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JP2005243793A - Wiring board, wiring board forming method, organic EL panel - Google Patents

Wiring board, wiring board forming method, organic EL panel Download PDF

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JP2005243793A
JP2005243793A JP2004049626A JP2004049626A JP2005243793A JP 2005243793 A JP2005243793 A JP 2005243793A JP 2004049626 A JP2004049626 A JP 2004049626A JP 2004049626 A JP2004049626 A JP 2004049626A JP 2005243793 A JP2005243793 A JP 2005243793A
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wiring
electrode
region
low
electrodes
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JP2004049626A
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Toshiharu Aida
俊春 会田
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Tohoku Pioneer Corp
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Tohoku Pioneer Corp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent migration between wiring electrodes simply by a wiring electrode structure without depending on a protective layer. <P>SOLUTION: The wiring board 1 comprises an insulating substrate 10 on which at least two wiring electrodes 11, adjacent to each other, are formed. The wiring electrode 11 comprises a low resistive wiring 11a that contains a migration-prone metal, and a wiring region 11b which is formed between the low resistive wiring section 11a and other wiring electrode on the substrate 10 to conduct the low resistive wiring section 11a. The wiring region 11b (12b to 22b) is formed of a material that does not contain the migration-prone metal. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、配線基板、配線基板の形成方法、有機ＥＬパネルに関するものである。   The present invention relates to a wiring board, a method for forming a wiring board, and an organic EL panel.

近年、電子機器或いは電子部品の小型化及び高性能化の要求に応じるために配線の高密度化，低抵抗化が進められているが、これに合わせてマイグレーション（migration）による性能低下や故障の問題が顕在化してきた。ここでいうマイグレーションとは、配線電極を形成する金属（金属イオン）が隣接する配線電極間に形成される電界によって絶縁基板の表面又は内部を経時的に移動して、電気的に絶縁しているはずの配線電極間を導通させてしまう現象を言う。   In recent years, in order to meet the demand for miniaturization and high performance of electronic equipment or electronic components, wiring density and resistance have been reduced. The problem has become apparent. Migration here means that the metal (metal ions) forming the wiring electrode is electrically insulated by moving over the surface or inside of the insulating substrate over time by the electric field formed between the adjacent wiring electrodes. This is a phenomenon in which the expected wiring electrodes are made conductive.

このマイグレーションは、配線電極間を近接させて、低抵抗材料として知られる銀（Ａｇ），銅（Ｃｕ），錫（Ｓｎ），鉛（Ｐｂ）等の金属またはこれらの金属を含む合金を電極材料として用いる場合に発生し易いことが確認されている。したがって、配線電極の高密度化と低抵抗化（高性能化）を進める際に、マイグレーションの防止は避けて通れない重要な課題になっている。   In this migration, wiring electrodes are brought close to each other, and a metal such as silver (Ag), copper (Cu), tin (Sn), lead (Pb) or the like, which is known as a low resistance material, or an alloy containing these metals is used as an electrode material. It has been confirmed that it is likely to occur when the Therefore, prevention of migration has become an inevitable important issue when increasing the density and reducing the resistance (high performance) of wiring electrodes.

そして、高精細な画像表示を目標に開発が進められている表示装置にあっては、各画素を駆動するために引き出された配線電極が高密度化の傾向にある。また特に、有機ＥＬパネルのような電流駆動の表示パネルでは、駆動電流の大小によって発光特性が変化してしまい表示性能に大きな影響を与えるので、表示性能を向上させるためには配線電極を低抵抗にする必要がある。このため、有機ＥＬパネルにおいては、高密度化された配線電極に銀パラジウム（ＡｇＰｄ）合金等のマイグレーションを生じ易い低抵抗材料を用いることがなされており、前述したマイグレーションを防止することが有機ＥＬパネルにおける重要な課題になっている。   In a display device that has been developed for the purpose of high-definition image display, wiring electrodes drawn out for driving each pixel tend to have a higher density. In particular, in a current-driven display panel such as an organic EL panel, the light emission characteristics change depending on the magnitude of the drive current, which greatly affects the display performance. It is necessary to. For this reason, in an organic EL panel, a low-resistance material such as silver-palladium (AgPd) alloy that easily causes migration is used for a highly densified wiring electrode. It has become an important issue in the panel.

マイグレーションの防止策としては各種の提案が為されている。例えば下記特許文献１，２においては、配線基板の上面に、銀、アルミニウム或いはこれらの金属の合金を含む複数個の配線導体を１０μｍ〜１００μｍの間隔を空けて並設すると共に、これら配線導体をエポキシ樹脂を主成分とする絶縁性の保護層で共通に被覆し、この保護層の中に０．５μｍ〜５．０μｍの特定樹脂フィラーを特定配分で含有させることが開示されている。   Various proposals have been made to prevent migration. For example, in Patent Documents 1 and 2 below, a plurality of wiring conductors containing silver, aluminum, or an alloy of these metals are juxtaposed on the upper surface of the wiring board with an interval of 10 μm to 100 μm, and the wiring conductors are arranged in parallel. It is disclosed that an insulating protective layer mainly composed of an epoxy resin is commonly coated, and a specific resin filler of 0.5 μm to 5.0 μm is contained in the protective layer in a specific distribution.

特開２００１−２３７５２３号公報JP 2001-237523 A 特開２００１−３３９１４３号公報JP 2001-339143 A

前述した従来技術によると、保護層内で特定樹脂フィラーを特定配分で含有させる必要があるので、保護層の形成が煩雑であると同時にコスト高になってしまうという問題がある。   According to the above-described prior art, since it is necessary to contain the specific resin filler in a specific distribution in the protective layer, there is a problem that the formation of the protective layer is complicated and the cost is increased.

また、最近の研究では、マイグレーションを生じ易い金属（銀（Ａｇ），銅（Ｃｕ），錫（Ｓｎ），鉛（Ｐｂ）等）と絶縁性材料が直接接触することがマイグレーションの発生要因の一つであるとも言われており、絶縁性の保護層によって配線電極を覆うことが有効なマイグレーション防止にならないことも懸念されている。   Further, in recent research, one of the factors that cause migration is that a metal (silver (Ag), copper (Cu), tin (Sn), lead (Pb), etc.)) that easily causes migration is in direct contact with an insulating material. It is also feared that covering the wiring electrode with an insulating protective layer does not effectively prevent migration.

本発明は、このような問題に対処することを課題の一例とするものである。すなわち、煩雑な保護層の形成を行うことなく、配線電極の構造のみで確実に配線電極間のマイグレーションを防止すること、更には、マイグレーションの防止によって有機ＥＬパネル等の表示装置の高性能化を達成できること等が本発明の目的である。   This invention makes it an example of a subject to cope with such a problem. In other words, without forming a complicated protective layer, it is possible to reliably prevent migration between the wiring electrodes only by the structure of the wiring electrodes, and further to improve the performance of a display device such as an organic EL panel by preventing migration. What can be achieved is an object of the present invention.

このような目的を達成するために、本発明は、以下の各独立請求項に係る構成を少なくとも具備するものである。   In order to achieve such an object, the present invention comprises at least the configurations according to the following independent claims.

［請求項１］互いに近接した少なくとも２本の配線電極を絶縁性の基板上に形成した配線基板であって、前記配線電極の少なくとも一方は、マイグレーションを生じ易い金属が含まれる低抵抗配線部分と、該低抵抗配線部分に導通して少なくとも該低抵抗配線部分と他の配線電極との間の前記基板上に形成される配線領域とを有し、該配線領域はマイグレーションを生じ易い金属が含まれないことを特徴とする配線基板。   [Claim 1] A wiring board in which at least two wiring electrodes adjacent to each other are formed on an insulating substrate, wherein at least one of the wiring electrodes includes a low-resistance wiring portion containing a metal that easily causes migration. A wiring region formed on the substrate between at least the low-resistance wiring portion and another wiring electrode in conduction with the low-resistance wiring portion, wherein the wiring region includes a metal that easily causes migration. Wiring board characterized by not being able to.

［請求項１５］互いに近接した少なくとも２本の配線電極を絶縁性の基板上に形成した配線基板の形成方法であって、前記配線電極の少なくとも一方には、マイグレーションを生じ易い金属が含まれる低抵抗配線部分が形成されると共に、少なくとも該低抵抗配線部分と他の配線電極との間の前記基板上に前記低抵抗配線部分に導通する配線領域が形成され、該配線領域はマイグレーションを生じ易い金属が含まれない材料で形成されることを特徴とする配線基板の形成方法。   [15] A method of forming a wiring board in which at least two wiring electrodes adjacent to each other are formed on an insulating substrate, wherein at least one of the wiring electrodes includes a metal that easily causes migration. A resistance wiring portion is formed, and at least a wiring region conducting to the low resistance wiring portion is formed on the substrate between the low resistance wiring portion and another wiring electrode, and the wiring region easily causes migration. A method for forming a wiring board, wherein the wiring board is made of a material not containing metal.

［請求項１８］一対の電極の間に有機発光機能層を含む有機材料層を挟持して絶縁性の基板上に複数の有機ＥＬ素子を形成し、前記一対の電極から引き出された配線電極を前記基板上に形成した有機ＥＬパネルであって、前記配線電極は互いに近接した少なくとも２本の配線電極を有し、該配線電極の少なくとも一方は、マイグレーションを生じ易い金属が含まれる低抵抗配線部分と、該低抵抗配線部分に導通して少なくとも該低抵抗配線部分と他の配線電極との間の前記基板上に形成される配線領域とを有し、該配線領域はマイグレーションを生じ易い金属が含まれないことを特徴とする有機ＥＬパネル。   [18] An organic material layer including an organic light emitting functional layer is sandwiched between a pair of electrodes to form a plurality of organic EL elements on an insulating substrate, and wiring electrodes drawn from the pair of electrodes are formed. The organic EL panel formed on the substrate, wherein the wiring electrode has at least two wiring electrodes close to each other, and at least one of the wiring electrodes includes a low-resistance wiring portion containing a metal that easily causes migration And a wiring region formed on the substrate between at least the low resistance wiring portion and another wiring electrode in conduction with the low resistance wiring portion, and the wiring region is made of a metal that is likely to cause migration. Organic EL panel characterized by not being contained.

以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。図１〜３，図５〜７は本発明の一実施形態に係る配線基板の構成例を示す説明図（断面図）である。これらの図に示した配線基板１は、互いに近接した少なくとも２本の配線電極を絶縁性の基板１０上に形成したものである。以下の説明では、２本の配線電極を示して説明しているが、これによって多数本の配線電極を同様に説明できることは言うまでもない。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. 1 to 3 and 5 to 7 are explanatory views (sectional views) showing a configuration example of a wiring board according to an embodiment of the present invention. The wiring substrate 1 shown in these drawings is obtained by forming at least two wiring electrodes close to each other on an insulating substrate 10. In the following description, two wiring electrodes are shown and described, but it is needless to say that a large number of wiring electrodes can be similarly described.

