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JP2006324839A - Compound type semiconductor device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a cascade device in which a normally ON type switching element and a normally OFF type switching element are connected in series, the cascade device which makes the switching elements safely switch at high speeds without exceeding breakdown voltages of the switching elements. <P>SOLUTION: The normally ON type switching element and normally OFF type switching element are connected and a driving circuit is connected to the normally OFF type switching element to constitute the cascade device capable of normally OFF type operation. Then a series circuit of a voltage clamping means and a diode is connected between the drain (or collector) and gate (or base) of the normally OFF type switching element. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、ノーマリーオン形スイッチング素子とノーマリーオフ形スイッチング素子とを直列接続し、ノーマリーオフ形スイッチング素子にゲート信号を入力することにより、ノーマリーオフ動作を実現する、いわゆるカスコードデバイスの保護回路に関する。   The present invention relates to a so-called cascode device that realizes a normally-off operation by connecting a normally-on switching element and a normally-off switching element in series and inputting a gate signal to the normally-off switching element. It relates to a protection circuit.

ノーマリーオン形スイッチング素子はゲート・ソース間に逆電圧を印加した場合にオフし、ゲート・ソース間に逆電圧が印加されていない場合にはオンする素子である。現在、半導体装置に適用されているスイッチング素子のほとんどがノーマリーオフ（ゲートに電圧を印加した場合にオンし、ゲートに電圧を印加していない場合または逆電圧を印加することでオフする）であり、ノーマリーオン形スイッチング素子を装置へ適用すると、通常のゲート駆動回路が適用できないこと、また周辺回路を変更しなければならないことなどの様々な問題が発生する。従って、ノーマリーオン形スイッチング素子が装置に適用された例は少ない。
そこで、ノーマリーオフ形スイッチング素子用と同等なゲート駆動動作をノーマリーオン形スイッチング素子に適用する方法として、図９に示す回路構成例がある。ここで、ノーマリーオン形スイッチング素子１とノーマリーオフ形スイッチング素子（以下ＭＯＳＦＥＴと称す）２とは直列接続され、カスコードデバイスを構成している。さらに、ゲート駆動回路４はゲート抵抗３を介してＭＯＳＦＥＴ２のゲートに接続されている。このような構成とすることで、通常のＭＯＳＦＥＴ用のゲート駆動回路が適用でき、正のゲート電圧を印加するとカスコードデバイスがオンし、ゲート電圧が低下するとカスコードデバイスがオフする。 A normally-on type switching element is an element that turns off when a reverse voltage is applied between the gate and the source, and turns on when a reverse voltage is not applied between the gate and the source. Currently, most switching elements applied to semiconductor devices are normally off (turns on when a voltage is applied to the gate and turns off when no voltage is applied to the gate or when a reverse voltage is applied). When a normally-on type switching element is applied to a device, various problems occur, such as that a normal gate drive circuit cannot be applied, and that peripheral circuits must be changed. Therefore, there are few examples where normally-on type switching elements are applied to the device.
Therefore, there is a circuit configuration example shown in FIG. 9 as a method of applying a gate driving operation equivalent to that for a normally-off type switching element to a normally-on type switching element. Here, the normally-on type switching element 1 and the normally-off type switching element (hereinafter referred to as MOSFET) 2 are connected in series to constitute a cascode device. Further, the gate drive circuit 4 is connected to the gate of the MOSFET 2 through the gate resistor 3. With such a configuration, a normal MOSFET gate drive circuit can be applied. When a positive gate voltage is applied, the cascode device is turned on, and when the gate voltage is lowered, the cascode device is turned off.

