JP2005252185A - 素子基板間介装用シートおよび素子基板間介装用シートを用いた回路製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 素子の回路基板への取り付け、回路基板からの取り外し等の配線作業の際に素子自体の温度上昇を抑制して、素子内部の半田も再溶融させるようにする。
【解決手段】 底面に端子が設けられた回路素子と回路基板との間に介装されて、前記端子と回路基板とを接続するための素子基板間介装用シート（１）であって、絶縁特性を有し、熱を供給することにより半田を溶融可能にする導熱性を有する導熱絶縁層（１１）と、該導熱絶縁層（１１）の上層に該導熱絶縁層（１１）の外周部（１１Ａ）を残して積層され、絶縁特性を有し該導熱絶縁層（１１）に加えられた熱を断熱しうる断熱絶縁層（１２）と、をそなえるとともに、該断熱絶縁層（１２）の上面側に設けられる前記回路素子の端子を収容して、該端子を、該導熱絶縁層（１１）の下面側に設けられる回路基板に導通させる導通孔（１３）を設けるように構成する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、底面に端子が設けられた回路素子を、端子を通じて回路基板に接続することにより搭載して回路製造する際、特にＢＧＡ（Ball Grid Array：ボールグリッドアレイ）タイプの集積回路を回路基板に搭載して回路製造する際に用いて好適の、素子基板間介装用シートおよび素子基板間介装用シートを用いた回路製造方法に関するものである。

集積回路部品の高密度化に伴い、ＱＦＰ（Quard Flat Package：四方端子フラットパッケージ）の集積回路素子から、端子密度の高いＢＧＡタイプの集積回路素子（以下、単にＢＧＡ素子という）のように、パッケージ底面にボール状の半田接合面をもつ部品が急速に使用されるようになっている。しかし、ＢＧＡ素子は、半田接合部がパッケージ底面にあるため、半田接合部を確認することが難しく、接合面の接続保証はＢＳＴ（Boundary Scan Test）手法によるオープンショート試験／又はＴＰ（Test Program）等の機能試験で保証しているのが一般的である。

機能試験において、不良が発生した場合、ＢＧＡ素子そのものの不具合か、ＢＧＡ素子の半田接続部においての不具合かを判断する手段が無いため、ＢＧＡ素子そのものをリペア（修繕）して交換することが一般的である。その際、基板全面や周辺部品への熱の輻射による影響を与えないような手法として、以下に示す技術がある。
第１の手法としては、図９に示すように、回路基板１０１にＢＧＡ素子１０２を装着又は取り外す際に、ＢＧＡ素子１０２を治具１０３で覆い、ＢＧＡ素子１０２全体（素子本体部１０２Ａおよび基板１０１と接合される端子としての半田接合部１０２Ｂ）に対し半田融解温度以上の熱風又は加圧されたガスを吹き付けて半田を溶融させることにより、基板１０１の変形を防ぎながらＢＧＡ素子１０２を装着又は取り外すことができるようにしたものである。この手法をベースとした技術に関しては、例えば以下に示す特許文献１に記載されたものがある。

また、第２の手法として、図１０に示すように、ＢＧＡ素子１０２とＢＧＡ素子１０２が実装されている基板１０１との隙間に、ＢＧＡ素子１０２の半田接合部１０２Ｂとピッチが同じ櫛歯状ヒータ１０４を挿入し、櫛歯状ヒータ１０４を加熱して半田接合部を融解し、ＢＧＡ素子１０２を基板１０１から取り付けたり取り外したりする技術もある。これと同様の技術は、例えば以下に示す特許文献２にも記載されている。

なお、以下の特許文献３には、上述のＢＧＡ素子の基板への取り付けまたは取り外しに関し、リペア作業性を向上させる構造として、プリント基板上面と表面実装部品底面との間に介在する透明な絶縁シートに、プリント基板上のパッドと表面実装部品のボディ底面に形成された突起状電極とを一対一で対応した位置関係にある貫通穴が貫通形成され、更に各貫通穴内に予め半田が充填された構造について記載されている。

一方、ＢＧＡ素子１０２の基板１０１に対する配線設定の変更（設計変更）が生じた場合には、一般的には図１１に示すように、経路変更する基板１０１上の配線を切り離し、該当するＢＧＡ素子１０２の半田接合部１０２Ｂに布線１０７を半田にて接続することで修復することが行なわれる。このとき、半田接合部１０２Ｂがパッケージ底面にあるため、前述した手法で部品を取り外した後に、該当する配線を切断し布線１０７にて回路基板１０１の所定ポイント１０６とＢＧＡ素子１０２の半田接合部１０２Ｂとを接続することで経路変更を実施する。

さらに、回路動作の高速化要求や低電圧化要求に対し、素子の雑音マージンは著しく減少している。即ち、素子に求められる雑音許容度がいっそう厳格となっているなかで、ＢＧＡ素子内部の素子（雑音源）に、より近い箇所で容量付加等による雑音低減処置が必要になっている。雑音低減処置を行なうためのチップが、雑音源により近くに設置できれば、配線距離も短くなるので、雑音除去効率をより高めることができる。

これに伴い、近年においては、このような容量性の雑音低減チップ１０８を、接続端子からより近い距離で配線１０９を介して接続する工夫がなされている。例えば、図１２（ａ）に示すように該当ＢＧＡ素子１０２に隣接する同一基板１０１面上に配置したり、図１２（ｂ）に示すように該当ＢＧＡ素子１０２が設置されている基板１０２の裏面上に雑音低減チップ１０８を配置して、雑音低減チップ１０８の搭載位置を図１２（ａ）の場合よりもＢＧＡ素子１０２に近い位置に搭載したり、更に、図１２（ｃ）に示すように該当ＢＧＡ素子１０２が設置されている基板１０２の内部に雑音低減チップ１０８を内蔵して、雑音低減チップ１０８の搭載位置を図１２（ｂ）の場合よりもＢＧＡ素子１０２に近い位置に搭載したりすることが考えられている。
特開平１１−２６９２９号公報 特開２００２−９４３２号公報 特開２００３−１７８４３号公報

しかしながら、上述の図９に記載された技術においては、該当部品（ＢＧＡ素子１０２全体に対し半田融解温度以上の熱風又は加圧されたガスを当該ＢＧＡ素子１０２とその基板１０１間の接合部１０２Ｂ全体に吹き付けるようになっている。この熱風又は加圧されたガスは、ＢＧＡ素子１０２を囲むような閉じた空間内で吹き付けられるので、ＢＧＡ素子１０２自体の温度も上昇して、ＢＧＡ素子１０２内部の回路デバイス間を接続する半田についても再溶融されることが起こりうるという課題がある。即ち、当該ＢＧＡ素子１０２の推奨温度／時間にて取り外し作業を実施したとしても、部品素子内部に熱が加わるため、取り外し作業自体によってＢＧＡ素子１０２の機能に支障を来たす原因をつくっているとも考えられる。

さらに、回路基板１０１に対して、上述の半田溶融のための熱が伝わるため、回路基板１０１に対する熱ストレスも考慮する必要がある。例えば、製造される回路デバイスの品質を保持するため、製造の際に、加熱履歴即ちリペア回数（取り外しおよび装着作業の回数）の上限を予め設定して、その回数を超えた回路基板１０１については使用を制限することが必要であった。

