JP2003519204A - 熱反応ガスを冷却するための、例えば無水フタル酸の製造における、方法および装置 - Google Patents
熱反応ガスを冷却するための、例えば無水フタル酸の製造における、方法および装置Info
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Abstract
Description
入口温度に熱反応ガスを冷却するための方法および装置に関する。
ある。その際、熱o−キシレンおよび熱空気を触媒の存在下に反応させる。こう
して生じたPSAは空気との混合物の形で熱反応ガスとして反応装置から流出し
、約360℃の温度を示す。後反応装置を備えるPSA−装置においては、この
温度はこれより僅かに低い。次いで、その後に配置された分離装置中で粗−PS
Aおよび空気への分離が行われる。分離装置中への導入の前に熱反応ガスを所定
の望ましい温度、一般には約160〜175℃、に冷却することが必要である。
剤供給装置を備える少なくとも2工程のガス冷却装置を使用する。これにより本
来の反応の後に実施される反応ガスの処理法が非常に煩わしくかつ費用がかかる
。
たは有していない後反応装置の組合せはすでに記載されている;例えばDE−A
19742821またはDE−A19807018。
かな整備費用を必要とする、簡単で安価な構造を可能にし、かつ定性的に良好で
かつ収量から見ても原料の可能な限り定量的な変換に導く方法を提供することで
ある。
在下にo−キシレンを酸化することにより無水フタル酸(PSA)を製造する方
法であって、この際主反応装置からのPSAと空気とを含有する熱反応ガスを、
分離装置中への所定の入口温度に冷却する無水フタル酸の製法において、分離装
置に冷媒が貫流する熱交換装置を前接続し、かつ熱反応ガスを冷媒との相互作用
のために熱交換装置を通して導通することを特徴とする無水フタル酸の製法、に
より解決する。
な構造が保たれ、かつ僅かな費用が期待される。
は250〜400℃であり、後反応装置を有さないPSA−装置においては有利
に350〜380℃、後反応装置を有するPSA−装置においては有利に280
〜320℃であり、かつその熱交換装置からの出口温度は130〜180℃、有
利には約160℃である。しかしながら、熱交換装置は前記以外の所定の入口温
度を有する反応ガスまたはその他のガスを熱交換装置の前記出口温度に、または
選択的に他の出口温度に冷却することも可能である。
置中で1工程で実施することができるということが特に有利である。
は空気を使用する。
、熱交換装置からのその出口温度は300〜350℃、有利に約330℃であっ
てよい。これにより、反応ガスとの相互作用により加熱された冷媒を化学反応の
ための反応成分の1つとして反応装置中に再び導入するということに基づく本発
明方法の特別な利点が生じる。熱交換装置から再び流出する冷媒の温度は本発明
方法により、公知技術の方法において一般的である温度より約150℃高い。こ
れにより、反応装置中への冷媒の直接導入が可能である温度を冷媒は有している
。この際この冷却剤は同時に化学反応の成分の1つを形成するように選択される
。
周囲を通し、熱交換装置を流出する加熱した冷媒と再び混合する。これにより、
有利に供給物質として使用する冷媒の任意の温度が達せられる。このことは有利
にバイパス量の温度による制御により行われる。
シレンおよびもう一方の反応成分として熱空気を触媒の存在下に反応させる。こ
の反応により生じる熱反応ガスは主にPSAおよび空気からなる。空気は同時に
熱反応ガスのための冷媒であり、かつすでに前記のように公知技術で可能である
温度より著しく高い温度で熱交換装置から流出するので、これを反応装置中に直
接供給することができる。熱空気を含有する導管中に最初は約30℃の温度を有
するo−キシレンを供給し、かつ同時に更なる装置的およびエネルギー的な費用
なしに一緒に加熱することは、更に有利である。それでも公知技術に対して約1
00℃高い、唯一の反応装置または主反応装置中への入口温度が実現し、このこ
とはより良好な触媒の十分な活用および反応装置中での僅かな加熱帯域に導く。
つエネルギーを著しく必要とする前加熱を必要とした。この予加熱した空気中に
別個の、蒸気で加熱した熱交換装置中で予加熱した液体o−キシレンを供給した
。空気およびo−キシレンからの混合物は本発明方法により目標とした反応装置
中への入口温度に達しなかった。更に、本発明における方法における反応装置中
では高圧蒸気がより多く生じることが示された。
て公知技術の方法に対してその利点を記載してはいるが、その中で熱反応ガスの
冷却に必要な装置の使用はこの化学反応に限定されてはいない。この装置は非常
に一般的に熱反応ガスの冷却に使用することができ、かつ反応装置中で高温で実
施され、かつその中で反応装置から流出する反応ガスの冷媒(熱交換装置中)が
同時に化学反応の実施において反応成分または溶剤(液状またはガス状)として
必要である、全ての化学反応に使用することができる。
した後反応装置中で先行する反応の後に分離装置への所定の入口温度に熱反応ガ
