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JP2006309104A - アクティブマトリクス駆動型表示装置 - Google Patents

アクティブマトリクス駆動型表示装置 Download PDF

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JP2006309104A JP2005176279A JP2005176279A JP2006309104A JP 2006309104 A JP2006309104 A JP 2006309104A JP 2005176279 A JP2005176279 A JP 2005176279A JP 2005176279 A JP2005176279 A JP 2005176279A JP 2006309104 A JP2006309104 A JP 2006309104A
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Atsuhiro Yamashita
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Sanyo Electric Co Ltd
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Abstract

【課題】 消費電力の増大を招くことなく、経時変化や温度変化に起因する輝度変化を抑制することができるアクティブマトリクス駆動型表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 表示パネルを構成する各画素は、有機ＥＬ素子４２、書込み用トランジスタＴＲ１、閾値補償用トランジスタＴＲ２、駆動用トランジスタＴＲ３、オン／オフ用トランジスタＴＲ４、コンデンサＣ１に加えて、調整用トランジスタＴＲ５及びコンデンサＣ２を備えている。１フレーム期間中のリセット期間において、ＴＲ２、ＴＲ４及びＴＲ５をオンしてから、ＴＲ４をオフし、コンデンサＣ１に有機ＥＬ素子４２の電圧とＴＲ３の動作閾値電圧とに応じた電圧を保持させた後、ＴＲ２及びＴＲ５をオフする。リセット期間終了後、ＴＲ１をオンしてノードＮＡにデータ電圧ＤＡＴＡを書込み、ＴＲ３のゲート電圧をデータ電圧と有機ＥＬ素子４２の電圧と前記動作閾値電圧とに応じた電圧にして、有機ＥＬ素子４２を駆動する。
【選択図】 図２

Description

本発明は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等のスイッチング素子を用いて有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子等の表示素子を駆動する表示装置に関し、特にアクティブマトリクス駆動型表示装置に関する。
近年、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ(以下、有機ＥＬディスプレイといい、有機ＥＬディスプレイを用いた表示装置を以下、有機ＥＬ表示装置という)の開発が進んでおり、例えば携帯電話機に有機ＥＬディスプレイを採用することが検討されている。
有機ＥＬディスプレイの駆動方式としては、走査電極とデータ電極を用いて時分割駆動するパッシブマトリクス駆動型と、各画素の発光を１垂直走査線期間に亘って維持するアクティブマトリクス駆動型とが知られている。
また、アクティブマトリクス駆動型の有機ＥＬディスプレイに適用可能な駆動方式として、電圧プログラム方式と呼ばれる駆動方式が開示されている（例えば、下記特許文献１、特許文献２参照）。詳細は後述するが、この電圧プログラム方式を用いることで、画素の回路構成のひとつであるトランジスタの動作閾値電圧のばらつきによる影響を排除することができる。以下、この技術を図１６及び図１７を用いて説明する。
図１６は、上記電圧プログラム方式で用いられる画素１００の回路構成である。画素１００は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）であるＮチャンネルのＭＯＳトランジスタ（絶縁ゲート型の電界効果トランジスタ）ＴＲ１０１、ＴＲ１０２及びＴＲ１０４と、ＰチャンネルのＭＯＳトランジスタから成る駆動用トランジスタＴＲ１０３と、コンデンサＣ１０１と、電力の供給を受けて発光する有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）４２とから構成されている。
トランジスタＴＲ１０１は、第１電極（例えばソース）が、所定のタイミングにてデータ電圧ＤＡＴＡが印加されるデータ電圧ラインに接続されると共に、第２電極（例えばドレイン）がコンデンサＣ１０１の一方の電極に接続されている。また、トランジスタＴＲ１０１のゲートは、走査電圧ＳＣＡＮが印加される走査電圧ラインに接続されている。トランジスタＴＲ１０２は、第１電極（例えばソース）がコンデンサＣ１０１の他方の電極及び駆動用トランジスタＴＲ１０３のゲートに共通接続されていると共に、第２電極（例えばドレイン）が駆動用トランジスタＴＲ１０３のドレインとトランジスタＴＲ１０４のドレインに共通接続されている。また、トランジスタＴＲ１０２のゲートは、制御信号ＣＴＬ２が印加される制御信号ラインに接続されている。
トランジスタＴＲ１０４において、ソースは有機ＥＬ素子４２の陽極に接続されており、ゲートは制御信号ＣＴＬ１が印加される制御信号ラインに接続されている。有機ＥＬ素子４２の陰極には電源電圧ＣＶが印加されており、また駆動用トランジスタＴＲ１０３のソースには電源電圧ＶＤＤが印加されている。また、コンデンサ１０１とトランジスタＴＲ１０１の第２電極との接続点、コンデンサＣ１０１と駆動用トランジスタＴＲ１０３のゲートとの接続点を、夫々ノードＮＡ０、ノードＮＢ０ということにする。
図１７の動作手順を示すタイムチャートを用いて、その動作を説明する。図１７は、上から夫々データ電圧ライン、走査電圧ライン、制御信号ＣＴＬ１が印加される制御信号ライン、制御信号ＣＴＬ２が印加される制御信号ラインの信号電圧を表わしている。
期間Ｔ１では走査電圧ＳＣＡＮがハイレベルとなってトランジスタＴＲ１０１がオン（導通状態）となり、続く期間Ｔ２では制御信号ＣＴＬ２がハイレベルとなってトランジスタＴＲ１０２がオンする。期間Ｔ２ではデータ電圧ラインにデータ電圧（輝度信号）を表わさない一定電圧が供給されており、また制御信号ＣＴＬ１がハイレベルであるため、トランジスタＴＲ１０４がオンとなって電源電圧ＶＤＤと電源電圧ＣＶとの差電圧（ＶＤＤ−ＣＶ）が有機ＥＬ素子４２の陽極−陰極間電圧と駆動用トランジスタＴＲ１０３のドレイン−ソース間電圧（Ｖｄｓ）とで配分される。従って、この時のノードＮＢ０に加わる電圧は、電源電圧ＣＶよりも有機ＥＬ素子４２の陽極−陰極間に配分された電圧だけ高い電圧となる。
続く期間Ｔ３では制御信号ＣＴＬ１がローとなってトランジスタＴＲ１０４がオフとなる。この時、電源電圧ＶＤＤからの電流が駆動用トランジスタＴＲ１０３及びＴＲ１０２を介してノードＮＢ０に流れ込み、ノードＮＢ０は電源電圧ＶＤＤより駆動用トランジスタＴＲ１０３の動作閾値電圧（Ｖｔｈ）だけ低い電圧まで充電される。そして、ノードＮＢ０の電位が安定する頃に制御信号ＣＴＬ２をローにしてトランジスタＴＲ１０２をオフ（遮断状態）とする（期間Ｔ４）。この時のトランジスタＴＲ１０４のドレイン電位も、（ＶＤＤ−Ｖｔｈ）である。
期間Ｔ４に続く期間Ｔ５ではデータ電圧ラインからデータ電圧ＤＡＴＡ（輝度信号）が入力され、このデータ電圧ＤＡＴＡに応じた電圧降下がノードＮＢ０にあらわれる。つまり、データ電圧ＤＡＴＡに応じた電圧がノードＮＢ０に書き込まれる。その後、走査電圧ＳＣＡＮがローになってトランジスタＴＲ１０１がオフとなり（期間Ｔ６）、更にデータ電圧ラインに供給される電圧が上記一定電圧に戻る（期間Ｔ７）。そして、期間Ｔ８にて制御信号ＣＴＬ１がハイとなりトランジスタＴＲ１０４がオンとなることによって、期間Ｔ５にてノードＮＢ０に書き込まれた電圧に応じた大きさの電流が有機ＥＬ素子４２に供給される。この結果、データ電圧ＤＡＴＡに応じた輝度で有機ＥＬ素子４２が点灯する。この点灯状態は、１垂直走査線期間に亘って保持されることになる。
上記期間Ｔ５にてノードＮＢ０に書き込まれ、コンデンサＣ１０１や駆動用トランジスタＴＲ１０３のゲート容量（不図示）から成る電圧保持部で１垂直走査期間に亘り保持されるデータ電圧ＤＡＴＡに応じた電圧は、上述のように電圧（ＶＤＤ−Ｖｔｈ）が基準となっている。従って、有機ＥＬ素子４２の輝度は、駆動用トランジスタＴＲ１０３の動作閾値電圧（Ｖｔｈ）のばらつきの影響を受けないことになる。
特開２００３−１０８０６７ 特開２００３−１２２３０１
上述のように、電圧プログラム方式を用いると、駆動用トランジスタＴＲ１０３の動作閾値電圧のばらつきの影響をなくすことができるが、有機ＥＬ素子４２の特性変化による影響は免れることはできない。この有機ＥＬ素子４２の特性変化による影響を、図１８を用いて考察する。
図１８は、駆動用トランジスタＴＲ１０３のドレイン−ソース間電圧（Ｖｄｓ）に対するドレイン電流（Ｉｄ）の関係（以下、「Ｖｄｓ−Ｉｄ特性」という）と、有機ＥＬ素子４２の陽極−陰極間電圧（ＶＯＬＥＤ；以下、「両極間電圧」ということがある）に対する有機ＥＬ素子４２に流れる電流ＩＯＬＥＤの関係（以下、「ＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性」という）を示したものである。
実線２００は、駆動用トランジスタＴＲ１０３のゲート−ソース間電圧（Ｖｇｓ）が或る一定電圧の場合におけるＶｄｓ−Ｉｄ特性を示している。実線２０１は、周囲温度を基準温度（例えば、２５℃）として動作させた初期状態の有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性を示している。ここで、初期状態とは、画素１００の製造時（製造直後）又は出荷時における状態を意味する。
図１８に示す如く、有機ＥＬ素子４２の両極間電圧の大きさが有機ＥＬ素子４２の特性で定まる電圧ＶＦの大きさより小さい場合には、有機ＥＬ素子４２には電流が流れない。有機ＥＬ素子４２の両極間電圧の大きさが電圧ＶＦの大きさに達した時点で、有機ＥＬ素子４２に電流が流れ始める。この発光開始時点における有機ＥＬ素子４２の両極間電圧を、以下、発光開始両極間電圧ＶＦという。そして、有機ＥＬ素子４２に流れる電流ＩＯＬＥＤは駆動用トランジスタＴＲ１０３のドレイン電流Ｉｄと等しいのであるから、駆動用トランジスタＴＲ１０３と有機ＥＬ素子４２は、図１８のＶｄｓ−Ｉｄ特性を示す曲線とＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性を示す曲線の交点で動作することになる。
ところが、初期状態では実線２０１であったＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性は、経時変化により破線２０２のようにシフトする。即ち、駆動用トランジスタＴＲ１０３と有機ＥＬ素子４２の動作点が経時変化により変動してしまう。具体的には、階調によっては、同じデータ電圧に対して有機ＥＬ素子４２に流れる電流が減少し、その減少に起因して輝度が減少してしまうのである（低階調側の動作点は飽和領域内にあるため電流の減少はない）。
また、動作周囲温度が低温（例えば、０℃）となったり、高温（例えば、４５℃）となったりすることによっても、有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性は変動する。具体的には、低温で動作させると、ＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性は破線２０２のようになり、階調によっては、同じデータ電圧に対して有機ＥＬ素子４２に流れる電流が減少し、その減少に起因して輝度が減少してしまう。また、高温で動作させると、ＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性は破線２０３のようになり、階調によっては、同じデータ電圧に対して有機ＥＬ素子４２に流れる電流が増加し、その増加に起因して輝度が増加してしまう。
また、上記のような経時変化や温度変化の影響を回避するために、全ての階調における駆動用トランジスタＴＲ１０３と有機ＥＬ素子４２の動作点を、駆動用トランジスタＴＲ１０３の飽和領域に設定することも考えられる。しかしながら、そのように動作点を設定することは、電源電圧ＶＤＤと電源電圧ＣＶとの差電圧を大きくすることに相当するため、消費電力の増大を招いてしまう。また、経時変化や温度変化の影響を十分に回避するためには、経時変化や温度変化があってＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が破線２０２のようにシフトした場合においても、動作点が駆動用トランジスタＴＲ１０３の飽和領域となるようにする必要がある（即ち、駆動用トランジスタＴＲ１０３を飽和領域の高電圧側で用いる必要がある）ため、消費電力は更に増大してしまう。
電圧プログラム方式を用いた回路構成を例に挙げて従来例の抱える上記問題点を説明したが、上記問題点は電圧プログラム方式を用いた回路構成に限らず発生するものである。
そこで本発明は、消費電力の増大を招くことなく、経時変化や温度変化に起因する輝度変化を抑制することができるアクティブマトリクス駆動型表示装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の第１の構成は、複数の画素をマトリクス状に配列して構成される表示パネルに、走査電圧を各画素に供給する走査ドライバーとデータ電圧を各画素に供給するデータドライバーとを接続して構成され、１フレーム期間は少なくともリセット期間と発光期間とから成り、各画素の画素回路は、電力の供給を受けて発光する表示素子と、第１電極が前記データドライバーに接続され、前記走査ドライバーから所定レベルの走査電圧が印加されてオンする書込み用トランジスタと、発光期間内において自身の制御電極に加わる電圧に応じて前記表示素子を駆動する駆動用トランジスタと、前記書込み用トランジスタの第２電極と前記駆動用トランジスタの制御電極とを接続するライン中に直列に介在する第１容量素子と、リセット期間内においてオンとされ、前記表示素子の両極間電圧に応じた電圧を前記第１容量素子の書込み用トランジスタ側の電極に与える調整用トランジスタと、を備えるアクティブマトリクス駆動型表示装置であって、リセット期間において、各第１容量素子に各表示素子の発光開始両極間電圧に応じた電圧を保持させる制御信号発生回路を備えたことを特徴とする。
リセット期間内において調整用トランジスタがオンとなると、前記表示素子の両極間電圧に応じた電圧（フィードバック電圧）が前記第１容量素子の書込み用トランジスタ側の電極に与えられ、制御信号発生回路の動作により発光開始両極間電圧に応じた電圧（保持電圧）が第１容量素子に保持される。そして、例えば、前記リセット期間終了後（例えば、走査期間）に、前記走査ドライバーが各書込み用トランジスタをオンすると、データ電圧が第１容量素子を介して駆動用トランジスタの制御電極に与えられるが、この第１容量素子には上記発光開始両極間電圧に応じた電圧が保持されている。従って、各画素において、前記駆動用トランジスタの制御電極には前記データ電圧と前記発光開始両極間電圧とに応じた電圧が印加されることになる。
つまり、前記リセット期間終了後に、前記走査ドライバーが各書込み用トランジスタをオンすることにより、各駆動用トランジスタの制御電極には前記データ電圧と前記発光開始両極間電圧とに応じた電圧が印加されるのである。
そうすると、各画素の表示素子は、前記発光開始両極間電圧が制御電極にフィードバックされた駆動用トランジスタで駆動されることになるため、表示素子の経時変化や温度変化による特性の変化に拘わらず、１フレーム期間内の表示素子の発光量はデータ電圧に応じたものとなる。つまり、経時変化や温度変化に起因する輝度変化が抑制される。
また、その抑制のために消費電力が増加することもない。逆に考えれば、経時変化や温度変化に起因する輝度変化を抑制する機能を有していることから、従来よりも駆動用トランジスタを飽和領域の低電圧側で用いることができるようになるため、或は線形領域で用いることができるようになるため、低消費電力化が実現される。尚、上記発光開始両極間電圧とは、発光開始時点における表示素子の両極間電圧（陽極と陰極間の電圧）を意味する。
また、具体的構成として、例えば、前記制御信号発生回路は、リセット期間において、各調整用トランジスタをオンとしつつ、各第１容量素子の駆動用トランジスタ側の電極を所定電位とすることにより、各第１容量素子に各表示素子の発光開始両極間電圧に応じた電圧を保持させた後、各調整用トランジスタをオフする。
また、上記第１の構成において、各駆動用トランジスタは、第１電極と第２電極と制御電極とを備え、制御電極と第１電極間の電圧によって、第１電極−第２電極間に流れる電流が制御されるものであり、各画素の画素回路は、前記表示素子に電力を供給すべき電源から伸びる給電ライン中に直列に介在し、前記表示素子への電力供給をオン又はオフするためのオン／オフ用トランジスタと、第１電極が前記駆動用トランジスタの制御電極に接続され、第２電極が前記駆動用トランジスタの第２電極に接続された閾値補償用トランジスタと、を更に備えるようにしてもよい。
そして、例えば、前記制御信号発生回路は、リセット期間内において、各オン／オフ用トランジスタをオンとすることによって各駆動用トランジスタをオンとしてから、各オン／オフ用トランジスタをオフ、且つ各調整用トランジスタ及び各閾値補償用トランジスタをオンとすることにより、各第１容量素子に各表示素子の発光開始両極間電圧と各駆動用トランジスタの動作閾値電圧とに応じた電圧を保持させた後、各調整用トランジスタ及び各閾値補償用トランジスタをオフするものであり、前記リセット期間終了後に、前記走査ドライバーが各書込み用トランジスタをオンすることにより、各駆動用トランジスタの制御電極には前記データ電圧と前記発光開始両極間電圧と前記動作閾値電圧とに応じた電圧が印加されるようにするとよい。
各オン／オフ用トランジスタをオンとすることによって各駆動用トランジスタをオンとしてから、各オン／オフ用トランジスタをオフ、且つ各調整用トランジスタ及び各閾値補償用トランジスタをオンとすることにより、各駆動用トランジスタの制御電極の電圧は、自身の第１電極の電圧と動作閾値電圧だけ異なる電圧に安定化し、駆動用トランジスタの反対側の各第１容量素子の電極電圧は、発光開始両極間電圧に応じた電圧に安定化する。つまり、各第１容量素子に各表示素子の発光開始両極間電圧と各駆動用トランジスタの動作閾値電圧とに応じた電圧を保持される。
従って、リセット期間終了後に、前記走査ドライバーが各書込み用トランジスタをオンすれば、第１容量素子を介することにより、各画素において、前記駆動用トランジスタの制御電極には前記データ電圧と前記発光開始両極間電圧だけでなく、前記動作閾値電圧にも応じた電圧が印加されることになる。
そうすると、各画素の表示素子は、前記発光開始両極間電圧だけでなく、前記動作閾値電圧もが制御電極にフィードバックされた駆動用トランジスタで駆動されることになるため、上記のように構成すれば、駆動用トランジスタの動作閾値電圧のばらつきに拘わらず、１フレーム期間内の表示素子の発光量はデータ電圧に応じたものとなる。つまり、駆動用トランジスタの特性ばらつきに起因する輝度ばらつきが抑制される。
尚、駆動用トランジスタは、制御電極−第１電極間電圧（第１電極の電圧を基準とした制御電極の電圧）が動作閾値電圧以上であるときに第１電極−第２電極間に電流が流れるものであるか（例えば、ＮチャンネルのＭＯＳトランジスタ）、又は第１電極−制御電極間電圧（制御電極の電圧を基準とした第１電極の電圧）が動作閾値電圧以上であるときに第１電極−第２電極間に電流が流れるものである（例えば、ＰチャンネルのＭＯＳトランジスタ）。
また、例えば、前記制御信号発生回路は、リセット期間内において、各画素の外部から所定のリセット電圧を一時的に各駆動用トランジスタの制御電極に供給することによって、各オン／オフ用トランジスタをオンとすることなく各駆動用トランジスタを一時的にオンとしてから各調整用トランジスタ及び各閾値補償用トランジスタをオンとすることにより、各第１容量素子に各表示素子の発光開始両極間電圧と各駆動用トランジスタの動作閾値電圧とに応じた電圧を保持させた後、各調整用トランジスタ及び各閾値補償用トランジスタをオフするものであり、前記リセット期間終了後に、前記走査ドライバーが各書込み用トランジスタをオンすることにより、各駆動用トランジスタの制御電極には前記データ電圧と前記発光開始両極間電圧と動作閾値電圧とに応じた電圧が印加されるようにしてもよい。
このようにすれば、リセット期間において各オン／オフ用トランジスタがオンとならないため、リセット期間において表示素子が発光しない。これによって、表示品位がより向上する。
具体的構成として、例えば、各画素の画素回路は、オン時に前記第１容量素子の両極間を短絡するリセット用トランジスタを更に備え、前記リセット電圧は、リセット期間において前記データドライバーから供給されるものであり、リセット期間内において、前記走査ドライバーが各書込み用トランジスタをオンとするとともに前記制御信号発生回路が各リセット用トランジスタをオンとすることにより、前記リセット電圧を一時的に各駆動用トランジスタの制御電極に供給すればよい。
また、例えば、所定の変化率で電圧値が変化するランプ電圧を発生するランプ電圧発生回路を更に備え、各画素の画素回路は、前記ランプ電圧の変化分を前記第１容量素子の書込み用トランジスタ側の電極に与える第２容量素子を備えているようにしてもよい。
また、例えば、当該アクティブマトリクス駆動型表示装置は、画像表示のための階調信号の提供を受けて画像を表示するものであって、前記データドライバーは、前記階調信号に対応したデータ電圧を各画素に供給し、各画素において、受けた階調信号に対応して供給されるデータ電圧をＤとし、前記階調信号が黒レベルの階調を表すものであるときに供給されるデータ電圧をＤＢとし、供給されたデータ電圧Ｄに応じて前記表示素子が発光することにより得られる輝度をＬとし、前記階調信号が黒レベルの階調を表すものであるときに得られる輝度をＬＢとし、更に、ｘ＝Ｄ−ＤＢ、ｙ＝Ｌ−ＬＢ＋１、とおいた場合、
式：ｙ＝ａｘ （但し、ａは定数であって、ａ＞１が成立）
が成立するように、前記ランプ電圧の前記変化率を設定してもよい。
上記のようにすれば、表示素子の「発光効率の低下」に起因した輝度の減少を抑制することができる（焼付きが補償される）。また、この際、黒が浮くこともない（又は黒浮きは少ない）。
また、上記目的を達成するために、本発明の第２の構成は、複数の画素をマトリクス状に配列して構成される表示パネルに、走査電圧を各画素に供給する走査ドライバーとデータ電圧を各画素に供給するデータドライバーとを接続して構成され、１フレーム期間は少なくともリセット期間と発光期間とから成り、各画素の画素回路は、電力の供給を受けて発光する表示素子と、第１電極が前記データドライバーに接続され、前記走査ドライバーから所定レベルの走査電圧が印加されてオンする書込み用トランジスタと、発光期間内において自身の制御電極に加わる電圧に応じて前記表示素子を駆動する駆動用トランジスタと、前記書込み用トランジスタがオンしている時に前記データドライバーから供給されるデータ電圧に応じた期間、前記表示素子を発光させるための所定の発光レベル電圧を発光期間中に出力するパルス幅変調回路と、前記パルス幅変調回路の出力部と前記駆動用トランジスタの制御電極とを接続するライン中に直列に介在する第１容量素子と、リセット期間内においてオンとされ、前記表示素子の両極間電圧に応じた電圧を前記第１容量素子のパルス幅変調回路側の電極に与える調整用トランジスタと、を備えるアクティブマトリクス駆動型表示装置であって、リセット期間において、各第１容量素子に各表示素子の発光開始両極間電圧に応じた電圧を保持させる制御信号発生回路を備えたことを特徴とする。
リセット期間内において調整用トランジスタがオンとなると、前記表示素子の両極間電圧に応じた電圧（フィードバック電圧）が前記第１容量素子のパルス幅変調回路側の電極に与えられる。また、リセット期間において、第１容量素子に発光開始両極間電圧に応じた電圧（保持電圧）が第１容量素子に保持される。そして、１フレーム期間の発光期間に至る前（例えば、リセット期間終了後やリセット期間中）に、前記走査ドライバーが各書込み用トランジスタをオンすれば、データ電圧がパルス幅変調回路に入力される。パルス幅変調回路は、その入力したデータ電圧に応じた期間、発光レベル電圧を出力し、これによって表示素子が発光する。ところが、リセット期間において、各第１容量素子には各表示素子の発光開始両極間電圧に応じた電圧が保持されているため、各画素において、前記駆動用トランジスタの制御電極には、前記データ電圧に応じた期間（前記パルス幅変調回路が前記発光レベル電圧を出力する期間）、前記発光レベル電圧と前記発光開始両極間電圧とに応じた電圧が印加されることになる。
つまり、前記発光期間前に、前記走査ドライバーが各書込み用トランジスタをオンすることにより、各駆動用トランジスタの制御電極には、前記データ電圧に応じた期間、前記発光レベル電圧と前記発光開始両極間電圧とに応じた電圧が印加されるのである。
そうすると、各画素の表示素子は、前記発光開始両極間電圧が制御電極にフィードバックされた駆動用トランジスタで駆動されることになるため、表示素子の経時変化や温度変化による特性の変化に拘わらず、１フレーム期間内の表示素子の発光量はデータ電圧に応じたものとなる。つまり、経時変化や温度変化に起因する輝度変化が抑制される。
また、その抑制のために消費電力が増加することもない。逆に考えれば、経時変化や温度変化に起因する輝度変化を抑制する機能を有していることから、従来よりも駆動用トランジスタを飽和領域の低電圧側で用いることができるようになるため、或は線形領域で用いることができるようになるため、低消費電力化が実現される。
また、階調間のコントラストが極力維持される形で輝度変化の抑制がなされるため、経時変化や温度変化に起因する表示品位の劣化をより良く抑制することができる。
また、上記第２の構成における具体的構成として、例えば、前記制御信号発生回路は、リセット期間において、各調整用トランジスタをオンとしつつ、各第１容量素子の駆動用トランジスタ側の電極を所定電位とすることにより、各第１容量素子に各表示素子の発光開始両極間電圧に応じた電圧を保持させた後、各調整用トランジスタをオフするようにすればよい。
また、上記第２の構成において、各駆動用トランジスタは、第１電極と第２電極と制御電極とを備え、制御電極と第１電極間の電圧によって、第１電極−第２電極間に流れる電流が制御されるものであり、各画素の画素回路は、前記表示素子に電力を供給すべき電源から伸びる給電ライン中に直列に介在し、前記表示素子への電力供給をオン又はオフするためのオン／オフ用トランジスタと、第１電極が前記駆動用トランジスタの制御電極に接続され、第２電極が前記駆動用トランジスタの第２電極に接続された閾値補償用トランジスタと、を更に備えるようにしてもよい。
そして、例えば、前記制御信号発生回路は、リセット期間内において、各オン／オフ用トランジスタをオンとすることによって各駆動用トランジスタをオンとしてから、各オン／オフ用トランジスタをオフ、且つ各調整用トランジスタ及び各閾値補償用トランジスタをオンとすることにより、各第１容量素子に各表示素子の発光開始両極間電圧と各駆動用トランジスタの動作閾値電圧とに応じた電圧を保持させた後、各調整用トランジスタ及び各閾値補償用トランジスタをオフするものであり、前記発光期間前に、前記走査ドライバーが各書込み用トランジスタをオンすることにより、各駆動用トランジスタの制御電極には、前記データ電圧に応じた期間、前記発光レベル電圧と前記発光開始両極間電圧と前記動作閾値電圧とに応じた電圧が印加されるようにするとよい。
各オン／オフ用トランジスタをオンとすることによって各駆動用トランジスタをオンとしてから、各書込み用トランジスタ及び各オン／オフ用トランジスタをオフ、且つ各調整用トランジスタ及び各閾値補償用トランジスタをオンとすることにより、各駆動用トランジスタの制御電極の電圧は、自身の第１電極の電圧と動作閾値電圧だけ異なる電圧に安定化し、駆動用トランジスタの反対側の各第１容量素子の電極電圧は、発光開始両極間電圧に応じた電圧に安定化する。つまり、各第１容量素子に各表示素子の発光開始両極間電圧と各駆動用トランジスタの動作閾値電圧とに応じた電圧を保持される。
従って、パルス幅制御回路が前記発光レベル電圧を出力している期間、各画素において、前記駆動用トランジスタの制御電極には前記発光レベル電圧と前記発光開始両極間電圧だけでなく、前記動作閾値電圧にも応じた電圧が印加されることになる。
そうすると、各画素の表示素子は、前記発光開始両極間電圧だけでなく、前記動作閾値電圧もが制御電極にフィードバックされた駆動用トランジスタで駆動されることになるため、上記のように構成すれば、駆動用トランジスタの動作閾値電圧のばらつきに拘わらず、１フレーム期間内の表示素子の発光量はデータ電圧に応じたものとなる。つまり、駆動用トランジスタの特性ばらつきに起因する輝度ばらつきが抑制される。
また、例えば、各画素の画素回路は、前記駆動用トランジスタの制御電極の電位が所定のクリップ電位を上回らないように、又は所定のクリップ電位を下回らないようにするクリップ回路と、を更に備え、前記クリップ電位は、前記制御信号発生回路がリセット期間において各調整用トランジスタをオンすることにより各駆動用トランジスタが一時的にオンするような電位に設定されており、前記制御信号発生回路は、リセット期間内において、各オン／オフ用トランジスタをオンすることなく、各調整用トランジスタ及び各閾値補償用トランジスタをオンとすることにより、各第１容量素子に各表示素子の発光開始両極間電圧と各駆動用トランジスタの動作閾値電圧とに応じた電圧を保持させた後、各調整用トランジスタ及び各閾値補償用トランジスタをオフするものであり、前記発光期間前に、前記走査ドライバーが各書込み用トランジスタをオンすることにより、各駆動用トランジスタの制御電極には、前記データ電圧に応じた期間、前記発光レベル電圧と前記発光開始両極間電圧と前記動作閾値電圧とに応じた電圧が印加されるようにしてもよい。
まず、上記の構成において、上記クリップ回路が各画素に備えられていない場合を考察する。駆動用トランジスタの制御電極の電位はパルス幅変調回路の出力電圧の変動に伴って変動するが、パルス幅変調回路の出力電圧（前記発光レベル電圧や、該発光レベル電圧を出力しない時に出力される電圧）によっては、リセット期間にてオン／オフ用トランジスタをオンとしない限り、駆動用トランジスタをオンとすることができない場合がある。リセット期間において、駆動用トランジスタが全くオンしなければ、第１容量素子に駆動用トランジスタの動作閾値電圧に応じた電圧を保持させることができない。
ところが、上記のように、クリップ回路を各画素に備えるようにし、前記クリップ電位を、前記制御信号発生回路がリセット期間において各調整用トランジスタをオンすることにより各駆動用トランジスタが一時的にオンするような電位に設定すれば、前記制御信号発生回路は、リセット期間にてオン／オフ用トランジスタをオンすることなく、第１容量素子に駆動用トランジスタの動作閾値電圧に応じた電圧を保持させることが可能となる。そして、上記のようにすれば、リセット期間において各オン／オフ用トランジスタがオンとならないため、リセット期間において表示素子が発光しない。これによって、表示品位がより向上する。
また、例えば、所定の変化率で電圧値が変化するランプ電圧を発生するランプ電圧発生回路を更に備え、各パルス幅変調回路は、前記ランプ電圧を用いて前記データ電圧のパルス幅変調を行い、発光期間中において、そのパルス幅変調によるパルスの幅に相当する期間、前記発光レベル電圧を出力する。
また、上記目的を達成するために、本発明の第３の構成は、複数の画素をマトリクス状に配列して構成される表示パネルに、走査電圧を各画素に供給する走査ドライバーとデータ電圧を各画素に供給するデータドライバーとを接続して構成され、１フレーム期間は第１のフィールドと第２のフィールドとを含み、各フィールドは発光準備期間と発光期間とから成り、各画素の画素回路は、電力の供給を受けて発光する表示素子と、第１電極が前記データドライバーに接続され、前記走査ドライバーから所定レベルの走査電圧が印加されてオンする書込み用トランジスタと、自身の制御電極に加わる電圧に応じて前記表示素子を駆動する駆動用トランジスタと、一端が前記駆動用トランジスタの制御電極に接続された第１容量素子と、前記表示素子の両極間電圧に応じた電圧が自身の第１電極に加わるように前記表示素子に接続され、第１容量素子に前記表示素子の発光開始両極間電圧に応じたフィードバック電圧を伝達可能な調整用トランジスタと、を備えたアクティブマトリクス駆動型表示装置であって、第１と第２のフィールドの内、第１のフィールドのみ、発光準備期間において前記フィードバック電圧を各第１容量素子に伝達し、前記フィードバック電圧を反映した保持電圧を各第１容量素子に保持させるフィードバック制御手段を備えたことを特徴とする。
上記のように構成すれば、第１と第２のフィールドの内、第１のフィールドのみ、発光準備期間において発光開始両極間電圧に応じた電圧が第１容量素子に保持される。そうすると、各画素の表示素子は、第１のフィールドにおいては、発光開始両極間電圧が制御電極にフィードバックされた駆動用トランジスタで駆動される一方、第２のフィールドにおいては、そのようなフィードバックが行われていない駆動用トランジスタで駆動されることになる。
また、１フレーム期間には第１と第２のフィールドが含まれ、フィールドごとに発光期間が設けられているため、第１と第２のフィールドとで各画素に供給するデータ電圧を変えることができる。従って、低階調側に対応する発光を第２のフィールド側に受け持たせるといったことが可能となり、上記フィードバックによって発生しうる所謂黒浮きが抑制される。
また、上記第１の構成と同様、発光開始両極間電圧が駆動用トランジスタにフィードバックされるため、経時変化や温度変化に起因する輝度変化が抑制される。また、その抑制のために消費電力が増加するということもない。
低階調側に対応する発光を第２のフィールド側に受け持たせるべく、具体的には、例えば、当該アクティブマトリクス駆動型表示装置は、画像表示のための階調信号の提供を受けて画像を表示するものであり、中間階調を表す階調信号を受けたとき、第１のフィールドの発光期間に表示素子に流れる電流の実効値が第２のフィールドの発光期間に表示素子に流れる電流の実効値より小さくなるように、前記階調信号を第１のフィールドに対応する第１の変換階調信号と第２のフィールドに対応する第２の変換階調信号とに変換した上で前記データドライバーに供給するガンマ変換回路を、更に備え、前記データドライバーは、第１及び第２のフィールドにおいて、それぞれ第１の変換階調信号に対応するデータ電圧及び第２の変換階調信号に対応するデータ電圧を各画素に供給すればよい。
また、低階調側に対応する発光を第２のフィールド側に受け持たせるべく、具体的には、例えば、当該アクティブマトリクス駆動型表示装置は、画像表示のための階調信号の提供を受けて画像を表示するものであり、中間階調を表す階調信号に対応して各画素の表示素子に流すべき電流の実効値を基準電流値とした場合、第１のフィールドの発光期間に表示素子に流れる電流の実効値が基準電流値より小さくなるように、且つ第２のフィールドの発光期間に表示素子に流れる電流の実効値が基準電流値より大きくなるように、前記階調信号を第１のフィールドに対応する第１の変換階調信号と第２のフィールドに対応する第２の変換階調信号とに変換した上で前記データドライバーに供給するガンマ変換回路を、更に備え、前記データドライバーは、第１及び第２のフィールドにおいて、それぞれ第１の変換階調信号に対応するデータ電圧及び第２の変換階調信号に対応するデータ電圧を各画素に供給すればよい。
そして、例えば、各駆動用トランジスタは、第２のフィールドの発光期間において、前記第２の変換階調信号に対応するデータ電圧に応じた電圧を自身の制御電極に受け、その電圧に応じて各表示素子を駆動する一方、第１のフィールドの発光期間において、前記第１の変換階調信号に対応するデータ電圧だけでなく前記保持電圧にも応じた電圧を自身の制御電極に受け、その電圧に応じて各表示素子を駆動する。
また具体的には、例えば、各画素において、調整用トランジスタの第２電極は第１容量素子に接続されており、前記フィードバック制御手段は、第１のフィールドの発光準備期間において、各表示素子の陰極の電位に発光開始両極間電圧を加えた電位より一時的に電位を高くした各調整用トランジスタの第２電極側の正の電荷を、各調整用トランジスタ及び各表示素子を介して抜き取ることにより、前記フィードバック電圧を各第１容量素子に伝達した後、各調整用トランジスタをオフとして前記保持電圧を各第１容量素子に保持させるとよい。
また具体的には、例えば、前記フィードバック制御手段は、各調整用トランジスタのオン／オフを制御する制御信号発生回路を備え、各画素において、第１容量素子は書込み用トランジスタの第２電極と駆動用トランジスタの制御電極とを接続するライン中に直列に介在し、且つ調整用トランジスタの第２電極は第１容量素子の書込み用トランジスタ側の電極に接続されており、前記制御信号発生回路は、第１のフィールドの発光準備期間において各調整用トランジスタをオンとして各第１容量素子に前記フィードバック電圧を伝達した後、各調整用トランジスタをオフとして前記保持電圧を各第１容量素子に保持させるとよい。
尚、これを実施した形態として、後に第７、第１０、第１１及び第１２実施形態を例示している。
そして、例えば、所定の変化率で電圧値が変化するランプ電圧を発生するランプ電圧発生回路を更に備え、各画素の画素回路は、前記ランプ電圧の変化分を前記第１容量素子の書込み用トランジスタ側の電極に与える第２容量素子を備えるようにしてもよい。
また、例えば、各駆動用トランジスタは、第１電極と第２電極と制御電極とを備え、制御電極と第１電極間の電圧によって、第１電極−第２電極間に流れる電流が制御されるものであり、各画素の画素回路は、前記表示素子に電力を供給すべき電源から伸びる給電ライン中に直列に介在し、前記表示素子への電力供給をオン又はオフするためのオン／オフ用トランジスタと、第１電極が前記駆動用トランジスタの制御電極に接続され、第２電極が前記駆動用トランジスタの第２電極に接続された閾値補償用トランジスタと、を更に備えるようにしてもよい。
これにより、各駆動用トランジスタの動作閾値電圧をも、各駆動用トランジスタの制御電極にフィードバックすることが可能となる。つまり、駆動用トランジスタの特性ばらつきに起因する輝度ばらつきを抑制することができる。
また具体的には、例えば、前記フィードバック制御手段は、各フィールドの発光期間において各書込み用トランジスタの第１電極に第１ランプ電圧を供給するとともに各調整用トランジスタのオン／オフを制御するための第２ランプ電圧を出力するランプ電圧発生回路を有し、各画素において、第１容量素子は書込み用トランジスタの第２電極と駆動用トランジスタの制御電極とを接続するライン中に直列に介在し、且つ調整用トランジスタの第２電極は第１容量素子の駆動用トランジスタ側の電極に接続されており、前記ランプ電圧発生回路は、第１のフィールドの発光準備期間において各調整用トランジスタをオンとして各第１容量素子に前記フィードバック電圧を伝達した後、各調整用トランジスタをオフとして前記保持電圧を各第１容量素子に保持させるとよい。
尚、これを実施した形態として、後に８実施形態を例示している。
また具体的には、例えば、所定の変化率で電圧値が変化するランプ電圧を発生し、各発光期間において該ランプ電圧の変化分を各第１容量素子を介して各駆動用トランジスタの制御電極に与えるランプ電圧発生回路を更に備え、各画素において、第１容量素子の前記一端は書込み用トランジスタの第２電極に接続されていると共に、第１容量素子の他端は調整用トランジスタの第２電極に接続されており、前記フィードバック制御手段は、第１のフィールドの発光準備期間において各調整用トランジスタをオンとして各第１容量素子に前記フィードバック電圧を伝達した後、各調整用トランジスタをオフとして前記保持電圧を各第１容量素子に保持させるとよい。
尚、これを実施した形態として、後に９実施形態を例示している。
