JP2006294659A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 外部回路と接続するための導体と開口部を封止する透光性蓋体とを備えたパッケージ内に光半導体素子を搭載した半導体装置を、透光性蓋体を交換可能とし、コストの低減も図る。
【解決手段】 パッケージ３を、光センサ１などの光半導体素子を搭載するダイアタッチ面３ａを有した基台部７と、基台部７の周縁部に固着され前記ダイアタッチ面３ａの上方に透光性蓋体５を保持する形状記憶樹脂製の保持部８とで構成する。これにより、保持部８の形状記憶性を利用して透光性蓋体５を容易に取り付け、また交換することが可能になる。
【選択図】 図１

Description

本発明は、光半導体素子をパッケージ内に搭載した半導体装置およびその製造方法に関し、特にパッケージの開口部を封止する光透過性蓋体を交換可能に搭載する技術に関するものである。

従来、光半導体素子は一般に、素子への光の経路を確保し且つ外部から保護するために、プラスチックやセラミックで形成したパッケージ内に実装し、パッケージの開口部をガラス板などの光透過性蓋体で封止している。

この種の半導体装置の一例として、ＤＩＰタイプの光センサパッケージを図１６に示す。（ａ）は断面図、（ｂ）は上面図である。この光センサパッケージは、ＣＣＤやＣＭＯＳセンサなどの光センサ１を、外部回路と接続するための導体２を配した凹状のパッケージ３内に搭載し、前記導体２にボンディングワイヤ４で接続しており、パッケージ３の開口端はパッケージ３とほぼ同じ大きさのガラス板などの透光性蓋体５によりエポキシ系樹脂などの接着剤６を用いて封止している。

しかしこのような光センサパッケージでは、パッケージ３に一旦封着した透光性蓋体５を取り外すことは困難であり、コストアップにつながってしまう。たとえば組立工程中に透光性蓋体５にキズや汚れ等が発生した場合も交換できず、光センサ１が良品であっても光センサパッケージ全体が不良品となってしまい、逆に透光性蓋体５での封着後の検査工程で光センサ１の不良が発見された場合に、透光性蓋体５が良品であっても光センサパッケージ全体が不良品となってしまう。また透光性蓋体５をたとえばガラス板からローパスフィルターやレンズなどの光学部品に交換することはできない。そこで透光性蓋体５を取り外し可能にすべく、弾性体を介在させて透光性蓋体５を嵌入することが提案されている（例えば特許文献１参照）。
特開２００１−８５６５５公報

しかし弾性体を介在させる従来構造では、透過性蓋体の取付時に弾性体との間の摩擦や内圧によって取付精度を保つことは困難であり、製造が容易ではない。
本発明の目的は、上記問題に鑑み、透光性蓋体が交換可能であり、コストを低減できるとともに、透光性蓋体の取付時に容易に取付精度を確保できる半導体装置を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明の第１の半導体装置は、外部回路と接続するための導体と開口部を封止する透光性蓋体とを備えたパッケージ内に光半導体素子を搭載した半導体装置において、前記パッケージが、光半導体素子搭載面を有した基台部と、前記基台部の周縁部に固着され前記光半導体素子搭載面の上方に透光性蓋体を保持する形状記憶樹脂製の保持部とで構成されたことを特徴とする。これによれば、保持部の形状記憶性を利用して透光性蓋体を容易に取り付け、また交換することが可能である。

保持部の内周に透光性蓋体の周縁部が嵌入する凹部が形成されるか、あるいは、保持部と基台部とにわたる内周に透光性蓋体の周縁部が嵌入する凹部が形成されるのが好ましい。凹部によって透光性蓋体の位置決めが容易になされるからである。保持部と基台部とを接続するための接着剤塗布位置から凹部を離しておけば、接着剤塗布位置からはみ出した接着剤が透光性蓋体に接触して透光性蓋体が接着される不良を防ぐことができる。また後者の場合は、透光性蓋体を基台部上に搭載した後で基台部上に保持部を固着することも可能であり、製造が容易になる。

