JP2005532592A

JP2005532592A - 真位置ベンチ

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Publication number: JP2005532592A
Application number: JP2004519924A
Authority: JP
Inventors: ボーウェン、テリー; パーコ、リチャード; ブリーディス、ジョン
Original assignee: Tyco Electronics Corp
Current assignee: TE Connectivity Corp
Priority date: 2002-07-03
Filing date: 2003-07-03
Publication date: 2005-10-27
Also published as: AU2003249727A1; WO2004005970A3; WO2004005970A2; EP1629516A4; US20060097137A1; AU2003249727A8; DE60333128D1; EP1629516A2; EP1629516B1; US7511258B2

Abstract

【解決手段】上下の方向性を有する光組立体は、所定勾配の壁（３ａ，３ｂ）を有するＶ溝（３）を画定するプラットフォームと、基準面及び２側面（６ａ，６ｂ）を有する第１光部品と、少なくとも２接触点及び第２光軸を有する外周を有する第２光部品（１１）とを具備する。各側面は、基準面から外方へ所定勾配で面取りされている。第１光部品は、第１光軸（１０ａ）を有し、基準面が下方を向き且つ両側面がＶ溝の壁と平行に接触する状態になるように、Ｖ溝内に配置される。第２光部品は、接触点がＶ溝の壁と接触し且つ第２光軸第１光軸と同軸になるように、Ｖ溝内に配置される。

Description

本発明は、総括的には光組立体に関し、より詳細には部品を光学的に整合させるための整合部材を有する光組立体に関する。

（音声データを含む）デジタルデータの伝送用の媒体として光ファイバを使用することは、高信頼性及び光伝送システムで利用可能な帯域幅が大きいことにより、ますます一般的になってきつつある。これらシステムの基本は、光信号を送信・受信するため及び信号を多重化・逆多重化するための光組立体である。しかし、これら光組立体の製造は困難でコスト高で時間を浪費する傾向がある。

光組立体の製造、特に高い次元の統合を提供するシステムに関連した主要な技術的挑戦の一つは、部品の光学的整合である。これは、能動素子（例えば半導体レーザ）、受動素子（例えばフィルタ）及び／又はＭＯＥＭＳ（ミクロ光学電気機械的システム）（例えば整調可能なファイバ及びスイッチ）等の個別光部品が共通の実装システム上で統合された代表的には10μm以下からマイクロメータ以下の範囲で厳しい許容差で統合される自由空間相互接続光システムで特に適用される。「光ベンチ」と称されることもあるこれら光実装システムは、光学的整合を達成する固定関係で種々の光部品の実装を容易にするレールすなわちプラットフォームを与える。
米国特許第４７６８１９９号明細書

光学的に整合される部品は、ｘ軸、ｙ軸、ｚ軸に沿って互いに関して精確に空間的関係で保持されねばならない。（ｚ軸は慣例により光軸である。）プラットフォーム上に光部品を整合させるためには能動及び受動の２つの整合方法がある。受動整合方法において、位置決めすなわち整合の特徴は、部品が実装されるプラットフォーム上と同様、部品上に直接作られるのが代表的である。次に部品は、整合特徴を使用してプラットフォーム上に配置され、所定位置に貼り付けられる。能動整合方法において、光部品はプラットフォーム上に載置されるが貼り付けられる前であり、光信号は、最適の光性能を提供するよう操作される間、部品を通って伝送される。最適性能が一旦達成されると、部品はプラットフォームに貼り付けられる。能動整合方法は受動整合方法よりも精確である傾向はあるが、受動整合方法は高速、大量の自動製造を容易にするので、好適である。しかし、特に例外的に良好な整合が要求される場合、受動整合方法を使用して３軸全てに光学的に整合させることは非常に困難である傾向がある。にもかからわらず、軸の維持又は微整調のために能動整合方法が唯一必要であるように、２軸に沿って又はたとえ１軸に沿っても許容できる整合が達成するのに受動整合方法が使用可能である場合、製造時間及びコストの目立った低減が実現可能である。

従って、能動整合方法の必要性を無くし又は低減するが、マイクロメータ以下の範囲まで精確である光学実装プラットフォームに対するニーズがある。本発明はこのニーズを満たす。

