JP2006202983A - 基板処理装置および処理室内洗浄方法 - Google Patents

Abstract

【課題】処理室内を洗浄するための洗浄水による基板汚染の問題を回避することができる、基板処理装置および処理室内洗浄方法を提供すること。
【解決手段】遮断板５を回転させながら、その遮断板５の上面に洗浄ノズルから洗浄液を供給することによって、遮断板５、処理室１の隔壁１１の内面、移動ノズル４、アーム４１およびアーム支持軸４３などに付着している処理液が洗浄液で洗い流される。そして、その処理室１内の洗浄の後、ファンフィルタユニット２が制御されて、処理室１内へのクリーンエアの風量が小風量から予め定める大風量に増加される。これにより、処理室１内の雰囲気置換が促進されることによって、処理室１の隔壁１１の内面や移動ノズル４、アーム４１、アーム支持軸４３および遮断板５などに付着している洗浄液が蒸発し、処理室１内が乾燥していく。
【選択図】 図１

Description

この発明は、処理液を用いて基板を処理するための基板処理装置、および、この基板処理装置に備えられる処理室内を洗浄する方法に関する。基板処理装置における処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等が含まれる。

半導体装置や液晶表示装置の製造工程では、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板等の基板の表面に処理液による処理を施すために、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が用いられることがある。この枚葉式の基板処理装置では、隔壁によって区画される処理室内に、基板を水平に保持して回転させるスピンチャックが備えられていて、このスピンチャックによって基板が水平面内で回転される一方で、その基板の表面に処理液が供給されることにより、基板の表面に処理液による処理が施される。

このような基板処理装置では、基板から飛散して、処理室の隔壁の内面などに付着した処理液が乾燥して結晶化し、この処理液の結晶がパーティクルとなって基板汚染の原因となるおそれがある。そのため、洗浄水を噴出するハンドシャワーが設けられており、使用者（ユーザ）が、適当な時期を見計らって、隔壁に設けられているカバーを開け、そのハンドシャワーから噴出される洗浄液により、隔壁の内面などに付着した処理液を洗い流すようにしている。また、処理室に対して基板を搬入出するための開口付近での処理液の結晶化を防止するために、ハンドシャワーによる洗浄に代えて、洗浄水を噴射する洗浄ノズルを処理室内に設け、洗浄ノズルからの洗浄液によって、その開口付近に付着した処理液を洗い流すことが提案されている（たとえば、特許文献１参照）。
特開平１０−１０７０００号公報

しかし、ハンドシャワーによる洗浄および洗浄ノズルによる洗浄のいずれの場合も、洗浄液を用いて処理室内を洗浄するため、洗浄後の処理室の隔壁などに付着した洗浄液が、基板上に落下して基板を汚染するおそれがある。
そこで、この発明の目的は、処理室内を洗浄するための洗浄水による基板汚染の問題を回避することができる、基板処理装置および処理室内洗浄方法を提供することである。

上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、隔壁（１１）によって区画され、基板（Ｗ）を収容して、その基板に対して処理液による処理を行うための処理室（１）と、この処理室内を洗浄液で洗浄するための洗浄手段（６，６１）と、上記処理室内に風を送り込む送風手段（２；１０１）と、上記洗浄手段および上記送風手段を制御して、上記処理室内を洗浄し、その洗浄後に上記処理室内を乾燥させる洗浄乾燥処理を実行する制御手段（９）とを含むことを特徴とする基板処理装置である。

なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この発明によれば、洗浄液による処理室内の洗浄後に、その洗浄後の処理室内に風が送り込まれて、処理室内が乾燥される。そのため、処理室の隔壁の内面や処理室内の各部材に洗浄液が付着したままにされることがないので、基板の処理時に、それらから基板上に洗浄液が落ちることによる基板汚染の問題を回避することができる。