これに対し、図１０に記載された技術においては、櫛歯状ヒータ１０４を用いて直接半田に対して熱を加えているので、ＢＧＡ素子１０２内部の半田を溶融させることは回避できると考えられるものの、実際には、このような櫛歯状ヒータ１０４を入れるためには、周辺部品が無い面を少なくとも1面は設けなければならず、回路基板上の部品配置に制約を来たすことになる。図１０の場合においては、基板１０１上の領域１０５を用いて櫛歯ヒータ１０４を挿入することができないので、回路基板上の部品配置に制約を来たしているのである。

なお、特許文献３に記載された技術においても、ＢＧＡ素子をプリント基板に装着する際にはやはり熱風等で加熱することで半田を溶融させるようにしているが、半田を溶融させるための熱風に対してＢＧＡ素子内部を保護するための手法については特に記載されていない。
また、ＢＧＡ素子１０２の基板１０１に対する配線設定の変更（設計変更）が生じた場合においては、半田接合面が部品（ＢＧＡ素子１１２）の底面に存在するため、端子内部において布線を実施するとＢＧＡ半田接合面に干渉することが容易に考えられる。そのため通常布線可能な端子は素子外周に設けられている端子に限られてしまうことになり、すべての配線経路変更に対応することが困難であるという課題がある。

さらに、高速雑音除去として、ＢＧＡ素子１０２により近い場所にチップ部品（例えば、チップセラコン，チップ抵抗）等を搭載するために、チップ１０８を基板１０１に内蔵する〔図１２（ｃ）参照〕場合においては、チップ内蔵位置についての位置精度を確保することが難しく、又、製造コストが高額になるがゆえなかなか普及していない。
本発明は、このような課題に鑑み創案されたもので、素子の回路基板への取り付け、回路基板からの取り外し等の配線作業の際に素子自体の温度上昇を抑制して、素子内部の半田も再溶融させるようにした、素子基板間介装用シートおよび素子基板間介装用シートを用いた回路製造方法を提供することを目的とする。

また、素子の取り付け、取り外し等の配線作業の際に素子自体の温度上昇を抑制しつつ、素子に設けられている端子位置に依存せずに、経路変更作業を容易に行なうことができるようにした、素子基板間介装用シートを用いた回路製造方法を提供することを目的とする。
さらに、素子の取り付け、取り外し等の配線作業の際に素子自体の温度上昇を抑制しつつ、素子の接続端子に外部チップを接続する際に、配線距離を最小限として外部チップを接続できるようにした、素子基板間介装用シートを用いた回路製造方法を提供することを目的とする。

このため、本発明の素子基板間介装用シートは、底面に端子が設けられた回路素子と回路基板との間に介装されて、前記端子と回路基板とを接続するための素子基板間介装用シートであって、絶縁特性を有し、熱を供給することにより半田を溶融可能にする導熱性を有する導熱絶縁層と、該導熱絶縁層の上層に該導熱絶縁層の外周部を残して積層され、絶縁特性を有し該導熱絶縁層に加えられた熱を断熱しうる断熱絶縁層と、をそなえるとともに、該断熱絶縁層の上面側に設けられる前記回路素子の端子を収容して、該端子を、該導熱絶縁層の下面側に設けられる回路基板に導通させる導通孔が設けられたことを特徴としている。

さらに、本発明の素子基板間介装用シートを用いた回路製造方法は、底面に端子が設けられた回路素子と回路基板とを接続する際に、絶縁特性を有するとともに熱を供給することにより半田を溶融可能にする導熱性を有する導熱絶縁層と、該導熱絶縁層の上層に該導熱絶縁層の外周部を残して積層され絶縁特性を有するとともに該導熱絶縁層に加えられた熱を断熱しうる断熱絶縁層とをそなえるとともに、該断熱絶縁層の上面側に設けられる前記回路素子の端子を収容して該端子を該導熱絶縁層の下面側に設けられる回路基板に導通させる導通孔が設けられた素子基板間介装用シートであって、該導通孔の該導熱絶縁層の下面側の開口部に該半田が付着された素子基板間介装用シートについて、該回路基板上の所定位置への位置決めとともに、該回路素子の端子についての該導通孔への収容を行なう設置ステップと、該素子基板間介装用シートにおける該導熱絶縁層の外周部を加熱することにより、該半田に熱変形を生じさせ、該設置ステップで該回路基板上の所定位置に設置された該回路素子を、該導通孔に収容された端子を通じて該回路基板に結線させる結線ステップと、をそなえて構成されたことを特徴としている。

また、本発明の素子基板間介装用シートを用いた回路製造方法は、底面に端子が設けられた回路素子と回路基板とを接続する際に、絶縁特性を有するとともに熱を供給することにより半田を溶融可能にする導熱性を有する導熱絶縁層と、該導熱絶縁層の上層に該導熱絶縁層の外周部を残して積層され絶縁特性を有するとともに該導熱絶縁層に加えられた熱を断熱しうる断熱絶縁層とをそなえるとともに、該断熱絶縁層の上面側より前記回路素子の第１端子を収容して該第１端子を該導熱絶縁層の下面側に設けられる回路基板に導通させる導通孔が設けられ、かつ、該断熱絶縁層の上面側より前記回路素子の第２端子を収容するが該導熱絶縁層側に設けられる回路基板への導通を遮断する導通遮断端子収容部をそなえるとともに、該導通遮断端子収容部に収容される端子と特定の導通孔に収容される端子とを横断導通させるための横断導通部が、該導熱絶縁層にそなえて構成された素子基板間介装用シートであって、該導通孔における該導熱絶縁層下面側の開口部に該半田が付着された素子基板間介装用シートについて、該回路基板上の所定位置への位置決めとともに、該回路素子の端子についての該導通孔への収容を行なう設置ステップと、該素子基板間介装用シートにおける該導熱絶縁層の外周部を加熱することにより、該半田に熱変形を生じさせ、該設置ステップで該回路基板上の所定位置に設置された該回路素子を、該導通孔に収容された端子を通じて該回路基板に結線させる結線ステップと、をそなえ、該設置ステップで該導通遮断端子収容部に収容された端子が、該横断導通部および該特定の導通孔を介して、該回路基板に結線されることを特徴としている。

さらに、本発明の素子基板間介装用シートを用いた回路製造方法は、底面に複数の端子が設けられた回路素子と回路基板とを接続する際に、絶縁特性を有するとともに熱を供給することにより前記端子を溶融可能にする導熱性を有する導熱絶縁層と、該導熱絶縁層の上層に該導熱絶縁層の外周部を残して積層され絶縁特性を有するとともに該導熱絶縁層に加えられた熱を断熱しうる断熱絶縁層とをそなえるとともに、該断熱絶縁層の上面側に設けられる前記回路素子の複数の端子をそれぞれ収容して各端子を該導熱絶縁層の下面側に設けられる回路基板に導通させる複数の導通孔が設けられ、かつ、前記の回路素子の端子に接続されるチップ回路が埋め込まれた素子基板間介装用シートであって、該導通孔の該導熱絶縁層下面側の開口部に半田が付着された素子基板間介装用シートについて、該回路基板上の所定位置への位置決めとともに、該回路素子の端子についての該導通孔への収容を行なう設置ステップと、該素子基板間介装用シートにおける該導熱絶縁層の外周部を加熱することにより、該半田に熱変形を生じさせ、該設置ステップで該回路基板上の所定位置に設置された該回路素子を、該導通孔に収容され溶融された端子を通じて該回路基板に結線させる結線ステップと、をそなえて構成されたことを特徴としている。

