[go: up one dir, main page]

JP2006210803A - ステップ式近接露光装置 - Google Patents

ステップ式近接露光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2006210803A
JP2006210803A JP2005023486A JP2005023486A JP2006210803A JP 2006210803 A JP2006210803 A JP 2006210803A JP 2005023486 A JP2005023486 A JP 2005023486A JP 2005023486 A JP2005023486 A JP 2005023486A JP 2006210803 A JP2006210803 A JP 2006210803A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mask
substrate
stage
substrate stage
tilt variation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005023486A
Other languages
English (en)
Inventor
Masahiro Saida
雅裕 斉田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NSK Ltd
Original Assignee
NSK Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NSK Ltd filed Critical NSK Ltd
Priority to JP2005023486A priority Critical patent/JP2006210803A/ja
Publication of JP2006210803A publication Critical patent/JP2006210803A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

【課題】 基礎面が変位している場合においても基板ステージの送り誤差を正確に検出することができるステップ式近接露光装置を提供する。
【解決手段】 ステージ送り機構5による基板ステージ2のステップ方向の送り誤差を検出する送り誤差検出手段は、レーザ干渉計18から高さ方向に互いに離間した2本のレーザ光をバーミラー19の測定面に照射して、上下2本のレーザ光による測定値の差に基づいてバーミラー及び基板ステージ2の露光面の倒れ変動角θ1を求める倒れ変動角測定手段を備え、倒れ変動角θ1及びバーミラー19測定面の位置情報に基づいて基板ステージ2の送り誤差を検出する。
【選択図】 図1

Description

本発明は、例えば液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ等の大型のフラットパネルディスプレイ等の基板上にマスクのパターンを近接(プロキシミティ)露光転写するのに好適なステップ式近接露光装置に関する。
近接露光は、表面に感光剤を塗布した透光性の基板(被露光材)を近接露光装置の基板ステージ上に保持すると共に、該基板をマスクステージのマスク保持枠に保持されたマスクに接近させて両者のすき間を例えば数10μm〜数100μmにし、次いで、マスクの基板から離間する側から照射装置によって露光用の光をマスクに向けて照射することにより該基板上に該マスクに描かれたパターンを露光転写するようにしたものである。
ところで、近接露光には、マスクを基板と同じ大きさにして一括で露光する方式があるが、このような方式では、大型基板上にマスクのパターンを露光転写する場合にマスクが大型化し、マスクの撓みによるパターン精度への影響やコスト面等で問題が生じる。
このような事情から、従来においては、大型基板上にマスクのパターンを露光転写する場合には、基板より小さいマスクを用い、基板ステージをマスクに対して例えばY軸方向に相対的にステップ移動させて各ステップ毎にマスクを基板に近接して対向配置した状態でパターン露光光を照射し、これにより、マスクに描かれた複数のパターンを基板上に露光転写する、所謂ステップ式の近接露光方式が用いられることがある。
具体的には、まず、例えば基板ステージ側のアライメントマークとマスク側のアライメントマークとが整合するようにマスク保持枠を介してマスクの向きを調整して基板ステージとマスクの位置を合わせ、そのときのマスクの姿勢(位置)を記憶装置等に記憶しておく。