本発明は、マイクロメータ以下の許容差で光部品を整合させるばかりでなく、自身を受動整合に貸す能力がある真位置ベンチ（本明細書では「ＴＰＢ」と称する）を提供する。特に本発明のＴＰＢは、Ｖ溝内に実装された光部品の中でｘ軸及びｙ軸に沿った受動整合を確保するＶ溝を有するプラットフォームを使用する。ファイバを接合させるためのＶ溝は業界では周知であるが、本発明は、レーザ組立体等の基板タイプの光部品を整合させるＶ溝（すなわち非円形断面）を使用する。この目的のために、本発明は、Ｖ溝内に信頼性高く実装することが可能な基板タイプの光部品上に側面特徴を提供し、その結果、光軸がＶ溝に実装された他の光部品の光軸と同軸になる。

本発明の一側面は、（基板タイプの光部品を含む）光部品が実装されるＶ溝を有するプラットフォームを具備する光組立体である。好適な一実施形態において、光組立体は、上下の方向性を有しており、（ａ）所定勾配の壁を有するＶ溝を画定するプラットフォーム、（ｂ）基準面及び２側面を有する第１光部品であって、各側面は基準面から外方へ所定勾配で面取りされており、第１光軸を有し、基準面が下方を向き且つ両側面がＶ溝の壁と平行に接触する状態になるように、Ｖ溝内に配置される第１光部品、及び（ｃ）少なくとも２接触点及び第２光軸を有する外周を有し、接触点がＶ溝の壁と接触し且つ第２光軸が第１光軸と同軸になるように、Ｖ溝内に配置される第２光部品を具備する。

本発明の別の側面は、上述した光組立体で使用するための第１光部品を製造する方法である。好適な一実施形態において、本方法は、（ａ）２本のＶ溝間に少なくとも１個の中心部分と、該中心部分の各側面に一側部分とを画定するためにウエハに少なくとも２本の平行なＶ溝の位置を決定する工程、（ｂ）平行なＶ溝間の中心部分上に光要素を実装するために、平行なＶ溝に対して所定距離にある基準（fiducial）位置を決定する工程、（ｃ）Ｖ溝をエッチングする工程、（ｄ）基準位置に基準を設ける工程、（ｅ）基準の位置に基づいて中心部分上に光要素を配置し、前記中心部分の前記光要素を固定する工程、及び（ｆ）中心部分から側部分を分離する工程を具備する。好適には、ウエハは多数の基板を製造するために使用される。従って、好適な一実施形態において、ウエハには３個以上の平行なＶ溝が形成され、上述の側部分も基板に形成される。さらに別の実施形態において、第１光部品は光電部品である。このような実施形態において、平行なＶ溝が決定される同一のフォトリソグラフィ工程中に、（光電素子を受容するための）半田パッドが基板上に画定される。

本発明のＴＰＢ及びその製造方法は、従来技術を超えた多数の重要な利点を有する。第一に、Ｖ溝はｘ軸及びｙ軸に沿って位置決め面を有するので、ｘｙ整合を提供する。これは、ｘ軸又はｙ軸の双方ではなくいずれかに沿って整合させる傾向があるプラットフォーム及びレール等の従来技術の光ベンチを超える重大な利点である。さらに、ｘｙ受動整合は、ｚ整合よりも達成するのが困難である傾向があるので、特に有益である。

本発明のＴＰＢは、ｘｙ整合を提供するのみならず、整合が特に堅牢である効果がある機構を使用する。すなわち、光部品は共通面に実装されるので、ＴＰＢは環境変化及び製造許容差により寛容である。例えば、ＴＰＢが著しい温度の揺れに曝される場合、全光部品が同一表面に実装されるので、ＴＰＢの寸法変動の影響は軽減される。換言すると、変化は全部品に等しく影響する。さらに、Ｖ溝が製造工程の変動にさらされる場合、前部品は同様に影響を受けるので、内部部品の影響は再度最小になる。例えば、Ｖ溝がより狭くエッチングされる場合、光部品はＶ溝の底に対して全てより高く着座する。

