JP2006350125A - 光学デバイス - Google Patents

Abstract

【課題】様々な波長を有する光に対して波長分離を確実に行うことができる光学デバイスを提供すること。
【解決手段】図１に示す光学デバイス１は、入射した光Ｌ１のうち、特定波長域の光を透過させる光学デバイスであって、一対の反射膜３１２ａ、３１２ｂと、前記反射膜同士を互いに接近・離間させる第１の変位手段とを有し、前記反射膜同士の間隔ｈ１に応じた波長域の光Ｌ２を透過し得るよう構成されている第１の構造体Ｕ１と、一対の反射膜３１２ｃ、３１２ｄと、前記反射膜同士を互いに接近・離間させる第２の変位手段とを有し、前記反射膜同士の間隔ｈ２に応じた波長域の光Ｌ３を外部に透過し得るよう構成されている第２の構造体Ｕ２とを有し、第１の構造体Ｕ１と第２の構造体Ｕ２とを、入射した光Ｌ１の光軸に沿って配置してなることを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、光学デバイスに関する。

様々な波長を有する光に対して特定波長の光を分離（抽出）する、すなわち、波長分離するには、一般的に、波長可変フィルタ(Optical Tunable Filter)が用いられる。この波長可変フィルタとしては、例えば、特許文献１に記載されたものが知られている。
特許文献１の波長可変フィルタは、板状の可動部と、可動部の一方の面に形成された第１の反射膜と、静電力により可動部をその厚さ方向に変位させる駆動部と、可動部に対して固定的に設けられた基板と、基板の可動部側の面に形成された第２の反射膜とを有している。このような構成の波長可変フィルタでは、波長分離は、第１の反射膜と、第２の反射膜との間（間隙）で反射を繰り返し、干渉を生じさせて、前記間隙に応じた光を外部に出射することにより行われる。

さて、この波長可変フィルタでは、駆動部の作動、すなわち、可動部の変位により、第１の反射膜と第２の反射膜とが接近するに従い、第１の反射膜と第２の反射膜との静電力（吸引力）の大きさが増加し、遂には、駆動部が制御する静電力を越えることとなる。このため、第１の反射膜と第２の反射膜とが密着する、すなわち、第１の反射膜と第２の反射膜との間に間隙が形成されず、波長分離が行うことが不可能となるという問題があった。

特公平４−４６３６９号公報

本発明の目的は、様々な波長を有する光に対して波長分離を確実に行うことができる光学デバイスを提供することにある。

このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の光学デバイスは、入射した光のうち、特定波長域の光を透過させる光学デバイスであって、
一対の第１の反射膜と、前記第１の反射膜同士を互いに接近・離間させる第１の変位手段とを有し、前記第１の変位手段により前記第１の反射膜同士の間隔を設定し、その状態で、前記光を入射して、前記一対の第１の反射膜の間で反射を繰り返し、干渉を生じさせて、前記第１の反射膜同士の間隔に応じた波長域の光を透過し得るよう構成されている第１の構造体と、
一対の第２の反射膜と、前記第２の反射膜同士を互いに接近・離間させる第２の変位手段とを有し、前記第２の変位手段により前記第２の反射膜同士の間隔を設定し、その状態で、前記第１の構造体を透過した光を入射して、前記一対の第２の反射膜の間で反射を繰り返し、干渉を生じさせて、前記第２の反射膜同士の間隔に応じた波長域の光を外部に透過し得るよう構成されている第２の構造体とを有し、
前記第１の構造体と前記第２の構造体とを、前記入射した光の光軸に沿って配置してなることを特徴とする。
これにより、様々な波長を有する光に対して波長分離を確実に行うことができる光学デバイスが得られる。

本発明の光学デバイスでは、前記第１の反射膜同士の間隔と前記第２の反射膜同士の間隔とが異なるように設定することにより、前記第１の構造体を透過する光の波長域と前記第２の構造体を透過する光の波長域とを異ならせることが好ましい。
これにより、光学デバイスの光の透過条件を第１の構造体の光の透過条件と、第２の構造体の光の透過条件とを合成したものとすることができる。

本発明の光学デバイスでは、前記第１の構造体と前記第２の構造体とで除去する光の波長域を分担することが好ましい。
これにより、第１の構造体と第２の構造体とにおいて、波長分離を２段階で行うことができ、より自由度の高い波長分離が可能となる。
本発明の光学デバイスでは、前記一対の第１の反射膜および前記一対の第２の反射膜の少なくとも一方を、それらの間隔を設定する際に、非平行状態とすることにより、前記光の透過を阻止するよう構成されていることが好ましい。
これにより、光学デバイスがスイッチとして機能する。

本発明の光学デバイスでは、前記第１の変位手段および前記第２の変位手段の少なくとも一方は、クーロン力の作用により作動するものであることが好ましい。
これにより、基板をその厚さ方向に変位させることができる。
本発明の光学デバイスでは、前記第１の変位手段は、前記一対の第１の反射膜をそれぞれ支持し、光透過性を有する一対の第１の基板と、前記各第１の基板と対向配置された一対の第１の電極部とを有することが好ましい。
これにより、電極部に通電することにより、第１の構造体中の各基板および各反射膜を上下方向、すなわち、厚さ方向に安定的に駆動（変位）させることができる。

本発明の光学デバイスでは、前記第２の変位手段は、前記一対の第２の反射膜をそれぞれ支持し、光透過性を有する一対の第２の基板と、前記各第２の基板と対向配置された一対の第２の電極部とを有することが好ましい。
これにより、電極部に通電することにより、第２の構造対中の各基板および各反射膜を上下方向、すなわち、厚さ方向に安定的に駆動（変位）させることができる。

本発明の光学デバイスでは、前記第１の構造体は、前記第１の反射膜および前記第１の変位手段を収納可能な一対の凹部を有する一対のハウジングと、
前記ハウジング同士を、互いに前記凹部同士が対向するように接合するスペーサとを有することが好ましい。
これにより、第１の構造体のハウジング本体の外側から基板に不本意に接触するのを防止することができる。

本発明の光学デバイスでは、前記第２の構造体は、前記第２の反射膜および前記第２の変位手段を収納可能な一対の凹部を有する一対のハウジングと、
前記ハウジング同士を、互いに前記凹部同士が対向するように接合するスペーサとを有することが好ましい。
これにより、第２の構造体のハウジング本体の外側から基板に不本意に接触するのを防止することができる。

本発明の光学デバイスでは、前記第１の構造体および前記第２の構造体は、中間層を介して接合されていることが好ましい。
これにより、第１の構造体と第２の構造体とを、光学的に接合したり、両者の接合強度を向上させたりすることができる。
本発明の光学デバイスでは、前記中間層の屈折率は、前記第１の構造体の前記光が透過する部分の屈折率および前記第２の構造体の前記光が透過する部分の屈折率とほぼ等しいことが好ましい。
これにより、中間層を光が透過する際に、光の不本意な反射を抑制することができる。

以下、本発明の光学デバイスを添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の光学デバイスの第１実施形態を示す断面図（側面図）、図２は、図１に示す光学デバイスのＡ−Ａ線断面図（平面図）、図４〜図７は、それぞれ、図１に示す光学デバイスの製造方法を説明する図（製造工程を模式的に示す図）である。なお、以下の説明では、図１および図４〜図７中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

図１に示す光学デバイス１は、例えば、光学デバイス１内に入射した光Ｌ１のうち、特定波長域の光（干渉光）Ｌ３を透過させる装置、すなわち、波長可変フィルタとして機能する装置である。この光学デバイス１は、第１の構造体および第２の構造体とを有している。また、第１の構造体は、互いに対向して配置された一対の構造体（構造体１０Ａ、１０Ｂ）を備え、第２の構造体は、互いに対向して配置された一対の構造体（構造体１０Ｃ、１０Ｄ）を備えている。すなわち、本実施形態では、光学デバイス１は、互いに対向して配置された一対の構造体（第１の構造体と第２の構造体）を構成単位とし、この構成単位を入射した光Ｌ１の光軸に沿って配置するとともに、積層（接合）してなるものである。なお、図示の構成では、構造体１０Ｄが最も下側に位置し、構造体１０Ｃ、１０Ｂ、１０Ａの順に上方に向かって積層されている。以下、各部の構成について説明する。

第１の構造体Ｕ１中の構造体１０Ａは、図１に示すように、ハウジング２ａと、ハウジング２ａに収納され得る基板３ａと、基板３ａの下面（一方の面）に設けられた反射膜３１２ａと、基板３ａを変位させる電極部２３ａとを備えている。
図２に示すように、基板３ａは、平面視で、形状がほぼ円形をなすものである。これにより、基板３ａが安定し、かつ、効率よく変位することができる。

なお、基板３ａは、光透過性を有する材料で構成され、この材料としては、特に限定されないが、例えば、シリコン（Ｓｉ）を用いるのが好ましい。シリコンを用いた場合には、円盤状の基板３ａを容易に製造（形成）することができる。
また、基板３ａの厚さ（平均）は、構成材料、用途等により適宜選択され、特に限定されないが、１〜５００μｍ程度であるのが好ましく、１０〜１００μｍ程度であるのがより好ましい。
反射膜３１２ａは、後述する反射膜３１２ｂと一対をなすものである。
この反射膜３１２ａは、平面視で円形をなし、基板３ａに同心的に設けられている（支持されている）。これにより、光学デバイス１に入射した光Ｌ１を効率的に反射させることができる。

