JP2006091166A - 光導波路配線基板アセンブリー、光電気混載基板アセンブリー及び光接合ユニット - Google Patents

Abstract

【課題】 光ファイバーのごとき導波素子を容易に接続可能で、平面性に優れる光導波路配線基板アセンブリー、また、光導波路配線基板アセンブリーに導波素子を接続した光接合ユニットを提供。
【解決手段】 光導波路配線基板30と接続部材40を有する光導波路配線基板アセンブリー50であり、光導波路配線基板は導波路端面36が露出形成された基板端部32を有し、接続部材は、基板端部が接続される第１の接続部42と、導波部46を有し、導波部端面94が露出形成された端部96を有する導波素子90の端部が接続される第２の接続部を有し、第１と第２の接続部との間に導光部46が設けられるとともに第１と第２の接続部に導光部の端面47,48が露出形成され、第１の接続部に基板端部が接続されて導波路端面と導光部端面が光接続されている光導波路配線基板アセンブリー、光導波路配線基板アセンブリーに導波素子を接続した光接合ユニット。
【選択図】 図２

Description

本発明は、光導波路配線基板又は光電気混載基板と接続部材を有する光導波路配線基板アセンブリー又は光電気混載基板アセンブリー及び光接合ユニットに関する。

最近、ＩＣ技術やＬＳＩ技術において、動作速度や集積度向上のために、高密度に電気配線を行う代わりに、機器装置間、機器装置内のボード間、チップ内において光配線を行うことが注目されている。また、高速大容量の光通信システムにおける光インターコネクションでは、伝送された光信号の処理は電子デバイスで行われており、光−電気混合デバイスが必要となる。
光配線のための素子として、例えば、特許文献１には、複数の光電変換素子が設けられたアレイ型光電変換素子ユニットと、複数の異なる長さをもち、その端部がミラーとなるように４５°にカットされた光導波路が形成されたアレイ型光導波路ユニットと、各光電変換素子と光導波路を結合する光結合用光導波路を備えた光路変換デバイスが記載されている。

さらに、近年、無線通信機能を備えた携帯機器の発達が著しいが、電気基板からの電磁放射ノイズ（ＥＭＩ）、外界からの電波混入に対する耐性、不完全接続による信号の乱れ（ＳＩ）の問題に対処するため、電気接続の一部を高速であり且つ電磁無誘導である光接続に変える試みがなされている。
例えば、以下の特許文献２には、光導波路基板と電気回路基板を積層した光電気混載基板と、発光素子、受光素子等の光素子との光接合を、光素子及び光ピンを備えた電気チップの光ピンを光導波路基板に設けたガイド穴に挿入することにより行うことが記載されている。更に、以下の特許文献３には、光導波路シートに、光路変換手段付き光素子（発光素子、受光素子）を光導波路シートのコア部に埋め込んだものを電気回路基板に積層した光電気混載基板が記載されている。

ところで、任意の位置で光の入出力が可能で、光接続が高密度で行える基板状の光導波路があれば、これを電気回路基板と積層することにより、光−電気混合デバイスのための光電気混載基板を容易に作製することが可能となる。
しかしながら、任意の位置で光の入出力が可能で、光接続が高密度で行える基板状の光導波路はこれまで知られておらず、したがって、光導波路配線基板に単に電気回路基板を積層した光電気混載基板も知られていない。

このような問題点に鑑み、本発明者らは、任意の位置で光の入出力が可能で、光接続が高密度に行え、また生産性に優れた方法により作製可能であり、更に電気回路基板が積層可能な光導波路配線基板を発明し、出願した（特願２００４−８７９１８号）。この光導波路配線基板は光回路パターン内に、光導波路配線基板平面に平行な面内において光路を変換する光路変換手段を少なくとも１つ、及び／又は光導波路配線基板平面に平行な面に対して角度を有する方向へ光路を変換する光路変換手段を設けたもので、コア端面において、及び／又は光導波路配線基板平面に平行な面に対して角度を有する方向へ光路を変換する光路変換手段により、光導波路配線基板内又は外への光の入出力が可能である。

この光導波路配線基板又はこれに電気回路基板を積層した光電気混載基板からの（への）光信号を直接、他の基板へ入出力することができれば、光接合及び／又は電気接合をユニット化することが可能になるが、前記のごとき光導波路配線基板又は光電気混載基板の光入出力をユニット化する試みは、未だなされていない。
特開２００３−１１４３６５号公報 特開２００３−１３１０８１号公報 特開２００３−５７４６８号公報

本発明は前記のごとき要請に基づいてなされたものであり、その目的は、光ファイバーのごとき導波素子を容易に接続可能で、平面性に優れる光導波路配線基板アセンブリー及び光電気混載基板アセンブリーを提供することにあり、また前記の光導波路配線基板アセンブリー及び光電気混載基板アセンブリーに導波素子を接続した光接合ユニット及び光電接合ユニットを提供することにある。

前記課題は、以下の光導波路配線基板アセンブリー、光電気混載基板アセンブリー、光接合ユニット及び光電接合ユニットを提供することにより解決される。
（１）光導波路配線基板と接続部材とが接合された光導波路配線基板アセンブリーであって、前記光導波路配線基板は導波路端面が露出形成された基板端部を有し、前記接続部材は、基板端部が接続される第１の接続部と、導波部を有し導波部端面が露出形成された端部を有する導波素子の該端部が接続されるべき第２の接続部とを有し、第１の接続部と第２の接続部との間に導光部が設けられるとともに第１の接続部と第２の接続部に導光部の端面が露出形成され、第１の接続部に基板端部が接続されて導波路端面と導光部端面が光接合されていることを特徴とする光導波路配線基板アセンブリー。

（２）前記第１の接続部における導光部端面のサイズ及び／又は形状が、第２の接続部における導光部端面のサイズ及び／又は形状と異なることを特徴とする前記（１）に記載の光導波路配線基板アセンブリー。
（３）前記第１の接続部における導光部端面ピッチと、第２の接続部における導光部端面ピッチとが異なることを特徴とする前記（１）に記載の光導波路配線基板アセンブリー。

（４）光導波路配線基板と接続部材とが接合された光導波路配線基板アセンブリーであって、前記光導波路配線基板は導波路端面が露出形成された基板端部を有し、前記接続部材は基板端部が接続される接続部と、導波部を有し導波部端面が露出形成された端部を有する導波素子の該端部が保持されるべき保持部を有し、前記基板端部が接続部材の接続部に接続されていることを特徴とする光導波路配線基板アセンブリー。