請求項２記載の発明は、上記制御手段は、上記送風手段を制御して、上記処理室内の洗浄中は所定の風量で上記処理室内へ送風させ、上記処理室内を乾燥させるときには、上記処理室内への送風量を上記所定の風量よりも増加させることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置である。
この発明によれば、処理室内を乾燥させるときに、処理室内への送風量が増加されることによって、処理室内の雰囲気置換を促進させることができ、処理室内を速やかに乾燥させることができる。

請求項３記載の発明は、上記送風手段は、上記処理室内に温風を送り込む温風送風手段を含むことを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置である。
この発明によれば、処理室内に温風を送り込むことができる。そのため、処理室内を乾燥させるときに、処理室内に温風を送り込むことによって、処理室内をより速やかに乾燥させることができる。

請求項４記載の発明は、上記洗浄液は、純水を含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置である。
この発明によれば、処理室内を純水によって洗浄することができる。
請求項５記載の発明は、上記処理室内に設けられ、基板をほぼ水平に保持する基板保持手段（３）と、この基板保持手段の上方に設けられ、ほぼ鉛直な軸線を中心に回転する回転板（５）と、この回転板を昇降させるための昇降手段（５７）とをさらに含み、上記洗浄手段は、上記回転板の上面に洗浄液を供給する洗浄ノズル（６）を備えており、上記制御手段は、上記処理室内の洗浄時に、上記洗浄手段を制御して、上記洗浄ノズルから上記回転板の上面に洗浄液を供給させつつ、上記昇降手段を制御して、上記回転板を昇降させることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理装置である。

この発明によれば、回転板を回転させながら、その回転板の上面に洗浄ノズルから洗浄液を供給することによって、回転板の上面に付着している処理液を洗浄液で洗い流すことができる。また、回転板の上面に供給された洗浄液は、回転板の回転による遠心力を受けて、回転板の上面を伝って回転板の周縁に向けて流れて、その回転板の周縁から回転板の回転半径方向外方へ振り飛ばされるから、回転板の側方に配置されている部材や処理室の隔壁の内面に付着している処理液を洗い流すことができる。そのため、処理室内を洗浄するためのハンドシャワーを不要とすることができる。

ハンドシャワーによる処理室内の洗浄は、面倒であるうえ、次のような問題を有している。
１．作業者が薬液に触れるおそれがある。
２．カバーを開けた状態での作業となるため、洗浄水が処理室外に漏れるおそれがある。

処理室が複数備えられている場合、
３．各処理室を１つずつ洗浄すると、洗浄に長時間を要し、装置の稼働率が低下する。
４．各処理室を同時に洗浄するためには、作業者が複数人必要になる。
５．処理室が上下２段に設けられている場合、上段の処理室の洗浄作業が困難である。
ハンドシャワーを不要とすることができれば、これらの問題を回避することができる。

請求項６記載の発明は、上記処理室内に設けられ、水平面を有する部材（４１）をさらに含み、上記制御手段は、上記処理室内の洗浄時に、上記昇降手段を制御して、上記回転板から飛散する洗浄液が上記水平面に供給される位置に上記回転板を一時的に停止させることを特徴とする請求項５記載の基板処理装置である。
この発明によれば、水平面を有する部材に洗浄液を集中的に供給することができ、その部材（とくに水平面）に付着している処理液をきれいに洗い流すことができる。

請求項７記載の発明は、隔壁によって区画される処理室を備え、その処理室内に基板を収容して、その基板に対して処理液による処理を行う基板処理装置において、上記処理室内を洗浄する方法であって、この処理室内を洗浄液で洗浄するための洗浄工程と、この洗浄工程後に、上記処理室内に風を送り込んで、上記処理室内を乾燥させる乾燥工程とを含むことを特徴とする洗浄室内洗浄方法である。

この方法によれば、洗浄液による処理室内の洗浄後に、その洗浄後の処理室内に風が送り込まれて、処理室内が乾燥される。そのため、処理室の隔壁の内面や処理室内の各部材に洗浄液が付着したままにされることがないので、基板の処理時に、それらから基板上に洗浄液が落ちることによる基板汚染の問題を回避することができる。

