JP2003197590A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】リンス液を良好に除去することにより、基板表
面におけるウォーターマークまたは／および筋状パーテ
ィクルの発生を防止する。 【解決手段】制御装置７は、チャック回転駆動機構１１
を制御して、スピンチャック１を予め定める低回転速度
（たとえば、３００ｒｐｍ以下）で回転させる。その一
方で、制御装置７は、アーム揺動機構６２を制御して、
純水供給ノズル６４およびＩＰＡベーパ供給ノズル６５
がウエハＷの外方に向けて移動するようにアーム６１を
一定速度で動かす。またこのとき、バルブ６７１，６９
１を開成して、ウエハＷの表面に純水供給ノズル６４お
よびＩＰＡベーパ供給ノズル６５からそれぞれ純水およ
びＩＰＡベーパを供給する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハ、
液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディプレイ用ガラ
ス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁
気ディスク用基板、フォトマスク用基板等に代表される
各種の被処理基板に表面処理を施すための基板処理装置
および基板処理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】たとえば、半導体装置の製造工程では、
被処理基板としての半導体ウエハ（以下、単に「ウエ
ハ」という。）に対して処理液（薬液または純水）によ
る表面処理が行われる。たとえば、ウエハを１枚ずつ洗
浄する枚葉型の基板洗浄装置では、ウエハを水平に保持
して回転させるスピンチャックが備えられていて、この
スピンチャックによってウエハが水平面内で回転される
一方で、そのウエハの表面に洗浄処理のための薬液が供
給される。そして、その薬液による洗浄処理後に、ウエ
ハの表面に純水（リンス液）が供給されてリンス処理が
行われる。このリンス処理の後のウエハ表面には純水が
付着しているので、この純水を除去するために、スピン
チャックによってウエハを高速回転させて、ウエハの表
面に付着している純水を振り切って乾燥させる乾燥処理
が行われる。

【０００３】この乾燥処理では、スピンチャックに保持
されたウエハの表面（上面）に近接した位置に、そのウ
エハ表面に対向して遮断板が配置される。この遮断板
は、鉛直な軸線まわりに回転可能に設けられており、乾
燥処理の間、ウエハとほぼ同じ速さで同じ方向に回転さ
れる。また、乾燥処理の間、ウエハと遮断板との間の空
間に窒素ガスを供給して窒素ガスを充満させ、その空間
への酸素雰囲気の進入を防止することにより、ウエハ表
面におけるウォータ−マーク（純水、酸素およびウエハ
表面のシリコンの反応によるウォーターマーク）の発生
の抑制が図られている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところが、純水を遠心
力で振り切って乾燥させる方式では、ウエハ表面に形成
されているパターン間に入り込んだシリコンなどの不純
物を含む純水の液滴が振り切られずに残り、乾燥不良に
よるウォーターマークが発生するという問題があった。
また、窒素ガスの供給前は、ウエハ表面に付着している
純水と薬液雰囲気とが接しているので、ウエハの高速回
転を開始した時に、ウエハ表面の薬液雰囲気を含む純水
の液滴が遠心力を受けてウエハ外へと高速に移動するこ
とによって、ウエハ表面に筋状のパーティクル（薬液の
析出によるウォーターマーク）が発生するという問題も
あった。

【０００５】そこで、この発明の目的は、リンス液を良
好に除去することにより、基板表面におけるウォーター
マークまたは／および筋状パーティクルの発生を防止し
て、基板に良好な処理を施すことができる基板処理装置
および基板処理方法を提供することである。

【０００６】

【課題を解決するための手段および発明の効果】上記の
目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板
（Ｗ）を保持しつつ回転させる基板保持回転手段（１）
と、この基板保持回転手段に保持された基板の表面にリ
ンス液を供給するためのリンスノズル（６４）と、上記
基板保持回転手段に保持された基板の表面に有機溶剤の
蒸気を供給するための蒸気ノズル（６５）と、上記リン
スノズルおよび蒸気ノズルを同期させて、上記基板保持
回転手段に保持されて回転している基板の上方で移動さ
せるノズル移動手段（７，６１，６２，６３）と、この
ノズル移動手段による上記リンスノズルおよび蒸気ノズ
ルの移動時に、上記リンスノズルから基板表面にリンス
液を供給させるとともに、当該基板表面に上記蒸気ノズ
ルから有機溶剤の蒸気を供給させる供給制御手段（７，
６７１，６９１）とを含むことを特徴とする基板処理装
置である。