また、上述の製造方法においては、該結線ステップで前記の回路素子と回路基板とが結線された後、該素子基板間介装用シートにおける該導熱絶縁層の外周部を加熱して、該半田を溶融させることにより、該回路素子を該回路基板から取り外す取り外しステップをそなえることとしてもよい。

このように、本発明によれば、導熱絶縁層，断熱絶縁層および導通孔をそなえた素子基板間介装用シートを用い、設置ステップおよび結線ステップにより、で導熱絶縁層を回路基板側に対面させ、断熱絶縁層を回路素子に対面するようにして回路基板に対する回路素子の位置を位置決めして、導熱絶縁層の加熱により回路素子を回路基板に取り付けることができるので、導熱絶縁層に加えられた熱が回路素子をなす回路本体側に伝搬されることを抑制させ、回路素子の回路基板への装着を行なっても、導熱絶縁層に加えられた熱で回路本体Ｂが半田溶融温度となることはなくなるため、回路本体内の半田を溶融させることがなくなり、回路素子の品質を維持させることができる。

さらに、回路素子が占める領域に加えて、熱伝導用端子分の領域のわずかな領域を回路基板上に確保しておくのみで、回路の組立／リペアが行なうことができるので、従来の手法において必要であった領域に比べ小さい領域で対応することができ、回路設計の自由度を向上させることができる利点もある。
また、本発明によれば、導熱絶縁層，断熱絶縁層および導通孔をそなえるとともに、導通遮断端子収容部および横断導通部をそなえた素子基板間介装用シートを用いて、設置ステップおよび結線ステップにより、回路素子の回路基板に対する配線設定の変更（設計変更）が生じた場合において、同一の回路素子を、介装されるシートを変更して回路基板に再取り付けを行なうことができ、端子内部において布線を実施することは不要となり、半田接合面の干渉を防止することができる。更には、回路素子に設けられるすべての端子についての配線経路変更に対応することが容易となる利点もある。

また、本発明によれば、チップ回路が埋め込まれた素子基板間介装用シートを用いて、設置ステップおよび結線ステップにより、端子の最短距離である直線距離上に雑音除去用のチップ回路を高い位置精度で搭載することができるので、製造コストを抑えながら、回路性能を向上させることができる利点がある。

以下、図面を参照することにより、本発明の実施の形態について説明する。
〔Ａ〕第１実施形態の説明
図１（ａ）は本発明の第１実施形態にかかる素子基板間介装用シート１を示す上視図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）に示す素子基板間介装用シート１のＡＡ断面図である。この図１（ａ），図１（ｂ）に示す素子基板間介装用シート１は、例えば図２に示すように、底面に端子２Ａが設けられた回路素子２と回路基板３との間に介装されて、端子２Ａと当該端子２Ａに対応して回路基板３上の接点として設けられるランド３Ａとを接続するためのものである。この回路素子２としては、図２に示すように、底面に複数の端子２Ａが回路素子本体２Ｂの底面２ａにアレイ状に設けられたＢＧＡ素子２を用いることができる。

また、この図１（ａ），図１（ｂ）に示すように、素子基板間介装用シート１は、図２に示す回路素子導熱絶縁層１１と断熱絶縁層１２とをそなえるともにこれらの導熱絶縁層１１と断熱絶縁層１２とを貫通する導通孔１３が設けられている。
ここで、導熱絶縁層１１は、絶縁特性を有し、熱を供給することにより半田を溶融可能にする導熱性を有するものであって、例えば、絶縁特性が比較的高く、熱伝導性の比較的高いセラミック材等により構成することができる。又、断熱絶縁層１２は、導熱絶縁層１１の上層に導熱絶縁層１１の外周部１１Ａを残して積層され、絶縁特性を有し導熱絶縁層１１に加えられた熱を断熱しうるものであって、例えば、絶縁特性が比較的高く、断熱性が比較的高いエポキシ系樹脂により構成することができる。

さらに、上述の導通孔１３は、断熱絶縁層１２の上面側よりＢＧＡ素子２の端子２Ａを収容して、端子２Ａを、導熱絶縁層１１の下面側において回路基板３に導通させることができるようになっている。本実施形態においては、導通孔１３は、図２に示すように複数の端子２Ａがアレイ状に設けられているＢＧＡ素子２の端子２Ａの配置に対応して設けられている。

図３は第１実施形態にかかる素子基板間介装用シート１の製造工程を、前述の図１（ｂ）の断面に相当する図で示すものである。素子基板間介装用シート１を製造するにあたっては、第１に、図３の（ａ）に示すように、適当な大きさにカットされた例えば厚さ１ｍｍ程度のセラミック基板を準備し、これを導熱絶縁層１１とする。次いで、図３の（ｂ）に示すように、この導熱絶縁層１１の上面の中央箇所、即ち外周部を残しながらエポキシ樹脂を例えば厚さ２０μｍ程度でコーティングし、これを断熱絶縁層１２とする。

そして、図３の（ｃ）に示すように、ドリル等を用いることにより、接続すべきＢＧＡ素子２の端子２Ａの位置，回路基板３側の接点となるランド３Ａの位置に合致させた位置に導通孔１３を穿孔する。尚、この図３の（ｃ）においては穿孔される導通孔１３として、３つの導通孔１３を穿孔する場合について図示している。又、導通孔１３の径については端子２Ａの径（ボール直径）に応じて適宜決定される。

上述のごとき導通孔１３が空けられると、図３の（ｄ）に示すように、必要に応じて導熱絶縁層１１であるセラミック基板の表面（図中下側の面）を研磨して、素子基板間介装用シート１の厚みを、搭載される回路素子２の端子２Ａの径にマッチングするように適宜調整することができる。
なお、各導通孔１３における導熱絶縁層１１の下面側（即ち、設置の際にシート１が回路基板３面に対面する面側）の開口部には、ＢＧＡ素子２の回路基板３への取り付けに先立って、半田（半田ペースト）を付着させておく。この半田は、後述の導熱絶縁層１１を加熱する際に溶融されて、当該導通孔１３に収容された端子２Ａと回路基板３のランド３Ａとを接続させるためのものである。

また、半田の付着態様としては、各導通孔１３の導熱絶縁層１１側開口部を充填するように付着するが、必ずしも完全に開口部を密封するように付着する必要はない。又、導通孔１３内の半田の嵩については、少なくとも端子２Ａとランド３Ａとを接続可能としながら、端子２Ａが導通孔１３に収まるのに支障が生じない範囲としておく。
上述の構成により、本発明の第1実施形態にかかる素子基板間介装用シート１を介装してＢＧＡ素子２を回路基板３に取り付ける（ＢＧＡ素子２と回路基板３とを接続する）際には、まず、上述のごとく導通孔１３における導熱絶縁層１１の下面側の開口部に半田が付着された素子基板間介装用シート１について、回路基板３上の所定位置への位置決めとともに、ＢＧＡ素子２の端子２Ａについての導通孔１３への収容を行なう（設置ステップ）。