そして、本発明の実施形態では、図１に示すように、この配線基板１における配線電極１１，１１の少なくとも一方は、マイグレーションを生じ易い金属（例えば、Ａｇ（銀），Ｃｕ（銅），Ｓｎ（錫），Ｐｂ（鉛）の中の一つ又は複数）が含まれる低抵抗配線部分１１ａと、この低抵抗配線部分１１ａに導通して少なくとも低抵抗配線部分１１ａと他の配線電極との間の基板１０上に形成される配線領域１１ｂとを有し、この配線領域１１ｂはマイグレーションを生じ易い金属が含まれないことを特徴としている。図１の実施形態では、配線電極１１，１１の両方に配線領域１１ｂを設けているが、これに限らず、配線電極１１，１１の一方に配線領域１１ｂを設けたものであっても良い。   In the embodiment of the present invention, as shown in FIG. 1, at least one of the wiring electrodes 11, 11 in the wiring substrate 1 is a metal that easily causes migration (for example, Ag (silver), Cu (copper), Sn). (One or more of (tin) and Pb (lead)) is included, and the low resistance wiring portion 11a is electrically connected to at least the low resistance wiring portion 11a and another wiring electrode. The wiring region 11b is formed on the substrate 10, and the wiring region 11b is characterized in that it does not contain a metal that easily causes migration. In the embodiment of FIG. 1, the wiring region 11 b is provided in both the wiring electrodes 11, 11. However, the invention is not limited to this, and the wiring region 11 b may be provided in one of the wiring electrodes 11, 11.

図２及び図３は、本発明の実施形態に係る配線基板１の変形例を示したものである。本発明の実施形態に係る配線基板１は、図２に示すように、配線電極１２１，１２２の両方に、マイグレーションを生じ易い金属が含まれる低抵抗配線部分１２ａとマイグレーションを生じ易い金属が含まれない配線領域１２ｂを設けて、この配線領域１２ｂを低抵抗配線部分１２ａに対する同方向の片側のみに設けるようにしても良いし、或いは、図３に示すように、配線電極１３１，１３２の両方に、マイグレーションを生じ易い金属が含まれる低抵抗配線部分１３ａとマイグレーションを生じ易い金属が含まれない配線領域１３ｂを設けて、この配線領域１３ｂを低抵抗配線部分１３ａに対する異なる方向の片側のみに設けて、配線領域１３ｂが、２本の配線電極１３１，１３２間でそれぞれ互いに向き合うように形成するようにしても良い。 2 and 3 show a modification of the wiring board 1 according to the embodiment of the present invention. As shown in FIG. 2, the wiring board 1 according to the embodiment of the present invention includes a low resistance wiring portion 12a including a metal that easily causes migration and a metal that easily causes migration in both of the wiring electrodes 12 1 and 12 2. provided included no wiring area 12b, the wiring region 12b may be provided only on one side in the same direction with respect to the low resistance wiring portion 12a, or, as shown in FIG. 3, the wiring electrodes 13 1, 13 2 is provided with a low-resistance wiring portion 13a containing a metal that easily causes migration and a wiring region 13b that does not contain a metal that easily causes migration, and this wiring region 13b is arranged on one side in a different direction with respect to the low-resistance wiring portion 13a. provided only at the wiring region 13b is, two wiring electrodes 13 1, 13 so as to form to face each other between the 2 It may be.

図４は、このような実施形態に係る配線基板１の作用を示す説明図であって、配線電極１１，１１間の電位差状態を示す線図である。このような実施形態に係る配線基板１では、図示のように、２つの配線電極１１，１１間に電位差が生じた場合にも、マイグレーションを生じ易い金属が含まれる低抵抗配線部分１１ａとマイグレーションを生じ易い金属が含まれない配線領域１１ｂが同電位になることで、マイグレーションを生じ易い金属の金属イオン（例えば、Ａｇ＋）が配線電極１１，１１間の電界勾配Ｅａに関わることが無い。したがって、電界勾配Ｅａによる金属イオンの移動を抑制することが可能になり、マイグレーション現象を効果的に防止することができる。この作用は、図３に示した実施形態における配線電極１３１，１３２間でも同様である。 FIG. 4 is an explanatory diagram showing the operation of the wiring board 1 according to such an embodiment, and is a diagram showing a potential difference state between the wiring electrodes 11 and 11. In the wiring board 1 according to such an embodiment, as shown in the figure, even when a potential difference is generated between the two wiring electrodes 11, 11, the migration is performed with the low resistance wiring portion 11 a containing a metal that easily causes migration. Since the wiring region 11b that does not include a metal that easily occurs is at the same potential, metal ions (for example, Ag +) that easily cause migration are not involved in the electric field gradient Ea between the wiring electrodes 11 and 11. Therefore, it is possible to suppress the movement of metal ions due to the electric field gradient Ea, and the migration phenomenon can be effectively prevented. This effect is the same between the wiring electrodes 13 1, 13 2 in the embodiment shown in FIG.

また、図２に示した実施形態のように、２つの配線電極１２１，１２２間の一方側のみに配線領域１２ｂが形成される場合であっても、前述と同様の作用で少なくとも配線電極１２１側から配線電極１２２側に移動する金属イオンを抑制することができるので、一定のマイグレーション防止効果が期待できる。また両配線電極１２１，１２２間の電位差状態が画一的（相当の比率で配線電極側１２１が高電位）な場合等には、このような配線領域１２ｂの配置であっても、効果的にマイグレーション現象を防止することができる。 Further, even in the case where the wiring region 12b is formed only on one side between the two wiring electrodes 12 1 , 12 2 as in the embodiment shown in FIG. it is possible to suppress the metal ions moving to the wiring electrodes 12 2 side from 12 1 side, a constant migration preventing effect can be expected. Also on both the wiring electrodes 12 1, 12 potential states between 2 (considerable wiring electrode side 12 1 at a ratio of high potential) uniform case or the like, even the placement of such wiring region 12b, The migration phenomenon can be effectively prevented.

図５〜図７は、本発明の更に具体的な実施形態を示す説明図（断面図）である。これらの実施形態では、前述したマイグレーションを生じ易い金属が含まれる低抵抗配線部分１４ａ，１５ａ，１６ａを第１の電極層１４Ａ，１５Ａ，１６Ａで形成しており、前述したマイグレーションを生じ易い金属が含まれない配線領域１４ｂ，１５ｂ，１６ｂを第２の電極層１４Ｂ，１５Ｂ１，１５Ｂ２，１６Ｂで形成している。 5-7 is explanatory drawing (sectional drawing) which shows the more concrete embodiment of this invention. In these embodiments, the low resistance wiring portions 14a, 15a, and 16a including the metal that easily causes the migration are formed by the first electrode layers 14A, 15A, and 16A, and the metal that easily causes the migration is formed. Wiring regions 14b, 15b, and 16b that are not included are formed of the second electrode layers 14B, 15B 1 , 15B 2 , and 16B.

具体的に説明すると、図５の実施形態に係る配線基板１では、配線電極１４，１４は、低抵抗配線部分１４ａを形成する第１の電極層１４Ａと配線領域１４ｂを形成する第２の電極層１４Ｂとを有し、基板１０上に形成された第２の電極層１４Ｂ上に第１の電極層１４Ａを積層して形成したものである。また、第２の電極層１４Ｂは第１の電極層１４Ａに対して幅広に形成したものである。図示の例では、第２の電極層１４Ｂ上に直接第１の電極層１４Ａを積層しているが、これに限らず、第２の電極層１４Ｂと第１の電極層１４Ａとの間に他の層を介して積層したものであっても良い。   Specifically, in the wiring board 1 according to the embodiment of FIG. 5, the wiring electrodes 14 and 14 are the first electrode layer 14A that forms the low-resistance wiring portion 14a and the second electrode that forms the wiring region 14b. The first electrode layer 14 </ b> A is formed on the second electrode layer 14 </ b> B formed on the substrate 10. The second electrode layer 14B is formed wider than the first electrode layer 14A. In the illustrated example, the first electrode layer 14A is laminated directly on the second electrode layer 14B. However, the present invention is not limited to this, and other portions are provided between the second electrode layer 14B and the first electrode layer 14A. It may be laminated via these layers.

また、図６の実施形態に係る配線基板１では、配線電極１５，１５は、基板１０上に形成された第２の電極層１５Ｂ１上に低抵抗配線部分１５ａを形成する第１の電極層１５Ａを積層して形成したところまでは前述した図５の実施形態と同様であるが、更に、マイグレーションを生じ易い金属が含まれない第２の電極層１５Ｂ２をその上に積層して、第１の電極層１５Ａを第２の電極層１５Ｂ２で覆うように形成している。 In the wiring substrate 1 according to the embodiment of FIG. 6, the wiring electrodes 15 and 15 are the first electrode layer that forms the low resistance wiring portion 15 a on the second electrode layer 15 </ b> B 1 formed on the substrate 10. until was formed by laminating 15A is similar to the embodiment of FIG. 5 described above, further, by laminating the second electrode layer 15B 2 does not contain a metal which easily cause migration thereon, the It is formed so as to cover the first electrode layer 15A in the second electrode layer 15B 2.

また、図７の実施形態に係る配線基板１では、配線電極１６，１６は、基板１０上に低抵抗配線部分１６ａを形成する第１の電極層１６Ａを形成して、マイグレーションを生じ易い金属が含まれない第２の電極層１６Ｂをその上に積層しており、第１の電極層１６Ａを第２の電極層１６Ｂで覆うように形成している。   In the wiring substrate 1 according to the embodiment of FIG. 7, the wiring electrodes 16 and 16 are formed of the first electrode layer 16A that forms the low-resistance wiring portion 16a on the substrate 10 and is made of a metal that easily causes migration. A second electrode layer 16B that is not included is stacked thereon, and the first electrode layer 16A is formed to be covered with the second electrode layer 16B.

このような実施形態では、一方の配線電極と他方の配線電極における低抵抗配線部分１４ａ，１５ａ，１６ａ間の基板１０上に、マイグレーションを生じ易い金属が含まれない配線領域１４ｂ，１５ｂ，１６ｂが形成されることになり、前述したように、両電極間に電位差が生じた場合にもマイグレーションを生じ易い金属イオンの移動を抑制することができ、効果的にマイグレーション現象による配線電極間の短絡等の不具合を防止することができる。   In such an embodiment, wiring regions 14b, 15b, and 16b that do not contain a metal that easily causes migration are formed on the substrate 10 between the low resistance wiring portions 14a, 15a, and 16a in one wiring electrode and the other wiring electrode. As described above, even when a potential difference occurs between the two electrodes, it is possible to suppress the migration of metal ions that are liable to cause migration, and the short circuit between wiring electrodes due to the migration phenomenon. Can be prevented.

