JP2004054090A

JP2004054090A - 液晶表示装置

Info

Publication number: JP2004054090A
Application number: JP2002213717A
Authority: JP
Inventors: Noboru Kunimatsu; 國松　登; Masataka Yoshizawa; 芳沢　昌孝; Setsuo Kobayashi; 小林　節郎; Junji Tanno; 丹野　淳二; Shigeru Matsuyama; 松山　茂
Original assignee: Hitachi Displays Ltd
Current assignee: Japan Display Inc
Priority date: 2002-07-23
Filing date: 2002-07-23
Publication date: 2004-02-19
Also published as: US20050260359A1; KR20040010309A; TW200409995A; CN1479149A

Abstract

【課題】残像の発生を大幅に抑制させる。
【解決手段】液晶を介して対向配置される各基板のうち一方の基板の該液晶側の面の画素領域に、画素電極とこの画素電極との間に電界を発生せしめる対向電極と、これら画素電極と対向電極をも被って電荷移動層が形成され、
前記画素電極と対向電極は、層を同じにした同一平面内に形成されているとともに、前記液晶の比抵抗が１×１０^１３Ω・ｃｍ未満となっている。
【選択図】　　　　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶表示装置に係り、特に、いわゆる横電界方式と称される液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
横電界方式の液晶表示装置は、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方の液晶側の面の各画素領域に、画素電極と対向電極とが形成され、これら各電極との間に発生する電界によって該液晶の光透過率を制御させるようになっている。
【０００３】
そして、アクティブ・マトリクス型に適用させたものは、前記一方の基板の液晶側の面に、そのｘ方向に延在しｙ方向に並設させたゲート信号線とｙ方向に延在しｘ方向に並設されたドレイン信号線とで囲まれた各領域を画素領域としている。
【０００４】
前記画素電極には一方の側のドレイン信号線からの映像信号がスイッチング素子を介して供給されるようになっており、該スイッチング素子は一方の側のゲート信号線から供給される走査信号によってオン．オフが切り替えられるようになっている。
また、前記対向電極には映像信号に対して基準となる信号がたとえば対向電圧信号を介して供給されるようになっている。
【０００５】
なお、このように構成される液晶表示装置は、その基板において液晶と直接に接触する面に配向膜が形成され、この配向膜によって該液晶の分子の初期配向方向を決定させ、前記電界の強さに応じて挙動させるようにしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、このような構成の液晶表示装置は、その構造上の特徴から配向膜に電荷が蓄積されやすく、これが原因で表示に残像が生じ易いことが指摘されていた。
しかも、この場合、比抵抗の小さい液晶を用いた場合には、直流電圧（ＤＣ）の緩和現象が発生し、数秒単位のいわゆる短残像が発生し、比抵抗の大きい液晶を用いた場合には、残留直流電圧（ＤＣ）による残像が発生していた。
本発明は、このような事情に基づいてなされたものであり、その目的は残像の発生を大幅に抑制させた液晶表示装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
従来の液晶表示装置（液晶セル）をサンプルとし、その各画素に直流電圧（ＤＣ）１Ｖを２分印加し、それ以降にて該印加を停止した場合の該各画素の相対輝度（％）を測定した場合に、図２９に示すようなグラフが得られる。
【０００８】
同図から明らかなように、直流電圧（ＤＣ）の印加中に輝度の緩和が発生していることが認識でき、このことは液晶セルに直流成分が蓄積されていることを意味する。
そして、直流電圧（ＤＣ）の印加を停止した際（画面切り替わった際に相当）に、輝度の変動が生じていることが確認され、この輝度の変動は観察者にとって残像として認識されることになる。
【０００９】
このことから、各画素に直流電圧（ＤＣ）を印加し、その後に該印加を停止する過程において、画素の相対輝度（％）の変化は図３０に示すグラフのように、直流電圧印加の停止の前後においてそれぞれほぼ不変であることが望ましいことが判明する。
【００１０】
なお、上述した実験データに基づく各グラフは次に示す評価条件に基づいて行なったものである。
▲１▼液晶セルの両面に電圧無印加時の透過率が最小となるように偏光板を直交ニコルで貼り付ける。
▲２▼ゲート電極に１０Ｖ以上の直流電圧（ＤＣ）電圧を印加する。
▲３▼信号電極に最大輝度の５０％となる交流電圧を印加する。
▲４▼信号電極に対し１Ｖの直流電圧（ＤＣ）を重畳する（２分間）。
▲５▼液晶セルを透過した光の輝度の時間変化を測定する。
このような事情のもとに構成される本願発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１１】
手段１．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方の基板の該液晶側の面の画素領域に、画素電極とこの画素電極との間に電界を発生せしめる対向電極と、これら画素電極と対向電極をも被って電荷移動層が形成され、
前記画素電極と対向電極は、層を同じにした同一平面内に形成されているとともに、前記液晶の比抵抗が１×１０^１３Ω・ｃｍ未満となっていることを特徴とするものである。
【００１２】
手段２．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、手段１の構成を前提とし、前記電荷移動層は配向膜としての機能を有することを特徴とするものである。
【００１３】
手段３．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、手段２の構成を前提とし、前記配向膜として機能する電荷移動層は光配向性を有することを特徴とするものである。
【００１４】
手段４．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、手段１から３までのうちいずれかの構成を前提とし、前記電荷移動層の形成の出発物質としてジアミンを有することを特徴とするものである。
【００１５】
