JP2004157321A - Positive resist composition - Google Patents
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Landscapes
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Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、超LSI、高容量マイクロチップの製造などのマイクロリソグラフィープロセスや、その他のフォトファブリケーションプロセスに好適に用いられるポジ型レジスト組成物に関するものである。更に詳しくは、160nm以下の真空紫外光を使用して高精細化したパターンを形成し得るポジ型レジスト組成物に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
集積回路はその集積度を益々高めており、超LSIなどの半導体基板の製造においては、クオーターミクロン以下の線幅から成る超微細パターンの加工が必要とされるようになってきた。パターンの微細化を図る手段の一つとして、レジストのパターン形成の際に使用される露光光源の短波長化が知られている。
【0003】
例えば64Mビットまでの集積度の半導体素子の製造には、現在まで高圧水銀灯のi線(365nm)が光源として使用されてきた。この光源に対応するポジ型レジストとしては、ノボラック樹脂と感光物としてのナフトキノンジアジド化合物を含む組成物が、数多く開発され、0.3μm程度までの線幅の加工においては十分な成果をおさめてきた。また256Mビット以上集積度の半導体素子の製造には、i線に代わりKrFエキシマレーザー光(248nm)が露光光源として採用されてきた。
更に1Gビット以上の集積度の半導体製造を目的として、近年より短波長の光源であるArFエキシマレーザー光(193nm)の使用、更には0.1μm以下のパターンを形成する為にF2エキシマレーザー光(157nm)の使用が検討されている。
【0004】
これら光源の短波長化に合わせ、レジスト材料の構成成分及びその化合物構造も大きく変化している。
KrFエキシマレーザー光による露光用のレジスト組成物として、248nm領域での吸収の小さいポリ(ヒドロキシスチレン)を基本骨格とし酸分解基で保護した樹脂を主成分として用い、遠紫外光の照射で酸を発生する化合物(光酸発生剤)を組み合わせた組成物、所謂化学増幅型レジストが開発されてきた。
【0005】
また、ArFエキシマレーザー光(193nm)露光用のレジスト組成物として、193nmに吸収を持たない脂環式構造をポリマーの主鎖又は側鎖に導入した酸分解性樹脂を使用した化学増幅型レジストが開発されてきている。例えば、特許文献1(特開2002−201219号公報)、特許文献2(国際公開第02/36646号パンフレット)には、特定の脂環式構造を有する樹脂を含有するレジスト組成物が開示されている。
【0006】
F2エキシマレーザー光(157nm)に対しては、上記脂環型樹脂においても157nm領域の吸収が大きく、目的とする0.1μm以下のパターンを得るには不十分であることが判明し、これに対し、フッ素原子(パーフルオロ構造)を導入した樹脂が157nmに十分な透明性を有することが非特許文献1(Proc. SPIE. Vol.3678. 13頁(1999))にて報告され、有効なフッ素樹脂の構造が非特許文献2(Proc. SPIE. Vol.3999. 330頁(2000))、非特許文献3(同357頁(2000))、非特許文献4(同365頁(2000))、特許文献3(国際公開第00/17712号パンフレット)等に提案され、フッ素含有樹脂を含有するレシスト組成物の検討がなされてきている。
【0007】
しかしながら、これらのレジストは、現像欠陥の抑制が望まれていた。
【0008】
【特許文献1】
特開2002−201219号公報
【特許文献2】
国際公開第02/36646号パンフレット
【非特許文献1】
「プロス・エスピーアイイー」、第3678巻、第13頁、1999年(Proc. SPIE. Vol.3678. 13頁(1999))
【非特許文献2】
「プロス・エスピーアイイー」、第3999巻、第330頁、2000年(Proc. SPIE. Vol.3999. 330頁(2000)
【非特許文献3】
「プロス・エスピーアイイー」、第3999巻、第357頁、2000年(Proc. SPIE. Vol.3999. 357頁(2000)
【非特許文献4】
「プロス・エスピーアイイー」、第3999巻、第365頁、2000年(Proc. SPIE. Vol.3999. 365頁(2000)
【特許文献3】
国際公開第00/17712号パンフレット
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の目的は、160nm以下、特にF2エキシマレーザー光(157nm)の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には157nmの光源使用時に十分な透過性を示し、且つ現像欠陥が抑制されたポジ型レジスト組成物を提供することである。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、上記諸特性に留意し鋭意検討した結果、本発明の目的が以下の特定の組成物を使用することで達成されることを見出し、本発明に到達した。
即ち、本発明は下記構成である。
【0011】
(1) (A)下記一般式(2d)で表される繰り返し単位を有する、酸の作用によりアルカリ水溶液への溶解性が向上する樹脂、
(B)活性光線又は放射線の作用により酸を発生する化合物及び
(C)溶剤
を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【0012】
【化2】
【0013】
一般式(2d)中、
Rx1及びRy1は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基又はアルキル基を表す。
R50〜R55は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基を表す。但し、R50〜R55の内の少なくとも1つは、フッ素原子又は少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基を表わす。
Rは、水素原子又は有機基を表す。
R’は、水素原子又は有機基を表す。
Aは、−O−又は−O−R60−O−で表される2価の連結基を表す。R60は、アルキレン基を表す。
pは、0又は1〜3の整数を表す。
qは、0又は1を表す。
rは、0又は1を表す。
但し、p+qは、1以上の整数である。
p+qが2以上の整数の場合に、2個以上あるR50〜R55は、同じでも異なっていてもよい。
pが2以上の整数の場合に、2個以上あるRは、同じでも異なっていてもよい。
【0014】
以下、更に、本発明の好ましい実施の態様を挙げる。
(2) 一般式(2d)に於いて、Ry1が、CF3基であることを特徴とする(1)に記載のポジ型レジスト組成物。
【0015】
(3) (B)成分として、下記の4種類から選ばれる少なくとも2種類の化合物を含有することを特徴とする(1)又は(2)に記載のポジ型レジスト組成物。
(B1)活性光線又は放射線の作用により少なくとも1つのフッ素原子を有する脂肪族又は芳香族スルホン酸を発生する化合物、
(B2)活性光線又は放射線の作用によりフッ素原子をもたない脂肪族又は芳香族スルホン酸を発生する化合物、
(B3)活性光線又は放射線の作用により少なくとも1つのフッ素原子を有する脂肪族又は芳香族カルボン酸を発生する化合物及び
(B4)活性光線又は放射線の作用によりフッ素原子をもたない脂肪族又は芳香族カルボン酸を発生する化合物。
【0016】
(4) 更に、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤を含有することを特徴とする(1)〜(3)のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【0017】
(5) 更に、酸拡散抑制剤として含窒素塩基性化合物を含有することを特徴とする(1)〜(4)のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【0018】
(6) 更に、両性イオン化合物を含有することを特徴とする(1)〜(5)のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【0019】
(7) (C)成分として、少なくとも1つのフッ素原子を有する溶剤を1種類以上含有することを特徴とする(1)〜(6)のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【0020】
(8) (A)成分の樹脂中のメタル含量が、各金属原子につき100ppb以下であることを特徴とする(1)〜(7)のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【0021】
(9) (A)成分の樹脂の酸価が、0.2×10−3〜4.4×10−3mol/gであることを特徴とする(1)〜(8)のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【0022】
(10) (A)成分の樹脂の重量平均分子量が、3000〜50000であることを特徴とする(1)〜(9)のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【0023】
(11) (A)成分の樹脂の分散度が、1.7以下であることを特徴とする(1)〜(10)のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【0024】
(12) (A)成分の樹脂中の残存モノマーの割合が、5質量%以下であることを特徴とする(1)〜(11)のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【0025】
(13) (A)成分の樹脂中、分子量1000以下の樹脂の割合が、10質量%以下であることを特徴とする(1)〜(12)のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【0026】
(14) 波長157nmのF2レーザー光による照射用であることを特徴とする(1)〜(13)のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【0027】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について詳細に説明する。
[1](A)一般式(2d)で表される繰り返し単位を有する、酸の作用によりアルカリ水溶液への溶解性が向上する樹脂
本発明のポジ型レジスト組成物は、一般式(2d)で表される繰り返し単位を有する、酸の作用によりアルカリ水溶液への溶解性が向上する樹脂(「(A)成分の樹脂」ともいう)を含有する。
【0028】
一般式(2d)中、Rx1及びRy1は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基又はアルキル基を表す。R50〜R55は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基を表す。但し、R50〜R55の内の少なくとも1つは、フッ素原子又は少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基を表わす。Rは、水素原子又は有機基を表す。R’は、水素原子又は有機基を表す。Aは、−O−又は−O−R60−O−で表される2価の連結基を表す。R60は、アルキレン基を表す。pは、0又は1〜3の整数を表す。qは、0又は1を表す。rは、0又は1を表す。但し、p+qは、1以上の整数である。p+qが2以上の整数の場合に、2個以上あるR50〜R55は、同じでも異なっていてもよい。pが2以上の整数の場合に、2個以上あるRは、同じでも異なっていてもよい。
【0029】
Rx1、Ry1及びR50〜R55のアルキル基は、フッ素原子等のハロゲン原子、シアノ基等で置換されていてもよく、好ましくは炭素数1〜3のアルキル基、例えば、メチル基、トリフルオロメチル基を挙げることができる。
【0030】
R50〜R55は、フッ素原子であることが好ましい。
【0031】
Rx1及びRy1のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。
【0032】
R及びR’が表わす有機基としては、置換基を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アシル基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルメチル基、アルコキシメチル基、1−アルコキシエチル基が好ましい。
【0033】
R及びR’が表わす有機基としてのアルキル基、アルキルカルボニル基に於けるアルキル基は、直鎖状及び分岐状アルキル基を挙げることができ、例えば炭素数1〜8個のアルキル基であって、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、オクチル基を好ましく挙げることができる。
R及びR’が表わす有機基としてのシクロアルキル基は、単環型でも良く、多環型でも良い。単環型としては炭素数3〜8個のものであって、例えばシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、シクロオクチル基を好ましく挙げることができる。多環型としては炭素数6〜20個のものであって、例えばアダマンチル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、α−ピネル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデシル基、アンドロスタニル基等を好ましく挙げることができる。尚、シクロアルキル基は、環を構成する炭素原子の一部が酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子で置換されたものも含むものとする。
R及びR’が表わす有機基としてのアシル基としては、例えば炭素数1〜10個のアシル基であって、具体的には、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブタノイル基、ピバロイル基、オクタノイル基、ベンゾイル基等を好ましく挙げることができる。
R及びR’が表わす有機基としてのアルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルメチル基、アルコキシメチル基、1−アルコキシエチル基に於けるアルコキシ基は、例えば炭素数1〜8個のアルコキシ基であって、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基、アリルオキシ基、オクトキシ基等を好ましく挙げることができる。
【0034】
R及びR’が表わす有機基としてのアルキル基等が有していてもよい置換基としては、アミノ基、アミド基、ヒドロキシル基、カルボキシル基等の活性水素を有するものや、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子)、アルコキシ基(メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等)、チオエーテル基、アシル基(アセチル基、プロパノイル基、ベンゾイル基等)、アシロキシ基(アセトキシ基、プロパノイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基等)、アルコキシカルボニル基(メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基等)、アルキル基(メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基)、シクロアルキル基(シクロヘキシル基)、アリール基(フェニル基)、シアノ基、ニトロ基等が挙げられる。
【0035】
Aに於けるR60のアルキレン基は、炭素数1〜8個のアルキレン基が好ましく、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基等を挙げることができる。R60のアルキレン基は、置換基を有していなくともよいし、置換基を有していてもよい。R60のアルキレン基が有していてもよい置換基としては、例えば、フッ素原子等のハロゲン原子、シアノ基等を挙げることができる。
【0036】
(A)成分の樹脂は、一般式(2d)で表される繰り返し単位又は他の繰り返し単位の内部に、酸の作用により分解してアルカリ可溶性となる基をもつことにより、酸の作用によりアルカリ水溶液への溶解性が向上する。
酸の作用により分解しアルカリ可溶性となる基としては、例えば−O−C(R18d)(R18e)(R18f)、−O−C(R18d)(R18e)(OR18g)、−O−COO−C(R18d)(R18e)(R18f)、−O−C(R01)(R02)COO−C(R18d)(R18e)(R18f)、−COO−C(R18d)(R18e)(R18f)、−COO−C(R18d)(R18e)(OR18g)等が挙げられる。R18d〜R18gは、置換基を有していてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基もしくはアリール基を表す。R01、R02は、水素原子又は置換基を有していてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基もしくはアリール基を表す。R18d〜R18gの内の2つが結合して環を形成してもよい。
R18d〜R18g、R01〜R02のアルキル基として、好ましくは炭素数1〜5個のアルキル基(メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基等)を挙げることができる。
R18d〜R18g、R01〜R02のシクロアルキル基として、好ましくは炭素数3〜10個のシクロアルキル基(シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロへキシル基、アダマンチル基等)を挙げることができる。
R18d〜R18g、R01〜R02のアルケニル基として、好ましくは炭素数2〜4個のアルケニル基(ビニル基、プロペニル基、アリル基等)を挙げることができる。
R18d〜R18g、R01〜R02のアリール基としては、好ましくは炭素数6〜14個のアリール基(フェニル基、キシリル基、トルイル基、クメニル基、ナフチル基、アントラセニル基等)を挙げることができる。
R18d〜R18g、R01〜R02のアラルキル基としては、好ましくは炭素数2〜12個のアラルキル基(ベンジル基、フェネチル基、クミル基等)を挙げることができる。
酸の作用により分解してアルカリ可溶性となる基は、一般式(2d)で表される繰り返し単位に於ける−OR基として形成することができる。
【0037】
以下、一般式(2d)で表される繰り返し単位の具体例を挙げるが、本発明はこれに限定されるものではない。
【0038】
【化3】
【0039】
【化4】
【0040】
【化5】
【0041】
【化6】
【0042】
(A)成分の樹脂は、更に、下記一般式(2a)、(2a’)、(I)、(VI)、(III)、(VII)、(VIII)〜(XVII)で表される繰り返し単位を少なくとも1種有することが好ましい。
【0043】
【化7】
【0044】
一般式(2a)中、
R5は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基又は置換基を有していてもよいアルキル基を表わす。
R50〜R55は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又は置換基を有してもよいアルキル基を表わす。但し、R50〜R55の内の少なくとも1つは、フッ素原子又は少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基を表わす。
Rは、それぞれ独立に、水素原子又は有機基を表わす。但し、Rの少なくとも1つは有機基である。
kは、2〜5の整数を表わす。
【0045】
【化8】
【0046】
一般式(2a’)中、
R5は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基又は置換基を有していてもよいアルキル基を表わす。
R50〜R55は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又は置換基を有してもよいアルキル基を表わす。但し、R50〜R55の内の少なくとも1つは、フッ素原子又は少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基を表わす。
kは、2〜5の整数を表わす。
【0047】
【化9】
【0048】
一般式(I)中、
R1は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。
R2及びR3は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシル基又は置換基を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、アルケニル基、アリール基若しくはアラルキル基を表す。
R4は、下記一般式(IV)又は(V)の基を表す。
【0049】
【化10】
【0050】
一般式(IV)中、
R11、R12及びR13は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基又はアリール基を表す。
一般式(V)中、
R14及びR15は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。
R16は、置換基を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基若しくはアリール基を表す。R14〜R16の内の2つが結合し、環を形成してもよい。
【0051】
一般式(VI)中、
R17及びR17aは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。
R18は、−C(R18d)(R18e)(R18f)又は−C(R18d’)(R18e’)(OR18g)を表す。R18d〜R18fはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基若しくはアリール基を表す。R18d’、R18e’はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基若しくはアリール基を表す。R18gは、置換基を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基若しくはアリール基を表す。R18d、R18e、R18fの内の2つ又はR18d’、R18e’、R18gの内の2つが結合して環を形成してもよい。
【0052】
【化11】
【0053】
一般式(III)中、
R8は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。
R9及びR10は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基又は置換基を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、アルケニル基、アリール基若しくはアラルキル基を表す。
dは、0または1を表わす。
式(VII)中、
R19及びR20は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。
R21は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換基を有していてもよいアルキル基又は−D−CN基を表す。
Dは、単結合又は2価の連結基を表す。
【0054】
【化12】
【0055】
一般式(VIII)〜(XVII)中、
R25、R26、R27、R27a、R27b及びR27cは、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又は置換基を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基若しくはアリール基を表す。
R28、R29及びR30は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。
また、R25とR26、R27とR28、R29とR30とは、互いに結合して環を形成してもよい。
R31、R35、R37、R40及びR44は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アシル基若しくはアルコキシカルボニル基を表す。
R32、R33、R34、R41、R42及びR43は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は置換基を有していてもよい、アルキル基若しくはアルコキシ基を表す。
R39は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。
R38は、置換基を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基又はアリール基を表す。
B1及びB2は、単結合又は2価の連結基を表す。
B3は、2価の連結基を表す。
n’は、0又は1を表す。
【0056】
一般式(2a)及び(2a’)に於いて、
R5は、一般式(2d)に於けるRy1と同様のものである。