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を示す概略断面図である。この基板処理装置は、基板の一例である半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）Ｗに対して処理液による処理を施すためのものであり、隔壁１１に囲まれた処理室１を備えている。ウエハＷに対する処理は、たとえば、ウエハＷにエッチング液を供給して、ウエハＷ上の不要な膜を除去するためのエッチング処理であってもよいし、レジストアッシング処理後のウエハＷに付着しているポリマーを除去するためのポリマー除去処理であってもよい。

処理室１の天面には、処理室１内にクリーンエアを供給するためのファンフィルタユニット（ＦＦＵ）２が設けられている。このファンフィルタユニット２は、ファンおよびフィルタを上下に積層した構成であり、ファンによる送風をフィルタで浄化して処理室１内に供給するようになっている。また、処理室１の底面には、処理室排気管１２および処理室排液管１３とが接続されている。処理室排気管１２の下流端は、半導体装置の製造工場に設けられた排気用ユーティリティ配管などの排気設備に接続されており、処理室排気管１２の途中部には、たとえば、ロータリアクチュエータなどの駆動力を用いて流量を調節可能な排気調節用ダンパ１４が介装されている。

処理室１内には、ウエハＷをほぼ水平に保持するとともに、その中心を通るほぼ鉛直な回転軸線まわりにウエハＷを回転させるためのスピンチャック３と、このスピンチャック３に保持されたウエハＷの上面（表面）に処理液を供給するための移動ノズル４とが配置されている。
スピンチャック３は、チャック回転駆動機構３１によって回転される回転軸３２の上端に固定されている。この回転軸３２は、中空軸となっていて、回転軸３２の内部には、裏面処理液バルブ３３を介して処理液が供給される裏面処理液供給管３４が挿通されている。裏面処理液供給管３４は、スピンチャック３に保持されたウエハＷに近接する位置まで延びており、その先端には、ウエハＷの下面（裏面）中央に向けて処理液（リンス液）を吐出する裏面ノズル３５が形成されている。

移動ノズル４は、スピンチャック１の上方に設けられたアーム４１の先端に取り付けられている。この移動ノズル４には、ノズル処理液バルブ４２を介して処理液が供給されるようになっている。
アーム４１は、スピンチャック３の側方でほぼ鉛直に延びたアーム支持軸４３に支持されており、このアーム支持軸４３の下端部からほぼ水平に延びている。また、アーム支持軸４３には、アーム駆動機構４４が結合されており、このアーム駆動機構４４の駆動力によって、アーム支持軸４３を所定角度範囲内で回動させて、アーム４１を所定角度範囲内で揺動させることができるようになっている。

スピンチャック３の上方には、ウエハＷとほぼ同じ径を有する円板状の遮断板５が設けられている。遮断板５の上面には、スピンチャック３の回転軸３２と共通の軸線に沿う回転軸５１が固定されている。この回転軸５１は中空に形成されていて、その内部には、ウエハＷの上面に処理液（リンス液）を供給するための遮断板処理液ノズル５２が挿通されている。遮断板処理液ノズル５２には、遮断板処理液バルブ５３を介して処理液が供給されるようになっている。また、回転軸５１の内壁面と遮断板処理液ノズル５２の外壁面との間は、ウエハＷの中央に向けて不活性ガスとしての窒素ガスを供給するための窒素ガス流通路５４を形成している。この窒素ガス流通路５４には、窒素ガスバルブ５５を介して窒素ガスが供給されるようになっている。

回転軸５１は、ほぼ水平に延びて設けられたアーム５６の先端付近から垂下した状態に取り付けられている。そして、このアーム５６に関連して、遮断板５をスピンチャック３に保持されたウエハＷの上面に近接した近接位置とスピンチャック３の上方に大きく退避した退避位置との間で昇降させるための遮断板昇降駆動機構５７と、遮断板５をスピンチャック３によるウエハＷの回転にほぼ同期させて回転させるための遮断板回転駆動機構５８とが設けられている。