すなわち、回路基板３上において、ＢＧＡ素子２の搭載前に回路基板３上の接続配線にあわせて（各導通孔１３が所定のランド３Ａの位置に合致するように）位置決めする。そして、ＢＧＡ素子２の端子２Ａを上述の位置決めがなされたシート１の所定位置の導通孔１３にはめ込むことにより、ＢＧＡ素子２の端子２Ａについて導通孔１３へ収容させる。
このとき、断熱絶縁層１２上面側における導通孔１３に、ＢＧＡ素子２の底面に設けられた端子２Ａを収納する。このように、導熱絶縁層１１の各導通孔１３を回路基板３における対応するランド３Ａ位置に合致するように予め位置決めしておき、次いで上述のごとく位置決めされた素子基板間介装用シート１にＢＧＡ素子２を収容させるようにすれば、ＢＧＡ素子２の装着作業はより容易なものとなる。

そして、素子基板間介装用シート１における導熱絶縁層１１の外周部の例えば四方の４点１１ａ〜１１ｄ［図１（ａ）参照］を加熱端子とし、この加熱端子１１ａ〜１１ｄに対して図示しないヒータ端子等を通じて熱を加えることにより、導通孔１３の開口部に付着された上述の半田に熱変形を生じさせ、設置ステップで回路基板３上の所定位置に設置されたＢＧＡ素子２を、導通孔１３に収容された端子２Ａを通じて回路基板３に結線させる（結線ステップ）。

すなわち、素子基板間介装用シート１における熱伝導性の良いシート面となる導熱絶縁層１１を基板側に対面させて位置決めすることにより、半田を効率的に溶融させることができるほか、断熱性の良いシート面となる断熱絶縁層１２をＢＧＡ素子２に対面するようにしているので、導熱絶縁層１１に加えられた熱がＢＧＡ素子２をなす回路素子本体２Ｂ側に伝搬されることを抑制させる。これにより、ＢＧＡ素子２の回路基板３への装着を行なっても、導熱絶縁層１１に加えられた熱で回路素子本体２Ｂが半田溶融温度となることはなくなるため、回路素子本体２Ｂ内の半田を溶融させることがなくなり、ＢＧＡ素子２の品質を維持させることができる。

また、ＢＧＡ素子等の回路素子２の熱膨張係数と回路基板３の熱膨張係数とが大きく異なる場合においても、回路素子本体２Ｂの部分が加熱されることなく、半田が付着している部分のみを局所的に加熱させることができるので、両者の熱膨張係数の相違によるせん断応力の発生を防止し、クラックの発生を抑えることができる。
なお、上述のごとく取り付けられたＢＧＡ素子２を回路基板３から取り外す際においては、上述した取り付け処理における逆の手順の作業を行なうことで、ＢＧＡ素子２の品質に影響を与えることなく取り外し作業を容易に行なうことができる。具体的には、結線ステップでＢＧＡ素子２と回路基板３とが結線された後、素子基板間介装用シート１における導熱絶縁層１１の外周部の加熱端子１１ａ〜１１ｄを加熱して、導通孔１３の導熱絶縁層１１側開口部に付着している半田を溶融させることにより、ＢＧＡ素子２を回路基板３から取り外すことができる（取り外しステップ）。

図４は上述のごとき導熱絶縁層１１外周部の４方の端子１１ａ〜１１ｄを通じて熱を加えることで、加熱される貫通孔１３群の温度変化の一例（Ａ）を、前述の図９に示す手法による場合の温度変化（Ｂ）と対比して示す図である。外周部の端子１１ａ〜１１ｄからシート面中央部に近くなるにしたがって熱伝導特性は低下するが、４方の端子１１ａ〜１１ｄを加熱端子とすることで、この図４の（Ａ）に示すように、問題なく半田融解温度に達する。さらに、融解温度到達までの時間に関しても、前述の図９に示す熱／加圧ガスによるリフロー加熱を行なう手法の場合に要する時間（Ｂ）に比べ短時間で足りるため、基板３への熱的影響をより少なくすることができる。

このように、本発明の第１実施形態にかかる素子基板間介装用シート１によれば、導熱絶縁層１１，断熱絶縁層１２および導通孔１３をそなえ、導熱絶縁層１１を回路基板３側に対面させ、断熱絶縁層１２をＢＧＡ素子２に対面するようにして回路基板３に対するＢＧＡ素子２の位置を位置決めして、導熱絶縁層１１の加熱によりＢＧＡ素子２を回路基板３に取り付けることができるので、導熱絶縁層１１に加えられた熱がＢＧＡ素子２をなす回路素子本体２Ｂ側に伝搬されることを抑制させ、ＢＧＡ素子２の回路基板３への装着を行なっても、導熱絶縁層１１に加えられた熱で回路素子本体２Ｂが半田溶融温度となることはなくなるため、回路素子本体２Ｂ内の半田を溶融させることがなくなり、ＢＧＡ素子２の品質を維持させることができる。

さらには、通常、ＢＧＡ素子２等が回路基板３に取り付けられて製造された回路デバイスを動作させた場合に回路動作に不具合が生じた場合には、回路基板３に取り付けられているＢＧＡ素子２等の回路部品を取り外して、取り外した各部品について解析を行なうが、その際の取り外し作業自体についてはＢＧＡ素子２の品質を維持させることができるので、回路動作に不具合が発生した時の状態により近い形で、部品解析を行なうことができ、不具合発生時における原因追求の効率性が著しく改善される。

また、図９に示す手法に比して、短時間で半田溶融点に到達するため、回路基板３側への熱ストレスが少なくすみ、回数を制限していた回路基板３についてのリペア回数についても大幅に改善させることができ、その結果、高額部品が搭載された回路基板３全体を廃却する回数も減る事から、製造コストの大幅な改善を図ることができる。
さらに、ＢＧＡ素子２が占める領域に加えて、熱伝導用端子分の領域のわずかな領域を回路基板３上に確保しておくのみで、回路の組立／リペアが行なうことができるので、図９の手法において（ノズル等のため）必要であった領域に比べ小さい領域で対応することができ、回路設計の際の自由度を向上させることができる。

〔Ｂ〕第２実施形態の説明
図５（ａ）は本発明の第２実施形態にかかる素子基板間介装用シート１Ａを示す上視図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）に示す素子基板間介装用シート１ＡのＢＢ断面について、ＢＧＡ素子２を回路基板３へ取り付ける場合に着目して示す図である。
第２実施形態にかかる素子基板間介装用シート１Ａは、例えば前述の素子基板間介装用シート１を用いてＢＧＡ素子２を回路基板３に取り付けた結果、特定の端子２Ａについての回路基板３上の接続ポイントを変更（配線変更）する必要が生じた場合において用いることができるものである。

また、第２実施形態にかかる素子基板間介装用シート１Ａは、前述の第１実施形態におけるもの（符号１参照）に比して、導通遮断端子収容部１４をそなえるとともに、この導通遮断端子収容部１４と特定の導通孔１３−１とを横断導通させる横断導通部１５をそなえている点が異なっているが、それ以外の構成については前述の第１実施形態の場合と基本的に同様である。尚、図５（ａ），図５（ｂ）中、図１（ａ），図１（ｂ）と同一の符号は、ほぼ同様の部分を示している。