R50〜R55は、一般式(2d)に於けるR50〜R55と同様のものである。
Rは、一般式(2d)に於けるRと同様のものである。
【0057】
一般式(I)に於いて、
R1は、一般式(2d)に於けるRy1と同様のものである。
R2及びR3のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。
R2及びR3のアルキル基として、好ましくは炭素数1〜5個のアルキル基(メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基等)を挙げることができる。
R2及びR3のシクロアルキル基として、好ましくは炭素数3〜10個のシクロアルキル基(シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロへキシル基、アダマンチル基等)を挙げることができる。
R2及びR3のアルコキシ基として、好ましくは炭素数1〜5個のアルコキシ基(メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、n−ブトキシ基等)を挙げることができる。
R2及びR3のアシル基として、好ましくは炭素数1〜12個のアシル基(アラルキルオキシ基、ホルミル基、アセチル基等)を挙げることができる。
R2及びR3のアシロキシ基として、好ましくは炭素数1〜12個のアシロキシ基(ブチリルオキシ基等)を挙げることができる。
R2及びR3のアルケニル基として、好ましくは炭素数2〜4個のアルケニル基(ビニル基、プロペニル基、アリル基等)を挙げることができる。
R2及びR3のアリール基としては、好ましくは炭素数6〜14個のアリール基(フェニル基、キシリル基、トルイル基、クメニル基、ナフチル基、アントラセニル基等)を挙げることができる。
R2及びR3のアラルキル基としては、好ましくは炭素数2〜12個のアラルキル基(ベンジル基、フェネチル基、クミル基等)を挙げることができる。
【0058】
一般式(IV)及び(V)に於いて、
R11〜R16のアルキル基として、好ましくは炭素数1〜5個のアルキル基(メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基等)を挙げることができる。
R11〜R13及びR16のシクロアルキル基として、好ましくは炭素数3〜10個のシクロアルキル基(シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロへキシル基、アダマンチル基等)を挙げることができる。
R11〜R13のアルケニル基として、好ましくは炭素数2〜4個のアルケニル基(ビニル基、プロペニル基、アリル基等)を挙げることができる。
R11〜R13及びR16のアリール基としては、好ましくは炭素数6〜14個のアリール基(フェニル基、キシリル基、トルイル基、クメニル基、ナフチル基、アントラセニル基等)を挙げることができる。
R11〜R13及びR16のアラルキル基としては、好ましくは炭素数2〜12個のアラルキル基(ベンジル基、フェネチル基、クミル基等)を挙げることができる。
【0059】
一般式(VI)に於いて、
R17及びR17aは、一般式(2d)に於けるRy1と同様のものである。
R18d〜R18f、R18d’〜R18e’、R18gのアルキル基として、好ましくは炭素数1〜5個のアルキル基(メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基等)を挙げることができる。
R18d〜R18f、R18d’〜R18e’、R18gのシクロアルキル基として、好ましくは炭素数3〜10個のシクロアルキル基(シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロへキシル基、アダマンチル基等)を挙げることができる。
R18d〜R18f、R18d’〜R18e’のアルケニル基として、好ましくは炭素数2〜4個のアルケニル基(ビニル基、プロペニル基、アリル基等)を挙げることができる。
R11〜R13及びR16のアリール基としては、好ましくは炭素数6〜14個のアリール基(フェニル基、キシリル基、トルイル基、クメニル基、ナフチル基、アントラセニル基等)を挙げることができる。
R18d〜R18f、R18d’〜R18e’、R18gのアラルキル基としては、好ましくは炭素数2〜12個のアラルキル基(ベンジル基、フェネチル基、クミル基等)を挙げることができる。
【0060】
一般式(III)及び(VII)に於いて、
R8、R19、R20は、一般式(2d)に於けるRy1と同様のものである。
R9、R10、R21のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。
R9、R10、R21のアルキル基として、好ましくは炭素数1〜5個のアルキル基(メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基等)を挙げることができる。
R9、R10のシクロアルキル基として、好ましくは炭素数3〜10個のシクロアルキル基(シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロへキシル基、アダマンチル基等)を挙げることができる。
R9、R10のアルコキシ基として、好ましくは炭素数1〜5個のアルコキシ基(メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、n−ブトキシ基等)を挙げることができる。
R9、R10のアシル基として、好ましくは炭素数1〜12個のアシル基(アラルキルオキシ基、ホルミル基、アセチル基等)を挙げることができる。
R9、R10のアシロキシ基として、好ましくは炭素数1〜12個のアシロキシ基(ブチリルオキシ基等)を挙げることができる。
R9、R10のアルケニル基として、好ましくは炭素数2〜4個のアルケニル基(ビニル基、プロペニル基、アリル基等)を挙げることができる。
R9、R10のアリール基としては、好ましくは炭素数6〜14個のアリール基(フェニル基、キシリル基、トルイル基、クメニル基、ナフチル基、アントラセニル基等)を挙げることができる。
R9、R10のアラルキル基としては、好ましくは炭素数2〜12個のアラルキル基(ベンジル基、フェネチル基、クミル基等)を挙げることができる。
Dの2価の連結基としては、例えば、オキシ基、カルボニル基、置換基を有していてもよい、アルキレン基、シクロアルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基及びこれらを更に結合した2価の連結基を挙げることができる。アルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基等を挙げることができる。シクロアルキレン基としては、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基等を挙げることができる。アルケニレン基としては、エテニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基等を挙げることができる。アリーレン基としては、フェニレン基、トリレン基、ナフチレン基等を挙げることができる。
【0061】
一般式(VIII)〜(XVII)に於いて、
R32、R33、R34、R41、R42、R43のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。
R25〜R30(R27a、R27b、R27cを含む。以下同様)、R31〜R35、R37、R38、R40〜R44のアルキル基として、好ましくは炭素数1〜5個のアルキル基(メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基等)を挙げることができる。
R25〜R30、R31、R35、R37、R38、R40、R44のシクロアルキル基として、好ましくは炭素数3〜10個のシクロアルキル基(シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロへキシル基、アダマンチル基等)を挙げることができる。
R31〜R35、R37、R40〜R44のアルコキシ基及びアルコキシカルボニル基に於けるアルコキシ基として、好ましくは炭素数1〜5個のアルコキシ基(メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、n−ブトキシ基等)を挙げることができる。
R31、R35、R37、R40、R44のアシル基として、好ましくは炭素数1〜12個のアシル基(アラルキルオキシ基、ホルミル基、アセチル基等)を挙げることができる。
R25〜R30、R38のアリール基としては、好ましくは炭素数6〜14個のアリール基(フェニル基、キシリル基、トルイル基、クメニル基、ナフチル基、アントラセニル基等)を挙げることができる。
R38のアラルキル基としては、好ましくは炭素数2〜12個のアラルキル基(ベンジル基、フェネチル基、クミル基等)を挙げることができる。
R39は、一般式(2d)に於けるRy1と同様のものである。
B1、B2、B3の2価の連結基としては、例えば、オキシ基、カルボニル基、置換基を有していてもよい、アルキレン基、シクロアルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基及びこれらを更に結合した2価の連結基を挙げることができる。アルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基等を挙げることができる。シクロアルキレン基としては、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基等を挙げることができる。アルケニレン基としては、エテニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基等を挙げることができる。アリーレン基としては、フェニレン基、トリレン基、ナフチレン基等を挙げることができる。
【0062】
(A)成分の樹脂は、上記共重合成分の繰り返し単位中に酸の作用により分解してアルカリ可溶性となる基をもつことにより、酸の作用によるアルカリ水溶液への溶解性の向上を更に増進させることができる。
酸の作用により分解しアルカリ可溶性となる基としては、例えば−O−C(R18d)(R18e)(R18f)、−O−C(R18d)(R18e)(OR18g)、−O−COO−C(R18d)(R18e)(R18f)、−O−C(R01)(R02)COO−C(R18d)(R18e)(R18f)、−COO−C(R18d)(R18e)(R18f)、−COO−C(R18d)(R18e)(OR18g)等が挙げられる。R18d〜R18gは、置換基を有していてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基もしくはアリール基を表す。R01、R02は、水素原子又は置換基を有していてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基もしくはアリール基を表す。R18d〜R18gの内の2つが結合して環を形成してもよい。
R18d〜R18g、R01〜R02のアルキル基として、好ましくは炭素数1〜5個のアルキル基(メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基等)を挙げることができる。
R18d〜R18g、R01〜R02のシクロアルキル基として、好ましくは炭素数3〜10個のシクロアルキル基(シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロへキシル基、アダマンチル基等)を挙げることができる。
R18d〜R18g、R01〜R02のアルケニル基として、好ましくは炭素数2〜4個のアルケニル基(ビニル基、プロペニル基、アリル基等)を挙げることができる。
R18d〜R18g、R01〜R02のアリール基としては、好ましくは炭素数6〜14個のアリール基(フェニル基、キシリル基、トルイル基、クメニル基、ナフチル基、アントラセニル基等)を挙げることができる。
R18d〜R18g、R01〜R02のアラルキル基としては、好ましくは炭素数2〜12個のアラルキル基(ベンジル基、フェネチル基、クミル基等)を挙げることができる。
酸の作用により分解してアルカリ可溶性となる基は、例えば、一般式(2a)に於ける−OR基、一般式(I)に於ける−OR4基、一般式(VI)に於ける−COOR18基、一般式(XI)に於ける−OR31基、一般式(XII)に於ける−OR35基、一般式(XIII)に於ける−OR37基、一般式(XVI)に於ける−COOR40基、一般式(XVII)に於ける−COOR44基等として形成することができる。
【0063】
以下に、一般式(2a)または(2a’)で表される繰り返し単位の具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。
【0064】
【化13】
【0065】
【化14】
【0066】
【化15】
【0067】
【化16】
【0068】
【化17】
【0069】
【化18】
【0070】
【化19】
【0071】
以下に、一般式(I)で表される繰り返し単位の具体例を示すが、本発明がこれに限定されるものではない。
【0072】
【化20】
【0073】
【化21】
【0074】
【化22】
【0075】
【化23】
【0076】
【化24】
【0077】
以下に、一般式(III)で表される繰り返し単位の具体例を示すが、本
発明がこれに限定されるものではない。
【0078】
【化25】
【0079】
以下に、一般式(VII)で表される繰り返し単位の具体例を示すが、本
発明がこれらに限定されるものではない。
【0080】
【化26】
【0081】
以下に、一般式(VIII)〜(XIII)で表される繰り返し単位の具体例を示すが、本発明がこれらに限定されるものではない。
【0082】
【化27】
【0083】
【化28】
【0084】
【化29】
【0085】
【化30】
【0086】
【化31】
【0087】
【化32】
【0088】
【化33】
【0089】
【化34】
【0090】
以下に、一般式(VI)及び(XVII)で表される繰り返し単位の具体例を示すが、本発明がこれらに限定されるものではない。
【0091】
【化35】
【0092】
【化36】
【0093】
【化37】
【0094】
【化38】
【0095】
【化39】
【0096】
【化40】
【0097】
【化41】
【0098】
【化42】
【0099】
【化43】
【0100】
一般式(XV)で表される繰り返し単位の具体例としては、例えば、ビニールエーテル類により形成される繰り返し単位を挙げることができる。
【0101】
本発明の樹脂(A)は、上記のような繰り返し単位以外にも、更に本発明の感光性樹脂の性能を向上させる目的で、他の重合性モノマーを共重合させても良い。
【0102】
使用することができる共重合モノマーとしては、以下に示すものが含まれる。例えば、上記以外のアクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリル酸エステル類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類、スチレン類、クロトン酸エステル類などから選ばれる付加重合性不飽和結合を1個有する化合物である。
【0103】
一般式(2d)で表される繰り返し単位の含量は、樹脂(A)中において、一般的に1〜100モル%、好ましくは3〜98モル%、更に好ましくは5〜95モル%の範囲で使用される。
一般式(2a)(2a’)、(I)、(VI)、(III)、(VII)、(VIII)〜(XVII)で表される繰り返し単位の含量は、樹脂(A)中において、一般的に1〜80モル%、好ましくは3〜70モル%、更に好ましくは5〜60モル%の範囲で使用される。
酸の作用により分解してアルカリ可溶性基となる基を有する繰り返し単位の含量は、樹脂(A)中において、一般的に1〜80モル%、好ましくは3〜70モル%、更に好ましくは5〜60モル%の範囲で使用される。
【0104】
上記具体例で表される繰り返し単位は、各々1種で使用しても良いし、複数を混合して用いても良い。
上記繰り返し単位を有する本発明の樹脂(A)の好ましい分子量は、重量平均で1,000〜200,000であり、更に好ましくは3,000〜200,000の範囲で使用される。最も好ましくは3,000より50,000である。分子量分布(分散度)は1〜10であり、好ましくは1〜3、更に好ましくは1〜2の範囲のものが使用される。最も好ましくは1〜1.7である。分子量分布の小さいものほど塗布性、感度、コントラストに優れる。本発明においては、分子量が1000以下の樹脂の割合が20質量%以下であることが好ましく、より好ましくは15質量%以下、さらに好ましくは10質量%以下である。また、樹脂(A)中の残存モノマーの割合は10質量%以下が好ましく、より好ましくは7質量%以下、さらに好ましくは5質量%以下である。
【0105】
本発明の樹脂(A)の添加量は組成物の全固形分を基準として、一般的に50〜99.5質量%、好ましくは60〜98質量%、更に好ましくは65〜95質量%の範囲で使用される。
【0106】
本発明に用いる酸分解性樹脂は、常法に従って(例えばラジカル重合)合成することができる。例えば、一般的合成方法としては、モノマー種を、一括であるいは反応途中で反応容器に仕込み、これを必要に応じ反応溶媒、例えばテトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、ジイソプロピルエーテルなどのエーテル類やメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンのようなケトン類、酢酸エチルのようなエステル溶媒、さらには後述のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートのような、各種モノマーを溶解させ得る溶媒に溶解させ均一とした後、窒素やアルゴンなど不活性ガス雰囲気下で必要に応じ加熱、市販のラジカル開始剤(アゾ系開始剤、パーオキサイドなど)を用いて重合を開始させる。所望により開始剤を追加、あるいは分割で添加し、反応終了後、溶剤に投入して粉体あるいは固形回収等の方法で所望のポリマーを回収する。反応の濃度は20質量%以上であり、好ましくは30質量%以上、さらに好ましくは40質量%以上である。反応温度は10℃〜150℃であり、好ましくは30℃〜120℃、さらに好ましくは50〜100℃である。尚、モノマーによってはアニオン重合を利用した場合により好適に合成できる。重合法については、日本化学会編「実験化学講座28、高分子合成」(丸善)、日本化学会編「新実験化学講座19、高分子化学」(丸善)に記載されている。
【0107】
本発明において、(A)成分の樹脂中に含まれるNa、K、Ca、Fe,Mg等のメタル成分は少量であることが好ましい。具体的には、樹脂中に含まれるメタル種含有量が各300ppb以下であることが好ましく、より好ましくは200ppb以下、さらに好ましくは100ppb以下である。
【0108】
本発明において、(A)成分の樹脂の酸価が0.05×10−3〜6.0×10−3mol/gであることが好ましい。より好ましくは0.1×10−3〜5.0×10−3mol/g、特に好ましくは0.2×10−3〜4.4×10−3mol/gである。ここで、酸化に影響を及ぼす酸基としては、一般式(Z)で表わされる基中のヒドロキシ基が挙げられる。
【0109】
[2](B)活性光線又は放射線の作用により酸を発生する化合物
本発明のポジ型レジスト組成物は、活性光線又は放射線、特にF2エキシマレーザー光の作用により、酸を発生する化合物を含有する。
【0110】
活性光線又は放射線の作用により、酸を発生する化合物は、一般に、活性光線又は放射線の作用により分解して酸を発生する化合物(光酸発生剤)として使用されているものから選択することができる。
即ち、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用されている公知の光(400〜200nmの紫外線、遠紫外線、特に好ましくは、g線、h線、i線、KrFエキシマレーザー光)、ArFエキシマレーザー光、F2エキシマレーザー光、電子線、X線、分子線又はイオンビームにより酸を発生する化合物及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することができる。
【0111】
このような化合物としては、たとえば S. I. Schlesinger, Photogr. Sci. Eng., 18, 387 (1974)、T. S. Bal et al, Polymer, 21, 423(1980)等に記載のジアゾニウム塩、米国特許第4,069,055号、同4,069,056号、同 Re 27,992号、特開平3−140140号等に記載のアンモニウム塩、D. C. Necker et al, Macromolecules, 17, 2468(1984)、C. S. Wen et al, Teh, Proc. Conf. Rad. Curing ASIA, p478 Tokyo,Oct(1988)、米国特許第4,069,055号、同4,069,056号等に記載のホスホニウム塩、J. V. Crivello et al, Macromorecules, 10(6), 1307(1977)、Chem.& Eng. News, Nov. 28, p31(1988)、欧州特許第104,143号、同339,049号、同第410,201号、特開平2−150848号、特開平2−296514 号等に記載のヨードニウム塩、J. V. Crivello et al, Polymer J. 17, 73(1985)、J. V. Crivello et al., J.Org. Chem., 43, 3055(1978)、W. R. Watt et al, J. Polymer Sci., Polymer Chem. Ed., 22, 1789(1984)、J. V. Crivello et al, Polymer Bull., 14, 279(1985)、J. V. Crivello et al, Macromorecules, 14(5), 1141(1981)、J. V. Crivello et al, J. Polymer Sci., Polymer Chem. Ed., 17, 2877(1979)、欧州特許第370,693号、同161,811号、同410,201号、同339,049号、同233,567号、同297,443号、同297,442号、米国特許第4,933,377号、同3,902,114号、同4,760,013号、同4,734,444号、同2,833,827号、獨国特許第2,904,626号、同3,604,580号、同3,604,581号等に記載のスルホニウム塩、J. V. Crivello et al, Macromorecules, 10(6), 1307(1977)、J. V. Crivello et al, J. Polymer Sci., Polymer Chem. Ed., 17, 1047(1979)等に記載のセレノニウム塩、C. S. Wen et al, Teh, Proc. Conf. Rad. Curing ASIA, p478 Tokyo, Oct(1988)等に記載のアルソニウム塩等のオニウム塩、米国特許第3,905,815号、特公昭46−4605号、特開昭48−36281号、特開昭55−32070号、特開昭60−239736号、特開昭61−169835号、特開昭61−169837号、特開昭62−58241号、特開昭62−212401号、特開昭63−70243号、特開昭63−298339号等に記載の有機ハロゲン化合物、K. Meier et al, J. Rad. Curing, 13(4), 26(1986)、T. P. Gill et al, Inorg. Chem., 19, 3007(1980)、D. Astruc,Acc. Chem. Res., 19(12), 377(1896)、特開平2−161445号等に記載の有機金属/有機ハロゲン化物、S. Hayase et al, J. Polymer Sci., 25, 753(1987)、E. Reichmanis et al, J. Pholymer Sci., Polymer Chem. Ed., 23, 1(1985)、Q. Q. Zhuetal, J. Photochem., 36, 85, 39, 317(1987)、B. Amit et al, Tetrahedron Lett.,(24)2205(1973)、D. H. R. Barton et al, J. Chem Soc., 3571(1965)、P. M. Collins et al, J. Chem. Soc., Perkin I, 1695(1975)、M. Rudinstein et al, Tetrahedron Lett., (17), 1445(1975)、J. W. Walker et al, J. Am. Chem. Soc., 110, 7170(1988)、S. C. Busman et al, J. Imaging Technol., 11(4), 191(1985)、H. M. Houlihan et al, Macromolecules, 21, 2001(1988)、P. M.Collins et al, J. Chem. Soc., Chem. Commun., 532(1972)、S. Hayase et al, Macromolecules, 18, 1799(1985)、E. Reichmanis et al, J. Electrochem. Soc., Solid State Sci. Technol., 130(6)、F. M. Houlihan et al, Macromolcules, 21,2001(1988)、欧州特許第0290,750号、同046,083号、同156,535号、同271,851号、同0,388,343号、米国特許第3,901,710号、同4,181,531号、特開昭60−198538号、特開昭53−133022号等に記載の0−ニトロベンジル型保護基を有する光酸発生剤、M.TUNOOKA et al, Polymer Preprints Japan, 35(8)、G. Berneret al, J. Rad. Curing, 13(4)、 W. J. Mijs et al, Coating Technol., 55(697),45(1983), Akzo、H. Adachi et al, Polymer Preprints, Japan, 37(3)、欧州特許第0199,672号、同84515号、同044,115号、同618,564号、同0101,122号、米国特許第4,371,605号、同4,431,774 号、特開昭64−18143号、特開平2−245756号、特開平3−140109号等に記載のイミノスルフォネ−ト等に代表される光分解してスルホン酸を発生する化合物、特開昭61−166544号等に記載のジスルホン化合物等を挙げることができる。
