【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子機器，電気機器等に好適に用いられる静電対策部品に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
静電対策部品としては、サージ素子やバリスタ素子などが用いられている。
【０００３】
この静電対策部品は、主に電子機器などの内部に設けられ、所定の電圧が加わるまでは、コンデンサの役割をし、所定以上の電圧（バリスタ電圧）が加わると低抵抗体として機能してアースなどに逃がし、内部の回路を静電気などからガードする目的などで用いられている。
【０００４】
先行例としては、特開平５−２８３２１０号公報，特開平１１−３８０９号公報等がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
電子機器は高周波化されてきており、そのためその電子機器などに用いられる静電対策部品においては、静電容量，バリスタ電圧に対して非常に厳しい精度や低容量化などが求められてきている。上記従来の技術では精度を向上させることが困難であり、しかも低容量の静電対策部品を得ることは困難であった。
【０００６】
本発明は、上記従来の課題を解決するもので、バリスタ電圧もしくは静電容量の調整が精度良くできて、特性バラツキを抑えることができる静電対策部品を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、アルミナで構成された柱状の基台と、前記基台上に設けられた形成膜と、前記基台上に設けられた形成膜に接するバリスタと、前記基台の両端に設けられた端子部とを備えた。
【０００８】
【発明の実施の形態】
請求項１記載の発明は、アルミナで構成された柱状の基台と、前記基台上に設けられた形成膜と、前記基台上に設けられた形成膜に接するバリスタと、前記基台の両端に設けられた端子部とを備えたことを特徴とする静電対策部品とすることで、基台にバリスタを形成することによって静電容量やバリスタ電圧を容易に調整可能であるので、非常に精度良く静電容量やバリスタ電圧を調整できるので、低容量でしかも特性バラツキを小さくできる。
【０００９】
請求項２記載の発明は、基台の両端部を避けて片面に１箇所以上の段差部を設け、前記段差部内に設けられた箇所にバリスタを形成することを特徴とする請求項１記載の静電対策部品とすることで、バリスタと回路基板などとの隙間を設けることができるので、バリスタ近傍の導電膜などが他の部材と接触して特性劣化などを引き起こすことを防止できる。しかも両端部を端子部とすることができ、端子部を明確化できるので、接合長さの違いによる特性バラツキを抑えることができる。
【００１０】
請求項３記載の発明は、基台の両端部を避けて片面に１箇所以上の段差部を設け、前記段差部の中にさらにバリスタを設けるための段差部を設けることを特徴とする請求項１記載の静電対策部品とすることで、２段以上の段差部の形成によりバリスタが他の部材と接触して特性劣化などを引き起こすことを防止できる。しかも両端部を端子部とすることができ、端子部を明確化できるので、接合長さの違いによる特性バラツキを抑えることができる。
【００１１】
請求項４記載の発明は、基台の両端部を避けて両面に１箇所以上の段差部を設け、前記段差部内に設けられた箇所にバリスタを形成することを特徴とする請求項１記載の静電対策部品とすることで、バリスタと回路基板などとの隙間を設けることができるので、バリスタ近傍の導電膜などが他の部材と接触して特性劣化などを引き起こすことを防止できる。しかも両端部を端子部とすることができ、端子部を明確化できるので、接合長さの違いによる特性バラツキを抑えることができる。
【００１２】
請求項５記載の発明は、基台の両端部を避けて両面に１箇所以上の段差部を設け、前記段差部の中にさらにバリスタを設けるための段差部を設けることを特徴とする請求項１記載の静電対策部品とすることで、２段以上の段差部の形成によりバリスタが他の部材と接触して特性劣化などを引き起こすことを防止できる。しかも両端部を端子部とすることができ、端子部を明確化できるので、接合長さの違いによる特性バラツキを抑えることができる。
【００１３】
