JP2004281486A - Semiconductor package and semiconductor device employing the same - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 209
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 43
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 22
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
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Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体パッケージ及び同パッケージを用いた半導体装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体装置は、所要の絶縁基板からなる半導体パッケージに半導体チップを載設し、半導体チップをモールド樹脂等の封止樹脂で密封封止して形成している。
【0003】
半導体チップには、半導体パッケージと電気的に接続するための接続用電極を設けており、一方、半導体パッケージには、半導体チップの載設される表面に同半導体チップの接続用電極とそれぞれ接続される接続パッドを設けている。さらに、半導体パッケージの裏面には、実装基板との接続を行うための外部接続端子を設けており、同外部接続端子と半導体パッケージの表面に設けた接続パッドとは、半導体パッケージに設けた内部配線によって電気的に接続している。
【0004】
半導体チップの接続用電極と、半導体パッケージの接続パッドとの電気的な接続には、大きく分けて金属線を用いたワイヤーボンディングによるものと、接続用電極または接続パッドのいずれか一方あるいはその両方に形成したバンプによるものの2種類があり、必要に応じて使い分けられている(例えば、特許文献1及び特許文献2参照。)。
【0005】
ワイヤーボンディングによる接続形態の場合であっても、あるいはバンプを用いた接続形態であっても、半導体パッケージの表面に形成する接続パッドは、同半導体パッケージに載設する半導体チップにそれぞれ適合させた所要の位置に形成しており、基本的に1つの形態の半導体チップに対してそれぞれ専用の半導体パッケージを形成して、半導体装置の製造を行っている。
【0006】
【特許文献1】
特開2000−269261号公報
【0007】
【特許文献2】
特開2000−150695号公報
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記したように1つの形態の半導体チップごとにそれ専用の半導体パッケージを形成した場合には、新規の半導体パッケージの形成に要する設備投資コストの回収のために製品価格の低減化が困難となって、市場に受け入れられなくおそれがあった。
【0009】
そこで、本発明者は、1つの半導体パッケージを異なる形態の半導体チップにも適用可能とすることにより新規な半導体パッケージの製造を抑制し、新たなコスト負担の発生を抑制してコスト削減を行うべく研究開発を行い、本発明を成すに至ったものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、上記課題を解決すべく研究開発を行ったところ、昨今多用されているCSP(Chip Size Package)が、QFP(Quad Flat pack Package)を小型化したものでしかなく、しかも半導体パッケージの内部配線の配線パターンにも変化がないことを知見した。
【0011】
そこで、本発明の半導体パッケージでは、半導体チップに設けた接続用バンプを介して同半導体チップを載設すべく構成した所定形状の絶縁基板からなる半導体パッケージにおいて、絶縁基板上面に、半導体チップの接続用バンプとそれぞれ接続する接続配線を、絶縁基板の中央部分から放射状に伸延させて設けた。
【0012】
また、本発明の半導体装置では、所定形状の絶縁基板からなる半導体パッケージに、接続用バンプを設けた半導体チップを同接続用バンプを介して載設し、同半導体チップを密封封止して形成した半導体装置において、絶縁基板上面に、半導体チップの接続用バンプとそれぞれ接続する接続配線を、絶縁基板の中央部分から放射状に伸延させて設けた。
【0013】
【発明の実施の形態】
本発明の半導体パッケージ及び半導体装置は、接続用バンプを設けた半導体チップを載設する半導体パッケージにおいて、半導体チップの接続用バンプと接続される半導体パッケージ上の接続配線を、半導体パッケージを構成する絶縁基板の中央部分から放射状に伸延させて設けているものである。
【0014】
すなわち、半導体チップに設けた接続用バンプからなる接続端子は、所定の配設規則に基づいて半導体チップに設けており、相似な形状であって異なる大きさの半導体チップの場合には、接続用バンプの配設位置も相似となっているために、半導体パッケージに中央部分から放射状に伸延させた接続配線を設けることによって、このような大きさの異なる半導体チップに対して同一形態の半導体パッケージを用いることができる。
【0015】
したがって、半導体チップのサイズ変更にともなって新規の半導体パッケージを設計・製造する必要がないので、新規の設備投資が生じることを抑制することができるとともに、同一形態の半導体パッケージを量産することとなるので、量産化にともなう製造コストの低減を図ることができる。
【0016】
特に、所要の機能を有する半導体チップは、一般的にシュリンク化によって逐次小型化していく傾向があり、従来は、半導体チップの小型化にともなってそれぞれに対応した半導体パッケージを新規に設計・製造していたが、本発明の半導体パッケージを用いることにより、新規の半導体パッケージの設計・製造を抑制できるので、半導体パッケージを安価で提供できるとともに、この半導体パッケージを用いた半導体装置を安価で提供できる。
