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JP2006010038A - サックバックバルブ - Google Patents

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JP2006010038A
JP2006010038A JP2004191451A JP2004191451A JP2006010038A JP 2006010038 A JP2006010038 A JP 2006010038A JP 2004191451 A JP2004191451 A JP 2004191451A JP 2004191451 A JP2004191451 A JP 2004191451A JP 2006010038 A JP2006010038 A JP 2006010038A
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diaphragm
suck back
displacement
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JP2004191451A
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Yoshihiro Fukano
喜弘 深野
Tadashi Uchino
正 内野
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SMC Corp
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Publication date
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Abstract

【課題】個々の部品の寸法精度のばらつきによって影響されることがなく、高精度にサックバック量を制御することにある。
【解決手段】オン/オフ弁26と、第2ダイアフラム88に連結されて一体的に変位する第2ピストン80及び前記第2ピストン80に係着された第2ばね部材104を含むサックバック機構28と、供給される前記パイロット圧の圧力に対応し、前記第2ばね部材104の弾発力によって付与される荷重を検出する荷重センサ102と、前記荷重センサ102によって前記第2ダイアフラム88の変位前と変位後との荷重を検出し、前記検出される荷重の偏差に基づいて前記第2ダイアフラム88の変位量を演算する第1及び第2コントロールユニットとを備える。
【選択図】図1

Description

本発明は、流体通路を流通する所定量の圧力流体を吸引することにより、例えば、圧力流体の供給口の液だれを防止することが可能なサックバックバルブに関する。
従来から、例えば、半導体ウェハ等の製造工程においてサックバックバルブ(suck back valve)が使用されている。このサックバックバルブは、半導体ウェハに対するコーティング液の供給を停止した際、供給口から微量のコーティング液が半導体ウェハに向かって滴下する、いわゆる液だれを防止する機能を有する。
ここで、この種の従来技術に係るサックバックバルブを図5に示す(特許文献1参照)。
このサックバックバルブ1は、流入口2と流出口3とを連通させる流通室4が形成された本体5と、前記本体5の上部に連結されるカバー6とを有する。なお、前記流入口2は、被吐出液体の供給源(図示せず)に接続され、一方、流出口3は、図示しないノズルに接続されている。
前記流通室4の略中央には上方に向かって延在する開口部7が形成され、前記開口部7には該流通室4の上面を気密に仕切る第1ダイアフラム8が張設されている。前記第1ダイアフラム8の上方に形成された収納室9内には、下端部を前記第1ダイアフラム8に当接させた昇降部材10が配置される。
前記昇降部材10の上部側には、本体5とカバー6との間に挟持された第2ダイアフラム11が配設され、該昇降部材10の端部に加締められて第2ダイアフラム11に固着された突出部12によって前記第2ダイアフラム11と昇降部材10とが一体的に変位するように設けられている。
第1ダイアフラム8と第2ダイアフラム11との間には、前記第2ダイアフラム11を上方に向かって付勢するコイルばね13が装着されている。また、第2ダイアフラム11とカバー6との間には、パイロットエアポート14を介してパイロットエアが供給される圧力室15が形成されている。さらに、カバー6には、昇降部材10の突出部12に当接する検知ピン16を備える検出装置17が設けられている。
