JP2006133258A - Electro-optical device substrate, electro-optical device, electronic apparatus, and electro-optical device substrate inspection method - Google Patents
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Abstract
【課題】外部からのプローブを接触される等の必要がなく、十分な測定精度の得られる検査を実現できる電気光学装置用基板及びその検査方法を提供する。
【解決手段】本発明の基板1は、第1と第2の領域を有し、それぞれの領域に、複数のスイッチング素子のそれぞれを介して、複数の画素に第1の電位信号を信号線を介して書き込むためのビデオ線7とトランスミッションゲート部6を有する。第1と第2の領域のそれぞれの信号線は電気的に非接続状態である。さらに、基板1は、低い方の電位をより低くして、かつ、高い方の電位をより高くして信号線に出力する差動増幅器4aからなる表示データ読み出し回路部4と、画素に書き込まれた第1の電位信号と、基準となる第2の電位信号を読み出すトランスミッションゲート部6とビデオ線7とを有する。
【選択図】図1
A substrate for an electro-optical device and an inspection method thereof that can realize an inspection with sufficient measurement accuracy without requiring contact with an external probe.
A substrate according to the present invention has a first region and a second region, and a signal line for supplying a first potential signal to a plurality of pixels via each of a plurality of switching elements in each region. A video line 7 and a transmission gate portion 6 for writing through. Each signal line in the first and second regions is electrically disconnected. Further, the substrate 1 is written to the pixel and the display data reading circuit section 4 including the differential amplifier 4a that outputs the lower potential lower and the higher potential higher to the signal line. The transmission gate unit 6 and the video line 7 for reading out the first potential signal and the reference second potential signal.
[Selection] Figure 1
Description
本発明は、電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器及び電気光学装置用基板の検査方法に関し、特に、複数の画素にそれぞれ設けられた複数のスイッチング素子を有し、信号線を2つに分割した電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器及び電気光学装置用基板の検査方法に関する。 The present invention relates to a substrate for an electro-optical device, an electro-optical device, an electronic apparatus, and a method for inspecting a substrate for an electro-optical device, and in particular, includes a plurality of switching elements respectively provided in a plurality of pixels and two signal lines. The present invention relates to a method for inspecting a substrate for an electro-optical device, an electro-optical device, an electronic apparatus, and a substrate for an electro-optical device that are divided into two.
従来より、液晶装置等の表示装置は、携帯電話、プロジェクタ等の機器に広く使用されている。TFT(Thin Film Transistor)等を用いた液晶表示装置は、TFT基板と対向基板を貼り合わせて、その基板間に液晶を封入して構成されている。一般に、製造された液晶装置が正常に作動するかの検査は、完成品に対して行われる。例えば、所定の画像信号を液晶装置に表示データとして入力し、投影、表示等させることによって、正しくデータが表示されるか、欠陥画素の有無のチェックが行われていた。
しかし、完成品について検査を行う方法は、製造工程の管理面からみると、好ましくない。理由は、基板の製造工程後に不良品が発見されるので、不良品の発見が遅れてしまうからである。
Conventionally, display devices such as liquid crystal devices have been widely used in devices such as mobile phones and projectors. 2. Description of the Related Art A liquid crystal display device using a TFT (Thin Film Transistor) or the like is configured by bonding a TFT substrate and a counter substrate and enclosing liquid crystal between the substrates. In general, an inspection of whether a manufactured liquid crystal device operates normally is performed on a finished product. For example, a predetermined image signal is input to the liquid crystal device as display data, and projected, displayed, etc., to check whether the data is correctly displayed or whether there is a defective pixel.
However, the method of inspecting a finished product is not preferable from the viewpoint of management of the manufacturing process. The reason is that a defective product is found after the substrate manufacturing process, so that the detection of the defective product is delayed.
このため、工程管理へ不良発見がフィードバックされるまでの時間が長くなる。その結果、歩留まり低下期間が長期化し、製造コストが上昇するからである。また、試作品の場合も、試作品の評価から設計にフィードバックされるまでの期間が長期化するため、開発期間の長期化、開発コストの上昇に繋がる。さらに、製品完成後は、いわゆるリペア、すなわち不良箇所の修理が困難である。
そこで、基板の製造工程内において、不良の発見、特に、表示装置の欠陥画素の発見を行うことが望まれている。
For this reason, the time until defect detection is fed back to the process management becomes longer. As a result, the yield reduction period becomes longer and the manufacturing cost increases. Also, in the case of a prototype, since the period from the evaluation of the prototype to the feedback to the design is prolonged, the development period is prolonged and the development cost is increased. Furthermore, after the product is completed, so-called repair, that is, repair of a defective portion is difficult.
Therefore, it is desired to find a defect, particularly a defective pixel of a display device, in the manufacturing process of the substrate.
そのような検査方法の一つとして、液晶表示装置の電極パッドに検査用プローブを接触させて、所定の電流を供給することによって、液晶表示装置の検査を行う技術が提案されている(例えば特許文献1参照)。同様に、画素のコンデンサ容量特性から、TFT基板の各画素に所定の電圧を印加して、放電電流及び放電電圧の波形に基づいてTFTの機能を検査する技術が提案されている(例えば特許文献2参照)。 As one of such inspection methods, there has been proposed a technique for inspecting a liquid crystal display device by bringing a test probe into contact with an electrode pad of the liquid crystal display device and supplying a predetermined current (for example, a patent). Reference 1). Similarly, a technique has been proposed in which a predetermined voltage is applied to each pixel of the TFT substrate based on the capacitor capacitance characteristics of the pixel, and the function of the TFT is inspected based on the waveforms of the discharge current and the discharge voltage (for example, Patent Documents). 2).
また、TFT基板の画素電極に対応する検査用の対向電極を用いて、画素電極の電位の変化量を検出することによって、各画素電極の動作検査を行う技術も提案されている(例えば特許文献3参照)。
しかし、上述した特許文献1及び特許文献3に記載の技術による場合、検査装置において、基板の外部から電極パッド等に所定のプローブ等を接触あるいは近接させるための機械的な位置精度が要求される。その結果、機械的なアライメント精度を確保するために検査時間が長くなるという問題がある。さらに、高精細な液晶表示装置の場合は、多くの電極パッドに対して細いプローブ等を機械的な制御を行って接触させなければならなくなり、これらの方法が適用できない場合もある。
However, in the case of the techniques described in
また、上述した特許文献2に記載の方法では、液晶表示装置と測定装置間の各種容量成分、例えばソース線、ビデオ線、電極パッド端子等における容量が影響するため、画素自体の容量が比較的小さい場合は、十分な測定精度が得られないという問題がある。
Further, in the method described in
本発明は、以上の点に鑑みて成されたもので、外部からのプローブを接触される等の必要がなく、十分な測定精度の得られる検査を実現できる電気光学装置用基板を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above points, and provides an electro-optical device substrate that does not require contact with an external probe and that can realize inspection with sufficient measurement accuracy. With the goal.
本発明の電気光学装置用基板は、複数の走査線と、該複数の走査線と交差する複数の第1の信号線と、前記複数の走査線と交差し、前記第1の信号線とは電気的に非接続状態である複数の第2の信号線と、前記複数の走査線と、前記複数の第1の信号線及び前記複数の第2の信号線との交差に対応してマトリックス状に配置された複数の画素と、前記複数の画素に対応してそれぞれ設けられた複数のスイッチング素子と、前記複数の第1の信号線のそれぞれに対応して設けられ、前記複数の第1の信号線の第1の電位信号と、基準電位としての第2の電位信号とを入力する複数の第1の増幅手段と、前記複数の第2の信号線のそれぞれに対応して設けられ、前記複数の第2の信号線の第3の電位信号と、基準電位としての第4の電位信号とを入力する複数の第2の増幅手段と、前記複数の第1の増幅手段から前記複数の第1の信号線のそれぞれに出力された第1の出力電位信号を読み出す第1のデータ読出手段と、前記複数の第2の増幅手段から前記複数の第2の信号線のそれぞれに出力された第2の出力電位信号を読み出す第2のデータ読出手段と、有し、前記複数の第1の増幅手段のそれぞれは、前記第1の電位信号と前記第2の電位信号とを比較し、前記第1の電位信号が低い場合には、前記第1の信号線の電位をより低くして、そのより低くした前記第1の出力電位信号を前記第1の信号線に出力し、前記第1の電位信号が高い場合には、前記第1の信号線の電位をより高くして、そのより高くした前記第1の出力電位信号を前記第1の信号線に出力し、前記複数の第2の増幅手段のそれぞれは、前記第3の電位信号と前記第4の電位信号とを比較し、前記第3の電位信号が低い場合には、前記第2の信号線の電位をより低くして、そのより低くした前記第2の出力電位信号を前記第2の信号線に出力し、前記第3の電位信号が高い場合には、前記第2の信号線の電位をより高くして、そのより高くした前記第2の出力電位信号を前記第2の信号線に出力する。
このような構成によれば、外部からのプローブを接触される等の必要がなく、十分な測定精度の得られる検査のできる電気光学装置用基板を実現することができる。さらに、各信号線が電気的に非接続状態となっているため、信号線の容量が半分となるので、読み出し電位を大きくすることができる。
The electro-optical device substrate of the present invention includes a plurality of scanning lines, a plurality of first signal lines intersecting with the plurality of scanning lines, and the plurality of scanning lines intersecting with the first signal lines. A matrix shape corresponding to intersections of the plurality of second signal lines that are electrically disconnected, the plurality of scanning lines, the plurality of first signal lines, and the plurality of second signal lines. A plurality of pixels arranged in correspondence with the plurality of pixels, a plurality of switching elements respectively provided corresponding to the plurality of pixels, and a plurality of first signal lines. A plurality of first amplifying means for inputting a first potential signal of the signal line and a second potential signal as a reference potential; and provided corresponding to each of the plurality of second signal lines, A third potential signal of a plurality of second signal lines and a fourth potential signal as a reference potential; A plurality of second amplifying means for outputting, a first data reading means for reading out a first output potential signal output from each of the plurality of first amplifying means to each of the plurality of first signal lines; Second data reading means for reading a second output potential signal output from the plurality of second amplifying means to each of the plurality of second signal lines; and the plurality of first amplifying means. Each of the first potential signal and the second potential signal are compared, and when the first potential signal is low, the potential of the first signal line is made lower. The lowered first output potential signal is output to the first signal line, and when the first potential signal is high, the potential of the first signal line is made higher and higher. Outputting the first output potential signal to the first signal line; Each of the width means compares the third potential signal with the fourth potential signal, and when the third potential signal is low, lowers the potential of the second signal line, The lower second output potential signal is output to the second signal line, and when the third potential signal is high, the potential of the second signal line is increased to The increased second output potential signal is output to the second signal line.
According to such a configuration, it is not necessary to contact an external probe, and an electro-optical device substrate that can be inspected with sufficient measurement accuracy can be realized. Further, since each signal line is electrically disconnected, the capacity of the signal line is halved, so that the read potential can be increased.
また、本発明の電気光学装置用基板において、前記第1の電位信号及び前記第3の電位信号のそれぞれは、前記複数のスイッチング素子を介して前記複数の画素の全部又は一部に書き込まれた信号の電位であり、前記第2の電位信号及び前記第4の電位信号の電位のそれぞれは、外部から供給される電位であることが望ましい。
このような構成によれば、画素の不良を、画素毎に不良として検出することができる。
In the electro-optical device substrate of the present invention, each of the first potential signal and the third potential signal is written to all or a part of the plurality of pixels through the plurality of switching elements. Preferably, each of the second potential signal and the fourth potential signal is a potential supplied from the outside.
According to such a configuration, a pixel defect can be detected as a defect for each pixel.
また、本発明の電気光学装置用基板において、前記第1、前記第2、前記第3及び前記第4の電位信号のそれぞれは、前記複数のスイッチング素子を介して前記複数の画素の全部又は一部に書き込まれた信号の電位であり、前記第1、前記第2、前記第3及び前記第4の電位信号のそれぞれは、対応する前記複数の第1及び前記複数の第2の信号線を介して、対応する前記複数の第1及び前記複数の第2の増幅手段に供給されることが望ましい。
このような構成によれば、2つの画素の電位を比較するため、2つの画素のいずれかが不良であれば、その不良を検出することができる。
In the electro-optical device substrate according to the aspect of the invention, each of the first, second, third, and fourth potential signals may include all or one of the plurality of pixels via the plurality of switching elements. Each of the first, the second, the third, and the fourth potential signals has a corresponding plurality of the first and the plurality of second signal lines. It is preferable that the plurality of first amplifying units and the plurality of second amplifying units are supplied.
