電位付近に固定され、比較信号SIG20はローレベルとなり、遅延回路36は非アクティブに設定され、第2制御信号Vg2を遅延なく反転した出力信号SIG12を出力する。
第3デッドタイム生成回路40は第2制御信号Vg2のネガエッジのみを遅延するため、その出力信号SIG30は、時刻T4に第2制御信号Vg2がハイレベルになると同時にハイレベルとなり、インバータ44の出力信号SIG32はローレベルとなる。この時刻T4に、ANDゲート46の出力信号SIG12’はローレベルに遷移する。
時刻T4に同期整流用トランジスタM2がオンすると、出力電圧Voutは降下し始め、時刻T5に再び基準電圧Vrefよりも低くなる。
このように、図8の降圧型スイッチングレギュレータ200aは、重負荷時において、時刻T1〜時刻T5までの動作を一周期として降圧動作を行い、基準電圧Vref付近に安定化された出力電圧Voutを出力する。
次に、降圧型スイッチングレギュレータ200aの軽負荷時の動作について図11を参照しつつ説明する。図11において、時刻T0〜T4までは重負荷の状態を示しており、時刻T4に軽負荷に切り替わったものとする。
時刻T5に、出力電圧Voutが基準電圧Vrefを下回るとオン信号SIG10がハイレベルとなる。オン信号SIG10がハイレベルになると、ドライバ回路20aは第2制御信号Vg2をローレベルとして同期整流用トランジスタM2をオフする。軽負荷時において、スイッチングトランジスタM1、同期整流用トランジスタM2がともにオフとなると、ボディダイオードD1に電流が流れるため、スイッチング電圧Vswは、入力電圧VinよりもボディダイオードD1の順方向電圧Vfだけ高い電圧となる。このときVsw>0Vが成り立っているから、比較信号SIG20はローレベルを維持し続ける。
比較信号SIG20がローレベルを維持すると、第1RSフリップフロップ回路34がリセットされないため、第1RSフリップフロップ回路34の出力信号SIG22はハイレベルのまま固定され、遅延回路36はアクティブとなる。第2制御信号Vg2がハイレベルからローレベルに変化する時刻T5に、遅延回路36はアクティブであるから、遅延回路36の出力信号SIG12は、時定数に従って徐々に上昇していく。時刻T5からデッドタイムTd経過後の時刻T6に、第3デッドタイム生成回路40の出力信号SIG30はローレベルとなる。
時刻T6に第3デッドタイム生成回路40の出力信号SIG30がローレベルとなり、インバータ44の出力信号SIG32がハイレベルとなるが、遅延回路36の出力信号SIG12はハイレベルに達していないため、ANDゲート46の出力信号SIG12’はハイレベルに遷移しない。その後、時刻T7に遅延回路36の出力信号SIG12はハイレベルに達すると、ANDゲート46の出力信号SIG12’はハイレベルとなる。
このとき、すでにオン信号SIG10はローレベルとなっているため、ANDゲート14の出力信号SIG14はハイレベルに遷移せず、ローレベルが持続する。その結果、第2RSフリップフロップ回路16がセットされず、パルス信号SIG16がハイレベルとならないため、スイッチングトランジスタM1、同期整流用トランジスタM2がいずれもオフとなりスイッチング動作が停止する。
このように、本実施の形態に係る降圧型スイッチングレギュレータ200aは、第1の実施の形態に係る降圧型スイッチングレギュレータ200と同様に、軽負荷時においてスイッチングトランジスタM1、同期整流用トランジスタM2のスイッチング動作を停止することにより、ゲートドライブ電流を低減することができる。ゲートドライブ電流を低減することにより、降圧型スイッチングレギュレータ200全体の変換効率を改善することができる。
上記実施の形態は例示であり、それらの各構成要素や各処理プロセスの組合せにいろいろな変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。
実施の形態では、制御回路100がひとつのLSIに一体集積化される場合について説明したが、これには限定されず、一部の構成要素がLSIの外部にディスクリート素子あるいはチップ部品として設けられ、あるいは複数のLSIにより構成されてもよい。どの部分をどの程度集積化するかは、コストや占有面積などによって決めればよい。
実施の形態においては、スイッチングトランジスタM1、同期整流用トランジスタM2が、いずれもNチャンネルMOSFETの場合について説明したが、PチャンネルMOSFETを用いてもよい。また、MOSFETで示されるトランジスタは、バイポーラトランジスタで置換してもよい。
また、本実施の形態において、ハイレベル、ローレベルの論理値の設定は一例であって、インバータなどによって適宜反転させることにより自由に変更することが可能である。
第1の実施の形態に係る降圧型スイッチングレギュレータの構成を示す回路図である。 図1の降圧型スイッチングレギュレータを搭載した電子機器の構成を示すブロック図である。 図1のドライバ回路の構成を示す回路図である。 図1の降圧型スイッチングレギュレータの動作状態を示すタイムチャートである。 重負荷時における図1の降圧型スイッチングレギュレータの動作波形図である。 軽負荷時における図1の降圧型スイッチングレギュレータの動作波形図である。 図7(a)、(b)は、それぞれ重負荷、軽負荷時におけるインダクタ電流、出力電流を示す動作波形図である。 第2の実施の形態に係る降圧型スイッチングレギュレータの構成を示す回路図である。 図8のドライバ回路の構成を示す回路図である。 重負荷時における図8の降圧型スイッチングレギュレータの動作波形図である。 軽負荷時における図8の降圧型スイッチングレギュレータの動作波形図である。
符号の説明
