JP2006047172A - Apparatus, method and program for inspecting substrate - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、被検査基板の配線パターン上に設定された所定の検査点に圧接され、前記被検査基板と前記被検査基板の電気的特性を検査する基板検査装置、基板検査プログラム及び基板検査方法に関する。特に、配線パターン、第1の絶縁基板、第1のベタパターン、第2の絶縁基板及び第2のベタパターンが順に積層され、前記配線パターンとして、前記第1及び第2の絶縁基板内に配設されたビアを介して、それぞれ前記第1及び第2のベタパターンと通電可能に接続された配線パターンである第1及び第2の配線パターンを有し、前記第1及び第2の配線パターンの少なくとも一方が3個以上の配線パターンからなる被検査基板において、前記第1及び第2のベタパターン間の短絡の発生位置を検出する基板検査装置、基板検査プログラム及び基板検査方法に関する。 The present invention provides a substrate inspection apparatus, a substrate inspection program, and a substrate inspection method that are in pressure contact with a predetermined inspection point set on a wiring pattern of a substrate to be inspected and inspect the electrical characteristics of the substrate to be inspected and the substrate to be inspected. About. In particular, a wiring pattern, a first insulating substrate, a first solid pattern, a second insulating substrate, and a second solid pattern are sequentially stacked, and the wiring patterns are arranged in the first and second insulating substrates. 1st and 2nd wiring pattern which has the 1st and 2nd wiring pattern which is the wiring pattern electrically connected with the said 1st and 2nd solid pattern through the via | veer provided, respectively, The said 1st and 2nd wiring pattern The present invention relates to a substrate inspection apparatus, a substrate inspection program, and a substrate inspection method for detecting the occurrence position of a short circuit between the first and second solid patterns in a substrate to be inspected having at least one of three or more wiring patterns.
回路基板上の配線パターンは、その回路基板に搭載されるIC等の半導体や抵抗器等の電気部品に電気信号を正確に伝達する必要があるため、従来、半導体や電気部品を実装する前のプリント配線基板、液晶パネルやプラズマディスプレイパネルに配線パターンが形成された回路配線基板、あるいは半導体ウェハ等の基板に形成された配線パターンに対して、検査対象となる配線パターンに設けられた検査点間の抵抗値を測定してその良否が検査されている。 The wiring pattern on a circuit board needs to accurately transmit electrical signals to electrical components such as ICs and resistors mounted on the circuit board. Between wiring points to be inspected for printed wiring boards, circuit wiring boards with wiring patterns formed on liquid crystal panels and plasma display panels, or wiring patterns formed on substrates such as semiconductor wafers The resistance value is measured and the quality is inspected.
更に、電源用ベタパターン及び接地用ベタパターンを有する多層基板において、電源用ベタパターンと接地用ベタパターンとの間に短絡が発生した場合には、短絡の原因を調査することによって、基板の製造過程における短絡の発生を防止するべく製造プロセスの改善が行われてきた。 Further, in the case of a short circuit between a power solid pattern and a ground solid pattern in a multi-layer substrate having a power solid pattern and a ground solid pattern, manufacturing the substrate by investigating the cause of the short circuit Manufacturing processes have been improved to prevent the occurrence of short circuits in the process.
しかしながら、電源用ベタパターン及び接地用ベタパターンを有する多層基板において、2つのベタパターンの間に短絡が発生した場合には、抵抗値測定によって短絡の発生位置を特定することはできないため、従来、基板を端面から徐々に研削し、表面に現れた端面の性状を目視にて観察することによって、短絡位置を特定していた。しかし、このような従来の方法は、大きな作業負荷を必要とするため、その効率化が課題となっていた。 However, in the multilayer substrate having the power supply solid pattern and the grounding solid pattern, when a short circuit occurs between the two solid patterns, it is impossible to specify the occurrence position of the short circuit by resistance measurement. The short circuit position was specified by grinding the substrate gradually from the end face and visually observing the properties of the end face appearing on the surface. However, since such a conventional method requires a large work load, its efficiency has been a problem.
本発明は上記課題に鑑みてなされたもので、2つのベタパターン間の短絡の発生位置を容易に求める基板検査装置、基板検査プログラム及び基板検査方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a substrate inspection apparatus, a substrate inspection program, and a substrate inspection method that easily determine the occurrence position of a short circuit between two solid patterns.
請求項1に記載の基板検査装置は、複数の配線パターン、第1の絶縁基板、第1のベタパターン、第2の絶縁基板及び第2のベタパターンが順に積層され、前記配線パターンとして、前記第1及び第2の絶縁基板内に配設されたビアを介して、前記第1及び第2のベタパターンとそれぞれ通電可能に接続された配線パターンである第1及び第2の配線パターン群を有し、前記第1及び第2の配線パターン群の少なくとも一方が3個以上の配線パターンからなる被検査基板において、前記第1及び第2のベタパターン間の短絡の発生位置を求める基板検査装置であって、第1及び第2のベタパターンの内、いずれか一方のベタパターンに電流を流すべく、そのベタパターンにビアを介して通電可能に接続されている配線パターン群の中から2つの配線パターンを選択して、選択した配線パターン間に電源を接続する電流供給手段と、前記一方のベタパターンに流れる電流によって前記短絡を介して他方のベタパターンに発生する電位を測定するべく、前記2つの配線パターンのいずれか一方の配線パターンと、前記他方のベタパターンにビアを介して通電可能に接続されている1の配線パターンとの間の電位差を基準電位差として測定する基準測定手段と、前記一方のベタパターンにビアを介して通電可能に接続されている配線パターン群の内、前記一方の配線パターンと他の配線パターンとの間の電位差を比較電位差として測定する比較測定手段と、前記比較電位差を前記基準電位差と比較して、前記基準電位差との差が所定の閾値以下である比較電位差に対応する配線パターンを、前記短絡の発生位置近傍に位置する短絡配線パターンとして求める位置決定手段とを備えることを特徴としている。
The substrate inspection apparatus according to
請求項8に記載の基板検査プログラムは、複数の配線パターン、第1の絶縁基板、第1のベタパターン、第2の絶縁基板及び第2のベタパターンが順に積層され、前記配線パターンとして、前記第1及び第2の絶縁基板内に配設されたビアを介して、前記第1及び第2のベタパターンとそれぞれ通電可能に接続された配線パターンである第1及び第2の配線パターン群を有し、前記第1及び第2の配線パターン群の少なくとも一方が3個以上の配線パターンからなる被検査基板において、前記第1及び第2のベタパターン間の短絡の発生位置を求める基板検査装置の基板検査プログラムであって、前記基板検査装置を、第1及び第2のベタパターンの内、いずれか一方のベタパターンに電流を流すべく、そのベタパターンにビアを介して通電可能に接続されている配線パターン群の中から2つの配線パターンを選択して、選択した配線パターン間に電源を接続する電流供給手段と、前記一方のベタパターンに流れる電流によって前記短絡を介して他方のベタパターンに発生する電位を測定するべく、前記2つの配線パターンのいずれか一方の配線パターンと、前記他方のベタパターンにビアを介して通電可能に接続されている1の配線パターンとの間の電位差を基準電位差として測定する基準測定手段と、前記一方のベタパターンにビアを介して通電可能に接続されている配線パターン群の内、前記一方の配線パターンと他の配線パターンとの間の電位差を比較電位差として測定する比較測定手段と、前記比較電位差を前記基準電位差と比較して、前記基準電位差との差が所定の閾値以下である比較電位差に対応する配線パターンを、前記短絡の発生位置近傍に位置する短絡配線パターンとして求める位置決定手段として機能させることを特徴としている。 The substrate inspection program according to claim 8, wherein a plurality of wiring patterns, a first insulating substrate, a first solid pattern, a second insulating substrate, and a second solid pattern are laminated in order, First and second wiring pattern groups, which are wiring patterns connected to the first and second solid patterns so as to be energized through vias disposed in the first and second insulating substrates, respectively. And a substrate inspection apparatus for obtaining a short-circuit occurrence position between the first and second solid patterns in a substrate to be inspected, wherein at least one of the first and second wiring pattern groups includes three or more wiring patterns. In the board inspection program, the board inspection apparatus is energized through a via so as to pass a current through one of the first and second solid patterns. Current supply means for selecting two wiring patterns from a group of wiring patterns connected to each other and connecting a power source between the selected wiring patterns, and through the short circuit by the current flowing through the one solid pattern In order to measure the potential generated in the other solid pattern, one of the two wiring patterns and one wiring pattern connected to the other solid pattern through a via so as to be energized A reference measuring means for measuring a potential difference between the one wiring pattern and another wiring pattern in a wiring pattern group connected to the one solid pattern through a via so as to be energized. A comparison measurement means for measuring the potential difference of the reference potential difference as a comparison potential difference, and comparing the comparison potential difference with the reference potential difference, so that the difference from the reference potential difference is a predetermined threshold value. A wiring pattern corresponding to a is comparison potential below is characterized in that to function as a position determining means for determining a short-circuit wiring pattern located near the generation position of the short.
