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JP2003330411A - プラズマディスプレイパネルの駆動方法及び装置 - Google Patents

プラズマディスプレイパネルの駆動方法及び装置

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Publication number
JP2003330411A
JP2003330411A JP2003127413A JP2003127413A JP2003330411A JP 2003330411 A JP2003330411 A JP 2003330411A JP 2003127413 A JP2003127413 A JP 2003127413A JP 2003127413 A JP2003127413 A JP 2003127413A JP 2003330411 A JP2003330411 A JP 2003330411A
Authority
JP
Japan
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electrode
sustain
electrodes
voltage
display panel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2003127413A
Other languages
English (en)
Inventor
Sang Jin Yun
ユン，サン・ジン
Eung Chul Park
パク，ウン・チュル
Bong Koo Kang
カン，ボン・クー
Jung Gwan Han
ハン，ジュン・グワァン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Electronics Inc
Original Assignee
LG Electronics Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Priority claimed from KR10-2002-0030606A external-priority patent/KR100486911B1/ko
Priority claimed from KR10-2003-0020864A external-priority patent/KR100524301B1/ko
Application filed by LG Electronics Inc filed Critical LG Electronics Inc
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Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は低電圧駆動が可能であると同時に高
温環境で発生する誤放電を防止するようにしたプラズマ
ディスプレイパネルの駆動方法及び装置を提供する。 【解決手段】 本発明ラズマディスプレイパネルの駆動
方法及び装置は、電圧が上昇する少なくとも一つの上昇
期間と電圧が維持される少なくとも一つの維持期間を含
む初期化信号を第１と第２電極に供給してセルを初期化
させて、第１と第２電極のいずれかにスキャン信号を供
給して第３電極にデータを供給してセルを選択する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマディスプレ
イパネルに関わり、特に、低電圧駆動が可能であると同
時に高温環境で発生する誤放電を防止するようにしたプ
ラズマディスプレイパネルの駆動方法及び装置に関す
る。また、本発明はアドレス動作とサステイン動作を安
定化するようにしたプラズマディスプレイパネルの駆動
方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰと
言う）はＨｅ＋Ｘｅ、Ｎｅ＋Ｘｅ、Ｈｅ＋Ｘｅ＋Ｎｅな
どの不活性混合ガスが放電する時に発生する紫外線が蛍
光体を励起させることにより画像を表示している。この
ような ＰＤＰは薄膜化と大型化が容易であるとともに
最近の技術開発に伴って画質が向上している。
【０００３】図１を参照すると、従来の３電極交流面放
電型ＰＤＰの放電セルは、スキャン電極（Ｙ１〜Ｙｎ）
及びサステイン電極（Ｚ）と、これらの電極に直交する
アドレス電極（Ｘ１〜Ｘｍ）とを具備する。
【０００４】スキャン電極（Ｙ１〜Ｙｎ）、サステイン
電極（Ｚ）及びアドレス電極（Ｘ１〜Ｘｍ）の交差部に
は赤色、緑色及び青色のいずれかを表示するためのセル
（１）が形成される。スキャン電極（Ｙ１〜Ｙｎ）及び
サステイン電極（Ｚ）は図示しない上部基板の上に形成
される。上部基板には図示しない誘電体層とＭｇＯから
なる保護層が積層される。アドレス電極（Ｘ１〜Ｘｍ）
は図示しない下部基板の上に形成される。下部基板の上
には水平に隣接したセル間に光学的、電気的混信を防止
するための隔壁が形成される。下部基板と隔壁表面には
真空紫外線により励起されて可視光を放出する蛍光体が
塗布されている。上部基板と下部基板の間の放電空間に
Ｈｅ＋Ｘｅ、Ｎｅ＋Ｘｅ、Ｈｅ＋Ｘｅ＋Ｎｅなどの不活
性混合ガスが注入される。
【０００５】ＰＤＰは画像のグレイスケールを実現する
ために、図２に示すように、１フレームを発光回数が異
なる多くのサブフィールドに分けて時分割で駆動してい
る。各サブフィールドは全画面を初期化させるための初
期化期間（リセット期間）、走査ラインを選択して選択
された走査ラインでセルを選択するためのアドレス期
間、放電回数によりグレイスケールを実現するサステイ
ン期間に分けられる。例えば、２５６グレイスケールで
画像を表示しようとする場合に、図２のように１／６０
秒にあたるフレーム期間（１６．６７ｍｓ）は８個のサ
ブフィールド（ＳＦ１〜ＳＦ８）に分けられる。８個の
サブフィールド（ＳＦ１〜ＳＦ８）のそれぞれは前述し
たように、初期化期間、アドレス期間及びサステイン期
間に分けられる。各サブフィールドの初期化期間とアド
レス期間は、各サブフィールドごとに同一であるが、サ
ステイン期間とその間に駆動されるサステインパルスの
数は各サブフィールドで２n（ｎ＝０，１，２，３，
４，５，６，７）の比率で増加させる。
【０００６】図３は、二つのサブフィールドに供給され
るＰＤＰの駆動波形を示す。本明細書において「・・・
波形」という場合その波形そのものだけでなく、その波
形の電圧を意味することがある。図３を参照すると、Ｐ
ＤＰは全画面を初期化させるための初期化期間、セルを
選択するためのアドレス期間及び選択されたセルの放電
を維持させるためのサステイン期間に分けて駆動され
る。
【０００７】初期化期間（リセット期間）において、セ
ットアップ期間（ＳＵ）には、すべてのスキャン電極
（Ｙ）に上昇ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｕｐ）が同時に印
加される。これと同時に、サステイン電極（Ｚ）とアド
レス電極（Ｘ）には０Ｖが印加される。上昇ランプ波形
（Ｒａｍｐ−ｕｐ）により全画面のセル内でスキャン電
極（Ｙ）とアドレス電極（Ｘ）の間とスキャン電極
（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）の間には光がほとんど発
生しない暗放電（Dark discharge）が起きる。このセッ
トアップ放電によりアドレス電極（Ｘ）とサステイン電
極（Ｚ）の上、正確にはそれらの電極の上の誘電体に正
極性（＋）の壁電荷が蓄積され、スキャン電極（Ｙ）の
上には負極性（−）の壁電荷が蓄積される。ここで、ス
キャン電極（Ｙ）の上に蓄積された（−）負極性の壁電
荷量はアドレス電極（Ｘ）とサステイン電極（Ｚ）の上
に蓄積された正極性（＋）の壁電荷の総量と同一であ
る。
【０００８】セットダウン期間（ＳＤ）には上昇ランプ
波形（Ｒａｍｐ−ｕｐ）のピーク電圧より低い正極性電
圧から低下し始め、基底電圧（ＧＮＤ）または負極性の
特定電圧レベルまで低下する降下ランプ波形（Ｒａｍｐ
−ｄｎ）がスキャン電極（Ｙ）に同時に印加される。こ
れと同時に、サステイン電極（Ｚ）には正極性のサステ
イン電圧（Ｖｓ）が印加されて、アドレス電極（Ｘ）に
は０Ｖが印加される。このように降下ランプ波形（Ｒａ
ｍｐ−ｄｎ）が印加される時、スキャン電極（Ｙ）とサ
ステイン電極（Ｚ）の間に光がほとんど発生しない暗放
電が起きる。また、スキャン電極（Ｙ）とアドレス電極
（Ｚ）の間には降下ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｄｎ）が低
下する間には放電が起きず降下ランプ波形（Ｒａｍｐ−
ｄｎ）の下限点で暗放電が起きる。このようなセットダ
ウン期間（ＳＤ）に起きる放電により、セットアップ期
間（ＳＵ）に蓄積された壁電荷の中からアドレス放電に
不必要である過剰な壁電荷を消去させる。セットアップ
期間（ＳＵ）とセットダウン期間（ＳＤ）での壁電荷の
変化を見ると、アドレス電極（Ｘ）の上の壁電荷はほと
んど変化せず、スキャン電極（Ｙ）の負極性（−）壁電
荷が減少する。逆に、サステイン電極（Ｚ）の壁電荷は
セットアップ期間（ＳＵ）での極性が正極性だったが、
スキャン電極（Ｙ）の負極性（−）の壁電荷が減少する
分だけ負極性の壁電荷が蓄積してセットダウン期間（Ｓ
Ｄ）でその極性が負極性に反転する。
【０００９】アドレス期間には負極性のスキャンパルス
（ｓｃａｎ）がスキャン電極（Ｙ）に順次印加されると
同時にスキャンパルス（ｓｃａｎ）に同期してアドレス
電極（Ｘ）に正極性のデータパルス（ｄａｔａ）が印加
される。スキャンパルス（ｓｃａｎ）とデータパルス
（ｄａｔａ）の電圧差と初期化期間に生成された壁電圧
とによってデータパルス（ｄａｔａ）が印加されるセル
内にはアドレス放電が発生する。アドレス放電により選
択されたセルにサステイン電圧（Ｖｓ）が印加されと放
電を起こさせることができる程度の壁電荷が形成され
る。
【００１０】サステイン電極（Ｚ）にはセットダウン期
間とアドレス期間の間にスキャン電極（Ｙ）との電圧差
を減らしてスキャン電極（Ｙ）との間で誤放電が起きな
いように正極性直流電圧（Ｚｄｃ）が供給される。
【００１１】サステイン期間にはスキャン電極（Ｙ）と
サステイン電極（Ｚ）に交互にサステインパルス（ｓｕ
ｓ）が印加される。アドレス放電により選択されたセル
は、セル内の壁電圧とサステインパルス（ｓｕｓ）が加
わってサスティンパルス（ｓｕｓ）が印加されるごと
に、スキャン電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）の間に
サステイン放電、すなわち表示放電が発生する。