ここで、導通遮断端子収容部１４は、断熱絶縁層１２側よりＢＧＡ素子２の端子２Ａを収容して、導熱絶縁層１１側に設けられる回路基板３への導通を遮断する構造をもつものであって、例えば、図５（ｂ）に示すように、導通孔１３を設ける際には断熱絶縁層１２および導熱絶縁層１１を貫通するように孔を空ける一方、貫通された導通孔１３のうちで導通遮断端子収容部１４とすべき箇所の孔を例えば絶縁性の高温耐圧シート１４ａを貼り付けて塞ぐようにする。

なお、この高温耐圧シート１４ａの寸法としては、導通遮断端子収容部１４とすべき箇所を塞ぐために要する寸法があれば足りるが、例えば導熱絶縁層１１とほぼ同一の寸法を有するとともに、導通孔１３とすべき部分と重なる箇所には孔が設けられ、導通遮断端子収容部１４とすべき箇所と重なる部分は孔を塞ぐように構成することもできる。
また、上述のごとき高温耐圧シート１４ａを貼り付ける手法のほか、導通孔１３を空ける際に、導通遮断端子収容部１４を設ける箇所について、導熱絶縁層１１を貫通させずに、導熱絶縁層１１の一部を残存させるように孔を空けるようにしてもよい。

また、横断導通部１５は、図５（ｂ）に示すように、導熱絶縁層１１にそなえられ、導通遮断端子収容部１４に収容される端子２Ａ−１と特定の導通孔（この場合においては導通遮断端子収容部１４に隣接する導通孔１３−１）に収容される端子２Ａ−２とを横断導通させるためのものである。この横断導通部１５としては、例えばこの図５（ｂ）に示すように、溝部１５ａと溝部１５ａに充填される半田１５ｂとにより構成することができる。

換言すれば、この溝部１５ａは、導通遮断端子収容部１４と特定の導通孔（例えば、導通遮断端子収容部１４に隣接する導通孔）１３−１とを横断接続する連絡溝として機能し、この溝部１５ａに充填された半田１５ｂにより、溝部１５ａに設けられた導電ラインとして機能している。尚、上述の横断導通部１５の構成としては、少なくとも端子２Ａ−１および２Ａ−２間を接続させることができれば、ワイヤ等を、導熱絶縁層１１内を横断配線することにより構成することとしてもよい。

図６は第２実施形態にかかる素子基板間介装用シート１Ａの製造工程について示す図である。ここで、図６の（ａ）〜（ｃ），（ｅ）は、素子基板間介装用シート１Ａの製造工程を、前述の図５（ｂ）の断面に相当する図で示すものであり、（ｄ）は、素子基板間介装用シート１Ａの横断導通部１５の形成部分に着目した上視図である。
この図６の（ａ）および（ｂ）に示すように、導熱絶縁層１１としてのセラミック基板上に断熱絶縁層１２としてのエポキシ樹脂をコーティングする工程までは、前述の第１実施形態における素子基板間介装用シート１の場合と同様である。そして、ドリル等を使用することにより、図６の（ｃ）に示すように、導通孔１３とともに導通遮断端子収容部１４を穿孔する。尚、この図６の（ｃ）の場合においては、該当箇所について導熱絶縁層１１を貫通させずに、導熱絶縁層１１の一部を残存させるようにして、導通遮断端子収容部１４を形成している。

ついで、図６の（ｄ）に示すように、レーザ加工等により、配線経路変更用の溝部１５ａを形成して、形成された溝部１５ａを半田１５ｂで充填しておく。又、各導通孔１３における導熱絶縁層１１の下面側の開口部とともに、導通遮断端子収容部１４の底にも、半田（半田ペースト）を付着させておく。
換言すれば、溝部１５ａに充填された半田１５ｂと、導通遮断端子収容部１４の底に付着した半田と、溝部１５ａで導通遮断端子収容部１４と横断接続される導通孔１３の下面側開口部に付着した半田と、が加熱により溶融されて一体に固着することとなるので、導通遮断端子収容部１４に収容された端子２Ａの回路基板３側の接続点を変更、即ち配線変更することができるのである。

なお、上述のごとき導通孔１３および導通遮断端子収容部１４が設けられると、前述の第１実施形態の場合と同様、必要に応じて導熱絶縁層１１であるセラミック基板の表面（図中下側の面）を研磨して、素子基板間介装用シート１の厚みを、搭載される回路素子２の端子２Ａの径にマッチングするように適宜調整しておくことができる［図６の（ｅ）参照］。

上述の構成により、本発明の第２実施形態にかかる素子基板間介装用シート１Ａについては、前述の第１実施形態にかかる素子基板間介装用シート１を用いて配線を行なったものについて回路の不具合等、配線変更を行なう必要が生じた場合に、以下に示すように利用することにより、ＢＧＡ素子２や回路基板３の配線はそのままに、配線経路を変更することができる。

このとき、上述の素子基板間介装用シート１Ａとしては、図５（ｂ）に示すように、配線変更の対象となる端子２Ａ−１が収容される孔を導通遮断端子収容部１４とされ、配線変更の対象となる端子２Ａ−１の接続先を、ランド３Ａ−１からランド３Ａ−２とすることができるような横断導通部１５をそなえたものを形成しておく。
そして、上述のごとく形成された素子基板間介装用シート１Ａを用いて、底面に端子２Ａ（２Ａ−１，２Ａ−２）が設けられたＢＧＡ素子２と回路基板３とを接続する際に、本実施形態にかかる素子基板間介装用シート１Ａについて、回路基板３上の所定位置への位置決めとともに、ＢＧＡ素子２の端子２Ａ（２Ａ−１，２Ａ−２）についての導通孔１３（１３−１）および導通遮断端子収容部１４への収容を行なう（設置ステップ）。

そして、素子基板間介装用シート１Ａにおける導熱絶縁層１１の外周部の４点１１ａ〜１１ｄを図示しないヒータ等を用いて加熱することにより、導通遮断端子収容部１４，横断導通部１５および導通孔１３（１３−１）の半田に熱変形を生じさせ、設置ステップで回路基板３上の所定位置に設置されたＢＧＡ素子２を、導通孔１３（１３−１）に収容された端子２Ａ−２を通じて回路基板３に結線させる（結線ステップ）。

このとき、図５（ｂ）に示すように、配線変更の対象となる端子２Ａ−１は、導通遮断端子収容部１４に収容されているのでランド３Ａ−１への導通を遮断させる一方、横断導通部１５により、端子２Ａ−１を端子２Ａ−２を通じてランド３Ａ−２へ導通させるようにすることができる。換言すれば、導通遮断端子収容部１４に収容された端子２Ａ−１を、横断導通部１５および導通遮断端子収容部１４に隣接する導通孔１３−１を介して、回路基板３に結線させることができるのである。

