JP2006219689A

JP2006219689A - Thin-film production apparatus and method for forming semiconductor thin film

Info

Publication number: JP2006219689A
Application number: JP2005031304A
Authority: JP
Inventors: Shigeru Senbonmatsu; 茂千本松; Mitsuru Suginoya; 充杉野谷; Shuhei Yamamoto; 修平山本; Hideki Matsumura; 英樹松村; Atsushi Masuda; 淳増田
Original assignee: Seiko Instruments Inc
Current assignee: Seiko Instruments Inc
Priority date: 2005-02-08
Filing date: 2005-02-08
Publication date: 2006-08-24

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To solve a problem that a conventional thin-film production apparatus needs to irradiate a roll tape with a pulsed laser again after having formed a semiconductor film on the roll tape, temporarily taken it up into a rolled state and then moved it toward a laser irradiation device, because of having no pulsed laser irradiation mechanism, and consequently needs extremely long cycle time for evacuation or substitution with an inert gas. <P>SOLUTION: The thin-film production apparatus comprises: a mechanism for supplying the roll film; a mechanism for forming the semiconductor film on the roll film with a catalytic CVD method; a mechanism for irradiating the semiconductor film with the pulsed laser; and a mechanism for taking the roll film up. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、フレキシブル液晶ディスプレイやフレキシブル有機ＥＬディスプレイ等に用いる薄膜トランジスタ用半導体膜を形成する方法、及び半導体膜を形成するための薄膜製造装置に関する。 The present invention relates to a method for forming a semiconductor film for a thin film transistor used in a flexible liquid crystal display, a flexible organic EL display, and the like, and a thin film manufacturing apparatus for forming the semiconductor film.

従来の薄膜製造装置では、加熱した触媒体に原料ガスを供給し、テープを送ることにより薄膜を形成する機構が提案されている。（例えば、特許文献１を参照）。
特開２００２−６９６４４号公報（８頁、図１） In a conventional thin film manufacturing apparatus, a mechanism for forming a thin film by supplying a raw material gas to a heated catalyst body and feeding a tape has been proposed. (For example, see Patent Document 1).
Japanese Patent Laid-Open No. 2002-69644 (page 8, FIG. 1)

従来の薄膜製造装置では、高スループットで高品質の半導体膜を得ることが出来なかった。すなわち、特許文献１のような薄膜製造装置はパルスレーザー照射機構を備えていないため、一旦ロール状のテープに半導体膜を成膜してロール状に巻き取った後、レーザー照射装置に移動して改めてロール状のテープにパルスレーザーを照射する必要があり、真空排気や不活性ガスによる置換など極めてタクトタイムが長くなるばかりか、移動中に下地堆積膜への不純物混入の課題があった。また、成膜中に触媒体とロール状テープの距離が大きく変わるため、保護膜の成膜では特に問題にならないが、機能性薄膜すなわち半導体膜に関しては深さ方向の膜の不均一性が生じる課題があった。特に原料ガスにＳｉＨ_４とＨ_２を用いて非晶質シリコン膜を形成する場合には、深さ方向で膜中の水素含有量が変化するという課題があった。すなわち、非晶質シリコンの付き始めでは、触媒体からの距離が長く、触媒体からの輻射熱が少ないために水素含有量が多い非晶質シリコン膜が堆積してしまい、水素の突沸によるポリシリコン膜の膜面荒れが生じることがあった。本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、量産時のタクトタイムを縮小すると共に均一な半導体膜を得ることを目的とする。 A conventional thin film manufacturing apparatus cannot obtain a high-quality semiconductor film with a high throughput. That is, since a thin film manufacturing apparatus like Patent Document 1 does not have a pulse laser irradiation mechanism, a semiconductor film is once formed on a roll tape and wound into a roll, and then moved to a laser irradiation apparatus. It is necessary to irradiate a pulsed laser to the roll tape again, and not only the takt time becomes very long, such as evacuation or replacement with an inert gas, but also there is a problem of contamination of the underlying deposited film during movement. In addition, since the distance between the catalyst body and the roll tape changes greatly during the film formation, there is no particular problem in the formation of the protective film, but the functional thin film, that is, the semiconductor film has non-uniformity in the depth direction. There was a problem. In particular, when an amorphous silicon film is formed using SiH ₄ and H ₂ as source gases, there is a problem that the hydrogen content in the film changes in the depth direction. That is, at the beginning of attaching amorphous silicon, the distance from the catalyst body is long and the radiation heat from the catalyst body is small, so that an amorphous silicon film having a high hydrogen content is deposited, and polysilicon due to bumping of hydrogen The film surface may be roughened. The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to reduce the tact time during mass production and to obtain a uniform semiconductor film.