図１０に図９の動作例を示す。まず、ＭＯＳＦＥＴ２のゲート電圧が低下すると、ディレイタイムt1が経過した後、ＭＯＳＦＥＴ２がオフし、ドレイン・ソース間電圧が上昇する。ＭＯＳＦＥＴ２のドレイン・ソース間はノーマリーオン形スイッチング素子１のソース・ゲート間に並列接続されているので、ＭＯＳＦＥＴ２がオフし、ＭＯＳＦＥＴ２のドレイン・ソース間電圧が上昇することによって、ノーマリーオン形スイッチング素子１のゲート・ソース間に逆電圧が印加される。従って、ＭＯＳＦＥＴ２がオフすることにより、ノーマリーオン形スイッチング素子1のゲート・ソース間に逆電圧が確立され、ノーマリーオン形スイッチング素子１をオフするができる。ここで、必要とされるＭＯＳＦＥＴ２のドレイン・ソース間電圧耐量は、ノーマリーオン形スイッチング素子１のゲート・ソース間電圧であり、導通損失の小さい低耐圧のスイッチング素子が適用可能となり、その結果、通電損失は小さくて済む。   FIG. 10 shows an operation example of FIG. First, when the gate voltage of the MOSFET 2 decreases, after the delay time t1 has elapsed, the MOSFET 2 is turned off and the drain-source voltage increases. Since the drain and source of the MOSFET 2 are connected in parallel between the source and gate of the normally-on type switching element 1, the MOSFET 2 is turned off and the voltage between the drain and source of the MOSFET 2 rises. A reverse voltage is applied between the gate and source of the element 1. Accordingly, when the MOSFET 2 is turned off, a reverse voltage is established between the gate and the source of the normally-on type switching element 1, and the normally-on type switching element 1 can be turned off. Here, the required drain-source voltage tolerance of the MOSFET 2 is the gate-source voltage of the normally-on type switching element 1, and a low withstand voltage switching element with small conduction loss can be applied. The energization loss is small.

以上の内容の詳細は、特許文献１、特許文献２等に記載されている。
特開平４−８４４６３号公報（第３図） 特表２００４−５２１５８５号公報（fig.2） The details of the above contents are described in Patent Document 1, Patent Document 2, and the like.
JP-A-4-84463 (FIG. 3) Japanese translation of PCT publication No. 2004-521585 (fig. 2)

実際のスイッチング素子ではゲート電圧が変化してからスイッチング動作が始まるまで時間差（ディレイタイムt1、t2）が生じる。従来技術でも同様に、ＭＯＳＦＥＴ２のドレイン・ソース間電圧が上昇し、ノーマリーオン形スイッチング素子１のゲートしきい値電圧を確立してもノーマリーオン形スイッチング素子１のスイッチング動作が始まるまでディレイタイムt2が生じる。従って、ノーマリーオン形スイッチング素子１のゲート電圧が確立した直後ではオフすることができず、ＭＯＳＦＥＴ２のドレイン・ソース間電圧は上昇して、耐圧を超えてしまう恐れがある。
本発明では、スイッチング素子の耐圧を超えることなく、安全にかつ高速なスイッチング動作を実現するノーマリーオン形スイッチング素子とノーマリーオフ形スイッチング素子との直列回路ならなるカスコードデバイスを提供する。 In an actual switching element, a time difference (delay time t1, t2) occurs after the gate voltage changes until the switching operation starts. Similarly, in the conventional technique, even if the drain-source voltage of the MOSFET 2 rises and the gate threshold voltage of the normally-on type switching element 1 is established, the delay time until the switching operation of the normally-on type switching element 1 starts. t2 occurs. Therefore, it cannot be turned off immediately after the gate voltage of the normally-on type switching element 1 is established, and the drain-source voltage of the MOSFET 2 may rise and exceed the breakdown voltage.
The present invention provides a cascode device comprising a series circuit of a normally-on type switching element and a normally-off type switching element that realizes a safe and high-speed switching operation without exceeding the breakdown voltage of the switching element.

上記課題を解決するため、第1の発明ではノーマリーオン形スイッチング素子と直列にノーマリーオフ形スイッチング素子を接続し、ノーマリーオフ形スイッチング素子に駆動回路を接続することで、ノーマリーオフ形の動作を実現するカスコードデバイスにおいて、
ノーマリーオフ形スイッチング素子のドレイン（またはコレクタ）とゲート（またはベース）間に、電圧クランプ手段とダイオードとの直列回路を接続する。
第2の発明では、ノーマリーオン形スイッチング素子と直列にノーマリーオフ形スイッチング素子を接続し、ノーマリーオフ形スイッチング素子に駆動回路を接続することで、ノーマリーオフ形の動作を実現するカスコードデバイスにおいて、
ノーマリーオフ形スイッチング素子のドレイン（またはコレクタ）とソース（またはエミッタ）間に、電圧クランプ手段を並列接続する。 In order to solve the above-mentioned problem, in the first invention, a normally-off type switching element is connected in series with a normally-off type switching element, and a drive circuit is connected to the normally-off type switching element. In the cascode device that realizes the operation of
A series circuit of a voltage clamp means and a diode is connected between the drain (or collector) and gate (or base) of the normally-off switching element.
In the second invention, a normally-off type switching element is connected in series with a normally-off type switching element, and a drive circuit is connected to the normally-off type switching element, thereby realizing a normally-off type operation. On the device
A voltage clamping means is connected in parallel between the drain (or collector) and the source (or emitter) of the normally-off type switching element.