次に、一枚目の基板を基板ステージ上に搬送して露光位置に保持し、次に、制御装置が上下微動装置を制御して基板ステージを上昇させながら、基板上方に対向配置されたマスクの下面と基板の上面との位置をそれぞれ複数のギャップセンサで測定しつつ、制御装置が該測定結果に基づいてマスクと基板との間のすき間量を求めると共に、該すき間量及び基板とマスクとの平行度が予め定められた目標値となるように上下微動装置を制御して基板ステージを上下微動させる所謂ギャップ制御を行う。
次に、前記すき間量及び平行度が目標値になった状態で照射手段から1ショット目の露光用の光をマスクに向けて照射して該マスクのパターンを基板に露光転写する。
露光後、基板ステージを下方に微動させてマスクの下面と基板の上面とのすき間量を一定量拡大し、この状態で、基板ステージをマスクに対して1ステップ量だけ送る。このとき、例えばリニアガイド等の精度等に起因して基板ステージの送り誤差が生じる。従って、このままで次ステップ目の露光を行うと、基板上に形成される次ステップ目の露光パターンと第1ステップ目の露光パターンとの相対位置がずれてしまう。
このため、次ステップの露光を行う前に、基板ステージの送り方向に沿って延設されて該基板ステージ側に固定されたバーミラーの測定面にレーザ干渉計からレーザ光を照射して該測定面の位置を測定すると共に、該位置情報に基づいて基板ステージの送り誤差を検出し、該検出結果と上記記憶装置に記憶されたマスクの初期姿勢情報とに基づいてマスク保持枠を介してマスクの向きを補正して基板とマスクとの位置を整合させる。
また、前記ギャップ制御は各ショット毎に行うため、基板ステージをマスクに対して1ステップ量だけ送る度に基板ステージのチルト状態が変わることになる。この場合、バーミラーの構造的制約(マスクステージ等との干渉)等からレーザ干渉計からの前記測定面へのレーザ光の照射高さは基板ステージの露光面よりも低くされているため、レーザ干渉計での測定位置L1と実際の露光面の位置L2は、図3を参照して、あるショットにおける基板ステージのチルト角を基準としたときの他のショットのときの基板ステージのチルト変化量(露光面とバーミラーの倒れ変動角)をθ1とし、露光面とレーザ光との高さの差をYとすると、L2=L1+Ytanθ1となり、レーザ干渉計による検出値にYtanθ1分の位置誤差が生じる。
従って、従来においては、基板ステージのチルト状態を決定するギャップセンサによる平行度制御時の上下微動装置の位置情報から基板ステージのチルト変動量を算出し、該算出結果に基づいて前記位置誤差の補正を行い、この状態で次ステップ目の露光を行うことにより、基板上の個々の露光パターンの相対位置にずれが生じないようにしている。
しかしながら、上記従来のステップ式近接露光装置においては、装置が大型化すると、上下微動装置が載置される装置ベースの精度や剛性が無視できなくなる。即ち、各ショット位置における装置ベースの基礎平面の平坦度が悪かったり、マスク面に対する装置ベースの基礎面が基板ステージの移動によってチルト変動した場合、このような基礎面に載置された上下微動装置は基礎面のチルト変位分も含んで前記ギャップ制御を行うことになる。このとき、上下微動装置はギャップ制御によってチルト変動量θ1′を発生させるが、この値は基礎面が変位しているためにバーミラー測定面と基板ステージ露光面の倒れ変動角θ1を示す値と一致しなくなる。
従って、チルト変動量θ1′でレーザ干渉計による測定値に対してYtanθ1分の位置誤差の補正を行っても、基板ステージの送り誤差を正確に検出することができなくなるという問題がある。
本発明はこのような不都合を解消するためになされたものであり、基礎面が変位している場合においても基板ステージの送り誤差を正確に検出することができ、これにより、基板とマスクとの位置を整合させて基板上の個々の露光パターンの相対位置にずれが生じるのを防止することができるステップ式近接露光装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、請求項1に係る発明は、被露光材としての基板を保持する基板ステージと、露光パターンを有するマスクを保持するマスクステージと、前記基板ステージを前記マスクに対して相対的にステップ移動させるステージ送り機構と、前記基板と前記マスクとを微小すき間を介した状態で各ステップ毎に該マスクのパターンを前記基板に露光転写すべく露光用の光を前記マスクに向けて照射する照射手段と、前記ステージ送り機構による基板ステージのステップ方向の送り誤差を検出する送り誤差検出手段と、前記送り誤差検出手段による検出値に基づいて前記マスクの向きを調整するマスク位置調整手段とを備え、