請求項６記載の発明は、バリスタを覆うように保護材を設けたことを特徴とする請求項１記載の静電対策部品とすることで、耐候性等を向上させることができる。
【００１４】
請求項７記載の発明は、形成膜を基台の表面に直接形成してオーミック接合を得る第１の形成膜と、前記第１の形成膜の上に設けられた第２の形成膜を積層して構成したことを特徴とする請求項１記載の静電対策部品とすることで、形成膜と基台間の静電容量を安定化させることができる。
【００１５】
請求項８記載の発明は、第１の形成膜をスパッタリング法で構成し、第２の形成膜を鍍金法で形成したことを特徴とする請求項５記載の静電対策部品とすることで、容易にオーミック接合を行うことができ、しかも形成膜の膜厚を比較的短時間で行うことができる。
【００１６】
以下、本発明における静電対策部品の実施の形態について説明する。
【００１７】
図１は本発明の一実施の形態における電子部品を示す側断面図である。
【００１８】
図１において、１１は絶縁材料などをプレス加工，押し出し法等を施して構成されている基台で、基台１１はアルミナで構成されている。
【００１９】
１２は基台１１の上に設けられているバリスタ１２で、このバリスタ１２は電圧に依存する非線形抵抗を有している。
【００２０】
１３は基台１１の上に設けられている形成膜１３で、形成膜１３は、メッキ法，スパッタリング法等の蒸着法，焼き付け法等の少なくとも一つの手段にて基台１１上の少なくとも一部或いは基台１１の全面に形成される。本実施の形態では、形成膜１３を基台１１表面に密着して設けたスパッタ膜１３Ｂと、そのスパッタ膜１３Ｂ上に形成されたメッキ膜１３Ａの２層構造とした。
【００２１】
１４はバリスタ１２と形成膜１３上に形成された保護材、１５，１６はそれぞれ基台１１の端部上に設けられた端子部である。
【００２２】
以上の様に構成された静電対策部品は、基台１１の段差部の幅や深さを調整することでバリスタ１２の量をコントロ−ルすることができ、容易に静電容量やバリスタ電圧を調整でき、しかもバラツキを抑えることができる。
【００２３】
また、端子部１５，１６を回路基板上の電極などに電気的に接合し、しかも例えば、端子部１５をアース電極に接合することで、静電対策部品に所定の電圧が加わるまでは、静電対策部品は低容量のコンデンサとして働き、所定の電圧を超えると、端子部１６側から端子部１５側へ放電され、静電気などによる内部電子部品などの破壊を防止できる。
【００２４】
次に各部について詳細に説明する。
【００２５】
基台１１は角柱状もしくは円柱状とすることが好ましく、図２に示す様に基台１１を角柱状とすることによって、実装性を向上させることができ、素子の転がり等を防止できる等の効果を有する。また、基台１１を角柱状とする中でも特に四角柱状とすることが非常に実装性や、素子の回路基板上での位置決めを容易にする。更に、基台１１を角柱状とすることによって構造が非常に簡単になるので、生産性がよく、しかもコスト面が非常に有利になる。
【００２６】
また、基台１１の形状を円柱状とすることによって、後述するように基台１１上にバリスタ１２を形成する場合、そのバリスタ１２の幅などを精度よく形成することができ、特性のばらつきを抑えることができる。
【００２７】
また、基台１１の両端部を除いて、片面あるいは両面に１箇所以上の段差部１１Ｚが形成されている。また、片面あるいは両面に１箇所以上の段差部１１Ｚにさらに段差部１１Ｙを設けることもある。このことで、バリスタ１２を形成した部分が直接回路基板等と接触して特性の変化が生じたりするなどの不具合の発生を防止でき、また１箇所以上の段差部１１Ｚを設けることで静電対策部品の大きさを変えずに様々な特性の品揃えを行うことができる。なお、回路基板などに工夫が施されたり、或いは、他の手段にて、バリスタ１２を形成した部分が回路基板等との接触の危険性が非常に少ない場合等には、特に段差部１１Ｚ，１１Ｙを設ける必要はない。なお、段差部１１Ｚ，１１Ｙを基台１１に設けなくても良い場合には、基台１１が非常にシンプルな構成となり、生産性が良くなり、しかも精度などを向上させることができる。
【００２８】