また、上記目的を達成するために、本発明の第４の構成は、複数の画素をマトリクス状に配列して構成される表示パネルに、走査電圧を各画素に供給する走査ドライバーとデータ電圧を各画素に供給するデータドライバーとを接続して構成され、１フレーム期間は第１のフィールドと第２のフィールドとを含み、各フィールドは発光準備期間と発光期間とから成り、各画素は、電力の供給を受けて発光する表示素子と、第１電極が前記データドライバーに接続され、前記走査ドライバーから所定レベルの走査電圧が印加されてオンする書込み用トランジスタと、自身の制御電極に加わる電圧に応じて前記表示素子を駆動する駆動用トランジスタと、一端が前記駆動用トランジスタの制御電極に接続された第１容量素子と、前記表示素子の両極間電圧に応じた電圧が自身の第１電極に加わるように前記表示素子に接続され、第１容量素子に前記表示素子の発光開始両極間電圧に応じたフィードバック電圧を伝達可能な調整用トランジスタと、を備え、画像表示のための階調信号の提供を受けて画像を表示するアクティブマトリクス駆動型表示装置であって、所定の変化率で電圧値が変化するランプ電圧を発生し、各発光期間において該ランプ電圧の変化分を各第１容量素子を介して各駆動用トランジスタの制御電極に与えるランプ電圧発生回路と、第１及び第２のフィールドの双方の発光準備期間において、前記フィードバック電圧を各第１容量素子に伝達し、前記フィードバック電圧を反映した保持電圧を各第１容量素子に保持させるフィードバック制御手段と、前記階調信号の高階調側をデータ電圧として表した第１のデータ電圧が第１のフィールドにおいて各画素に供給されるように、且つ前記階調信号の低階調側をデータ電圧として表した第２のデータ電圧が第２のフィールドにおいて各画素に供給されるように、前記階調信号を第１のフィールドに対応する第１の変換階調信号と第２のフィールドに対応する第２の変換階調信号とに変換した上で前記データドライバーに供給するガンマ変換回路を、更に備え、第２のフィールドにおける前記ランプ電圧の変化率は、第１のフィールドにおけるそれよりも大きいことを特徴とする。
上記第４の構成は、例えば、後述する１３実施形態に対応している。上記のように構成すれば、第１と第２のフィールドの双方の発光準備期間において発光開始両極間電圧に応じた電圧が各第１容量素子に保持される。また例えば、夫々の発光準備期間において、走査ドライバーが各書込み用トランジスタをオンとすることによりデータ電圧が各駆動用トランジスタの制御電極に伝達される。更に、夫々の発光期間において、各駆動用トランジスタの制御電極には各第１容量素子を介してランプ電圧の変化分が与えられる。従って、夫々の発光期間において、各表示素子は、各駆動用トランジスタの制御電極に加えられた「発光開始両極間電圧とデータ電圧とランプ電圧の変化分」に応じて発光制御される。
上記のように、双方のフィールドにおいて発光開始両極間電圧に応じた電圧が各第１容量素子に保持されるが、第２のフィールドにおけるランプ電圧の変化率は、第１のフィールドにおけるそれよりも大きいため、発光開始両極間電圧の変動が輝度（発光時間）に寄与する割合は第１のフィールドよりも第２のフィールドの方が小さい。
そして、上記ガンマ変換回路によって高階調側が第１のフィールドにおいて表現され且つ低階調側が第２のフィールドにおいて表現されるようになっている。従って、低階調側の階調信号に対応して各表示素子に流れる電流は、発光開始両極間電圧の変動によって比較的小さな影響しか受けない。つまり、発光開始両極間電圧のフィードバックによって発生しうる所謂黒浮きが抑制される。
しかしながら、上記第１の構成と同様、発光開始両極間電圧が駆動用トランジスタにフィードバックされるため、経時変化や温度変化に起因する輝度変化が抑制される。また、その抑制のために消費電力が増加するということもない。
上記第４の構成において、具体的には例えば、各画素において、調整用トランジスタの第２電極は第１容量素子に接続されており、前記フィードバック制御手段は、第１及び第２のフィールドの各発光準備期間において、各表示素子の陰極の電位に発光開始両極間電圧を加えた電位より一時的に電位を高くした各調整用トランジスタの第２電極側の正の電荷を、各調整用トランジスタ及び各表示素子を介して抜き取ることにより、前記フィードバック電圧を各第１容量素子に伝達した後、各調整用トランジスタをオフとして前記保持電圧を各第１容量素子に保持させるとよい。
また、上記目的を達成するために、本発明の第５の構成は、複数の画素をマトリクス状に配列して構成される表示パネルに、走査電圧を各画素に供給する走査ドライバーとデータ電圧を各画素に供給するデータドライバーとを接続して構成され、１フレーム期間は少なくともリセット期間と発光期間とから成り、各画素の画素回路は、電力の供給を受けて発光する表示素子と、第１電極が前記データドライバーに接続され、前記走査ドライバーから所定レベルの走査電圧が印加されてオンする書込み用トランジスタと、発光期間内において自身の制御電極に加わる電圧に応じて前記表示素子を駆動する駆動用トランジスタと、オン時に前記駆動用トランジスタをオンさせるための電圧を前記駆動用トランジスタの制御電極に与えるスイッチ用トランジスタと、前記書込み用トランジスタの第２電極と前記スイッチ用トランジスタの制御電極とを接続するライン中に直列に介在する第１容量素子と、リセット期間内においてオンとされ、前記表示素子の両極間電圧に応じた電圧を前記第１容量素子の書込み用トランジスタ側の電極に与える調整用トランジスタと、を備えるアクティブマトリクス駆動型表示装置であって、リセット期間において、各第１容量素子に各表示素子の発光開始両極間電圧に応じた電圧を保持させる制御信号発生回路を備えたことを特徴とする。
上記第５の構成は、例えば、後述する１４実施形態に対応している。上記のように構成すれば、スイッチ用トランジスタは、発光開始両極間電圧とデータ電圧とに応じてオン／オフすることになる。スイッチ用トランジスタがオンすると、駆動用トランジスタがオンとなって表示素子が発光することになる。つまり、表示素子は、発光開始両極間電圧に応じてオンする駆動用トランジスタによって駆動されることになるため、上記第１の構成等と同様、経時変化や温度変化に起因する輝度変化が抑制される。
また、例えば、上記第５の構成において、所定の変化率で電圧値が変化するランプ電圧を発生するランプ電圧発生回路を更に備え、各画素の画素回路は、前記ランプ電圧の変化分を前記第１容量素子の書込み用トランジスタ側の電極に与える第２容量素子を備えるようにしてもよい。
そして、例えば、当該アクティブマトリクス駆動型表示装置は、画像表示のための階調信号の提供を受けて画像を表示するものであって、前記データドライバーは、前記階調信号に対応したデータ電圧を各画素に供給し、各画素において、受けた階調信号に対応して供給されるデータ電圧をＤとし、前記階調信号が黒レベルの階調を表すものであるときに供給されるデータ電圧をＤＢとし、供給されたデータ電圧Ｄに対応して前記表示素子に流れる電流の実効値をＩとし、前記階調信号が黒レベルの階調を表すものであるときに前記表示素子に流れる電流の実効値をＩＢとし、更に、ｘ＝Ｄ−ＤＢ、ｙＩ＝Ｉ−ＩＢ＋１、とおいた場合、
式：ｙＩ＝ａｘ （但し、ａは定数であって、ａ＞１が成立）
が成立するように、前記ランプ電圧の前記変化率は設定されている。
また、上記目的を達成するために、本発明の第６の構成は、複数の画素をマトリクス状に配列して構成される表示パネルに、走査電圧を各画素に供給する走査ドライバーとデータ電圧を各画素に供給するデータドライバーとを接続して構成され、１フレーム期間は第１のフィールドと第２のフィールドとを含み、各フィールドは発光準備期間と発光期間とから成り、各画素の画素回路は、電力の供給を受けて発光する表示素子と、第１電極が前記データドライバーに接続され、前記走査ドライバーから所定レベルの走査電圧が印加されてオンする書込み用トランジスタと、自身の制御電極に加わる電圧に応じて前記表示素子を駆動する駆動用トランジスタと、オン時に前記駆動用トランジスタをオンさせるための電圧を前記駆動用トランジスタの制御電極に与えるスイッチ用トランジスタと、前記書込み用トランジスタの第２電極と前記スイッチ用トランジスタの制御電極とを接続するライン中に直列に介在する第１容量素子と、前記表示素子の両極間電圧に応じた電圧が自身の第１電極に加わるように前記表示素子に接続され、第１容量素子に前記表示素子の発光開始両極間電圧に応じたフィードバック電圧を伝達可能な調整用トランジスタと、を備えたアクティブマトリクス駆動型表示装置であって、第１と第２のフィールドの内、第１のフィールドのみ、発光準備期間において前記フィードバック電圧を各第１容量素子に伝達し、前記フィードバック電圧を反映した保持電圧を各第１容量素子に保持させるフィードバック制御手段を備えたことを特徴とする。
上記第６の構成は、例えば、後述する１５実施形態に対応している。第６の構成においても、第５の構成と同様の効果が得られる。また、上記第３の構成と同様、低階調側に対応する発光を第２のフィールド側に受け持たせるといったことが可能となり、発光開始両極間電圧のフィードバックによって発生しうる所謂黒浮きが抑制される。
また、例えば、上記第６の構成において、所定の変化率で電圧値が変化するランプ電圧を発生するランプ電圧発生回路を更に備え、各画素の画素回路は、前記ランプ電圧の変化分を前記第１容量素子の書込み用トランジスタ側の電極に与える第２容量素子を備えるようにしてもよい。
そして、例えば、当該アクティブマトリクス駆動型表示装置は、画像表示のための階調信号の提供を受けて画像を表示するものであって、前記階調信号を第１のフィールドに対応する第１の変換階調信号と第２のフィールドに対応する第２の変換階調信号とに変換した上で前記データドライバーに供給するガンマ変換回路を更に備え、前記データドライバーは、第１及び第２のフィールドにおいて、それぞれ第１の変換階調信号に対応する第１のデータ電圧及び第２の変換階調信号に対応する第２のデータ電圧を各画素に供給するものであり、各画素において、受けた階調信号に対応して供給される第１のデータ電圧をＤとし、
前記階調信号が黒レベルの階調を表すものであるときに供給される第１のデータ電圧をＤＢとし、供給された第１のデータ電圧Ｄに対応して第１のフィールドにて前記表示素子に流れる電流の実効値をＩとし、前記階調信号が黒レベルの階調を表すものであるときに第１のフィールドにて前記表示素子に流れる電流の実効値をＩＢとし、更に、ｘ＝Ｄ−ＤＢ、ｙＩ＝Ｉ−ＩＢ＋１、とおいた場合、
式：ｙＩ＝ａｘ （但し、ａは定数であって、ａ＞１が成立）
が成立するように、前記ランプ電圧の前記変化率は設定されている。
また、例えば、上記第５又は第６の構成の各画素において、前記スイッチ用トランジスタがオンしている時に前記駆動用トランジスタの制御電極に与えられる前記電圧を、一定の電圧としてもよい。
前記電圧を一定の電圧とすれば、表示素子の電流波形として矩形波を得ることができる。このため、表示素子に流れる電流の最大値（ピーク電流）を低く抑えることが可能となる。
また、例えば、上記第５又は第６の構成の各画素において、前記スイッチ用トランジスタがオンしている時の前記駆動用トランジスタの動作点を線形領域内に設定すればよい。
これにより、更なる消費電力の削減が見込める。また、スイッチ用トランジスタのオン時に駆動用トランジスタの制御電極に与える電圧を十分に大きな電圧としておけば、駆動用トランジスタの動作閾値電圧のばらつきは、表示素子の電流値に殆ど影響を与えない。
また、例えば、上記第３、第４又は第６の構成において、前記表示パネルを構成する各画素を、前記表示パネルの垂直方向及び／又は水平方向に一定の周期性を持たせて第１画素群と第２画素群に分類し、各フレーム期間における第１のフィールドと第２のフィールドの前後関係を、第１画素群と第２画素群とで異ならせるようにしてもよい。
これにより、時間的な輝度変動が抑制され、フリッカの発生を抑えることができる。また、表示素子に流れる電流の最大値を低く抑えることも可能となる。
また、例えば、上記第３、第４又は第６の構成において、１フレーム期間を構成する第１のフィールドと第２のフィールドは同時に進行するものであり、各画素は、各画素を構成する前記画素回路を２組有し、前記フィードバック制御手段は、各フレーム期間において、各画素における一方の画素回路を第１のフィールドで動作させると同時に他方の画素回路を第２のフィールドで動作させ、更に、一定のフレームごとに第１のフィールドで動作させる画素回路と第２のフィールドで動作させる画素回路を前記２組の画素回路の間で切り換えるようにしてもよい。
これにより、表示パネルの動特性が向上し、フリッカの発生を抑えることができる。また、一定のフレームごとに第１のフィールドで動作させる画素回路と第２のフィールドで動作させる画素回路を前記２組の画素回路の間で切り換えているため、表示素子の劣化速度の均一性は保たれる。
また、例えば、上記第３、第４又は第６の構成において、各駆動用トランジスタを介して各表示素子に電力を供給するための電源電圧の大きさを制御する電源電圧制御部を更に備え、前記電源電圧制御部は、第２のフィールドにおける前記電源電圧の大きさを第１のフィールドにおけるそれよりも小さくするようにしてもよい。
これにより、消費電力の更なる削減が図られる。
また、例えば、上記第１〜第６の構成の各画素において、表示素子の発光開始両極間電圧の大きさが第１電圧値から該第１電圧値よりも大きい第２電圧値に変化した際、同一の階調信号に対応して表示素子に流れる電流の実効値が増加するようにしてもよい。
このようにすれば、表示素子の発光効率劣化に起因する輝度の減少分をも補償することが可能となる。
また、上記目的を達成するために、本発明の第７の構成は、複数の画素をマトリクス状に配列して構成される表示パネルに、走査電圧を各画素に供給する走査ドライバーとデータ電圧を各画素に供給するデータドライバーとを接続して構成され、各画素の画素回路は、電力の供給を受けて発光する表示素子と、第１電極が前記データドライバーに接続されると共に、制御電極が走査ドライバーに接続された書込み用トランジスタと、自身の制御電極に加わる電圧に応じて前記表示素子を駆動する駆動用トランジスタと、前記書込み用トランジスタの第２電極と前記駆動用トランジスタの制御電極とを接続するライン中に直列に介在する第１容量素子と、該第１容量素子の前記書込み用トランジスタ側の電極と前記表示素子との間の導通をオン／オフするための調整用トランジスタと、を備えていることを特徴とする。
また、上記目的を達成するために、本発明の第８の構成は、複数の画素をマトリクス状に配列して構成される表示パネルに、走査電圧を各画素に供給する走査ドライバーとデータ電圧を各画素に供給するデータドライバーとを接続して構成され、各画素の画素回路は、
電力の供給を受けて発光する表示素子と、第１電極が前記データドライバーに接続されると共に、制御電極が走査ドライバーに接続された書込み用トランジスタと、自身の制御電極に加わる電圧に応じて前記表示素子を駆動する駆動用トランジスタと、一方の導通電極が前記駆動用トランジスタの制御電極に接続されたスイッチ用トランジスタと、前記書込み用トランジスタの第２電極と前記スイッチ用トランジスタの制御電極とを接続するライン中に直列に介在する第１容量素子と、該第１容量素子の前記書込み用トランジスタ側の電極と前記表示素子との間の導通をオン／オフするための調整用トランジスタと、を備えていることを特徴とする。
上記第７又は第８の構成のようにアクティブマトリクス駆動型表示装置を構成することにより、上述してきた様々な効果を実現することが可能となる。尚、「導通電極」とは、例えば、スイッチ用トランジスタがＭＯＳトランジスタの場合はドレイン電極又はソース電極である。
上述した通り、本発明に係るアクティブマトリクス駆動型表示装置によれば、消費電力の増大を招くことなく、経時変化や温度変化に起因する輝度変化を抑制することができる。
＜＜第１実施形態＞＞
以下、本発明を有機ＥＬ表示装置に実施した第１実施形態につき、図面に沿って具体的に説明する。
（図１：全体構成ブロック図）
図１は、本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の全体的構成を示すブロック図である。有機ＥＬディスプレイ１０は、図１に示す如く、複数の画素をマトリクス状に配列して構成される表示パネル４に、走査電圧を各画素に供給する走査ドライバー２、データ電圧を各画素に供給するデータドライバー３、ランプ電圧発生回路８、及び制御信号発生回路５を接続して構成されている。図１の有機ＥＬ表示装置は、ＴＶ受信機（不図示）等の映像ソース（外部の信号源）から供給される映像信号に応じた画像を表示パネル４に表示する。
ＴＶ受信機（不図示）等の映像ソースから供給される映像信号は、映像信号処理回路６へ供給されて、映像表示に必要な信号処理が施され、これによって得られる赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）から成るＲＧＢ３原色の映像信号が、有機ＥＬディスプレイ１０のデータドライバー３へ供給される。
映像信号処理回路６から得られる水平同期信号Ｈsync及び垂直同期信号Ｖsyncは、タイミング信号発生回路７へ供給され、これによって得られるタイミング信号が走査ドライバー２及びデータドライバー３へ供給される。
また、タイミング信号発生回路７から得られるタイミング信号はランプ電圧発生回路８にも供給されている。ランプ電圧発生回路８は、このタイミング信号を参照しつつ、後述の如く有機ＥＬディスプレイ１０の駆動に用いられるランプ電圧ＲＡＭＰを生成し、該ランプ電圧ＲＡＭＰを表示パネル４の各画素へ供給する。
更に、タイミング信号発生回路７から得られるタイミング信号は制御信号発生回路５にも供給されている。制御信号発生回路５は、このタイミング信号を参照しつつ、後述の如く有機ＥＬディスプレイ１０の駆動に用いられる制御信号ＣＴＬ１及びＣＴＬ２を生成し、それら制御信号ＣＴＬ１、ＣＴＬ２を表示パネル４の各画素へ供給する。尚、制御信号発生回路５から伸びる制御信号ラインは、図１において水平ライン毎に１本であるかのような記載となっているが、実際は２本ずつ（ＣＴＬ１とＣＴＬ２）となっている。
また、図１に示す各回路、各ドライバー及び有機ＥＬディスプレイには電源回路（不図示）が接続されている。
（図２：画素の説明）
次に、表示パネル４を構成する画素４１の回路構成を、図２を用いて説明する。各画素４１を構成する画素回路は、電力の供給を受けて発光する表示素子としての有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）４２と、書込み用トランジスタＴＲ１と、自身のゲート（制御電極）に加わる電圧に応じて有機ＥＬ素子４２を駆動する駆動用トランジスタＴＲ３と、該駆動用トランジスタＴＲ３の動作閾値電圧（Ｖｔｈ）のばらつきを補償するための閾値補償用トランジスタＴＲ２と、有機ＥＬ素子４２に電力を供給すべき電源から伸びる給電ライン４８中に直列に介在し、有機ＥＬ素子４２への電力供給をオン又はオフするためのオン／オフ用トランジスタＴＲ４と、有機ＥＬ素子４２の発光開始両極間電圧（発光開始時点における有機ＥＬ素子４２の両極間電圧）の変動に応じて輝度を調整するための調整用トランジスタＴＲ５と、コンデンサＣ１（第１容量素子）と、コンデンサＣ２（第２容量素子）と、から構成されている。
書込み用トランジスタＴＲ１、閾値補償用トランジスタＴＲ２、オン／オフ用トランジスタＴＲ４、及び調整用トランジスタＴＲ５は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）であるＮチャンネルのＭＯＳトランジスタであり、駆動用トランジスタＴＲ３は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）であるＰチャンネルのＭＯＳトランジスタであるが、ＮチャンネルのＭＯＳトランジスタをＰチャンネルのＭＯＳトランジスタにする変形や、ＰチャンネルのＭＯＳトランジスタをＮチャンネルのＭＯＳトランジスタにする変形は、勿論可能である。
書込み用トランジスタＴＲ１は、第１電極（例えばソース）が、所定のタイミングにてデータ電圧ＤＡＴＡが印加されるデータ電圧ライン４３に接続されると共に、第２電極（例えばドレイン）がコンデンサＣ１の一方の電極に接続されている。また、書込み用トランジスタＴＲ１のゲートは、走査電圧ＳＣＡＮが印加される走査電圧ライン４４に接続されている。閾値補償用トランジスタＴＲ２は、第１電極（例えばソース）がコンデンサＣ１の他方の電極及び駆動用トランジスタＴＲ３のゲートに共通接続されていると共に、第２電極（例えばドレイン）が駆動用トランジスタＴＲ３のドレインとオン／オフ用トランジスタＴＲ４のドレインに共通接続されている。また、閾値補償用トランジスタＴＲ２のゲートは、制御信号ＣＴＬ２が印加される制御信号ライン４７に接続されている。
オン／オフ用トランジスタＴＲ４において、ソースは有機ＥＬ素子４２の陽極に接続されており、ゲートは制御信号ＣＴＬ１が印加される制御信号ライン４６に接続されている。有機ＥＬ素子４２の陰極には負側の電源電圧ＣＶが印加されており、また駆動用トランジスタＴＲ３のソースには正側の電源電圧ＶＤＤが印加されている。また、コンデンサＣ１と書込み用トランジスタＴＲ１の第２電極との接続点、コンデンサＣ１と駆動用トランジスタＴＲ３のゲートとの接続点を、夫々ノードＮＡ、ノードＮＢということにする。
調整用トランジスタＴＲ５において、第１電極（例えばドレイン）は有機ＥＬ素子４２の陽極に接続され、第２電極（例えばソース）はノードＮＡに接続され、ゲートは制御信号ライン４７に接続されている。コンデンサＣ２において、一方の電極はノードＮＡに接続され、他方の電極はランプ電圧ＲＡＭＰが供給されるランプ電圧ライン４５に接続されている。
また、図２の駆動用トランジスタＴＲ３は図１６の駆動用トランジスタＴＲ１０３と同様の特性を有するものであり、駆動用トランジスタＴＲ３の特性は、図１８を用いて説明したものと同様である。また、図２の有機ＥＬ素子４２は図１６におけるものと同一のものであり、その特性は図１８を用いて説明したものと同様である。
（図３；動作の説明）
次に、図３を用いて第１実施形態の有機ＥＬ表示装置の動作を説明する。図３は、図２における各部の電圧及び有機ＥＬ素子４２に流れる電流ＩＯＬＥＤを、１フレーム期間にわたって示したものである。
図３に示す如く、１画面の表示周期である１フレーム期間（フレーム周波数の逆数）は、走査期間と発光期間とリセット期間と、から構成されている。走査期間は、各走査電圧ライン４４に順次、ハイレベルの走査電圧ＳＣＡＮを印加することにより同一走査電圧ラインに繋がっている複数の書込み用トランジスタＴＲ１をオンとして、データ電圧ＤＡＴＡを各画素（例えば各画素４１）に書き込むための期間である。発光期間は、走査期間に書き込まれたデータ電圧ＤＡＴＡに応じて各有機ＥＬ素子４２を発光させるための期間である。リセット期間は、駆動用トランジスタＴＲ３の動作閾値電圧（Ｖｔｈ）のばらつきや有機ＥＬ素子４２の発光開始電極間電圧ＶＦの変動を補償するために設けられた期間である。リセット期間及び／又は走査期間は、発光期間における各有機ＥＬ素子４２の発光を準備するための期間であることから、発光準備期間と呼ぶことができる。
走査期間、発光期間、リセット期間の順に期間が進行し、ｋ番目（ｋ；自然数）のフレーム期間が終了すると、続けて次の（ｋ＋１）番目のフレーム期間における走査期間、発光期間、リセット期間が、この順番で訪れる。
実線６０は、ランプ発生回路８からランプ電圧ライン４５に供給されるランプ電圧ＲＡＭＰの電圧波形を示している。ランプ電圧ＲＡＭＰは、走査期間において予め設定された初期電圧に固定されているが、発光期間において予め設定された変化率（例えば、−１Ｖ／１ミリ秒）で単調に低下（単調減少）する。そして、リセット期間内において、ランプ電圧ＲＡＭＰの単調減少は停止し、再び上記初期電圧に戻る。
実線６１、実線６２は、それぞれ有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の実線２０１の場合におけるノードＮＡ、ノードＮＢの電圧波形を示している。実線６３は、有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の実線２０１の場合において、有機ＥＬ素子４２に流れる電流ＩＯＬＥＤの波形を示している。
破線６４、破線６５は、有機ＥＬ素子４２が経時変化することにより、又は動作周囲温度が低温になることにより有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の破線２０２のようになった場合におけるノードＮＡ、ノードＮＢの電圧波形を示している。破線６６は、同様に、有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の破線２０２のようになった場合において、有機ＥＬ素子４２に流れる電流ＩＯＬＥＤの波形を示している。
以下、動作の理解を容易にするため、ｋ番目のフレーム期間におけるリセット期間の動作より説明を行う。
ｋ番目の発光期間（ｋ番目のフレーム期間における発光期間）が終了して移行するｋ番目のリセット期間（ｋ番目のフレーム期間におけるリセット期間）において、制御信号ＣＴＬ１及びＣＴＬ２は双方ローレベルである状態から、双方ハイレベルに切り換えられる。これにより、閾値補償用トランジスタＴＲ２、オン／オフ用トランジスタＴＲ４及び調整用トランジスタＴＲ５はオン（導通状態）となり、電源電圧ＶＤＤと電源電圧ＣＶとの差電圧（ＶＤＤ−ＣＶ）が、有機ＥＬ素子４２の両極間電圧ＶＯＬＥＤと駆動用トランジスタＴＲ３のドレイン−ソース間電圧Ｖｄｓ（＝Ｖｇｓ）とで配分される（図１７における期間Ｔ２参照）。従って、この時のノードＮＡとノードＮＢに加わる電圧は、電源電圧ＣＶよりも有機ＥＬ素子４２の陽極−陰極間に配分された電圧だけ高い電圧となる。また、この時、有機ＥＬ素子４２には若干量の電流が流れることになる。
制御信号ＣＴＬ１及びＣＴＬ２が双方ハイレベルとなっている時の電圧の配分の様子を図４に示す。図４における実線２０１及び破線２０２は、図１８におけるものと同一であり、実線２１０は、駆動用トランジスタＴＲ３のＶｄｓ＝Ｖｇｓの場合におけるＶｄｓ−Ｉｄ特性である。図４にも示されるように、制御信号ＣＴＬ１及びＣＴＬ２が双方ハイレベルとなっている時の電流ＩＯＬＥＤ（＝Ｉｄ）は、経時変化によって減少する。
続いて、制御信号ＣＴＬ１及びＣＴＬ２が双方ハイレベルである状態から制御信号ＣＴＬ１だけがローレベルに遷移してオン／オフ用トランジスタＴＲ４がオフとなる。この時、電源電圧ＶＤＤからの電流が駆動用トランジスタＴＲ３及び閾値補償用トランジスタＴＲ２を介してノードＮＢに流れ込み、ノードＮＢは電源電圧ＶＤＤより駆動用トランジスタＴＲ３の動作閾値電圧（Ｖｔｈ）だけ低い電圧まで充電される（図１７における期間Ｔ３参照）。また、この時、ノードＮＡから調整用トランジスタＴＲ５、有機ＥＬ素子４２を介して電流が負側の電源電圧ＣＶに流れ込む。即ち、（ＣＶ＋ＶＦ）で表される電位より一時的に電位が高くなっているノードＮＡの電荷（正の電荷）の一部が調整用トランジスタＴＲ５及び有機ＥＬ素素子４２を介して抜き取られ、ノードＮＡに加わる電圧は電源電圧ＣＶより有機ＥＬ素子４２の発光開始両極間電圧ＶＦ（＝発光開始時点における有機ＥＬ素子の両極間電圧ＶＯＬＥＤ）だけ高い電圧で安定する。
そして、ノードＮＡ及びノードＮＢの電位が安定する頃に制御信号ＣＴＬ２をローにして閾値補償用トランジスタＴＲ２及び調整用トランジスタＴＲ５をオフ（遮断状態）とする。この時、コンデンサＣ１には、電圧（ＶＤＤ−ＣＶ−Ｖｔｈ−ＶＦ）、即ち、駆動用トランジスタＴＲ３の動作閾値電圧Ｖｔｈと有機ＥＬ素子４２の発光開始両極間電圧ＶＦに応じた電圧が保持されている。尚、以下の説明において、発光開始両極間電圧ＶＦを、単に「電圧ＶＦ」と称することがある。
尚、リセット期間において、有機ＥＬ素子４２に電流が流れ込んでいる間も、ノードＮＡに加わる電圧が（ＣＶ＋ＶＦ）に安定した後においても、ノードＮＡには電源電圧ＣＶより有機ＥＬ素子４２の両極間電圧だけ高い電圧（換言すれば、有機ＥＬ素子４２の両極間電圧に応じた電圧）が印可されることになる。また、図１８に示す有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性からも理解されるように、経時変化等のある破線６４における電圧ＶＦは、実線６１のそれよりも大きい。
この後、制御信号ＣＴＬ１及びＣＴＬ２が、双方ローレベルに維持されたままｋ番目のリセット期間が終了し、続いて（ｋ＋１）番目の走査期間（（ｋ＋１）番目のフレーム期間における走査期間）に移行する。尚、リセット期間において、走査電圧ＳＣＡＮはローレベルに維持されている。
（ｋ＋１）番目の走査期間に移行した時、ノードＮＡ、ノードＮＢの夫々の電位は、ｋ番目のリセット期間終了時点の夫々の電位が保持されたままとなっている。従って、（破線６４が示すノードＮＡの電圧）＞（実線６１が示すノードＮＡの電圧）となっている。また、走査期間においては、制御信号ＣＴＬ１及びＣＴＬ２は、双方ローレベルに維持されている。
走査期間において、ハイレベルの走査電圧ＳＣＡＮが着目している画素４１に加わると、書込み用トランジスタＴＲ１はオンとなる。この時、ノードＮＡの電圧は、データ電圧ライン４３に供給されているデータ電圧ＤＡＴＡと等しくなるように上昇し（データ電圧ＤＡＴＡが書き込まれ）、それに伴って、コンデンサＣ１のカップリングによりノードＮＢの電圧も同じ電圧だけ上昇する。この時のノードＮＡとノードＮＢの電圧上昇分は、（ＤＡＴＡ−ＶＦ−ＣＶ）である。従って、ノードＮＢの電圧（駆動用トランジスタＴＲ３のゲート電圧）は、電圧（ＶＤＤ−ＣＶ＋ＤＡＴＡ−ＶＦ−Ｖｔｈ）、即ち、データ電圧ＤＡＴＡと電圧ＶＦと駆動用トランジスタＴＲ３の動作閾値電圧Ｖｔｈとに応じた電圧となる。
ここで、（破線６４におけるＶＦ）＞（実線６１におけるＶＦ）なのであるから、データ電圧ＤＡＴＡを書き込んだ後は、（破線６５が示すノードＮＢの電圧）＜（実線６２が示すノードＮＢの電圧）となる。
データ電圧ＤＡＴＡの書込みの後、着目している画素４１に加わる走査電圧ＳＣＡＮはローレベルに戻され、表示パネル４を構成している全ての画素４１にデータ電圧が書き込まれると、走査期間が終了して発光期間に移行する。
発光期間では、制御信号ＣＴＬ１はハイレベルとされオン／オフ用トランジスタＴＲ４がオンとなる。また、発光期間においては、上述したようにランプ電圧ＲＡＭＰが所定の変化率で単調減少するが、コンデンサＣ２、Ｃ１のカップリングによりノードＮＡ、ノードＮＢの夫々に加わる電圧もランプ電圧ＲＡＭＰの変化率と同じ変化率で単調減少する。
そして、ノードＮＢ（駆動用トランジスタＴＲ３のゲート）電圧が、電圧（ＶＤＤ−Ｖｔｈ）以下になると、有機ＥＬ素子４２には電流が流れ始めるのであるが、発光期間移行時において、（破線６５が示すノードＮＢの電圧）＜（実線６２が示すノードＮＢの電圧）となっているため、破線６５に示す方がより早い段階で発光が始まる。また、発光期間において有機ＥＬ素子４２に流れ始めた電流は次第に増加していく。発光期間終了時点にて制御信号ＣＴＬ１がローレベルに切り換えられて有機ＥＬ素子４２の発光は停止し、（ｋ＋１）番目のリセット期間に移行する。
仮に、従来例のように、有機ＥＬ素子４２の経時変化等に起因する電圧ＶＦの変動を全くフィードバックしない構成を採用した場合、実線６３のようであった電流ＩＯＬＥＤは、経時変化等によって破線６７のように減少し、同一のデータ電圧ＤＡＴＡに対する輝度が大きく減少してしまう。ところが、本実施形態においては、上述したように、発光期間移行時におけるノードＮＢの電圧（駆動用トランジスタＴＲ３のゲート電圧）は、電圧（ＶＤＤ−ＣＶ＋ＤＡＴＡ−ＶＦ−Ｖｔｈ）となっていることから、経時変化等があっても電流ＩＯＬＥＤは破線６６のようになって、電流ＩＯＬＥＤの減少分（輝度の減少分）が補償される。勿論、電圧プログラム方式を用いているため、有機ＥＬ素子４２の輝度は、駆動用トランジスタＴＲ３の動作閾値電圧（Ｖｔｈ）のばらつきの影響を受けない。
換言すれば、本実施形態においては、電圧ＶＦが基準電圧（図１８の実線２０１における発光開始両極間電圧）より大きいとき、有機ＥＬ素子４２が発光する時間が延長されると言える。逆に、電圧ＶＦが基準電圧（図１８の実線２０１における発光開始両極間電圧）より小さいとき、有機ＥＬ素子４２が発光する時間が短縮されると言える。
その後、（ｋ＋１）番目のリセット期間において、ランプ電圧ＲＡＭＰは上記初期電圧に戻される（電圧値は上昇）。これに伴って、ノードＮＡ、ノードＮＢの夫々に加わる電圧も上昇する。そして、再度制御信号ＣＴＬ１及びＣＴＬ２の双方がハイレベルに切り換えられ、上述と同様の動作が繰り返される。このように、階調は基本的にデータ電圧ＤＡＴＡに応じて変化する有機ＥＬ素子４２の発光時間によって変調される。
また、上述したように、第１実施形態においては、リセット期間中に、制御信号ＣＴＬ１がハイレベルとなって有機ＥＬ素子４２が発光する期間がある。この期間は、ノードＮＡの電位を（ＶＦ＋ＣＶ）より高電位とすると共に、ノードＮＢの電位を（ＶＤＤ−Ｖｔｈ）より低電位とするために設けられるものであって、本来の有機ＥＬ素子４２の発光期間（例えば、１０ミリ秒）に対して、十分に短く（例えば、１マイクロ秒）設定できる。従って、このリセット期間中における発光は、表示品位に殆ど影響を与えないが、後述する第２実施形態において、このリセット期間中における発光を排除する手法を説明する。
＜＜第２実施形態＞＞
以下、本発明を有機ＥＬ表示装置に実施した第２実施形態につき、説明する。本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の全体的構成は、図１におけるものと略同様であるため、図示は省略し、第１実施形態との相違点に着目して説明を行う。
まず、表示パネル４は、図５に示す画素４１ａから構成されるように変形される。図５において、図２と同一の部分には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。画素４１ａ（画素４１ａの画素回路）が、図２の画素４１（画素４１の画素回路）と相違する点は、第１電極（例えばドレイン）、第２電極（例えばソース）が、夫々ノードＮＡ、ノードＮＢに接続されると共に、制御信号発生回路５から制御信号ＣＴＬ３が供給されている制御信号ライン４９にゲートが接続されたリセット用トランジスタＴＲ６が新たに設けられている点と、書込み用トランジスタＴＲ１の第１電極が、データドライバー３からのデータ電圧ＤＡＴＡが走査期間に印加されると共に、リセット期間においてリセット電圧ＲＳＴ（このリセット電圧ＲＳＴは、予め電圧値が設定されている）が印加されるデータ電圧ライン４３ａに接続されている点である。上記相違点が実現されるよう、データドライバー３、制御信号発生回路５は、第１実施形態より変形されている。
図６は、図５における各部の電圧及び有機ＥＬ素子４２に流れる電流ＩＯＬＥＤを、１フレーム期間にわたって示したものである。図６において、図３と同一のものには同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
実線６１ａ、実線６２ａは、それぞれ有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の実線２０１の場合におけるノードＮＡ、ノードＮＢの電圧波形を示している。実線６３ａは、有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の実線２０１の場合において、有機ＥＬ素子４２に流れる電流ＩＯＬＥＤの波形を示している。
破線６４ａ、破線６５ａは、有機ＥＬ素子４２が経時変化することにより、又は動作周囲温度が低温になることにより有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の破線２０２のようになった場合におけるノードＮＡ、ノードＮＢの電圧波形を示している。破線６６ａは、同様に、有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の破線２０２のようになった場合において、有機ＥＬ素子４２に流れる電流ＩＯＬＥＤの波形を示している。
図６における走査期間及び発光期間の動作は、図３におけるものと同様であるため、その説明を省略し、第２実施形態における特異な部分であるリセット期間について説明する。
発光期間が終了しリセット期間に移行すると、ハイレベルの走査電圧ＳＣＡＮが書込み用トランジスタＴＲ１のゲートに供給されて書込み用トランジスタＴＲ１がオンするとともに、ハイレベルの制御信号ＣＴＬ３がリセット用トランジスタＴＲ６のゲートに供給されてリセット用トランジスタＴＲ６がオンする。また、この時、データドライバー３は上記リセット電圧ＲＳＴをデータ電圧ライン４３ａ（図５）に供給しており、ノードＮＡ、ノードＮＢの双方には、リセット電圧ＲＳＴが加わることになる。
このリセット電圧ＲＳＴの電位は、（ＣＶ＋ＶＦ）より高電位であると共に、（ＶＤＤ−Ｖｔｈ）より低電位となっている。従って、走査電圧ＳＣＡＮ及び制御信号ＣＴＬ３を双方ローレベルに切り換えた後、制御信号ＣＴＬ２をローレベルからハイレベルに切り換えることにより閾値補償用トランジスタＴＲ２と調整用トランジスタＴＲ５がオンとなって、所定時間経過後、ノードＮＡは電圧（ＣＶ＋ＶＦ）に安定化し、ノードＮＢは電圧（ＶＤＤ−Ｖｔｈ）に安定化する。この安定化後の動作については、第１実施形態におけるものと同様である。
以上の説明からも理解されるように、第２実施形態においては、リセット期間中にオン／オフ用トランジスタＴＲ４をオンとしないため有機ＥＬ素子４２は発光しない。これにより、表示品位の更なる向上が実現される。また、当然、第１実施形態におけるものと同様の効果も実現される。
＜＜第３実施形態＞＞
次に、本発明を有機ＥＬ表示装置に実施した第３実施形態につき、説明する。本発明の第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の全体的構成は、図１におけるものと略同様であるため、図示は省略し、第１実施形態との相違点に着目して説明を行う。
まず、表示パネル４は、図７に示す画素４１ｂから構成されるように変形される。図７において、図２と同一の部分には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。画素４１ｂ（画素４１ｂの画素回路）が、図２の画素４１（画素４１の画素回路）と相違する点は、書込み用トランジスタＴＲ１の第２電極とノードＮＡの間にＰＷＭ回路（パルス幅変調回路）５０が設けてられている点と、ランプ電圧ＲＡＭＰがコンデンサＣ２（図２参照）にではなくＰＷＭ回路５０に与えられている点である。コンデンサＣ１は、ＰＷＭ回路５０の出力部（ノードＮＡ）と駆動用トランジスタＴＲ３のゲートとを接続するライン中に直列に介在することになる。
ＰＷＭ回路５０は、書込み用トランジスタＴＲ１がオンしている時にデータドライバー３から供給されるデータ電圧ＤＡＴＡをパルス幅変調したパルス電圧を発光期間中に、ノードＮＡに出力するものであり、例えば、非反転入力端子（＋）、反転入力端子（−）、出力端子が、夫々書込み用トランジスタＴＲ１の第２電極、ランプ電圧ライン４５、ノードＮＡに接続されたコンパレータ（不図示）によって構成される。
図８は、図７における各部の電圧及び有機ＥＬ素子４２に流れる電流ＩＯＬＥＤを、１フレーム期間にわたって示したものである。図８において、図３と同一のものには同一の符号を付し、重複する説明を省略する。尚、図８においては、ランプ電圧ＲＡＭＰの電圧波形の図示を省略している。
実線６１ｂ、実線６２ｂは、それぞれ有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の実線２０１の場合におけるノードＮＡ、ノードＮＢの電圧波形を示している。実線６３ｂは、有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の実線２０１の場合において、有機ＥＬ素子４２に流れる電流ＩＯＬＥＤの波形を示している。
破線６４ｂ、破線６５ｂは、有機ＥＬ素子４２が経時変化することにより、又は動作周囲温度が低温になることにより有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の破線２０２のようになった場合におけるノードＮＡ、ノードＮＢの電圧波形を示している。破線６６ｂは、同様に、有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の破線２０２のようになった場合において、有機ＥＬ素子４２に流れる電流ＩＯＬＥＤの波形を示している。
図８におけるリセット期間の動作は、図３におけるものと同様であるため、その説明を省略する。走査期間においては、制御信号ＣＴＬ１及びＣＴＬ２は、双方ローレベルに維持されている。発光期間では、制御信号ＣＴＬ１はハイレベル、制御信号ＣＴＬ２はローレベルとなっている。
走査期間において、ハイレベルの走査電圧ＳＣＡＮが着目している画素４１ｂに加わると、書込み用トランジスタＴＲ１はオンとなり、データ電圧ＤＡＴＡがＰＷＭ回路５０に入力される。そして、発光期間に移行すると制御信号ＣＴＬ１がハイレベルとなり、発光期間中においてＰＷＭ回路５０は、走査期間において入力したデータ電圧ＤＡＴＡに応じた期間（データ電圧ＤＡＴＡの大きさに比例した期間）、所定の発光レベル電圧ＶＬを出力する。
この発光レベル電圧ＶＬが出力されているときに、駆動用トランジスタＴＲ３がオンとなって有機ＥＬ素子４２が発光することとなるため、データ電圧ＤＡＴＡを変化させれば多諧調表示が実現されることになる。勿論、ＰＷＭ回路５０が発光レベル電圧ＶＬを出力する期間の長さは、画素ごとに異なり得る。
この発光レベル電圧ＶＬの出力開始時点において、ノードＮＡの電圧は、電圧（ＣＶ＋ＶＦ−ＶＬ）分だけ低下し、それに伴って、コンデンサＣ１のカップリングによりノードＮＢの電圧も同じ電圧だけ低下する。この結果、ノードＮＢの電圧（駆動用トランジスタＴＲ３のゲート電圧）は、電圧（ＶＤＤ−ＣＶ＋ＶＬ−ＶＦ−Ｖｔｈ）、即ち、発光レベル電圧ＶＬと有機ＥＬ素子４２の発光開始両極間電圧ＶＦと駆動用トランジスタＴＲ３の動作閾値電圧Ｖｔｈとに応じた電圧となる。