また、この反射膜３１２ａは、多層膜で形成（構成）されている。
多層膜の構成材料としては、例えばＳｉＯ_２（シリコン酸化膜）、Ｔａ_２Ｏ_５、ＳｉＮ（シリコン窒化膜）等が好ましい。これらを適宜用いることにより、非常に高い反射率を有する反射膜３１２ａが得られる。これらを交互に積層することにより、所定の厚さの多層膜（反射膜３１２ａ）を設けることができる。

多層膜の各層の厚さ、層数、材質を設定（調整）することによって、所定の波長の光反射させることができる多層膜を形成することができる（特性を変化させることができる）。例えば、各層の厚さを設定することにより反射率を調整することができ、各層の層数を設定することにより、反射する光の波長を調整することができる。これにより、所望の特性を有する反射膜３１２ａを容易に形成することができる。

ハウジング２ａは、後述するハウジング２ｂと一対をなすものである。このハウジング２ａは、ブロック状のハウジング本体２０ａと、ハウジング本体２０ａの下面に設けられたシリコン層（シリコン膜）３３と、基板３ａを変位（移動）可能に支持する支持部３２とを有している。
ハウジング本体２０ａには、凹部２１ａが設けられている。凹部２１ａは、後述するハウジング本体２０ｂに設けられた凹部２１ｂと一対をなし、また、その形状はほぼ円柱状をなしている。この凹部２１ａに、基板３ａが同心的に収納（設置）されている。このような凹部２１ａが設けられていることにより、ハウジング本体２０ａの外側から基板３ａに不本意に接触するのを防止することができる。

なお、凹部２１ａは、後述するように、ハウジング本体２０ａの表面（下面）からエッチング処理を施すことにより形成するのが好ましい。また、凹部２１ａの深さは、光学デバイス１の用途などにより適宜選択され、特に限定されないが、１〜１００μｍ程度であるのが好ましい。
また、ハウジング本体２０ａは、光透過性を有する材料で構成されている。この材料としては、例えば、ソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸ナトリウムガラス、無アルカリガラス等の各種ガラスや、シリコン等が挙げられるが、電圧の印加により移動することができる可動イオンを含有するガラスであるのが好ましい。これにより、ハウジング本体２０ａに対して陽極接合により接合対象物を接合することが可能となる。

この可動イオンとしては、例えば、ナトリウムイオン、カリウムイオン、リチウムイオンのようなアルカリ金属イオンの他、アルミニウムイオン等が挙げられるが、特にアルカリ金属イオンが好ましい。これにより、陽極接合をより強固に行うことができる。
このような観点からは、ソーダガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ナトリウムガラス等を用いるのが好ましい。
また、ハウジング本体２０ａの厚さ（平均）は、それぞれ、構成材料、用途等により適宜選択され、特に限定されないが、１０〜２０００μｍ程度であるのが好ましく、１００〜１０００μｍ程度であるのがより好ましい。

シリコン層３３は、ハウジング本体２０ａの下面の全体に設けられている。
シリコン層３３の内周部３３１には、短冊状をなし、弾性（可撓性）を有する４つの支持部３２が突出して形成されている（図２参照）。これらの支持部３２は、シリコン層３３の内周部の周方向に沿って等間隔に設けられている。
なお、各支持部３２の構成材料は、基板３ａやシリコン層３３と同様に、シリコンで構成されているのが好ましい。これにより、後述するように、各支持部３２と、基板３ａと、シリコン層３３とを一体的に形成することができる。すなわち、各支持部３２と、基板３ａと、シリコン層３３とを個別に形成するのを省略することができる。このため、光学デバイス１を構成する部品点数を削減することができ、また、光学デバイス１を製造するための工数を削減することができる。

また、シリコン層３３の下面（後述するスペーサ１１と接触する面）は、その平滑度が高い（表面粗さが小さい）ことが好ましい。
具体的には、接合面の表面粗さＲａが５０ｎｍ以下であるのが好ましく、２０ｎｍ以下であるのが好ましい。これにより、比較的低温下でもスペーサ１１と接合することが可能となる。また、接合界面において、接合強度のバラツキ、ボイド等が生じるのをより確実に防止することができる。
なお、支持部３２の形成数は、４つに限定されず、例えば、２つ、３つまたは５つ以上でもよい。また、支持部３２の形状は、図示の形状に限定されない。

図１に示すように、凹部２１ａの底部（上部）２１１には、電極部２３ａが設けられている。これにより、ハウジング本体２０ａ（ハウジング２ａ）の外側から電極部２３ａに不本意に接触するのを防止することができる。
また、電極部２３ａに通電することにより、当該電極部２３ａと基板３ａとに電位差が生じて、クーロン力（静電力）が発生する。これにより、基板３ａをその厚さ方向に変位させることができる。その結果、基板３ａと後述する基板３ｂとが互いに接近・離間するよう変位させることができ、それにより反射膜３１２ａと後述する反射膜３１２ｂとが互いに接近・離間するよう変位させることができる。

この電極部２３ａは、形状が円環状（リング状）をなす電極板２３３で構成されている（図２参照）。
また、電極部２３ａ（電極板２３３）は、基板３ａの縁部３１に対向している。図２に示すように、基板３ａの縁部３１は、平面視で、電極板２３３の中に包含されている。
このような電極部２３ａを設けたことより、当該電極部２３ａに通電したとき、上下方向、すなわち、基板３ａの厚さ方向に、基板３ａを安定的に駆動（変位）させることができる。

電極部２３ａは、導電性を有する材料で構成されている。この材料としては、特に限定されないが、例えば、Ｃｒ、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｔｉなどの金属、カーボンやチタンなどを分散した樹脂、多結晶シリコン（ポリシリコン）、アモルファスシリコン等のシリコン、窒化シリコン、ＩＴＯのような透明導電材料、Ａｕ等が挙げられる。
なお、電極部２３ａの厚さ（平均）は、それぞれ、構成材料、用途等により適宜選択され、特に限定されないが、０．０１〜２０μｍ程度であるのが好ましく、１〜３μｍであるのがより好ましい。
また、図１に示すように、凹部２１ａ内には、反射防止膜３１１ａおよび２１０ａが形成されているのが好ましい。

反射防止膜３１１ａは、反射膜３１２ａとほぼ同等の形状をなしている。また、反射防止膜３１１ａは、基板３ａ（反射膜３１２ａ）と同心的に、基板３ａの反射膜３１２ａが形成されている下面と反対の面、すなわち、上面に設けられている。
反射防止膜２１０ａは、反射防止膜３１１ａとほぼ同等の形状をなしている。また、反射防止膜２１０ａは、反射防止膜３１１ａと対向して、すなわち、平面視で反射防止膜３１１ａと重なるように、凹部２１ａの底部２１１に設けられている。

このような反射防止膜３１１ａおよび２１０ａが形成されていることにより、光学デバイス１に入射する光Ｌ１と、反射膜３１２ａと反射膜３１２ｂとの間で干渉した干渉光の反射を抑制し、光を効率的に透過させることができる。
また、反射防止膜３１１ａおよび２１０ａは、それぞれ、多層膜で構成されている。
この多層膜の構成材料としては、例えばＳｉＯ_２（シリコン酸化膜）、Ｔａ_２Ｏ_５、ＳｉＮ（シリコン窒化膜）等が好ましい。これらを適宜用いることにより、非常に低い反射率（非常に高い透過率）を有する反射防止膜３１１ａおよび２１０ａが得られる。これらを交互に積層することにより、所定の厚さの多層膜を設けることができる。

多層膜の各層の厚さ、層数、材質を設定（調整）することによって、所定の波長の光を透過または反射させることができる多層膜を形成することができる（特性を変化させることができる）。また、各層の厚さを設定することにより反射防止率（透過率）を調整することができ、各層の層数を設定することにより、透過する光の波長を調整することができる。
なお、反射防止膜３１１ａおよび２１０ａは、少なくとも一方が絶縁性を有しているのが好ましい。これにより、電極部２３ａと、基板３ａとのショート（短絡）を防止することができる。

図１に示すように、ハウジング本体２０ａの上面には、反射防止膜１００ａが設けられているのが好ましい。これにより、光学デバイス１に入射する光Ｌ１の反射を抑制し、光Ｌ１を効率的に透過させることができる。
なお、反射防止膜１００ａは、反射防止膜３１１ａおよび２１０ａと同様に、多層膜で構成されているのが好ましい。

第１の構造体Ｕ１中の構造体１０Ｂは、図１に示すように、ハウジング２ｂと、ハウジング２ｂに収納され得る基板３ｂと、基板３ｂの上面（基板３ａ側の面）に設けられた反射膜３１２ｂと、基板３ｂを変位させる電極部２３ｂとを備えている。
基板３ｂは、基板３ａと同様に、平面視で、形状がほぼ円形をなすものである。これにより、基板３ｂが安定し、かつ、効率よく変位することができる。

この基板３ｂは、ギャップ２５を介して基板３ａに対向して、すなわち、平面視で基板３ａとほぼ重なるように配置されている。
なお、基板３ｂは、光透過性を有する材料で構成され、この材料としては、特に限定されないが、例えば、シリコン（Ｓｉ）を用いるのが好ましい。シリコンを用いた場合には、円盤状の基板３ｂを容易に製造（形成）することができる。
また、基板３ｂの厚さ（平均）は、構成材料、用途等により適宜選択され、特に限定されないが、１〜５００μｍ程度であるのが好ましく、１０〜１００μｍ程度であるのがより好ましい。