また基台１１の両端部の断面形状は、上述の通り、円形または多角形状とすることが好ましく、しかも多角形状とする場合には、特に正多角形状とすることによって、どの方向に実装しても、特性の変化があまりないので好ましい。更に、段差部１１Ｚにおける断面も、同様に、円形または多角形状とすることが好ましく、しかも多角形状とする場合には、特に正多角形状とすることが好ましい。なお、段差部１１Ｚ，１１Ｙの断面形状と両端部の断面形状の断面形状は異なった形でも良いし、同一形状としても良い。
【００２９】
基台１１は上述の通り、アルミナ・ムライト・フォルステライト・ステアライト・コ−ディエライト等から選ばれる少なくとも一つの材料を主成分のものが好適に用いられる。
【００３０】
なお、本実施の形態では、形成膜１３と基台１１の接合強度を基台１１の表面粗さを調整することによって、向上させたが、例えば、基台１１と形成膜１３の間に炭素単体，炭素に他の元素を添加したもの、Ｃｒ単体またはＣｒと他の金属の合金（例えばＮｉ−Ｃｒ等）、Ｔｉ単体またはＴｉと他の金属との合金の少なくとも一方で構成された中間層（密着強化層）を設けることによって、表面粗さを調整せずとも形成膜１３と基台１１の密着強度を向上させることができる。
【００３１】
次に図３，図４に示すように、基台１１の全面にスパッタリング法を用いて、スパッタ膜１３Ｂを形成し、そのスパッタ膜１３Ｂの上にメッキ膜１３Ａを鍍金法などで積層して、形成膜１３を形成する。スパッタ膜１３Ｂ、メッキ膜１３Ａはそれぞれ導電性材料で構成され、スパッタ膜１３Ｂとしては、Ａｌ，Ｚｎ，Ｎｉ，Ａｇの少なくとも一つを主成分とする導電膜（基台１１とのオーミック接合をとるため）で構成され、メッキ膜１３ＡはＮｉ，Ｃｕ，Ａｇの少なくとも一つを主成分とする導電膜で構成されている。
【００３２】
本実施の形態では、形成膜１３を２層構造として、しかもその各層毎の製法を規定したが、形成膜１３は１層でも良く、３層以上でも良い。しかし余り積層数が大きくなると工数などが増えるので、１０層以下で導電膜を積層して形成膜１３を形成することが好ましい。
【００３３】
また、形成膜１３の形成手段としては、スパッタリング法等の蒸着法，電界鍍金法や無電界鍍金法，ＣＶＤ法，導電性ペーストを印刷やディップなどで基台１１上に塗布して、焼き付ける方法などを適応させることができる。
【００３４】
なお、形成膜１３の膜厚（本実施の形態ではスパッタ膜１３Ｂの膜厚とメッキ膜１３Ａの膜厚を加えたもの）としては、０．２〜５０μｍ（好ましくは２μｍ〜２０μｍ）とすることが良く、形成膜１３の膜厚が０．２μｍより小さいと、所望の特性が得られず、５０μｍより厚いと非経済的であり、素子の小型化が困難である。
【００３５】
次に、基台１１の両端部を除いて、片面あるいは両面に１箇所以上の段差部１１Ｚか、または、片面あるいは両面の１箇所以上の段差部１１Ｚにさらに段差部１１Ｙを設けた箇所の形成膜１３をレーザー加工や砥石加工（ラバー加工）によって取り除く。レーザーとしてはＹＡＧレーザー，炭酸ガスレーザー，エキシマレーザー等を用いることができる。
【００３６】
また、図５に示す様に形成膜１３を形成する前に、予め基台１１の両端部を除いて、片面あるいは両面の１箇所以上の段差部１１Ｚか、または、片面あるいは両面の１箇所以上の段差部１１Ｚにさらに段差部１１Ｙを設けた箇所にレジスト膜をパターン形成しておき、その後に形成膜１３を基台１１上に形成し、その後にレジスト膜を除去することで、予め基台１１の両端部を除いて、片面あるいは両面の１箇所以上の段差部１１Ｚか、または、１箇所以上の段差部１１Ｚにさらに段差部１１Ｙを設けた箇所に、形成膜１３を設けないようにすることもできる。
【００３７】
次に、バリスタ１２の具体的な構成材料としては、ＺｎＯ，ＴｉＯ２、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＢａＴｉＯ３，ＳｒＴｉＯ３セレン系から選ばれる少なくとも一つの材料を主成分のものが好適に用いられ、この主成分材料にＢｉ２Ｏ３，Ｓｂ２Ｏ３，ＭｎＯ２，Ｃｏ２Ｏ３，Ａｇ２Ｏ，ＰｂＯ、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｏＯ、ＭｎＯの中から選ばれる少なくとも一つの補助材料を添加して構成されている。図６に示す様にこれを基台１１の両端部を除いて、片面あるいは両面の１箇所以上の段差部１１Ｚか、または、１箇所以上の段差部１１Ｚにさらに段差部１１Ｙを設けた箇所に形成膜１３と接触するようにバリスタ１２を埋め込む。