本発明の第２の半導体装置は、外部回路と接続するための導体と開口部を封止する透光性蓋体とを備えたパッケージ内に光半導体素子を搭載した半導体装置において、前記パッケージが、光半導体素子搭載面を有した基台部と、前記基台部の周縁部に配設され前記光半導体素子搭載面の上方に透光性蓋体を保持する保持部と、前記保持部を基台部上に脱着自在に支持する形状記憶樹脂製の支持部材とで構成されたことを特徴とする。これによれば、支持部材の形状記憶性を利用して保持部ごと、場合によっては透光性蓋体が固着された保持部ごと取り外し、別途の支持部材、保持部、透光性蓋体と交換することが可能である。

支持部材は、保持部の下面に接続され、基台部に形成された貫通穴あるいは外周溝部に嵌め込まれたものとすることができる。支持部材は、基台部の下面に係止する爪部を有しているのが好ましい。また基台部の下面に、支持部材の爪部を収容する凹部が形成されているのが好ましい。爪部を凹部に収容することによって、支持部材によるパッケージ高さの増加を回避できるからである。

第１または第２の半導体装置において、保持部は、基台部の周縁部にその全周にわたって配置されていてもよいし、基台部の周縁部にその周方向に適当間隔をおいて配置されていてもよい。

基台部に保持部を位置決めする凹部が形成されるか、あるいは保持部と基台部とに互いに嵌め合って位置決めする凹部と凸部とが形成されるのが好ましい。基台部に対して保持部の位置決めが容易になされるからである。また後者の場合は、保持部と基台部とにわたる凹部で透過性蓋体を保持する際も、保持部と基台部とを接続するための接着剤塗布位置を保持用の凹部から離すことが可能となり、接着剤塗布位置からはみ出した接着剤が透光性蓋体に接触して透光性蓋体が接着される不良を防ぐことができる。

透光性蓋体は、ガラス板または光学フィルタまたは光学レンズであってよい。
第１の半導体装置を製造する方法は、前記パッケージを、光半導体素子搭載面を有した基台部と前記光半導体素子搭載面の上方に透光性蓋体を保持するための形状記憶樹脂製の保持部とに分割形成する工程と、前記基台部の周縁部に前記保持部を配設し固着する工程と、前記保持部を変形させ、その内周に透光性蓋体を嵌め込み、形状復元させる工程とにより形成することを特徴とする。

透光性蓋体を嵌め込む際に、保持部あるいは基台部上端の内周に予め形成された凹部により位置決めするのが好都合である。
第２の半導体装置を製造する方法は、前記パッケージを、光半導体素子搭載面を有した基台部と透光性蓋体を保持するための保持部とに分割形成するとともに、前記基台部に一端が保持部に対向する貫通穴あるいは溝部を形成する工程と、前記保持部の下面に形状記憶樹脂製の支持部材を接続する工程と、前記保持部に接続した支持部材を変形させ、前記基台部の貫通穴あるいは溝部に嵌め込み、形状復元させることにより、前記保持部を基台部上に支持部材により支持固定する工程と、前記保持部に前記透光性蓋体を固着する工程とにより形成することを特徴とする。

第１または第２の半導体装置を製造する方法では、基台部上に保持部を配設する際に、保持部の下端が嵌入するように基台部に予め形成された凹部により位置決めするのが好都合である。また、基台部上に保持部を配設する際に、基台部と保持部とに互いに嵌め合うように予め形成された凹部と凸部とにより位置決めするのが好都合である。

第１の半導体装置を製造する方法では、保持部の形状記憶性を利用して透光性蓋体を交換することもできる。第２の半導体装置を製造する方法では、所望により支持部材の形状記憶性を利用して保持部と支持部材との一体化物を交換することもできる。