手段５．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、手段４の構成を前提とし、前記電荷移動層の形成の出発物質としてフェニレンジアミンを有することを特徴とするものである。
【００１６】
手段６．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、手段４の構成を前提とし、前記電荷移動層の形成の出発物質としてシクロブタンテトラカルボン酸二無水物とジアミンを含むことを特徴とするものである。
【００１７】
手段７．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、手段２の構成を前提とし、前記電荷移動層の比抵抗が液晶の比抵抗と同等あるいはそれよりも小さいことを特徴とするものである。
【００１８】
手段８．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶を介して対向配置された各基板のうち一方の基板の液晶側の画素領域に、画素電極とこの画素電極との間に電界を発生せしめる対向電極とが層を同じにした同一平面内に形成され、
前記画素電極と対向電極との間に直流電圧を印加してから１２０秒後の相対フリッカ強度が前記直流電圧の印加直後の相対フリッカ強度の４０％以上となっていることを特徴とするものである。
【００１９】
手段９．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶を介して対向配置された各基板のうち一方の基板の液晶側の画素領域に、画素電極とこの画素電極との間に電界を発生せしめる対向電極とが層を同じにした同一平面内に形成され、
直流電圧印加前に対する前記画素電極と対向電極との間に直流電圧を印加してから１２０秒印加後の輝度増加量が前記直流電圧の印加直後の輝度増加量の４０％以上となっていることを特徴とするものである。
【００２０】
手段１０．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶を介して対向配置された各基板のうち一方の基板の液晶側の画素領域に、画素電極とこの画素電極との間に電界を発生せしめる対向電極とが層を同じにした同一平面内に形成され、
前記画素電極と対向電極の間に直流電圧を１２０秒印加後、前記直流電圧の印加を停止し、この停止から２秒後の相対フリッカ強度が前記直流電圧の印加直後の相対フリッカ強度の５％以下となっていることを特徴とするものである。
【００２１】
手段１１．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶を介して対向配置された各基板のうち一方の基板の液晶側の画素領域に、画素電極とこの画素電極との間に電界を発生せしめる対向電極とが層を同じにした同一平面内に形成され、
前記画素電極と対向電極との間に直流電圧を１２０秒印加後、前記直流電圧の印加を停止し、この停止から２秒後の前記直流電圧印加前の輝度に対する輝度増加量が５％以下となっていることを特徴とするものである。
【００２２】
手段１２．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、手段８から１１のいずれかの構成を前提とし、前記画素電極と対向電極をも被って電荷移動層が形成されていることを特徴とするものである。
【００２３】
手段１３．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、手段８から１１のうちいずれかの構成を前提とし、前記液晶の比抵抗が１×１０^１３Ω・ｃｍ未満であることを特徴とするものである。
【００２４】
手段１４．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、手段１２の構成を前提とし、前記電荷移動層が配向膜の機能を有することを特徴とするものである。
【００２５】
手段１５．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、手段１４の構成を前提とし、前記電荷移動層が前記画素電極と対向電極を直接被って形成さていることを特徴とするものである。
【００２６】
手段１６．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、手段１５の構成を前提とし、前記電荷移動層の形成の出発物質としてフェニレンジアミンを有することを特徴とするものである。
【００２７】
手段１７．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、手段１５の構成を前提とし、前記電荷移動層の形成の出発物質の主成分としてシクロブタンテトラカルボン酸二無水物とフェニレンジアミンを含むことを特徴とするものである。
【００２８】
手段１８．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、手段２の構成を前提とし、前記電荷移動層が次式（３）に示す構造を含むことを特徴とするものである。
【００２９】
【化３】

【００３０】
手段１９．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、手段８から１３のうちいずれかの構成を前提とし、前記電荷移動層が次式（４）に示す構造を含むことを特徴とするものである。
【００３１】
【化４】

【００３２】
手段２０．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、手段１から１９のうちいずれかの構成を前提とし、電荷移動層は光配向性を有することを特徴とするものである。
【００３３】
なお、本発明は以上の構成に限定されず、本発明の技術思想を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
【００３４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による液晶表示装置の実施例を図面を用いて説明をする。
【００３５】
《画素の構成》
図１は、本発明による液晶表示装置の画素の一実施例を示す平面図である。
なお、本発明による液晶表示装置は、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方の基板の液晶側の面に、たとえばそのｘ方向に延在しｙ方向に並設させたゲート信号線とたとえばｙ方向に延在しｘ方向に並設されたドレイン信号線とで囲まれた各領域を画素領域とし、これら各画素領域に次に説明される構成の画素を有するようになっている。
また、図１の２−２´線における断面図を図２に、３−３´線における断面図を図３に、４−４´線における断面図を図４に、５−５´線における断面図を図５に示している。
【００３６】