【００３８】
次に保護材１４を図７に示すように段差部１１Ｚ，１１Ｙ中に少なくとも設ける。
【００３９】
保護材１４は、必要に応じて設けられる。すなわち、仕様などによっては保護材１４を設けなくても良い。
【００４０】
また、回路基板などとの絶縁性を確保する等の目的で、薄い保護材１４を設けても良い。
【００４１】
また、実装機のノズルで吸着して実装する場合に、保護材１４を形成させていくことで、吸着ミスを大幅に低減させることができる。
【００４２】
更に、保護材１４を設けることで、保護材１４から露出した部分を端子部１５，１６とすることができ、端子部１５，１６を明確にすることができるので、実装の際に精度を向上させることができる。
【００４３】
保護材１４としては、エポキシ樹脂などを塗布する方法や、カチオン塗料などを電着法で形成する方法などが好適に用いられる。
【００４４】
最後に端子部１５，１６を基台１１の両端に設けることで図１に示す静電対策部品を作製する。
【００４５】
端子部１５，１６としては、半田などとの接合性が良い材料で形成膜１３を形成した場合には、形成膜１３そのものを用いても良いし、端子部１５，１６となる形成膜１３上に、Ｎｉ，Ｎｉ合金等の導電性を有し耐食性を有する耐食層を設け、その耐食性の上に、半田，Ｓｎ単体，Ｓｎ合金（但し鉛合金は除く）等の接合層を積層して端子部１５，１６としても良い。なお、耐食層及び接合層の内、少なくとも接合は必要となる。また、Ｓｎ単体，Ｓｎ合金（但し鉛合金は除く）等の接合層を用いることで、鉛フリーの電子部品を得ることができる。
【００４６】
以上の様に構成された静電対策部品は、基台１１の段差部１１Ｚ，１１Ｙの幅や深さ等を調整することで、電気容量やバリスタ電圧を精度良く調整することが可能となり、所望の電気容量やバリスタ電圧を容易に得ることができる。
【００４７】
しかも、基台１１を柱状体とすることで、方向性無く回路基板等に実装でき、実装性を向上させることができる。
【００４８】
また、図８〜図１１に示す様に基台１１に段差部１１Ｚ，１１Ｙを１箇所以上設け、この形成された段差部１１Ｚ，１１Ｙの幅および深さによって上記特性の調整を行うことができるので、静電対策部品の大きさを変えずに様々な特性の品揃えを行うことができる。
【００４９】
【発明の効果】
本発明は、アルミナで構成された柱状の基台と、前記基台上に設けられた形成膜と、前記基台上に設けられた形成膜と接するバリスタと、前記基台の両端に設けられた端子部とを備え、これによって静電容量やバリスタ電圧を容易に調整可能であるので、非常に精度良く静電容量やバリスタ電圧を調整できるので、低容量でしかも特性バラツキを小さくできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態における静電対策部品を示す側断面図
【図２】本発明の一実施の形態における静電対策部品を示す側断面図
【図３】本発明の一実施の形態における静電対策部品を示す側断面図
【図４】本発明の一実施の形態における静電対策部品を示す側断面図
【図５】本発明の一実施の形態における静電対策部品を示す側断面図
【図６】本発明の一実施の形態における静電対策部品を示す側断面図
【図７】本発明の一実施の形態における静電対策部品を示す側断面図
【図８】本発明の一実施の形態における静電対策部品を示す側断面図
【図９】本発明の一実施の形態における静電対策部品を示す側断面図
【図１０】本発明の一実施の形態における静電対策部品を示す側断面図
【図１１】本発明の一実施の形態における静電対策部品を示す側断面図
【符号の説明】
１１ 基台
１１Ｙ 段差部
１１Ｚ 段差部
１２ バリスタ
１３ 形成膜
１３Ａ メッキ膜
１３Ｂ スパッタ膜
１４ 保護材
１５，１６ 端子部[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to an anti-static component suitably used for electronic devices, electric devices, and the like.