本発明のＴＰＢのさらに別の利点は余裕のある精度である。特に、基板のＶ溝を厳しい許容差に形成するための技法が開発された。これは、主Ｖ溝についてのみならず、第１光部品についても著しい。特に、ウエハに平行なＶ溝をエッチングすることにより、第１光部品の基板が好適に形成され、次にＶ溝に沿ってウエハを分離して基板を形成する。このため、基板の寸法は、上述したように極端に正確であるＶ溝を使用して決定される。

また、本発明は、第１光部品の基板上に光電素子の極端に正確に配置することを可能にする。特に、Ｖ溝と光電素子用の半田パッドは、周知のフォトリソグラフィ技法を使用する一工程でウエハ上に配置することができる。光電素子の光軸及び基板の両側からの距離は決定的に重要であるので、これらを同時に実施する能力は重要である。半田パッドの表面張力は溶融（リフロー）工程中に半田パッド上に素子を引く傾向があるので、半田パッドを決定することは事実上、基板上の光電素子の位置を決定することである。これは周知の技法である。このため、本発明の作成技法は、Ｖ溝技法を正確に使用して基板の寸法を決定するのみならず、基板の両側に対して半田パッド（及び光電素子）の位置を精密に決定する。（本発明は光電型の第１光部品の製造において従来技術を超える或る利点を実現するが、本発明は光電型第１光部品に限定されないことを理解すべきである。）

それぞれ側面図及び平面図である図１及び図２を参照すると、本発明の光学的真位置ベンチ（ＴＰＢ）法を使用した光組立体１が示される。光組立体１は、第１光部品４及び第２光部品１１を光学的に整合した状態に保持するためのプラットフォーム２を具備する。図１に示され本明細書で説明される光組立体は２個のみの光部品を具備するが、本発明はプラットフォーム２で保持され整合される光部品の数を限定しないことを理解すべきである。しかし、簡単化及び理解を容易にするために、本説明は２個のみの光部品を具備する組立体に焦点を当てる。

プラットフォームは、或る勾配αの壁３ａ，３ｂを有するＶ溝３を画定する。第１光部品４は、Ｖ溝３内に配置されており、第１光軸１０ａ、基準面１５及び２つの側面６ａ，６ｂを有する。各側面は基準面１５から外方に所定勾配αで面取りされている。第１光部品４は、基準面１５が上面１４に対して下方に面し且つ側面６ａ，６ｂがＶ溝３の壁３ａ，３ｂとそれぞれ平行に接触するように、Ｖ溝３内に配置される。また、第２光部品１１もＶ溝３内に配置される。第２光部品は、第２光軸１０ｂと、少なくとも２接触点１３ａ，１３ｂを有する外周１３とを有する。第２光部品１１は、接触点１３ａ，１３ｂがＶ溝３の壁３ａ，３ｂと接触し且つ第２光軸１０ｂが第１光軸１０ａと同軸となるように、Ｖ溝内に配置される。

プラットフォーム
プラットフォーム２は光組立体用の主要な基礎として作用する。すなわち、真位置ベンチの背骨であり、光部品を支持し且つ整合させるよう作用する。個の目的のために、プラットフォーム２は、Ｖ溝３を画定するようエッチング加工又は機械加工できる中実の材料からなる。適当な材料の例は、結晶性形状を有する基本的材料、ポリマ材料、ガラス、セラミクス（すなわち金属又は半金属の酸化物、窒化物、炭化物、硼化物、珪化物及びそれらの組合せ）、水晶及び金属である。好適には、Ｖ溝は、エッチング、より好適にはウエットエッチングによりプラットフォームに画定される。ウエットエッチングは、極めて精密なウエットエッチング技法が周知であり且つドライエッチングより容易に大規模に実施できるので、コスト効率及び正確性の観点から好適である。従って、好適な一実施形態において、プラットフォーム材料は結晶状形状を有するものであるので、予測可能な勾配を有する溝を形成するのにウエットエッチング技法を使用できる。より好適には、プラットフォーム２は、ウエットエッチング技法を使用して予測可能にエッチングされる材料能力が与えられたシリコンからなる。