【０００７】なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態
における対応構成要素等を表す。以下、この項において
同じ。この発明によれば、回転中の基板の上方で同期し
て移動しているリンスノズルおよび蒸気ノズルから、そ
の基板の表面に向けてリンス液および有機溶剤の蒸気が
同時に供給される。これにより、基板の表面の全域に隈
無くリンス液を供給することができ、基板の表面にリン
ス液による処理を良好に施すことができる。

【０００８】また、基板表面にリンス液と有機溶剤の蒸
気とが同時に供給されることにより、基板表面に供給さ
れたリンス液に有機溶剤の蒸気が溶け込む。このため、
基板表面のリンス液は、基板表面からすみやかに除去さ
れる。ゆえに、基板の表面に微細なパターンが形成され
ていても、そのパターン間にリンス液が残るおそれがな
く、基板の表面にリンス液の乾燥不良によるウォーター
マークが発生するおそれがない。

【０００９】請求項２記載の発明は、上記ノズル移動手
段は、上記リンスノズルを上記蒸気ノズルよりも先行さ
せて移動させるものであることを特徴とする請求項１記
載の基板処理装置である。この発明によれば、基板表面
のリンス液による処理が施された部分に有機溶剤を供給
することができ、そのリンス液による処理が施された部
分に付着しているリンス液に有機溶剤を溶け込ませるこ
とができる。

【００１０】なお、上記ノズル移動手段は、基板表面に
おける有機溶剤の蒸気の供給位置がリンス液供給位置を
追いかけるように、上記リンスノズルおよび蒸気ノズル
を移動させるものであってもよい。請求項３記載の発明
は、上記基板保持回転手段は、基板を３００ｒｐｍ以下
の回転速度で回転させるものであることを特徴とする請
求項１または２記載の基板処理装置である。

【００１１】基板を３００ｒｐｍ以下の低速度で回転さ
せることにより、筋状パーティクルの発生を防止するこ
とができる。請求項４記載の発明は、上記ノズル移動手
段は、上記リンスノズルおよび蒸気ノズルを、上記基板
保持回転手段に保持されて回転している基板の回転中心
付近から当該基板の外方に向けて移動させるものである
ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の
基板処理装置である。

【００１２】この発明によれば、基板の回転中心付近か
ら基板の端縁へと順にリンス液による処理を施していく
ことができ、また、そのリンス液による処理後の基板表
面を基板の回転中心付近から順に乾燥させていくことが
できる。ゆえに、乾燥した部分にリンス液が流れ込むお
それがない。請求項５記載の発明は、基板（Ｗ）を回転
させる基板回転工程と、回転中の基板の上方で、リンス
ノズル（６４）および蒸気ノズル（６５）を同期させて
移動させつつ、当該基板の表面に向けて、上記リンスノ
ズルからリンス液を供給するとともに上記蒸気ノズルか
ら有機溶剤の蒸気を供給する工程とを含むことを特徴と
する基板処理方法である。

【００１３】この方法によれば、請求項１に関連して述
べた効果と同様な効果を達成することができる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下では、この発明の実施の形態
を、添付図面を参照して詳細に説明する。図１は、この
発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図解
的な断面図である。この基板処理装置は、ウエハＷを１
枚ずつ洗浄し、この洗浄後のウエハＷを乾燥させる洗浄
・乾燥装置である。この基板処理装置は、ウエハＷをほ
ぼ水平に保持するとともに、その中心を通るほぼ鉛直な
回転軸線まわりにウエハＷを回転させるためのスピンチ
ャック１と、このスピンチャック１の上方に設けられた
遮断板２と、スピンチャック１を収容した処理カップ３
と、処理カップ３に関連して設けられたスプラッシュガ
ード４と、ウエハＷの上面に薬液を供給するための薬液
供給ノズル５を備えている。薬液供給ノズル５は、その
先端をウエハＷに向けて斜めに下げた状態で、スプラッ
シュガード４の上端部に取り付けられている。