【0017】
また、半導体チップのサイズ変更の場合だけでなく、異なる機能の半導体チップで、各接続配線に対応した接続用バンプからなる接続端子を有する半導体チップであれば、半導体チップの大きさによる規制を受けることなく上記の半導体パッケージを用いることができるので、同一形態の半導体パッケージを多形態の半導体チップに対して使用することもできる。
【0018】
しかも、本発明の半導体パッケージ及び半導体装置では、接続用バンプを介して半導体チップを半導体パッケージに載設することにより、ワーヤーボンディングのような多くの作業時間を要する工程を削除できるので、製造効率を向上させることができるとともに、載設した半導体チップをモールド樹脂で密封封止した場合のモールド樹脂部分の厚みを薄くすることができ、半導体装置の薄型化を図ることができる。
【0019】
【実施例】
以下において、図面に基づいて本発明の実施例を説明する。
【0020】
図1は本実施例の半導体パッケージ1の一部切欠斜視図である。同半導体パッケージ1は、本実施例では略矩形形状としたポリイミドテープからなる絶縁基板2で構成しており、同絶縁基板2には上面に金属薄膜からなる接続配線3を複数設けている。
【0021】
特に、接続配線3は、絶縁基板2の中央部分から放射状に外側縁までそれぞれ伸延させて設けており、しかも、各接続配線3は直線状としている。接続配線3を直線状に形成することによって、接続配線3においてノイズが発生することを防止できる。
【0022】
さらに、接続配線3は、絶縁基板2の中央部分から外側縁に向けて離隔するにつれて漸次太幅としている。したがって、後述するように半導体パッケージ1に異なる大きさの半導体チップ11を載設する場合であって、大型の半導体チップ11を載設した場合に、同半導体チップ11に大型の接続用バンプ12が用いられても、隣設した接続配線3とのショートを生起することなく接続用バンプ12の接続配線3への確実な接続を行うことができる(図2参照)。
【0023】
絶縁基板2には、裏面に外側縁に沿って電極形成用パッド4を設けており、同電極形成用パッド4に半田ボール等で構成した外部接続端子5を取着している、電極形成用パッド4は、絶縁基板2を貫通させて設けた内部配線6を介して接続配線3と接続している。
【0024】
本実施例では、絶縁基板2はポリイミドフィルムを用いて構成しているが、ポリイミドフィルムに限定するものではなく、セラミックス等の適宜の絶縁材料を用いて構成してもよい。
【0025】
上記のように構成した半導体パッケージ1を用いた半導体装置10は、次のように構成している。なお、ここで、作業性の点から、半導体パッケージ1の電極形成用パッド4には外部接続端子5を取着しておらず、外部接続端子5取着前の半導体パッケージ1を用いている。また、本実施例では、半導体パッケージ1の絶縁基板2はポリイミドテープであって、半導体パッケージ1は一方向に複数を連設した帯状基板(図示せず)の状態で供給されるべく構成している。
【0026】
まず、半導体パッケージ1に載設する半導体チップ11は金バンプあるいは半田バンプ等によって接続用バンプ12を形成しており、同半導体チップ11を、各接続用バンプ12を所要の接続配線3にそれぞれ当接させながら帯状基板の半導体パッケージ1部分の上面に載置している。
【0027】
そして、半導体チップ11に超音波ホーン等によって超音波の印加を行うことにより各接続用バンプ12を接続配線3にそれぞれ超音波接合させて、半導体チップ11の半導体パッケージ1部分への載設を行っている。半導体チップ11の半導体パッケージ1部分への載設は、超音波接合によるものに限定するものではなく、適宜の接続手段を用いることができ、例えば異方性導電シートを用いてもよい。
【0028】
そして、半導体パッケージ1部分に半導体チップ11を載設した帯状基板を、下部モールド金型(図示せず)と上部モールド金型(図示せず)で挟持して半導体チップ11部分にモールド空間(図示せず)を形成し、同モールド空間部分にモールド樹脂を圧入することによって半導体チップ11をモールド樹脂で密封封止したモールド部13を形成している。なお、モールド部13の形成前に、半導体チップ11と絶縁基板2との間にアンダーフィル材等を充填してもよい。
【0029】
そして、モールド部13の形成後、各半導体パッケージ1の電極形成用パッド4に外部接続端子5を取着し、帯状基板から各半導体パッケージ1部分を切離することにより1個ずつの半導体装置10を形成している。なお、帯状基板からの各半導体パッケージ1部分の切離にともなって、半導体パッケージ1の絶縁基板2は所定形状となっている。
【0030】
このように、半導体チップ11をワイヤーボンディングではなく接続用バンプ12を介して半導体パッケージ1に電気的に接続することによって、半導体チップ11の半導体パッケージ1への取着時間を短縮させることができ、作業効率を向上させることができる。
【0031】
しかも、半導体チップ11を接続用バンプ12を介して半導体パッケージ1に電気的に接続することによって、半導体チップ11を被覆するモールド部13の高さを、ワイヤーボンディングによる接続の場合よりも低くすることができ、半導体装置10を薄型化することができる。
【0032】
上記したように、半導体パッケージ1に載設される半導体チップ11は、同半導体チップ11を製造する製造工程での生産性を向上させるために、新規技術の逐次導入にともなって半導体チップ11の面積をできるだけ小さくするシュリンク化が行われており、図3に示すように、半導体チップは段階的に小型化されている。
【0033】