（５）前記光導波路配線基板が、光導波路配線、光入出力部、及び光導波路配線基板平面に平行な面に対して角度を有する方向へ光の方向を変換することにより光導波路配線基板面上に設けた光入出力部と光導波路を光接続する光路変換手段Ａを少なくとも１つ、及び／又は光導波路配線基板平面に平行な面内において光の方向を変換する光路変換手段Ｂを少なくとも１つ有することを特徴とする前記（１）ないし（４）のいずれか１に記載の光導波路配線基板アセンブリー。

（６）光導波路配線基板に電気回路基板が積層された光電気混載基板と接続部材とが接合された光電気混載基板アセンブリーであって、
前記光電気混載基板は導波路端面が露出形成された基板端部を有し、
前記接続部材は、電気配線と、基板端部が接続される第１の接続部と、導波部を有し導波部端面が露出形成された端部を有する導波素子の該端部が接続されるべき第２の接続部とを有し、第１の接続部と第２の接続部との間に導光部が設けられるとともに第１の接続部と第２の接続部に導光部の端面が露出形成され、
前記第１の接続部に基板端部が接続されて導波路端面と導光部端面が光接合され、かつ、接続部材の電気配線と電気回路基板における電気配線が接続されていることを特徴とする光電気混載基板アセンブリー。

（７）前記第１の接続部における導光部端面のサイズ及び／又は形状が、第２の接続部における導光部端面のサイズ及び／又は形状と異なることを特徴とする前記（６）に記載の光電気混載基板アセンブリー。
（８）前記第１の接続部における導光部端面ピッチと、第２の接続部における導光部端面ピッチとが異なることを特徴とする前記（６）に記載の光電気混載基板アセンブリー。

（９）光導波路配線基板に電気回路基板が積層された光電気混載基板と接続部材とが接合された光電気混載基板アセンブリーであって、前記光導波路配線基板は導波路端面が露出形成された基板端部を有し、前記接続部材は、電気配線と、基板端部が接続される接続部と、導波部を有し導波部端面が露出形成された端部を有する導波素子の該端部が保持されるべき保持部を有し、前記基板端部が接続部材の接続部に接続され、かつ、接続部材の電気配線と電気回路基板における電気配線が接続されていることを特徴とする光電気混載基板アセンブリー。

（１０）光導波路配線基板に電気回路基板が積層された光電気混載基板と接続部材とが接合された光電気混載基板アセンブリーであって、
前記光電気混載基板はその面上に光入出力部を有し、
前記接続部材は、電気配線と、光電気混載基板面が接続される第１の接続部と、導波部を有し導波部端面が露出形成された端部を有する導波素子の該端部が接続されるべき第２の接続部を有し、第１の接続部は光電気混載基板面上の光入出力部に対応する位置に光入出力部を有し、第１の接続部の光入出力部と第２の接続部との間に導光部が設けられるとともに第２の接続部に導光部の端面が露出形成され、第２の接続部に形成される導光部端面を通る光は光電気混載基板の面と平行であり、
前記第１の接続部における光入出力部に光電気混載基板面上の光入出力部が接続され、かつ、接続部材の電気配線と電気回路基板における電気配線が接続されていることを特徴とする光電気混載基板アセンブリー。

（１１）前記光導波路配線基板が、光導波路配線、光入出力部、及び光導波路配線基板平面に平行な面に対して角度を有する方向へ光の方向を変換することにより光導波路配線基板面上に設けた光入出力部と光導波路を光接続する光路変換手段Ａを少なくとも１つ、及び／又は光導波路配線基板平面に平行な面内において光の方向を変換する光路変換手段Ｂを少なくとも１つ有することを特徴とする前記（６）ないし（１０）のいずれか１に記載の光電気混載基板アセンブリー。

（１２）前記（１）ないし（５）のいずれか１に記載の光導波路配線基板アセンブリーに、導波部を有し導波部端面が露出形成された端部を有する導波素子の該端部を接続した光接合ユニット。
（１３）前記（６）ないし（１１）のいずれか１に記載の光電気混載基板アセンブリーに、導波部を有し導波部端面が露出形成された端部を有する導波素子の該端部を接続した光電接合ユニット。

本発明の光導波路配線基板アセンブリー及び光電気混載基板アセンブリーは、光ファイバーのごとき導波素子を容易に接続することが可能である。また、前記アセンブリーに導波素子を接続した光接合ユニット又は光電接合ユニットを用いることにより容易に異なる基板間の光接合又は光電接合が可能となる。また、前記アセンブリー及びユニットは、平面性に優れ、かつコンパクトであるため、他の素子や部品等を周囲に配置する際の障害となりにくい。

本発明の光導波路配線基板アセンブリー及び光電気混載基板アセンブリー（以下、まとめて「アセンブリー」ということがある。）は、接続部材に光導波路配線基板又は光電気混載基板（以下、「光導波路配線基板等」ということがある。）を第１の接続部（又は接続部）を介して接続したものであり、これらのアセンブリーに、導波部を有し導波部端面が露出形成された端部を有する導波素子を接続すべく、接続部材に第２の接続部又は保持部が設けられていることを特徴とする。

最初に接続部材に導波路端面が露出した基板端部を接続する態様について説明する。（なお、以下の説明では、光は光導波路配線基板から接続部材に出射する場合について説明するが、光の方向が逆でもよいことは勿論である。）
接続部材は導光部を有していても、有していなくてもよい。導光部をもつ接続部材は、基板端部が接続される第１の接続部と、導波部を有し導波部端面が露出形成された端部を有する導波素子の該端部が接続されるべき第２の接続部とを有し、第１の接続部と第２の接続部との間に導光部が設けられるとともに第１の接続部と第２の接続部に導光部の端面が露出形成されている。
光導波路配線基板等に接続する側（第１の接続部）の導光部ピッチは光導波路配線基板等の基板端部における導波路ピッチと同じに形成され、また、第１の接続部に設けられる導光部端面の形状・大きさは導波路端面の形状・大きさと一致させることが好ましい。また、導波素子が接続される側（第２の接続部）の導光部ピッチは導波素子端部における導波部ピッチと同じに形成され、また、第２の接続部に設けられる導光部端面の形状は導波素子端部における導波部端面の形状・大きさと一致させることが好ましい。

導光部をもたない接続部材は、基板端部が接続される接続部と、導波部を有し導波部端面が露出形成された端部を有する導波素子の該端部が保持されるべき保持部を有している。

前記第１の接続部（接続部を含む）及び第２の接続部は、光導波路配線基板等の端部分及び導波素子の端部分を保持する保持部の一部として形成することが好ましい。保持部は、例えば、接続部材に設けた凹部等として設けることができる。また、光導波路配線基板の基板端部を第１の接続部に接続した後、光導波路配線基板の端部分を接続部材に接着剤等で接合することが好ましい。