【００１２】サステイン放電が完了した後、パルス幅と
電圧レベルが小さいランプ波形（ｒａｍｐ−ｅｒｓ）を
サステイン電極（Ｚ）に供給して全画面のセル内に残る
壁電荷を消去させる。
【００１３】ところで、従来のＰＤＰはセットダウン期
間（ＳＤ）の放電により減少して残ったスキャン電極
（Ｙ）の上の壁電荷量が少なくなるためにアドレス放電
の時、外部から供給される電圧（Ｖｄ、Ｖscan）の電圧
レベルを高くする必要がある。また、従来のＰＤＰはセ
ットダウン期間（ＳＤ）の放電の時に蓄積するサステイ
ン電極（Ｚ）の上の壁電荷の量が少ないためにサステイ
ン期間に外部から供給されるサステインパルス（ｓｕ
ｓ）の電圧、すなわちサステイン電圧（Ｖｓ）を高くし
なければならない。さらに、従来のＰＤＰは高温環境で
セル内の壁電荷が減少し、かつ動作条件が変化するため
アドレス放電の時、誤放電が発生することが多いという
問題があった。
【００１４】また、従来のＰＤＰはオフしているセルす
なわちオフセルの初期状態によりアドレス放電やサステ
イン放電の時に誤放電が起きることがあるのでアドレス
とサステイン動作が不安定であるという問題点がある。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は低電圧駆動が可能であると同時に高温環境で発生する
誤放電を防止するようにしたＰＤＰの駆動方法及び装置
を提供することである。本発明の他の目的はアドレス動
作とサステイン動作を安定するようにしたＰＤＰの駆動
方法及び装置を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の第１実施態様に係るＰＤＰの駆動方法は、
第１と第２電極からなる電極対を多数上板に形成し、そ
の電極対と交差する第３電極を下板上に形成し、これら
の電極の交差部にセルをマトリックスの形態に配置した
プラズマディスプレイパネルを駆動する方法であって、
電圧が上昇する少なくとも一つの上昇期間と電圧が維持
される少なくとも一つの維持期間を含む初期化信号を第
１と第２電極に供給してセルを初期化させる第１段階
と、第１と第２電極のいずれかにスキャン信号を供給す
ると共に第３電極にデータを供給してセルを選択する第
２段階と、第１と第２電極に交互にサステイン信号を供
給して選択されたセルに対して表示を行う第３段階を含
む。
【００１７】本発明の第２実施態様に係るＰＤＰの駆動
方法は、第１と第２の電極からなる電極対を多数上板に
形成し、その電極対と交差する第３電極を下板に形成
し、それらの電極の交差部にセルをマトリックスの形態
に配置したプラズマディスプレイパネルを駆動する方法
であって、セルの中からオンセルを選択する第１段階
と、第１と第２電極にプレ消去信号を供給してオンセル
以外のオフセル内に残留する電荷を消去させる第２段階
と、第１と第２電極に交互にサステイン信号を供給して
画像を表示する第３段階を含む。
【００１８】本発明の第３実施態様に係るＰＤＰの駆動
方法は、第１と第２電極からなる電極対を多数上板に形
成し、その電極対と交差する第３電極を下板に形成し、
それらの電極の交差部にセルをマトリックスの形態に配
置したプラズマディスプレイパネルを駆動する方法であ
って、電荷を第１と第２電極上に対称的に形成させる第
１段階と、第１と第２電極上に対称的に形成された電荷
を利用してセルを選択する第２段階と、第１と第２電極
に交互にサステイン信号を供給して画像を表示する第３
段階を含む。
【００１９】本発明の第４実施態様に係るＰＤＰの駆動
方法は、第１と第２電極からなる電極対を多数上板に形
成し、その電極対と交差する第３電極を下板に形成し、
それらの電極の交差部にセルをマトリックスの形態に配
置したプラズマディスプレイパネルを駆動する方法であ
って、電圧が上昇する第１初期化信号を第１と第２電極
に供給し、電圧が降下する第２初期化信号を前記第１と
第２電極の少なくとも一つに供給してセルを初期化させ
る第１段階と、第１と第２電極のいずれかにスキャン信
号を供給すると共に第３電極にデータを供給してセルを
選択する第２段階と、第１と第２電極に交互にサステイ
ン信号を供給して画像を表示する第３段階を含む。
【００２０】本発明の第５実施態様に係るＰＤＰの駆動
方法は、前記セル内の電荷を消去する第４段階をさらに
含む。
【００２１】サステイン信号の中で最後のサステイン信
号は第１と第２電極の中でスキャン信号が印加されない
電極に供給されることが望ましい。
【００２２】第４段階は、第２段階と第３段階の間に第
１と第２電極のいずれかにプレ消去信号を供給して第２
段階で選択されたセル以外のオフセル内に残留する電荷
を消去させることが望ましい。
【００２３】第４段階は、第３段階に引き続いてセル内
の電荷を消去させるためのポスト消去信号を第１と第２
電極の少なくとも一つに供給することが望ましい。
【００２４】第１及び第２初期化信号の少なくとも一つ
は上昇傾斜で電圧レベルが上昇するランプ波形であるこ
とが望ましい。
【００２５】第１及び第２初期化信号の少なくとも一つ
は曲線形態の波形であることが望ましい。
【００２６】第１及び第２初期化信号の少なくとも一つ
はサイン波であることが望ましい。
【００２７】第２初期化信号は第１初期化信号に引き続
いて第１と第２電極に供給されることが望ましい。
【００２８】第１及び第２初期化信号は開始電圧がそれ
ぞれ異なることを特徴とする。
【００２９】第２電極に供給される第２初期化信号はラ
ンプの傾斜度、開始電圧及び終了電圧の少なくとも一つ
が第１電極に供給される第２初期化信号と異なることが
望ましい。
【００３０】第２電極に供給される第２初期化信号のラ
ンプの傾斜度は第１電極に供給される第２初期化信号よ
り小さいことが望ましい。
【００３１】第２電極に供給される第２初期化信号の開
始電圧は第１電極に供給される第２初期化信号より大き
いことが望ましい。
【００３２】第２電極に供給される第２初期化信号の終
了電圧は第１電極に供給される第２初期化信号より高い
ことが望ましい。
【００３３】第２電極に供給される第１初期化信号はラ
ンプの傾斜度、開始電圧及び終了電圧の少なくとも一つ
が第１電極に供給される第１初期化信号と異なることが
望ましい。
【００３４】第２初期化信号は第１電極にだけ供給され
ることが望ましい。
【００３５】第２初期化信号が第１と第２電極の少なく
とも一つに供給されているときに第３電極に正極性の直
流電圧が供給されることが望ましい。
【００３６】本発明の第４実施態様に係るＰＤＰの駆動
方法は、第１と第２電極にサステイン信号が供給されて
いるときに第３電極に正極性の直流電圧を供給する第６
段階をさらに含むことが望ましい。
【００３７】第１と第２電極の少なくとも一つにポスト
消去信号が供給されているときに第３電極に正極性の直
流電圧が供給されることが望ましい。
【００３８】プラズマディスプレイパネルは１フレーム
期間を、オンセルを選択する選択的書き込みサブフィー
ルドとオフセルを選択する選択的消去サブフィールドに
分けて時分割駆動されることが望ましい。
【００３９】第１及び第２初期化信号は選択的書き込み
サブフィールドに割当されることが望ましい。
【００４０】本発明のＰＤＰの駆動装置の第１実施態様
は、第１と第２電極からなる電極対を多数上板に形成
し、その電極対と交差する第３電極を下板に形成し、そ
れらの電極の交差部にセルをマトリックスの形態に配置
したプラズマディスプレイパネルにおいて、電圧が上昇
する少なくとも一つの上昇期間と電圧が維持される少な
くとも一つの維持期間を含む初期化信号を第１電極に供
給する第１駆動部と、初期化信号を第２電極に供給する
第２駆動部と、第３電極にデータを供給する第３駆動部
を具備する。
【００４１】第１及び第２駆動部は、第１と第２電極に
交互にサステイン信号を供給して選択されたセルに対し
て表示を行うことが望ましい。
【００４２】本発明の第２実施態様は、第１と第２電極
からなる電極対を多数上板に形成し、その電極対と交差
する第３電極を下板に形成し、それらの電極の交差部に
セルが配置されるプラズマディスプレイパネルを駆動す
る装置において、セルの中からオンセルを選択する第１
駆動部と、第１と第２電極にプレ消去信号を供給してオ
ンセル以外のオフセル内に残留する電荷を消去させる第
２駆動部と、第１と第２電極に交互にサステイン信号を
供給して画像を表示する第３駆動部を具備する。
【００４３】本発明の第３実施態様は、第１と第２電極
からなる電極対を多数上板に形成し、その電極対と交差
する第３電極を下板に形成し、それらの電極の交差部に
セルが配置されるプラズマディスプレイパネルにおい
て、電圧が上昇する第１初期化信号を第１と第２電極に
供給し、電圧が降下する第２初期化信号を第１と第２電
極の少なくとも一つに供給してセルを初期化させる第１
駆動部と、第１と第２電極のいずれかにスキャン信号を
供給すると共に第３電極にデータを供給してセルを選択
する第２駆動部と、第１と第２電極に交互にサステイン
信号を供給して画像を表示する第３駆動部を具備する。
【００４４】
【作用】本発明に係るＰＤＰの駆動方法及び装置は初期
化期間にスキャン電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）の
上に十分な量の壁電荷を蓄積させることで低電圧駆動が
可能であると同時に、アドレス放電を開始する前にスキ
ャン電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）の間の電圧差を
０Ｖに維持することで高温環境で発生する誤放電を防止
することができる。
【００４５】
【発明の実施形態】前記目的の他の本発明の他の目的及
び利点は添付した図面を参照した本発明の好ましい実施
形態に対する詳細な説明を通して明らかになる。
【００４６】以下、本発明の実施形態を添付した図４〜
図４０を参照して詳しく説明する。図４を参照すると、
本発明の実施形態は、ＰＤＰのアドレス電極（Ｘ１〜Ｘ
ｍ）にデータを供給するためのデータ駆動部（４２）
と、スキャン電極（Ｙ１〜Ｙｎ）を駆動するためのスキ
ャン駆動部（４３）と、共通電極であるサステイン電極
（Ｚ）を駆動するためのサステイン駆動部（４４）と、
各駆動部（４２，４３，４４）を制御するためのタイミ
ングコントローラ（４１）と、各駆動部（４２，４３，
４４）に駆動電圧を供給するための駆動電圧発生部（４
５）を具備する。
【００４７】データ駆動部（４２）には図示しない逆ガ
ンマ補正回路、誤差拡散回路などにより逆ガンマ補正及
び誤差拡散された後、サブフィールドマッピング回路に
より各サブフィールドにマッピングされたデータが供給
される。このデータ駆動部（４２）はタイミングコント
ローラ（４１）から供給されるタイミング制御信号（Ｃ
ＴＲＸ）に応答してデータをサンプリングしてラッチし