図3では、所要の半導体チップのシュリンク化前の初期半導体チップ11aと、シュリンク化が行われた中期半導体チップ11bと、さらなるシュリンク化が行われた終期半導体チップ11cとを示しており、シュリンク化が行われた場合には、初期半導体チップ11a上の接続用バンプ12aの配設間隔、中期半導体チップ11b上の接続用バンプ12bの配設間隔、終期半導体チップ11c上の接続用バンプ12cの配設間隔も同様に縮小されるので、半導体パッケージ1の接続配線3を絶縁基板2の中央部分から放射状に外側縁までそれぞれ伸延させて設けておくことにより、シュリンク化にともなって半導体チップの大きさが異なっても同一の半導体パッケージ1を使用することができ、新規な半導体パッケージ1の設計・製造を抑制して、製造コストが上昇することを抑制できる。しかも、同一の半導体パッケージ1を量産することとなるので、量産化にともなうコストの低減を図ることができる。
【0034】
さらに、上記したように、接続配線3は、絶縁基板2の中央部分から外側縁に向けて離隔するにつれて漸次太幅としていることによって、初期半導体チップ11aのような大型の半導体チップを半導体パッケージ1に載設した場合に、初期半導体チップ11aの接続用バンプ12aが隣設した接続配線3とショートすることなく接続することができるだけでなく、接続用バンプ12aに大型の接続用バンプを用いることができる。
【0035】
特に、接続用バンプ12aに大型の接続用バンプを用いることによって、大型の半導体チップである初期半導体チップ11aを半導体パッケージ1に載設した場合に接続用バンプ12aと接続配線3との接続部分に作用する大きな応力を、接続用バンプ12aを大型化することによって緩和することができ、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【0036】
上記した説明では、半導体チップ11がシュリンク化によって大きさが変化する場合について説明したが、シュリンク化に起因した大きさの変化だけでなく、異なる機能を有する半導体チップで、半導体パッケージ1に設けた各接続配線3と対応する接続用バンプを有する半導体チップであれば、その半導体チップの大きさにかかわらず同一の半導体パッケージ1を用いることができる。
【0037】
このように、多品種・多形態の半導体チップに対して同一の半導体パッケージ1を用いることによって、新規の半導体パッケージ1の設計・製造を抑制することができ、しかも、同一の半導体パッケージ1を量産することとなるので、量産化にともなうコストの低減を図ることができるので、安価な半導体パッケージ1を提供することができる。したがって、かかる半導体パッケージ1を用いた半導体装置10も安価として提供することができる。
【0038】
【発明の効果】
請求項1記載の発明によれば、半導体チップに設けた接続用バンプを介して同半導体チップを載設すべく構成した所定形状の絶縁基板からなる半導体パッケージにおいて、絶縁基板上面に、半導体チップの接続用バンプとそれぞれ接続する接続配線を、絶縁基板の中央部分から放射状に伸延させて設けたことによって、1つの半導体パッケージで様々なサイズ・形態の半導体チップを載設することができ、新規の半導体パッケージの設計・製造を抑制するとともに、量産化にともなう半導体パッケージの製造コストの低減化を図り、この半導体パッケージを用いた半導体装置の製造コストを大きく低減させることができる。
【0039】
請求項2記載の発明によれば、所定形状の絶縁基板からなる半導体パッケージに、接続用バンプを設けた半導体チップを同接続用バンプを介して載設し、同半導体チップを密封封止して形成した半導体装置において、絶縁基板上面に、半導体チップの接続用バンプとそれぞれ接続する接続配線を、絶縁基板の中央部分から放射状に伸延させて設けたことによって、1つの半導体パッケージに様々なサイズ・形態の半導体チップを載設して半導体装置を構成することができるので、新規の半導体パッケージの設計・製造を抑制するとともに、この半導体パッケージの量産化にともなう製造コストの低減化を図ることにより、半導体装置の製造コストを大きく低減させることができる。
【0040】
しかも、この半導体装置においては、半導体チップと半導体パッケージとを接続用バンプを介して電気的に接続していることにより、ワーヤーボンディングによって電気的に接続する場合よりも、モールド樹脂等の封止樹脂による封止後の半導体装置の厚み寸法を薄型化することができる。しかも、ワイヤーボンディングを行うためのワイヤーボンディング工程を不要とすることができるので、製造効率を向上させることもできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る半導体パッケージの一部切欠斜視図である。
【図2】本発明に係る半導体装置の断面模式図である。
【図3】半導体チップの半導体パッケージへの実装形態説明図である。
【符号の説明】
1 半導体パッケージ
2 絶縁基板
3 接続配線
4 電極形成用パッド
5 外部接続端子
6 内部配線
10 半導体装置
11 半導体チップ
12 接続用バンプ
13 モールド部[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a semiconductor package and a semiconductor device using the package.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art Conventionally, a semiconductor device is formed by mounting a semiconductor chip on a semiconductor package formed of a required insulating substrate and sealingly sealing the semiconductor chip with a sealing resin such as a molding resin.
[0003]