ここで、上述してきたように、（破線６４ｂにおけるＶＦ）＞（実線６１ｂにおけるＶＦ）なのであるから、発光期間中においてＰＷＭ回路５０が発光レベル電圧ＶＬを出力している間、即ち、有機ＥＬ素子４２が発光している間は、（破線６５ｂが示すノードＮＢの電圧）＜（実線６２ｂが示すノードＮＢの電圧）となって、経時変化等をしている方（破線６５ｂに示す方）が駆動用トランジスタＴＲ３のゲート−ソース間電圧の大きさが大きくなる。
仮に、従来例のように、有機ＥＬ素子４２の経時変化等に起因する電圧ＶＦの変動を全くフィードバックしない構成を採用した場合、実線６３ｂのようであった電流ＩＯＬＥＤは、経時変化等によって破線６７ｂのように減少し、同一のデータ電圧ＤＡＴＡに対する輝度が大きく減少してしまう。ところが、本実施形態においては、上述したように、発光期間移行時におけるノードＮＢの電圧（駆動用トランジスタＴＲ３のゲート電圧）は、電圧（ＶＤＤ−ＣＶ＋ＶＬ−Ｖｔｈ−ＶＦ）となっていることから、経時変化等があっても電流ＩＯＬＥＤは破線６６ｂのようになり、電流ＩＯＬＥＤの減少分（輝度の減少分）が補償される。
換言すれば、本実施形態においては、電圧ＶＦが基準電圧（図１８の実線２０１における発光開始両極間電圧）より大きいとき、有機ＥＬ素子４２に流れる電流の値が増加するように駆動用トランジスタＴＲ３のゲート電圧が調整される。逆に、電圧ＶＦが上記基準電圧より小さいとき、有機ＥＬ素子４２に流れる電流の値が減少するように駆動用トランジスタＴＲ３のゲート電圧が調整される。この調整は、フレーム毎に行われる。
勿論、電圧プログラム方式を用いているため、有機ＥＬ素子４２の輝度は、駆動用トランジスタＴＲ３の動作閾値電圧（Ｖｔｈ）のばらつきの影響を受けない。
また、第１実施形態においては、経時変化等があった場合、階調表示が何であるかに拘わらず（黒、白、中間階調の何れであるかに拘わらず）、同じ時間だけ有機ＥＬ素子４２が発光する時間が延長（又は短縮）される。つまり、極端に言えば（正確さは欠くが）、全ての階調において同程度の輝度だけ上乗せされる形で輝度減少の補償がなされる（あたかもブライトネス調整を行ったかのような補償になる）。これは、第２実施形態においても同様である。
ところが、第３実施形態においては、発光期間中において有機ＥＬ素子４２が発光する時間の長さは、データ電圧ＤＡＴＡのみにて決まっており、発光時の電流値を増加させる形で輝度減少の補償がなされる。例えば、経時変化等がない場合の第１階調（白）、第２階調（中間階調）、第３階調（黒）に対応する電流ＩＯＬＥＤの実効値が夫々１０、５、０である場合（ピーク値は実線６３ｂに対応）において、経時変化があったとする。そして、仮に、経時変化による輝度補償を行わなければ、第１階調、第２階調、第３階調に対応する電流ＩＯＬＥＤの実効値は夫々６、３、０になってしまうものとする（ピーク値は実線６７ｂに対応）。
この時、本実施形態のように輝度補償を行えば、第１階調、第２階調、第３階調に対応する電流ＩＯＬＥＤの実効値は、例えば、夫々９（＝６×１．５）、４．５（＝３×１．５）、０（＝０×１．５）となり、白の階調は電流が大きく増加される一方、黒の諧調は電流が全く（若しくは殆ど）増加されない。つまり、階調間のコントラストが極力維持される形で輝度減少の補償がなされるため、表示品位の経時変化等による劣化は第１、第２実施形態におけるものよりも更に抑えられる。
そして、ＰＷＭ回路５０は、入力したデータ電圧ＤＡＴＡに応じた期間だけ、発光レベル電圧ＶＬの出力を行うと、自身の出力電圧を所定電圧まで上昇させる。この上昇によって、ノードＮＢの電圧が、電圧（ＶＤＤ−Ｖｔｈ）より高くなるように、前記所定電圧は設定されている。従って、発光レベル電圧ＶＬの出力が終わると同時に有機ＥＬ素子４２の発光は停止する。
＜＜第４実施形態＞＞
次に、第３実施形態におけるＰＷＭ回路５０の具体的構成を示すものとして第４実施形態を説明する。第４実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の全体的構成は、図１におけるものと略同様であるため、図示は省略し、第１実施形態との相違点に着目して説明を行う。
まず、表示パネル４は、図９に示す画素回路を有した画素４１ｃから構成されるように変形される。図９において、図２と同一の部分には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
ＰＷＭ回路５０は、ＮチャンネルのＭＯＳトランジスタから成るオン制御用トランジスタＴＲ１３、オフ制御用トランジスタＴＲ１４及びトランジスタＴＲ１６と、ＰチャンネルのＭＯＳトランジスタから成るトランジスタＴＲ１５及びＴＲ１７と、コンデンサＣ１１及びＣ１２と、から構成されている。
トランジスタＴＲ１７において、ゲートは制御信号発生回路５から制御信号ＣＴＬ３が供給される制御信号ライン５１に接続され、ソースはコンデンサＣ１２の一方の電極とトランジスタＴＲ１５のソースに共通接続され、ドレインはコンデンサＣ１２の他方の電極、トランジスタＴＲ１５のゲート、トランジスタＴＲ１６のゲート及びオフ制御用トランジスタＴＲ１４のドレインに共通接続されている。トランジスタＴＲ１５のドレインとトランジスタＴＲ１６のドレインは接続されてＰＷＭ回路５０の出力部を形成し、ノードＮＡにパルス電圧を出力する。トランジスタＴＲ１６のソースは、オン制御用トランジスタＴＲ１３のドレインに接続されている。コンデンサＣ１１の一方の電極とオン制御用トランジスタＴＲ１３のゲートは、共にランプ電圧ライン４５に接続されている。コンデンサＣ１１の他方の電極は、書込み用トランジスタＴＲ１の第２電極とオフ制御用トランジスタＴＲ１４のゲートに共通接続されている。
トランジスタＴＲ１７のソース、コンデンサＣ１２の一方の電極及びトランジスタＴＲ１５のソースには、ＰＷＭ回路５０の正側の電源電圧ＶＣＣが与えられている。オン制御用トランジスタＴＲ１３のソースとオフ制御用トランジスタＴＲ１４のソースにはＰＷＭ回路５０の負側の電源電圧ＶＳＳが与えられている。尚、ＰＷＭ回路５０の正側の電源電圧をＶＤＤとは異なるＶＣＣとしたのは、後に示す図１０の煩雑化防止のためであって、ＰＷＭ回路５０の電源電圧はＶＤＤであっても構わない。また、制御信号発生回路５は、制御信号ＣＴＬ１、ＣＴＬ２に加えて、制御信号ＣＴＬ３を各画素に供給するように第１実施形態より変形されている。
オン制御用トランジスタＴＲ１３とオフ制御用トランジスタＴＲ１４は、同一の半導体基板上に同一製造プロセスにて同時に形成され、しかも同一画素４１ｃ内の互いに近接した位置に形成されている。従って、オン制御用トランジスタＴＲ１３とオフ制御用トランジスタＴＲ１４の夫々の動作閾値電圧（Ｖｔｈ１）は、ほぼ等しい。また、書込み用トランジスタＴＲ１の第２電極とオフ制御用トランジスタＴＲ１４のゲートとの接続点を、ノードＮＣと定める。
図１０は、図９における各部の電圧及び有機ＥＬ素子４２に流れる電流ＩＯＬＥＤを、１フレーム期間にわたって示したものである。図１０において、図３と同一のものには同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
実線６０ｃは、ランプ発生回路８からランプ電圧ライン４５に供給されるランプ電圧ＲＡＭＰの電圧波形を示している。ランプ電圧ＲＡＭＰは、走査期間において、予め設定された初期電圧に固定されているが、発光期間において、予め設定された変化率（例えば、１Ｖ／１ミリ秒）で単調増加する。そして、そして、リセット期間内において、ランプ電圧ＲＡＭＰの単調増加は停止し、再び上記初期電圧に戻る。ランプ電圧発生回路８は、上記のように第１実施形態におけるものから変形されている。
実線６１ｃ、実線６２ｃは、それぞれ有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の実線２０１の場合におけるノードＮＡ、ノードＮＢの電圧波形を示している。実線６３ｃは、有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の実線２０１の場合において、有機ＥＬ素子４２に流れる電流ＩＯＬＥＤの波形を示している。実線６８ｃは、ノードＮＣの電圧波形を示している。
破線６４ｃ、破線６５ｃは、有機ＥＬ素子４２が経時変化することにより、又は動作周囲温度が低温になることにより有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の破線２０２のようになった場合におけるノードＮＡ、ノードＮＢの電圧波形を示している。破線６６ｃは、同様に、有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の破線２０２のようになった場合において、有機ＥＬ素子４２に流れる電流ＩＯＬＥＤの波形を示している。
まず、ｋ番目のリセット期間において、制御信号ＣＴＬ３がハイレベルからローレベルに切り換わることによって、トランジスタＴＲ１７がオンする。この結果、トランジスタＴＲ１５がオフとなる。尚、この時点で、他のトランジスタＴＲ１３、ＴＲ１４及びＴＲ１６は全てオフとなっている。
その後、制御信号ＣＴＬ３はハイレベルに戻されてからの動作は第１実施形態と同様である。即ち、制御信号ＣＴＬ１及びＣＴＬ２がローレベルからハイレベルへの切り換えられ、ノードＮＡの電位は（ＶＦ＋ＣＶ）より高電位になると共に、ノードＮＢの電位は（ＶＤＤ−Ｖｔｈ）より低電位となる。更に、制御信号ＣＴＬ１のローレベルへの切り換え、制御信号ＣＴＬ２のローレベルへの切り換えが、この順番で第１実施形態と同様に行われる。これにより、第１実施形態と同様、リセット期間終了時点において、コンデンサＣ１には、電圧（ＶＤＤ−ＣＶ−Ｖｔｈ−ＶＦ）が保持される。
この後、制御信号ＣＴＬ１及びＣＴＬ２が、双方ローレベルに維持されたままｋ番目のリセット期間が終了し、続いて（ｋ＋１）番目の走査期間に移行する。尚、リセット期間において、走査電圧ＳＣＡＮはローレベルに維持されており、制御信号ＣＴＬ３は走査期間及び発光期間においてハイレベルに維持されている。
（ｋ＋１）番目の走査期間に移行した時、ノードＮＡ、ノードＮＢの夫々の電位は、ｋ番目のリセット期間終了時点の夫々の電位が保持されたままとなっている。従って、（破線６４ｃが示すノードＮＡの電圧）＞（実線６１ｃが示すノードＮＡの電圧）となっている。また、走査期間においては、制御信号ＣＴＬ１及びＣＴＬ２は、双方ローレベルに維持されている。発光期間では、制御信号ＣＴＬ１はハイレベル、制御信号ＣＴＬ２はローレベルとなっている。
走査期間において、ハイレベルの走査電圧ＳＣＡＮが着目している画素４１ｃに加わると、書込み用トランジスタＴＲ１はオンとなり、データドライバー３から供給されるデータ電圧ＤＡＴＡが、ランプ電圧の上記初期電圧を基準としてコンデンサＣ１１に保持される。
走査期間を終えて移行する発光期間において、ランプ電圧ＲＡＭＰが上昇して負側の電源電圧ＶＳＳとの差が増大し、オン制御用トランジスタＴＲ１３のゲート−ソース間電圧が動作閾値電圧Ｖｔｈ１を上回ると、該ＴＲ１３がオンとなる。これによって、トランジスタＴＲ１６が導通して、ノードＮＡの電圧が電源電圧ＶＳＳと等しくなるまで低下し、これに伴ってノードＮＢの電圧も同じだけ低下する（尚、説明の簡略化のため、トランジスタＴＲ１６及びオン制御用トランジスタＴＲ１３における電圧降下は無視して考える）。そうすると、駆動用トランジスタＴＲ３が導通して有機ＥＬ素子４２の発光が開始される。
また、この時のノードＮＡとノードＮＢの電圧低下分は、（−ＶＳＳ＋ＶＦ＋ＣＶ）である。従って、ノードＮＢの電圧（駆動用トランジスタＴＲ３のゲート電圧）は、電圧（ＶＤＤ−ＣＶ＋ＶＳＳ−ＶＦ−Ｖｔｈ）、即ち、電圧ＶＳＳ（発光レベル電圧）と有機ＥＬ素子４２の発光開始両極間電圧ＶＦと駆動用トランジスタＴＲ３の動作閾値電圧Ｖｔｈとに応じた電圧となる。
ここで、（破線６４ｃにおけるＶＦ）＞（実線６１ｃにおけるＶＦ）なのであるから、発光期間中においてＰＷＭ回路５０がノードＮＡの電圧を電圧ＶＳＳ（発光レベル電圧）としている間、即ち、有機ＥＬ素子４２が発光している間は、（破線６５ｃが示すノードＮＢの電圧）＜（実線６２ｃが示すノードＮＢの電圧）となって、経時変化等をしている方（破線６５ｃに示す方）が駆動用トランジスタＴＲ３のゲート−ソース間電圧の大きさが大きくなる。
その後、更にランプ電圧が上昇し、これに伴ってノードＮＣの電圧が上昇して負側の電源電圧ＶＳＳとの差が増大し、オフ制御用トランジスタＴＲ１４のゲート−ソース間電圧が動作閾値電圧Ｖｔｈ１を上回ると、該ＴＲ１４がオンとなる。これによって、トランジスタＴＲ１６がオフとなる一方、トランジスタＴＲ１５がオンとなって、ノードＮＡの電圧は、電源電圧ＶＣＣと等しくなるように上昇する（尚、説明の簡略化のため、トランジスタＴＲ１５における電圧降下は無視して考える）。これに伴って、ノードＮＢの電圧も電圧（ＶＤＤ−Ｖｔｈ）を上回って駆動用トランジスタＴＲ３がオフとなり、有機ＥＬ素子４２の発光が終了する。
このように、データ電圧の大きさに応じて有機ＥＬ素子４２の発光終了時点が変化することにより、発光時間がデータ電圧の大きさに比例して変化し、多諧調表示が実現される。尚、ＰＷＭ回路５０は、ランプ電圧ＲＡＭＰを用いてデータ電圧ＤＡＴＡのパルス幅変調を行い、発光期間中において、そのパルス幅変調によるパルスの幅に相当する期間、電圧ＶＳＳ（発光レベル電圧）を出力するものであると言える。
そして、発光期間中においてＰＷＭ回路５０がノードＮＡの電圧を、電圧ＶＳＳ（発光レベル電圧）としている間、即ち、有機ＥＬ素子４２が発光している間は、（破線６５ｃが示すノードＮＢの電圧）＜（実線６２ｃが示すノードＮＢの電圧）となって、経時変化等をしている方（破線６５ｃに示す方）が駆動用トランジスタＴＲ３のゲート−ソース間電圧の大きさが大きくなるため、第３実施形態と同様の効果（階調間のコントラストが極力維持される形での輝度補償）が実現される（従来例のように、有機ＥＬ素子４２の経時変化等に起因する電圧ＶＦの変動を全くフィードバックしない構成を採用した場合、実線６３ｃのようであった電流ＩＯＬＥＤは、経時変化等によって破線６７ｃのように減少し、同一のデータ電圧ＤＡＴＡに対する輝度が大きく減少してしまう）。
換言すれば、本実施形態においては、電圧ＶＦが基準電圧（図１８の実線２０１における発光開始両極間電圧）より大きいとき、有機ＥＬ素子４２に流れる電流の値が増加するように駆動用トランジスタＴＲ３のゲート電圧が調整される。逆に、電圧ＶＦが上記基準電圧より小さいとき、有機ＥＬ素子４２に流れる電流の値が減少するように駆動用トランジスタＴＲ３のゲート電圧が調整される。この調整は、フレーム毎に行われる。
また、電圧プログラム方式を用いているため、有機ＥＬ素子４２の輝度は、駆動用トランジスタＴＲ３の動作閾値電圧（Ｖｔｈ）のばらつきの影響を受けない。
また、オン制御用トランジスタＴＲ１３とオフ制御用トランジスタＴＲ１４は、同一の半導体基板上に同一製造プロセスにて同時に形成され、しかも同一画素４１ｃ内の互いに近接した位置に形成されている。従って、オン制御用トランジスタＴＲ１３とオフ制御用トランジスタＴＲ１４の夫々の動作閾値電圧（Ｖｔｈ１）は、ほぼ等しく、製造ばらつきによってオン制御用トランジスタＴＲ１３が駆動用トランジスタＴＲ３をオンさせる時点がずれたとしても、その後にオフ制御用トランジスタＴＲ１４が駆動用トランジスタＴＲ３をオフとする時点も同じだけ同じ方向にずれることになる。
従って、オン制御用トランジスタＴＲ１３が駆動用トランジスタＴＲ３をオンとしてからオフ制御用トランジスタＴＲ１４が駆動用トランジスタＴＲ３をオフとするまでの時間は、両トランジスタＴＲ１３、ＴＲ１４の動作閾値電圧のばらつきに拘わらず、正確にデータ電圧に応じた時間となる。
また、１フレーム期間を通じて、トランジスタＴＲ１５とトランジスタＴＲ１６の少なくとも一方は必ずオフとなっているため、電源電圧ＶＣＣから電源電圧ＶＳＳに無駄な電流は流れることがない。
また、第４実施形態においては、リセット期間中に、制御信号ＣＴＬ１がハイレベルとなって有機ＥＬ素子４２が発光する期間がある。この期間は、ノードＮＡの電位を（ＶＦ＋ＣＶ）より高電位とすると共に、ノードＮＢの電位を（ＶＤＤ−Ｖｔｈ）より低電位とするために設けられるものであって、本来の有機ＥＬ素子４２の発光期間（例えば、１０ミリ秒）に対して、十分に短く（例えば、１マイクロ秒）設定できる。従って、このリセット期間中における発光は、表示品位に殆ど影響を与えないが、後述する第５実施形態において、このリセット期間中における発光を排除する手法を説明する。
＜＜第５実施形態＞＞
以下、本発明を有機ＥＬ表示装置に実施した第５実施形態につき、説明する。本発明の第５実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の全体的構成は、図１におけるものと略同様であるため、図示は省略する。第５実施形態に係る有機ＥＬ表示装置は、第４実施形態に係る有機ＥＬ表示装置に類似しているため、第４実施形態との相違点にのみ着目して説明を行う。従って、特に説明を行わない構成及び動作は、第４実施形態と同様である。
まず、表示パネル４は、図１１に示す画素回路を有した画素４１ｄから構成されるように変形される。図１１において、図９と同一の部分には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。画素４１ｄ（画素４１ｄの画素回路）が、図９の画素４１ｃ（画素４１ｃの画素回路）と相違する点は、ソースに電源電圧ＶＤＤが与えられていると共に、ドレインとゲートがノードＮＢに共通接続されたクリップ用トランジスタＴＲ２０（クリップ回路）が新たに備えられている点と、トランジスタＴＲ１７のソースとコンデンサＣ１２の一方の電極とトランジスタＴＲ１５のソースには、電源電圧ＶＤＤが供給されている点である。
クリップ用トランジスタＴＲ２０の動作閾値電圧をＶｔｈ２とすると、クリップ用トランジスタＴＲ２０は、ノードＮＢの電位が（ＶＤＤ＋Ｖｔｈ２）を上回ることがないようにするためのものであると言える。以下、この電位（ＶＤＤ＋Ｖｔｈ２）を、クリップ電位という。尚、クリップ用トランジスタＴＲ２０をダイオードに置換することは勿論可能であるし、画素４１ｄの回路構成が変形された場合、クリップ用トランジスタＴＲ２０は、ノードＮＢの電位がクリップ電位（この場合のクリップ電位は、ＶＤＤ＋Ｖｔｈ２と異なり得る）を下回ることがないようにするためのものに変形され得る。
図１２は、図１１における各部の電圧及び有機ＥＬ素子４２に流れる電流ＩＯＬＥＤを、１フレーム期間にわたって示したものである。図１２において、図３や図１０と同一のものには同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
実線６１ｄ、実線６２ｄは、それぞれ有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の実線２０１の場合におけるノードＮＡ、ノードＮＢの電圧波形を示している。実線６３ｄは、有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の実線２０１の場合において、有機ＥＬ素子４２に流れる電流ＩＯＬＥＤの波形を示している。
破線６４ｄ、破線６５ｄは、有機ＥＬ素子４２が経時変化することにより、又は動作周囲温度が低温になることにより有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の破線２０２のようになった場合におけるノードＮＡ、ノードＮＢの電圧波形を示している。破線６６ｄは、同様に、有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の破線２０２のようになった場合において、有機ＥＬ素子４２に流れる電流ＩＯＬＥＤの波形を示している。
図１２におけるランプ電圧６０ｃ、走査電圧ＳＣＡＮ、制御信号ＣＴＬ２及びＣＴＬ３の電圧波形は図１０におけるものと同様であり、走査期間及び発光期間における動作も、図１０におけるものと同様である。本実施形態では、リセット期間において制御信号ＣＴＬ１がハイレベルとならない点が、第４実施形態との相違点であり、特徴的な点である。
発光期間において、ノードＮＣの電位が（ＶＳＳ＋Ｖｔｈ１）を上回り、オフ制御用トランジスタＴＲ１４がオン、続いてトランジスタＴＲ１５がオンとなって、ノードＮＡの電位がＶＳＳからＶＤＤに立ち上がると、コンデンサＣ１のカップリングにより、ノードＮＢの電位も同じ上昇分（ＶＤＤ−ＶＳＳ）だけ立ち上がろうとする。
仮に、クリップ用トランジスタＴＲ２０がなければ、ノードＮＢの電位は、実際に（ＶＤＤ−ＶＳＳ）だけ上昇する。この場合、リセット期間において制御信号ＣＴＬ２をハイレベルに切り換えて調整用トランジスタＴＲ５をオンすると、ノードＮＢの電位はノードＮＡの電位の低下に伴って低下するが、コンデンサＣ１における損失等が存在するため、（ＶＤＤ−Ｖｔｈ）より高い電位で下げ止まる。そうすると、リセット期間終了時点におけるコンデンサＣ１の保持電圧は（ＶＤＤ−ＣＶ−Ｖｔｈ−ＶＦ）とならない。即ち、コンデンサＣ１には、駆動用トランジスタＴＲ３の動作閾値電圧Ｖｔｈに応じた電圧が保持されないことになり、電圧プログラム方式が正しく機能しない（有機ＥＬ素子４２の輝度は、駆動用トランジスタＴＲ３の動作閾値電圧（Ｖｔｈ）のばらつきの影響を受けてしまう）。
ところが、図１１に示す画素４１ｄには、上述したクリップ用トランジスタＴＲ２０が備えられているため、ノードＮＡの電位がＶＳＳからＶＤＤに立ち上がっても、ノードＮＢの電位は（ＶＤＤ＋Ｖｔｈ２）より高くならない。厳密には、一時的に高くなるが、リセット期間に至る頃には、ノードＮＢの電位は（ＶＤＤ＋Ｖｔｈ２）となる。そうすると、リセット期間において制御信号ＣＴＬ２をハイレベルに切り換えて調整用トランジスタＴＲ５をオンすると、ノードＮＡの電位の低下に伴ってノードＮＢの電位も低下し、ノードＮＢの電位は（ＶＤＤ−Ｖｔｈ）を下回ろうとする。ノードＮＢの電位が（ＶＤＤ−Ｖｔｈ）を下回れば、駆動用トランジスタＴＲ３が一時的にオンして、電源電圧ＶＤＤから電流が駆動用トランジスタＴＲ３、閾値補償用トランジスタＴＲ２を介してノードＮＢに流れ込むため、最終的には（リセット期間終了時点においては）、ノードＮＢの電位は（ＶＤＤ−Ｖｔｈ）で安定する。
以上のような動作により、リセット期間終了時点におけるコンデンサＣ１の保持電圧は（ＶＤＤ−ＣＶ−Ｖｔｈ−ＶＦ）となるため、第４実施形態と同様の効果が実現される（従来例のように、有機ＥＬ素子４２の経時変化等に起因する電圧ＶＦの全くフィードバックしない構成を採用した場合、実線６３ｄのようであった電流ＩＯＬＥＤは、経時変化等によって破線６７ｄのように減少し、同一のデータ電圧ＤＡＴＡに対する輝度が大きく減少してしまう）。
そして、リセット期間中にオン／オフ用トランジスタＴＲ４をオンとして有機ＥＬ素子４２を発光させないので（発光させる必要がないので）、表示品位の更なる向上が実現される。
＜＜第６実施形態＞＞
以下、本発明を有機ＥＬ表示装置に実施した第６実施形態につき、説明する。図１３は、本発明の第６実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の全体的構成を示すブロック図である。
有機ＥＬディスプレイ１０ｅは、図１３に示す如く、複数の画素をマトリクス状に配列して構成される表示パネル４ｅに、走査電圧を各画素に供給する走査ドライバー２ｅ、データ電圧を各画素に供給するデータドライバー３ｅ、制御信号発生回路５ｅを接続して構成されている。図１３の有機ＥＬ表示装置は、ＴＶ受信機（不図示）等の映像ソース（外部の信号源）から供給される映像信号に応じた画像を表示パネル４ｅに表示する。
ＴＶ受信機（不図示）等の映像ソースから供給される映像信号は、映像信号処理回路６へ供給されて、映像表示に必要な信号処理が施され、これによって得られる赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）から成るＲＧＢ３原色の映像信号が、有機ＥＬディスプレイ１０ｅのデータドライバー３ｅへ供給される。
映像信号処理回路６から得られる水平同期信号Ｈsync及び垂直同期信号Ｖsyncは、タイミング信号発生回路７へ供給され、これによって得られるタイミング信号が走査ドライバー２ｅ及びデータドライバー３ｅへ供給される。
また、タイミング信号発生回路７から得られるタイミング信号は制御信号発生回路５ｅにも供給されている。制御信号発生回路５は、このタイミング信号を参照しつつ、後述の如く有機ＥＬディスプレイ１０ｅの駆動に用いられる制御信号ＣＴＬ１及びＣＴＬ２を生成し、それら制御信号ＣＴＬ１、ＣＴＬ２を表示パネル４ｅの各画素へ供給する。尚、制御信号発生回路５から伸びる制御信号ラインは、図１において水平ライン毎に１本であるかのような記載となっているが、実際は２本ずつ（ＣＴＬ１とＣＴＬ２）となっている。
また、図１３に示す各回路、各ドライバー及び有機ＥＬディスプレイには電源回路（不図示）が接続されている。
表示パネル４ｅは、図１４に示す画素回路を有した画素４１ｅから構成されている。図１４において、図２と同一の部分には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。図１４に示す画素４１ｅ（画素４１ｅの画素回路）が図２の画素４１（画素４１の画素回路）と相違する点は、コンデンサＣ２とランプ電圧ライン４５（図２参照）が備えられていない点であり、その他の点では一致している。
図１５は、図１４における各部の電圧及び有機ＥＬ素子４２に流れる電流ＩＯＬＥＤを、１フレーム期間にわたって示したものである。
図１５に示す如く、１画面の表示周期である１フレーム期間（フレーム周波数の逆数）は、発光期間とリセット期間と、から構成されている。１フレーム期間の始期と終期は、走査線によって異なっており、１フレーム期間の始期は、１番目の走査線、２番目の走査線、・・・、ｎ番目の走査線（ｎ；走査線の本数）の順番で、順次所定の間隔を空けて訪れる。図１５は、上記ｎ本の走査線の内の或る１つの走査線に着目して図１４における各部の電圧等を示したものである。
或る走査線において、発光期間、リセット期間の順に期間が進行し、ｋ番目（ｋ；自然数）のフレーム期間が終了すると、続けて次の（ｋ＋１）番目のフレーム期間における発光期間、リセット期間が、この順番で訪れる。このように、本実施形態においては、走査期間がないとも言えるが、後述の説明にて明らかになるように発光期間の最初において走査電圧ＳＣＡＮをハイレベルとしてデータ電圧ＤＡＴＡを画素に書き込んでいるため、発光期間に走査期間が含まれていると考えることもできる。また、第１〜第５実施形態のように、走査期間と発光期間を分離し、走査期間、発光期間及びリセット期間が、全走査線にとって同じタイミングで訪れるように変形しても構わない。
実線６１ｅ、実線６２ｅは、それぞれ有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の実線２０１の場合におけるノードＮＡ、ノードＮＢの電圧波形を示している。実線６３ｅは、有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の実線２０１の場合において、有機ＥＬ素子４２に流れる電流ＩＯＬＥＤの波形を示している。
破線６４ｅ、破線６５ｅは、有機ＥＬ素子４２が経時変化することにより、又は動作周囲温度が低温になることにより有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の破線２０２のようになった場合におけるノードＮＡ、ノードＮＢの電圧波形を示している。破線６６ｅは、同様に、有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の破線２０２のようになった場合において、有機ＥＬ素子４２に流れる電流ＩＯＬＥＤの波形を示している。
ｋ番目のリセット期間における動作は、基本的に第１実施形態と同様である。まず、制御信号ＣＴＬ１、ＣＴＬ２を双方ハイレベルにしてから、制御信号ＣＴＬ１だけローレベルに切り換え、ノードＮＡ、ノードＮＢの電位が夫々（ＣＶ＋ＶＦ）、（ＶＤＤ−Ｖｔｈ）に安定した後、制御信号ＣＴＬ２をローレベルに切り換える。これにより、第１実施形態と同様、リセット期間終了時点において、コンデンサＣ１には、電圧（ＶＤＤ−ＣＶ−Ｖｔｈ−ＶＦ）が保持される。
この後、制御信号ＣＴＬ１及びＣＴＬ２が、双方ローレベルに維持されたままｋ番目のリセット期間が終了し、続いて（ｋ＋１）番目の発光期間に移行する。尚、リセット期間において、走査電圧ＳＣＡＮはローレベルに維持されている。
（ｋ＋１）番目の発光期間に移行すると、走査電圧ＳＣＡＮがハイレベルとされて書込み用トランジスタＴＲ１がオンする。この時、データドライバー３ｅからデータ電圧ライン４３にデータ電圧ＤＡＴＡが供給されており、ノードＮＡの電圧は、該データ電圧ＤＡＴＡと等しくなるように低下する。これに伴って、コンデンサＣ１のカップリングによりノードＮＢの電圧も同じ電圧だけ低下する。この時のノードＮＡとノードＮＢの電圧低下分は、−（ＤＡＴＡ−ＶＦ−ＣＶ）であり、この電圧低下によって、ノードＮＢの電圧（駆動用トランジスタＴＲ３のゲート電圧）は、電圧（ＶＤＤ−ＣＶ＋ＤＡＴＡ−ＶＦ−Ｖｔｈ）となる。
データ電圧ＤＡＴＡのノードＮＡに対する書込み後、走査電圧ＳＣＡＮはローレベルとされ、続いて制御信号ＣＴＬ１がハイレベルとされて有機ＥＬ素子４２の発光が開始する。ここで、（破線６４ｅにおけるＶＦ）＞（実線６１ｅにおけるＶＦ）なのであるから、データ電圧ＤＡＴＡを書き込んだ後は、（破線６５ｅが示すノードＮＢの電圧）＜（実線６２ｅが示すノードＮＢの電圧）となって、経時変化等をしている方（破線６５ｅに示す方）が駆動用トランジスタＴＲ３のゲート−ソース間電圧の大きさが大きくなる。
仮に、従来例のように、有機ＥＬ素子４２の経時変化等に起因する電圧ＶＦの変動を全くフィードバックしない構成を採用した場合、実線６３ｅのようであった電流ＩＯＬＥＤは、経時変化等によって破線６７ｅのように減少し、同一のデータ電圧ＤＡＴＡに対する輝度が大きく減少してしまう。ところが、本実施形態においては、上述したように、発光期間移行時におけるノードＮＢの電圧（駆動用トランジスタＴＲ３のゲート電圧）は、電圧（ＶＤＤ−ＣＶ＋ＤＡＴＡ−Ｖｔｈ−ＶＦ）となっていることから、経時変化等があっても電流ＩＯＬＥＤは破線６６ｅのようになり、電流ＩＯＬＥＤの減少分（輝度の減少分）が補償される。
換言すれば、本実施形態においては、電圧ＶＦが基準電圧（図１８の実線２０１における発光開始両極間電圧）より大きいとき、有機ＥＬ素子４２に流れる電流の値が増加するように駆動用トランジスタＴＲ３のゲート電圧が調整される。逆に、電圧ＶＦが上記基準電圧より小さいとき、有機ＥＬ素子４２に流れる電流の値が減少するように駆動用トランジスタＴＲ３のゲート電圧が調整される。この調整は、フレーム毎に行われる。
勿論、電圧プログラム方式を用いているため、有機ＥＬ素子４２の輝度は、駆動用トランジスタＴＲ３の動作閾値電圧（Ｖｔｈ）のばらつきの影響を受けない。
尚、第１、第２実施形態におけるランプ電圧は発光期間において単調減少しているが、
単調増加するように各構成を変形しても構わない。同様に、第４、第５実施形態におけるランプ電圧は発光期間において単調増加しているが、単調減少するように各構成を変形しても構わない。また、ガンマ特性を考慮してこれらのランプ電圧に曲率を付けても構わない。
＜＜第７実施形態＞＞
上述の各実施形態によれば経時変化等に起因する電流ＩＯＬＥＤの減少分が補償されるのであるが、第１、第２及び第６実施形態においては、その補償によって黒が浮いてしまう恐れがある。
図１９は、この黒浮きを説明するための図である。図１９において、横軸はデータドライバー３又は３ｅ（図１、図１３）から供給されるデータ電圧ＤＡＴＡを表し、縦軸は供給されたデータ電圧ＤＡＴＡに対応して流れる電流ＩＯＬＥＤを表している。横軸において、左側が黒の階調に、右側が白の階調に対応している。実線３０１は、初期状態におけるデータ電圧ＤＡＴＡと電流ＩＯＬＥＤの関係を表している。破線３０２は、有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の破線２０２のようになり、且つ上述してきたような電流ＩＯＬＥＤの減少分の補償が行われなかった場合のデータ電圧ＤＡＴＡと電流ＩＯＬＥＤの関係を表している。破線３０３は、その補償が行われた場合のデータ電圧ＤＡＴＡと電流ＩＯＬＥＤの関係を表している。
電圧ＶＦの増加に応じて発光期間におけるノードＮＢの電圧を変動させるということは、データ電圧ＤＡＴＡに電圧ＶＦの増加分を上乗せする（或いは差し引く）ことに相当するため、経時変化等によって実線３０１から破線３０２のように変遷した第１、第２及び第６実施形態におけるデータ電圧ＤＡＴＡと電流ＩＯＬＥＤの関係は、破線３０３のように補正される。
この補正によって経時変化等があっても、白レベルの階調信号に対応したデータ電圧ＤＡＴＡが各画素に書き込まれた場合は、白レベルの階調に対応する電流ＩＯＬＥＤが流れ、輝度の低下が抑えられる。しかしながら、黒レベルの階調信号に対応したデータ電圧ＤＡＴＡが各画素に書き込まれた場合、この補正によって電流ＩＯＬＥＤが初期状態よりも増加してしまう。つまり、黒を表示したいにも拘わらず、比較的大きな電流ＩＯＬＥＤが流れてしまい、所謂黒浮きが発生する。
以下において、このような黒浮きの問題を解決する第７〜第１５実施形態を説明する。まず、本発明を有機ＥＬ表示装置に実施した第７実施形態につき、説明する。
（図２０：全体構成ブロック図）
図２０は、本発明の第７実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の全体的構成を示すブロック図である。有機ＥＬディスプレイ１０ｆは、図２０に示す如く、複数の画素をマトリクス状に配列して構成される表示パネル４ｆに、走査電圧を各画素に供給する走査ドライバー２ｆ、データ電圧を各画素に供給するデータドライバー３ｆ、ランプ電圧発生回路８ｆ、及び制御信号発生回路５ｆを接続して構成されている。図２０の有機ＥＬ表示装置は、ＴＶ受信機（不図示）等の映像ソース（外部の信号源）から供給される映像信号に応じた画像を表示パネル４ｆに表示する。
ＴＶ受信機（不図示）等の映像ソースから供給される映像信号は、映像信号処理回路６へ供給されて、映像表示に必要な信号処理が施され、これによって得られる赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）から成るＲＧＢ３原色の映像信号がルックアップテーブル（以下「ＬＵＴ」という）９を介して有機ＥＬディスプレイ１０ｆのデータドライバー３ｆへ供給される。
ＴＶ受信機（不図示）等の映像ソースから供給される映像信号には、表示パネル（図２０の表示パネル４ｆ、図１の表示パネル４、又は図１３の表示パネル４ｅ若しくは後述する図３７の表示パネル４ｋ）による画像表示のための階調信号が含まれており、映像信号処理回路６が出力するＲＧＢ３原色の映像信号にもまた上記階調信号が含まれている。
上記階調信号は表示パネル（４ｆ、４又は４ｅ若しくは４ｋ）の各画素にて表現されるべき階調を特定するものであり、階調信号を複数ビット（例えば１０ビット）のデジタルデータとすることで、その階調は多段階で表現される。映像信号処理回路６（或いは上記映像ソース）が出力する階調信号のレベルが大きくなればなるほど、対応する階調は高階調側へ向かい、各画素の輝度も大きくなる。映像信号処理回路６（或いは上記映像ソース）が出力する階調信号の最低レベルは明度が最小である黒レベルの階調に対応しており、映像信号処理回路６が出力する階調信号の最大レベルは明度が最大である白レベルの階調に対応している。上記の「映像信号、階調信号、階調及び各画素の輝度等の関係」は、本実施形態だけでなく、本明細書の全ての実施形態において共通する。
映像信号処理回路６から得られる水平同期信号Ｈsync及び垂直同期信号Ｖsyncは、タイミング信号発生回路７ｆへ供給され、これによって得られるタイミング信号が走査ドライバー２ｆ及びデータドライバー３ｆへ供給される。また、このタイミング信号と連動したフィールド信号がＬＵＴ９に供給される。このフィールド信号は、現時点のフィールドが第１のフィールドと第２のフィールドのどちらであるかを特定する信号である。第１のフィールドと第２のフィールドの意味については後述の説明から明らかとなる。
また、タイミング信号発生回路７ｆから得られるタイミング信号はランプ電圧発生回路８ｆにも供給されている。ランプ電圧発生回路８ｆは、このタイミング信号を参照しつつ、有機ＥＬディスプレイ１０ｆの駆動に用いられるランプ電圧ＲＡＭＰ１及びＲＡＭＰ２を生成し、それらのランプ電圧ＲＡＭＰ１及びＲＡＭＰ２を表示パネル４ｆの各画素へ供給する。
更に、タイミング信号発生回路７ｆから得られるタイミング信号は制御信号発生回路５ｆにも供給されている。制御信号発生回路５ｆは、このタイミング信号を参照しつつ、有機ＥＬディスプレイ１０ｆの駆動に用いられる制御信号ＣＴＬ１を生成し、該制御信号ＣＴＬ１を表示パネル４ｆの各画素へ供給する。
また、図２０に示す各回路、各ドライバー及び有機ＥＬディスプレイには電源回路（不図示）が接続されている。
（図２１：画素の説明）
次に、表示パネル４ｆを構成する画素４１ｆの回路構成を、図２１を用いて説明する。図２１において、図２と同一の部品には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。各画素４１ｆを構成する画素回路は、有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）４２と、書込み用トランジスタＴＲ１と、駆動用トランジスタＴＲ３と、調整用トランジスタＴＲ５と、オフ制御用トランジスタＴＲ７と、コンデンサＣ１（第１容量素子）と、コンデンサＣ２（第２容量素子）と、から構成されている。駆動用トランジスタＴＲ３とオフ制御用トランジスタＴＲ７は、同一の半導体基板上に同一製造プロセスにて同時に形成され、しかも同一画素４１ｆ内の互いに近接した位置に形成されている。従って、駆動用トランジスタＴＲ３とオフ制御用トランジスタＴＲ７の夫々の動作閾値電圧は、ほぼ等しく、それらをＶｔｈとする。
オフ制御用トランジスタＴＲ７は、駆動用トランジスタＴＲ３と同じく、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）であるＰチャンネルのＭＯＳトランジスタである。画素４１ｆにおいて、ＮチャンネルのＭＯＳトランジスタをＰチャンネルのＭＯＳトランジスタにする変形は、勿論可能である。
書込み用トランジスタＴＲ１の第１電極（例えばソース）は、所定のタイミングにてデータ電圧ＤＡＴＡが印加され且つ所定の他のタイミングにてリセット電圧ＲＳＴ（このリセット電圧ＲＳＴは、予め電圧値が設定されている）が印加されるデータ電圧ライン４３ａに接続されている。書込み用トランジスタＴＲ１において、第２電極（例えばドレイン）はコンデンサＣ１の一方の電極に接続されている。また、書込み用トランジスタＴＲ１のゲートは、走査電圧ＳＣＡＮが印加される走査電圧ライン４４に接続されている。
コンデンサＣ１のもう一方の電極は、駆動用トランジスタＴＲ３のゲートとオフ制御用トランジスタＴＲ７のドレインに共通接続されている。駆動用トランジスタＴＲ３のソースとオフ制御用トランジスタＴＲ７のソースには、給電ライン４８を介して正側の電源電圧ＶＤＤが印加されている。画素４１ｆにおいて、コンデンサＣ１と書込み用トランジスタＴＲ１の第２電極との接続点、コンデンサＣ１と駆動用トランジスタＴＲ３のゲートとの接続点を、夫々ノードＮＡ、ノードＮＢということにする。
調整用トランジスタＴＲ５において、第１電極（例えばドレイン）は有機ＥＬ素子４２の陽極と駆動用トランジスタＴＲ３のドレインに共通接続され、第２電極（例えばソース）はノードＮＡに接続され、ゲートは制御信号ＣＴＬ１が印加される制御信号ライン４６に接続されている。コンデンサＣ２において、一方の電極はノードＮＡに接続され、他方の電極はランプ電圧ＲＡＭＰ１が供給されるランプ電圧ライン５５に接続されている。オフ制御用トランジスタＴＲ７のゲートはランプ電圧ＲＡＭＰ２が供給されるランプ電圧ライン５６に接続されている。有機ＥＬ素子４２の陰極には負側の電源電圧ＣＶが印加されている。
（図２２；動作の説明）
次に、図２２を用いて第７実施形態の有機ＥＬ表示装置の動作を説明する。図２２は、図２１における各部の電圧及び有機ＥＬ素子４２に流れる電流ＩＯＬＥＤを、１フレーム期間にわたって示したものである。
１画面の表示周期である１フレーム期間（フレーム周波数の逆数）は、第１のフィールドと第２のフィールドの２つのフィールドから構成されている、図２２に示す如く、第１のフィールドはリセット期間ＰＲ１と走査期間ＰＳ１と発光期間ＰＬ１とから構成され、第２のフィールドはリセット期間ＰＲ２と走査期間ＰＳ２と発光期間ＰＬ２とから構成されている。
走査期間ＰＳ１及びＰＳ２は、各走査電圧ライン４４に順次、ハイレベルの走査電圧ＳＣＡＮを印加することにより同一走査電圧ラインに繋がっている複数の書込み用トランジスタＴＲ１をオンとして、データ電圧ＤＡＴＡを各画素（例えば各画素４１ｆ）に書き込むための期間である。発光期間ＰＬ１及びＰＬ２は、走査期間ＰＳ１及びＰＳ２に書き込まれたデータ電圧ＤＡＴＡに応じて各有機ＥＬ素子４２を発光させるための期間である。リセット期間ＰＲ１及びＰＲ２は、駆動用トランジスタ（例えば駆動用トランジスタＴＲ３）の動作閾値電圧（Ｖｔｈ）のばらつき及び／又は有機ＥＬ素子４２の発光開始電極間電圧ＶＦの変動を補償するために設けられた期間である。