上述したように、プラットフォーム２に形成されたＶ溝は特定の勾配αを有する。本明細書に使用される用語「勾配」は、Ｖ溝壁（例えば壁３ａ）と、Ｖ溝がエッチングされた表面（例えば上面１４）との間の角度をさす。Ｖ溝の勾配は、使用されるエッチング技法及びエッチングされる材料に依存する。例えば、シリコンの結晶構造のため、54.7°の予測可能な高精度勾配αが、シリコンのＶ溝ウエットエッチングで実現可能である。

プラットフォーム２のＶ溝の寸法は、光副組立体で代表的に使用される寸法より大きい。Ｖ溝はもともと、ファイバ等の比較的小径の円形断面を有する部品を受容するために使用されてきたものであり、Ｖ溝内での部品の光軸は基板表面付近又は基板表面の上であるのが代表的である。しかし、本発明の光組立体において、Ｖ溝は、１個以上の光要素からなる光部品又はフェルール等の、相対的に言うとかなり大きな部品を受容するようになっている。さらに、或る実施形態において、Ｖ溝に実装される部品の光軸は、プラットフォーム２の上面１４の下にある。比較的大きな光部品を収容するために、Ｖ溝は比較的大きいものでなければならない。例えば、図１に示される実施形態において、Ｖ溝は、上面１４で第２光部品１１の直径よりも広い。このため、第１光部品がＬＣ型フェルールの場合、上面でのＶ溝は1250μmよりも大きくなるべきである。Ｖ溝３が比較的大きな寸法であるため、プラットフォーム２を過度に厚くしたり、過度に深いＶ溝により弱体化させたりないように、Ｖ溝の先端を無くするのが好適である。（従って、本明細書で使用される「Ｖ溝」の用語は、完全なＶ溝と共に先端の無いＶ溝を意味する。）このような実施形態は図１に示される。

第１光部品
第１光部品は、円形断面を有する代わりに１個以上の光要素が取り付けられるほぼ平坦な基板を有する光部品をさす「基板タイプ」の光部品である。図１及び図３を参照すると、第１光部品４が示される。第１光部品４は、基準面１５に対して面取りされる両側面６ａ，６ｂを有する基板５からなる。両側面は、Ｖ溝の壁と平行配置で接触するようにＶ溝と同じ勾配で面取りされることが重要である。上述したように、勾配は、使用されるエッチング技法及びエッチングされる材料に依存する。従って、必要なことではないものの、プラットフォーム２及び基板５は同様の材料製で、同様にエッチングされるのが好適である。従って、好適な一実施形態において、基板５はシリコン製である。

側面６ａ，６ｂ間の距離は、第１光部品がＶ溝３内に着座する位置を決定する。例えば、所与のＶ溝寸法に対して、側面６ａ，６ｂ間の距離がより大きいと、第１光部品を溝内のより高い位置で着座させることになる。従って、後述するようにウエットエッチング技法を使用してより精密に実施可能な、側面間の距離を制御することにより、溝内の第１光部品の位置を制御できる。

光要素９は基板５に固定される。本明細書で使用されるように、「固定」の用語は、実装すること、取り付けること、埋設すること又は一体化することを意味する。光要素は、例えば（ａ）光エネルギーを別の形態に変換せず、状態も変化しない受動部品（例えば、ファイバ、レンズ、付加／ドロップフィルタ、アレー状の導波格子（ＡＷＧ）、ＧＲＩＮレンズ、スプリッタ／カプラ、平坦導波路又は減衰器）、（ｂ）光エネルギー及び電気エネルギー間で変換する能動素子（例えば、垂直キャビティ表面放出レーザ（ＶＣＳＥＬ）、二重チャネル、平坦埋め込み型ヘテロ構造（ＤＣ−ＰＢＨ）、埋め込み型クレセント（ＢＣ）、分布型帰還（ＤＦＢ）、分布型ブラッグ反射器（ＤＢＲ）等のレーザ；表面発光ＬＥＤ（ＳＬＥＤ）、縁発光ＬＥＤ（ＥＬＥＤ）、超発光第（ＳＬＤ）等の発光ダイオード（ＬＥＤ）；Ｐ真性Ｎ（ＰＩＮ）及びアバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）等のフォトダイオード；又は光エネルギーを他の形態に変換はしないが制御信号に応答して状態が変化するハイブリッド素子（例えば、スイッチ、変調器、減衰器及び整調可能なフィルタ）であってもよい。