[0002]
[Prior art]
As an antistatic component, a surge element, a varistor element, or the like is used.
[0003]
This anti-static component is mainly provided inside an electronic device or the like, and functions as a capacitor until a predetermined voltage is applied, and functions as a low-resistance element when a voltage (varistor voltage) higher than a predetermined voltage is applied. It is used for the purpose of escaping to ground and guarding internal circuits from static electricity.
[0004]
Prior examples include JP-A-5-283210 and JP-A-11-3809.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
2. Description of the Related Art Electronic devices have been operated at higher frequencies, and therefore, in antistatic components used in the electronic devices and the like, very strict accuracy and low capacitance have been required for capacitance and varistor voltage. It is difficult to improve the accuracy by the above-mentioned conventional technology, and it is also difficult to obtain a low-capacity anti-static component.
[0006]
An object of the present invention is to solve the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to provide an antistatic component capable of accurately adjusting a varistor voltage or capacitance and suppressing a variation in characteristics.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
The present invention provides a column-shaped base made of alumina, a formed film provided on the base, a varistor in contact with the formed film provided on the base, and provided at both ends of the base. Terminal part.
[0008]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
The invention according to claim 1 is a column-shaped base made of alumina, a formed film provided on the base, a varistor in contact with the formed film provided on the base, By providing an antistatic component characterized by having terminal portions provided at both ends, it is possible to easily adjust the capacitance and the varistor voltage by forming a varistor on the base. Since the capacitance and the varistor voltage can be adjusted with high precision, the capacitance can be reduced and the variation in characteristics can be reduced.
[0009]
The invention according to claim 2 is characterized in that at least one step portion is provided on one surface avoiding both end portions of the base, and a varistor is formed at a portion provided in the step portion. Since the gap between the varistor and the circuit board or the like can be provided by using an antistatic component, it is possible to prevent the conductive film or the like in the vicinity of the varistor from contacting other members and causing deterioration in characteristics. In addition, since the terminal portions can be defined at both ends, the terminal portions can be clarified, so that variations in characteristics due to differences in the joining length can be suppressed.
[0010]
The invention according to claim 3 is characterized in that one or more step portions are provided on one side avoiding both end portions of the base, and a step portion for further providing a varistor is provided in the step portion. The antistatic component described in item 1 can prevent the varistor from contacting another member due to the formation of two or more steps, thereby causing deterioration in characteristics. In addition, since the terminal portions can be defined at both ends, the terminal portions can be clarified, so that variations in characteristics due to differences in the joining length can be suppressed.
[0011]
The invention according to claim 4 is characterized in that at least one step portion is provided on both sides avoiding both end portions of the base, and a varistor is formed at a portion provided in the step portion. Since the gap between the varistor and the circuit board or the like can be provided by using an antistatic component, it is possible to prevent the conductive film or the like in the vicinity of the varistor from contacting other members and causing deterioration in characteristics. In addition, since the terminal portions can be defined at both ends, the terminal portions can be clarified, so that variations in characteristics due to differences in the joining length can be suppressed.
[0012]
The invention according to claim 5 is characterized in that one or more step portions are provided on both sides avoiding both end portions of the base, and a step portion for further providing a varistor is provided in the step portion. The antistatic component described in item 1 can prevent the varistor from contacting another member due to the formation of two or more steps, thereby causing deterioration in characteristics. In addition, since the terminal portions can be defined at both ends, the terminal portions can be clarified, so that variations in characteristics due to differences in the joining length can be suppressed.