【0112】
本発明に於いては、(B)成分として、下記の4種類から選ばれる少なくとも2種類の化合物を使用することが好ましい。
(B1)活性光線又は放射線の作用により少なくとも1つのフッ素原子を有する脂肪族又は芳香族スルホン酸を発生する化合物、
(B2)活性光線又は放射線の作用によりフッ素原子をもたない脂肪族又は芳香族スルホン酸を発生する化合物、
(B3)活性光線又は放射線の作用により少なくとも1つのフッ素原子を有する脂肪族又は芳香族カルボン酸を発生する化合物及び
(B4)活性光線又は放射線の作用によりフッ素原子をもたない脂肪族又は芳香族カルボン酸を発生する化合物。
【0113】
(B1)成分及び(B2)成分の、脂肪族又は芳香族スルホン酸とは炭素数1〜20が好ましく、より好ましくは2〜16であり、更に好ましくは3〜12である。
【0114】
(B1)活性光線又は放射線の作用により少なくとも1つのフッ素原子を有する脂肪族又は芳香族スルホン酸を発生する化合物
【0115】
活性光線又は放射線の作用により少なくとも1つのフッ素を有する脂肪族又は芳香族スルホン酸を発生する化合物としては、例えば、下記の一般式(PAG3)で表されるヨードニウム塩、または一般式(PAG4)で表されるスルホニウム塩を挙げることができる。
【0116】
【化44】
【0117】
式中、Ar1、Ar2は、各々独立に、置換もしくは未置換のアリール基を示す。R203、R204、R205は、各々独立に、置換もしくは未置換のアルキル基、アリール基を示す。
Z−は、少なくとも1つのフッ素原子を有する脂肪族又は芳香族スルホン酸アニオンを示す。
またR203、R204、R205のうちの2つおよびAr1、Ar2はそれぞれの単結合または置換基を介して結合してもよい。
【0118】
Ar1、Ar2、R203、R204、R205としてのアリール基としては、好ましくは、炭素数6〜14のアリール基、アルキル基としては、好ましくは炭素数1〜8のアルキル基である。
好ましい置換基としては、アリール基に対しては炭素数1〜8のアルコキシ基、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数2〜9のアルコキシカルボニル基、炭素数2〜9のアルキルカルボニルアミノ基、ニトロ基、カルボキシル基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子及びフェニルチオ基であり、アルキル基に対しては炭素数1〜8のアルコキシ基、炭素数5〜14のアリール基、炭素数6〜15のアリールカルボニル基、カルボキシル基及びハロゲン原子を挙げることができる。
【0119】
Z−の脂肪族又は芳香族スルホン酸アニオンとしては、好ましくは、少なくとも1つのフッ素原子を有する炭素数1〜20の脂肪族スルホン酸アニオン及び炭素数5〜20の芳香族スルホン酸アニオンを挙げることができる。これらは置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、炭素数1〜10のフッ素置換していてもよいアルコキシ基、炭素数2〜11のフッ素置換していてもよいアルコキシカルボニル基、フェニルアミノ基、フェニルカルボニル基、ハロゲン原子、水酸基を挙げることができる。芳香族スルホン酸アニオンに対しては、さらに炭素数1〜15のアルキル基を挙げることができる。
【0120】
以下に具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
【0121】
【化45】
【0122】
【化46】
【0123】
【化47】
【0124】
【化48】
【0125】
【化49】
【0126】
【化50】
【0127】
【化51】
【0128】
【化52】
【0129】
【化53】
【0130】
【化54】
【0131】
【化55】
【0132】
【化56】
【0133】
【化57】
【0134】
【化58】
【0135】
【化59】
【0136】
【化60】
【0137】
【化61】
【0138】
【化62】
【0139】
【化63】
【0140】
【化64】
【0141】
【化65】
【0142】
【化66】
【0143】
【化67】
【0144】
【化68】
【0145】
【化69】
【0146】
【化70】
【0147】
【化71】
【0148】
【化72】
【0149】
(B2)活性光線又は放射線の作用により、フッ素原子をもたない脂肪族又は芳香族スルホン酸を発生する化合物
活性光線又は放射線の作用により、フッ素原子をもたない脂肪族又は芳香族スルホン酸を発生する化合物として、例えば、先の一般式(PAG3)及び(PAG4)において、Z−がフッ素原子をもたない脂肪族又は芳香族スルホン酸アニオンであるヨードニウム塩及びスルホニウム塩を挙げることができる。
【0150】
具体例としては以下に示す化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【0151】
【化73】
【0152】
【化74】
【0153】
【化75】
【0154】
【化76】
【0155】
【化77】
【0156】
【化78】
【0157】
【化79】
【0158】
【化80】
【0159】
【化81】
【0160】
【化82】
【0161】
上記(B1)及び(B2)で説明した化合物は、過ヨウ素酸塩を用いて芳香族化合物を反応させ、得られたヨードニウム塩を対応するスルホン酸に塩交換することにより合成可能である。
また、アリールマグネシウムブロミドなどのアリールグリニャール試薬と置換又は無置換のフェニルスルホキシドを反応させ、得られたトリアリールスルホニウムハライドを対応するスルホン酸と塩交換する方法で合成できる。また、置換又は無置換のフェニルスルホキシドと対応する芳香族化合物をメタンスルホン酸/五酸化二リンあるいは塩化アルミニウムなどの酸触媒を用いて縮合、塩交換する方法、ジアリールヨードニウム塩とジアリールスルフィドを酢酸銅などの触媒を用いて縮合、塩交換する方法などによって合成できる。
塩交換は、いったんハライド塩に導いた後に酸化銀などの銀試薬を用いてスルホン酸塩に変換する方法、あるいはイオン交換樹脂を用いることでも塩交換できる。また、塩交換に用いるスルホン酸あるいはスルホン酸塩は、市販のものを用いるか、あるいは市販のスルホン酸ハライドの加水分解などによって得ることができる。
【0162】
(B3)活性光線又は放射線の作用により、少なくとも1つのフッ素原子を有する脂肪族又は芳香族カルボン酸を発生する化合物
フッ素含有脂肪族カルボン酸としては、酢酸、プロピオン酸、n−酪酸、イソ酪酸、バレリアン酸、トリメチル酢酸、カプロン酸、ヘプタン酸、カプリル酸、ペラルゴン酸、カプリン酸、ラウリル酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、ウンデカン酸、ドデカン酸、トリデカン酸等の脂肪族カルボン酸のフッ素置換物が挙げられる。これらは、水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子を置換基として有していてもよい。また、その脂肪族鎖の中に酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、カルボキシル基、スルホニル基などの連結基を含んでいるものが好ましい。
【0163】
好ましいフッ素含有脂肪族カルボン酸として、下記の一般式で表されるものを挙げることができる。
L−(CH2)p(CF2)q(CH2)r−COOH
一般式中、Lは、水素原子又はフッ素原子を表す。p及びrは、各々独立に0〜15の整数、qは1〜15の整数を表す。この一般式におけるアルキル鎖の水素原子又はフッ素原子は、フッ素原子で置換されていてもよいアルキル基(好ましくは炭素数1〜5)、フッ素原子で置換されていてもよいアルコキシ基(好ましくは炭素数1〜5)、または、水酸基で置換されていてもよい。
上記フッ素含有脂肪族カルボン酸としては、好ましくはその炭素数が2〜20、より好ましくは4〜20である飽和脂肪族カルボン酸のフッ素置換物であることが好ましい。この炭素数を4個以上とすることで、発生するカルボン酸分解性の拡散性が低下し、露光から後加熱までの経時による線幅変化をより抑制できる。なかでも、炭素数4〜18個の直鎖又は分岐飽和脂肪族カルボン酸のフッ素置換物が好ましい。
【0164】
フッ素含有芳香族族カルボン酸としては、炭素数が7〜20、より好ましくは7〜15であり、更に好ましくは7〜11である芳香族カルボン酸のフッ素置換物であることが好ましい。具体的には、安息香酸、置換安息香酸、ナフトエ酸、置換ナフトエ酸、アントラセンカルボン酸、置換アントラセンカルボン酸(ここで、置換基としてはアルキル基、アルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、アリール基、アシル基、アシルオキシ基、ニトロ基、アルキルチオ基、アリールチオ基が挙げられる)等の芳香族カルボン酸のフッ素置換物が挙げられる。なかでも、安息香酸、置換安息香酸のフッ素置換物が好ましい。
【0165】
これらフッ素原子で置換された脂肪族若しくは芳香族カルボン酸は、カルボ
キシル基以外の骨格に存在する水素原子の1個以上がフッ素原子で置換されたものであり、特に好ましくはカルボキシル基以外の骨格に存在する水素原子すべてがフッ素原子で置換された脂肪族あるいは芳香族のカルボン酸(パーフルオロ飽和脂肪族カルボン酸あるいはパーフルオロ芳香族カルボン酸)である。これにより、感度が一層優れるようになる。
【0166】
好ましくは、上記のようなフッ素原子で置換された脂肪族若しくは芳香族カルボン酸のアニオンをカウンターアニオンとして有するオニウム塩化合物(スルホニウム塩、ヨードニウム塩等)、カルボン酸エステル基を有するイミドカルボキシレート化合物あるいはニトロベンジルエステル化合物等が挙げられる。
より好ましくは下記一般式(I)〜(III)で表される化合物が挙げられる。これにより、感度、解像力、露光マージンが一層優れるようになる。この化合物に活性光線または放射線を照射することより、下記一般式(I)〜(III)のX−に相当する少なくとも1つのフッ素原子で置換された飽和脂肪族あるいは芳香族のカルボン酸を発生し、光酸発生剤として機能する。
【0167】
【化83】
【0168】
(上記式中、R1 〜R37は、各々独立に、水素原子、直鎖、分岐あるいは環状アルキル基、直鎖、分岐あるいは環状アルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、または−S−R38基を表す。ここでR38は直鎖、分岐、環状アルキル基またはアリール基を表す。X−は、少なくとも1つのフッ素原子で置換された脂肪族あるいは芳香族のカルボン酸のアニオンである。)
X−は、好ましくはパーフルオロ脂肪族カルボン酸あるいはパーフルオロ芳香族カルボン酸のアニオンであり、特に好ましくは炭素数4個以上のフッ素置換アルキルカルボン酸のアニオンである。
【0169】
一般式(I)〜(III)における、R1〜R38の直鎖、分岐アルキル基としては、置換基を有してもよい、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基のような炭素数1〜4個のものが挙げられる。環状アルキル基としては、置換基を有してもよい、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基のような炭素数3〜8個のものが挙げられる。
R1〜R37のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、sec−ブトキシ基、t−ブトキシ基のような炭素数1〜4個のものが挙げられる。
R1〜R37のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。
R38のアリール基としては、フェニル基、トリル基、メトキシフェニル基、ナフチル基等の炭素数6〜14個のものが挙げられる。アリール基は置換基を有してもよい。
これらの置換基として好ましくは、炭素数1〜4個のアルコキシ基、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、沃素原子)、炭素数6〜10個のアリール基、炭素数2〜6個のアルケニル基、シアノ基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基、ニトロ基等が挙げられる。
【0170】
本発明で使用される一般式(I)〜(III)で表されるヨードニウム化合物あるいはスルホニウム化合物は、その対アニオンX−として、少なくとも1つのフッ素原子で置換された飽和脂肪族あるいは芳香族のカルボン酸のアニオンを有する。これらのアニオンは、該カルボン酸(−COOH)の水素原子が離脱したアニオン(−COO−)である。
【0171】
以下に、具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
一般式(I)で表される光酸発生剤の具体例:
【0172】
【化84】
【0173】
【化85】
【0174】
【化86】
【0175】
【化87】
【0176】
【化88】
【0177】
【化89】
【0178】
【化90】
【0179】
【化91】
【0180】
【化92】
【0181】
【化93】
【0182】
【化94】
【0183】
【化95】
【0184】
【化96】
【0185】
【化97】
【0186】
一般式(II)で表される光酸発生剤の具体例:
【0187】
【化98】
【0188】
【化99】
【0189】
【化100】
【0190】
【化101】
【0191】
【化102】
【0192】
【化103】
【0193】
【化104】
【0194】
【化105】
【0195】
【化106】
【0196】
【化107】
【0197】
【化108】
【0198】
【化109】
【0199】
【化110】
【0200】
【化111】
【0201】
【化112】
【0202】
【化113】
【0203】
【化114】
【0204】
【化115】
【0205】
【化116】
【0206】
【化117】
【0207】
【化118】
【0208】
【化119】
【0209】
一般式(III)で表される光酸発生剤の具体例:
【0210】
【化120】
【0211】
【化121】
【0212】
その他の光酸発生剤の具体例:
【0213】
【化122】
【0214】
【化123】
【0215】
上記一般式(I)で表される化合物は、過ヨウ素酸塩を用いて芳香族化合物を反応させ、得られたヨードニウム塩を対応するカルボン酸に塩交換することにより合成可能である。
一般式(II)、一般式(III)で表される化合物は、例えば、アリールマグネシウムブロミドなどのアリールグリニャール試薬と置換又は無置換のフェニルスルホキシドを反応させ、得られたトリアリールスルホニウムハライドを対応するカルボン酸と塩交換する方法で合成できる。また、置換又は無置換のフェニルスルホキシドと対応する芳香族化合物をメタンスルホン酸/五酸化二リンあるいは塩化アルミニウムなどの酸触媒を用いて縮合、塩交換する方法、ジアリールヨードニウム塩とジアリールスルフィドを酢酸銅などの触媒を用いて縮合、塩交換する方法などによって合成できる。
塩交換は、いったんハライド塩に導いた後に酸化銀などの銀試薬を用いてカルボン酸塩に変換する方法、あるいはイオン交換樹脂を用いることでも塩交換できる。また、塩交換に用いるカルボン酸あるいはカルボン酸塩は、市販のものを用いるか、あるいは市販のカルボン酸ハライドの加水分解などによって得ることができる。
【0216】
アニオン部分としてのフッ素置換されたカルボン酸は、テロメリゼーション法(テロマー法ともいわれる)もしくはオリゴメリゼーション法(オリゴマー法ともいわれる)により製造されたフルオロ脂肪族化合物から導かれるものを用いたものも好ましい。これらのフルオロ脂肪族化合物の製造法に関しては、例えば、「フッ素化合物の合成と機能」(監修:石川延男、発行:株式会社シーエムシー、1987)の117〜118ページや、「Chemistry of Organic Fluorine Compounds II」(Monograph 187,Ed by Milos Hudlicky and Attila E.Pavlath,American Chemical Society 1995)の747−752ページに記載されている。テロメリゼーション法とは、沃化物等の連鎖移動常数の大きいアルキルハライドをテローゲンとして、テトラフルオロエチレン等のフッ素含有ビニル化合物のラジカル重合を行い、テロマーを合成する方法である(Scheme−1に例を示した)。テロマー法による合成においては炭素鎖長の異なる複数の化合物の混合物が得られるが、これを混合物のまま使用してもよいし、精製して用いてもよい。
【0217】
(B4)活性光線又は放射線の作用により、フッ素原子をもたない脂肪族又は芳香族カルボン酸を発生する化合物
活性光線又は放射線の作用により、フッ素原子をもたない脂肪族又は芳香族カルボン酸を発生する化合物として、例えば、下記一般式(AI)〜(AV)で示される化合物を挙げることができる。
【0218】
【化124】
【0219】
上記式において、R301 〜R337は、各々独立に水素原子、直鎖、分岐あるいは環状アルキル基、直鎖、分岐あるいは環状アルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、または−S−R0基を表す。R0は直鎖、分岐、環状アルキル基またはアリール基を表す。
Ra、Rbは、各々独立に水素原子、ニトロ基、ハロゲン原子、置換基を有していてもよい、アルキル基、アルコキシ基を表す。Rc、Rdは、各々独立にハロゲン原子、置換基を有していてもよい、アルキル基又はアリール基を表す。RcとRdとが結合して芳香環、単環あるいは多環の環状炭化水素(これらの環内には酸素原子、窒素原子を含んでいてもよい)を形成してもよい。Y1、Y2は、炭素原子を表し、Y1−Y2結合は、単結合でも2重結合でもよい。上記X−は、下記式で示されるカルボン酸化合物がアニオンになったものを表す。X1、X2は、各々独立に、下記式で示されるカルボン酸化合物がカルボキシル基部分でエステル基となったものを表す。
【0220】
【化125】
【0221】
【化126】
【0222】
上記式中、R338は、炭素数1〜30の直鎖状、分岐状あるいは環状のアルキル基(ここで、アルキル基の鎖中に酸素原子、窒素原子を含んでいてもよい)、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルケニル基、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキニル基、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状あるいは環状のアルコキシル基、前記アルキル基の水素原子の少なくとも一部がハロゲン原子および/または水酸基で置換された基、前記アルケニル基の水素原子の少なくとも一部がハロゲン原子および/または水酸基で置換された基、あるいは炭素数6〜20の置換もしくは非置換のアリール基を示す。ここで、アリール基の置換基としてはアルキル基、ニトロ基、水酸基、アルコキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン原子を挙げることができる。
【0223】
R339は、単結合あるいは、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状あるいは環状のアルキレン基(ここで、アルキレン基の鎖中に酸素原子、窒素原子を含んでいてもよい)、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルケニレン基、前記アルキレン基の水素原子の少なくとも一部がハロゲン原子および/または水酸基で置換された基、前記アルケニレン基の水素原子の少なくとも一部がハロゲン原子で置換された基、あるいは炭素数2〜20のアルコキアルキレン基を示し、複数存在するR338、R339は相互に同一でも異なってもよい。
【0224】
R340は水酸基またはハロゲン原子を示し、複数存在するR340は相互に同一でも異なってもよい。m、n、pおよびqは各々独立に、0〜3の整数で、m+n≦5、p+q≦5である。zは0または1である。
【0225】
前記一般式(AI)〜(AV)における、R301〜R337、Ra、Rb、Rc、Rd、R0における直鎖、分岐アルキル基としては、置換基を有してもよい、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基のような炭素数1〜4個のものが挙げられる。環状アルキル基としては、置換基を有してもよい、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基のような炭素数3〜8個のものが挙げられる。
R301〜R337、Ra、Rbのアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、sec−ブトキシ基、t−ブトキシ基のような炭素数1〜4個のものが挙げられる。
R301〜R337、Ra、Rb、Rc、Rdのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。
R0、Rc、Rdのアリール基としては、フェニル基、トリル基、メトキシフェニル基、ナフチル基のような置換基を有してもよい炭素数6〜14個のものが挙げられる。
これらの置換基として好ましくは、炭素数1〜4個のアルコキシ基、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、沃素原子)、炭素数6〜10個のアリール基、炭素数2〜6個のアルケニル基、シアノ基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基、ニトロ基等が挙げられる。
【0226】
RcとRdとが結合して形成する、芳香環、単環あるいは多環の環状炭化水素(これらの環内には酸素原子、窒素原子を含んでいてもよい)としては、ベンゼン構造、ナフタレン構造、シクロヘキサン構造、ノルボルネン構造、オキサビシクロ構造等が挙げられる。
【0227】
本発明で使用される一般式(AI)〜(AIII)で表されるスルホニウム、ヨードニウム化合物は、その対アニオンX−として、上記式(C1)〜(C10)で示されるカルボン酸化合物のうち少なくとも1種の化合物のカルボキシル基(−COOH)がアニオン(−COO−)となったものを含む。
本発明で使用される一般式(AIV)〜(AV)で表される化合物は、置換基X1、X2として、上記式(C1)〜(C10)で示されるカルボン酸化合物のうち少なくとも1種の化合物のカルボキシル基(−COOH)がエステル基(−COO−)となった置換基を含む。
【0228】
R338における、炭素数1〜30の直鎖状、分岐状あるいは環状のアルキル基(ここで、アルキル基の鎖中に酸素原子、窒素原子を含んでいてもよい)としては、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、ドデシル、1−エトキシエチル、アダマンチル等が挙げられる。
炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルケニル基としては、エテニル、プロペニル、イソプロペニル、シクロヘキセン等が挙げられる。
炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキニル基としては、アセチレン、プロペニレン等が挙げられる。
炭素数1〜20の直鎖状、分岐状あるいは環状のアルコキシ基としては、メトキシ、エトキシ、プロピルオキシ、ブトキシ、シクロヘキシルオキシ、イソブトキシ、ドデシルオキシ等が挙げられる。
炭素数6〜20の置換もしくは非置換のアリール基としては、フェニル、ナフチル、アントラニル等が挙げられる。
アリール基の置換基としてはアルキル基、ニトロ基、水酸基、アルコキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン原子を挙げることができる。
【0229】
R339における、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状あるいは環状のアルキレン基(ここで、アルキレン基の鎖中に酸素原子、窒素原子を含んでいてもよい)、としては、メチレン、エチレン、プロピレン、ブチレン、イソブチレン、エトキシエチレン、シクロヘキシレン等が挙げられる。
炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルケニレン基としては、ビニレン、アリレン等が挙げられる。
【0230】
具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【0231】
【化127】