本発明のアセンブリーは、前記のごとく光導波路配線基板等の基板端部が第１接続部（接続部を含む）に接続された状態で、光導波路配線基板等と接続部材が接合されている。例えば、前記保持部において光導波路配線基板等と接続部材が接着剤等により接合される。

また、光電気混載基板アセンブリーの場合には、接続部材に電気配線（接点を含む）を設け、電気回路基板の電気配線と接続する。

また、本発明のアセンブリーにおいては、光導波路配線基板等の基板端部における導波路ピッチ及び導波路端面の形状・大きさが、導波素子端部における導波部ピッチ及び導波部端面の形状・大きさと異なる場合においても、接続部材の導光部を、第１の接続部及び第２の接続部において、そのピッチ及び／又は端面の形状・大きさを、接続すべき光導波路配線基板等の基板端部及び導波素子端部に対応して変更することにより、容易に光導波路配線基板と導波素子を光接合することが可能となる。
前記のごときアセンブリーは、光導波路配線基板からの光を進行方向を変えることなく導波素子に導波することが可能なため、アセンブリーの平面性が良好であり、他の素子や部品等を周囲に配置する際の障害になりにくい。

次に、その面上に光入出力部を有する光電気混載基板の光入出力部を、接続部材の第１接続部に接続する光電気混載基板アセンブリーについて説明する。光電気混載基板アセンブリーは、電気配線の状況、電気配線に接続させる電気素子又は光学素子等の要因に基づき、導波路端面が露出した基板端面を第１の接続部に接続するよりも、光電気混載基板面上の光出力部を第１の接続部に接続する方が好都合の場合がある。この場合には、光電気混載基板の面上に光出力部を設け、これに対応した接続部材を用いる。
この態様における接続部材は、第１の接続部が、光電気混載基板面上の光出力部に対応する位置に光入力部を有し、第１の接続部の光入力部と第２の接続部との間に導光部が設けられるとともに第１の接続部の光入力部と第２の接続部に導光部の端面が露出形成され、第２の接続部に形成される導光部端面を通る光は光電気混載基板の面と平行（完全に平行な場合だけでなく、他の素子や部品等を周囲に配置するのに大きな障害にならないような角度をもつ場合を含む。）になるようにされる。第２の接続部に形成される導光部端面を通る光を、光電気混載基板の面と平行にするには、光路変換手段（ミラー等）を接続部材に適宜設ければよい。

本発明において導波素子とは、光ファイバー等である。

本発明の光接合ユニット又は光電接合ユニットは、前記の光導波路配線基板アセンブリー又は光電気混載基板アセンブリーにおける第２の接続部（又は保持部）に導波素子を接続したものである。
接続部材として導光部を設けた光接合ユニット又は光電接合ユニットは、導光部を介して光導波路配線基板と導波素子が光接合される。また、導光部を設けない接続部材を用いた場合は、光導波路配線基板の導波路端面と導波素子の導波部端面が直接光接合される。

次に図を用いて本発明の光導波路配線基板アセンブリーについて説明する。図１は本発明の光導波路配線基板アセンブリーの一例を示す図で、図１（Ａ）はアセンブリーを組み立てる前の光導波路配線基板３０の斜視図を、図１（Ｂ）は同じく接続部材４０の斜視図を、図１（Ｃ）は、光導波路配線基板を接続部材に接合した光導波路配線基板アセンブリー５０の斜視図を示す。図１（Ａ）ないし図１（Ｃ）のその他の符号は、図２の説明において行う。

図２は、図１で示す光導波路配線基板、接続部材、光導波路配線基板アセンブリーの各断面図、及び光導波路配線基板アセンブリーに導波素子を接続した光接合ユニットを示し、図２（Ａ）中、３０は光導波路配線基板を、３２は導波路端面３６が露出形成された基板端部を、３４は導波路（コア）を示し、４０は接続部材を、４２は基板端部を接続する第１の接続部を、４４は後述の導波素子を接続すべき第２の接続部を、４６は接続部材に設けた導光部を、４７は第１の接続部に露出している導光部端面を、４８は第２の接続部に露出している導光部端面をそれぞれ示す。第１及び第２の接続部は、光導波路配線基板の端部分及び導波素子の端部分が保持できるような凹部の一部として形成されている。
また、図２（Ｂ）は、接続部材４０の第１の接続部４２に、光導波路配線基板３０の基板端部３２を接続し、光導波路配線基板３０と接続部材４０を接合した光導波路配線基板アセンブリー５０である。
更に、図２（Ｃ）は、この光導波路配線基板アセンブリー５０に接続すべき導波素子を接続部材４０の第２の接続部４４に接続させた光接合ユニットを示すもので、９０は導波素子を、９２は導波部を、９６は導波部端面９４が露出形成された導波素子の端部をそれぞれ示す。前記凹部の大きさ及び位置は、凹部に光導波路配線基板又は導波素子の端部分を挿入した場合、導光部端面と導波路端面又は導波部端面が一致するように設けることは勿論である。
図２（Ｂ）及び図２（Ｃ）が示すように、接続部材４０における第１の接続部４２に基板端部３２が接続されて導波路端面３６と導光部端面４７が直接光接合し、また、第２の接続部４４に導波素子の端部９６が接続されて導波部端面９４と導光部端面４８が直接光接合する。

図３は、他の光導波路配線基板アセンブリーを示す断面図で、この態様は、接続部材に導光部を設けず、基板端部が接続される接続部４３と、導波素子の端部分を保持する保持部４５が設けられている。この例でも、光導波路配線基板の端部分を挿入する凹部が設けられ、凹部の一部が接続部を構成し、凹部に光導波路配線基板が接合されている。また、導波素子の端部分は接続部材に光導波路配線基板が挿入されたことにより形成される凹部が保持部となり、この保持部に導波素子の端部分が挿入され保持される。凹部及び保持部の大きさ及び位置は、凹部又は保持部に光導波路配線基板又は導波素子の端部分をそれぞれ挿入した場合、導光部端面と導波路端面又は導波部端面が一致するように設けられ、このことにより、導波路及び導波部が直接光接合される。