この従来技術に係るサックバックバルブ1の概略動作を説明すると、被吐出液体の供給中は、図示しない電空比例弁からパイロットエアポート14に供給される圧力室15の圧力が高く、第2ダイアフラム11がコイルばね13を弾縮させて図5中の二点鎖線で示す下方位置にあり、昇降部材10と一体的に作動する第1ダイアフラム8も下方位置にあって流通室4の容積が小さくなっている。
そこで、被吐出液体の供給源を滅勢させてノズルからの吐出を停止させると、パイロットエアポート14から供給されるパイロット圧が低減し、圧力室15内の圧力が低下する。従って、第2ダイアフラム11及び昇降部材10と共に第1ダイアフラム8が一体的に上昇し、図5中の実線で示す状態となる。この結果、第1ダイアフラム8が変形して流通室4の容積が増大することにより、ノズル内の被吐出液が吸引される。
この場合、第1ダイアフラム8の変形は昇降部材10の上下動作と対応するものであり、これを検出装置17の検知ピン16の動作として検知し、検出装置17から図示しない指令装置に検出信号が導出されてフィードバック制御がなされる。
特公平6−47092号公報
しかしながら、前記の従来技術に係るサックバックバルブでは、検出装置に連結された検知ピンを介して昇降部材の変位量を検出する際、例えば、製品化された個々の部品の寸法精度のばらつきによって第1ダイアフラムの取付位置に誤差が発生することにより、前記検出装置の原点位置の調整が困難となる。また、前記寸法精度のばらつきによる寸法誤差によって、同一の検出信号であってもサックバック量にばらつきが発生するおそれがある。
本発明は、前記の問題点を考慮してなされたものであり、個々の部品の寸法精度のばらつきによって影響されることがなく、高精度にサックバック量を制御することが可能なサックバックバルブを提供することを目的とする。
前記の目的を達成するために、本発明は、流体通路を有し、一端部に第1ポートが形成され他端部に第2ポートが形成された継手部と、
パイロット圧によって変位する弁体を介して前記流体通路を開閉するオン/オフ弁と、
パイロット圧によって変位する可撓性部材と、前記可撓性部材に連結されて一体的に変位する変位部材と、前記変位部材に係着された弾性部材とを含み、前記可撓性部材の負圧作用下によって前記流体通路内の圧力流体を吸引するサックバック機構と、
供給される前記パイロット圧の圧力に対応し、前記弾性部材の弾発力によって付与される荷重を検出する荷重検出手段と、
前記荷重検出手段によって前記可撓性部材の変位前と変位後との荷重を検出し、前記検出される荷重の偏差に基づいて前記可撓性部材の変位量を演算する制御手段と、
を備えることを特徴とする。
この場合、前記荷重検出手段として、抵抗体に歪みが付与されることにより抵抗値が変化するストレンゲージを用いるとよい。
本発明によれば、可撓性部材と一体的に変位部材が変位する際、供給されるパイロット圧の圧力に対応し、前記変位部材に係着された弾性部材によって付与される荷重を荷重検出手段によって検出し、前記荷重検出手段からの検出信号が制御手段に導出される。前記荷重検出手段は、前記可撓性部材の変位前と変位後との荷重を検出し、前記検出される荷重の偏差に基づいて前記可撓性部材の変位量を演算する。
この結果、本発明では、可撓性部材の変位量に比例して変化する荷重を荷重検出手段によって検出することにより、従来技術のように部品寸法にばらつきが発生して可撓性部材の取付位置に誤差等がある場合であっても、このような部品寸法のばらつきや取付位置の誤差に影響されることがなく、サックバック量を高精度に制御することができる。
本発明によれば、以下の効果が得られる。
すなわち、可撓性部材の変位量に比例して変化する荷重を荷重検出手段によって検出することにより、個々の部品寸法のばらつきや可撓性部材の取付位置の誤差等に影響されることがなく、サックバック量を高精度に制御することができる。
本発明に係るサックバックバルブについて好適な実施の形態を挙げ、添付の図面を参照しながら以下詳細に説明する。
図1において参照数字20は、本発明の実施の形態に係るサックバックバルブを示す。このサックバックバルブ20は、同軸状に配置された一組のチューブ22a、22bが着脱自在に所定間隔離間して接続される継手部24と、前記継手部24の上部に設けられ内部にオン/オフ弁26及びサックバック機構28を有する弁駆動部30とを有する。