各図において、まず、透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面にたとえばＳｉＯ_２あるいはＳｉＮからなる下地層ＵＬＳが形成されている。この下地層ＵＬＳは透明基板ＳＵＢ１に含まれるイオン性不純物が後述の薄膜トランジスタＴＦＴに影響を及ぼすのを回避するために形成されている。
【００３７】
この下地層の表面には、薄膜トランジスタＴＦＴの半導体層となる多結晶シリコン層ＰＳＩが形成されている。この多結晶シリコン層ＰＳＩは画素領域のたとえば左上に形成され、後述のゲート信号線ＧＬをたとえば２回横切り後述のドレイン信号線ＤＬの走行方向に延在するようにしたほぼコ字状のパターンとして形成されている。
【００３８】
このように多結晶シリコン層ＰＳＩが形成された下地層ＵＬＳの表面には、該多結晶シリコン層ＰＳＩをも被ってたとえばＳｉＯ_２あるいはＳｉＮからなる第１絶縁膜ＧＩが形成されている。この第１絶縁膜ＧＩは薄膜トランジスタＴＦＴのゲート絶縁膜として機能するようになっている。
【００３９】
第１絶縁膜ＧＩの表面には、そのｘ方向に延在しｙ方向に並設されるゲート信号線ＧＬが形成されている。この場合のゲート信号線ＧＬは前記多結晶シリコン層ＰＳＩを２回横切るようにして配置され、該多結晶シリコン層ＰＳＩとの重畳部は薄膜トランジスタのゲート電極としての機能するようになっている。
【００４０】
なお、該多結晶シリコン層ＰＳＩは、ゲート信号線ＧＬの形成後において、このゲート信号線ＧＬより詳述するなら前記ゲート電極をマスクとして、高濃度のｎ^＋型不純物がドープされ、図３の断面図に示すように、該ゲート電極の直下を除く領域にて導電化されるようになっている。
【００４１】
また、画素領域を画する一対のゲート信号線ＧＬの間には該ゲート信号線ＧＬと平行に対向電圧信号線ＣＬが形成されている。この対向電圧信号線ＣＬはたとえばゲート信号線ＧＬと同一の材料から構成されている。
【００４２】
また、この対向電圧信号線ＣＬは、後述する２本の画素電極ＰＸのうち一方の画素電極ＰＸ（図中右側）に重畳されるようにして、該対向電圧信号線ＣＬの各辺側から延在部ＣＴＭが形成され、この延在部ＣＴＭのそれぞれは各ゲート信号線ＧＬに近接するまでに至っている。
さらに、対向電圧信号線ＣＬは、前記２本画素電極ＰＸの間のほぼ中央部にても、該対向電圧信号線ＣＬの各辺側から僅かながらの延在部ＣＴＭが形成されている。
【００４３】
第１絶縁膜ＧＩの表面には前記ゲート信号線ＧＬおよび対向電圧信号線ＣＬをも被ってたとえばＳｉＯ_２あるいはＳｉＮからなる第２絶縁膜ＩＬＩが形成されている。
【００４４】
第２絶縁膜ＩＬＩの表面には、そのｙ方向に延在しｘ方向に並設されるドレイン信号線ＤＬが形成されている。このドレイン信号線ＤＬは、前記多結晶シリコン層ＰＳＩの一部と重畳されて形成されているとともに、その一端部とコンタクトホールＣＮＴ１を通して接続されている。
ドレイン信号線ＤＬと接続された前記多結晶シリコン層ＰＳＩは薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン領域となっている。
【００４５】
また、第２絶縁膜ＩＬＩの表面には、前記前記多結晶シリコン層ＰＳＩの他端部とコンタクトホールＣＮＴ２を通して接続された下層画素電極ＰＸＭが形成されている。下層画素電極ＰＸＭと接続された前記多結晶シリコン層ＰＳＩは薄膜トランジスタＴＦＴのソース領域となっている。
【００４６】
なお、この上層画素電極ＰＸ、対向電極ＣＴ、および対向電極連結線ＣＰＴは図６において判り易く示しており、後述の上層画素電極ＰＸのパターンとの関係を明確に示している。
【００４７】
また、対向電圧信号線ＣＬの上層で前記下層電極ＰＸＭの形成領域を回避してパッド部ＰＡＤが形成され、このパッド部ＰＡＤは第２絶縁膜ＩＬＩに形成されたコンタクトホールＣＮＴを通して前記対向電圧信号線ＣＬに電気的に接続されている。
【００４８】
このパッド部ＰＡＤは、たとえば前記下層画素電極ＰＸＭの形成の際に同時に形成されるようになっており、後述する対向電極ＣＴと接続されるようになっている。
この画素電極ＰＸＭは、後述する上層画素電極ＰＸとともに一画素領域における画素電極を構成し、その大部分は前記対向電圧信号線ＣＬの延在部ＣＴＭに重畳されて形成されている。
【００４９】
すなわち、下層画素電極ＰＸＭは、薄膜トランジスタＴＦＴのソース領域からそれに近接するゲート信号線ＧＬに沿って延在し、前記対向電圧信号線ＣＬの延在部ＣＴＭに重畳するように走行した後、他方のゲート信号線ＧＬに沿って延在するほぼコ字状のパターンをなしている。
【００５０】
なお、前記下層画素電極ＰＸＭの対向電圧信号線ＣＬに交差する部分において、該対向電圧信号線ＣＬの走行方向に延在する比較的広い面積を有する部分を有し、この部分において容量素子Ｃｓｔｇの一部を構成している。
この下層画素電極ＰＸＭ、パッド部ＰＡＤのパターンは、図７において、後述の上層画素電極ＰＸのパターンとの位置関係を含めて明確にかつ判り易く示している。
【００５１】
そして、第２絶縁膜ＩＬＩの表面には、前記ドレイン信号線ＤＬおよび下層画素電極ＰＸＭをも被って、たとえばＳｉＯ_２あるいはＳｉＮからなる第１保護膜ＰＡＳおよびたとえば樹脂等からなる第２保護膜ＦＰＡＳの積層体が形成されている。
【００５２】
第２保護膜ＦＰＡＳの表面には上層画素電極ＰＸ、対向電極ＣＴ、および対向電極連結線ＣＰＴがそれぞれ、たとえばＩＴＯ　（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ　（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）、ＳｎＯ２（酸化スズ）、Ｉｎ２Ｏ３（酸化インジウム）等の透光性の材料層で形成されている。このような透光性の材料層を用いることにより画素のいわゆる開口率を向上させることができる。
【００５３】
まず、上層画素電極ＰＸは画素領域内においてｙ方向に延在しｘ方向にたとえば２本並設されて設けられ、これらは対向電圧信号線ＣＬの上方で互いに電気的に接続されている。
上層画素電極ＰＸのうち一方の上層画素電極ＰＸ（図中右側）は、前記下層画素電極ＰＸＭと重畳されて形成されている。
【００５４】
また、各上層画素電極ＰＸの対向電圧信号線ＣＬ上の接続部は第２保護膜ＦＰＡＳおよび第１保護膜ＰＡＳを貫通するコンタクトホールＣＮＴ５を通して下層画素電極ＰＸＭに接続されている。これにより、該上層画素電極ＰＸも該下層画素電極ＰＸＭを介して薄膜トランジスタＴＦＴのソース領域と電気的に接続されることになる。
【００５５】
対向電極ＣＴは前記上層画素電極ＰＸを間にしてたとえば３本設けられ、それぞれ図中ｙ方向に延在されている。
これら各対向電極ＣＴのうち１本は画素領域の中央を走行し、他の２本はそれぞれドレイン信号線ＤＬに重畳されて走行されている。
【００５６】