反射膜３１２ｂは、前述の反射膜３１２ａと一対をなすものである。
この反射膜３１２ｂは、平面視で円形をなし、基板３ｂに同心的に設けられている（支持されている）。これにより、光学デバイス１に入射した光Ｌ１を効率的に反射させることができる。
また、この反射膜３１２ｂは、多層膜で形成（構成）されている。この多層膜の構成材料としては、例えば、反射膜３１２ａの説明で挙げたような材料を用いることができる。

ハウジング２ｂは、前述のハウジング２ａと一対をなすものである。このハウジング２ｂは、ブロック状のハウジング本体２０ｂと、ハウジング本体２０ｂの上面に設けられたシリコン層３３と、基板３ｂを変位（移動）可能に支持する支持部３２とを有している。
なお、各支持部３２の構成材料は、基板３ｂやシリコン層３３と同様に、シリコンで構成されているのが好ましい。これにより、後述するように、各支持部３２と、基板３ｂと、シリコン層３３とを一体的に形成することができる。その結果、前述したような、部品点数や製造時の工数の削減等の効果を得ることができる。なお、シリコン層３３および支持部３２についての説明は、前述しているため、ここでは、これらについての説明を省略する。

ハウジング本体２０ｂには、凹部２１ａに対向する凹部２１ｂが設けられている。凹部２１ｂは、前述のハウジング本体２０ａに設けられた凹部２１ａと一対をなし、また、その形状はほぼ円柱状をなしている。この凹部２１ｂに、基板３ｂが同心的に収納（設置）されている。このような凹部２１ｂが設けられていることにより、ハウジング本体２０ｂ（光学デバイス１）の外側から基板３ｂに不本意に接触するのを防止することができる。

なお、凹部２１ｂは、ハウジング本体２０ｂの表面（上面）からエッチング処理を施すことにより形成するのが好ましい。また、凹部２１ｂの深さは、光学デバイス１の用途などにより適宜選択され、特に限定されないが、１〜１００μｍ程度であるのが好ましい。
また、ハウジング本体２０ｂは、光透過性を有する材料で構成されている。この材料としては、例えば、ハウジング本体２０ａの説明で挙げたような材料を用いることができる。
また、ハウジング本体２０ｂの厚さ（平均）は、それぞれ、構成材料、用途等により適宜選択され、特に限定されないが、１０〜２０００μｍ程度であるのが好ましく、１００〜１０００μｍ程度であるのがより好ましい。

図１に示すように、凹部２１ｂの底部（下部）２１１には、電極部２３ｂが設けられている。これにより、ハウジング本体２０ｂ（ハウジング２ｂ）の外側から電極部２３ｂに不本意に接触するのを防止することができる。
また、電極部２３ｂに通電することにより、当該電極部２３ｂと基板３ｂとに電位差が生じて、クーロン力が発生する。これにより、基板３ｂをその厚さ方向に変位させることができる。その結果、前述した基板３ａと基板３ｂとが互いに接近・離間するよう変位させることができ、それにより前述した反射膜３１２ａと反射膜３１２ｂとが互いに接近・離間するよう変位させることができる。

すなわち、基板３ａと基板３ｂ（一対の第１の基板）と、電極部２３ａと電極部２３ｂ（一対の第１の電極部）とで、反射膜３１２ａおよび反射膜３１２ｂとを変位させる第１の変位手段を構成している。
換言すると、凹部２１ａに収納された反射膜３１２ａ、基板３ａおよび電極部２３ａと、凹部２１ｂに収納された反射膜３１２ｂ、基板３ｂおよび電極部２３ｂとにより第１の変位手段が構成されている。

なお、本実施形態では、この第１の変位手段は、前述のようにクーロン力の作用により反射膜３１２ａおよび反射膜３１２ｂを変位させるが、本発明の光学デバイスではこれに限定されない。すなわち、第１の変位手段としては、クーロン力以外の力、例えば逆圧電効果等の作用により変位させるものであってもよい。
この電極部２３ｂは、電極部２３ａと同様に、形状が円環状（リング状）をなす電極板２３３で構成されている。

また、電極部２３ｂ（電極板２３３）は、基板３ｂの縁部３１に対向している（図１参照）。また、図示は省略するが、基板３ｂの縁部３１は、平面視で、電極板２３３の中に包含されている。
このような電極部２３ｂを設けたことより、当該電極部２３ｂに通電したとき、上下方向、すなわち、基板３ｂの厚さ方向に、基板３ｂを安定的に駆動（変位）させることができる。

電極部２３ｂは、導電性を有する材料で構成されている。この材料としては、特に限定されないが、例えば、電極部２３ａの説明で挙げたような材料を用いることができる。
なお、電極部２３ｂの厚さ（平均）は、それぞれ、構成材料、用途等により適宜選択され、特に限定されないが、０．０１〜２０μｍ程度であるのが好ましく、１〜３μｍであるのがより好ましい。

また、図１に示すように、凹部２１ｂ内には、反射防止膜３１１ｂおよび２１０ｂが形成されているのが好ましい。
反射防止膜３１１ｂは、反射膜３１２ｂとほぼ同等の形状をなしている。また、反射防止膜３１１ｂは、基板３ｂ（反射膜３１２ｂ）と同心的に、基板３ｂの反射膜３１２ｂが形成されている上面と反対の面、すなわち、下面に設けられている。

反射防止膜２１０ｂは、反射防止膜３１１ｂとほぼ同等の形状をなしている。また、反射防止膜２１０ｂは、反射防止膜３１１ｂと対向して、すなわち、平面視で反射防止膜３１１ｂと重なるように、凹部２１ｂの底部２１１に設けられている。
このような反射防止膜３１１ｂおよび２１０ｂが形成されていることにより、光学デバイス１に入射する外光と、反射膜３１２ｂと反射膜３１２ｂとの間で干渉した干渉光の反射を抑制し、光を効率的に透過させることができる。

また、反射防止膜３１１ｂおよび２１０ｂは、それぞれ、多層膜で構成されている。この多層膜の構成材料としては、例えば、反射防止膜３１１ａおよび２１０ａの説明で挙げたような材料を用いることができる。
なお、反射防止膜３１１ｂおよび２１０ｂは、少なくとも一方が絶縁性を有しているのが好ましい。これにより、電極部２３ｂと、基板３ｂとのショート（短絡）を防止することができる。

このような構成の構造体１０Ａ（ハウジング２ａ）と構造体１０Ｂ（ハウジング２ｂ）とは、スペーサ１１を介して接合されている。
このスペーサ１１は、前述のハウジング本体２０ａ（２０ｂ）の構成材料と同様の材料、または、シリコンで構成されているのが好ましい。さらに、このスペーサ１１は、ハウジング２ｂのシリコン層３３と、ハウジング２ｂのシリコン層３３との間に介挿されており、両シリコン層３３に直接接触して接合されるのが好ましい。このようなスペーサ１１が上記のような材料で構成されている場合、スペーサ１１と構造体１０Ａ、１０Ｂとを直接接触させつつ各種の処理を施すことにより、これらを強固に直接接合することができる。

このようなスペーサ１１としては、その接合に寄与する面の平滑度が高い（表面粗さが小さい）ものが好ましい。
具体的には、接合面の表面粗さＲａが５０ｎｍ以下であるのが好ましく、２０ｎｍ以下であるのが好ましい。これにより、シリコン層３３の平滑度にもよるが、比較的低温下でも接合することが可能となる。また、接合界面において、接合強度のバラツキ、ボイド等が生じるのをより確実に防止することができる。

また、例えば、スペーサ１１と構造体１０Ａ、１０Ｂとを接着剤を用いて接合（接着）した場合、温度変化に伴う前記接着剤の体積変化に起因して、反射膜３１２ａ（基板３ａ）と反射膜３１２ｂ（基板３ｂ）との間隔ｈ１が変化する。このため、波長分離に影響を与えるおそれがある。さらに、接着剤が均一に供給されない場合、硬化後の接着剤の厚さが不均一となり、反射膜３１２ａと反射膜３１２ｂとの平行度が低下するおそれもある。

かかる観点から、本発明の光学デバイス１では、前述のようにスペーサ１１と構造体１０Ａ、１０Ｂとを直接、すなわち、接着剤を用いることなく接合するのが好ましい。これにより、間隔ｈ１を一定に維持することができ、反射膜３１２ａと反射膜３１２ｂとの平行度の低下を防止することができる。その結果、波長分離を確実に行うことができる。
また、スペーサ１１は、枠状をなしており、その厚さを変えることにより、構造体１０Ａ、１０Ｂおよびスペーサ１１で画成された空間の高さを調整し、基板３ａおよび基板３ｂがそれぞれ構造体１０Ａおよび構造体１０Ｂに接触することなく変位し得る範囲（変位幅）を、容易に調整することができる。
なお、スペーサ１１の厚さは、当該スペーサ１１の構成材料、光学デバイス１の用途等により適宜選択され、特に限定されないが、０．１〜１００μｍ程度であるのが好ましい。

一方、第２の構造体Ｕ２中の構造体１０Ｃは、ハウジング２ｃと、ハウジング２ｃに収納され得る基板３ｃと、基板３ｃの下面（一方の面）に設けられた反射膜３１２ｃと、基板３ｃを変位させる電極部２３ｃとを備えている。
また、第２の構造体Ｕ２中の構造体１０Ｄは、図１に示すように、ハウジング２ｄと、ハウジング２ｄに収納され得る基板３ｄと、基板３ｄの上面（基板３ｃ側の面）に設けられた反射膜３１２ｄと、基板３ｄを変位させる電極部２３ｄとを備えている。