また、アーム５６には、遮断板５の上面に洗浄液を供給するための２つの洗浄ノズル６，６が保持されている。この洗浄ノズル６には、洗浄液バルブ６１を介して洗浄液が供給されるようになっている。また、洗浄ノズル６は、先端（洗浄液吐出口）が遮断板５の上面と回転軸５１の外周面との境界部付近に位置するように斜め下方に延びている。これにより、洗浄ノズル６から吐出される洗浄液は、遮断板５の上面と回転軸５１の外周面との境界部付近に供給される。なお、洗浄液としては、たとえば、純水、電解イオン水、炭酸水、還元水、有機溶剤、過酸化水素水、希塩酸等を例示することができる。

スピンチャック３は、処理カップ７内に収容されている。この処理カップ７の底部には、スピンチャック３の周囲を取り囲むように、ウエハＷの処理に用いられた後の処理液を排液するための排液溝７１が形成されており、さらに、この排液溝７１を取り囲むように、ウエハＷの処理のために用いられた後の処理液を回収するための回収溝７２が形成されている。排液溝７１と回収溝７２とは、筒状の仕切壁７３によって区画されている。また、排液溝７１には、図外の排液処理設備へと処理液を導くためのカップ排液管７４が接続され、回収溝７２には、図外の回収処理設備へと処理液を導くための回収管７５が接続されている。

処理カップ７の上方には、ウエハＷからの処理液が外部に飛散することを防止するためのスプラッシュガード８が設けられている。このスプラッシュガード８は、ウエハＷの回転軸線に対してほぼ回転対称な形状を有しており、上方部の内面は、ウエハＷの回転軸線に対向するように開いた断面く字状の排液捕獲部８１となっている。また、スプラッシュガード８の下方部には、ウエハＷの回転半径方向外方に向かうに従って下方に向かう傾斜面の形態をなした回収液捕獲部８２が形成されている。回収液捕獲部８２の上端付近には、処理カップ７の仕切壁７３を受け入れるための仕切壁収納溝８３が形成されている。

スプラッシュガード８に関連して、たとえば、ボールねじ機構などを含むガード昇降駆動機構８４が設けられている。ガード昇降駆動機構８４は、スプラッシュガード８を、回収液捕獲部８２がスピンチャック３に保持されたウエハＷの端面に対向する回収位置と、排液捕獲部８１がスピンチャック３に保持されたウエハＷの端面に対向する排液位置との間で上下動させる。また、ガード昇降駆動機構８４は、スピンチャック３に対するウエハＷの搬入／搬出の際に、スプラッシュガード８を排液位置よりも下方の退避位置に退避させる。

ウエハＷに対する処理時には、処理対象のウエハＷが、図示しない搬送ロボットによって処理室１内に搬入されて、表面（デバイス形成面）を上方に向けた状態でスピンチャック３に保持される。ウエハＷがスピンチャック３に保持されると、まず、スピンチャック３によるウエハＷの回転が開始される。また、スプラッシュガード８が退避位置から回収位置まで上昇される。

なお、スピンチャック３へのウエハＷの受け渡し時には、ウエハＷの搬入を阻害しないように、遮断板５はスピンチャック３の上方に大きく離れた待避位置にある。
その後、移動ノズル４がウエハＷの上方に移動されて、移動ノズル４からウエハＷの上面への処理液の供給が開始される。移動ノズル４から処理液の供給が行われている間、アーム４１が揺動されることによって、この移動ノズル４からの処理液の供給位置が、ウエハＷの回転軸線に交差する円弧状軌跡に沿ってほぼ水平に移動される。これにより、ウエハＷの上面に処理液がむらなく供給される。また、裏面ノズル３５からウエハＷの下面に処理液が供給される。ウエハＷの上面および下面に供給される処理液は、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、それぞれ上面および下面を伝って流れ、ウエハＷの側方へと飛散する。