ドレイン信号線ＤＬに重畳されて形成される各対向電極ＣＴは、それぞれ該ドレイン信号線ＤＬと中心軸をほぼ同じにし、しかも該ドレイン信号線ＤＬの幅より大きな幅で形成されている。これにより、ドレイン信号線ＤＬからの映像信号による電界は該ドレイン信号線ＤＬに重畳されて形成される対向電極に終端されるようになる。このため、ドレイン信号線ＤＬからの電界は画素領域内の下層画素電極ＰＸＭおよび上層画素電極ＰＸにノイズとして終端されることを防止できる。
【００５７】
また、ドレイン信号線ＤＬに重畳されて形成される各対向電極ＣＴのうち一方の対向電極ＣＴは、前記対向電圧信号線ＣＬ上にて延在部を有し、この延在部は第２保護膜ＦＰＡＳおよび第１保護膜ＰＡＳを貫通するコンタクトホールＣＮＴ４を通して前記パッドＰＡＤに接続されている。これにより、前記対向電極ＣＴはこのパッドＰＡＤを介して前記対向電圧信号線ＣＬに電気的に接続されることになる。
【００５８】
また、画素領域の中央を走行する対向電極ＣＴは、前記対向電圧信号線ＣＬと交差する部分において互いに分離され、その分離された端部は前記対向電圧信号線ＣＬの延在部ＣＴＭの端部と重なり合うように位置づけられている。
【００５９】
対向電極連結線ＣＰＴは、その中心軸がゲート信号線ＧＬの中心軸にほぼ一致づけられて重畳して形成され、その幅は該ゲート信号線ＧＬのそれよりも大きく形成されている。
【００６０】
これにより、ゲート信号線ＧＬからの走査信号による電界は該ゲート信号線ＧＬに重畳されて形成される対向電極連結線ＣＰＴに終端されるようになる。このため、ゲート信号線ＧＬからの電界は画素領域内の下層画素電極ＰＸＭおよび上層画素電極ＰＸにノイズとして終端されることを防止できる。
【００６１】
この対向電極連結線ＣＰＴは前記各対向電極ＣＴと一体に、したがって電気的に接続されて形成されている。これにより、対向電圧信号線ＣＬ、対向電極連結線ＣＰＴおよび対向電極ＣＴの全体の抵抗値を大幅に低減でき、対向電圧信号線ＣＬから供給する対向電極信号の波形歪みを低減させることができる。
【００６２】
また、このように上層画素電極ＰＸ、対向電極ＣＴ、および対向電極連結線ＣＰＴが形成された第２保護膜ＦＰＡＳの表面には、図２に示すように、該上層画素電極ＰＸ、対向電極ＣＴ、および対向電極連結線ＣＰＴをも被って配向膜ＡＬ１が形成されている。この配向膜ＡＬ１は液晶ＬＣと直接に接触する膜からなり、該液晶ＬＣの分子の初期配向方向を決定させるようになっている。
【００６３】
そして、前記配向膜ＡＬ１は、その比抵抗が該液晶ＬＣの比抵抗の１×１０^１２Ω・ｃｍ以下となっており、電荷がこの配向膜ＡＬ１に帯電した場合にこれを分散させやすいいわゆる電荷移動層としての機能をもたせている。
【００６４】
さらに、図２に示すように、上述した構成からなる透明基板ＳＵＢ１に該液晶ＬＣを介して対向配置される透明基板ＳＵＢ２の液晶側の面には、カラーフィルタＦＩＬ、平坦化膜ＯＣ、配向膜ＡＬ２が順次形成されている。この配向膜ＡＬ２の比抵抗はこの実施例の場合特に限定されることはないが、前記配向膜ＡＬ１の比抵抗と同じであってもよい。
【００６５】
《効果》
このように構成した画素は、図８に示すように、対向電極ＣＴと上層画素電極ＰＸが同一平面に形成され、その上に直接電荷移動層の機能を有する配向膜ＡＬ１が形成されている。
【００６６】
このため、液晶層ＬＣと前記各電極の間に介在する層は配向膜ＡＬ１だけとなる。このとき、配向膜ＡＬ１の比抵抗を液晶層ＬＣの比抵抗より小さく設定することにより、配向膜ＡＬ１は電荷移動層として働き、対向電極ＣＴと上層画素電極ＰＸ間に直流が印加された場合でも、該直流電荷は前記配向膜ＡＬ１を通して分散するため。配向膜ＡＬ１全体で等電位になり、液晶層ＬＣにとってその影響はないものとなる。
【００６７】
また、直流の影響による残像の発生は、１秒以上の時間単位の現象である。
これに対し、液晶への対向電極ＣＴと上層画素電極ＰＸ間の交流電界は、通常６０Ｈｚ程度、すなわち数十ｍｓ単位の現象であり、残像の発生に繋がる直流の現象とは少なくとも２桁の差が有る。
【００６８】
このため、配向膜ＡＬ１に電荷移動能力を持たせても数十ｍｓ単位では対向電極ＣＴと上層画素電極ＰＸ間での電圧のリークはほとんど生じないため、駆動電圧への影響は無視でき、残像低減の効果のみを奏することができるようになる。
【００６９】
このような効果を奏するには、対向電極ＣＴと上層画素電極ＰＸ間に別の層が介在しないことが重要となり、たとえば図９のように絶縁層を介在させてしまう場合、該絶縁層への電荷の蓄積により対向電極ＣＴと上層画素電極ＰＸ間に電界が影響を受け、残像となってしまうことになる。
【００７０】
《電荷移動層》
前記電荷移動層としては、配向膜ＡＬ１の機能を併せ持つものを用いたが、次の特性を有するようになっている。
【００７１】
１）液晶層ＬＣより比抵抗が低くなっている。
電荷移動層の比抵抗が液晶層ＬＣのそれより低いため、直流電荷は該電荷移動層で均一に分散する。これにより、液晶層への電気的影響を防止できる。
【００７２】
２）極性基の多い材料で構成されている。
電荷移動層内で直流電荷を分散させるには、直流の伝導性に優れた材料を用いることが適する。
これには、特に、図１０に示すようなジアミン構造を出発物質として含む電荷移動層が適する。
【００７３】
なお、図１０（ａ）はジアミン構造の一般形を示すもので、それに示されるｘは図１０（ｂ）の（ｉ）ないし（ｖｉｉ）に示す各種の分子構造を置換できる。ここで、ベンゼン環の水素は、アルキル、アルコキシ、ハロゲン、シアノ、ニトロ等の置換可能な基で置換されていてもよい。また、このｘの分子構造は特にないものであっても適用できる。
【００７４】
電荷移動層の材料として、上記のようなジアミン構造を持つことにより、いわゆる電子のホッピング伝導が生じやすくなり、このホッピング伝導によって、直流電荷が電荷移動層に均一に分布される。換言すれば、安定状態になるように直流電荷が均一に分散していくようになる。
【００７５】
また、このホッピング伝導は、電子伝導に比べて時定数が大きいという特徴を有する。このため、通常の交流電界に対してリークが生じにくいという特性をもつ。なぜなら、通常の交流電界は数十ｍｓ単位で極性が変わるため、ホッピング伝導では十分には追従できないからである。
したがって、直流成分による電荷のみを分散できるという、際立った特性を示すようになる。
【００７６】
図１１は、前記ｘの分子構造を有しないを示すもので、このフェニレンジアミンを用いる場合には一層望ましい結果となる。
なぜなら、その分子中の極性基、すなわちＮＨ_２の比率を増大させることができ、よりホッピング伝導が生じやすくなるため、直流の分散に要する時間をさらに低減できるからである。
さらに、電荷移動層の出発物質として、たとえば図１２に示すような、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物を有することが望ましい。
【００７７】