すなわち、基板３ｃと基板３ｄ（一対の第２の基板）と、電極部２３ｃと電極部２３ｄ（一対の第２の電極部）とで、反射膜３１２ｃおよび反射膜３１２ｄとを変位させる第２の変位手段を構成している。
換言すると、凹部２１ｃに収納された反射膜３１２ｃ、基板３ｃおよび電極部２３ｃと、凹部２１ｄに収納された反射膜３１２ｄ、基板３ｄおよび電極部２３ｄとにより第２の変位手段が構成されている。

また、図１に示すように、ハウジング本体２０ｄの下面には、反射防止膜１００ｄが設けられているのが好ましい。これにより、光学デバイス１に入射する外光の反射を抑制することができる。
なお、反射防止膜１００ｄは、反射防止膜３１１ｂおよび２１０ｂと同様に、多層膜で構成されているのが好ましい。

また、本実施形態では、この第２の変位手段は、前述のようにクーロン力の作用により反射膜３１２ｃおよび反射膜３１２ｄを変位させるが、本発明の光学デバイスではこれに限定されない。すなわち、第２の変位手段としては、クーロン力以外の力、例えば逆圧電効果等の作用により変位させるものであってもよい。
なお、構造体１０Ｃおよび構造体１０Ｄは、それぞれ、前述の構造体１０Ａおよび構造体１０Ｂと同様の構成であることから、その詳細な説明は省略する。

本実施形態の光学デバイス１は、このような構造体１０Ａ、１０Ｂとスペーサ１１とを有する第１の構造体Ｕ１と、構造体１０Ｃ、１０Ｄとスペーサ１１とを有する第２の構造体Ｕ２とを中間層４を介して接合してなるものである。
この中間層４は、第１の構造体Ｕ１と第２の構造体Ｕ２との間に介在し、両者を光学的に接合したり、両者の接合強度を向上させたりする機能を有するものである。

このような中間層４としては、例えば、各種接着剤で構成されているのが好ましい。これにより、第１の構造体Ｕ１と第２の構造体Ｕ２をより強固に接着することができる。
この接着剤としては、ホットメルト型、熱硬化型、光硬化型等の硬化性を有する各種接着剤を用いることができる。
また、中間層４としては、前述の反射防止膜の他、この中間層４の屈折率が、第１の構造体Ｕ１の光が透過する部分の屈折率および第２の構造体Ｕ２の光が透過する部分の屈折率とほぼ等しいことが好ましい。これにより、第１の構造体Ｕ１と中間層４との界面および中間層４と第２の構造体Ｕ２との界面を光が透過する際に、光の不本意な反射を抑制することができる。その結果、第１の構造体Ｕ１と第２の構造体Ｕ２とを光学的に接合し、光学デバイス１の光の損失を低減することができる。

このように各構造体Ｕ１、Ｕ２とほぼ等しい屈折率を有する中間層４としては、例えば、各種のインデックスマッチング材等が好適に用いられる。
また、中間層４の平均厚さは、特に限定されないが、０．１〜３００μｍ程度であるのが好ましく、１〜２００μｍ程度であるのがより好ましい。
このような構成の光学デバイス１では、第１の構造体Ｕ１中の反射膜３１２ａと反射膜３１２ｂとの間隔ｈ１および第２の構造体Ｕ２中の反射膜３１２ａと反射膜３１２ｂとの間隔ｈ２の双方を適宜変更することができる。この変更された間隔ｈ１、ｈ２を維持した状態で、入射した光Ｌ１が第１の構造体Ｕ１の反射膜３１２ａと反射膜３１２ｂとの間において反射を繰り返し、干渉を生じさせて、間隔ｈ１に応じた波長の光Ｌ２を隣接する第２の構造体Ｕ２に向けて出射する。第２の構造体Ｕ２に入射した光Ｌ２は、第２の構造体Ｕ２の反射膜３１２ａと反射膜３１２ｂとの間において反射を繰り返し、干渉を生じさせて、間隔ｈ２に応じた波長の光Ｌ３を外部に出射することができる。このとき、間隔ｈ１、ｈ２を変更するには、各第１の構造体Ｕ１、Ｕ２において、それぞれ、以下に示す３つの場合（パターン）がある。なお、第１の構造体Ｕ１および第２の構造体Ｕ２では、その構成が同様であることから、以下では第１の構造体Ｕ１を代表に説明し、第２の構造体Ｕ２についてはその説明を省略する。

（１）基板３ｂを原則変位させず、基板３ａを優先的に変位させる場合。
（２）基板３ａを原則変位させず、基板３ｂを優先的に変位させる場合。すなわち、パターン（１）とは、逆のパターン。
（３）基板３ａおよび基板３ｂの双方を変位させる場合。すなわち、基板３ａと基板３ｂとを互いに鏡像的に変位させる場合。例えば、基板３ａを基板３ｂ側に１だけ変位させたとき、基板３ｂも同様に、基板３ａ側に１だけ変位させる。

例えば、駆動部（電極部）の作動により可動（変位）する可動反射膜と、固定的に設置された固定反射膜とを有する従来の光学デバイス（波長可変フィルタ）では、可動反射膜と固定反射膜との間隔が小さくなるに従い、可動反射膜と固定反射膜との間のクーロン力（吸引力）の大きさが増加し、遂には、駆動部が制御するクーロン力を超えることとなる。これにより、可動反射膜と固定反射膜とが密着する、すなわち、可動反射膜と固定反射膜との間に間隙が形成されず、波長分離が行うことが不可能となる。

しかしながら、本発明の光学デバイス１では、間隔ｈ１を小さく設定した場合であっても、例えばパターン（３）（パターン（１）および（２）も同様）のとき、反射膜３１２ａと反射膜３１２ｂとの間のクーロン力が、電極部２３ａおよび電極部２３ｂが制御するクーロン力を超えるまでには至らず、よって、反射膜３１２ａと反射膜３１２ｂとが密着するのが確実に防止される。これにより、間隔ｈ１が大きく設定されているときはもちろんのこと、間隔ｈ１が小さく設定されているときであっても、波長分離を確実に行うことができる。

また、従来の光学デバイスにおいて、例えば可動反射膜を１０μｍだけ可動させるような場合、本発明の光学デバイス１では、パターン（３）のとき反射膜３１２ａおよび反射膜３１２ｂをそれぞれ５μｍずつ可動させればよい。
このように本発明の光学デバイス１では、基板３ａの可動範囲（移動距離）が小さくなるため、電極部２３ａと基板３ａとの間のクーロン力を確実に維持することができる。なお、基板３ｂについても同様である。

また、光学デバイス１では、基板３ａの可動範囲が小さくなるため、電極部２３ａに印加する電圧の大きさを、従来の光学デバイスの電極部に印加する電圧の大きさよりも、小さく設定することができる。よって、省エネルギに寄与する。なお、電極部２３ｂについても同様である。
また、光学デバイス１では、基板３ａの可動範囲が小さくなるため、間隔ｈ１を変更する応答性を向上させることができる、すなわち、間隔ｈ１を変更するための時間（応答時間）を短縮することができる。前記例では、光学デバイス１での応答時間は、従来の光学デバイスの応答時間の半分となる。

また、パターン（１）および（２）に示すように、光学デバイス１では、電極部２３ａおよび電極部２３ｂの通電パターンにより、基板３ａと基板３ｂとを互いに独立して変位させることができる。これにより、基板３ａおよび基板３ｂの可動範囲を大きく設定することができ、よって、様々な波長を有する光に対して波長分離をより確実に行うことができる。

次に、光学デバイス１が波長分離を行うときの動作について説明する。
図１に示すように、光源４００から出射された光Ｌ１は、光学デバイス１の第１の構造体Ｕ１に入射する。すなわち、光Ｌ１は、反射防止膜１００ａ、ハウジング本体２０ａ、反射防止膜２１０ａ、反射防止膜３１１ａ、基板３ａおよび反射膜３１２ａを順次透過し、ギャップ２５に入射する。

ギャップ２５に入射した光Ｌ１は、間隔ｈ１が所定の大きさに設定された反射膜３１２ａと反射膜３１２ｂとの間において、反射を繰り返し、干渉を生じる。この際、反射膜３１２ａおよび反射膜３１２ｂにより、光Ｌ１の損失を抑えることができる。
前記光Ｌ１の干渉の結果、間隔ｈ１に対応した波長の光（干渉光）Ｌ２は、基板３ｂ、反射防止膜３１１ｂ、反射防止膜２１０ｂおよびハウジング本体２０ｂを順次透過し、第１の構造体Ｕ１から出射して中間層４に向けて出射される。

その後、中間層４を透過した光Ｌ２は、隣接する第２の構造体Ｕ２に入射する。すなわち、光Ｌ２は、ハウジング本体２０ｃ、反射防止膜２１０ｃ、反射防止膜３１１ｃ、基板３ｃおよび反射膜３１２ｃを順次透過し、ギャップ２５に入射する。
ギャップ２５に入射した光Ｌ２は、間隔ｈ２が所定の大きさに設定された反射膜３１２ｃと反射膜３１２ｄとの間において、反射を繰り返し、干渉を生じる。この際、反射膜３１２ｃおよび反射膜３１２ｄにより、光Ｌ２の損失を抑えることができる。

前記光Ｌ２の干渉の結果、間隔ｈ２に対応した波長の光（干渉光）Ｌ３は、基板３ｄ、反射防止膜３１１ｄ、反射防止膜２１０ｄ、ハウジング本体２０ｄおよび反射防止膜１００ｄを順次透過し、第２の構造体Ｕ２（光学デバイス１）から外部に出射する。
以上説明したように、この光学デバイス１によれば、間隔ｈ１および間隔ｈ２の双方を所望の大きさに適宜変更することができ、これにより、様々な波長を有する光に対して波長分離を確実に行うことができる。