前記送り誤差検出手段は、前記基板ステージの送り方向に沿って延設されて該基板ステージ側に固定されると共に幅方向の外側面が測定面とされたバーミラーと、前記測定面の位置を測定すべく該測定面にレーザ光を照射するレーザ干渉計とを具備するステップ式近接露光装置において、
前記送り誤差検出手段は、前記バーミラーの倒れ変動角を測定する倒れ変動角測定手段を備え、該倒れ変動角測定手段による測定値と前記レーザ干渉計による前記測定面の位置情報に基づいて前記基板ステージの送り誤差を検出することを特徴とする。
請求項2に係る発明は、請求項1において、前記倒れ変動角測定手段は、前記レーザ干渉計から高さ方向に互いに離間した2本のレーザ光を前記測定面に照射して、各レーザ光による測定値の差に基づいて前記倒れ変動角を測定することを特徴とする。
請求項3に係る発明は、請求項1において、前記倒れ変動角測定手段は、レーザ変位計から前記測定面に照射されたレーザ光の反射角に基づいて前記倒れ変動角を測定することを特徴とする。
本発明によれば、倒れ変動角測定手段でバーミラーの倒れ変動角を直接求めるようにしているので、該倒れ変動角及びバーミラー測定面の位置情報に基づいて基板ステージの露光面の位置を送り方向に沿って求めて送り誤差を検出することで、装置ベースの基礎面が変位している場合においても、基板ステージの送り誤差を正確に検出することができるこれにより、基板とマスクとの位置を整合させて露光を行うことができ、基板上の個々の露光パターンの相対位置にずれが生じるのを防止することができる。
以下、本発明の実施の形態の一例を図を参照して説明する。図1は本発明の実施の形態の一例であるステップ式近接露光装置を説明するための一部を破断した説明図、図2は図1の矢印A方向から見た図である。
本発明の実施の形態一例であるステップ式近接露光装置は、図1に示すように、被露光材としての基板Wより小さいマスクMを用い、該マスクMをマスクステージ1で保持すると共に、基板Wを基板ステージ2で保持し、この状態で基板ステージ2をマスクMに対してX軸方向とY軸方向の二軸方向にステップ移動させて各ステップ毎にマスクMと基板Wとを近接して対向配置した状態で、照射手段3からパターン露光用の光をマスクMに向けて照射することにより、マスクMの複数のパターンを基板W上に露光転写するようにしたものである。
図1において符号4は装置ベース4であり、この装置ベース4上には基板ステージ2をX軸方向にステップ移動させるためのX軸ステージ送り機構5が設置され、X軸ステージ送り機構5のX軸送り台5a上には基板ステージ2をY軸方向にステップ移動させるためのY軸ステージ送り機構6が設置され、該Y軸ステージ送り機構6のY軸送り台6a上に基板ステージ2が設置されている。該基板ステージ2の上面には基板Wがワークチャック等で真空吸引された状態で保持されるようになっている。
Y軸ステージ送り機構6と基板ステージ2の間には、基板ステージ2の単純な上下動作を行う比較的粗い位置決め分解能であるが移動ストローク及び移動速度が大きな上下粗動装置7と、上下粗動装置7と比べて高分解能で位置決め可能で基板ステージ2を上下に微動させてマスクMと基板Wとの対向面間のすき間を所定量に微調整する上下微動装置8が設置されている。
上下粗動装置7は後述の微動ステージ6bに設けられた適宜の駆動機構により基板ステージ2を微動ステージ6bに対して上下動させる。符号14は基板ステージ2の底面の4箇所に固定されたステージ粗動軸で、微動ステージ6bに固定された直動ベアリング14aに係合し、微動ステージ6bに対し上下方向に案内される。なお、上下粗動装置7は分解能は低くても繰り返し位置決め精度が高いことが望ましい。
上下微動装置8は、Y軸送り台6aに固定された固定台9と、該固定台9にその内端側を斜め下方に傾斜させた状態で取り付けられたリニアガイドの案内レール10とを備えており、該案内レール10に跨架されたスライダ11を介して案内レール10に沿って往復移動するスライド体12にはボールねじのナット(図示せず)が連結されると共に、該スライド体12の上端面は微動ステージ6bに固定されたフランジ12aに対して水平方向に摺動自在に接している。
また、フランジ12aと固定台9とは図3に示すような板ばね15によって連結されている。この板ばね15は三枚の舌片16a,16b,16cを有しており、中央の舌片16bがフランジ12aに固定され、両側の舌片16a,16cが固定台9に固定されている。
従って、フランジ12aには水平面内(XY平面内)の移動は規制され、上下方向の微動及び微小な傾きの変化のみ許容される。なお、中央の舌片16bを固定台9に、両側の舌片16a,16cをフランジ12aに固定するようにしてもよい。