リセット期間ＰＲ１及び／又は走査期間ＰＳ１は、発光期間ＰＬ１における各有機ＥＬ素子４２の発光を準備するための期間であることから、第１のフィールドにおける発光準備期間と呼ぶことができる。リセット期間ＰＲ２及び／又は走査期間ＰＳ２は、発光期間ＰＬ２における各有機ＥＬ素子４２の発光を準備するための期間であることから、第２のフィールドにおける発光準備期間と呼ぶことができる。１フレーム期間が上記の如く第１のフィールドと第２のフィールドから構成されていることは、後述する第８〜第１３実施形態及び第１５〜第１７実施形態においても同様である。
第７〜第１２実施形態においては、上記黒浮きの問題を解決するために、第１と第２のフィールドのうち、第１のフィールドにおいてのみ電圧ＶＦの変動に応じた電流ＩＯＬＥＤの補償を行うとともに、階調信号によって特定される階調と電流ＩＯＬＥＤの実効値との関係が第１と第２のフィールドとで異なる関係となるように、ＬＵＴ９が階調信号をフィールドの種類に応じて変更してデータドライバー３ｆに供給している。この手法の具体的な実現法については、後述の説明から明らかとなる。
ｋ番目（ｋ；自然数）のフレーム期間が終了すると、続けて次の（ｋ＋１）番目のフレーム期間におけるリセット期間ＰＲ１、走査期間ＰＳ１、発光期間ＰＬ１、リセット期間ＰＲ２、走査期間ＰＳ２及び発光期間ＰＬ２がこの順番で訪れる。
実線７１ｆは、ランプ発生回路８ｆからランプ電圧ライン５５に供給されるランプ電圧ＲＡＭＰ１の電圧波形を示している。ランプ電圧ＲＡＭＰ１は、各フィールドのリセット期間及び走査期間（即ち、ＰＲ１、ＰＳ１、ＰＲ２及びＰＳ２）において予め設定された初期電圧に固定されているが、各発光期間（即ち、ＰＬ１及びＰＬ２）において予め設定された変化率（例えば、−１Ｖ／１ミリ秒）で単調に低下（単調減少）する。そして、各リセット期間（即ち、ＰＲ１及びＰＲ２）において、ランプ電圧ＲＡＭＰ１の単調減少は停止し、再び上記初期電圧に戻る。
実線７２ｆは、ランプ発生回路８ｆからランプ電圧ライン５６に供給されるランプ電圧ＲＡＭＰ２の電圧波形を示している。ランプ電圧ＲＡＭＰ２は、各リセット期間（即ち、ＰＲ１及びＰＲ２）においてオフ制御用トランジスタＴＲ７をオンとする電圧に固定される一方、各走査期間（即ち、ＰＳ１及びＰＳ２）においてオフ制御用トランジスタＴＲ７をオフとする電圧に固定される。そして、ランプ電圧ＲＡＭＰ２は、各発光期間（即ち、ＰＬ１及びＰＬ２）において予め設定された変化率（例えば、−１Ｖ／１ミリ秒）で単調に低下（単調減少）する。
各発光期間におけるランプ電圧ＲＡＭＰ１及びＲＡＭＰ２の変化率は、例えば同一となっている。また、リセット期間ＰＲ１とＰＲ２の長さは、例えば同一の長さに設定される。走査期間ＰＳ１とＰＳ２の長さも、例えば同一の長さに設定される。発光期間ＰＬ１とＰＬ２の長さも、例えば同一の長さに設定される。勿論、それらを異なる長さに設定しても構わない。
実線６１ｆ、実線６２ｆは、それぞれ有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の実線２０１の場合におけるノードＮＡ、ノードＮＢの電圧波形を示している。実線６３ｆは、有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の実線２０１の場合において、有機ＥＬ素子４２に流れる電流ＩＯＬＥＤの波形を示している。
破線６４ｆ、破線６５ｆは、有機ＥＬ素子４２が経時変化することにより、又は動作周囲温度が低温になることにより有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の破線２０２のようになった場合におけるノードＮＡ、ノードＮＢの電圧波形を示している。破線６６ｆは、同様に、有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の破線２０２のようになった場合において、有機ＥＬ素子４２に流れる電流ＩＯＬＥＤの波形を示している。尚、第２のフィールドにおいて、実線６１ｆと破線６４ｆは同一となって重なっており、実線６２ｆと破線６５ｆも同一となって重なっている。
また、破線６７ｆは、有機ＥＬ素子４２の経時変化等に起因する電圧ＶＦの変動をフィードバックしない場合であって且つ経時変化等によって電流ＩＯＬＥＤが減少した場合の電流ＩＯＬＥＤの波形である。第２のフィールドにおいて、破線６６ｆと破線６７ｆは同一となって重なっている。
以下、ｋ番目のフレーム期間におけるリセット期間ＰＲ１の動作より説明を行う。（ｋ−１）番目の発光期間ＰＬ２（（ｋ−１）番目のフレーム期間における発光期間ＰＬ２）が終了して移行するｋ番目のリセット期間ＰＲ１（ｋ番目のフレーム期間におけるリセット期間ＰＲ１）において、まず走査電圧ＳＣＡＮがローレベルからハイレベルに切り換えられる。この際、データ電圧ライン４３ａにはリセット電圧ＲＳＴが印加されており、ノードＮＡの電圧は該リセット電圧ＲＳＴと等しくなる。このリセット電圧ＲＳＴは、負側の電源電圧ＣＶに電圧ＶＦを加えた電圧よりも十分に高くなるように設定されている。また、上述したように、ランプ電圧ＲＡＭＰ２は、各リセット期間（即ち、ＰＲ１及びＰＲ２）においてオフ制御用トランジスタＴＲ７をオンとする電圧に固定されているため、各リセット期間においてノードＮＢの電圧は正側の電源電圧ＶＤＤと等しくなっている。また、走査電圧ＳＣＡＮがハイレベルとなっている状態では、制御信号ＣＴＬ１はローレベルに固定され調整用トランジスタＴＲ５はオフとなっている。
ノードＮＡの電圧が該リセット電圧ＲＳＴとなってから走査電圧ＳＣＡＮがローレベルに切り換えられ、書込み用トランジスタＴＲ１がオフとなる。続いて、制御信号ＣＴＬ１がローレベルからハイレベルに切り換えられ調整用トランジスタＴＲ５がオンとなる。そうすると、ノードＮＡから調整用トランジスタＴＲ５、有機ＥＬ素子４２を介して電流が電源電圧ＣＶに流れ込む。即ち、（ＣＶ＋ＶＦ）で表される電位より一時的に電位が高くなっているノードＮＡの電荷（正の電荷）の一部が調整用トランジスタＴＲ５及び有機ＥＬ素素子４２を介して抜き取られ、ノードＮＡに加わる電圧は電源電圧ＣＶより電圧ＶＦだけ高い電圧（フィードバック電圧）で安定する。
そして、ノードＮＡの電位が安定する頃に制御信号ＣＴＬ１をローにして調整用トランジスタＴＲ５をオフ（遮断状態）とする。この時、コンデンサＣ１には、電圧（ＶＤＤ−ＣＶ−ＶＦ）、即ち、電圧ＶＦに応じた電圧（保持電圧）が保持されている。また、図１８に示す有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性からも理解されるように、経時変化等のある破線６４ｆにおける電圧ＶＦは、実線６１ｆのそれよりも大きい。
この後、ｋ番目のリセット期間ＰＲ１が終了し、続いてｋ番目の走査期間ＰＳ１（ｋ番目のフレーム期間における走査期間ＰＳ１）に移行する。ｋ番目の走査期間ＰＳ１に移行した時、ノードＮＡ、ノードＮＢの夫々の電位は、ｋ番目のリセット期間ＰＲ１終了時点の夫々の電位が保持されたままとなっている。従って、（破線６４ｆが示すノードＮＡの電圧）＞（実線６１ｆが示すノードＮＡの電圧）となっている。尚、制御信号ＣＴＬ１は、走査期間ＰＳ１、発光期間ＰＬ１、リセット期間ＰＲ２、走査期間ＰＳ２及び発光期間ＰＬ２においてローレベルに維持される。
走査期間ＰＳ１において、ハイレベルの走査電圧ＳＣＡＮが着目している画素４１ｆに加わると、書込み用トランジスタＴＲ１はオンとなる。この時、ノードＮＡの電圧は、データ電圧ライン４３ａに供給されているデータ電圧ＤＡＴＡと等しくなるように上昇し（データ電圧ＤＡＴＡが書き込まれ）、それに伴って、コンデンサＣ１のカップリングによりノードＮＢの電圧も同じ電圧だけ上昇する。この時のノードＮＡとノードＮＢの電圧上昇分は、（ＤＡＴＡ−ＶＦ−ＣＶ）である。従って、ノードＮＢの電圧（駆動用トランジスタＴＲ３のゲート電圧）は、電圧（ＶＤＤ−ＣＶ＋ＤＡＴＡ−ＶＦ）、即ち、データ電圧ＤＡＴＡと電圧ＶＦとに応じた電圧（データ電圧ＤＡＴＡと上記保持電圧に応じた電圧）となる。
ここで、（破線６４ｆにおけるＶＦ）＞（実線６１ｆにおけるＶＦ）なのであるから、データ電圧ＤＡＴＡを書き込んだ後は、（破線６５ｆが示すノードＮＢの電圧）＜（実線６２ｆが示すノードＮＢの電圧）となる。
データ電圧ＤＡＴＡの書込みの後、着目している画素４１ｆに加わる走査電圧ＳＣＡＮはローレベルに戻され、表示パネル４ｆを構成している全ての画素４１ｆにデータ電圧が書き込まれると、走査期間ＰＳ１が終了して発光期間ＰＬ１に移行する。
発光期間ＰＬ１に移行すると、ランプ電圧ＲＡＭＰ１は予め定められた電圧分だけ急激に低下する。発光期間ＰＬ１において実際に有機ＥＬ素子４２が発光する時間の割合を、なるだけ多くするためのである。このランプ電圧ＲＡＭＰ１の急激な低下によって、同じ電圧分だけノードＮＡ、ノードＮＢの夫々の電位も低下する。その後、ランプ電圧ＲＡＭＰ１とＲＡＭＰ２は、上記の如く、予め設定された一定の変化率で直線的に減少する。
ノードＮＢの電圧が、電圧（ＶＤＤ−Ｖｔｈ）以下になると、有機ＥＬ素子４２には電流が流れ始めるのであるが、発光期間ＰＬ１移行時において、（破線６５ｆが示すノードＮＢの電圧）＜（実線６２ｆが示すノードＮＢの電圧）となっているため、破線６５ｆに示す方がより早い段階で発光が始まる。また、発光期間ＰＬ１において有機ＥＬ素子４２に流れ始めた電流は次第に増加していく。そして、ランプ電圧ＲＡＭＰ２が電圧（ＶＤＤ−Ｖｔｈ）以下になると、オフ制御用トランジスタＴＲ７がオンとなってノードＮＢの電圧が正側の電源電圧ＶＤＤまで上昇し、これに伴って駆動用トランジスタＴＲ３がオフとなって有機ＥＬ素子４２の発光は停止する。
この発光の停止の後、発光期間ＰＬ１は終了し第２のフィールドのリセット期間ＰＲ２に移行する。リセット期間ＰＲ２に移行すると、ランプ電圧ＲＡＭＰ１は上記初期電圧に戻され、また走査電圧ＳＣＡＮがハイレベルに切り換えられる。この際、データ電圧ライン４３ａにはリセット電圧ＲＳＴが印加されており、ノードＮＡの電圧は該リセット電圧ＲＳＴと等しくなる。この第２のフィールドのリセット期間ＰＲ２においてデータ電圧ライン４３ａに印加されるリセット電圧ＲＳＴの電圧値は、第１のフィールドのリセット期間ＰＲ１において印加されるそれと異なっており、その電圧値は負側の電源電圧ＣＶに初期状態における電圧ＶＦ（以下、単に「電圧ＶＦ０」という）を加えた電圧とほぼ等しくなるように設定されている。即ち、電圧ＶＦ０は、負側の電源電圧ＣＶに有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の実線２０１の場合における電圧ＶＦを加えた電圧と等しい。
また、上述したように、ランプ電圧ＲＡＭＰ２は、各リセット期間（即ち、ＰＲ１及びＰＲ２）においてオフ制御用トランジスタＴＲ７をオンとする電圧に固定されているため、各リセット期間においてノードＮＢの電圧は正側の電源電圧ＶＤＤと等しくなっている。
ノードＮＡの電圧が該リセット電圧ＲＳＴとなってから、走査電圧ＳＣＡＮがローレベルに切り換えられ書込み用トランジスタＴＲ１がオフとなる。第１のフィールドにおいては、この後に制御信号ＣＴＬ１をハイレベルとして調整用トランジスタＴＲ５をオンにするのであるが、第２のフィールドにおいては調整用トランジスタＴＲ５はオフに維持される。つまり、電圧ＶＦに応じた電圧（フィードバック電圧）をコンデンサＣ１に伝達しない。
リセット期間ＰＲ２に続く走査期間ＰＳ２において、ハイレベルの走査電圧ＳＣＡＮが着目している画素４１ｆに加わると、書込み用トランジスタＴＲ１はオンとなる。この時、ノードＮＡの電圧は、データ電圧ライン４３ａに供給されているデータ電圧ＤＡＴＡと等しくなるように上昇し（データ電圧ＤＡＴＡが書き込まれ）、それに伴って、コンデンサＣ１のカップリングによりノードＮＢの電圧も同じ電圧だけ上昇する。尚、詳細は後述するが、第２のフィールドにおいて各画素に書き込まれるデータ電圧ＤＡＴＡは、第１のフィールドにおけるそれと原則として異なる。
データ電圧ＤＡＴＡの書込みの後、着目している画素４１ｆに加わる走査電圧ＳＣＡＮはローレベルに戻され、表示パネル４ｆを構成している全ての画素４１ｆにデータ電圧が書き込まれると、走査期間ＰＳ２が終了して発光期間ＰＬ２に移行する。
発光期間ＰＬ２に移行すると、ランプ電圧ＲＡＭＰ１は予め定められた電圧分だけ急激に低下する。発光期間ＰＬ２において実際に有機ＥＬ素子４２が発光する時間の割合を、なるだけ多くするためのである。このランプ電圧ＲＡＭＰ１の急激な低下によって、同じ電圧分だけノードＮＡ、ノードＮＢの夫々の電位も低下する。その後、ランプ電圧ＲＡＭＰ１とＲＡＭＰ２は、上記の如く、予め設定された一定の変化率で直線的に減少する。
ノードＮＢの電圧が、電圧（ＶＤＤ−Ｖｔｈ）以下になると、有機ＥＬ素子４２には電流が流れ始め、この電流は発光期間ＰＬ２において次第に増加していく。そして、ランプ電圧ＲＡＭＰ２が電圧（ＶＤＤ−Ｖｔｈ）以下になると、オフ制御用トランジスタＴＲ７がオンとなってノードＮＢの電圧が正側の電源電圧ＶＤＤまで上昇し、これに伴って駆動用トランジスタＴＲ３がオフとなって有機ＥＬ素子４２の発光は停止する。この発光の停止の後、発光期間ＰＬ２は終了して（ｋ＋１）番目のリセット期間ＰＲ１に移行し、上述と同様の動作が繰り返される。
また、駆動用トランジスタＴＲ３とオフ制御用トランジスタＴＲ７の夫々の動作閾値電圧（Ｖｔｈ）は、上述の如く略等しいため、製造ばらつきによって駆動用トランジスタＴＲ３がオンする時点がずれたとしても、その後にオフ制御用トランジスタＴＲ７が駆動用トランジスタＴＲ３をオフとする時点も同じだけ同じ方向にずれることになる。
従って、駆動用トランジスタＴＲ３がオンしてからオフ制御用トランジスタＴＲ７が駆動用トランジスタＴＲ３をオフとするまでの時間は、両トランジスタＴＲ３、ＴＲ７の動作閾値電圧のばらつきに拘わらず、正確にデータ電圧に応じた時間となる。このように、階調は基本的にデータ電圧ＤＡＴＡに応じて変化する有機ＥＬ素子４２の発光時間によって変調される。
（図２３、図２４；ＬＵＴの機能）
上述の如く、第１のフィールドにおいてのみ電圧ＶＦの変動に応じた電流ＩＯＬＥＤの補償を行っているが、上述の黒浮きの問題を解消するために、第１と第２のフィールドにおいて書き込まれるデータ電圧ＤＡＴＡを（原則として）異ならせている。このことを、図２３及び図２４等を用いて説明する。尚、以下の図２３〜図２７を用いて説明するＬＵＴ９等の構成及び動作は、後述する第８〜第１２実施形態及び第１５〜第１７実施形態の何れにも適用される。
図２３及び図２４において、横軸は映像信号処理回路６（或いは上記映像ソース）が出力する階調信号によって特定される階調を表しており、それらの図の右側が高階調側に対応している。明度が最小となる黒レベルの階調をｔＢ、明度が最大となる白レベルの階調をｔＷで表す。また、縦軸は電流ＩＯＬＥＤの実効値を表している。
破線４００は、階調と電流ＩＯＬＥＤの実効値との理想的な関係を表す曲線であり、本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置が目指すべき階調と電流ＩＯＬＥＤの実効値との関係を表す曲線である。実線４０１は、有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の実線２０１の場合における第１のフィールドの階調と電流ＩＯＬＥＤの実効値との関係を表している。実線４０２は、有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の実線２０１の場合における第２のフィールドの階調と電流ＩＯＬＥＤの実効値との関係を表している。
白レベルの階調ｔＷにおいて破線４００と実線４０１と実線４０２は交差しており、その階調ｔＷに対応する電流ＩＯＬＥＤの実効値は、破線４００と実線４０１と実線４０２において全てＩＷとなる。黒レベルの階調ｔＢにおいて破線４００と実線４０２は交差しており、その階調ｔＢに対応する電流ＩＯＬＥＤの実効値は、破線４００と実線４０２においてＩＢとなる。
階調ｔＢと階調ｔＷの間の中間階調において、破線４００と実線４０１と実線４０２は互いに交差しない。例えば、或る階調ｔＡに対応する電流ＩＯＬＥＤの実効値は、破線４００、実線４０１、実線４０２において、夫々ＩＡ、ＩＡ１、ＩＡ２となっており、それらの間には不等式 “ＩＡ１＜ＩＡ＜ＩＡ２”が成立する。また、黒レベルの階調ｔＢと或る特定の中間階調ｔ０の間の階調において、第１のフィールドの電流ＩＯＬＥＤの実効値はＩＢ（略ＩＢ）となっている。階調が中間階調ｔ０から白レベルの階調ｔＷに向かうにつれて、実線４０１で表される電流ＩＯＬＥＤの実効値は指数関数状に増加し、ＩＷに至る。
また、全ての階調において等式 “ＩＡ＝（ＩＡ１＋ＩＡ２）／２”が満足するように、各フィールドにおける階調と電流ＩＯＬＥＤの実効値との関係は定められている。即ち、全ての階調において第１のフィールドの電流ＩＯＬＥＤの実効値と第２のフィールドの電流ＩＯＬＥＤの実効値の平均値は、破線４００で表される曲線上にのる。ＩＡは、受けた階調信号に対応して流すべき電流ＩＯＬＥＤの実効値の基準となる値であり、基準電流値と呼べる。
上述のような階調と電流ＩＯＬＥＤの実効値との関係を満足するように、ＬＵＴ９は階調信号をフィールドの種類に応じて変更してデータドライバー３ｆに供給している。或る１つの画素に着目した具体例を以って、このことを説明する。例えば、ＬＵＴ９が受けた階調信号によって特定される階調が階調ｔＡである場合、有機ＥＬ素子４２に流れる電流ＩＯＬＥＤの実効値が第１のフィールドの発光期間ＰＬ１及び第２のフィールドの発光期間ＰＬ２において夫々ＩＡ１及びＩＡ２となるように、ＬＵＴ９は、第１のフィールドおいては第１の変換階調信号（第１の補正階調信号）をデータドライバー３ｆに供給する一方、第２のフィールドおいては第２の変換階調信号（第２の補正階調信号）をデータドライバー３ｆに供給する。供給された階調信号をどのような第１の変換階調信号と第２の変換階調信号に変換するかは、予め定められている。
第１の変換階調信号を受けたデータドライバー３ｆは、第１のフィールドの走査期間ＰＳ１において画素に供給するデータ電圧ＤＡＴＡを第１の変換階調信号に応じた第１のデータ電圧に決定する。この第１のデータ電圧が書き込まれた画素における電流ＩＯＬＥＤの実効値は、ＩＡ１となる。同様に、第２の変換階調信号を受けたデータドライバー３ｆは、第２のフィールドの走査期間ＰＳ２において画素に供給するデータ電圧ＤＡＴＡを第２の変換階調信号に応じた第２のデータ電圧に決定する。この第２のデータ電圧が書き込まれた画素における電流ＩＯＬＥＤの実効値は、ＩＡ２となる。
そして今、有機ＥＬ素子４２の経時変化等によって電圧ＶＦが増加した場合を考える（図２４を参照）。有機ＥＬ素子４２の経時変化等に起因する電圧ＶＦの変動を全くフィードバックしない場合、実線４０１で表される階調と電流ＩＯＬＥＤの実効値との関係は経時変化等によって破線４５０のようになるのであるが、第１のフィールドにおいて該変動はフィードバックされるため、第１のフィールドにおける階調と電流ＩＯＬＥＤの実効値との関係は、経時変化等によって実線４０１から実線４１１のように変化する。即ち、電圧ＶＦが増加した場合、同一の階調に対応して流れる電流ＩＯＬＥＤの実効値は第１のフィールドにおいて増加する。
一方、第２のフィールドにおいては、電圧ＶＦの変動はフィードバックされないため、第２のフィールドにおける階調と電流ＩＯＬＥＤの実効値との関係は、経時変化等によって実線４０２から実線４１２のように変化する。即ち、電圧ＶＦが増加した場合、同一の階調に対応して流れる電流ＩＯＬＥＤの実効値は第２のフィールドにおいて減少する。
例えば、階調ｔＡに対応する電流ＩＯＬＥＤの実効値は、実線４１１、実線４１２において夫々ＩＡ１１、ＩＡ１２となっており、それらは上記のＩＡ１及びＩＡ２との関係において不等式“ＩＡ１＜ＩＡ１１”及び“ＩＡ２＞ＩＡ１２”を満足する。また、全ての階調においてＩＡ１１とＩＡ１２の平均値がなるだけＩＡに等しくなるように、有機ＥＬ素子４２の経時変化特性等に応じつつ、ＬＵＴ９を構成すればよい（受けた階調信号を適切な上記第１の変換階調信号及び第２の変換階調信号に変換すればよい）。
有機ＥＬ素子４２の経時変化等によって電圧ＶＦが増加した場合、比較的高い階調側における電流ＩＯＬＥＤの実効値の減少分は、第１のフィールドにおける電圧ＶＦの変動のフィードバックにより適切に補償される。一方において、第１のフィールドにおける電流ＩＯＬＥＤの実効値は、中間階調ｔ０から指数関数状に立ち上がるため、第１のフィールドにおいて電圧ＶＦの変動のフィードバックを行っても、図１９の破線３０３で表されるような黒浮きは発生しない。
（図２５、図２６；フィードバック量の低減）
また、図２３及び図２４で表される階調と電流ＩＯＬＥＤの実効値との関係では電圧ＶＦの変動のフィードバックによって補正される電流ＩＯＬＥＤの量が大きすぎる場合、即ち、電圧ＶＦの変動に応じたフィードバックが大きすぎる場合は、図２３及び図２４で表される階調と電流ＩＯＬＥＤの実効値との関係に代えて、図２５及び図２６で表される階調と電流ＩＯＬＥＤの実効値との関係が実現されるように、ＬＵＴ９を変形しても構わない（以下、この変形を「変形例１」という）。
図２５及び図２６において、図２３及び図２４と同一の実線及び破線には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また、図２５及び図２６において、図２３及び図２４と同一の記号（ｔＷなど）には同一の記号を付し、重複する説明を省略する。図２５及び図２６において、横軸は映像信号処理回路６（或いは上記映像ソース）が出力する階調信号によって特定される階調を表しており、それらの図の右側が高階調側に対応している。また、縦軸は電流ＩＯＬＥＤの実効値を表している。
実線４０１ａは、実線４０１を変形したものであり、有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の実線２０１の場合における第１のフィールドの階調と電流ＩＯＬＥＤの実効値との関係を表している。実線４０２ａは、実線４０２を変形したものであり、有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の実線２０１の場合における第２のフィールドの階調と電流ＩＯＬＥＤの実効値との関係を表している。
実線４０１ａで表される電流ＩＯＬＥＤの実効値は、全て階調において実線４０１で表されるそれよりも小さく設定されている一方で、実線４０２ａで表される電流ＩＯＬＥＤの実効値は、全て階調において実線４０２で表されるそれよりも大きく設定されている。また、全ての階調において第１のフィールドの電流ＩＯＬＥＤの実効値と第２のフィールドの電流ＩＯＬＥＤの実効値の平均値は、破線４００で表される曲線上にのる。
有機ＥＬ素子４２の経時変化等に起因する電圧ＶＦの変動を全くフィードバックしない場合、実線４０１ａで表される階調と電流ＩＯＬＥＤの実効値との関係は経時変化等によって破線４５０ａのようになるのであるが、第１のフィールドにおいて該変動はフィードバックされるため、第１のフィールドにおける階調と電流ＩＯＬＥＤの実効値との関係は、経時変化等によって実線４０１ａから実線４１１ａのように変化する。
一方、第２のフィールドにおいて電圧ＶＦの変動はフィードバックされないため、第２のフィールドにおける階調と電流ＩＯＬＥＤの実効値との関係は、経時変化等によって実線４０２ａから実線４１２ａのように変化する。また、全ての階調において第１のフィールドの電流ＩＯＬＥＤの実効値と第２のフィールドの電流ＩＯＬＥＤの実効値の平均値が、経時変化後も破線４００で表される曲線上にのるように、有機ＥＬ素子４２の経時変化特性等に応じつつ、ＬＵＴ９を構成すればよい（受けた階調信号を適切な上記第１の変換階調信号及び第２の変換階調信号に変換すればよい）。
上記変形例１を採用すれば、電圧ＶＦの変動のフィードバックによって補正される電流ＩＯＬＥＤの量が、減少する方向に向かう。
（過補正）
また、白レベルの階調の表示を行う際における駆動用トランジスタＴＲ３（又は後述するＴＲ２３）と有機ＥＬ素子４２の動作点を、駆動用トランジスタＴＲ３のＶｄｓ−Ｉｄ特性の線形領域内に設定した場合、図１８に示す如く、電圧ＶＦの変動に起因した電流ＩＯＬＥＤの低下に伴う輝度の低下が生じうるが、輝度の低下は、それ以外にも有機ＥＬ素子４２の発光効率の低下（発光材料の特性劣化）に起因しても生じる。
この発光効率の低下に起因する輝度の低下を補償するべく、全ての階調或いは一部の階調において、不等式 “ＩＡ＜（ＩＡ１１＋ＩＡ１２）／２” （図２４参照）が成立するようにＬＵＴ９（及びデータドライバー３ｆ）やランプ電圧発生回路８ｆを構成してもよい。概念的には、図２４における実線４１１を、図中において更に左側にシフトさせる。つまり、経時変化又は動作周囲温度の低温化に起因して電圧ＶＦの増加が生じたとき、同一の階調信号に対応して流れる電流ＩＯＬＥＤの実効値が電圧ＶＦの増加前よりも大きくなるように、ＬＵＴ９（及びデータドライバー３ｆ）やランプ電圧発生回路８ｆを構成するのである。これを、便宜上「過補正」と呼ぶ。
例えば、初期状態における電圧ＶＦ（即ちＶＦ０）が２．０Ｖであり、その初期状態において或る階調信号に対応して流れる電流ＩＯＬＥＤの実効値（フレーム全体の実効値）を１とした場合、電圧ＶＦが２．２Ｖとなったならば、その同一の階調信号に対応して流れる電流ＩＯＬＥＤの実効値（フレーム全体の実効値）が１．１となるようにする（但し周囲温度一定の条件下）。
上記過補正は、電圧ＶＦの増加に応じた発光期間ＰＬ１における電流ＩＯＬＥＤの増加量を、適切に大きくすることで実現される。つまり、電圧ＶＦの変動に対して発光期間ＰＬ１における電流ＩＯＬＥＤの量が敏感に増減するように構成すればよい。例えば、発光期間（特に発光期間ＰＬ１）におけるランプ電圧（ＲＡＭＰ１及びＲＡＭＰ２）の変化率とデータ電圧ＤＡＴＡと電圧ＶＦとの関係を適切に設定することにより、上記過補正は実現可能である。例えば、図２２の波形図おいて、ランプ電圧（ＲＡＭＰ１及びＲＡＭＰ２）の変化率を比較的緩やかにすれば、電圧ＶＦの増加は、発光期間ＰＬ１における電流ＩＯＬＥＤの量の増加に比較的大きく影響する。また、電流ＩＯＬＥＤの全体の電流量に対する第１のフィールドの電流量の割合を比較的大きくする（増加させる）ことによっても、上記過補正は実現可能である。電圧ＶＦの変動に応じたフィードバックによって補正される電流ＩＯＬＥＤの量が比較的大きくなる（増加する）からである。また、過補正を行うと全体の電流（消費電力）が経時的に徐々に増加するが、全体の電流を観測して映像信号の振幅を小さくしたり、第２のフィールドにおけるリセット電圧ＲＳＴを低くしたりすることにより、全体の電流（消費電力）が経時的に変化しないようにしても良い。
図２２を参照して考えた場合（電流ＩＯＬＥＤの波形参照）、過補正は、第１のフィールドにおける破線６６ｆで表される電流ＩＯＬＥＤの量と第２のフィールドにおける破線６７ｆで表される電流ＩＯＬＥＤの量との和が、第１と第２のフィールドにおける実線６３ｆで表される電流ＩＯＬＥＤの総量よりも大きくなることに相当する。
このような過補正は、焼付き補償に有効である。このことについて、説明を加える。例えば、或る特定の画素（以下「試験画素」という）だけ白レベルで発光させると共に他の全ての画素を黒レベルとした状態を長時間維持する試験を行ったとする。この場合、その試験画素だけ累積発光量が他の画素と比べて多くなるため、電圧ＶＦの増加が大きくなると共に有機ＥＬ素子の発光効率の低下も他と比べて大きくなる。
電圧ＶＦの増加が他の画素におけるそれらと比較して大きくなったとしても、上述してきた電圧ＶＦの変動のフィードバックにより、その影響はキャンセルされる。しかしながら、電圧ＶＦの減少に起因した電流ＩＯＬＥＤの減少分を単に補償するだけでは、焼付きは残ってしまう。なぜなら、上記の試験後、全ての画素に同一の階調信号を与えても、発光効率の低下の相違に起因して、試験画素だけ輝度が小さくなるからである（これを一般に「焼付き」という）。
このような場合に過補正が行われるようにしておけば、発光効率の低下に起因した輝度の低下もが補償されるように試験画素の電流ＩＯＬＥＤが増加する。つまり、焼付きがより有効に補償される。
また、過補正を行う場合であっても、黒レベルの階調ｔＢと或る特定の中間階調ｔ０の間の階調において、第１のフィールドの電流ＩＯＬＥＤの実効値は、ＩＢ（略ＩＢ）となっている。そして、第１のフィールドにおける電流ＩＯＬＥＤの実効値は、中間階調ｔ０から指数関数状に立ち上がるようにしているため、黒浮きは発生しない。
白レベルの階調の表示を行う際における駆動用トランジスタＴＲ３（又は後述するＴＲ２３）と有機ＥＬ素子４２の動作点を、駆動用トランジスタＴＲ３（又は後述するＴＲ２３）のＶｄｓ−Ｉｄ特性の線形領域内に設定した場合において有効な上記過補正は、後述する第８〜第１３実施形態及び第１５〜第１７実施形態において同様の説明は繰り返さないが、第８〜第１３実施形態及び第１５〜第１７実施形態にも適用可能である。
また、上記過補正は、上述した第１〜第６実施形態及び第１４実施形態にも適用可能である（なぜなら、第１〜第６実施形態及び第１４実施形態においても電圧ＶＦの変動がコンデンサＣ１に伝達されるため）。つまり、経時変化又は動作周囲温度の低温化に起因して電圧ＶＦの増加が生じたとき、同一の階調信号に対応して流れる電流ＩＯＬＥＤの実効値が電圧ＶＦの増加前よりも大きくなるように、データドライバー３（又はデータドライバー３ｅ）やランプ電圧発生回路８を構成してもよい（図１及び図１３参照）。第１〜第６実施形態及び第１４実施形態に上記過補正を適用する場合、電圧ＶＦの増加に応じた発光期間における電流ＩＯＬＥＤの増加量を、適切に大きくすればよい（例えば図３参照）。例えば、図３の波形図において、ランプ電圧ＲＡＭＰの変化率を比較的緩やかにすれば、電圧ＶＦの増加は、発光期間における電流ＩＯＬＥＤの実効値の増加に比較的大きく影響する。図３を参照して考えた場合（電流ＩＯＬＥＤの波形参照）、過補正は、破線６６で表される電流ＩＯＬＥＤの量が、実線６３で表される電流ＩＯＬＥＤの量よりも大きくなることに相当する。
また、図２７の一点鎖線４６０に示す如く、電流ＩＯＬＥＤの実効値が、黒レベルの階調ｔＢから中間階調ｔ１まで指数関数状に立ち上がる一方で、中間階調ｔ１から白レベルの階調ｔＷまで直線的に増加するような場合（そのような特性の表示パネル４ｆを採用する場合）、第１のフィールドでは、その指数関数状の特性を有する部分だけを利用して各画素の発光を制御するようにすればよい。これは、後述する第７〜第１２実施形態及び第１５〜第１７実施形態においても同様である。
電圧ＶＦの増加分をフィードバックするということは、データ電圧ＤＡＴＡにその増加分を上乗せする（或いは差し引く）ことに相当し、階調と電流ＩＯＬＥＤの実効値との関係を表す曲線を左側にシフトさせることに相当する。シフトされる曲線が指数関数状であれば、フィードバックによって高階調側は比較的多くの電流が増加する一方で低階調側は殆ど電流が増加しないため、黒が浮く（低階調側が浮く）といった問題は生じない。尚、第２のフィールドにおいては、一点鎖線４６０の指数関数状の部分と直線状の部分の両方を利用することができる。第２のフィールドにおいては、電圧ＶＦの増加分のフィードバックは行われないため、そもそも黒浮きとは無関係だからである。
また、駆動用トランジスタＴＲ３（又は後述するＴＲ２３）と有機ＥＬ素子４２の動作点を、駆動用トランジスタＴＲ３のＶｄｓ−Ｉｄ特性の飽和領域内に設定するようにしてもよい。厳密には、例えば、白レベルの階調に対応する駆動用トランジスタＴＲ３（又は後述するＴＲ２３）と有機ＥＬ素子４２の動作点を、駆動用トランジスタＴＲ３のＶｄｓ−Ｉｄ特性の飽和領域内に設定するようにしてもよい。
その動作点を該Ｖｄｓ−Ｉｄ特性の飽和領域内における高電圧側（Ｖｄｓの高電圧側）に設定した場合、電圧ＶＦの増加に起因した電流ＩＯＬＥＤの減少はなくなるのであるが、発光効率の低下の相違に起因した焼付きの問題が残る。しかしながら、本実施形態のように構成すれば、電圧ＶＦの増加分がデータ電圧に上乗せされる形になるため、発光効率の低下の相違に起因した焼付きは抑制されることになる。このような事情は上述した第１〜第６実施形態や後述する第８〜第１３実施形態においても同様である。即ち、本発明は、駆動用トランジスタを飽和領域にて用いた場合でも、焼付き対策として有用である。
＜＜第８実施形態＞＞
次に、本発明を有機ＥＬ表示装置に実施した第８実施形態につき、説明する。本発明の第８実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の全体的構成は、図２０におけるものと同様であるため、図示を省略する。有機ＥＬ表示装置を構成する各部位は、以下の本実施形態における動作を実現できるように変形される。
まず、表示パネル４ｆは、図２８に示す画素回路を有した画素４１ｇから構成されるように変形される。図２８において、図２１と同一の部分には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
画素４１ｇの回路構成を説明する。各画素４１ｇを構成する画素回路は、有機ＥＬ素子４２と、書込み用トランジスタＴＲ１と、駆動用トランジスタＴＲ２３と、調整用トランジスタＴＲ３５と、クリップ用トランジスタＴＲ８と、コンデンサＣ１（第１容量素子）と、から構成されている。駆動用トランジスタＴＲ２３と調整用トランジスタＴＲ３５は、同一の半導体基板上に同一製造プロセスにて同時に形成され、しかも同一画素４１ｇ内の互いに近接した位置に形成されている。従って、駆動用トランジスタＴＲ２３と調整用トランジスタＴＲ３５の夫々の動作閾値電圧は、ほぼ等しく、それらをＶｔｈとする。また、駆動用トランジスタＴＲ２３、調整用トランジスタＴＲ３５及びクリップ用トランジスタＴＲ８は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）であるＮチャンネルのＭＯＳトランジスタである。
書込み用トランジスタＴＲ１の第１電極（例えばソース）は、データドライバー３ｆからのデータ電圧ＤＡＴＡとランプ電圧発生回路８ｆからのランプ電圧ＲＡＭＰ１の何れかが印加されるデータ電圧ライン４３ｇに接続されている。書込み用トランジスタＴＲ１において、第２電極（例えばドレイン）はコンデンサＣ１の一方の電極に接続されている。また、書込み用トランジスタＴＲ１のゲートは、走査電圧ＳＣＡＮが印加される走査電圧ライン４４に接続されている。
コンデンサＣ１のもう一方の電極は、駆動用トランジスタＴＲ２３のゲートと調整用トランジスタＴＲ３５のドレインとクリップ用トランジスタＴＲ８のドレインに共通接続されている。駆動用トランジスタＴＲ２３のドレインには給電ライン４８を介して正側の電源電圧ＶＤＤが印加されている。
調整用トランジスタＴＲ３５において、ソースは有機ＥＬ素子４２の陽極と駆動用トランジスタＴＲ２３のソースに共通接続され、ゲートはランプ電圧発生回路８ｆからのランプ電圧ＲＡＭＰ２が印加されるランプ電圧ライン５６に接続されている。画素４１ｇにおいて、コンデンサＣ１と書込み用トランジスタＴＲ１の第２電極との接続点、コンデンサＣ１と駆動用トランジスタＴＲ２３のゲートとの接続点及び調整用トランジスタＴＲ３５のソースと有機ＥＬ素子４２の陽極との接続点を、夫々ノードＮＡ、ノードＮＢ及びノードＮＣということにする。
クリップ用トランジスタＴＲ８のソースには、負側の電源電圧ＣＶよりも高く且つ正側の電源電圧ＶＤＤよりも低い電源電圧ＶＳＳが印加されている。また、クリップ用トランジスタＴＲ８のゲートには、制御信号ＣＴＬ１が印加される制御信号ライン４６に接続されている。有機ＥＬ素子４２の陰極には負側の電源電圧ＣＶが印加されている。
図２９を用いて第８実施形態の有機ＥＬ表示装置の動作を説明する。図２９は、図２８における各部の電圧及び有機ＥＬ素子４２に流れる電流ＩＯＬＥＤを、１フレーム期間にわたって示したものである。１画面の表示周期である１フレーム期間（フレーム周波数の逆数）は、第１のフィールドと第２のフィールドの２つのフィールドから構成されている。第７実施形態と同様、第１のフィールドはリセット期間ＰＲ１と走査期間ＰＳ１と発光期間ＰＬ１とから構成され、第２のフィールドはリセット期間ＰＲ２と走査期間ＰＳ２と発光期間ＰＬ２とから構成されている。
本実施形態においても、上記黒浮きの問題を解決するために、第１と第２のフィールドのうち、第１のフィールドにおいてのみ、電圧ＶＦの変動に応じた電流ＩＯＬＥＤの補償を行い、階調信号によって特定される階調と電流ＩＯＬＥＤの実効値との関係が第７実施形態におけるもの（図２３〜図２７）と同様となるように、ＬＵＴ９が階調信号を第１のフィールドに対応する第１の変換階調信号と第２のフィールドに対応する第２の変換階調信号とに変換してデータドライバー３ｆに供給している。このため、第７実施形態と同様の効果を奏することができる。
実線７２ｇは、ランプ発生回路８ｆからランプ電圧ライン５６に供給されるランプ電圧ＲＡＭＰ２の電圧波形を示している。ランプ電圧ＲＡＭＰ２は、各フィールドの発光期間（即ち、ＰＬ１及びＰＬ２）において予め設定された変化率（例えば、１Ｖ／１ミリ秒）で単調に増加（単調増加）する。そして、各リセット期間（即ち、ＰＲ１及びＰＲ２）において、ランプ電圧ＲＡＭＰ２の単調増加は停止し、予め定められた初期電圧まで低下する。
また、各フィールドの発光期間において、データ電圧ライン４３ｇにランプ電圧ＲＡＭＰ１が供給される。ランプ電圧ＲＡＭＰ１は、各フィールドの発光期間において予め設定された変化率（例えば、１Ｖ／１ミリ秒）で単調に増加（単調増加）する。そして、各リセット期間において、ランプ電圧ＲＡＭＰ１の単調増加は停止し、予め定められた初期電圧まで低下する。各発光期間におけるランプ電圧ＲＡＭＰ１及びＲＡＭＰ２の変化率は、例えば同一となっている。リセット期間ＰＲ１及びＰＲ２並びに発光期間ＰＬ１及びＰＬ２においてはランプ電圧ＲＡＭＰ１がデータ電圧ライン４３ｇに供給され、走査期間ＰＳ１及びＰＳ２においてはデータ電圧ＤＡＴＡがデータ電圧ライン４３ｇに供給される。
実線６２ｇ、実線８１ｇは、それぞれ有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の実線２０１の場合におけるノードＮＢ、ノードＮＣの電圧波形を示している。実線６３ｇは、有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の実線２０１の場合において、有機ＥＬ素子４２に流れる電流ＩＯＬＥＤの波形を示している。また、実線６１ｇはノードＮＡの電圧波形を示している。
破線６５ｇ、破線８４ｇは、有機ＥＬ素子４２が経時変化することにより、又は動作周囲温度が低温になることにより有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の破線２０２のようになった場合におけるノードＮＢ、ノードＮＣの電圧波形を示している。破線６６ｇは、同様に、有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の破線２０２のようになった場合において、有機ＥＬ素子４２に流れる電流ＩＯＬＥＤの波形を示している。
第２のフィールドの走査期間ＰＳ２及び発光期間ＰＬ２において、実線８１ｇと破線８４ｇは同一となって重なっており、実線６２ｇと破線６５ｇも同一となって重なっている。また第１のフィールドの走査期間ＰＳ１において、実線８１ｇと実線６２ｇは同一となって重なっており、破線８４ｇと破線６５ｇは同一となって重なっている（ノードＮＢ及びＮＣの電圧は一致している）。
また、破線６７ｇは、有機ＥＬ素子４２の経時変化等に起因する電圧ＶＦの変動をフィードバックしない場合であって且つ経時変化等によって電流ＩＯＬＥＤが減少した場合の電流ＩＯＬＥＤの波形である。第２のフィールドにおいて、破線６６ｇと破線６７ｇは同一となって重なっている。
以下、ｋ番目のフレーム期間におけるリセット期間ＰＲ１の動作より説明を行う。走査電圧ＳＣＡＮは、（ｋ−１）番目の発光期間ＰＬ２から継続してｋ番目のリセット期間ＰＲ１においてもハイレベルとなっており、書込み用トランジスタＴＲ１はオンとなっている。また、リセット期間ＰＲ１において、ランプ電圧ＲＡＭＰ２は調整用トランジスタＴＲ３５をオフに維持するような電圧に固定されている。
また、リセット期間ＰＲ１の当初において、データ電圧ライン４３ｇには比較的高い電圧（ランプ電圧ＲＡＭＰ１）が加えられており、リセット期間ＰＲ１の途中で該電圧は急激に低下する。このため、ノードＮＡの電圧も急激に低下する。ここで、ランプ電圧ＲＡＭＰ１の上記低下によって得られるノードＮＡの電圧は、走査期間ＰＳ１においてノードＮＢ及びＮＣの電圧が電圧ＶＦと等しくなることを許容する程度に十分に低くなっている。
ノードＮＡの電圧の急激な低下はコンデンサＣ１を介してノードＮＢに伝達されるが、この伝達が行われる際には、制御電圧ＣＴＬ１がハイレベルとなってクリップ用トランジスタＴＲ８がオンとなっている。このため、ノードＮＢの電圧は電源電圧ＶＳＳとなる。ランプ電圧ＲＡＭＰ１の低下が終わると、制御信号ＣＴＬ１はローレベルとなってクリップ用トランジスタＴＲ８はオフとされ、続いて走査電圧ＳＣＡＮもローレベルとされた後、走査期間ＰＳ１に移行する。また、クリップ用トランジスタＴＲ８は、走査期間ＰＳ１及び発光期間ＰＬ１においてオフに維持される。
走査期間ＰＳ１において、ランプ電圧ＲＡＭＰ２は調整用トランジスタＴＲ３５をオンとするような比較的高い電圧に固定される（実線７２ｇ参照）。このため、走査期間ＰＳ１において、ノードＮＢとノードＮＣの電圧は一致している。また、走査期間ＰＳ１において、データ電圧ライン４３ｇにはデータドライバー３ｆからのデータ電圧ＤＡＴＡが供給されている。