第１光部品は、基準面１５の上でも下でもよいが、基準面１５付近にあるのが代表的である第１光軸１０ａを有する。図１に示されるように、第１光軸１０ａは、基準面１５から第１距離にあり、２側面６ａ，６ｂの各々から第２距離にある。これらは決定的に重要な寸法であり、第１光部品が光組立体１に実装される際に第１光軸１０ａの位置に影響を与える。図示の実施形態において、側面６ａ，６ｂ間の等距離に一つの光軸のみがある。しかし、本発明は、単一の光軸を有する光部品に限定されないことを理解すべきである。多心光軸を有する実施形態において、所与の光軸は側面６ａ，６ｂに関して非対称であってもよい。

図３は、第１光部品の例を詳細に示す。図示されるように、光要素９は、第２光要素である監視ダイオード３３と光結合されるレーザ３２である。レーザ３２及び監視ダイオード３３は基板５の光路３４を介して光結合される。レーザ３２は第１光軸１０ａを決定する。これら光要素は、高速／低キャパシタンスレーザ／ＰＩＮフィード構造３１により制御され電力供給される。フィード構造３１は、第１光組立体内の回路基板に接続されるようになっている。本明細書ではレーザ光要素（及び関連する要素）が示されたが、第１光部品は上述した能動要素、受動要素又はハイブリッド光要素の任意の組合せで構成されてもよいことを理解すべきである。

本発明の光組立体は、第１光部品の経済的で高度に繰返し可能な製造を容易にする。特に、基板５は、ウエハに一連の平行なＶ溝をエッチングし、次にＶ溝に沿ってウエハを分離して面取りされた側面６ａ，６ｂを形成することにより作成することができる。換言すると、図１及び図３に示されるような面取りされた側面６ａ，６ｂは、シリコンウエハにエッチングされたＶ溝の半分であるのが好適である。ウエハは、縁７ａ，７ｂを形成するために各Ｖ溝で単に分けられる。

好適な一実施形態において、光組立体に組み込むための第１光部品を製造する方法は、（ａ）２本のＶ溝間の少なくとも１つの中心部分と、該中心部分の各側面に一側部分とを画定するためにウエハに少なくとも２本の平行なＶ溝の位置を決定する工程、（ｂ）平行なＶ溝間の中心部分上に光要素を実装するために、平行なＶ溝に対して所定距離にある基準位置を決定する工程、（ｃ）Ｖ溝をエッチングする工程、（ｄ）基準位置に基準を設ける工程、（ｅ）光要素を基準に対して中心部分に固定する工程、及び（ｆ）中心部分から側部分を分離する工程を具備する。中心部分が側部分から一旦分離されると、図３に示されるような基板５になることは明白である。

好適には、（ａ）及び（ｂ）の工程は単一のフォトリソグラフィ工程で実行される。全ての決定的に重要な寸法は単一のフォトリソグラフィ工程で決定できるので、本発明はこのような部品の製造に特によく適している。すなわち、シリコンウエハにＶ溝が決定される工程（上述したように、側面６ａ，６ｂを決定）中に、光要素９（及びその第１光軸１０ａ）を配置するための基準は基板５上に画定してもよい。このため、側面６ａ，６ｂからの光軸１０ａの決定的に重要な距離は、単一工程で効果的に得られるので、許容差の累積を無くし、製造を簡素化する。

基準は、中心部分上の光要素に受動整合を与える中心部分上の構造又はマーキングであってもよい。例えば、基準は、光要素が中心部分上に正しく配置されることに逆らって位置決め面を有する物理的構造であってもよい。或いは、基準は、市販されている例えばSuss MicroTec Mashine（例えば米国特許出願20020119588号を見よ）等の超精密ダイボンディング装置を使用して中心部分上の光要素の視覚整合を可能にするマーキングであってもよい。図４に示されるような好適な一実施形態において、基準は、光要素上の半田パッドの或るパターンと一致する、中央部分上の半田パッド４１の或るパターンからなる。この方法では、整合は、光要素９が第１半田パッド上に載置される（ｅ）工程で達成され、光要素及び中心部分の半田が溶融する結果、半田の表面張力により光要素のパターンが中心部分のパターン上に整合するため、中心部分に対して光要素を精確に配置する。