次に、本発明の光電気混載基板アセンブリーの例について説明する。図４は、光電気混載基板アセンブリーの一例を示すもので、導波路端面が露出形成された基板端部と接続部材の第１の接続部が接続され、かつ接続部材の電気配線と電気回路基板の電気配線が接続される。図４中、図２（Ａ）と同じ符号で示すものは同じものを意味し、４９は電気配線としての接点を示す。また、６０は電気回路基板を、６２は電気配線を示し、７０は光導波路配線基板３０と電気回路基板６０を積層した光電気混載基板を、８０は光電気混載基板アセンブリーを示す。この例では、接続部材に電気配線（接点を含む）を設け、光電気混載基板と光接合及び電気接合の両方を行うものである。

また、図５は、本発明の他の光電気混載基板アセンブリーの例を示すもので、接続部材の導光部端面を導波路端面に直接光接合する代わりに、光電気混載基板の面上に光入出力部を設け、一方、接続部材の第１の接続部にも前記光電気混載基板の光出力部に対応する位置に光入力部を形成し、ここで光接合を行うものである。
図５中、図２（Ａ）と同じ符号で示されるものは同じものを意味し、８０は光電気混載基板アセンブリー、７０は光電気混載基板、３０は光導波路配線基板、６０は電気回路基板、４０は接続部材を示す。光導波路配線基板３０には後述の光路変換手段Ａ（１０）が設けられている。この例では光路変換手段Ａ（１０）により光路が９０°変換される。例えば、導波路３４を導波した光は、光路変換手段Ａ（１０）により９０°光路変換され、電気回路基板６０に設けた開口部（導波路材料で充填されていてもよい）、光電気混載基板の光出力部７２、第１の接続部４２に設けた光入力部４２ａを経て接続部材４０の中に導入され、４６ｂ（例えば光路変換手段Ａのごとき４５°ミラー面）において再び光路変換され、導光部４６を通って第２の接続部４４における導光部端面４８から出射する。導光部端面４８から出射する光は光電気混載基板に対して平行となっている。また、この態様では導波路３４とも平行になっている。
接続部材４０における接点４９は電気回路基板の電気配線６２と接合される。

次に、本発明において用いる光導波路配線基板及び光電気混載基板について説明する。
光導波路配線基板は、基板端部又は基板面上に光入出力部を設けたものがいずれも制限なく用いられ、例えば、光導波路配線、光入出力部、及び光導波路配線基板平面に平行な面に対して角度を有する方向へ光の方向を変換することにより光導波路配線基板面上に設けた光入出力部と光導波路を光接続する光路変換手段Ａ（以下単に「光路変換手段Ａ」という。）を少なくとも１つ、及び／又は光導波路配線基板平面に平行な面内において光の方向を変換する光路変換手段Ｂ（以下単に「光路変換手段Ｂ」という。）を少なくとも１つ有するものが好ましく用いられる。
このような光導波路配線基板は、任意の位置で光の入力及び出力が可能となり、光接続も高密度で行え、光電気混載基板に用いるのに適している。また、この光導波路配線基板の作製は、基材に予め光路変換手段Ａ及び／又はＢを一括して形成し、この上に光導波路を作製するため、パターン密度が高い又はパターンが複雑な光回路パターンを生産性よく作製することができる。

前記「光入出力部」とは、光導波路配線基板に（から）光が入出力する部分であり、例えば、光導波路配線基板をその面に対し垂直に切断して露出した光導波路のコア端面や、光導波路配線基板の面上に設けた光入出力開口部の端面であり、前記開口部には導波路材料（コア材料）を充填してもよい。

本発明の光導波路配線基板において、光導波路は、下部クラッド部、コア部、及び上部クラッド部を有し、コア部は下部クラッド部及び上部クラッド部により周囲を包囲されている。

光路変換手段Ａは、入射光を光導波路配線基板平面に平行な面に対して角度を有する方向へ光路を変換するもので、反射面を設けたものが好ましい。光反射面は平面でも凹面のような曲面でもよい。図６に光路変換手段Ａの一例を示す。図６において１０は光路変換手段Ａを、１２は導波路コアを示す。
光路変換手段Ａが光反射面を設けたものである場合、その形状は、少なくとも前記基板平面に対し角度を持った光反射面を有するものであれば、どのような形状のものであってもよい。また、作製方法の容易性を考慮して形状を選択してもよい。形状としては、断面が三角形、台形のものなどが挙げられる。
また、光路変換手段Ａには、光の１入射に対し２つ以上の方向に変更（分岐）させるものも含まれる。この他、光路変換手段Ａに関する事項は、特願２００４−８７９１８号の段落0019〜0021に記載された事項、及び図５〜図６に示されたものが適用可能である。（ただし、この出願では、「光路変換手段Ｂ」として表されている。）

光路変換手段Ｂは、光導波路配線基板平面に平行な面内において光の進行方向を１方向又は複数の方向に分けて変換するもので、光反射面を有するものが好ましい。反射面は平面でも凹面のような曲面でもよい。図７に光路変換手段Ｂの一例を示す。図７中、２０は光路変換手段Ｂを、１２は導波路コアを示す。
光路変換手段Ｂが光反射面を設けたものである場合、その形状は、少なくとも前記基板平面に対し垂直な光反射面を有するものであれば、どのような形状のものであってもよい。また、作製方法の容易性を考慮して形状を選択してもよい。形状としては、三角柱、直方体、立方体などが挙げられるがこれらに限定されるものではない。
また、光路変換手段Ｂには、１つの入射光を２つ以上の方向に変更（分岐）させるものも含まれる。この他、光路変換手段Ｂに関する事項は、特願２００４−８７９１８号の段落0016〜0018に記載された事項、及び図１〜図４に示されたものが適用可能である。（ただし、この出願では、「光路変換手段Ａ」として表されている。）

光路変換手段Ａ及びＢの反射面には、光反射膜を形成することが好ましい。光反射膜としては、Au、Al等の金属、TiN等の所謂金属光沢を有する膜が挙げられる。

本発明の光導波路を構成する材料としては、公知のコア材料及びクラッド材料が用いられる。
また、本発明の光導波路配線基板を電気回路基板に積層していわゆる光電気混載基板を作製する場合には、コア及びクラッド材料は、光電気混載基板を作製する際の半田付けの温度に耐えられるよう、耐熱性の材料を用いることが好ましい。耐熱温度は２８０℃、好ましくは３００℃程度である。例えば耐熱性材料としてはポリイミド系、エポキシアクリル系、ポリシラン系等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

また、前記光路変換手段Ａ及びＢを構成する材料としては、光学的には反射特性に優れるものが好ましい。また、反射面が凹面の場合も同様である。
更に、前記光路変換手段Ａ及びＢを構成する材料も、前記クラッド及びコアと同程度の耐熱性を有することが必要である。

