JP2005108941A - 多層配線板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】配線層の高密度化、狭ピッチ化対応の多層配線板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】配線層４１ａが形成された絶縁基材１１上に絶縁層７１ａを介してランド４２ａ、配線層４２ｂ、信号配線層４２２ｃ、電極４２ｄ及びビア６１ｂが形成されており、ランド４２ａと配線層４１ａとはビア６１ｂで電気的に接続されている。ランド４２ａはフィルドビア６１ｂ上に形成され、ランド４２ａのランド幅をＲｗ、フィルドビア６１ｂの上部ビア径をＢφとしたとき、Ｒｗ≦Ｂφの関係が満たされるようになっており、ランド４２ａのランド幅Ｒｗはフィルドビア６１ｂのビア径Ｂφよりも大きくならないようにして、ランド４２ａ間に配設できる信号配線層４２ｃの本数を減少させないで、配線層の高密度化、狭ピッチ化に対応している。
【選択図】図１

Description

本発明は各種電子機器に使用される多層配線板及びその製造方法に関し、さらに詳しくは、多層配線板における配線層及びランドの設計に関するものである。

従来の多層配線板の一例を図４（ａ）及び（ｂ）に示す。配線層４３ａが形成された絶縁基材１２上に絶縁層５３を介してランド４４ａ、配線層４４ｂ及び信号配線層４４ｃが形成されており、ランド４４ａと配線層４３ａとはフィルドビア５５にて電気的に接続されている。信号配線層４４ｃのパターン密度は最近の機器の小型化、高性能化により、ますます高密度化の傾向にある。その配線密度のファインレベルの表示方法としてピン間Ｘ本という言い方があり、ランド間に通せる信号配線層の数を言っている。図４（ａ）の部分上面図では、信号配線層４４ｃがランド４４ａ間に３本配置された例である。ランド径Ｒφはビア径Ｂφの２〜３倍の値を取っており、フィルドビア５５の周辺に庇のような形でせり出している。このランドのせり出しが、信号配線層の配置本数に影響しており、配線層のファイン化、高密度化の障害になっている。

高密度対応の多層配線板として、ビルドアッププロセスを用いた多層配線板が最近使用されており、ビルドアップ多層配線板の製造方法としては、ベースとなるコア基板もしくは配線層が形成された絶縁基材上に絶縁層と配線層を１層ずつ積み上げていく方式である。ビルドアッププロセすは、配線層をサブトラクティブ法で形成するか、アディティブ法（例えば、特許文献１参照）で形成するかによって大きく２種類に分類される。
図５（ａ）〜（ｆ）に、サブトラクティブ法で配線層、ランドを形成する多層配線板の製造方法の一例を示す。
まず、絶縁基材１２上に銅箔を積層して導体層４３を形成した銅張り積層板を準備する（図５（ａ）参照）。
次に、導体層４３を公知のフォトエッチングプロセスでパターニング処理し、配線層４３ａを形成する（図５（ｂ）参照）。

次に、絶縁基材１２及び配線層４３ａ上に樹脂溶液を塗布するか、プリプレグシートを積層する等の方法で、絶縁層５３を形成し、レーザー加工により、絶縁層５３の所定位置に開孔部５４を形成し、開孔部５４内のデスミア、めっき触媒核付与及び無電解銅めっきを行って、薄膜導体層２２を形成する（図５（ｃ）参照）。

次に、めっき下地層２２をカソードにして、電解銅めっきを行い、所定厚の導体層４４及び開孔部５４内にフィルドビア４５を形成する（図５（ｄ）参照）。
次に、レジストを塗布するか、ドライフィルムをラミネートする等の方法で感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、レジストパターン３３を形成する（図５（ｅ）参照）。

次に、レジストパターン３３をエッチングマスクにして、導体層４４を専用のエッチング液でエッチングし、レジストパターン３３を専用の剥離液で剥離することにより、ランド４４ａ、配線層４４ｂ、ランド間３本の信号配線層４４ｃを形成し、配線層４３ａとランド４４ａがフィルドビア４５にて電気的に接続された多層配線板２００を得る（図５（ｆ）参照）。
図６（ａ）〜（ｆ）に、セミアディティブ法で配線層、ランド及びビアを形成する多層配線板の製造方法の一例を示す。
まず、絶縁基材１２上に銅箔を積層して導体層４３を形成した銅張り積層板を準備する（図６（ａ）参照）。
次に、導体層４３を公知のフォトエッチングプロセスでパターニング処理し、配線層４３ａを形成する（図６（ｂ）参照）。