第3の発明では、ノーマリーオン形スイッチング素子と直列にノーマリーオフ形スイッチング素子を接続し、ノーマリーオフ形スイッチング素子に駆動回路を接続することで、ノーマリーオフ形の動作を実現するカスコードデバイスにおいて、
ノーマリーオフ形スイッチング素子のドレイン（またはコレクタ）とソース（またはエミッタ）間に、コンデンサを接続する。
第4の発明では、ノーマリーオン形スイッチング素子と直列にノーマリーオフ形スイッチング素子を接続し、ノーマリーオフ形スイッチング素子に駆動回路を接続することで、ノーマリーオフ形の動作を実現するカスコードデバイスにおいて、
ノーマリーオフ形スイッチング素子のドレイン（またはコレクタ）とソース（またはエミッタ）間に、電圧クランプ手段とコンデンサとの直列回路を接続する。 In the third invention, the normally-off type switching element is connected in series with the normally-off type switching element, and the drive circuit is connected to the normally-off type switching element, thereby realizing the normally-off type operation. On the device
A capacitor is connected between the drain (or collector) and the source (or emitter) of the normally-off switching element.
In the fourth invention, a normally-off type switching element is connected in series with a normally-off type switching element, and a drive circuit is connected to the normally-off type switching element, thereby realizing a normally-off type operation. On the device
A series circuit of a voltage clamping means and a capacitor is connected between the drain (or collector) and source (or emitter) of the normally-off type switching element.

本発明により、ノーマリーオン形スイッチング素子とノーマリーオフ形スイッチング素子を直列接続したカスコードデバイスにおいて、スイッチング素子の耐圧を超えることなく、安全かつ高速にスイッチング動作させることが可能である。また、ノーマリーオフ形スイッチング素子として導通損失の小さい低損失の素子が適用でき、装置の低損失化と冷却装置の小型化が可能である。   According to the present invention, in a cascode device in which a normally-on switching element and a normally-off switching element are connected in series, a switching operation can be performed safely and at high speed without exceeding the withstand voltage of the switching element. In addition, a low-loss element with small conduction loss can be applied as a normally-off type switching element, so that the loss of the device can be reduced and the cooling device can be downsized.

本発明の要点は、ノーマリーオン形スイッチング素子とノーマリーオフ形スイッチング素子を直列接続したカスコードデバイスにおいて、ノーマリーオフ形スイッチング素子をオフさせてもノーマリーオン形スイッチング素子がオフするまでには遅れ時間があり、この遅れの期間、ノーマリーオフ形スイッチング素子の電圧上昇を抑制させようとするものである。   The gist of the present invention is that, in a cascode device in which a normally-on type switching element and a normally-off type switching element are connected in series, the normally-on type switching element is not turned off even if the normally-off type switching element is turned off. There is a delay time, and during this delay period, an attempt is made to suppress the voltage rise of the normally-off type switching element.