本発明の第１の半導体装置は、透光性蓋体を保持する保持部を形状記憶樹脂により形成したので、保持部の形状記憶性を利用して透光性蓋体を容易に取り付け、また交換することができる。

また第２の半導体装置は、透光性蓋体を保持する保持部を形状記憶樹脂製の支持部材によって基台部に支持したので、支持部材の形状記憶性を利用して保持部ごと、場合によっては透光性蓋体が固着された保持部ごと取り外し、別途の支持部材、保持部、透光性蓋体を取り付けることができる。

よって、両半導体装置とも、一部の構成物のみが不良の場合に残りの良品構成物を再利用することが可能になり、コストを低減することが可能となる。

以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。
図１（ａ）は本発明の第１の実施形態の半導体装置の断面図、図１（ｂ）は同半導体装置の一部切り欠き上面図である。ここでは半導体装置の一例として、先に図１６を用いて説明したのと同様のＤＩＰタイプの光センサパッケージを示している。

半導体装置は、ＣＣＤやＣＭＯＳセンサなどの光センサ１を、外部回路と接続するための導体２を配した筐体としてのパッケージ３内に搭載し、前記導体２にボンディングワイヤ４で接続しており、パッケージ３の開口端はパッケージ３とほぼ同じ大きさの透光性蓋体５により封止している。

パッケージ３は、光センサ１を搭載するダイアタッチ面３ａをその背面に対して精密な平行度で形成し、複数の導体２をそれぞれの内端部がダイアタッチ面３ａの周囲に露出するように埋め込んだ基台部７と、ダイアタッチ面３ａの上方に間隙をおいて透光性蓋体５を保持するように基台部７の周縁部に固着した四角枠状の保持部８とを有している。透光性蓋体５には、用途に応じて様々なガラス、あるいはローパスフィルターなどの光学フィルタや光学レンズなどを選択する。

この半導体装置が従来のものと相違するのは、パッケージ３の保持部８のほぼ全体を形状記憶樹脂で形成し、その内面に周方向に沿って形成した凹部９に透光性蓋体５の周縁部を嵌入させて保持している点である。

この半導体装置の製造方法について説明する。
図２（ａ）に示すように、基台部７を導体２を配して形成しておく。基台部７の材料には積層セラミックやエポキシ系樹脂などを用い、導体２には銅や４２アロイなどの鉄系の合金などを用いる。図２（ｂ）に示すように、四角枠状の保持部８をポリエステルやポリウレタンなどの形状記憶樹脂にて別途に形成し、基台部７の周縁部上の所定位置に接着剤６により接着固定する。

図２（ｃ）に示すように、基台部７のダイアタッチ面３ａに光センサ１を搭載し、光センサ１と導体２とを金線などのボンディングワイヤ４で接続する。
図２（ｄ）に示すように、形状記憶樹脂製の保持部８に所定温度を付加したうえで、その凹部９を開くように変形させ、開いた凹部９に透光性蓋体５を嵌め込む。

図２（ｅ）に示すように保持部８を元の温度に戻して形状復元させることにより、半導体装置の完成品を得る。
以上の製造方法からもわかるように、この半導体装置は、保持部８の形状記憶性を利用して接着剤を用いることなく透光性蓋体５を保持するものであり、透光性蓋体５の取り付け、取り外しとも容易である。したがって、一部の構成部品のみが不良の場合は残りの良品部品を再利用することが可能である。たとえば組立工程中に透光性蓋体５にキズや汚れ等が発生した場合には、図３（ａ）〜（ｅ）に示す手順で透光性蓋体５´に交換すればよいし、透光性蓋体５での封着後の検査工程で光センサ１の不良が発見された場合には、透光性蓋体５を取り外して再利用すればよい。よって、コストを低減することが可能である。透光性蓋体５を他の種類の透光性蓋体と交換することも可能である。