請求項9に記載の基板検査方法は、複数の配線パターン、第1の絶縁基板、第1のベタパターン、第2の絶縁基板及び第2のベタパターンが順に積層され、前記配線パターンとして、前記第1及び第2の絶縁基板内に配設されたビアを介して、前記第1及び第2のベタパターンとそれぞれ通電可能に接続された配線パターンである第1及び第2の配線パターン群を有し、前記第1及び第2の配線パターン群の少なくとも一方が3個以上の配線パターンからなる被検査基板において、前記第1及び第2のベタパターン間の短絡の発生位置を求める基板検査装置の基板検査方法であって、前記基板検査装置の電流供給手段によって、第1及び第2のベタパターンの内、いずれか一方のベタパターンに電流を流すべく、そのベタパターンにビアを介して通電可能に接続されている配線パターン群の中から2つの配線パターンを選択して、選択した配線パターン間に電源を接続し、前記基板検査装置の基準測定手段によって、前記一方のベタパターンに流れる電流によって前記短絡を介して他方のベタパターンに発生する電位を測定するべく、前記2つの配線パターンのいずれか一方の配線パターンと、前記他方のベタパターンにビアを介して通電可能に接続されている1の配線パターンとの間の電位差を基準電位差として測定し、前記基板検査装置の比較測定手段によって、前記一方のベタパターンにビアを介して通電可能に接続されている配線パターン群の内、前記一方の配線パターンと他の配線パターンとの間の電位差を比較電位差として測定し、前記基板検査装置の位置決定手段によって、前記比較電位差を前記基準電位差と比較して、前記基準電位差との差が所定の閾値以下である比較電位差に対応する配線パターンを、前記短絡の発生位置近傍に位置する短絡配線パターンとして求めることを特徴としている。 The substrate inspection method according to claim 9, wherein a plurality of wiring patterns, a first insulating substrate, a first solid pattern, a second insulating substrate, and a second solid pattern are laminated in order, First and second wiring pattern groups, which are wiring patterns connected to the first and second solid patterns so as to be energized through vias disposed in the first and second insulating substrates, respectively. And a substrate inspection apparatus for obtaining a short-circuit occurrence position between the first and second solid patterns in a substrate to be inspected, wherein at least one of the first and second wiring pattern groups includes three or more wiring patterns. In the substrate inspection method, the current supply means of the substrate inspection apparatus passes a via in the solid pattern so that a current flows through one of the first and second solid patterns. Then, two wiring patterns are selected from the wiring pattern group connected to be energized, a power source is connected between the selected wiring patterns, and the one solid pattern is formed by the reference measuring means of the substrate inspection apparatus. In order to measure the potential generated in the other solid pattern through the short circuit due to the flowing current, one of the two wiring patterns is connected to the other solid pattern so as to be energized through a via. A potential difference between the first wiring pattern and the first wiring pattern is measured as a reference potential difference, and the one of the wiring pattern groups connected to the one solid pattern through the vias by the comparative measuring means of the substrate inspection apparatus. The potential difference between the one wiring pattern and the other wiring pattern is measured as a comparative potential difference, and is used as a position determination unit of the substrate inspection apparatus. Then, the comparison potential difference is compared with the reference potential difference, and a wiring pattern corresponding to the comparison potential difference whose difference from the reference potential difference is equal to or less than a predetermined threshold is set as a short-circuit wiring pattern located in the vicinity of the short-circuit occurrence position. It is characterized by seeking.
これらの発明によれば、電流供給手段によって、第1及び第2のベタパターンの内、いずれか一方のベタパターンに電流を流すべく、そのベタパターンにビアを介して通電可能に接続されている配線パターン群の中から2つの配線パターンが選択されて、選択された配線パターン間に電源が接続される。そして、基準測定手段によって、一方のベタパターンに電流供給手段により流される電流によって短絡を介して他方の(電流が流されていない)ベタパターンに発生する電位を測定するべく、電源が接続されている2つの配線パターンのいずれか一方の配線パターンと、他方の(電流が流されていない)ベタパターンにビアを介して通電可能に接続されている1の配線パターン群との間の電位差が基準電位差として測定される。この基準電位差は、電流供給手段によって電流が流されているベタパターンにおいて、電流が流入される配線パターンにビアを介して接続されているベタパターン上の位置から短絡の発生位置までの電流により発生する電圧降下量と一致している。 According to these inventions, the current supply means is connected to the solid pattern through the via so as to allow current to flow through one of the first and second solid patterns. Two wiring patterns are selected from the wiring pattern group, and a power source is connected between the selected wiring patterns. Then, a power source is connected to measure the potential generated in the other solid pattern (no current is passed) through a short circuit by the current flowing in the one solid pattern by the current supply means by the reference measuring means. The potential difference between either one of the two wiring patterns that are present and one wiring pattern group that is connected to the other solid pattern (no current is passed) via a via so as to be energized is a reference. Measured as potential difference. This reference potential difference is generated by the current from the position on the solid pattern connected to the wiring pattern into which the current flows through the via to the position where the short circuit occurs in the solid pattern in which the current is supplied by the current supply means. This is consistent with the voltage drop.
また、比較測定手段によって、一方の(電流が流されている)ベタパターンにビアを介して通電可能に接続されている配線パターンの内、一方の(基準電位差が測定される)配線パターンと他の配線パターンとの間の電位差が比較電位差として測定される。つまり、比較測定手段によって、電流が流されているベタパターン上の、このベタパターンとビアを介して通電可能に接続されている配線パターン群に対応する位置の、電流により発生する電圧降下量が比較電位差として測定される。 In addition, one of the wiring patterns connected to the one solid pattern (current flowed) via the via can be energized by the comparative measurement means (the reference potential difference is measured) and the other wiring pattern. A potential difference with respect to the wiring pattern is measured as a comparison potential difference. That is, the voltage drop amount generated by the current at the position corresponding to the solid pattern and the wiring pattern group that is connected to be energized through the via on the solid pattern through which the current is passed by the comparison measurement means. It is measured as a comparative potential difference.
そして、位置決定手段によって、比較電位差が基準電位差と比較されて、基準電位差との差が所定の閾値以下である比較電位差に対応する配線パターンが、短絡の発生位置近傍に位置する短絡配線パターンとして求められる。すなわち、電流が流されているベタパターン上において、電流が流入される位置からの電流により発生する電圧降下量(比較電位差)が、電流が流入される配線パターンにビアを介して接続されているベタパターン上の位置から短絡の発生位置までの電流により発生する電圧降下量(基準電位差)と略一致する(差が閾値以下である)点にビアを介して通電可能に接続されている配線パターンが、短絡の発生位置近傍に位置する短絡配線パターンとして求められる。 Then, the comparison potential difference is compared with the reference potential difference by the position determining means, and a wiring pattern corresponding to the comparison potential difference whose difference from the reference potential difference is equal to or less than a predetermined threshold is a short-circuit wiring pattern located in the vicinity of the short-circuit occurrence position. Desired. That is, the voltage drop amount (comparative potential difference) generated by the current from the position where the current flows on the solid pattern where the current flows is connected to the wiring pattern where the current flows through the via. A wiring pattern connected via a via to a point that substantially matches the voltage drop (reference potential difference) generated by the current from the position on the solid pattern to the short-circuit occurrence position (the difference is equal to or less than the threshold). However, it is calculated | required as a short circuit wiring pattern located near the generation | occurrence | production position of a short circuit.
従って、電流が流入される位置からの電流により発生する電圧降下量が、短絡の発生位置までの電圧降下量と略一致する点に対応する配線パターンが、短絡の発生位置近傍に位置する短絡配線パターンとして求められるため、2つのベタパターン間の短絡の発生位置が容易に且つ正確に求められる。 Therefore, the wiring pattern corresponding to the point where the amount of voltage drop caused by the current from the position where the current flows is substantially the same as the amount of voltage drop to the short-circuit occurrence position is the short-circuit wiring located near the short-circuit occurrence position. Since it is calculated | required as a pattern, the generation | occurrence | production position of the short circuit between two solid patterns is calculated | required easily and correctly.