[0013]
According to a sixth aspect of the present invention, a protection member is provided so as to cover the varistor, so that the antistatic component according to the first aspect can improve weather resistance and the like.
[0014]
According to a seventh aspect of the present invention, a first forming film for forming an ohmic junction by directly forming a forming film on a surface of a base and a second forming film provided on the first forming film are laminated. The electrostatic component according to claim 1, wherein the capacitance between the formed film and the base can be stabilized.
[0015]
The invention according to claim 8 is characterized in that the first formed film is formed by a sputtering method, and the second formed film is formed by a plating method. The ohmic junction can be easily performed, and the thickness of the formed film can be relatively short.
[0016]
Hereinafter, embodiments of the antistatic component according to the present invention will be described.
[0017]
FIG. 1 is a side sectional view showing an electronic component according to an embodiment of the present invention.
[0018]
In FIG. 1, reference numeral 11 denotes a base formed by subjecting an insulating material or the like to press working, extrusion, or the like, and the base 11 is formed of alumina.
[0019]
Reference numeral 12 denotes a varistor 12 provided on the base 11, and the varistor 12 has a voltage-dependent nonlinear resistance.
[0020]
Reference numeral 13 denotes a formation film 13 provided on the base 11, and the formation film 13 is formed on at least a part of the base 11 by at least one means such as an evaporation method such as a plating method and a sputtering method and a baking method. Alternatively, it is formed on the entire surface of the base 11. In the present embodiment, the formation film 13 has a two-layer structure of a sputtered film 13B provided in close contact with the surface of the base 11, and a plating film 13A formed on the sputtered film 13B.
[0021]
Reference numeral 14 denotes a protective material formed on the varistor 12 and the formation film 13, and reference numerals 15 and 16 denote terminal portions provided on the end of the base 11, respectively.
[0022]
In the ESD protection component configured as described above, the amount of the varistor 12 can be controlled by adjusting the width and depth of the step portion of the base 11, and the capacitance and the varistor voltage can be easily adjusted. Can be adjusted, and variations can be suppressed.
[0023]
Also, by electrically connecting the terminal portions 15 and 16 to electrodes and the like on the circuit board, for example, by connecting the terminal portion 15 to a ground electrode, static electricity can be maintained until a predetermined voltage is applied to the ESD protection component. The anti-electrostatic component functions as a low-capacitance capacitor. When the voltage exceeds a predetermined voltage, the component is discharged from the terminal portion 16 to the terminal portion 15 to prevent damage to the internal electronic components and the like due to static electricity or the like.
[0024]
Next, each part will be described in detail.
[0025]
The base 11 is preferably in the shape of a prism or a cylinder. By forming the base 11 in the shape of a prism as shown in FIG. 2, the mountability can be improved, and the rolling of the element can be prevented. Has an effect. In addition, among the rectangular pillars, the base 11 particularly has a square pillar shape, which greatly facilitates mounting and facilitates positioning of the element on the circuit board. Furthermore, since the base 11 has a prismatic structure, the structure becomes very simple, so that the productivity is good and the cost is very advantageous.
[0026]
Further, when the varistor 12 is formed on the base 11 as described later by forming the base 11 into a cylindrical shape, the width of the varistor 12 can be formed with high accuracy, and the variation in characteristics can be reduced. Can be suppressed.
[0027]
Except for both ends of the base 11, one or more steps 11Z are formed on one or both sides. In addition, one or more steps 11Z may be further provided with a step 11Y on one or both sides. Thus, it is possible to prevent the occurrence of problems such as a change in characteristics due to the portion where the varistor 12 is formed coming into direct contact with the circuit board or the like. Also, by providing at least one step portion 11Z, it is possible to prevent static electricity. Assortment of various characteristics can be performed without changing the size of the parts. If the circuit board or the like is devised, or if the portion where the varistor 12 is formed has a very low risk of contact with the circuit board or the like by other means, the stepped portion 11Z, There is no need to provide 11Y. When the steps 11Z and 11Y do not need to be provided on the base 11, the base 11 has a very simple configuration, productivity is improved, and accuracy and the like can be improved.