そこで、本発明の薄膜製造装置は、ロールフィルムを供給する機構と、ＣＶＤ法により触媒体をロールフィルム上に半導体膜として堆積させる機構と、パルスレーザーを前記半導体膜に照射する機構と、ロールフィルムを巻き取る機構を備えている。また、半導体膜を堆積する機構とパルスレーザーを照射する機構との間で大気暴露することがないよう構成されている。そして、半導体膜を形成する機構とロールフィルムとの間に、触媒体とロールフィルムの距離が略一定間隔となる部分に開口を持つ遮蔽機構が設けられている。あるいは、触媒体はロールフィルムとの距離が均一になるように配置されている。 Therefore, the thin film manufacturing apparatus of the present invention includes a mechanism for supplying a roll film, a mechanism for depositing a catalyst body as a semiconductor film on the roll film by a CVD method, a mechanism for irradiating the semiconductor film with a pulse laser, and a roll film. It has a mechanism to wind up. Moreover, it is comprised so that it may not expose to air | atmosphere between the mechanism in which a semiconductor film is deposited, and the mechanism in which a pulse laser is irradiated. A shielding mechanism having an opening at a portion where the distance between the catalyst body and the roll film is substantially constant is provided between the mechanism for forming the semiconductor film and the roll film. Or the catalyst body is arrange | positioned so that the distance with a roll film may become uniform.

本発明は触媒ＣＶＤ法によりロールフィルム上に半導体膜を形成した後、パルスレーザーを半導体膜に照射し半導体膜を結晶化できるので、高スループットでロールフィルム上に半導体膜を形成できる効果がある。また、大気暴露時に空気中の不純物を吸着して、最終的に薄膜トランジスタの移動度を低下させるなどの課題も解決できた。さらに、半導体膜が深さ方向に略均一な原子成分となるように遮蔽機構を設けた。また、触媒体とロールフィルムの距離を均一にすることとした。このような構成により、より均一な半導体膜を形成することができる。 In the present invention, since a semiconductor film can be crystallized by irradiating the semiconductor film with a pulse laser after forming the semiconductor film on the roll film by catalytic CVD, the semiconductor film can be formed on the roll film with high throughput. In addition, problems such as adsorption of impurities in the air when exposed to the atmosphere and finally lowering the mobility of the thin film transistor could be solved. Further, a shielding mechanism is provided so that the semiconductor film has a substantially uniform atomic component in the depth direction. Further, the distance between the catalyst body and the roll film was made uniform. With such a configuration, a more uniform semiconductor film can be formed.