請求項2に記載の基板検査装置は、前記電流供給手段が、少なくとも一方の配線パターンが異なる前記2つの配線パターンの2組の組合せを選択し、前記基準測定手段及び比較測定手段が、前記電流供給手段によって各組合せの2つの配線パターン間に電源が接続される度に、それぞれ、前記基準電位差及び比較電位差を測定し、前記位置決定手段が、前記電流供給手段によって各組合せの2つの配線パターン間に電源が接続される度に、それぞれ第1及び第2の短絡配線パターンを求めると共に、第1及び第2の短絡配線パターンを用いて前記短絡の発生位置を求めることを特徴としている。
The board inspection apparatus according to
上記の構成によれば、電流供給手段によって、少なくとも一方の配線パターンが異なる電源が接続される2つの配線パターンの2組の組合せが選択される。そして、基準測定手段及び比較測定手段によって、電流供給手段により各組合せの2つの配線パターン間に電源が接続される度に、それぞれ、基準電位差及び比較電位差が測定される。また、位置決定手段によって、電流供給手段により各組合せの2つの配線パターン間に電源が接続される度に、それぞれ第1及び第2の短絡配線パターンが求められると共に、第1及び第2の短絡配線パターンを用いて短絡の発生位置が求められる。 According to the above configuration, the current supply means selects two combinations of two wiring patterns to which power sources having different wiring patterns are connected. Then, each time the power supply is connected between the two wiring patterns of each combination by the current supply means, the reference potential difference and the comparison potential difference are measured by the reference measurement means and the comparison measurement means, respectively. In addition, each time the power supply is connected between the two wiring patterns of each combination by the position determining means, the first and second short circuit patterns are obtained, and the first and second short circuits are obtained. The occurrence position of the short circuit is obtained using the wiring pattern.
従って、電流が流されているベタパターン上において、電流が流入される位置又は電流が流出される位置の少なくとも一方が互いに異なる2つの条件で、電流が流入される位置からの電流により発生する電圧降下量が、短絡の発生位置までの電圧降下量と略一致する点に対応する配線パターンが、それぞれ、第1及び第2の短絡配線パターンとして求められ、第1及び第2の短絡配線パターンを用いて短絡の発生位置が求められるため、2つのベタパターン間の短絡の発生位置が更に正確に求められる。 Therefore, the voltage generated by the current from the position where the current flows in, on two conditions where at least one of the position where the current flows in or the position where the current flows out differs from each other on the solid pattern where the current flows A wiring pattern corresponding to a point where the amount of drop substantially coincides with the amount of voltage drop to the short-circuit occurrence position is obtained as the first and second short-circuit lines, respectively. Therefore, since the occurrence position of the short circuit is obtained, the occurrence position of the short circuit between the two solid patterns can be obtained more accurately.
請求項3に記載の基板検査装置は、前記位置決定手段が第1及び第2の短絡配線パターンとして、それぞれ、複数の配線パターンを求めるべく前記閾値を設定する閾値設定手段を備え、前記位置決定手段が、第1の短絡配線パターンを結ぶ曲線と、第2の短絡配線パターンを結ぶ曲線との交点を前記短絡の発生位置として求めることを特徴としている。
4. The substrate inspection apparatus according to
上記の構成によれば、閾値設定手段によって、位置決定手段が第1及び第2の短絡配線パターンとして、それぞれ、複数の配線パターンを求めるべく閾値が設定される。そして、位置決定手段によって、第1の短絡配線パターンを結ぶ曲線(この曲線は、ベタパターン上の短絡位置を通る等電位曲線に相当する)と、第2の短絡配線パターンを結ぶ曲線(この曲線は、ベタパターン上の短絡位置を通る別の等電位曲線に相当する)との交点が短絡の発生位置として求められる。 According to the above configuration, the threshold value setting means sets the threshold value so that the position determining means obtains a plurality of wiring patterns as the first and second short-circuit wiring patterns. Then, a curve connecting the first short-circuit wiring pattern (this curve corresponds to an equipotential curve passing through the short-circuit position on the solid pattern) and a curve connecting the second short-circuit wiring pattern (this curve) by the position determining means. (Corresponding to another equipotential curve passing through the short-circuit position on the solid pattern) is obtained as the short-circuit occurrence position.
従って、短絡位置を通る等電位曲線に相当する2つの曲線との交点が短絡の発生位置として求められるため、2つのベタパターン間の短絡の発生位置が更に正確に求められる。 Therefore, since the intersection of two curves corresponding to the equipotential curve passing through the short-circuit position is obtained as the short-circuit occurrence position, the short-circuit occurrence position between the two solid patterns can be obtained more accurately.
請求項4に記載の基板検査装置は、前記電流供給手段が、前記2つの配線パターンとして、互いに離間した配線パターンを選択することを特徴としている。
The substrate inspection apparatus according to
上記の構成によれば、電流供給手段によって、ベタパターンに電流が流入される位置及び電流が流出される位置に対応する2つの配線パターンとして、互いに離間した配線パターンを選択される。従って、ベタパターンに電流が流入される点と流出される点とが離間しているため、短絡の発生位置が電流の流路に含まれる確率が増大し、短絡の発生位置が検出される確率が増大する。 According to the above configuration, the wiring patterns separated from each other are selected by the current supply means as the two wiring patterns corresponding to the position where the current flows into the solid pattern and the position where the current flows out. Therefore, since the point where the current flows into the solid pattern is separated from the point where it flows out, the probability that the short-circuit occurrence position is included in the current flow path increases, and the probability that the short-circuit occurrence position is detected. Will increase.
請求項5に記載の基板検査装置は、前記電流供給手段が、前記2つの配線パターンとして、前記第1及び第2の配線パターン群の内、個数の多い方の配線パターン群を選択することを特徴としている。
The board inspection apparatus according to
上記の構成によれば、電流供給手段によって、ベタパターンに電流が流入される位置及び電流が流出される位置に対応する2つの配線パターンとして、第1及び第2の配線パターン群の内、個数の多い方の配線パターン群が選択される。 According to the above configuration, the number of the first and second wiring pattern groups as the two wiring patterns corresponding to the position where the current is supplied to the solid pattern and the position where the current is output by the current supply unit is the number of the wiring patterns. The wiring pattern group with the larger number is selected.
一方、上述のように、比較電位差は、電流が流されているベタパターン上の、このベタパターンとビアを介して通電可能に接続されている配線パターン群に対応する位置の、電流により発生する電圧降下量であり、また、比較電位差の測定点が多い程、短絡の発生位置の特定精度が向上する。 On the other hand, as described above, the comparison potential difference is generated by the current at a position corresponding to the solid pattern and the wiring pattern group connected to be energized through the via on the solid pattern through which the current flows. The more the number of measurement points of the comparison potential difference, the more the voltage drop amount, and the accuracy of specifying the short-circuit occurrence position is improved.
従って、ベタパターンに電流が流入される位置及び電流が流出される位置に対応する2つの配線パターンとして、第1及び第2の配線パターン群の内、個数の多い方の配線パターン群が選択される(すなわち、第1及び第2のベタパターンの内、ビアを介して接続されている配線パターンの個数が多い方のベタパターンが電流を流すベタパターンとして選択される)ため、比較電位差の測定点が多くなり、短絡の発生位置が更に正確に求められる。 Therefore, as the two wiring patterns corresponding to the position where the current flows into the solid pattern and the position where the current flows out, the wiring pattern group with the larger number of the first and second wiring pattern groups is selected. (That is, the solid pattern having the larger number of wiring patterns connected via vias is selected as the solid pattern through which the current flows) among the first and second solid patterns. The number of points increases, and the occurrence position of the short circuit is more accurately obtained.
請求項6に記載の基板検査装置は、前記電流供給手段が、前記2つの配線パターンに所定値の電流を供給する直流電流源を接続することを特徴としている。
The substrate inspection apparatus according to
上記の構成によれば、電流供給手段によって、ベタパターンに電流が流入される位置及び電流が流出される位置に対応する2つの配線パターンに所定値の電流を供給する直流電流源が接続される。従って、直流電流源によって電流が流されるため、抵抗値が小さいベタパターンに適正な大きさの電流が流され、短絡の発生位置が更に正確に求められる。 According to said structure, the direct current source which supplies the electric current of a predetermined value to the two wiring patterns corresponding to the position where an electric current flows into a solid pattern, and the position where an electric current flows out is connected by an electric current supply means. . Accordingly, since a current is caused to flow by the direct current source, a current having an appropriate magnitude is caused to flow in a solid pattern having a small resistance value, and the occurrence position of the short circuit can be obtained more accurately.
請求項7に記載の基板検査装置は、前記直流電流源の供給する電流値を設定する電流設定手段を備えることを特徴としている。 According to a seventh aspect of the present invention, there is provided the substrate inspection apparatus including a current setting unit that sets a current value supplied from the DC current source.