【0232】
【化128】
【0233】
【化129】
【0234】
【化130】
【0235】
【化131】
【0236】
【化132】
【0237】
【化133】
【0238】
【化134】
【0239】
【化135】
【0240】
【化136】
【0241】
【化137】
【0242】
【化138】
【0243】
【化139】
【0244】
【化140】
【0245】
上記光酸発生剤、すなわち一般式(AI)、一般式(AII)、一般式(AIII)で表される化合物は、米国特許第3,734,928号明細書に記載の方法、Macromolecules, vol. 10, 1307(1977), Journal of Organic Chemistry, vol. 55, 4222(1990), J. Radiat. Curing, vol. 5(1), 2(1978) に記載の方法などを用い、更にカウンターアニオンを交換することにより合成できる。一般式(AIV)、一般式(AV)で表される化合物は、N−ヒドロキシイミド化合物とカルボン酸クロリドを塩基性条件で反応させる、あるいはニトロベンジルアルコールとカルボン酸クロリドを塩基性条件下反応させることにより得られる。
【0246】
2種類以上の光酸発生剤を使用する場合に、最も少量使用する光酸発生剤の使用量は、光酸発生剤中で0.05質量%以上とすることが好ましい。
光酸発生剤の含有量は、組成物全固形分に対し、通常0.5〜20質量%、好ましくは0.75〜15質量%、より好ましくは1〜10質量%の範囲である。
【0247】
[3]溶剤(C成分)
本発明の組成物は、上記各成分を溶解する溶剤に溶かして支持体上に塗布する。ここで使用する溶剤としては、1−メトキシ−2−プロパノールアセテート(プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート)、1−メトキシ−2−プロパノール(プロピレングリコールモノメチルエーテル)、3−メトキシ−1−ブタノール、エチレンジクロライド、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、2−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、メチルエチルケトン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、2−メトキシエチルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、トルエン、酢酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、N−メチルピロリドン、テトラヒドロフラン等が好ましく、1−メトキシ−2−プロパノールアセテート、1−メトキシ−2−プロパノールが特に好ましい。これらの溶剤は、単独あるいは混合して使用される。混合して使用する場合、1−メトキシー2−プロパノールアセテートを含むもの、または1−メトキシ−2−プロパノールを含むものが好ましい。
本発明に於いては、少なくとも1つのフッ素原子を有する溶剤を好ましく使用することができる。
本発明に於いて、使用し得る少なくとも1つのフッ素原子を有する溶剤としては、沸点が80〜300℃で、更に酸素、窒素、硫黄等のヘテロ原子を有するものが好ましく、例えば、1H,1H,2H,3H,3H−パーフルオロウンデカン−1,2−ジオール、1H,1H,2H,3H,3H−パーフルオロノナン−1,2−ジオール、1H,1H,9H−パーフルオロ−1−ノナノール等のフッ素原子を有するアルコール類、2−フルオロアニソール、3−フルオロアニソール、4−フルオロアニソール、2、3−ジフルオロアニソール、2、4−ジフルオロアニソール、2、5−ジフルオロアニソール等のフッ素原子を有するエーテル類、トリフルオロ酢酸ブチル、3−トリフルオロメトキシプロピオン酸メチル、2,2,2−トリフルオロエチルブチレート、エチルヘプタフルオロブチルアセテート、エチル−2−メチル−4,4,4−トリフルオロアセトアセテート、エチル−4,4,4−トリフルオロアセトアセテート、エチル−4,4,4−トリフルオロブチレート、イソプロピル−4,4,4−トリフルオロアセトアセテート、パーフルオロ(2,5−ジメチル−3,6−ジオキサンアニオニック)酸メチルエステル、パーフルオロ−2,5,8−トリメチル−3,6,9−トリオキサドデカン酸メチルエステル、エチルペンタフルオロベンゾエート、メチルパーフルオロデナノエート等のフッ素原子を有するエステル類、プロピレングリコールトリフルオロメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールメチルエーテルトリフルオロメチルアセテート等のフッ素原子を有するエーテル・エステル類、トリフルオロアセトアミド、2,4−ジフルオロトルエン、1,1,1,2,2,3,3−ヘプタフルオロ−7,7−ジメチル−4,6−オクタジオン、1,1,1,6,6,6−ヘキサフルオロ−2,4−ヘキサンジオン、2H−パーフルオロ−5,8,11,14−テトラメチル−3,6,9,12,15−ペンタオキサオクタデカン、パーフルオロ(1,3−ジメチルシクロヘキサン)などが挙げられ、これらの1種を単独で又は2種以上を混合して使用することができるが、これらに限定されるものではない。
【0248】
[4](D)フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤
本発明のポジ型レジスト組成物は、更に、(D)フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤(フッ素系界面活性剤及びシリコン系界面活性剤、フッ素原子と珪素原子の両方を含有する界面活性剤)のいずれか、あるいは2種以上を含有することが好ましい。
本発明のポジ型レジスト組成物が上記(D)界面活性剤を含有することにより、250nm以下、特に220nm以下の露光光源の使用時に、良好な感度及び解像度で、密着性及び現像欠陥の少ないレジストパターンを与えることが可能となる。
これらの(D)界面活性剤として、例えば特開昭62−36663号公報、特開昭61−226746号公報、特開昭61−226745号公報、特開昭62−170950号公報、特開昭63−34540号公報、特開平7−230165号公報、特開平8−62834号公報、特開平9−54432号公報、特開平9−5988号公報、特開2002−277862号公報、米国特許第5405720号明細書、同5360692号明細書、同5529881号明細書、同5296330号明細書、同5436098号明細書、同5576143号明細書、同 5294511号明細書、同5824451号明細書記載の界面活性剤を挙げることができ、下記市販の界面活性剤をそのまま用いることもできる。
使用できる市販の界面活性剤として、例えばエフトップEF301、EF303、(新秋田化成(株)製)、フロラードFC430、431(住友スリーエム(株)製)、メガファックF171、F173、F176、F189、R08(大日本インキ化学工業(株)製)、サーフロンS−382、SC101、102、103、104、105、106(旭硝子(株)製)、トロイゾルS−366(トロイケミカル(株)製)等のフッ素系界面活性剤又はシリコン系界面活性剤を挙げることができる。またポリシロキサンポリマーKP−341(信越化学工業(株)製)もシリコン系界面活性剤として用いることができる。
【0249】
また、界面活性剤としては、上記に示すような公知のものの他に、テロメリゼーション法(テロマー法ともいわれる)もしくはオリゴメリゼーション法(オリゴマー法ともいわれる)により製造されたフルオロ脂肪族化合物から導かれたフルオロ脂肪族基を有する重合体を用いた界面活性剤を用いることが出来る。フルオロ脂肪族化合物は、特開2002−90991号公報に記載された方法によって合成することが出来る。
フルオロ脂肪族基を有する重合体としては、フルオロ脂肪族基を有するモノマーと(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート及び/又は(ポリ(オキシアルキレン))メタクリレートとの共重合体が好ましく、不規則に分布しているものでも、ブロック共重合していてもよい。また、ポリ(オキシアルキレン)基としては、ポリ(オキシエチレン)基、ポリ(オキシプロピレン)基、ポリ(オキシブチレン)基などが挙げられ、また、ポリ(オキシエチレンとオキシプロピレンとオキシエチレンとのブロック連結体)やポリ(オキシエチレンとオキシプロピレンとのブロック連結体)基など同じ鎖長内に異なる鎖長のアルキレンを有するようなユニットでもよい。さらに、フルオロ脂肪族基を有するモノマーと(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体は2元共重合体ばかりでなく、異なる2種以上のフルオロ脂肪族基を有するモノマーや、異なる2種以上の(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート(又はメタクリレート)などを同時に共重合した3元系以上の共重合体でもよい。
例えば、市販の界面活性剤として、メガファックF178、F−470、F−473、F−475、F−476、F−472(大日本インキ化学工業(株)製)を挙げることができる。さらに、C6F13基を有するアクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体、C6F13基を有するアクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシエチレン))アクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシプロピレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体、C8F17基を有するアクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体、C8F17基を有するアクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシエチレン))アクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシプロピレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体、などを挙げることができる。
【0250】
(D)界面活性剤の使用量は、ポジ型レジスト組成物全量(溶剤を除く)に対して、好ましくは0.0001〜2質量%、より好ましくは0.001〜1質量%である。
【0251】
[5]酸拡散抑制剤(E)
本発明のポジ型レジス組成物には、活性光線又は放射線の照射後、加熱処理までの経時による性能変動(パターンのT−top形状形成、感度変動、パターン線幅変動等)や塗布後の経時による性能変動、更には活性光線又は放射線の照射後、加熱処理時の酸の過剰な拡散(解像度の劣化)を防止する目的で、酸拡散抑制剤を添加することが好ましい。酸拡散抑制剤としては、有機塩基性化合物であり、例えば塩基性窒素を含有する有機塩基化合物であり、共役酸のpKa値で4以上の化合物が好ましく使用される。
具体的には下記式(A)〜(E)の構造を挙げることができる。
【0252】
【化141】
【0253】
ここで、R250 、R251 及びR252 は、同一でも異なってもよく、水素原子、炭素数1〜6個のアルキル基、炭素数1〜6個のアミノアルキル基、炭素数1〜6個のヒドロキシアルキル基又は炭素数6〜20個の置換もしくは非置換のアリール基を表し、ここで、R251とR252は、互いに結合して環を形成してもよい。R253 、R254 、R255 及びR256 は、同一でも異なってもよく、炭素数1〜6個のアルキル基を表す。
更に好ましい化合物は、一分子中に異なる化学的環境の窒素原子を2個以上有する含窒素塩基性化合物であり、特に好ましくは、置換もしくは未置換のアミノ基と窒素原子を含む環構造の両方を含む化合物もしくはアルキルアミノ基を有する化合物である。
【0254】
好ましい具体例としては、置換もしくは未置換のグアニジン、置換もしくは未置換のアミノピリジン、置換もしくは未置換のアミノアルキルピリジン、置換もしくは未置換のアミノピロリジン、置換もしくは未置換のインダゾール、イミダゾール、置換もしくは未置換のピラゾール、置換もしくは未置換のピラジン、置換もしくは未置換のピリミジン、置換もしくは未置換のプリン、置換もしくは未置換のイミダゾリン、置換もしくは未置換のピラゾリン、置換もしくは未置換のピペラジン、置換もしくは未置換のアミノモルフォリン、置換もしくは未置換のアミノアルキルモルフォリン等が挙げられる。好ましい置換基は、アミノ基、アミノアルキル基、アルキルアミノ基、アミノアリール基、アリールアミノ基、アルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ニトロ基、水酸基、シアノ基である。
【0255】
特に好ましい化合物として、グアニジン、1,1−ジメチルグアニジン、1,1,3,3,−テトラメチルグアニジン、イミダゾール、2−メチルイミダゾール、4−メチルイミダゾール、N−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、4,5−ジフェニルイミダゾール、2,4,5−トリフェニルイミダゾール、2−アミノピリジン、3−アミノピリジン、4−アミノピリジン、2−ジメチルアミノピリジン、4−ジメチルアミノピリジン、2−ジエチルアミノピリジン、2−(アミノメチル)ピリジン、2−アミノ−3−メチルピリジン、2−アミノ−4−メチルピリジン、2−アミノ−5−メチルピリジン、2−アミノ−6−メチルピリジン、3−アミノエチルピリジン、4−アミノエチルピリジン、
【0256】
3−アミノピロリジン、ピペラジン、N−(2−アミノエチル)ピペラジン、N−(2−アミノエチル)ピペリジン、4−アミノ−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン、4−ピペリジノピペリジン、2−イミノピペリジン、1−(2−アミノエチル)ピロリジン、ピラゾール、3−アミノ−5−メチルピラゾール、5−アミノ−3−メチル−1−p−トリルピラゾール、ピラジン、2−(アミノメチル)−5−メチルピラジン、ピリミジン、2,4−ジアミノピリミジン、4,6−ジヒドロキシピリミジン、2−ピラゾリン、3−ピラゾリン、N−アミノモルフォリン、N−(2−アミノエチル)モルフォリンなどが挙げられるがこれに限定されるものではない。
これらの含窒素塩基性化合物は、単独であるいは2種以上一緒に用いられる。
【0257】
酸発生剤と有機塩基性化合物の組成物中の使用割合は、(酸発生剤)/(有機塩基性化合物)(モル比)=2.5〜300であることが好ましい。該モル比が2.5未満では低感度となり、解像力が低下する場合があり、また、300を越えると露光後加熱処理までの経時でレジストパターンの太りが大きくなり、解像力も低下する場合がある。(酸発生剤)/(有機塩基性化合物)(モル比)は、好ましくは5.0〜200、更に好ましくは7.0〜150である。
【0258】
[6]非ポリマー型溶解抑止剤(X)
本発明のポジ型レジスト組成物には、さらに非ポリマー型溶解抑止剤を含有することが好ましい。ここで、非ポリマー型溶解抑止剤とは、3000以下の分子量を有する化合物に少なくとも2つ以上の酸分解性基が存在し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する化合物のことである。特に、母核中にフッ素原子が置換しているのが透明性の観点から好ましい。
添加量は、組成物中のポリマーに対して3〜50質量%が好ましく、より好ましくは5〜40質量%、さらに好ましくは7〜30質量%である。(X)成分を添加することにより感度、コンラストがさらに向上する。
【0259】
以下に、(X)成分の具体例を以下に示すが、本発明はこれら具体例に限定されるものではない。
【0260】
【化142】
【0261】
[7]両性イオン化合物(Y)
本発明のポジ型レジスト組成物には、さらに両性イオン化合物を含有することが好ましい。ここで、両性イオン化合物とは1分子中にカチオン部とアニオン部を同時に含む化合物を示す。具体的にはアラニン、フェニルアラニン、アスパラギン、グリシン、バリンなどのアミノ酸の両性イオンが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
添加量は、光酸発生剤に対して3〜70モル%が好ましく、より好ましくは5〜50モル%、さらに好ましくは7〜40モル%である。(Y)成分を添加することにより感度、コントラストがさらに向上する。
【0262】
精密集積回路素子の製造などにおいてレジスト膜上へのパターン形成工程は、基板(例:シリコン/二酸化シリコン皮覆、ガラス基板、ITO基板等の透明基板等)上に、本発明の感光性樹脂組成物を塗布し、次に活性光線又は放射線描画装置を用いて照射を行い、加熱、現像、リンス、乾燥することにより良好なレジストパターンを形成することができる。
【0263】
本発明のポジ型レジスト組成物の現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n−プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノーアミン等のアルコ−ルアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリン等の第四級アンモニウム塩、ピロール、ピペリジン等の環状アミン類、等のアルカリ類の水溶液を使用することができる。更に、上記アルカリ類の水溶液にイソプロピルアルコール等のアルコール類、ノニオン系等の界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。
これらの現像液の中で好ましくは第四アンモニウム塩、更に好ましくは、テトラメチルアンモニウムヒドロオキシド、コリンである。
アルカリ水溶液中のアルカリ濃度は、通常0.1〜20質量%、好ましくは0.2〜15質量%、更に好ましくは0.5〜10質量%である。
アルカリ水溶液のpHは、通常10〜15、好ましくは10.5〜14.5、更に好ましくは11〜14である。
【0264】
【実施例】
以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明の内容がこれにより限定されるものではない。
【0265】
<樹脂の合成>
合成例1(樹脂(1)の合成)
1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−(3−{2,2,2−トリフルオロ−1−トリフルオロメチル−1−[2−(1−トリフルオロメチル−ビニロキシ)−エトキシ]−エチル}−アダマンタン−1−オル)−プロパン−2−オル53.83g(0.1mol)と、2−メチル−アクリル酸−5−(2−ターシャリブトキシカルボニルメトキシ−3,3,3−トリフルオロ−2−トリフルオロメチル−プロピル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−オルエステル47.44g(0.1mol)をテトラヒドロフラン70gに溶解し、反応系中を窒素置換した後、重合開始剤AIBNを0.99g(0.006mol)を添加し、反応系中に窒素を流しながら65℃で8時間加熱した。その後室温まで冷却し、反応溶液をヘキサン1.5L中に滴下した。濾過により粉体を取り出して100℃で減圧乾燥し、39.49gの粉体を得た(収率39%)。得られた粉体のゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)測定による重量平均分子量は15300、分散度は1.62であった。また、13C−NMR解析による繰り返し単位(IV−1)/繰り返し単位(F−33)のモル比は31/69であった。
加えるモノマーを変更する以外は同様の方法で、樹脂(2)〜(8)を得た。各樹脂の繰り返し単位、モル比、重量平均分子量分子量、分散度を下記表1に示す。
【0266】
【表1】
【0267】
実施例1〜8及び比較例1〜2
<ポジ型レジスト組成物の調製>
下記表2に示す、
樹脂(1.8g)、
光酸発生剤(配合量は表2に示す)、
有機塩基性化合物(0.2g)、
を配合し、固形分8質量%となるように表2に示す溶剤に溶解した後、0.1μmのミクロフィルターで濾過し、実施例1〜8及び比較例1〜2のポジ型レジスト液を調製した。尚、表2における各成分について複数使用の際の比率は質量比である。
【0268】
【表2】
【0269】
以下、表2中の各成分を示す。
〔樹脂〕
比較樹脂(B−1):繰り返し単位(B−1)から成るホモポリマー
重量平均分子量 8,000
比較樹脂(1):以下の構造である。
重量平均分子量 8,400
【0270】
【化143】
【0271】
〔光酸発生剤〕
以下の通りである。
【0272】
【化144】
【0273】
〔有機塩基性化合物〕
1:1,5−ジアザビシクロ〔4.3.0〕−5−ノネン(DBN)
2:トリオクチルアミン
【0274】
〔溶剤〕
S1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
S2:プロピレングリコールモノメチルエーテル
S3:乳酸エチル
S4:プロピオンカーボネート
【0275】
<性能評価>
上記のように調製したポジ型レジスト液をスピンコータを利用して反射防止膜(DUV42−6 BrewerScience.Inc.製)を塗布したシリコンウエハー上に均一に塗布し、120℃60秒間加熱乾燥を行い、膜厚0.1μmのポジ型レジスト膜を形成した。このレジスト膜に対し、KrFマイクロステッパーを用いラインアンドスペース用マスク(ライン幅150nm、ライン/スペース=1:1)を使用してパターン露光し、露光後すぐに110℃90秒間ホットプレート上で加熱した。更に2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド水溶液で23℃にて30秒間現像し、30秒間純水にてリンスした後、乾燥した。このようにして得られたシリコンウエハー上のパターンにつき下記の方法でレジスト性能を評価した。
上記のようにして得られたレジストパターンについて、ケーエルエー・テンコール社製のKLA−2112機により現像欠陥数を測定し、得られた1次データ値を測定結果とした。結果を下記表3に示す。
【0276】
【表3】
【0277】
表3から、本発明のポジ型レジスト組成物は、現像欠陥が少ないことがわかる。
【0278】
【発明の効果】
本発明により、現像欠陥の少ないポジ型レジスト組成物を提供することができる。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a positive resist composition suitably used in microlithography processes such as the production of VLSI and high-capacity microchips, and other photofabrication processes. More specifically, the present invention relates to a positive resist composition capable of forming a highly refined pattern using vacuum ultraviolet light of 160 nm or less.
[0002]
[Prior art]
Integrated circuits have been increasingly integrated, and in manufacturing semiconductor substrates such as VLSI, processing of ultrafine patterns having a line width of less than a quarter micron has been required. As one of means for miniaturizing a pattern, it is known to shorten the wavelength of an exposure light source used in forming a resist pattern.
[0003]
For example, in the production of a semiconductor device having a degree of integration up to 64 Mbits, i-line (365 nm) of a high-pressure mercury lamp has been used as a light source until now. As a positive resist corresponding to this light source, a number of compositions containing a novolak resin and a naphthoquinonediazide compound as a photosensitive material have been developed, and have achieved sufficient results in processing line widths of up to about 0.3 μm. . Further, in the manufacture of a semiconductor device having an integration degree of 256 Mbit or more, KrF excimer laser light (248 nm) has been adopted as an exposure light source instead of i-line.