ここで、出発物質としてフェニレンジアミンとシクロブタンテトラカルボン酸二無水物を用いた電荷移動層の主成分の分子構造単位を、図１３に示す。該電荷移動層は、そのイミド化の後において、図１３に示す分子が複数繋がったポリマーとなり、図１５に示すようになる。
ここで、モノマーの名称は、ジアミン：フェニレンジアミン，テトラカルボン酸二無水物：シクロブタンテトラカルボン酸二無水物である。
【００７８】
この電荷移動層の構造により、該電荷移動層の主鎖が直線状に構成され、これにより、さらにホッピング伝導を生じやすくすることができるようになる。この場合、電荷移動層の主鎖が直線状に構成されるとは、たとえば、図１４（ａ）に示す状態をいい、明らかに図１４（ｂ）、図１４（ｃ）の場合と区別されるものである。
【００７９】
《考察１》
ここで、図１３に示した電荷移動層Ａの特性をたとえば図１６（ａ）に分子構造を示す材料層Ｂおよび図１６（ｂ）に分子構造を示す材料層Ｃと比較して示す。
なお、この実験では、電荷移動層Ａ、材料層Ｂ、および材料層Ｃを配向膜ＡＬ１の材料として用いている。したがって、以下の説明において、電荷移動層Ａを配向膜Ａと称し、材料層Ｂを配向膜Ｂと称し、材料層Ｃを配向膜と称する。
【００８０】
なお、前記配向膜Ｂの出発物質の名称は、ジアミン：ジアミノジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物：シクロブタンテトラカルボン酸二無水物であり、前記配向膜Ｃの出発物質の名称は、ジアミン：ジアミノジフェニルメタンテトラカルボン酸二無水物：シクロブタンテトラカルボン酸二無水物である。
ここで、配向膜Ｂおよび配向膜Ｃは、配向膜Ａより極性基の比率が低下し、また直線性が低下した構造となっていることが判る。
【００８１】
図１７は、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間に直流電圧（ＤＣ）を印加した際の液晶表示部におけるフリッカの発生状況を示している。
すなわち、各画素が５０％の輝度となるよう交流駆動した状態で、０秒から１２０秒間１Ｖの直流電圧（ＤＣ）直流電圧（ＤＣ）を印加し、１２０秒後に直流電圧（ＤＣ）の印加を停止した際の該フリッカの変化を表す状態を示している。
【００８２】
なお、図１７（ａ）は液晶の比抵抗が１×１０^１３Ω・ｃｍの場合、図１７（ｂ）は液晶の比抵抗が１×１０^１２Ω・ｃｍの場合、図１７（ｃ）は液晶の比抵抗が５×１０^１ ^０Ω・ｃｍの場合を示している。
【００８３】
また、図１７（ａ）、図１７（ｂ）、図１７（ｃ）における特性曲線Ａ、Ｂ、Ｃはそれぞれ前記配向膜Ａ、配向膜Ｂ、配向膜Ｃを配向膜ＡＬ１の材料として用いたものである。
【００８４】
各図から明らかとなるように、図１７（ａ）の液晶比抵抗が高い状態では、配向膜Ａ、配向膜Ｂ、配向膜Ｃのいずれも適用可能である。しかし、図１７（ｂ）、図１７（ｃ）と液晶の比抵抗が低下するにつれ、直線性が劣る配向膜Ｂ、配向膜Ｃでは、ホッピング伝導が不十分なため、直流電荷が液晶層側に表出し、液晶層に影響を与え、その結果、直流の緩和現象が生じ、直流電圧（ＤＣ）印加停止後にフリッカの急増が観測されるようになる。
このことから、液晶の比抵抗が１×１０^１２Ω・ｃｍ以下のように低い場合において、配向膜の直線性が重要になることが判明する。
【００８５】
《考察２》
また、配向膜Ａのように直線性の高い配向膜ＡＬ１では、残像を対策することができるが、一方、直線性が高いことの代償として、配向膜ＡＬ１が硬くなることが判明した。
【００８６】
このため、該配向膜ＡＬ１にラビング法によって配向処理を行う場合に、該配向処理に時間を要することが判明した。また、硬さと表裏一体の関係として脆さが生じ、ラビング処理時に配向膜の削りくずが生じやすくなり、その除去に洗浄工程の追加が必要となることが判明した。
【００８７】
それ故、本実施例では、このように硬い配向膜ＡＬ１に適する処理方法として、新たに光配向を導入した。
すなわち、ラビング処理に代わり、偏光ＵＶ光の照射により、配向処理を行っている。
【００８８】
これにより、図１８（ａ）に示す配向膜Ａが偏光方向に延在する該材料の結合が、図１８（ｂ）に示すように、光エネルギーにより切断され、分離部を有する構造となる。偏光方向と直行する方向では切断が生じないため、偏光方向と直行した方向に配向性が生じるようになる。
【００８９】
切断された分離部は２重結合となるためπ電子雲が生成され、このことから電子のホッピング伝導がより容易になる。したがって、ラビングによる場合よりさらに残像を生じにくい構造とすることができる。
【００９０】
この場合、前記配向膜Ａの光照射中に加熱処理を行っても良い。すなわち、切断された分離部の一部は熱エネルギーにより他の分子と結合して安定状態となるため、分子末端の自由運動が低減しさらに配向性が向上するからである。また、切断部の全てが結合することは生じ得ないため、π電子の供給によるホッピング伝導の容易化効果は依然として維持させることができるからである。
【００９１】
また、配向膜Ａは、直線性に優れるがゆえに、光配向処理により配向性を発現しやすいことも新たに判明した。また直線性が優れるゆえ、チルト角度が生じにくく、いわゆるツイストネマチック（ＴＮ）方式への適用には工夫を要するものであるが、逆にチルト角が不要な上述の画素構成のようなＩＰＳ方式では、かえってこれがメリットとなり、視野角の一層の拡大が図れるものであることも判明した。
【００９２】
《考察３》
上述した実施例のように残像を低減させるに必要な特性は、図１９（ｂ）に示す場合と異なり、図１９（ａ）に示すような特性を示すことは明らかである。
【００９３】
ここで、このような特性を定量的に評価し、かつ示す手法を次に説明する。
まず、測定は、次の手順で行う。
１）輝度５０％に相当する交流電圧で駆動する。
２）輝度５０％に相当する交流電圧に、直流１Ｖを重畳し駆動する（この場合、１２０秒間駆動し続ける）。
３）輝度５０％に相当する交流電圧で駆動する。
【００９４】
すなわち、１２０秒間だけ直流１Ｖを印加し、そのときのフリッカ、および輝度の過度特性を輝度計を用いて測定する。
この評価により、図２０および図２１にそれぞれ示すように、相対フリッカ強度の過度特性および相対輝度の過度特性が得られる。
【００９５】
フリッカの過度特性を示す図２０の場合、その（ａ）、（ｂ）、（ｃ）において、それぞれ液晶の比抵抗が１×１０^１３Ω・ｃｍ、１×１０^１２Ω・ｃｍ、５×１０^１０Ω・ｃｍのものを対象としている。また、各グラフの横軸に時間（秒）、縦軸に相対フリッカ強度（％）を採っている。
【００９６】
また、各グラフにおける特性曲線Ａは前記配向膜Ａを用いた場合、特性曲線Ｂは前記配向膜Ｂを用いた場合、特性曲線Ｃは前記配向膜Ｃを用いた場合を示している。
【００９７】