次に、絶縁基材１２及び配線層４３ａ上に樹脂溶液を塗布するか、プリプレグシートを積層する等の方法で、絶縁層５３を形成し、レーザー加工により、絶縁層５３の所定位置にビア用孔５４を形成し、ビア用孔５４内のデスミア、めっき触媒核付与及び無電解銅めっきを行って、薄膜導体層２２を形成する（図６（ｃ）参照）。

次に、レジストを塗布するか、ドライフィルムをラミネートする等の方法で感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、めっきレジスト用のレジストパターン３４を形成する（図６（ｄ）参照）。
次に、レジストパターン３３をめっきマスクにして電解銅めっきを行い、所定厚の導体層４４及びフィルドビア４５を形成する（図６（ｅ）参照）。

次に、レジストパターン３４を専用の剥離液で剥離し、レジストパターン３４下部にあった薄膜導体層２２をクイックエッチングすることにより、ランド４４ａ、配線層４４ｂ、ランド間３本の信号配線層４４ｃを形成し、配線層４３ａとランド４４ａがフィルドビア４５にて電気的に接続された多層配線板３００を得る（図６（ｆ）参照）。

上記多層配線板２００及び３００のランド、配線層の形成工程では、レジストパターンを形成して、エッチング、もしくはめっきによりランド、配線層及びビアを形成している。配線層が高密度化、狭ピッチ化してくると、パターン露光の際のパターン位置ずれにより、ランド欠け、ビア形状に窪み等が発生し、配線層間の電気的接続信頼性を損なう等の問題が発生する。

以下上記多層配線板の製造工程で、パターン露光の際のパターン位置ずれによって起こる不具合事例について説明する。
サブトラクティブ法で配線層及びランドを形成する際、図７（ａ）及び（ｂ）は、パターン露光の際のパターン位置ずれがない状態でレジストパターン及びランドが形成された状態を示す模式構成部分断面図を、図７（ａ’）及び（ｂ’）は、パターン露光の際のパターン位置ずれδｘが生じた状態でレジストパターン及びランドが形成された状態を示す模式構成部分断面図をそれぞれ示す。
図７（ａ）では、導体層４４及びフィルドビア４５が形成された基板上に位置ズレのないレジストパターン３３ａが形成されているため、レジストパターン３３ａをエッチングマスクにして導体層４４をエッチングすると、図７（ｂ）に示すような正常なランド４４ａが形成される。
図７（ａ’）では、導体層４４及びフィルドビア４５が形成された基板上にδｘ位置ズレしたレジストパターン３３ｂが形成されているため、レジストパターン３３ｂをエッチングマスクにして導体層４４をエッチングすると、図７（ｂ’）に示すような外形の一部が欠けたランド４４ａ’及び欠け、窪みのあるフィルドビア４５’が形成され、電気的接続信頼性の低下及び絶縁層形成時にボイド等が発生し問題である。

セミアディティブ法で配線層、ランド及びビアを形成する際、図８（ａ）及び（ｂ）は、パターン露光の際のパターン位置ズレがない状態でレジストパターン及びランドが形成された状態を示す模式構成部分断面図を、図８（ａ’）及び（ｂ’）は、パターン露光の際のパターン位置ずれδｘが生じた状態でレジストパターン及びランドが形成された状態を示す模式構成部分断面図をそれぞれ示す。
図８（ａ）では、絶縁層５３の所定位置にビア用孔５４及び薄膜導体層２２が形成された
基板上に位置ズレのないレジストパターン３４ａが形成されているため、レジストパターン３４ａをめっきマスクにして電解銅めっきを行って、導体層４４及びフィルドビア４５を形成し、レジストパターン３４ａを剥離処理し、薄膜導体層２２をクイックエッチングすると、図８（ｂ）に示すような正常なランド４４ａ及びフィルドビア４５が形成される。
図８（ａ’）では、絶縁層５３の所定位置にビア用孔５４及び薄膜導体層２２が形成された基板上にδｘ位置ズレしたレジストパターン３４ｂが形成されているため、レジストパターン３４ｂをめっきマスクにして電解銅めっきを行って、導体層４４及びフィルドビア４５を形成し、レジストパターン３４ｂを剥離処理し、薄膜導体層２２をクイックエッチングすると、外形の一部が欠けたランド４４ａ’及び欠け、窪みのあるフィルドビア４５’が形成され、電気的接続信頼性の低下及び絶縁層形成時にボイド等が発生し問題である。