図1に本発明の請求項１に基づく第1の実施例を、図２に第1の実施例の動作例を示す。ここで、ＭＯＳＦＥＴ２のゲート電圧が低下すると、ディレイタイムt1の後、ＭＯＳＦＥＴ２のドレイン・ソース間電圧が上昇する。ＭＯＳＦＥＴ２のドレイン・ソース間電圧がツェナーダイオード６のクランプ電圧に達すると、ノーマリーオン形素子１のソース→ダイオード５→ツェナーダイオード６→ＭＯＳＦＥＴ２のゲート・ソース間の入力容量、の経路で電流が流れ、再びＭＯＳＦＥＴ２のゲート電圧が上昇する。ＭＯＳＦＥＴ２のゲート電圧が上昇することにより、ＭＯＳＦＥＴ２は再びオンし、ドレイン・ソース間電圧の上昇を抑制する。さらに、従来技術と同様に、ＭＯＳＦＥＴ２のドレイン・ソース間電圧により、ノーマリーオン形スイッチング素子１のゲート逆電圧が得られ、オフすることができる。このように、ツェナーダイオード６のクランプ電圧をＭＯＳＦＥＴ２のドレイン・ソース間電圧の耐圧よりも低い値に設定しておくことにより、ＭＯＳＦＥＴ２のドレイン・ソース間電圧は耐圧を超えることなく、安全に動作させることができる。   FIG. 1 shows a first embodiment based on claim 1 of the present invention, and FIG. 2 shows an operation example of the first embodiment. Here, when the gate voltage of the MOSFET 2 decreases, the drain-source voltage of the MOSFET 2 increases after the delay time t1. When the drain-source voltage of the MOSFET 2 reaches the clamp voltage of the Zener diode 6, a current flows through a path of the source of the normally-on type element 1 → the diode 5 → the Zener diode 6 → the input capacitance between the gate and the source of the MOSFET 2. The gate voltage of the MOSFET 2 rises again. When the gate voltage of the MOSFET 2 rises, the MOSFET 2 is turned on again, and the rise of the drain-source voltage is suppressed. Further, similarly to the prior art, the gate reverse voltage of the normally-on type switching element 1 is obtained by the drain-source voltage of the MOSFET 2 and can be turned off. In this way, by setting the clamp voltage of the Zener diode 6 to a value lower than the withstand voltage of the drain-source voltage of the MOSFET 2, the drain-source voltage of the MOSFET 2 can be operated safely without exceeding the withstand voltage. be able to.

図３に請求項２に基づく第２の実施例を、図４に第２の実施例の動作例を示す。第1の実施例と同様に、ＭＯＳＦＥＴ２のゲート電圧が低下し、ドレイン・ソース間電圧が上昇する。ここで、ＭＯＳＦＥＴ２のドレイン・ソース間電圧がツェナーダイオード６のツェナー電圧（クランプ電圧）に達すると、電流はノーマリーオン形スイッチング素子１→ＭＯＳＦＥＴ２の経路からノーマリーオン形スイッチング素子１→ツェナーダイオード６の経路に転流し、ＭＯＳＦＥＴ２のドレイン・ソース間電圧の上昇を抑制する。従って、ツェナーダイオード６のクランプ電圧をＭＯＳＦＥＴ２のドレイン・ソース間電圧の耐圧以下に設定しておくことで、ＭＯＳＦＥＴ２のドレイン・ソース電圧は耐圧を超えることなく、安全に動作させることができる。   FIG. 3 shows a second embodiment based on claim 2 and FIG. 4 shows an operation example of the second embodiment. As in the first embodiment, the gate voltage of the MOSFET 2 decreases and the drain-source voltage increases. Here, when the drain-source voltage of the MOSFET 2 reaches the Zener voltage (clamp voltage) of the Zener diode 6, the current flows from the normally-on type switching element 1 → the MOSFET 2 to the normally-on type switching element 1 → the Zener diode 6. To suppress the rise of the drain-source voltage of the MOSFET 2. Therefore, by setting the clamp voltage of the Zener diode 6 below the breakdown voltage of the drain-source voltage of the MOSFET 2, the drain-source voltage of the MOSFET 2 can be operated safely without exceeding the breakdown voltage.

図５に請求項３に基づく第３の実施例を、図６に第３の実施例の動作例を示す。この例では、ＭＯＳＦＥＴ２のゲート電圧が低下することで、ＭＯＳＦＥＴ２はオフし、ドレイン・ソース間電圧が上昇するが、ＭＯＳＦＥＴ２と並列にコンデンサ７が接続されているので、これを充電しながらドレイン・ソース間電圧は緩やかに上昇する。ＭＯＳＦＥＴ２のドレイン・ソース間電圧が緩やかに上昇することにより、ディレイタイムt2が存在してもドレイン・ソース間電圧は耐圧を越える前にノーマリーオン形スイッチング素子１をオフすることがでる。従って、ＭＯＳＦＥＴ２のドレイン・ソース間耐圧を越えることなく、安全に動作させることができる。ここで、コンデンサ７で蓄えたエネルギーはソフトスイッチング回路（ZVT回路）などにより、回生が可能である。   FIG. 5 shows a third embodiment based on claim 3, and FIG. 6 shows an operation example of the third embodiment. In this example, when the gate voltage of the MOSFET 2 is lowered, the MOSFET 2 is turned off and the drain-source voltage is increased. However, since the capacitor 7 is connected in parallel with the MOSFET 2, the drain-source is charged while charging it. The voltage increases slowly. Since the drain-source voltage of the MOSFET 2 rises gently, the normally-on type switching element 1 can be turned off before the drain-source voltage exceeds the breakdown voltage even if the delay time t2 exists. Therefore, the MOSFET 2 can be operated safely without exceeding the drain-source breakdown voltage. Here, the energy stored in the capacitor 7 can be regenerated by a soft switching circuit (ZVT circuit) or the like.