た後、そのデータをアドレス電極（Ｘ１〜Ｘｍ）に供給
する。
【００４８】また、データ駆動部（４２）はサステイン
期間の間や、スキャン駆動部（４３）とサステイン駆動
部（４４）からプレ消去信号が発生する期間とサステイ
ン期間の間始後に、正極性のデータ電圧（Ｖｄ）やそれ
と異なる正極性の電圧をアドレス電極（Ｘ１〜Ｘｍ）に
供給することができる。
【００４９】スキャン駆動部（４３）はタイミングコン
トローラ（４１）の制御の下に全画面を初期化するため
の初期化波形をスキャン電極（Ｙ１〜Ｙｎ）に同時に供
給した後、スキャンラインを選択するためにアドレス期
間にスキャンパルスをスキャン電極（Ｙ１〜Ｙｎ）に順
次的に供給する。また、スキャン駆動部（４３）はアド
レス期間が終わった後にアドレス放電が起きないオフセ
ル内に不必要に残留している壁電荷を消去させるための
プレ消去信号（Pre-erase signal）をスキャン電極（Ｙ
１〜Ｙｎ）に同時に供給した後、サステイン期間の間
に、オンセルがサステイン放電（すなわち、表示放電）
できるようにするサステインパルスをスキャン電極（Ｙ
１〜Ｙｍ）に同時に供給する。そしてスキャン駆動部
（４３）はサステイン期間が終わった後には、サステイ
ン放電により発生したオンセル内の壁電荷を消去させる
ためのポスト消去信号をスキャン電極（Ｙ１〜Ｙｎ）に
同時に供給する。
【００５０】サステイン駆動部（４４）はタイミングコ
ントローラ（４１）の制御の下にスキャン駆動部（４
３）と同時に動作して全画面を初期化するための初期化
波形をサステイン電極（Ｚ）に同時に供給した後、アド
レス期間が終わった後にオフセル内に不必要に残留して
いる壁電荷を消去させるためのプレ消去信号をサステイ
ン電極（Ｚ）に供給する。そして、サステイン駆動部
（４４）は、サステイン期間の間スキャン駆動（４３）
と交互に動作してサステインパルスをサステイン電極
（Ｚ）に供給する。
【００５１】タイミングコントローラ（４１）は垂直／
水平同期信号が入力されて各駆動部に必要なタイミング
制御信号（ＣＴＲＸ、ＣＴＲＹ、ＣＴＲＺ）を発生して
そのタイミング制御信号（ＣＴＲＸ、ＣＴＲＹ、ＣＴＲ
Ｚ）を該当の駆動部（４２，４３，４４）に供給するこ
とにより各駆動部（４２，４３，４４）を制御する。デ
ータ駆動部（４２）に供給されるタイミング制御信号
（ＣＴＲＸ）にはデータをサンプリングするためのサン
プリングクロック、ラッチ制御信号、エネルギー回収回
路と駆動スイッチ素子のオン／オフ時間を制御するため
のスイッチ制御信号が含まれる。タイミングコントロー
ラ（４１）からスキャン駆動部（４３）に印加されるタ
イミング制御信号（ＣＴＲＹ）にはスキャン駆動部（４
３） 内のエネルギー回収回路と駆動スイッチ素子のオ
ン／オフ時間を制御するためのスイッチ制御信号が含ま
れる。そしてタイミングコントローラ（４１）からサス
テイン駆動部（４４）に印加されるタイミング制御信号
（ＣＴＲＺ）にはサステイン駆動部（４４）内のエネル
ギー回収回路と駆動スイッチ素子のオン／オフ時間を制
御するためのスイッチ制御信号が含まれる。
【００５２】駆動電圧発生部（４５）は正極性のセット
アップ電圧（Ｖset-up）、アドレス期間の間に共通電圧
に印加される正極性のバイアス電圧（Ｖscan-com、Ｖz-
com）、スキャンラインを選択するための負極性のスキ
ャン電圧（Ｖscan）、正極性のサステイン電圧（Ｖ
ｓ）、プレ消去電圧（Ｖpre-erase）を発生させ、それ
らの発生させた電圧をスキャン駆動部（４３）に供給す
る。スキャン駆動部（４３）からセットアップ波形とセ
ットダウン波形が連続的に発生する場合に、駆動電圧発
生部（４５）は０Ｖ、基底電圧（ＧＮＤ）及び負極性電
圧の中のいずれかに選択されるセットダウン電圧（Ｖse
t-down）をスキャン駆動部（４３）に供給する。セット
アップ電圧（Ｖset-up）はサステイン電圧（Ｖｓ）より
高く設定される。スキャンバイアス電圧（Ｖscan-com）
はほぼ８０〜１３０Ｖの間で選択されて、スキャン電圧
（Ｖscan）は−７０〜−１００Ｖ内で選択される。サス
テイン電圧（Ｖｓ）は１８０〜２００Ｖ内で選択され
る。プレ消去電圧（Ｖpre-erase）はアドレス期間とサ
ステイン期間の間に別のプレ消去信号が供給される時、
スキャン駆動部（４３）とサステイン駆動部（４４）に
供給される。このプレ消去電圧（Ｖpre-erase）はプレ
消去信号が供給されている間、アドレス電極（Ｘ１〜Ｘ
ｍ）に供給される電圧のレベルにより変わる。これはプ
レ消去電圧（Ｖpre-erase）が印加されるスキャン電極
（Ｙ１〜Ｙｎ）及びサステイン電極（Ｚ）とそれに対向
するアドレス電極（Ｘ１〜Ｘｍ）の間の電位差が放電を
起こすことができる程度の放電開始電圧以上の時、プレ
消去放電が起きるからである。したがって、プレ消去電
圧（Ｖpre-erase）はプレ消去信号が供給されている
間、アドレス電極（Ｘ１〜Ｘｍ）に印加される電圧が正
極性で、その電圧レベルが高いほど電圧レベルが低くな
るが、アドレス電極（Ｘ１〜Ｘｍ）に印加される電圧を
考慮して０Ｖとセットダウン電圧（Ｖset-down）の間で
選択される。
【００５３】また、駆動電圧発生部（４５）は正極性の
データ電圧（Ｖｄ）を発生してその電圧（Ｖｄ）をデー
タ駆動部（４２）に供給して、スキャンバイアス電圧
（Ｖscan-com）と同一に設定されるバイアス電圧（Ｖz-
com）をサステイン駆動部（４４）に供給する。データ
電圧（Ｖｄ）は５０〜８０Ｖの間で選択される。
【００５４】一方、スキャン駆動部（４３）とサステイ
ン駆動部（４４）のそれぞれで同時に発生する初期化波
形は時間が経過するとともに電圧が漸進的にまたは段階
的に高くなる形態の波形と、電圧が漸進的にまたは段階
的に低くなる波形として構成される。また、スキャン駆
動部（４３）とサステイン駆動部（４４）のそれぞれで
同時に発生する初期化波形は、時間が経過するとともに
電圧が漸進的にまたは段階的に高くなる波形だけで構成
されてもよい。このように、初期化波形を電圧が高くな
る波形だけで構成するのが好ましい。このように電圧が
高くなる波形だけで全セルを初期化させると、全セル内
に形成されたスキャン電極（Ｙ１〜Ｙｎ）とサステイン
電極（Ｚ）の上に十分な量の負極性壁電荷が蓄積される
のでそれだけ、駆動電圧を低くすることができる。すな
わち、このように電圧が高くなる波形だけで全セルを初
期化させるとスキャン電極（Ｙ）の上に十分な量の負極
性壁電荷を形成するためアドレスに必要な外部駆動電圧
（Ｖscan、Ｖｄ）がそれだけ、低くなりスキャン電極
（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）の上に形成された負極性
壁電荷がアドレス期間が終わるまで維持されるので、サ
ステイン放電に必要な電圧を低くすることができる。ま
た、電圧が高くなる波形だけで全セルを初期化させると
初期化期間を減少させることができる。
【００５５】図５及び図６は本発明の第１実施形態に係
るＰＤＰの駆動方法を説明するための波形図である。図
７は図６の波形図が適用される場合にオンセル内での時
間経過による壁電荷分布の変化を示したものである。図
８Ａ〜図８Ｄは初期化期間の間、壁電荷分布の変化を詳
細に示すシミュレーション結果である。図８Ａ〜図８Ｄ
において、縦軸は電荷量［Ｃ］をそして横軸は距離［μ
ｍ］である。
【００５６】図５〜図８を参照すると、本実施形態に係
るＰＤＰの駆動方法は１フレーム期間を多数のサブフィ
ールドに分割して駆動する。それぞれのサブフィールド
は、スキャン電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）に上昇
ランプ波形のみを供給して、全画面のセルを初期化させ
るための初期化期間、セルを選択するためのアドレス期
間、サステインに不必要な壁電荷を消去させるためのプ
レ消去期間及び選択されたセルの放電を維持させるため
のサステイン期間を含む。
【００５７】初期化期間（リセット期間）において、
上昇ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｕｐ）がすべてのスキャン
電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）に同時に印加され
る。この上昇ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｕｐ）は電圧がほ
ぼサステイン電圧（Ｖｓ）からセットアップ電圧（Ｖse
tup）まで上昇する上昇期間とその電圧を所定時間維持
する維持期間を含む。この上昇ランプ波形（Ｒａｍｐ−
ｕｐ）と同時に、アドレス電極（Ｘ）には０Ｖや基底電
圧（ＧＮＤ）が印加される。このようにスキャン電極
（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）に同時に印加される上昇
ランプ波形により全画面のセル内で光がほとんど発生し
ない暗放電が起きて、その結果図７及び図８のようにス
キャン電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）のそれぞれに
負極性（−）の壁電荷が蓄積され、アドレス電極（Ｘ）
の上に正極性（＋）の壁電荷が蓄積される。スキャン電
極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）の上の壁電荷はその電
荷量と分布特性が図８のように対称的に増加する。スキ
ャン電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）に同時に同一の
電圧が印加されるためにスキャン電極（Ｙ）とアドレス
電極（Ｘ）の間の電位差とサステイン電極（Ｚ）とアド
レス電極（Ｘ）の間の電位差はアドレス放電に必要なス
キャン電極（Ｙ）とアドレス電極（Ｘ）の間の対向放電
の開始電圧と同じになる。一方、図７及び図８で分かる
ようにスキャン電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）の間
の電位差はない。スキャン電極（Ｙ）とサステイン電極
（Ｚ）それぞれでの壁電荷量は初期化期間の以前状態す
なわち、初期条件が違っていても、上昇ランプ波形（Ｒ
ａｍｐ−ｕｐ）による放電の結果で同じになる。
【００５８】上記したように、本実施形態では、アドレ
ス放電を開始する前にスキャン電極（Ｙ）とサステイン
電極（Ｚ）の間の電位差がなく、二つの電極それぞれに
形成された壁電荷値が同一に維持されるので、ＰＤＰを
５０℃以上の高温環境で使っても高温環境でアドレス放
電が開始される前の壁電荷変動により発生する誤放電が
起きることがない。
【００５９】アドレス期間は正極性のスキャンバイアス