サブトラクティブ法で配線層、ランドを形成する際、図９（ａ）及び（ｂ）は、パターン露光の際のパターン位置ずれがない状態でレジストパターン及びランドが形成された状態を示す模式構成部分断面図を、図９（ａ’）及び（ｂ’）は、パターン露光の際のパターン位置ずれδｘが生じた状態でレジストパターン及びランドが形成された状態を示す模式構成部分断面図をそれぞれ示す。
図９（ａ）では、導体層４４及びコンフォーマルビア４６が形成された基板上に位置ズレのないレジストパターン３３ａが形成されているため、レジストパターン３３ａをエッチングマスクにして導体層４４をエッチングすると、図９（ｂ）に示すような正常なランド４４ａが形成される。
図９（ａ’）では、導体層４４及びコンフォーマルビア４６が形成された基板上にδｘ位置ズレしたレジストパターン３３ｂが形成されているため、レジストパターン３３ｂをエッチングマスクにして導体層４４をエッチングすると、図９（ｂ’）に示すように外形の一部が欠けたランド４４ａ’及び欠け、窪みのあるコンフォーマルビア４６’が形成され、電気的接続信頼性の低下及び絶縁層形成時にボイド等が発生し問題である。

上記したように、レジストパターンの位置ズレによるパターン欠け、窪み等を発生させないためには、露光位置精度±１５μｍ、ビア径５０μｍとすると、少なくとも８０μｍ以上のランド径とする必要がある。そうなると益々ランド間の間隙が狭くなり、ランド間に配設できる信号配線層の配設本数が減少してしまい、配線層の高密度化、ピッチの狭小化に対して障害となる。
特開平１１−２９８１４１号公報

本発明は、上記問題点に鑑み考案されたものであり、配線層の高密度化、狭ピッチ化対応の多層配線板及びその製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、上記課題を達成するために、まず請求項１においては、絶縁基材の片面もしくは両面に絶縁層を介して少なくとも２層以上の配線層が形成され、前記配線層はビア上に形成されたランドにて電気的に接続されてなる多層配線板において、前記ビア６１ｂ上のランド４２ａのランド幅をＲｗ、前記ビア６１ｂの上部ビア径をＢφとしたとき、Ｒｗ≦Ｂφなる関係が満たされていることを特徴とする多層配線板としたものである。

また、請求項２においては、以下の工程を少なくとも備えていることを特徴とする請求項１記載の多層配線板の製造方法としたものである。
（ａ）絶縁基材１１の片面もしくは両面に薄膜導体層２１を形成し、薄膜導体層２１上にパターンめっき用のレジストパターン３１を形成する工程。
（ｂ）薄膜導体層２１をカソードにして電解銅めっきを行い、薄膜導体層２１上に所定厚の導体層４１を形成する工程。
（ｃ）絶縁樹脂層５１を形成し、絶縁樹脂層５１の所定位置に開孔部５２を形成する工程。
（ｄ）導体層４１をカソードにして電解銅めっきを行い、開孔部５２に導体６１を形成する工程。
（ｅ）絶縁樹脂層５１及びレジストパターン３１を剥離処理し、絶縁基材１１上に配線層４１ａ及び突起状の導体６１ａを形成する工程。
（ｆ）半硬化性樹脂シートをラミネートして絶縁樹脂層７１を形成する工程。
（ｇ）絶縁樹脂層７１表面を研磨処理し、絶縁層７１ａ及びフィルドビア６１ｂを形成する工程。
（ｈ）薄膜導体層２２及びパターンめっき用のレジストパターン３２を形成する工程。
（ｉ）レジストパターン３２をマスクにして電解銅めっきを行い、マスクされていない薄膜導体層２２上に所定厚の導体層を形成し、レジストパターン３２を剥離処理して、ビア６１ｂ上にランド４２ａ、配線層４２ｂ、信号配線層４２ｃ及び電極４２ｄを形成する工程。