このとき、ウエハＷの側方へと飛散する処理液は、スプラッシュガード８の回収液捕獲部８２に捕獲される。そして、この回収液捕獲部８２を伝い、回収液捕獲部８２の下端縁から処理カップ７の回収溝７２へと落下する。こうして回収溝７２に集められた処理液は、回収管７５を介して回収され、以降の処理に再利用される。これにより、処理液を使い捨てる構成に比べて、処理液の消費量を格段に低減することができる。

ウエハＷを予め定める時間にわたって処理液で処理した後は、移動ノズル４および裏面ノズル３５からの処理液の吐出が停止される。そして、スプラッシュガード８が、回収位置から排液位置まで下降される。そして、移動ノズル４からリンス液が吐出され、リンス処理終了後、移動ノズル４はウエハＷの上方から退避する。また、遮断板５が、スピンチャック３に保持されたウエハＷの上面に近接する近接位置まで下降される。そして、遮断板５がウエハＷと同方向に回転されつつ、ウエハＷの上面および下面に向けて、それぞれ遮断板処理液ノズル５２および裏面ノズル３５からリンス液（たとえば、純水）が供給される。ウエハＷの上面および下面に供給されるリンス液は、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、それぞれ上面および下面を伝って流れ、ウエハＷの側方へと飛散する。これにより、ウエハＷの上面および下面のほぼ全域にリンス液がむらなく行き渡り、ウエハＷの上面および下面に付着した処理液を洗い流すためのリンス処理が行われる。

ウエハＷから側方へと飛散するリンス処理液は、スプラッシュガード８の排液捕獲部８１に捕獲された後、この排液捕獲部８１を伝って、排液捕獲部８１の下端縁から処理カップ７の排液溝７１へと落下し、カップ排液管７４を介して排液される。
こうしてリンス処理が終了すると、遮断板処理液ノズル５２および裏面ノズル３５からのリンス液の吐出が停止される。そして、スピンチャック３によるウエハＷの回転速度が上げられて、ウエハＷの表面に付着している液滴を遠心力で振り切って乾燥させる処理が行われる。この乾燥処理の際、遮断板５は、ウエハＷと同じ方向にほぼ同速度で高速回転される。また、遮断板５の中心部の開口から、ウエハＷと遮断板５との間の空間に窒素ガスが供給される。これにより、ウエハＷと遮断板５との間の空間に窒素ガスの安定した気流が生じ、ウエハＷの表面に処理液の跡などを残すことなく、ウエハＷを良好に乾燥させることができる。

乾燥処理の終了後は、遮断板５が近接位置から退避位置に戻されるとともに、スピンチャック３によるウエハＷの回転が停止される。また、スプラッシュガード８が排液位置から退避位置まで下降される。そして、図示しない搬送ロボットの働きによって、スピンチャック３に保持されている処理後のウエハＷが搬出されていく。
このように、ウエハＷの処理時には、ウエハＷの側方に処理液が飛散して、スプラッシュガード８の内面に付着する。さらには、処理液がウエハＷの表面で跳ね返ってミストとなり、この処理液のミストが処理室１の隔壁に付着する。こうして処理室１の隔壁などに付着した処理液が乾燥して結晶化すると、その処理液の結晶がパーティクルとなってウエハＷを汚染するおそれがある。そこで、この基板処理装置では、所定枚数のウエハＷに対して処理を行う度に、処理室１の隔壁などに付着した処理液を洗浄液で洗い流すための処理室内洗浄処理が行われる。

図２は、この基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。この基板処理装置はさらに、マイクロコンピュータを含む構成の制御装置９を備えている。
制御装置９には、チャック回転駆動機構３１、アーム駆動機構４４、遮断板昇降駆動機構５７、遮断板回転駆動機構５８、ガード昇降駆動機構８４、裏面処理液バルブ３３、ノズル処理液バルブ４２、遮断板処理液バルブ５３、窒素ガスバルブ５５、洗浄液バルブ６１、ファンフィルタユニット２および排気調節用ダンパ１４などが制御対象として接続されている。