電圧（Ｖscan-com）がスキャン電極（Ｙ）に同時に印加
されて、そのスキャンバイアス電圧（Ｖscan-com）と実
質的に同一なバイアス電圧（Ｖz-com）がサステイン電
極（Ｚ）に同時に印加されることで開始する。このよう
に、アドレス期間の間、同一の電圧（Ｖscan-com、Ｖｚ
−scan）がスキャン電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）
に同時に印加されるので、スキャン電極（Ｙ）とサステ
イン電極（Ｚ）の間の電位差はない。引き続いて、負極
性のスキャン電圧（Ｖscan）まで低下するスキャンパル
ス（ｓｃａｎ）がスキャン電極（Ｙ）に順次的に印加さ
れ、同時にスキャンパルス（ｓｃａｎ）に同期して正極
性のデータ電圧（Ｖｄ）まで上昇するデータパルス（ｄ
ａｔａ）がアドレス電極（Ｘ）に印加される。スキャン
パルス（ｓｃａｎ）とデータパルス（ｄａｔａ）の電圧
差に初期化期間に生成された壁電荷が加わってデータパ
ルス（ｄａｔａ）が印加されたオンセル（ｏｎ−ｃｅｌ
ｌ）内にアドレス放電が発生する。アドレス放電により
選択されたオンセル内にはサステイン電圧（Ｖｓ）が印
加される時の放電を起こさせることができる程度の壁電
荷が形成される。
【００６０】アドレス期間の終了時点にはスキャン電極
（Ｙ）上の電圧を０Ｖまたは基底電圧（ＧＮＤ）まで漸
進的に降下させる。このように所定の傾斜度で低くなる
電圧（ＳＬＰ）によりサステイン放電に必要ではないス
キャン電極（Ｙ）の上の過剰壁電荷が消去される。
【００６１】プレ消去期間には０Ｖまたは基底電圧（Ｇ
ＮＤ）からほぼサステイン電圧（Ｖｓ）まで所定の傾斜
度で上昇するプレ消去波形（Ｐｒｅ−ｅｒｓ）がサステ
イン電極（Ｚ）に同時に供給される。プレ消去波形（Ｐ
ｒｅ−ｅｒｓ）はパルス幅が小さくて電圧レベルがほぼ
サステイン電圧（Ｖｓ）に設定される。プレ消去波形
（Ｐｒｅ−ｅｒｓ）により、アドレス放電により選択さ
れなかったオフセル内のサステイン電極（Ｚ）とスキャ
ン電極（Ｙ）の間、またはサステイン電極（Ｚ）とアド
レス電極（Ｘ）の間に微弱な暗放電が発生する。その結
果、プレ消去放電が起こったことによりオフセル内に初
期化期間から残留していた壁電荷が消去される。したが
って、オフセル内に残留する壁電荷によりサステイン期
間に供給されるサステインパルス（ｓｕｓ）により発生
することがある誤放電を根本的に防止することができ
る。
【００６２】プレ消去波形（Ｐｒｅ−ｅｒｓ）はサステ
イン電極（Ｚ）かスキャン電極（Ｙ）のいずれかに供給
するが、スキャン電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）の
双方に供給するしてもよい。
【００６３】サステイン期間にはスキャン電極（Ｙ）と
サステイン電極（Ｚ）に交互にサステインパルス（ｓｕ
ｓ）が印加される。アドレス放電により選択されたオン
セルはセル内の壁電圧とサステインパルス（ｓｕｓ）が
加わってサスティンパルス（ｓｕｓ）が印加されるごと
にスキャン電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）の間にサ
ステイン放電、すなわち表示放電が発生する。
【００６４】サステイン放電が完了した後に割り当てら
れているポスト消去期間にはサステイン放電により生成
された壁電荷を消去させるためのパルス幅が小さい球形
波または図６のようなランプ波形のポスト消去信号（Ｐ
ｓｔ−ｅｒｓ）がスキャン電極（Ｙ）とサステイン電極
（Ｚ）の少なくとも一つに供給される。しかし、このポ
スト消去信号（Ｐｓｔ−ｓｒｓ）とポスト消去期間は省
略してもよい。
【００６５】結果的に、本発明の第１実施形態に係るＰ
ＤＰの駆動方法及び装置は、従来のセットダウン期間を
なくしてセットアップ放電だけでＰＤＰを初期化させる
ため初期化所要時間を減らすことができ、スキャン電極
（Ｙ）の上に十分な量の負極性壁電荷を形成するためア
ドレスに必要な外部駆動電圧（Ｖscan、Ｖｄ）を大幅に
低くすることができる。また、本発明の第１実施形態に
係るＰＤＰの駆動方法及び装置はスキャン電極（Ｙ）と
サステイン電極（Ｚ）の上に形成された負極性壁電荷が
アドレス期間が終わるまで維持されるので、サステイン
放電に必要な外部駆動電圧（Ｖｓ）を低くすることがで
きる。さらに、本発明の第１実施形態に係るＰＤＰの駆
動方法及び装置は、プレ消去波形（Ｐｒｅ−ｅｒｓ）が
サステイン放電を開始する前にサステイン電極（Ｚ）に
印加されるので、オフセル内に不必要に蓄積された壁電
荷を除去することができる。したがって、サステイン期
間での誤放電を予防することができる。プレ消去波形
（Ｐｒｅ−ｅｒｓ）のパルス幅は１０〜２０［μｓ］で
あり、その電圧はほぼサステイン電圧（Ｖｓ）である。
このプレ消去波形（Ｐｒｅ−ｅｒｓ）のパルス幅と電圧
は、セル内の壁電荷と他の電極に印加される電圧により
調整することができる。アドレス期間に選択されたオン
セルはアドレス放電によりアドレス電極（Ｘ）の上に負
極性壁電荷が蓄積され、スキャン電極（Ｙ）の上に正極
性の壁電荷が蓄積されているのでサステイン電極（Ｚ）
に正極性のプレ消去波形（Ｐｒｅ−ｅｒｓ）が印加され
ても放電が発生しない。
【００６６】一方、日本特許出願の公開公報第２００１
−１３５２３８号にはＰＤＰ内に封入された放電ガスの
Ｘｅ成分を高くして、従来の低密度Ｘｅパネルに比べて
放電効率を高くしたＤＰを提案した事がある。だが、こ
のようなＨｉ−ＸｅのＰＤＰは放電特性が不安定にな
り、アドレス動作とサステイン動作の信頼性が低下する
とい問題がある。このような高密度Ｘｅパネルに本発明
を適用すると、アドレス放電を安定させることができる
ので、放電ガスでＸｅ成分を高めることでＰＤＰの效率
を高くして、同時にアドレス動作とサステイン動作を安
定させることができる。
【００６７】本発明の第１実施形態に係るＰＤＰの效果
を立証するためにシミュレーション道具で広く使われる
‘ＰＳＰＩＣＥ’を利用してシミュレーションが行われ
た。図９及び図１０にそのシミュレーション結果を示
す。このシミュレーションにおいて、上昇ランプ波形
（Ｒａｍｐ−ｕｐ）は２００Ｖから３８０Ｖまでほぼ
０．２［ｍｓ］の間上昇するように設定した。この上昇
ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｕｐ）はスキャン電極（Ｙ）と
サステイン電極（Ｚ）に同時に印加された。スキャン電
極（Ｙ）に供給されるスキャンパルス（ｓｃａｎ）はそ
のパルス幅が１．４［μｓ］であり、サステインパルス
（ｓｕｓ）はそのパルス幅が２［μｓ］である。サステ
インパルス（ｓｕｓ）の間の間隔は２［μｓ］である。
スキャンパルス（ｓｃａｎ）とサステインパルス（ｓｕ
ｓ）それぞれの立ち上がり時間と立ち下がり時間は２０
０［ｎｓ］に設定した。スキャン電圧（Ｖscan）の電圧
レベルは−８０Ｖに設定し、スキャンバイアス電圧（Ｖ
scan-com、Ｖｚ−scan）の電圧レベルは１１０Ｖに設定
した。そしてデータ電圧（Ｖｄ）の電圧レベルは５５
［Ｖ］に設定し、サステイン電圧（Ｖｓ）の電圧レベル
は１９０Ｖに設定した。
【００６８】図１０で分かるように、アドレス放電を開
始する前にスキャン電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）
の間の電圧差は０Ｖを維持する。
【００６９】スキャン電極（Ｙ）とサステイン電極
（Ｚ）に同時に供給される上昇ランプ波形（Ｒａｍｐ−
ｕｐ）は、その上昇期間が線形的に増加させることもで
きるが、図１１及び図１２の第２、第３実施形態のよう
に指数関数的に、すなわち緩い曲線形態で増加させるこ
ともできる。また、共振回路を利用して図１３の第４実
施形態のようにサイン波の形態で増加するようにするこ
ともできる。指数関数的波形またはサイン波形の波形は
本出願人により出願された大韓民国特許出願第１０−２
００１−０００３００５号、第１０−２００１−００１
５７５５号、 第１０−２００２−０００２４８３号に
開示された回路を応用して実現されることができる。
【００７０】図１４は本発明の第５実施形態に係るＰＤ
Ｐの駆動方法を説明するための波形図である。図１４を
参照すると、本実施形態に係るＰＤＰの駆動方法は、１
フレーム期間を多数のサブフィールドに分割して駆動す
るのであるが、それぞれのアドレス期間とサステイン期
間の間に、ある傾斜度で降下する降下ランプ波形形態の
消去信号（Ｐｒｅ−ｅｒｓ）をスキャン電極（Ｙ）とサ
ステイン電極（Ｚ）に供給してオフセル内の残留壁電荷
を消去させるようにしている。
【００７１】初期化期間（リセット期間）には図３のよ
うに上昇ランプ波形と降下ランプ波形を連続でスキャン
電極（Ｙ）に供給したり、先の実施形態のように上昇ラ
ンプ波形のみをスキャン電極（Ｙ）とサステイン電極に
供給して全画面のセルを初期化させることができる。こ
れに対する詳細な説明は後述する。また、初期化波形は
後述される他の実施形態で説明される初期化波形を利用
することができる。
【００７２】アドレス期間とサステイン期間に供給され
る波形とそれによる動作は先の実施形態と実質的に同一
なので省略する。
【００７３】本実施形態はアドレス期間とサステイン期
間の間にプレ消去期間が割り当てられている。このプレ
消去期間にはデータ電圧（Ｖｄ）と実質的に同じ正極性
の直流電圧（Ｖx-com）がアドレス電極（Ｘ）に供給さ
れると同時に、降下傾斜のプレ消去ランプ信号（Ｐｒｅ
−ｅｒｓ）がスキャン電極（Ｙ）とサステイン電極
（Ｚ）に供給される。プレ消去ランプ信号（Ｐｒｅ−ｅ
ｒｓ）はセル内の放電条件により変えることができる
が、ほぼ２０［μｓ］以内で発生させることが好まし
い。このプレ消去ランプ信号（Ｐｒｅ−ｅｒｓ）の電圧
レベルはスキャン電圧（Ｖscan）以下まで低下する。一
方、消去放電に必要な二つの電極間の電圧差は、アドレ
ス電極（Ｘ）の電圧に対するスキャン電極（Ｙ）とサス
テイン電極（Ｚ）の放電開始電圧によって決まる。この
ためにプレ消去ランプ信号（Ｐｒｅ−ｅｒｓ）はアドレ
ス電極（Ｘ）の電圧によりその電圧レベルが変わる。こ
のプレ消去ランプ信号（Ｐｒｅ−ｅｒｓ）によりアドレ
ス電極（Ｘ）とスキャン電極（Ｙ）の間と、アドレス電
極（Ｘ）とサステイン電極（Ｚ）の間に光がほとんど発
生しない暗放電が発生する。この暗放電によりオフセル
内に初期化期間から残留していた壁電荷が消去される。
その結果、オフセルはサステイン期間の間サステインパ
ルス（ｓｕｓ）がスキャン電極（Ｙ）とサステイン電極
（Ｚ）に供給される場合にも、その内部の壁電圧が０
（ゼロ）またはそれに近いので各電極（Ｘ、Ｙ、Ｚ）の
間の電圧が放電開始電圧以下を維持するので放電が起き
ない。一方、オンセルはアドレス電極（Ｘ）の上に負極