図８〜１０，図１２〜１４は、本発明の実施形態に係る配線基板を説明する説明図であって、各配線電極のパターン構成を示す平面図である。ここに示した配線電極のパターン構成は、前述した配線領域が前述した低抵抗配線部分に沿って形成された線状パターンを有する構成になっているが、本発明の実施形態としては、特にこれに限定されるものではない。また、以下に示す実施形態の配線電極は、図１〜３，図５〜７に示した断面構造の何れかによって形成することができる。   8 to 10 and 12 to 14 are explanatory views for explaining the wiring board according to the embodiment of the present invention, and are plan views showing the pattern configuration of each wiring electrode. The wiring electrode pattern configuration shown here has a configuration in which the wiring region described above has a linear pattern formed along the low resistance wiring portion described above. It is not limited to. Moreover, the wiring electrode of embodiment shown below can be formed by either of the cross-sectional structures shown in FIGS. 1-3 and FIGS.

図８に示す実施形態では、配線電極１７は、マイグレーションを生じ易い金属が含まれる低抵抗配線部分１７ａに対して、これに沿って線状パターンが形成され、この線状パターンによってマイグレーションを生じ易い金属を含まない配線領域１７ｂを形成している。ここでは、配線領域１７ｂが、配線電極１７間で互いに向き合うように、且つ低抵抗配線部分１７ａと平行に形成されている。更には、一つの配線領域１７ｂは、低抵抗配線部分１７ａとの間に間隙が形成されており、低抵抗配線部分１７ａと部分的に接続される接続部Ｓを複数有している。   In the embodiment shown in FIG. 8, the wiring electrode 17 is formed with a linear pattern along the low resistance wiring portion 17a containing a metal that is likely to cause migration, and migration is easily caused by this linear pattern. A wiring region 17b not containing metal is formed. Here, the wiring regions 17b are formed so as to face each other between the wiring electrodes 17 and in parallel with the low resistance wiring portion 17a. Further, one wiring region 17b is formed with a gap between the low resistance wiring portion 17a and has a plurality of connection portions S partially connected to the low resistance wiring portion 17a.

図９に示す実施形態では、配線電極１８は、図８の実施形態と同様に、マイグレーションを生じ易い金属が含まれる低抵抗配線部分１８ａに対して、これに沿って線状パターンが形成され、この線状パターンによってマイグレーションを生じ易い金属を含まない配線領域１８ｂを形成している。また、配線領域１８ｂが、配線電極１８間で互いに向き合うように、且つ低抵抗配線部分１８ａと平行に形成されている。更には、配線領域１８ｂは、低抵抗配線部分１８ａとの間に間隙が形成されており、低抵抗配線部分１８ａと部分的に接続される接続部Ｓ１，Ｓ２を有している。また、配線電極１８の配列方向で互いに隣り合った接続部Ｓ１，Ｓ２の位置が、配線電極１８に沿った同列位置に並ばないように形成されている。 In the embodiment shown in FIG. 9, the wiring electrode 18 is formed with a linear pattern along the low-resistance wiring portion 18a containing a metal that easily causes migration, as in the embodiment of FIG. This linear pattern forms a wiring region 18b that does not contain a metal that is likely to cause migration. Further, the wiring region 18b is formed so as to face each other between the wiring electrodes 18 and in parallel with the low resistance wiring portion 18a. Furthermore, the wiring region 18b is formed with a gap between the low-resistance wiring portion 18a and has connection portions S 1 and S 2 that are partially connected to the low-resistance wiring portion 18a. Further, the positions of the connecting portions S 1 and S 2 adjacent to each other in the arrangement direction of the wiring electrodes 18 are formed so as not to line up with the same row positions along the wiring electrodes 18.

図１０に示す実施形態では、配線電極１９は、図８及び図９の実施形態と同様に、マイグレーションを生じ易い金属が含まれる低抵抗配線部分１９ａに対して、これに沿って線状パターンが形成され、この線状パターンによってマイグレーションを生じ易い金属を含まない配線領域１９ｂを形成している。ここでは、配線領域１９ｂが、配線電極１９間で低抵抗配線部分１９ａの片側のみに形成されている。更には、配線領域１９ｂは、低抵抗配線部分１９ａとの間に間隙が形成されており、低抵抗配線部分１９ａと部分的に接続される接続部Ｓを有している。   In the embodiment shown in FIG. 10, the wiring electrode 19 has a linear pattern along the low resistance wiring portion 19a containing a metal that easily causes migration, as in the embodiments of FIGS. A wiring region 19b that does not contain a metal that is formed and is likely to cause migration is formed by this linear pattern. Here, the wiring region 19 b is formed only on one side of the low resistance wiring portion 19 a between the wiring electrodes 19. Furthermore, the wiring region 19b has a gap formed between it and the low resistance wiring portion 19a, and has a connection portion S that is partially connected to the low resistance wiring portion 19a.

図１１は、このような実施形態における配線電極間の電位差状態を示す線図である。このような実施形態において配線電極間に電位差が生じた場合には、例えば、図８におけるＸ１−Ｘ１線上の電位差状態は図４に示す状態と同様になるが、図８におけるＸ２−Ｘ２線上の電位差状態は、図１１（ａ）のようになり、図９におけるＸ３−Ｘ３線上の電位差状態は、図１１（ｂ）のようになる（図１１（ａ）においては左側の配線電極が高電位になった状態を示しており、図１１（ｂ）においては右側の配線電極が高電位になった状態を示している。）。 FIG. 11 is a diagram showing a potential difference state between the wiring electrodes in such an embodiment. When a potential difference is generated between the wiring electrodes in such an embodiment, for example, the potential difference state on the X 1 -X 1 line in FIG. 8 is the same as the state shown in FIG. 4, but X 2 − in FIG. X 2 line of potential state is as shown in FIG. 11 (a), X 3 -X 3 lines of potential state in FIG. 9 is as shown in FIG. 11 (b) (left side in FIG. 11 (a) (A) shows a state in which the wiring electrode is at a high potential, and FIG. 11B shows a state in which the wiring electrode on the right side is at a high potential.

すなわち、これらの箇所（Ｘ２−Ｘ２線上或いはＸ３−Ｘ３線上）における電位差状態は、低抵抗配線部分１７ａ（又は１８ａ）と配線領域１７ｂ（又は１８ｂ）は等電位になるが、両者の間隙によって電位の凹凸部分が形成されることになり、低抵抗配線部分１７ａ（又は１８ａ）における金属イオン（例えば、Ａｇ＋）は、このような電位差の凹凸部分によって移動が抑制されることになる。これによってマイグレーションを生じ易い金属イオンが配線電極１７（１８）間の電界勾配Ｅａに関わることが無くなり、マイグレーション現象を効果的に防止することができる。 That is, in the potential difference state at these locations (on the X 2 -X 2 line or the X 3 -X 3 line), the low resistance wiring portion 17a (or 18a) and the wiring region 17b (or 18b) are equipotential. An uneven portion of the potential is formed by the gap, and movement of metal ions (for example, Ag + ) in the low resistance wiring portion 17a (or 18a) is suppressed by the uneven portion of the potential difference. Become. As a result, metal ions that tend to cause migration are not involved in the electric field gradient Ea between the wiring electrodes 17 (18), and the migration phenomenon can be effectively prevented.

図８〜図１０に示した実施形態では、何れも低抵抗配線部分１７ａ〜１９ａと配線領域１７ｂ〜１９ｂとの間に間隔を形成したものを示しているが、本発明の実施形態に係る配線領域の線状パターンはこれに限定されるものではない。例えば、図１２に示すように、配線電極２０を低抵抗配線部分２０ａとマイグレーションを生じ易い金属を含まない配線領域２０ｂとで形成して、低抵抗配線部分２０ａと配線領域２０ｂとが広い領域で導通しているものであってもよい。この場合には、低抵抗配線部分２０ａの広い範囲で、図４で示した作用が得られることになる。   In the embodiments shown in FIG. 8 to FIG. 10, all are shown with a space formed between the low resistance wiring portions 17 a to 19 a and the wiring regions 17 b to 19 b. The linear pattern of the region is not limited to this. For example, as shown in FIG. 12, the wiring electrode 20 is formed by a low resistance wiring portion 20a and a wiring region 20b that does not include a metal that easily causes migration, and the low resistance wiring portion 20a and the wiring region 20b are wide. It may be conductive. In this case, the action shown in FIG. 4 can be obtained in a wide range of the low resistance wiring portion 20a.

また、図８〜図１０に示した実施形態では、低抵抗配線部分１７ａ〜１９ａと配線領域１７ｂ〜１９ｂとの接続部を一つの配線領域に対して複数形成したものを示しているが、これに限らず、接続部を一つの配線領域に対して一箇所設けるものであっても良い。   In the embodiment shown in FIGS. 8 to 10, a plurality of connection portions between the low resistance wiring portions 17 a to 19 a and the wiring regions 17 b to 19 b are formed for one wiring region. However, the present invention is not limited to this, and one connecting portion may be provided for one wiring region.

図１３及び図１４は、配線電極のパターン構成に関する他の実施形態を示す説明図である。これらの実施形態では、配線電極２１（２２）を低抵抗配線部分２１ａ（２２ａ）とマイグレーションを生じ易い金属を含まない配線領域２１ｂ（２２ｂ）とで形成し、配線領域２１ｂ（２２ｂ）を線状パターンで低抵抗配線部分２１ａ（２２ａ）に沿って形成している点では、前述の実施形態と同様であるが、この実施形態は、配線領域２１ｂ（２２ｂ）を、配線電極２１（２２）に沿って部分的に形成したものである。   13 and 14 are explanatory views showing other embodiments relating to the pattern configuration of wiring electrodes. In these embodiments, the wiring electrode 21 (22) is formed by the low resistance wiring portion 21a (22a) and the wiring region 21b (22b) not including a metal that easily causes migration, and the wiring region 21b (22b) is linear. Although it is the same as that of the above-mentioned embodiment by the point formed along the low resistance wiring part 21a (22a) by the pattern, this embodiment makes wiring area | region 21b (22b) into wiring electrode 21 (22). It is formed partially along.