この図から明らかなように、液晶の比抵抗が１×１０^１３Ω・ｃｍの場合に問題となることはないが、液晶の比抵抗がそれより小さくなってくる場合に、配向膜ＢあるいはＣを用いたものは相対フリッカ強度に緩和を示すようになるが、配向膜Ａを用いたものは緩和を示さないことが明らかとなる。
【００９８】
相対輝度の過度特性を示す図２１の場合、その（ａ）、（ｂ）、（ｃ）においても、それぞれ液晶の比抵抗が１×１０^１３Ω・ｃｍ、１×１０^１２Ω・ｃｍ、５×１０^１０Ω・ｃｍのものを対象としている。また、各グラフの横軸に時間（秒）、縦軸に相対輝度（％）を採っている。
【００９９】
また、各グラフにおける特性曲線Ａは前記配向膜Ａを用いた場合、特性曲線Ｂは前記配向膜Ｂを用いた場合、特性曲線Ｃは前記配向膜Ｃを用いた場合を示している。
【０１００】
この図から明らかなように、液晶の比抵抗が１×１０^１３Ω・ｃｍの場合に問題となることはないが、液晶の比抵抗がそれより小さくなってくる場合に、配向膜ＢあるいはＣを用いたものは相対輝度に緩和を示すようになるが、配向膜Ａを用いたものは緩和を示さないことが明らかとなる。
ここで、得られたデータは、次の４手法の少なくともいずれかにより解析する。
【０１０１】
１）直流印加中の輝度変化
これは、直流電圧（ＤＣ）の緩和のし易さを評価することにより、直流電圧（ＤＣ）の蓄積しやすさを評価するものである。実測データを以下の指数関数式（１）でフィッティングする（カレイダグラフ等の図形ソフトで容易に計算できる）。
【０１０２】
【数１】輝度＝Ａ＋Ｂｅｘｐ（−ｔ／Ｃ）＋Ｄｅｘｐ（−ｔ／Ｅ）……（１）
ここで、Ａ〜Ｅは定数、ｔは直流電圧（ＤＣ）１Ｖを印加してからの時間である。
【０１０３】
この関数を実測データにフィッティングし、そのフィッティング結果から、ｔ＝０の時の値（＝Ａ＋Ｂ＋Ｄ）を求め，これを１００％とする。
さらに，直流電圧（ＤＣ）を重畳する前の輝度を０％と規格化する。この条件のもとで，ｔ＝１２０秒の時の輝度を求める。
【０１０４】
２）直流印加中のフリッカ強度の変化
これは、直流電圧（ＤＣ）の緩和のし易さを評価することにより、直流電圧（ＤＣ）の蓄積しやすさを評価するものである。実測データを以下の指数関数式（２）でフィッティングする（カレイダグラフ等の図形ソフトで容易に計算できる）。
【０１０５】
【数２】輝度＝Ａ＋Ｂｅｘｐ（−ｔ／Ｃ）＋Ｄｅｘｐ（−ｔ／Ｅ）……（２）
ここで、Ａ〜Ｅは定数、ｔは直流電圧（ＤＣ）１Ｖを印加してからの時間である。
【０１０６】
この関数を実測データにフィッティングし、このフィッティング結果から，ｔ＝０の時の値（＝Ａ＋Ｂ＋Ｄ）を求め，これを１００％とする。
さらに，直流電圧（ＤＣ）を重畳する前のフリッカ強度を０％と規格化する。この条件のもとで，ｔ＝１２０秒の時のフリッカ強度を求める。
【０１０７】
３）直流印加終了直後の輝度変化
これは、表示パターン切り替わり後の実際の残像に対応する。実測データを以下の指数関数式（３）でフィッティングする（カレイダグラフ等の図形ソフトで容易に計算できる）。
【０１０８】
【数３】輝度＝Ａ＋Ｂｅｘｐ（−ｔ／Ｃ）＋Ｄｅｘｐ（−ｔ／Ｅ）……（３）
ここで、Ａ〜Ｅは定数、ｔは直流電圧（ＤＣ）１Ｖを印加してからの時間である。
【０１０９】
この関数を実測データにフィッティングし、このフィッティング結果から，ｔ＝０の時の値（＝Ａ＋Ｂ＋Ｄ）を求め，これを１００％とする。
さらに，直流電圧（ＤＣ）を重畳する前の輝度を０％と規格化する。この条件のもとで，ｔ＝１２２秒の時の輝度を求める。
【０１１０】
４）直流印加中のフリッカ強度の変化
これは、表示パターン切り替わり後の実際の残像に対応する。実測データ以下の指数関数式（４）でフィッティングする（カレイダグラフ等の図形ソフトで容易に計算できる）。
【０１１１】
【数４】輝度＝Ａ＋Ｂｅｘｐ（−ｔ／Ｃ）＋Ｄｅｘｐ（−ｔ／Ｅ）……（４）
ここで、Ａ〜Ｅは定数、ｔは直流電圧（ＤＣ）１Ｖを印加してからの時間である。
【０１１２】
この関数を実測データにフィッティングし、このフィッティング結果から，ｔ＝０の時の値（＝Ａ＋Ｂ＋Ｄ）を求め，これを１００％とする。
さらに，直流電圧（ＤＣ）を重畳する前のフリッカ強度を０％と規格化する。この条件のもとで，ｔ＝１２２秒の時のフリッカ強度を求める。
【０１１３】
これにより、まず、上記１）の直流印加中の輝度変化に対しては、直流電圧（ＤＣ）を印加してから１２０秒後の輝度増加量が直流電圧（ＤＣ）印加直後の輝度増加量の４０％以上であることが、残像を抑制するに必要な特性であることが、目視評価の結果判明した。
【０１１４】
図２２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ前述した図２１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の直流電圧（ＤＣ）印加中の部分を拡大したグラフを示している（横軸を０〜１２０秒の範囲でとっている）。
各図２２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示した図中の実線は、前述の手法によりフィッティングしたラインである。
【０１１５】
これらの図から配向膜Ａはいずれの液晶比抵抗でも直流電圧（ＤＣ）を印加してから１２０秒後の輝度増加量が直流電圧（ＤＣ）印加直後の輝度増加量の４０％以上を満たしていることを示している。そして、それは液晶の比抵抗に依存性の少ない、高い値を維持していることを示している。
【０１１６】
一方、配向膜Ｂは液晶比抵抗が１×１０^１２Ω・ｃｍにおいてかろうじて満たすが、それ以下では条件を満足しないことが判る。また、配向膜Ｃは液晶比抵抗が１×１０^１２Ω・ｃｍでも条件を満足しないことが判る。
【０１１７】
このように、本評価手法により、液晶表示装置の残像特性を定量化することができることが示されると共に、直線性のよい配向膜Ａが残像抑制に対し特異的な効果を示すことが明らかとなる。
【０１１８】
次に２）の直流印加中のフリッカ強度変化に対しては、直流電圧（ＤＣ）を印加してから１２０秒後の相対フリッカ強度が直流電圧（ＤＣ）印加直後の相対フリッカ強度の４０％以上であることが、残像を抑制するに必要な特性であることが、目視評価の結果判明した。
【０１１９】
図２３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ前述した図２０（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の直流電圧（ＤＣ）印加中の部分を拡大したグラフを示している（横軸を０〜１２０秒の範囲でとっている）。
各図２３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示した図中の実線は、前述の手法によりフィッティングしたラインである。
【０１２０】