そして、固定台9に取り付けられたモータ17によってボールねじのねじ軸を回転駆動させると、ナット、スライダ11及びスライド体12が一体となって案内レール10に沿って斜め方向に移動し、これにより、フランジ12aが上下微動する。このとき、フランジ12aの水平方向の変位は板ばね15の働きにより規制される。
この上下微動装置8は、Z軸送り台6aのY軸方向の一端側(図1の左端側)に1台、他端側に2台合計3台設置されてそれぞれが独立に駆動制御されるようになっている。これにより、上下微動装置8は、後述するギャップセンサ31による複数箇所でのマスクMと基板Wとのすき間量の計測結果に基づき、3箇所のフランジ12aの高さを独立に微調整して基板ステージ2の高さ及び傾きを微調整できるので、マスクMと基板Wとのすき間を平行度良好に目標値とすることができる。
また、Y軸送り台6a上には、基板ステージ2のY方向の位置を検出するY軸レーザ干渉計18に対向するバーミラー19と、基板ステージ2のX軸方向の位置を検出するX軸レーザ干渉計に対向するバーミラー(共に図示せず)とが設置されている。
Y軸レーザ干渉計18に対向するバーミラー19はY軸送り台6aの一側でX軸方向に沿って延びており、X軸レーザ干渉計に対向するバーミラーはY軸送り台6aの一端側でY軸方向に沿って延びている。いずれのバーミラーも比較的高剛性で幅方向の外側面が測定面とされており、Y軸レーザ干渉計18及びX軸レーザ干渉計はそれぞれ常に対応するバーミラーの測定面に対向するように配置されて装置ベース4に支持されている。
ここで、この実施の形態では、Y軸レーザ干渉計18及びX軸レーザ干渉計をそれぞれ上下方向(Z軸方向)に2個ずつ重ねて設け、高さ方向に互いに離間した2本のレーザ光をそれぞれの測定面に照射して、上下2本のレーザ光による測定値の差に基づいて制御装置がバーミラー及び基板ステージ2の露光面の倒れ変動角θ1を求めて倒れ変動角測定手段を構成すると共に、上下2本の内の上側のレーザ光によりバーミラー測定面の位置を求め、更に、倒れ変動角θ1及びバーミラー測定面の位置情報に基づいて基板ステージ2の送り誤差を検出する。
なお、Y軸レーザ干渉計18については、X軸方向に離間する2カ所に設けられ、ヨーイング誤差の測定にも対応できるようにしている。従って、Y軸レーザ干渉計18は合計4台使用されている。
ステップ送り時に得られる2つのY軸方向位置データ及び2つのX軸方向位置データ(Y軸についてはX軸方向に離間した2カ所分)の検出信号を制御装置に出力し、制御装置がこの検出信号(実際の位置データ)と指令された位置データ(位置決めすべき位置のデータ)との差に基づいて補正量を算出して、その算出結果を後述するマスク位置調整手段(及び必要に応じて上下微動装置8)の駆動回路に出力することで、該補正量に応じてマスク位置調整手段等が制御されてX軸方向及びY軸方向の位置ずれ及びヨーイング誤差が補正され、マスクMが基板Wの露光すべき位置に正しく対向するようにアライメントされる。なお、前記制御装置は、後述するすき間調整等にも使用される。
なお、X軸レーザ干渉計、Y軸レーザ干渉計等は、主として、まだ全くパターンが形成されていない基板Wに対する露光(1層目の露光)の際に使用されるもので、1層目の露光が済んだ基板Wへの2層目以降の露光のための露光装置の場合は、これらを省略してもよいし、アライメントカメラと共に使用してもよい。
マスクステージ1は、略長方形状の枠体からなるマスクフレーム24と、該マスクフレーム24の中央部開口にすき間を介して挿入されてX,Y,θ方向(X,Y平面内)に移動可能に支持されたマスク保持枠25とを備えており、マスクフレーム24は装置ベース4から突設された支柱4aによって基板ステージ2の上方の定位置に保持されている。
マスク保持枠25の中央部開口の下面には内方に張り出すフランジ26が開口の全周に沿って設けられている。このフランジ26の下面に露光すべきパターンが描かれているマスクMが真空式吸着装置(図示せず)等を介して着脱自在に保持されるようになっている。
また、フランジ26の上方には、マスクMと基板Wとの対向面間のギャップを測定する手段としてのギャップセンサ31、及びマスクMの露光領域Rに設けられたアライメントマークと、基板W側に一層目の露光で設けられたアライメントマーク(二層目以降のアライメントに使用)又は基板ステージ2に設けられたアライメントマークとを撮像する手段としてのアライメントカメラ30がそれぞれ移動可能に配置されている。
ギャップセンサ31は、マスクMの下面と基板Wの上面にレーザー光を当て、各面での反射光を受光してマスクMの下面と基板Wの上面との位置を測定するものであり、フランジ26のX軸方向に沿う二辺の内側上方にX軸方向に互いに離間して2カ所ずつ、合計4箇所配置されている。