制御装置９は、チャック回転駆動機構３１、アーム駆動機構４４、遮断板昇降駆動機構５７、遮断板回転駆動機構５８、ガード昇降駆動機構８４およびファンフィルタユニット２の動作を制御し、また、裏面処理液バルブ３３、ノズル処理液バルブ４２、遮断板処理液バルブ５３、窒素ガスバルブ５５、洗浄液バルブ６１の開閉を制御する。さらに、排気調節用ダンパ１４の開度を制御する。

図３は、処理室内洗浄処理の流れを示すフローチャートである。この処理室内洗浄処理が開始されると、まず、洗浄液バルブ６１が開かれて（ステップＳ１）、洗浄ノズル６から遮断板５の上面に洗浄液が供給される。そして、洗浄ノズル６から遮断板５の上面に処理液が供給されている間、遮断板回転駆動機構５８が制御されて、遮断板５が回転されるとともに、遮断板昇降駆動機構５７が制御されて、遮断板５が退避位置と近接位置との間で繰り返し昇降される（ステップＳ２）。

洗浄ノズル６から吐出される洗浄液は、遮断板５の上面と回転軸５１の外周面との境界部付近に供給され、遮断板５の回転に伴って受ける遠心力により、その遮断板５の上面と回転軸５１の外周面との境界部付近から遮断板５の回転半径方向外方側へと導かれる。これにより、遮断板５の上面のほぼ全域に洗浄液をむらなく行き渡らせることができ、遮断板５の上面に付着している処理液を洗浄液で洗い流すことができる。

また、遮断板５の上面を回転半径方向外方側へ向けて流れる洗浄液は、遮断板５の周縁から振り切られて側方に飛散する。遮断板５がスプラッシュガード８の上方に位置しているときには、その遮断板５から側方へと飛散する洗浄液が、処理室１の隔壁１１の内面や移動ノズル４、アーム４１およびアーム支持軸４３などにかかる。処理室１の隔壁１１の内面にかかった洗浄液は、その隔壁１１を伝って流下し、このとき、隔壁１１の内面に付着している処理液が洗浄液によって洗い流される。また、移動ノズル４、アーム４１およびアーム支持軸４３にかかった洗浄液は、それらの部材に付着している処理液を洗い流す。こうして処理液を洗い流した洗浄液は、処理室排液管１３を介して排液されるようになっている。

このとき、スプラッシュガード８は回収位置に上昇されており、遮断板５がスプラッシュガード８内に位置しているときには、遮断板５の周縁から振り切られて側方に飛散する洗浄液が、スプラッシュガード８の内面にかかり、スプラッシュガード８の内面に付着している処理液を洗い流す。スプラッシュガード８から処理液を洗い流した洗浄液は、処理カップ７の回収管７５を介して排液される。このとき、回収管７５からの排液は、処理液を再利用するための回収設備へは回収されず、回収管７５の途中で分岐接続された配管（図示せず）を通して廃棄される。

また、洗浄ノズル６から遮断板５の上面に処理液が供給されている間、ファンフィルタユニット２から処理室１内にクリーンエアが予め定める小風量で供給されるとともに、排気調節用ダンパ１４の開度がその小風量に応じた開度に制御される。これにより、処理室１内には、クリーンエアの比較的弱いダウンフローが形成される。
洗浄ノズル６からの洗浄液の吐出が予め定める洗浄時間にわたって行われると（ステップＳ３のＹＥＳ）、洗浄液バルブ６１が閉じられる（ステップＳ４）。そして、遮断板回転駆動機構５８が制御されて、遮断板５が退避位置に移動された後、ファンフィルタユニット２が制御されて、処理室１内へのクリーンエアの風量が小風量から予め定める大風量に増加される（ステップＳ５）。また、クリーンエアの風量増加に伴って、排気調節用ダンパ１４が制御されて、その開度が大風量に応じた開度に上げられる（ステップＳ６）。これにより、処理室１内には、クリーンエアの比較的強いダウンフローが形成され、処理室１内の雰囲気置換が促進されることによって、処理室１の隔壁１１の内面や移動ノズル４、アーム４１、アーム支持軸４３および遮断板５などに付着している洗浄液が蒸発し、処理室１内が乾燥していく。