本発明の薄膜製造装置は、ロールフィルムを供給する機構と、触媒ＣＶＤ法を用いてロールフィルム上に半導体膜を形成する機構と、パルスレーザーを半導体膜に照射する機構と、ロールフィルムを巻き取る機構を備えている。このような構成により、高スループットでロールフィルム上に半導体膜を形成できる。また、半導体膜を形成する機構とロールフィルムとの間に、触媒体とロールフィルムの距離が略一定間隔となる部分に開口を持つ遮蔽機構が設けることとした。このような構成により、半導体膜が深さ方向に略均一な原子成分となる。あるいは、触媒体とロールフィルムの距離が均一になるように構成した。これにより、より均一な半導体膜を形成できる。 The thin film manufacturing apparatus of the present invention includes a mechanism for supplying a roll film, a mechanism for forming a semiconductor film on the roll film using a catalytic CVD method, a mechanism for irradiating the semiconductor film with a pulse laser, and a roll film. It has a mechanism. With such a configuration, the semiconductor film can be formed on the roll film with high throughput. Further, a shielding mechanism having an opening at a portion where the distance between the catalyst body and the roll film is substantially constant is provided between the mechanism for forming the semiconductor film and the roll film. With such a configuration, the semiconductor film has substantially uniform atomic components in the depth direction. Or it comprised so that the distance of a catalyst body and a roll film might become uniform. Thereby, a more uniform semiconductor film can be formed.

さらに、本発明の半導体薄膜の形成方法は、ロールに巻かれた状態のロールフィルムに半導体膜を形成する工程と、ロールを回転させてロールフィルムを移動させ、半導体膜にパルスレーザーを照射して、半導体膜を多結晶化する工程と、を備えることとした。 Furthermore, the method for forming a semiconductor thin film according to the present invention includes a step of forming a semiconductor film on a roll film wound around a roll, a roll film is moved by rotating the roll, and the semiconductor film is irradiated with a pulse laser. And a step of polycrystallizing the semiconductor film.

以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

本実施例の薄膜製造装置を図１、図２、図３の模式図を用いて説明する。まず、図１は本実施例の模式図を示している。真空チャンバー５内は真空ポンプによる排気１４によって高真空に保たれ、真空度は真空計１２によって計測される。また、原料ガス９はマスフローコントローラを介して精密に流量コントロールされた原料ガス９がシャワーヘッド１０から真空チャンバー５内に供給され、また真空チャンバー５内のガス圧力を真空計１２でモニターしながら、排気速度を制御してチャンバー５内の圧力を一定に保つ自動圧力制御機構１３が排気系に設けられている。また、原料ガス９を熱分解するための触媒体８がシャワーヘッド１０の噴出し部近傍に設けられ、触媒体８には電源部１１から触媒体８を加熱するための電力供給が設置されている。さらにロールフィルム送り方向と直角方向に長辺を有するパルスレーザー照射機構６を有する光学系が設けられ、ロールフィルム１を搬送するための補助ロール２と主ロール４からなるロールフィルム送り機構１６とロールフィルム巻取り機構３が設けられている。また、補助ロール２とロールフィルム巻取り機構３に半導体膜が堆積しないように仕切り板１５が設置されている。また、ロールフィルム送り機構１６にはロールフィルム１を室温から３００℃の温度まで任意の温度に制御できる静電チャック等の機構が設けられている。ここで、図３に本実施例で用いた触媒体８の形状の模式図を示す。本実施例では触媒体８として直径０．５ｍｍの高純度タングステン（例えば純度９９．９９９％）をロールフィルムの堆積領域２２に概ね平行かつ均一に加工したタングステンワイヤー２１を用いた。尚、タングステンワイヤー２１の形状を保つためのテンション機構は記載を省略した。また、本実施例では単位面積（１ｃｍ^２）当り０．０９ｃｍ^２の表面積になるように（以下０．０９ｃｍ^２／ｃｍ^２と記載する）タングステンワイヤー２１を所望の形状に加工している。ここでタングステンワイヤーの形状は図３に示したようなコの字状の繰り返しに限られるわけではなく、かつまた一筆書きの必要もない。すなわち、基板上へ堆積した膜の膜厚が概ね均一になるようにタングステンワイヤーを加工すれば良い。 The thin film manufacturing apparatus of the present embodiment will be described with reference to the schematic diagrams of FIGS. First, FIG. 1 shows a schematic diagram of this embodiment. The inside of the vacuum chamber 5 is kept at a high vacuum by exhaust 14 by a vacuum pump, and the degree of vacuum is measured by a vacuum gauge 12. In addition, the source gas 9 is supplied from the shower head 10 into the vacuum chamber 5 with a precisely controlled flow rate via a mass flow controller. An automatic pressure control mechanism 13 that controls the exhaust speed to keep the pressure in the chamber 5 constant is provided in the exhaust system. Further, a catalyst body 8 for thermally decomposing the raw material gas 9 is provided in the vicinity of the ejection portion of the shower head 10, and the catalyst body 8 is provided with a power supply for heating the catalyst body 8 from the power supply unit 11. Yes. Furthermore, an optical system having a pulse laser irradiation mechanism 6 having a long side in a direction perpendicular to the roll film feed direction is provided, and a roll film feed mechanism 16 and a roll comprising an auxiliary roll 2 and a main roll 4 for conveying the roll film 1. A film winding mechanism 3 is provided. Moreover, the partition plate 15 is installed so that a semiconductor film may not accumulate on the auxiliary roll 2 and the roll film winding mechanism 3. The roll film feeding mechanism 16 is provided with a mechanism such as an electrostatic chuck that can control the roll film 1 to an arbitrary temperature from room temperature to 300 ° C. Here, the schematic diagram of the shape of the catalyst body 8 used in the present Example is shown in FIG. In this example, a tungsten wire 21 in which high-purity tungsten having a diameter of 0.5 mm (for example, purity 99.999%) was processed in parallel and uniformly with the roll film deposition region 22 was used as the catalyst body 8. The description of the tension mechanism for maintaining the shape of the tungsten wire 21 is omitted. Further, (hereinafter referred to 0.09cm ^² / cm ²⁾ so that the surface area of the unit area (1 cm ²⁾ per 0.09 cm ² in this embodiment has a tungsten wire 21 is processed into a desired shape. Here, the shape of the tungsten wire is not limited to the U-shaped repetition as shown in FIG. 3, and it is not necessary to draw one stroke. That is, the tungsten wire may be processed so that the thickness of the film deposited on the substrate is substantially uniform.