In addition, for the purpose of manufacturing semiconductors with a degree of integration of 1 Gbit or more, the use of ArF excimer laser light (193 nm), which is a light source with a shorter wavelength in recent years, and F2 excimer laser light (to form a pattern of 0.1 μm or less) 157 nm) is under consideration.
[0004]
In accordance with the shortening of the wavelength of these light sources, the constituent components of the resist material and the compound structure thereof have also changed greatly.
As a resist composition for exposure with KrF excimer laser light, a resin mainly composed of poly (hydroxystyrene) having a low absorption in the 248 nm region and protected with an acid-decomposable group is used as a main component. Compositions combining so-called generated compounds (photoacid generators), so-called chemically amplified resists, have been developed.
[0005]
Further, as a resist composition for ArF excimer laser light (193 nm) exposure, there is a chemically amplified resist using an acid-decomposable resin in which an alicyclic structure having no absorption at 193 nm is introduced into the main chain or side chain of a polymer. It has been developed. For example, Patent Document 1 (Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-201219) and Patent Document 2 (International Publication No. 02/36646 pamphlet) disclose resist compositions containing a resin having a specific alicyclic structure. Yes.
[0006]
F2With respect to excimer laser light (157 nm), the above alicyclic resin also has a large absorption in the 157 nm region, and it has been found that this is insufficient to obtain the target pattern of 0.1 μm or less. Non-Patent Document 1 (Proc. SPIE. Vol. 3678.13 (1999)) reported that a resin into which a fluorine atom (perfluoro structure) was introduced has sufficient transparency at 157 nm. Non-Patent Document 2 (Proc. SPIE. Vol. 3999. 330 (2000)), Non-Patent Document 3 (357 (2000)), Non-Patent Document 4 (365 (2000)), Proposed in Patent Document 3 (WO 00/17712 pamphlet) and the like, a resist composition containing a fluorine-containing resin has been studied. .
[0007]
However, these resists have been desired to suppress development defects.
[0008]
[Patent Document 1]
JP 2002-201219 A
[Patent Document 2]
International Publication No. 02/36646 Pamphlet
[Non-Patent Document 1]
“Pros SPIE”, Volume 3678, page 13, 1999 (Proc. SPIE. Vol. 3678.13 (1999))
[Non-Patent Document 2]
“Pros SPII”, 3999, 330, 2000 (Proc. SPIE. Vol. 3999. 330 (2000)
[Non-Patent Document 3]
“Pros. SPII”, 3999, 357, 2000 (Proc. SPIE. Vol. 3999. 357 (2000)
[Non-Patent Document 4]
"Pros SP I.", 3999, 365, 2000 (Proc. SPIE. Vol. 3999. 365 (2000)
[Patent Document 3]
International Publication No. 00/17712 Pamphlet
[0009]
[Problems to be solved by the invention]
Therefore, the object of the present invention is 160 nm or less, particularly F2The present invention provides a positive resist composition suitable for use with an exposure light source of excimer laser light (157 nm). Specifically, the positive resist composition exhibits sufficient transparency when a light source of 157 nm is used, and development defects are suppressed. Providing a mold resist composition.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
As a result of intensive investigations while paying attention to the above characteristics, the present inventors have found that the object of the present invention can be achieved by using the following specific composition, and have reached the present invention.
That is, the present invention has the following configuration.
[0011]
(1) (A) A resin having a repeating unit represented by the following general formula (2d), the solubility of which is improved in an alkaline aqueous solution by the action of an acid,
(B) a compound that generates an acid by the action of actinic rays or radiation, and
(C) Solvent
A positive resist composition comprising:
[0012]
[Chemical 2]
[0013]
In general formula (2d),
Rx1And Ry1Each independently represents a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group or an alkyl group.
R50~ R55Each independently represents a hydrogen atom, a fluorine atom or an alkyl group. However, R50~ R55At least one of represents a fluorine atom or an alkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom.
R represents a hydrogen atom or an organic group.
R 'represents a hydrogen atom or an organic group.
A represents —O— or —O—R.60Represents a divalent linking group represented by -O-. R60Represents an alkylene group.
p represents 0 or an integer of 1 to 3.
q represents 0 or 1;
r represents 0 or 1;
However, p + q is an integer of 1 or more.
When p + q is an integer of 2 or more, there are 2 or more R50~ R55May be the same or different.
When p is an integer of 2 or more, two or more Rs may be the same or different.
[0014]
The preferred embodiments of the present invention will be further described below.
(2) In the general formula (2d), Ry1But CF3The positive resist composition as described in (1), which is a group.
[0015]
(3) The positive resist composition as described in (1) or (2), which contains at least two types of compounds selected from the following four types as the component (B).
(B1) a compound that generates an aliphatic or aromatic sulfonic acid having at least one fluorine atom by the action of actinic rays or radiation,
(B2) a compound that generates an aliphatic or aromatic sulfonic acid having no fluorine atom by the action of actinic rays or radiation,
(B3) a compound that generates an aliphatic or aromatic carboxylic acid having at least one fluorine atom by the action of actinic rays or radiation, and
(B4) A compound that generates an aliphatic or aromatic carboxylic acid having no fluorine atom by the action of actinic rays or radiation.
[0016]
(4) The positive resist composition as described in any one of (1) to (3), further comprising a fluorine-based and / or silicon-based surfactant.
[0017]
(5) The positive resist composition as described in any one of (1) to (4), further comprising a nitrogen-containing basic compound as an acid diffusion inhibitor.
[0018]
(6) The positive resist composition as described in any one of (1) to (5), which further contains a zwitterionic compound.
[0019]
(7) The positive resist composition as described in any one of (1) to (6), which contains at least one solvent having at least one fluorine atom as the component (C).
[0020]
(8) The positive resist composition as described in any one of (1) to (7), wherein the metal content in the resin of component (A) is 100 ppb or less for each metal atom.
[0021]
(9) The acid value of the resin of component (A) is 0.2 × 10-3~ 4.4 × 10-3The positive resist composition as described in any one of (1) to (8), which is mol / g.
[0022]
(10) The positive resist composition as described in any one of (1) to (9), wherein the resin (A) has a weight average molecular weight of 3000 to 50000.
[0023]
(11) The positive resist composition as described in any one of (1) to (10) above, wherein the resin (A) component has a dispersity of 1.7 or less.
[0024]
(12) The positive resist composition as described in any one of (1) to (11), wherein the ratio of the residual monomer in the resin as the component (A) is 5% by mass or less.
[0025]
(13) The positive resist composition as described in any one of (1) to (12), wherein the ratio of the resin having a molecular weight of 1000 or less is 10% by mass or less in the resin of component (A).
[0026]
(14) F with a wavelength of 157 nm2The positive resist composition as described in any one of (1) to (13), which is for irradiation with a laser beam.
[0027]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
[1] (A) Resin having a repeating unit represented by the general formula (2d), whose solubility in an alkaline aqueous solution is improved by the action of an acid
The positive resist composition of the present invention is a resin having a repeating unit represented by the general formula (2d), whose solubility in an alkaline aqueous solution is improved by the action of an acid (also referred to as “resin of component (A)”). Containing.
[0028]
In general formula (2d), Rx1And Ry1Each independently represents a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group or an alkyl group. R50~ R55Each independently represents a hydrogen atom, a fluorine atom or an alkyl group. However, R50~ R55At least one of represents a fluorine atom or an alkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom. R represents a hydrogen atom or an organic group. R 'represents a hydrogen atom or an organic group. A represents —O— or —O—R.60Represents a divalent linking group represented by -O-. R60Represents an alkylene group. p represents 0 or an integer of 1 to 3. q represents 0 or 1; r represents 0 or 1; However, p + q is an integer of 1 or more. When p + q is an integer of 2 or more, there are 2 or more R50~ R55May be the same or different. When p is an integer of 2 or more, two or more Rs may be the same or different.
[0029]
Rx1, Ry1And R50~ R55The alkyl group may be substituted with a halogen atom such as a fluorine atom, a cyano group or the like, and preferably an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, for example, a methyl group or a trifluoromethyl group.
[0030]
R50~ R55Is preferably a fluorine atom.
[0031]
Rx1And Ry1Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom.
[0032]
As the organic group represented by R and R ′, an alkyl group, a cycloalkyl group, an acyl group, an alkylcarbonyl group, an alkoxycarbonyl group, an alkoxycarbonylmethyl group, an alkoxymethyl group, which may have a substituent, 1- An alkoxyethyl group is preferred.
[0033]
Examples of the alkyl group as the organic group represented by R and R ′ and the alkyl group in the alkylcarbonyl group include linear and branched alkyl groups, such as an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms. Specifically, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, a hexyl group, a 2-ethylhexyl group, and an octyl group can be preferably exemplified.
The cycloalkyl group as the organic group represented by R and R ′ may be monocyclic or polycyclic. The monocyclic type has 3 to 8 carbon atoms, and preferred examples include a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, and a cyclooctyl group. The polycyclic type has 6 to 20 carbon atoms, such as an adamantyl group, norbornyl group, isobornyl group, campanyl group, dicyclopentyl group, α-pinel group, tricyclodecanyl group, tetracyclododecyl group, An androstanyl group etc. can be mentioned preferably. The cycloalkyl group includes a group in which a part of carbon atoms constituting the ring is substituted with a hetero atom such as an oxygen atom, a sulfur atom or a nitrogen atom.
Examples of the acyl group as the organic group represented by R and R ′ include an acyl group having 1 to 10 carbon atoms, and specifically include a formyl group, an acetyl group, a propanoyl group, a butanoyl group, a pivaloyl group, and an octanoyl group. Preferred examples include groups and benzoyl groups.
The alkoxy group in the alkoxycarbonyl group, alkoxycarbonylmethyl group, alkoxymethyl group, and 1-alkoxyethyl group as the organic group represented by R and R ′ is, for example, an alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, Specifically, methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, iso-propoxy group, butoxy group, pentoxy group, allyloxy group, octoxy group and the like can be preferably exemplified.
[0034]
Examples of the substituent which the alkyl group as the organic group represented by R and R ′ may have include those having active hydrogen such as amino group, amide group, hydroxyl group, carboxyl group, and halogen atoms (fluorine atoms). , Chlorine atom, bromine atom, iodine atom), alkoxy group (methoxy group, ethoxy group, propoxy group, butoxy group, etc.), thioether group, acyl group (acetyl group, propanoyl group, benzoyl group, etc.), acyloxy group (acetoxy group) , Propanoyloxy group, benzoyloxy group, etc.), alkoxycarbonyl group (methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, propoxycarbonyl group, etc.), alkyl group (methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group), cycloalkyl group ( Cyclohexyl group), aryl group (phenyl group), cyano group, nitro group, etc. It is below.
[0035]
R in A60The alkylene group is preferably an alkylene group having 1 to 8 carbon atoms, and examples thereof include a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a butylene group, a hexylene group, and an octylene group. R60The alkylene group may not have a substituent or may have a substituent. R60Examples of the substituent that the alkylene group may have include a halogen atom such as a fluorine atom and a cyano group.
[0036]
The resin of the component (A) has a group that decomposes by the action of an acid and becomes alkali-soluble inside the repeating unit represented by the general formula (2d) or other repeating units, thereby allowing an alkali by the action of an acid. Solubility in aqueous solution is improved.
Examples of the group that is decomposed by the action of an acid and becomes alkali-soluble include, for example, —O—C (R18d) (R18e) (R18f), -O-C (R18d) (R18e) (OR18g), -O-COO-C (R18d) (R18e) (R18f), -O-C (R01) (R02) COO-C (R18d) (R18e) (R18f), -COO-C (R18d) (R18e) (R18f), -COO-C (R18d) (R18e) (OR18g) And the like. R18d~ R18gRepresents an alkyl group, cycloalkyl group, alkenyl group, aralkyl group or aryl group which may have a substituent. R01, R02Represents a hydrogen atom or an optionally substituted alkyl group, cycloalkyl group, alkenyl group, aralkyl group or aryl group. R18d~ R18gTwo of these may combine to form a ring.
R18d~ R18g, R01~ R02Preferred examples of the alkyl group include alkyl groups having 1 to 5 carbon atoms (methyl group, ethyl group, propyl group, n-butyl group, sec-butyl group, t-butyl group, etc.).
R18d~ R18g, R01~ R02Preferred examples of the cycloalkyl group include cycloalkyl groups having 3 to 10 carbon atoms (cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclohexyl group, adamantyl group and the like).
R18d~ R18g, R01~ R02Preferred examples of the alkenyl group include alkenyl groups having 2 to 4 carbon atoms (vinyl group, propenyl group, allyl group, etc.).
R18d~ R18g, R01~ R02Preferred examples of the aryl group include aryl groups having 6 to 14 carbon atoms (phenyl group, xylyl group, toluyl group, cumenyl group, naphthyl group, anthracenyl group, etc.).
R18d~ R18g, R01~ R02Preferred examples of the aralkyl group include aralkyl groups having 2 to 12 carbon atoms (benzyl group, phenethyl group, cumyl group, etc.).
A group which is decomposed by the action of an acid and becomes alkali-soluble can be formed as an —OR group in the repeating unit represented by the general formula (2d).
[0037]
Hereinafter, although the specific example of the repeating unit represented by General formula (2d) is given, this invention is not limited to this.
[0038]
[Chemical 3]
[0039]
[Formula 4]
[0040]
[Chemical formula 5]
[0041]
[Chemical 6]
[0042]
The resin of the component (A) is further represented by the following general formulas (2a), (2a ′), (I), (VI), (III), (VII), (VIII) to (XVII) It is preferable to have at least one unit.
[0043]
[Chemical 7]
[0044]
In general formula (2a),
R5Represents a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group or an alkyl group which may have a substituent.
R50~ R55Each independently represents a hydrogen atom, a fluorine atom or an alkyl group which may have a substituent. However, R50~ R55At least one of represents a fluorine atom or an alkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom.
Each R independently represents a hydrogen atom or an organic group. However, at least one of R is an organic group.
k represents an integer of 2 to 5.
[0045]
[Chemical 8]
[0046]
In general formula (2a ′),
R5Represents a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group or an alkyl group which may have a substituent.
R50~ R55Each independently represents a hydrogen atom, a fluorine atom or an alkyl group which may have a substituent. However, R50~ R55At least one of represents a fluorine atom or an alkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom.
k represents an integer of 2 to 5.
[0047]
[Chemical 9]
[0048]
In general formula (I),
R1Represents a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group or an alkyl group which may have a substituent.
R2And R3Each independently represents a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, a hydroxyl group, or an optionally substituted alkyl group, cycloalkyl group, alkoxy group, acyl group, acyloxy group, alkenyl group, aryl group or Represents an aralkyl group.
R4Represents a group of the following general formula (IV) or (V).
[0049]
Embedded image
[0050]
In general formula (IV),
R11, R12And R13Each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, an aralkyl group or an aryl group, which may have a substituent.
In general formula (V),
R14And R15Each independently represents a hydrogen atom or an alkyl group which may have a substituent.
R16Represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aralkyl group or an aryl group, which may have a substituent. R14~ R16May be combined to form a ring.
[0051]
In general formula (VI),
R17And R17aEach independently represents a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group or an optionally substituted alkyl group.
R18Is -C (R18d) (R18e) (R18f) Or -C (R18d ') (R18e ') (OR18g). R18d~ R18fEach independently represents a hydrogen atom or an optionally substituted alkyl group, cycloalkyl group, alkenyl group, aralkyl group or aryl group. R18d ', R18e 'Each independently represents a hydrogen atom or an optionally substituted alkyl group, cycloalkyl group, alkenyl group, aralkyl group or aryl group. R18gRepresents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aralkyl group or an aryl group, which may have a substituent. R18d, R18e, R18f2 of R or R18d ', R18e ', R18gTwo of these may combine to form a ring.
[0052]
Embedded image
[0053]
In general formula (III),
R8Represents a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group or an alkyl group which may have a substituent.
R9And R10Each independently represents a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group or an optionally substituted alkyl group, cycloalkyl group, alkoxy group, acyl group, acyloxy group, alkenyl group, aryl group or aralkyl group. Represent.
d represents 0 or 1;
In formula (VII),
R19And R20Each independently represents a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group or an optionally substituted alkyl group.
R21Represents a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, an optionally substituted alkyl group or a -D-CN group.
D represents a single bond or a divalent linking group.
[0054]
Embedded image
[0055]
In general formulas (VIII) to (XVII),
R25, R26, R27, R27a, R27bAnd R27cEach independently represents a hydrogen atom, a fluorine atom or an optionally substituted alkyl group, cycloalkyl group or aryl group.
R28, R29And R30Each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group, which may have a substituent.
R25And R26, R27And R28, R29And R30And may combine with each other to form a ring.
R31, R35, R37, R40And R44Each independently represents a hydrogen atom or an optionally substituted alkyl group, cycloalkyl group, acyl group or alkoxycarbonyl group.
R32, R33, R34, R41, R42And R43Each independently represents a hydrogen atom, a halogen atom or an optionally substituted alkyl group or alkoxy group.
R39Represents a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group or an alkyl group which may have a substituent.
R38Represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aralkyl group or an aryl group, which may have a substituent.
B1And B2Represents a single bond or a divalent linking group.
B3Represents a divalent linking group.
n ′ represents 0 or 1.
[0056]
In the general formulas (2a) and (2a ′),
R5Is R in the general formula (2d)y1Is the same.
R50~ R55Is R in the general formula (2d)50~ R55Is the same.
R is the same as R in the general formula (2d).
[0057]
In general formula (I),
R1Is R in the general formula (2d)y1Is the same.
R2And R3Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom.
R2And R3Preferred examples of the alkyl group include alkyl groups having 1 to 5 carbon atoms (methyl group, ethyl group, propyl group, n-butyl group, sec-butyl group, t-butyl group, etc.).
R2And R3Preferred examples of the cycloalkyl group include cycloalkyl groups having 3 to 10 carbon atoms (cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclohexyl group, adamantyl group and the like).
R2And R3Preferred examples of the alkoxy group include an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms (methoxy group, ethoxy group, propoxy group, n-butoxy group, etc.).
R2And R3Preferred examples of the acyl group include acyl groups having 1 to 12 carbon atoms (aralkyloxy group, formyl group, acetyl group, etc.).
R2And R3Preferred examples of the acyloxy group include acyloxy groups having 1 to 12 carbon atoms (butyryloxy group and the like).
R2And R3Preferred examples of the alkenyl group include alkenyl groups having 2 to 4 carbon atoms (vinyl group, propenyl group, allyl group, etc.).
R2And R3Preferred examples of the aryl group include aryl groups having 6 to 14 carbon atoms (phenyl group, xylyl group, toluyl group, cumenyl group, naphthyl group, anthracenyl group, etc.).
R2And R3Preferred examples of the aralkyl group include aralkyl groups having 2 to 12 carbon atoms (benzyl group, phenethyl group, cumyl group, etc.).
[0058]
In general formulas (IV) and (V):
R11~ R16Preferred examples of the alkyl group include alkyl groups having 1 to 5 carbon atoms (methyl group, ethyl group, propyl group, n-butyl group, sec-butyl group, t-butyl group, etc.).
R11~ R13And R16Preferred examples of the cycloalkyl group include cycloalkyl groups having 3 to 10 carbon atoms (cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclohexyl group, adamantyl group and the like).
R11~ R13Preferred examples of the alkenyl group include alkenyl groups having 2 to 4 carbon atoms (vinyl group, propenyl group, allyl group, etc.).