According to such a configuration, since the potentials of the two pixels are compared, if any of the two pixels is defective, the defect can be detected.
また、本発明の電気光学装置用基板において、前記複数の第1及び前記複数の第2の増幅手段のそれぞれは、差動増幅器であることが望ましい。
また、本発明の電気光学装置用基板において、前記第1及び前記第2のデータ読出手段のそれぞれは、読み出した前記電位信号を出力するための差動増幅器を有することが望ましい。
このような構成によれば、2つの信号線の電位の差を明確にして出力することができる。
In the electro-optical device substrate of the present invention, it is preferable that each of the plurality of first and the plurality of second amplifying units is a differential amplifier.
In the electro-optical device substrate of the present invention, it is preferable that each of the first and second data reading units includes a differential amplifier for outputting the read potential signal.
According to such a configuration, the potential difference between the two signal lines can be clearly output.
また、本発明の電気光学装置用基板において、前記複数の画素のそれぞれには、付加容量が設けられていることが望ましい。
このような構成によれば、付加容量の不良を検出することができる。
In the electro-optical device substrate according to the aspect of the invention, it is preferable that an additional capacitor is provided for each of the plurality of pixels.
According to such a configuration, it is possible to detect a defect in the additional capacity.
また、本発明の電気光学装置用基板において、ささらに、前記複数の第1及び前記複数の第2の信号線にそれぞれ接続され、前記複数の画素をプリチャージする複数の第1及び第2のプリチャージ回路を有することが望ましい。
このような構成によれば、各種特性の検査において利用することができる。
In the electro-optical device substrate according to the aspect of the invention, the plurality of first and second pixels connected to the plurality of first and plurality of second signal lines, respectively, and precharge the plurality of pixels. It is desirable to have a precharge circuit.
According to such a structure, it can utilize in the test | inspection of various characteristics.
また、本発明の電気光学装置用基板において、前記複数の第1及び前記複数の第2の信号線にそれぞれ接続され、前記複数の画素に書き込まれる画像信号を供給する第1及び第2のビデオ信号線と、前記第1及び前記第2のビデオ信号線から供給された画像信号を前記第1及び前記第2の信号線に供給する複数の第1及び第2のトランスミッションゲートとを有し、前記第1及び前記第2のデータ読み出し手段は、それぞれ前記第1及び前記第2のビデオ信号線を含むことが望ましい。
このような構成によれば、複数のトランスミッションゲートを制御することによって、ビデオ信号線への画像信号の供給あるいは画像信号の読み出しができる。
In the electro-optical device substrate according to the aspect of the invention, the first and second videos may be connected to the plurality of first and second signal lines and may supply image signals to be written to the pixels. A signal line; and a plurality of first and second transmission gates that supply the first and second signal lines with the image signals supplied from the first and second video signal lines, It is preferable that the first and second data reading means include the first and second video signal lines, respectively.
According to such a configuration, it is possible to supply an image signal to a video signal line or read an image signal by controlling a plurality of transmission gates.
また、本発明の電気光学装置は、一対の基板間に電気光学物質を挟持してなる電気光学装置において、前記一対の基板の一方に本発明の電気光学装置用基板を用いた。
また、本発明の電子機器は、本発明の電気光学装置を用いた。
このような構成によれば、外部からのプローブを接触される等の必要がなく、十分な測定精度の得られる検査のできる電気光学装置用基板を用いた電気光学装置又は電子機器が実現できる。
In the electro-optical device of the present invention, the electro-optical device substrate of the present invention is used for one of the pair of substrates in an electro-optical device in which an electro-optical material is sandwiched between the pair of substrates.
The electronic apparatus of the present invention uses the electro-optical device of the present invention.
According to such a configuration, it is possible to realize an electro-optical device or an electronic apparatus using an electro-optical device substrate that can be inspected with sufficient measurement accuracy without requiring contact with an external probe.
本発明の電気光学装置用基板の検査方法は、複数の走査線と、該複数の走査線のうちの第1の走査線と交差する複数の第1の信号線と、前記複数の走査線のうちの第2の走査線と交差し、前記第1の信号線とは電気的に非接続状態であるとともに、前記走査線の方向に延伸する分割線に対して前記第1の信号線とは線対称の方向に延伸する複数の第2の信号線と、前記複数の走査線と、前記複数の第1の信号線及び前記複数の第2の信号線との交差に対応してマトリックス状に配置された複数の画素と、前記複数の画素に対応してそれぞれ設けられた複数のスイッチング素子と、を有する電気光学装置用基板の検査方法であって、前記第1の信号線に対応する画素に第1の電位信号を、前記第2の信号線に対応する画素に第3の電位信号をそれぞれ書き込む工程と、前記画素に書き込まれた第1の電位信号を読み出す工程と、読み出された前記第1の電位信号と、前記第1の電位信号とは電位が異なる基準信号としての第2の電位信号とを比較し、前記第1の電位信号が低い場合には、前記第1の信号線の電位をより低くして、そのより低くした第1の出力電位信号を前記第1の信号線に出力し、前記第1の電位信号が高い場合には、前記第1の信号線の電位をより高くして、そのより高くした第1の出力電位信号を前記第1の信号線に出力する第1の出力工程と、前記書き込み工程で書き込まれた第1の電位信号と前記第1の出力工程で出力された前記第1の出力電位信号とを比較する第1の比較工程と、前記画素に書き込まれた第3の電位信号を読み出す工程と、読み出された前記第3の電位信号と、前記第3の電位信号とは電位が異なる基準信号としての第4の電位信号とを比較し、前記第3の電位信号が低い場合には、前記第3の信号線の電位をより低くして、そのより低くした第3の出力電位信号を前記第2の信号線に出力し、前記第3の電位信号が高い場合には、前記第2の信号線の電位をより高くして、そのより高くした第2の出力電位信号を前記第2の信号線に出力する第2の出力工程と、前記書き込み工程で書き込まれた第3の電位信号と前記第2の出力工程で出力された前記第2の出力電位信号とを比較する第2の比較工程とを有する。 The inspection method for a substrate for an electro-optical device according to the present invention includes a plurality of scanning lines, a plurality of first signal lines intersecting with the first scanning line among the plurality of scanning lines, and the plurality of scanning lines. The first signal line intersects with the second scanning line, is electrically disconnected from the first signal line, and is divided with respect to the dividing line extending in the direction of the scanning line. A plurality of second signal lines extending in a line symmetric direction, the plurality of scanning lines, and a plurality of first signal lines and a plurality of second signal lines in a matrix form corresponding to intersections An inspection method for a substrate for an electro-optical device, comprising: a plurality of arranged pixels; and a plurality of switching elements respectively provided corresponding to the plurality of pixels, the pixels corresponding to the first signal line The first potential signal is applied to the pixel corresponding to the second signal line, and the third potential signal is applied to the pixel corresponding to the second signal line. Each of the writing step, the step of reading the first potential signal written to the pixel, the read out first potential signal, and the first potential signal as a reference signal having a different potential. When the first potential signal is low, the potential of the first signal line is made lower and the lower first output potential signal is compared with the first potential signal. When the first potential signal is output to the signal line and the first potential signal is high, the potential of the first signal line is made higher, and the first output potential signal that is made higher is supplied to the first signal line. A first output step for outputting; a first comparison step for comparing the first potential signal written in the writing step with the first output potential signal outputted in the first output step; A step of reading the third potential signal written in the pixel; and The third potential signal is compared with a fourth potential signal as a reference signal having a potential different from that of the third potential signal, and when the third potential signal is low, the third signal If the potential of the line is made lower and the lower third output potential signal is outputted to the second signal line, and the third potential signal is high, the potential of the second signal line And a second output step for outputting the higher second output potential signal to the second signal line, the third potential signal written in the writing step, and the second potential signal. And a second comparison step of comparing the second output potential signal output in the output step.
このような構成によれば、外部からのプローブを接触される等の必要がなく、十分な測定精度の得られる検査のできる電気光学装置用基板の検査方法を実現することができる。 According to such a configuration, it is possible to realize a method for inspecting a substrate for an electro-optical device that does not require contact with an external probe and can perform inspection with sufficient measurement accuracy.
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
ここでは、本発明の電気光学装置用基板の一例として、液晶表示装置に用いるアクティブマトリックス型表示装置用基板を例にとって説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
Here, as an example of the electro-optical device substrate of the present invention, an active matrix display device substrate used in a liquid crystal display device will be described as an example.
(第1の実施の形態)
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る液晶表示装置の素子基板上の回路要素の配置を示す図である。液晶表示装置の素子基板1は、アクティブマトリックス型表示装置用基板であるTFT基板である。素子基板1の各回路要素は、基板上において、後述する表示素子アレイ部2を二分割する分割線ACに対してミラー反転した配置となっている。