これらの4個のギャップセンサ31による測定結果に基づいて図示しない制御装置で演算処理を行うことで、マスクMの下面と基板Wの上面とのすき間量を求めると共に、マスクMと基板Wとの対向面間の平行度のずれ量を検出することができ、この検出ずれ量に応じて上述した上下微動装置8が制御されてマスクMと基板Wとの対向面間の平行度が確保されるようになっている。
アライメントカメラ30はフランジ26のX軸方向に沿う二辺の各内側上方でX軸方向の略中央部にそれぞれ一カ所ずつ合計2カ所配置されおり、これらの2個のアライメントカメラ30の画像データに基づいて図示しない制御装置で演算処理を行うことでマスクMと基板Wとの平面ずれ量を検出することができ、この検出平面ずれ量に応じてマスク位置調整手段がマスク保持枠25をX,Y,θ方向に移動させて該マスク保持枠25に保持されたマスクMの基板Wに対する向きを調整するようになっている。
マスク位置調整手段は、マスクフレーム24のY軸方向に沿う一辺に取り付けられたX軸方向駆動装置(図示せず)と、マスク保持枠25のX軸方向に沿う一辺に互いにX軸方向に離間して取り付けられた二台のY軸方向駆動装置40(一台のみ図示)とを備えており、X軸方向駆動装置によりマスク保持枠25のX軸方向の調整を、二台のY軸方向駆動装置40によりマスク保持枠25のY軸方向及びθ軸方向(Z軸まわりの揺動)の調整を行うようになっている。なお、図1において符号28は、マスク保持枠25に保持されたマスクM上の任意の範囲の露光光を必要に応じて遮光することで露光範囲を制限する遮光ブレードを有するマスキングアパーチャ機構である。
上記構成の近接露光装置を用いて例えばY軸方向にステップ露光を行うには、まず、アライメントカメラ30で撮像された基板ステージ2側のアライメントマークとマスク保持枠25に保持されたマスクMの露光領域に設けられたアライメントマークとのずれ量に応じてマスク位置調整手段がマスク保持枠25を所定方向に移動させることでマスクMの向きを調整して基板ステージ2に対するマスクMの初期位置を合わせ、そのときのマスクMの姿勢(位置)を図示しない制御装置の記憶領域等に記憶しておく。
次に、一枚目の基板Wを基板ステージ2上に搬送して露光位置に保持し、この状態で制御装置が上下微動装置8を制御して基板ステージ2を上昇させて基板WをマスクMに接近させながら、ギャップセンサ31によってマスクMの下面と基板Wの上面との位置を測定しつつ制御装置が該測定結果に基づいてマスクMの下面と基板Wの上面とのすき間量を求める。
そして、制御装置は、マスクMの下面と基板Wの上面とのすき間量及び平行度が目標値となるように上下微動装置8を制御して基板ステージ2を上下微動させるギャップ制御を行い、前記すき間量及び前記平行度が目標値となった状態で照射手段3から露光用の光をマスクMに向けて照射して該マスクMのパターンを基板Wに露光転写する。
なお、二層目以降の露光においては、前記すき間量及び前記平行度が目標値になった状態でマスクM側のアライメントマークと基板Wに露光転写されたアライメントマークとの位置合わせ(アライメント)を行い、該アライメント終了後に照射手段3から露光用の光をマスクMに向けて照射して該マスクMのパターンを基板Wに露光転写する。
露光後、制御装置が上下微動装置8により基板ステージ2を下降させてマスクMの下面と基板Wの上面とのすき間量を一定量拡大し、この状態でY軸ステージ送り機構5で基板ステージ2をマスクMに対してY軸方向に1ステップ量だけ送る。
このとき、図示しないレーザヘッドから出射サレタレーザ光がそれぞれX軸レーザ干渉計及びY軸レーザ干渉計18を経由して高さ方向に互いに離間した2本のレーザ光をそれぞれの測定面に照射して、上下2本のレーザ光による測定値の差に基づいて制御装置がX軸用のバーミラー19の倒れ角θ1x、即ち、基板ステージ2の露光面のXZ平面についての倒れ変動角θ1x及びY軸用バーミラー19の倒れ変動角θ1y、即ち、基板ステージ2の露光面のYZ平面についての倒れ変動角θ1yを求めると共に、上下2本の内の上側のレーザ光によりX軸用のバーミラー及びY軸用のバーミラー19の測定面の位置を求め、更に、倒れ変動角θ1x,θ1y及び2つのバーミラー19(Y軸については2カ所)の測定面の位置情報L1に基づいてX軸方向及びY軸方向のそれぞれにつき、基板ステージ2の露光面の位置L2(=L1+Ytanθ1:図3参照)を送り方向に沿って求めて送り誤差を検出し、この基板ステージ2のステップ送り誤差(即ち、X軸方向、Y軸方向の位置の誤差及びヨーイング誤差)の検出値と上記記憶領域に記憶されたマスクMの初期姿勢情報とに基づいてステップ送り誤差に応じたマスクMの向きの補正量を算出すると共に、この算出結果をマスク位置調整手段(及び必要に応じて上下微動装置8)の駆動回路に出力することで、補正量に応じてマスク位置調整手段等が制御されてマスク保持枠25を介してマスクMの向きが調整され、これにより、次ステップ目において基板Wに露光パターンを転写する前に基板WとマスクMとの位置を整合させ、この状態で次ステップ目の露光を行う。