次に、図１に示した薄膜製造装置を用いて多結晶シリコン膜を形成する方法について説明する。まず、原料ガス９にＳｉＨ_４とＨ_２を用いてロールフィルム１上に非晶質シリコン膜を５００Å堆積する。次に、この非晶質シリコン膜にパルスレーザー６を照射して多結晶シリコン膜を得た。本実施例では、幅３００ｃｍ長さ５０ｍのポリエーテルスルフォンフィルムに酸化窒化珪素膜を防湿層としてコーティングを施したロールフィルムを用いた。ここで、非晶質シリコン膜の堆積条件は以下のとおりである。真空チャンバー５の到達真空度は１．０×１０^−６torr未満、触媒体８の単位面積当りの表面積は約０．０９ｃｍ^２／ｃｍ^２、触媒体８の表面温度は１８００℃、主ロール４の温度は２００℃、原料ガス９にはＳｉＨ_４：５０ｓｃｃｍ、及びＨ_２：１０ｓｃｃｍ、チャンバー内の圧力は１Ｐａ、触媒体８と主ロール４の表面との距離は４０ｍｍ、ロールフィルムの送り速度は５ｃｍ／ｓｅｃとした。このとき、チャンバー内の圧力は自動圧力制御機構１３により１Ｐａに保持されている。このようにして、５００Åの非晶質シリコン膜を形成できた。さらに、パルスレーザースキャン６を用いて非晶質シリコン膜を結晶化させて多結晶シリコン膜を得た。ここでパルスレーザースキャン６には、長さ３５０ｃｍ×幅２００μｍでエネルギー密度が２８０ｍＪ／ｃｍ^２のエキシマレーザーを用い、９５％のオーバーラップ率でパルス状にスキャンして照射した。ここで、多結晶シリコン膜の評価方法にはラマン分光法を用いた。ラマン分光法による結晶性の評価は一般的であり、ラマンシフトの半値幅計測することにより結晶性を評価できる。本実施例により形成された多結晶シリコン膜を評価したところ、半値幅は４．７ｃｍ^−１であり、結晶性の高い膜が得られたことがわかった。また、本実施例で形成した多結晶シリコン膜をｖａｎ−ｄｅｒ−ｐａｕｗ法によりホール係数と電気伝導度を測定し、ホール移動度を計算したところ約３０ｃｍ^２／Ｖｓの値が得られ、電気特性的にも結晶性の良好な多結晶シリコン膜であることがわかった。 Next, a method for forming a polycrystalline silicon film using the thin film manufacturing apparatus shown in FIG. 1 will be described. First, 500 nm of an amorphous silicon film is deposited on the roll film 1 using SiH ₄ and H ₂ as the source gas 9. Next, this amorphous silicon film was irradiated with a pulse laser 6 to obtain a polycrystalline silicon film. In this example, a roll film in which a silicon oxynitride film was coated as a moisture-proof layer on a polyether sulfone film having a width of 300 cm and a length of 50 m was used. Here, the deposition conditions of the amorphous silicon film are as follows. Ultimate vacuum of the vacuum chamber 5 is less than 1.0 × ^{10 -6} torr, the surface area per unit area of the catalyst body 8 is about 0.09cm ^² / cm ^2, surface temperature of the catalyst 8 1800 ° C., the main roll 4 The source gas 9 is SiH ₄ : 50 sccm and H ₂ : 10 sccm, the pressure in the chamber is 1 Pa, the distance between the catalyst body 8 and the surface of the main roll 4 is 40 mm, and the feed speed of the roll film is It was 5 cm / sec. At this time, the pressure in the chamber is maintained at 1 Pa by the automatic pressure control mechanism 13. In this way, a 500-nm amorphous silicon film could be formed. Further, the amorphous silicon film was crystallized using the pulse laser scan 6 to obtain a polycrystalline silicon film. Here, for the pulse laser scan 6, an excimer laser having a length of 350 cm × width of 200 μm and an energy density of 280 mJ / cm ² was used, and irradiation was performed by scanning in a pulse shape with an overlap rate of 95%. Here, Raman spectroscopy was used as a method for evaluating the polycrystalline silicon film. Evaluation of crystallinity by Raman spectroscopy is common, and crystallinity can be evaluated by measuring the half width of Raman shift. When the polycrystalline silicon film formed in this example was evaluated, it was found that the full width at half maximum was 4.7 cm ⁻¹ and a film with high crystallinity was obtained. Further, when the hole coefficient and electric conductivity of the polycrystalline silicon film formed in this example were measured by the van-der-pauw method and the hole mobility was calculated, a value of about 30 cm ² / Vs was obtained. In particular, it was found to be a polycrystalline silicon film with good crystallinity.