【００１５】スピンチャック１は、チャック回転駆動機
構１１によって回転される回転軸１２の上端に固定され
ている。この回転軸１２は、中空軸となっていて、回転
軸１２の内部には、薬液または純水（リンス液）が選択
的に供給される薬液／純水供給管１３が挿通されてい
る。薬液／純水供給管１３は、スピンチャック１に保持
されたウエハＷに近接する位置まで延びており、その先
端には、ウエハＷの下面中央に向けて薬液または純水を
吐出する下面ノズル１３が形成されている。

【００１６】遮断板２は、ウエハＷとほぼ同じ径を有す
る円板状に形成されており、その上面には、スピンチャ
ック１の回転軸１２と共通の軸線に沿う回転軸２１が固
定されている。回転軸２１は、ほぼ水平に延びて設けら
れたアーム２２の先端付近から垂下した状態に取り付け
られている。そして、このアーム２２に関連して、遮断
板２をスピンチャック１に保持されたウエハＷの上面に
近接した近接位置とスピンチャック１の上方に大きく退
避した退避位置（図１に示す位置）との間で昇降させる
ための遮断板昇降駆動機構２３と、遮断板２をスピンチ
ャック１によるウエハＷの回転にほぼ同期させて回転さ
せるための遮断板回転駆動機構２４とが設けられてい
る。

【００１７】処理カップ３は、有底筒状に形成されてお
り、その底部には、スピンチャック１の周囲を取り囲む
ように、ウエハＷの処理に用いられた後の純水などを排
液するための排液溝３１が形成されており、さらに、こ
の排液溝３１を取り囲むように、ウエハＷの処理のため
に用いられた後の薬液を回収するための回収溝３２が形
成されている。排液溝３１と回収溝３２とは、筒状の仕
切壁３３によって区画されている。また、排液溝３１に
は、図外の排液処理設備へと延びた排液ライン３４が接
続され、回収溝３２には、図外の回収処理設備へと延び
た回収ライン３５が接続されている。

【００１８】スプラッシュガード４は、ウエハＷの回転
軸線に対してほぼ回転対称な形状を有しており、上方部
の内面は、ウエハＷの回転軸線に対向するように開いた
断面く字状の排液捕獲部４１となっている。また、スプ
ラッシュガード４の下方部には、ウエハＷの回転半径方
向外方に向かうに従って下方に向かう傾斜面の形態をな
した回収液捕獲部４２が形成されている。回収液捕獲部
４２の上端付近には、処理カップ３の仕切壁３３を受け
入れるための仕切壁収納溝４３が形成されている。

【００１９】スプラッシュガード４に関連して、たとえ
ば、ボールねじ機構などを含むスプラッシュガード昇降
駆動機構４４が設けられている。スプラッシュガード昇
降駆動機構４４は、スプラッシュガード４を、回収液捕
獲部４２がスピンチャック１に保持されたウエハＷの端
面に対向する回収位置と、排液捕獲部４１がスピンチャ
ック１に保持されたウエハＷの端面に対向する排液位置
との間で上下動させる。また、スプラッシュガード昇降
駆動機構４４は、スピンチャック１に対するウエハＷの
搬入／搬出の際に、スプラッシュガード４を排液位置よ
りも下方の退避位置に退避させる。

【００２０】この基板処理装置はまた、ウエハＷの上面
に純水およびＩＰＡ（イソプロピルアルコール）ベーパ
を供給するための機構を備えている。具体的には、スピ
ンチャック１の上方でほぼ水平に延びたアーム６１と、
このアーム６１をほぼ水平な面内で揺動させるためのア
ーム揺動機構６２と、アーム６１の先端に固定されたノ
ズル保持ブロック６３と、ノズル保持ブロック６３に取
り付けられた純水供給ノズル６４およびＩＰＡベーパ供
給ノズル６５と、ＩＰＡベーパを生成するＩＰＡベーパ
生成ユニット６６とを備えている。

【００２１】純水供給ノズル６４には、純水供給配管６
７が接続されており、この純水供給配管６７から純水が
供給されるようになっている。純水供給配管６７の途中
部には、この純水供給配管６７を開閉するためのバルブ
６７１が介装されている。また、純水供給ノズル６４
は、純水を斜め下方に向けて吐出できるように、鉛直線
に対して所定の角度（たとえば、１０〜３０度）で傾斜
した状態に設けられている。