ここで、前記波長分離をより具体的に説明する。
図３は、各光Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３のそれぞれの波長分布を示す図である。なお、図３（ａ）〜（ｃ）の横軸は波長、縦軸は透過率を示す。
まず、光Ｌ１は、図３（ａ）のようなほぼフラットな波長分布を示す光であるとする。
ここで、第１の構造体Ｕ１に入射した光を、透過率のピーク間隔ＦＳＲ１の特定の波長域に分離するように、第１の構造体Ｕ１中の前記間隔ｈ１を設定する。

次に、第２の構造体Ｕ２に入射した光を、透過率のピーク間隔ＦＳＲ２の特定の波長域に分離するように、第２の構造体Ｕ２中の前記間隔ｈ２を設定する。なお、このときＦＳＲ２がＦＳＲ１より小さくなるように、例えば、間隔ｈ２を間隔ｈ１より大きくすることで設定を行う。
そして、光Ｌ１が第１の構造体Ｕ１に入射すると、光Ｌ１を間隔ｈ１に応じて波長分離し、図３（ｂ）の実線で示すピーク間隔ＦＳＲ１の波長分布の光Ｌ２を得ることができる。このとき、光Ｌ２以外の光は、その波長が、第１の構造体Ｕ１の間隔ｈ１で決められる透過条件と一致しないため、第１の構造体Ｕ１中で減衰する。

次いで、光Ｌ２が第２の構造体Ｕ２に入射すると、光Ｌ２を間隔ｈ２に応じて波長分離し、図３（ｃ）の実線で示すピーク間隔ＦＳＲ２の波長分布の光Ｌ３を得ることができる。このとき、例えば、第１の構造体Ｕ１が透過し得る光のピーク波長と第２の構造体Ｕ２が透過し得る光のピーク波長とが波長λ_０で一致しているとすると、波長λ_０のピーク以外の光は、その波長が第２の構造体Ｕ２の間隔ｈ２で決められる透過条件と一致しないため、第２の構造体Ｕ２中で減衰・除去される。

すなわち、光学デバイス１では、間隔ｈ１と間隔ｈ２とが異なるように設定することにより、第１の構造体Ｕ１が透過させる光の波長域と、第２の構造体Ｕ２が透過させる光の波長域とを異ならせることができる。これにより、光学デバイス１の光の透過条件を、第１の構造体Ｕ１の光の透過条件と、第２の構造体Ｕ２の光の透過条件とを合成したものとすることができる。

さらに換言すれば、第１の構造体Ｕ１および第２の構造体Ｕ２が、前記入射した光Ｌ１のうち、間隔ｈ１および間隔ｈ２の双方で設定される特定波長域の光のみを透過させることができる。また、このとき、第１の構造体Ｕ１と第２の構造体Ｕ２とで、減衰・除去された光の波長域をそれぞれ分担して減衰させることができる。
これにより、第１の構造体Ｕ１と第２の構造体Ｕ２とにおいて、波長分離を２段階で行うことができ、より自由度の高い波長分離が可能となる。

次に、光学デバイス１の製造方法について、図４〜図７を参照しつつ説明する。なお、以下では、ハウジング本体２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ、基板３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ、スペーサ１１等の構成部材は、それぞれ、それらが水平方向に複数個連結した状態のものが形成されている集合体を用いて説明している。ここで、集合体とは、例えば、ガラスウエハー、シリコンウエハー等に前記構成部材が複数個形成されてなるものを指す。ただし、図４〜図７は、光学デバイス１個のみを示している。

［１］ まず、光学デバイス１の製造に先立って、透明基板（光透過性を有する基板）５を用意する。透明基板５には、厚さが均一でたわみや傷のないガラスウエハー等が好適に用いられる。透明基板５の材料としては、ハウジング本体の説明で述べたとおりである。特に、接合時に透明基板５を加熱する場合があるため、熱応力によって透明基板５に歪みが生じるのを防止する観点から、後述する上部Ｓｉ層７３と熱膨張係数がほぼ等しいものが好適に選択される。

［２］ 次に、図４（ａ）に示すように、透明基板５の上面にマスク層６を形成（マスキング）する。
マスク層６を構成する材料としては、例えば、Ａｕ／Ｃｒ、Ａｕ／Ｔｉ、Ｐｔ／Ｃｒ、Ｐｔ／Ｔｉなどの金属、多結晶シリコン（ポリシリコン）、アモルファスシリコン等のシリコン、窒化シリコン等が挙げられる。マスク層６にシリコンを用いると、マスク層６と透明基板５との密着性が向上する。マスク層６に金属を用いると、形成されるマスク層６の視認性が向上する。

マスク層６の厚さは、特に限定されないが、０．０１〜１μｍ程度とすることが好ましく、０．０９〜０．１１μｍ程度とすることがより好ましい。マスク層６が薄すぎると、透明基板５を十分に保護できない場合があり、マスク層６が厚すぎると、マスク層６の内部応力によりマスク層６が剥がれ易くなる場合がある。
マスク層６は、例えば、化学気相成膜法（ＣＶＤ法）、スパッタリング法、蒸着法等の気相成膜法、メッキ法等により形成することができる。

［３］ 次に、図４（ｂ）に示すように、マスク層６に、開口６１を形成する。
開口６１は、例えば、凹部２１ｂを形成する位置に設ける。また、開口６１の形状（平面形状）は、形成する凹部２１ｂの形状（平面形状）に対応させる。
開口６１は、例えばフォトリソグラフィー法により形成することができる。具体的には、まず、マスク層６上に、開口６１に対応したパターンを有するレジスト層（図示せず）を形成する。次に、かかるレジスト層をマスクとして、マスク層６の一部を除去する。次に、前記レジスト層を除去する。これにより、開口６１が形成される。なお、マスク層６の一部除去は、例えば、ＣＦガス、塩素系ガス等によるドライエッチング、フッ酸＋硝酸水溶液、アルカリ水溶液等の剥離液への浸漬（ウェットエッチング）などにより行うことができる。

［４］ 次に、図４（ｃ）に示すように、透明基板５に凹部２１ｄを形成する。
凹部２１ｄの形成方法としては、ドライエッチング法、ウェットエッチング法等のエッチング法などが挙げられる。例えばエッチングを行うことにより、透明基板５は、開口６１より等方的に食刻され、円柱状をなす凹部２１ｄが形成される。
特に、ウェットエッチング法によると、より理想的な円柱状に近い凹部２１ｄを形成することができる。なお、ウェットエッチングを行う際のエッチング液としては、例えばフッ酸系エッチング液などが好適に用いられる。このとき、エッチング液にグリセリン等のアルコール（特に多価アルコール）を添加すると、凹部２１ｄの表面が極めて滑らかなものとなる。

［５］ 次に、マスク層６を除去する。
これは、例えば、アルカリ水溶液（例えばテトラメチル水酸化アンモニウム水溶液等）、塩酸＋硝酸水溶液、フッ酸＋硝酸水溶液等の剥離液（除去液）への浸漬（ウェットエッチング）、ＣＦガス、塩素系ガス等によるドライエッチングなどにより行うことができる。
特に、透明基板５を除去液に浸漬することによりマスク層６を除去すると、簡易な操作で、効率よく、マスク層６を除去できる。
以上により、図４（ｄ）に示すように、透明基板５に凹部２１ｄが所定の位置に形成される。

［６］ 次に、図５（ｅ）に示すように、凹部２１ｄの底部２１１に電極部２３ｄを形成する。
電極部２３ｄを構成する材料としては、例えばＣｒ、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｔｉなどの金属、カーボンやチタンなどを分散した樹脂、多結晶シリコン（ポリシリコン）、アモルファスシリコン等のシリコン、窒化シリコン、ＩＴＯのような透明導電材料等が挙げられる。

この電極部２３ｄの厚さは、例えば、０．１〜０．２μｍが好ましい。
電極部２３ｄは、蒸着法、スパッタ法またはイオンプレーティング法等により成膜された透明導電材料層で形成することができる。また、かかる方法にフォトリソグラフィー法を組み合わせることにより、不要部分を除去するようにしてもよい。具体的には、まず、電極部２３ｄに対応したパターンを有するレジスト層（図示せず）を形成する。このレジスト層を構成する材料としては、例えば、Ｃｒ／Ａｕ／Ｃｒ等が挙げられる。
次に、かかるレジスト層をマスクとして、透明導電材料層の一部を除去する。これにより、電極部２３ｄが形成される。

［７］ 次に、図５（ｆ）に示すように、凹部２１ｄの底部２１１に反射防止膜２１０ｄを設け、透明基板５の下面に反射防止膜１００ｄを設ける。
本製造工程では、反射防止膜２１０ｄおよび１００ｄを多層膜で形成する。
多層膜を構成する材料としては、例えばＳｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、ＳｉＮ等が挙げられる。

これらを交互に積層することにより、所定の厚さの多層膜を設けることができる。
また、反射防止膜２１０ｄおよび１００ｄのそれぞれの厚さは、例えば、０．１〜１２μｍが好ましい。
以上により、透明基板５に、凹部２１ｄと、電極部２３ｄと、反射防止膜２１０ｄおよび１００ｄとが所定の位置に形成された光学デバイス１用のハウジング２ｄ’が得られる。このハウジング２ｄ’は、前述のハウジング２ｂからシリコン層３３および支持部２２を省略したような構成となっている。