スを冷却するための装置であって、 a)主反応を実施するための装置、 b)熱交換用装置、 c)場合により装置(b)の前に配置された、中間冷却用装置を場合により有す
る後反応装置、 d)反応生成物の分離用装置、および 装置への、および装置間の連結管を包含する装置である。
されており、装置(b)からバイパスが出ており、これが場合により温度制御さ
れている。
ス/ガスプレート型熱交換装置を使用するのが有利である。
置を示すフローチャート、 図3 本発明による方法の第2の実施態様およびこれに好適な装置を示すフロ
ーチャート、 図4 熱交換装置の周囲に温度制御装置を備えるバイパス管を包含する本発明
の第3の実施態様によるフローチャート、 図5a、b 本発明による第4の実施態様(後反応装置およびバイパスを包含
する2つのプレート型熱交換装置)のフローチャート、 図6a〜c 後反応装置を備える熱交換装置の実施態様(2つの組合せ)、 図7 第1の熱交換装置を含まない実施態様。
し詳細に説明する。PSAを触媒の存在下にo−キシレンの酸化により製造する
ことができることは公知である。使用するo−キシレンは開始時に温度約30℃
を示し、かつ導管1を介して予熱装置3に供給され、ここを約135℃〜180
℃の温度で流出する。引き続き、導管5中に供給される。この導管5を介して空
気が供給されこの空気は同様に最初約30℃である。この空気は導管5中で最初
にファン7を通過し、その際約80〜90℃に加熱され、次いで予熱装置9中に
達し、ここで約150〜200℃に加熱されて再び流出する。この時点までに約
135〜180℃の温度を有するo−キシレンが導管3から導管5に供給される
。導管5中の空気/o−キシレン−混合物は、空気/o−キシレン−混合物の温
度を約160〜175℃に保持するために働くジャケット型導管ヒータ11中を
通過し、化学反応のための反応装置13に達する。
、例えば担体、例えばステアタイト上のCsをドープしたバナジウム/チタン酸
化物が存在する。
び空気からなる反応ガスは反応装置13から導管15を介して流出する;副成分
は、例えばフタリドおよび無水マレイン酸である。これはそこから2個の蒸気ド
ラム17′、17′′を有する2工程のガス冷却装置17に達し、約160〜1
75℃の温度に冷却される。こうしてこの反応ガスは所定の有利な温度を示し、
導管19を介して分離装置21に供給される。分離装置21から導管23を介し
て粗PSAが取り出され、導管25を介してこの排ガスは燃焼または洗浄に導か
れる。
な装置が示されている。この際、図1中にすでに図示した相当する装置機能は、
同じであるがそれに100を加えた照合数値で示した。
に1工程熱交換装置、ここではガス/ガス−プレート型熱交換装置127を使用
する。これにより、反応の実施は同時にいろいろに変化させることができ、従っ
て反応の本発明による実施をガス/ガス−プレート型熱交換装置127から出発
して、記載するのが有利である。
50〜375℃を有する反応ガスを導管115を介して供給する。同時に導管1
29を介して約90℃の温度を有する空気の形の冷却剤がプレート型熱交換装置
127中に流入する。この冷却剤−空気は最初に約30℃の温度を有し、空気フ
ィルター131を介してファン133およびスタートアップヒータ135により
温度90℃に加熱する。プレート型熱交換装置127中では熱反応ガスと冷却剤
−空気との間の熱交換が行われる。引き続き、この反応ガスはプレート型熱交換
装置127から約160〜175℃の温度で導管137を介して流出する。こう
して、反応ガスは所定の所望の温度を有し、これを分離装置121に供給し、引
き続きすでに記載した方法で粗PSAおよび廃ガスに分離する。熱反応ガスと冷
却剤−空気との間の熱交換により、冷却剤−空気は約330℃に加熱され、導管
139を介して、すでに記載した公知技術と同様に構成された反応装置113に
化学反応のための反応成分の1つとして供給される。
、これにより化学反応の反応成分として新たに使用する際に、従来必要であった
予熱装置(例えば9)を介しての反応成分の、強いエネルギーでの予加熱は必要
でなくなる。
も行う必要がない(例えば3)。
39中に直接供給し、PSAへの変換に必要なo−キシレン/空気混合物を形成
する。約30℃の温度を有するo−キシレンの供給によりo−キシレン/冷却剤
−空気混合物を約280℃に冷却する。反応装置113中に流入したこの温度は
それでも公知の方法により可能である温度より十分に100℃は高い。これによ
り反応装置113中の触媒はより良好に利用され、高圧蒸気がより多く生じる。
予熱装置を介しての分離したo−キシレン−予熱および例えば図1中で反応装置
に導く導管5のジャケット型導管ヒータ11は必要なくなるので、装置の構造は
簡単で安価になり、このことは同様に装置の整備にも該当する。
が図示されている。この際、図2による実施態様と同じ装置機能は、相応して同
じであるが、100を加えた照合数値で示した;こうして照合数値のこの方法は
以降の図面においても維持されている(例えば200を越える数)。図4は図3
に類似の装置を示すがバイパス導管250および温度制御装置251を有し、こ
れに対して図7は中間冷却装置243を有さない配置が図4とは異なっている。