そして、大風量でのクリーンエアの供給が所定の乾燥時間にわたって行われると（ステップＳ７のＹＥＳ）、ファンフィルタユニット２が制御されて、処理室１内へのクリーンエアの風量が大風量から小風量に下げられるとともに（ステップＳ８）、排気調節用ダンパ１４の開度が小風量に応じた開度に下げられた後（ステップＳ９）、この処理が終了される。

以上のように、この実施形態によれば、遮断板５を回転させながら、その遮断板５の上面に洗浄ノズル６から洗浄液を供給することによって、遮断板５の上面に付着している処理液を洗浄液で洗い流すことができる。また、遮断板５の上面に供給された洗浄液は、遮断板５の回転による遠心力を受けて、遮断板５の上面を伝って遮断板５の周縁に向けて流れて、その遮断板５の周縁から遮断板５の回転半径方向外方へ振り飛ばされるから、遮断板５の側方に配置されている部材や処理室の隔壁の内面に付着している処理液を洗い流すことができる。そして、この洗浄液による処理室１内の洗浄後には、その洗浄後の処理室１内にクリーンエアが送り込まれて、処理室１内が乾燥される。そのため、処理室１の隔壁１１の内面や処理室１内の各部材（移動ノズル４、アーム４１、アーム支持軸４３および遮断板５など）に洗浄液が付着したままにされることがないので、その後のウエハＷの処理時に、それらからウエハＷ上に洗浄液が落ちることによる基板汚染の問題を回避することができる。

また、処理室１内を乾燥させるときには、処理室１内への送風量が大風量に増加されることによって、処理室１内の雰囲気置換を促進させることができ、処理室１内を速やかに乾燥させることができる。
さらに、処理室１内を洗浄するためのハンドシャワーを不要とすることができるので、ハンドシャワーを用いて処理室１内を洗浄するときに生じる各種の問題を回避することができる。すなわち、ハンドシャワーによる処理室内の洗浄は、面倒であるうえ、次のような問題を有しているが、これらの問題をすべて回避することができる。

１．作業者が薬液に触れるおそれがある。
２．カバーを開けた状態での作業となるため、洗浄水が処理室外に漏れるおそれがある。
処理室が複数備えられている場合、
３．各処理室を１つずつ洗浄すると、洗浄に長時間を要し、装置の稼働率が低下する。

４．各処理室を同時に洗浄するためには、作業者が複数人必要になる。
５．処理室が上下２段に設けられている場合、上段の処理室の洗浄作業が困難である。
図４は、この発明の他の実施形態に係る基板処理装置の構成を示す概略断面図である。この図４において、図１に示す各部に相当する部分については、図１の場合と同一の参照符号を付している。また、以下では、それらの部分についての説明を省略する。

この図４に示す基板処理装置では、ファンフィルタユニット２（図１参照）が省略されて、処理室１内に温風を送り込むための温風送風機１０１が備えられるとともに、処理室１の天面に、その温風送風機１０１からの温風を浄化するためのフィルタ（たとえば、ＨＥＰＡフィルタ）を収容するフィルタボックス１０２が配置されている。
そして、この基板処理装置では、フィルタボックス１０２内のフィルタによって浄化された温風が処理室１内に供給される。これにより、処理室１内を乾燥させるときに、処理室１内に温風を送り込むことによって、処理室１内をより速やかに乾燥させることができる。