以下、ウエハーを用いて、基板３ｄ、支持部３２およびシリコン層３３を製造する方法と、製造された基板３ｄ（支持部３２およびシリコン層３３を含む）および光学デバイス１用のハウジング２ｄを用いて、光学デバイス１を製造する方法とについて説明する。
基板３ｄを製造する際には、シリコンウエハー（以下、単に「ウエハー」と言う）７をまず用意する。かかるウエハー７は、例えば、以下のようにして、製造、準備することができる。
このウエハー７は、前述した表面粗さの観点から、表面が鏡面にできる特性を有することが好ましい。
このようなことから、ウエハー７としては、例えば、ＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板、ＳＯＳ（Silicon on Sapphire）基板、シリコン基板等を用いることができる。

本製造工程においては、ウエハー７として、ＳＯＩ基板を使用する。
ウエハー７は、Ｓｉベース層７１、ＳｉＯ_２層７２、上部Ｓｉ層（活性層）７３の３層の積層体で構成されている。
このウエハー７の厚さは、特に限定されないが、特に上部Ｓｉ層７３は、１０〜１００μｍ程度が好ましい。

［８］ まず、図５（ｇ）に示すように、上部Ｓｉ層７３の下面に、後述する接合の工程後において、凹部２１ｄと対向するように、反射防止膜３１１ｄを設ける。
［９］ 次に、図５（ｈ）に示すように、ウエハー７の上部Ｓｉ層７３と、ハウジング２ｄ’の凹部２１ｄが形成された面とが対向し、直接接触するようにウエハー７をハウジング２ｄ’上に配置する。そして、接触部を接合する。

この接合は、例えば、陽極接合、融接のような接合法により行うことができるが、陽極接合により行われるのが好ましい。陽極接合は、接合対象物を溶融する必要がないため、比較的低温下で接合することができる。これにより、熱による部材の劣化や変形を防止することができる。
このような陽極接合は、例えば、次のようにして行う。

［９−１］ まず、ハウジング２ｄ’に図示しない直流電源のマイナス端子、上部Ｓｉ層７３に図示しない直流電源のプラス端子をそれぞれ接続する。
［９−２］ 次に、ハウジング２ｄ’を加熱しながら電圧を印加する。この加熱により、ハウジング２ｄ’中のＮａ^＋（ナトリウムイオン）等の可動イオンが移動し易くなる。このＮａ^＋の移動により、ハウジング２ｄ’の接合面はマイナスに帯電し、ウエハー７の接合面はプラスに帯電する。この結果、ハウジング２ｄ’とウエハー７とは強固に接合される。

このとき、印加電圧は、２００〜２０００Ｖ程度であるのが好ましく、５００〜１０００Ｖ程度であるのがより好ましい。電圧が前記範囲であれば、ハウジング２ｄ’とウエハー７との陽極接合がより確実にそしてより強固になされる。
また、加熱温度としては、ハウジング２ｄ’とウエハー７との陽極接合がなされれば、特に限定されないが、２００〜５００℃程度であるのが好ましく、３００〜４００℃程度であるのがより好ましい。これにより、ハウジング２ｄ’とウエハー７との陽極接合がより確実にそしてより強固になされる。また、このような比較的低い温度でも、ハウジング２ｄ’およびウエハー７の熱による劣化または変形を防止しつつ、前記接合を行うことができる。

［１０］ 次に、図６（ｉ）に示すように、エッチングや研磨を行ってＳｉベース層７１を除去する。
エッチング方法としては、例えば、ウェットエッチング、ドライエッチングが用いられるが、ドライエッチングを用いるのが好ましい。いずれの場合も、Ｓｉベース層７１の除去のとき、ＳｉＯ_２層７２がストッパーとなるが、ドライエッチングは、エッチング液を用いないので、電極部２３ｂに対向している上部Ｓｉ層７３の損傷を好適に防ぐことができる。これにより、高い歩留まりで光学デバイス１を製造することができる。

［１１］ 次に、図６（ｊ）に示すように、エッチングを行ってＳｉＯ_２層７２を除去する。エッチングを行う場合には、フッ酸を含むエッチング液を用いるのが好ましい。これにより、ＳｉＯ_２層７２を好適に除去することができ、上部Ｓｉ層７３を好適に形成することができる。
なお、ウエハー７をＳｉ単体で形成し、以降の工程を行うのに最適な厚さの場合には、工程［１０］、［１１］は行わなくてもよい。これにより、光学デバイス１を製造する際の工程を簡略化することができる。

［１２］ 次に、図６（ｋ）に示すように、上部Ｓｉ層７３の上面の反射防止膜３１１ｄに対応する箇所に反射膜３１２ｄを設ける。
［１３］ 次に、基板３ｄおよび支持部３２の形状（平面形状）に対応したパターンを有するレジスト層（図示せず）を形成する。次に、図６（Ｌ）に示すように、ドライエッチング法、特にＩＣＰエッチングにて、上部Ｓｉ層７３をエッチングし、貫通孔８を形成する。これにより、基板３ｄと、支持部３２と、シリコン層３３とが一体的に形成される。

本工程では、ＩＣＰエッチングを行う。すなわち、エッチング用ガスによるエッチングと、デポジッション用ガスによる保護膜の形成とを、交互に繰り返し行って、基板３ｄを形成する。
前記エッチング用ガスとしては、例えば、ＳＦ_６等が挙げられ、また、前記デポジッション用ガスとしては、例えば、Ｃ_４Ｆ_８等が挙げられる。

これにより、上部Ｓｉ層７３のみがエッチングされ、また、ドライエッチングなので、他の部位に影響を与えることなく、基板３ｄと、支持部３２と、シリコン層３３とを精度良く、確実に形成することができる。
このように、基板３ｄと、支持部３２と、シリコン層３３との形成においては、ドライエッチング法、特にＩＣＰエッチングを用いるので、特に基板３ｄを、容易、確実かつ精度良く形成することができる。
なお、本発明では、本工程において、前記と異なるドライエッチング法を用いて基板３ｄと、支持部３２と、シリコン層３３とを形成してもよく、また、ドライエッチング法以外の方法を用いて基板３ｄと、支持部３２と、シリコン層３３とを形成してもよい。

以上により、光学デバイス１用の構造体１０Ｄが得られる。
また、前記工程［１］〜［１３］とほぼ同様の工程を経ることにより、光学デバイス１用の構造体１０Ｃ、１０Ｂおよび１０Ａを製造することができる。
なお、構造体１０Ｃ、１０Ｂにおいて、構造体１０Ｄの反射防止膜１００ｄと同様の反射防止膜は、必要に応じて設ければよく、省略してもよい。

［１４］ 次に、図６（ｍ）に示すように、構造体１０Ｄ上のシリコン層３３に、枠状のスペーサ１１を接合する。この接合は、例えば、陽極接合または直接接合により行うことができる。
このうち、陽極接合は、スペーサ１１の構成材料が、アルカリ金属のような可動イオンを含有するガラスである場合に好適に用いられる。
一方、直接接合は、スペーサ１１の構成材料が、シリコンである場合に好適に用いられる。
以下、陽極接合、直接接合について順次説明する。

＜＜陽極接合＞＞
［１４−１Ａ］ まず、シリコン層３３上にスペーサ１１が直接接触するように、構造体１０Ｄとスペーサ１１とを配置する。
［１４−２Ａ］ 次に、スペーサ１１の上部に図示しない直流電源のマイナス端子、シリコン層３３の下部に図示しない直流電源のプラス端子にそれぞれ接続する。そして、スペーサ１１を加熱しながら電圧を印加する。これにより、スペーサ１１中のＮａ^＋のような可動イオンが電界に応じて移動し易くなる。このＮａ^＋の移動により、スペーサ１１の上面および下面はマイナスに帯電する。一方、シリコン層３３の接合面はプラスに帯電する。この結果、スペーサ１１とシリコン層３３との間に強い静電引力が発生して吸着するとともに、共有結合等の化学結合に起因した強固な結合がなされる。
このとき、印加する電圧、加熱温度としては、前記工程［９−２］と同様である。

また、前述したように、陽極接合を用いることにより、比較的低温下でもスペーサ１１とシリコン層３３とを強固に結合することができる。これにより、スペーサ１１およびシリコン層３３等の熱による劣化または変形を防止することができる。
さらに、陽極接合によると、スペーサ１１とシリコン層３３とを気密接合することができる。これにより、本実施形態の光学デバイス１は気密封止され、光学デバイス１内部の反射膜や反射防止膜といった光学部品の外部環境による劣化または汚染等を防止（耐候性を向上）することができる。

また、従来では、このような光学デバイスを外部環境から保護するため、光学デバイス全体を気密パッケージ内に封入することが行われていた。しかしながら、本発明の光学デバイス１では、前述のように、光学デバイス１自体が外部環境に対する耐性を有しているため、気密パッケージを省略することができる。これにより、光学デバイス１の製造コストの削減、製造工程の簡略化等が図られる。

＜＜直接接合＞＞
［１４−１Ｂ］ まず、スペーサ１１の接合面およびシリコン層３３の接合面のうちの少なくとも一方に対して、表面酸化処理を行う。これにより、シリコン製のスペーサ１１の接合面およびシリコン層３３の接合面が酸化され、各接合面に酸化シリコン（ＳｉＯ_２）が生成する。その結果、各接合面には多数の水酸基が生じ、接合面間には水素結合による結合が生じる。

表面酸化処理としては、酸素プラズマ処理、紫外線照射処理、イオン照射処理のようなドライプロセス処理、酸処理のようなウェットプロセス処理等が挙げられる。
これらの中でも、酸素プラズマ処理および酸処理のうちの少なくとも一方であるのが好ましい。これにより、前記接合面のシリコンをより効率よく酸化することができる。
酸素プラズマ処理は、接合面をプラズマによる活性酸素と接触させることにより、接合面に水酸基を生じさせる処理である。
酸素プラズマ処理の条件の一例としては、プラズマの出力が５０〜１０００Ｗ程度、酸素ガス流量が５０〜１００ｍＬ／ｍｉｎ程度、処理温度が３０〜９０℃程度である。