上記の構成によれば、電流設定手段によって、直流電流源の供給する電流値が設定されるため、抵抗値が小さいベタパターンに更に適正な大きさの電流が流され、短絡の発生位置が更に正確に求められる。 According to the above configuration, since the current value supplied by the DC current source is set by the current setting means, a more appropriate current is passed through the solid pattern having a small resistance value, and the occurrence position of the short circuit is further increased. Accurately required.
請求項1,8,9に記載の発明によれば、電流が流入される位置からの電流により発生する電圧降下量が、短絡の発生位置までの電圧降下量と略一致する点に対応する配線パターンが、短絡の発生位置近傍に位置する短絡配線パターンとして求められるため、2つのベタパターン間の短絡の発生位置を容易に且つ正確に求めることができる。 According to the first, eighth, and ninth aspects of the present invention, the wiring corresponding to the point that the amount of voltage drop generated by the current from the position where the current flows is substantially equal to the amount of voltage drop to the position where the short circuit occurs. Since the pattern is obtained as a short-circuit wiring pattern located in the vicinity of the short-circuit occurrence position, the short-circuit occurrence position between the two solid patterns can be obtained easily and accurately.
請求項2に記載の発明によれば、電流が流されているベタパターン上において、電流が流入される位置又は電流が流出される位置の少なくとも一方が互いに異なる2つの条件で、電流が流入される位置からの電流により発生する電圧降下量が、短絡の発生位置までの電圧降下量と略一致する点に対応する配線パターンが、それぞれ、第1及び第2の短絡配線パターンとして求められ、第1及び第2の短絡配線パターンを用いて短絡の発生位置が求められるため、2つのベタパターン間の短絡の発生位置を更に正確に求めることができる。 According to the second aspect of the present invention, on the solid pattern through which the current flows, the current is flowed in under two conditions where at least one of the position where the current flows or the position where the current flows is different from each other. Wiring patterns corresponding to points where the voltage drop generated by the current from the current position substantially coincides with the voltage drop to the short-circuit occurrence position are obtained as the first and second short-circuit wiring patterns, respectively. Since the occurrence position of the short circuit is obtained using the first and second short circuit patterns, the occurrence position of the short circuit between the two solid patterns can be obtained more accurately.
請求項3に記載の発明によれば、短絡位置を通る等電位曲線に相当する2つの曲線との交点が短絡の発生位置として求められるため、2つのベタパターン間の短絡の発生位置を更に正確に求めることができる。 According to the third aspect of the present invention, since the intersection point between the two curves corresponding to the equipotential curve passing through the short-circuit position is obtained as the short-circuit occurrence position, the short-circuit occurrence position between the two solid patterns is more accurately determined. Can be requested.
請求項4に記載の発明によれば、ベタパターンに電流が流入される点と流出される点とが離間しているため、短絡の発生位置が電流の流路に含まれる確率が増大し、短絡の発生位置が検出される確率を増大できる。 According to the fourth aspect of the present invention, since the point where the current flows into the solid pattern and the point where it flows out are separated from each other, the probability that the occurrence position of the short circuit is included in the current flow path increases. The probability that the occurrence position of the short circuit is detected can be increased.
請求項5に記載の発明によれば、第1及び第2のベタパターンの内、ビアを介して接続されている配線パターンの個数の多い方のベタパターンが電流を流すベタパターンとして選択されるため、比較電位差の測定点が多くなり、短絡の発生位置を更に正確に求めることができる。 According to the fifth aspect of the present invention, the solid pattern having the larger number of wiring patterns connected via vias is selected as the solid pattern for passing current among the first and second solid patterns. For this reason, the number of measurement points for the comparison potential difference increases, and the occurrence position of the short circuit can be obtained more accurately.
請求項6に記載の発明によれば、直流電流源によって電流が流されるため、抵抗値が小さいベタパターンに適正な大きさの電流が流され、短絡の発生位置を更に正確に求めることができる。 According to the sixth aspect of the present invention, since a current is caused to flow by the direct current source, a current having an appropriate magnitude is caused to flow in a solid pattern having a small resistance value, and the occurrence position of the short circuit can be obtained more accurately. .
請求項7に記載の発明によれば、電流設定手段によって、直流電流源の供給する電流値が設定されるため、抵抗値が小さいベタパターンに更に適正な大きさの電流が流され、短絡の発生位置を更に正確に求めることができる。 According to the seventh aspect of the present invention, since the current value supplied by the direct current source is set by the current setting means, a current having a more appropriate magnitude is caused to flow through the solid pattern having a small resistance value. The generation position can be determined more accurately.
図1は、この発明に係る基板検査装置の一実施形態を示す側面断面図であり、図2は図1の基板検査装置の平面図である。後述する各図との方向関係を明確にするために、XYZ直角座標軸を記載している。 FIG. 1 is a side sectional view showing an embodiment of a substrate inspection apparatus according to the present invention, and FIG. 2 is a plan view of the substrate inspection apparatus of FIG. In order to clarify the directional relationship with each drawing described later, XYZ rectangular coordinate axes are described.
これらの図に示すように、この基板検査装置は、装置前方側(−Y側)に装置本体1に対して開閉扉11が開閉自在に配設されており、この開閉扉11を開いた状態で、配線パターン、ベタパターン等が形成された多層プリント基板である基板2(被検査基板に相当する)を、装置前方側中央部に設けられた搬出入部3から装置本体1内に搬入可能とされている。また、この搬出入部3の後方側(+Y側)には、検査信号を伝送する複数本(例えば、200本)の接触子44を備え、基板2の配線パターンのランド(検査点)に接触子44を当接させるべく後述する検査治具41を移動させる検査部4が設けられている。
As shown in these drawings, in this substrate inspection apparatus, an opening / closing
更に、この検査部4に対して接触子44を検査点に当接させるべく移動させる指示信号及び接触子44を介して検査点に出力する検査信号等を出力すると共に、検査部4を介して検査信号等が入力され、検査信号を用いて基板の良否判定を行う測定実行部74が適所(ここでは、装置本体1内の上部)に配設されている。そして、検査部4及び測定実行部74による検査(すなわち、良否判定)が終了した基板2は、搬出入部3に戻され、開閉扉11が開状態とされてオペレータによって搬出可能となる。
Further, an instruction signal for moving the