前記継手部24には、一端部に第1ポート32aが、他端部に第2ポート32bが形成されると共に、前記第1ポート32aと第2ポート32bとを連通させる流体通路34が設けられた継手ボデイ36と、前記第1ポート32a及び第2ポート32bにそれぞれ係合し、且つチューブ22a、22bの開口部に挿入されるインナ部材38と、前記継手ボデイ36の端部に刻設されたねじ溝に螺入することによりチューブ22a、22bの接続部位の液密性又は気密性を保持するロックナット40とを有する。
第1ポート32aに近接する継手部24の上部にはオン/オフ弁26が配設され、前記オン/オフ弁26は、継手ボデイ36と一体的に連結された第1上部側弁ボデイ42a及び第1下部側弁ボデイ42bと、前記第1上部側弁ボデイ42a及び第1下部側弁ボデイ42bの内部に形成された第1室44内に配設され、上下方向に沿って変位自在に設けられた第1ピストン46とを有する。
なお、前記第1上部側弁ボデイ42aと第1下部側弁ボデイ42bとの連結部位には第1シール部材48が装着され、前記第1シール部材48のシール作用によって第1室44の気密性が保持される。
前記第1ピストン46の軸線方向に沿った一端部には、着座部50に着座することにより流体通路34を閉塞する弁体52がねじ締結され、前記弁体52は、中央の厚肉部と該厚肉部の周辺部に一体的に形成された薄肉部とから構成される。前記第1ピストン46の軸線方向に沿った他端部には、ねじ部を介して連結部材54が締結され、該第1ピストン46と連結部材54との連結部位には第1ダイアフラム56が挟持される。
前記第1ダイアフラム56は、薄肉の平板状に形成され、その周縁部が第1上部側弁ボデイ42a及び第1下部側弁ボデイ42bによって挟持される。前記第1ピストン46の外周面には、環状溝を介してOリング58と断面V字状のパッキン60とがそれぞれ装着される。
前記第1ダイアフラム56の下部側には、該第1ダイアフラム56によって気密に閉塞されたシリンダ室62が形成され、前記シリンダ室62に連通する第1圧力流体出入ポート64を介して該シリンダ室62内に圧力流体が供給される。前記圧力流体は、第1ピストン46の上部側に形成されたフランジ部46aに作用し、前記第1ピストン46を上方に向かって押圧する。従って、第1ダイアフラム56の撓曲作用下に、連結部材54、第1ピストン46及び弁体52が一体的に上昇することにより、弁体52が着座部50から離間して弁閉状態から弁開状態に切り換わる(図2参照)。
なお、図2に示されるように、前記連結部材54の半径外方向に向かって突出するフランジ部54aが第1上部側弁ボデイ42aの壁面66に当接することにより、上方側に対する変位が規制される。
第1室44内には一端部が前記連結部材54のフランジ部54aに係着され、他端部が第1上部側弁ボデイ42aの環状段部68に係着された第1ばね部材70が設けられる。前記第1ばね部材70のばね力によって、連結部材54、第1ピストン46及び弁体52が下方側に向かって押圧されるように設けられている。
また、前記連結部材54の一端部には、凹部を介して磁石72が装着されている。なお、前記フランジ部54aは、第1上部側弁ボデイ42aの壁面66に当接することにより、第1ピストン46の上昇を規制するストッパとして機能するものである。
所定距離離間して前記磁石72と対向する第1上部側弁ボデイ42aには、例えば、ホール素子等からなり、第1ピストン46の位置を検出する位置検出センサ74が設けられる。この場合、前記位置検出センサ74が連結部材54の一端部に装着された磁石72の磁界を検知することにより、オン/オフ弁26の弁開状態/弁閉状態をそれぞれ検出し、図示しないリード線及びコネクタを介して位置検出信号を後述する第1コントロールユニット(図4参照)に導出することができる。
第2ポート32bに近接する継手部24の上部にはサックバック機構28が配設され、前記サックバック機構28は、継手ボデイ36と一体的に連結された第2上部側弁ボデイ76a及び第2下部側弁ボデイ76bと、前記第2上部側弁ボデイ76a及び第2下部側弁ボデイ76bの内部に形成された第2室78内に配設され、上下方向に沿って変位自在に設けられた第2ピストン(変位部材)80とを有する。
オン/オフ弁26の第1上部側弁ボデイ42a、第1下部側弁ボデイ42b及びサックバック機構28の第2上部側弁ボデイ76a、第2下部側弁ボデイ76bは、それぞれ、共通に搭載されるボンネット82及びカバー部材84によって一体的に組み付けられる。
なお、前記第2上部側弁ボデイ76aと第2下部側弁ボデイ76bとの連結部位には、第2シール部材86が装着され、前記第2シール部材86のシール作用によって第2室78の気密性が保持される。
前記第2ピストン80の軸線方向に沿った一端部には、ねじ部を介して第2ダイアフラム(可撓性部材)88が連結され、前記第2ダイアフラム88は、中央の厚肉部と該厚肉部の周辺部に一体的に形成された薄肉部とから構成される。