このように、本発明の第２実施形態にかかる素子基板間介装用シート１Ａによれば、導熱絶縁層１１，断熱絶縁層１２および導通孔１３をそなえるとともに、導通遮断端子収容部１４および横断導通部１５をそなえているので、前述の第１実施形態の場合と同様の利点があるほか、ＢＧＡ素子２の回路基板３に対する配線設定の変更（設計変更）が生じた場合において、同一のＢＧＡ素子２を、介装されるシートを変更して回路基板３に再取り付けを行なうことができ、端子内部において布線を実施することは不要となり、ＢＧＡ半田接合面の干渉を防止することができる。更には、ＢＧＡ素子２に設けられるすべての端子２Ａについての配線経路変更に対応することが容易となる利点もある。

〔Ｃ〕第３実施形態の説明
図７（ａ）は本発明の第３実施形態にかかる素子基板間介装用シート１Ｂを示す上視図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）に示す素子基板間介装用シート１ＢのＣＣ断面について、ＢＧＡ素子２を回路基板３へ取り付ける場合に着目して示す図である。
第３実施形態にかかる素子基板間介装用シート１Ｂは、前述の第１，第２実施形態におけるもの（符号１，１Ａ参照）に比して、取り付けられるＢＧＡ素子２についての隣接する端子２Ａ−１，２Ａ−２（２Ａ）間を、チップ部品１６を介して接続するための構造をそなえている点が異なっているが、それ以外の構成については基本的に同様である。尚、図７（ａ），図７（ｂ）中、図１（ａ），図１（ｂ）と同一の符号は、ほぼ同様の部分を示している。

すなわち、第３実施形態にかかる素子基板間介装用シート１Ｂにおいては、導通孔１３は複数設けられ、これら導通孔１３のうち一の導通孔１３−１に収容される端子２Ａ−１［図７（ｂ）参照］と、この導通孔１３−１に隣接する導通孔１３−２に収容される端子２Ａ−２との間を接続するチップ回路１６が、上述の導通孔１３−１および導通孔１３−２の間に設けられている。この場合においては、チップ回路１６としては、例えば雑音除去用の容量性のチップ回路とすることができる。

ここで、導通孔１３−１，１３−２間は、断熱絶縁層１２および導熱絶縁層１１に渡る深さを持つ溝部１７ａにより連絡され、この溝部１７ａには、その中間位置にチップ回路１６が設けられるとともに、チップ回路１６の両端部をそれぞれの端子２Ａ−１，２Ａ−２が接続されるように半田１７ｂが充填されている。換言すれば、端子２Ａ−１，２Ａ−２間を接続するチップ回路１６は、素子基板間介装用シート１Ｂに埋め込まれている。尚、上述のチップ回路１６の両端部と端子２Ａ−１，２Ａ−２とは、図７（ｂ）に示すような半田１７ｂによって接続する態様のほかに、ワイヤを用いて接続することもできる。

なお、上述のチップ回路１６の端子２Ａに対する接続態様は、上述の図７（ｂ）に示すものに限定されるものでなく、回路設計に従って種々の接続態様を持たせることができる。例えば、一つの端子のみに接続する態様としてもよいし、前述の第２実施形態の場合と同様の導通遮断端子収容部１４を隣接した位置に２つ設けて、これら収容部１４に収容された端子２Ａ間を接続するようにしてもよい。

図８は第３実施形態にかかる素子基板間介装用シート１Ｂの製造工程について示す図である。ここで、図８の（ａ）〜（ｃ），（ｅ）は、素子基板間介装用シート１Ｂの製造工程を、前述の図７（ｂ）の断面に相当する図で示すものであり、（ｄ）は、素子基板間介装用シート１Ｂにおけるチップ回路１６の端子２Ａ−１，２Ａ−２への接続箇所に着目した上視図である。
この図８の（ａ）および（ｂ）に示すように、導熱絶縁層１１としてのセラミック基板上に断熱絶縁層１２としてのエポキシ樹脂をコーティングする工程までは、前述の第１，第２実施形態の場合と同様である。そして、ドリル等を使用することにより、図８の（ｃ）に示すように、導通孔１３を穿孔する。

ついで、図８の（ｄ）に示すように、レーザ加工等により、配線経路変更用の溝部１７ａを形成する。この溝部１７ａは、チップ回路１６を埋め込むことができるような大きさとなるように形成しておく。そして、このように形成された溝部１７ａの中間位置にチップ回路１６を埋め込むとともに、収容される端子２Ａ−１，２Ａ−２間がチップ回路１６で介装接続されるように半田１７ｂを充填する。

なお、上述のごとき導通孔１３が設けられると、前述の第１実施形態の場合と同様、必要に応じて導熱絶縁層１１であるセラミック基板の表面（図中下側の面）を研磨して、素子基板間介装用シート１の厚みを、搭載されるＢＧＡ素子２の端子２Ａの径にマッチングするように適宜調整することができる［図８の（ｅ）参照］。又、前述の第１実施形態の場合と同様、各導通孔１３における導熱絶縁層１１の下面側の開口部にも、半田（半田ペースト）を付着させておく。

上述の構成により、本発明の第３実施形態にかかる素子基板間介装用シート１Ｂを用いて、ＢＧＡ素子２を回路基板３に取り付ける場合には、前述の第１実施形態の場合と同様の手法によって行なうことができる。
すなわち、ＢＧＡ素子２と回路基板３とを接続する際に、上述のごとく構成された素子基板間介装用シート１Ｂについて、回路基板３上の所定位置への位置決めとともに、ＢＧＡ素子２の端子２Ａについての導通孔１３への収容を行なう（設置ステップ）。

そして、素子基板間介装用シート１Ｂにおける導熱絶縁層１１の外周部の４点１１ａ〜１１ｄを図示しないヒータを用いて加熱することにより、導通孔１３および溝部１７ａに充填されている半田に熱変形を生じさせ、設置ステップで該回路基板上の所定位置に設置されたＢＧＡ素子２の端子２Ａ−１，２Ａ−２（２Ａ）を、それぞれ導通孔１３−１，１３−２に収容され溶融された半田を通じて回路基板３におけるランド３に結線させる（結線ステップ）。

このとき、溝部１７ａに充填されている半田１７ｂについても、溶融されることにより、チップ回路１６は、導通孔１３−１，１３−２に収容された端子２Ａ−１，２Ａ−２と接続されるので、これらの端子２Ａ−１，２Ａ−２を、チップ回路１６を介して電気的に接続することができる。
したがって、雑音除去用のチップ回路１６は、端子２Ａ−１，２Ａ−２間の最短距離である直線距離上に介装することができるので、チップ回路１６に関しての配線を最大限効率化させることができる。

このように、本発明の第３実施形態によれば、素子基板間介装用シート１Ｂにチップ回路１６が埋め込まれているので、導通孔１３−１，１３−２にそれぞれ収容される端子２Ａ−１，２Ａ−２間の最短距離である直線距離上に雑音除去用のチップ回路を介装することができ、簡素な手法で、ＢＧＡ素子２の端子間で最短距離にチップ部品を高い位置精度で搭載することができるので、製造コストを抑えながら、回路性能を向上させることができる利点がある。