さらに、透光性蓋体５は保持部８の凹部９で位置決めがなされるので、容易に位置精度よく取り付けできる。凹部９を図示したように下端から離しておけば、保持部８を基台部７上に接着する際にはみ出す接着剤が透光性蓋体５に接触することはなく、透光性蓋体５が接着剤で汚れたり、接着固定されてしまう不良を防ぐことができる。

図４（ａ）は本発明の第２の実施形態の半導体装置の断面図、図４（ｂ）は同半導体装置の一部切り欠き上面図である。
この第２の実施形態の半導体装置が第１の実施形態のものと相違するのは、基台部７をその周縁部に立ち上がった四角枠状の外枠部１１を持った凹状に形成し、外枠部１１の上に周方向に沿って適当間隔をおいて（ここでは外枠部１１上のコーナー部近傍に２箇所ずつ）四角柱状の保持部１２を接着固定し、外枠部１１の上端の平坦面１１ａと保持部１２の下端内周部に形成した段部１２ｂとで構成される凹部９に透光性蓋体５の周縁部を嵌入させて保持している点である。

この半導体装置を製造する際には、図５（ａ）に示すように、基台部７を外枠部１１と導体２とを配して形成しておく。次に、図５（ｂ）に示すように、基台部７のダイアタッチ面３ａに光センサ１を搭載し、光センサ１と導体２とを金線などのボンディングワイヤ４で接続する。次に、図５（ｃ）に示すように、外枠部１１の平坦面１１ａの内周縁部上に透光性蓋体５を搭載する。最後に、図５（ｄ）に示すように、外枠部１１の平坦面１１ａの外周縁部上に形状記憶樹脂により形成した保持部１２を接着剤６で接着固定する。

以上の製造方法からもわかるように、この第２の実施形態の半導体装置は、第１の実施形態のものと比較して、形状記憶樹脂製の保持部１２を最後に接着固定するので、透光性蓋体５の搭載時に保持部１２を変形させるための温度付加は必要でなく、製造工程を簡単にすることが可能である。透光性蓋体５の取り外し、あるいは交換時には保持部１２を変形させることになる。

図６（ａ）は本発明の第３の実施形態の半導体装置の断面図、図６（ｂ）は同半導体装置の一部切り欠き上面図である。
この第３の実施形態の半導体装置が第２の実施形態のものと相違するのは、外枠部１１の上端内周部に透光性蓋体５の外形に見合った段部１１ｂを形成し、この外枠部１１の段部１１ｂと保持部１２の段部１２ｂとで構成される凹部９に透光性蓋体５の周縁部を嵌入させて保持している点である。この第３の実施形態の光センサパッケージは、第２の実施形態のものと比較して、透光性蓋体５の搭載時に外枠部１１の段部１１ｂに嵌め込むことで位置決めできるので、取り付け精度の向上と製造工程を簡単にすることが可能となる。

図７（ａ）は本発明の第４の実施形態の半導体装置の断面図、図７（ｂ）は同半導体装置の一部切り欠き上面図である。図８（ａ）は同半導体装置を構成しているパッケージの上面図、図８（ｂ）（ｃ）（ｄ）はそれぞれ、同パッケージの図８（ａ）におけるＡ−Ａ断面図、Ｂ−Ｂ断面図、Ｃ−Ｃ断面図である。図８において導体２は省略している。

この第４の実施形態の半導体装置が第３の実施形態のものと相違するのは、外枠部１１の上端外周部と保持部１２の下端外周部とに、互いに嵌め合うと凹部１１ｃと凸部１２ｃとが形成されている点である。

この第４の実施形態の半導体装置を製造する際には、図９（ａ）に示すように基台部７に光センサ１を実装した後に、図９（ｂ）に示すように外枠部１１の上端内周部の段部１１ｂに透光性蓋体５の周縁部を嵌め込む。図９（ｃ）はその状態での別の断面を示す。この外枠部１１の上端外周部の凹部１１ｃに、図９（ｄ）に示すように、保持部１２の下端外周部の凸部１２ｃを嵌め込む。