反応装置213と同じか、または異なる触媒を有する後反応装置241が後接続
していることによってのみ異なり;後反応装置のために好適な触媒は担体、例え
ば炭化ケイ素上の例えばドープしていないバナジウム/チタン−酸化物である。
後反応装置241が本来の反応装置213から出た後の反応ガスより低い入口温
度を有しているべきであるので、後反応装置241に中間冷却装置243が前接
続している。この際、中間冷却装置243は反応装置213に配置されている塩
浴冷却装置245のための工業用水予熱装置の形であってよい。しかしながら、
同様に冷却剤−空気のための予熱装置としても、例えば更なるガス/ガス−プレ
ート型熱交換装置またはその他の熱交換装置型のタイプの予熱装置の形であって
もよい。このことは図5aおよびbに記載されており、この際例えばプレート型
熱交換装置243(中間冷却装置)を流出する冷却剤−空気を第2のプレート型
熱交換装置227に冷却剤−空気として(図5a)、またはその逆の順序で(図
5b)供給することができる。この際中間冷却装置243、後反応装置241お
よびガス/ガス−プレート型熱交換装置227は図3による実施態様においては
同じハウジング中に配置されている。しかしながら、反応の要求に最適化するた
めに中間冷却装置243、後反応装置241および/またはガス/ガス−プレー
ト型熱交換装置227を相互に別々のハウジングに配置することも有利であると
いうことが判明した。これらの3つ全ての装置はそれぞれ個別のハウジング中で
も、または前記の装置の2個が同じハウジング中に配置されていてもよい。これ
らの変法は図6a(中間冷却装置243の後反応装置241および熱交換装置2
27からの分離)、6b(熱交換装置227の中間冷却装置243および後反応
装置241からの分離)および6c(6bと同様であるがバイパス250がなく
、243がガス/ガス−プレート型熱交換装置である)中に、それぞれ部材間の
連結と共に記載されている。
すフローチャートを示す図。
ートを示す図。
の実施態様によるフローチャートを示す図。
ローチャートを示す図。
ーチャートを示す図。
フローチャートを示す図。
Claims (12)
- 【請求項1】 触媒の存在下にo−キシレンを酸化することにより無水フタ
ル酸(PSA)を、場合により主反応装置および後反応装置中で2工程で製造す
る方法であって、この際PSAと空気とを含有する主反応装置からの熱反応ガス
を分離装置中への所定の入口温度に冷却する無水フタル酸の製法において、冷媒
が貫流する熱交換装置を分離装置の前に接続し、かつ熱反応ガスを冷媒との相互
作用のために熱交換装置を通して導通することを特徴とする、無水フタル酸の製
法。 - 【請求項2】 熱交換装置中への反応ガスの入口温度が250〜400℃で
あり、後反応装置を有さないPSA−装置においては有利に350〜380℃、
後反応装置を有するPSA−装置においては有利に280〜320℃であり、か
つその熱交換装置からの出口温度は130〜180℃、有利には約160℃であ
る、請求項1記載の製法。 - 【請求項3】 反応ガスの冷却を1工程で実施する、請求項1または2記載
の製法。 - 【請求項4】 ガス状の冷媒を使用する、請求項1から3までのいずれか1
項記載の製法。 - 【請求項5】 ガス状の冷媒として空気を使用する、請求項4記載の製法。
- 【請求項6】 熱交換装置中への冷媒の入口温度が100℃を下回り、かつ
熱交換装置からの出口温度が300〜350℃、有利に約330℃である、請求
項1から5までのいずれか1項記載の製法。 - 【請求項7】 反応ガスとの相互作用により加熱された冷媒を化学反応のた
めの反応成分の1つとして反応装置中に導入する、請求項1から6までのいずれ
か1項記載の製法。 - 【請求項8】 主反応装置および場合によりその後に配置した後反応装置中
で先行する反応の後に、分離装置への所定の入口温度に熱反応ガスを冷却するた
めの装置であって、 a)主反応を実施するための装置(113、213)、 b)熱交換用装置(127、227)、 c)場合により装置(b)の前に配置された、中間冷却用装置(243)を場合
により有する後反応装置(241)、 d)反応生成物の分離用装置(121、221)、および 装置(a)〜(d)への、および装置(a)〜(d)間の連結管を包含する装置
。 - 【請求項9】 装置(c)が一体でまたは複数の部分から構成されている、
請求項8記載の装置。 - 【請求項10】 装置(b)からバイパス(250)が出ており、これが場
合により温度制御(251)されている請求項8または9記載の装置。 - 【請求項11】 装置(b)および/または中間冷却装置(243)がガス
/ガスプレート型熱交換装置である、請求項8から10までのいずれか1項記載
の装置。 - 【請求項12】 請求項8から11までのいずれか1項記載の装置の無水フ
タル酸の製法への使用。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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