本実施例の薄膜製造装置を模式的に図２に示す。尚、実施例１で説明した内容と重複する説明は省略する。図２で示すように、触媒体８とロールフィルム１との距離が概ね一定間隔となる部分に開口を持つ遮蔽板７を設けた。このような開口を持つ遮蔽板７により、触媒体８とロールフィルム１との距離が概ね一定間隔の部分でのみ半導体膜が堆積されるようなるため、ロール４の曲率の影響を受けることがない。本実施例の装置を用いて実施例１とほぼ同条件（ロールフィルムの送り速度のみ４．５ｃｍ／ｓｅｃ）で非晶質シリコン膜を堆積し、ＳＩＭＳにより深さ方向の原子成分を分析したところロールフィルム１から非晶質シリコン膜の表面まで均一な原子成分の膜が得られていることが確認できた。 The thin film manufacturing apparatus of this example is schematically shown in FIG. In addition, the description which overlaps with the content demonstrated in Example 1 is abbreviate | omitted. As shown in FIG. 2, a shielding plate 7 having an opening is provided at a portion where the distance between the catalyst body 8 and the roll film 1 is substantially constant. By the shielding plate 7 having such an opening, the semiconductor film is deposited only at a portion where the distance between the catalyst body 8 and the roll film 1 is approximately constant, so that it is not affected by the curvature of the roll 4. . When an amorphous silicon film was deposited using the apparatus of this example under substantially the same conditions as in Example 1 (only the roll film feed rate was 4.5 cm / sec), the atomic components in the depth direction were analyzed by SIMS. It was confirmed that a film having a uniform atomic component was obtained from the roll film 1 to the surface of the amorphous silicon film.