The semiconductor chip is provided with connection electrodes for electrically connecting to the semiconductor package, while the semiconductor package is connected to the connection electrodes of the semiconductor chip on the surface on which the semiconductor chip is mounted. Connection pads are provided. Further, on the back surface of the semiconductor package, there are provided external connection terminals for connection to a mounting board, and the external connection terminals and connection pads provided on the surface of the semiconductor package correspond to internal wiring provided on the semiconductor package. Are electrically connected by
[0004]
The electrical connection between the connection electrode of the semiconductor chip and the connection pad of the semiconductor package can be broadly divided into those by wire bonding using a metal wire and one or both of the connection electrode and the connection pad. There are two types, one based on the formed bumps, and these are used as needed (for example, see
[0005]
Regardless of the connection configuration using wire bonding or the connection configuration using bumps, the connection pads formed on the surface of the semiconductor package must be compatible with the semiconductor chips mounted on the same semiconductor package. The semiconductor device is basically manufactured by forming a dedicated semiconductor package for each semiconductor chip of one form.
[0006]
[Patent Document 1]
JP 2000-269261 A
[Patent Document 2]
JP 2000-150695 A
[Problems to be solved by the invention]
However, when a dedicated semiconductor package is formed for each semiconductor chip in one form as described above, it is difficult to reduce the product price in order to recover capital investment costs required for forming a new semiconductor package. There was a danger that it could not be accepted by the market.
[0009]
Therefore, the present inventor aims to suppress the production of a new semiconductor package by enabling one semiconductor package to be applied to a semiconductor chip of a different form, to suppress the occurrence of a new cost burden, and to reduce costs. Research and development have led to the present invention.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
The present inventor has conducted research and development to solve the above-described problems. As a result, CSP (Chip Size Package), which has been frequently used recently, is only a miniaturized QFP (Quad Flat Pack Package), and furthermore, a semiconductor package. It was found that the wiring pattern of the internal wiring did not change.