性電荷が、そしてスキャン電極（Ｙ）の上に正極性の電
荷が帯電されているので、負極性電圧のプレ消去ランプ
信号（Ｐｒｅ−ｅｒｓ）がスキャン電極（Ｙ）とサステ
イン電極（Ｚ）に印加されても各電極（Ｘ、Ｙ、Ｚ）の
間に放電が起きない。
【００７４】一方、プレ消去ランプ信号（Ｐｒｅ−ｅｒ
ｓ）は第６実施形態を示す図１５のようにマルチステッ
プ波形（ＭＳＰｒｅ−ｅｒｓ）でその電圧レベルが段階
的に低くなるものでもよい。
【００７５】第７実施形態を示す図１６は図５に図示さ
れた初期化波形を図１４に図示された駆動波形に適用し
た例を示した波形図である。第８実施形態を示す図１７
は図５に図示された初期化波形を図１５に図示された駆
動波形に適用した例を示した波形図である。
【００７６】図１６及び図１７を参照すると、これらの
実施形態に係るＰＤＰの駆動方法は各サブフィールドで
初期化期間の間、上昇ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｕｐ）の
みを利用して全画面のセルを初期化させてアドレス期間
とサステイン期間の間に設けられたプレ消去期間の間の
電圧が漸進的にまたは段階的に低くなるプレ消去波形
（Ｐｒｅ−ｅｒｓ、 ＭＳＰｒｅ−ｅｒｓ）を利用して
オフセル内の残留電荷を消去する。
【００７７】初期化期間（リセット期間）において、ほ
ぼサステイン電圧（Ｖｓ）からセットアップ電圧（Ｖse
tup）まで所定の傾斜度で上昇する上昇ランプ波形（Ｒ
ａｍｐ−ｕｐ）がすべてのスキャン電極（Ｙ）とサステ
イン電極（Ｚ）に同時に印加される。これと同時に、ア
ドレス電極（Ｘ）には０Ｖや基底電圧（ＧＮＤ）が印加
される。このようにスキャン電極（Ｙ）とサステイン電
極（Ｚ）に同時に印加される上昇ランプ波形により全画
面のセル内で光がほとんど発生しない暗放電が起き、そ
の結果スキャン電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）のそ
れぞれに負極性（−）の壁電荷が蓄積され、アドレス電
極（Ｘ）の上に正極性（＋）の壁電荷が蓄積される。ス
キャン電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）に同時に同一
の電圧が印加されるので、スキャン電極（Ｙ）とアドレ
ス電極（Ｘ）の間の電位差とサステイン電極（Ｚ）とア
ドレス電極（Ｘ）の間の電位差はアドレス放電に必要な
スキャン電極（Ｙ）とアドレス電極（Ｘ）の間の対向放
電開始電圧と同一になる。一方、スキャン電極（Ｙ）と
サステイン電極（Ｚ）の間の電位差はない。スキャン電
極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）それぞれでの壁電荷量
は初期化期間の以前状態すなわち、初期条件が違ってい
ても上昇ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｕｐ）による放電の結
果で同じになる。
【００７８】一方、アドレス放電を開始する前にはスキ
ャン電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）の間に電位差が
なく、二つの電極（Ｙ、Ｚ）それぞれに形成された壁電
荷の量が同一なので５０℃以上の高温環境でも誤放電が
起きない。
【００７９】アドレス期間は、正極性のスキャンバイア
ス電圧（Ｖscan-com）がスキャン電極（Ｙ）に同時に印
加され、そのスキャンバイアス電圧（Ｖscan-com）と実
質的に同一のバイアス電圧（Ｖz-com）がサステイン電
極（Ｚ）に同時に印加されることにより開始される。こ
のようにアドレス期間の間、同一の電圧（Ｖscan-com、
Ｖｚ−scan）がスキャン電極（Ｙ）とサステイン電極
（Ｚ）に同時に印加されるので、スキャン電極（Ｙ）と
サステイン電極（Ｚ）の間の電位差はない。引き続い
て、負極性のスキャン電圧（Ｖscan）まで低下するスキ
ャンパルス（ｓｃａｎ）がスキャン電極（Ｙ）に順次に
印加され、このスキャンパルス（ｓｃａｎ）に同期して
正極性のデータ電圧（Ｖｄ）まで上昇するデータパルス
（ｄａｔａ）がアドレス電極（Ｘ）に印加される。スキ
ャンパルス（ｓｃａｎ）とデータパルス（ｄａｔａ）の
電圧差に初期化期間に生成された壁電圧が加わってデー
タパルス（ｄａｔａ）が印加されるオンセル内にはアド
レス放電が発生する。アドレス放電により選択されたオ
ンセル内にはサステイン電圧（Ｖｓ）が印加された時放
電を起こさせることができる程度の壁電荷が形成され
る。
【００８０】プレ消去期間には降下傾斜のプレ消去ラン
プ信号（Ｐｒｅ−ｅｒｓ、ＭＳＰｒｅ−ｅｒｓ）がスキ
ャン電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）に同時に供給さ
れる。このプレ消去ランプ信号（Ｐｒｅ−ｅｒｓ、ＭＳ
Ｐｒｅ−ｅｒｓ）はアドレス電極（Ｘ）の電圧とセル内
の放電条件により、その電圧レベルと傾斜度またはステ
ップ数を変えることができる。このプレ消去ランプ信号
（Ｐｒｅ−ｅｒｓ、ＭＳＰｒｅ−ｅｒｓ）によりアドレ
ス電極（Ｘ）及びスキャン電極（Ｙ）の間と、アドレス
電極（Ｘ）とサステイン電極（Ｚ）の間に光がほとんど
発生しない暗放電が発生する。この暗放電によりオフセ
ル内で初期化期間から残留していた壁電荷が消去され
る。その結果オフセルはサステイン期間の間サステイン
パルス（ｓｕｓ）がスキャン電極（Ｙ）とサステイン電
極（Ｚ）に供給される場合にも放電が起きない。一方、
オンセルはアドレス電極（Ｘ）の上に負極性電荷が、そ
してスキャン電極（Ｙ）の上に正極性電荷が蓄積されて
いるので負極性電圧のプレ消去ランプ信号（Ｐｒｅ−ｅ
ｒｓ）がスキャン電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）に
印加されても各電極（Ｘ、Ｙ、Ｚ）の間に放電が起きな
い。
【００８１】サステイン期間にはスキャン電極（Ｙ）と
サステイン電極（Ｚ）に交互にサステインパルス（ｓｕ
ｓ）が印加される。アドレス放電により選択されたオン
セルはセル内の壁電圧とサステインパルス（ｓｕｓ）が
加わってサスティンパルス（ｓｕｓ）が印加されるごと
にスキャン電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）の間にサ
ステイン放電すなわち、表示放電が発生する。
【００８２】その際、サステイン放電が安定して起きる
ように、スキャン電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）に
最初に供給されるサステインパルスはそれ以後の正常な
サステインパルスに比べてそのパルス幅をより広く設定
される。また、スキャン電極（Ｙ）とサステイン電極
（Ｙ）に最後に供給されるサステインパルスもそれ以前
の正常なサステインパルスに比べてパルス幅が広く設定
される。特に、実験的に明らかになったことによるとサ
ブフィールドごとに最後のサステインパルスをサステイ
ン電極（Ｚ）に印加することが好ましい。
【００８３】サステイン放電が完了した後に設けられる
ポスト消去期間には、サステイン放電により生成された
壁電荷を消去させるためのランプ波形のポスト消去信号
（Ｐｏｓｔ−ｅｒｓ）がスキャン電極（Ｙ）とサステイ
ン電極（Ｚ）の少なくとも一方に供給される。このポス
ト消去信号（Ｐｏｓｔ−ｅｒｓ）によりオンセル内に消
去放電が起きて残留壁電荷が消去される。このポスト消
去信号（Ｐｏｓｔ−ｅｒｓ）とポスト消去期間は省略し
てもよい。
【００８４】一方、プレ消去期間とサステイン期間には
図１８及び図１９（第９、第１０実施形態）のようにデ
ータ電圧（Ｖｄ）と実質的に同じ正極性の直流電圧（Ｖ
x-com）をアドレス電極（Ｘ）に供給することができ
る。このようにプレ消去期間とサステイン期間の間にア
ドレス電極（Ｘ）に正極性の直流電圧が印加されるとプ
レ消去放電がより容易に発生し、プレ消去信号（Ｐｒｅ
−ｅｒｓ、ＭＳＰｒｅ−ｅｒｓ）の電圧の絶対値をさら
に低くすることができることは勿論、サステイン放電が
スキャン電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）の間で確実
に発生する。
【００８５】スキャン電極（Ｙ）とサステイン電極
（Ｚ）に同時に供給される上昇ランプ波形（Ｒａｍｐ−
ｕｐ）はその上昇期間を線形的に増加させることもでき
るが、図２０及び図２１（第１１、第１２実施形態）の
ように指数関数形態すなわち、緩い曲線形態で増加させ
ることもでき、また共振回路を利用して図２２（第１３
実施形態）のようにサイン波の形態で増加させることも
できる。
【００８６】図２３は本発明の第１４実施形態に係るＰ
ＤＰの駆動方法を説明するための波形図である。図２４
は図２３の波形図が適用される場合にオンセル内での時
間経過による壁電荷分布の変化を示したものである。図
２５Ａ〜図２５Ｐは図２３の駆動波形がセルに印加され
た時にそのセルの壁電荷分布の変化を詳しく示すシミュ
レーション結果である。図２５Ａ〜図２５Ｐにおいて、
縦軸は電荷量［Ｃ］を、そして横軸は距離［μｍ］であ
る。
【００８７】図２３〜図２５を参照すると、本発明の第
１４実施形態に係るＰＤＰの駆動方法は、それぞれのサ
ブフィールドでスキャン電極（Ｙ）とサステイン電極
（Ｚ）に上昇ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｕｐ）と降下ラン
プ波形（Ｒａｍｐ−ｄｎ）を連続的に供給して全画面の
セルを初期化させるようにしている。
【００８８】また、本実施形態に係るＰＤＰの駆動方法
は、それぞれのサブフィールドに初期化期間の他にオン
セルを選択するためのアドレス期間と選択されたオンセ
ルの表示を行うためのサステイン期間を備えている。
【００８９】初期化期間（リセット期間）において、ほ
ぼサステイン電圧（Ｖｓ）からセットアップ電圧（Ｖse
tup）まで所定の傾斜度で上昇する上昇ランプ波形（Ｒ
ａｍｐ−ｕｐ）がすべてのスキャン電極（Ｙ）とサステ
イン電極（Ｚ）に同時に印加される。これと同時に、ア
ドレス電極（Ｘ）には０Ｖや基底電圧（ＧＮＤ）が印加
される。このようにスキャン電極（Ｙ）とサステイン電
極（Ｚ）に同時に印加される上昇ランプ波形により全画
面のセル内で光がほとんど発生しない暗放電が起きて、
その結果図２４と図２５Ａ〜図２５Ｄのようにスキャン
電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）のそれぞれに負極性
（−）の壁電荷が蓄積され、アドレス電極（Ｘ）の上に
正極性（＋）の壁電荷が蓄積される。スキャン電極
（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）の上の壁電荷はその電荷