［光電気混載基板］
本発明の光電気混載基板は、光導波路配線基板の上に電気回路基板を積層したものである。電気回路基板としては、印刷回路基板等の電気回路基板が用いられる。光導波路配線基板と電気回路基板の積層は、半田、接着等の積層方法のほかに、光導波路基板上に電気回路基板を形成していく所謂ビルドアップ等の手法も利用できる。また、電気回路基板にも、光導波路配線基板に積層した場合光導波路配線基板に設けた光入出力部に対応する位置に開口部が形成される。
また、光導波路配線基板と電気回路基板を積層した光電気混載基板の上に、光デバイス又は光デバイス及び電気デバイスを更に接続することができる。光デバイスとしては、VCSEL/LED/PDの様な単体の光デバイスの他に、LSIと光I/Oデバイスを一体にした、所謂、光マルチチップモジュール(MCM)等が挙げられ、電気デバイスとしては、チップコンデンサ等の受動素子からLSI/マルチチップモジュールの様な大規模な半導体素子に至るまで、通常PWBAに搭載されるすべての素子が挙げられる。

次に光導波路配線基板の製造方法について説明する。
［光導波路配線基板の製造方法］
本発明の光導波路配線基板は、例えば以下のごとき製造方法により作製される。第１の方法は、型基板上に光路変換手段Ａに対応する第１のピットが少なくとも１つ、及び／又は光路変換手段Ｂに対応する第２のピットが少なくとも１つ形成された型を作製し、次に前記型のピットに樹脂を充填してピットの形状を転写することにより光路変換手段Ａ及び／又は光路変換手段Ｂが作製された樹脂基材を作製し、次いで前記樹脂基材上に光導波路配線を作製する方法である。
また、第２の方法は、基材上に、光路変換手段Ａの少なくとも１つ、及び／又は光路変換手段Ｂの少なくとも１つを形成し、その後、光路変換手段Ａ等を形成した基材の上に光導波路配線を作製する方法である。

＜第１の方法＞
最初に第１の方法について説明する。まず、型基板上に光路変換手段Ａに対応する第１のピットが少なくとも１つ、及び／又は光路変換手段Ｂに対応する第２のピットが少なくとも１つ形成された型を作製するには、例えば、前記光路変換手段Ａ等の底面形状に対応する開口部を有するエッチングマスク（例えばポジ型のフォトレジスト層を、フォトマスクを介して露光・現像して作製）を型基板の上に設け、次にエッチングによりピットを形成する方法が挙げられる。
この他に、切削等の機械加工的な方法も有力である。型基板としてはシリコン（１００）基板、機械的な方法においては、通常の金属板やAlブロック等が用いられる。
また、前記方法において型基板としてシリコン（１００）基板を用いると、異方性エッチングを行うことにより斜面が形成されたピットを容易に作製することができる。

次に前記のようにして作製した型のピットに樹脂を充填してピットの形状を転写することにより光路変換手段Ａ等が形成された樹脂基材を作製する。具体的な作製方法としては、型のピット形成面に、硬化性樹脂を塗布・硬化して硬化層を形成し、硬化層と型の間を剥離する方法や、型のピット形成面に、加熱により軟化する樹脂基材を置き、加熱して軟化させた状態でプレスしてピットの形状を転写してもよい。
前記硬化性樹脂としては熱硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂等が用いられる。本発明の光導波路配線基板を光電気混載基板に用いる場合（組み立て工程で半田工程を必要とする場合）には、耐熱性を有する硬化性樹脂を用いることが好ましい。耐熱温度は略２８０℃以上、好ましくは３００ ℃以上で、例えば、ポリイミド等が用いられる。また、前記の加熱により軟化する樹脂基材としては、例えば前記のごとき耐熱性を有するポリイミド基材等が挙げられる。
また、前記のごとき樹脂層又は樹脂基材に他の支持基材を貼り合わせて型を補強することもできる。樹脂の硬化と支持基材の接合を同時に行ってもよい。支持基材としては、例えば、樹脂基板のごときものが用いられる。

更に、光路変換手段Ａ等が作製された樹脂基材の表面に光学的ミラー特性を改善するための反射膜を形成することができる。反射膜は金、金合金、ＴｉＮのごとき窒化膜等であり、イオンプレーティング法、スパッタ法等により形成される。前記反射膜は、例えば、光路変換手段Ａ、ＢをＡｌやＳｉで形成した結果、反射部での反射特性が良好な場合には省略することができる。

次に、光路変換手段Ａ等が形成された樹脂基材の上に、光導波路配線を形成する。光導波路は下部クラッド、コア及び上部クラッドを有する。下部クラッドはクラッド用材料を含む液を塗布する等により形成される。下部クラッドを形成した後、光路変換手段Ａ等の露出表面に付着している極く薄いクラッド材料を酸素プラズマ等により除去してもよい。

次に、下部クラッドの上にコアを形成する。コアは光回路パターンに対応したパターンを有している。コアの形成は、下部クラッドの上にコア材料の層を形成し、これを通常の方法によりパターニングしてコアを形成する。パターニング方法としては例えば、１）フォトブリーチング法、２）反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ法）、３）直接露光法等が用いられる。
フォトブリーチング法は、有機ポリシラン材料（日本ペイント（株）製の「グラシア」等）を用い、コア部分だけを紫外線非露光とし、露光部と未露光部に屈折率の変化を起こさせる（紫外線露光部の屈折率が小さくなる）方法であり、露光部分を除去する必要がない方法である。
前記２）の反応性イオンエッチング法は、コア材料の層の上にフォトレジスト（ネガ型）を塗布し、フォトマスクを用いて露光現像し、コア部の上にレジスト層を残し、これを反応性イオンエッチング法を用いて非コア部を除去し、コア部の上のフォトレジストを除去する方法である。この方法においてはマスク材料としてシリコン含有レジストを用いると、通常の酸素プラズマにより容易にエッチングが可能である。
また、３）の直接露光法は、コア材料として感光性を有する材料を用い、これをフォトマスクを介して直接露光し、その後現像してパターニングする方法である。

中でも、有機ポリシラン材料を用いるフォトブリーチング法は、コア材料からなる層を露光するだけでよく、現像あるいはエッチング工程が不要で、作製プロセスが簡易である。また、有機ポリシラン材料は、３００℃程度の耐熱性を有しているため、光電気混載基板を作製する場合に特に有用である。

次に、コアの上に上部クラッドを形成する。上部クラッドの形成法は、下部クラッドの形成法と同様である。
上部クラッドの表面を研磨等により平坦化してもよい。また、研磨に代え、クラッド層の多層コーティングにより平坦性を得ても良い。