上記したように、本発明の多層配線板は、ビア上にビア径よりも小さいランドが形成されているため、配線層が高密度化、狭ピッチ化されてもランド間に形成できる信号配線層の本数を減少させることなく配線層の高密度化、狭ピッチ化に対応することができる。

本発明の多層配線板の実施の形態につき説明する。

請求項１に係る本発明の多層配線板１００は、図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、配線層４１ａが形成された絶縁基材１１上に絶縁層７１ａを介してランド４２ａ、配線層４２ｂ、信号配線層４２２ｃ、電極４２ｄ及びビア６１ｂが形成されており、ランド４２ａと配線層４１ａとはビア６１ｂで電気的に接続されている。ランド４２ａはフィルドビア６１ｂ上に形成され、ランド４２ａのランド幅をＲｗ、フィルドビア６１ｂの上部ビア径をＢφとしたとき、Ｒｗ≦Ｂφの関係が満たされるようになっており、ランド４２ａのランド幅Ｒｗはフィルドビア６１ｂのビア径Ｂφよりも大きくならないようにして、ランド４２ａ間に配設できる信号配線層４２ｃの本数を減少させないで、配線層の高密度化、狭ピッチ化に対応している。

以下、請求項２に係る本発明の多層配線板の製造方法について説明する。
図２（ａ）〜（ｅ）及び図３（ｆ）〜（ｊ）は、請求項２に係る本発明の多層配線板の製造方法の一実施例を工程順に示す模式構成部分断面図である。

まず、エポキシ系樹脂等からなる絶縁基材１１上に無電解銅めっき等の方法で薄膜導体層２１を形成し、ドライフィルムをラミネートするか、レジスト溶液をスピンナーで塗布する等の方法で感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、レジストパターン３１を形成する（図２（ａ）参照）。

次に、レジストパターン３１をマスクにして電解銅めっきを行い、マスクされていない薄膜導体層２１上に所定厚の導体層４１を形成する（図２（ｂ）参照）。

次に、ドライフィルムレジストをラミネートして、絶縁樹脂層５１を形成し（図２（ｃ）参照）、絶縁樹脂層５１の所定位置に開孔部５２を形成する（図２（ｄ）参照）。

ここで、絶縁樹脂層５１は、配線層上にビアとなる突起状の導体を形成するために設け
るもので、ビアとなる突起状の導体を形成した後は除去されるので、アルカリ等の剥離液で溶解する樹脂（例えば、アクリル系樹脂等）が好ましい。

次に、導体層４１をカソードにして電解銅めっきを行い、開孔部５２に導体６１を形成する（図２（ｅ）参照）。
次に、絶縁樹脂層５１及びレジストパターン３１を専用の剥離液で剥離処理し、レジストパターン３１下部にあった薄膜導体層２１をクイックエッチングで除去し、絶縁基材１１上に配線層４１ａ及び突起状の導体６１ａを形成する（図３（ｆ）参照）。

次に、両面にエポキシ系樹脂等からなる樹脂シートをラミネートして、所定厚の絶縁樹脂層７１を形成する（図３（ｇ）参照）。ここで、絶縁樹脂層７１の膜厚は突起状の導体６１ａを覆い隠すような膜厚に設定するが、後で研磨処理するので突起状の導体６１ａの先端より５μｍ程厚く形成してやればよい。

次に、突起状の導体６１ａの上部が一部露出するまで絶縁樹脂層７１表面を研磨処理し、突起状の導体６１ａの上部が一部露出したビア６１ｂ及び絶縁層７１ａを形成する（図３（ｈ）参照）。
次に、絶縁層７１ａ表面にめっき触媒核付与、無電解銅めっきを行って薄膜導体層２２を形成し、ドライフィルムをラミネートして感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、レジストパターン３２を形成する（図３（ｉ）参照）。