前記第2ピストン80の軸線方向に沿った他端部には、ねじ部を介して円盤状部材90が締結され、該第2ピストン80と円盤状部材90との間には、第2上部側弁ボデイ76a及び第2下部側弁ボデイ76bによって周縁部が挟持された薄肉平板状の第3ダイアフラム92が介装される。前記第2ピストン80の外周面には、環状溝を介してOリング94が装着される。
前記第3ダイアフラム92の上部側には、該第3ダイアフラム92によって気密に閉塞されたダイアフラム室96が形成され、前記ダイアフラム室96に連通する第2圧力流体出入ポート98を介して該ダイアフラム室96内に圧力流体が供給される。
また、前記第3ダイアフラム92の下部側には、第2ピストン80の直径よりも大きな直径からなる環状溝100が形成される。前記環状溝100内には、付与された荷重を電気信号に変換して導出する荷重センサ102と、一端部が第2ピストン80のフランジ部80aに係着され他端部が前記荷重センサ102に係着され、該第2ピストン80を上方に向かって押圧するコイルスプリングからなる第2ばね部材(弾性部材)104とが配設されている。
前記荷重センサ102は、ダイアフラム室96内に供給されるパイロット圧に対応し、前記第2ばね部材104によって付与される荷重を検知して電気信号に変換する荷重検出手段として機能するものであり、前記電気信号は、図示しないコネクタを介して後述する第2コントロールユニットに導出される。前記荷重センサ102は、例えば、ストレンゲージからなり、金属あるいは半導体等の図示しない抵抗体に歪みが付与されると、その抵抗値が変化する圧抵抗効果を利用するものであり、前記抵抗体に10μA程度のセンス電流を通電し、付与される歪みよって抵抗体に発生する電位差に対応する電気信号が出力される。
この場合、第2圧力流体出入ポート98を通じてダイアフラム室96内に供給された圧力流体が円盤状部材90の上面部に作用して該円盤状部材90を下方側に向かって押圧する。従って、円盤状部材90及び第2ピストン80は、第2ばね部材104のばね力に抗して一体的に下方側に変位し、第2ダイアフラム88の厚肉部の底面が流体通路34側に向かって僅かに突出した状態となる。
本発明の実施の形態に係るサックバックバルブ20は、基本的には以上のように構成されるものであり、次にその動作並びに作用効果について説明する。
図4は、本実施の形態に係るサックバックバルブ20が組み込まれたサックバックシステム110を示す。
このサックバックシステム110は、略同一構成からなり、入力された電気信号に対応する空気圧信号を出力する第1及び第2電空比例弁112a、112bを備える。第1及び第2電空比例弁112a、112bは、それぞれ、第1及び第2コントロールユニット(制御手段)114a、114bと、前記第1及び第2コントロールユニット114a、114bからそれぞれ出力される指令信号(オン信号/オフ信号)に基づいて付勢・滅勢されるノーマルクローズタイプの供給用電磁弁116及び排気用電磁弁118とを含む。また、前記第1及び第2電空比例弁112a、112bには、第1及び第2コントロールユニット114a、114bに対して設定信号を導入する第1及び第2データ設定手段120a、120bがそれぞれ接続される。
この場合、第1電空比例弁112aを構成する供給用電磁弁116と排気用電磁弁118との間の連通路から分岐する通路123がオン/オフ弁26の第1圧力流体出入ポート64に接続され、一方、第2電空比例弁112bを構成する供給用電磁弁116と排気用電磁弁118との間の連通路から分岐する通路125がサックバック機構28の第2圧力流体出入ポート98に接続されている。
なお、前記第1及び第2コントロールユニット114a、114bには、制御・判断・処理・演算・記憶の各手段として機能する図示しないMPU(マイクロプロセッサユニット)が設けられ、該MPUから導出される制御信号によって供給用電磁弁116及び/又は排気用電磁弁118を付勢・滅勢することにより、オン/オフ弁26のシリンダ室62とサックバック機構28のダイアフラム室96にそれぞれ供給されるパイロット圧が制御される。
また、オン/オフ弁26の位置検出センサ74は第1コントロールユニット114aと電気的に接続され、前記位置検出センサ74の検出信号が第1コントロールユニット114aに導入される。一方、サックバック機構28の荷重センサ102は、第2コントロールユニット114bと電気的に接続され、前記荷重センサ102の荷重検出信号が第2コントロールユニット114bに導入される。