これらの図から配向膜Ａはいずれの液晶比抵抗でも直流電圧（ＤＣ）を印加してから１２０秒後の相対フリッカ強度が直流電圧（ＤＣ）印加直後の相対フリッカ強度の４０％以上を満たしていることを示している。そして、それは液晶の比抵抗に依存性の少ない、高い値を維持していることを示している。
【０１２１】
一方、配向膜Ｂは１×１０^１２Ω・ｃｍではぎりぎり満たすが、それ以下では条件を満足しないことが判る。また、配向膜Ｃは液晶比抵抗が１×１０^１２Ω・ｃｍでも条件を満足しないことが判る。
【０１２２】
このように、本評価手法により、液晶表示装置の残像特性を定量化することができることが示されると共に、直線性のよい配向膜Ａが残像抑制に対し特異的な効果を示すことが明らかとなる。
【０１２３】
図２４は、配向膜Ａ，Ｂ，Ｃのそれぞれの液晶の比抵抗に対する相対輝度の関係を示したグラフである。同図において横軸に液晶の比抵抗（Ω・ｃｍ）を、縦軸に相対輝度（％）をとっている。
【０１２４】
同図から明らかとなるように、相対輝度は配向膜Ａにおいては液晶の比抵抗にほとんど依存しないのに対し、配向膜Ｂ、Ｃにおいては強い依存を示し、比抵抗が低下するとその値を減じる結果となっている。
この結果が示すように、配向膜Ａは広い液晶比抵抗の範囲に適用可能であり、また安定して残像の抑制が可能となる。
【０１２５】
また、図２５は、配向膜Ａ，Ｂ，Ｃのそれぞれの液晶の比抵抗に対する相対フリッカ強度の関係を示したグラフである。同図において横軸に液晶の比抵抗（Ω・ｃｍ）を、縦軸に相対フリッカ強度（％）をとっている。
【０１２６】
同図から明らかとなるように、相対フリッカ強度は配向膜Ａにおいては液晶の比抵抗にほとんど依存しないのに対し、配向膜Ｂ、Ｃにおいては強い依存を示し、比抵抗が低下するとその値を減じる結果となっている。
この結果が示すように、配向膜Ａは広い液晶比抵抗の範囲に適用可能であり、また安定して残像の抑制が可能となる。
【０１２７】
次に３）の直流印加終了直後の輝度変化に対しては、直流電圧（ＤＣ）を１２０秒印加後、直流電圧（ＤＣ）印加を停止し、停止から２秒後の相対フリッカ強度が直流電圧（ＤＣ）印加直後の相対フリッカ強度の５％以下であることが、残像を抑制するに必要な特性であることが、目視評価の結果判明した。
【０１２８】
図２６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ前述した図２０（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の直流電圧（ＤＣ）印加後の部分を拡大したグラフを示している（横軸をＤＣ印加停止後の時間０〜１０秒の範囲でとっている）。
【０１２９】
これらの各グラフから明らかなように、配向膜Ａはいずれの液晶の比抵抗であっても２秒後に５％以下となっている。
【０１３０】
この２秒後という時間は、画面切り替わり後、観察者が残像を明確に認識し始める時間であり、この段階で残像が目視されないレベルにまで低下していれば、観察者に残像として認識され難いことが判明した。
【０１３１】
また、残像として認識される強度は、相対フリッカ強度で５％以上となる場合であることが判明した。
一方、配向膜Ｂ，Ｃの場合は、液晶の比抵抗が１×１０^１２Ω・ｃｍ以下では、この値を満たしていないことが判る。
【０１３２】
また配向膜ＢとＣの場合は、図２６（ｂ）と（ｃ）で明らかとなるが、相対フリッカ強度が逆転するなど、不安定な挙動を示している。この原因は判明していないが、このような不安定性を排除するにも、直流電圧（ＤＣ）印加停止後２秒後に５％以下を満たすことが重要である。
【０１３３】
次に４）の直流印加中のフリッカ強度の変化に対しては、直流電圧（ＤＣ）を１２０秒印加後、直流電圧（ＤＣ）印加を停止し、停止から２秒後の相対輝度が直流電圧（ＤＣ）印加直後の相対輝度の５％以下であることが、残像を抑制するに必要な特性であることが、目視評価の結果判明した。
【０１３４】
図２７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ前述した図２１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の直流電圧（ＤＣ）印加後の部分を拡大したグラフを示している（横軸をＤＣ印加停止後の時間０〜１０秒の範囲でとっている）。
これらの各グラフから明らかなように、配向膜Ａはいずれの液晶の比抵抗であっても２秒後に５％以下となっている。
【０１３５】
この２秒後という時間は、画面切り替わり後、観察者が残像を明確に認識し始める時間であり、この段階で残像が目視されないレベルにまで低下していれば、観察者に残像として認識され難いことが判明した。
【０１３６】
また、残像として認識される強度は、相対輝度で５％以上となる場合であることが判明した。
一方、配向膜Ｂ，Ｃの場合は、液晶比抵抗が１×１０^１２Ω・ｃｍ以下では、この値を満たしていないことが判る。
【０１３７】
また配向膜ＢとＣの場合は、図２７（ｂ）と（ｃ）で明らかと成るが、相対輝度が逆転するなど、不安定な挙動を示している。この原因は判明していないが、このような不安定性を排除するにも、直流電圧（ＤＣ）印加停止後２秒後に５％以下を満たすことが重要である。
【０１３８】
さらに、図２８は、各配向膜Ａ，Ｂ，Ｃを用いた場合、直流電圧（ＤＣ）印加ＯＦＦから２秒後の相対輝度の液晶比抵抗依存性を示すグラフである。
同図において、その横軸には液晶の比抵抗（Ω・ｃｍ）、縦軸には相対輝度（％）を示している。
【０１３９】
このグラフから明らかとなるように、配向膜Ａが安定して残像を抑制する条件を満たすのに対し、配向膜Ｂは液晶の比抵抗が低下すると条件を満たさなくなり、配向膜Ｃは液晶比抵抗に対し大きなばらつきを示すことが判明する。
この結果からも、配向膜Ａが安定して残像を抑制できることが明らかとなる。上述した液晶表示装置の画素の構成は、必ずしも図１ないし図７に示したものに限定されることはなく、本発明の要旨以外の部分において変更があってもよいことはいうまでもない。
【０１４０】
【発明の効果】
以上説明したことから明らかなように、本発明による液晶表示装置によれば、残像の発生を大幅に抑制させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による液晶表示装置の画素の一実施例を示す平面図である。
【図２】図１の２−２´線における断面図である。
【図３】図１の３−３´線における断面図である。
【図４】図１の４−４´線における断面図である。
【図５】図１の５−５´線における断面図である。
【図６】上層画素電極ＰＸ、対向電極ＣＴ、および対向電極連結線ＣＰ　Ｔの各パターンを判り易く示した図である。
【図７】下層画素電極ＰＸＭのパターンを判り易く示した図である。
【図８】本発明による液晶表示装置の効果を明らかにする説明図である。
【図９】従来の液晶表示装置の不都合を示した説明図である。
【図１０】ジアミン構造を含む材料を示す分子構造式である。