具体的には、図1に示すように、素子基板1は、液晶表示部となる表示素子アレイ部2を有する。表示素子アレイ部2は、マトリックス状の複数の画素を有し、各画素に対して、表示用画素データが供給されることによって、画像を表示することができる。素子基板1の略中央部に形成された表示素子アレイ部2は、表示領域を面積において半分に分割するように、マトリックスの一方向、ここでは、Y方向に並んだ複数の画素の中央部において各信号線Sが電気的に非接続状態であり、後述する画像表示及び検査においては、独立して駆動されるように分割されている。従って、表示素子アレイ部2は、互いに独立した、2つの表示素子アレイ部2Aと2Bからなる。そのため、素子基板1は、2つの表示素子アレイ部2A、2Bを、それぞれ独立に駆動するための別々の複数の回路要素を有する。
(First embodiment)
FIG. 1 is a diagram showing an arrangement of circuit elements on an element substrate of a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention. The
Specifically, as shown in FIG. 1, the
図1に示すように、素子基板1上の各種回路等が形成される領域1Tは、分割線ACを境に、第1の表示素子アレイ部2Aを含む第1の領域1Aと、第2の表示素子アレイ部2Bを含む第2の領域1Bとに分けられている。第1の領域1Aには、第1の表示素子アレイ部2Aと、第1の表示素子アレイ部2Aを駆動するための複数の回路要素とが形成されている。第2の領域1Bには、第2の表示素子アレイ部2Bと、第2の表示素子アレイ部2Bを駆動するための複数の回路要素とが形成されている。以下の説明では、第1の領域1Aに形成される回路要素を上段側回路部と、第2の領域1Bに形成される回路要素を下段側回路部として説明する。
なお、本実施の形態では、表示素子アレイ部2は、2次元マトリックスの一方向、ここではY方向における真ん中で分割、すなわち信号線が電気的に非導通状態となっているが、真ん中で分割しなくてもよい。例えば、表示領域がちょうど半分にならなくてもよく、例えば、Y方向において、上下に51:49の比で分割したり、40:60の比で分割する等してもよい。ここでは、表示素子アレイ部2は、Y方向において50:50になるように分割され、かつ、分割線ACに関して、第1の表示素子アレイ部2Aと第2の表示素子アレイ部2Bは、線対称となっている。
後述するように、第1の表示素子アレイ部2Aと第2の表示素子アレイ部2Bにおいては、それぞれ、複数の走査線と複数の信号線とが交差し、第1の表示素子アレイ部2Aの複数の信号線と、第2の表示素子アレイ部2Bの複数の信号線とは、電気的に非接続状態である。かつ、第1の表示素子アレイ部2Aの複数の信号線と、第2の表示素子アレイ部2Bの複数の信号線とは、走査線の方向に延伸する分割線ACに対して、互いに線対称の方向に延伸する。
As shown in FIG. 1, a region 1T on which various circuits and the like are formed on the
In the present embodiment, the display
As will be described later, in the first display
そして、後述するように、表示素子アレイ部2は、境界線である分割線ACにおいて分割され、第1の表示素子アレイ部2Aと第2の表示素子アレイ部2Bに分かれているが、表示素子アレイ部2内の複数の画素は、X方向及びY方向のそれぞれにおける相互間の距離は一定である。その結果、それぞれの駆動回路によって駆動されて表示素子アレイ部2の第1及び第2の表示素子アレイ部2A及び2Bに表示される2つの画像が分割線ACに対して離れてあるいは接近しているようには、見えないので、その画像を見る者に違和感を与えることはない。
As will be described later, the display
なお、逆に、第1の表示素子アレイ部2Aと第2の表示素子アレイ部2B内の複数の画素は、X方向及びY方向のそれぞれにおける相互間の距離は一定であるが、分割線ACを挟む画素間の距離を、前記相互間の距離とは異なるようにしてもよい。
Conversely, the plurality of pixels in the first display
第1の領域1Aにおける、第1の表示素子アレイ部2Aを駆動するための複数の回路要素は、プリチャージ回路部3Aと、表示データ読み出し回路部4Aと、Xドライバ部5Aと、Yドライバ部5A1と、トランスミッションゲート部6Aと、ビデオ信号線7Aと、接続ゲート部9Aとを含む。本実施の形態では、図1に示すように、素子基板1上において、複数の回路要素は、分割線ACから離れる方向D1に向かって、第1の表示素子アレイ部2A、プリチャージ回路部3A、トランスミッションゲート部6A、ビデオ信号線7A、Xドライバ部5A、接続ゲート部9A、表示データ読み出し回路部4Aの順に形成されている。Yドライバ部5Bは、第1の表示素子アレイ部2AのY方向に沿って、第1の表示素子アレイ部2Aの一方側に形成されている。第1の表示素子アレイ部2Aは、これらの複数の回路要素によって駆動される。
A plurality of circuit elements for driving the first display
なお、図2ではビデオ信号線7Aは2本で示してあるが、画像信号を相展開する場合には、ビデオ信号線7Aの本数は画像信号の相展開数に応じた本数だけ設ければよい。例えば画像信号を6相(6つの系列)に展開する場合はビデオ信号線7Aの本数は6本、画像信号を12相に展開する場合にはビデオ信号線7Aの本数は12本となる。
In FIG. 2, two
第2の領域1Bにおける、第2の表示素子アレイ部2Bを駆動するための複数の回路要素は、プリチャージ回路部3Bと、表示データ読み出し回路部4Bと、Xドライバ部5Bと、Yドライバ部5B1と、トランスミッションゲート部6Bと、ビデオ信号線7Bと、接続ゲート部9Bとを含む。本実施の形態では、図1に示すように、素子基板1上において、複数の回路要素は、方向D1とは反対方向であって、分割線ACから離れる方向D2に向かって、第1の表示素子アレイ部2B、プリチャージ回路部3B、トランスミッションゲート部6B、ビデオ信号線7B、Xドライバ部5B、接続ゲート部9B、表示データ読み出し回路部4Bの順に形成されている。Yドライバ部5B1は、第2の表示素子アレイ部2BのY方向に沿って、第2の表示素子アレイ部2Bの一方側に形成されている。第2の表示素子アレイ部2Bは、これらの複数の回路要素によって駆動される。従って、第1の領域1A内の回路要素の配置と、第2の領域1B内の回路要素の配置は、分割線ACに対して線対称の関係となっている。
A plurality of circuit elements for driving the second display element array unit 2B in the second region 1B are a precharge circuit unit 3B, a display data read circuit unit 4B, an X driver unit 5B, and a Y driver unit. 5B1, a transmission gate portion 6B, a video signal line 7B, and a connection gate portion 9B. In the present embodiment, as shown in FIG. 1, on the
次に、図2を用いて、表示素子アレイ部2と、その表示素子アレイ部2を駆動するための複数の回路要素について詳細に説明する。
図2は、素子基板1の回路構成、主として、上段側回路部の回路構成を示す回路図である。表示部となる表示素子アレイ部2Aは、マトリックス状に2次元に配置されたm行×n列の複数の画素のセルからなる。ここで、m,nはそれぞれ整数である。従って、表示素子アレイ部2は、2m行×n列の複数の画素のセルから構成される。上段側回路部は、表示素子アレイ部2AのX方向(横方向)及びY方向(縦方向)に並んだ複数の画素2aを駆動するために、Xドライバ部5Aと、Yドライバ部5A1と、トランスミッションゲート部6Aと、ビデオ信号線7Aも含む。Xドライバ部5A、Yドライバ部5A1、トランスミッションゲート部6A及びビデオ信号線7Aが、データ書込手段及びデータ読出手段のそれぞれを構成する。トランスミッションゲート部6Aは、ビデオ信号線7Aから入力される画素データ信号をXドライバ部5Aからの出力タイミング信号に応じて供給する。ビデオ信号線7Aは、マトリックス状の表示素子アレイ部2Aの奇数列に信号を供給する信号線と、偶数列に信号を供給する信号線とを有し、それぞれの端子inoとineとに接続されている。
Next, the display
FIG. 2 is a circuit diagram showing the circuit configuration of the
表示データ読み出し回路部4Aは、接続ゲート部9Aを介してプリチャージ回路部3Aから出力されるソース線Sと接続されている。トランスミッションゲート部9Aの各トランジスタ9aのゲート端子は、それぞれ接続ゲート端子9bに信号線を9c介して接続されている。通常は、接続ゲート端子9bの電位は、トランジスタ9dのゲート端子がHIGHとなっているため、信号線9cはLOWとなっており、表示データ読み出し回路部4Aはソース線から切り離されている。よって、図2の構成によれば、表示データ読み出し回路部4Aを使用しないときは、完全に切り離して、差動増幅器4aの不安定動作状態の影響を受けないようにすることができるというメリットがある。
The display data read
後述するように、信号線9cの電位をHIGHとするように接続ゲート端子9bの電位を制御することによって、表示データ読み出し回路部4Aへ信号線Sの信号を供給することができる。
As will be described later, by controlling the potential of the connection gate terminal 9b so that the potential of the signal line 9c is HIGH, the signal of the signal line S can be supplied to the display data reading
また、ビデオ信号線7Aに、カレントミラーアンプを含む差動増幅器10が設けられている。これは、ビデオ信号線7A自体の持つ容量成分等によってHIGHとLOWの信号の差が小さくなることを防止するのが目的で、HIGH,LOW信号をさらに明確にして出力信号outo,outeを高速に精度良く出力することができる。
Further, a
表示素子アレイ部2Aは、右から第1列、第2列、・・第n列で、上から第1行、第2行、・・第m行のマトリックスであるが、図2では、説明を簡単にするために、4(行)×6(列)のマトリックスの画素からなる回路の例を示している。
プリチャージ回路部3Aは、後述するように、各種特性の検査のために、各画素をプリチャージするときの電圧を変えて利用することができる。
The display
As will be described later, the
表示データ読み出し回路部4Aには、2次元マトリックスの奇数列のソース線S(odd)と偶数列のソース線S(even)の1組のソース線に対して接続された1つの差動増幅器4aが、複数設けられている。検査時に用いられるテスト回路としての表示データ読み出し回路部4Aが、アクティブマトリックス駆動型の液晶表示パネルの素子基板上に形成されている。
The display data read
第1の領域1A内の複数の信号線Sと第2の領域1B内の複数の信号線Sとは、電気的に非接続状態となっている。図2に示すように、第1の領域1A内の複数の信号線Sの端部STAは、第2の領域1B内の複数の信号線Sの端部STBとは、分割線ACを挟んで、非接続状態に形成されている。
The plurality of signal lines S in the
次に、表示素子アレイ部2Aの単位表示素子である画素2aについて説明する。図3は、本実施の形態に係わる1つのメモリセルである一つの画素の等価回路図である。
各画素2aは、スイッチング素子である薄膜トランジスタ(以下、TFTという)11と、液晶容量Clcと、液晶容量Clcに並列に接続された付加容量Csとを含む。TFT11のドレイン端子に液晶容量Clcと付加容量Csのそれぞれの一端が接続されている。付加容量Csの他端は、共通固定電位CsCOMに接続されている。TFT11のゲート端子gはYドライバ5bからの走査線Gに接続されている。TFT11のゲート端子gに所定の電圧信号が入力されてTFT11がオンすると、ソース線Sに接続されたTFT11のソース端子sに印加されている電圧が液晶容量Clcと付加容量Csに印加され、供給された所定の電位が維持される。
Next, the
Each
図4は、表示データ読み出し回路部4の差動増幅器4aの回路図である。図4に示す差動増幅器4aは、2次元マトリックスの一方向、ここでは、X方向におけるn個の画素(nは整数で、偶数)に対して、(n/2)個設けられている。従って、n列の画素に対して、(n/2)個の差動増幅器4aが対応する複数のソース線に接続されている。
FIG. 4 is a circuit diagram of the
各差動増幅器4aは、2つのPチャネル型のトランジスタ21,22と、2つのNチャネル型のトランジスタ23,24とを含む。トランジスタ21と23とからなる第1の直列回路と、トランジスタ22と24とからなる第2の直列回路とが並列接続されている。トランジスタ21のゲート端子と、トランジスタ22と24の接続点soとが接続されている。トランジスタ22のゲート端子と、トランジスタ21と23の接続点seとが接続されている。トランジスタ23のゲート端子と、トランジスタ22と24の接続点soとが接続されている。トランジスタ24のゲート端子と、トランジスタ21と23の接続点seとが接続されている。接続点soは、奇数列の画素のソース線S1,S3,S5,・・に接続されている。接続点seは、偶数列の画素のソース線S2,S4,S6,・・に接続されている。各差動増幅器4aのトランジスタ21と22の接続点spは、表示データ読み出し回路部4の第1の駆動電源SAp-chを供給する端子4bに接続されている。各差動増幅器4aのトランジスタ23と24の接続点snは、表示データ読み出し回路部4の第2の駆動電源SAn-chを供給する端子4cに接続されている。
Each
増幅手段としての交差結合形増幅器である差動増幅器4aは、後述するように、接続点so,seに接続された2つのソース線S、すなわち奇数列のソース線S(odd)と偶数列のソース線S(even)において、一方には高い電圧が、他方には低い電圧が供給された場合に、差動増幅器4aは、奇数列と偶数列の2つのソース線S(odd)とS(even)に現れる、それぞれの電圧差に応じて、低い電圧の方のソース線の電圧をより低くし、高い電圧の方のソース線電圧をより高くするように動作する。
As will be described later, the
図4の差動増幅器4aにおいて、端子4bに接続される接続点spは、出力レベルをHIGHの信号(以下、単にHIGHという)にするタイミング信号が入力される端子である。端子4cに接続される接続点snは、出力レベルをLOWの信号(以下、単にLOWという)にするタイミング信号が入力される端子である。
In the
動作としては、例えば、接続点seが接続点soに比べてわずかに高い電位とすると、トランジスタ24が最初にオンする。その結果、トランジスタ24がオンとなるので、接続点soは端子4cの低い接地電位まで落ちる。そして、接続点soが端子4cの低い接地電位まで落ちるので、ゲート端が接続点soに接続されたトランジスタ21がオンなる。その結果、接続点seは端子4bの高い電源電圧Vddまで上昇する。
As an operation, for example, when the connection point se has a slightly higher potential than the connection point so, the
このように、差動増幅器4aは、隣り合う2つのソース線の高い電位の方のソース線の電位をより高くし、低い電位の方のソース線の電位をより低くするように機能する。
なお、本実施の形態では、隣り合う2つのソース線に1つの差動増幅器4aを設けている。これは、素子基板1上に差動増幅器4aを形成し易いからであるとともに、外来ノイズがあった場合に両方のソース線に同じように影響を及ぼすからであり、隣り合わない画素のソース線に対して1つの差動増幅器を設けてもよい。
Thus, the
In the present embodiment, one
本実施の形態によれば、以上のような構成のアクティブマトリックス型表示装置である液晶表示装置の素子基板が製造工程において製造されると、対向基板と貼り合わせて液晶を封入する前の素子基板自体の電気特性を評価あるいは検査を行うことができる。電気的特性の検査対象とする不良としては、素子基板の各画素のデータ保持用キャパシタ(付加容量Cs)のリークによるLOW固定不良、スイッチング素子であるTFTのソース・ドレイン間リークによるHIGH固定不良等がある。 According to the present embodiment, when the element substrate of the liquid crystal display device which is an active matrix display device having the above-described configuration is manufactured in the manufacturing process, the element substrate before being bonded to the counter substrate and encapsulating the liquid crystal The electrical characteristics of itself can be evaluated or inspected. Defective electrical characteristics to be inspected include LOW fixing failure due to leakage of data holding capacitor (additional capacitance Cs) of each pixel on the element substrate, and HIGH fixing failure due to leakage between TFT and source of switching element. There is.