すなわち、この実施形態では、マイグレーションを生じ易い金属を含まない配線領域２１ｂ（２２ｂ）を、選択した箇所にのみ形成することができ、特にマイグレーションの起こり易い箇所を選択してそこに配線領域２１ｂ（２２ｂ）を形成することができる。マイグレーションの起こり易い箇所としては、接着剤を使用する箇所等を挙げることができる。図１３及び図１４の例では、配線電極２１（２２）が形成された基板上に封止基板等を貼り合わせる接着領域Ｍの帯状部分に合わせて、部分的に配線領域２１ｂ（２２ｂ）を形成した例を示している。   That is, in this embodiment, it is possible to form the wiring region 21b (22b) that does not include a metal that is likely to cause migration only at a selected location. In particular, a location where migration is likely to occur is selected and the wiring region 21b ( 22b) can be formed. Examples of locations where migration is likely to occur include locations where an adhesive is used. In the example of FIGS. 13 and 14, the wiring region 21b (22b) is partially formed in accordance with the band-shaped portion of the adhesion region M where the sealing substrate or the like is bonded onto the substrate on which the wiring electrode 21 (22) is formed. An example is shown.

また、図１３に示す実施形態は、低抵抗配線部分２１ａの幅を均一にして、その両側又は片側に配線領域２１ｂを形成した例を示しており、図１４に示す実施形態では、配線領域２２ｂが形成される部分において低抵抗配線部分２２ａの幅を狭くして、配線電極２２の全体でほぼ幅が均一になるように形成した例を示している。このような実施形態によると、配線領域２２ａ，２２ｂを形成するためのパターニング領域を狭くできるので工程の簡略化が可能である。   Further, the embodiment shown in FIG. 13 shows an example in which the width of the low resistance wiring portion 21a is made uniform and the wiring region 21b is formed on both sides or one side thereof. In the embodiment shown in FIG. 14, the wiring region 22b is shown. In this example, the width of the low-resistance wiring portion 22a is narrowed in the portion where the wiring is formed so that the entire wiring electrode 22 has a substantially uniform width. According to such an embodiment, since the patterning region for forming the wiring regions 22a and 22b can be narrowed, the process can be simplified.

前述した本発明の実施形態に係る配線基板１の形成方法は、各種の方法で実施可能である。要するに、配線電極に対して、前述したマイグレーションを生じ易い金属が含まれる低抵抗配線部分とマイグレーションを生じ易い金属を含まない配線領域とを形成する方法であれば、どのような形成方法であっても良い。   The method for forming the wiring board 1 according to the embodiment of the present invention described above can be implemented by various methods. In short, any formation method can be used as long as it is a method for forming a low-resistance wiring portion containing a metal that easily causes migration and a wiring region that does not contain a metal that easily causes migration. Also good.

図５〜図７に示した実施形態を対象にして形成方法の具体例を示すと、低抵抗配線部分１４ａ，１５ａ，１６ａを形成する第１の電極層１４Ａ，１５Ａ，１６Ａを成膜して、この低抵抗配線部分１４ａ，１５ａ，１６ａをパターニングする工程と、配線領域１４ｂ，１５ｂ，１６ｂを形成する第２の電極層１４Ｂ，１５Ｂ，１６Ｂを成膜して、この配線領域１４ｂ，１５ｂ，１６ｂをパターニングする工程とを有する。   A specific example of the forming method for the embodiment shown in FIGS. 5 to 7 shows that the first electrode layers 14A, 15A, and 16A for forming the low resistance wiring portions 14a, 15a, and 16a are formed. The low resistance wiring portions 14a, 15a, and 16a are patterned, and the second electrode layers 14B, 15B, and 16B that form the wiring regions 14b, 15b, and 16b are formed, and the wiring regions 14b, 15b, and 16b are formed. 16b is patterned.

図５の実施形態においては、基板１０上に第２の電極層１４Ｂを成膜して、配線領域１４ｂをパターニングする工程の後、第２の電極層１４Ｂ上に直接又は他の層を介して第１の電極層１４Ａを成膜して、低抵抗配線部分１４ａをパターニングすることにより形成することができる。   In the embodiment of FIG. 5, after the step of forming the second electrode layer 14B on the substrate 10 and patterning the wiring region 14b, directly on the second electrode layer 14B or via another layer. It can be formed by forming the first electrode layer 14A and patterning the low resistance wiring portion 14a.

図６の実施形態においては、基板１０上に第２の電極層１５Ｂ１を成膜して、配線領域１５ｂをパターニングする工程の後、第２の電極層１５Ｂ１上に直接又は他の層を介して第１の電極層１５Ａを成膜して、低抵抗配線部分１５ａをパターニングし、更に、第２の電極層１５Ｂ２を成膜して、配線領域１５ｂをパターニングすることにより形成することができる。 In the embodiment of FIG. 6, the second electrode layer 15B 1 on the substrate 10 by forming, after the step of patterning the wiring area 15b, directly or another layer on the second electrode layer 15B 1 by forming a first electrode layer 15A through a low-resistance wiring portion 15a patterned, further, that the second electrode layer 15B 2 was deposited, it is formed by patterning the wiring region 15b it can.

図７の実施形態においては、基板１０上に第１の電極層１６Ａを成膜して、低抵抗配線部分１６ａをパターニングする工程の後、この低抵抗配線部分１６ａを覆うように、第２の電極層１６Ｂを成膜して、配線領域１６ｂをパターニングすることにより形成することができる。   In the embodiment of FIG. 7, after the step of forming the first electrode layer 16A on the substrate 10 and patterning the low resistance wiring portion 16a, the second resistance layer 16a is covered so as to cover the low resistance wiring portion 16a. It can be formed by forming the electrode layer 16B and patterning the wiring region 16b.

以下に、本発明の一実施例として、前述した実施形態に係る配線基板が適用される有機ＥＬパネルを示す。しかしながら、本発明の実施形態に係る配線基板又はその形成方法は、以下の用途に限定されるものではなく、他の電子機器や電子部品にも広く適用可能であることは言うまでもない。   As an example of the present invention, an organic EL panel to which the wiring board according to the above-described embodiment is applied is shown below. However, it goes without saying that the wiring board or the method of forming the wiring board according to the embodiment of the present invention is not limited to the following uses, and can be widely applied to other electronic devices and electronic components.

図１５及び図１６は、本発明の実施例に係る有機ＥＬパネルを説明する説明図（断面図）である。図１５は図１６におけるＡ２−Ａ２断面図を示しており、図１６は図１５におけるＡ１−Ａ１断面図を示している。 15 and 16 are explanatory views (cross-sectional views) for explaining an organic EL panel according to an embodiment of the present invention. 15 shows an A 2 -A 2 cross-sectional view in FIG. 16, and FIG. 16 shows an A 1 -A 1 cross-sectional view in FIG.

図において、有機ＥＬパネル１００の基本構成は、第１電極３１と第２電極３２との間に有機発光機能層を含む有機材料層３３を挟持して基板１０上に複数の有機ＥＬ素子３０を形成したものである。図示の例では、基板１０上にシリコン被覆層１０ａを形成しており、その上に形成される第１電極３１をＩＴＯ等の透明電極からなる陽極に設定し、第２電極３２をＡｌ等の金属材料からなる陰極に設定して、基板１０側から光を取り出すボトムエミッション方式を構成している。また、有機材料層３３としては、正孔輸送層３３Ａ，発光層３３Ｂ，電子輸送層３３Ｃの３層構造の例を示している。そして、基板１０と封止部材４０とを接着層４１を介して貼り合わせることによって基板１０上に封止空間４０Ｓを形成し、封止空間４０Ｓ内に有機ＥＬ素子３０からなる表示部を形成している。   In the figure, the basic configuration of the organic EL panel 100 is that a plurality of organic EL elements 30 are disposed on a substrate 10 with an organic material layer 33 including an organic light emitting functional layer interposed between a first electrode 31 and a second electrode 32. Formed. In the illustrated example, the silicon coating layer 10a is formed on the substrate 10, the first electrode 31 formed thereon is set as an anode made of a transparent electrode such as ITO, and the second electrode 32 is made of Al or the like. A bottom emission method is configured in which the cathode is made of a metal material and light is extracted from the substrate 10 side. As the organic material layer 33, an example of a three-layer structure of a hole transport layer 33A, a light emitting layer 33B, and an electron transport layer 33C is shown. And the sealing space 40S is formed on the board | substrate 10 by bonding the board | substrate 10 and the sealing member 40 through the contact bonding layer 41, and the display part which consists of the organic EL element 30 in the sealing space 40S is formed. ing.

有機ＥＬ素子４０からなる表示部は、図示の例では、第１電極３１を絶縁層３４で区画すると共に、第２電極３２を陰極隔壁３５によって絶縁区画しており、区画された第１電極３１の下に各有機ＥＬ素子３０による単位表示領域（３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂ）を形成している。また、封止空間４０Ｓを形成する封止部材４０の内面には乾燥手段４２が取り付けられて、湿気による有機ＥＬ素子３０の劣化を防止している。   In the example shown in the figure, the display unit composed of the organic EL element 40 has the first electrode 31 partitioned by the insulating layer 34 and the second electrode 32 insulated by the cathode partition 35, and the partitioned first electrode 31. The unit display area (30R, 30G, 30B) by each organic EL element 30 is formed below. Moreover, the drying means 42 is attached to the inner surface of the sealing member 40 that forms the sealing space 40 </ b> S to prevent deterioration of the organic EL element 30 due to moisture.

ここで、図１５は陰極となる第２電極３２の引出配線電極を示している（ここでは、この引出配線電極に、図５に示す配線電極１４を採用した例を示す。）。第２電極３２の引出配線電極には、第１電極３１と同材料，同工程で形成される配線領域１４ｂ（図示省略）を有する第２の電極層１４Ｂが、第１電極３１とは絶縁層３４で絶縁された状態でパターン形成されている。第２の電極層１４Ｂの引出部分には、銀パラジウム（ＡｇＰｄ：マイグレーションを生じ易い金属が含まれる材料）合金等を含む低抵抗配線部分１４ａを形成する第１の電極層１４Ａが形成されており、更にその上に、必要に応じてＩＺＯ等の保護被膜１４Ｃが形成されて、第２の電極層１４Ｂ，第１の電極層１４Ａ，保護被膜１４Ｃからなる配線電極１４が形成されている。そして、封止空間４０Ｓ内端部で第２電極３２の端部３２ａが配線電極１４に接続されている。   Here, FIG. 15 shows an extraction wiring electrode of the second electrode 32 serving as a cathode (here, an example in which the wiring electrode 14 shown in FIG. 5 is adopted as the extraction wiring electrode is shown). The lead electrode of the second electrode 32 includes a second electrode layer 14B having a wiring region 14b (not shown) formed of the same material and in the same process as the first electrode 31, and an insulating layer from the first electrode 31. A pattern is formed in an insulated state at 34. The lead portion of the second electrode layer 14B is formed with a first electrode layer 14A that forms a low resistance wiring portion 14a containing a silver palladium (AgPd: material containing a metal that easily causes migration) alloy or the like. Further, a protective film 14C such as IZO is formed thereon as necessary, and a wiring electrode 14 including the second electrode layer 14B, the first electrode layer 14A, and the protective film 14C is formed. The end 32 a of the second electrode 32 is connected to the wiring electrode 14 at the inner end of the sealed space 40 </ b> S.