【００２２】ＩＰＡベーパ供給ノズル６５には、ＩＰＡ
ベーパ供給配管６８の一端が接続されている。ＩＰＡベ
ーパ供給配管６８の他端は、ＩＰＡベーパ生成ユニット
６６に接続されている。ＩＰＡベーパ生成ユニット６６
内には、液体のＩＰＡが貯留されたＩＰＡ蒸発皿６６１
が配置されていて、ＩＰＡベーパ生成ユニット６６内の
雰囲気には、ＩＰＡ蒸発皿６６１から蒸発したＩＰＡ
（ＩＰＡベーパ）が含まれている。また、ＩＰＡベーパ
生成ユニット６６には、図外の窒素ガス供給源から延び
た窒素ガス配管６９の先端が接続されている。窒素ガス
配管６９の途中部には、窒素ガス配管６９を開閉するた
めのバルブ６９１と、窒素ガス配管６９を流通する窒素
ガスから不純物を除去するためのフィルタ６９２とが介
装されている。この構成により、バルブ６９１を開成し
て、窒素ガス配管６９からＩＰＡベーパ生成ユニット６
６内に窒素ガスを供給すると、ＩＰＡベーパ生成ユニッ
ト６６内のＩＰＡベーパを含む雰囲気が、窒素ガスによ
ってＩＰＡベーパ供給配管６８に押し出され、このＩＰ
Ａベーパ供給配管６８を通って、ＩＰＡベーパ供給ノズ
ル６５に供給される。

【００２３】ＩＰＡベーパ供給ノズル６５は、ＩＰＡベ
ーパ供給配管６８から供給されるＩＰＡベーパをほぼ鉛
直下方に向けて吐出するように設けられている。また、
ＩＰＡベーパ供給ノズル６５は、アーム６１を揺動させ
たときに、ウエハＷの表面においてＩＰＡベーパの供給
位置の描く軌跡が純水供給ノズル６４からの純水の供給
位置の描く軌跡とほぼ一致するように設けられている。
この基板処理装置はさらに、たとえば、マイクロコンピ
ュータで構成される制御装置７を備えている。制御装置
７は、チャック回転駆動機構１１、遮断板昇降駆動機構
２３、遮断板回転駆動機構２４、スプラッシュガード昇
降駆動機構４４およびアーム揺動機構６２の動作を制御
する。また、バルブ６７１，６９１の開閉を制御する。

【００２４】ウエハＷに対する処理を開始する前の期間
には、制御装置７は、チャック回転駆動機構１１を停止
させて、スピンチャック１を停止状態に保持している。
また、ウエハＷの搬入が阻害されないように、制御装置
７は、遮断板昇降駆動機構２３およびスプラッシュガー
ド昇降駆動機構４４を制御して、遮断板２およびスプラ
ッシュガード４を待避位置に保持している。基板搬送ロ
ボット（図示せず）から未処理のウエハＷがスピンチャ
ック１に受け渡されると、制御装置７は、スプラッシュ
ガード昇降駆動機構４４を制御して、スプラッシュガー
ド４を回収液捕獲部４２がウエハＷの端面に対向する回
収位置に移動させる。また、チャック回転駆動機構１１
を制御して、スピンチャック１の回転を開始させる。そ
の後、スピンチャック１が所定の速度に達すると、回転
中のウエハＷに薬液供給ノズル５および下面ノズル１３
から薬液が供給され、この薬液による薬液洗浄工程が行
われる。

【００２５】この薬液洗浄工程で、ウエハＷの周縁から
振り切られて側方に飛散した薬液は、スプラッシュガー
ド４の回収液捕獲部４２に捕獲される。そして、この回
収液捕獲部４２を伝い、回収液捕獲部４２の下端縁から
処理カップ３の回収溝３２へと落下する。こうして回収
溝３２に集められた薬液は、回収ライン３５を介して回
収され再利用される。薬液洗浄工程が所定時間に渡って
行われると、薬液供給ノズル５および下面ノズル１３か
らの薬液の供給が停止される。この後、制御装置７は、
スプラッシュガード昇降駆動機構４４を制御して、スプ
ラッシュガード４を排液位置に移動させた後、アーム揺
動機構６２を制御して、図２(a)に示すように、純水供
給ノズル６４およびＩＰＡベーパ供給ノズル６５を、純
水供給ノズル６４から吐出される純水がウエハＷの中心
Ｃ付近に供給されるような位置に移動させた後、ウエハ
Ｗに付着した薬液の排除およびウエハＷの乾燥のための
リンス・乾燥工程を開始する。