第2の領域1Bには、図1に示したように、分割線ACに関して線対称、すなわちいわゆるミラー反転した配置で第1の領域1Aと構成が同一の回路要素が形成されている。そして、各信号線Sは、上述したように、分割線ACにおいて分断されており、表示素子アレイ部2A内の信号線Sと表示素子アレイ部2B内の信号線Sとは電気的に接続されていない。
従って、表示素子アレイ部2Aと2Bを合わせた1つの表示部に全体として1つの画像の表示を行うために、表示素子アレイ部2Aと2Bにおける、駆動回路となる各種回路要素のそれぞれには、別々に、その1つの画像を表示素子アレイ部2Aと2Bに対応して分割した2つの画像データが供給される。すなわち、第1の表示素子アレイ部2Aと第2の表示素子アレイ部2Bの画像表示は、それぞれ別々に制御されるが、同一の表示タイミングで制御されることによって、表示素子アレイ部2に1つの画像が表示される。
In the second region 1B, as shown in FIG. 1, circuit elements having the same configuration as that of the
Accordingly, in order to display one image as a whole on one display unit including the display
以上のように、アクティブマトリックス型表示装置用基板の上段側回路と下段側回路は、構成において同一である。このように構成されたアクティブマトリックス型表示装置用基板の検査は、上段側回路と下段側回路は、別々に独立して行われる。よって、以下の説明では、上段側回路の検査について説明し、下段側回路の検査の説明については省略する。 As described above, the upper stage circuit and the lower stage circuit of the active matrix display device substrate are identical in configuration. In the inspection of the substrate for an active matrix display device configured as described above, the upper stage circuit and the lower stage circuit are separately and independently performed. Therefore, in the following description, the inspection of the upper circuit is described, and the description of the inspection of the lower circuit is omitted.
初めに、製造工程における素子基板1の検査を説明する前に、図2に示すTFT基板が対向基板と貼り合わされて液晶が封入されて完成された液晶表示装置が、通常の画像表示を行うときの動作について説明する。このとき、接続ゲート端子9bの電位は、LOWとなっており、表示データ読み出し回路部4Aはソース線から切り離されている。まず、2本のビデオ信号線7Aには、それぞれ奇数列と偶数列の画素信号である画素データ信号が、ビデオ信号線7Aの入力端子ineとinoに入力される。それぞれの画素データ信号は、Xドライバ5Aからの列選択信号に応じて、トランスミッションゲート部6Aのそれぞれのトランジスタを介して、各ソース線Sへ供給される。
First, before explaining the inspection of the
各ソース線Sに供給された画素信号は、Yドライバ5A1からの走査線GがHIGHになって選択された行の各画素2aに書き込まれる。従って、選択された走査線Gにおいてソース線Sに供給される画素データ信号が対応する画素2aに表示用の画素データ信号として供給されて保持される。この動作を、行順次で行うことにより、液晶表示装置の表示素子アレイ部2Aには、所望の画像が表示される。同様に、下段側回路においても同様の表示制御を行うことによって、表示素子アレイ部2Bに所望の画像が表示される。
The pixel signal supplied to each source line S is written to each
プリチャージ回路部3Aは、走査線GがHIGHになる前に、プリチャージ電圧Vpcを各ソース線Sに印加するための回路である。プリチャージ電圧Vpcは、プリチャージ回路部3Aの端子3aに供給される。プリチャージ電圧Vpcを供給するタイミングは、プリチャージゲート端子3bに与える電圧によって決定される。
従って、製品あるいは試作品としての液晶表示装置として画像表示が行われるときは、素子基板1の表示データ読み出し回路部4Aは、動作せず使用されない。
The
Therefore, when an image is displayed as a liquid crystal display device as a product or a prototype, the display data reading
次に、素子基板1において、図2に示す回路部分が半導体プロセスの工程によって製造された後に、素子基板1の状態において行われる検査の手順について説明する。この素子基板1の検査において、表示データ読み出し回路部4Aが動作して使用される。このとき、接続ゲート端子9bの電位は、HIGHとなっており、表示データ読み出し回路部4Aはソース線Sと接続された状態である。
まず検査方法を実現するための検査システムについて説明する。図5は、本実施の形態に係わる検査システムの構成図である。素子基板1と、画素データの書き込みと読み込みができるテスト装置31とを、接続ケーブル32を介して接続する。接続ケーブル32は、素子基板1のデータ線7Aの端子ino,ine、表示データ読み出し回路部4Aの信号線の端子4b、4c、プリチャージ回路部3Aの端子3a、3b、接続ゲート部9Aの端子9b等を、テスト装置31に電気的に接続する。
Next, an inspection procedure performed in the state of the
First, an inspection system for realizing the inspection method will be described. FIG. 5 is a configuration diagram of the inspection system according to the present embodiment. The
テスト装置31から、後述する所定の順番で、所定の電圧を各端子に供給することによって、素子基板1の電気的特性の検査を行うことができる。以下に、その検査内容として、上述したLOW固定不良とHIGH固定不良の有無についての検査を行う手順を説明する。
The electrical characteristics of the
次に、検査の全体の流れを説明する。図6は、その検査の流れの例を示すフローチャートである。
表示データ読み出し回路部4Aの各差動増幅器4aを非動作状態にする。具体的には、第1の駆動電源SAp-chと第2の駆動電源SAn-chを、それぞれ電源電圧Vddと接地電位の中間電位(Vdd/2)にする。その状態で、ビデオ信号線7Aの入力端子ino,ineから、セルである各画素に所定の画素データ信号を入力、すなわち書き込む(ステップ(以下、Sと略す)1)。具体的には、奇数側のソース線S(odd)にHIGHを、偶数側のソース線S(even)にLOWを供給することによって、選択された行の奇数番目の画素にはHIGHが書き込まれ、偶数番目の画素にはLOWが書き込まれる。この書込工程が、行毎に行われ、全行について行われる。図7は、4(行)×6(列)の各画素に書き込まれる画素データのLOW(L)と、HIGH(H)の状態を示す図である。図7に示すように、表示素子アレイ部2Aの各画素データは、LOW(L)の列とHIGH(H)の列が交互に表れるマトリックスとなる。
Next, the overall flow of inspection will be described. FIG. 6 is a flowchart showing an example of the inspection flow.
The
次に、表示データ読み出し回路部4Aを動作させながら、書き込まれた画素データを行毎に読み出す(S2)。表示データ読み出し回路部4Aの動作については後述する。後述するように、表示データ読み出し回路部4Aが動作するときに、最初のプリチャージ期間は、やや長くしており、それによりデータ保持用キャパシタ(Cs)において電流リーク現象による電圧の変化が確実に表れるようにしている。すなわち、表示データ読み出し回路部4Aは、画素データを読み出すときに、信号線上の信号出力を増幅して出力する出力工程を実行する。
Next, the written pixel data is read for each row while operating the display data reading
そして、テスト装置31は、読出工程において読み出した画素データと、書込工程において書き込んだ画素データとを比較する(S3)。この比較工程においては、各画素について書き込んだ画素データと読み出した画素データが一致しているか否かが判断される。
テスト装置31は、書き込んだ画素データと読み出した画素データが一致していないセル、すなわち画素を特定し、異常セルとして、例えばセル番号等のデータを、図示しないモニタの画面上に表示するように出力する(S4)。
Then, the
The
次に、図8のタイミングチャートを用いて、図6のS2の画素データの読み出し動作を説明する。図8は、図2の回路における読み出し動作を説明するためのタイミングチャートである。画素の検査は、基準となる列に対して、検査対象の列が正常であるか否かを判定することによって行われる。まず、基準とする列を偶数列とし、検査対象とする列を奇数列とする。図8に示すタイミングのための信号は、テスト装置31によって生成されて各端子に供給される。
Next, the reading operation of the pixel data in S2 of FIG. 6 will be described using the timing chart of FIG. FIG. 8 is a timing chart for explaining a read operation in the circuit of FIG. The pixel inspection is performed by determining whether or not the inspection target column is normal with respect to the reference column. First, the reference column is an even column, and the column to be inspected is an odd column. A signal for timing shown in FIG. 8 is generated by the
初めに、図7に示すように、偶数列の画素を基準データ書き込み用とし,偶数側の画素にLOWが、被検査用の奇数側の画素にHIGHが書き込まれ、被検査対象の奇数列の各画素の検査が行われる。 First, as shown in FIG. 7, even-numbered pixels are used for writing reference data, LOW is written to even-numbered pixels, and HIGH is written to odd-numbered pixels to be inspected. Each pixel is inspected.
図7に示すように、全画素へ上述した所定の画素データの書き込み後、プリチャージ回路部3Aの端子3bに供給されるプリチャージゲート電圧PCGが、HIGHとなり、プリチャージが行われる。プリチャージ状態で所定時間経た後に、読み出し動作が開始される。なお、各ソース線Sのプリチャージ電位(プリチャージ電圧印加端子3aに印加される電圧)VpcはHIGHとLOWの中間電位にし、図3に示すCsCOM電位を(LOW電位−ΔV)とする。CsCOM電位を(LOW電位−ΔV)とするのは、データ保持用キャパシタCsがリーク不良である場合、リーク先のCsCOM電位が(Low電位−ΔV)となるため、読み出し電位は基準側の電位より低くなるようにするためである。そして、最初のプリチャージ期間は、やや長い時間を設定しておき、リーク不良による電圧変化が現れるようにする。
As shown in FIG. 7, after the predetermined pixel data is written to all the pixels, the precharge gate voltage PCG supplied to the terminal 3b of the
第1行目の読み出し動作では、まずプリチャージゲート電圧PCGをLOWにしてプリチャージを停止し、次に走査線G1の電位をHIGHにして第1行目の画素トランジスタである各TFT11をONする。走査線G1に接続された画素すべてのTFT11が一斉にONする。その結果、コンデンサCsに書き込まれた電荷がソース線Sに移動する。HIGHが書き込まれた奇数側ソース線(S(odd))が中間電位付近の高い側の電位から僅かに上昇し、基準側の偶数側ソース線(S(even))の電位は中間電位付近の低い側の電位から僅かに低下する。SAn-ch駆動電源をLOWにし、続いてSAp-ch駆動電源をHIGHにすることによって、表示データ読み出し回路部4Aを起動する。
In the read operation of the first row, first, the precharge gate voltage PCG is set to LOW to stop the precharge, and then the potential of the scanning line G1 is set to HIGH to turn on each
しかし、奇数側の画素のデータ保持用キャパシタCsのリークが生じていた場合は、図8において点線L1で示すように、偶数側ソース線(S(even))の電位より奇数側ソース線(S(odd))の電位の方がより低下する。その結果、点線L2で示すように、偶数側の電位が上昇する。 However, in the case where the leakage of the data holding capacitor Cs of the odd-numbered pixel occurs, as shown by the dotted line L1 in FIG. 8, the odd-numbered source line (S) from the potential of the even-numbered source line (S (even)). (odd)) potential is lower. As a result, as indicated by the dotted line L2, the even-side potential increases.
SAn-ch駆動電源がLOWになることで中間電位より僅かに低い側の電位がLOWに、続いてSAp-ch駆動電源がHIGHになることで中間電位より僅かに高い側の電位がHIGHに変化する。これは、上述したように、表示データ読み出し回路部4Aの各差動増幅器4aの動作により、2つのソース線Sに現れる高低2つの電位レベルが明確になるからである。この動作は走査線G1に接続された画素すべてにおいて一斉に行われる。
そして、トランスミッションゲート部6Aの各トランジスタのゲートTG1からTGnを順に開き(HIGHにし)、ビデオ信号線7Aから順番に第1行目の各画素の画素データを読み出す。
When the SAn-ch drive power supply goes LOW, the potential slightly lower than the intermediate potential changes to LOW, and when the SAp-ch drive power supply goes HIGH, the potential slightly higher than the intermediate potential changes to HIGH. To do. This is because, as described above, the high and low potential levels appearing on the two source lines S are clarified by the operation of each
Then, the gates TG1 to TGn of the transistors in the
最後のトランスミッションゲートTGnまで開いた後,再びプリチャージ動作に移る。そのプリチャージ動作、すなわち2回目以降のプリチャージ時間は初回ほど長い必要はない。 After opening up to the last transmission gate TGn, it moves to precharge operation again. The precharge operation, that is, the precharge time after the second time does not need to be as long as the first time.
従って、上述したように、書き込んだ画素データと読み出した画素データを比較し(S3)、書き込んだ検査対象の奇数側の画素のHIGHが、読み出したときにLOWとなっているときは、奇数側のその画素は、LOW固定不良であると判断することができる。そのようなLOW固定不良の画素、すなわち異常セルは、検査装置31において、図示しない表示装置等に出力される(S4)。 Therefore, as described above, the written pixel data is compared with the read pixel data (S3). When the HIGH of the odd-numbered pixel to be inspected is LOW at the time of reading, the odd-numbered side It can be determined that the pixel of LOW has a fixed LOW defect. Such a LOW fixed defective pixel, that is, an abnormal cell is output to a display device or the like (not shown) in the inspection device 31 (S4).