一方、図１６は陽極となる第１電極３１の引出配線電極を示している。第１電極３１の引出配線電極では、第１電極３１を延出して封止空間４０Ｓ外に引き出すことによって配線電極３１ａを形成している。ここでは、陽極側の引出配線電極にのみ本発明の実施形態に係る配線電極を採用しているが、陰極側の引出配線電極にのみ本発明の実施形態に係る配線電極を採用しても良いし、陽極側，陰極側の両方に採用しても良い。また、これらの引出配線電極の中から特定の配線電極を選択して本発明の実施形態に係る配線電極を採用しても良い。   On the other hand, FIG. 16 shows the lead-out wiring electrode of the first electrode 31 serving as an anode. In the lead wiring electrode of the first electrode 31, the wiring electrode 31a is formed by extending the first electrode 31 and pulling it out of the sealing space 40S. Here, the wiring electrode according to the embodiment of the present invention is adopted only for the lead-out wiring electrode on the anode side, but the wiring electrode according to the embodiment of the present invention may be adopted only for the lead-out wiring electrode on the cathode side. However, it may be employed on both the anode side and the cathode side. In addition, a wiring electrode according to the embodiment of the present invention may be adopted by selecting a specific wiring electrode from these lead-out wiring electrodes.

更には、前述したように、配線電極１４における配線領域１４ｂは、一本の配線電極１４の全域に形成することもできるし、例えば、接着領域Ｍのみといった特定部分に部分的に形成することもできる。   Furthermore, as described above, the wiring region 14b of the wiring electrode 14 can be formed over the entire region of the single wiring electrode 14, or can be partially formed in a specific portion such as only the bonding region M, for example. it can.

このような本発明の実施例に係る有機ＥＬパネル１００によると、陰極側（或いは陽極側）から引き出された配線電極１４が近接配置され、配線電極１４の低抵抗化を図るためにマイグレーションを生じ易い金属が含まれる低抵抗配線部分１４ａが形成された場合にも、配線電極１４の周囲に生じた金属イオン（銀イオンＡｇ＋）が隣の配線電極に向かう電界勾配の上に乗ることがないので、マイグレーションによる配線電極間の短絡或いは配線電極を流れる電流の変動等の不具合を未然に回避することができる。   According to the organic EL panel 100 according to the embodiment of the present invention, the wiring electrodes 14 drawn out from the cathode side (or the anode side) are arranged close to each other, and migration occurs to reduce the resistance of the wiring electrodes 14. Even when the low resistance wiring portion 14a including the easy metal is formed, the metal ions (silver ions Ag +) generated around the wiring electrode 14 do not get on the electric field gradient toward the adjacent wiring electrode. In addition, problems such as a short circuit between the wiring electrodes due to migration or fluctuations in the current flowing through the wiring electrodes can be avoided in advance.

以下、本発明の実施例に係る有機ＥＬパネル１００の各構成要素について、更に具体的な構成を示す。   Hereinafter, a more specific configuration of each component of the organic EL panel 100 according to the embodiment of the present invention will be described.

ａ．基板；
有機ＥＬパネル１００の基板１０としては、透明性を有する平板状、フィルム状のものが好ましく、材質としてはガラス又はプラスチック等を用いることができる。 a. substrate;
The substrate 10 of the organic EL panel 100 is preferably a flat plate or film having transparency, and the material may be glass or plastic.

ｂ．電極；
前述の実施例では、第１電極３１を陽極、第２電極３２を陰極として、第１電極３１側から正孔輸送層３３Ａ，発光層３３Ｂ，電子輸送層３３Ｃを積層させているが、本質的には、第１電極３１，第２電極３２のどちらを陰極又は陽極に設定しても構わない。電極材料としては、陽極は陰極より仕事関数の高い材料で構成され、クロム（Ｃｒ），モリブデン（Ｍｏ），ニッケル（Ｎｉ），白金（Ｐｔ）等の金属膜やＩＴＯ，ＩＺＯ等の酸化金属膜等の透明導電膜が用いられる。逆に陰極は陽極より仕事関数の低い材料で構成され、アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ）等の金属膜、ドープされたポリアニリンやドープされたポリフェニレンビニレン等の非晶質半導体、Ｃｒ２Ｏ３，ＮｉＯ，Ｍｎ２Ｏ５等の酸化物を使用できる。また、第１電極３１，第２電極３２ともに透明な材料により構成した場合には、光の放出側と反対の電極側に反射膜を設けた構成にする。 b. electrode;
In the above embodiment, the hole transport layer 33A, the light emitting layer 33B, and the electron transport layer 33C are stacked from the first electrode 31 side using the first electrode 31 as an anode and the second electrode 32 as a cathode. In this case, either the first electrode 31 or the second electrode 32 may be set as a cathode or an anode. As an electrode material, the anode is made of a material having a higher work function than the cathode, and a metal film such as chromium (Cr), molybdenum (Mo), nickel (Ni), platinum (Pt), or a metal oxide film such as ITO or IZO. A transparent conductive film such as is used. Conversely, the cathode is made of a material having a work function lower than that of the anode, and is made of a metal film such as aluminum (Al) or magnesium (Mg), an amorphous semiconductor such as doped polyaniline or doped polyphenylene vinylene, Cr 2 O 3 , NiO, Mn 2 O 5 and other oxides can be used. When both the first electrode 31 and the second electrode 32 are made of a transparent material, a reflection film is provided on the electrode side opposite to the light emission side.

ｃ．有機材料層；
有機材料層３３は、前述した実施例のように、正孔輸送層３３Ａ，発光層３３Ｂ，電子輸送層３３Ｃの組み合わせが一般的であるが、正孔輸送層３３Ａ，発光層３３Ｂ，電子輸送層３３Ｃはそれぞれ１層だけでなく複数層積層して設けても良く、正孔輸送層３３Ａ，電子輸送層３３Ｃについてはどちらかの層を省略しても、両方の層を省略しても構わない。また、正孔注入層，電子注入層等の有機材料層を用途に応じて挿入することも可能である。正孔輸送層３３Ａ，発光層３３Ｂ，電子輸送層３３Ｃは従来の使用されている材料（高分子材料、低分子材料を問わない）を適宜選択可能である。 c. Organic material layer;
The organic material layer 33 is generally a combination of a hole transport layer 33A, a light emitting layer 33B, and an electron transport layer 33C as in the above-described embodiment, but the hole transport layer 33A, the light emitting layer 33B, and the electron transport layer are combined. 33C may be provided by laminating not only one layer but also a plurality of layers, and either one or both of the hole transport layer 33A and the electron transport layer 33C may be omitted. . It is also possible to insert organic material layers such as a hole injection layer and an electron injection layer depending on the application. For the hole transport layer 33A, the light emitting layer 33B, and the electron transport layer 33C, a conventionally used material (regardless of a polymer material or a low molecular material) can be appropriately selected.

また、発光層３３Ｂを形成する発光材料としては、一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（蛍光）を呈するもの、三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（りん光）を呈するもののいずれであっても構わない。   As the light emitting material forming the light emitting layer 33B, light emitting material (fluorescence) when returning from the singlet excited state to the ground state, light emission (phosphorescence) when returning from the triplet excited state to the ground state is exhibited. Any one of them can be used.

ｄ．封止部材；
有機ＥＬパネル１００において、有機ＥＬ素子３０を気密に封止するための封止部材４０としては、金属製，ガラス製，プラスチック製等による板状部材又は容器状部材を用いることができる。ガラス製の封止基板にプレス成形，エッチング，ブラスト処理等の加工によって封止用凹部（一段掘り込み、二段掘り込みを問わない）を形成したものを用いることもできるし、或いは平板ガラスを使用してガラス（プラスチックでも良い）製のスペーサにより基板１０との間に封止空間４０Ｓを形成することもできる。 d. Sealing member;
In the organic EL panel 100, as the sealing member 40 for hermetically sealing the organic EL element 30, a plate-like member or container-like member made of metal, glass, plastic, or the like can be used. It is possible to use a glass sealing substrate in which a concave portion for sealing (regardless of one-stage digging or two-stage digging) is formed by processing such as press molding, etching, blasting, or flat glass. The sealing space 40S can be formed between the substrate 10 and the substrate 10 by using a glass (or plastic) spacer.

ｅ．接着層；
有機ＥＬパネル１００における接着層４１を形成する接着剤は、熱硬化型，化学硬化型（２液混合），光（紫外線）硬化型等を使用することができ、材料としてアクリル樹脂，エポキシ樹脂，ポリエステル，ポリオレフィン等を用いることができる。特には、加熱処理を要さず即硬化性の高い紫外線硬化型のエポキシ樹脂製接着剤の使用が好ましい。 e. Adhesive layer;
As the adhesive for forming the adhesive layer 41 in the organic EL panel 100, a thermosetting type, a chemical curing type (two-component mixing), a light (ultraviolet) curing type, or the like can be used, and an acrylic resin, an epoxy resin, Polyester, polyolefin and the like can be used. In particular, it is preferable to use an ultraviolet curable epoxy resin adhesive that does not require heat treatment and has high immediate curing properties.

ｆ．乾燥手段；
乾燥手段４２は、ゼオライト，シリカゲル，カーボン，カーボンナノチューブ等の物理的乾燥剤、アルカリ金属酸化物，金属ハロゲン化物，過酸化塩素等の化学的乾燥剤、有機金属錯体をトルエン，キシレン，脂肪族有機溶剤等の石油系溶媒に溶解した乾燥剤、乾燥剤粒子を透明性を有するポリエチレン，ポリイソプレン，ポリビニルシンナエート等のバインダに分散させた乾燥剤により形成することができる。 f. Drying means;
The drying means 42 is a physical desiccant such as zeolite, silica gel, carbon or carbon nanotube, a chemical desiccant such as alkali metal oxide, metal halide or chlorine peroxide, or an organometallic complex in toluene, xylene or aliphatic organic. It can be formed with a desiccant dissolved in a petroleum solvent such as a solvent, a desiccant in which desiccant particles are dispersed in a binder such as polyethylene, polyisoprene, and polyvinyl cinnaate having transparency.