このようにこの実施の形態では、X軸レーザ干渉計及びY軸レーザ干渉計18から高さ方向に互いに離間した2本のレーザ光をそれぞれの測定面に照射して、上下2本のレーザ光による測定値の差に基づいてバーミラー19及び基板ステージ2の露光面の倒れ変動角θ1を直接求めるようにしているので、該倒れ変動角θ1及びバーミラー19測定面の位置情報L1に基づいて基板ステージ2の露光面の位置L2(=L1+Ytanθ1)を送り方向に沿って求めて送り誤差を検出することで、装置ベース4の基礎面が変位している場合においても、基板ステージ2の送り誤差を正確に検出することができ、これにより、基板WとマスクMとの位置を整合させて露光を行うことができ、基板W上の個々の露光パターンの相対位置にずれが生じるのを防止することができる。
また、基板ステージ2をマスクMに対してX軸方向とY軸方向の二軸方向にステップ移動させて各ステップ毎にパターン露光用の光を照射することにより、マスクMの複数のパターンを基板W上に露光転写するようにしているので、より小さなマスクMで大きな基板Wへの露光を可能して低コスト化及びパターン精度の高精度化を図ることができ、更には、基板W上により多彩なパターンの作成を可能にすることができる。
なお、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。
例えば、上記実施の形態では、倒れ変動角測定手段は、レーザ干渉計18から高さ方向に互いに離間した2本のレーザ光をバーミラー19測定面に照射して、2本のレーザ光による測定値の差に基づいて前記倒れ変動角θ1を測定するようにしているが、これに代えて、レーザ干渉計に加え、レーザ光を出射する投光器とレーザ光を受光する受光器からなるレーザ変位計を用い、位置の情報はレーザ干渉計により得ると共に、レーザ変位計によりバーミラー19測定面に照射されたレーザ光の反射角に基づいて前記倒れ変動角θ1を測定するようにしてもよい。
また、上記実施の形態では、各ステージ送り機構の送り手段として、リニアガイドとボールねじを組合せたものを用いているが、必ずしもこれに限定する必要はなく、例えば、送り手段として、リニアモータ等を用いてもよい。
更に、上記実施の形態では、基板ステージ2をマスクMに対して二軸方向にステップ移動させて各ステップ毎にパターン露光用の光を照射する場合を例に採ったが、これに限定されず、基板ステージ2をマスクMに対して一軸方向にステップ移動させて各ステップ毎にパターン露光用の光を照射する場合にも本発明を適用することができるのはいうまでもない。
本発明の実施の形態の一例であるステップ式近接露光装置を説明するための一部を破断した説明図である。 図1の矢印A方向から見た図である。 バーミラーの倒れ変動角θ1を説明するための説明図である。
符号の説明
1 マスクステージ
2 基板ステージ
3 照射手段
5 Y軸ステージ送り機構
6 X軸ステージ送り機構
W 基板
M マスク
18 Y軸レーザ干渉計
19 バーミラー

Claims (3)

  1. 被露光材としての基板を保持する基板ステージと、露光パターンを有するマスクを保持するマスクステージと、前記基板ステージを前記マスクに対して相対的にステップ移動させるステージ送り機構と、前記基板と前記マスクとを微小すき間を介した状態で各ステップ毎に該マスクのパターンを前記基板に露光転写すべく露光用の光を前記マスクに向けて照射する照射手段と、前記ステージ送り機構による基板ステージのステップ方向の送り誤差を検出する送り誤差検出手段と、前記送り誤差検出手段による検出値に基づいて前記マスクの向きを調整するマスク位置調整手段とを備え、
    前記送り誤差検出手段は、前記基板ステージの送り方向に沿って延設されて該基板ステージ側に固定されると共に幅方向の外側面が測定面とされたバーミラーと、前記測定面の位置を測定すべく該測定面にレーザ光を照射するレーザ干渉計とを具備するステップ式近接露光装置において、
    前記送り誤差検出手段は、前記バーミラーの倒れ変動角を測定する倒れ変動角測定手段を備え、該倒れ変動角測定手段による測定値と前記レーザ干渉計による前記測定面の位置情報に基づいて前記基板ステージの送り誤差を検出することを特徴とするステップ式近接露光装置。