R11~ R13And R16Preferred examples of the aryl group include aryl groups having 6 to 14 carbon atoms (phenyl group, xylyl group, toluyl group, cumenyl group, naphthyl group, anthracenyl group, etc.).
R11~ R13And R16Preferred examples of the aralkyl group include aralkyl groups having 2 to 12 carbon atoms (benzyl group, phenethyl group, cumyl group, etc.).
[0059]
In general formula (VI):
R17And R17aIs R in the general formula (2d)y1Is the same.
R18d~ R18f, R18d '~ R18e ', R18gPreferred examples of the alkyl group include alkyl groups having 1 to 5 carbon atoms (methyl group, ethyl group, propyl group, n-butyl group, sec-butyl group, t-butyl group, etc.).
R18d~ R18f, R18d '~ R18e ', R18gPreferred examples of the cycloalkyl group include cycloalkyl groups having 3 to 10 carbon atoms (cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclohexyl group, adamantyl group and the like).
R18d~ R18f, R18d '~ R18e 'Preferred examples of the alkenyl group include alkenyl groups having 2 to 4 carbon atoms (vinyl group, propenyl group, allyl group, etc.).
R11~ R13And R16Preferred examples of the aryl group include aryl groups having 6 to 14 carbon atoms (phenyl group, xylyl group, toluyl group, cumenyl group, naphthyl group, anthracenyl group, etc.).
R18d~ R18f, R18d '~ R18e ', R18gPreferred examples of the aralkyl group include aralkyl groups having 2 to 12 carbon atoms (benzyl group, phenethyl group, cumyl group, etc.).
[0060]
In general formulas (III) and (VII):
R8, R19, R20Is R in the general formula (2d)y1Is the same.
R9, R10, R21Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom.
R9, R10, R21Preferred examples of the alkyl group include alkyl groups having 1 to 5 carbon atoms (methyl group, ethyl group, propyl group, n-butyl group, sec-butyl group, t-butyl group, etc.).
R9, R10Preferred examples of the cycloalkyl group include cycloalkyl groups having 3 to 10 carbon atoms (cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclohexyl group, adamantyl group and the like).
R9, R10Preferred examples of the alkoxy group include an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms (methoxy group, ethoxy group, propoxy group, n-butoxy group, etc.).
R9, R10Preferred examples of the acyl group include acyl groups having 1 to 12 carbon atoms (aralkyloxy group, formyl group, acetyl group, etc.).
R9, R10Preferred examples of the acyloxy group include acyloxy groups having 1 to 12 carbon atoms (butyryloxy group and the like).
R9, R10Preferred examples of the alkenyl group include alkenyl groups having 2 to 4 carbon atoms (vinyl group, propenyl group, allyl group, etc.).
R9, R10Preferred examples of the aryl group include aryl groups having 6 to 14 carbon atoms (phenyl group, xylyl group, toluyl group, cumenyl group, naphthyl group, anthracenyl group, etc.).
R9, R10Preferred examples of the aralkyl group include aralkyl groups having 2 to 12 carbon atoms (benzyl group, phenethyl group, cumyl group, etc.).
Examples of the divalent linking group for D include, for example, an oxy group, a carbonyl group, an alkylene group, a cycloalkylene group, an alkenylene group, an arylene group, which may have a substituent, and a divalent linking group in which these are further bonded. The group can be mentioned. Examples of the alkylene group include a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a butylene group, a hexylene group, and an octylene group. Examples of the cycloalkylene group include a cyclopentylene group and a cyclohexylene group. Examples of the alkenylene group include an ethenylene group, a propenylene group, and a butenylene group. Examples of the arylene group include a phenylene group, a tolylene group, and a naphthylene group.
[0061]
In the general formulas (VIII) to (XVII),
R32, R33, R34, R41, R42, R43Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom.
R25~ R30(R27a, R27b, R27cincluding. The same shall apply hereinafter), R31~ R35, R37, R38, R40~ R44Preferred examples of the alkyl group include alkyl groups having 1 to 5 carbon atoms (methyl group, ethyl group, propyl group, n-butyl group, sec-butyl group, t-butyl group, etc.).
R25~ R30, R31, R35, R37, R38, R40, R44Preferred examples of the cycloalkyl group include cycloalkyl groups having 3 to 10 carbon atoms (cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclohexyl group, adamantyl group and the like).
R31~ R35, R37, R40~ R44As the alkoxy group in the alkoxy group and the alkoxycarbonyl group, an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms (methoxy group, ethoxy group, propoxy group, n-butoxy group, etc.) can be preferably mentioned.
R31, R35, R37, R40, R44Preferred examples of the acyl group include acyl groups having 1 to 12 carbon atoms (aralkyloxy group, formyl group, acetyl group, etc.).
R25~ R30, R38Preferred examples of the aryl group include aryl groups having 6 to 14 carbon atoms (phenyl group, xylyl group, toluyl group, cumenyl group, naphthyl group, anthracenyl group, etc.).
R38Preferred examples of the aralkyl group include aralkyl groups having 2 to 12 carbon atoms (benzyl group, phenethyl group, cumyl group, etc.).
R39Is R in the general formula (2d)y1Is the same.
B1, B2, B3Examples of the divalent linking group include, for example, an oxy group, a carbonyl group, an optionally substituted alkylene group, a cycloalkylene group, an alkenylene group, an arylene group, and a divalent linking group obtained by further combining these groups. Can be mentioned. Examples of the alkylene group include a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a butylene group, a hexylene group, and an octylene group. Examples of the cycloalkylene group include a cyclopentylene group and a cyclohexylene group. Examples of the alkenylene group include an ethenylene group, a propenylene group, and a butenylene group. Examples of the arylene group include a phenylene group, a tolylene group, and a naphthylene group.
[0062]
The resin of component (A) has a group that decomposes by the action of an acid and becomes alkali-soluble in the repeating unit of the copolymer component, thereby further improving the solubility in an alkaline aqueous solution by the action of an acid. be able to.
Examples of the group that is decomposed by the action of an acid and becomes alkali-soluble include, for example, —O—C (R18d) (R18e) (R18f), -O-C (R18d) (R18e) (OR18g), -O-COO-C (R18d) (R18e) (R18f), -O-C (R01) (R02) COO-C (R18d) (R18e) (R18f), -COO-C (R18d) (R18e) (R18f), -COO-C (R18d) (R18e) (OR18g) And the like. R18d~ R18gRepresents an alkyl group, cycloalkyl group, alkenyl group, aralkyl group or aryl group which may have a substituent. R01, R02Represents a hydrogen atom or an optionally substituted alkyl group, cycloalkyl group, alkenyl group, aralkyl group or aryl group. R18d~ R18gTwo of these may combine to form a ring.
R18d~ R18g, R01~ R02Preferred examples of the alkyl group include alkyl groups having 1 to 5 carbon atoms (methyl group, ethyl group, propyl group, n-butyl group, sec-butyl group, t-butyl group, etc.).
R18d~ R18g, R01~ R02Preferred examples of the cycloalkyl group include cycloalkyl groups having 3 to 10 carbon atoms (cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclohexyl group, adamantyl group and the like).
R18d~ R18g, R01~ R02Preferred examples of the alkenyl group include alkenyl groups having 2 to 4 carbon atoms (vinyl group, propenyl group, allyl group, etc.).
R18d~ R18g, R01~ R02Preferred examples of the aryl group include aryl groups having 6 to 14 carbon atoms (phenyl group, xylyl group, toluyl group, cumenyl group, naphthyl group, anthracenyl group, etc.).
R18d~ R18g, R01~ R02Preferred examples of the aralkyl group include aralkyl groups having 2 to 12 carbon atoms (benzyl group, phenethyl group, cumyl group, etc.).
Examples of the group that is decomposed by the action of an acid and becomes alkali-soluble include, for example, the —OR group in the general formula (2a) and the —OR group in the general formula (I).4-COOR in the general formula (VI)18-OR in the general formula (XI)31-OR in the general formula (XII)35-OR in the general formula (XIII)37-COOR in the general formula (XVI)40-COOR in the general formula (XVII)44It can be formed as a group or the like.
[0063]
Specific examples of the repeating unit represented by the general formula (2a) or (2a ′) are shown below, but the present invention is not limited thereto.
[0064]
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[0065]
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[0066]
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[0067]
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[0068]
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[0069]
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[0070]
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[0071]
Specific examples of the repeating unit represented by formula (I) are shown below, but the present invention is not limited thereto.
[0072]
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[0073]
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[0074]
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[0075]
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[0076]
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[0077]
Specific examples of the repeating unit represented by the general formula (III) are shown below.
The invention is not limited to this.
[0078]
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[0079]
Specific examples of the repeating unit represented by the general formula (VII) are shown below.
The invention is not limited to these.
[0080]
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[0081]
Specific examples of the repeating units represented by the general formulas (VIII) to (XIII) are shown below, but the present invention is not limited thereto.
[0082]
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[0083]
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[0084]
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[0086]
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[0088]
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[0089]
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[0090]
Specific examples of the repeating units represented by the general formulas (VI) and (XVII) are shown below, but the present invention is not limited thereto.
[0091]
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[0092]
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[0093]
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[0094]
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[0095]
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[0099]
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[0100]
Specific examples of the repeating unit represented by the general formula (XV) include a repeating unit formed of vinyl ethers.
[0101]
In addition to the above repeating unit, the resin (A) of the present invention may be copolymerized with other polymerizable monomers for the purpose of further improving the performance of the photosensitive resin of the present invention.
[0102]
Examples of copolymerizable monomers that can be used include those shown below. For example, an addition polymerizable unsaturated bond selected from acrylic acid esters, acrylamides, methacrylic acid esters, methacrylamides, allyl compounds, vinyl ethers, vinyl esters, styrenes, crotonic acid esters other than the above. A compound having one.
[0103]
The content of the repeating unit represented by the general formula (2d) in the resin (A) is generally 1 to 100 mol%, preferably 3 to 98 mol%, more preferably 5 to 95 mol%. used.
The content of the repeating unit represented by the general formula (2a) (2a ′), (I), (VI), (III), (VII), (VIII) to (XVII) is as follows. Generally, it is used in the range of 1 to 80 mol%, preferably 3 to 70 mol%, more preferably 5 to 60 mol%.
In the resin (A), the content of the repeating unit having a group that decomposes by the action of an acid and becomes an alkali-soluble group is generally 1 to 80 mol%, preferably 3 to 70 mol%, more preferably 5 to 5 mol%. It is used in the range of 60 mol%.
[0104]
Each of the repeating units represented by the above specific examples may be used alone or in combination.
The preferred molecular weight of the resin (A) of the present invention having the above repeating unit is 1,000 to 200,000 on a weight average, and more preferably 3,000 to 200,000. Most preferably, it is 3,000 to 50,000. The molecular weight distribution (dispersion degree) is 1 to 10, preferably 1 to 3, more preferably 1 to 2. Most preferably, it is 1-1.7. The smaller the molecular weight distribution, the better the coatability, sensitivity, and contrast. In the present invention, the proportion of the resin having a molecular weight of 1000 or less is preferably 20% by mass or less, more preferably 15% by mass or less, and further preferably 10% by mass or less. Further, the proportion of the residual monomer in the resin (A) is preferably 10% by mass or less, more preferably 7% by mass or less, and further preferably 5% by mass or less.
[0105]
The addition amount of the resin (A) of the present invention is generally 50 to 99.5% by mass, preferably 60 to 98% by mass, more preferably 65 to 95% by mass, based on the total solid content of the composition. Used in.
[0106]
The acid-decomposable resin used in the present invention can be synthesized according to a conventional method (for example, radical polymerization). For example, as a general synthesis method, monomer species are charged into a reaction vessel in a batch or in the course of reaction, and if necessary, a reaction solvent such as ethers such as tetrahydrofuran, 1,4-dioxane, diisopropyl ether, methyl ethyl ketone, Dissolve in a solvent that can dissolve various monomers, such as ketones such as methyl isobutyl ketone, ester solvents such as ethyl acetate, and propylene glycol monomethyl ether acetate described later, and then use nitrogen, argon, etc. Polymerization is started using a commercially available radical initiator (azo initiator, peroxide, etc.) as necessary under an active gas atmosphere. If desired, an initiator is added or added in portions, and after completion of the reaction, it is put into a solvent and a desired polymer is recovered by a method such as powder or solid recovery. The concentration of the reaction is 20% by mass or more, preferably 30% by mass or more, and more preferably 40% by mass or more. The reaction temperature is 10 ° C to 150 ° C, preferably 30 ° C to 120 ° C, more preferably 50-100 ° C. Some monomers can be synthesized more suitably when anionic polymerization is used. The polymerization method is described in “Chemical Chemistry Course 28, Polymer Synthesis” (Maruzen) edited by the Chemical Society of Japan and “New Experimental Chemistry Course 19, Polymer Chemistry” (Maruzen) edited by the Chemical Society of Japan.
[0107]
In this invention, it is preferable that metal components, such as Na, K, Ca, Fe, and Mg, contained in the resin of component (A) are small. Specifically, the metal species content contained in the resin is preferably 300 ppb or less, more preferably 200 ppb or less, and still more preferably 100 ppb or less.
[0108]
In the present invention, the acid value of the resin of component (A) is 0.05 × 10-3~ 6.0 × 10-3It is preferably mol / g. More preferably 0.1 × 10-3~ 5.0 × 10-3mol / g, particularly preferably 0.2 × 10-3~ 4.4 × 10-3mol / g. Here, examples of the acid group that affects oxidation include a hydroxy group in the group represented by the general formula (Z).
[0109]
[2] (B) Compound that generates acid by the action of actinic rays or radiation
The positive resist composition of the present invention has actinic rays or radiation, particularly F.2Contains a compound that generates acid by the action of excimer laser light.
[0110]
The compound that generates an acid by the action of actinic rays or radiation can be generally selected from those used as a compound that decomposes by the action of actinic rays or radiation to generate an acid (photoacid generator). .
That is, known light (400 to 200 nm ultraviolet light, far-off light used for photoinitiators of photocationic polymerization, photoinitiators of photoradical polymerization, photodecolorants of dyes, photochromic agents, micro-resist, etc. UV, particularly preferably g-line, h-line, i-line, KrF excimer laser beam), ArF excimer laser beam, F2A compound that generates an acid by an excimer laser beam, an electron beam, an X-ray, a molecular beam, or an ion beam and a mixture thereof can be appropriately selected and used.
[0111]
Examples of such compounds include S.I. I. Schlesinger, Photogr. Sci. Eng. , 18, 387 (1974), T.A. S. Diazonium salts described in Bal et al, Polymer, 21, 423 (1980), US Pat. Nos. 4,069,055, 4,069,056, Re 27,992, JP-A-3-140140 Ammonium salts described in the above, and the like. C. Necker et al, Macromolecules, 17, 2468 (1984), C.I. S. Wen et al, Teh, Proc. Conf. Rad. Curing ASIA, p478 Tokyo, Oct (1988), U.S. Pat. Nos. 4,069,055, 4,069,056, and the like; V. Crivello et al, Macromolecules, 10 (6), 1307 (1977), Chem. & Eng. News, Nov. 28, p31 (1988), European Patent Nos. 104,143, 339,049, 410,201, JP-A-2-150848, JP-A-2-296514, and the like; V. Crivello et al, Polymer J. et al. 17, 73 (1985), J. Am. V. Crivello et al. , J. et al. Org. Chem. 43, 3055 (1978); R. Watt et al, J.A. Polymer Sci. , Polymer Chem. Ed. , 22, 1789 (1984), J. Am. V. Crivello et al, Polymer Bull. , 14, 279 (1985), J. et al. V. Crivello et al, Macromolecules, 14 (5), 1141 (1981), J. MoI. V. Crivello et al, J. MoI. Polymer Sci. , Polymer Chem. Ed. , 17, 2877 (1979), European Patent Nos. 370,693, 161,811, 410,201, 339,049, 233,567, 297,443, 297,442 U.S. Pat.Nos. 4,933,377, 3,902,114, 4,760,013, 4,734,444, 2,833,827, Korean Patent 2, No. 904,626, No. 3,604,580, No. 3,604,581, and the like; V. Crivello et al, Macromolecules, 10 (6), 1307 (1977), J. MoI. V. Crivello et al, J. MoI. Polymer Sci. , Polymer Chem. Ed. , 17, 1047 (1979), and the like, C.I. S. Wen et al, Teh, Proc. Conf. Rad. Curing ASIA, p478 Tokyo, Oct (1988) and other onium salts such as arsonium salts, U.S. Pat. -32070, JP-A-60-239736, JP-A-61-169835, JP-A-61-169837, JP-A-62-58241, JP-A-62-212401, JP-A-63-70243 , Organic halogen compounds described in JP-A-63-298339 and the like; Meier et al, J.M. Rad. Curing, 13 (4), 26 (1986), T.A. P. Gill et al, Inorg. Chem. , 19, 3007 (1980), D.M. Astruc, Acc. Chem. Res. , 19 (12), 377 (1896), organometallic / organic halides described in JP-A-2-161445, and the like. Hayase et al, J. MoI. Polymer Sci. , 25, 753 (1987), E.I. Reichmanis et al, J. MoI. Polymer Sci. , Polymer Chem. Ed. , 23, 1 (1985), Q.M. Q. Zhuetal, J.A. Photochem. , 36, 85, 39, 317 (1987), B.R. Amit et al, Tetrahedron Lett. , (24) 2205 (1973), D.M. H. R. Barton et al, J. MoI. Chem Soc. , 3571 (1965), p. M.M. Collins et al, J. Org. Chem. Soc. Perkin I, 1695 (1975), M .; Rudinstein et al, Tetrahedron Lett. , (17), 1445 (1975), J. Am. W. Walker et al, J. MoI. Am. Chem. Soc. , 110, 7170 (1988), S.A. C. Busman et al, J.M. Imaging Technol. , 11 (4), 191 (1985), H .; M.M. Houlihan et al, Macromolecules, 21, 2001 (1988), p. M.M. Collins et al, J. Org. Chem. Soc. Chem. Commun. 532 (1972), S.A. Hayase et al, Macromolecules, 18, 1799 (1985), E.M. Reichmanis et al, J. MoI. Electrochem. Soc. , Solid State Sci. Technol. , 130 (6), F.R. M.M. Houlihan et al, Macromolecules, 21, 2001 (1988), European Patent Nos. 0290,750, 046,083, 156,535, 271,851, 0,388,343, US Patent Photoacid generators having a 0-nitrobenzyl type protecting group described in JP-A-3,901,710, JP-A-4,181,531, JP-A-60-198538, JP-A-53-133022, and the like; TUNOOKA et al, Polymer Preprints Japan, 35 (8), G.M. Berneret al, J.A. Rad. Curing, 13 (4), W.W. J. et al. Mijs et al, Coating Technol. , 55 (697), 45 (1983), Akzo, H .; Adachi et al, Polymer Preprints, Japan, 37 (3), European Patent Nos. 0199,672, 84515, 044,115, 618,564, 0101,122, US Pat. No. 4,371 , 605, 4,431,774, JP-A 64-18143, JP-A-2-245756, JP-A-3-140109, and the like. Examples thereof include compounds that generate an acid, and disulfone compounds described in JP-A No. 61-166544.
[0112]
In the present invention, it is preferable to use at least two kinds of compounds selected from the following four kinds as the component (B).
(B1) a compound that generates an aliphatic or aromatic sulfonic acid having at least one fluorine atom by the action of actinic rays or radiation,
(B2) a compound that generates an aliphatic or aromatic sulfonic acid having no fluorine atom by the action of actinic rays or radiation,
(B3) a compound that generates an aliphatic or aromatic carboxylic acid having at least one fluorine atom by the action of actinic rays or radiation, and
(B4) A compound that generates an aliphatic or aromatic carboxylic acid having no fluorine atom by the action of actinic rays or radiation.