ｇ．有機ＥＬ表示パネルの各種方式等；
本発明の実施例となる有機ＥＬパネル１００としては、本発明の要旨を逸脱しない範囲で各種の設計変更が可能である。例えば、有機ＥＬ素子３０の発光形態は、前述した実施例のように基板１０側から光を取り出すボトムエミッション方式でも、基板１０とは逆側から光を取り出すトップエミッション方式でも構わない。また、本発明の実施例に係る有機ＥＬパネル１００は単色表示であっても複数色表示であっても良く、複数色表示を実現するためには、塗り分け方式を含むことは勿論のこと、白色や青色等の単色の発光機能層にカラーフィルタや蛍光材料による色変換層を組み合わせた方式（ＣＦ方式、ＣＣＭ方式）、単色の発光機能層の発光エリアに電磁波を照射する等して複数発光を実現する方式（フォトブリーチング方式）、２色以上の単位表示領域を縦に積層し一つの単位表示領域を形成した方式（ＳＯＬＥＤ(transparent Stacked OLED)方式）等を採用することができる。 g. Various types of organic EL display panels;
Various design changes can be made to the organic EL panel 100 according to the embodiment of the present invention without departing from the gist of the present invention. For example, the light emission form of the organic EL element 30 may be a bottom emission method in which light is extracted from the substrate 10 side as in the above-described embodiment, or a top emission method in which light is extracted from the opposite side to the substrate 10. In addition, the organic EL panel 100 according to the embodiment of the present invention may be a single color display or a multi-color display. In order to realize the multi-color display, it is a matter of course that a separate coloring method is included. Multiple light emission methods such as a combination of a single color light emitting functional layer such as white or blue with a color conversion layer made of a color filter or a fluorescent material (CF method, CCM method), irradiating an electromagnetic wave to the light emitting area of the single color light emitting functional layer, etc. (Photo bleaching method), a method in which unit display areas of two or more colors are vertically stacked to form one unit display area (SOLED (transparent stacked OLED) system), or the like can be employed.

本発明の各実施形態又は実施例の特徴をまとめると以下の通りである（以下の符号は、図１〜図１６の各図に対応している。）。   The characteristics of each embodiment or example of the present invention are summarized as follows (the following symbols correspond to the respective drawings in FIGS. 1 to 16).

一つには、互いに近接した少なくとも２本の配線電極１１（１２〜２２）を絶縁性の基板１０上に形成した配線基板１であって、配線電極１１（１２〜２２）の少なくとも一方は、マイグレーションを生じ易い金属が含まれる低抵抗配線部分１１ａ（１２ａ〜２２ａ）と、低抵抗配線部分１１ａ（１２ａ〜２２ａ）に導通して少なくとも該低抵抗配線部分１１ａ（１２ａ〜２２ａ）と他の配線電極との間の基板１０上に形成される配線領域１１ｂ（１２ｂ〜２２ｂ）とを有し、該配線領域１１ｂ（１２ｂ〜２２ｂ）はマイグレーションを生じ易い金属が含まれないことを特徴とする。   One is a wiring board 1 in which at least two wiring electrodes 11 (12 to 22) adjacent to each other are formed on an insulating substrate 10, and at least one of the wiring electrodes 11 (12 to 22) is A low resistance wiring portion 11a (12a to 22a) containing a metal that easily causes migration, and at least the low resistance wiring portion 11a (12a to 22a) and other wirings in conduction with the low resistance wiring portion 11a (12a to 22a) It has a wiring region 11b (12b to 22b) formed on the substrate 10 between the electrodes, and the wiring region 11b (12b to 22b) does not include a metal that easily causes migration.

これによると、近接された配線電極１１（１２〜２２）間に電位差が生じた場合にも、低抵抗配線部分１１ａ（１２ａ〜２２ａ）と配線領域１１ｂ（１２ｂ〜２２ｂ）が同電位になって低抵抗配線部分１１ａ（１２ａ〜２２ａ）周辺に電界勾配Ｅａを形成しないので、低抵抗配線部分１１ａ（１２ａ〜２２ａ）における金属イオンが配線電極１１（１２〜２２）間の電界勾配Ｅａに関わって移動することがない。したがって、配線電極１１（１２〜２２）間がどのような電位差状態になっても、配線領域１１ｂが形成された配線電極側から他の配線電極に向けた金属イオンの移動を阻止することができる。これによって、マイグレーションを生じ易い金属が含まれる低抵抗配線部分１１ａ（１２ａ〜２２ａ）を含む配線電極１１（１２〜２２）を高密度に配線した場合にも、配線電極の構造のみで効果的にマイグレーションの発生を抑制できる。   According to this, even when a potential difference occurs between the adjacent wiring electrodes 11 (12 to 22), the low resistance wiring portion 11a (12a to 22a) and the wiring region 11b (12b to 22b) have the same potential. Since the electric field gradient Ea is not formed around the low resistance wiring portion 11a (12a to 22a), the metal ions in the low resistance wiring portion 11a (12a to 22a) are related to the electric field gradient Ea between the wiring electrodes 11 (12 to 22). There is no movement. Therefore, regardless of the potential difference between the wiring electrodes 11 (12 to 22), the movement of metal ions from the wiring electrode side where the wiring region 11b is formed toward other wiring electrodes can be prevented. . As a result, even when the wiring electrodes 11 (12-22) including the low resistance wiring portions 11a (12a-22a) containing a metal that easily causes migration are wired at high density, the wiring electrode 11 (12-22) is effectively formed only by the structure of the wiring electrodes. The occurrence of migration can be suppressed.

また一つには、前述した配線基板１において、配線領域１１ｂ（１２ｂ〜２２ｂ）は、低抵抗配線部分１１ａ（１２ａ〜２２ａ）に沿って形成された線状パターンを有することを特徴とする。これによると、前述の作用と併せて、低抵抗配線部分１１ａ（１２ａ〜２２ａ）に沿って形成された線状パターンの領域で効果的にマイグレーションの発生を抑制できる。   Moreover, in the wiring board 1 described above, the wiring region 11b (12b to 22b) has a linear pattern formed along the low resistance wiring portion 11a (12a to 22a). According to this, in conjunction with the above-described operation, the occurrence of migration can be effectively suppressed in the region of the linear pattern formed along the low resistance wiring portion 11a (12a to 22a).

また一つには、前述した配線基板１において、配線領域１１ｂ（１２ｂ〜２２ｂ）は、２本の配線電極１１（１２〜２２）のそれぞれに互いに向き合うように形成されることを特徴とする。これによると、前述の作用と併せて、配線電極１１（１２〜２２）間の電位差状態がどのようになっても、一方から他方（他方から一方）に向かう金属イオンの移動を阻止できるので、効果的にマイグレーションの発生を防止することができる。   In addition, in the wiring board 1 described above, the wiring region 11b (12b to 22b) is formed so as to face each other of the two wiring electrodes 11 (12 to 22). According to this, in combination with the above-described action, the movement of metal ions from one side to the other (from the other side) can be prevented regardless of the potential difference state between the wiring electrodes 11 (12 to 22). The occurrence of migration can be effectively prevented.

また一つには、前述した配線基板１において、配線領域１１ｂ（１２ｂ〜２２ｂ）は、低抵抗配線部分１１ａ（１２ａ〜２２ａ）の両側に形成されることを特徴とする。これによると、前述の作用と併せて、ある配線電極１１（１２〜２２）の低抵抗配線部分１１ａ（１２ａ〜２２ａ）からその両側に配置された配線電極に向かう金属イオンの移動を効果的に阻止することができる。   In addition, in the wiring board 1 described above, the wiring regions 11b (12b to 22b) are formed on both sides of the low resistance wiring portion 11a (12a to 22a). According to this, in conjunction with the above-described operation, the movement of metal ions from the low resistance wiring portion 11a (12a to 22a) of a certain wiring electrode 11 (12 to 22) toward the wiring electrodes arranged on both sides thereof is effectively performed. Can be blocked.

また一つには、前述した配線基板１において、配線領域１７ｂ（１８ｂ，１９ｂ，２１ｂ，２２ｂ）は、低抵抗配線部分１７ａ（１８ａ，１９ａ，２１ａ，２２ａ）と部分的に接続される接続部Ｓ（Ｓ１，Ｓ２）を有することを特徴とする。 For example, in the wiring board 1 described above, the wiring region 17b (18b, 19b, 21b, 22b) is a connection portion that is partially connected to the low resistance wiring portion 17a (18a, 19a, 21a, 22a). It is characterized by having S (S 1 , S 2 ).

これによると、前述の作用と併せて、配線領域１７ｂ（１８ｂ，１９ｂ，２１ｂ，２２ｂ）と低抵抗配線部分１７ａ（１８ａ，１９ａ，２１ａ，２２ａ）とが接続されていない箇所には、両者間に間隙が形成されることになり、この間隙によって、配線電極間に電位差が生じた場合に電位差の凹凸部分が形成されることになる。この電位差の凹凸部分で低抵抗配線部分１７ａ（１８ａ，１９ａ，２１ａ，２２ａ）における金属イオンの移動を効果的に阻止することができる。   According to this, in addition to the above-described operation, there is no connection between the wiring region 17b (18b, 19b, 21b, 22b) and the low resistance wiring portion 17a (18a, 19a, 21a, 22a). A gap is formed in the gap, and an uneven portion of the potential difference is formed by this gap when a potential difference is generated between the wiring electrodes. This uneven portion of the potential difference can effectively prevent the movement of metal ions in the low resistance wiring portion 17a (18a, 19a, 21a, 22a).

また一つには、前述した配線基板１において、接続部は、配線電極１８の配列方向で互いに隣り合った接続部Ｓ１，Ｓ２の位置が、配線電極１８に沿った同列位置に並ばないように形成されることを特徴とする。 For example, in the wiring board 1 described above, the connection portions of the connection portions S 1 and S 2 adjacent to each other in the arrangement direction of the wiring electrodes 18 are not aligned at the same row position along the wiring electrodes 18. It is formed as follows.

これによると、接続部が同列に並んだ場合には、その接続部を結んだ線上では低抵抗配線部分１８ａと配線領域１８ｂとの間の間隙が形成されないことになり、この間隙による金属イオン移動阻止効果が得られないことになるが、接続部が同列に並ぶことを避けることで、低抵抗配線部分１８ａと配線領域１８ｂとの間の間隙を有効に形成することができる。   According to this, when the connecting portions are arranged in the same row, a gap between the low resistance wiring portion 18a and the wiring region 18b is not formed on the line connecting the connecting portions, and metal ion movement by this gap is not caused. Although the blocking effect cannot be obtained, it is possible to effectively form a gap between the low resistance wiring portion 18a and the wiring region 18b by avoiding the connection portions being arranged in the same row.