次に、レジストパターン３２をマスクにして電解銅めっきを行い、マスクされていない薄膜導体層２２上に所定厚の導体層を形成し、レジストパターン３２を剥離処理し、レジストパターン３２の下部にあっためっき薄膜導体層２２をクイックエッチングで除去して、ランド４２ａ、配線層４２ｂ、信号配線層４２ｃ及び電極４２ｄを形成し、配線層４１ａとランド４２ａとがビア６１ａで電気的に接続された４層の多層配線板１００を得ることができる（図３（ｊ）参照）。

このように、ビア６１ａ上にビア径よりも小さい幅を有するランド４２ａが形成されているため、配線層が高密度化、狭ピッチ化されてもランド間に形成できる信号配線層の本数を減少させることはない。

以下実施例により本発明を詳細に説明する。

まず、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させた絶縁基材１１の両面にめっき触媒核付与及び無電解銅めっきを行って、薄膜導体層２１を形成し、薄膜導体層２１表面に厚さ１２μｍのドライフィルムフォトレジストをラミネートして感光層を形成し、パターン露光、現像を行って、レジストパターン３１を形成した（図２（ａ）参照）。

次に、レジストパターン３１をマスクにして電解銅めっきを行い、１２μｍ厚の導体層４１を形成した（図２（ｂ）参照）。
次に、４０μｍ厚のドライフィルムをラミネートして、絶縁樹脂層５１を形成し（図２（ｃ）参照）、絶縁樹脂層５１の所定位置に５０μｍφの開孔部５２を形成した（図２（ｄ）参照）。

次に、導体層４１をカソードにして電解銅めっきを行い、開孔部５２に４０μｍ厚の導体６１を形成した（図２（ｅ）参照）。
次に、絶縁樹脂層５１及びレジストパターン３１を専用の剥離液で剥離処理し、レジストパターン３１下部にあった薄膜導体層２１を過硫酸アンモニウム水溶液によるソフトエッチングで除去し、絶縁基材１１上に配線層４１ａ及び突起状の導体６１ａを形成した（図
３（ｆ）参照）。

次に、エポキシ系の樹脂からなる樹脂シートを真空加圧加熱ラミネータにて積層し、続けて平板プレス機により加圧、加熱し５０μｍ厚の絶縁樹脂層７１を形成した（図３（ｇ）参照）。
次に、絶縁樹脂層７１表面を２〜３μｍ程研磨処理し、突起状の導体６１ａの上部が一部露出した上部ビア径５０μｍφのビア６１ｂ及び絶縁層７１ａを形成した（図３（ｈ）参照）。

次に、絶縁層７１ａ表面にめっき触媒核付与及び無電解銅めっきを行って、薄膜導体層２２を形成し、厚さ１２μｍのドライフィルムフォトレジストをラミネートして感光層を形成し、パターン露光、現像を行って、レジストパターン３２を形成した（図３（ｉ）参照）。

次に、レジストパターン３２をマスクにして電解銅めっきを行い、マスクされていない薄膜導体層２２上に１２μｍ厚の導体層を形成し、レジストパターン３２を専用の剥離液で剥離処理し、レジストパターン３２の下部にあった薄膜導体層２２を過硫酸アンモニウム水溶液によるソフトエッチングで除去して、ランド幅３０μｍのランド４２ａ、配線層４２ｂ、ピッチ３００μｍのランド４２ａ間に配線層幅３０μｍ、スペース幅３０μｍの信号配線層４２ｃを４本と電極４２ｄを形成し、配線層４１ａとランド４２ａとがビア６１ａで電気的に接続された４層の多層配線板１００を得た（図３（ｊ）参照）。