この基板検査装置では、搬出入部3と検査部4との間で基板2を搬送するために、搬送テーブル5がY方向に移動自在に設けられるとともに、搬送テーブル5は搬送テーブル駆動機構6によってY方向に移動されて位置決めされるように構成されている。すなわち、搬送テーブル駆動機構6では、Y方向に延びる2本のガイドレール61が所定間隔だけX方向に離間して配置され、これらのガイドレール61に沿って搬送テーブル5がスライド自在となっている。
In this substrate inspection apparatus, in order to transfer the
また、これらのガイドレール61と平行にボールネジ62が配設され、このボールネジ62の一方(−Y側)端が装置本体1に軸支されるとともに、他方(+Y側)端が搬送テーブル駆動用のモータ63の回転軸64と連結されている。更に、このボールネジ62には、搬送テーブル5を固定したブラケット65が螺合され、後述する制御部76(図3参照)からの指令に応じてモータ63が回転駆動されると、その回転量に応じて搬送テーブル5がY方向に移動して搬出入部3と検査部4との間を往復移動される。
A
図2を参照して、搬送テーブル5は、基板2を載置するための基板載置部51を備えている。この基板載置部51は、載置された基板2が3つの係合ピン53と係合するとともに、これらの係合ピン53と対向する方向から基板2を付勢する付勢手段(図示省略)によって、基板2が係合ピン53側に付勢されて基板載置部51上で基板2を保持可能となっている。また、このように保持された基板2の下面に形成された配線パターンに後述する下部検査ユニット4Dの接触子44を当接させるために、基板載置部51には貫通開口(図示省略)が形成されている。
With reference to FIG. 2, the transfer table 5 includes a
検査部4は、搬送テーブル5の移動経路を挟んで上方側(+Z側)に基板2の上面側に形成された配線パターンを検査するための上部検査ユニット4Uと、下方側(−Z側)に基板2の下面側に形成された配線パターンを検査するための下部検査ユニット4Dとを備えている。検査ユニット4U,4Dは、略同一の構成を有しており、搬送テーブル5の移動経路を挟んで略対称に配置されている。検査ユニット4U,4Dは、検査治具41と検査治具駆動機構43とを備えている。
The
図3は、基板検査装置の電気的構成の一例を示す構成図である。基板検査装置は、CPU,ROM,RAM,モータドライバ等を備えて予めROMに記憶されているプログラムに従って装置全体を制御する制御部76と、テスターコントローラ75と、測定実行部74とを備えている。
FIG. 3 is a configuration diagram illustrating an example of an electrical configuration of the substrate inspection apparatus. The board inspection apparatus includes a
テスターコントローラ75は、制御部76からの検査開始指令を受け付けて、予め記憶されたプログラムに従って、基板2の配線パターンのランドに当接された複数本の接触子44の中から検査すべき配線パターンの両端に位置する2つのランドにそれぞれ接触した2つの接触子44を順次、選択するものである。また、テスターコントローラ75は、選択した2つの接触子44間の検査を行わせるべく、測定実行部74へスキャン指令を出力するものである。
The
一方、検査治具駆動機構43は、図3に示すように、装置本体1に対してX方向に検査治具41を移動させるX治具駆動部43Xと、X治具駆動部43Xに連結されて検査治具41をY方向に移動させるY治具駆動部43Yと、Y治具駆動部43Yに連結されて検査治具41をZ軸回りに回転移動させるθ治具駆動部43θと、θ治具駆動部43θに連結されて検査治具41をZ方向に移動させるZ治具駆動部43Zとで構成されており、制御部76により検査治具41を搬送テーブル5に対して相対的に位置決めしたり、検査治具41を上下方向(Z方向)に昇降させて接触子44を基板2に形成された配線パターンに対して当接させたり、離間させたりすることができるように構成されている。
On the other hand, as shown in FIG. 3, the inspection
図4は、測定実行部74の構成の一例を説明するための概念図である。測定実行部74は、所定値(制御部76の電流設定部76aで設定された値)I0の測定用直流電流を出力する直流電流源からなる電流生成部742と、測定用直流電流によってベタパターン(ここでは、図5に示す接地用ベタパターン231)内に生成される電圧降下量(電位差)を測定する電圧測定部743と、検査治具41が備える複数本の接触子44の中からテスターコントローラ75(図3参照)によって選択された接触子44に電流生成部742及び電圧測定部743を接続するスイッチアレー等からなるスキャナ744とを備えている。
FIG. 4 is a conceptual diagram for explaining an example of the configuration of the
検査処理部741は、テスターコントローラ75からのスキャン指令に応じて、電流供給対象となる2つの接触子44間に電流生成部742を接続し、電位差検出対象となる2つの接触子44間にと電圧測定部743をそれぞれ接続させるべく、スキャナ744へ制御信号を出力するものである。また、検査処理部741は、電圧測定部743で測定された電圧値(電位差)をテスターコントローラ75へ送信するものである。
In response to a scan command from the
図5は、基板2の構成の一例を示す概念図である。(a)は、断面図であり、(b)は上面図である。基板2は、絶縁基板212(第1の絶縁基板に相当する)の上面2aに配線パターン211が形成された第1基板21と、絶縁基板222(第2の絶縁基板に相当する)の上面に電源用ベタパターン221が形成された第2基板22と、絶縁基板232の上面に接地用ベタパターン231が形成され、下面2bに配線パターン233が形成された第3基板23とから構成された多層(ここでは、4層)プリント配線基板である。電源用ベタパターン221と接地用ベタパターン231との間は、絶縁基板222内に不純物等が存在して、短絡箇所SHが発生しているものとする。本発明の基板検査装置は、短絡箇所SHの位置を特定することを特徴とするものである。
FIG. 5 is a conceptual diagram showing an example of the configuration of the
(b)に示すように、配線パターン211は、絶縁基板212に形成されたビアTHVを介して電源用ベタパターン221と通電可能に接続された電源用配線パターン211V(第1の配線パターン群に相当する)と、絶縁基板212,222に形成されたビアTHGを介して接地用ベタパターン231と通電可能に接続された接地用配線パターン211G(第2の配線パターン群に相当する)とを有している。同様に、配線パターン233は、絶縁基板222,232に形成されたビアTHVを介して電源用ベタパターン221と通電可能に接続された電源用配線パターン233Vと、絶縁基板232に形成されたビアTHGを介して接地用ベタパターン231と通電可能に接続された接地用配線パターン233Gとを有している。
As shown in (b), the
なお、接地用配線パターン211G及び電源用配線パターン211Vは、両者を区別することなく図の左上端から順に配線パターンPhk(h:列番号、k:行番号)というものとする。例えば、配線パターンP11,P13は電源用配線パターン211Vであり、配線パターンP12,P14は接地用配線パターン211Gである。
Note that the
図6は、制御部76の機能構成の一例を示す機能構成図である。制御部76は、測定実行部74(電流生成部742)に対して供給する電流値を設定する電流設定部76a(電流設定手段に相当する)と、測定実行部74(電流生成部742)に対して電流を供給開始及び供給停止する指示信号を出力する電流供給部76b(電流供給手段の一部に相当する)と、電源用ベタパターン221及び接地用ベタパターン231のいずれか一方(ここでは、接地用ベタパターン231)に電流を供給した状態で他方のベタパターン(ここでは、電源用ベタパターン221)との間に発生する電位差である基準電位差V0を測定する基準測定部76c(基準測定手段に相当する)と、接地用ベタパターン231に接続されている配線パターン211G間の電位差である比較電位差Viを測定する比較測定部76d(比較測定手段に相当する)と、基準電位差V0及び比較電位差Viを用いて短絡箇所SHの発生位置を求める位置決定部76e(位置決定手段に相当する)と、位置決定部76eに対して判定の基準に用いる閾値ΔVを設定する閾値設定部76fとを備えている。
FIG. 6 is a functional configuration diagram illustrating an example of a functional configuration of the
電流設定部76aは、テスターコントローラ75を介して測定実行部74の電流生成部742に対して接地用ベタパターン231に供給する電流の値I0(I01,I02)を設定するものである。
The
電流供給部76bは、接地用ベタパターン231に通電可能に接続されている接地用配線パターン211Gから2つの接地用配線パターン211Gを選択し、選択された2つの接地用配線パターン211Gを電流生成部742の両端の端子(プラス側端子+F及びマイナス側端子−F)に接続するべくテスターコントローラ75を介してスキャナ744を切換えるものである。
The
ここでは、図5(b)に示すように、接地用ベタパターン231に通電可能に接続されている接地用配線パターン211Gから2つの接地用配線パターン211Gの個数は、電源用ベタパターン221に通電可能に接続されている電源用配線パターン211Vの個数より多いため、電流を供給するベタパターンとして接地用ベタパターン231が選択されている。
Here, as shown in FIG. 5B, the number of the two grounding
また、電流供給部76bは、テスターコントローラ75を介して測定実行部74の電流生成部742に対して、選択された2つの接地用配線パターン211G間に電流を供給開始及び供給停止する指示信号を出力するものである。なお、ここでは、電流供給部76bは、少なくとも一方の配線パターンが異なる2組の2つの接地用配線パターン211Gを選択するものである。更に、電流供給部76bは、電流を供給する2つの接地用配線パターン211Gとして互いに離間した接地用配線パターン211Gを選択するものである。例えば、1組目の接地用配線パターン211Gとして、配線パターンP18,P92を選択し、2組目の接地用配線パターン211Gとして、配線パターンP31,P98を選択するものである。
In addition, the
基準測定部76cは、接地用ベタパターン231に流れる電流によって短絡箇所SHを介して電源用ベタパターン221に発生する電位を測定するものであって、電源用ベタパターン221にビアTHVを介して通電可能に接続されている電源用配線パターン211Vから1の電源用配線パターン211Vを選択し、選択された電源用配線パターン211V(ここでは、配線パターンP11,P71)と、電流供給部76bによって選択された2つの接地用配線パターン211Gのいずれか一方の接地用配線パターン211G(ここでは、プラス側端子+Fに接続される接地用配線パターン211G:配線パターンP18,P31)との間の電位差を基準電位差V0として測定するものである。ただし、電流供給部76bによって、1組目の接地用配線パターン211Gが選択された場合の基準電位差V0を第1基準電位差V01といい、2組目の接地用配線パターン211Gが選択された場合の基準電位差V0を第2基準電位差V02という。
The
具体的には、基準測定部76cは、電源用配線パターン211Vから1の電源用配線パターン211Vを選択し、選択された電源用配線パターン211V(ここでは、配線パターンP11,P71)と、電流供給部76bによってプラス側端子+Fに接続される接地用配線パターン211G(配線パターンP18,P31)とを、テスターコントローラ75を介して測定実行部74の電圧測定部743の両端に接続するべく、測定実行部74のスキャナ744を切換えて、基準電位差V01,V02を求めるものである。
Specifically, the