図７に請求項４に基づいた第4の実施例を、図８に第４の実施例の動作例を示す。第３の実施例では、ＭＯＳＦＥＴ２のドレイン・ソース間電圧が徐々に上昇するため、ＭＯＳＦＥＴ２のドレイン・ソース間電圧が上昇し始めてからノーマリーオン形スイッチング素子１のゲートしきい値電圧が確立されるまで時間がかかる。そこで、ここではＭＯＳＦＥＴ２と並列に電圧をクランプする機能を有するツェナーダイオード６とコンデンサ７の直列回路を接続している。ここで、ＭＯＳＦＥＴ２のゲート信号が低下し、t1後にはノーマリーオン形スイッチング素子１→ＭＯＳＦＥＴ２の経路で電流が流れているので、ＭＯＳＦＥＴ２のドレイン・ソース間の出力容量は充電され、ドレイン・ソース電圧は急峻に上昇する。従って、高速にノーマリーオン形素子１のゲートしきい値電圧を得ることができる。さらに、ＭＯＳＦＥＴ２のドレイン・ソース間電圧がツェナーダイオード６のクランプ電圧に達すると、電流はノーマリーオン形スイッチング素子１→ツェナーダイオード６→コンデンサ７に転流する。従って、電流はコンデンサ７を充電する経路で流れるので、ＭＯＳＦＥＴ２のドレイン・ソース間電圧は徐々に上昇し、ディレイタイムt2の間、耐圧を越えることなく、安全に動作させることができる。一方、コンデンサ７で蓄えたエネルギーはソフトスイッチング回路（ZVT回路）などにより、回生が可能である。   FIG. 7 shows a fourth embodiment based on claim 4 and FIG. 8 shows an operation example of the fourth embodiment. In the third embodiment, since the drain-source voltage of the MOSFET 2 gradually increases, the gate threshold voltage of the normally-on switching element 1 is established after the drain-source voltage of the MOSFET 2 starts to increase. Takes time. Therefore, a series circuit of a Zener diode 6 and a capacitor 7 having a function of clamping a voltage in parallel with the MOSFET 2 is connected here. Here, the gate signal of the MOSFET 2 decreases, and the current flows through the normally-on type switching element 1 → MOSFET 2 after t1, so that the output capacitance between the drain and source of the MOSFET 2 is charged, and the drain-source voltage. Rises steeply. Therefore, the gate threshold voltage of normally-on type element 1 can be obtained at high speed. Further, when the drain-source voltage of the MOSFET 2 reaches the clamp voltage of the Zener diode 6, the current is commutated from the normally-on type switching element 1 → the Zener diode 6 → the capacitor 7. Therefore, since the current flows through the path for charging the capacitor 7, the drain-source voltage of the MOSFET 2 gradually rises and can be operated safely without exceeding the breakdown voltage during the delay time t2. On the other hand, the energy stored in the capacitor 7 can be regenerated by a soft switching circuit (ZVT circuit) or the like.

本発明は、高耐圧のノーマリーオン形スイッチング素子と低耐圧のノーマリーオフ形スイッチング素子を直列接続し、従来のノーマリーオフ形素子用の駆動回路を用いてノーマリーオフ形スイッチング素子を駆動することにより、高速なスイッチング動作を安全に実現できるため、高速スイッチング動作を行う高耐圧大容量の変換器への適用が可能である。   The present invention connects a high breakdown voltage normally-on switching element and a low breakdown voltage normally-off switching element in series, and drives a normally-off switching element using a drive circuit for a conventional normally-off element. By doing so, a high-speed switching operation can be realized safely, and therefore, it can be applied to a high voltage and large capacity converter that performs a high-speed switching operation.