[0011]
Therefore, in the semiconductor package of the present invention, in a semiconductor package formed of an insulating substrate of a predetermined shape configured to mount the semiconductor chip via a connecting bump provided on the semiconductor chip, the connection of the semiconductor chip is formed on the upper surface of the insulating substrate. The connection wirings respectively connected to the bumps were provided to extend radially from the central portion of the insulating substrate.
[0012]
In the semiconductor device of the present invention, a semiconductor chip provided with connection bumps is mounted on a semiconductor package formed of an insulating substrate having a predetermined shape via the connection bumps, and the semiconductor chip is formed by hermetically sealing. In the semiconductor device, the connection wirings respectively connected to the connection bumps of the semiconductor chip are provided on the upper surface of the insulating substrate so as to extend radially from the central portion of the insulating substrate.
[0013]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
A semiconductor package and a semiconductor device according to the present invention include a semiconductor package on which a semiconductor chip provided with connection bumps is mounted, wherein connection wires on the semiconductor package connected to the connection bumps of the semiconductor chip are insulated from the semiconductor package. It is provided to extend radially from the central portion of the substrate.
[0014]
That is, the connection terminals formed of the connection bumps provided on the semiconductor chip are provided on the semiconductor chip based on a predetermined arrangement rule, and in the case of semiconductor chips having similar shapes and different sizes, the connection terminals are provided. Since the arrangement positions of the bumps are similar, by providing connection wiring extending radially from the center portion to the semiconductor package, the same type of semiconductor package can be applied to semiconductor chips having different sizes. Can be used.
[0015]
Therefore, it is not necessary to design and manufacture a new semiconductor package with a change in the size of the semiconductor chip, so that it is possible to suppress the occurrence of a new capital investment and to mass-produce the same type of semiconductor package. Therefore, it is possible to reduce the manufacturing cost due to mass production.
[0016]
In particular, semiconductor chips having required functions generally tend to be reduced in size sequentially by shrinking. Conventionally, as semiconductor chips become smaller, new semiconductor packages corresponding to each type are designed and manufactured. However, by using the semiconductor package of the present invention, design and manufacture of a new semiconductor package can be suppressed, so that the semiconductor package can be provided at low cost and a semiconductor device using the semiconductor package can be provided at low cost.
[0017]
Not only in the case of changing the size of the semiconductor chip, but also in the case of a semiconductor chip having different functions and having connection terminals formed of connection bumps corresponding to respective connection wirings, the semiconductor chip is regulated by the size of the semiconductor chip. Since the above-described semiconductor package can be used without using the same, the same type of semiconductor package can be used for multiple types of semiconductor chips.
[0018]
Moreover, in the semiconductor package and the semiconductor device of the present invention, by mounting the semiconductor chip on the semiconductor package via the connection bumps, it is possible to eliminate a process requiring a lot of work time such as wire bonding, thereby reducing the manufacturing efficiency. The thickness of the molded resin portion when the mounted semiconductor chip is hermetically sealed with the molded resin can be reduced, and the thickness of the semiconductor device can be reduced.
[0019]
【Example】
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0020]
FIG. 1 is a partially cutaway perspective view of a
[0021]
In particular, the
[0022]
Further, the
[0023]
An
[0024]
In this embodiment, the insulating
[0025]
The
[0026]
First, the semiconductor chip 11 mounted on the
[0027]
Then, by applying an ultrasonic wave to the semiconductor chip 11 using an ultrasonic horn or the like, the respective connection bumps 12 are ultrasonically bonded to the
[0028]
Then, the band-shaped substrate having the semiconductor chip 11 mounted on the
[0029]
After the formation of the
[0030]
In this way, by electrically connecting the semiconductor chip 11 to the
[0031]
Moreover, by electrically connecting the semiconductor chip 11 to the
[0032]
As described above, in order to improve the productivity in the manufacturing process of manufacturing the semiconductor chip 11, the area of the semiconductor chip 11 mounted on the
[0033]
FIG. 3 shows an
[0034]
Further, as described above, the
[0035]
In particular, by using a large connection bump as the
[0036]
In the above description, the case where the size of the semiconductor chip 11 changes due to shrinking has been described. However, not only the size change due to shrinking but also a semiconductor chip having a different function is provided in the
[0037]
As described above, by using the
[0038]
【The invention's effect】
According to the first aspect of the present invention, in a semiconductor package including an insulating substrate having a predetermined shape configured to mount the semiconductor chip via a connecting bump provided on the semiconductor chip, the semiconductor chip is provided on an upper surface of the insulating substrate. By providing connection wirings to be connected to the connection bumps and extending radially from the central part of the insulating substrate, semiconductor chips of various sizes and forms can be mounted in one semiconductor package. In addition to suppressing the design and manufacturing of the semiconductor package, the manufacturing cost of the semiconductor package can be reduced along with mass production, and the manufacturing cost of a semiconductor device using this semiconductor package can be significantly reduced.