以下に、型基板としてシリコン（１００）基板（Ｓｉ基板）を用い、異方性エッチングにより第１のピット及び第２のピットが形成された型を作製し、その型を用いて光方向変換手段Ａ及びＢが形成された樹脂基材を作製し、次いで樹脂基材の上に光導波路を作製する方法の一例について、図を用いて説明する。
（第１のピット及び第２のピットが形成された型を作製する工程）
図８は型基板に第１のピットを形成するまでの工程を示す概念図である。図８（Ａ）はＳｉ基板１０２に後の工程である異方性エッチングからＳｉ基板を保護するための保護膜１０４を設けたものを示す。保護膜１０４は、例えばＳｉ₃Ｎ₄膜やＳｉＯ₂膜を用いることができる。Ｓｉ₃Ｎ₄膜を用いる場合には、Ｓｉ₃Ｎ₄膜に対して行うプロセスの際、該膜に傷がつかないように該膜の上にポリシリコン膜を積層することが好ましいが、必ずしも必要としない。保護膜の着膜方法はプラズマＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法等の公知の方法が使用可能で特に制限はない。また、ＳｉＯ₂膜は熱酸化法やＣＶＤ法により形成することができる。また、図８（Ａ）では保護膜は片面に設けられているように描かれているが、エッチング液から裏面も保護する必要があり、両面に設ける必要がある。

次に、前記保護膜の上にポジ型フォトレジストを塗布し、光方向変換手段の底面形状に対応する光透過部（例えば、光方向変換手段Ａが図１（Ａ）で示すような三角柱の場合、その底面形状である長方形）を設けたフォトマスクを介して露光現像し、フォトレジスト層１０６に前記底面形状に対応する形状でフォトレジスト層を除去し開口部を形成する（図８（Ｂ）参照）。
また、光方向変換手段の底面形状が矩形の場合には、フォトマスクの開口部の形状を正確な矩形とせずに、４隅にＲをつけることが好ましい。これにより、以下の図８（Ｄ）で示す工程において、保護膜１０４の開口形状が４隅にＲをつけた矩形となり、後述の異方性エッチングを施す（図８（Ｆ）参照）工程において、クラックの発生が防止できる。（Ｒをつけないと、エッチングの際、４隅の保護膜が庇のように残り（庇の下の方までエッチングされ）、クラックが発生することがある。）

その後、図８（Ｂ）の状態のものに、等方性ドライエッチング等を施し、前記開口部に対応する形状で、保護膜を除去し（図８（Ｃ）参照）、次に、レジスト１０６を剥離する（図８（Ｄ）参照）。レジスト剥離は熱硫酸と過酸化水素の混液等により行われる。

この後、異方性エッチングにより第１のピットＰ1（光方向変換手段Ａに対応するピット）を形成する（図８（Ｅ）参照）。異方性エッチングには異方性エッチング液が用いられる。異方性エッチング液にはエチレンジアミン、ＫＯＨ等のアルカリが含まれる。具体的には、エチレンジアミンとピロカテコールの混液や、ＫＯＨとイソプロピルアルコールの混液が用いられるが、シリコンの結晶異方性エッチングが可能なものであれば何でもよい。
このような異方性エッチングを行うと、結晶異方性のため、正確な４５°の断面の傾斜をもったピットが形成される。

次に、保護膜１０４を除去する（図８（Ｆ）を参照）。保護膜がＳｉ₃Ｎ₄膜の場合には、例えば熱燐酸が用いられる。また、保護膜がＳｉＯ₂膜の場合には、フッ化水素酸水溶液が用いられる。このようにして、Ｓｉ基板に第１のピットが形成される。

次に、図９（Ａ）に示すように、第２のピット（光方向変換手段Ａ）を作製するために、エッチングマスク１１４を形成する。エッチングマスクは、フォトレジストを露光現像して作製してもよいし、また、熱酸化法やＣＶＤ法等の着膜方法によってＳｉＯ₂膜を作製し、ＳｉＯ₂膜をフォトリソグラフィー法により、光方向変換手段Ｂの底面形状（図３に示す光方向変換手段の場合、直角三角形）に対応する形状に開口するＳｉＯ₂膜とする方法で作製してもよい。なお、以下のドライエッチングを用いる場合には、隅にＲを設ける必要はない。
その後、ドライエッチング法、例えば反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ法）を用いてエッチングし、第２のピットＰ2を形成する（図９（Ｂ）参照）。次いで、エッチングマスク１１４を除去し、型１００を得る（図９（Ｃ）参照。エッチングマスクがＳｉＯ₂膜の場合には、フッ化水素酸水溶液が用いられ、レジスト膜の場合には熱硫酸と過酸化水素の混液等により行われる。第１及び第２のピットが形成されたＳｉ基板（型）が得られる。

エッチングによる第１及び第２のピットの深さは、光方向変換手段Ａ及びＢの高さに相当するので、その深さは、後の工程で形成される下部クラッド、コア、上部クラッドの厚さと、前記のごとき関係を有していることが好ましい。

（光方向変換手段Ａ及び光方向変換手段Ｂが形成された樹脂基材を作製する工程）
図１０（Ａ）ないし図１０（Ｃ）により、光方向変換手段Ａ及び光方向変換手段Ｂが形成された樹脂基材を作製する工程を説明する。
前記のようにして作製した型に、図１０（Ａ）に示すように、硬化性樹脂２２０ａを塗布する。硬化性樹脂を薄く形成する場合には、補強のために、図１０（Ｂ）に示すように支持基材２２２を積層することが好ましい。次に塗布した硬化性樹脂を硬化させ、硬化層２２０を形成する。硬化層２２０と型１００の間から剥離すると、符号１０で示される光方向変換手段Ａ及び２０で示される光方向変換手段Ｂが形成された樹脂基材２００が得られる（図１０（Ｃ）参照）。また、図示しないが、この後、光方向変換手段Ａ及びＢが作製された樹脂基材の表面に光学的ミラー特性を改善するための反射膜を形成することができる。

（光方向変換手段が形成された樹脂基材の上に光導波路を作製する工程）
次に、図１１（Ａ）ないし図１１（Ｃ）が示すように、光方向変換手段が形成された樹脂基材の上に光導波路を作製する。図１１（Ａ）は下部クラッドを、図１１（Ｂ）はコアを、図１１（Ｃ）は上部クラッドを作製する工程を示す。図１１（Ａ）中、２２０は硬化層、１０は光方向変換手段Ａ、２０は光方向変換手段Ｂ、３３０は下部クラッドをそれぞれ示し、図１１（Ｂ）中、３３２はコアを示し、図１１（Ｃ）中、３３４は上部クラッドを示す。これらの工程を経て本発明の光導波路配線基板３００が作製される。