〔Ｄ〕その他
なお、上述の本実施形態のほか、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
〔Ｅ〕付記
（付記１） 底面に端子が設けられた回路素子と回路基板との間に介装されて、前記端子と回路基板とを接続するための素子基板間介装用シートであって、
絶縁特性を有し、熱を供給することにより半田を溶融可能にする導熱性を有する導熱絶縁層と、
該導熱絶縁層の上層に該導熱絶縁層の外周部を残して積層され、絶縁特性を有し該導熱絶縁層に加えられた熱を断熱しうる断熱絶縁層と、をそなえるとともに、
該断熱絶縁層の上面側に設けられる前記回路素子の端子を収容して、該端子を、該導熱絶縁層の下面側に設けられる回路基板に導通させる導通孔が設けられたことを特徴とする、素子基板間介装用シート。

（付記２） 前記回路素子の底面に複数設けられた各端子の箇所に対応して、該各端子を導通させる導通孔が複数設けられたことを特徴とする、付記１記載の素子基板間介装用シート。
（付記３） 該導通孔の該導熱絶縁層の下面側の開口部に付着された半田をそなえて構成されたことを特徴とする、付記１又は２記載の素子基板間介装用シート。

（付記４） 該断熱絶縁層側に設けられる前記回路素子の端子を収容して、該導熱絶縁層側に設けられる回路基板への導通を遮断する導通遮断端子収容部をそなえるとともに、
該導通遮断端子収容部に収容される端子と特定の導通孔に収容される端子とを横断導通させるための横断導通部が、該導熱絶縁層にそなえて構成されたことを特徴とする、付記１記載の素子基板間介装用シート。

（付記５） 該横断導通部が、該導熱絶縁層上において該導通遮断端子収容部および該特定の導通孔を横断接続する連絡溝と、該連絡溝に設けられた導電ラインと、をそなえて構成されたことを特徴とする、付記４記載の素子基板間介装用シート。
（付記６） 前記の回路素子の端子に接続されるチップ回路が埋め込まれたことを特徴とする、付記１記載の素子基板間介装用シート。

（付記７） 該チップ回路が、雑音除去用のチップ回路であることを特徴とする、付記６記載の素子基板間介装用シート。
（付記８） 底面に端子が設けられた回路素子と回路基板とを接続する際に、
絶縁特性を有するとともに熱を供給することにより半田を溶融可能にする導熱性を有する導熱絶縁層と、該導熱絶縁層の上層に該導熱絶縁層の外周部を残して積層され絶縁特性を有するとともに該導熱絶縁層に加えられた熱を断熱しうる断熱絶縁層とをそなえるとともに、該断熱絶縁層の上面側に設けられる前記回路素子の端子を収容して該端子を該導熱絶縁層の下面側に設けられる回路基板に導通させる導通孔が設けられた素子基板間介装用シートであって、該導通孔の該導熱絶縁層の下面側の開口部に該半田が付着された素子基板間介装用シートについて、該回路基板上の所定位置への位置決めとともに、該回路素子の端子についての該導通孔への収容を行なう設置ステップと、
該素子基板間介装用シートにおける該導熱絶縁層の外周部を加熱することにより、該半田に熱変形を生じさせ、該設置ステップで該回路基板上の所定位置に設置された該回路素子を、該導通孔に収容された端子を通じて該回路基板に結線させる結線ステップと、をそなえて構成されたことを特徴とする、素子基板間介装用シートを用いた回路製造方法。

（付記９） 底面に端子が設けられた回路素子と回路基板とを接続する際に、
絶縁特性を有するとともに熱を供給することにより半田を溶融可能にする導熱性を有する導熱絶縁層と、該導熱絶縁層の上層に該導熱絶縁層の外周部を残して積層され絶縁特性を有するとともに該導熱絶縁層に加えられた熱を断熱しうる断熱絶縁層とをそなえるとともに、該断熱絶縁層の上面側より前記回路素子の第１端子を収容して該第１端子を該導熱絶縁層の下面側に設けられる回路基板に導通させる導通孔が設けられ、かつ、該断熱絶縁層の上面側より前記回路素子の第２端子を収容するが該導熱絶縁層側に設けられる回路基板への導通を遮断する導通遮断端子収容部をそなえるとともに、該導通遮断端子収容部に収容される端子と特定の導通孔に収容される端子とを横断導通させるための横断導通部が、該導熱絶縁層にそなえて構成された素子基板間介装用シートであって、該導通孔における該導熱絶縁層下面側の開口部に該半田が付着された素子基板間介装用シートについて、該回路基板上の所定位置への位置決めとともに、該回路素子の端子についての該導通孔への収容を行なう設置ステップと、
該素子基板間介装用シートにおける該導熱絶縁層の外周部を加熱することにより、該半田に熱変形を生じさせ、該設置ステップで該回路基板上の所定位置に設置された該回路素子を、該導通孔に収容された端子を通じて該回路基板に結線させる結線ステップと、をそなえ、
該設置ステップで該導通遮断端子収容部に収容された端子が、該横断導通部および該特定の導通孔を介して、該回路基板に結線されることを特徴とする、素子基板間介装用シートを用いた回路製造方法。

（付記１０） 底面に複数の端子が設けられた回路素子と回路基板とを接続する際に、
絶縁特性を有するとともに熱を供給することにより前記端子を溶融可能にする導熱性を有する導熱絶縁層と、該導熱絶縁層の上層に該導熱絶縁層の外周部を残して積層され絶縁特性を有するとともに該導熱絶縁層に加えられた熱を断熱しうる断熱絶縁層とをそなえるとともに、該断熱絶縁層の上面側に設けられる前記回路素子の複数の端子をそれぞれ収容して各端子を該導熱絶縁層の下面側に設けられる回路基板に導通させる複数の導通孔が設けられ、かつ、前記の回路素子の端子に接続されるチップ回路が埋め込まれた素子基板間介装用シートであって、該導通孔の該導熱絶縁層下面側の開口部に半田が付着された素子基板間介装用シートについて、該回路基板上の所定位置への位置決めとともに、該回路素子の端子についての該導通孔への収容を行なう設置ステップと、
該素子基板間介装用シートにおける該導熱絶縁層の外周部を加熱することにより、該半田に熱変形を生じさせ、該設置ステップで該回路基板上の所定位置に設置された該回路素子を、該導通孔に収容され溶融された端子を通じて該回路基板に結線させる結線ステップと、をそなえて構成されたことを特徴とする、素子基板間介装用シートを用いた回路製造方法。

（付記１１） 該結線ステップで前記の回路素子と回路基板とが結線された後、該素子基板間介装用シートにおける該導熱絶縁層の外周部を加熱して、該半田を溶融させることにより、該回路素子を該回路基板から取り外す取り外しステップをそなえて構成されたことを特徴とする、付記８〜１０のいずれか１項記載の素子基板間介装用シートを用いた回路製造方法。