ハイレベルの走査電圧が線順次で各走査ラインに加わり、ハイレベルの走査電圧ＳＣＡＮが着目している画素４１ｇに加わると、書込み用トランジスタＴＲ１はオンとなる。そうすると、ノードＮＡの電圧は、データ電圧ライン４３ｇに供給されているデータ電圧ＤＡＴＡと等しくなるように上昇し（データ電圧ＤＡＴＡが書き込まれ）、それに伴って、コンデンサＣ１のカップリングによりノードＮＢの電圧も同じ電圧だけ上昇しようとする。しかしながら、調整用トランジスタＴＲ３５がオンとなっているため、ノードＮＢの正の電荷が調整用トランジスタＴＲ３５及び有機ＥＬ素子４２を介して抜き取られ、ノードＮＢ及びノードＮＣの電圧は電源電圧ＣＶより電圧ＶＦだけ高い電圧（フィードバック電圧）で安定する。尚、“（ＣＶ＋ＶＦ）＞ＶＳＳ”の関係が成立する。この時点で、コンデンサＣ１には、電圧（ＤＡＴＡ−ＣＶ−ＶＦ）、即ち、電圧ＶＦとデータ電圧ＤＡＴＡとに応じた電圧（保持電圧）が保持されている。また、図１８に示す有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性からも理解されるように、経時変化等のある破線６５ｇにおける電圧ＶＦは、実線６２ｇのそれよりも大きい。
ランプ電圧ＲＡＭＰ２は（ＣＶ＋ＶＦ）よりも低い電圧まで下げられ、調整用トランジスタＴＲ３５はオフとされる。発光期間ＰＬ１においては、ランプ電圧ＲＡＭＰ１がデータ電圧ライン４３ｇに供給されており、発光期間ＰＬ１への移行と同時に全画素の走査電圧ＳＣＡＮがハイレベルとされることから、ノードＮＡの電圧はランプ電圧ＲＡＭＰ１と一致する。尚、走査電圧ＳＣＡＮのハイレベルは、リセット期間ＰＲ２の終了時点まで維持される。
発光期間ＰＬ１に移行すると、データ電圧ライン４３ｇにデータ電圧ＤＡＴＡに代わってランプ電圧ＲＡＭＰ１が印加されることにより、或いはデータ電圧ライン４３ｇに印加されているランプ電圧ＲＡＭＰ１が予め定められた電圧分だけ急激に上昇することにより、ノードＮＡの電圧が急激に上昇する。発光期間ＰＬ１において実際に有機ＥＬ素子４２が発光する時間の割合を、なるだけ多くするためのである。このノードＮＡの電圧の急激な上昇に伴い、同じ電圧分だけノードＮＢの電圧も上昇する（実線６２ｇ及び破線６５ｇを参照）。その後、ランプ電圧ＲＡＭＰ１とＲＡＭＰ２は、上記の如く、予め設定された一定の変化率で直線的に増加する。
ノードＮＢの電圧が、電圧（ＣＶ＋ＶＦ＋Ｖｔｈ）に達すると、有機ＥＬ素子４２には電流が流れ始める。また、発光期間ＰＬ１において有機ＥＬ素子４２に流れ始めた電流は次第に増加していく。そして、ランプ電圧ＲＡＭＰ２が、ノードＮＣの電圧に調整用トランジスタＴＲ３５の動作閾値電圧（Ｖｔｈ）を加えた電圧に達すると、調整用トランジスタＴＲ３５がオンとなって駆動用トランジスタＴＲ２３がオフとなり、有機ＥＬ素子４２の発光は停止する。発光期間ＰＬ１移行時において、（破線６５ｇ及び破線８４ｇが示すノードＮＢ及びノードＮＣの電圧）＞（実線６２ｇ及び実線８１ｇが示すノードＮＢ及びノードＮＣの電圧）となっているため、破線６５ｇ及び破線８４ｇに示す方が発光の停止が遅れる。このため、第１のフィールドにおいて電圧ＶＦの増加に起因する電流ＩＯＬＥＤの減少は補償される。
発光が停止した後、ノードＮＢとＮＣの電圧が一致したまま第２のフィールドのリセット期間ＰＲ２へ移行する。リセット期間ＰＲ２の途中においてランプ電圧ＲＡＭＰ１が急激に低下し、ノードＮＡの電圧も急激に低下する（実線６１ｇ参照）。
ノードＮＡの電圧の急激な低下はコンデンサＣ１を介してノードＮＢに伝達されるが、この伝達が行われる際には、制御電圧ＣＴＬ１がハイレベルとなってクリップ用トランジスタＴＲ８がオンとなっているため、ノードＮＢの電圧は電源電圧ＶＳＳとなる。また、この時点ではランプ電圧ＲＡＭＰ２が発光期間ＰＬ１から継続して上昇しているため、ノードＮＣの電圧も電源電圧ＶＳＳとなる。ランプ電圧ＲＡＭＰ２は、ノードＮＢ及びノードＮＣの電圧が電源電圧ＶＳＳとなってから、調整用トランジスタＴＲ３５をオフとする電圧まで低下する。また、リセット期間ＰＲ２の途中においてハイレベルとされた制御信号ＣＴＬ１は、走査期間ＰＳ２の終了時点までそのハイレベルを維持した後、発光期間ＰＬ２においてローレベルとされる。
ここで、電源電圧ＶＳＳは、負側の電源電圧ＣＶに初期状態における電圧ＶＦ（電圧ＶＦ０）を加えた電圧とほぼ等しくなるように設定されている。また、走査期間ＰＳ２において、ランプ電圧ＲＡＭＰ２は調整用トランジスタＴＲ３５をオフとするような比較的低い電圧に固定されている。このため、第２のフィールドにおいては、電圧ＶＦに応じた電圧（フィードバック電圧）がコンデンサＣ１に伝達されない。
リセット期間ＰＲ２に続く走査期間ＰＳ２において、ハイレベルの走査電圧ＳＣＡＮが着目している画素４１ｇに加わると、書込み用トランジスタＴＲ１はオンとなる。この時、ノードＮＡの電圧は、データ電圧ライン４３ｇに供給されているデータ電圧ＤＡＴＡと等しくなるように上昇する（データ電圧ＤＡＴＡが書き込まれる）。但し、クリップ用トランジスタＴＲ８がオンとなっていることからノードＮＢの電圧はＶＳＳに維持される。また、第７実施形態と同様、第２のフィールドにおいて各画素に書き込まれるデータ電圧ＤＡＴＡは、第１のフィールドにおけるそれと原則として異なる。
データ電圧ＤＡＴＡの書込みの後、着目している画素４１ｇに加わる走査電圧ＳＣＡＮはローレベルに戻され、表示パネル４ｆを構成している全ての画素４１ｇにデータ電圧が書き込まれると、走査期間ＰＳ２が終了して発光期間ＰＬ２に移行する。
発光期間ＰＬ２においては、ランプ電圧ＲＡＭＰ１がデータ電圧ライン４３ｇに供給されており、発光期間ＰＬ１への移行と同時に全画素の走査電圧ＳＣＡＮがハイレベルとされることから、ノードＮＡの電圧はランプ電圧ＲＡＭＰ１と一致する。尚、走査電圧ＳＣＡＮのハイレベルは、（ｋ＋１）番目のフレームのリセット期間ＰＲ１の終了時点まで維持される。
発光期間ＰＬ２に移行すると、データ電圧ライン４３ｇにデータ電圧ＤＡＴＡに代わってランプ電圧ＲＡＭＰ１が印加されることにより、或いはデータ電圧ライン４３ｇに印加されているランプ電圧ＲＡＭＰ１が予め定められた電圧分だけ急激に上昇することにより、ノードＮＡの電圧が急激に上昇する。発光期間ＰＬ２において実際に有機ＥＬ素子４２が発光する時間の割合を、なるだけ多くするためである。このノードＮＡの電圧の急激な上昇に伴い、同じ電圧分だけノードＮＢの電圧も上昇する（実線６２ｇを参照）。その後、ランプ電圧ＲＡＭＰ１とＲＡＭＰ２は、上記の如く、予め設定された一定の変化率で直線的に増加する。
ノードＮＢの電圧が、電圧（ＶＳＳ＋Ｖｔｈ）に達すると、有機ＥＬ素子４２には電流が流れ始める。また、発光期間ＰＬ２において有機ＥＬ素子４２に流れ始めた電流は次第に増加していく。そして、ランプ電圧ＲＡＭＰ２が、ノードＮＣの電圧に調整用トランジスタＴＲ３５の動作閾値電圧（Ｖｔｈ）を加えた電圧に達すると、調整用トランジスタＴＲ３５がオンとなって駆動用トランジスタＴＲ２３がオフとなり、有機ＥＬ素子４２の発光は停止する。この発光の停止の後、発光期間ＰＬ２は終了して（ｋ＋１）番目のリセット期間ＰＲ１に移行し、上述と同様の動作が繰り返される。
また、駆動用トランジスタＴＲ２３と調整用トランジスタＴＲ３５の夫々の動作閾値電圧は、上述の如く略等しいため、両トランジスタＴＲ２３、ＴＲ３５の動作閾値電圧のばらつきは、有機ＥＬ素子４２の発光時間に影響を与えない。また、調整用トランジスタＴＲ３５は、オフ制御用トランジスタとしての機能も兼務する。
＜＜第９実施形態＞＞
次に、本発明を有機ＥＬ表示装置に実施した第９実施形態につき、説明する。本発明の第９実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の全体的構成は、図２０におけるものと同様であるため、図示を省略する。有機ＥＬ表示装置を構成する各部位は、以下の本実施形態における動作を実現できるように変形される。
まず、表示パネル４ｆは、図３０に示す画素回路を有した画素４１ｈから構成されるように変形される。図３０において、図２１と同一の部分には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
画素４１ｈの回路構成を説明する。各画素４１ｈを構成する画素回路は、有機ＥＬ素子４２と、書込み用トランジスタＴＲ２１と、駆動用トランジスタＴＲ３と、調整用トランジスタＴＲ２５と、オフ制御用トランジスタＴＲ２８と、トランジスタＴＲ９と、コンデンサＣ１（第１容量素子）と、から構成されている。駆動用トランジスタＴＲ３とオフ制御用トランジスタＴＲ２８は、同一の半導体基板上に同一製造プロセスにて同時に形成され、しかも同一画素４１ｈ内の互いに近接した位置に形成されている。従って、駆動用トランジスタＴＲ３とオフ制御用トランジスタＴＲ２８の夫々の動作閾値電圧は、ほぼ等しく、それらをＶｔｈとする。
書込み用トランジスタＴＲ２１、調整用トランジスタＴＲ２５、オフ制御用トランジスタＴＲ２８及びトランジスタＴＲ９は、駆動用トランジスタＴＲ３と同じく、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）であるＰチャンネルのＭＯＳトランジスタである。本実施形態における走査ドライバー２ｆは、各画素に２つの走査電圧ＳＣＡＮ１及びＳＣＡＮ２を供給している。走査電圧ＳＣＡＮ１がローレベル、ハイレベルのとき、書込み用トランジスタＴＲ２１は、それぞれオン、オフとなる。走査電圧ＳＣＡＮ２がローレベル、ハイレベルのとき、調整用トランジスタＴＲ２５は、それぞれオン、オフとなる。
書込み用トランジスタＴＲ２１の第１電極（例えばソース）は、データドライバー３ｆからのデータ電圧ＤＡＴＡが印加されるデータ電圧ライン４３に接続されている。書込み用トランジスタＴＲ２１において、第２電極（例えばドレイン）はコンデンサＣ１の一方の電極、駆動用トランジスタＴＲ３のゲート及びオフ制御用トランジスタＴＲ２８のドレインに共通接続されている。また、書込み用トランジスタＴＲ２１のゲートは、走査電圧ＳＣＡＮ１が印加される走査電圧ライン５８に接続されている。
調整用トランジスタＴＲ２５において、第１電極（例えばソース）は駆動用トランジスタＴＲ３のドレイン及び有機ＥＬ素子４２の陽極に共通接続され、第２電極（例えばドレイン）はコンデンサＣ１のもう一方の電極とトランジスタＴＲ９の第１電極（例えばソース）に共通接続され、ゲートは走査電圧ＳＣＡＮ２が印加される走査電圧ライン５９に接続されている。駆動用トランジスタＴＲ３とオフ制御用トランジスタＴＲ２８の各ソースには、給電ライン４８を介して正側の電源電圧ＶＤＤが印加されている。オフ制御用トランジスタＴＲ２８のゲートは、ランプ電圧発生回路８ｆからのランプ電圧ＲＡＭＰ２が印加されるランプ電圧ライン５６に接続されている。トランジスタＴＲ９において、第２電極（例えばドレイン）はランプ電圧発生回路８ｆからのランプ電圧ＲＡＭＰ１が印加されるランプ電圧ライン５５に接続され、ゲートは制御信号ＣＴＬ１が印加される制御信号ライン４６に接続されている。有機ＥＬ素子４２の陰極には、負側の電源電圧ＣＶが印加されている。
画素４１ｈにおいて、書込み用トランジスタＴＲ２１の第２電極とコンデンサＣ１の一方の電極との接続点及び調整用トランジスタＴＲ２５の第２電極とコンデンサＣ１のもう一方の電極との接続点を、それぞれノードＮＡ及びノードＮＢということにする。
図３１を用いて第９実施形態の有機ＥＬ表示装置の動作を説明する。図３１は、図３０における各部の電圧及び有機ＥＬ素子４２に流れる電流ＩＯＬＥＤを、１フレーム期間にわたって示したものである。１画面の表示周期である１フレーム期間（フレーム周波数の逆数）は、第１のフィールドと第２のフィールドの２つのフィールドから構成されている。図３１に示す如く、第１のフィールドは走査期間ＰＳ１と発光期間ＰＬ１とから構成され、第２のフィールドは走査期間ＰＳ２と発光期間ＰＬ２とから構成されている。
走査期間ＰＳ１は、発光期間ＰＬ１における各有機ＥＬ素子４２の発光を準備するための期間であることから、第１のフィールドにおける発光準備期間と呼ぶことができる。走査期間ＰＳ２は、発光期間ＰＬ２における各有機ＥＬ素子４２の発光を準備するための期間であることから、第２のフィールドにおける発光準備期間と呼ぶことができる。
本実施形態においても、上記黒浮きの問題を解決するために、第１と第２のフィールドのうち、第１のフィールドにおいてのみ、電圧ＶＦの変動に応じた電流ＩＯＬＥＤの補償を行い、階調信号によって特定される階調と電流ＩＯＬＥＤの実効値との関係が第７実施形態におけるもの（図２３〜図２７）と同様となるように、ＬＵＴ９が階調信号を第１のフィールドに対応する第１の変換階調信号と第２のフィールドに対応する第２の変換階調信号とに変換してデータドライバー３ｆに供給している。このため、第７実施形態と同様の効果を奏することができる。
ｋ番目（ｋ；自然数）のフレーム期間が終了すると、続けて次の（ｋ＋１）番目のフレーム期間における走査期間ＰＳ１、発光期間ＰＬ１、走査期間ＰＳ２及び発光期間ＰＬ２がこの順番で訪れる。
実線７２ｈは、ランプ発生回路８ｆからランプ電圧ライン５６に供給されるランプ電圧ＲＡＭＰ２の電圧波形を示している。ランプ電圧ＲＡＭＰ２は、第１のフィールドの走査期間ＰＳ１において予め設定された初期電圧に固定されているが、発光期間ＰＬ１において予め設定された変化率（例えば、−１Ｖ／１ミリ秒）で単調に低下（単調減少）する。そして、第２のフィールドの走査期間ＰＳ２においてランプ電圧ＲＡＭＰ２の単調減少は停止し、再び上記初期電圧に戻る。また更に、上記初期電圧に戻されたランプ電圧ＲＡＭＰ２は、発光期間ＰＬ２の途中から単調減少を再開し、発光期間ＰＬ２の終了時点で上記初期電圧に戻る。尚、ランプ電圧ＲＡＭＰ２の単調減少の変化率は、発光期間ＰＬ１よりも発光期間ＰＬ２の方が大きい。
もうひとつのランプ電圧ＲＡＭＰ１も、各発光期間において単調減少する。各発光期間におけるランプ電圧ＲＡＭＰ１及びＲＡＭＰ２の変化率は、例えば同一となっている。また、走査期間ＰＳ１とＰＳ２の長さは、例えば同一の長さに設定される。発光期間ＰＬ１とＰＬ２の長さも、例えば同一の長さに設定される。勿論、それらを異なる長さに設定しても構わない。
実線６１ｈ、実線６２ｈは、それぞれ有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の実線２０１の場合におけるノードＮＡ、ノードＮＢの電圧波形を示している。実線６３ｈは、有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の実線２０１の場合において、有機ＥＬ素子４２に流れる電流ＩＯＬＥＤの波形を示している。
破線６４ｈ、破線６５ｈは、有機ＥＬ素子４２が経時変化することにより、又は動作周囲温度が低温になることにより有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の破線２０２のようになった場合におけるノードＮＡ、ノードＮＢの電圧波形を示している。破線６６ｈは、同様に、有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の破線２０２のようになった場合において、有機ＥＬ素子４２に流れる電流ＩＯＬＥＤの波形を示している。尚、第２のフィールドにおいて、実線６１ｈと破線６４ｈは同一となって重なっており、実線６２ｈと破線６５ｈも同一となって重なっている。また、発光期間ＰＬ１において、実線６２ｈと破線６５ｈは同一となって重なっている。
また、破線６７ｈは、有機ＥＬ素子４２の経時変化等に起因する電圧ＶＦの変動をフィードバックしない場合であって且つ経時変化等によって電流ＩＯＬＥＤが減少した場合の電流ＩＯＬＥＤの波形である。第２のフィールドにおいて、破線６６ｈと破線６７ｈは同一となって重なっている。
また、制御信号ＣＴＬ１は、走査期間ＰＳ１においてハイレベルとなっており、走査期間ＰＳ２並びに発光期間ＰＬ１及びＰＬ２においてローレベルとなっている。従って、走査期間ＰＳ２並びに発光期間ＰＬ１及びＰＬ２において、ノードＮＢの電圧は、ランプ電圧ＲＡＭＰ１と一致する。
以下、ｋ番目のフレーム期間における走査期間ＰＳ１の動作より説明を行う。（ｋ−１）番目のフレームの発光期間ＰＬ２において最終的にランプ電圧ＲＡＭＰ１は、比較的高い電圧となっており、ｋ番目のフレーム期間の走査期間ＰＳ１への移行時におけるノードＮＢには、この比較的高い電圧が保持されている。この保持されている電圧は、（ＣＶ＋ＶＦ）よりも高い。
ｋ番目の走査期間ＰＳ１において、ローレベルの走査電圧ＳＣＡＮ１が線順次で各走査ラインに加わり、ローレベルの走査電圧ＳＣＡＮ１が着目している画素４１ｈに加わると、書込み用トランジスタＴＲ２１はオンとなる。そうすると、ノードＮＡの電圧は、データ電圧ライン４３に供給されているデータ電圧ＤＡＴＡと等しくなるように上昇する（データ電圧ＤＡＴＡが書き込まれる）。また、走査電圧ＳＣＡＮ１のローレベルへの遷移に同期して、走査電圧ＳＣＡＮ２もローレベルとされる。これにより、（ＣＶ＋ＶＦ）で表される電位より一時的に電位が高くなっているノードＮＢの電荷（正の電荷）の一部が調整用トランジスタＴＲ２５及び有機ＥＬ素素子４２を介して抜き取られ、ノードＮＢに加わる電圧は電源電圧ＣＶより電圧ＶＦだけ高い電圧（フィードバック電圧）で安定する。
そして、ノードＮＢの電位が安定する頃に走査電圧ＳＣＡＮ２はハイレベルとされ調整用トランジスタＴＲ２５はオフとなる。この時、コンデンサＣ１には、電圧（ＤＡＴＡ−ＣＶ−ＶＦ）、即ち、データ電圧ＤＡＴＡと電圧ＶＦに応じた電圧（保持電圧）が保持されている。また、図１８に示す有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性からも理解されるように、経時変化等のある破線６５ｈにおける電圧ＶＦは、実線６２ｈのそれよりも大きい。また、走査電圧ＳＣＡＮ２のハイレベルへの遷移と同期して走査電圧ＳＣＡＮ１もハイレベルとなる。走査電圧ＳＣＡＮ１及びＳＣＡＮ２は、この後、発光期間ＰＬ１の終了時点までハイレベルで維持される。表示パネル４ｆを構成している全ての画素４１ｈにデータ電圧が書き込まれると、走査期間ＰＳ１が終了して発光期間ＰＬ１に移行する。
発光期間ＰＬ１に移行すると、制御信号ＣＴＬ１がローレベルとなってトランジスタＴＲ９がオンとなり、ランプ電圧ＲＡＭＰ１がノードＮＢに加わる。ランプ電圧ＲＡＭＰ１がノードＮＢに加わることにより、或いはトランジスタＴＲ９がオンに切り換えられるのと同期してランプ電圧ＲＡＭＰ１が予め定められた電圧分だけ急激に低下することにより、ノードＮＢの電圧が急激に低下する。ノードＮＢの電圧の低下に伴って、同じ電圧分だけノードＮＡの電圧も低下する。ここで、（破線６５ｈにおけるＶＦ）＞（実線６２ｈにおけるＶＦ）なのであるから、（破線６４ｈが示すノードＮＡの電圧）＜（実線６１ｈが示すノードＮＡの電圧）となる。
その後、ランプ電圧ＲＡＭＰ１とＲＡＭＰ２は、上記の如く、予め設定された一定の変化率で直線的に減少する。ノードＮＡの電圧が、電圧（ＶＤＤ−Ｖｔｈ）以下になると、有機ＥＬ素子４２には電流が流れ始めるのであるが、発光期間ＰＬ１移行時において、（破線６４ｈが示すノードＮＡの電圧）＜（実線６１ｈが示すノードＮＡの電圧）となっているため、破線６４ｈに示す方がより早い段階で発光が始まる。また、発光期間ＰＬ１において有機ＥＬ素子４２に流れ始めた電流は次第に増加していく。そして、ランプ電圧ＲＡＭＰ２が電圧（ＶＤＤ−Ｖｔｈ）以下になると、オフ制御用トランジスタＴＲ２８がオンとなってノードＮＡの電圧が正側の電源電圧ＶＤＤまで上昇し、これに伴って駆動用トランジスタＴＲ３がオフとなって有機ＥＬ素子４２の発光は停止する。
この発光の停止の後、ランプ電圧ＲＡＭＰ１は所定の電圧まで急減に上昇する。その電圧値は負側の電源電圧ＣＶに初期状態における電圧ＶＦ（電圧ＶＦ０）を加えた電圧とほぼ等しくなるように設定されている。その後、発光期間ＰＬ１は終了し第２のフィールドの走査期間ＰＳ２に移行する。
走査期間ＰＳ２において、ローレベルの走査電圧ＳＣＡＮ１が着目している画素４１ｈに加わると、書込み用トランジスタＴＲ２１はオンとなる。この時、ノードＮＡの電圧は、データ電圧ライン４３に供給されているデータ電圧ＤＡＴＡと等しくなるように上昇する（データ電圧ＤＡＴＡが書き込まれる）。この際、第１のフィールドと異なり、走査電圧ＳＣＡＮ２はローレベルとされずハイレベルを維持する。このため、電圧ＶＦに応じた電圧（フィードバック電圧）はコンデンサＣ１に伝達されない。また、第７実施形態と同様、第２のフィールドにおいて各画素に書き込まれるデータ電圧ＤＡＴＡは、第１のフィールドにおけるそれと原則として異なる。
データ電圧ＤＡＴＡの書込みの後、着目している画素４１ｈに加わる走査電圧ＳＣＡＮ１はハイレベルに戻され、表示パネル４ｆを構成している全ての画素４１ｈにデータ電圧が書き込まれると、走査期間ＰＳ２が終了して発光期間ＰＬ２に移行する。発光期間ＰＬ２に移行すると、ランプ電圧ＲＡＭＰ１が予め定められた電圧分だけ急激に低下し、これに伴って、同じ電圧分だけノードＮＡ、ノードＮＢの夫々の電位も低下する。その後、ランプ電圧ＲＡＭＰ１とＲＡＭＰ２は、上記の如く、予め設定された一定の変化率で直線的に減少する。
ノードＮＡの電圧が、電圧（ＶＤＤ−Ｖｔｈ）以下になると、有機ＥＬ素子４２には電流が流れ始め、この電流は発光期間ＰＬ２において次第に増加していく。また、実線７２ｈに示す如く、ランプ電圧ＲＡＭＰ２は発光期間ＰＬ２の途中の段階において単調減少を再開する。そして、ランプ電圧ＲＡＭＰ２が電圧（ＶＤＤ−Ｖｔｈ）以下になると、オフ制御用トランジスタＴＲ２８がオンとなってノードＮＡの電圧が正側の電源電圧ＶＤＤまで上昇し、これに伴って駆動用トランジスタＴＲ３がオフとなって有機ＥＬ素子４２の発光は停止する。この発光の停止の後、ランプ電圧ＲＡＭＰ１は、上述したように比較的高い電圧まで増加する。そして、発光期間ＰＬ２は終了して（ｋ＋１）番目の走査期間ＰＳ１に移行し、上述と同様の動作が繰り返される。
また、駆動用トランジスタＴＲ３とオフ制御用トランジスタＴＲ２８の夫々の動作閾値電圧（Ｖｔｈ）は、上述の如く略等しいため、両トランジスタＴＲ３、ＴＲ２８の動作閾値電圧のばらつきは、有機ＥＬ素子４２の発光時間に影響を与えない。
尚、駆動用トランジスタＴＲ３がＰチャンネルの場合、その特性上、ランプ電圧ＲＡＭＰ１を急峻に変化させてなるだけ早く電流を立ち上げた方が光量をかせぐことができる。しかしながら、第１のフィールドにおいてランプ電圧ＲＡＭＰ１を急峻に変化させて電流を早く立ち上げると、電圧ＶＦの変動のフィードバックによって黒が浮く方向に向かってしまう。そこで、本実施形態においては、第２のフィールドにおいてのみ、ランプ電圧ＲＡＭＰ１を急峻に変化させている。
＜＜第１０実施形態＞＞
次に、本発明を有機ＥＬ表示装置に実施した第１０実施形態につき、説明する。本発明の第１０実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の全体的構成は、図２０におけるものと同様であるため、図示を省略する。有機ＥＬ表示装置を構成する各部位は、以下の本実施形態における動作を実現できるように変形される。
まず、表示パネル４ｆは、図３２に示す画素回路を有した画素４１ｉから構成されるように変形される。図３２において、図２及び図２１と同一の部分には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。本実施形態における制御信号発生回路５ｆは、制御信号ＣＴＬ１に加えて、各画素４１ｉに制御信号ＣＴＬ２及びＣＴＬ３も供給する。本実施形態におけるランプ電圧発生回路８ｆは、各画素４１ｉにランプ電圧ＲＡＭＰを供給する。
画素４１ｉの回路構成は図２の画素４１の回路構成と類似している。図３２の画素４１ｉ（画素４１ｉの画素回路）が、図２の画素４１（画素４１の画素回路）と相違する点は、書込み用トランジスタＴＲ１の第１電極（例えばソース）が、所定のタイミングにてデータ電圧ＤＡＴＡが印加され且つ所定の他のタイミングにてリセット電圧ＲＳＴ（このリセット電圧ＲＳＴは、予め電圧値が設定されている）が印加されるデータ電圧ライン４３ａに接続されている点と、調整用トランジスタＴＲ５のゲートが制御電圧ライン４７ではなく制御信号ＣＴＬ３が供給される制御信号ライン４９に接続されている点であり、その他の点では画素４１と共通しているため共通点の説明を省略する。尚、制御信号ＣＴＬ２は、閾値補償用トランジスタＴＲ２のゲートに供給されている。
走査電圧ライン４４に供給される走査電圧ＳＣＡＮがローレベル、ハイレベルのとき、書込み用トランジスタＴＲ１は、それぞれオフ、オンとなる。制御信号ＣＴＬ１がローレベル、ハイレベルのとき、オン／オフ用トランジスタＴＲ４は、それぞれオフ、オンとなる。制御信号ＣＴＬ２がローレベル、ハイレベルのとき、閾値補償用トランジスタＴＲ２は、それぞれオフ、オンとなる。制御信号ＣＴＬ３がローレベル、ハイレベルのとき、調整用トランジスタＴＲ５は、それぞれオフ、オンとなる。
図３３を用いて第１０実施形態の有機ＥＬ表示装置の動作を説明する。図３３は、図３２における各部の電圧及び有機ＥＬ素子４２に流れる電流ＩＯＬＥＤを、１フレーム期間にわたって示したものである。１画面の表示周期である１フレーム期間（フレーム周波数の逆数）は、第１のフィールドと第２のフィールドの２つのフィールドから構成されている。第７実施形態と同様、第１のフィールドはリセット期間ＰＲ１と走査期間ＰＳ１と発光期間ＰＬ１とから構成され、第２のフィールドはリセット期間ＰＲ２と走査期間ＰＳ２と発光期間ＰＬ２とから構成されている。
本実施形態においても、上記黒浮きの問題を解決するために、第１と第２のフィールドのうち、第１のフィールドにおいてのみ、電圧ＶＦの変動に応じた電流ＩＯＬＥＤの補償を行い、階調信号によって特定される階調と電流ＩＯＬＥＤの実効値との関係が第７実施形態におけるもの（図２３〜図２７）と同様となるように、ＬＵＴ９が階調信号を第１のフィールドに対応する第１の変換階調信号と第２のフィールドに対応する第２の変換階調信号とに変換してデータドライバー３ｆに供給している。このため、第７実施形態と同様の効果を奏することができる。
実線６０ｉは、ランプ発生回路８ｆからランプ電圧ライン４５に供給されるランプ電圧ＲＡＭＰの電圧波形を示している。ランプ電圧ＲＡＭＰは、各フィールドのリセット期間及び走査期間（即ち、ＰＲ１、ＰＳ１、ＰＲ２及びＰＳ２）において予め設定された初期電圧に固定されているが、各発光期間（即ち、ＰＬ１及びＰＬ２）において予め設定された変化率で減少していく。そして、各リセット期間（即ち、ＰＲ１及びＰＲ２）において、ランプ電圧ＲＡＭＰの減少は停止し、再び上記初期電圧に戻る。
実線６１ｉ、実線６２ｉは、それぞれ有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の実線２０１の場合におけるノードＮＡ、ノードＮＢの電圧波形を示している。実線６３ｉは、有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の実線２０１の場合において、有機ＥＬ素子４２に流れる電流ＩＯＬＥＤの波形を示している。
破線６４ｉ、破線６５ｉは、有機ＥＬ素子４２が経時変化することにより、又は動作周囲温度が低温になることにより有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の破線２０２のようになった場合におけるノードＮＡ、ノードＮＢの電圧波形を示している。破線６６ｉは、同様に、有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の破線２０２のようになった場合において、有機ＥＬ素子４２に流れる電流ＩＯＬＥＤの波形を示している。尚、第２のフィールドにおいて、実線６１ｉと破線６４ｉは同一となって重なっており、実線６２ｉと破線６５ｉも同一となって重なっている。
また、破線６７ｉは、有機ＥＬ素子４２の経時変化等に起因する電圧ＶＦの変動をフィードバックしない場合であって且つ経時変化等によって電流ＩＯＬＥＤが減少した場合の電流ＩＯＬＥＤの波形である。第２のフィールドにおいて、破線６６ｉと破線６７ｉは同一となって重なっている。
走査電圧ＳＣＡＮは、各発光期間（即ち、ＰＬ１及びＰＬ２）とリセット期間ＰＲ１においてローレベルとされ、リセット期間ＰＲ２においてハイレベルとされる。制御信号ＣＴＬ１は、各走査期間（即ち、ＰＳ１及びＰＳ２）においてローレベルとされ、各発光期間においてハイレベルとされる。制御信号ＣＴＬ２は、各走査期間及び各発光期間においてローレベルとされ、各リセット期間（即ち、ＰＲ１及びＰＲ２）においてハイレベルとされる。制御信号ＣＴＬ３は、リセット期間ＰＲ１においてハイレベルとされ、それ以外の期間においてはローレベルとされる。データ電圧ライン４３ａには、第２のフィールドのリセット期間ＰＲ２にのみリセット電圧ＲＳＴ（＝（ＣＶ＋ＶＦ０））が加えられており、それ以外の期間においてはデータドライバー３ｆからのデータ電圧ＤＡＴＡが印加されている。
以下、ｋ番目のフレーム期間におけるリセット期間ＰＲ１の動作より説明を行う。第１のフィールドのリセット期間ＰＲ１においては電圧プログラム方式が用いられ、駆動用トランジスタＴＲ３の動作閾値電圧Ｖｔｈのばらつきが吸収される。つまり、リセット期間ＰＲ１では制御信号ＣＴＬ２及びＣＴＬ３がハイレベルとされると共に、制御信号ＣＴＬ１が当初ハイレベルとされてからローレベルに切り換えられる。これにより、ノードＮＡの電圧及びノードＮＢの電圧は、夫々（ＣＶ＋ＶＦ）及び（ＶＤＤ−Ｖｔｈ）になる。このとき、コンデンサＣ１には、（ＶＤＤ−ＣＶ−Ｖｔｈ−ＶＦ）で表される電圧が保持されることになる。また、図１８に示す有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性からも理解されるように、経時変化等のある破線６４ｉにおける電圧ＶＦは、実線６１ｉのそれよりも大きい。
リセット期間ＰＲ１が終了後、走査期間ＰＳ１において、ハイレベルの走査電圧ＳＣＡＮが着目している画素４１ｉに加わると、書込み用トランジスタＴＲ１はオンとなる。この時、ノードＮＡの電圧は、データ電圧ライン４３ａに供給されているデータ電圧ＤＡＴＡと等しくなるように上昇し（データ電圧ＤＡＴＡが書き込まれ）、それに伴って、コンデンサＣ１のカップリングによりノードＮＢの電圧も同じ電圧だけ上昇する。この時のノードＮＡとノードＮＢの電圧上昇分は、（ＤＡＴＡ−ＶＦ−ＣＶ）である。従って、ノードＮＢの電圧（駆動用トランジスタＴＲ３のゲート電圧）は、電圧（ＶＤＤ−ＣＶ＋ＤＡＴＡ−ＶＦ−Ｖｔｈ）となる。
ここで、（破線６４ｉにおけるＶＦ）＞（実線６１ｉにおけるＶＦ）なのであるから、データ電圧ＤＡＴＡを書き込んだ後は、（破線６５ｉが示すノードＮＢの電圧）＜（実線６２ｉが示すノードＮＢの電圧）となる。データ電圧ＤＡＴＡの書込みの後、着目している画素４１ｉに加わる走査電圧ＳＣＡＮはローレベルに戻され、表示パネル４ｆを構成している全ての画素４１ｉにデータ電圧が書き込まれると、走査期間ＰＳ１が終了して発光期間ＰＬ１に移行する。
発光期間ＰＬ１に移行すると、ランプ電圧ＲＡＭＰは予め定められた電圧分だけ急激に低下する。発光期間ＰＬ１において実際に有機ＥＬ素子４２が発光する時間の割合を、なるだけ多くするためのである。このランプ電圧ＲＡＭＰの急激な低下によって、同じ電圧分だけノードＮＡ、ノードＮＢの夫々の電位も低下する。その後、ランプ電圧ＲＡＭＰは、上記の如く、予め設定された変化率で減少する。
ノードＮＢの電圧が、電圧（ＶＤＤ−Ｖｔｈ）以下になると、有機ＥＬ素子４２には電流が流れ始めるのであるが、発光期間ＰＬ１移行時において、（破線６５ｉが示すノードＮＢの電圧）＜（実線６２ｉが示すノードＮＢの電圧）となっているため、破線６５ｉに示す方がより早い段階で発光が始まる。また、発光期間ＰＬ１において有機ＥＬ素子４２に流れ始めた電流は次第に増加していく。
発光期間ＰＬ１からリセット期間ＰＲ２への移行の際、走査電圧ＳＣＡＮ及び制御信号ＣＴＬ２はハイレベルへと切り換えられる。また、リセット期間ＰＲ２の中間時点までは発光期間ＰＬ１に引き続いて制御信号ＣＴＬ１はハイレベルとされ、その中間時点にて制御信号ＣＴＬ１はローレベルに切り換えられる。リセット期間ＰＲ２において、データ電圧ライン４３ａにはリセット電圧ＲＳＴが供給されていることから、ノードＮＡの電圧は該リセット電圧ＲＳＴとなる。このリセット電圧ＲＳＴの電圧値は、負側の電源電圧ＣＶに初期状態における電圧ＶＦ（電圧ＶＦ０）を加えた電圧とほぼ等しくなるように設定されている。また、リセット期間ＰＲ２終了時点において、ノードＮＢの電圧は（ＶＤＤ−Ｖｔｈ）となり、また走査電圧ＳＣＡＮ及び制御信号ＣＴＬ２はローレベルに切り換えられる。
リセット期間ＰＲ２終了後の走査期間ＰＳ２において、ハイレベルの走査電圧ＳＣＡＮが着目している画素４１ｉに加わると、書込み用トランジスタＴＲ１はオンとなる。この時、ノードＮＡの電圧は、データ電圧ライン４３ａに供給されているデータ電圧ＤＡＴＡと等しくなるように上昇する（データ電圧ＤＡＴＡが書き込まれる）。また、第７実施形態と同様、第２のフィールドにおいて各画素に書き込まれるデータ電圧ＤＡＴＡは、第１のフィールドにおけるそれと原則として異なる。
データ電圧ＤＡＴＡの書込みの後、着目している画素４１ｉに加わる走査電圧ＳＣＡＮはローレベルに戻され、表示パネル４ｆを構成している全ての画素４１ｉにデータ電圧が書き込まれると、走査期間ＰＳ２が終了して発光期間ＰＬ２に移行する。発光期間ＰＬ２に移行すると、発光期間ＰＬ１への移行時と同様、ランプ電圧ＲＡＭＰは予め定められた電圧分だけ急激に低下する。このランプ電圧ＲＡＭＰの急激な低下によって、同じ電圧分だけノードＮＡ、ノードＮＢの夫々の電位も低下する。その後、ランプ電圧ＲＡＭＰは、上記の如く、予め設定された変化率で減少する。
発光期間ＰＬ２において、ノードＮＢの電圧が電圧（ＶＤＤ−Ｖｔｈ）以下になると、有機ＥＬ素子４２には電流が流れ始める。発光期間ＰＬ２から次のフレームのリセット期間ＰＲ１移行時にランプ電圧ＲＡＭＰは上記初期電圧に戻され、次のフレームにおいて上述と同様の動作が繰り返される。
また、本実施形態は、第７〜第９実施形態と異なり、閾値補償用トランジスタＴＲ２を用いることによって駆動用トランジスタＴＲ３の動作閾値電圧のばらつきを吸収する手法を採用しているため、図３３の実線６０ｉに示す如く、各発光期間において、ランプ電圧ＲＡＭＰの変化率を時間の経過と共に変化させることが可能となる。つまり、表示パネル４ｆのガンマ特性に応じてランプ電圧ＲＡＭＰに任意の曲率を付けることができる。このことは、閾値補償用トランジスタを用いることによって駆動用トランジスタの動作閾値電圧のばらつきを吸収する他の構成（例えば、第１、第２実施形態）においても同様である。
例えば、図２７の一点鎖線４６０に示す如く、電流ＩＯＬＥＤの実効値が、黒レベルの階調ｔＢから中間階調ｔ１まで指数関数状に立ち上がる一方で、中間階調ｔ１から白レベルの階調ｔＷまで直線的に増加するような特性の表示パネル４ｆを採用する場合であっても、ランプ電圧ＲＡＭＰに適切な曲率を付けることにより、電流ＩＯＬＥＤの実効値が黒レベルの階調ｔＢから白レベルの階調ｔＷまで指数関数状に立ち上がるような特性を得ることができる（図２７の一点鎖線４６０のような特性を図２３の破線４００のような特性に変換することができる）。
具体的な一例として、図３３に実線６０ｉを示している。第１のフィールドの発光期間ＰＬ１におけるランプ電圧ＲＡＭＰは、リセット期間ＰＲ２に向かうにつれて、徐々に減少の変化率が大きくなっている。つまり、発光期間ＰＬ１においてランプ電圧ＲＡＭＰの変化率は前半側よりも後半側の方が大きい。また、第２のフィールドの発光期間ＰＬ２におけるランプ電圧ＲＡＭＰは、次のフレームのリセット期間ＰＲ１に向かうにつれて、徐々に減少の変化率が小さくなっている。つまり、発光期間ＰＬ２においてランプ電圧ＲＡＭＰの変化率は前半側よりも後半側の方が小さい。
尚、本実施形態において、ランプ電圧ＲＡＭＰの変化率を時間の経過と共に変化させることは必須ではない。即ち、第７〜第９実施形態と同様、各発光期間におけるランプ電圧ＲＡＭＰの変化率を一定としても構わない。
（図３４：ＲＡＭＰの曲率）
閾値補償用トランジスタを用いることによって駆動用トランジスタの動作閾値電圧のばらつきを吸収する構成を採用することにより、ランプ電圧ＲＡＭＰに任意の曲率を付与可能なことに着目すれば、上述した第１又は第２実施形態を、以下のように変形することができる（この変形を、以下「変形例２」という）。図３４に、変形例２を説明するための図を示す。以下、第１と第２実施形態の内、第１実施形態に着目して、この変形例２を説明するが、第２実施形態においても同様に変形例２は適用可能である。
図３４において、横軸はデータドライバー３から各画素に供給されるデータ電圧を表し、縦軸は供給されたデータ電圧に応じて各画素の有機ＥＬ素子４２が発光することにより得られる輝度を表している。上述の説明から理解されるように（第７実施形態参照）、第１（第２）実施形態に係る有機ＥＬ表示装置も、ＴＶ受信機（不図示）等の映像ソースから供給される階調信号（映像信号に含まれる）の提供を受けて画像を表示するものであり、表示パネル４の各画素にて表現されるべき階調は上記階調信号によって特定される。データドライバー３は、上記映像ソース（映像信号処理回路６）から供給される階調信号に対応したデータ電圧の電圧値を画素ごとに決定し、それらのデータ電圧を走査期間において各画素に供給する（図１〜図３参照）。
任意の階調信号がデータドライバー３に与えられ、その与えられた階調信号によって特定される階調に対応したデータ電圧の電圧値をＤとする（図３４参照）。初期状態の各画素４１において、電圧値がＤのデータ電圧が供給されたとき、そのデータ電圧に応じて有機ＥＬ素子４２が発光することにより得られる輝度をＬとする。また、データドライバー３に供給された階調信号によって特定される階調が黒レベルの階調及び白レベルの階調であるときに、各画素４１に供給されるデータ電圧の電圧値を、それぞれＤＢ及びＤＷとする。また、初期状態の各画素４１において、電圧値がＤＢ及びＤＷのデータ電圧が供給されたとき、それらのデータ電圧に応じて有機ＥＬ素子４２が発光することにより得られる輝度を、それぞれＬＢ及びＬＷとする。そして、更に、ｘ＝Ｄ−ＤＢ、ｙ＝Ｌ−ＬＢ＋１、と定める。
この場合、初期状態において下式（１）が成立するように、発光期間におけるランプ電圧ＲＡＭＰの変化率を設定する（曲率を付ける）と共に、データドライバー３における階調信号とデータ電圧との変換関係を定める。図３４における実線５００は、下式（１）を満たす曲線を表している。
ｙ＝ａｘ ・・・（１）
ここで、「ａ」は、有機ＥＬ表示装置の設計段階で予め定められる定数であって、ａ＞１が成立する。例えば、ａ＝２、と設定される。そして、有機ＥＬ素子４２の経時変化による劣化度を「ｂ」と定める。初期状態において劣化度は「１」である。そして、図１６に示す従来構成例にように電圧ＶＦのフィードバックを行っていない場合において、同一のデータ電圧に対応した輝度が１／２、１／３、１／４、・・・となった時の劣化度を、夫々２、３、４、・・・と定める。
そうすると、初期状態において上記式（１）を満たしていたｙとｘの関係は、電圧ＶＦのフィードバックを行っていない場合、有機ＥＬ素子４２の経時変化後に下式（２）を満たすようになる。図３４における破線５０１は、下式（２）を満たす曲線を表している。
ｙ＝ａｘ／ｂ ・・・（２）
有機ＥＬ素子４２の特性が経時変化した場合、その輝度は、「電圧ＶＦの増加による電流ＩＯＬＥＤの減少」に起因して減少すると共に「発光効率の低下」に起因しても減少する。「発光効率の低下」を要因とする輝度の減少の割合は、全ての階調において同じである。しかしながら、白レベルの階調に対応した駆動用トランジスタＴＲ３と有機ＥＬ素子４２の動作点が駆動用トランジスタＴＲ３のＶｄｓ−Ｉｄ特性の線形領域内にある場合、「電圧ＶＦの増加による電流ＩＯＬＥＤの減少」を要因とする輝度の減少の割合は、階調によって変化することになる。
上記式（２）は、輝度の減少の割合が全ての階調において同じであることを前提として成立する式であるため、輝度の減少の割合が階調によって変化すれば、上記式（２）は成立しない。従って、上記式（２）を成立させるためには、白レベルの階調に対応した駆動用トランジスタＴＲ３と有機ＥＬ素子４２の動作点を、駆動用トランジスタＴＲ３のＶｄｓ−Ｉｄ特性の飽和領域内に設定する必要がある。
本発明に係る第１（第２）実施形態においては、電圧ＶＦのフィードバックが行われ、上述したように、駆動用トランジスタＴＲ３は、データ電圧と電圧ＶＦと駆動用トランジスタの動作閾値電圧Ｖｔｈとに応じた電圧で有機ＥＬ素子４２を駆動する。このように電圧ＶＦをフィードバックするということは、初期状態を基準とした電圧ＶＦの変動分、即ち、ｃ＝（ＶＦ−ＶＦ０）で表される電圧がデータ電圧に上乗せされる（或いは差し引かれる）ことに相当する。尚、ＶＦ０は、上述したように初期状態における電圧ＶＦである。
つまり、初期状態において上記式（１）を満たしていたｙとｘの関係は、変形例２に係る第１実施形態において、有機ＥＬ素子４２の経時変化後に下式（３）を満たすようになる。
ｙ＝ａ（ｘ＋ｃ）／ｂ＝ａｘ・ａｃ／ｂ ・・・（３）