好適には、第１光部品は、ウエハ基板処理技法及び特に面取りされた側面を決定するＶ溝を活用して一括で製造される。特に好適な一実施形態において、３本以上の平行な線は、中心部分が側部分の少なくとも一つに対して側部分となるように（ｅ）工程で決定される。換言すると、ウエハ上の単一のＶ溝は、Ｖ溝が（ｆ）工程の中間で分離されるので、ウエハ上の隣接する２つの部分用に面取りされた側面が決定される。

上述の第１光部品を製造する方法は、例示目的で特定の工程に分解される。しかし、本発明の方法は、これらの個別工程に制限されず、これらの工程は同時に又は任意の論理的順序で実行されてもよい。好適な一実施形態において、（ｆ）工程は、（ａ）工程、（ｂ）工程、（ｃ）工程及び（ｄ）工程の後に実行される。

第２光部品
第２光部品は、基板タイプの部品（ちょうど上述した第１光部品のように。このため、上述の第１光部品の説明が全体として第２光部品に適用される）であってもよいし、Ｖ溝と結合して従来から使用される光部品、特に円形断面を有する光部品であってもよい。第２光部品の例は、ファイバ、レンズ（例えばボールレンズ）及びフェルールがある。

図１及び図２に示されるように、第１光部品は、ファイバ１２を含み光軸１０ｂを有するフェルールである。第２光部品は、Ｖ溝３に配置される際にＶ溝と接触する２点１３ａ，１３ｂを有する周辺１３を有する。第２光部品が基板タイプの光部品である場合、点１３ａ，１３ｂは、第１光部品に関して上述したような面取りされた側面上に配置される。

第２光部品は、点１３ａ，１３ｂから或る距離である第２光軸を有する。単一光軸構造において、この距離は好適には同じである。しかし、光組立体が多心光軸デバイスの場合、各光軸は点１３ａ，１３ｂ間に対称的に配置されない可能性がある。

本明細書では単一の第１光部品及び単一の第２光部品について考慮されたが、本発明の単一光組立体は任意の数の第１及び第２光部品及びその組合せで装着されてもよいことを理解すべきである。例えば、連続波レーザに基づいたレーザ副組立体を製造するために、本発明のＴＰＢ法を使用することが好適であろう。特に、このような光組立体は、Ｖ溝を有する本発明のプラットフォーム、Ｖ溝に実装され連続波レーザ光要素からなる基板タイプの光部品（能動素子）、Ｖ溝に実装され光アイソレータからなる別の基板タイプの光部品（受動素子）、Ｖ溝に実装され連続波を変調して信号を発生する変調器からなるさらに別の基板タイプの光部品（ハイブリッド素子）、及び最後にＶ溝に実装され信号を受信するファイバを含むフェルール（受動素子）を具備してもよい。依然として、本明細書の説明に照らして当業者には他の実施形態も明白であろう。

本発明の真位置ベンチを使用する光組立体の好適な一実施形態の側面図である。図１に示される光組立体の平面図である。図１の光組立体において上下逆に実装された第１光部品の平面図である。基板に光部品を接続するために使用された基板上の半田パッドのパターンを示す、図３の第１光部品の詳細図である。

符号の説明

１光組立体
２プラットフォーム
３Ｖ溝
４第１光部品
５基板
６ａ，６ｂ側面
９光要素
１０ａ第１光軸
１０ｂ第２光軸
１１第２光部品
１３ａ，１３ｂ接触点
１５基準面
３２レーザダイオード
３３監視ダイオード