そのプリチャージ動作を停止した後は、第2の走査線G2の電位をHIGHにすることによって、第2行目の各画素のTFT11をONする。以降同様の動作を、最後の走査線Gmに接続された画素、すなわち、第m行目の各画素の画素データまで読み出す。
After stopping the precharge operation, the
読み出した各画素データと書き込んだ各画素データとを比較して、被検査対象の奇数列の各画素にLOW固定不良があるか否かのチェックを行うことができる。
次に、偶数列と奇数列の関係を逆にし、すなわち、奇数側の画素を基準データ書き込み用とし、奇数側の画素にLOWを、被検査用の偶数側の画素にHIGHを書き込み、図6に示す処理と同様の処理を行うことによって、基準となる奇数側の画素に対して、偶数側の画素に、LOW固定不良がないかどうかを検査する。
By comparing the read pixel data with the written pixel data, it is possible to check whether or not each pixel in the odd column to be inspected has a LOW fixing defect.
Next, the relationship between the even-numbered columns and the odd-numbered columns is reversed, that is, the odd-numbered pixels are used for writing reference data, LOW is written to the odd-numbered pixels, and HIGH is written to the even-numbered pixels to be inspected. By performing processing similar to the processing shown in FIG. 8, it is checked whether or not the even-numbered pixel has a LOW fixing defect with respect to the reference odd-numbered pixel.
以上のように、奇数と偶数の列のいずれか一方を基準として他方の画素にLOW固定不良がないかどうかの検査を、奇数と偶数の両列について行うことによって、全画素についてLOW固定不良がないかどうかを検査することができる。 As described above, by checking whether there is a LOW fixed defect in the other pixel with respect to one of the odd and even columns, the LOW fixed defect is detected for all the pixels. You can check for it.
次に図9を参照して、HIGH固定不良の有無の検査について説明する。図9は、HIGH固定不良の有無の検査における読み出し動作を説明するためのタイミングチャートである。
上述したLOW固定不良の場合と同様に、最初に偶数側の画素を基準データ書き込み用とするが、画素データの書き込みにおいては、偶数側の画素にHIGHを、被検査用の奇数側画素にLOWを書き込む。
Next, with reference to FIG. 9, the inspection for the presence or absence of HIGH fixation failure will be described. FIG. 9 is a timing chart for explaining the reading operation in the inspection for the presence / absence of a HIGH fixing defect.
As in the case of the LOW fixed defect described above, the even-numbered pixels are first used for writing reference data. However, when writing pixel data, HIGH is set for even-numbered pixels and LOW is set for odd-numbered pixels to be inspected. Write.
全画素への図7に示すような画素データ(図7のHIGHとLOWの関係を逆にした状態)の書き込み後、プリチャージ状態で所定時間経た後に読み出し動作が開始される。このとき各ソース線Sのプリチャージ電位(プリチャージ電圧印加端子3aに印加される電圧)Vpcを(HIGH電位+ΔV)電位とする。プリチャージ電位Vpcを(HIGH電位+ΔV)電位とするのは、TFT11のソース・ドレイン間がリークした場合、リーク先のソース線Sの電位は(HIGH電位+ΔV)のため、読み出し電位は基準側の電位より高くなるようにするためである。
After writing pixel data as shown in FIG. 7 to all the pixels (a state in which the relationship between HIGH and LOW in FIG. 7 is reversed), a read operation is started after a predetermined time in the precharge state. At this time, the precharge potential (voltage applied to the precharge
読み出し動作では、まずプリチャージを停止し、次に走査線G1の電位をHIGHにして各TFT11をONする。各TFT11は走査線G1に接続された第1行目の画素すべてにおいて一斉にONする。HIGHが書き込まれた基準側の偶数側ソース線S(even)の電位はプリチャージ電位Vpcから僅かに低下し(HIGH電位に変化)、LOWが書かれた奇数側ソース線S(odd)の電位は、プリチャージ電位Vpcよりさらに低下する。従って、差動増幅器4aは、LOWが書き込まれていた奇数側ソース線S(odd)の電位をより低くし、HIGHが書き込まれていた偶数側ソース線S(even)の電位はHIGH電位を維持する。
In the read operation, first, precharging is stopped, and then the potential of the scanning line G1 is set to HIGH to turn on each
しかし、検査対象の奇数側の画素のTFT11のソース・ドレイン間のリークが生じていた場合、リーク先の画素のキャパシタCsの電位はプリチャージ電位(HIGH電位+ΔV)となり、基準側の偶数側の画素の電位よりも高くなる。よって、画素データの読み出し時、図9の点線L3で示すように、奇数側のソース線S(odd)の電位はプリチャージ電位(HIGH電位+ΔV)のままでほとんど変化しない。すなわち、奇数側ソース線S(odd)の電位は、偶数側のソース線S(even)の電位より高くなる。SAn-ch駆動電源がLOWになることで低い側の電位がLOWに、続いてSAp-ch駆動電源がHIGHになることで高い側の電位がHIGHに変化する。その結果、点線L4で示すように、偶数側のソース線S(even)の電位はLOWに、奇数側のソース線S(odd)の電位はHIGHになる。
However, if a leak occurs between the source and drain of the
よって、検査対象の画素のセルにおいて、書き込んだ画素データと読み出した画素データが異なるので、異常セルを検出することができる。
以降の差動増幅器の動作は、上述したLOW固定不良の検出時と同様である。以上の動作を、今度は基準側を奇数側として、検査対象を偶数側として行うことによって、全ての画素についてHIGH固定不良の検査をすることができる。
Therefore, in the cell of the pixel to be inspected, the written pixel data and the read pixel data are different, so that an abnormal cell can be detected.
The subsequent operation of the differential amplifier is the same as that at the time of detecting the LOW fixing failure described above. By performing the above operation with the reference side as the odd side and the inspection target as the even side, it is possible to inspect all pixels for high fixation defects.
以上のように、基準側を偶数列と奇数列を入れ替えてLOW固定不良の検査を行い、同様に、基準側を偶数列と奇数列を入れ替えてHIGH固定不良の検査を行うことによって、全ての画素についてLOW固定不良とHIGH固定不良の有無の検査を行うことができる。 As described above, the LOW fixed defect is inspected by exchanging the even and odd columns on the reference side, and in the same manner, all the fixed defects are inspected by exchanging the even and odd columns on the reference side. A pixel can be inspected for the presence of a LOW fixing defect and a HIGH fixing defect.
なお、上述した例では、基準側の画素にHIGHあるいはLOWとして検査を行っているが、基準側の画素に中間電位の信号を書き込むようにしてもよい。
図10を用いて、基準側の画素にHIGHとLOWの中間電位を書き込んで検査を行う方法について説明する。
上述したLOW固定不良の検出の場合と同様に、最初に偶数側の画素を基準データ書き込み用とし、偶数側の画素にHIGHとLOWの中間電位を、被検査用の奇数側画素にはHIGH又はLOWを書き込む。例えば、図11に示すように、奇数側の画素には、初めにHIGHを書き込み、偶数側の画素には、HIGHとLOWの中間電位(M)を書き込む。
In the above-described example, the reference pixel is inspected as HIGH or LOW, but an intermediate potential signal may be written in the reference pixel.
A method for performing inspection by writing an intermediate potential between HIGH and LOW to a reference pixel will be described with reference to FIG.
As in the case of the detection of the LOW fixing defect described above, the even-numbered pixel is first used for writing the reference data, the intermediate potential between HIGH and LOW is set to the even-numbered pixel, and the HIGH or LOW is set to the odd-numbered pixel to be inspected. Write LOW. For example, as shown in FIG. 11, HIGH is first written to odd-numbered pixels, and an intermediate potential (M) between HIGH and LOW is written to even-numbered pixels.
全画素への書き込み後、プリチャージ状態で所定時間経た後、読み出し動作が開始される。このときソース線Sのプリチャージ電位(プリチャージ電圧印加端子3aに印加される電圧)をHIGHとLOWの中間電位にする。
After writing to all pixels, a read operation is started after a predetermined time in the precharge state. At this time, the precharge potential of the source line S (voltage applied to the precharge
読み出し動作では、まずプリチャージを停止し、つぎに走査線G1の電位をHIGHにして各TFT11をONする。TFT11は走査線G1に接続された画素すべてにおいて一斉にONする。基準側の偶数側ソース線の電位は、プリチャージ電位の中間電位のまま変化しない。奇数側のソース線Sの電位は、HIGHが書き込まれていたので、中間電位より僅かに上昇する。従って、差動増幅器4aによって、偶数側はLOWに、奇数側はHIGHになるので、奇数側に書き込んだ画素データはHIGHで変わらない。
In the reading operation, first, precharging is stopped, and then the potential of the scanning line G1 is set to HIGH to turn on each
しかし、検査対象の画素のキャパシタンスCsにリークが生じていた場合、奇数側のソース線S(odd)の電位は、中間電位より僅かに低下する。従って、差動増幅器4aによって、奇数側は図10の点線L5に示すようにLOWに、偶数側は点線L6に示すようにHIGHになるので、奇数側に書き込んだ画素データはHIGHではなくLOWになる。
However, when a leak occurs in the capacitance Cs of the pixel to be inspected, the potential of the odd-numbered source line S (odd) is slightly lower than the intermediate potential. Therefore, the
以降の動作は、上述したLOW固定不良の検出時と同様である。以下同様にして、全ての行について、画素データを読み出す。 The subsequent operation is the same as that at the time of detecting the LOW fixing failure described above. In the same manner, pixel data is read out for all rows.
次に、奇数側にLOWを書き込み(図11におけるHをLに変更した状態)、基準となる偶数側は中間電位を書き込む。そして、上述した奇数側にHIGHを書き込んで画素データを読み出した時の動作と同じ動作を、全ての画素について行順次で行う。 Next, LOW is written to the odd side (the state in which H in FIG. 11 is changed to L), and the intermediate potential is written to the even side serving as a reference. Then, the same operation as that when writing HIGH to the odd-numbered side and reading out the pixel data is performed in a row sequential manner for all the pixels.
その結果、基準側に中間電位を書き込み、検査対象側にHIGHとLOWを書き込み、それぞれの場合の画素データを読み出したデータを、テスト装置31は得ることができる。HIGHとLOWを書き込んだ画素データと、それぞれの場合に読み出した画素データを比較する。このとき、ある画素にLOWを書き込んだ場合とHIGHを書き込んだ場合のいずれの場合でも、LOWが読み出されるときは、その画素はキャパシタンスCsにリーク不良があることが第一に考えられる。
As a result, the
さらにはキャパシタンスまたはTFTの高抵抗、あるいはTFTのソース・ドレイン間リークによって常に検査対象側のソース線電位がプリチャージ電位となり、すなわち読み出し増幅動作がプリチャージ電位同士の電位比較となって、回路の固有の特性によって検査対象側が常にLOWに傾く可能性があると判断することができる。 Furthermore, the source line potential on the inspection target side always becomes the precharge potential due to the capacitance or high resistance of the TFT, or leakage between the source and drain of the TFT, that is, the read amplification operation becomes a potential comparison between the precharge potentials, It can be determined that there is a possibility that the inspection target side always leans to LOW due to the inherent characteristics.
また、いずれの場合でもHIGHが読み出されるときは、キャパシタンスCsにリーク不良の可能性が除かれるのみで,上記LOWの場合と同じ不具合の可能性が考えられる。 Further, in any case, when HIGH is read out, the possibility of a leak failure is only eliminated in the capacitance Cs, and the same failure as in the case of LOW can be considered.
すなわち、基準側に中間電位を書き込み、検査対象側にLOWとHIGHを書き込んで(LOWとHIGHをいずれを先に行ってもよい)、それぞれの場合の画素データを読み出して、比較することによって、セルのキャパシタンスCsとTFTの不良を検出することができる。 That is, by writing an intermediate potential on the reference side, writing LOW and HIGH on the inspection target side (whichever can be done first), reading out the pixel data in each case and comparing them, Cell capacitance Cs and TFT defects can be detected.
そして、次に、奇数列を基準側として、偶数側を検査対象側として同様な検査を行うと、全ての画素について、キャパシタンスCsとTFTの不良の有無を検査することができる。 Then, when the same inspection is performed with the odd-numbered column as the reference side and the even-numbered side as the inspection target side, it is possible to inspect all the pixels for the presence or absence of capacitance Cs and TFT.