また一つには、前述した配線基板１において、接続部Ｓ（Ｓ１，Ｓ２）は、一つの配線領域１７ｂ（１８ｂ，１９ｂ，２１ｂ，２２ｂ）に対して複数形成されることを特徴とする。これによると、低抵抗配線部分１７ａ（１８ａ，１９ａ，２１ａ，２２ａ）と配線領域１７ｂ（１８ｂ，１９ｂ，２１ｂ，２２ｂ）とを確実に同電位にすることができ、低抵抗配線部分１７ａ（１８ａ，１９ａ，２１ａ，２２ａ）周辺に電界勾配Ｅａが形成されることがない。よって、前述したように、効果的にマイグレーションの発生を防止することができる。 Moreover, in the wiring board 1 described above, a plurality of connection portions S (S 1 , S 2 ) are formed for one wiring region 17b (18b, 19b, 21b, 22b). To do. According to this, the low resistance wiring portion 17a (18a, 19a, 21a, 22a) and the wiring region 17b (18b, 19b, 21b, 22b) can be reliably set to the same potential, and the low resistance wiring portion 17a (18a) , 19a, 21a, 22a) no electric field gradient Ea is formed around the periphery. Therefore, as described above, the occurrence of migration can be effectively prevented.

また一つには、前述した配線基板１において、配線領域２１ｂ（２２ｂ）は、配線電極２１（２２）に沿って部分的に形成されることを特徴とする。これによると、特にマイグレーションの起き易い箇所に部分的に配線領域２１ｂ（２２ｂ）を形成することができるので、効果的にマイグレーションを防止することができると共に、配線領域２２ａ（２２ｂ）を形成するためのパターニング領域を狭くできるので工程の簡略化が可能である。   In addition, in the wiring board 1 described above, the wiring region 21b (22b) is partially formed along the wiring electrode 21 (22). According to this, since the wiring region 21b (22b) can be partially formed at a location where migration easily occurs, migration can be effectively prevented and the wiring region 22a (22b) is formed. Since the patterning region can be narrowed, the process can be simplified.

また一つには、前述した配線基板１において、配線電極１４（１５，１６）は、低抵抗配線部分１４ａ（１５ａ，１６ａ）を形成する第１の電極層１４Ａ（１５Ａ，１６Ａ）と配線領域１４ｂ（１５ｂ，１６ｂ）を形成する第２の電極層１４Ｂ（１５Ｂ１，１５Ｂ２，１６Ｂ）とを有することを特徴とする。これによると、前述した配線電極１４（１５，１６）を第１の電極層１４Ａ（１５Ａ，１６Ａ）と第２の電極層１４Ｂ（１５Ｂ１，１５Ｂ２，１６Ｂ）の積層で形成でき、形成が比較的容易である。 For example, in the wiring board 1 described above, the wiring electrode 14 (15, 16) is connected to the first electrode layer 14A (15A, 16A) forming the low resistance wiring portion 14a (15a, 16a) and the wiring region. And a second electrode layer 14B (15B 1 , 15B 2 , 16B) forming 14b (15b, 16b). According to this, the wiring electrode 14 (15, 16) described above can be formed by stacking the first electrode layer 14A (15A, 16A) and the second electrode layer 14B (15B 1 , 15B 2 , 16B). It is relatively easy.

また一つには、前述した配線基板１において、配線電極１５（１６）は、第１の電極層１５Ａ（１６Ａ）を第２の電極層１５Ｂ２（１６Ｂ）で覆うように形成されることを特徴とする。これによると、低抵抗配線部分１５ａ（１６ａ）と配線領域１５ｂ（１６ｂ）の接触面積を広くできるので、低抵抗配線部分１５ａ（１６ａ）と同電位の配線領域１５ｂ（１６ｂ）を確実に形成することができ、低抵抗配線部分１５ａ（１６ａ）周辺に電界勾配Ｅａが形成されることがない。 For example, in the wiring board 1 described above, the wiring electrode 15 (16) is formed so as to cover the first electrode layer 15A (16A) with the second electrode layer 15B 2 (16B). Features. According to this, since the contact area between the low resistance wiring portion 15a (16a) and the wiring region 15b (16b) can be increased, the wiring region 15b (16b) having the same potential as that of the low resistance wiring portion 15a (16a) is surely formed. Therefore, the electric field gradient Ea is not formed around the low resistance wiring portion 15a (16a).

また一つには、前述した配線基板１において、配線電極１４（１５）は、基板１０上に形成された第２の電極層１４Ｂ（１５Ｂ１）上に直接又は他の層を介して前記第１の電極層１４Ａ（１５Ａ）を積層して形成することを特徴とする。これによると、低抵抗配線部分１４ａ（１５ａ）と配線領域１４ｂ（１５ｂ）とを有する配線電極１４（１５）を比較的容易に形成することができる。 Moreover, in the wiring board 1 described above, the wiring electrode 14 (15) is formed on the second electrode layer 14B (15B 1 ) formed on the substrate 10 directly or via another layer. One electrode layer 14A (15A) is laminated and formed. According to this, the wiring electrode 14 (15) having the low resistance wiring portion 14a (15a) and the wiring region 14b (15b) can be formed relatively easily.

また一つには、前述した配線基板１において、マイグレーションを生じ易い金属は、Ａｇ（銀），Ｃｕ（銅），Ｓｎ（錫），Ｐｂ（鉛）の中の一つ又は複数であり、また、低抵抗配線部分１１ａ（１２ａ〜２２ａ）には銀パラジウム（ＡｇＰｄ）合金が含まれていることを特徴とする。これらの金属を含む低抵抗配線部分１１ａ（１２ａ〜２２ａ）を有する配線電極１１（１２〜２２）によって、低抵抗でマイグレーションを発生し難い配線基板１を得ることができる。   In addition, in the wiring board 1 described above, the metal that easily causes migration is one or more of Ag (silver), Cu (copper), Sn (tin), and Pb (lead). The low resistance wiring portion 11a (12a to 22a) includes a silver palladium (AgPd) alloy. With the wiring electrodes 11 (12 to 22) having the low resistance wiring portions 11a (12a to 22a) containing these metals, it is possible to obtain the wiring substrate 1 having a low resistance and hardly causing migration.

また、前述の配線基板１を形成する形成方法によると、低抵抗配線電極を高密度に配線し、且つマイグレーションによる不具合が発生し難い配線基板を形成することができるので、製造品質を向上させることができる。   In addition, according to the forming method for forming the wiring substrate 1 described above, it is possible to form a wiring substrate in which low-resistance wiring electrodes are wired with high density and are less likely to cause defects due to migration, thereby improving manufacturing quality. Can do.

また、前述の配線基板１を形成する形成方法において、低抵抗配線部分１４ａ（１５ａ，１６ａ）を形成する第１の電極層１４Ａ（１５Ａ，１６Ａ）を成膜して、低抵抗配線部分１４ａ（１５ａ，１６ａ）をパターニングする工程と、配線領域１４ｂ（１５ｂ，１６ｂ）を形成する第２の電極層１４Ｂ（１５Ｂ１，１５Ｂ２，１６Ｂ）を成膜して、配線領域１４ｂ（１５ｂ，１６ｂ）をパターニングする工程とを有することを特徴とし、また、基板１０上に配線領域１４ｂ（１５ｂ）を形成する第２の電極層１４Ｂ（１５Ｂ１）を成膜して、配線領域１４ｂ（１５ｂ）をパターニングする工程の後、第２の電極層１４Ｂ（１５Ｂ１）の上に直接又は他の層を介して低抵抗配線部分１４ａ（１５ａ）を形成する第１の電極層１４Ａ（１５Ａ）を成膜して、低抵抗配線部分１４ａ（１５ａ）をパターニングすることを特徴とする。これによると、従来から行われている成膜とパターニングによって配線電極１４（１５）を形成できるので、従来工程を活用した経済的な製法によって、マイグレーション防止効果の高い配線基板を形成することができる。 Further, in the formation method for forming the wiring substrate 1 described above, the first electrode layer 14A (15A, 16A) for forming the low resistance wiring portion 14a (15a, 16a) is formed, and the low resistance wiring portion 14a ( 15a, a step of patterning 16a), a wiring region 14b (15b, a second electrode layer 14B to form the 16b) (15B 1, 15B 2 , 16B) is deposited, the wiring region 14b (15b, 16b) And a second electrode layer 14B (15B 1 ) for forming the wiring region 14b (15b) is formed on the substrate 10 to form the wiring region 14b (15b). after the step of patterning the first electrode layer 14A to form a second electrode layer 14B (15B 1) directly or via another layer low-resistance wiring portion 14a on the (15a) (15 ) Was deposited, and wherein the patterning the low-resistance wiring portion 14a (15a). According to this, since the wiring electrode 14 (15) can be formed by conventional film formation and patterning, a wiring substrate having a high migration prevention effect can be formed by an economical manufacturing method using the conventional process. .

また、前述した配線基板１を採用した有機ＥＬパネル１００によると、低抵抗の配線電極を用いることで、有機ＥＬ素子３０の発光特性の高品質化を図ることができ、高密度の配線電極を用いることで高精細な画像表示とパネルのコンパクト化を実現することができる。そして、このような性能向上を図った有機ＥＬパネル１００においてもマイグレーションによる電極間短絡等の不具合を解消することができる。   In addition, according to the organic EL panel 100 employing the wiring substrate 1 described above, the use of a low-resistance wiring electrode can improve the quality of the light emission characteristics of the organic EL element 30, and a high-density wiring electrode can be obtained. By using it, a high-definition image display and a compact panel can be realized. And in the organic EL panel 100 which aimed at such performance improvement, problems, such as a short circuit between electrodes by migration, can be eliminated.