以上、この発明の２つの実施形態について説明したが、この発明はさらに他の形態で実施することもできる。たとえば、上記の実施形態では、処理室１内を洗浄するときに、遮断板５を繰り返し昇降させるとしたが、この遮断板５の昇降は、連続的に行われてもよいし、その途中で一時停止されることによって断続的に行われてもよい。たとえば、遮断板５を昇降させている途中で、遮断板５を、その遮断板５から飛散する洗浄液が移動ノズル４を保持するアーム４１の上面（水平面）に供給されるような位置で一時停止させれば、アーム４１の上面に洗浄液を集中的に供給することができ、とくにアーム４１に付着している処理液をきれいに洗い流すことができる。

また、処理室１の隔壁１１の内面において、とくに処理室１に対してウエハＷを搬入出させるための開口の近傍やその開口を開閉するシャッタ部材に撥水加工（たとえば、フッ素樹脂加工）を施しておくことが好ましい。こうすれば、開口近傍に洗浄液が残ることをより確実に防止することができ、ウエハＷの処理時（搬入出時）に、ウエハＷ上に洗浄液が落ちることによる基板汚染の問題を回避することができる。

その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。

この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を示す概略断面図である。 この基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。 処理室内洗浄処理の流れを示すフローチャートである。 この発明の他の実施形態に係る基板処理装置の構成を示す概略断面図である。

符号の説明

１ 処理室
２ ファンフィルタユニット
３ スピンチャック
４ 移動ノズル
５ 遮断板
６ 洗浄ノズル
９ 制御装置
１１ 隔壁
４１ アーム
４２ ノズル処理液バルブ
５７ 遮断板昇降駆動機構
１０１ 温風送風機
Ｗ ウエハ

Claims (7)

1. 隔壁によって区画され、基板を収容して、その基板に対して処理液による処理を行うための処理室と、
   この処理室内を洗浄液で洗浄するための洗浄手段と、
   上記処理室内に風を送り込む送風手段と、
   上記洗浄手段および上記送風手段を制御して、上記処理室内を洗浄し、その洗浄後に上記処理室内を乾燥させる洗浄乾燥処理を実行する制御手段とを含むことを特徴とする基板処理装置。
2. 上記制御手段は、上記送風手段を制御して、上記処理室内の洗浄中は所定の風量で上記処理室内へ送風させ、上記処理室内を乾燥させるときには、上記処理室内への送風量を上記所定の風量よりも増加させることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
3. 上記送風手段は、上記処理室内に温風を送り込む温風送風手段を含むことを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
4. 上記洗浄液は、純水を含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置。
5. 上記処理室内に設けられ、基板をほぼ水平に保持する基板保持手段と、
   この基板保持手段の上方に設けられ、ほぼ鉛直な軸線を中心に回転する回転板と、
   この回転板を昇降させるための昇降手段とをさらに含み、
   上記洗浄手段は、上記回転板の上面に洗浄液を供給する洗浄ノズルを備えており、
   上記制御手段は、上記処理室内の洗浄時に、上記洗浄手段を制御して、上記洗浄ノズルから上記回転板の上面に洗浄液を供給させつつ、上記昇降手段を制御して、上記回転板を昇降させることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理装置。
6. 上記処理室内に設けられ、水平面を有する部材をさらに含み、
   上記制御手段は、上記処理室内の洗浄時に、上記昇降手段を制御して、上記回転板から飛散する洗浄液が上記水平面に供給される位置に上記回転板を一時的に停止させることを特徴とする請求項５記載の基板処理装置。
7. 隔壁によって区画される処理室を備え、その処理室内に基板を収容して、その基板に対して処理液による処理を行う基板処理装置において、上記処理室内を洗浄する方法であって、
   この処理室内を洗浄液で洗浄するための洗浄工程と、
   この洗浄工程後に、上記処理室内に風を送り込んで、上記処理室内を乾燥させる乾燥工程とを含むことを特徴とする洗浄室内洗浄方法。

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