量と分布特性が図２５Ａ〜図２５Ｄのように対称的に増
加する。スキャン電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）に
同時に同一の電圧が印加されるので、スキャン電極
（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）の間の電位差はない。ス
キャン電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）それぞれでの
壁電荷量は初期化期間の以前の状態すなわち、初期条件
が違っていても上昇ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｕｐ）によ
る放電の結果で同一になる。
【００９０】上昇ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｕｐ）に引き
続いて、ほぼサステイン電圧（Ｖｓ）から負極性のスキ
ャン電圧（Ｖscan）まで降下する降下ランプ波形（Ｒａ
ｍｐ−ｄｎ）がスキャン電極（Ｙ）とサステイン電極
（Ｚ）に同時に印加される。この時アドレス電極（Ｘ）
は０Ｖや基底電圧（ＧＮＤ）を維持する。この降下ラン
プ波形（Ｒａｍｐ−ｄｎ）によりスキャン電極（Ｙ）と
アドレス電極（Ｘ）の間そしてサステイン電極（Ｚ）と
アドレス電極（Ｘ）の間に暗放電が発生する。この放電
の結果で、図２４と図２５Ｅ〜図２５Ｇのようにアドレ
ス放電に不必要な過剰壁電荷が消去される。そして全セ
ル内には均一な壁電荷が残留する。
【００９１】一般的に赤色、緑色及び青色のサブピクセ
ルは蛍光体物質の特性により放電開始電圧に差がある。
降下ランプ波形がセル内に印加されて消去放電を起こす
と、サブピクセルの放電開始電圧の差にかかわらず放電
開始条件を均一にできる。したがって、降下ランプ波形
による消去放電は全セル内での放電条件を均一にさせて
駆動マージンを高くすることができる。
【００９２】アドレス期間は先の実施形態と実質的に同
一なのでそれに対する詳細な説明を省略する。アドレス
放電により選択されたセル内には図２４のようにスキャ
ン電極（Ｙ）と対向するアドレス電極（Ｘ）の上に負極
性の壁電荷が蓄積される。図２５Ｈはアドレス放電直後
のスキャン電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）の上の壁
電荷分布を示す。
【００９３】サステイン期間には最初にスキャン電極
（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）にパルス幅が広いサステ
インパルス（ｓｕｓ）が印加された後に、サステイン電
極（Ｚ）とスキャン電極（Ｘ）に交互にパルス幅が小さ
い正常なサステインパルス（ｓｕｓ）が交互に供給され
る。そしてパルス幅が広い最後のサステインパルス（ｓ
ｕｓ）がスキャン電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）に
供給される。アドレス放電により選択されたオンセルは
セル内の壁電圧にサステインパルス（ｓｕｓ）が加わっ
てサスティンパルス（ｓｕｓ）が印加されるごとにスキ
ャン電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）の間にサステイ
ン放電すなわち、表示放電が発生する。図２５Ｉ〜図２
５Ｎはサスティンパルスが印加されるごとに発生するサ
ステイン放電の時のスキャン電極（Ｙ）とサステイン電
極（Ｚ）の上の壁電荷分布の変化を示す。
【００９４】ポスト消去期間にはサステイン放電により
生成された壁電荷を消去させるための上昇傾斜のポスト
消去信号（Ｐｏｓｔ−ｅｒｓ）がスキャン電極（Ｙ）と
サステイン電極（Ｚ）に交互に供給される。このポスト
消去信号（Ｐｏｓｔ−ｅｒｓ）によりセル内に残留する
電荷が消去される。図２５Ｏと図２５Ｐはポスト消去信
号（Ｐｏｓｔ−ｅｒｓ）により消去放電が起きたときに
発生した直後のスキャン電極（Ｙ）とサステイン電極
（Ｚ）の上の壁電荷分布の変化を示す。このポスト消去
信号（Ｐｏｓｔ−ｅｒｓ）は省略してもよい。
【００９５】図２６は本発明の第１５実施形態に係るＰ
ＤＰの駆動波形を説明するための波形図である。
【００９６】図２６を参照すると、本実施形態に係るＰ
ＤＰの駆動方法はそれぞれのサブフィールドでスキャン
電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）に上昇ランプ波形
（Ｒａｍｐ−ｕｐ）を供給した後、上昇ランプ波形の開
始電圧と異なる電圧から降下する降下ランプ波形（Ｒａ
ｍｐ−ｄｎ）をスキャン電極（Ｙ）とサステイン電極
（Ｚ）に供給して全画面のセルを初期化させる。
【００９７】初期化期間（リセット期間）において、ほ
ぼサステイン電圧（Ｖｓ）からセットアップ電圧（Ｖse
tup）まで所定の傾斜度で上昇する上昇ランプ波形（Ｒ
ａｍｐ−ｕｐ）がすべてのスキャン電極（Ｙ）とサステ
イン電極（Ｚ）に同時に印加される。これと同時に、ア
ドレス電極（Ｘ）には０Ｖや基底電圧（ＧＮＤ）が印加
される。このようにスキャン電極（Ｙ）とサステイン電
極（Ｚ）に同時に印加される上昇ランプ波形（Ｒａｍｐ
−ｕｐ）により全画面のセル内で光がほとんど発生しな
い暗放電が起き、その結果スキャン電極（Ｙ）とサステ
イン電極（Ｚ）のそれぞれに負極性（−）の壁電荷が蓄
積されるようになりアドレス電極（Ｘ）の上に正極性
（＋）の壁電荷が蓄積される。
【００９８】上昇ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｕｐ）に引き
続いて、ほぼサステイン電圧（Ｖｓ）とスキャンバイア
ス電圧（Ｖscan-com）の間の電圧（Ｖ１）から降下する
降下ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｄｎ）がスキャン電極
（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）に同時に印加される。こ
の時アドレス電極（Ｘ）は０Ｖや基底電圧（ＧＮＤ）を
維持する。この降下ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｄｎ）によ
りスキャン電極（Ｙ）とアドレス電極（Ｘ）の間、そし
てサステイン電極（Ｚ）とアドレス電極（Ｘ）の間に暗
放電が発生する。この放電の結果で、アドレス放電に不
必要な過剰が消去される。そして全セル内には均一な壁
電荷が残留する。
【００９９】降下ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｄｎ）は図３
に図示された従来の波形や先の実施形態と違い、その開
始電圧が上昇ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｕｐ）の開始電圧
より低い。このために降下ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｄ
ｎ）が供給される期間が短くなり初期化期間が減少し、
アドレス期間とサステイン期間をそれだけさらに確保す
ることができる。
【０１００】アドレス期間、サステイン期間及びポスト
消去期間は図２３に図示された波形と実質的に同一なの
でこれに対する詳細な説明を省略する。
【０１０１】図２７は本発明の第１６実施形態に係るＰ
ＤＰの駆動波形を説明するための波形図である。
【０１０２】図２７を参照すると、本実施形態に係るＰ
ＤＰの駆動方法は、それぞれのサブフィールドでスキャ
ン電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）に上昇ランプ波形
（Ｒａｍｐ−ｕｐ）を供給した後に、相互に異なるラン
プの傾斜度（Ｒａｍｐ ｒａｔｅ）を持つ降下ランプ波
形（Ｒａｍｐ−ｄｎ１、Ｒａｍｐ−ｄｎ２）をスキャン
電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）に供給して全画面の
セルを初期化させるようになっている。
【０１０３】初期化期間（リセット期間）において、ほ
ぼサステイン電圧（Ｖｓ）からセットアップ電圧（Ｖse
tup）まで所定の傾斜度で上昇する上昇ランプ波形（Ｒ
ａｍｐ−ｕｐ）がすべてのスキャン電極（Ｙ）とサステ
イン電極（Ｚ）に同時に印加される。これと同時に、ア
ドレス電極（Ｘ）には０Ｖや基底電圧（ＧＮＤ）が印加
される。このようにスキャン電極（Ｙ）とサステイン電
極（Ｚ）に同時に印加される上昇ランプ波形（Ｒａｍｐ
−ｕｐ）により全画面のセル内で光がほとんど発生しな
い暗放電が起き、その結果スキャン電極（Ｙ）とサステ
イン電極（Ｚ）のそれぞれに負極性（−）の壁電荷が蓄
積され、アドレス電極（Ｘ）の上に正極性（＋）の壁電
荷が蓄積される。
【０１０４】上昇ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｕｐ）に引き
続いて、ほぼサステイン電圧（Ｖｓ）から降下する第１
降下ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｄｎ１）がスキャン電極
（Ｙ）に印加されると同時に、第１降下ランプ波形（Ｒ
ａｍｐ−ｄｎ１）の傾斜度より小さい傾斜度で電圧が降
下する第２降下ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｄｎ２）がサス
テイン電極（Ｚ）に印加される。第１降下ランプ波形
（Ｒａｍｐ−ｄｎ１）より第２降下ランプ波形（Ｒａｍ
ｐ−ｄｎ２）の傾斜度が低いので、第２降下ランプ波形
（Ｒａｍｐ−ｄｎ２）の終了電圧（Ｖｚｒ）は第１降下
ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｄｎ１）の終了より電圧高くな
る。すなわち、第２降下ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｄｎ
２）の終了電圧の絶対値は、第１降下ランプ波形（Ｒａ
ｍｐ−ｄｎ１）と第２降下ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｄｎ
２）の傾斜度の差により第１降下ランプ波形（Ｒａｍｐ
−ｄｎ１）のそれに比べてさらに小さくなる。この時、
アドレス電極（Ｘ）は０Ｖや基底電圧（ＧＮＤ）を維持
する。この降下ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｄｎ１、Ｒａｍ
ｐ−ｄｎ２）によりスキャン電極（Ｙ）とアドレス電極
（Ｘ）の間、そしてサステイン電極（Ｚ）とアドレス電