以上のように、図10に示す動作によれば、HIGHとLOWを書き込んだデータが、読み出したときにLOWあるいはHIGHに固定していた場合、キャパシタンスCsあるいはTFTに何らかの不良があると判断することができる。 As described above, according to the operation shown in FIG. 10, if the data in which HIGH and LOW are written is fixed to LOW or HIGH at the time of reading, it is determined that there is some defect in the capacitance Cs or TFT. Can do.
以上のように、上段側回路について検査がされ、同時にあるいはその後に下段側回路につても同様の検査を行うことによって、素子基板1の全ての画素の検査を行うことができる。
なお、以上の実施の形態では、表示データ読み出し回路部は、表示素子アレイ部の全ての画素について設けているが、全てに設けなくても、表示部として使用する一部の画素にだけ設けるようにしてもよい。
As described above, all the pixels on the
In the above embodiment, the display data reading circuit unit is provided for all the pixels of the display element array unit. However, the display data reading circuit unit may be provided for only some of the pixels used as the display unit. It may be.
以上のように、上述した本発明の実施の形態と変形例によれば、製品あるいは試作品における素子基板工程の完了後に、素子基板の不良を検出できるので、歩留まり低下期間が短縮され、不良品を組み立てることが少なくなくなり、コスト低減になる。特に、試作品の場合は、開発期間の短縮と開発コストの低減になる。 As described above, according to the embodiment and the modification of the present invention described above, since the defect of the element substrate can be detected after the element substrate process in the product or the prototype is completed, the yield reduction period is shortened, and the defective product is reduced. As a result, it is less likely to assemble the product, resulting in cost reduction. In particular, in the case of a prototype, the development period is shortened and the development cost is reduced.
また、素子基板の段階で不良が検出できるので、いわゆるリペアも容易となる。
さらに、表示データ読み出し回路部によって、アナログ情報であるキャパシタの充電電荷がデジタル情報(電圧論理)に変換できるため、検査における検出感度が高い。
In addition, since a defect can be detected at the stage of the element substrate, so-called repair is facilitated.
Furthermore, since the display data readout circuit unit can convert the charge of the capacitor, which is analog information, into digital information (voltage logic), the detection sensitivity in the inspection is high.
さらにまた、上述した例では、隣り合うソース線に差動増幅器が接続され、外部ノイズなどの影響を受けにくいようにしているが、互いに隣接しないソース線同士に接続する差動増幅器を設けるようにしてもよい。そのようにすれば、隣接するソース線同士のリークの可能性の影響を排除することができる。 Furthermore, in the above example, differential amplifiers are connected to adjacent source lines so that they are not easily affected by external noise, but a differential amplifier connected to source lines that are not adjacent to each other is provided. May be. By doing so, it is possible to eliminate the influence of the possibility of leakage between adjacent source lines.
さらに、本実施の形態によれば、各信号線Sは、分割線ACにおいて電気的に分離されており、表示素子アレイ部2A内の信号線Sと表示素子アレイ部2B内の信号線Sとは接続されていない。従って、信号線Sの配線長は、半分になる、すなわちソース線Sのグラウンドとの容量が半分となるため、信号線Sに現れる電位は上昇する。例えば、検査対象の画素にLOWあるいはHIGH信号を書き込み、基準画素にHIGHとLOWの中間電位を書き込んだとき、差動増幅器4aによって読み出される電位ΔVは、次の式で表される。プリチャージ電位をLOWとHIGHの中間電位とし、LOW書き込み時の読み出し電位を−ΔV、HIGH書き込み時の読み出し電位をΔV、書き込み時のLOWレベルをグラウンド、書き込み時のHIGHレベルをVdd、各画素の容量をCS、各信号線Sの容量をCLとしたとき、
ΔV=(Vdd/2)・CS/(CS+CL) ・・式(1)
となる。従って、本実施の形態によれば、各信号線Sが分割線ACにおいて分断されて電気的に非接続状態となって、容量CLが半分となっているので、読み出し電位ΔVを大きくすることができる。より具体的には、Vddを10V、CL:CS=10:1とすると、式(1)では、ΔV=0.45Vであるが、本実施の形態によれば、CL:CS=5:1にすれば、ΔV=0.83Vとなる。
Further, according to the present embodiment, each signal line S is electrically separated at the dividing line AC, and the signal line S in the display
ΔV = (Vdd / 2) ・ CS / (CS + CL) ・ ・ Expression (1)
It becomes. Therefore, according to the present embodiment, each signal line S is divided at the dividing line AC and is electrically disconnected, and the capacitance CL is halved, so that the read potential ΔV can be increased. it can. More specifically, when Vdd is 10 V and CL: CS = 10: 1, ΔV = 0.45 V in the formula (1), but according to the present embodiment, CL: CS = 5: 1 In this case, ΔV = 0.83V.
ΔVが小さいと、差動増幅器4aの感度が充分でないと、誤動作が生じ得る。また、差動増幅器4aが充分であっても、ΔVが小さいと、信号線Sへのノイズの影響により、ΔVそのものの値が変動し、誤動作する虞がある。これに対して、本実施の形態では、信号線Sを分断し、それぞれに差動増幅器4aを接続するようにしているため、ΔVの値を大きくすることができる。よって、基板の検査時、安定した回路の動作を得ることができる。また、感度が高くない差動増幅器4aを用いることができるので、差動増幅器4aの回路面積の縮小(トランジスタゲート長の縮小)、あるいはプロセス上のトランジスタのVthのバラツキ管理の条件を緩めることもできる。
If ΔV is small, malfunction may occur if the sensitivity of the
(第2の実施の形態)
次に、本発明の第2の実施の形態について説明する。図12は、本発明の第2の実施の形態に係わる液晶表示装置の素子基板の回路図である。図12において、第1の実施の形態と同一の構成要素については、同一の符号を付し説明は省略する。第2の実施の形態においても、第1の実施の形態と同様に、素子基板1は、上段側回路と下段側回路を有する。素子基板1の略中央部に形成された表示素子アレイ部2は、表示領域を面積において半分に分割するように、マトリックスの一方向、ここでは、Y方向に並んだ複数の画素の中央部において分割されている。従って、表示素子アレイ部2は、互いに独立した、2つの表示素子アレイ部2Aと2Bからなる。そのため、素子基板1は、2つの表示素子アレイ部2A、2Bを、それぞれ独立に駆動するための別々の複数の回路要素を有する。
(Second Embodiment)
Next, a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 12 is a circuit diagram of an element substrate of a liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention. In FIG. 12, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted. Also in the second embodiment, similarly to the first embodiment, the
本実施の形態に係わる液晶表示装置の第1の領域1Aも、表示素子アレイ部2Aと、表示データ読み出し回路部4Aと、Xドライバ部5Aと、Yドライバ部5A1と、トランスミッションゲート部6Aと、ビデオ信号線7Aと、差動増幅器10を含む。さらに、本実施の形態では、プリチャージ回路部16Aと、接続ゲート部17Aと、参照電圧供給部18Aとを有する。
The
第2の領域1Bには、図1に示したように、分割線ACに関して線対称、すなわちいわゆるミラー反転した配置で第1の領域1Aと構成が同一の回路要素が形成されている。具体的には、第1の領域1Bも、表示素子アレイ部2Bと、表示データ読み出し回路部4Bと、Xドライバ部5Bと、Yドライバ部5B1と、トランスミッションゲート部6Bと、ビデオ信号線7Bと、差動増幅器10、さらに、プリチャージ回路部16Bと、接続ゲート部17Bと、参照電圧供給部18Bとを有する。そして、各信号線Sは、分割線ACにおいて分断されており、表示素子アレイ部2A内の信号線Sと表示素子アレイ部2B内の信号線Sとは接続されていない。
本第2の実施の形態のプリチャージ回路部16Aは、奇数列のソース線S(odd)と偶数列のソース線S(even)の1組のソース線に対して、一対のトランジスタ16b、16cを有している。ソースとドレインが接続されてなる直列接続されたトランジスタ16bと16cのソースとドレインは、それぞれ奇数列のソース線S(odd)と偶数列のソース線S(even)を介して、各差動増幅器4aの接続点soと接続点seに接続されている。そして、各トランジスタ16b、16cのゲートは、プリチャージ用のゲート端子16aに接続されている。トランジスタ16bと16cの接続点は、参照電圧供給部18Aの端子18aに接続されている。端子18aには、参照電圧Vrefが供給されている。従って、トランジスタ16b、16cのゲート電圧を制御することによって、トランジスタ16b、16cを同時にオンさせ、各ソース線Sにトランジスタ16b、16cを介して、外部から供給される参照電圧Vrefを印加できるようになっている。参照電圧Vref は、HIGHとLOWの中間電位の電圧である。
In the second region 1B, as shown in FIG. 1, circuit elements having the same configuration as that of the
The
接続ゲート部17Aでは、図12に示すように、各差動増幅器4aの一方の接続点soは、接続ゲート部17Aの一方のトランジスタ17bを介して、奇数列ソース線S (odd)に接続されている。各差動増幅器4aの他方の接続点seは、接続ゲート部17Aの他方のトランジスタ17cを介して、偶数列ソース線S(even)に接続されている。トランジスタ17bと17cのゲートは、それぞれ奇数列テスト回路接続用のゲート端子17a1と、偶数列テスト回路接続用のゲート端子17a2とに接続されている。各ゲート端子17a1,17a2には、後述するテスト回路接続信号TEo、TEeがそれぞれ供給される。
In the
従って、テスト回路接続信号TEoとTEeのいずれか一方をHIGHにすることによって、1つの差動増幅器4aで奇数列ソース線S(odd)の画素、及び偶数列ソース線S(even)の画素のいずれか一方のみのデータを読み出すことができる。そして、ソース線Sに現れ読み出される電位(微少電位変化)は、トランジスタ17bと17cのいずれか一方のトランジスタを介して差動増幅器4aに伝えられる。その電位は、オンして開いたトランジスタを一旦閉じた後、差動増幅器4a内部で増幅され、その後一端閉じたトランジスタを再び開けソース線に書き戻され、ビデオ線7を介して出力される。
Therefore, by setting one of the test circuit connection signals TEo and TEe to HIGH, the pixels of the odd-numbered column source line S (odd) and the pixels of the even-numbered column source line S (even) are detected by one
次に、図12に示す回路の動作の詳細を図13のタイミングチャートを参照しながら説明する。図6のS2の画素データの読み出し動作を説明する。図13は、図12の回路における読み出し動作を説明するためのタイミングチャートである。画素の検査は、列毎に、ここでは奇数列と偶数列に分けて、正常であるか否かを判定することによって行われる。図13に示すタイミングのための信号は、テスト装置31によって生成されて各端子に供給される。
Next, details of the operation of the circuit shown in FIG. 12 will be described with reference to the timing chart of FIG. A reading operation of the pixel data in S2 of FIG. 6 will be described. FIG. 13 is a timing chart for explaining a read operation in the circuit of FIG. The pixel inspection is performed by determining whether each pixel is normal by dividing into an odd column and an even column here. Signals for timing shown in FIG. 13 are generated by the
まず、素子アレイ部2Aの全ての走査線Gをオンして、奇数列の全ての画素にHIGHを書き込む。なお、全画素にHIGHを書き込んでもよい。本実施の形態では、奇数列ソース線S(odd)の画素の検査と偶数列ソース線S(even)画素の検査は、分けて行われる。さらになお、ここでは、各画素にHIGHが書き込まれた場合で説明するが、LOWを書き込んでもよい。なお、以下、奇数列の全画素にHIGHを書き込み基板1Aの検査を行っている例を説明するが、一部の画素についてのみ検査を行うようにしてもよい。書き込み後、走査線Gのゲートはオフにされる。偶数列ソースS(even)は、テスト回路接続信号TEeをLOWにすることによって、偶数列ソース線S(even)には表示素子アレイ部2Aからの電位の影響は、差動増幅器4aに伝達されない。
First, all the scanning lines G in the
図13に示すように、奇数列の画素へ上述した所定の画素データ(ここではHIGH)の書き込み後、データ保持時間t1を確保するために、プリチャージ回路部16Aの端子16aに供給されるプリチャージゲート電圧PCGがHIGHとなり、トランジスタ16b、16cは、所定時間だけオンとなる。さらに、テスト回路接続用のゲート端子17a1のテスト回路接続信号TEoもHIGHとなる。データ保持時間t1経過後に、画素データの読み出しが開始される。
なお、トランジスタ16b、16cが所定時間だけオンすることにより、各差動増幅器4aの接続点soと接続点seの両方に、参照電圧Vrefが現れるようにしているので、ゲート線Gをオフにしておけば、必ずしもプリチャージ状態にする必要はない。さらになお、トランジスタ16b、16cをオンしたときに、テスト回路接続用のゲート端子17a1のテスト回路接続信号TEoは、まだHIGHでなくてもよい。従って、データ保持時間t1
経過後に、プリチャージゲート電圧PCGがLOWの場合は、HIGHとしてプリチャージが行われる。
As shown in FIG. 13, after the predetermined pixel data (in this case, HIGH) is written to the odd-numbered columns of pixels, the precharge circuit supplied to the terminal 16a of the
Since the
If the precharge gate voltage PCG is LOW after the lapse, precharge is performed as HIGH.