本発明の第1の実施例を示す。1 shows a first embodiment of the present invention. 図1の動作例を示す。The operation example of FIG. 1 is shown. 本発明の第2の実施例を示す。2 shows a second embodiment of the present invention. 図３の動作例を示す。The operation example of FIG. 3 is shown. 本発明の第３の実施例を示す。3 shows a third embodiment of the present invention. 図５の動作例を示す。The operation example of FIG. 5 is shown. 本発明の第４の実施例を示す。4 shows a fourth embodiment of the present invention. 図７の動作例を示す。The operation example of FIG. 7 is shown. 従来の実施例を示す。A conventional example is shown. 図９の動作例を示す。The operation example of FIG. 9 is shown.

符号の説明Explanation of symbols

１・・・ノーマリーオン形スイッチング素子
２・・・ノーマリーオフ形スイッチング素子（ＭＯＳＦＥＴ）
３・・・ゲート抵抗 ４・・・ゲート駆動回路 ５・・・ダイオード
６・・・ツェナーダイオード ７・・・コンデンサ 1 ... Normally-on type switching element
2. Normally-off type switching element (MOSFET)
3 ... Gate resistance 4 ... Gate drive circuit 5 ... Diode 6 ... Zener diode 7 ... Capacitor

Claims (4)

ノーマリーオン形スイッチング素子と直列にノーマリーオフ形スイッチング素子を接続し、ノーマリーオフ形スイッチング素子に駆動回路を接続することで、ノーマリーオフ形の動作を実現するカスコードデバイスにおいて、
ノーマリーオフ形スイッチング素子のドレイン（またはコレクタ）とゲート（またはベース）間に、電圧クランプ手段とダイオードとの直列回路を接続することを特徴とした複合型半導体装置。 In a cascode device that realizes a normally-off type operation by connecting a normally-off type switching element in series with a normally-on type switching element and connecting a drive circuit to the normally-off type switching element,
A compound semiconductor device comprising a series circuit of a voltage clamping means and a diode connected between a drain (or collector) and a gate (or base) of a normally-off type switching element. ノーマリーオン形スイッチング素子と直列にノーマリーオフ形スイッチング素子を接続し、ノーマリーオフ形スイッチング素子に駆動回路を接続することで、ノーマリーオフ形の動作を実現するカスコードデバイスにおいて、
ノーマリーオフ形スイッチング素子のドレイン（またはコレクタ）とソース（またはエミッタ）間に、電圧クランプ手段を並列接続することを特徴とした複合型半導体装置。 In a cascode device that realizes a normally-off type operation by connecting a normally-off type switching element in series with a normally-on type switching element and connecting a drive circuit to the normally-off type switching element,
A compound semiconductor device comprising a voltage clamp means connected in parallel between a drain (or collector) and a source (or emitter) of a normally-off type switching element. ノーマリーオン形スイッチング素子と直列にノーマリーオフ形スイッチング素子を接続し、ノーマリーオフ形スイッチング素子に駆動回路を接続することで、ノーマリーオフ形の動作を実現するカスコードデバイスにおいて、
ノーマリーオフ形スイッチング素子のドレイン（またはコレクタ）とソース（またはエミッタ）間に、コンデンサを接続することを特徴とした複合型半導体装置。 In a cascode device that realizes a normally-off type operation by connecting a normally-off type switching element in series with a normally-on type switching element and connecting a drive circuit to the normally-off type switching element,
A composite semiconductor device comprising a capacitor connected between a drain (or collector) and a source (or emitter) of a normally-off switching element. ノーマリーオン形スイッチング素子と直列にノーマリーオフ形スイッチング素子を接続し、ノーマリーオフ形スイッチング素子に駆動回路を接続することで、ノーマリーオフ形の動作を実現するカスコードデバイスにおいて、
ノーマリーオフ形スイッチング素子のドレイン（またはコレクタ）とソース（またはエミッタ）間に、電圧クランプ手段とコンデンサとの直列回路を接続することを特徴とした複合型半導体装置。
In a cascode device that realizes a normally-off type operation by connecting a normally-off type switching element in series with a normally-on type switching element and connecting a drive circuit to the normally-off type switching element,
A composite semiconductor device comprising a series circuit of a voltage clamp means and a capacitor connected between a drain (or collector) and a source (or emitter) of a normally-off type switching element.
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