比較測定部76dは、接地用ベタパターン231にビアTHGを介して通電可能に接続されている接地用配線パターン211Gの内、プラス側端子+Fに接続される接地用配線パターン211G(配線パターンP18,P31)と他の接地用配線パターン211Gとの間の電位差を比較電位差Vij(i=1,2、j=1〜N)として測定するものである。ただし、電流供給部76bによって、1組目の接地用配線パターン211Gが選択された場合の比較電位差を第1比較電位差V1j(j=1〜N)といい、2組目の接地用配線パターン211Gが選択された場合の比較電位差を第2比較電位差V2j(j=1〜N)という。ここで、接地用配線パターン211Gの総数をMとすると、N=(M−1)である。
The
具体的には、比較測定部76dは、接地用ベタパターン231に通電可能に接続されている接地用配線パターン211Gから、プラス側端子+Fに接続される接地用配線パターン211G(配線パターンP18,P31)と、この接地用配線パターン211Gを除く1の接地用配線パターン211Gとを選択し、選択された2つの接地用配線パターン211Gを電圧測定部743の両端の端子に接続するべくテスターコントローラ75を介してスキャナ744を切換えて、電圧測定部743の測定値である比較電位差Vijを求めるものである。
Specifically, the
位置決定部76eは、まず、比較電位差Vijを基準電位差V0iと比較して、基準電位差V0iとの差が所定の閾値ΔVi以下である比較電位差Vijに対応する接地用配線パターン211Gを求めるものである。ただし、i=1,2、j=1〜N。そして、位置決定部76eは、基準電位差V01との差が所定の閾値ΔV1以下である比較電位差V1jに対応する接地用配線パターン211G(第1の短絡配線パターンに相当する)を結ぶ曲線G1と、基準電位差V02との差が所定の閾値ΔV2以下である比較電位差V2jに対応する接地用配線パターン211G(第2の短絡配線パターンに相当する)を結ぶ曲線G2との交点CPを短絡の発生位置として求めるものである。
The
閾値設定部76fは、位置決定部76eによって、基準電位差V01との差が所定の閾値ΔV1以下である比較電位差V1jに対応する接地用配線パターン211G(第1の短絡配線パターンに相当する)、及び、基準電位差V02との差が所定の閾値ΔV2以下である比較電位差V2jに対応する接地用配線パターン211G(第2の短絡配線パターンに相当する)として、それぞれ、複数の接地用配線パターン211Gが求められるべく、位置決定部76eに対して、閾値ΔV1,ΔV2を設定するものである。
The threshold setting unit 76f causes the
図7は、基板検査装置の動作の一例を示すフローチャートである。なお、ここでは、電流設定部76a及び閾値設定部76fによって、それぞれ、電流値I01,I02及び閾値ΔV1,ΔV2が予め設定されているものとする。まず、電流供給部76bによって、カウンタiの値が1に初期化される(ステップS101)。そして、電流供給部76bによって、接地用ベタパターン231に通電可能に接続されている接地用配線パターン211Gから電流源を接続するi組目の2つの接地用配線パターン211Gが選択される(ステップS103)。次いで、電流供給部76bによって、ステップS103において選択された2つの接地用配線パターン211G間に電流設定部76aにより設定された電流値I0iの電流が供給される(ステップS105)。
FIG. 7 is a flowchart showing an example of the operation of the substrate inspection apparatus. Here, it is assumed that current values I01 and I02 and threshold values ΔV1 and ΔV2 are set in advance by
つぎに、基準測定部76cによって、第i基準電位差V0iが測定される(ステップS107)。そして、比較測定部76dによって、第i比較電位差Vij(j=1〜N)が測定される(ステップS109)。次いで、位置決定部76eによって、基準電位差V0iとの差が所定の閾値ΔVi以下である比較電位差Vijに対応する接地用配線パターン211G(第iの短絡配線パターン)が抽出される(ステップS111)。つぎに、位置決定部76eによって、第iの短絡配線パターンを結ぶ曲線Giが求められる(ステップS113)。そして、電流供給部76bによって、カウンタiの値が2以上であるか否かの判定が行われる(ステップS115)。
Next, the i-th reference potential difference V0i is measured by the
カウンタiの値が2以上ではない(1以下である)と判定された場合(ステップS115でNO)には、カウンタiの値が1だけインクリメントされて(ステップS117)、処理がステップS103に戻され、ステップS103〜ステップS113の処理が繰返し実行される。カウンタiの値が2以上であると判定された場合(ステップS115でYES)には、位置決定部76eによって、ステップS113において求められた曲線G1と曲線G2との交点CPが短絡の発生位置として求められ(ステップS119)、処理が終了される。
If it is determined that the value of counter i is not 2 or more (1 or less) (NO in step S115), the value of counter i is incremented by 1 (step S117), and the process returns to step S103. Then, the processing from step S103 to step S113 is repeatedly executed. When it is determined that the value of the counter i is 2 or more (YES in step S115), the intersection CP between the curve G1 and the curve G2 obtained in step S113 is determined as the short-circuit occurrence position by the
図8〜10は、図5に示す基板2において、本発明の基板検査装置を用いて短絡箇所SHの位置の特定を行った結果の一例を示す説明図である。図8は、配線パターンP18,P92間に電流源I01を接続して求められた曲線G1の一例を示す説明図である。(a)は、接地用ベタパターン231内の等電位線の概念図であり、(b)は、位置決定部76eによって求められた曲線G1である。(a)に示すように、配線パターンP18,P92間に電流源I01を接続された場合には、配線パターンP18から配線パターンP92に向けて接地用ベタパターン231内を流れる電流による電圧降下に伴い、左上から右下に向う等電位線が形成される。
8-10 is explanatory drawing which shows an example of the result of having specified the position of short circuit location SH using the board | substrate inspection apparatus of this invention in the board |
(b)に示すように、基準電位差V01は、配線パターンP18と配線パターンP11との間で測定されている。そして、曲線G1として、配線パターンP21,P42,P63,P74,P83,P96を結ぶ曲線(ここでは、折れ線)として求められている。なお、曲線G1は、(a)に示す等電位線と略同一の向きに傾斜した曲線となっている。 As shown in (b), the reference potential difference V01 is measured between the wiring pattern P18 and the wiring pattern P11. And it is calculated | required as a curve (here a broken line) which connects wiring pattern P21, P42, P63, P74, P83, P96 as curve G1. Note that the curve G1 is a curve inclined in substantially the same direction as the equipotential lines shown in FIG.
図9は、配線パターンP31,P98間に電流源I02を接続して求められた曲線G2の一例を示す説明図である。(a)は、接地用ベタパターン231内の等電位線の概念図であり、(b)は、位置決定部76eによって求められた曲線G2である。(a)に示すように、配線パターンP31,P98間に電流源I02を接続された場合には、配線パターンP31から配線パターンP98に向けて接地用ベタパターン231内を流れる電流による電圧降下に伴い、左下から右上に向う等電位線が形成される。
FIG. 9 is an explanatory diagram showing an example of a curve G2 obtained by connecting the current source I02 between the wiring patterns P31 and P98. (A) is a conceptual diagram of an equipotential line in the grounding
(b)に示すように、基準電位差V02は、配線パターンP31と配線パターンP71との間で測定されている。そして、曲線G2として、配線パターンP16,P23,P44,P52,P62を結ぶ曲線(ここでは、折れ線)として求められている。なお、曲線G2は、(a)に示す等電位線と略同一の向きに傾斜した曲線となっている。 As shown in (b), the reference potential difference V02 is measured between the wiring pattern P31 and the wiring pattern P71. And it is calculated | required as a curve (here a broken line) which connects the wiring patterns P16, P23, P44, P52, and P62 as the curve G2. The curve G2 is a curve inclined in substantially the same direction as the equipotential line shown in FIG.
図10は、曲線G1とG2との交点CPの一例を示す説明図である。図8に示すように、曲線G1は、配線パターンP21,P42,P63,P74,P83,P96を結ぶ折れ線であり、曲線G2は、配線パターンP16,P23,P44,P52,P62を結ぶ折れ線である。そこで、曲線G1と曲線G2との交点CPは、曲線G1の配線パターンP42と配線パターンP63とを結ぶ線分と、曲線G2の配線パターンP52と配線パターンP62とを結ぶ線分との交点として求められる。 FIG. 10 is an explanatory diagram illustrating an example of an intersection CP between the curves G1 and G2. As shown in FIG. 8, the curve G1 is a broken line connecting the wiring patterns P21, P42, P63, P74, P83, and P96, and the curve G2 is a broken line connecting the wiring patterns P16, P23, P44, P52, and P62. . Therefore, the intersection CP of the curve G1 and the curve G2 is obtained as the intersection of the line segment connecting the wiring pattern P42 and the wiring pattern P63 of the curve G1 and the line segment connecting the wiring pattern P52 and the wiring pattern P62 of the curve G2. It is done.