そして、変形例２においては、「式：ｂ＝ａｃ」が成立するようにしている。つまり、「式：ｂ＝ａｃ」が成立するように、有機ＥＬ素子４２の特性（経時変化特性）や駆動用トランジスタＴＲ３の特性等に応じてａの値が定められている。これにより、式（３）は、初期状態における上記式（１）に一致することになる。
つまり、変形例２によれば、第１０実施形態のようにフレームを２つのフィールドに分けることなく、「発光効率の低下」に起因した輝度の減少をキャンセルすることができる（焼付きが補償される）。また、この際、黒が浮くといった問題は生じない。
また、変形例２においては、黒浮きを抑制する観点から、白レベルの階調に対応した駆動用トランジスタＴＲ３と有機ＥＬ素子４２の動作点を駆動用トランジスタＴＲ３のＶｄｓ−Ｉｄ特性の飽和領域内に設定することが望ましいが、その動作点を駆動用トランジスタＴＲ３のＶｄｓ−Ｉｄ特性の線形領域内に設定することも可能である。この場合においても、初期状態において上記式（１）が成立するように、発光期間におけるランプ電圧ＲＡＭＰの変化率を設定する（曲率を付ける）と共に、データドライバー３における階調信号とデータ電圧との変換関係を定める。但し、白レベルに対応する動作点が線形領域内にある場合、有機ＥＬ素子４２の経時変化後に上記式（３）が厳密には成立せず、若干黒が浮くことになる。
尚、「初期状態」とは、画素４１の製造時（製造直後）又は出荷時における状態を意味する。また、数分〜数時間程度、画素４１に電力を与えて有機ＥＬ素子４２を発光させたとしても、その程度の通電ではＶＥＬ−Ｉ特性は殆ど変動しないといっていい。従って、「初期状態」とは、製造時又は出荷時を基準とした有機ＥＬ素子４２の劣化が、無視できる状態をも含む。
＜＜第１１実施形態＞＞
次に、本発明を有機ＥＬ表示装置に実施した第１１実施形態につき、説明する。本発明の第１１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の全体的構成は、図２０におけるものと同様であるため、図示を省略する（但し、ランプ電圧発生回路８ｆは不要である）。有機ＥＬ表示装置を構成する各部位は、以下の本実施形態における動作を実現できるように変形される。
まず、表示パネル４ｆは、図３５に示す画素回路を有した画素４１ｊから構成されるように変形される。図３５において、図２、図２１及び図３２と同一の部分には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。本実施形態における制御信号発生回路５ｆは、制御信号ＣＴＬ１に加えて、各画素４１ｊに制御信号ＣＴＬ２及びＣＴＬ３も供給する。本実施形態における表示パネル４ｆは所謂アナログ駆動型であるため、ランプ電圧は各画素に供給されておらず、故に本実施形態においてランプ電圧発生回路８ｆは不要である。
画素４１ｊの回路構成は図３２の画素４１ｉの回路構成と類似している。図３５の画素４１ｊ（画素４１ｉの画素回路）が図３２の画素４１ｉ（画素４１ｉの画素回路）と相違する点は、画素４１ｉには設けられていたコンデンサＣ２がない点であり、その他の部分では一致しているため重複する説明を省略する。
図３６を用いて第１１実施形態の有機ＥＬ表示装置の動作を説明する。図３６は、図３５における各部の電圧及び有機ＥＬ素子４２に流れる電流ＩＯＬＥＤを、１フレーム期間にわたって示したものである。１画面の表示周期である１フレーム期間（フレーム周波数の逆数）は、第１のフィールドと第２のフィールドの２つのフィールドから構成されている。第７実施形態と同様、第１のフィールドはリセット期間ＰＲ１と走査期間ＰＳ１と発光期間ＰＬ１とから構成され、第２のフィールドはリセット期間ＰＲ２と走査期間ＰＳ２と発光期間ＰＬ２とから構成されている。
本実施形態においても、上記黒浮きの問題を解決するために、第１と第２のフィールドのうち、第１のフィールドにおいてのみ、電圧ＶＦの変動に応じた電流ＩＯＬＥＤの補償を行い、階調信号によって特定される階調と電流ＩＯＬＥＤの実効値との関係が第７実施形態におけるもの（図２３〜図２７）と同様となるように、ＬＵＴ９が階調信号を第１のフィールドに対応する第１の変換階調信号と第２のフィールドに対応する第２の変換階調信号とに変換してデータドライバー３ｆに供給している。このため、第７実施形態と同様の効果を奏することができる。
実線６１ｊ、実線６２ｊは、それぞれ有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の実線２０１の場合におけるノードＮＡ、ノードＮＢの電圧波形を示している。実線６３ｊは、有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の実線２０１の場合において、有機ＥＬ素子４２に流れる電流ＩＯＬＥＤの波形を示している。
破線６４ｊ、破線６５ｊは、有機ＥＬ素子４２が経時変化することにより、又は動作周囲温度が低温になることにより有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の破線２０２のようになった場合におけるノードＮＡ、ノードＮＢの電圧波形を示している。破線６６ｊは、同様に、有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の破線２０２のようになった場合において、有機ＥＬ素子４２に流れる電流ＩＯＬＥＤの波形を示している。尚、第２のフィールドにおいて、実線６１ｊと破線６４ｊは同一となって重なっており、実線６２ｊと破線６５ｊも同一となって重なっている。
また、破線６７ｊは、有機ＥＬ素子４２の経時変化等に起因する電圧ＶＦの変動をフィードバックしない場合であって且つ経時変化等によって電流ＩＯＬＥＤが減少した場合の電流ＩＯＬＥＤの波形である。第２のフィールドにおいて、破線６６ｊと破線６７ｊは同一となって重なっている。
走査電圧ＳＣＡＮ並びに制御信号ＣＴＬ１、ＣＴＬ２及びＣＴＬ３の各信号レベルと、各期間（ＰＲ１、ＰＳ１、ＰＬ１、ＰＲ２、ＰＳ２及びＰＬ２）との関係は、図３３のそれらと同じである。データ電圧ライン４３ａには、第２のフィールドのリセット期間ＰＲ２にのみ上記リセット電圧ＲＳＴ（第１０実施形態において説明）が加えられており、それ以外の期間においてはデータドライバー３ｆからのデータ電圧ＤＡＴＡが印加されている。
従って、図３３に示す第１０実施形態と同様、リセット期間ＰＲ１においてノードＮＡ及びノードＮＢの電圧は、夫々（ＣＶ＋ＶＦ）及び（ＶＤＤ−Ｖｔｈ）となり、走査期間ＰＳ１においてデータ電圧ＤＡＴＡが書き込まれた後は、（破線６５ｊが示すノードＮＢの電圧）＜（実線６２ｊが示すノードＮＢの電圧）となる。データ電圧ＤＡＴＡの書込みの後、着目している画素４１ｉに加わる走査電圧ＳＣＡＮはローレベルに戻され、表示パネル４ｆを構成している全ての画素４１ｊにデータ電圧が書き込まれると、走査期間ＰＳ１が終了して発光期間ＰＬ１に移行する。
発光期間ＰＬ１においては、走査期間ＰＳ１の終了時点におけるノードＮＢの電圧がそのまま保持されるため、電圧ＶＦの変動のフィードバックを行っていなかったならば破線６７ｊのようになっていた電流ＩＯＬＥＤが破線６６ｊのように補償される。
発光期間ＰＬ１からリセット期間ＰＲ２への移行の際、走査電圧ＳＣＡＮ及び制御信号ＣＴＬ２はハイレベルへと切り換えられる。また、リセット期間ＰＲ２の中間時点までは発光期間ＰＬ１に引き続いて制御信号ＣＴＬ１はハイレベルとされ、その中間時点にて制御信号ＣＴＬ１はローレベルに切り換えられる。リセット期間ＰＲ２において、データ電圧ライン４３ａにはリセット電圧ＲＳＴが供給されていることから、ノードＮＢの電圧は該リセット電圧ＲＳＴとなる。このリセット電圧ＲＳＴの電圧値は、負側の電源電圧ＣＶに初期状態における電圧ＶＦ（電圧ＶＦ０）を加えた電圧とほぼ等しくなるように設定されている。また、リセット期間ＰＲ２終了時点において、ノードＮＢの電圧は（ＶＤＤ−Ｖｔｈ）となる。
リセット期間ＰＲ２終了後の走査期間ＰＳ２において、ハイレベルの走査電圧ＳＣＡＮが着目している画素４１ｊに加わると、書込み用トランジスタＴＲ１はオンとなる。この時、ノードＮＡの電圧は、データ電圧ライン４３ａに供給されているデータ電圧ＤＡＴＡと等しくなるように上昇する（データ電圧ＤＡＴＡが書き込まれる）。また、第７実施形態と同様、第２のフィールドにおいて各画素に書き込まれるデータ電圧ＤＡＴＡは、第１のフィールドにおけるそれと原則として異なる。
データ電圧ＤＡＴＡの書込みの後、着目している画素４１ｊに加わる走査電圧ＳＣＡＮはローレベルに戻され、表示パネル４ｆを構成している全ての画素４１ｊにデータ電圧が書き込まれると、走査期間ＰＳ２が終了して発光期間ＰＬ２に移行する。発光期間ＰＬ２においては、走査期間ＰＳ２の終了時点におけるノードＮＢの電圧がそのまま保持されており、その電圧に応じた発光が行われる。発光期間ＰＬ２が終了すると、次にフレームに移行し、上述と同様の動作が繰り返される。
＜＜第１２実施形態＞＞
次に、本発明を有機ＥＬ表示装置に実施した第１２実施形態につき、説明する。図３７は、本発明の第１２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の全体的構成を示すブロック図である。有機ＥＬディスプレイ１０ｋは、図３７に示す如く、複数の画素をマトリクス状に配列して構成される表示パネル４ｋに、走査電圧を各画素に供給する走査ドライバー２ｋ、データ電圧を各画素に供給するデータドライバー３ｋ及び制御信号発生回路５ｋを接続して構成されている。本実施形態における表示パネル４ｋは所謂アナログ駆動型であるため、ランプ電圧発生回路は不要である。
図３７の有機ＥＬ表示装置は、ＴＶ受信機（不図示）等の映像ソース（外部の信号源）から供給される映像信号に応じた画像を表示パネル４ｋに表示する。図３７における映像信号処理回路６、タイミング信号発生回路７ｆ及びＬＵＴ９は、図２０におけるそれらと同じものである。
ＴＶ受信機（不図示）等の映像ソースから供給される映像信号は、映像信号処理回路６へ供給されて、映像表示に必要な信号処理が施され、これによって得られる赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）から成るＲＧＢ３原色の映像信号がＬＵＴ９を介して有機ＥＬディスプレイ１０ｋのデータドライバー３ｋへ供給される。
映像信号処理回路６から得られる水平同期信号Ｈsync及び垂直同期信号Ｖsyncは、タイミング信号発生回路７ｆへ供給され、これによって得られるタイミング信号が走査ドライバー２ｋ及びデータドライバー３ｋへ供給される。また、このタイミング信号と連動したフィールド信号がＬＵＴ９に供給される。このフィールド信号は、現時点のフィールドが第１のフィールドと第２のフィールドのどちらであるかを特定する信号である。
また、タイミング信号発生回路７ｆから得られるタイミング信号は制御信号発生回路５ｋにも供給されている。制御信号発生回路５ｋは、このタイミング信号を参照しつつ、有機ＥＬディスプレイ１０ｋの駆動に用いられる制御信号ＣＴＬ１、ＣＴＬ２、ＣＴＬ３及びＣＴＬ４を生成し、それらの制御信号ＣＴＬ１〜ＣＴＬ４を表示パネル４ｋの各画素へ供給する。
また、図３７に示す各回路、各ドライバー及び有機ＥＬディスプレイには電源回路（不図示）が接続されている。
表示パネル４ｋを構成する画素４１ｋの回路構成を、図３８を用いて説明する。図３８に示す画素４１ｋの回路構成は、図３５に示す画素４１ｊの回路構成と類似している。図３８において、図２及び図３５と同一の部分には同一の符号を付している。図３８の画素４１ｋ（画素４１ｋの画素回路）が図３５の画素４１ｊ（画素４１ｊの画素回路）と相違する点は、書込み用トランジスタＴＲ１の第１電極（例えばソース）がデータドライバー３ｋからのデータ電圧ＤＡＴＡが印加されるデータ電圧ライン４３に接続されている点と、ＮチャンネルのＭＯＳトランジスタであるリセット用トランジスタＴＲ１０が別途に設けられている点であり、その他の部分では一致しているため重複する説明を省略する。
リセット用トランジスタＴＲ１０において、ドレインはノードＮＡに接続され、ゲートは制御信号ＣＴＬ４が印加される制御信号ライン５２に接続されている。制御信号ＣＴＬ４がローレベル、ハイレベルのとき、リセット用トランジスタＴＲ１０は、それぞれオフ、オンとなる。リセット用トランジスタＴＲ１０のソースには、負側の電源電圧ＣＶよりも高く且つ正側の電源電圧ＶＤＤよりも低い電源電圧ＶＳＳが印加されている。電源電圧ＶＳＳは、負側の電源電圧ＣＶに初期状態における電圧ＶＦ（電圧ＶＦ０）を加えた電圧とほぼ等しくなるように設定されている。
図３９を用いて第１２実施形態の有機ＥＬ表示装置の動作を説明する。図３９は、図３８における各部の電圧及び有機ＥＬ素子４２に流れる電流ＩＯＬＥＤを、１フレーム期間にわたって示したものである。１画面の表示周期である１フレーム期間（フレーム周波数の逆数）は、第１のフィールドと第２のフィールドの２つのフィールドから構成されている。図３９に示す如く、第１のフィールドはリセット期間ＰＲ１と発光期間ＰＬ１とから構成され、第２のフィールドはリセット期間ＰＲ２と発光期間ＰＬ２とから構成されている。
リセット期間ＰＲ１は、発光期間ＰＬ１における各有機ＥＬ素子４２の発光を準備するための期間であることから、第１のフィールドにおける発光準備期間と呼ぶことができる。リセット期間ＰＲ２は、発光期間ＰＬ２における各有機ＥＬ素子４２の発光を準備するための期間であることから、第２のフィールドにおける発光準備期間と呼ぶことができる。
１フレーム期間の始期と終期は、走査線によって異なっており、１フレーム期間の始期は、１番目の走査線、２番目の走査線、・・・、ｎ番目の走査線（ｎ；走査線の本数）の順番で、順次所定の間隔を空けて訪れる。図３９は、上記ｎ本の走査線の内の或る１つの走査線に着目して図３８における各部の電圧等を示したものである。
或る走査線において、リセット期間ＰＲ１、発光期間ＰＬ１、リセット期間ＰＲ２及び発光期間ＰＬ２の順番に期間が進行し、ｋ番目（ｋ；自然数）のフレーム期間が終了すると、続けて次の（ｋ＋１）番目のフレーム期間におけるリセット期間ＰＲ１、発光期間ＰＬ１、リセット期間ＰＲ２及び発光期間ＰＬ２が、この順番で訪れる。このように、本実施形態においては、走査期間がないとも言えるが、後述の説明にて明らかになるように各発光期間の最初において走査電圧ＳＣＡＮをハイレベルとしてデータ電圧ＤＡＴＡを画素に書き込んでいるため、各発光期間に各走査期間が含まれていると考えることもできる。
本実施形態においても、上記黒浮きの問題を解決するために、第１と第２のフィールドのうち、第１のフィールドにおいてのみ、電圧ＶＦの変動に応じた電流ＩＯＬＥＤの補償を行い、階調信号によって特定される階調と電流ＩＯＬＥＤの実効値との関係が第７実施形態におけるもの（図２３〜図２７）と同様となるように、ＬＵＴ９が階調信号を第１のフィールドに対応する第１の変換階調信号と第２のフィールドに対応する第２の変換階調信号とに変換してデータドライバー３ｋに供給している。このため、第７実施形態と同様の効果を奏することができる。
実線６１ｋ、実線６２ｋは、それぞれ有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の実線２０１の場合におけるノードＮＡ、ノードＮＢの電圧波形を示している。実線６３ｋは、有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の実線２０１の場合において、有機ＥＬ素子４２に流れる電流ＩＯＬＥＤの波形を示している。
破線６４ｋ、破線６５ｋは、有機ＥＬ素子４２が経時変化することにより、又は動作周囲温度が低温になることにより有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の破線２０２のようになった場合におけるノードＮＡ、ノードＮＢの電圧波形を示している。破線６６ｋは、同様に、有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の破線２０２のようになった場合において、有機ＥＬ素子４２に流れる電流ＩＯＬＥＤの波形を示している。尚、第２のフィールドにおいて、実線６１ｋと破線６４ｋは同一となって重なっており、実線６２ｋと破線６５ｋも同一となって重なっている。
また、破線６７ｋは、有機ＥＬ素子４２の経時変化等に起因する電圧ＶＦの変動をフィードバックしない場合であって且つ経時変化等によって電流ＩＯＬＥＤが減少した場合の電流ＩＯＬＥＤの波形である。第２のフィールドにおいて、破線６６ｋと破線６７ｋは同一となって重なっている。
制御信号ＣＴＬ４は、リセット期間ＰＲ１、発光期間ＰＬ１及び発光期間ＰＬ２において、ローレベルとされており、それらの期間においてリセット用トランジスタＴＲ１０はオフとなっている。第１のフィールドのリセット期間ＰＲ１の動作は、図３３のリセット期間ＰＲ１の動作と同じであり、リセット期間ＰＲ１の終了時点において、ノードＮＡ及びノードＮＢの電圧は、夫々（ＣＶ＋ＶＦ）及び（ＶＤＤ−Ｖｔｈ）となる。尚、各リセット期間（ＰＲ１及びＰＲ２）において、走査電圧ＳＣＡＮはローレベルとされている。
発光期間ＰＬ１に移行すると、走査電圧ＳＣＡＮがハイレベルとされて書込み用トランジスタＴＲ１がオンする。この時、データドライバー３ｋからデータ電圧ライン４３にデータ電圧ＤＡＴＡが供給されており、ノードＮＡの電圧は、該データ電圧ＤＡＴＡと等しくなるように低下する。これに伴って、コンデンサＣ１のカップリングによりノードＮＢの電圧も同じ電圧だけ低下する。データ電圧ＤＡＴＡのノードＮＡに対する書込み後、走査電圧ＳＣＡＮはローレベルとされ、続いて制御信号ＣＴＬ１がハイレベルとされて有機ＥＬ素子４２の発光が開始するが、電圧ＶＦの相違から（破線６５ｋが示すノードＮＢの電圧）＜（実線６２ｋが示すノードＮＢの電圧）となっているため、電圧ＶＦの変動のフィードバックを行っていなかったならば破線６７ｋのようになっていた電流ＩＯＬＥＤが破線６６ｋのように補償される。
次に、第２のフィールドの動作を説明する。第２のフィールドのリセット期間ＰＲ２の開始時点では、制御信号ＣＴＬ１、ＣＴＬ２、ＣＴＬ３及びＣＴＬ４は、夫々ハイレベル、ハイレベル、ローレベル、ハイレベルとされている。リセット期間ＰＲ２の中間時点で制御信号ＣＴＬ１がローレベルに切り換えられ、ノードＮＢの電圧が（ＶＤＤ−Ｖｔｈ）に安定した時点で、制御信号ＣＴＬ２及びＣＴＬ４もローレベルに切り換えられる。これにより、リセット期間ＰＲ２の終了時点におけるノードＮＡ及びノードＮＢの電圧は、夫々ＶＳＳ、（ＶＤＤ−Ｖｔｈ）となる。即ち、第２のフィールドにおいて、電圧ＶＦに応じた電圧（フィードバック電圧）は、コンデンサＣ１に伝達されない。
発光期間ＰＬ２に移行すると、走査電圧ＳＣＡＮがハイレベルとされて書込み用トランジスタＴＲ１がオンする。この時、データドライバー３ｋからデータ電圧ライン４３にデータ電圧ＤＡＴＡが供給されており、ノードＮＡの電圧は、該データ電圧ＤＡＴＡと等しくなるように低下する。これに伴って、コンデンサＣ１のカップリングによりノードＮＢの電圧も同じ電圧だけ低下する。また、第７実施形態と同様、第２のフィールドにおいて各画素に書き込まれるデータ電圧ＤＡＴＡは、第１のフィールドにおけるそれと原則として異なる。データ電圧ＤＡＴＡのノードＮＡに対する書込み後、走査電圧ＳＣＡＮはローレベルとされ、続いて制御信号ＣＴＬ１がハイレベルとされて有機ＥＬ素子４２の発光が開始する。発光期間ＰＬ２が終了すると、次のフレームのリセット期間ＰＲ１に移行し、制御信号ＣＴＬ２及びＣＴＬ３がハイレベルとされる。
第１２実施形態における各画素の回路構成は、第１１実施形態と比較して若干複雑となっているが、第１２実施形態のようにすれば第１１実施形態よりも発光期間を長くとることができる。
＜＜第１３実施形態＞＞
次に、本発明を有機ＥＬ表示装置に実施した第１３実施形態を第７実施形態の変形例として説明する。本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の全体的構成及び各画素の回路構成は、図２０のブロック図及び図２１の画素４１ｆの回路構成と同じであるが、黒浮きの問題を解決するための動作が第７実施形態と異なっている。この動作を、図４０を用いて説明する。図４０は、本実施形態に係る画素４１ｆの各部の電圧及び有機ＥＬ素子４２に流れる電流ＩＯＬＥＤを、１フレーム期間にわたって示したものである。
１画面の表示周期である１フレーム期間（フレーム周波数の逆数）は、第１のフィールドと第２のフィールドの２つのフィールドから構成されている。第７実施形態と同様、第１のフィールドはリセット期間ＰＲ１と走査期間ＰＳ１と発光期間ＰＬ１とから構成され、第２のフィールドはリセット期間ＰＲ２と走査期間ＰＳ２と発光期間ＰＬ２とから構成されている。
実線７１ｍは、ランプ発生回路８ｆからランプ電圧ライン５５に供給されるランプ電圧ＲＡＭＰ１の電圧波形を示している。ランプ電圧ＲＡＭＰ１は、各フィールドのリセット期間及び走査期間（即ち、ＰＲ１、ＰＳ１、ＰＲ２及びＰＳ２）において予め設定された初期電圧に固定されているが、各発光期間（即ち、ＰＬ１及びＰＬ２）において予め設定された変化率で単調に低下（単調減少）する。そして、各リセット期間（即ち、ＰＲ１及びＰＲ２）において、ランプ電圧ＲＡＭＰ１の単調減少は停止し、再び上記初期電圧に戻る。
実線７２ｍは、ランプ発生回路８ｆからランプ電圧ライン５６に供給されるランプ電圧ＲＡＭＰ２の電圧波形を示している。ランプ電圧ＲＡＭＰ２は、各リセット期間（即ち、ＰＲ１及びＰＲ２）においてオフ制御用トランジスタＴＲ７をオンとする電圧に固定される一方、各走査期間（即ち、ＰＳ１及びＰＳ２）においてオフ制御用トランジスタＴＲ７をオフとする電圧に固定される。また、ランプ電圧ＲＡＭＰ２は、各発光期間（即ち、ＰＬ１及びＰＬ２）において、予め設定された変化率で単調に低下（単調減少）する。
第２のフィールドの発光期間ＰＬ２におけるランプ電圧ＲＡＭＰ１の変化率は、第１のフィールドの発光期間ＰＬ１におけるそれよりも大きくなっている。同様に、第２のフィールドの発光期間ＰＬ２におけるランプ電圧ＲＡＭＰ２の変化率は、第１のフィールドの発光期間ＰＬ１におけるそれよりも大きくなっている。また、各発光期間におけるＲＡＭＰ１及びＲＡＭＰ２の変化率は、例えば同一となっている。また、リセット期間ＰＲ１とＰＲ２の長さは、例えば同一の長さに設定される。走査期間ＰＳ１とＰＳ２の長さも、例えば同一の長さに設定される。勿論、それらを異なる長さに設定しても構わない。また、発光期間ＰＬ１の長さは発光期間ＰＬ２の長さよりも長くなっている。但し、それらを同一とする変形は可能である。
第１３実施形態においては、第１と第２のフィールドの双方において、電圧ＶＦの変動に応じた有機ＥＬ素子４２の駆動を行う。但し、上記黒浮きの問題を解決するために、第１のフィールドにおいては階調信号の高階調側をデータ電圧として表した第１のデータ電圧（高階調側の階調信号に対応した第１のデータ電圧）が各画素に供給されるように、且つ第２のフィールドにおいては階調信号の低階調側をデータ電圧として表した第２のデータ電圧（低階調側の階調信号に対応した第２のデータ電圧）が各画素に供給されるように、ＬＵＴ９が階調信号をフィールドの種類に応じて変更して（第１と第２の変換階調信号に変換して）データドライバー３ｆに供給するとともに、第２のフィールドにおけるランプ電圧の傾きを（第１のフィールドにおけるそれよりも）急峻にしている。
実線６１ｍ、実線６２ｍは、それぞれ有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の実線２０１の場合におけるノードＮＡ、ノードＮＢの電圧波形を示している。実線６３ｍは、有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の実線２０１の場合において、有機ＥＬ素子４２に流れる電流ＩＯＬＥＤの波形を示している。
破線６４ｍ、破線６５ｍは、有機ＥＬ素子４２が経時変化することにより、又は動作周囲温度が低温になることにより有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の破線２０２のようになった場合におけるノードＮＡ、ノードＮＢの電圧波形を示している。破線６６ｍは、同様に、有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の破線２０２のようになった場合において、有機ＥＬ素子４２に流れる電流ＩＯＬＥＤの波形を示している。
また、破線６７ｍは、有機ＥＬ素子４２の経時変化等に起因する電圧ＶＦの変動をフィードバックしない場合であって且つ経時変化等によって電流ＩＯＬＥＤが減少した場合の電流ＩＯＬＥＤの波形である。
リセット期間ＰＲ１における各部の動作は第７実施形態と同じである。従って、リセット期間ＰＲ１終了時におけるノードＮＡ及びノードＮＢの電圧は、夫々（ＣＶ＋ＶＦ）及びＶＤＤとなっている。更に、第２のフィールドのリセット期間ＰＲ２における各部の動作もリセット期間ＰＲ１におけるそれと同じとなっている。更にまた、各リセット期間においてデータ電圧ライン４３ａに供給されるリセット電圧ＲＳＴの電圧値は、リセット期間ＰＲ１及びＰＲ２の双方において、（ＣＶ＋ＶＦ）よりも十分に高く設定されている。
従って、第１及び第２のフィールドの双方のリセット期間において、電圧ＶＦに応じた電圧（フィードバック電圧）がコンデンサＣ１に伝達され、各リセット期間の終了時点においてコンデンサＣ１には、電圧（ＶＤＤ−ＣＶ−ＶＦ）、即ち、電圧ＶＦに応じた電圧（保持電圧）が保持されることとなる。また、図１８に示す有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性からも理解されるように、経時変化等のある破線６４ｍにおける電圧ＶＦは、実線６１ｍのそれよりも大きい。従って、各走査期間移行時において、従って、（破線６４ｍが示すノードＮＡの電圧）＞（実線６１ｍが示すノードＮＡの電圧）となっている。尚、制御信号ＣＴＬ１は、各走査期間及び各発光期間においてローレベルに維持される。
各走査期間において、ハイレベルの走査電圧ＳＣＡＮが着目している画素４１ｍに加わると、書込み用トランジスタＴＲ１はオンとなる。この時、ノードＮＡの電圧は、データ電圧ライン４３ａに供給されているデータ電圧ＤＡＴＡと等しくなるように上昇し（データ電圧ＤＡＴＡが書き込まれ）、それに伴って、コンデンサＣ１のカップリングによりノードＮＢの電圧も同じ電圧だけ上昇する。この時のノードＮＡとノードＮＢの電圧上昇分は、（ＤＡＴＡ−ＶＦ−ＣＶ）である。従って、ノードＮＢの電圧（駆動用トランジスタＴＲ３のゲート電圧）は、電圧（ＶＤＤ−ＣＶ＋ＤＡＴＡ−ＶＦ）、即ち、データ電圧ＤＡＴＡと電圧ＶＦとに応じた電圧（上記保持電圧とデータ電圧ＤＡＴＡに応じた電圧）となる。
ここで、（破線６４ｍにおけるＶＦ）＞（実線６１ｍにおけるＶＦ）なのであるから、データ電圧ＤＡＴＡを書き込んだ後は、（破線６５ｍが示すノードＮＢの電圧）＜（実線６２ｍが示すノードＮＢの電圧）となる。
データ電圧ＤＡＴＡの書込みの後、着目している画素４１ｆに加わる走査電圧ＳＣＡＮはローレベルに戻され、表示パネル４ｆを構成している全ての画素４１ｆにデータ電圧が書き込まれると、各走査期間が終了して各発光期間に移行する。
各フィールドにおいて発光期間に移行すると、ランプ電圧ＲＡＭＰ１は予め定められた電圧分だけ急激に低下する。各発光期間において実際に有機ＥＬ素子４２が発光する時間の割合を、なるだけ多くするためのである。このランプ電圧ＲＡＭＰ１の急激な低下によって、同じ電圧分だけノードＮＡ、ノードＮＢの夫々の電位も低下する。その後、ランプ電圧ＲＡＭＰ１は、上記の如く、第１と第２のフィールド間において異なる変化率で直線的に減少する。また、各フィールドにおいて発光期間に移行すると、ランプ電圧ＲＡＭＰ２も、上記の如く、第１と第２のフィールド間において異なる変化率で直線的に減少する。
各発光期間において、ノードＮＢの電圧が、電圧（ＶＤＤ−Ｖｔｈ）以下になると、有機ＥＬ素子４２には電流が流れ始めるのであるが、各発光期間移行時において、（破線６５ｍが示すノードＮＢの電圧）＜（実線６２ｍが示すノードＮＢの電圧）となっているため、破線６５ｍに示す方がより早い段階で発光が始まる。また、各発光期間において有機ＥＬ素子４２に流れ始めた電流は次第に増加していく。そして、各発光期間において、ランプ電圧ＲＡＭＰ２が電圧（ＶＤＤ−Ｖｔｈ）以下になると、オフ制御用トランジスタＴＲ７がオンとなってノードＮＢの電圧が正側の電源電圧ＶＤＤまで上昇し、これに伴って駆動用トランジスタＴＲ３がオフとなって有機ＥＬ素子４２の発光は停止する。
第１のフィールドでは、発光期間ＰＬ１におけるランプ電圧（ＲＡＭＰ１やＲＡＭＰ２）の変化は比較的緩やかであるため、電圧ＶＦの変動分は比較的大きな電流ＩＯＬＥＤの変動となって表れる。つまり、電圧ＶＦの変動に対して発光期間ＰＬ１における電流ＩＯＬＥＤの実効値は敏感に増減する。そこで、第１のフィールドにおいては、高階調側のデータをデータ電圧ＤＡＴＡとして各画素に供給する。図１９等から理解されるように、経時変化等によってもたらされる電流ＩＯＬＥＤの低下は、高階調側において著しいからである。
一方、第２のフィールドでは、発光期間ＰＬ２におけるランプ電圧（ＲＡＭＰ１やＲＡＭＰ２）の変化は比較的急峻であるため、電圧ＶＦの変動分は電流ＩＯＬＥＤの増減に小さな影響しか与えない。つまり、電圧ＶＦの変動に対して発光期間ＰＬ２における電流ＩＯＬＥＤの実効値の増減は鈍感である。そこで、第２のフィールドにおいては、低階調側のデータをデータ電圧ＤＡＴＡとして各画素に供給する。低階調側に対して電圧ＶＦの変動をフィードバックし過ぎることによる黒浮きを抑制するためである。
上記の如く動作させることにより黒浮きは抑制される。しかしながら、若干とはいえ第２のフィールドにおいても電圧ＶＦの変動のフィードバックは行われるため、黒浮きの抑制対策としては上述してきた第７〜第１２実施形態の方が望ましい。
ＬＵＴ９のよるフィールドの種類に応じた階調信号の変換について具体例を挙げる。例えば、ＬＵＴ９に供給される階調信号の表す値が０〜２５５の範囲内で変動するとし、その値の大きい方が高階調側に対応するとして考える。また、或る１つの画素に着目して説明する。
例えば、ＬＵＴ９に供給された階調信号の表す値が低階調側の０〜５０である場合、第２のフィールドにおいてのみ有機ＥＬ素子４２が発光するようなデータ電圧ＤＡＴＡを夫々の走査期間において対象画素に書き込み、第２のフィールドのみにおける発光によって、その階調信号に対応する輝度（電流ＩＯＬＥＤ）を得る。ＬＵＴ９に供給された階調信号の表す値が高階調側の１５０〜２５５である場合、第１のフィールドにおいてのみ有機ＥＬ素子４２が発光するようなデータ電圧ＤＡＴＡを夫々の走査期間において対象画素に書き込み、第１のフィールドのみにおける発光によって、その階調信号に対応する輝度（電流ＩＯＬＥＤ）を得る。
ＬＵＴ９に供給された階調信号の表す値が中間階調の５１〜１４９である場合、第１と第２のフィールドの双方において有機ＥＬ素子４２が発光するようなデータ電圧ＤＡＴＡを夫々の走査期間において対象画素に書き込み、第１と第２のフィールドの双方における発光によって、その階調信号に対応する輝度（電流ＩＯＬＥＤ）を得る。つまり、中間階調については第１と第２のフィールドの両方に分散させる。
上記の如く動作するように、ＬＵＴ９は、供給された階調信号をフィールドの種類に応じて変更してデータドライバー３ｆに供給している。つまり、ＬＵＴ９は、第１のフィールドおいては第１の変換階調信号（第１の補正階調信号）をデータドライバー３ｆに供給する一方、第２のフィールドおいては第２の変換階調信号（第２の補正階調信号）をデータドライバー３ｆに供給する。供給された階調信号をどのような第１の変換階調信号と第２の変換階調信号に変換するかは、予め定められている。
第１の変換階調信号を受けたデータドライバー３ｆは、第１のフィールドの走査期間ＰＳ１において画素に供給するデータ電圧ＤＡＴＡを第１の変換階調信号に応じた第１のデータ電圧に決定する。同様に、第２の変換階調信号を受けたデータドライバー３ｆは、第２のフィールドの走査期間ＰＳ２において画素に供給するデータ電圧ＤＡＴＡを第２の変換階調信号に応じた第２のデータ電圧に決定する。
但し、中間階調を第１と第２のフィールドに分散させる必要は必ずしもない。例えば、ＬＵＴ９に供給された階調信号の表す値が低階調側の０〜１２０である場合、第２のフィールドにおいてのみ有機ＥＬ素子４２が発光するようなデータ電圧ＤＡＴＡを夫々の走査期間において対象画素に書き込み、ＬＵＴ９に供給された階調信号の表す値が高階調側の１２０〜２５５である場合、第１のフィールドにおいてのみ有機ＥＬ素子４２が発光するようなデータ電圧ＤＡＴＡを夫々の走査期間において対象画素に書き込むようにしてもよい。
第１３実施形態を、第７実施形態の変形例として説明したが、第１３実施形態を第８〜第１０実施形態や後述する第１５〜第１７実施形態と組み合わせることもできる。つまり、「第１のフィールドにおいては高階調側の階調信号に対応した第１のデータ電圧が各画素に供給されるように、且つ第２のフィールドにおいては低階調側の階調信号に対応した第２のデータ電圧が各画素に供給されるように、ＬＵＴ９が階調信号をフィールドの種類に応じて変更してデータドライバー３ｆに供給するとともに、第２のフィールドにおけるランプ電圧の傾きを（第１のフィールドにおけるそれよりも）急峻する」という手法を、第８〜第１０実施形態や後述する第１５〜第１７実施形態に適用しても良い。勿論、この際、第１と第２のフィールドの双方のリセット期間又は走査期間において、電圧ＶＦに応じた電圧をコンデンサＣ１に保持させるようにする。
＜＜第１４実施形態＞＞
次に、本発明を有機ＥＬ表示装置に実施した第１４実施形態につき、説明する。本発明の第１４実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の全体的構成は、図１（第１実施形態）におけるものと略同様であるため、図示は省略し、第１実施形態との相違点に着目して説明を行う。
まず、表示パネル４は、図４１に示す画素回路を有した画素４１ｎから構成されるように変形される。図４１において、図２や図２８と同一の部分には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また、制御信号発生回路５は、制御信号ＣＴＬ１及びＣＴＬ２だけでなく制御信号ＣＴＬ３も画素４１ｎに供給するように、第１実施形態より変形される。また、以下の動作を実現するべく、有機ＥＬ表示装置の各部は変形される。
画素４１ｎの回路構成を説明する。各画素４１ｎを構成する画素回路は、有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）４２と、書込み用トランジスタＴＲ１と、自身のゲート（制御電極）に加わる電圧に応じて有機ＥＬ素子４２を駆動する駆動用トランジスタＴＲ２３と、オン／オフ用トランジスタＴＲ４と、調整用トランジスタＴＲ５と、コンデンサＣ１（第１容量素子）と、コンデンサＣ２（第２容量素子）と、駆動用トランジスタＴＲ２３のオン／オフを制御するためのスイッチ用トランジスタＴＲ３３と、スイッチ用トランジスタＴＲ３３の動作閾値電圧（Ｖｔｈ）のばらつきを補償するための閾値補償用トランジスタＴＲ３２と、オン／オフ用トランジスタＴＲ３４と、コンデンサＣ３と、から構成されている。
閾値補償用トランジスタＴＲ３２及びオン／オフ用トランジスタＴＲ３４は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）であるＮチャンネルのＭＯＳトランジスタであり、スイッチ用トランジスタＴＲ３３は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）であるＰチャンネルのＭＯＳトランジスタである。
書込み用トランジスタＴＲ１は、第１電極（例えばソース）が、所定のタイミングにてデータ電圧ＤＡＴＡが印加されるデータ電圧ライン４３に接続されると共に、第２電極（例えばドレイン）がコンデンサＣ１の一方の電極に接続されている。また、書込み用トランジスタＴＲ１のゲートは、走査電圧ＳＣＡＮが印加される走査電圧ライン４４に接続されている。閾値補償用トランジスタＴＲ３２は、第１電極（例えばソース）がコンデンサＣ１の他方の電極及びスイッチ用トランジスタＴＲ３３のゲートに共通接続されていると共に、第２電極（例えばドレイン）がスイッチ用トランジスタＴＲ３３のドレインとオン／オフ用トランジスタＴＲ３４のドレインに共通接続されている。また、閾値補償用トランジスタＴＲ３２のゲートは、制御信号ＣＴＬ２が印加される制御信号ライン４７に接続されている。
画素４１ｎにおいて、コンデンサＣ１と書込み用トランジスタＴＲ１の第２電極との接続点、コンデンサＣ１とスイッチ用トランジスタＴＲ３３のゲートとの接続点、スイッチ用トランジスタＴＲ３３のドレインとオン／オフ用トランジスタＴＲ３４のドレインとの接続点を、夫々ノードＮＡ、ノードＮＢ、ノードＮＣということにする。
駆動用トランジスタＴＲ２３において、ドレインには正側の電源電圧ＶＤＤが印加されており、該ドレインはコンデンサＣ３を介して自身のゲートに接続されており、ソースはオン／オフ用トランジスタＴＲ４のドレインに接続されている。また、駆動用トランジスタＴＲ２３のゲートはノードＮＣに接続されている。
オン／オフ用トランジスタＴＲ４において、ソースは有機ＥＬ素子４２の陽極に接続されており、ゲートは制御信号ＣＴＬ３が印加される制御信号ライン４９に接続されている。オン／オフ用トランジスタＴＲ３４において、ソースは有機ＥＬ素子４２の陽極に接続されており、ゲートは制御信号ＣＴＬ１が印加される制御信号ライン４６に接続されている。有機ＥＬ素子４２の陰極には負側の電源電圧ＣＶが印加されている。また、スイッチ用トランジスタＴＲ３３のソースには、電源電圧ＶＤＤよりも高電位を有する電源電圧ＶＣＣが印加されている。
調整用トランジスタＴＲ５において、第１電極（例えばソース）は有機ＥＬ素子４２の陽極に接続され、第２電極（例えばドレイン）はノードＮＡに接続され、ゲートは制御信号ライン４７に接続されている。コンデンサＣ２において、一方の電極はノードＮＡに接続され、他方の電極はランプ電圧ＲＡＭＰが供給されるランプ電圧ライン４５に接続されている。
図４２は、図４１における各部の電圧及び有機ＥＬ素子４２に流れる電流ＩＯＬＥＤを、１フレーム期間にわたって示したものである。図４２において、図３と同一のものには同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
図４２に示す如く、１画面の表示周期である１フレーム期間（フレーム周波数の逆数）は、リセット期間と走査期間と発光期間とから構成されている。リセット期間は、スイッチ用トランジスタＴＲ３３の動作閾値電圧（Ｖｔｈ）のばらつきや有機ＥＬ素子４２の発光開始電極間電圧ＶＦの変動を補償するために設けられた期間である。走査期間は、各走査電圧ライン４４に順次、ハイレベルの走査電圧ＳＣＡＮを印加することにより同一走査電圧ラインに繋がっている複数の書込み用トランジスタＴＲ１をオンとして、データ電圧ＤＡＴＡを各画素に書き込むための期間である。発光期間は、走査期間に書き込まれたデータ電圧ＤＡＴＡに応じて各有機ＥＬ素子４２を発光させるための期間である。リセット期間及び／又は走査期間は、発光期間における各有機ＥＬ素子４２の発光を準備するための期間であることから、発光準備期間と呼ぶことができる。
リセット期間、走査期間、発光期間の順に期間が進行し、ｋ番目(ｋ；自然数)のフレーム期間が終了すると、続けて次の（ｋ＋１）番目のフレーム期間におけるリセット期間、走査期間、発光期間が、この順番で訪れる。
実線６０ｎは、ランプ電圧発生回路８からランプ電圧ライン４５に供給されるランプ電圧ＲＡＭＰの電圧波形を示している。ランプ電圧ＲＡＭＰは、リセット期間及び走査期間において予め設定された初期電圧に固定されているが、走査期間から発光期間への移行時に急激に立ち下がった後、予め設定された変化率で減少していく。そして、発光期間から次のフレームのリセット期間への移行時において、ランプ電圧ＲＡＭＰの減少は停止し、再び上記初期電圧に戻る。
実線６１ｎ、実線６２ｎ、実線６８ｎは、それぞれ有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の実線２０１の場合におけるノードＮＡ、ノードＮＢ、ノードＮＣの電圧波形を示している。実線６３ｎは、有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の実線２０１の場合において、有機ＥＬ素子４２に流れる電流ＩＯＬＥＤの波形を示している。
破線６４ｎ、破線６５ｎ、破線６９ｎは、有機ＥＬ素子４２が経時変化することにより、又は動作周囲温度が低温になることにより有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の破線２０２のようになった場合におけるノードＮＡ、ノードＮＢ、ノードＮＣの電圧波形を示している。破線６６ｎは、同様に、有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の破線２０２のようになった場合において、有機ＥＬ素子４２に流れる電流ＩＯＬＥＤの波形を示している。