また、上述の非晶質シリコン膜にパルスレーザースキャン６を用いて非晶質シリコン膜を結晶化させて多結晶シリコン膜を得た。ここで、パルスレーザースキャン６には、長さ３５０ｃｍ×幅２００μｍでエネルギー密度が３１０ｍＪ／ｃｍ^２のエキシマレーザーを用い、９５％のオーバーラップ率により、パルス状にスキャンして照射した。本実施例で得られた多結晶シリコン膜を評価したところ、半値幅は４．３ｃｍ^−１であり、結晶性の高い膜で有ることがわかった。非晶質シリコン膜が深さ方向に均一な原子成分で構成されているため実施例１より高いエネルギー密度でパルスレーザースキャンが行えたため、より結晶性が向上した多結晶シリコン膜が得られたと考えられる。この多結晶シリコン膜のホール移動度を測定したところ４５ｃｍ^２／Ｖｓであり良好な電気特性が得られた。 Further, the amorphous silicon film was crystallized from the above amorphous silicon film using the pulse laser scan 6 to obtain a polycrystalline silicon film. Here, for the pulse laser scan 6, an excimer laser having a length of 350 cm and a width of 200 μm and an energy density of 310 mJ / cm ² was used, and irradiation was performed in a pulse shape with an overlap rate of 95%. When the polycrystalline silicon film obtained in this example was evaluated, the full width at half maximum was 4.3 cm ⁻¹ , and it was found to be a highly crystalline film. Since the amorphous silicon film is composed of uniform atomic components in the depth direction, a pulse laser scan can be performed at a higher energy density than in Example 1, so that a polycrystalline silicon film with improved crystallinity is obtained. It is done. When the hole mobility of this polycrystalline silicon film was measured, it was 45 cm ² / Vs, and good electrical characteristics were obtained.

本実施例の薄膜製造装置を図４に模式的に示す。尚、上述の実施例で説明した内容と重複する詳細説明は省略する。図示するように、本実施例の薄膜製造装置は、触媒体８がロールフィルム１との距離が概ね一定間隔となるように設置されている。また、原料ガス９を供給するためのシャワーヘッド１０もシャワーヘッド１０と触媒体８の距離が概ね一定となるように設けられている。本実施例の装置を用いて実施例１とほぼ同条件（ロールフィルムの送り速度のみ９ｃｍ／ｓｅｃ）で非晶質シリコン膜を堆積した。この非晶質シリコン膜をＳＩＭＳにより深さ方向の原子成分を分析したところロールフィルム１から非晶質シリコン膜の表面まで均一な原子成分の膜が得られていることが確認できた。 FIG. 4 schematically shows the thin film manufacturing apparatus of this example. Note that a detailed description overlapping the contents described in the above-described embodiments is omitted. As shown in the figure, the thin film manufacturing apparatus of this example is installed so that the distance between the catalyst body 8 and the roll film 1 is substantially constant. A shower head 10 for supplying the raw material gas 9 is also provided so that the distance between the shower head 10 and the catalyst body 8 is substantially constant. Using the apparatus of this example, an amorphous silicon film was deposited under substantially the same conditions as in Example 1 (only the roll film feed rate was 9 cm / sec). When the atomic component in the depth direction of the amorphous silicon film was analyzed by SIMS, it was confirmed that a uniform atomic component film was obtained from the roll film 1 to the surface of the amorphous silicon film.