このようにして、電流が流入される位置(ここでは、配線パターンP18,P31)からの電流により発生する電圧降下量が、短絡SHの発生位置までの電圧降下量と略一致する点に対応する配線パターン(ここでは、配線パターンP21,P42,P63,P74,P83,P96及び配線パターンP16,P23,P44,P52,P62)が、短絡SHの発生位置近傍に位置する短絡配線パターンとして求められるため、2つのベタパターン221,231間の短絡SHの発生位置が容易に且つ正確に求められる。
In this manner, the voltage drop amount generated by the current from the position where the current flows (in this case, the wiring patterns P18 and P31) corresponds to the point where the voltage drop amount to the position where the short circuit SH occurs substantially coincides. Since the wiring patterns (here, the wiring patterns P21, P42, P63, P74, P83, and P96 and the wiring patterns P16, P23, P44, P52, and P62) are obtained as short-circuit wiring patterns that are located near the position where the short-circuit SH is generated. The occurrence position of the short circuit SH between the two
また、電流が流されているベタパターン(ここでは、接地用ベタパターン231)上において、電流が流入される位置(ここでは、配線パターンP18,P31)又は電流が流出される位置(ここでは、配線パターンP92,P98)が互いに異なる2つの条件で、電流が流入される位置からの電流により発生する電圧降下量が、短絡の発生位置までの電圧降下量と略一致する点に対応する配線パターンが、それぞれ、第1及び第2の短絡配線パターン(ここでは、配線パターンP21,P42,P63,P74,P83,P96及び配線パターンP16,P23,P44,P52,P62)として求められ、第1及び第2の短絡配線パターンを用いて短絡SHの発生位置が求められるため、2つのベタパターン間の短絡SHの発生位置が更に正確に求められる。 Further, on the solid pattern (here, the grounding solid pattern 231) through which the current is flowing, the position where the current flows (here, the wiring patterns P18, P31) or the position where the current flows (here, The wiring pattern corresponding to the point that the voltage drop amount generated by the current from the position where the current flows in substantially matches the voltage drop amount up to the short-circuit occurrence position under two conditions where the wiring patterns P92 and P98) are different from each other. Are obtained as first and second short-circuit wiring patterns (here, wiring patterns P21, P42, P63, P74, P83, P96 and wiring patterns P16, P23, P44, P52, P62), respectively. Since the occurrence position of the short circuit SH is obtained using the second short circuit pattern, the occurrence position of the short circuit SH between the two solid patterns is further changed. It is accurately determined.
更に、短絡SHの位置を通る等電位曲線に相当する2つの曲線G1,G2との交点が短絡SHの発生位置として求められるため、2つのベタパターン間の短絡SHの発生位置が更に正確に求められる。 Furthermore, since the intersection of the two curves G1 and G2 corresponding to the equipotential curve passing through the position of the short circuit SH is obtained as the occurrence position of the short circuit SH, the occurrence position of the short circuit SH between the two solid patterns can be obtained more accurately. It is done.
加えて、ベタパターンに電流が流入される点(ここでは、配線パターンP18,P31)と流出される点と(ここでは、配線パターンP92,P98)が離間しているため、短絡SHの発生位置が電流の流路に含まれる確率が増大し、短絡SHの発生位置が検出される確率が増大する。 In addition, the point where the current flows into the solid pattern (here, the wiring patterns P18, P31) and the point where it flows out (here, the wiring patterns P92, P98) are separated from each other. Is included in the current flow path, and the probability that the occurrence position of the short circuit SH is detected increases.
また、ベタパターンに電流が流入される位置(ここでは、配線パターンP18,P31)及び電流が流出される位置(ここでは、配線パターンP92,P98)に対応する2つの配線パターンとして、電源用配線パターン211V及び接地用配線パターン211Gの内、個数の多い配線パターン(ここでは、接地用配線パターン211G)が選択される(すなわち、電源用配線パターン211V及び接地用配線パターン211Gの内、ビアを介して接続されている配線パターンの多い方のベタパターンが電流を流すベタパターンとして選択される)ため、比較電位差の測定点が多くなり、短絡SHの発生位置が更に正確に求められる。
In addition, power wiring is used as two wiring patterns corresponding to positions where current flows into the solid pattern (here, wiring patterns P18, P31) and positions where current flows out (here, wiring patterns P92, P98). Of the
更に、直流電流源によって電流が流されるため、抵抗値が小さいベタパターン(ここでは、接地用配線パターン211G)に適正な大きさの電流I01,I02が流され、短絡SHの発生位置が更に正確に求められる。加えて、電流設定部76aによって、直流電流源の供給する電流値I01,I02が設定されるため、抵抗値が小さいベタパターン(ここでは、接地用配線パターン211G)に更に適正な大きさの電流が流され、短絡SHの発生位置が更に正確に求められる。
Furthermore, since a current is passed by the DC current source, currents I01 and I02 having appropriate magnitudes are passed through a solid pattern having a small resistance value (here, the
なお、本発明は以下の形態をとることができる。 In addition, this invention can take the following forms.
(A)本実施形態においては、位置決定部76eが曲線G1及びG2の交点CPとして短絡SHの位置を求める場合について説明したが、位置決定部76eが曲線G1(配線パターンP21,P42,P63,P74,P83,P96)を求める形態でもよい。この場合には、処理が簡略化される。逆に、位置決定部76eが3本以上の曲線の交点として短絡SHの位置を求める形態でもよい。この場合には、短絡SHの位置が更に正確に求められる。
(A) In the present embodiment, the case where the
(B)本実施形態においては、位置決定部76eが曲線G1及びG2として配線パターンを通る折れ線を求める場合について説明したが、他の補間曲線(例えば、2次曲線)を求める形態でもよい。この場合には、短絡SHの位置がより正確に求められる。
(B) In the present embodiment, the case where the
(C)本実施形態においては、基板2の上面側の配線パターン211のみを用いて短絡SHの位置を求める場合について説明したが、基板2の下面側の配線パターン233のみを用いる形態でもよいし、上面側及び裏面側の配線パターン211,233を用いる形態でもよい。
(C) In the present embodiment, the case where the position of the short circuit SH is obtained using only the
(D)本実施形態においては、基板検査装置が上部検査ユニット4U及び下部検査ユニット4Dを備える形態について説明したが、基板検査装置が上部検査ユニット4U及び下部検査ユニット4Dの少なくとも一方を備える形態でもよい。
(D) In the present embodiment, the configuration in which the substrate inspection apparatus includes the
(E)本実施形態においては、多数の接触子44を支持し、Z軸方向に移動されることにより基板2の各検査点にそれぞれ接触子44の先端を圧接させる検査治具(いわゆる多針状検査治具)を備える基板検査装置に、本発明が適用される場合について説明したが、1対の接触子44(又は、プローブ)をそれぞれ互いに独立してX,Y,Z軸方向に移動可能に支持し、予め設定されたプログラムに従って順次基板2の検査点に接触子44の先端を圧接させる検査治具(いわゆる、移動プロープ式検査治具)を備える基板検査装置に、本発明が適用される形態でもよい。
(E) In this embodiment, an inspection jig (so-called multi-needle) that supports a large number of
1 装置本体
2 基板
211 配線パターン
211G 接地用配線パターン(第2の配線パターン群)
211V 電源用配線パターン(第1の配線パターン群)
212 絶縁基板
221 電源用ベタパターン
222 絶縁基板
231 接地用ベタパターン
232 絶縁基板
233 配線パターン
233G 接地用配線パターン
233V 電源用配線パターン
3 搬出入部
4 検査部
44 接触子
74 測定実行部
741 検査処理部
742 電流生成部
743 電圧測定部
744 スキャナ
75 テスターコントローラ
76 制御部
76a 電流設定部(電流設定手段)
76b 電流供給部(電流供給手段)
76c 基準測定部(基準測定手段)
76d 比較測定部(比較測定手段)
76e 位置決定部(位置決定手段)
76f 閾値設定部(閾値設定手段)
DESCRIPTION OF
211V power supply wiring pattern (first wiring pattern group)
212 Insulating
76b Current supply unit (current supply means)
76c Reference measuring section (reference measuring means)
76d comparative measurement unit (comparative measurement means)
76e Position determining unit (position determining means)
76f Threshold setting unit (threshold setting means)
Claims (9)
第1及び第2のベタパターンの内、いずれか一方のベタパターンに電流を流すべく、そのベタパターンにビアを介して通電可能に接続されている配線パターン群の中から2つの配線パターンを選択して、選択した配線パターン間に電源を接続する電流供給手段と、
前記一方のベタパターンに流れる電流によって前記短絡を介して他方のベタパターンに発生する電位を測定するべく、前記2つの配線パターンのいずれか一方の配線パターンと、前記他方のベタパターンにビアを介して通電可能に接続されている1の配線パターンとの間の電位差を基準電位差として測定する基準測定手段と、
前記一方のベタパターンにビアを介して通電可能に接続されている配線パターン群の内、前記一方の配線パターンと他の配線パターンとの間の電位差を比較電位差として測定する比較測定手段と、
前記比較電位差を前記基準電位差と比較して、前記基準電位差との差が所定の閾値以下である比較電位差に対応する配線パターンを、前記短絡の発生位置近傍に位置する短絡配線パターンとして求める位置決定手段とを備えることを特徴とする基板検査装置。 A plurality of wiring patterns, a first insulating substrate, a first solid pattern, a second insulating substrate, and a second solid pattern are sequentially stacked, and are arranged in the first and second insulating substrates as the wiring pattern. The first and second wirings include first and second wiring pattern groups which are wiring patterns connected to the first and second solid patterns so as to be energized through the vias provided, respectively. In the substrate to be inspected, wherein at least one of the pattern groups is composed of three or more wiring patterns, a substrate inspection apparatus for obtaining a short-circuit occurrence position between the first and second solid patterns,
Two wiring patterns are selected from a group of wiring patterns connected to the solid pattern via a via so as to allow current to flow through one of the first and second solid patterns. Current supply means for connecting a power source between the selected wiring patterns;
In order to measure the potential generated in the other solid pattern via the short circuit due to the current flowing in the one solid pattern, the wiring pattern of either one of the two wiring patterns and the other solid pattern via vias. A reference measuring means for measuring a potential difference between the wiring pattern and one wiring pattern connected to be energized as a reference potential difference;
Comparison measuring means for measuring a potential difference between the one wiring pattern and the other wiring pattern as a comparison potential difference among the wiring pattern group connected to be energized through the via to the one solid pattern,
Position determination for comparing the comparison potential difference with the reference potential difference and obtaining a wiring pattern corresponding to the comparison potential difference whose difference from the reference potential difference is equal to or less than a predetermined threshold as a short-circuit wiring pattern in the vicinity of the short-circuit occurrence position And a substrate inspection apparatus.