Claims

上下の方向性を有する光組立体であって、
所定勾配の壁を有するＶ溝を画定するプラットフォームと、
基準面及び２側面を有する第１光部品であって、各側面は前記基準面から外方へ前記所定勾配で面取りされており、第１光軸を有し、前記基準面が下方を向き且つ前記両側面が前記Ｖ溝の前記壁と平行に接触する状態になるように、前記Ｖ溝内に配置される第１光部品と、
少なくとも２接触点及び第２光軸を有する外周を有し、前記接触点が前記Ｖ溝の前記壁と接触し且つ前記第２光軸が前記第１光軸と同軸になるように、前記Ｖ溝内に配置される第２光部品とを具備することを特徴とする光組立体。
前記第１光部品は前記基準面及び前記両側面を有する基板を具備し、
少なくとも１個の光要素が前記基板に固定されると共に前記第１光軸を画定することを特徴とする請求項１記載の光組立体。
前記光要素は、能動素子、受動素子又はスイッチング素子であることを特徴とする請求項１記載の光組立体。
前記光要素は半導体であることを特徴とする請求項３記載の光組立体。
前記第１光部品は、前記基板に固定された複数の光要素を具備することを特徴とする請求項２記載の光組立体。
前記光要素は、レーザダイオードと、該レーザダイオードに光学的に接続された監視ダイオードとを具備することを特徴とする請求項５記載の光組立体。
前記レーザダイオード及び監視ダイオードは、前記基板の導波路を介して光学的に接続されていることを特徴とする請求項１記載の光組立体。
前記基板は前記プラットフォームと同じ材料製であることを特徴とする請求項１記載の光組立体。
前記同じ材料はシリコンであることを特徴とする請求項８記載の光組立体。
前記所定勾配は57.4°であることを特徴とする請求項９記載の光組立体。
前記第２光部品は、ファイバを含んだフェルールであることを特徴とする請求項１記載の光組立体。
前記第２光部品は、基準面を有する基板と、前記所定勾配で前記基準面から外方に延びる面取りされた両側面とを具備し、
前記２個の接触点は前記面取りされた両側面上に配置されていることを特徴とする請求項１記載の光組立体。
前記第１及び第２光軸は前記プラットフォームの上面の下に位置することを特徴とする請求項１記載の光組立体。
前記上面で前記Ｖ溝を横切る距離は前記第２光部品を横切る距離よりも大きいことを特徴とする請求項１記載の光組立体。
前記第１光部品の各側面はＶ溝の一部分であることを特徴とする請求項１記載の光組立体。
光副組立体に組み込むための第１光部品を製造する方法であって、
（ａ）２本のＶ溝間に少なくとも１個の中心部分と、該中心部分の各側面に一側部分とを画定するためにウエハに少なくとも２本の平行なＶ溝の位置を決定する工程と、
（ｂ）前記平行なＶ溝間の前記中心部分上に光要素を実装するために、前記平行なＶ溝に対して所定距離にある基準位置を決定する工程と、
（ｃ）前記Ｖ溝をエッチングする工程と、
（ｄ）前記基準位置に基準を設ける工程と、
（ｅ）前記光要素を前記基準に対して前記中心部分に固定する工程と、
（ｆ）前記中心部分から前記側部分を分離する工程と
を具備することを特徴とする第１光部品の製造方法。
前記（ａ）工程及び前記（ｂ）工程は単一のフォトリソグラフィ工程で実行されることを特徴とする請求項１６記載の製造方法。
前記（ｃ）工程はウエットエッチングにより実行されることを特徴とする請求項１６記載の製造方法。
前記（ｆ）工程は、前記（ａ）工程、前記（ｂ）工程、前記（ｃ）工程及び前記（ｄ）工程の後に実行されることを特徴とする請求項１６記載の製造方法。
前記（ａ）工程において、前記中心部分が前記側部分の少なくとも一つに対して側部分であるように３本以上の平行な線が決定されることを特徴とする請求項１６記載の製造方法。
前記基準は前記中心部分上の第１半田パッドの所定パターンであり、
前記（ｄ）工程は前記パターンに半田材料を付着させる工程を含むことを特徴とする請求項１６記載の製造方法。
前記光要素は、前記所定パターンに配置された第２半田パッドを具備し、
前記（ｅ）工程は、前記第１半田パッド上に前記光要素を受動的に載置し、前記半田材料の表面張力が前記第２半田パッド上に前記第１半田パッドを整合させるように、前記第１及び第２半田パッドの前記半田材料を溶融させる工程を含み、これにより前記中心部分に前記光要素を整合させることを特徴とする請求項２１記載の製造方法。