極（Ｘ）の間に暗放電が発生する。この放電の結果で、
アドレス放電に不必要な過剰壁電荷が消去される。そし
て全セル内には均一な壁電荷が残留する。
【０１０５】サステイン電極（Ｚ）に供給される降下ラ
ンプ波形（Ｒａｍｐ−ｄｎ２）の傾斜度すなわち、ラン
プの傾斜度がスキャン電極（Ｙ）に供給される降下ラン
プ波形（Ｒａｍｐ−ｄｎ１）に比べて小さいのでサステ
イン電極（Ｚ）とアドレス電極（Ｘ）の間の消去放電が
スキャン電極（Ｙ）とアドレス電極（Ｘ）の間の消去放
電より小さく発生する。その結果、サステインパルスが
スキャン電極（Ｙ）に最初に供給されるまでサステイン
電極（Ｚ）の上に残留する負極性の壁電荷量がスキャン
電極（Ｙ）の上に残留する壁電荷より多く残留する。し
たがって、サステインパルスがスキャン電極（Ｙ）に最
初に供給される時、スキャン電極（Ｙ）とサステイン電
極（Ｚ）の間の電圧差がさらに大きくなるのでサステイ
ン放電が起きやすくなる。また、サステイン期間の始め
の時点までサステイン電極（Ｚ）の上に残留する負極性
の壁電荷量が多くなるほど、サステイン電圧（Ｖｓ）を
より低くすることができる。
【０１０６】アドレス期間、サステイン期間及びポスト
消去期間は図２３に図示された波形と同一なのでこれに
対する詳細な説明を省略する。
【０１０７】図２８は図２７に図示された波形が印加さ
れる時の電圧と電流特性をシミュレーションしてその結
果を示している。
【０１０８】図２９は本発明の第１７実施形態に係るＰ
ＤＰの駆動方法に適用される波形を示す波形図である。
図２９を参照すると、本実施形態に係るＰＤＰの駆動方
法はそれぞれのサブフィールドでスキャン電極（Ｙ）と
サステイン電極（Ｚ）に上昇ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｕ
ｐ）を供給した後、終了電圧（Ｖscan、Ｖｚｒ）が相互
に異なる降下ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｄｎ１、Ｒａｍｐ
−ｄｎ２）をスキャン電極（Ｙ）とサステイン電極
（Ｚ）に供給して全画面のセルを初期化させる。
【０１０９】初期化期間（リセット期間）において、ほ
ぼサステイン電圧（Ｖｓ）からセットアップ電圧（Ｖse
tup）まで所定の傾斜度で上昇する上昇ランプ波形（Ｒ
ａｍｐ−ｕｐ）がすべてのスキャン電極（Ｙ）とサステ
イン電極（Ｚ）に同時に印加される。これと同時に、ア
ドレス電極（Ｘ）には０Ｖや基底電圧（ＧＮＤ）が印加
される。このようにスキャン電極（Ｙ）とサステイン電
極（Ｚ）に同時に印加される上昇ランプ波形（Ｒａｍｐ
−ｕｐ）により全画面のセル内で光がほとんど発生しな
い暗放電が起きて、その結果スキャン電極（Ｙ）とサス
テイン電極（Ｚ）のそれぞれに負極性（−）の壁電荷が
蓄積され、アドレス電極（Ｘ）の上に正極性（＋）の壁
電荷が蓄積される。
【０１１０】上昇ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｕｐ）に引き
続いて、ほぼサステイン電圧（Ｖｓ）から降下する第１
降下ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｄｎ１）がスキャン電極
（Ｙ）に印加されると同時にランプの傾斜度（Ｒａｍ
ｐ）が第１降下ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｄｎ１）と同一
であるか異なり、終了電圧（Ｖｚｒ）が第１降下ランプ
波形（Ｒａｍｐ−ｄｎ１）より高い第２降下ランプ波形
（Ｒａｍｐ−ｄｎ２）がサステイン電極（Ｚ）に印加さ
れる。第２降下ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｄｎ２）の終了
電圧が第１降下ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｄｎ１）より高
いので第２降下ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｄｎ２）の供給
時間が第１降下ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｄｎ１）に比べ
てより短い。この時アドレス電極（Ｘ）は０Ｖや基底電
圧（ＧＮＤ）を維持する。この降下ランプ波形（Ｒａｍ
ｐ−ｄｎ１、Ｒａｍｐ−ｄｎ２）によりスキャン電極
（Ｙ）とアドレス電極（Ｘ）の間、そしてサステイン電
極（Ｚ）とアドレス電極（Ｘ）の間に暗放電が発生す
る。この放電の結果で、アドレス放電に不必要な過剰壁
電荷が消去される。そして全セル内には均一な壁電荷が
残留する。
【０１１１】サステイン電極（Ｚ）に供給される降下ラ
ンプ波形（Ｒａｍｐ−ｄｎ２）の終了電圧（Ｖｚｒ）が
スキャン電極（Ｙ）に供給される降下ランプ波形（Ｒａ
ｍｐ−ｄｎ１）に比べて高いのでサステイン電極（Ｚ）
とアドレス電極（Ｘ）の間の消去放電がスキャン電極
（Ｙ）とアドレス電極（Ｘ）の間の消去放電より短い時
間発生する。すなわち、第２降下ランプ波形（Ｒａｍｐ
−ｄｎ２）の終了電圧の絶対値は第１降下ランプ波形
（Ｒａｍｐ−ｄｎ１）に比べて小さい。その結果、サス
テインパルスがスキャン電極（Ｙ）に最初に供給される
までサステイン電極（Ｚ）の上に残留する負極性の壁電
荷量がスキャン電極（Ｙ）の上に残留する壁電荷より多
く残留する。したがって、サステインパルスがスキャン
電極（Ｙ）に最初に供給される時、スキャン電極（Ｙ）
とサステイン電極（Ｚ）の間の電圧差がより大きくなる
ので、サステイン放電がさらに易しく起きる。また、サ
ステイン期間の始めの時点までサステイン電極（Ｚ）の
上に残留する負極性の壁電荷量が多くなるほど、サステ
イン電圧（Ｖｓ）をさらに低くすることができる。
【０１１２】アドレス期間、サステイン期間及びポスト
消去期間は図２３に図示された波形と実質的に同一なの
でこれに対する詳細な説明を省略する。
【０１１３】図３０は本発明の第１８実施形態に係るＰ
ＤＰの駆動方法に適用される波形を示す波形図である。
図３０を参照すると、本実施形態に係るＰＤＰの駆動方
法はそれぞれのサブフィールドでスキャン電極（Ｙ）と
サステイン電極（Ｚ）に上昇ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｕ
ｐ）を供給した後、開始電圧（Ｖ１、Ｖ２）が相互に異
なる降下ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｄｎ１、Ｒａｍｐ−ｄ
ｎ２）をスキャン電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）に
供給して全画面のセルを初期化させる。
【０１１４】初期化期間（リセット期間）において、ほ
ぼサステイン電圧（Ｖｓ）からセットアップ電圧（Ｖse
tup）まで所定の傾斜で上昇する上昇ランプ波形（Ｒａ
ｍｐ−ｕｐ）がすべてのスキャン電極（Ｙ）とサステイ
ン電極（Ｚ）に同時に印加される。これと同時に、アド
レス電極（Ｘ）には０Ｖや基底電圧（ＧＮＤ）が印加さ
れる。このようにスキャン電極（Ｙ）とサステイン電極
（Ｚ）に同時に印加される上昇ランプ波形（Ｒａｍｐ−
ｕｐ）により全画面のセル内で光がほとんど発生しない
暗放電が起き、その結果スキャン電極（Ｙ）とサステイ
ン電極（Ｚ）のそれぞれに負極性（−）の壁電荷が蓄積
され、アドレス電極（Ｘ）の上に正極性（＋）の壁電荷
が蓄積される。
【０１１５】上昇ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｕｐ）に引き
続いて、ほぼサステイン電圧（Ｖｓ）とスキャンバイア
ス電圧（Ｖscan-com）の間の電圧（Ｖ１）から降下する
第１降下ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｄｎ１）がスキャン電
極（Ｙ）に印加されると同時にランプの傾斜度と終了時
点が第１降下ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｄｎ１）と同一で
開始電圧（Ｖ２）が第１降下ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｄ
ｎ１）より高い第２降下ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｄｎ
２）がサステイン電極（Ｚ）に印加される。第２降下ラ
ンプ波形（Ｒａｍｐ−ｄｎ２）の開始電圧はほぼサステ
イン電圧（Ｖｓ）に選択される。第１降下ランプ波形
（Ｒａｍｐ−ｄｎ１）と第２降下ランプ波形（Ｒａｍｐ
−ｄｎ２）が同一なランプの傾斜度を持ち、開始電圧
（Ｖ１、Ｖ２）が異なるので、第２降下ランプ波形（Ｒ
ａｍｐ−ｄｎ２）の終了電圧（Ｚｒ）は第１降下ランプ
波形（Ｒａｍｐ−ｄｎ１）に比べてより高くなる。この
ように第２降下ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｄｎ２）の開始
電圧（Ｖ２）が第１降下ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｄｎ
１）のそれ（Ｖ１）より高いので、サステイン電極
（Ｚ）とアドレス電極（Ｘ）の間の電圧差がスキャン電
極（Ｘ）とアドレス電極（Ｘ）の間の電圧差より小さく
なる。この時アドレス電極（Ｘ）は０Ｖや基底電圧（Ｇ
ＮＤ）を維持する。この降下ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｄ
ｎ１、Ｒａｍｐ−ｄｎ２）によりスキャン電極（Ｙ）と
アドレス電極（Ｘ）の間、そしてサステイン電極（Ｚ）
とアドレス電極（Ｘ）の間に暗放電が発生する。この放
電の結果で、アドレス放電に不必要な過度壁電荷が消去
される。そして全セル内には均一な壁電荷が残留する。
【０１１６】サステイン電極（Ｚ）に供給される降下ラ
ンプ波形（Ｒａｍｐ−ｄｎ２）の開始電圧（Ｖ２）がス
キャン電極（Ｙ）に供給される降下ランプ波形（Ｒａｍ
ｐ−ｄｎ１）に比べて高いのでサステイン電極（Ｚ）と
アドレス電極（Ｘ）の間の消去放電がスキャン電極
（Ｙ）とアドレス電極（Ｘ）の間の消去放電より弱く起
きる。その結果、サステインパルスがスキャン電極
（Ｙ）に最初に供給されるまでサステイン電極（Ｚ）の
上に残留する負極性の壁電荷量がスキャン電極（Ｙ）の
上に残留する壁電荷より多く残留する。したがって、サ
ステインパルスがスキャン電極（Ｙ）に最初に供給され
る時、スキャン電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）の間
の電圧差がより大きくなるので、サステイン放電が起こ