参照電圧供給部18Aからは、端子18aには、プリチャージ電位として、HIGHとLOWの中間電位の参照電圧Vrefが印加されている。よって、所定の画素データの書き込み後、ソース線S(odd)、接続点se及び接続点soは、中間電位の状態となっている。
From the reference
そして、データ保持時間t1経過後、プリチャージ状態を解除するために、プリチャージゲート電圧PCGをLOWにするが、このとき、テスト回路接続信号TEoは、HIGHであり、かつ、第1の駆動電源SAp-chと第2の駆動電源SAn-chの電位を中間電位としておくことにより、各差動増幅器4aを動作していない状態とする。
Then, after the data holding time t1, elapses, the precharge gate voltage PCG is set to LOW to release the precharge state. At this time, the test circuit connection signal TEo is HIGH and the first drive power supply By setting the potentials of SAp-ch and the second drive power supply SAn-ch to an intermediate potential, the
プリチャージゲート電圧PCGをLOWにした直後、ゲート線G1をオンすると、ゲート線G1に接続された各画素から一斉にデータが出てくる。具体的にはコンデンサCsに書き込まれて保持された電荷が、対応するソース線S(odd)に一斉に移動する。図13に示すように、各ソース線S(odd)の電位がわずかに上昇する。もしも、コンデンサCsのリークがあって、各画素のデータがLOWに変化していると、各ソース線S(odd)の電位は、点線で示したようにわずかに下降する。このとき、テスト回路接続信号TEeはLOWであるため、偶数列ソース線S(even)の電位は無視できる。 Immediately after the precharge gate voltage PCG is set to LOW, when the gate line G1 is turned on, data is simultaneously output from each pixel connected to the gate line G1. Specifically, the charges written and held in the capacitor Cs move all at once to the corresponding source line S (odd). As shown in FIG. 13, the potential of each source line S (odd) slightly increases. If there is a leak in the capacitor Cs and the data of each pixel changes to LOW, the potential of each source line S (odd) slightly decreases as shown by the dotted line. At this time, since the test circuit connection signal TEe is LOW, the potential of the even column source line S (even) can be ignored.
ゲート線G1を開いた後、所定時間経過してから、各差動増幅器4aを動作させるために、まず、第2の駆動電源SAn-chの電位を中間電位からLOWに変化させる。第2の駆動電源SAn-chの電位のLOWへ変化の瞬間と同時あるいはその瞬間の前後にテスト回路接続信号TEoをLOWにし、接続ゲート部17Aのトランジスタ17bをオフにすることによって、わずかに上昇した奇数列ソース線S(odd)の電位の情報を差動増幅器4a内に閉じ込める。
In order to operate each
SAn-ch駆動電源がLOWになることで、接続点soと接続点seのうち僅かに低い側の電位がLOWに変化する。よって、各差動増幅器4aは、外部から印加された中間電位である参照電圧Vrefと、各奇数列ソース線S(odd)の電圧を比較する。画素が正常であれば、奇数列ソース線S(odd)の電位は中間電位よりも僅かに高いので、各差動増幅器4aの接続点seの方が、接続点soよりも電位が低い側となる。そのため、図13に示すように、接続点seの電位が低下する。このとき、接続点soの電位はそのまま保持となる。
When the SAn-ch drive power supply goes LOW, the slightly lower potential of the connection point so and the connection point se changes to LOW. Accordingly, each
次に、SAp-ch駆動電源がHIGH になることによって、差動増幅器4aのPチャネル型トランジスタ21,22を動作させる。すなわち、SAp-ch駆動電源がHIGHになることで、接続点soと接続点seのうち僅かに高い側の電位がHIGHに変化する。画素が正常であれば、奇数列ソース線S(odd)の電位は中間電位よりも僅かに高いので、各差動増幅器4aの接続点soの方が、接続点seよりも電位が高い側となる。そのため、図13に示すように、接続点soの電位が上昇する。
画素に不良があれば、例えば、コンデンサCsのリークがあって、各画素のデータがLOWに変化していると、各奇数列ソース線S(odd)の電位は、図13に点線で示したようにわずかに下降する。その場合は、SAn-ch駆動電源がLOWになると、図13に点線で示すように、接続点seの電位が下降する。さらに、SAp-ch駆動電源がHIGH になると、図13に点線で示すように、接続点soの電位が上昇する。
この場合、テスト回路接続信号TEoとTEeをオフしているため、負荷となるソース線Sの容量の影響を受けなくなり、高速動作が可能になる。また、参照電圧Vrefが書き込み電位でないため、ある画素の不良はその画素の不良として検出され、詳細不良特性分類が可能となる。
Next, when the SAp-ch drive power supply becomes HIGH, the P-
If the pixel is defective, for example, if the capacitor Cs leaks and the data of each pixel changes to LOW, the potential of each odd-numbered column source line S (odd) is indicated by a dotted line in FIG. So as to descend slightly. In this case, when the SAn-ch drive power supply goes low, the potential at the connection point se drops as shown by the dotted line in FIG. Further, when the SAp-ch drive power supply becomes HIGH, the potential at the connection point so increases as shown by a dotted line in FIG.
In this case, since the test circuit connection signals TEo and TEe are turned off, it is not affected by the capacity of the source line S serving as a load, and high-speed operation is possible. Further, since the reference voltage Vref is not a write potential, a defect of a certain pixel is detected as a defect of the pixel, and detailed defect characteristic classification is possible.
差動増幅器4aの接続点seと接続点soにおける論理が、HIGHとLOWのいずれかに確定したら、テスト回路接続信号TEoをHIGHにし、確定した論理データを奇数列ソース線S(odd)に書き戻す。ゲート線G1に接続された各画素の電位が、対応する奇数列ソース線S(odd)に読み出されるので、トランスミッションゲート部6の各トランジスタのodd側ゲートをTG1からTG3,TG5と順番にTGn(あるいはTGn−1)まで開き(HIGHにし)、ビデオ信号線7から順番に第1行目の各画素の画素データを読み出し、出力端子outoとouteに出力させる。
When the logic at the connection point se and the connection point so of the
ゲート線G1に接続されたすべての画素のデータが読み出されたら、ゲート線G1をLOWにし、SAn-ch駆動電源とSAp-ch駆動電源を中間電位にして差動増幅器4aを動作停止させる。続いて、プリチャージゲート電圧PCGをHIGHにして、全ソース線Sをプリチャージする。
When the data of all the pixels connected to the gate line G1 is read, the gate line G1 is set to LOW, the SAn-ch drive power supply and the SAp-ch drive power supply are set to the intermediate potential, and the
以降、上述した動作を繰り返すことによって、ゲート線G2からGmの各ラインについて順番に検査が行われる。 Thereafter, by repeating the above-described operation, the gate lines G2 to Gm are inspected in order.
以上、奇数列の全画素にHIGHのデータを書き込んで行う検査の動作が終了すると、次に、奇数列の全画素にLOWのデータを書き込み、同一の検査を実施することで奇数列の全画素についての検査はすべて終了となる。
さらに続いて、検査対象画素を偶数列に変更する。すなわち、テスト回路接続信号TEoをLOWに固定し、奇数列の画素について行った検査と同一の検査を、テスト回路接続信号TEeを変化させながら、偶数列の画素にHIGHのデータを書き込んだ場合と、LOWのデータを書き込んだ場合とで行う。
As described above, when the inspection operation performed by writing HIGH data to all the pixels in the odd-numbered column is completed, next, all the pixels in the odd-numbered column are written by writing the LOW data to all the pixels in the odd-numbered column and performing the same inspection. All inspections about are complete.
Subsequently, the inspection target pixel is changed to an even-numbered column. That is, when the test circuit connection signal TEo is fixed to LOW and the same test as the test performed on the odd column pixels is performed while HIGH data is written to the even column pixels while changing the test circuit connection signal TEe. This is done when LOW data is written.
また、第1の実施の形態と同様に、本第2の実施の形態では、2本のソース線に対して1つの差動増幅器4aでよいため、基板上における回路規模が小さくなるため、差動増幅器4a内のトランジスタのサイズを大きくできる。その結果、差動増幅器4a内のトランジスタの非対称性の低減、駆動能力の向上等を図ることができるので、安定した感度の高い差動増幅器4aを実現することができる。
Similarly to the first embodiment, in the second embodiment, one
以上のように、第1の実施の形態では、1画素が不良であっても2画素が不良として検出されていたのに対し、第2の実施の形態によれば、1画素が不良の場合、1画素が不良として検出される。よって、第2の実施の形態に係る回路構成によれば、第1の実施の形態に係る回路構成に比べ、より詳細に不良特性分類が可能となる。 As described above, in the first embodiment, even if one pixel is defective, two pixels are detected as defective, whereas according to the second embodiment, one pixel is defective. 1 pixel is detected as defective. Therefore, according to the circuit configuration according to the second embodiment, the defect characteristic classification can be performed in more detail than the circuit configuration according to the first embodiment.
また、第2の実施の形態によれば、テスト回路接続信号TEoとTEeを利用することによって、負荷となるソース線Sの容量の影響を受けないようにして差動増幅器動作時の負荷が軽くなるため、回路の高速動作が可能である。 Further, according to the second embodiment, by using the test circuit connection signals TEo and TEe, the load during operation of the differential amplifier is lightened so as not to be affected by the capacitance of the source line S serving as a load. Therefore, the circuit can be operated at high speed.
さらにまた、第2の実施の形態によれば、参照電圧を外部から与えるようにしているため、参照電圧を外部制御できるため、保持電位の調査等、詳細な評価のための検査が可能である。 Furthermore, according to the second embodiment, since the reference voltage is applied from the outside, the reference voltage can be externally controlled, so that inspection for detailed evaluation such as investigation of the holding potential is possible. .
さらに、本実施の形態においても、各信号線Sは、分割線ACにおいて分断されており、表示素子アレイ部2A内の信号線Sと表示素子アレイ部2B内の信号線Sとは接続されていない。従って、第1の実施の形態と同様に、本実施の形態によれば、各信号線Sが分割線ACにおいて分断されて、容量CLが半分となっているので、読み出し電位ΔVを大きくすることができる。よって、基板の検査時、安定した回路の動作を得ることができる。また、感度が高くない差動増幅器4aを用いることができるので、差動増幅器4aの回路面積の縮小(トランジスタゲート長の縮小)、あるいはプロセス上のトランジスタのVthのバラツキ管理の条件を緩めることもできる。
Furthermore, also in this embodiment, each signal line S is divided at the dividing line AC, and the signal line S in the display
以上のように、上記2つの実施の形態では、本発明の電気光学装置用基板について、アクティブマトリックス型表示装置用基板を例にとって説明したが、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を変えない範囲において、種々の変更、改変等が可能である。 As described above, in the above-described two embodiments, the electro-optic device substrate of the present invention has been described by taking the active matrix display device substrate as an example. However, the present invention is limited to the above-described embodiment. However, various changes and modifications can be made without departing from the scope of the present invention.
例えば、表示部に光学センサーを設けることで、入力機能を備えた表示装置用基板にも適用することが可能である。 For example, by providing an optical sensor in the display portion, it can be applied to a display device substrate having an input function.
また、上述の実施形態においては、表示データ読出し回路部4A・4Bや接続ゲート部9A・9Bなどの検査に必要な構成を含むアクティブマトリックス型の基板について説明したが、このような検査に係る構成を含まないアクティブマトリックス型の基板において、本発明のように表示素子アレイ部2を2分割してミラー反転する構成にしても効果が得られる。
In the above-described embodiment, the active matrix type substrate including the configuration necessary for the inspection of the display data reading
すなわち、表示素子アレイ部2を2分割にすることで、通常のアクティブマトリックス型基板に比べてソース線の長さを短くすることができる(例えば、上下に50:50で分割すればソース線の長さは半分で済む)。
That is, by dividing the display
このため、ソース線の低抵抗化が図れることに加え、ソース線の容量も低下させることができる。そして、ソース線の容量を低下させると、画像信号電圧を書き込む時間を減少させることができる。 For this reason, the resistance of the source line can be reduced, and the capacity of the source line can be reduced. When the capacity of the source line is reduced, the time for writing the image signal voltage can be reduced.