前記基準測定手段及び比較測定手段は、前記電流供給手段によって各組合せの2つの配線パターン間に電源が接続される度に、それぞれ、前記基準電位差及び比較電位差を測定し、
前記位置決定手段は、前記電流供給手段によって各組合せの2つの配線パターン間に電源が接続される度に、それぞれ第1及び第2の短絡配線パターンを求めると共に、第1及び第2の短絡配線パターンを用いて前記短絡の発生位置を求めることを特徴とする請求項1に記載の基板検査装置。 The current supply means selects at least one combination of the two wiring patterns having different wiring patterns,
The reference measurement unit and the comparison measurement unit measure the reference potential difference and the comparison potential difference, respectively, each time a power source is connected between the two wiring patterns of each combination by the current supply unit,
The position determining means obtains first and second short-circuited wiring patterns each time a power source is connected between the two wiring patterns of each combination by the current supply means, and the first and second short-circuited wirings. The substrate inspection apparatus according to claim 1, wherein the occurrence position of the short circuit is obtained using a pattern.
前記位置決定手段は、第1の短絡配線パターンを結ぶ曲線と、第2の短絡配線パターンを結ぶ曲線との交点を前記短絡の発生位置として求めることを特徴とする請求項2に記載の基板検査装置。 The position determining means includes threshold setting means for setting the threshold to obtain a plurality of wiring patterns as the first and second short-circuit wiring patterns,
3. The substrate inspection according to claim 2, wherein the position determining means obtains an intersection of a curve connecting the first short-circuit wiring pattern and a curve connecting the second short-circuit wiring pattern as the occurrence position of the short-circuit. apparatus.
第1及び第2のベタパターンの内、いずれか一方のベタパターンに電流を流すべく、そのベタパターンにビアを介して通電可能に接続されている配線パターン群の中から2つの配線パターンを選択して、選択した配線パターン間に電源を接続する電流供給手段と、
前記一方のベタパターンに流れる電流によって前記短絡を介して他方のベタパターンに発生する電位を測定するべく、前記2つの配線パターンのいずれか一方の配線パターンと、前記他方のベタパターンにビアを介して通電可能に接続されている1の配線パターンとの間の電位差を基準電位差として測定する基準測定手段と、
前記一方のベタパターンにビアを介して通電可能に接続されている配線パターン群の内、前記一方の配線パターンと他の配線パターンとの間の電位差を比較電位差として測定する比較測定手段と、
前記比較電位差を前記基準電位差と比較して、前記基準電位差との差が所定の閾値以下である比較電位差に対応する配線パターンを、前記短絡の発生位置近傍に位置する短絡配線パターンとして求める位置決定手段として機能させることを特徴とする基板検査プログラム。 A plurality of wiring patterns, a first insulating substrate, a first solid pattern, a second insulating substrate, and a second solid pattern are sequentially stacked, and are arranged in the first and second insulating substrates as the wiring pattern. The first and second wirings include first and second wiring pattern groups which are wiring patterns connected to the first and second solid patterns so as to be energized through the vias provided, respectively. A substrate inspection program for a substrate inspection apparatus for obtaining a short-circuit occurrence position between the first and second solid patterns in a substrate to be inspected in which at least one of a pattern group includes three or more wiring patterns, the substrate inspection Equipment
Two wiring patterns are selected from a group of wiring patterns connected to the solid pattern via a via so as to allow current to flow through one of the first and second solid patterns. Current supply means for connecting a power source between the selected wiring patterns;
In order to measure the potential generated in the other solid pattern via the short circuit due to the current flowing in the one solid pattern, either one of the two wiring patterns and the other solid pattern via vias. A reference measuring means for measuring a potential difference between the wiring patterns connected to be energized as a reference potential difference;
Comparative measurement means for measuring a potential difference between the one wiring pattern and the other wiring pattern as a comparative potential difference in the wiring pattern group connected to be energized through the via to the one solid pattern,
Position determination in which the comparison potential difference is compared with the reference potential difference, and a wiring pattern corresponding to the comparison potential difference whose difference from the reference potential difference is equal to or less than a predetermined threshold is determined as a short-circuit wiring pattern located in the vicinity of the short-circuit occurrence position. A board inspection program which functions as means.
前記基板検査装置の電流供給手段によって、第1及び第2のベタパターンの内、いずれか一方のベタパターンに電流を流すべく、そのベタパターンにビアを介して通電可能に接続されている配線パターン群の中から2つの配線パターンを選択して、選択した配線パターン間に電源を接続し、
前記基板検査装置の基準測定手段によって、前記一方のベタパターンに流れる電流によって前記短絡を介して他方のベタパターンに発生する電位を測定するべく、前記2つの配線パターンのいずれか一方の配線パターンと、前記他方のベタパターンにビアを介して通電可能に接続されている1の配線パターンとの間の電位差を基準電位差として測定し、
前記基板検査装置の比較測定手段によって、前記一方のベタパターンにビアを介して通電可能に接続されている配線パターン群の内、前記一方の配線パターンと他の配線パターンとの間の電位差を比較電位差として測定し、
前記基板検査装置の位置決定手段によって、前記比較電位差を前記基準電位差と比較して、前記基準電位差との差が所定の閾値以下である比較電位差に対応する配線パターンを、前記短絡の発生位置近傍に位置する短絡配線パターンとして求めることを特徴とする基板検査方法。 A plurality of wiring patterns, a first insulating substrate, a first solid pattern, a second insulating substrate, and a second solid pattern are sequentially stacked, and are arranged in the first and second insulating substrates as the wiring pattern. The first and second wirings include first and second wiring pattern groups which are wiring patterns connected to the first and second solid patterns so as to be energized through the vias provided, respectively. A substrate inspection method for a substrate inspection apparatus for obtaining a position of occurrence of a short circuit between the first and second solid patterns in a substrate to be inspected in which at least one of a pattern group includes three or more wiring patterns,
A wiring pattern connected to the solid pattern through a via so as to allow current to flow through one of the first and second solid patterns by the current supply means of the substrate inspection apparatus. Select two wiring patterns from the group, connect the power supply between the selected wiring patterns,
In order to measure the potential generated in the other solid pattern via the short circuit by the current flowing in the one solid pattern by the reference measurement means of the substrate inspection apparatus, one of the two wiring patterns and , Measure the potential difference between the other solid pattern and one wiring pattern connected to be energized through a via as a reference potential difference,
The potential difference between the one wiring pattern and the other wiring pattern in the wiring pattern group that is connected to the one solid pattern through a via is compared by the comparison measurement unit of the substrate inspection apparatus. Measured as a potential difference,
By comparing the comparison potential difference with the reference potential difference by the position determining means of the substrate inspection apparatus, a wiring pattern corresponding to the comparison potential difference whose difference from the reference potential difference is equal to or less than a predetermined threshold is set near the short-circuit occurrence position. A method for inspecting a substrate, characterized in that it is obtained as a short-circuit wiring pattern located on the substrate.
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