【図１１】フェニレンジアミンを示す分子構造式である。
【図１２】シクロブタンテトラカルボン酸二無水物を示す分子構造式である。
【図１３】シクロブタンテトラカルボン酸二無水物とフェニレンジアミンを有する電荷移動層のイミド化後の分子構造を示す式である。
【図１４】各配向膜の主鎖の連結状態を示す図である。
【図１５】図１３に示す分子構造が２個繋がった場合の分子構造式である。
【図１６】本発明に用いられる電荷移動層の効果を示すために比較となる材料層の分子構造式である。
【図１７】画素電極と対向電極との間に直流電圧（ＤＣ）を印加した際の液晶表示部におけるフリッカの発生状況を示すグラフである。
【図１８】本発明に用いられる電荷移動層の他の実施例を示す分子構造式である。
【図１９】残像を低減させるに必要な特性を従来の場合と比較して示す相対輝度特性を示したグラフである。
【図２０】時間に対する相対フリッカ強度の過渡特性を示すグラフである。
【図２１】時間に対する相対輝度の過渡特性を示すグラフである。
【図２２】図２１の一部を拡大して示したグラフである。
【図２３】図２０の一部を拡大して示したグラフである。
【図２４】各配向膜のそれぞれの液晶の比抵抗に対する相対輝度の関係を示したグラフである。
【図２５】各配向膜のそれぞれの液晶の比抵抗に対する相対フリッカ強度の関係を示したグラフである。
【図２６】図２０の一部を拡大して示したグラフである。
【図２７】図２１の一部を拡大して示したグラフである。
【図２８】各配向膜のそれぞれの直流電圧印加を停止してから２秒後の相対輝度の液晶比抵抗依存性を示すグラフである。
【図２９】従来の液晶セルをサンプルとして測定した相対輝度特性を示すグラフである。
【図３０】本発明で必要となる液晶セルの相対輝度特性を示すグラフである。
【符号の説明】
ＳＵＢ１、ＳＵＢ２……透明基板、ＧＬ……ゲート信号線、ＤＬ……ドレイン信号線、ＣＬ……対向電圧信号線、ＰＳＩ……多結晶シリコン層、ＣＴ……対向電極、ＰＸ……上層画素電極、ＰＸＭ……下層画素電極、ＧＩ……第１絶縁膜、ＩＬＩ……第２絶縁膜、ＰＡＳ……第１保護膜、ＦＰＡＳ……第２保護膜、ＡＬ１……配向膜（電荷移動層）、ＬＣ……液晶。

Claims

液晶を介して対向配置される各基板のうち一方の基板の該液晶側の面の画素領域に、画素電極とこの画素電極との間に電界を発生せしめる対向電極と、これら画素電極と対向電極をも被って電荷移動層が形成され、
前記画素電極と対向電極は、層を同じにした同一平面内に形成されているとともに、前記液晶の比抵抗が１×１０^１３Ω・ｃｍ未満となっていることを特徴とする液晶表示装置。
前記電荷移動層は配向膜としての機能を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
前記配向膜として機能する電荷移動層は光配向性を有することを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
前記電荷移動層の形成の出発物質としてジアミンを有することを特徴とする請求項１から３までのうちいずれかに記載の液晶表示装置。
前記電荷移動層の形成の出発物質としてフェニレンジアミンを有することを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
前記電荷移動層の形成の出発物質としてシクロブタンテトラカルボン酸二無水物とジアミンを含むことを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
前記電荷移動層の比抵抗が液晶の比抵抗と同等あるいはそれよりも小さいことを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
液晶を介して対向配置された各基板のうち一方の基板の液晶側の画素領域に、画素電極とこの画素電極との間に電界を発生せしめる対向電極とが層を同じにした同一平面内に形成され、
前記画素電極と対向電極との間に直流電圧を印加してから１２０秒後の相対フリッカ強度が前記直流電圧の印加直後の相対フリッカ強度の４０％以上となっていることを特徴とする液晶表示装置。
液晶を介して対向配置された各基板のうち一方の基板の液晶側の画素領域に、画素電極とこの画素電極との間に電界を発生せしめる対向電極とが層を同じにした同一平面内に形成され、
直流電圧印加前に対する前記画素電極と対向電極との間に直流電圧を印加してから１２０秒印加後の輝度増加量が前記直流電圧の印加直後の輝度増加量の４０％以上となっていることを特徴とする液晶表示装置。
液晶を介して対向配置された各基板のうち一方の基板の液晶側の画素領域に、画素電極とこの画素電極との間に電界を発生せしめる対向電極とが層を同じにした同一平面内に形成され、
前記画素電極と対向電極の間に直流電圧を１２０秒印加後、前記直流電圧の印加を停止し、この停止から２秒後の相対フリッカ強度が前記直流電圧の印加直後の相対フリッカ強度の５％以下となっていることを特徴とする液晶表示装置。
液晶を介して対向配置された各基板のうち一方の基板の液晶側の画素領域に、画素電極とこの画素電極との間に電界を発生せしめる対向電極とが層を同じにした同一平面内に形成され、
前記画素電極と対向電極との間に直流電圧を１２０秒印加後、前記直流電圧の印加を停止し、この停止から２秒後の前記直流電圧印加前の輝度に対する輝度増加量が５％以下となっていることを特徴とする液晶表示装置。
前記画素電極と対向電極をも被って電荷移動層が形成されていることを特徴とする請求項８から１１のうちいずれかに記載の液晶表示装置。
前記液晶の比抵抗が１×１０^１３Ω・ｃｍ未満であることを特徴とする請求項８から１１のうちいずれかに記載の液晶表示装置。
前記電荷移動層が配向膜の機能を有することを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置。
前記電荷移動層が前記画素電極と対向電極を直接被って形成さていることを特徴とする請求項１４に記載の液晶表示装置。
前記電荷移動層の形成の出発物質としてフェニレンジアミンを有することを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示装置。
前記電荷移動層の形成の出発物質の主成分としてシクロブタンテトラカルボン酸二無水物とフェニレンジアミンを含むことを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示装置。
前記電荷移動層が次式（１）に示す構造を含むことを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
前記電荷移動層が次式（２）に示す構造を含むことを特徴とする請求項８から１３のうちいずれかに記載の液晶表示装置。
電荷移動層は光配向性を有することを特徴とする請求項１から１９のうちいずれかに記載の液晶表示装置。