（ａ）は本発明の第１実施形態にかかる素子基板間介装用シートを示す上視図であり、（ｂ）は（ａ）に示す素子基板間介装用シートの断面図である。 第１実施形態における素子基板間介装用シートを用いて回路素子を回路基板に取り付け／取り外しを行なう例について示す図である。 （ａ）〜（ｄ）はいずれも第１実施形態における素子基板間介装用シートの製造工程を説明するための図である。 第１実施形態において、導熱絶縁層外周部の４方の端子を通じて熱を加えることで、加熱される貫通孔群の温度変化の一例を、図９に示す手法による場合の温度変化と対比して示す図である。 （ａ）は本発明の第２実施形態にかかる素子基板間介装用シートを示す上視図であり、（ｂ）は（ａ）に示す素子基板間介装用シートの断面図である。 （ａ）〜（ｅ）はいずれも第２実施形態における素子基板間介装用シートの製造工程を説明するための図である。 （ａ）は本発明の第３実施形態にかかる素子基板間介装用シートを示す上視図であり、（ｂ）は（ａ）に示す素子基板間介装用シートの断面図である。 （ａ）〜（ｅ）はいずれも第３実施形態における素子基板間介装用シートの製造工程を説明するための図である。 従来技術を示す図である。 従来技術を示す図である。 従来技術を示す図である。 （ａ）〜（ｃ）はいずれも従来技術を示す図である。

符号の説明

１，１Ａ，１Ｂ 素子基板間介装用シート
２ ＢＧＡ素子
２Ａ，２Ａ−１，２Ａ−２ 端子
２Ｂ 回路素子本体
２ａ 底面
３ 回路基板
３Ａ，３Ａ−１，３Ａ−２ ランド
１１ 導熱絶縁層
１１ａ〜１１ｄ 加熱端子
１１Ａ 外周部
１２ 断熱絶縁層
１３，１３−１，１３−２ 導通孔
１４ 導通遮断端子収容部
１４ａ 高温耐圧シート
１５ 横断導通部
１５ａ，１７ａ 溝部
１５ｂ，１７ｂ 半田
１６ チップ回路
１０１ 回路基板
１０２ ＢＧＡ素子
１０２Ａ 素子本体部
１０２Ｂ 半田接合部
１０３ 治具
１０４櫛歯状ヒータ
１０５ 領域
１０６ ポイント
１０７ 布線
１０８ 雑音低減チップ
１０９ 配線

Claims (5)

1. 底面に端子が設けられた回路素子と回路基板との間に介装されて、前記端子と回路基板とを接続するための素子基板間介装用シートであって、
   絶縁特性を有し、熱を供給することにより半田を溶融可能にする導熱性を有する導熱絶縁層と、
   該導熱絶縁層の上層に該導熱絶縁層の外周部を残して積層され、絶縁特性を有し該導熱絶縁層に加えられた熱を断熱しうる断熱絶縁層と、をそなえるとともに、
   該断熱絶縁層の上面側に設けられる前記回路素子の端子を収容して、該端子を、該導熱絶縁層の下面側に設けられる回路基板に導通させる導通孔が設けられたことを特徴とする、素子基板間介装用シート。
2. 底面に端子が設けられた回路素子と回路基板とを接続する際に、
   絶縁特性を有するとともに熱を供給することにより半田を溶融可能にする導熱性を有する導熱絶縁層と、該導熱絶縁層の上層に該導熱絶縁層の外周部を残して積層され絶縁特性を有するとともに該導熱絶縁層に加えられた熱を断熱しうる断熱絶縁層とをそなえるとともに、該断熱絶縁層の上面側に設けられる前記回路素子の端子を収容して該端子を該導熱絶縁層の下面側に設けられる回路基板に導通させる導通孔が設けられた素子基板間介装用シートであって、該導通孔の該導熱絶縁層の下面側の開口部に該半田が付着された素子基板間介装用シートについて、該回路基板上の所定位置への位置決めとともに、該回路素子の端子についての該導通孔への収容を行なう設置ステップと、
   該素子基板間介装用シートにおける該導熱絶縁層の外周部を加熱することにより、該半田に熱変形を生じさせ、該設置ステップで該回路基板上の所定位置に設置された該回路素子を、該導通孔に収容された端子を通じて該回路基板に結線させる結線ステップと、をそなえて構成されたことを特徴とする、素子基板間介装用シートを用いた回路製造方法。
3. 底面に端子が設けられた回路素子と回路基板とを接続する際に、
   絶縁特性を有するとともに熱を供給することにより半田を溶融可能にする導熱性を有する導熱絶縁層と、該導熱絶縁層の上層に該導熱絶縁層の外周部を残して積層され絶縁特性を有するとともに該導熱絶縁層に加えられた熱を断熱しうる断熱絶縁層とをそなえるとともに、該断熱絶縁層の上面側より前記回路素子の第１端子を収容して該第１端子を該導熱絶縁層の下面側に設けられる回路基板に導通させる導通孔が設けられ、かつ、該断熱絶縁層の上面側より前記回路素子の第２端子を収容するが該導熱絶縁層側に設けられる回路基板への導通を遮断する導通遮断端子収容部をそなえるとともに、該導通遮断端子収容部に収容される端子と特定の導通孔に収容される端子とを横断導通させるための横断導通部が、該導熱絶縁層にそなえて構成された素子基板間介装用シートであって、該導通孔における該導熱絶縁層下面側の開口部に該半田が付着された素子基板間介装用シートについて、該回路基板上の所定位置への位置決めとともに、該回路素子の端子についての該導通孔への収容を行なう設置ステップと、
   該素子基板間介装用シートにおける該導熱絶縁層の外周部を加熱することにより、該半田に熱変形を生じさせ、該設置ステップで該回路基板上の所定位置に設置された該回路素子を、該導通孔に収容された端子を通じて該回路基板に結線させる結線ステップと、をそなえ、
   該設置ステップで該導通遮断端子収容部に収容された端子が、該横断導通部および該特定の導通孔を介して、該回路基板に結線されることを特徴とする、素子基板間介装用シートを用いた回路製造方法。
4. 底面に複数の端子が設けられた回路素子と回路基板とを接続する際に、
   絶縁特性を有するとともに熱を供給することにより前記端子を溶融可能にする導熱性を有する導熱絶縁層と、該導熱絶縁層の上層に該導熱絶縁層の外周部を残して積層され絶縁特性を有するとともに該導熱絶縁層に加えられた熱を断熱しうる断熱絶縁層とをそなえるとともに、該断熱絶縁層の上面側に設けられる前記回路素子の複数の端子をそれぞれ収容して各端子を該導熱絶縁層の下面側に設けられる回路基板に導通させる複数の導通孔が設けられ、かつ、前記の回路素子の端子に接続されるチップ回路が埋め込まれた素子基板間介装用シートであって、該導通孔の該導熱絶縁層下面側の開口部に半田が付着された素子基板間介装用シートについて、該回路基板上の所定位置への位置決めとともに、該回路素子の端子についての該導通孔への収容を行なう設置ステップと、
   該素子基板間介装用シートにおける該導熱絶縁層の外周部を加熱することにより、該半田に熱変形を生じさせ、該設置ステップで該回路基板上の所定位置に設置された該回路素子を、該導通孔に収容され溶融された端子を通じて該回路基板に結線させる結線ステップと、をそなえて構成されたことを特徴とする、素子基板間介装用シートを用いた回路製造方法。
5. 該結線ステップで前記の回路素子と回路基板とが結線された後、該素子基板間介装用シートにおける該導熱絶縁層の外周部を加熱して、該半田を溶融させることにより、該回路素子を該回路基板から取り外す取り外しステップをそなえて構成されたことを特徴とする、請求項２〜４のいずれか１項記載の素子基板間介装用シートを用いた回路製造方法。

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