前記のようにして、本発明の光導波路配線基板の基本的部分が作製されるが、このようにして作製した光導波路配線基板に、更に光接続のための開口部が設けられる。これについては、以下の光電気混載基板の具体的製造例について説明する箇所で述べる。

前記第１の方法において、Ｓｉ基板からなる型を用いて樹脂基板を作製する代わりに、前記型に電鋳（例えばＮｉ電鋳）を施し、これに再び金属メッキ（例えばＮｉメッキ）を行って、耐久性に優れた金属製の型を作製することもできる。

＜第２の方法＞
次に第２の方法について説明する。第２の方法では、予め光方向変換手段Ａ及び／又は光方向変換手段Ｂを少なくとも１つ作製し、これを基材上の所定の位置に接着等により固定する。光方向変換手段Ａ又は光方向変換手段Ｂは、精密加工により作製することができる。また、シリコン基板に異方性エッチングを行い、斜面を形成したものを用いることもできる。
次いで前記樹脂基板上に光回路パターンに対応する光導波路を作製する。光導波路の作製方法は、前記第１の方法と同様に行われる。

本発明において用いる光導波路配線基板の更に具体的な製造方法、及び光電気混載基板の製造不法について説明する。以下では光路変換手段Ａ及びＢを１つづつ作製する例を示すが、多数の光路変換手段Ａ及びＢを作製する場合、同種の光路変換手段をまとめて一度に作製することができる。
（製造例１）
厚さ６５０μｍのＳｉ基板に、プラズマＣＶＤ法を用い、Ｓｉ₃Ｎ₄膜及びポリシリコン膜をこの順に着膜させ保護膜を形成した。前記保護膜の上にポジ型フォトレジストを塗布し、露光現像して、４００×２００μｍの長方形にレジスト層を除去して開口部を形成した。開口部の１辺は、以下で形成される第１のピットと第２のピットを結ぶラインに対して直角となるようにした。また、長方形の四隅にＲを付けた。その後、反応性イオンエッチングにより前記開口部に対応する形状で保護膜を除去した。次いで、熱硫酸と過酸化水素の混液を用いてレジスト層を除去した。この後、エチレンジアミンとピロカテコールの混液からなる異方性エッチング液を用いて、ピットの深さが１００μｍになるまでＳｉ基板をエッチングした。略４５°の斜面を有するピットが形成された。次に熱燐酸を用いて保護膜を除去した。光路変換手段Ａに対応する第１のピット（図８（Ｆ）で示す断面形状を有する）が形成された。

第１のピットが形成されたＳｉ基板の上に、ポジ型フォトレジストを塗布し、露光現像して、１００×１００μｍの正方形にレジスト層を除去して開口部を形成し、エッチングマスクを作製した。正方形の開口部は、その１辺が、第１のピットと以下のエッチングにより形成される第２のピットを結ぶライン（光伝達方向）に対して４５°の角度をなすようにした。エッチングマスクを介して反応性イオンエッチングを行い、ピットの深さが１００μｍになるまでＳｉ基板をエッチングした。光路変換手段Ｂに対応する第２のピットが形成された。次に熱硫酸と過酸化水素の混液によりレジスト層を除去した。得られたものを、以下の工程で用いる型とした。

前記型を原盤として、ポリイミド板（宇部興産（株）製のユーピレックス）を約２８０℃に熱し、軟化させた状態でプレスして、前記の第１及び第２のピット形状を転写し、光路変換手段Ａ、Ｂを得た。この上に、真空蒸着法によりＡｕを１μｍの厚さで着膜し、反射膜とした。光路変換手段Ａ、Ｂが形成された樹脂基材が得られた。

光路変換手段が形成された樹脂基材の上に、日本ペイント（株）製のクラッド用グラシアを塗布し、下部クラッドを形成した。次に、下部クラッドの上にコアを形成した。コアのパターンは、光が、光路変換手段ＡとＢとの間を通り、かつ光路変換手段Ｂにより９０°方向変換されて、光導波路配線基板の端部から出射するようなパターンとした。コアは日本ペイント（株）製のコア用グラシアを用い、パターン形状に露光して（非露光部がコアとなる）作製した。コアの上に日本ペイント（株）製のクラッド用グラシアを塗布し、上部クラッドを形成した。コアの厚さは５０μｍとし、光路変換手段ＡとＢがコアより上に出るようにした。

上部クラッドの上にポジ型レジストを塗布して露光現像することによりエッチングマスクを形成し、上部クラッドにエッチングを行って開口部（光接続口）を形成した。開口部の位置は、開口部からの入射光が光路変換手段Ａの反射面により反射されコア内を伝達されるような位置とした（図１２（Ａ）参照）。
開口部を設けた光導波路配線基板に印刷回路基板（同じ位置に開口部を有する）を積層し（図１２（Ｂ）参照）、前記開口部に前記コアに用いた有機ポリシラン材料を充填した（図１２（Ｃ）参照）。
前記印刷回路基板の上にあらかじめ、半田をプリントし、その後、光MCMを高精度マウンターにて搭載し、半田リフロー工程を通して接続した（図１２（Ｄ）参照）。以上の工程により光電気混載基板が得られた。
光MCMの光出力ポートから光導波路配線基板に入力された光は、光路変換手段Ａにより光路変換されてコア内を伝達され、光方向変更手段Ｂにより９０°方向変換され、光導波路配線基板の端部から出力された。

本発明の光導波路配線基板アセンブリーの一例を示す図で、図１（Ａ）は光導波路配線基板の斜視図を、図１（Ｂ）は接続部材の接続部材の斜視図を、図１（Ｃ）は光導波路配線基板アセンブリーの斜視図を示す。 図１で示す光導波路配線基板アセンブリーの断面を示す図で、図２（Ａ）は接続する前の光導波路配線基板及び接続部材の断面を、図２（Ｂ）は光導波路配線基板アセンブリーの断面を、図２（Ｃ）は光導波路配線基板アセンブリーに導波素子を接続した光接合ユニットの断面を示す図である。 本発明の他の光導波路配線基板アセンブリーを示す断面図である。 本発明の光電気混載基板アセンブリーの一例を示す断面図である。 本発明の光電気混載基板アセンブリーの他の一例を示す断面図である。 本発明における光路変換手段Ａの一例を示す図である。 本発明における光路変換手段Ｂの一例を示す図である。 Ｓｉ基板に異方性エッチングを用いて光方向変換手段Ａに対応する第１のピットを形成するまでの工程を示す図である。 第１のピットを形成したＳｉ基板に光方向変換手段Ｂに対応する第２のピットを形成し、型を作製するまでの工程を示す図である。 型を用いて光方向変換手段Ａ及びＢが形成された樹脂基材を作製するまでの工程を示す図である。 樹脂基材の上に下部クラッド、コア及び上部クラッドを形成する工程を示す図である。 光導波路配線基板を用いて光電気混載基板を作製するまでの工程を示す図である。