このようにして、透光性蓋体５を外枠部１１上に位置決めし、また保持部１２を外枠部１１上に位置決めできるので、取り付け精度の向上と製造工程を簡単にすることが可能となる。保持部１２と外枠部１１との接着固定のためには凹部１１ｃ内の底面に接着剤６を配すればよいので、接着剤塗布位置を透過性蓋体５から遠ざけて、透光性蓋体５に接着剤６が付着する不良を防ぐことができる。これによっても取り付け精度の向上と製造工程の簡単化を図り、製造歩留まりの向上をも実現できる。

図１０（ａ）は本発明の第５の実施形態の半導体装置の断面図、図１０（ｂ）は同半導体装置の一部切り欠き上面図、図１０（ｃ）は同半導体装置の下面図である。
この第５の実施形態の半導体装置が第１の実施形態のものと相違するのは、パッケージ３を、基台部７と、四角枠状の保持部８と、保持部８を基台部７上に脱着自在に支持する形状記憶樹脂製の複数の支持部材１０とで構成し、透光性蓋体５を保持部８の上端面に接着剤６で接着固定している点である。支持部材１０はほぼ柱状であって先端に爪部１０ａを有しており、保持部８の４隅の下面にそれぞれ接続され、基台部７に形成された貫通穴７ａに嵌め込まれ、爪部１０ａで基台部７の下面に係止している。

この半導体装置を製造する際には、図１１（ａ）に示すように、積層セラミックやエポキシ系樹脂などで形成した保持部８の下面の所定位置に形状記憶樹脂よりなる支持部材１０を接着固定する。また図１１（ｂ）に示すように、基台部７を積層セラミックやエポキシ系樹脂などを用いて、導体２を配して、且つ所定位置に貫通穴７ａを設けて形成しておく。

そして、基台部７の貫通穴７ａに対し、支持部材１０を所定温度を付加し変形させてから、図１１（ｃ）に示すように嵌め込み、次いで支持部材１０を元の温度に戻して形状復元させることにより、図１１（ｄ）に示すように、保持部８を支持部材１０を介して基台部７上に支持固定して、パッケージ３の完成品を得る。

その後に、図１１（ｅ）に示すように、パッケージ３内のダイアタッチ面３ａに光センサ１を実装し、図１１（ｆ）に示すように、パッケージ３の保持部８の上端面に接着剤６を用いて透光性蓋体５を接着固定して、半導体装置の完成品を得る。

透光性蓋体５を交換するには、図１２（ａ）に示す半導体装置の支持部材１０を、図１２（ｂ）に示すように所定温度を付加し変形させた後に、図１２（ｃ）に示すように貫通穴７ａから抜き出すことにより、基台部７から、保持部８と透光性蓋体５と支持部材１０とを一体に分離する。その後に、図１１（ｄ）〜図１１（ｈ）に示すように、先に図１１を用いて説明した透光性蓋体５の取り付け時と同様にして、別途の保持部８´を別途の支持部材１０´を介して基台部７上に支持固定し、保持部８の上端面に接着剤６を用いて別途の透光性蓋体５´を接着固定する。

図１３（ａ）は本発明の第６の実施形態の半導体装置の断面図、図１３（ｂ）は同半導体装置の一部切り欠き上面図、図１３（ｃ）は同半導体装置の下面図である。
この第６の実施形態の半導体装置が第５の実施形態のものと相違するのは、保持部８の下端外周部と対向する基台部７の上端外周部とに、互いに嵌め合うと凹部８ａと凸部７ｂとを形成して、保持部８を基台部７上に位置決めしている点である。この第６の実施形態の半導体装置によると、第５の実施形態のものと比較して、取り付け精度の向上と製造工程を簡単にすることが可能となる。