[0039]
According to the second aspect of the present invention, a semiconductor chip provided with connection bumps is mounted on a semiconductor package made of an insulating substrate having a predetermined shape via the connection bumps, and the semiconductor chip is hermetically sealed. In the formed semiconductor device, connection wirings respectively connecting to the connection bumps of the semiconductor chip are provided on the upper surface of the insulating substrate so as to extend radially from the central portion of the insulating substrate. The semiconductor device can be configured by mounting a semiconductor chip of the form, so that design and manufacture of a new semiconductor package can be suppressed, and by reducing the manufacturing cost due to mass production of the semiconductor package, The manufacturing cost of the semiconductor device can be significantly reduced.
[0040]
In addition, in this semiconductor device, since the semiconductor chip and the semiconductor package are electrically connected via the connection bumps, the sealing resin such as a molding resin is used as compared with the case where the semiconductor chip and the semiconductor package are electrically connected by wire bonding. The thickness dimension of the semiconductor device after sealing can be reduced. In addition, since a wire bonding step for performing wire bonding can be eliminated, manufacturing efficiency can be improved.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a partially cutaway perspective view of a semiconductor package according to the present invention.
FIG. 2 is a schematic sectional view of a semiconductor device according to the present invention.
FIG. 3 is an explanatory view of a mounting mode of a semiconductor chip on a semiconductor package.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF
Claims (2)
絶縁基板上面に、半導体チップの接続用バンプとそれぞれ接続する接続配線を、絶縁基板の中央部分から放射状に伸延させて設けたことを特徴とする半導体装置。In a semiconductor device formed by mounting a semiconductor chip provided with connection bumps via a connection bump on a semiconductor package formed of an insulating substrate having a predetermined shape, and sealingly sealing the semiconductor chip,
A semiconductor device, wherein connection wirings respectively connected to connection bumps of a semiconductor chip are provided on an upper surface of an insulating substrate so as to extend radially from a central portion of the insulating substrate.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003067515A JP2004281486A (en) | 2003-03-13 | 2003-03-13 | Semiconductor package and semiconductor device employing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003067515A JP2004281486A (en) | 2003-03-13 | 2003-03-13 | Semiconductor package and semiconductor device employing the same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004281486A true JP2004281486A (en) | 2004-10-07 |
Family
ID=33285090
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003067515A Pending JP2004281486A (en) | 2003-03-13 | 2003-03-13 | Semiconductor package and semiconductor device employing the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004281486A (en) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1950802A1 (en) | 2007-01-23 | 2008-07-30 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device manufacturing method, semiconductor device, and wiring board |
US7807498B2 (en) | 2007-07-31 | 2010-10-05 | Seiko Epson Corporation | Substrate, substrate fabrication, semiconductor device, and semiconductor device fabrication |
US7875988B2 (en) | 2007-07-31 | 2011-01-25 | Seiko Epson Corporation | Substrate and manufacturing method of the same, and semiconductor device and manufacturing method of the same |
US7952208B2 (en) | 2008-03-31 | 2011-05-31 | Seiko Epson Corporation | Substrate, manufacturing method thereof, method for manufacturing semiconductor device |
JP2015070161A (en) * | 2013-09-30 | 2015-04-13 | ローム株式会社 | Lead frame, semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device |
-
2003
- 2003-03-13 JP JP2003067515A patent/JP2004281486A/en active Pending
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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