[0028]
As described above, the cross-sectional shape of the both ends of the base 11 is preferably circular or polygonal, and in the case of polygonal shape, in particular, by forming a regular polygonal shape, Is also preferable because there is not much change in characteristics. Similarly, the cross section of the step portion 11Z is also preferably circular or polygonal, and when it is polygonal, it is particularly preferably regular polygonal. The cross-sectional shape of the step portions 11Z and 11Y and the cross-sectional shape of both end portions may be different or may be the same.
[0029]
As described above, the base 11 is preferably composed mainly of at least one material selected from alumina, mullite, forsterite, stearite, cordierite and the like.
[0030]
In the present embodiment, the bonding strength between the formation film 13 and the base 11 is improved by adjusting the surface roughness of the base 11. Intermediate layer composed of at least one of a simple substance, a substance obtained by adding another element to carbon, a simple substance of Cr or an alloy of Cr and another metal (for example, Ni—Cr), a simple substance of Ti or an alloy of Ti and another metal By providing the (adhesion enhancement layer), the adhesion strength between the formation film 13 and the base 11 can be improved without adjusting the surface roughness.
[0031]
Next, as shown in FIGS. 3 and 4, a sputtering film 13B is formed on the entire surface of the base 11 by using a sputtering method, and a plating film 13A is laminated on the sputtering film 13B by a plating method or the like. The formation film 13 is formed. The sputtered film 13B and the plating film 13A are each made of a conductive material. As the sputtered film 13B, a conductive film mainly containing at least one of Al, Zn, Ni, and Ag (an ohmic junction with the base 11 is taken). The plating film 13A is made of a conductive film containing at least one of Ni, Cu, and Ag as a main component.
[0032]
In the present embodiment, the formation film 13 has a two-layer structure, and the manufacturing method for each layer is specified. However, the formation film 13 may be one layer, or three or more layers. However, if the number of layers is excessively increased, the number of steps and the like increase. Therefore, it is preferable to form the formation film 13 by laminating the conductive films in 10 layers or less.
[0033]
As a means for forming the formation film 13, a vapor deposition method such as a sputtering method, an electrolytic plating method, an electroless plating method, a CVD method, a method of applying a conductive paste on the base 11 by printing or dipping, and baking the same. Etc. can be adapted.
[0034]
The thickness of the formation film 13 (in this embodiment, the sum of the thickness of the sputtered film 13B and the thickness of the plating film 13A) is set to 0.2 to 50 μm (preferably 2 to 20 μm). If the thickness of the formation film 13 is less than 0.2 μm, desired characteristics cannot be obtained. If the thickness is more than 50 μm, it is uneconomical and it is difficult to reduce the size of the device.
[0035]
Next, excluding both ends of the base 11, one or more steps 11Z on one or both sides, or a place where one or more steps 11Z on one or both sides are further provided with a step 11Y. The film 13 is removed by laser processing or grinding processing (rubber processing). As the laser, a YAG laser, a carbon dioxide laser, an excimer laser, or the like can be used.
[0036]
Before forming the formation film 13 as shown in FIG. 5, one or more steps 11Z on one or both sides, or one or more places on one or both sides, excluding both ends of the base 11 in advance. A resist film is formed in a pattern at a portion where a step portion 11Y is further provided on the step portion 11Z, and thereafter, a formation film 13 is formed on the base 11, and thereafter, the resist film is removed, whereby the base Except for both end portions of 11, the formation film 13 is not provided at one or more steps 11Z on one or both sides, or at a place where one or more steps 11Z are further provided with a step 11Y. You can also.
[0037]
Next, as a specific constituent material of the varistor 12, ZnO, TiO 2, Si , SiC, BaTiO 3, SrTiO 3 as at least one material selected from selenium of the main component is preferably used, the main Bi 2 O 3 in the component material, Sb 2 O 3, MnO 2 , Co 2 O 3, Ag 2 O, PbO, Cr 2 O 3, CoO, constructed by adding at least one auxiliary material selected from the MnO Have been. As shown in FIG. 6, this is applied to one or more steps 11Z on one or both sides, or to a place where one or more steps 11Z are further provided with a step 11Y, excluding both ends of the base 11. The varistor 12 is embedded so as to be in contact with the formation film 13.