一方、酸処理は、接合面に酸を含む薬液を接触させることにより、接合面を酸化する処理である。
この酸としては、例えば、硫酸（Ｈ_２ＳＯ_４）、塩酸（ＨＣｌ）等が挙げられる。
また、薬液としては、前記酸の他に、例えば、過酸化水素（Ｈ_２Ｏ_２）、蒸留水、純水、超純水、イオン交換水、ＲＯ水のような各種水等を含んでいてもよい。
さらに、接合面に薬液を接触させる際には、薬液が沸騰する程度に加熱したり、薬液に超音波を照射しつつ行うようにしてもよい。これにより、より効率よく表面酸化処理を行うことができる。

［１４−２Ｂ］ 次に、シリコン層３３上の表面酸化処理を施した接合面にスペーサ１１の表面酸化処理を施した接合面が直接接触するように、構造体１０Ｄとスペーサ１１とを配置する。
［１４−３Ｂ］ 次に、配置した構造体１０Ｄとスペーサ１１とを加熱する。これにより、前記水素結合による結合は、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合に変化し、シリコン層３３とスペーサ１１との直接接合（シリコンフュージョンボンディング）がなされる。その結果、シリコン層とスペーサ１１とが強固に接合される。

このとき、加熱温度としては、３０〜５００℃程度であるのが好ましく、３００〜４００℃程度であるのがより好ましい。これにより、接合対象物への熱の影響を最小限にしつつ、より強固に接合することができる。
また、加熱の際に、スペーサ１１とシリコン層３３とを近付ける方向に圧縮力を与えてもよい。これにより、より強固にかつムラなく接合することができる。

また、直接接合によると、前記陽極接合と同様、スペーサ１１とシリコン層３３とを気密接合することができるため、光学デバイス１の耐候性を向上させることができるとともに、製造コストの削減、製造工程の簡略化等を図ることができる。
さらに、直接接合を用いる場合、スペーサ１１はシリコンで構成されている。このため、スペーサ１１とシリコン層３３の間の熱膨張率差がほぼなくなり、スペーサ１１およびシリコン層３３の熱膨張差に伴う熱応力の発生を防止することができる。その結果、熱応力による接合部の損傷、光学デバイス１の変形、それらによるデバイス特性の低下等を確実に防止し、高品質な光学デバイス１を得ることができる。
また、光学デバイス１が小型化され、変形の許容範囲を縮小せざるを得ない場合にも、直接接合を用いることにより光学デバイス１の変形が防止されるため、光学デバイス１の特性の低下を防止しつつ小型化を図ることができる。

［１５］ 次に、図７（ｎ）に示すように、構造体１０Ｄのシリコン層３３上に、基板３ｃと基板３ｄとが対向するように、枠状のスペーサ１１を接合する。この接合は、例えば、前記工程［１４］と同様の方法により行うことができる。
また、この接合は減圧雰囲気下で行われるのが好ましい。これにより、構造体１０Ｃ、１０Ｄおよびスペーサ１１で画成された空間が減圧された状態の光学デバイス１を得ることができる。その結果、光学デバイス１内に配置された基板３ｃおよび基板３ｄが変位する際の空気抵抗を低減するとともに、反射膜や反射防止膜等の光学部品の経時劣化を抑制することができる。すなわち、信頼性の高い光学デバイス１を得ることができる。

なお、本実施形態では、前記工程［１４］と前記工程［１５］とを個別に行う場合について説明したが、これらは同時に行うこともできる。すなわち、構造体１０Ｄのシリコン層３３上に、スペーサ１１が直接接触するように配置し、さらに、構造体１０Ｃのシリコン層３３がスペーサ１１に直接接触するように配置する。そして、これらを陽極接合または直接接合により一括して接合する。このような方法によれば、製造工程の簡略化を図ることができる。
以上により、光学デバイス１用の第２の構造体Ｕ２が得られる。
また、前記工程［１４］〜［１５］とほぼ同様の工程を経ることにより、光学デバイス１用の第１の構造体Ｕ１を製造することができる。

［１６］ 次に、図７（ｏ）に示すように、第２の構造体Ｕ２上に、第１の構造体Ｕ１を積層（接合）する。このとき、第１の構造体Ｕ１と第２の構造体Ｕ２とは、入射する光の光軸に沿って、中間層４を介して積層される。以下、シート状の中間層を介して第１の構造体Ｕ１と第２の構造体Ｕ２を積層する方法を代表に説明する。
［１６−１］ まず、第２の構造体Ｕ２のハウジング２ｃ上に、シート状の中間層を重ねる。
［１６−２］ 次に、第１の構造体Ｕ１のハウジング２ｂの下面が中間層に接触するように、第１の構造体Ｕ１と第２の構造体Ｕ２とを配置する。これにより、ハウジング２ｃの上面とハウジング２ｂの下面との間隙を中間層で充填することができる。
以上のような工程を経ることにより、光学デバイス１の集合体が得られる。

［１７］ 次に、光学デバイス１の集合体を分割することにより、複数個の光学デバイス１を取り出す。これにより、光学デバイス１の製造に要する時間の増大を防止しつつ、歩留まりの向上を図ることができる。その結果、光学デバイス１の製造コストの低減を図ることができる。
また、複数個を一括して製造するため、光学デバイス１間の特性のバラツキを抑制することもできる。

光学デバイス１の集合体を分割する方法としては、特に限定されないが、例えば、ダイシングソー、ワイヤソーのような機械加工、レーザ加工、ウォータージェット加工、衝撃による割断、エッチング等の各種方法が挙げられる。
また、本実施形態のように、光学デバイス１の構造体１０Ａ、１０Ｂおよびスペーサ１１で画成された空間や、構造体１０Ｃ、１０Ｄおよびスペーサ１１で画成された空間が封止されている場合には、前述の分割加工の際に、水や切り屑等の不要物が前記空間に侵入することにより、光学デバイス１の特性を低下させるのを防止することができる。

以上のような工程を追加することにより、１個の光学デバイス１が得られる。
なお、本実施形態では、複数個の光学デバイス１を一括して製造する場合について説明したが、本発明の光学デバイスの製造方法はこのような場合に限定されない。すなわち、１個の光学デバイス１を製造する場合に、本発明の光学デバイスの製造方法が適用可能なことは言うまでもない。

＜第２実施形態＞
図８は、本発明の光学デバイスの第２実施形態を示す断面図（側面図）、図９は、図８に示す光学デバイスのＢ−Ｂ線断面図（平面図）である。なお、以下の説明では、図８中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
以下、これらの図を参照して本発明の光学デバイスの第２実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。

本実施形態の光学デバイス１は、電極部２３ｅ、２３ｆ、２３ｇ、２３ｈの構成がそれぞれ異なること以外は前記第１実施形態の光学デバイス１と同様である。
図８および図９に示すように、光学デバイス１Ａの電極部２３ｅは、２つの（一対の）電極板２３１、２３２で構成されている。各電極板２３１、２３２には、独立して通電することができる。

また、各電極板２３１、２３２は、基板３ａの縁部３１に対向して設けられている。
このような各電極板２３１、２３２は、第１実施形態の製造工程［６］において、凹部２１ｄの底部２１１に第２の電極部２３ｄを形成する際に、マスクとなるレジスト層の形状を変更することにより形成することができる。
また、上記方法と同様にして、２つの電極板２３１、２３２で構成された電極部２３ｆ、２３ｇ、２３ｈを形成することもできる。

このように２つの電極板２３１、２３２で構成された電極部２３ｅでは、電極板２３１に通電をすることにより、基板３ａが電極板２３１側に傾斜することとなる（図８参照）。一方、電極板２３２に通電をすることにより、基板３ａが電極板２３２側に傾斜することとなる。
なお、電極部２３ｅの電極板２３１および２３２の双方に通電を行うことにより、前記第１実施形態と同様に、基板３ａを上下方向に変位させることができる。
このように、電極部２３ｅの通電パターンを変更することにより、基板３ａの姿勢を容易かつ確実に変更することができる。

図８に示すように、光学デバイス１Ａの電極部２３ｆは、電極部２３ｅとほぼ同様に、２つの電極板２３１、２３２で構成されている。各電極板２３１、２３２に、独立して通電することができる。また、各電極板２３１、２３２は、基板３ｂの縁部３１に対向して設けられている。
このような構成の電極部２３ｆは、電極板２３１に通電をすることにより、基板３ｂが電極板２３１側に傾斜することとなる。一方、電極板２３２に通電をすることにより、基板３ｂが電極板２３２側に傾斜することとなる。
なお、電極部２３ｆの電極板２３１および２３２の双方に通電を行うことにより、前記第１実施形態と同様に、基板３ｂを上下方向に変位させることができる。

このように、電極部２３ｆの通電パターンを変更することにより、基板３ｂの姿勢を容易かつ確実に変更することができる。
また、図８に示す電極部２３ｇは電極部２３ｅと、電極部２３ｈは電極部２３ｆと、それぞれ同様の作用・効果が得られる。
このような構成の光学デバイス１Ａでは、電極部２３ｅと電極部２３ｆとの通電パターンを変更（選択）することにより、基板３ａと基板３ｂとがほぼ平行となる平行状態と、基板３ａと基板３ｂとが非平行となる非平行状態とを取り得る。