まず、（ｋ−１）番目のフレーム期間の終了時に制御信号ＣＴＬ３がハイレベルからローレベルに切り換えられ、ｋ番目のリセット期間（ｋ番目のフレーム期間におけるリセット期間）において、制御信号ＣＴＬ１及びＣＴＬ２は双方ローレベルである状態から双方ハイレベルに切り換えられる。これにより、閾値補償用トランジスタＴＲ３２、オン／オフ用トランジスタＴＲ３４及び調整用トランジスタＴＲ５はオン（導通状態）となり、電源電圧ＶＣＣと電源電圧ＣＶとの差電圧（ＶＣＣ−ＣＶ）が、有機ＥＬ素子４２の両極間電圧ＶＯＬＥＤとスイッチ用トランジスタＴＲ３３のドレイン−ソース間電圧Ｖｄｓ（＝Ｖｇｓ）とで配分される。従って、この時のノードＮＡ、ＮＢ及びＮＣに加わる電圧は、電源電圧ＣＶよりも有機ＥＬ素子４２の陽極−陰極間に配分された電圧だけ高い電圧となる。また、この時、有機ＥＬ素子４２には若干量の電流が流れることになる。
続いて、制御信号ＣＴＬ１及びＣＴＬ２が双方ハイレベルである状態から制御信号ＣＴＬ１だけがローレベルに遷移してオン／オフ用トランジスタＴＲ３４がオフとなる。この時、電源電圧ＶＣＣからの電流がスイッチ用トランジスタＴＲ３３及び閾値補償用トランジスタＴＲ３２を介してノードＮＢに流れ込み、ノードＮＢ（及びＮＣ）は電源電圧ＶＣＣよりスイッチ用トランジスタＴＲ３３の動作閾値電圧（Ｖｔｈ）だけ低い電圧まで充電される。また、この時、ノードＮＡから調整用トランジスタＴＲ５、有機ＥＬ素子４２を介して電流が負側の電源電圧ＣＶに流れ込む。即ち、（ＣＶ＋ＶＦ）で表される電位より一時的に電位が高くなっているノードＮＡの電荷（正の電荷）の一部が調整用トランジスタＴＲ５及び有機ＥＬ素素子４２を介して抜き取られ、ノードＮＡに加わる電圧は電源電圧ＣＶより有機ＥＬ素子４２の発光開始両極間電圧ＶＦだけ高い電圧で安定する。
そして、ノードＮＡ、ＮＢ及びＮＣの電位が安定する頃に制御信号ＣＴＬ２をローにして閾値補償用トランジスタＴＲ３２及び調整用トランジスタＴＲ５をオフ（遮断状態）とする。この時、コンデンサＣ１には、（ＶＣＣ−ＣＶ−Ｖｔｈ−ＶＦ）にて表される電圧が保持されている。
更にその後、制御信号ＣＴＬ１がローレベルからハイレベルに切り換えられる。これにより、ノードＮＣの電荷（正の電荷）の一部がオン／オフ用トランジスタＴＲ３４及び有機ＥＬ素素子４２を介して抜き取られてノードＮＣに加わる電圧もノードＮＡと同じく（ＣＶ＋ＶＦ）となり、駆動用トランジスタＴＲ２３がオフとなる。この後、制御信号ＣＴＬ１は再びローレベルに切り換えられ、走査期間に移行する。制御信号ＣＴＬ１及びＣＴＬ２は、走査期間及び発光期間においてローレベルに維持され、制御信号ＣＴＬ３は、走査期間及び発光期間において、夫々ローレベル及びハイレベルに維持される。尚、リセット期間において、走査電圧ＳＣＡＮはローレベルに維持されている。
また、図１８に示す有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性からも理解されるように、経時変化等のある破線６４ｎ及び６９ｎにおける電圧ＶＦは、実線６１ｎ及び６８ｎのそれよりも大きい。従って、走査期間移行時において、（破線６４ｎが示すノードＮＡの電圧）＞（実線６１ｎが示すノードＮＡの電圧）となっていると共に、（破線６９ｎが示すノードＮＣの電圧）＞（実線６８ｎが示すノードＮＣの電圧）となっている。
走査期間において、ハイレベルの走査電圧ＳＣＡＮが着目している画素４１ｎに加わると、書込み用トランジスタＴＲ１はオンとなる。この時、ノードＮＡの電圧は、データ電圧ライン４３に供給されているデータ電圧ＤＡＴＡと等しくなるように上昇し（データ電圧ＤＡＴＡが書き込まれ）、それに伴って、コンデンサＣ１のカップリングによりノードＮＢの電圧も同じ電圧だけ上昇する。この時のノードＮＡとノードＮＢの電圧上昇分は、（ＤＡＴＡ−ＶＦ−ＣＶ）である。従って、ノードＮＢの電圧は、（ＶＣＣ−ＣＶ＋ＤＡＴＡ−ＶＦ−Ｖｔｈ）となる。
ここで、（破線６４ｎにおけるＶＦ）＞（実線６１ｎにおけるＶＦ）なのであるから、データ電圧ＤＡＴＡを書き込んだ後は、（破線６５ｎが示すノードＮＢの電圧）＜（実線６２ｎが示すノードＮＢの電圧）となる。
データ電圧ＤＡＴＡの書込みの後、着目している画素４１ｎに加わる走査電圧ＳＣＡＮはローレベルに戻され、表示パネル４を構成している全ての画素４１ｎにデータ電圧が書き込まれると、走査期間が終了して発光期間に移行する。
発光期間に移行すると、制御信号ＣＴＬ３がハイレベルに切り換えられてオン／オフ用トランジスタＴＲ４がオンになるとともに、ランプ電圧ＲＡＭＰが上記初期電圧から所定の電圧だけ急激に立ち下がる。このランプ電圧ＲＡＭＰの立ち下がりによって、ノードＮＡとノードＮＢの電圧も同じ電圧分だけ立ち下がるが、ランプ電圧ＲＡＭＰの立ち下がり直後のノードＮＢの電圧は、（ＶＣＣ―Ｖｔｈ）よりも高くなっているものとする。この後、ランプ電圧ＲＡＭＰは、上記の如く、予め設定された変化率で減少してゆき、この減少に伴ってノードＮＡとノードＮＢの電圧も減少していく。
そして、ノードＮＢの電圧が（ＶＣＣ−Ｖｔｈ）以下になると、スイッチ用トランジスタＴＲ３３がオンしてノードＮＣの電圧が電源電圧ＶＣＣと略等しくなる。これによって、駆動用トランジスタＴＲ２３がオンして有機ＥＬ素子４２には電流が流れ始めるのであるが、発光期間移行時において、（破線６５ｎが示すノードＮＢの電圧）＜（実線６２ｎが示すノードＮＢの電圧）となっているため、破線６５ｎ（破線６９ｎ）に示す方がより早い段階で発光が始まる。
また、発光期間中、ランプ電圧ＲＡＭＰの減少は継続するので、駆動用トランジスタＴＲ２３のゲート電圧（ノードＮＣの電圧）は、電源電圧ＶＣＣに維持される。このため、図４２に示す如く、有機ＥＬ素子４２の電流波形は矩形波となる。発光期間終了時点にて制御信号ＣＴＬ３がローレベルに切り換えられて有機ＥＬ素子４２の発光は停止し、次のフレーム期間に移行する。
仮に、従来例のように、有機ＥＬ素子４２の経時変化等に起因する電圧ＶＦの変動を全くフィードバックしない構成を採用した場合、実線６３ｎのようであった電流ＩＯＬＥＤは、経時変化等によって減少し、同一のデータ電圧ＤＡＴＡに対する輝度が大きく減少してしまう（実際に発光する時間の長さは変化しない）。ところが、本実施形態においては、経時変化等があっても電流ＩＯＬＥＤは破線６６ｎのようになって、実際に発光する時間の長さが増加するため、電流ＩＯＬＥＤの減少分（輝度の減少分）が補償される。また、電圧プログラム方式を用いているため、有機ＥＬ素子４２の輝度は、スイッチ用トランジスタＴＲ３３の動作閾値電圧（Ｖｔｈ）のばらつきの影響を受けない。
駆動用トランジスタＴＲ２３の動作閾値電圧のばらつきの影響を排除するための電圧プログラム方式は採用されていないが、発光期間にて駆動用トランジスタＴＲ２３をオンさせる際、駆動用トランジスタＴＲ２３の動作点を線形領域内にするとともに、駆動用トランジスタＴＲ２３のゲート−ソース間電圧を十分に大きな電圧にするという手法を採用することによって、その影響を排除している。
この手法について、図４３を参照しながら説明する。図４３は、駆動用トランジスタＴＲ２３のＶｄｓ−Ｉｄ特性と、ＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性を示したものである。図４３において、図１８と同一の部分には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。発光期間にて駆動用トランジスタＴＲ２３をオンさせる際の駆動用トランジスタＴＲ２３の動作点が、上記の如く、線形領域内にあるものとする。
実線２０５は、駆動用トランジスタＴＲ２３のゲート−ソース間電圧（Ｖｇｓ）が或る一定電圧の場合におけるＶｄｓ−Ｉｄ特性を示している。図４３からも分かるように、このゲート−ソース間電圧を大きくしていくと、ゲート−ソース間電圧の変動に対する動作点の変化が鈍感になっていく。即ち、発光期間における電流ＩＯＬＥＤの大きさは、駆動用トランジスタＴＲ２３の動作閾値電圧のばらつきの影響を殆ど受けないのである。
また、駆動用トランジスタＴＲ２３の動作点が線形領域内にあるため、全ての階調において無効電力の発生が極めて少なくなり、消費電力が削減される。更にまた、図４２に示す如く、発光期間における有機ＥＬ素子４２の電流波形が矩形波となっているため、第１実施形態等に比べて電流ＩＯＬＥＤの最大値（ピーク電流値）を低く抑えることができる。ピーク電流値を低く抑えることができれば、電源電圧ＶＤＤの変動が抑制され、また、電源電圧ＶＤＤを供給する電源回路（不図示）の電流容量を低く抑えることもできる。
また、本実施形態は、閾値補償用トランジスタＴＲ３２を用いることによってスイッチ用トランジスタＴＲ３３の動作閾値電圧のばらつきを吸収する手法を採用しているため、図４２の実線６０ｎに示す如く、発光期間において、ランプ電圧ＲＡＭＰの変化率を時間の経過と共に変化させることが可能となる。つまり、表示パネル４のガンマ特性に応じてランプ電圧ＲＡＭＰに任意の曲率を付けることができる。
具体的な一例として、図４２に実線６０ｎを示している。発光期間におけるランプ電圧ＲＡＭＰは、発光期間が経過するにつれて、徐々に減少の変化率が大きくなっている。つまり、発光期間においてランプ電圧ＲＡＭＰの変化率は前半側よりも後半側の方が大きい。
尚、本実施形態において、ランプ電圧ＲＡＭＰの変化率を時間の経過と共に変化させることは必須ではない。即ち、発光期間におけるランプ電圧ＲＡＭＰの変化率を一定としても構わない。
また、本実施形態においては、発光期間における有機ＥＬ素子４２の電流波形が矩形波となっているため、経時変化によって電流ＩＯＬＥＤが全ての階調に対して同じように減少する。つまり、図１９を用いて説明したように、電圧ＶＦの変動に応じた電流ＩＯＬＥＤの補正により、黒が浮くといった問題が生じ得る。そこで、ランプ電圧ＲＡＭＰに任意の曲率を付与できることに着目し、データ電圧と電流ＩＯＬＥＤとの関係を、図４４に示す関係のようにしてもよい。
図４４において、横軸はデータドライバー３から各画素に供給されるデータ電圧を表し、縦軸は供給されたデータ電圧に応じて流れる各画素の有機ＥＬ素子４２の電流ＩＯＬＥＤの実効値を表している。図４４は、図３４の縦軸における「輝度」を「電流ＩＯＬＥＤの実効値」に置換したものとなっている。
任意の階調信号がデータドライバー３に与えられ、その与えられた階調信号によって特定される階調に対応したデータ電圧の電圧値をＤとする。初期状態の各画素において、電圧値がＤのデータ電圧が供給されたとき、そのデータ電圧に応じて流れる電流ＩＯＬＥＤの実効値をＩとする。また、データドライバー３に供給された階調信号によって特定される階調が黒レベルの階調及び白レベルの階調であるときに、各画素に供給されるデータ電圧の電圧値を、それぞれＤＢ及びＤＷとする。また、初期状態の各画素において、電圧値がＤＢ及びＤＷのデータ電圧が供給されたとき、それらのデータ電圧に応じて流れる電流ＩＯＬＥＤの実効値を、それぞれＩＢ及びＩＷとする。そして、更に、ｘ＝Ｄ−ＤＢ、ｙＩ＝Ｉ−ＩＢ＋１、と定める。
この場合、初期状態において下式（４）が成立するように、発光期間におけるランプ電圧ＲＡＭＰの変化率を設定する（曲率を付ける）。図４４における実線５１０は、下式（４）を満たす曲線を表している。初期状態において式（４）を満たしていたｙＩとｘの関係は、電圧ＶＦのフィードバックを行っていない場合、有機ＥＬ素子４２の経時変化後に下式（５）を満たすようになる。図４４における破線５１１は、下式（５）を満たす曲線を表している。尚、下式（４）及び（５）中のａ及びｂは、第１０実施形態の説明文中の上記式（１）及び（２）にて示したものと同じものである。
ｙＩ＝ａｘ ・・・（４）
ｙＩ＝ａｘ／ｂ ・・・（５）
第１４実施形態においては、発光期間における有機ＥＬ素子４２の電流波形が矩形波となっているため、経時変化によって電流ＩＯＬＥＤの実効値が全ての階調に対して同じように減少する。このため、第１４実施形態においては、電流ＩＯＬＥＤの実効値の減少の割合が全ての階調において同じであることを前提とした上記式（５）が成立することになる。
電圧ＶＦのフィードバックを行うと、初期状態において上記式（４）を満たしていたｙＩとｘの関係は、有機ＥＬ素子４２の経時変化後に下式（６）を満たすようになる。ここで、下式（６）中のｃは、第１０実施形態の説明文中の上記式（３）にて示したものと同じものである。
ｙＩ＝ａ（ｘ＋ｃ）／ｂ＝ａｘ・ａｃ／ｂ ・・・（６）
そして、「式：ｂ＝ａｃ」が成立するようにすればよい。つまり、「式：ｂ＝ａｃ」が成立するように、有機ＥＬ素子４２の特性（経時変化特性）や駆動用トランジスタＴＲ２３の特性等に応じてａの値を定めればよい。これにより、式（６）は、初期状態における上記式（４）に一致することになり、経時変化等に起因した電流ＩＯＬＥＤの実効値の減少が（理想的には）完全に補正される。有機ＥＬ表示素子４２の電流波形が矩形波なので、経時変化等が生じてもデータ電圧と電流ＩＯＬＥＤの実効値との関係（即ち、ガンマ特性の曲率）に変化はない。勿論、この際、黒が浮くといった問題は生じない。尚、上記式（４）にて表されるガンマ特性は、ディスプレイの基準ガンマ特性（ガンマ値が２．２）からは外れているため、外部回路（例えば、図１の映像信号処理回路６内）にて必要なガンマ変換を行う。
＜＜第１５実施形態＞＞
次に、本発明を有機ＥＬ表示装置に実施した第１５実施形態につき、説明する。本発明の第１５実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の全体的構成は、第７実施形態に対応する図２０におけるものと同様であるため、図示は省略する。有機ＥＬ表示装置を構成する各部位は、以下の本実施形態における動作を実現できるように変形される。
本実施形態における表示パネル４ｆは、図４５に示す画素回路を有した画素４１ｐから構成されるように変形される。本実施形態においては、ランプ電圧発生回路８ｆは、ランプ電圧ＲＡＭＰを生成して表示パネル４ｆに供給し、制御信号発生回路５ｆは、制御信号ＣＴＬ１、ＣＴＬ２、ＣＴＬ３及びＣＴＬ４を表示パネル４ｆを構成する各画素に供給する。図４５に示す画素４１ｐは、図４１の画素４１ｎに類似している。図４５において、図２１、図３８及び図４１と同一の部分には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
画素４１ｐ（画素４１ｐの画素回路）が、図４１の画素４１ｎ（画素４１ｎの画素回路）と相違する点は、書込み用トランジスタＴＲ１の第１電極が、所定のタイミングにてデータ電圧ＤＡＴＡが印加され且つ所定の他のタイミングにてリセット電圧ＲＳＴ（このリセット電圧ＲＳＴは、予め電圧値が設定されている）が印加されるデータ電圧ライン４３ａに接続されている点と、調整用トランジスタＴＲ５のゲートが、制御信号発生回路５ｆから制御信号ＣＴＬ３が供給されている制御信号ライン４９に接続されている点と、オン／オフ用トランジスタＴＲ４のゲートが、制御信号発生回路５ｆから制御信号ＣＴＬ４が供給されている制御信号ライン５２に接続されている点であり、その他の点では一致している。
図４６を用いて第１５実施形態の有機ＥＬ表示装置の動作を説明する。図４６は、図４５における各部の電圧及び有機ＥＬ素子４２に流れる電流ＩＯＬＥＤを、１フレーム期間にわたって示したものである。１画面の表示周期である１フレーム期間（フレーム周波数の逆数）は、第１のフィールドと第２のフィールドの２つのフィールドから構成されている。第７実施形態と同様、第１のフィールドはリセット期間ＰＲ１と走査期間ＰＳ１と発光期間ＰＬ１とから構成され、第２のフィールドはリセット期間ＰＲ２と走査期間ＰＳ２と発光期間ＰＬ２とから構成されている。
本実施形態においても、上記黒浮きの問題を解決するために、第１と第２のフィールドのうち、第１のフィールドにおいてのみ、電圧ＶＦの変動に応じた電流ＩＯＬＥＤの補償を行い、階調信号によって特定される階調と電流ＩＯＬＥＤの実効値との関係が第７実施形態におけるもの（図２３〜図２７）と同様となるように、ＬＵＴ９が階調信号を第１のフィールドに対応する第１の変換階調信号と第２のフィールドに対応する第２の変換階調信号とに変換してデータドライバー３ｆに供給している。このため、第７実施形態と同様の効果を奏することができる。
実線６０ｐは、ランプ電圧発生回路８ｆからランプ電圧ライン４５に供給されるランプ電圧ＲＡＭＰの電圧波形を示している。ランプ電圧ＲＡＭＰは、各フィールドのリセット期間及び走査期間（即ち、ＰＲ１、ＰＳ１、ＰＲ２及びＰＳ２）において予め設定された初期電圧に固定されているが、各発光期間（即ち、ＰＬ１及びＰＬ２）において予め設定された変化率で減少していく。そして、各リセット期間（即ち、ＰＲ１及びＰＲ２）において、ランプ電圧ＲＡＭＰの減少は停止し、再び上記初期電圧に戻る。
実線６１ｐ、実線６２ｐ、実線６８ｐは、それぞれ有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の実線２０１の場合におけるノードＮＡ、ノードＮＢ、ノードＮＣの電圧波形を示している。実線６３ｐは、有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の実線２０１の場合において、有機ＥＬ素子４２に流れる電流ＩＯＬＥＤの波形を示している。
破線６４ｐ、破線６５ｐ、破線６９ｐは、有機ＥＬ素子４２が経時変化することにより、又は動作周囲温度が低温になることにより有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の破線２０２のようになった場合におけるノードＮＡ、ノードＮＢ、ノードＮＣの電圧波形を示している。破線６６ｐは、同様に、有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の破線２０２のようになった場合において、有機ＥＬ素子４２に流れる電流ＩＯＬＥＤの波形を示している。尚、第２のフィールドにおいて、実線６１ｐと破線６４ｐは同一となって重なっており、実線６２ｐと破線６５ｐも同一となって重なっており、実線６８ｐと破線６９ｐも同一となって重なっている。
また、破線６７ｐは、有機ＥＬ素子４２の経時変化等に起因する電圧ＶＦの変動をフィードバックしない場合であって且つ経時変化等によって電流ＩＯＬＥＤが減少した場合の電流ＩＯＬＥＤの波形である。第２のフィールドにおいて、破線６６ｐと破線６７ｐは同一となって重なっている。
走査電圧ＳＣＡＮは、各発光期間（即ち、ＰＬ１及びＰＬ２）とリセット期間ＰＲ１においてローレベルとされる。制御信号ＣＴＬ１、ＣＴＬ２及びＣＴＬ３は、各走査期間（即ち、ＰＳ１及びＰＳ２）及び各発光期間（即ち、ＰＬ１及びＰＬ２）においてローレベルとされ、制御信号ＣＴＬ３に関しては、リセット期間ＰＲ２においてもローレベルに維持される。制御信号ＣＴＬ４は、各リセット期間（即ち、ＰＲ１及びＰＲ２）及び各走査期間（即ち、ＰＳ１及びＰＳ２）においてローレベルとされ、各発光期間（即ち、ＰＬ１及びＰＬ２）においてハイレベルとされる。データ電圧ライン４３ａには、第２のフィールドのリセット期間ＰＲ２にのみリセット電圧ＲＳＴ（＝（ＣＶ＋ＶＦ０））が加えられており、それ以外の期間においてはデータドライバー３ｆからのデータ電圧ＤＡＴＡが印加されている。
以下、ｋ番目のフレーム期間におけるリセット期間ＰＲ１の動作より説明を行う。第１のフィールドにおける動作は、第１４実施形態における１つのフレームの動作と同様となっている。リセット期間ＰＲ１に移行すると、制御信号ＣＴＬ１、ＣＴＬ２及びＣＴＬ３がローレベルからハイレベルに切り換えられるとともに、制御信号ＣＴＬ４がハイレベルからローレベルに切り換えられ、その後、まず制御信号ＣＴＬ１だけがローレベルに戻される。ノードＮＡの電圧が（ＣＶ＋ＶＦ）に安定化するとともに、ノードＮＢ及びＮＣの電圧が（ＶＣＣ―Ｖｔｈ）に安定化した後、制御信号ＣＴＬ２及びＣＴＬ３もローレベルに戻される。更にその後、制御信号ＣＴＬ１が所定期間だけハイレベルとされ、ノードＮＣの電圧も（ＣＶ＋ＶＦ）とされてから、走査期間ＰＳ１に移行する。
走査期間ＰＳ１及び発光期間ＰＬ１におけるランプ電圧ＲＡＭＰの変化、画素４１ｐの各トランジスタの動作、並びにノードＮＡ、ＮＢ及びＮＣの電圧の変化は、第１４実施形態の走査期間及び発光期間のおけるそれらと同じである。但し、第１５実施形態の発光期間ＰＬ１において、オン／オフ用トランジスタＴＲ４をオンとし且つ調整用トランジスタＴＲ５をオフにするべく、発光期間ＰＬ１における制御信号ＣＴＬ３及びＣＴＬ４を夫々ローレベル及びハイレベルにしている。
発光期間ＰＬ１からリセット期間ＰＲ２への移行の際、制御信号ＣＴＬ４はローレベルに切り換えられて発光が停止するとともに、走査電圧ＳＣＡＮがハイレベルとされる。上述の如く、リセット期間ＰＲ２において、データ電圧ライン４３ａにはリセット電圧ＲＳＴが供給されていることから、ノードＮＡの電圧は該リセット電圧ＲＳＴとなる。このリセット電圧ＲＳＴの電圧値は、負側の電源電圧ＣＶに初期状態における電圧ＶＦ（電圧ＶＦ０）を加えた電圧とほぼ等しくなるように設定されている。
また、発光期間ＰＬ１からリセット期間ＰＲ２への移行の際、制御信号ＣＴＬ１及びＣＴＬ２はハイレベルへと切り換えられる。このため、電源電圧ＶＣＣ側からスイッチ用トランジスタＴＲ３３、オン／オフ用トランジスタＴＲ３４を介して有機ＥＬ素子４２に電流が流れ、ノードＮＢ及びＮＣの電圧は、電源電圧ＣＶよりも有機ＥＬ素子４２の陽極−陰極間に配分された電圧だけ高い電圧となる。この後、制御信号ＣＴＬ１がローレベルに切り換えられ、ノードＮＢ及びＮＣの電圧が（ＶＣＣ−Ｖｔｈ）に安定化してから、制御信号ＣＴＬ２もローレベルに切り換えられる。この制御信号ＣＴＬ２のローレベルへの切り換えと略同時に走査電圧ＳＣＡＮがローレベルに切り換えられる。更にその後、制御信号ＣＴＬ１を所定期間だけハイレベルとし、ノードＮＣの電圧を（ＣＶ＋ＶＦ）としてから走査期間ＰＳ２に移行する。
ランプ電圧ＲＡＭＰの変換率の相違を除いて、走査期間ＰＳ２及び発光期間ＰＬ２における動作は、走査期間ＰＳ１及び発光期間ＰＬ１における動作と同じである。但し、リセット期間ＰＲ２において電圧ＶＦに応じた電圧をコンデンサＣ１に保持させていないため、経時変化等に由来する電流ＩＯＬＥＤの減少に対する補償は行われない。発光期間ＰＬ２から次のフレームのリセット期間ＰＲ１移行時にランプ電圧ＲＡＭＰは上記初期電圧に戻され、次のフレームにおいて上述と同様の動作が繰り返される。
尚、本実施形態においても、第１４実施形態と同様に、各発光期間にて駆動用トランジスタＴＲ２３をオンさせる際、駆動用トランジスタＴＲ２３の動作点を線形領域内にするとともに、駆動用トランジスタＴＲ２３のゲート−ソース間電圧を十分に大きな電圧にするという手法を採用される。
本実施形態は、第１４実施形態と例えば第１０実施形態とを組み合わせたものに相当しており、第１４実施形態と同様の効果の実現が期待できる。また、図２３及び図２４と、図２５及び図２６との比較において上述したように、電圧ＶＦの変動に応じたフィードバックの度合いを自由に変更することができるというメリットを有する。第１４実施形態のようにフィールドを分けない方式の場合は、補正によって黒が浮いてしまう場合もあるが、第１５実施形態の場合は、例えば図２５のように第１のフィールドにおける電流ＩＯＬＥＤの実効値を中間階調ｔ０から指数関数状に立ち上げるといったことが可能になるため、黒浮きの発生を確実に抑えることが可能になる。
また、第１のフィールドにおけるデータ電圧と電流ＩＯＬＥＤとの関係を、図４４に示す関係のようにしてもよい。この関係を第１５実施形態において考える場合、図４４の横軸は、第１のフィールドにおいてデータドライバー３ｆから各画素に供給されるデータ電圧を表すことになり、縦軸は、第１のフィールドにおいて供給されたデータ電圧に応じて流れる各画素の有機ＥＬ素子４２の電流ＩＯＬＥＤの実効値を表すことになる。
尚、上述したように、ＬＵＴ９は、受けた階調信号を第１の変換階調信号と第２の変換階調信号に変換し、第１のフィールドにおいては第１の変換階調信号をデータドライバー３ｆに供給する一方、第２のフィールドおいては第２の変換階調信号をデータドライバー３ｆに供給する。そして、第１の変換階調信号を受けたデータドライバー３ｆは、第１のフィールドの走査期間ＰＳ１において画素に供給するデータ電圧ＤＡＴＡを第１の変換階調信号に応じた第１のデータ電圧に決定する。第２の変換階調信号を受けたデータドライバー３ｆは、第２のフィールドの走査期間ＰＳ２において画素に供給するデータ電圧ＤＡＴＡを第２の変換階調信号に応じた第２のデータ電圧に決定する。
従って、第１５実施形態において図４４に示す関係を考える場合は、「Ｄ」を、任意の第１の変換階調信号に対応してデータドライバー３ｆから各画素に供給される第１のデータ電圧の電圧値として考え、「Ｉ」を、初期状態の各画素において、電圧値がＤの第１のデータ電圧が供給されたときに第１のフィールドにて流れる電流ＩＯＬＥＤの実効値として考え、「ＤＢ」及び「ＤＷ」を、夫々、データドライバー３ｆに供給された階調信号によって特定される階調が黒レベルの階調及び白レベルの階調であるときに、各画素に供給される第１のデータ電圧の電圧値として考え、「ＩＢ」及び「ＩＷ」を、夫々、初期状態の各画素において、電圧値がＤＢ及びＤＷの第１のデータ電圧が供給されたときに第１のフィールドにて流れる電流ＩＯＬＥＤの実効値として考える。そして、更に、第１４実施形態と同様、ｘ＝Ｄ−ＤＢ、ｙＩ＝Ｉ−ＩＢ＋１、と定める。
この場合、初期状態において上記式（４）が成立するように、第１フィールドの発光期間ＰＬ１におけるランプ電圧ＲＡＭＰの変化率を設定する（曲率を付ける）。図４４における実線５１０は、上記式（４）を満たす曲線を表している。初期状態において式（４）を満たしていたｙＩとｘの関係は、電圧ＶＦのフィードバックを行っていない場合、有機ＥＬ素子４２の経時変化後に上記式（５）を満たすようになる。図４４における破線５１１は、上記式（５）を満たす曲線を表している。但し、第１５実施形態においては、「ｂ」は、第１のフィールドと第２のフィールドの両方の電流低下を反映している。即ち、図１６に示す従来構成例にように電圧ＶＦのフィードバックを行っていない場合において、同一の階調信号に対する１フレーム期間全体に亘る電流ＩＯＬＥＤの実効値が１／２、１／３、１／４、・・・となった時の劣化度「ｂ」を、夫々２、３、４、・・・と定める。
電圧ＶＦのフィードバックを行うと、初期状態において上記式（４）を満たしていたｙＩとｘの関係は、有機ＥＬ素子４２の経時変化後に上記式（６）を満たすようになる。そして、「式：ｂ＝ａｃ」が成立するようにすればよい。つまり、「式：ｂ＝ａｃ」が成立するように、有機ＥＬ素子４２の特性（経時変化特性）や駆動用トランジスタＴＲ２３の特性等に応じてａの値を定めればよい。これにより、式（６）は、初期状態における上記式（４）に一致することになり、経時変化等に起因した電流ＩＯＬＥＤの実効値の減少が（理想的には完全に）補正される。また、この際、黒が浮くといった問題は生じない。
＜＜第１６実施形態＞＞
第７〜第１３実施形態及び第１５実施形態は、第１のフィールドと第２のフィールドの時間的な前後関係が全ての画素において同一であることを想定しているが、この前後関係を画素毎で変化させるように変形してもよい。このような変形は第７〜第１３実施形態及び第１５実施形態の全てに適用可能であるが、例として、第７実施形態にこの変形を加えたものを第１６実施形態として説明する。下記動作が実現可能なように、有機ＥＬ表示装置の各部は変形される。
表示パネル４ｆを構成する複数の画素４１ｆは、図４７に示す如く、垂直方向と水平方向に行列状（マトリクス状）に配置されている。表示パネル４ｆは複数の水平ラインと複数の垂直ラインから構成されることになる。水平方向に互いに隣接する複数の画素４１ｆは、１つの水平ラインを構成し、垂直方向に互いに隣接する複数の画素４１ｆは、１つの垂直ラインを構成する。
図４８は、５つの水平ラインを示している。第ｎ番目（ｎは任意の整数）の水平ラインを基準として、１画素分、２画素分、・・・、第ｋ画素分（ｋ；自然数）、上側に位置している水平ラインを、それぞれ第（ｎ−１）番目、第（ｎ−２）番目、・・・、第（ｎ−ｋ）番目の水平ラインと定義し、１画素分、２画素分、・・・、第ｋ画素分、下側に位置している水平ラインを、それぞれ第（ｎ＋１）番目、第（ｎ＋２）番目、・・・、第（ｎ＋ｋ）番目の水平ラインと定義する。尚、上下方向は、表示パネル４ｆの垂直方向に一致しているものとする。
例えば、第ｎ番目の水平ラインに配置されている画素４１ｆと、第ｎ番目の水平ラインを基準として偶数の画素分だけ上側及び下側に位置する水平ラインに配置されている画素４１ｆと、を第１画素群に属する画素とし、第ｎ番目の水平ラインを基準として奇数の画素分だけ上側及び下側に位置する水平ラインに配置されている画素４１ｆを第２画素群に属する画素とする。この場合、第（ｎ−２）、第ｎ、第（ｎ＋２）番目の水平ラインに配置されている画素４１ｆは第１画素群に分類され、第（ｎ−１）、第（ｎ＋１）番目の水平ラインに配置されている画素４１ｆは第２画素群に分類されることになる。
そして、各フレーム期間において、第１のフィールドと第２のフィールドとの時間的な前後関係を第１画素群と第２画素群で異ならせる。例えば、図４９に示す如く、第１画素群に対しては、各フレーム期間において、第１のフィールドが第２のフィールドよりも先に訪れるようにし、第２画素群に対しては、各フレーム期間において、第２のフィールドが第１のフィールドよりも先に訪れるようにする。
図２３〜図２６からも分かるように、同一の階調信号に対する電流ＩＯＬＥＤの実効値の大きさは、第１と第２のフィールドで異なるのであるが、上記のように第１のフィールドと第２のフィールドとの時間的な前後関係を第１画素群と第２画素群で異ならせることにより、時間的な輝度変動が抑制され、フリッカ（画面のちらつき）の発生が抑えられる。また、全ての画素が一斉に比較的電流ＩＯＬＥＤが大きくなる第２のフィールドで動作するといったことがなくなるため、電流ＩＯＬＥＤの最大値（ピーク電流値）が低く抑えられる。
また、第１画素群と第２画素群との分類分けは、様々な変形が可能である。各画素を、垂直方向及び／又は水平方向に一定の周期性を持たせるように、表示パネルを構成する画素を第１画素群と第２画素群とに分類分けするのであれば、どのように分類分けをしてもよい。例えば、上記の如く１本の水平ラインごとに第１画素群と第２画素群とを切り換えるのではなく、２、３、・・・ｋ本の水平ラインごとに、第１画素群と第２画素群とを切り換えるようにしてもよい。また、上記の例示の水平ラインを垂直ラインと読み替え、垂直ラインの違いで各画素を第１画素群と第２画素群とに分類分けするようにしてもよい。
また、任意の画素４１ｆを着目した場合において、垂直方向（上下方向）及び水平方向（左右方向）に隣接する画素４１ｆの全てが、着目した画素が属する画素群とは異なる画素群に属するようにしてもよい。即ち、図５０に示す如く、第１画素群に属している画素４１ｆ（図５０においてαで表記）の垂直方向及び水平方向に隣接する４つの画素４１ｆ（図５０においてβで表記）が、全て第２画素群に属するように分類分けする。
＜＜第１７実施形態＞＞
第７〜第１３実施形態及び第１５実施形態は、第１のフィールドと第２のフィールドが同時に進行しない場合を想定しているが、各フレーム期間において第１のフィールドと第２のフィールドが同時に進行するように各実施形態を変形してもよい。このような変形は第７〜第１３実施形態及び第１５実施形態の全てに適用可能であるが、例として、第７実施形態にこの変形を加えたものを第１７実施形態として説明する。下記動作が実現可能なように、有機ＥＬ表示装置の各部は変形される。
本実施形態における表示パネル４ｆは、図５１に示す画素４１ｑをマトリクス状に配置して構成される。１つの画素４１ｑは、画素回路ＰＣ１とＰＣ２を有して構成されている。画素回路ＰＣ１及びＰＣ２は、それぞれ、図２１に示す画素４１ｆの画素回路と同様となっている。即ち、画素回路ＰＣ１及びＰＣ２は、それぞれ、有機ＥＬ素子４２と、書込み用トランジスタＴＲ１と、駆動用トランジスタＴＲ３と、調整用トランジスタＴＲ５と、オフ制御用トランジスタＴＲ７と、コンデンサＣ１と、コンデンサＣ２とから構成されており、それらの部品（有機ＥＬ素子４２等）の接続関係は、画素４１ｆの画素回路と同じとなっている。但し、データ電圧ライン４３ａ、走査電圧ライン４４、ランプ電圧ライン５５及び５６並びに制御信号ライン４６を、それぞれ２系統設け、一方の系統を画素回路ＰＣ１に接続し、他方の系統を画素回路ＰＣ２に接続するようにするとよい。
そして、図５２に示すごとく、或るフレーム期間において、各画素４１ｑの画素回路ＰＣ１は、第７実施形態に係る画素４１ｆの第１のフィールドの動作と同じ動作（以下、「第１のフィールド動作」という）を行い、それと同時に、各画素４１ｑの画素回路ＰＣ２は、第７実施形態に係る画素４１ｆの第２のフィールドの動作と同じ動作（以下、「第２のフィールド動作」という）を行う。
画素回路ＰＣ１が第１のフィールド動作を終えると共に画素回路ＰＣ２が第２のフィールド動作を終えると、次のフレームに移行する。つまり、本実施形態における１フレーム期間の長さは、第７実施形態における１フレーム期間の長さの半分（或いは略半分）となっている。次のフレームに移行すると、例えば、画素回路ＰＣ１は第１のフィールド動作を再度行うと同時に画素回路ＰＣ２も第２のフィールド動作を再度行い、更に次のフレームに移行する。
画素回路ＰＣ１が第１のフィールド動作を行うと同時に画素回路ＰＣ２が第２のフィールド動作を行うというフレームが、ｍ回（ｍは１以上の整数）繰り返された後の次のフレームにおいては、画素回路ＰＣ１は第２のフィールド動作を行うと同時に画素回路ＰＣ２が第１のフィールド動作を行う。つまり、画素回路ＰＣ１の動作を第１のフィールド動作から第２のフィールド動作に切り換え、画素回路ＰＣ２の動作を第２のフィールド動作から第１のフィールド動作に切り換える。そして、画素回路ＰＣ１が第２のフィールド動作を行うと同時に画素回路ＰＣ２が第１のフィールド動作を行うというフレームが、ｍ回繰り返されると、再び、画素回路ＰＣ１の動作は第１のフィールド動作になり、画素回路ＰＣ２の動作は第２のフィールド動作になる。このように、一定のフレーム（ｍフレーム；特に、例えばｍ＝１）ごとに、画素回路ＰＣ１及びＰＣ２で行う動作を、第１のフィールド動作と第２のフィールド動作とで交換する。
上記のように構成すれば、第１のフィールドと第２のフィールドの発光期間が（略）同時に訪れることになり、表示パネルの動特性が向上し、フリッカの発生を抑えることができる。つまり、１つの映像情報についての発光が同じ時刻に行われることになり、ユーザにとって動きのある映像がより自然に見えるようになる。また、一定のフレームごとに、第１のフィールド動作と第２のフィールド動作とが、画素回路ＰＣ１及びＰＣ２間で切り換えられるため、有機ＥＬ素子４２の劣化速度の均一性は保たれる。
尚、画素４１ｑ内における画素回路ＰＣ１とＰＣ２の配置は、様々な変形が可能である。例えば、図５３に示すように、隣接する画素４１ｑ間で画素４１ｑ内における画素回路ＰＣ１及びＰＣ２の配置が同じになるようにしてもよいし、図５４に示すように、隣接する画素４１ｑ間で画素４１ｑ内における画素回路ＰＣ１及びＰＣ２の配置が逆になるようにしてもよい。
＜＜変形等＞＞
上記の全ての実施形態に係る有機ＥＬ表示装置は、経時変化や温度変化に起因する輝度変化を抑制する機能を有していることから、従来よりも駆動用トランジスタを飽和領域の低電圧側で用いることができるようになる、或いは線形領域で用いることができるようになる。これにより、低消費電力化が実現される。
上述してきた第１〜第１７実施形態は、矛盾なき限り相互に組み合わせることが可能であり、また各実施形態に記載した事項は、矛盾なき限り他の実施形態にも当てはめることが可能である。
また、第７〜第１３実施形態及び第１５〜第１７実施形態において、各駆動用トランジスタを介して各表示素子に電力を供給するための電源電圧の大きさ（ＶＤＤ−ＣＶ）を、第１のフィールドと第２のフィールドとで変えるようにしてもよい。（ＶＤＤ―ＣＶ）の大きさを有する電源電圧は、図示されない電源回路から供給されることになるが、その電源電圧の大きさを制御するための電源電圧制御部（不図示）を備えるようにする。
具体的には、例えば、ＶＤＤ及び／又はＣＶの電位を第１と第２のフィールドで変えることにより、第２のフィールドにおける電源電圧の大きさ（ＶＤＤ−ＣＶ）を、第１のフィールドにおける電源電圧の大きさ（ＶＤＤ−ＣＶ）よりも小さくするとよい。これにより、更なる低消費電力化が図られる。この際、第１のフィールドにおいては、駆動用トランジスタの動作点がなるべく飽和領域内に収まるように、且つ第２のフィールドにおいては、駆動用トランジスタの動作点がなるべく線形領域内に収まるようにする。
図２３〜図２６を用いた説明で示したように、電圧ＶＦの変動に応じたフィードバックを行う第１のフィールドにおいては、階調が高階調側に向かうにつれて電流ＩＯＬＥＤを指数関数状に増加させる必要がある。その必要性を考慮すると、第１のフィールドにおいては、駆動用トランジスタの動作点をなるべく飽和領域内に収めたほうが良い。動作点が飽和領域内あれば、有機ＥＬ素子４２のＶＯＬＥＤ−ＩＯＬＥＤ特性が図１８の実線２０１から破線２０２のように変化しても、階調と電流ＩＯＬＥＤとの関係に変化は生じない（即ち、指数関数状が保たれる）からである。一方、第２のフィールドにおいては、そのような必要性がないため、積極的に電源電圧の大きさ（ＶＤＤ−ＣＶ）を小さくすることができる。
また、第７〜第１１実施形態、第１３実施形態及び第１５〜第１７実施形態において、ＬＵＴ９の機能の全部又は一部をランプ電圧発生回路８ｆに担わせるようにしても良い。つまり、第１のフィールド及び／又は第２のフィールドにおいて、ＬＵＴ９によるガンマ変換（階調信号の第１の変換階調信号及び第２の変換階調信号への変換）を省略又は変更し、ランプ電圧の傾きや曲率、及び／又はランプ電圧の直流成分を変化させることによって、所望の特性を得るようにしてもよい。
この所望の特性を得るべく、第１のフィールドにおいて、「ＬＵＴ９によるガンマ変換」と「ランプ電圧の傾きや曲率、及び／又はランプ電圧の直流成分の変化」の何れか一方或るいは双方を行い、第２のフィールドにおいて、「ＬＵＴ９によるガンマ変換」と「ランプ電圧の傾きや曲率、及び／又はランプ電圧の直流成分の変化」の何れか一方或るいは双方を行うようにする。「ＬＵＴ９によるガンマ変換」と「ランプ電圧の傾きや曲率、及び／又はランプ電圧の直流成分の変化」の実行の是非が、第１のフィールドと第２のフィールドとの間で相違するようにしても構わない。
尚、ランプ電圧の直流成分とは、例えば第７実施形態においては、ランプ電圧ＲＡＭＰ１の発光期間ＰＬ１及びＰＬ２における直流成分を意味する。発光期間ＰＬ１及びＰＬ２への移行時におけるランプ電圧ＲＡＭＰ１の立下り分を、ランプ電圧の直流成分と捉えても構わない。
「発光準備期間（リセット期間及び／又は走査期間）において電圧ＶＦに応じた電圧（フィードバック電圧）をコンデンサＣ１に伝達し、その電圧を反映した保持電圧をコンデンサＣ１に保持させる」という機能を担うフィードバック制御手段は、全ての実施形態において、主として制御信号発生回路（５、５ｅ、５ｆ又は５ｋ）及び／又はランプ電圧発生回路（８又は８ｆ）から構成される。それらに加えて、又はそれらに代わって、走査ドライバー（特に第９実施形態における走査ドライバー２ｆ）がフィードバック制御手段としての機能を担う場合もある。
また、第７〜第１３実施形態及び第１５実施形態における第１と第２のフィールドの前後関係は、例示であり、それらを逆にしても構わない。つまり、各フレームにおいて、第１のフィールドが第２のフィールドの先に訪れるようにしても構わないし、第２のフィールドが第１のフィールドの先に訪れるようにしても構わない。また、１フレームを３以上のフィールドで構成するようにしても構わない。
尚、図２０及び図３７に示すＬＵＴ９の入出力信号は、例えばデジタル信号である。この場合において、データドライバー（３ｆ及び３ｋ）の必要とする入力がアナログ信号である場合は、ＬＵＴ９とデータドライバー（３ｆ及び３ｋ）との間にＤ／Ａ変換器（不図示）が設けられる。このＤ／Ａ変換器をデータドライバー（３ｆ及び３ｋ）に内蔵させても構わない。同様に、図１及び図１３においても、必要に応じてＤ／Ａ変換器を映像信号処理回路６とデータドライバー（３及び３ｅ）の間に設ければよい。
また、データドライバー（３、３ｅ、３ｆ及び３ｋ）及び走査ドライバー（２、２ｅ、２ｆ及び２ｋ）が表示パネル（４、４ｅ、４ｆ及び４ｋ）の外部に配置される例を図１、図１３、図２０及び図３７に示したが、データドライバー及び／又は走査ドライバーを表示パネルに内蔵させても構わない。
また、第７〜第１３実施形態及び第１５〜第１７実施形態において、ＬＵＴ９をアナログ信号を扱うものに置換しても構わない。ＬＵＴ９と同様の機能を有する回路は、一般的にはガンマ変換回路と呼ぶことができる。また、上述の如く、ＬＵＴ９の機能の全部又は一部をランプ電圧発生回路８ｆに担わせるようにしても良いことを考慮すれば、ガンマ変換回路は、ＬＵＴ９及び／又はランプ電圧発生回路８ｆによって構成されていると考えることもできる。
また、第７〜第１２実施形態及び第１５実施形態の第２のフィールドのリセット期間ＰＲ２又は走査期間ＰＳ２において、ノードＮＡ、ＮＢ或いはＮＣの電圧を（ＣＶ＋ＶＦ０）とすることを記載したが、その電圧は（ＣＶ＋ＶＦ０）に限定されない。その電圧が（ＣＶ＋ＶＦ０）でなくても、他の条件を適切に変更すれば本発明の効果は実現される。
第１〜第６実施形態においては、１フレーム期間の後半側にリセット期間が設けられている例を示したが、第１４実施形態と同様にリセット期間を前半側に設けるようにしても構わない。即ち、第１〜第５実施形態において、ｋ番目（ｋ；自然数）のフレーム期間が、リセット期間から始まり、リセット期間、走査期間、発光期間の順番で期間が進行するように変形しても構わないし、第６実施形態において、ｋ番目（ｋ；自然数）のフレーム期間が、リセット期間から始まり、リセット期間、発光期間の順番で期間が進行するように変形しても構わない。