M1 スイッチングトランジスタ、 M2 同期整流用トランジスタ、 L1 出力インダクタ、 Co 出力キャパシタ、 D1 ボディダイオード、 D2 ボディダイオード、 10 出力監視コンパレータ、 12 パルス変調器、 14 ANDゲート、 16 第2RSフリップフロップ回路、 18 オン時間設定回路、 20 ドライバ回路、 21 第3RSフリップフロップ回路、 22 第1デッドタイム生成回路、 24 第2デッドタイム生成回路、 26 第1バッファ回路、 28 第2バッファ回路、 30 軽負荷モード検出部、 32 軽負荷検出用コンパレータ、 34 第1RSフリップフロップ回路、 36 遅延回路、 100 制御回路、 102 第1スイッチング端子、 104 第2スイッチング端子、 106 帰還端子、 108 スイッチング電圧検出端子、 120 スイッチングレギュレータ出力回路、 200 降圧型スイッチングレギュレータ、 202 入力端子、 204 出力端子、 300 電子機器、 310 電池、 320 マイクロプロセッサ、 Vg1 第1制御信号、 Vg2 第2制御信号、 M10 第1トランジスタ、 M12 第2トランジスタ、 M14 第3トランジスタ、 C10 遅延キャパシタ、 R10 遅延抵抗、 SIG10 オン信号、 SIG12 軽負荷検出信号、 SIG16 パルス信号、 SIG18 リセット信号、 SIG20 比較信号。

Claims (10)

  1. 同期整流方式の降圧型スイッチングレギュレータの制御回路であって、
    前記スイッチングレギュレータの出力電圧とその目標値である基準電圧とを比較し、前記出力電圧が前記基準電圧より低くなるとオン信号を出力する出力監視コンパレータと、
    前記出力監視コンパレータからオン信号が出力されてから所定のオン時間、所定レベルとなるパルス信号を生成するパルス変調器と、
    前記パルス変調器から出力されるパルス信号にもとづき第1、第2制御信号を生成し、前記第1制御信号によりスイッチングトランジスタを、前記第2制御信号により同期整流用トランジスタをデッドタイムを挟んで交互にオンするドライバ回路と、
    前記スイッチングトランジスタと前記同期整流用トランジスタの接続点に現れるスイッチング電圧を所定のしきい値電圧と比較し、前記出力監視コンパレータから前記オン信号が出力されるタイミングにおいて、前記スイッチング電圧が前記しきい値電圧より高いとき、前記オン信号を無効化する軽負荷モード検出部と、
    を備えることを特徴とする制御回路。
  2. 前記軽負荷モード検出部は、前記第2制御信号が入力され、前記出力監視コンパレータから前記オン信号が出力されるタイミングにおいて、前記スイッチング電圧が前記しきい値電圧より高いとき前記第2制御信号を遅延して前記パルス変調器へと出力し、
    前記パルス変調器は、遅延した前記第2制御信号と前記オン信号との論理演算結果にもとづき前記パルス信号を生成することを特徴とする請求項1に記載の制御回路。
  3. 前記軽負荷モード検出部は、
    前記スイッチングトランジスタと前記同期整流用トランジスタの接続点のスイッチング電圧と前記しきい値電圧とを比較する軽負荷検出用コンパレータと、
    前記第2制御信号によりセットされ、前記軽負荷検出用コンパレータの出力信号によりリセットされる第1フリップフロップ回路と、
    前記第1フリップフロップ回路がセットされた状態においてアクティブとなり、前記第2制御信号を遅延し、非アクティブの状態においては、前記第2制御信号を遅延せずに出力する遅延回路と、
    を含み、
    前記パルス変調器は、前記遅延回路の出力信号と前記オン信号との論理演算結果にもとづき前記パルス信号を生成することを特徴とする請求項2に記載の制御回路。
  4. 前記しきい値電圧は、接地電位であることを特徴とする請求項1または2に記載の制御回路。
  5. 前記遅延回路は、
    電源電圧と接地間に直列に接続された第1トランジスタ、遅延抵抗および第2トランジスタと、
    前記遅延抵抗と前記第2トランジスタの接続点と接地間に直列に接続された遅延キャパシタおよび第3トランジスタと、
    を含み、
    前記第1、第2トランジスタの接続点に前記第2制御信号が入力されるとともに、前記第3トランジスタの制御端子に前記第1フリップフロップ回路の出力が入力され、前記遅延抵抗および前記第2トランジスタの接続点から信号を出力することを特徴とする請求項1または2に記載の制御回路。
  6. パルス変調器は、
    前記オン信号によりセットされる第2フリップフロップ回路と、
    前記第2フリップフロップ回路がセットされてから前記オン時間経過後に、前記第2フリップフロップ回路をリセットするオン時間設定回路と、
    を含み、前記第2フリップフロップ回路の出力信号を前記パルス信号として出力することを特徴とする請求項1または2に記載の制御回路。
  7. 前記ドライバ回路は、
    前記パルス信号を反転した信号によりセットされ、前記オン信号によりリセットされる第3フリップフロップ回路を含み、当該第3フリップフロップ回路の出力信号にもとづき、前記第2制御信号を生成することを特徴とする請求項1または2に記載の制御回路。
  8. ひとつの半導体基板上に一体集積化されたことを特徴とする請求項1または2に記載の制御回路。
  9. 入力端子と接地間に直列に接続されたスイッチングトランジスタおよび同期整流用トランジスタを含むスイッチングレギュレータ出力回路と、
    前記スイッチングトランジスタおよび前記同期整流用トランジスタを駆動する請求項1または2に記載の制御回路と、
    を備えることを特徴とする降圧型スイッチングレギュレータ。
  10. 電池と、
    マイクロプロセッサと、
    前記電池の電圧を降圧して前記マイクロプロセッサに供給する請求項9に記載の降圧型スイッチングレギュレータと、
    を備えることを特徴とする電子機器。
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