【００２６】リンス・乾燥工程では、制御装置７は、チ
ャック回転駆動機構１１を制御して、スピンチャック１
を予め定める低回転速度（たとえば、３００ｒｐｍ以下
で、好ましくは２００ｒｐｍ以下の回転速度）で回転さ
せる。また、制御装置７は、バルブ６７１，６９１を開
成し、また、アーム揺動機構６２を制御して、純水供給
ノズル６４およびＩＰＡベーパ供給ノズル６５がウエハ
Ｗの外方に向けて移動するように、アーム６１を一定速
度（たとえば、ウエハＷの中心ＣからウエハＷの外周ま
でを約１０〜４５秒の速度。好ましくは約３０秒の速
度。）で動かす。これにより、低速回転中のウエハＷの
表面（図１における上面）に、純水供給ノズル６４から
の純水およびＩＰＡベーパ供給ノズル６５からのＩＰＡ
ベーパが供給され、また、その純水供給位置およびＩＰ
Ａベーパ供給位置が、ウエハＷの中心Ｃ付近からウエハ
Ｗの外方に向けて徐々に移動する。アーム６１は、図２
(b)に示すように、ＩＰＡベーパ供給位置がウエハＷの
周端縁に達するまで動かされる。なお、この際、純水供
給ノズル６４およびＩＰＡベーパ供給ノズル６５がウエ
ハＷの外方に向かう移動は、通常は１回行われるだけで
よい。ただし、１回だけの移動では十分に薬液が除去さ
れないような場合には、ウエハＷの外方へ向かう移動を
複数回行うこととしてもよい。

【００２７】純水供給ノズル６４からウエハＷの表面に
向けて吐出される純水は、ウエハＷの表面に斜め上方か
ら供給されて、ウエハＷの上面をウエハＷの外方に向け
て流れる。したがって、ウエハＷが低速回転されるとと
もに、純水供給位置がウエハＷの中心Ｃ付近からウエハ
Ｗの外方に向けて徐々に移動されることにより、薬液を
純水で洗い流すリンス処理がウエハＷの中心Ｃ付近から
施されていき、最終的には、ウエハＷの表面の全域に隈
無くリンス処理が施される。

【００２８】また、アーム６１の動きに伴って、ＩＰＡ
ベーパ供給位置が純水供給位置を追いかけるように移動
する。これにより、ウエハＷの表面のリンス処理が施さ
れた部分（薬液が洗い流された部分）には、ＩＰＡベー
パが供給され、そのリンス処理が施された部分に付着し
ている純水にＩＰＡベーパが溶け込む。この結果、ウエ
ハＷの表面に付着している純水は、ウエハＷの表面から
すみやかに除去される。ゆえに、ウエハＷの表面に形成
されているパターン間に純水が残るおそれがなく、ウエ
ハＷの表面に乾燥不良によるウォーターマークが発生す
るおそれがない。しかも、ウエハＷは低速回転されてい
るので、ウエハＷを高速回転させて乾燥させる場合に発
生する筋状パーティクルの問題もない。

【００２９】なお、リンス・乾燥工程中の所定の期間
に、下面ノズル１３からウエハＷの裏面（下面）に純水
が供給され、この純水により、薬液洗浄工程後のウエハ
Ｗの裏面に付着している薬液が洗い流される。なお、ウ
エハＷの裏面中心に向けてＩＰＡ蒸気を供給するための
ノズルを、さらに下面ノズル１３近傍に設けて、デバイ
スが形成されないウエハＷ裏面のウォーターマークの発
生をもさらに防止するようにしてもよい。