図１４（ａ）は本発明の第７の実施形態の半導体装置の断面図、図１４（ｂ）は同半導体装置の一部切り欠き上面図、図１４（ｃ）は同半導体装置の下面図である。
この第７の実施形態の半導体装置が第５の実施形態のものと相違するのは、基台部７に、貫通穴７ａに代えて溝部７ｃを外周面に形成し、この溝部７ｃに嵌め合う寸法の支持部材１０を保持部８の下端外周部に接合して、支持部材１０を介して保持部８を基台部７上に支持固定している点である。この第７の実施形態の半導体装置では、支持部材１０を基台部７の外側の溝部７ｃに通すだけでよいため、支持部材１０と基台部７との寸法精度は第５の実施形態のものほど厳密でなくてよく、製造歩留まりの向上がなされる。

図１５（ａ）は本発明の第８の実施形態の半導体装置の断面図、図１５（ｂ）は同半導体装置の一部切り欠き上面図、図１５（ｃ）は同半導体装置の下面図である。
この第８の実施形態の半導体装置が第７の実施形態のものと相違するのは、基台部７に形成する溝部７ｄを外周面だけでなくそれに続く下面にも形成し、この溝部７ｄに嵌め合う寸法の支持部材１０を保持部８の下端外周部に接合して、支持部材１０を介して保持部８を基台部７上に支持固定している点である。この発明の第８の実施形態によると、第７の実施形態と比較して、支持部材１０の爪部１０ａも溝部７ｄに嵌め込むので、その分だけパッケージ３の高さを低減可能となる。

本発明の半導体装置は、光半導体素子を外部回路と接続するための導体を配したパッケージ内に密封したものであり、かかる半導体装置を搭載するデジタルスチルカメラ、携帯用カメラ、ムービー、車載用カメラ、監視カメラ、医療用カメラ、放送用カメラ、Ｗｅｂカメラ、テレビ電話用カメラ、ゲーム機用カメラ、光学マウス、ＤＶＤ・ＣＤドライブなどの光ピックアップなどに有用である。

本発明の第１の実施形態の半導体装置の構成図 図１の半導体装置の製造方法を説明する工程断面図 図１の半導体装置の透光性蓋体の交換方法を説明する工程断面図 本発明の第２の実施形態の半導体装置の構成図 図４の半導体装置の製造方法を説明する工程断面図 本発明の第３の実施形態の半導体装置の構成図 本発明の第４の実施形態の半導体装置の構成図 図７の半導体装置を構成するパッケージの構成図 図７の半導体装置の製造方法を説明する工程断面図 本発明の第５の実施形態の半導体装置の構成図 図１０の半導体装置の製造方法を説明する工程断面図 図１０の半導体装置の透光性蓋体の交換方法を説明する工程断面図 本発明の第６の実施形態の半導体装置の構成図 本発明の第７の実施形態の半導体装置の構成図 本発明の第８の実施形態の半導体装置の構成図 従来の半導体装置の構成図

符号の説明

１ 光センサ
２ 導体
３ パッケージ
3a ダイアタッチ面
４ ボンディングワイヤ
５ 透光性蓋体
６ 接着剤
７ 基台部
7a 貫通穴
7b 凸部
7c 溝部
7d 溝部
８ 保持部
8a 凹部
９ 凹部
10 支持部材
10a 爪部
11 外枠部
11a 平坦面
11b 段部
11c 凹部
12 保持部
12b 段部
12c 凸部

Claims (19)