本発明は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いてエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子を駆動する有機ＥＬ表示装置等の表示装置に好適であり、特にアクティブマトリクス駆動型の有機ＥＬ表示装置に好適である。
本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の全体的構成を示すブロック図である。 図１の表示パネルを構成する画素の回路構成を示す図である。 本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の動作を説明するための図である。 図２の駆動用トランジスタの動作点を説明するための図である。 本発明の第２実施形態に係る画素の回路構成を示す図である。 本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の動作を説明するための図である。 本発明の第３実施形態に係る画素の回路構成を示す図である。 本発明の第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の動作を説明するための図である。 本発明の第４実施形態に係る画素の回路構成を示す図である。 本発明の第４実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の動作を説明するための図である。 本発明の第５実施形態に係る画素の回路構成を示す図である。 本発明の第５実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の動作を説明するための図である。 本発明の第６実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の全体的構成を示すブロック図である。 図１３の表示パネルを構成する画素の回路構成を示す図である。 本発明の第６実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の動作を説明するための図である。 従来の表示パネルを構成する画素の回路構成を示す図である。 図１６の画素の動作を説明するための図である。 図１６の有機ＥＬ素子と駆動用トランジスタの特性を示す図である。 一部の実施形態において発生しうる黒浮きを説明するための図である。 本発明の第７実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の全体的構成を示すブロック図である。 本発明の第７実施形態に係る画素の回路構成を示す図である。 本発明の第７実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の動作を説明するための図である。 各フィールドにおける階調と電流ＩＯＬＥＤの実効値との関係の一例を表す図であって、経時変化等がないときの該関係を表す図である。 図２３に対応する図であって、経時変化等があるときの上記関係を表す図である。 各フィールドにおける階調と電流ＩＯＬＥＤの実効値との関係の他の例を表す図であって、経時変化等がないときの該関係を表す図である。 図２５に対応する図であって、経時変化等があるときの上記関係を表す図である。 階調と電流ＩＯＬＥＤの実効値との関係の更に他の例を表す図である。 本発明の第８実施形態に係る画素の回路構成を示す図である。 本発明の第８実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の動作を説明するための図である。 本発明の第９実施形態に係る画素の回路構成を示す図である。 本発明の第９実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の動作を説明するための図である。 本発明の第１０実施形態に係る画素の回路構成を示す図である。 本発明の第１０実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の動作を説明するための図である。 本発明の第１又は第２実施形態に適用可能な変形例を説明するための図である。 本発明の第１１実施形態に係る画素の回路構成を示す図である。 本発明の第１１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の動作を説明するための図である。 本発明の第１２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の全体的構成を示すブロック図である。 本発明の第１２実施形態に係る画素の回路構成を示す図である。 本発明の第１２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の動作を説明するための図である。 本発明の第１３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の動作を説明するための図である。 本発明の第１４実施形態に係る画素の回路構成を示す図である。 本発明の第１４実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の動作を説明するための図である。 図４１の駆動用トランジスタの動作点を説明するための図である。 図４１の構成におけるデータ電圧と電流ＩＯＬＥＤの関係を示す図である。 本発明の第１５実施形態に係る画素の回路構成を示す図である。 本発明の第１５実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の動作を説明するための図である。 本発明の第１６実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の表示パネルの構成を示す図である。 図４７の表示パネルを構成する複数の水平ラインの一部を示す図である。 本発明の第１６実施形態の動作を説明するための図である。 図４７の表示パネルにおける画素の配列の一例を示す図である。 本発明の第１７実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素の１つを示した図であり、該画素が２組の画素回路から構成されていることを示す図である。 図５１の２組の画素回路間における動作の相違を示す図である。 図５１の２組の画素回路の配置の一例を示す図である。 図５１の２組の画素回路の配置の他の例を示す図である。
符号の説明
２、２ｅ、２ｆ、２ｋ 走査ドライバー
３、３ｅ、３ｆ、３ｋ データドライバー
４、４ｅ、４ｆ、４ｋ 表示パネル
５、５ｅ、５ｆ、５ｋ 制御信号発生回路
６ 映像信号処理回路
７、７ｆ タイミング信号発生回路
８、８ｆ ランプ電圧発生回路
９ ルックアップテーブル（ＬＵＴ）
１０、１０ｅ、１０ｆ、１０ｋ 有機ＥＬディスプレイ
４１、４１ａ、４１ｂ、４１ｃ、４１ｄ、４１ｅ 画素
４１ｆ、４１ｇ、４１ｈ、４１ｉ、４１ｊ、４１ｋ 画素
４１ｎ、４１ｐ、４１ｑ 画素
４２ 有機ＥＬ素子
４８ 給電ライン
５０ ＰＷＭ回路
ＴＲ１、ＴＲ２１ 書込み用トランジスタ
ＴＲ２、ＴＲ３２ 閾値補償用トランジスタ
ＴＲ３、ＴＲ２３ 駆動用トランジスタ
ＴＲ４ オン／オフ用トランジスタ
ＴＲ５、ＴＲ２５、ＴＲ３５ 調整用トランジスタ
ＴＲ６ リセット用トランジスタ
ＴＲ７、ＴＲ２８ オフ制御用トランジスタ
ＴＲ８ クリップ用トランジスタ
ＴＲ１３ オン制御用トランジスタ
ＴＲ１４ オフ制御用トランジスタ
ＴＲ２０ クリップ用トランジスタ
ＴＲ３３ スイッチ用トランジスタ
Ｃ１、Ｃ２、Ｃ１１、Ｃ１２ コンデンサ
ＰＣ１、ＰＣ２ 画素回路
ＮＡ、ＮＢ、ＮＣ ノード
Ｖｔｈ、Ｖｔｈ１ 動作閾値電圧
ＶＤＤ、ＣＶ、ＶＣＣ、ＶＳＳ 電源電圧
ＤＡＴＡ データ電圧
ＳＣＡＮ、ＳＣＡＮ１、ＳＣＡＮ２ 走査電圧
ＲＡＭＰ、ＲＡＭＰ１、ＲＡＭＰ２ ランプ電圧
ＣＴＬ１、ＣＴＬ２、ＣＴＬ３、ＣＴＬ４ 制御信号

Claims (42)

  1. 複数の画素をマトリクス状に配列して構成される表示パネルに、走査電圧を各画素に供給する走査ドライバーとデータ電圧を各画素に供給するデータドライバーとを接続して構成され、１フレーム期間は少なくともリセット期間と発光期間とから成り、各画素の画素回路は、
    電力の供給を受けて発光する表示素子と、
    第１電極が前記データドライバーに接続され、前記走査ドライバーから所定レベルの走査電圧が印加されてオンする書込み用トランジスタと、
    発光期間内において自身の制御電極に加わる電圧に応じて前記表示素子を駆動する駆動用トランジスタと、
    前記書込み用トランジスタの第２電極と前記駆動用トランジスタの制御電極とを接続するライン中に直列に介在する第１容量素子と、
    リセット期間内においてオンとされ、前記表示素子の両極間電圧に応じた電圧を前記第１容量素子の書込み用トランジスタ側の電極に与える調整用トランジスタと、を備えるアクティブマトリクス駆動型表示装置であって、
    リセット期間において、各第１容量素子に各表示素子の発光開始両極間電圧に応じた電圧を保持させる制御信号発生回路を備えた
    ことを特徴とするアクティブマトリクス駆動型表示装置。
  2. 前記リセット期間終了後に、前記走査ドライバーが各書込み用トランジスタをオンすることにより、各駆動用トランジスタの制御電極には前記データ電圧と前記発光開始両極間電圧とに応じた電圧が印加される
    ことを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリクス駆動型表示装置。
  3. 前記制御信号発生回路は、リセット期間において、各調整用トランジスタをオンとしつつ、各第１容量素子の駆動用トランジスタ側の電極を所定電位とすることにより、各第１容量素子に各表示素子の発光開始両極間電圧に応じた電圧を保持させた後、各調整用トランジスタをオフする
    ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のアクティブマトリクス駆動型表示装置。
  4. 各駆動用トランジスタは、第１電極と第２電極と制御電極とを備え、制御電極と第１電極間の電圧によって、第１電極−第２電極間に流れる電流が制御されるものであり、
    各画素の画素回路は、前記表示素子に電力を供給すべき電源から伸びる給電ライン中に直列に介在し、前記表示素子への電力供給をオン又はオフするためのオン／オフ用トランジスタと、
    第１電極が前記駆動用トランジスタの制御電極に接続され、第２電極が前記駆動用トランジスタの第２電極に接続された閾値補償用トランジスタと、を更に備えている
    ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のアクティブマトリクス駆動型表示装置。
  5. 前記制御信号発生回路は、リセット期間内において、各オン／オフ用トランジスタをオンとすることによって各駆動用トランジスタをオンとしてから、各オン／オフ用トランジスタをオフ、且つ各調整用トランジスタ及び各閾値補償用トランジスタをオンとすることにより、各第１容量素子に各表示素子の発光開始両極間電圧と各駆動用トランジスタの動作閾値電圧とに応じた電圧を保持させた後、各調整用トランジスタ及び各閾値補償用トランジスタをオフするものであり、
    前記リセット期間終了後に、前記走査ドライバーが各書込み用トランジスタをオンすることにより、各駆動用トランジスタの制御電極には前記データ電圧と前記発光開始両極間電圧と前記動作閾値電圧とに応じた電圧が印加される
    ことを特徴とする請求項４に記載のアクティブマトリクス駆動型表示装置。
  6. 前記制御信号発生回路は、リセット期間内において、各画素の外部から所定のリセット電圧を一時的に各駆動用トランジスタの制御電極に供給することによって、各オン／オフ用トランジスタをオンとすることなく各駆動用トランジスタを一時的にオンとしてから各調整用トランジスタ及び各閾値補償用トランジスタをオンとすることにより、各第１容量素子に各表示素子の発光開始両極間電圧と各駆動用トランジスタの動作閾値電圧とに応じた電圧を保持させた後、各調整用トランジスタ及び各閾値補償用トランジスタをオフするものであり、
    前記リセット期間終了後に、前記走査ドライバーが各書込み用トランジスタをオンすることにより、各駆動用トランジスタの制御電極には前記データ電圧と前記発光開始両極間電圧と動作閾値電圧とに応じた電圧が印加される
    ことを特徴とする請求項４に記載のアクティブマトリクス駆動型表示装置。
  7. 各画素の画素回路は、オン時に前記第１容量素子の両極間を短絡するリセット用トランジスタを更に備え、
    前記リセット電圧は、リセット期間において前記データドライバーから供給されるものであり、
    リセット期間内において、前記走査ドライバーが各書込み用トランジスタをオンとするとともに前記制御信号発生回路が各リセット用トランジスタをオンとすることにより、前記リセット電圧を一時的に各駆動用トランジスタの制御電極に供給する
    ことを特徴とする請求項６に記載のアクティブマトリクス駆動型表示装置。
  8. 所定の変化率で電圧値が変化するランプ電圧を発生するランプ電圧発生回路を更に備え、
    各画素の画素回路は、前記ランプ電圧の変化分を前記第１容量素子の書込み用トランジスタ側の電極に与える第２容量素子を備えている
    ことを特徴とする請求項１〜請求項７の何れかに記載のアクティブマトリクス駆動型表示装置。
  9. 当該アクティブマトリクス駆動型表示装置は、画像表示のための階調信号の提供を受けて画像を表示するものであって、
    前記データドライバーは、前記階調信号に対応したデータ電圧を各画素に供給し、
    各画素において、
    受けた階調信号に対応して供給されるデータ電圧をＤとし、
    前記階調信号が黒レベルの階調を表すものであるときに供給されるデータ電圧をＤＢとし、
    供給されたデータ電圧Ｄに応じて前記表示素子が発光することにより得られる輝度をＬとし、
    前記階調信号が黒レベルの階調を表すものであるときに得られる輝度をＬＢとし、更に、
    ｘ＝Ｄ−ＤＢ、ｙ＝Ｌ−ＬＢ＋１、とおいた場合、
    式：ｙ＝ａｘ （但し、ａは定数であって、ａ＞１が成立）
    が成立するように、前記ランプ電圧の前記変化率は設定されている
    ことを特徴とする請求項８に記載のアクティブマトリクス駆動型表示装置。
  10. 複数の画素をマトリクス状に配列して構成される表示パネルに、走査電圧を各画素に供給する走査ドライバーとデータ電圧を各画素に供給するデータドライバーとを接続して構成され、１フレーム期間は少なくともリセット期間と発光期間とから成り、各画素の画素回路は、
    電力の供給を受けて発光する表示素子と、
    第１電極が前記データドライバーに接続され、前記走査ドライバーから所定レベルの走査電圧が印加されてオンする書込み用トランジスタと、
    発光期間内において自身の制御電極に加わる電圧に応じて前記表示素子を駆動する駆動用トランジスタと、
    前記書込み用トランジスタがオンしている時に前記データドライバーから供給されるデータ電圧に応じた期間、前記表示素子を発光させるための所定の発光レベル電圧を発光期間中に出力するパルス幅変調回路と、
    前記パルス幅変調回路の出力部と前記駆動用トランジスタの制御電極とを接続するライン中に直列に介在する第１容量素子と、
    リセット期間内においてオンとされ、前記表示素子の両極間電圧に応じた電圧を前記第１容量素子のパルス幅変調回路側の電極に与える調整用トランジスタと、を備えるアクティブマトリクス駆動型表示装置であって、
    リセット期間において、各第１容量素子に各表示素子の発光開始両極間電圧に応じた電圧を保持させる制御信号発生回路を備えた
    ことを特徴とするアクティブマトリクス駆動型表示装置。
  11. 前記発光期間前に、前記走査ドライバーが各書込み用トランジスタをオンすることにより、各駆動用トランジスタの制御電極には、前記データ電圧に応じた期間、前記発光レベル電圧と前記発光開始両極間電圧とに応じた電圧が印加される
    ことを特徴とする請求項１０に記載のアクティブマトリクス駆動型表示装置。
  12. 前記制御信号発生回路は、リセット期間において、各調整用トランジスタをオンとしつつ、各第１容量素子の駆動用トランジスタ側の電極を所定電位とすることにより、各第１容量素子に各表示素子の発光開始両極間電圧に応じた電圧を保持させた後、各調整用トランジスタをオフする
    ことを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載のアクティブマトリクス駆動型表示装置。
  13. 各駆動用トランジスタは、第１電極と第２電極と制御電極とを備え、制御電極と第１電極間の電圧によって、第１電極−第２電極間に流れる電流が制御されるものであり、
    各画素の画素回路は、前記表示素子に電力を供給すべき電源から伸びる給電ライン中に直列に介在し、前記表示素子への電力供給をオン又はオフするためのオン／オフ用トランジスタと、
    第１電極が前記駆動用トランジスタの制御電極に接続され、第２電極が前記駆動用トランジスタの第２電極に接続された閾値補償用トランジスタと、を更に備えている
    ことを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載のアクティブマトリクス駆動型表示装置。
  14. 前記制御信号発生回路は、リセット期間内において、各オン／オフ用トランジスタをオンとすることによって各駆動用トランジスタをオンとしてから、各オン／オフ用トランジスタをオフ、且つ各調整用トランジスタ及び各閾値補償用トランジスタをオンとすることにより、各第１容量素子に各表示素子の発光開始両極間電圧と各駆動用トランジスタの動作閾値電圧とに応じた電圧を保持させた後、各調整用トランジスタ及び各閾値補償用トランジスタをオフするものであり、
    前記発光期間前に、前記走査ドライバーが各書込み用トランジスタをオンすることにより、各駆動用トランジスタの制御電極には、前記データ電圧に応じた期間、前記発光レベル電圧と前記発光開始両極間電圧と前記動作閾値電圧とに応じた電圧が印加される
    ことを特徴とする請求項１３に記載のアクティブマトリクス駆動型表示装置。
  15. 各画素の画素回路は、前記駆動用トランジスタの制御電極の電位が所定のクリップ電位を上回らないように、又は所定のクリップ電位を下回らないようにするクリップ回路と、を更に備え、
    前記クリップ電位は、前記制御信号発生回路がリセット期間において各調整用トランジスタをオンすることにより各駆動用トランジスタが一時的にオンするような電位に設定されており、
    前記制御信号発生回路は、リセット期間内において、各オン／オフ用トランジスタをオンすることなく、各調整用トランジスタ及び各閾値補償用トランジスタをオンとすることにより、各第１容量素子に各表示素子の発光開始両極間電圧と各駆動用トランジスタの動作閾値電圧とに応じた電圧を保持させた後、各調整用トランジスタ及び各閾値補償用トランジスタをオフするものであり、
    前記発光期間前に、前記走査ドライバーが各書込み用トランジスタをオンすることにより、各駆動用トランジスタの制御電極には、前記データ電圧に応じた期間、前記発光レベル電圧と前記発光開始両極間電圧と前記動作閾値電圧とに応じた電圧が印加される
    ことを特徴とする請求項１３に記載のアクティブマトリクス駆動型表示装置。
  16. 所定の変化率で電圧値が変化するランプ電圧を発生するランプ電圧発生回路を更に備え、
    各パルス幅変調回路は、前記ランプ電圧を用いて前記データ電圧のパルス幅変調を行い、発光期間中において、そのパルス幅変調によるパルスの幅に相当する期間、前記発光レベル電圧を出力する
    ことを特徴とする請求項１０〜請求項１５の何れかに記載のアクティブマトリクス駆動型表示装置。
  17. 複数の画素をマトリクス状に配列して構成される表示パネルに、走査電圧を各画素に供給する走査ドライバーとデータ電圧を各画素に供給するデータドライバーとを接続して構成され、１フレーム期間は第１のフィールドと第２のフィールドとを含み、各フィールドは発光準備期間と発光期間とから成り、各画素の画素回路は、
    電力の供給を受けて発光する表示素子と、
    第１電極が前記データドライバーに接続され、前記走査ドライバーから所定レベルの走査電圧が印加されてオンする書込み用トランジスタと、
    自身の制御電極に加わる電圧に応じて前記表示素子を駆動する駆動用トランジスタと、
    一端が前記駆動用トランジスタの制御電極に接続された第１容量素子と、
    前記表示素子の両極間電圧に応じた電圧が自身の第１電極に加わるように前記表示素子に接続され、第１容量素子に前記表示素子の発光開始両極間電圧に応じたフィードバック電圧を伝達可能な調整用トランジスタと、を備えたアクティブマトリクス駆動型表示装置であって、
    第１と第２のフィールドの内、第１のフィールドのみ、発光準備期間において前記フィードバック電圧を各第１容量素子に伝達し、前記フィードバック電圧を反映した保持電圧を各第１容量素子に保持させるフィードバック制御手段を備えた
    ことを特徴とするアクティブマトリクス駆動型表示装置。
  18. 当該アクティブマトリクス駆動型表示装置は、画像表示のための階調信号の提供を受けて画像を表示するものであり、
    中間階調を表す階調信号を受けたとき、第１のフィールドの発光期間に表示素子に流れる電流の実効値が第２のフィールドの発光期間に表示素子に流れる電流の実効値より小さくなるように、前記階調信号を第１のフィールドに対応する第１の変換階調信号と第２のフィールドに対応する第２の変換階調信号とに変換した上で前記データドライバーに供給するガンマ変換回路を、更に備え、
    前記データドライバーは、第１及び第２のフィールドにおいて、それぞれ第１の変換階調信号に対応するデータ電圧及び第２の変換階調信号に対応するデータ電圧を各画素に供給する
    ことを特徴とする請求項１７に記載のアクティブマトリクス駆動型表示装置。
  19. 当該アクティブマトリクス駆動型表示装置は、画像表示のための階調信号の提供を受けて画像を表示するものであり、
    中間階調を表す階調信号に対応して各画素の表示素子に流すべき電流の実効値を基準電流値とした場合、第１のフィールドの発光期間に表示素子に流れる電流の実効値が基準電流値より小さくなるように、且つ第２のフィールドの発光期間に表示素子に流れる電流の実効値が基準電流値より大きくなるように、前記階調信号を第１のフィールドに対応する第１の変換階調信号と第２のフィールドに対応する第２の変換階調信号とに変換した上で前記データドライバーに供給するガンマ変換回路を、更に備え、
    前記データドライバーは、第１及び第２のフィールドにおいて、それぞれ第１の変換階調信号に対応するデータ電圧及び第２の変換階調信号に対応するデータ電圧を各画素に供給する
    ことを特徴とする請求項１７に記載のアクティブマトリクス駆動型表示装置。
  20. 各駆動用トランジスタは、
    第２のフィールドの発光期間において、前記第２の変換階調信号に対応するデータ電圧に応じた電圧を自身の制御電極に受け、その電圧に応じて各表示素子を駆動する一方、
    第１のフィールドの発光期間において、前記第１の変換階調信号に対応するデータ電圧だけでなく前記保持電圧にも応じた電圧を自身の制御電極に受け、その電圧に応じて各表示素子を駆動する
    ことを特徴とする請求項１８又は請求項１９に記載のアクティブマトリクス駆動型表示装置。
  21. 各画素において、調整用トランジスタの第２電極は第１容量素子に接続されており、
    前記フィードバック制御手段は、
    第１のフィールドの発光準備期間において、各表示素子の陰極の電位に発光開始両極間電圧を加えた電位より一時的に電位を高くした各調整用トランジスタの第２電極側の正の電荷を、各調整用トランジスタ及び各表示素子を介して抜き取ることにより、前記フィードバック電圧を各第１容量素子に伝達した後、各調整用トランジスタをオフとして前記保持電圧を各第１容量素子に保持させる
    ことを特徴とする請求項１７〜請求項２０の何れかに記載のアクティブマトリクス駆動型表示装置。
  22. 前記フィードバック制御手段は、各調整用トランジスタのオン／オフを制御する制御信号発生回路を備え、
    各画素において、第１容量素子は書込み用トランジスタの第２電極と駆動用トランジスタの制御電極とを接続するライン中に直列に介在し、且つ調整用トランジスタの第２電極は第１容量素子の書込み用トランジスタ側の電極に接続されており、
    前記制御信号発生回路は、第１のフィールドの発光準備期間において各調整用トランジスタをオンとして各第１容量素子に前記フィードバック電圧を伝達した後、各調整用トランジスタをオフとして前記保持電圧を各第１容量素子に保持させる
    ことを特徴とする請求項１７〜請求項２０の何れかに記載のアクティブマトリクス駆動型表示装置。
  23. 所定の変化率で電圧値が変化するランプ電圧を発生するランプ電圧発生回路を更に備え、
    各画素の画素回路は、前記ランプ電圧の変化分を前記第１容量素子の書込み用トランジスタ側の電極に与える第２容量素子を備えている
    ことを特徴とする請求項２２に記載のアクティブマトリクス駆動型表示装置。
  24. 各駆動用トランジスタは、第１電極と第２電極と制御電極とを備え、制御電極と第１電極間の電圧によって、第１電極−第２電極間に流れる電流が制御されるものであり、
    各画素の画素回路は、前記表示素子に電力を供給すべき電源から伸びる給電ライン中に直列に介在し、前記表示素子への電力供給をオン又はオフするためのオン／オフ用トランジスタと、
    第１電極が前記駆動用トランジスタの制御電極に接続され、第２電極が前記駆動用トランジスタの第２電極に接続された閾値補償用トランジスタと、を更に備えている
    ことを特徴とする請求項２２又は請求項２３に記載のアクティブマトリクス駆動型表示装置。
  25. 前記フィードバック制御手段は、
    各フィールドの発光期間において各書込み用トランジスタの第１電極に第１ランプ電圧を供給するとともに各調整用トランジスタのオン／オフを制御するための第２ランプ電圧を出力するランプ電圧発生回路を有し、
    各画素において、第１容量素子は書込み用トランジスタの第２電極と駆動用トランジスタの制御電極とを接続するライン中に直列に介在し、且つ調整用トランジスタの第２電極は第１容量素子の駆動用トランジスタ側の電極に接続されており、
    前記ランプ電圧発生回路は、第１のフィールドの発光準備期間において各調整用トランジスタをオンとして各第１容量素子に前記フィードバック電圧を伝達した後、各調整用トランジスタをオフとして前記保持電圧を各第１容量素子に保持させる
    ことを特徴とする請求項１７〜請求項２０の何れかに記載のアクティブマトリクス駆動型表示装置。
  26. 所定の変化率で電圧値が変化するランプ電圧を発生し、各発光期間において該ランプ電圧の変化分を各第１容量素子を介して各駆動用トランジスタの制御電極に与えるランプ電圧発生回路を更に備え、
    各画素において、第１容量素子の前記一端は書込み用トランジスタの第２電極に接続されていると共に、第１容量素子の他端は調整用トランジスタの第２電極に接続されており、
    前記フィードバック制御手段は、第１のフィールドの発光準備期間において各調整用トランジスタをオンとして各第１容量素子に前記フィードバック電圧を伝達した後、各調整用トランジスタをオフとして前記保持電圧を各第１容量素子に保持させる
    ことを特徴とする請求項１７〜請求項２０の何れかに記載のアクティブマトリクス駆動型表示装置。
  27. 複数の画素をマトリクス状に配列して構成される表示パネルに、走査電圧を各画素に供給する走査ドライバーとデータ電圧を各画素に供給するデータドライバーとを接続して構成され、１フレーム期間は第１のフィールドと第２のフィールドとを含み、各フィールドは発光準備期間と発光期間とから成り、各画素は、
    電力の供給を受けて発光する表示素子と、
    第１電極が前記データドライバーに接続され、前記走査ドライバーから所定レベルの走査電圧が印加されてオンする書込み用トランジスタと、
    自身の制御電極に加わる電圧に応じて前記表示素子を駆動する駆動用トランジスタと、
    一端が前記駆動用トランジスタの制御電極に接続された第１容量素子と、
    前記表示素子の両極間電圧に応じた電圧が自身の第１電極に加わるように前記表示素子に接続され、第１容量素子に前記表示素子の発光開始両極間電圧に応じたフィードバック電圧を伝達可能な調整用トランジスタと、を備え、画像表示のための階調信号の提供を受けて画像を表示するアクティブマトリクス駆動型表示装置であって、
    所定の変化率で電圧値が変化するランプ電圧を発生し、各発光期間において該ランプ電圧の変化分を各第１容量素子を介して各駆動用トランジスタの制御電極に与えるランプ電圧発生回路と、
    第１及び第２のフィールドの双方の発光準備期間において、前記フィードバック電圧を各第１容量素子に伝達し、前記フィードバック電圧を反映した保持電圧を各第１容量素子に保持させるフィードバック制御手段と、
    前記階調信号の高階調側をデータ電圧として表した第１のデータ電圧が第１のフィールドにおいて各画素に供給されるように、且つ前記階調信号の低階調側をデータ電圧として表した第２のデータ電圧が第２のフィールドにおいて各画素に供給されるように、前記階調信号を第１のフィールドに対応する第１の変換階調信号と第２のフィールドに対応する第２の変換階調信号とに変換した上で前記データドライバーに供給するガンマ変換回路を、更に備え、
    第２のフィールドにおける前記ランプ電圧の変化率は、第１のフィールドにおけるそれよりも大きい
    ことを特徴とするアクティブマトリクス駆動型表示装置。
  28. 各画素において、調整用トランジスタの第２電極は第１容量素子に接続されており、
    前記フィードバック制御手段は、
    第１及び第２のフィールドの各発光準備期間において、各表示素子の陰極の電位に発光開始両極間電圧を加えた電位より一時的に電位を高くした各調整用トランジスタの第２電極側の正の電荷を、各調整用トランジスタ及び各表示素子を介して抜き取ることにより、前記フィードバック電圧を各第１容量素子に伝達した後、各調整用トランジスタをオフとして前記保持電圧を各第１容量素子に保持させる
    ことを特徴とする請求項２７に記載のアクティブマトリクス駆動型表示装置。
  29. 複数の画素をマトリクス状に配列して構成される表示パネルに、走査電圧を各画素に供給する走査ドライバーとデータ電圧を各画素に供給するデータドライバーとを接続して構成され、１フレーム期間は少なくともリセット期間と発光期間とから成り、各画素の画素回路は、
    電力の供給を受けて発光する表示素子と、
    第１電極が前記データドライバーに接続され、前記走査ドライバーから所定レベルの走査電圧が印加されてオンする書込み用トランジスタと、
    発光期間内において自身の制御電極に加わる電圧に応じて前記表示素子を駆動する駆動用トランジスタと、
    オン時に前記駆動用トランジスタをオンさせるための電圧を前記駆動用トランジスタの制御電極に与えるスイッチ用トランジスタと、
    前記書込み用トランジスタの第２電極と前記スイッチ用トランジスタの制御電極とを接続するライン中に直列に介在する第１容量素子と、
    リセット期間内においてオンとされ、前記表示素子の両極間電圧に応じた電圧を前記第１容量素子の書込み用トランジスタ側の電極に与える調整用トランジスタと、を備えるアクティブマトリクス駆動型表示装置であって、
    リセット期間において、各第１容量素子に各表示素子の発光開始両極間電圧に応じた電圧を保持させる制御信号発生回路を備えた
    ことを特徴とするアクティブマトリクス駆動型表示装置。
  30. 所定の変化率で電圧値が変化するランプ電圧を発生するランプ電圧発生回路を更に備え、
    各画素の画素回路は、前記ランプ電圧の変化分を前記第１容量素子の書込み用トランジスタ側の電極に与える第２容量素子を備えている
    ことを特徴とする請求項２９に記載のアクティブマトリクス駆動型表示装置。
  31. 当該アクティブマトリクス駆動型表示装置は、画像表示のための階調信号の提供を受けて画像を表示するものであって、
    前記データドライバーは、前記階調信号に対応したデータ電圧を各画素に供給し、
    各画素において、
    受けた階調信号に対応して供給されるデータ電圧をＤとし、
    前記階調信号が黒レベルの階調を表すものであるときに供給されるデータ電圧をＤＢとし、
    供給されたデータ電圧Ｄに対応して前記表示素子に流れる電流の実効値をＩとし、
    前記階調信号が黒レベルの階調を表すものであるときに前記表示素子に流れる電流の実効値をＩＢとし、更に、
    ｘ＝Ｄ−ＤＢ、ｙＩ＝Ｉ−ＩＢ＋１、とおいた場合、
    式：ｙＩ＝ａｘ （但し、ａは定数であって、ａ＞１が成立）
    が成立するように、前記ランプ電圧の前記変化率は設定されている
    ことを特徴とする請求項３０に記載のアクティブマトリクス駆動型表示装置。
  32. 複数の画素をマトリクス状に配列して構成される表示パネルに、走査電圧を各画素に供給する走査ドライバーとデータ電圧を各画素に供給するデータドライバーとを接続して構成され、１フレーム期間は第１のフィールドと第２のフィールドとを含み、各フィールドは発光準備期間と発光期間とから成り、各画素の画素回路は、
    電力の供給を受けて発光する表示素子と、
    第１電極が前記データドライバーに接続され、前記走査ドライバーから所定レベルの走査電圧が印加されてオンする書込み用トランジスタと、
    自身の制御電極に加わる電圧に応じて前記表示素子を駆動する駆動用トランジスタと、
    オン時に前記駆動用トランジスタをオンさせるための電圧を前記駆動用トランジスタの制御電極に与えるスイッチ用トランジスタと、
    前記書込み用トランジスタの第２電極と前記スイッチ用トランジスタの制御電極とを接続するライン中に直列に介在する第１容量素子と、
    前記表示素子の両極間電圧に応じた電圧が自身の第１電極に加わるように前記表示素子に接続され、第１容量素子に前記表示素子の発光開始両極間電圧に応じたフィードバック電圧を伝達可能な調整用トランジスタと、を備えたアクティブマトリクス駆動型表示装置であって、
    第１と第２のフィールドの内、第１のフィールドのみ、発光準備期間において前記フィードバック電圧を各第１容量素子に伝達し、前記フィードバック電圧を反映した保持電圧を各第１容量素子に保持させるフィードバック制御手段を備えた
    ことを特徴とするアクティブマトリクス駆動型表示装置。
  33. 所定の変化率で電圧値が変化するランプ電圧を発生するランプ電圧発生回路を更に備え、
    各画素の画素回路は、前記ランプ電圧の変化分を前記第１容量素子の書込み用トランジスタ側の電極に与える第２容量素子を備えている
    ことを特徴とする請求項３２に記載のアクティブマトリクス駆動型表示装置。
  34. 当該アクティブマトリクス駆動型表示装置は、画像表示のための階調信号の提供を受けて画像を表示するものであって、
    前記階調信号を第１のフィールドに対応する第１の変換階調信号と第２のフィールドに対応する第２の変換階調信号とに変換した上で前記データドライバーに供給するガンマ変換回路を更に備え、
    前記データドライバーは、第１及び第２のフィールドにおいて、それぞれ第１の変換階調信号に対応する第１のデータ電圧及び第２の変換階調信号に対応する第２のデータ電圧を各画素に供給するものであり、
    各画素において、
    受けた階調信号に対応して供給される第１のデータ電圧をＤとし、
    前記階調信号が黒レベルの階調を表すものであるときに供給される第１のデータ電圧をＤＢとし、
    供給された第１のデータ電圧Ｄに対応して第１のフィールドにて前記表示素子に流れる電流の実効値をＩとし、
    前記階調信号が黒レベルの階調を表すものであるときに第１のフィールドにて前記表示素子に流れる電流の実効値をＩＢとし、更に、
    ｘ＝Ｄ−ＤＢ、ｙＩ＝Ｉ−ＩＢ＋１、とおいた場合、
    式：ｙＩ＝ａｘ （但し、ａは定数であって、ａ＞１が成立）
    が成立するように、前記ランプ電圧の前記変化率は設定されている
    ことを特徴とする請求項３３に記載のアクティブマトリクス駆動型表示装置。
  35. 各画素において、前記スイッチ用トランジスタがオンしている時に前記駆動用トランジスタの制御電極に与えられる前記電圧は、一定の電圧である
    ことを特徴とする請求項２９〜請求項３４の何れかに記載のアクティブマトリクス駆動型表示装置。
  36. 各画素において、前記スイッチ用トランジスタがオンしている時の前記駆動用トランジスタの動作点は線形領域内に設定されている
    ことを特徴とする請求項２９〜請求項３５の何れかに記載のアクティブマトリクス駆動型表示装置。
  37. 前記表示パネルを構成する各画素を、前記表示パネルの垂直方向及び／又は水平方向に一定の周期性を持たせて第１画素群と第２画素群に分類し、
    各フレーム期間における第１のフィールドと第２のフィールドの前後関係を、第１画素群と第２画素群とで異ならせる
    ことを特徴とする請求項１７〜請求項２８及び請求項３２〜請求項３４の何れかに記載のアクティブマトリクス駆動型表示装置。
  38. １フレーム期間を構成する第１のフィールドと第２のフィールドは同時に進行するものであり、
    各画素は、各画素を構成する前記画素回路を２組有し、
    前記フィードバック制御手段は、各フレーム期間において、各画素における一方の画素回路を第１のフィールドで動作させると同時に他方の画素回路を第２のフィールドで動作させ、更に、一定のフレームごとに第１のフィールドで動作させる画素回路と第２のフィールドで動作させる画素回路を前記２組の画素回路の間で切り換える
    ことを特徴とする請求項１７〜請求項２８及び請求項３２〜請求項３４の何れかに記載のアクティブマトリクス駆動型表示装置。
  39. 各駆動用トランジスタを介して各表示素子に電力を供給するための電源電圧の大きさを制御する電源電圧制御部を更に備え、
    前記電源電圧制御部は、第２のフィールドにおける前記電源電圧の大きさを第１のフィールドにおけるそれよりも小さくする
    ことを特徴とする請求項１７〜請求項２８、請求項３２〜請求項３４、請求項３７及び請求項３８の何れかに記載のアクティブマトリクス駆動型表示装置。
  40. 各画素において、表示素子の発光開始両極間電圧の大きさが第１電圧値から該第１電圧値よりも大きい第２電圧値に変化した際、同一の階調信号に対応して表示素子に流れる電流の実効値が増加する
    ことを特徴とする請求項１〜請求項３９の何れかに記載のアクティブマトリクス駆動型表示装置。
  41. 複数の画素をマトリクス状に配列して構成される表示パネルに、走査電圧を各画素に供給する走査ドライバーとデータ電圧を各画素に供給するデータドライバーとを接続して構成され、各画素の画素回路は、
    電力の供給を受けて発光する表示素子と、
    第１電極が前記データドライバーに接続されると共に、制御電極が走査ドライバーに接続された書込み用トランジスタと、
    自身の制御電極に加わる電圧に応じて前記表示素子を駆動する駆動用トランジスタと、
    前記書込み用トランジスタの第２電極と前記駆動用トランジスタの制御電極とを接続するライン中に直列に介在する第１容量素子と、
    該第１容量素子の前記書込み用トランジスタ側の電極と前記表示素子との間の導通をオン／オフするための調整用トランジスタと、を備えている
    ことを特徴とするアクティブマトリクス駆動型表示装置。
  42. 複数の画素をマトリクス状に配列して構成される表示パネルに、走査電圧を各画素に供給する走査ドライバーとデータ電圧を各画素に供給するデータドライバーとを接続して構成され、各画素の画素回路は、
    電力の供給を受けて発光する表示素子と、
    第１電極が前記データドライバーに接続されると共に、制御電極が走査ドライバーに接続された書込み用トランジスタと、
    自身の制御電極に加わる電圧に応じて前記表示素子を駆動する駆動用トランジスタと、
    一方の導通電極が前記駆動用トランジスタの制御電極に接続されたスイッチ用トランジスタと、
    前記書込み用トランジスタの第２電極と前記スイッチ用トランジスタの制御電極とを接続するライン中に直列に介在する第１容量素子と、
    該第１容量素子の前記書込み用トランジスタ側の電極と前記表示素子との間の導通をオン／オフするための調整用トランジスタと、を備えている
    ことを特徴とするアクティブマトリクス駆動型表示装置。
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