なお、サックバックバルブ20の第1ポート32aに連通するチューブ22aには、コーティング液が貯留されたコーティング液供給源122を接続し、一方、第2ポート32bに連通するチューブには図示しない半導体ウェハに向かってコーティング液を滴下するノズル(図示せず)が設けられたコーティング液滴下装置124を接続しておく。
このような準備作用を経た後、圧力流体供給源126を付勢して第1及び第2電空比例弁112a、112bに対して圧力流体を導入すると共に、第1及び第2データ設定手段120a、120bを介して第1及び第2コントロールユニット114a、114bに設定信号を導入する。第1コントロールユニット114aは、前記設定信号に基づいて供給用電磁弁116にのみ付勢信号を導出し、前記供給用電磁弁116をオン状態とする。その際、排気用電磁弁118は滅勢されてオフ状態にある。
従って、供給用電磁弁116を介してオン/オフ弁26に導入されるパイロット圧がシリンダ室62に供給されて第1ピストン46が上昇することにより、オン/オフ弁26がオン状態となる。
この場合、第1ピストン46の一端部に装着された磁石72の磁界を位置検出センサ74によって検知し、前記位置検出センサ74から導出される位置検出信号が第1コントロールユニット114aに導入されることにより、第1コントロールユニット114aは、オン/オフ弁26がオン状態となったことを確認する。
一方、第2コントロールユニット114bは、前記設定信号に基づいて供給用電磁弁116にのみ付勢信号を導出し、前記供給用電磁弁116をオン状態とする。その際、排気用電磁弁118は滅勢されてオフ状態にある。
従って、供給用電磁弁116を介してサックバック機構28に導入されるパイロット圧がダイアフラム室96に供給され、第2ばね部材104のばね力に抗して円盤状部材90及び第2ピストン80が下方側に向かって変位し、第2ダイアフラム88が流体通路34側に僅かに突出した状態となる。
その際、サックバック機構28に設けられた荷重センサ102は、ダイアフラム室96に供給されたパイロット圧の圧力によって付与され、第2ばね部材104のばね力によって押圧される荷重(歪み量)を検知し、前記荷重センサ102から導出される第1荷重検出信号が第2コントロールユニット114bに導入される。前記第2ばね部材104のばね力を介して荷重センサ102に付与される荷重は、ダイアフラム室96に供給されたパイロット圧の圧力に対応して増減するものである。
このようにオン/オフ弁26がオン状態にあり、且つサックバック機構28の第2ダイアフラム88が流体通路34側に僅かに突出した状態において、コーティング液供給源122から供給されたコーティング液は、流体通路34に沿って流通し、コーティング液滴下装置124を介してコーティング液が半導体ウェハに滴下される。この結果、半導体ウェハには、所望の膜厚を有するコーティング被膜(図示せず)が形成される。
コーティング液滴下装置124を介して所定量のコーティング液が図示しない半導体ウェハに塗布された後、第1コントロールユニット114aの図示しないMPUから導出される制御信号によって供給用電磁弁116及び/又は排気用電磁弁118を適宜付勢・滅勢することにより、オン/オフ弁26のシリンダ室62に供給されるパイロット圧を減少させ、オン/オフ弁26をオフ状態とする。
すなわち、オン/オフ弁26のシリンダ室62に供給されるパイロット圧が減少して零となることにより、第1ばね部材70のばね力の作用下に第1ピストン46が下方側に向かって変位し、弁体52が着座部50に着座する。なお、第1ピストン46と一体的に変位する磁石72の磁界を位置検出センサ74によって検知し、前記位置検出信号を第1コントロールユニット114aに導入することにより、第1コントロールユニット114aは、オン/オフ弁26がオフ状態となったことを確認する。
従って、オン/オフ弁26がオフ状態となって流体通路34が遮断されることにより半導体ウェハに対するコーティング液の供給が停止し、コーティング液滴下装置124のノズルから半導体ウェハに対するコーティング液の滴下状態が停止する。この場合、コーティング液滴下装置124のノズル内には、半導体ウェハに滴下される直前のコーティング液が残存しているため、液だれが生ずるおそれがある。
そこで、第2コントロールユニット114bは、第2電空比例弁112bの供給用電磁弁116に滅勢信号を導出して該供給用電磁弁116をオフ状態にすると同時に、排気用電磁弁118に付勢信号を導出して該排気用電磁弁118をオン状態とする。