[0038]
Next, the protection member 14 is provided at least in the steps 11Z and 11Y as shown in FIG.
[0039]
The protection member 14 is provided as needed. That is, the protection member 14 may not be provided depending on the specification or the like.
[0040]
Further, a thin protective material 14 may be provided for the purpose of ensuring insulation with a circuit board or the like.
[0041]
Further, in the case of mounting by suction with the nozzle of the mounting machine, by forming the protective material 14, it is possible to significantly reduce suction errors.
[0042]
Further, by providing the protective material 14, the portions exposed from the protective material 14 can be used as the terminal portions 15, 16, and the terminal portions 15, 16 can be clarified, so that the accuracy at the time of mounting is improved. Can be done.
[0043]
As the protective material 14, a method of applying an epoxy resin or the like, a method of forming a cationic paint or the like by an electrodeposition method, or the like is suitably used.
[0044]
Lastly, the terminal parts 15 and 16 are provided at both ends of the base 11 to produce the antistatic component shown in FIG.
[0045]
When the formation film 13 is formed of a material having good bondability with solder or the like as the terminal portions 15 and 16, the formation film 13 itself may be used or on the formation film 13 to be the terminal portions 15 and 16. Is provided with a corrosion-resistant layer having a conductive and corrosion-resistant property such as Ni, Ni alloy, etc., and a bonding layer such as a solder, a simple substance of Sn, a Sn alloy (excluding a lead alloy) is laminated on the corrosion resistance. The parts 15 and 16 may be used. In addition, at least bonding is required among the corrosion-resistant layer and the bonding layer. In addition, a lead-free electronic component can be obtained by using a bonding layer such as Sn alone or a Sn alloy (excluding a lead alloy).
[0046]
In the ESD protection component configured as described above, it is possible to adjust the electric capacity and the varistor voltage with high accuracy by adjusting the width and depth of the steps 11Z and 11Y of the base 11. And the varistor voltage can be easily obtained.
[0047]
Moreover, since the base 11 is a columnar body, the base 11 can be mounted on a circuit board or the like without any direction, and the mountability can be improved.
[0048]
Also, as shown in FIGS. 8 to 11, one or more steps 11Z and 11Y are provided on the base 11, and the above characteristics can be adjusted by the width and depth of the formed steps 11Z and 11Y. Therefore, an assortment of various characteristics can be performed without changing the size of the antistatic component.
[0049]
【The invention's effect】
The present invention provides a pillar-shaped base made of alumina, a formed film provided on the base, a varistor in contact with the formed film provided on the base, and provided at both ends of the base. Since the capacitance and the varistor voltage can be easily adjusted by this, the capacitance and the varistor voltage can be adjusted very accurately, so that the capacitance can be reduced and variation in characteristics can be reduced.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a side sectional view showing an antistatic component according to one embodiment of the present invention; FIG. 2 is a side sectional view showing an antistatic component according to one embodiment of the present invention; FIG. 4 is a cross-sectional side view showing an anti-static component according to an embodiment; FIG. 4 is a cross-sectional view showing an anti-static component according to an embodiment of the present invention; FIG. 5 is an anti-static component according to an embodiment of the present invention; FIG. 6 is a side sectional view showing an ESD protection component according to one embodiment of the present invention. FIG. 7 is a side sectional view showing an ESD protection component according to one embodiment of the present invention. FIG. 9 is a side sectional view showing an antistatic component according to one embodiment of the present invention; FIG. 9 is a side sectional view showing an antistatic component according to one embodiment of the present invention; FIG. 10 is an embodiment of the present invention; FIG. 11 is a side cross-sectional view showing an antistatic component in the embodiment. FIG. 11 is an electrostatic couple according to an embodiment of the present invention. Side cross-sectional view showing a part [Description of symbols]
Reference Signs List 11 Base 11Y Step 11Z Step 12 Varistor 13 Forming film 13A Plating film 13B Sputtering film 14 Protective material 15, 16 Terminal part