【００３０】アーム６１が図２(b)に示す位置まで移動
すると、制御装置７は、バルブ６７１，６９１を閉成
し、純水供給ノズル６４からの純水およびＩＰＡベーパ
供給ノズル６５からのＩＰＡベーパの供給を停止させ
る。この後、制御装置７は、チャック回転駆動機構１１
を制御して、スピンチャック１の回転速度を予め定める
高回転速度（たとえば、１０００〜４０００ｒｐｍ）に
上げて、ウエハＷの裏面に付着している純水の液滴を遠
心力で振り切って乾燥させる処理を行う。この裏面乾燥
処理の際、制御装置７は、遮断板昇降駆動機構２３およ
び遮断板回転駆動機構２４を制御して、遮断板２をウエ
ハＷの上面に近接した近接位置まで下降させ、その近接
位置で遮断板２をウエハＷと同じ方向にほぼ同速度で高
速回転させる。これにより、ウエハＷの裏面から振り切
られた純水の跳ね返りによるウエハＷの表面の汚染を防
止できる。

【００３１】以上、この発明の一実施形態について説明
したが、この発明は他の形態で実施することもできる。
たとえば、上記の実施形態では、ウエハＷの表面にＩＰ
Ａベーパを供給するとしたが、ＩＰＡベーパに限らず、
アセトン、ＭＩＢＫ（メチルイソブチルケトン）、ＭＥ
Ｋ（メチルエチルケトン）またはＨＦＥ（ハイドロフル
オロエーテル）など、揮発性の高い有機溶剤のベーパを
ウエハＷの表面に供給すれば、ＩＰＡベーパを供給した
場合と同様な効果を達成することができる。

【００３２】また、処理対象の基板は、ウエハＷに限ら
ず、液晶表示装置用ガラス基板などの他の種類の基板で
あってもよい。その他、特許請求の範囲に記載された事
項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構
成を示す図解的な断面図である。

【図２】リンス・乾燥工程について説明するための図で
ある。

【符号の説明】

１ スピンチャック ７ 制御装置 ６１ アーム ６２ アーム揺動機構 ６３ ノズル保持ブロック ６４ 純水供給ノズル ６５ ＩＰＡベーパ供給ノズル ６７１ バルブ ６９１ バルブ Ｗ ウエハ

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０２Ｆ 1/13 １０１ Ｇ０２Ｆ 1/13 １０１ (72)発明者 永徳 篤朗 京都府京都市上京区堀川通寺之内上る４丁 目天神北町１番地の１ 大日本スクリーン 製造株式会社内 Ｆターム(参考） 2H088 FA17 FA18 FA21 FA24 FA30 HA01 MA20 3B201 AA02 AA03 AB03 AB34 BB23 BB44 BB93 BB95 CC01

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板を保持しつつ回転させる基板保持回転
   手段と、 この基板保持回転手段に保持された基板の表面にリンス
   液を供給するためのリンスノズルと、 上記基板保持回転手段に保持された基板の表面に有機溶
   剤の蒸気を供給するための蒸気ノズルと、 上記リンスノズルおよび蒸気ノズルを同期させて、上記
   基板保持回転手段に保持されて回転している基板の上方
   で移動させるノズル移動手段と、 このノズル移動手段による上記リンスノズルおよび蒸気
   ノズルの移動時に、上記リンスノズルから基板表面にリ
   ンス液を供給させるとともに、当該基板表面に上記蒸気
   ノズルから有機溶剤の蒸気を供給させる供給制御手段と
   を含むことを特徴とする基板処理装置。
2. 【請求項２】上記ノズル移動手段は、上記リンスノズル
   を上記蒸気ノズルよりも先行させて移動させるものであ
   ることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
3. 【請求項３】上記基板保持回転手段は、基板を３００ｒ
   ｐｍ以下の回転速度で回転させるものであることを特徴
   とする請求項１または２記載の基板処理装置。
4. 【請求項４】上記ノズル移動手段は、上記リンスノズル
   および蒸気ノズルを、上記基板保持回転手段に保持され
   て回転している基板の回転中心付近から当該基板の外方
   に向けて移動させるものであることを特徴とする請求項
   １ないし３のいずれかに記載の基板処理装置。
5. 【請求項５】基板を回転させる基板回転工程と、 回転中の基板の上方で、リンスノズルおよび蒸気ノズル
   を同期させて移動させつつ、当該基板の表面に向けて、
   上記リンスノズルからリンス液を供給するとともに上記
   蒸気ノズルから有機溶剤の蒸気を供給する工程とを含む
   ことを特徴とする基板処理方法。