符号の説明

１０ 光路変換手段Ａ
２０ 光路変換手段Ｂ
３０ 光導波路配線基板
３２ 基板端部
３４ 導波路（コア）
３６ 導波路端面
４０ 接続部材
４２ 第１の接続部
４４ 第２の接続部
４６ 導光部
４７ 第１の接続部における導光部端面
４８ 第２の接続部における導光部端面
４９ 接点
５０ 光導波路配線基板アセンブリー
６０ 電気回路基板
６２ 電気配線
７０ 光電気混載基板
８０ 光電気混載基板アセンブリー
９０ 導波素子

Claims (13)

1. 光導波路配線基板と接続部材とが接合された光導波路配線基板アセンブリーであって、前記光導波路配線基板は導波路端面が露出形成された基板端部を有し、前記接続部材は、基板端部が接続される第１の接続部と、導波部を有し導波部端面が露出形成された端部を有する導波素子の該端部が接続されるべき第２の接続部とを有し、第１の接続部と第２の接続部との間に導光部が設けられるとともに第１の接続部と第２の接続部に導光部の端面が露出形成され、第１の接続部に基板端部が接続されて導波路端面と導光部端面が光接合されていることを特徴とする光導波路配線基板アセンブリー。
2. 前記第１の接続部における導光部端面のサイズ及び／又は形状が、第２の接続部における導光部端面のサイズ及び／又は形状と異なることを特徴とする請求項１に記載の光導波路配線基板アセンブリー。
3. 前記第１の接続部における導光部端面ピッチと、第２の接続部における導光部端面ピッチとが異なることを特徴とする請求項１に記載の光導波路配線基板アセンブリー。
4. 光導波路配線基板と接続部材とが接合された光導波路配線基板アセンブリーであって、前記光導波路配線基板は導波路端面が露出形成された基板端部を有し、前記接続部材は基板端部が接続される接続部と、導波部を有し導波部端面が露出形成された端部を有する導波素子の該端部が保持されるべき保持部を有し、前記基板端部が接続部材の接続部に接続されていることを特徴とする光導波路配線基板アセンブリー。
5. 前記光導波路配線基板が、光導波路配線、光入出力部、及び光導波路配線基板平面に平行な面に対して角度を有する方向へ光の方向を変換することにより光導波路配線基板面上に設けた光入出力部と光導波路を光接続する光路変換手段Ａを少なくとも１つ、及び／又は光導波路配線基板平面に平行な面内において光の方向を変換する光路変換手段Ｂを少なくとも１つ有することを特徴とする前記請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の光導波路配線基板アセンブリー。
6. 光導波路配線基板に電気回路基板が積層された光電気混載基板と接続部材とが接合された光電気混載基板アセンブリーであって、
   前記光電気混載基板は導波路端面が露出形成された基板端部を有し、
   前記接続部材は、電気配線と、基板端部が接続される第１の接続部と、導波部を有し導波部端面が露出形成された端部を有する導波素子の該端部が接続されるべき第２の接続部とを有し、第１の接続部と第２の接続部との間に導光部が設けられるとともに第１の接続部と第２の接続部に導光部の端面が露出形成され、
   前記第１の接続部に基板端部が接続されて導波路端面と導光部端面が光接合され、かつ、接続部材の電気配線と電気回路基板における電気配線が接続されていることを特徴とする光電気混載基板アセンブリー。
7. 前記第１の接続部における導光部端面のサイズ及び／又は形状が、第２の接続部における導光部端面のサイズ及び／又は形状と異なることを特徴とする請求項６に記載の光電気混載基板アセンブリー。
8. 前記第１の接続部における導光部端面ピッチと、第２の接続部における導光部端面ピッチとが異なることを特徴とする請求項６に記載の光電気混載基板アセンブリー。
9. 光導波路配線基板に電気回路基板が積層された光電気混載基板と接続部材とが接合された光電気混載基板アセンブリーであって、前記光導波路配線基板は導波路端面が露出形成された基板端部を有し、前記接続部材は、電気配線と、基板端部が接続される接続部と、導波部を有し導波部端面が露出形成された端部を有する導波素子の該端部が保持されるべき保持部を有し、前記基板端部が接続部材の接続部に接続され、かつ、接続部材の電気配線と電気回路基板における電気配線が接続されていることを特徴とする光電気混載基板アセンブリー。
10. 光導波路配線基板に電気回路基板が積層された光電気混載基板と接続部材とが接合された光電気混載基板アセンブリーであって、
    前記光電気混載基板はその面上に光入出力部を有し、
    前記接続部材は、電気配線と、光電気混載基板面が接続される第１の接続部と、導波部を有し導波部端面が露出形成された端部を有する導波素子の該端部が接続されるべき第２の接続部を有し、第１の接続部は光電気混載基板面上の光入出力部に対応する位置に光入出力部を有し、第１の接続部の光入出力部と第２の接続部との間に導光部が設けられるとともに第２の接続部に導光部の端面が露出形成され、第２の接続部に形成される導光部端面を通る光は光電気混載基板の面と平行であり、
    前記第１の接続部における光入出力部に光電気混載基板面上の光入出力部が接続され、かつ、接続部材の電気配線と電気回路基板における電気配線が接続されていることを特徴とする光電気混載基板アセンブリー。
11. 前記光導波路配線基板が、光導波路配線、光入出力部、及び光導波路配線基板平面に平行な面に対して角度を有する方向へ光の方向を変換することにより光導波路配線基板面上に設けた光入出力部と光導波路を光接続する光路変換手段Ａを少なくとも１つ、及び／又は光導波路配線基板平面に平行な面内において光の方向を変換する光路変換手段Ｂを少なくとも１つ有することを特徴とする前記請求項６ないし請求項１０のいずれか１項に記載の光電気混載基板アセンブリー。
12. 請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の光導波路配線基板アセンブリーに、導波部を有し導波部端面が露出形成された端部を有する導波素子の該端部を接続した光接合ユニット。
13. 請求項６ないし請求項１１のいずれか１項に記載の光電気混載基板アセンブリーに、導波部を有し導波部端面が露出形成された端部を有する導波素子の該端部を接続した光電接合ユニット。

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