また、上述の非晶質シリコン膜にパルスレーザースキャン６を用いて非晶質シリコン膜を結晶化させて多結晶シリコン膜を得た。ここで、パルスレーザースキャン６には、長さ３５０ｃｍ×幅２００μｍでエネルギー密度が３１０ｍＪ／ｃｍ^２のエキシマレーザーを用い、９５％のオーバーラップ率により、パルス状にスキャンして照射した。このように形成された多結晶シリコン膜を評価したところ、半値幅は４．２ｃｍ^−１であり、結晶性の高い膜で有ることがわかった。また、多結晶シリコン膜のホール移動度を測定したところ５０ｃｍ^２／Ｖｓであり良好な電気特性が得られた。 Further, the amorphous silicon film was crystallized from the above amorphous silicon film using the pulse laser scan 6 to obtain a polycrystalline silicon film. Here, for the pulse laser scan 6, an excimer laser having a length of 350 cm and a width of 200 μm and an energy density of 310 mJ / cm ² was used, and irradiation was performed in a pulse shape with an overlap rate of 95%. When the polycrystalline silicon film formed in this way was evaluated, it was found that the half-value width was 4.2 cm ⁻¹ and it was a highly crystalline film. Further, when the hole mobility of the polycrystalline silicon film was measured, it was 50 cm ² / Vs, and good electrical characteristics were obtained.

本発明により、フレキシブル液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ等に用いる薄膜トランジスタ用の結晶性の高い半導体膜が高スループットで製造できる。 According to the present invention, a highly crystalline semiconductor film for a thin film transistor used for a flexible liquid crystal display, an organic EL display, or the like can be manufactured with high throughput.

本発明の薄膜製造装置の概要を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the outline | summary of the thin film manufacturing apparatus of this invention. 本発明の薄膜製造装置の概要を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the outline | summary of the thin film manufacturing apparatus of this invention. 本発明で用いる触媒体を説明する模式図である。It is a schematic diagram explaining the catalyst body used by this invention. 本発明の薄膜製造装置の概要を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the outline | summary of the thin film manufacturing apparatus of this invention.

Explanation of symbols

１ロールフィルム
２補助ロール
３ロールフィルム膜取り機構
４主ロール
５真空チャンバー
６パルスレーザースキャン
７遮蔽板
８触媒体
９原料ガス
１０シャワーヘッド
１１電源供給部
１２真空計
１３自動圧力制御機構
１４真空排気
１５仕切り板
１６ロールフィルム送り機構
２１触媒体
２２堆積領域 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Roll film 2 Auxiliary roll 3 Roll film film removal mechanism 4 Main roll 5 Vacuum chamber 6 Pulse laser scan 7 Shielding plate 8 Catalytic body 9 Raw material gas 10 Shower head 11 Power supply part 12 Vacuum gauge 13 Automatic pressure control mechanism 14 Vacuum exhaust 15 Partition plate 16 Roll film feed mechanism 21 Catalyst body 22 Deposition region

Claims

A mechanism for supplying a roll film; a mechanism for depositing a catalyst body as a semiconductor film on the roll film by a CVD method; a mechanism for irradiating the semiconductor film with a pulse laser; and a mechanism for winding the roll film. Thin film manufacturing equipment.

The thin film manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the apparatus is configured not to be exposed to the atmosphere between a mechanism for depositing the semiconductor film and a mechanism for irradiating the pulsed laser.

2. A shielding mechanism having an opening in a portion where the distance between the catalyst body and the roll film is substantially constant between the mechanism for forming the semiconductor film and the roll film. Or the thin film manufacturing apparatus of Claim 2.

The thin film manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the catalyst body is disposed so that a distance from the roll film is uniform.

A step of forming a semiconductor film on a roll film wound around a roll, and a step of moving the roll film by rotation of the roll and irradiating the semiconductor film with a pulse laser to polycrystallize the semiconductor film And a method for forming a semiconductor thin film.