JP2005116686A - 双極型静電チャック - Google Patents
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Abstract
【課題】 吸着力の均一性に優れた双極型静電チャックを提供する。
【解決手段】 双極型静電チャック10は、誘電セラミックス体11と、所定の電圧が印加されることにより、誘電セラミックス体11の表面に被吸着物を吸着させるための静電力を、誘電セラミックス体11に発生させる1対の電極12a・12bと、を備える。電極12a・12bの主たる電極間距離Lを誘電セラミックス体11の表面と電極12a・12bとの間の距離tの1倍以上3倍以下とした。
【選択図】 図1
Description
所定の電圧が印加されることにより、前記誘電セラミックス体の表面に被吸着物を吸着させるための静電力を、前記誘電セラミックス体に発生させる1対の電極と、
を備えた双極型静電チャックであって、
前記一対の電極の主たる電極間距離が、前記誘電セラミックス体の表面と前記一対の電極との間の距離の1倍以上3倍以下であることを特徴とする双極型静電チャック、が提供される。
3重量%の酸化イットリウムを含む窒化アルミニウム粉末を一軸プレスし、円板状の成形体を作製した。この成形体の上に図2に示した櫛状の電極パターンを有する電極板(後述する所定形状に加工した厚さ0.05mmのモリブデン板)を配置し、この電極板の上にさらに3重量%の酸化イットリウムを含む窒化アルミニウム粉末をかぶせ、ホットプレス焼結(ホットプレス条件:焼成温度1900℃、焼成時間3時間、プレス圧10MPa、窒素ガス雰囲気)を行った。焼結体の外径は250mmφとした。また、得られた焼結体(つまり、誘電セラミックス体)を、静電力誘起層の厚さが2mmで、かつ、総厚が6mmとなるように、平面研削加工した。そして、側面から1mmφの穴加工をして各電極を露出させ、そこに給電ピンを挿入して、外部電源から電極板に電圧を印加できるようにした。
11;誘電セラミックス体
12a・12b;電極
15;ピン
16a・16b;電極
21a・21b;電極
22a・22b;電極
Claims (2)
- 誘電セラミックス体と、
所定の電圧が印加されることにより、前記誘電セラミックス体の表面に被吸着物を吸着させるための静電力を、前記誘電セラミックス体に発生させる1対の電極と、
を備えた双極型静電チャックであって、
前記一対の電極の主たる電極間距離が、前記誘電セラミックス体の表面と前記一対の電極との間の距離の1倍以上3倍以下であることを特徴とする双極型静電チャック。 - 双極型静電チャックの使用温度において、前記誘電セラミックス体の体積抵抗率は1×109Ω・cm以上1×1013Ω・cm以下であることを特徴とする請求項1に記載の双極型静電チャック。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2010081680A (ja) * | 2008-09-24 | 2010-04-08 | Dainippon Printing Co Ltd | 静電アクチュエータ |
KR101316553B1 (ko) * | 2007-02-16 | 2013-10-15 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 십자 모양의 전극 패턴을 가지는 바이폴라 정전척 및 이를이용한 기판 처리 방법 |
JP2014057013A (ja) * | 2012-09-14 | 2014-03-27 | Covalent Materials Corp | 静電チャック |
CN114730729A (zh) * | 2019-11-21 | 2022-07-08 | 应用材料公司 | 双极静电吸盘上的边缘均匀性可调谐性 |
JP2023130043A (ja) * | 2022-03-07 | 2023-09-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台及び基板処理装置 |
WO2025136773A1 (en) * | 2023-12-20 | 2025-06-26 | Lam Research Corporation | Electrostatic chuck with spatially engineered radiofrequency power delivery electrode |
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101316553B1 (ko) * | 2007-02-16 | 2013-10-15 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 십자 모양의 전극 패턴을 가지는 바이폴라 정전척 및 이를이용한 기판 처리 방법 |
JP2010081680A (ja) * | 2008-09-24 | 2010-04-08 | Dainippon Printing Co Ltd | 静電アクチュエータ |
JP2014057013A (ja) * | 2012-09-14 | 2014-03-27 | Covalent Materials Corp | 静電チャック |
CN114730729A (zh) * | 2019-11-21 | 2022-07-08 | 应用材料公司 | 双极静电吸盘上的边缘均匀性可调谐性 |
JP2023130043A (ja) * | 2022-03-07 | 2023-09-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台及び基板処理装置 |
US12230483B2 (en) | 2022-03-07 | 2025-02-18 | Tokyo Electron Limited | Deposition method and processing apparatus |
WO2025136773A1 (en) * | 2023-12-20 | 2025-06-26 | Lam Research Corporation | Electrostatic chuck with spatially engineered radiofrequency power delivery electrode |
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