同様に、電極部２３ｇと電極部２３ｈとの通電パターンを変更（選択）することにより、基板３ｃと基板３ｄとがほぼ平行となる平行状態と、基板３ｃと基板３ｄとが非平行となる非平行状態とを取り得る。
平行状態では、前記第１実施形態で述べたように、入射した光Ｌ１が反射膜３１２ａと反射膜３１２ｂとの間において反射を繰り返し、干渉を生じさせて、前記間隔ｈ１に応じた波長の光Ｌ２を隣接する第２の構造体Ｕ２に向けて出射する。第２の構造体Ｕ２に入射した光Ｌ２は、第２の構造体Ｕ２の反射膜３１２ｃと反射膜３１２ｄとの間において反射を繰り返し、干渉を生じさせて、間隔ｈ２に応じた波長の光Ｌ３を外部に出射（透過）することができる。すなわち、波長分離が行われる。
非平行状態では、以下に示す３つのパターン（状態）がある。
なお、第１の構造体Ｕ１および第２の構造体Ｕ２では、その構成が同様であることから、以下では、第１の構造体Ｕ１を代表に説明し、第２の構造体Ｕ２については、その説明を省略する。

（１）水平な基板３ｂに対して基板３ａが傾斜する状態。
（２）水平な基板３ａに対して基板３ｂが傾斜する状態。すなわち、パターン（１）とは、逆のパターン。
（３）基板３ａおよび基板３ｂがそれぞれ、図中上下方向（鉛直方向）に対して傾斜する状態。

このような非平行状態では、前記光Ｌ１の反射の繰り返しが阻止され、光Ｌ３の出射（透過）が阻止される。従って、光学デバイス１Ａは、スイッチとしての機能を有している。
また、非平行状態では、基板３ａと基板３ｂとの平行度を制御することにより、反射膜３１２ａと反射膜３１２ｂとの間における光Ｌ１の減衰の程度を制御することができる。また、基板３ｃと基板３ｄとの平行度を制御することにより、反射膜３１２ｃと反射膜３１２ｄとの間における光Ｌ２の減衰の程度を制御することができる。そして、最終的に透過する光Ｌ３の減衰の程度を、厳密に制御することができる。従って、光学デバイス１Ａは、アッテネータとしての機能を有している。

以上のような構成の光学デバイス１Ａでは、平行状態と非平行状態とを取ることができる。これにより、平行状態では、様々な波長を有する光に対して波長分離が行われる状態となり、非平行状態では、波長分離が停止または抑制される状態となる。従って、各状態に容易かつ確実に切り替えることができる。
以上、本発明の光学デバイスを、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、光学デバイスを構成する各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、他の任意の構成物が付加されていてもよい。

また、本発明の光学デバイスは、前記各実施形態のうちの、任意の２以上の構成（特徴）を組み合わせたものであってもよい。
また、各基板３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄは、それぞれ、平面視での形状が円形をなすのに限定されず、一方が、平面視での形状が円形をなしていてもよい。
また、各基板の平面視での形状は、ぞれぞれ、ほぼ円形に限定されず、例えば、正方形、長方形、菱形、楕円形等であってもよい。

また、基板３ａ、３ｃの各上面および凹部２１ａ、２１ｃの各底部にそれぞれ反射防止膜が形成されているのに限定されず、例えば、基板３ａの上面および凹部２１ａの底部のいずれか一方、または、基板３ｃの上面および凹部２１ｃの底部のいずれか一方に設けられていてもよい。
同様に、基板３ｂ、３ｄの各下面および凹部２１ｂ、２１ｄの各底部にそれぞれ反射防止膜が形成されているのに限定されず、例えば、基板３ｂの下面および凹部２１ｂの底部のいずれか一方、または、基板３ｄの下面および凹部２１ｄの底部のいずれか一方に設けられていてもよい。

また、各反射膜および各反射防止膜は、それぞれ、多層膜で構成されているのが好ましいが、これに限定されず、単層膜で構成されていてもよい。
また、各反射防止膜は、それ自体が絶縁性を有するのが好ましいが、これに限定されず、例えば、絶縁膜を別途設けてもよい。その場合、熱酸化によるＳｉＯ_２層を設けてもよいし、ＴＥＯＳ−ＣＶＤにて形成したＳｉＯ_２層を設けてもよい。

本発明の光学デバイスの第１実施形態を示す断面図（側面図）である。 図１に示す光学デバイスのＡ−Ａ線断面図（平面図）である。 各光Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３のそれぞれの波長分布を示す図である。 図１に示す光学デバイスの製造方法を説明する図（製造工程を模式的に示す図）である。 図１に示す光学デバイスの製造方法を説明する図（製造工程を模式的に示す図）である。 図１に示す光学デバイスの製造方法を説明する図（製造工程を模式的に示す図）である。 図１に示す光学デバイスの製造方法を説明する図（製造工程を模式的に示す図）である。 本発明の光学デバイスの第２実施形態を示す断面図（側面図）である。 図８に示す光学デバイスのＢ−Ｂ線断面図（平面図）である。

符号の説明

１、１Ａ……光学デバイス ２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｄ’……ハウジング ２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ……ハウジング本体 ２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄ……凹部 ２１１……底部 ２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄ、２３ｅ、２３ｆ、２３ｇ、２３ｈ……電極部 ２３１、２３２、２３３……電極板 ２５……ギャップ ３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ……基板 ３１……縁部 ３１２ａ、３１２ｂ、３１２ｃ、３１２ｄ……反射膜 ３２……支持部 ３３……シリコン層（シリコン膜） ３３１……内周部 ４……中間層 ５……透明基板 ６……マスク層 ６１……開口 ７……ウエハー ７１……Ｓｉベース層 ７２……ＳｉＯ_２層 ７３……上部Ｓｉ層 ８……貫通孔 １０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄ……構造体 １１……スペーサ １００ａ、１００ｄ、２１０ａ、２１０ｂ、２１０ｃ、２１０ｄ、３１１ａ、３１１ｂ、３１１ｃ、３１１ｄ……反射防止膜 ４００……光源 Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３……光 ｈ１、ｈ２……間隔、Ｕ１……第１の構造体、Ｕ２……第２の構造体、ＦＳＲ１、ＦＳＲ２……ピーク間隔

Claims (11)

1. 入射した光のうち、特定波長域の光を透過させる光学デバイスであって、
   一対の第１の反射膜と、前記第１の反射膜同士を互いに接近・離間させる第１の変位手段とを有し、前記第１の変位手段により前記第１の反射膜同士の間隔を設定し、その状態で、前記光を入射して、前記一対の第１の反射膜の間で反射を繰り返し、干渉を生じさせて、前記第１の反射膜同士の間隔に応じた波長域の光を透過し得るよう構成されている第１の構造体と、
   一対の第２の反射膜と、前記第２の反射膜同士を互いに接近・離間させる第２の変位手段とを有し、前記第２の変位手段により前記第２の反射膜同士の間隔を設定し、その状態で、前記第１の構造体を透過した光を入射して、前記一対の第２の反射膜の間で反射を繰り返し、干渉を生じさせて、前記第２の反射膜同士の間隔に応じた波長域の光を外部に透過し得るよう構成されている第２の構造体とを有し、
   前記第１の構造体と前記第２の構造体とを、前記入射した光の光軸に沿って配置してなることを特徴とする光学デバイス。
2. 前記第１の反射膜同士の間隔と前記第２の反射膜同士の間隔とが異なるように設定することにより、前記第１の構造体を透過する光の波長域と前記第２の構造体を透過する光の波長域とを異ならせる請求項１に記載の光学デバイス。
3. 前記第１の構造体と前記第２の構造体とで除去する光の波長域を分担する請求項２に記載の光学デバイス。
4. 前記一対の第１の反射膜および前記一対の第２の反射膜の少なくとも一方を、それらの間隔を設定する際に、非平行状態とすることにより、前記光の透過を阻止するよう構成されている請求項１ないし３のいずれかに記載の光学デバイス。
5. 前記第１の変位手段および前記第２の変位手段の少なくとも一方は、クーロン力の作用により作動するものである請求項１ないし４のいずれかに記載の光学デバイス。
6. 前記第１の変位手段は、前記一対の第１の反射膜をそれぞれ支持し、光透過性を有する一対の第１の基板と、前記各第１の基板と対向配置された一対の第１の電極部とを有する請求項５に記載の光学デバイス。
7. 前記第２の変位手段は、前記一対の第２の反射膜をそれぞれ支持し、光透過性を有する一対の第２の基板と、前記各第２の基板と対向配置された一対の第２の電極部とを有する請求項５または６に記載の光学デバイス。
8. 前記第１の構造体は、前記第１の反射膜および前記第１の変位手段を収納可能な一対の凹部を有する一対のハウジングと、
   前記ハウジング同士を、互いに前記凹部同士が対向するように接合するスペーサとを有する請求項１ないし７のいずれかに記載の光学デバイス。
9. 前記第２の構造体は、前記第２の反射膜および前記第２の変位手段を収納可能な一対の凹部を有する一対のハウジングと、
   前記ハウジング同士を、互いに前記凹部同士が対向するように接合するスペーサとを有する請求項１ないし８のいずれかに記載の光学デバイス。
10. 前記第１の構造体および前記第２の構造体は、中間層を介して接合されている請求項１ないし９のいずれかに記載の光学デバイス。
11. 前記中間層の屈折率は、前記第１の構造体の前記光が透過する部分の屈折率および前記第２の構造体の前記光が透過する部分の屈折率とほぼ等しい請求項１０に記載の光学デバイス。
    

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