[0113]
The aliphatic or aromatic sulfonic acid of the component (B1) and the component (B2) preferably has 1 to 20 carbon atoms, more preferably 2 to 16 and still more preferably 3 to 12.
[0114]
(B1) A compound that generates an aliphatic or aromatic sulfonic acid having at least one fluorine atom by the action of actinic rays or radiation
[0115]
Examples of the compound that generates an aliphatic or aromatic sulfonic acid having at least one fluorine by the action of actinic rays or radiation include, for example, an iodonium salt represented by the following general formula (PAG3), or a general formula (PAG4) The sulfonium salt represented can be mentioned.
[0116]
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[0117]
Where Ar1, Ar2Each independently represents a substituted or unsubstituted aryl group. R203, R204, R205Each independently represents a substituted or unsubstituted alkyl group or aryl group.
Z−Represents an aliphatic or aromatic sulfonate anion having at least one fluorine atom.
Also R203, R204, R205Two of them and Ar1, Ar2May be bonded via a single bond or a substituent.
[0118]
Ar1, Ar2, R203, R204, R205The aryl group is preferably an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, and the alkyl group is preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms.
Preferred substituents are aryl groups having 1 to 8 carbon atoms, alkyl groups having 1 to 8 carbon atoms, alkoxycarbonyl groups having 2 to 9 carbon atoms, and alkylcarbonylamino groups having 2 to 9 carbon atoms. , A nitro group, a carboxyl group, a hydroxy group, a halogen atom and a phenylthio group, with respect to the alkyl group, an alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, an aryl group having 5 to 14 carbon atoms, and an arylcarbonyl having 6 to 15 carbon atoms Groups, carboxyl groups and halogen atoms.
[0119]
Z−Preferred examples of the aliphatic or aromatic sulfonate anion include an aliphatic sulfonate anion having 1 to 20 carbon atoms and an aromatic sulfonate anion having 5 to 20 carbon atoms having at least one fluorine atom. . These may have a substituent. Examples of the substituent include an alkoxy group which may be substituted with fluorine having 1 to 10 carbon atoms and an alkoxycarbonyl which may be substituted with fluorine having 2 to 11 carbon atoms. Group, phenylamino group, phenylcarbonyl group, halogen atom and hydroxyl group. An alkyl group having 1 to 15 carbon atoms can be further exemplified for the aromatic sulfonate anion.
[0120]
Although a specific example is given below, it is not limited to these.
[0121]
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[0122]
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[0149]
(B2) A compound that generates an aliphatic or aromatic sulfonic acid having no fluorine atom by the action of actinic rays or radiation
As a compound that generates an aliphatic or aromatic sulfonic acid having no fluorine atom by the action of actinic rays or radiation, for example, in general formulas (PAG3) and (PAG4), Z−And iodonium salts and sulfonium salts which are aliphatic or aromatic sulfonate anions having no fluorine atom.
[0150]
Specific examples include the following compounds, but are not limited thereto.
[0151]
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[0160]
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[0161]
The compounds described in the above (B1) and (B2) can be synthesized by reacting an aromatic compound with periodate and salt-exchange the obtained iodonium salt with the corresponding sulfonic acid.
Alternatively, it can be synthesized by reacting an aryl Grignard reagent such as arylmagnesium bromide with a substituted or unsubstituted phenyl sulfoxide, and subjecting the resulting triarylsulfonium halide to salt exchange with the corresponding sulfonic acid. Also, a method in which a substituted or unsubstituted phenyl sulfoxide and a corresponding aromatic compound are condensed and salt exchanged using an acid catalyst such as methanesulfonic acid / phosphorus pentoxide or aluminum chloride, and a diaryl iodonium salt and a diaryl sulfide are mixed with copper acetate. It can be synthesized by a method such as condensation or salt exchange using a catalyst such as
Salt exchange can also be performed by once converting to a halide salt and then converting it to a sulfonate using a silver reagent such as silver oxide, or by using an ion exchange resin. The sulfonic acid or sulfonate used for salt exchange can be obtained by using a commercially available product or by hydrolysis of a commercially available sulfonic acid halide.
[0162]
(B3) A compound that generates an aliphatic or aromatic carboxylic acid having at least one fluorine atom by the action of actinic rays or radiation
Fluorine-containing aliphatic carboxylic acids include acetic acid, propionic acid, n-butyric acid, isobutyric acid, valeric acid, trimethylacetic acid, caproic acid, heptanoic acid, caprylic acid, pelargonic acid, capric acid, lauric acid, myristic acid, palmitic acid , Fluorine-substituted products of aliphatic carboxylic acids such as stearic acid, undecanoic acid, dodecanoic acid, and tridecanoic acid. These may have a hydroxyl group, an alkoxy group, or a halogen atom as a substituent. In addition, the aliphatic chain preferably contains a linking group such as an oxygen atom, a sulfur atom, a carbonyl group, a carboxyl group, or a sulfonyl group.
[0163]
Preferable fluorine-containing aliphatic carboxylic acids include those represented by the following general formula.
L- (CH2) P (CF2) Q (CH2) R-COOH
In the general formula, L represents a hydrogen atom or a fluorine atom. p and r each independently represents an integer of 0 to 15, and q represents an integer of 1 to 15. The hydrogen atom or fluorine atom of the alkyl chain in this general formula is an alkyl group (preferably having 1 to 5 carbon atoms) optionally substituted with a fluorine atom, or an alkoxy group (preferably carbon atom) optionally substituted with a fluorine atom. Formula 1-5) or may be substituted with a hydroxyl group.
The fluorine-containing aliphatic carboxylic acid is preferably a fluorine-substituted product of a saturated aliphatic carboxylic acid having preferably 2 to 20 carbon atoms, more preferably 4 to 20 carbon atoms. By setting the number of carbon atoms to 4 or more, the generated carboxylic acid-decomposable diffusibility is reduced, and the change in line width over time from exposure to post-heating can be further suppressed. Among these, a fluorine-substituted product of a linear or branched saturated aliphatic carboxylic acid having 4 to 18 carbon atoms is preferable.
[0164]
The fluorine-containing aromatic carboxylic acid is preferably a fluorine-substituted aromatic carboxylic acid having 7 to 20, more preferably 7 to 15 and even more preferably 7 to 11 carbon atoms. Specifically, benzoic acid, substituted benzoic acid, naphthoic acid, substituted naphthoic acid, anthracene carboxylic acid, substituted anthracene carboxylic acid (wherein the substituents are alkyl groups, alkoxy groups, hydroxyl groups, halogen atoms, aryl groups, acyls) A fluorine-substituted product of an aromatic carboxylic acid such as a group, an acyloxy group, a nitro group, an alkylthio group, and an arylthio group. Of these, fluorine-substituted products of benzoic acid and substituted benzoic acid are preferable.
[0165]
Aliphatic or aromatic carboxylic acids substituted with these fluorine atoms are
One or more hydrogen atoms existing in the skeleton other than the xyl group are substituted with fluorine atoms, and particularly preferably aliphatic or aromatic in which all the hydrogen atoms existing in the skeleton other than the carboxyl group are substituted with fluorine atoms. Group carboxylic acid (perfluoro saturated aliphatic carboxylic acid or perfluoro aromatic carboxylic acid). As a result, the sensitivity is further improved.
[0166]
Preferably, an onium salt compound (sulfonium salt, iodonium salt, etc.) having an anion of an aliphatic or aromatic carboxylic acid substituted with a fluorine atom as described above as a counter anion, an imidocarboxylate compound having a carboxylic acid ester group, or Examples thereof include nitrobenzyl ester compounds.
More preferred are compounds represented by the following general formulas (I) to (III). As a result, sensitivity, resolution, and exposure margin are further improved. By irradiating this compound with actinic rays or radiation, X in the following general formulas (I) to (III)−It generates a saturated aliphatic or aromatic carboxylic acid substituted with at least one fluorine atom corresponding to the above, and functions as a photoacid generator.
[0167]
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[0168]
(In the above formula, R1 ~ R37Each independently represents a hydrogen atom, a linear, branched or cyclic alkyl group, a linear, branched or cyclic alkoxy group, a hydroxy group, a halogen atom, or —S—R.38Represents a group. Where R38Represents a linear, branched, cyclic alkyl group or an aryl group. X−Is an anion of an aliphatic or aromatic carboxylic acid substituted with at least one fluorine atom. )
X−Is preferably an anion of a perfluoroaliphatic carboxylic acid or a perfluoroaromatic carboxylic acid, and particularly preferably an anion of a fluorine-substituted alkylcarboxylic acid having 4 or more carbon atoms.
[0169]
R in the general formulas (I) to (III)1~ R38As the linear or branched alkyl group of 1 to 4 carbon atoms, which may have a substituent, such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, or a t-butyl group. Individuals are listed. Examples of the cyclic alkyl group include those having 3 to 8 carbon atoms, such as a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, and a cyclohexyl group, which may have a substituent.
R1~ R37Examples of the alkoxy group include those having 1 to 4 carbon atoms such as methoxy group, ethoxy group, hydroxyethoxy group, propoxy group, n-butoxy group, isobutoxy group, sec-butoxy group and t-butoxy group. .
R1~ R37Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom.
R38Examples of the aryl group include those having 6 to 14 carbon atoms such as a phenyl group, a tolyl group, a methoxyphenyl group, and a naphthyl group. The aryl group may have a substituent.
These substituents are preferably an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, a halogen atom (fluorine atom, chlorine atom, iodine atom), an aryl group having 6 to 10 carbon atoms, and an alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms. , Cyano group, hydroxy group, carboxy group, alkoxycarbonyl group, nitro group and the like.
[0170]
The iodonium compound or sulfonium compound represented by the general formulas (I) to (III) used in the present invention has a counter anion X−As having an anion of a saturated aliphatic or aromatic carboxylic acid substituted with at least one fluorine atom. These anions are anions (—COO) from which a hydrogen atom of the carboxylic acid (—COOH) is removed.−).
[0171]
Specific examples are shown below, but the present invention is not limited thereto.
Specific examples of the photoacid generator represented by the general formula (I):
[0172]
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[0173]
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[0174]
[Chemical Formula 86]
[0175]
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[0176]
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[0186]
Specific examples of the photoacid generator represented by the general formula (II):
[0187]
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[0209]
Specific examples of the photoacid generator represented by the general formula (III):
[0210]
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[0211]
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[0212]
Specific examples of other photoacid generators:
[0213]
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[0214]
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[0215]
The compound represented by the above general formula (I) can be synthesized by reacting an aromatic compound with periodate and exchanging the obtained iodonium salt with the corresponding carboxylic acid.
The compounds represented by the general formula (II) and the general formula (III) correspond to, for example, the triarylsulfonium halide obtained by reacting an aryl Grignard reagent such as arylmagnesium bromide with a substituted or unsubstituted phenyl sulfoxide. It can be synthesized by a method of salt exchange with carboxylic acid. Also, a method in which a substituted or unsubstituted phenyl sulfoxide and a corresponding aromatic compound are condensed and salt exchanged using an acid catalyst such as methanesulfonic acid / phosphorus pentoxide or aluminum chloride, and a diaryl iodonium salt and a diaryl sulfide are mixed with copper acetate. It can be synthesized by a method such as condensation or salt exchange using a catalyst such as
The salt exchange can also be performed by once converting to a halide salt and then converting to a carboxylate using a silver reagent such as silver oxide, or by using an ion exchange resin. The carboxylic acid or carboxylate used for salt exchange can be obtained by using a commercially available product or by hydrolysis of a commercially available carboxylic acid halide.
[0216]
Fluoro-substituted carboxylic acids as anionic moieties may be those derived from fluoroaliphatic compounds produced by the telomerization method (also called telomer method) or the oligomerization method (also called oligomer method). preferable. Regarding the production method of these fluoroaliphatic compounds, for example, “Synthesis and Function of Fluorine Compounds” (Supervision: Nobuo Ishikawa, Issue: CMC Co., 1987), “Chemistry of Organic Fluoro Compounds” II "(Monograph 187, Ed by Milos Hudricky and Attila E. Pavlath, American Chemical Society 1995). The telomerization method is a method of synthesizing a telomer by radical polymerization of a fluorine-containing vinyl compound such as tetrafluoroethylene using an alkyl halide having a large chain transfer constant such as iodide as a telogen (example in Scheme-1). showed that). In the synthesis by the telomer method, a mixture of a plurality of compounds having different carbon chain lengths is obtained, but this may be used as a mixture or may be used after purification.
[0217]
(B4) Compound that generates an aliphatic or aromatic carboxylic acid having no fluorine atom by the action of actinic rays or radiation
Examples of the compound that generates an aliphatic or aromatic carboxylic acid having no fluorine atom by the action of actinic rays or radiation include compounds represented by the following general formulas (AI) to (AV).
[0218]
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[0219]
In the above formula, R301~ R337Each independently represents a hydrogen atom, a linear, branched or cyclic alkyl group, a linear, branched or cyclic alkoxy group, a hydroxy group, a halogen atom, or —S—R.0Represents a group. R0Represents a linear, branched, cyclic alkyl group or an aryl group.
Ra and Rb each independently represent a hydrogen atom, a nitro group, a halogen atom, or an alkyl group or an alkoxy group which may have a substituent. Rc and Rd each independently represents a halogen atom or an optionally substituted alkyl group or aryl group. Rc and Rd may combine to form an aromatic ring, monocyclic or polycyclic hydrocarbon (which may contain an oxygen atom or a nitrogen atom). Y1, Y2Represents a carbon atom and Y1-Y2The bond may be a single bond or a double bond. X above−Represents the anion of a carboxylic acid compound represented by the following formula. X1, X2Each independently represents a carboxylic acid compound represented by the following formula having an ester group at the carboxyl group.
[0220]
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[0221]
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[0222]
In the above formula, R338Is a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 30 carbon atoms (wherein the alkyl group chain may contain an oxygen atom or a nitrogen atom), or a straight chain having 1 to 20 carbon atoms. Of a straight, branched or cyclic alkenyl group, a linear, branched or cyclic alkynyl group having 1 to 20 carbon atoms, a linear, branched or cyclic alkoxyl group having 1 to 20 carbon atoms, the alkyl group A group in which at least a part of hydrogen atoms is substituted with a halogen atom and / or a hydroxyl group, a group in which at least a part of hydrogen atoms in the alkenyl group is substituted with a halogen atom and / or a hydroxyl group, or a substitution having 6 to 20 carbon atoms Or an unsubstituted aryl group is shown. Here, examples of the substituent of the aryl group include an alkyl group, a nitro group, a hydroxyl group, an alkoxy group, an acyl group, an alkoxycarbonyl group, and a halogen atom.
[0223]
R339Is a single bond or a linear, branched or cyclic alkylene group having 1 to 20 carbon atoms (wherein the chain of the alkylene group may contain an oxygen atom or a nitrogen atom), 20 linear, branched or cyclic alkenylene groups, groups in which at least some of the hydrogen atoms of the alkylene group are substituted with halogen atoms and / or hydroxyl groups, and at least some of the hydrogen atoms of the alkenylene group are halogen atoms Or a group having 2 to 20 carbon atoms, and a plurality of R338, R339May be the same as or different from each other.
[0224]
R340Represents a hydroxyl group or a halogen atom, and a plurality of R340May be the same as or different from each other. m, n, p and q are each independently an integer of 0 to 3, and m + n ≦ 5 and p + q ≦ 5. z is 0 or 1.
[0225]
R in the general formulas (AI) to (AV)301~ R337, Ra, Rb, Rc, Rd, R0As the linear or branched alkyl group in, a C 1-4 group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, or a t-butyl group, which may have a substituent. Individuals are listed. Examples of the cyclic alkyl group include those having 3 to 8 carbon atoms, such as a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, and a cyclohexyl group, which may have a substituent.
R301~ R337, Ra and Rb as alkoxy groups having 1 to 4 carbon atoms such as methoxy group, ethoxy group, hydroxyethoxy group, propoxy group, n-butoxy group, isobutoxy group, sec-butoxy group and t-butoxy group. Things.
R301~ R337, Ra, Rb, Rc, and Rd include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.
R0, Rc and Rd aryl groups include those having 6 to 14 carbon atoms which may have a substituent such as phenyl group, tolyl group, methoxyphenyl group and naphthyl group.
These substituents are preferably an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, a halogen atom (fluorine atom, chlorine atom, iodine atom), an aryl group having 6 to 10 carbon atoms, and an alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms. , Cyano group, hydroxy group, carboxy group, alkoxycarbonyl group, nitro group and the like.
[0226]
Aromatic, monocyclic or polycyclic hydrocarbons formed by combining Rc and Rd (which may contain oxygen and nitrogen atoms) include benzene and naphthalene structures. , Cyclohexane structure, norbornene structure, oxabicyclo structure and the like.
[0227]
The sulfonium and iodonium compounds represented by the general formulas (AI) to (AIII) used in the present invention have their counter anions X−As a carboxylic acid compound represented by the above formulas (C1) to (C10), the carboxyl group (—COOH) of at least one compound is an anion (—COO).−) Is included.
The compounds represented by the general formulas (AIV) to (AV) used in the present invention are the substituent X1, X2As a substituent, the carboxyl group (—COOH) of at least one compound among the carboxylic acid compounds represented by the above formulas (C1) to (C10) is an ester group (—COO—).
[0228]
R338In C 1-30 linear, branched or cyclic alkyl group (wherein the alkyl group chain may contain an oxygen atom or a nitrogen atom), methyl, ethyl, propyl, Examples include butyl, pentyl, hexyl, cyclohexyl, dodecyl, 1-ethoxyethyl, adamantyl and the like.
Examples of the linear, branched or cyclic alkenyl group having 1 to 20 carbon atoms include ethenyl, propenyl, isopropenyl, cyclohexene and the like.
Examples of the linear, branched or cyclic alkynyl group having 1 to 20 carbon atoms include acetylene and propenylene.
Examples of the linear, branched or cyclic alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms include methoxy, ethoxy, propyloxy, butoxy, cyclohexyloxy, isobutoxy, dodecyloxy and the like.
Examples of the substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms include phenyl, naphthyl, anthranyl and the like.
Examples of the substituent for the aryl group include an alkyl group, a nitro group, a hydroxyl group, an alkoxy group, an acyl group, an alkoxycarbonyl group, and a halogen atom.
[0229]
R339In C 1-20, a linear, branched or cyclic alkylene group (wherein the alkylene group chain may contain an oxygen atom or a nitrogen atom), methylene, ethylene, propylene , Butylene, isobutylene, ethoxyethylene, cyclohexylene and the like.
Examples of the linear, branched or cyclic alkenylene group having 1 to 20 carbon atoms include vinylene and arylene.
[0230]
Although a specific example is shown, this invention is not limited to these.
[0231]
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[0232]
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[0245]
The photoacid generator, that is, the compound represented by the general formula (AI), the general formula (AII), or the general formula (AIII) is prepared by the method described in US Pat. No. 3,734,928, Macromolecules, vol. . 10, 1307 (1977), Journal of Organic Chemistry, vol. 55, 4222 (1990), J. MoI. Radiat. Curing, vol. 5 (1), 2 (1978) and the like, and further by exchanging counter anions. The compounds represented by formulas (AIV) and (AV) are prepared by reacting an N-hydroxyimide compound and carboxylic acid chloride under basic conditions, or reacting nitrobenzyl alcohol and carboxylic acid chloride under basic conditions. Can be obtained.
[0246]
When two or more kinds of photoacid generators are used, the amount of the photoacid generator used in the smallest amount is preferably 0.05% by mass or more in the photoacid generator.
Content of a photo-acid generator is 0.5-20 mass% normally with respect to a composition total solid, Preferably it is 0.75-15 mass%, More preferably, it is the range of 1-10 mass%.