（ａ）は、本発明の多層配線板の一実施例を模式的に示す部分上面図である。（ｂ）は、本発明の多層配線板の一実施例を模式的に示す部分構成断面図である。 （ａ）〜（ｅ）は、本発明の多層配線板の製造方法における製造工程の一部を模式的に示す部分断面図である。 （ｆ）〜（ｊ）は、本発明の多層配線板の製造方法における製造工程の一部を模式的に示す部分断面図である。 （ａ）は、従来の多層配線板の一例を模式的に示す部分上面図である。（ｂ）は、従来の多層配線板の一例を模式的に示す部分構成断面図である。 （ａ）〜（ｆ）は、従来の多層配線板の製造方法における製造工程の一例を模式的に示す部分構成断面図である。 （ａ）〜（ｆ）は、従来の多層配線板の製造方法における製造工程の他の例を模式的に示す部分構成断面図である。 （ａ）及び（ｂ）は、サブトラクティブ法で配線層及びランドを形成する際、位置ズレのない状態でのパターニング状態を示す説明図である。（ａ’）及び（ｂ’）は、サブトラクティブ法で配線層及びランドを形成する際、δｘの位置ズレが発生した状態でのパターニング状態を示す説明図である。 （ａ）及び（ｂ）は、セミアディティブ法で配線層、ランド及びビアを形成する際、位置ズレのない状態でのパターニング状態を示す説明図である。（ａ’）及び（ｂ’）は、セミアディティブ法で配線層、ランド及びビアを形成する際、δｘの位置ズレが発生した状態でのパターニング状態を示す説明図である。 （ａ）及び（ｂ）は、サブトラクティブ法で配線層及びランドを形成する際、位置ズレのない状態でのパターニング状態を示す説明図である。（ａ’）及び（ｂ’）は、サブトラクティブ法で配線層及びランドを形成する際、δｘの位置ズレが発生した状態でのパターニング状態を示す説明図である。

符号の説明

１１、１２……絶縁基材
２１、２２、２３……薄膜導体層
３１、３２、３３、３３ａ、３３ｂ、３４……レジストパターン
４１、４３、４４……導体層
４１ａ、４２ｂ、４３ａ……配線層
４２ａ、４４ａ……ランド
４２ｃ、４４ｃ……信号配線層
４２ｄ……電極
４４ａ’……欠けのあるランド
４５……フィルドビア
４５’……欠け、窪みのあるフィルドビア
４６……コンフォーマルビア
４６’……欠け、窪みのあるコンフォーマルビア
５１、７１……絶縁樹脂層
５２……開孔部
５３、７１ａ……絶縁層
５４……ビア用孔
６１……導体
６１ａ……突起状の導体
６１ｂ……ビア
１００、２００、３００……多層配線板
Ｒｗ……ランド幅
Ｒφ……ランド径
Ｂφ……ビア径
δｘ……位置ズレ量

Claims (2)

1. 絶縁基材の片面もしくは両面に絶縁層を介して少なくとも２層以上の配線層が形成され、前記配線層はビア上に形成されたランドにて電気的に接続されてなる多層配線板において、前記ビア（６１ｂ）上のランド（４２ａ）のランド幅をＲｗ、前記ビア（６１ｂ）の上部ビア径をＢφとしたとき、Ｒｗ≦Ｂφなる関係が満たされていることを特徴とする多層配線板。
2. 以下の工程を少なくとも備えていることを特徴とする請求項１記載の多層配線板の製造方法。
   （ａ）絶縁基材（１１）の片面もしくは両面に薄膜導体層（２１）を形成し、薄膜導体層（２１）上にパターンめっき用のレジストパターン（３１）を形成する工程。
   （ｂ）薄膜導体層（２１）をカソードにして電解銅めっきを行い、薄膜導体層（２１）上に所定厚の導体層（４１）を形成する工程。
   （ｃ）絶縁樹脂層（５１）を形成し、絶縁樹脂層（５１）の所定位置に開孔部（５２）を形成する工程。
   （ｄ）導体層（４１）をカソードにして電解銅めっきを行い、開孔部（５２）に導体（６１）を形成する工程。
   （ｅ）絶縁樹脂層（５１）及びレジストパターン（３１）を剥離処理し、絶縁基材（１１）上に配線層（４１ａ）及び突起状の導体（６１ａ）を形成する工程。
   （ｆ）半硬化性樹脂シートをラミネートして絶縁樹脂層（７１）を形成する工程。
   （ｇ）絶縁樹脂層（７１）表面を研磨処理し、絶縁層（７１ａ）及びフィルドビア（６１ｂ）を形成する工程。
   （ｈ）薄膜導体層（２２）及びパターンめっき用のレジストパターン（３２）を形成する工程。
   （ｉ）レジストパターン（３２）をマスクにして電解銅めっきを行い、マスクされていない薄膜導体層（２２）上に所定厚の導体層を形成し、レジストパターン（３２）を剥離処理して、ビア（６１ｂ）上にランド（４２ａ）、配線層（４２ｂ）、信号配線層（４２ｃ）及び電極（４２ｄ）を形成する工程。