  2. 前記倒れ変動角測定手段は、前記レーザ干渉計から高さ方向に互いに離間した2本のレーザ光を前記測定面に照射して、各レーザ光による測定値の差に基づいて前記倒れ変動角を測定することを特徴とする請求項1に記載したステップ式近接露光装置。
  3. 前記倒れ変動角測定手段は、レーザ変位計から前記測定面に照射されたレーザ光の反射角に基づいて前記倒れ変動角を測定することを特徴とする請求項1に記載したステップ式近接露光装置。
JP2005023486A 2005-01-31 2005-01-31 ステップ式近接露光装置 Pending JP2006210803A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005023486A JP2006210803A (ja) 2005-01-31 2005-01-31 ステップ式近接露光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005023486A JP2006210803A (ja) 2005-01-31 2005-01-31 ステップ式近接露光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2006210803A true JP2006210803A (ja) 2006-08-10

Family

ID=36967264

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005023486A Pending JP2006210803A (ja) 2005-01-31 2005-01-31 ステップ式近接露光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2006210803A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008224754A (ja) * 2007-03-08 2008-09-25 Nsk Ltd 分割逐次近接露光方法及び分割逐次近接露光装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008224754A (ja) * 2007-03-08 2008-09-25 Nsk Ltd 分割逐次近接露光方法及び分割逐次近接露光装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2829642B2 (ja) 露光装置
US20090059297A1 (en) Calibration method for image rendering device and image rendering device
US20020113218A1 (en) Method and apparatus for positioning substrate and the like
JP5556774B2 (ja) 露光装置
JP6794536B2 (ja) 光学式測定装置及び方法
JP2008233638A (ja) 描画装置および描画方法
JP2007305696A (ja) 位置決め装置の精度測定方法
JP2008015314A (ja) 露光装置
JP2006268032A (ja) 描画装置および描画装置の校正方法
JP4522142B2 (ja) 露光装置、露光方法、及び基板製造方法
JPH09223650A (ja) 露光装置
JP6706164B2 (ja) アライメント装置、露光装置、およびアライメント方法
JPH04120716A (ja) 露光装置の位置決め方法と位置決め機構
JP2012133122A (ja) 近接露光装置及びそのギャップ測定方法
JP2006100590A (ja) 近接露光装置
JP2006093604A (ja) 近接露光装置
JP2006210803A (ja) ステップ式近接露光装置
JP4487688B2 (ja) ステップ式近接露光装置
JP4487700B2 (ja) 近接露光装置
JP2006098774A (ja) 近接露光装置
JP2008209632A (ja) マスク装着方法及び露光装置ユニット
JP7633045B2 (ja) 露光方法および露光装置
JP7633044B2 (ja) 露光方法および露光装置
WO2024180866A1 (ja) 描画装置および描画方法
JPH09199573A (ja) 位置決めステージ装置およびこれを用いた露光装置