これによって、トランスミッションゲートTG1,2,・・・のそれぞれを開いている時間を従来より短縮することができるので、本来次に選択されるソース線に書き込まれる画像信号が誤って書き込まれてしまう可能性が減少し、ゴーストの発生を低減できるという効果が得られる。 As a result, the time during which each of the transmission gates TG1, 2,... Is opened can be shortened as compared with the prior art, so that the image signal that is originally written to the next selected source line may be erroneously written. As a result, the effect of reducing the occurrence of ghosts can be obtained.
なお、この構成においては上下に分割したもの同士で、駆動の位相を合わせる必要があるので、駆動の基準となるクロック信号の位相を調整する手段を設けることが望ましい。
また、本発明の電気光学装置用基板を用いた電気光学装置も本発明に含まれる。
例えば、一対の基板間に電気光学物質を挟持してなる電気光学装置であって、一対の基板の一方に本発明の電気光学装置用基板を用いたものである。
In this configuration, since it is necessary to match the driving phases of the parts divided vertically, it is desirable to provide means for adjusting the phase of the clock signal that is the driving reference.
An electro-optical device using the substrate for an electro-optical device of the present invention is also included in the present invention.
For example, an electro-optical device in which an electro-optical material is sandwiched between a pair of substrates, and the substrate for an electro-optical device of the present invention is used for one of the pair of substrates.
また、上述の電気光学装置を用いた電子機器も本発明に含まれる。図14及び図15は、電子機器の例を示す図である。図14は、1つの例に係るパーソナルコンピュータの外観図である。図15は、1つの例に係る携帯電話の外観図である。図14に示すように、電子機器としてのパーソナルコンピュータ100の表示部101に、上述した電気光学装置、例えば液晶表示装置が用いられる。図15に示すように、電子機器として携帯電話200の表示部201に、上述した電気光学装置、例えば液晶表示装置が用いられる。
他にも、電子機器としては、例えば、光源と該光源から出射された光を変調するライトバルブと、該ライトバルブにより変調された光を投射するための光学系を備えた、投射型表示装置である。さらに、電子機器としては、他にも、テレビジョンや、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、ディジタルスチルカメラ、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種の電子機器に対して、本発明に係る表示パネルが適用可能なのは言うまでもない。
Further, an electronic apparatus using the above electro-optical device is also included in the present invention. 14 and 15 are diagrams illustrating examples of electronic devices. FIG. 14 is an external view of a personal computer according to one example. FIG. 15 is an external view of a mobile phone according to one example. As shown in FIG. 14, the above-described electro-optical device, for example, a liquid crystal display device is used for the
In addition, as an electronic device, for example, a projection display device including a light source, a light valve that modulates light emitted from the light source, and an optical system for projecting light modulated by the light valve It is. Furthermore, other electronic devices include televisions, viewfinder type / monitor direct view type video tape recorders, car navigation devices, pagers, electronic notebooks, calculators, word processors, workstations, videophones, POS terminals, digital Examples include a still camera and a device equipped with a touch panel. Needless to say, the display panel according to the present invention is applicable to these various electronic devices.
本発明は、以上説明したTFTを含む液晶表示装置に限られことはなく、アクティブマトリックス駆動の表示装置に適用できるものである。 The present invention is not limited to the liquid crystal display device including the TFT described above, and can be applied to an active matrix drive display device.
1 素子基板、1A 第1の領域、1B 第2の領域、2 表示素子アレイ部、2A 第1の表示素子アレイ部、2B 第2の表示素子アレイ部、3A、3B プリチャージ回路部、4A、4B 表示データ読み出し回路部、4a 差動増幅器、6A、6B トランスミッションゲート部、7A、7B ビデオ信号線 1 element substrate, 1A first area, 1B second area, 2 display element array section, 2A first display element array section, 2B second display element array section, 3A, 3B precharge circuit section, 4A, 4B display data reading circuit section, 4a differential amplifier, 6A, 6B transmission gate section, 7A, 7B video signal line
Claims (11)
該複数の走査線のうちの第1の走査線と交差する複数の第1の信号線と、
前記複数の走査線のうちの第2の走査線と交差し、前記第1の信号線とは電気的に非接続状態であるとともに、前記走査線の方向に延伸する分割線に対して前記第1の信号線とは線対称の方向に延伸する複数の第2の信号線と、
前記複数の走査線と、前記複数の第1の信号線及び前記複数の第2の信号線との交差に対応してマトリックス状に配置された複数の画素と、前記複数の画素に対応してそれぞれ設けられた複数のスイッチング素子と、
前記複数の第1の信号線のそれぞれに対応して設けられ、前記複数の第1の信号線の第1の電位信号と、基準電位としての第2の電位信号とを入力する複数の第1の増幅手段と、
前記複数の第2の信号線のそれぞれに対応して設けられ、前記複数の第2の信号線の第3の電位信号と、基準電位としての第4の電位信号とを入力する複数の第2の増幅手段と、
前記複数の第1の増幅手段から前記複数の第1の信号線のそれぞれに出力された第1の出力電位信号を読み出す第1のデータ読出手段と、
前記複数の第2の増幅手段から前記複数の第2の信号線のそれぞれに出力された第2の出力電位信号を読み出す第2のデータ読出手段と、
を有し、
前記複数の第1の増幅手段のそれぞれは、前記第1の電位信号と前記第2の電位信号とを比較し、前記第1の電位信号が低い場合には、前記第1の信号線の電位をより低くして、そのより低くした前記第1の出力電位信号を前記第1の信号線に出力し、前記第1の電位信号が高い場合には、前記第1の信号線の電位をより高くして、そのより高くした前記第1の出力電位信号を前記第1の信号線に出力し、
前記複数の第2の増幅手段のそれぞれは、前記第3の電位信号と前記第4の電位信号とを比較し、前記第3の電位信号が低い場合には、前記第2の信号線の電位をより低くして、そのより低くした前記第2の出力電位信号を前記第2の信号線に出力し、前記第3の電位信号が高い場合には、前記第2の信号線の電位をより高くして、そのより高くした前記第2の出力電位信号を前記第2の信号線に出力することを特徴とする電気光学装置用基板。 A plurality of scan lines;
A plurality of first signal lines intersecting a first scanning line of the plurality of scanning lines;
The second scanning line of the plurality of scanning lines intersects the first scanning line and is electrically disconnected from the first signal line, and the dividing line extending in the direction of the scanning line A plurality of second signal lines extending in a line-symmetric direction with respect to one signal line;
A plurality of pixels arranged in a matrix corresponding to intersections of the plurality of scanning lines, the plurality of first signal lines, and the plurality of second signal lines, and corresponding to the plurality of pixels A plurality of switching elements each provided;
A plurality of first signals provided corresponding to each of the plurality of first signal lines and receiving a first potential signal of the plurality of first signal lines and a second potential signal as a reference potential. Amplifying means,
A plurality of second signals provided corresponding to each of the plurality of second signal lines and receiving a third potential signal of the plurality of second signal lines and a fourth potential signal as a reference potential. Amplifying means,
First data reading means for reading a first output potential signal output from the plurality of first amplifying means to each of the plurality of first signal lines;
Second data reading means for reading a second output potential signal output from the plurality of second amplifying means to each of the plurality of second signal lines;
Have
Each of the plurality of first amplifying means compares the first potential signal with the second potential signal, and when the first potential signal is low, the potential of the first signal line is low. When the first output potential signal is output to the first signal line and the first potential signal is high, the potential of the first signal line is further increased. Output the first output potential signal that has been increased to the first signal line,
Each of the plurality of second amplifying means compares the third potential signal with the fourth potential signal, and when the third potential signal is low, the potential of the second signal line is When the second output potential signal is output to the second signal line and the third potential signal is high, the potential of the second signal line is further increased. A substrate for an electro-optical device, wherein the second output potential signal is increased and the higher second output potential signal is output to the second signal line.
前記第2の電位信号及び前記第4の電位信号の電位のそれぞれは、外部から供給される電位であることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置用基板。 Each of the first potential signal and the third potential signal is a potential of a signal written to all or a part of the plurality of pixels via the plurality of switching elements,
2. The electro-optical device substrate according to claim 1, wherein each of the second potential signal and the fourth potential signal is a potential supplied from the outside.
前記第1、前記第2、前記第3及び前記第4の電位信号のそれぞれは、対応する前記複数の第1及び前記複数の第2の信号線を介して、対応する前記複数の第1及び前記複数の第2の増幅手段に供給されることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置用基板。 Each of the first, second, third and fourth potential signals is a potential of a signal written to all or a part of the plurality of pixels via the plurality of switching elements,
Each of the first, second, third and fourth potential signals corresponds to the plurality of first and second corresponding signal lines via the corresponding first and second signal lines. 2. The electro-optical device substrate according to claim 1, wherein the substrate is supplied to the plurality of second amplifying units.
前記第1及び前記第2のデータ読み出し手段は、それぞれ前記第1及び前記第2のビデオ信号線を含むことを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか一項に電気光学装置用基板。 First and second video signal lines that supply image signals to be written to the plurality of pixels via the first and second signal lines, and the first and second video signal lines. First and second transmission gates for supplying image signals to the first and second signal lines;
8. The electro-optical device substrate according to claim 1, wherein the first and second data reading units include the first and second video signal lines, respectively. 9. .
前記第1の信号線に対応する画素に第1の電位信号を、前記第2の信号線に対応する画素に第3の電位信号をそれぞれ書き込む工程と、
前記画素に書き込まれた第1の電位信号を読み出す工程と、
読み出された前記第1の電位信号と、前記第1の電位信号とは電位が異なる基準信号としての第2の電位信号とを比較し、前記第1の電位信号が低い場合には、前記第1の信号線の電位をより低くして、そのより低くした第1の出力電位信号を前記第1の信号線に出力し、前記第1の電位信号が高い場合には、前記第1の信号線の電位をより高くして、そのより高くした第1の出力電位信号を前記第1の信号線に出力する第1の出力工程と、
前記書き込み工程で書き込まれた第1の電位信号と前記第1の出力工程で出力された前記第1の出力電位信号とを比較する第1の比較工程と、
前記画素に書き込まれた第3の電位信号を読み出す工程と、
読み出された前記第3の電位信号と、前記第3の電位信号とは電位が異なる基準信号としての第4の電位信号とを比較し、前記第3の電位信号が低い場合には、前記第3の信号線の電位をより低くして、そのより低くした第3の出力電位信号を前記第2の信号線に出力し、前記第3の電位信号が高い場合には、前記第2の信号線の電位をより高くして、そのより高くした第2の出力電位信号を前記第2の信号線に出力する第2の出力工程と、
前記書き込み工程で書き込まれた第3の電位信号と前記第2の出力工程で出力された前記第2の出力電位信号とを比較する第2の比較工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置用基板の検査方法。
A plurality of scanning lines; a plurality of first signal lines intersecting with a first scanning line among the plurality of scanning lines; and a second scanning line among the plurality of scanning lines; A plurality of second signals that are electrically disconnected from one signal line and that extend in a direction symmetrical to the first signal line with respect to a dividing line extending in the direction of the scanning line. Lines, a plurality of scanning lines, a plurality of pixels arranged in a matrix corresponding to intersections of the plurality of first signal lines and the plurality of second signal lines, and the plurality of pixels A plurality of switching elements provided correspondingly, and an inspection method for a substrate for an electro-optical device,
Writing a first potential signal to a pixel corresponding to the first signal line and writing a third potential signal to a pixel corresponding to the second signal line;
Reading a first potential signal written to the pixel;
The read first potential signal is compared with a second potential signal as a reference signal having a potential different from that of the first potential signal. When the first potential signal is low, When the potential of the first signal line is made lower and the lower first output potential signal is outputted to the first signal line, and the first potential signal is high, A first output step of increasing the potential of the signal line and outputting the higher first output potential signal to the first signal line;
A first comparison step of comparing the first potential signal written in the writing step with the first output potential signal outputted in the first output step;
Reading a third potential signal written to the pixel;
The read out third potential signal is compared with a fourth potential signal as a reference signal having a potential different from that of the third potential signal. When the third potential signal is low, When the potential of the third signal line is made lower and the lower third output potential signal is outputted to the second signal line, and the third potential signal is high, A second output step of increasing the potential of the signal line and outputting the higher second output potential signal to the second signal line;
A second comparison step of comparing the third potential signal written in the writing step with the second output potential signal outputted in the second output step;
A method for inspecting a substrate for an electro-optical device, comprising:
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