[0247]
[3] Solvent (component C)
The composition of the present invention is dissolved in a solvent that dissolves each of the above components and coated on a support. As the solvent used here, 1-methoxy-2-propanol acetate (propylene glycol monomethyl ether acetate), 1-methoxy-2-propanol (propylene glycol monomethyl ether), 3-methoxy-1-butanol, ethylene dichloride, cyclohexanone , Cyclopentanone, 2-heptanone, γ-butyrolactone, methyl ethyl ketone, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, 2-methoxyethyl acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, Propylene glycol monomethyl ether acetate, toluene, ethyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate , Methyl methoxypropionate, ethyl ethoxypropionate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, propyl pyruvate, N, N-dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, N-methylpyrrolidone, tetrahydrofuran, etc. are preferable, 1-methoxy-2-propanol Acetate and 1-methoxy-2-propanol are particularly preferred. These solvents are used alone or in combination. When mixed and used, those containing 1-methoxy-2-propanol acetate or those containing 1-methoxy-2-propanol are preferred.
In the present invention, a solvent having at least one fluorine atom can be preferably used.
In the present invention, the solvent having at least one fluorine atom that can be used preferably has a boiling point of 80 to 300 ° C. and further has a heteroatom such as oxygen, nitrogen, sulfur, etc., for example, 1H, 1H, 2H, 3H, 3H-perfluoroundecane-1,2-diol, 1H, 1H, 2H, 3H, 3H-perfluorononane-1,2-diol, 1H, 1H, 9H-perfluoro-1-nonanol, etc. Alcohols having fluorine atoms, ethers having fluorine atoms such as 2-fluoroanisole, 3-fluoroanisole, 4-fluoroanisole, 2,3-difluoroanisole, 2,4-difluoroanisole, 2,5-difluoroanisole , Butyl trifluoroacetate, methyl 3-trifluoromethoxypropionate, 2,2,2-trif Oroethyl butyrate, ethyl heptafluorobutyl acetate, ethyl-2-methyl-4,4,4-trifluoroacetoacetate, ethyl-4,4,4-trifluoroacetoacetate, ethyl-4,4,4-tri Fluorobutyrate, isopropyl-4,4,4-trifluoroacetoacetate, perfluoro (2,5-dimethyl-3,6-dioxane anionic) acid methyl ester, perfluoro-2,5,8-trimethyl-3 , 6,9-trioxadodecanoic acid methyl ester, ethyl pentafluorobenzoate, methyl perfluorodenanoate and other fluorine-containing esters, propylene glycol trifluoromethyl ether acetate, propylene glycol methyl ether trifluoromethyl acetate, etc. F Ethers and esters having an elementary atom, trifluoroacetamide, 2,4-difluorotoluene, 1,1,1,2,2,3,3-heptafluoro-7,7-dimethyl-4,6-octadione, 1,1,6,6,6-hexafluoro-2,4-hexanedione, 2H-perfluoro-5,8,11,14-tetramethyl-3,6,9,12,15-pentaoxaoctadecane Perfluoro (1,3-dimethylcyclohexane) and the like can be used, and these can be used alone or in admixture of two or more, but are not limited thereto.
[0248]
[4] (D) Fluorine-based and / or silicon-based surfactant
The positive resist composition of the present invention further comprises (D) a fluorine-based and / or silicon-based surfactant (a fluorine-based surfactant and a silicon-based surfactant, a surface activity containing both fluorine atoms and silicon atoms). It is preferable to contain any one of these, or two or more.
When the positive resist composition of the present invention contains the surfactant (D), a resist having good sensitivity and resolution and less adhesion and development defects when using an exposure light source of 250 nm or less, particularly 220 nm or less. A pattern can be given.
As these (D) surfactants, for example, JP-A 62-36663, JP-A 61-226746, JP-A 61-226745, JP-A 62-170950, JP No. 63-34540, JP-A-7-230165, JP-A-8-62834, JP-A-9-54432, JP-A-9-5988, JP-A 2002-277862, US Pat. No. 5,405,720 , No. 5,360,692, No. 5,529,881, No. 5,296,330, No. 5,436,098, No. 5,576,143, No. 5,294,511, No. 5,824,451 The following commercially available surfactants can also be used as they are.
Examples of commercially available surfactants that can be used include F-top EF301 and EF303 (manufactured by Shin-Akita Kasei Co., Ltd.), Florard FC430 and 431 (manufactured by Sumitomo 3M Co., Ltd.), MegaFuck F171, F173, F176, F189, and R08. (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd.), Surflon S-382, SC101, 102, 103, 104, 105, 106 (Asahi Glass Co., Ltd.), Troisol S-366 (Troy Chemical Co., Ltd.), etc. Fluorine type surfactant or silicon type surfactant can be mentioned. Polysiloxane polymer KP-341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) can also be used as the silicon surfactant.
[0249]
In addition to the known surfactants described above, the surfactant is derived from a fluoroaliphatic compound produced by a telomerization method (also called telomer method) or an oligomerization method (also called oligomer method). A surfactant using a polymer having a fluoroaliphatic group can be used. The fluoroaliphatic compound can be synthesized by the method described in JP-A-2002-90991.
As the polymer having a fluoroaliphatic group, a copolymer of a monomer having a fluoroaliphatic group and (poly (oxyalkylene)) acrylate and / or (poly (oxyalkylene)) methacrylate is preferable and distributed irregularly. Or may be block copolymerized. Examples of the poly (oxyalkylene) group include a poly (oxyethylene) group, a poly (oxypropylene) group, a poly (oxybutylene) group, and the like, and a poly (oxyethylene, oxypropylene, and oxyethylene group). A unit having different chain lengths in the same chain length, such as a block linked body) or a poly (block linked body of oxyethylene and oxypropylene) group, may be used. Furthermore, a copolymer of a monomer having a fluoroaliphatic group and (poly (oxyalkylene)) acrylate (or methacrylate) is not only a binary copolymer but also a monomer having two or more different fluoroaliphatic groups, Further, it may be a ternary or higher copolymer obtained by simultaneously copolymerizing two or more different (poly (oxyalkylene)) acrylates (or methacrylates).
Examples of commercially available surfactants include Megafac F178, F-470, F-473, F-475, F-476, and F-472 (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd.). In addition, C6F13A copolymer of an acrylate (or methacrylate) having a group and (poly (oxyalkylene)) acrylate (or methacrylate), C6F13A copolymer of an acrylate (or methacrylate) having a group, (poly (oxyethylene)) acrylate (or methacrylate) and (poly (oxypropylene)) acrylate (or methacrylate), C8F17A copolymer of an acrylate (or methacrylate) having a group and (poly (oxyalkylene)) acrylate (or methacrylate), C8F17And a copolymer of an acrylate (or methacrylate) having a group, (poly (oxyethylene)) acrylate (or methacrylate), and (poly (oxypropylene)) acrylate (or methacrylate).
[0250]
(D) The amount of the surfactant used is preferably 0.0001 to 2% by mass, more preferably 0.001 to 1% by mass, based on the total amount of the positive resist composition (excluding the solvent).
[0251]
[5] Acid diffusion inhibitor (E)
In the positive resist composition of the present invention, performance fluctuation (pattern T-top shape formation, sensitivity fluctuation, pattern line width fluctuation, etc.) due to aging after irradiation with actinic rays or radiation and heat treatment, and aging after application. It is preferable to add an acid diffusion inhibitor for the purpose of preventing excessive acid diffusion (deterioration of resolution) during heat treatment after performance fluctuation due to irradiation and further irradiation with actinic rays or radiation. The acid diffusion inhibitor is an organic basic compound, for example, an organic basic compound containing basic nitrogen, and a compound having a pKa value of the conjugate acid of 4 or more is preferably used.
Specifically, the structures of the following formulas (A) to (E) can be exemplified.
[0252]
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[0253]
Where R250 , R251 And R252 May be the same or different, and may be a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an aminoalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a hydroxyalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or 6 to 20 carbon atoms. Represents a substituted or unsubstituted aryl group, wherein R251And R252May combine with each other to form a ring. R253 , R254 , R255 And R256 May be the same or different and each represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
Further preferred compounds are nitrogen-containing basic compounds having two or more nitrogen atoms of different chemical environments in one molecule, and particularly preferably both a substituted or unsubstituted amino group and a ring structure containing a nitrogen atom. Or a compound having an alkylamino group.
[0254]
Preferred examples include substituted or unsubstituted guanidine, substituted or unsubstituted aminopyridine, substituted or unsubstituted aminoalkylpyridine, substituted or unsubstituted aminopyrrolidine, substituted or unsubstituted indazole, imidazole, substituted or unsubstituted Substituted pyrazole, substituted or unsubstituted pyrazine, substituted or unsubstituted pyrimidine, substituted or unsubstituted purine, substituted or unsubstituted imidazoline, substituted or unsubstituted pyrazoline, substituted or unsubstituted piperazine, substituted or unsubstituted Aminomorpholine, substituted or unsubstituted aminoalkylmorpholine, and the like. Preferred substituents are amino group, aminoalkyl group, alkylamino group, aminoaryl group, arylamino group, alkyl group, alkoxy group, acyl group, acyloxy group, aryl group, aryloxy group, nitro group, hydroxyl group, cyano group It is.
[0255]
Particularly preferred compounds include guanidine, 1,1-dimethylguanidine, 1,1,3,3-tetramethylguanidine, imidazole, 2-methylimidazole, 4-methylimidazole, N-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 4 , 5-diphenylimidazole, 2,4,5-triphenylimidazole, 2-aminopyridine, 3-aminopyridine, 4-aminopyridine, 2-dimethylaminopyridine, 4-dimethylaminopyridine, 2-diethylaminopyridine, 2- (Aminomethyl) pyridine, 2-amino-3-methylpyridine, 2-amino-4-methylpyridine, 2-amino-5-methylpyridine, 2-amino-6-methylpyridine, 3-aminoethylpyridine, 4- Aminoethylpyridine,
[0256]
3-aminopyrrolidine, piperazine, N- (2-aminoethyl) piperazine, N- (2-aminoethyl) piperidine, 4-amino-2,2,6,6-tetramethylpiperidine, 4-piperidinopiperidine, 2-iminopiperidine, 1- (2-aminoethyl) pyrrolidine, pyrazole, 3-amino-5-methylpyrazole, 5-amino-3-methyl-1-p-tolylpyrazole, pyrazine, 2- (aminomethyl)- Examples include 5-methylpyrazine, pyrimidine, 2,4-diaminopyrimidine, 4,6-dihydroxypyrimidine, 2-pyrazoline, 3-pyrazoline, N-aminomorpholine, N- (2-aminoethyl) morpholine. However, the present invention is not limited to this.
These nitrogen-containing basic compounds are used alone or in combination of two or more.
[0257]
The use ratio of the acid generator and the organic basic compound in the composition is preferably (acid generator) / (organic basic compound) (molar ratio) = 2.5 to 300. If the molar ratio is less than 2.5, the sensitivity may be low and the resolution may be reduced. If the molar ratio is more than 300, the resist pattern may increase in thickness over time until post-exposure heat treatment, and the resolution may also be reduced. . (Acid generator) / (organic basic compound) (molar ratio) is preferably 5.0 to 200, more preferably 7.0 to 150.
[0258]
[6] Non-polymer type dissolution inhibitor (X)
The positive resist composition of the present invention preferably further contains a non-polymer type dissolution inhibitor. Here, the non-polymer type dissolution inhibitor is a compound in which at least two or more acid-decomposable groups are present in a compound having a molecular weight of 3000 or less, and the solubility in an alkali developer is increased by the action of an acid. is there. In particular, it is preferable from the viewpoint of transparency that a fluorine atom is substituted in the mother nucleus.
3-50 mass% is preferable with respect to the polymer in a composition, More preferably, 5-40 mass%, More preferably, it is 7-30 mass%. By adding the component (X), sensitivity and contrast are further improved.
[0259]
Specific examples of the component (X) are shown below, but the present invention is not limited to these specific examples.
[0260]
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[0261]
[7] Zwitterionic compound (Y)
The positive resist composition of the present invention preferably further contains a zwitterionic compound. Here, the zwitterionic compound refers to a compound containing both a cation moiety and an anion moiety in one molecule. Specific examples include amphoteric ions of amino acids such as alanine, phenylalanine, asparagine, glycine, and valine, but are not limited thereto.
The addition amount is preferably from 3 to 70 mol%, more preferably from 5 to 50 mol%, still more preferably from 7 to 40 mol%, based on the photoacid generator. By adding the component (Y), sensitivity and contrast are further improved.
[0262]
In the manufacture of precision integrated circuit elements, the pattern formation process on the resist film is performed on the substrate (eg, transparent substrate such as silicon / silicon dioxide cover, glass substrate, ITO substrate, etc.). A good resist pattern can be formed by applying an object, then irradiating with an actinic ray or radiation drawing apparatus, heating, developing, rinsing and drying.
[0263]
Examples of the developer for the positive resist composition of the present invention include inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, and aqueous ammonia, ethylamine, n-propylamine and the like. Monoamines, secondary amines such as diethylamine and di-n-butylamine, tertiary amines such as triethylamine and methyldiethylamine, alcoholamines such as dimethylethanolamine and triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide, tetraethyl Aqueous solutions of alkalis such as quaternary ammonium salts such as ammonium hydroxide and choline, cyclic amines such as pyrrole and piperidine, and the like can be used. Furthermore, an appropriate amount of an alcohol such as isopropyl alcohol or a nonionic surfactant may be added to the alkaline aqueous solution.
Among these developers, quaternary ammonium salts are preferable, and tetramethylammonium hydroxide and choline are more preferable.
The alkali concentration in the aqueous alkali solution is usually 0.1 to 20% by mass, preferably 0.2 to 15% by mass, and more preferably 0.5 to 10% by mass.
The pH of the aqueous alkali solution is usually 10 to 15, preferably 10.5 to 14.5, more preferably 11 to 14.
[0264]
【Example】
EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention still in detail, the content of this invention is not limited by this.
[0265]
<Resin synthesis>
Synthesis Example 1 (Synthesis of Resin (1))
1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2- (3- {2,2,2-trifluoro-1-trifluoromethyl-1- [2- (1-trifluoromethyl-vinyloxy) -Ethoxy] -ethyl} -adamantan-1-ol) -propan-2-ol 53.83 g (0.1 mol) and 2-methyl-acrylic acid-5- (2-tertiarybutoxycarbonylmethoxy-3,3 , 3-trifluoro-2-trifluoromethyl-propyl) -bicyclo [2.2.1] hept-2-ol ester 47.44 g (0.1 mol) is dissolved in 70 g of tetrahydrofuran, and the reaction system is purged with nitrogen. Then, 0.99 g (0.006 mol) of polymerization initiator AIBN was added, and the mixture was heated at 65 ° C. for 8 hours while flowing nitrogen into the reaction system. Thereafter, the mixture was cooled to room temperature, and the reaction solution was dropped into 1.5 L of hexane. The powder was taken out by filtration and dried under reduced pressure at 100 ° C. to obtain 39.49 g of powder (yield 39%). The weight average molecular weight of the obtained powder as measured by gel permeation chromatography (GPC) was 15300, and the degree of dispersion was 1.62. The molar ratio of repeating unit (IV-1) / repeating unit (F-33) determined by 13C-NMR analysis was 31/69.
Resins (2) to (8) were obtained in the same manner except that the monomer to be added was changed. Table 1 below shows the repeating unit, molar ratio, weight average molecular weight, molecular weight, and dispersity of each resin.
[0266]
[Table 1]
[0267]
Examples 1-8 and Comparative Examples 1-2
<Preparation of positive resist composition>
Shown in Table 2 below,
Resin (1.8 g),
Photoacid generator (the amount is shown in Table 2),
An organic basic compound (0.2 g),
And dissolved in the solvents shown in Table 2 so as to have a solid content of 8% by mass, and then filtered through a 0.1 μm microfilter, and the positive resist solutions of Examples 1 to 8 and Comparative Examples 1 and 2 were used. Prepared. In addition, the ratio in the case of using two or more about each component in Table 2 is a mass ratio.
[0268]
[Table 2]
[0269]
Hereinafter, each component in Table 2 is shown.
〔resin〕
Comparative resin (B-1): homopolymer comprising repeating unit (B-1)
Weight average molecular weight 8,000
Comparative resin (1): The following structure.
Weight average molecular weight 8,400
[0270]
Embedded image
[0271]
[Photoacid generator]
It is as follows.
[0272]
Embedded image
[0273]
[Organic basic compounds]
1: 1,5-diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene (DBN)
2: Trioctylamine
[0274]
〔solvent〕
S1: Propylene glycol monomethyl ether acetate
S2: Propylene glycol monomethyl ether
S3: Ethyl lactate
S4: Propion carbonate
[0275]
<Performance evaluation>
The positive resist solution prepared as described above is uniformly applied on a silicon wafer coated with an antireflection film (manufactured by DUV42-6 Brewer Science. Inc.) using a spin coater, and is heated and dried at 120 ° C. for 60 seconds. A positive resist film having a thickness of 0.1 μm was formed. This resist film is subjected to pattern exposure using a KrF microstepper and a line and space mask (line width 150 nm, line / space = 1: 1), and immediately after exposure, heated on a hot plate at 110 ° C. for 90 seconds. did. Further, the resist film was developed with an aqueous 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide solution at 23 ° C. for 30 seconds, rinsed with pure water for 30 seconds, and then dried. The resist performance of the pattern on the silicon wafer thus obtained was evaluated by the following method.
With respect to the resist pattern obtained as described above, the number of development defects was measured with a KLA-2112 machine manufactured by KLA-Tencor Corporation, and the obtained primary data value was taken as a measurement result. The results are shown in Table 3 below.
[0276]
[Table 3]
[0277]
From Table 3, it can be seen that the positive resist composition of the present invention has few development defects.
[0278]
【The invention's effect】
According to the present invention, a positive resist composition with few development defects can be provided.
Claims (1)
(B)活性光線又は放射線の作用により酸を発生する化合物及び
(C)溶剤
を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
Rx1及びRy1は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基又はアルキル基を表す。
R50〜R55は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基を表す。但し、R50〜R55の内の少なくとも1つは、フッ素原子又は少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基を表わす。
Rは、水素原子又は有機基を表す。
R’は、水素原子又は有機基を表す。
Aは、−O−又は−O−R60−O−で表される2価の連結基を表す。R60は、アルキレン基を表す。
pは、0又は1〜3の整数を表す。
qは、0又は1を表す。
rは、0又は1を表す。
但し、p+qは、1以上の整数である。
p+qが2以上の整数の場合に、2個以上あるR50〜R55は、同じでも異なっていてもよい。
pが2以上の整数の場合に、2個以上あるRは、同じでも異なっていてもよい。(A) a resin having a repeating unit represented by the following general formula (2d), which is improved in solubility in an alkaline aqueous solution by the action of an acid;
(B) A positive resist composition comprising a compound that generates an acid by the action of actinic rays or radiation, and (C) a solvent.
R x1 and R y1 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, or an alkyl group.
R 50 to R 55 each independently represent a hydrogen atom, a fluorine atom or an alkyl group. However, at least one of R 50 to R 55 represents a fluorine atom or an alkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom.
R represents a hydrogen atom or an organic group.
R ′ represents a hydrogen atom or an organic group.
A represents a divalent linking group represented by —O— or —O—R 60 —O—. R 60 represents an alkylene group.
p represents 0 or an integer of 1 to 3.
q represents 0 or 1;
r represents 0 or 1;
However, p + q is an integer of 1 or more.
When p + q is an integer of 2 or more, two or more R 50 to R 55 may be the same or different.
When p is an integer of 2 or more, two or more Rs may be the same or different.
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- 2002-11-06 JP JP2002322832A patent/JP2004157321A/en active Pending
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