従って、サックバック機構28のダイアフラム室96に対するパイロット圧の供給を停止し、ダイアフラム室96内のパイロット圧の圧力が減少して零となることにより、第2ピストン80は、第2ばね部材104のばね力の作用下に上昇する。なお、前記第2ピストン80と一体的に変位する円盤状部材90の上面部が第2上部側弁ボデイ76aに形成された壁面128に当接することにより、上方に対する変位が規制される。
従って、第2ピストン80の一端部に連結された第2ダイアフラム88が一体的に変位することにより負圧作用が発生する。その際、流体通路34内の所定量のコーティング液が図3中の矢印方向に沿って吸引される。この結果、コーティング液滴下装置124のノズル内に残存する所定量のコーティング液がサックバックバルブ20側に向かって吸引されることにより、半導体ウェハに対する液だれを防止することができる。
パイロット圧の圧力が減少して第2ばね部材104が上昇した際、荷重センサ102は、前記第2ばね部材104によって付与される荷重(歪み量)を検知し、前記荷重センサ102から導出される第2荷重検出信号が第2コントロールユニット114bに導入される。第2コントロールユニット114bでは、第2ダイアフラム88が流体通路34側に向かって僅かに突出した状態において荷重センサ102から導出された第1荷重検出信号と、第2ダイアフラム88が上昇した状態において荷重センサ102から導出された第2荷重検出信号とを比較し、第1荷重検出信号と第2荷重検出信号との偏差から第2ダイアフラム88の変位量が演算される。
なお、第1コントロールユニット114aから付勢信号を導出してオン/オフ弁26をオン状態とすると同時に、第2コントロールユニット114bから供給用電磁弁116に付勢信号を導出してオン状態とし、排気用電磁弁118に滅勢信号を導出してオフ状態とすることにより初期状態となり、半導体ウェハに対するコーティング液の滴下が開始される。
本実施の形態では、第2ダイアフラム88と一体的に第2ピストン80が変位する際、パイロット圧の圧力に対応し、第2ばね部材104によって付与される荷重を荷重センサ102によって検知し、その荷重の偏差に応じて第2ダイアフラム88の変位量が演算される。
この結果、本実施例では、第2ダイアフラム88の変位量に比例して変化する荷重を荷重センサ102によって検知することにより、従来技術のように部品寸法にばらつきが発生して第2ダイアフラム88の取付位置に誤差等がある場合であっても、このような部品寸法のばらつきや取付位置の誤差に影響されることがなく、サックバック量を高精度に制御することができる。
本発明の実施の形態に係るサックバックバルブの縦断面図である。 図1に示すサックバックバルブを構成するオン/オフ弁の部分拡大縦断面図である。 図1に示すサックバックバルブを構成するサックバック機構の部分拡大縦断面図である。 図1に示すサックバックバルブが組み込まれたサックバックシステムの概略ブロック構成図である。 従来技術に係るサックバックバルブの縦断面図である。
符号の説明
20…サックバックバルブ 24…継手部
26…オン/オフ弁 28…サックバック機構
30…弁駆動部 32a、32b…ポート
46、80…ピストン 50…着座部
52…弁体 54…連結部材
56、88、92…ダイアフラム 62…シリンダ室
70、104…ばね部材 72…磁石
74…位置検出センサ 90…円盤状部材
96…ダイアフラム室 102…荷重センサ

Claims (2)

  1. 流体通路を有し、一端部に第1ポートが形成され他端部に第2ポートが形成された継手部と、
    パイロット圧によって変位する弁体を介して前記流体通路を開閉するオン/オフ弁と、
    パイロット圧によって変位する可撓性部材と、前記可撓性部材に連結されて一体的に変位する変位部材と、前記変位部材に係着された弾性部材とを含み、前記可撓性部材の負圧作用下によって前記流体通路内の圧力流体を吸引するサックバック機構と、
    供給される前記パイロット圧の圧力に対応し、前記弾性部材の弾発力によって付与される荷重を検出する荷重検出手段と、
    前記荷重検出手段によって前記可撓性部材の変位前と変位後との荷重を検出し、前記検出される荷重の偏差に基づいて前記可撓性部材の変位量を演算する制御手段と、
    を備えることを特徴とするサックバックバルブ。
  2. 請求項1記載のサックバックバルブにおいて、
    前記荷重検出手段は、歪みが付与されることにより抵抗値が変化する抵抗体を有するストレンゲージからなることを特徴とするサックバックバルブ。
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