本発明の一実施形態に係る配線基板の構成例を示す説明図（断面図）である。It is explanatory drawing (sectional drawing) which shows the structural example of the wiring board which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る配線基板の構成例を示す説明図（断面図）である。It is explanatory drawing (sectional drawing) which shows the structural example of the wiring board which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る配線基板の構成例を示す説明図（断面図）である。It is explanatory drawing (sectional drawing) which shows the structural example of the wiring board which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る配線基板の作用を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the effect | action of the wiring board which concerns on embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る配線基板の構成例を示す説明図（断面図）である。It is explanatory drawing (sectional drawing) which shows the structural example of the wiring board which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る配線基板の構成例を示す説明図（断面図）である。It is explanatory drawing (sectional drawing) which shows the structural example of the wiring board which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る配線基板の構成例を示す説明図（断面図）である。It is explanatory drawing (sectional drawing) which shows the structural example of the wiring board which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る配線基板を説明する説明図であって、各配線電極のパターン例を示す平面図である。It is explanatory drawing explaining the wiring board which concerns on embodiment of this invention, Comprising: It is a top view which shows the example of a pattern of each wiring electrode. 本発明の実施形態に係る配線基板を説明する説明図であって、各配線電極のパターン例を示す平面図である。It is explanatory drawing explaining the wiring board which concerns on embodiment of this invention, Comprising: It is a top view which shows the example of a pattern of each wiring electrode. 本発明の実施形態に係る配線基板を説明する説明図であって、各配線電極のパターン例を示す平面図である。It is explanatory drawing explaining the wiring board which concerns on embodiment of this invention, Comprising: It is a top view which shows the example of a pattern of each wiring electrode. 本発明の実施形態における配線電極間の電位差状態を示す線図である。It is a diagram which shows the electric potential difference state between the wiring electrodes in embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る配線基板を説明する説明図であって、各配線電極のパターン例を示す平面図である。It is explanatory drawing explaining the wiring board which concerns on embodiment of this invention, Comprising: It is a top view which shows the example of a pattern of each wiring electrode. 本発明の実施形態に係る配線基板を説明する説明図であって、各配線電極のパターン例を示す平面図である。It is explanatory drawing explaining the wiring board which concerns on embodiment of this invention, Comprising: It is a top view which shows the example of a pattern of each wiring electrode. 本発明の実施形態に係る配線基板を説明する説明図であって、各配線電極のパターン例を示す平面図である。It is explanatory drawing explaining the wiring board which concerns on embodiment of this invention, Comprising: It is a top view which shows the example of a pattern of each wiring electrode. 本発明の実施例に係る有機ＥＬパネルを説明する説明図（断面図）である。It is explanatory drawing (sectional drawing) explaining the organic electroluminescent panel which concerns on the Example of this invention. 本発明の実施例に係る有機ＥＬパネルを説明する説明図（断面図）である。It is explanatory drawing (sectional drawing) explaining the organic electroluminescent panel which concerns on the Example of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１ 配線基板
１０ 基板
11,121,122,131,132,14,15,16,17,18,19,20,21,22 配線電極
11a,12a,13a,14a,15a,16a,17a,18a,19a,20a,21a,22a 低抵抗配線部分
11b,12b,13b,14b,15b,16b,17b,18b,19b,20b,21b,22b 配線領域
１４Ａ，１５Ａ，１６Ａ 第１の電極層
１４Ｂ，１５Ｂ１，１５Ｂ２，１６Ｂ 第２の電極層
Ｓ，Ｓ１，Ｓ２ 接続部
Ｅａ 電界勾配
１００ 有機ＥＬパネル
３０ 有機ＥＬ素子
３１ 第１電極
３２ 第２電極
３３ 有機材料層
３４ 絶縁層
３５ 陰極隔壁
４０ 封止部材 ４０Ｓ 封止空間
４１ 接着層
４２ 乾燥剤 1 Wiring board 10 Board
11,12 1 , 12 2 , 13 1 , 13 2 , 14,15,16,17,18,19,20,21,22 Wiring electrode
11a, 12a, 13a, 14a, 15a, 16a, 17a, 18a, 19a, 20a, 21a, 22a Low resistance wiring
11b, 12b, 13b, 14b, 15b, 16b, 17b, 18b, 19b, 20b, 21b, 22b wiring region 14A, 15A, 16A first electrode layer 14B, 15B 1, 15B 2, 16B second electrode layer S , S 1 , S 2 connection portion Ea electric field gradient 100 organic EL panel 30 organic EL element 31 first electrode 32 second electrode 33 organic material layer 34 insulating layer 35 cathode partition 40 sealing member 40S sealing space 41 adhesive layer 42 drying Agent

Claims (18)

互いに近接した少なくとも２本の配線電極を絶縁性の基板上に形成した配線基板であって、
前記配線電極の少なくとも一方は、マイグレーションを生じ易い金属が含まれる低抵抗配線部分と、該低抵抗配線部分に導通して少なくとも該低抵抗配線部分と他の配線電極との間の前記基板上に形成される配線領域とを有し、該配線領域はマイグレーションを生じ易い金属が含まれないことを特徴とする配線基板。 A wiring board in which at least two wiring electrodes close to each other are formed on an insulating board,
At least one of the wiring electrodes includes a low-resistance wiring portion containing a metal that easily undergoes migration, and is electrically connected to the low-resistance wiring portion, and at least on the substrate between the low-resistance wiring portion and another wiring electrode. A wiring board comprising: a wiring region formed; and the wiring region does not include a metal that easily causes migration. 前記配線領域は、前記低抵抗配線部分に沿って形成された線状パターンを有することを特徴とする請求項１に記載された配線基板。   The wiring substrate according to claim 1, wherein the wiring region has a linear pattern formed along the low-resistance wiring portion. 前記配線領域は、前記２本の配線電極のそれぞれに互いに向き合うように形成されることを特徴とする請求項１又は２に記載された配線基板。   The wiring board according to claim 1, wherein the wiring region is formed to face each other of the two wiring electrodes. 前記配線領域は、前記低抵抗配線部分の両側に形成されることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載された配線基板。   The wiring substrate according to claim 1, wherein the wiring region is formed on both sides of the low resistance wiring portion. 前記配線領域は、前記低抵抗配線部分と部分的に接続される接続部を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載された配線基板。   The wiring substrate according to claim 1, wherein the wiring region has a connection portion that is partially connected to the low-resistance wiring portion. 前記接続部は、前記配線電極の配列方向で互いに隣り合った接続部の位置が、前記配線電極に沿った同列位置に並ばないように形成されることを特徴とする請求項５に記載された配線基板。   The said connection part is formed so that the position of the connection part adjacent to each other in the arrangement direction of the said wiring electrode may not be located in the same row position along the said wiring electrode. Wiring board. 前記接続部は、一つの前記配線領域に対して複数形成されることを特徴とする請求項５又は６に記載された配線基板。   The wiring board according to claim 5, wherein a plurality of the connection portions are formed for one wiring region. 前記配線領域は、前記配線電極に沿って部分的に形成されることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載された配線基板。   The wiring substrate according to claim 1, wherein the wiring region is partially formed along the wiring electrode. 前記配線電極は、前記低抵抗配線部分を形成する第１の電極層と前記配線領域を形成する第２の電極層とを有することを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載された配線基板。   The said wiring electrode has the 1st electrode layer which forms the said low resistance wiring part, and the 2nd electrode layer which forms the said wiring area | region, It was described in any one of Claims 1-8 characterized by the above-mentioned. Wiring board. 前記配線電極は、前記第１の電極層を前記第２の電極層で覆うように形成されることを特徴とする請求項９に記載された配線基板。   The wiring board according to claim 9, wherein the wiring electrode is formed so as to cover the first electrode layer with the second electrode layer. 前記配線電極は、前記基板上に形成された前記第２の電極層上に直接又は他の層を介して前記第１の電極層を積層して形成することを特徴とする請求項９又は１０に記載された配線基板。   The wiring electrode is formed by laminating the first electrode layer on the second electrode layer formed on the substrate directly or via another layer. Wiring board described in 1. 前記第２の電極層は、前記第１の電極層に対して幅広に形成されることを特徴とする請求項１１に記載された配線基板。   The wiring board according to claim 11, wherein the second electrode layer is formed wider than the first electrode layer. 前記マイグレーションを生じ易い金属は、Ａｇ（銀），Ｃｕ（銅），Ｓｎ（錫），Ｐｂ（鉛）の中の一つ又は複数であることを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載された配線基板。   The metal that easily causes migration is one or more of Ag (silver), Cu (copper), Sn (tin), and Pb (lead). The printed wiring board. 前記低抵抗配線部分には銀パラジウム（ＡｇＰｄ）合金が含まれていることを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載された配線基板。   The wiring board according to claim 1, wherein the low-resistance wiring portion contains a silver palladium (AgPd) alloy. 互いに近接した少なくとも２本の配線電極を絶縁性の基板上に形成した配線基板の形成方法であって、
前記配線電極の少なくとも一方には、マイグレーションを生じ易い金属が含まれる低抵抗配線部分が形成されると共に、少なくとも該低抵抗配線部分と他の配線電極との間の前記基板上に前記低抵抗配線部分に導通する配線領域が形成され、該配線領域はマイグレーションを生じ易い金属が含まれない材料で形成されることを特徴とする配線基板の形成方法。 A method of forming a wiring board in which at least two wiring electrodes adjacent to each other are formed on an insulating substrate,
At least one of the wiring electrodes is formed with a low-resistance wiring portion containing a metal that easily undergoes migration, and at least the low-resistance wiring is formed on the substrate between the low-resistance wiring portion and another wiring electrode. A method of forming a wiring board, wherein a wiring region that is electrically connected to a portion is formed, and the wiring region is formed of a material that does not include a metal that easily causes migration. 前記低抵抗配線部分を形成する第１の電極層を成膜して、前記低抵抗配線部分をパターニングする工程と、前記配線領域を形成する第２の電極層を成膜して、前記配線領域をパターニングする工程とを有することを特徴とする請求項１５に記載された配線基板の形成方法。   Forming a first electrode layer for forming the low-resistance wiring portion, patterning the low-resistance wiring portion, forming a second electrode layer for forming the wiring region, and forming the wiring region The method for forming a wiring board according to claim 15, further comprising: a patterning step. 前記基板上に前記配線領域を形成する第２の電極層を成膜して、前記配線領域をパターニングする工程の後、前記第２の電極層の上に直接又は他の層を介して前記低抵抗配線部分を形成する第１の電極層を成膜して、前記低抵抗配線部分をパターニングすることを特徴とする請求項１５又は１６に記載された配線電極の形成方法。   After forming the second electrode layer for forming the wiring region on the substrate and patterning the wiring region, the low electrode layer is formed on the second electrode layer directly or via another layer. 17. The method for forming a wiring electrode according to claim 15, wherein a first electrode layer for forming a resistance wiring portion is formed, and the low resistance wiring portion is patterned. 一対の電極の間に有機発光機能層を含む有機材料層を挟持して絶縁性の基板上に複数の有機ＥＬ素子を形成し、前記一対の電極から引き出された配線電極を前記基板上に形成した有機ＥＬパネルであって、
前記配線電極は互いに近接した少なくとも２本の配線電極を有し、該配線電極の少なくとも一方は、マイグレーションを生じ易い金属が含まれる低抵抗配線部分と、該低抵抗配線部分に導通して少なくとも該低抵抗配線部分と他の配線電極との間の前記基板上に形成される配線領域とを有し、該配線領域はマイグレーションを生じ易い金属が含まれないことを特徴とする有機ＥＬパネル。 A plurality of organic EL elements are formed on an insulating substrate by sandwiching an organic material layer including an organic light emitting functional layer between a pair of electrodes, and wiring electrodes drawn from the pair of electrodes are formed on the substrate. An organic EL panel,
The wiring electrode has at least two wiring electrodes adjacent to each other, and at least one of the wiring electrodes includes a low-resistance wiring portion containing a metal that easily causes migration, and is electrically connected to the low-resistance wiring portion. An organic EL panel, comprising: a wiring region formed on the substrate between a low-resistance wiring part and another wiring electrode, wherein the wiring region does not contain a metal that easily causes migration.
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