1. 外部回路と接続するための導体と開口部を封止する透光性蓋体とを備えたパッケージ内に光半導体素子を搭載した半導体装置において、
   前記パッケージは、光半導体素子搭載面を有した基台部と、前記基台部の周縁部に固着され前記光半導体素子搭載面の上方に透光性蓋体を保持する形状記憶樹脂製の保持部とで構成された半導体装置。
2. 保持部の内周に透光性蓋体の周縁部が嵌入する凹部が形成された請求項１記載の半導体装置。
3. 保持部と基台部とにわたる内周に透光性蓋体の周縁部が嵌入する凹部が形成された請求項１記載の半導体装置。
4. 外部回路と接続するための導体と開口部を封止する透光性蓋体とを備えたパッケージ内に光半導体素子を搭載した半導体装置において、
   前記パッケージは、光半導体素子搭載面を有した基台部と、前記基台部の周縁部に配設され前記光半導体素子搭載面の上方に透光性蓋体を保持する保持部と、前記保持部を基台部上に脱着自在に支持する形状記憶樹脂製の支持部材とで構成された半導体装置。
5. 支持部材は、保持部の下面に接続され、基台部に形成された貫通穴あるいは溝部に嵌め込まれている請求項４記載の半導体装置。
6. 支持部材は、基台部の下面に係止する爪部を有している請求項５記載の半導体装置。
7. 基台部の下面に、支持部材の爪部を収容する凹部が形成されている請求項６記載の半導体装置。
8. 保持部は、基台部の周縁部にその全周にわたって配置されている請求項１記載の半導体装置。
9. 保持部は、基台部の周縁部にその周方向に適当間隔をおいて配置されている請求項１または請求項４のいずれかに記載の半導体装置。
10. 基台部に保持部を位置決めする凹部が形成された請求項１または請求項４のいずれかに記載の半導体装置。
11. 保持部と基台部とに互いに嵌め合って位置決めする凹部と凸部とが形成された請求項１または請求項４のいずれかに記載の半導体装置。
12. 透光性蓋体は、ガラス板または光学フィルタまたは光学レンズである請求項１または請求項４のいずれかに記載の半導体装置。
13. 外部回路と接続するための導体と開口部を封止する透光性蓋体とを備えたパッケージ内に光半導体素子を搭載した半導体装置の製造方法であって、
    前記パッケージを、光半導体素子搭載面を有した基台部と前記光半導体素子搭載面の上方に透光性蓋体を保持するための形状記憶樹脂製の保持部とに分割形成する工程と、前記基台部の周縁部に前記保持部を配設し固着する工程と、前記保持部を変形させ、その内周に透光性蓋体を嵌め込み、形状復元させる工程とにより形成する半導体装置の製造方法。
14. 透光性蓋体を嵌め込む際に、保持部あるいは基台部上端の内周に予め形成された凹部により位置決めする請求項１３記載の半導体装置の製造方法。
15. 外部回路と接続するための導体と開口部を封止する透光性蓋体とを備えたパッケージ内に光半導体素子を搭載した半導体装置の製造方法であって、
    前記パッケージを、光半導体素子搭載面を有した基台部と透光性蓋体を保持するための保持部とに分割形成するとともに、前記基台部に一端が保持部に対向する貫通穴あるいは溝部を形成する工程と、前記保持部の下面に形状記憶樹脂製の支持部材を接続する工程と、前記保持部に接続した支持部材を変形させ、前記基台部の貫通穴あるいは溝部に嵌め込み、形状復元させることにより、前記保持部を基台部上に支持部材により支持固定する工程と、前記保持部に前記透光性蓋体を固着する工程とにより形成する半導体装置の製造方法。
16. 基台部上に保持部を配設する際に、保持部の下端が嵌入するように基台部に予め形成された凹部により位置決めする請求項１３または請求項１５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
17. 基台部上に保持部を配設する際に、基台部と保持部とに互いに嵌め合うように予め形成された凹部と凸部とにより位置決めする請求項１３または請求項１５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
18. 保持部の形状記憶性を利用して透光性蓋体を交換する請求項１３記載の半導体装置の製造方法。
19. 支持部材の形状記憶性を利用して保持部と支持部材との一体化物を交換する請求項１５記載の半導体装置の製造方法。

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