りやすい。また、サステイン期間の始めの時点までサス
テイン電極（Ｚ）の上に残留する負極性の壁電荷量が多
くなるほどサステイン電圧（Ｖｓ）をより低くすること
ができる。
【０１１７】アドレス期間、サステイン期間及びポスト
消去期間は図２３に図示された波形と実質的に同一なの
でこれに対する詳細な説明を省略する。
【０１１８】図３１は本発明の第１９実施形態に係るＰ
ＤＰの駆動方法に適用される波形を示す波形図である。
【０１１９】図３１を参照すると、本実施形態に係るＰ
ＤＰの駆動方法はそれぞれのサブフィールドの初期化期
間の間、上昇ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｕｐ）と降下ラン
プ波形（Ｒａｍｐ−ｄｎ）をスキャン電極（Ｙ）とサス
テイン電極（Ｚ）に供給して全画面のセルを初期化さ
せ、それぞれのサブフィールドのアドレス期間の間、相
互に異なるバイアス電圧（Ｖscan-com、Ｖz-com）をサ
ステイン電極（Ｚ）とスキャン電極（Ｘ）に供給する。
【０１２０】初期化期間、サステイン期間及びポスト消
去期間は図２３に図示された波形と実質的に同一なので
これに対する詳細な説明を省略する。
【０１２１】アドレス期間の間、スキャン電極（Ｙ）に
は正極性のスキャンバイアス電圧（Ｖscan-com）が供給
され、サステイン電極（Ｚ）にはスキャンバイアス電圧
（Ｖscan-com）より高いバイアス電圧（Ｖz-com）が供
給される。そしてオンセルを選択するためにアドレス期
間の間、負極性のスキャンパルス（ｓｃａｎ）がスキャ
ン電極（Ｙ）に順次的に印加されると同時にスキャンパ
ルス（ｓｃａｎ）に同期される正極性のデータパルス
（ｄａｔａ）がアドレス電極（Ｘ）に印加される。スキ
ャンパルス（ｓｃａｎ）とデータパルス（ｄａｔａ）の
電圧差と初期化期間に生成された壁電圧が加わってデー
タパルス（ｄａｔａ）が印加されるオンセル内にはアド
レス放電が発生する。アドレス放電により選択されたオ
ンセル内にはサステイン電圧（Ｖｓ）が印加される時放
電が起きる程度の壁電荷が形成される。アドレス期間の
間サステイン電極（Ｚ）のバイアス電圧（Ｖz-com）が
スキャン電極（Ｙ）のバイアス電圧（Ｖscan-com）より
高く設定されるので、アドレス放電の時発生する負極性
の壁電荷がの他の実施形態に比べてより多くサステイン
電極（Ｚ）の上に蓄積される。
【０１２２】このようにサステイン電極（Ｚ）の上の負
極性壁電荷の量がさらに多くなるのでサステインパルス
がスキャン電極（Ｙ）に最初に供給される時、スキャン
電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）の間の電圧差がより
大きくなるのでサステイン放電が起こりやすい。また、
サステイン期間が始まる時点までにサステイン電極
（Ｚ）の上に残留する負極性の壁電荷量が多くなるほ
ど、サステイン電圧（Ｖｓ）がより低くなる。
【０１２３】図３２は本発明の第２０実施形態に係るＰ
ＤＰの駆動波形を説明するための波形図である。図３２
を参照すと、本実施形態に係るＰＤＰの駆動方法は、そ
れぞれのサブフィールドでスキャン電極（Ｙ）とサステ
イン電極（Ｚ）に上昇ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｕｐ）を
供給した後、相互に異なるランプの傾斜度（Ｒａｍｐ
ｒａｔｅ）と終了電圧（Ｖscan、０Ｖ）を持つ降下ラン
プ波形（Ｒａｍｐ−ｄｎ１、Ｒａｍｐ−ｄｎ２）をスキ
ャン電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）に供給して全画
面のセルを初期化させる。
【０１２４】初期化期間（リセット期間）において、ほ
ぼサステイン電圧（Ｖｓ）からセットアップ電圧（Ｖse
tup）まで所定の傾斜で上昇する上昇ランプ波形（Ｒａ
ｍｐ−ｕｐ）がすべてのスキャン電極（Ｙ）とサステイ
ン電極（Ｚ）に同時に印加される。これと同時に、アド
レス電極（Ｘ）には０Ｖや基底電圧（ＧＮＤ）が印加さ
れる。このようにスキャン電極（Ｙ）とサステイン電極
（Ｚ）に同時に印加される上昇ランプ波形（Ｒａｍｐ−
ｕｐ）により全画面のセル内で光がほとんど発生しない
暗放電が起き、その結果スキャン電極（Ｙ）とサステイ
ン電極（Ｚ）のそれぞれに負極性（−）の壁電荷が蓄積
され、アドレス電極（Ｘ）の上に正極性（＋）の壁電荷
が蓄積される。
【０１２５】上昇ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｕｐ）に引き
続いて、ほぼサステイン電圧（Ｖｓ）から降下する第１
降下ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｄｎ１）がスキャン電極
（Ｙ）に印加されると同時に第１降下ランプ波形（Ｒａ
ｍｐ−ｄｎ１）の傾斜より低い傾斜で０Ｖや基底電圧
（ＧＮＤ）まで降りる第２降下ランプ波形（Ｒａｍｐ−
ｄｎ２）がサステイン電極（Ｚ）に印加される。この時
アドレス電極（Ｘ）は０Ｖか基底電圧（ＧＮＤ）に維持
する。この降下ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｄｎ１、Ｒａｍ
ｐ−ｄｎ２）によりスキャン電極（Ｙ）とアドレス電極
（Ｘ）の間、そしてサステイン電極（Ｚ）とアドレス電
極（Ｘ）の間に暗放電が発生する。この放電の結果で、
アドレス放電に不必要な過度壁電荷が消去される。そし
て全セル内には均一な壁電荷が残留する。
【０１２６】この実施形態の第２降下ランプ波形（Ｒａ
ｍｐ−ｄｎ２）は図２７の降下ランプ波形（Ｒａｍｐ−
ｄｎ２）と似ているが、その終了電圧が０Ｖや基底電圧
（ＧＮＤ）に設定されて図２７の降下ランプ波形（Ｒａ
ｍｐ−ｄｎ２）に比べてさらに高い。したがって、この
実施形態でサステイン放電が開始される前までサステイ
ン電極（Ｚ）の上に残留する負極性壁電荷の量は図２７
に図示された駆動波形に比べてより高くなる。
【０１２７】図３３は本発明の第２１実施形態に係るＰ
ＤＰの駆動方法に適用される波形を示す波形図である。
図３３を参照すると、本実施形態に係るＰＤＰの駆動方
法はそれぞれのサブフィールドでスキャン電極（Ｙ）と
サステイン電極（Ｚ）に上昇ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｕ
ｐ）を供給した後、終了電圧（Ｖscan、０Ｖ）が相互に
異なる降下ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｄｎ１、Ｒａｍｐ−
ｄｎ２）をスキャン電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）
に供給して全画面のセルを初期化させる。
【０１２８】初期化期間（リセット期間）において、ほ
ぼサステイン電圧（Ｖｓ）からセットアップ電圧（Ｖse
tup）まで所定の傾斜で上昇する上昇ランプ波形（Ｒａ
ｍｐ−ｕｐ）がすべてのスキャン電極（Ｙ）とサステイ
ン電極（Ｚ）に同時に印加される。これと同時に、アド
レス電極（Ｘ）には０Ｖや基底電圧（ＧＮＤ）が印加さ
れる。このようにスキャン電極（Ｙ）とサステイン電極
（Ｚ）に同時に印加される上昇ランプ波形（Ｒａｍｐ−
ｕｐ）により前画面のセル内で光がほとんど発生しない
暗放電が起き、その結果スキャン電極（Ｙ）とサステイ
ン電極（Ｚ）のそれぞれに負極性（−）の壁電荷が蓄積
され、アドレス電極（Ｘ）の上に正極性（＋）の壁電荷
が蓄積される。
【０１２９】上昇ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｕｐ）に引き
続いて、ほぼサステイン電圧（Ｖｓ）から降下する第１
降下ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｄｎ１）がスキャン電極
（Ｙ）に印加されると同時にランプの傾斜度が第１降下
ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｄｎ１）と同一か異なるように
電圧が降下して０Ｖや基底電圧（ＧＮＤ）まで降下する
第２降下ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｄｎ２）がサステイン
電極（Ｚ）に印加される。第２降下ランプ波形（Ｒａｍ
ｐ−ｄｎ２）の開始電圧は、第１降下ランプ波形（Ｒａ
ｍｐ−ｄｎ１）と同一に、ほぼサステイン電圧（Ｖｓ）
と同じ値に選択されたり、それと異なるように選択され
る。第２降下ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｄｎ２）の終了電
圧が第１降下ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｄｎ１）より高い
ので、第２降下ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｄｎ２）の供給
時間が第１降下ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｄｎ１）に比べ
て短い。この時アドレス電極（Ｘ）は０Ｖや基底電圧
（ＧＮＤ）を維持する。この降下ランプ波形（Ｒａｍｐ
−ｄｎ１、Ｒａｍｐ−ｄｎ２）によりスキャン電極
（Ｙ）とアドレス電極（Ｘ）の間、そしてサステイン電
極（Ｚ）とアドレス電極（Ｘ）の間に暗放電が発生す
る。この放電の結果で、アドレス放電に不必要な過度壁
電荷が消去される。そして全セル内には均一な壁電荷が
残留する。
【０１３０】この実施形態の第２降下ランプ波形（Ｒａ
ｍｐ−ｄｎ２）は前期図２９の降下ランプ波形（Ｒａｍ
ｐ−ｄｎ２）と類似であるが、その終了電圧が０Ｖや基
底電圧（ＧＮＤ）に設定されて図２９の降下ランプ波形
（Ｒａｍｐ−ｄｎ２）に比べてより高い。したがって、
本実施形態でサステイン放電が開始される前までサステ
イン電極（Ｚ）の上に残留する負極性壁電荷の量は図２
９に図示された駆動波形に比べてより高くなる。
【０１３１】図３４は本発明の第２２実施形態に係るＰ
ＤＰの駆動方法に適用される波形を示す波形図である。
図３４を参照すると、本実施形態に係るＰＤＰの駆動方
法はそれぞれのサブフィールドでスキャン電極（Ｙ）と
サステイン電極（Ｚ）に上昇ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｕ
ｐ）を供給した後、降下ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｄｎ）
をスキャン電極（Ｙ）にだけ供給して全画面のセルを初
期化させる。
【０１３２】初期化期間（リセット期間）において、ほ
ぼサステイン電圧（Ｖｓ）からセットアップ電圧（Ｖse
tup）まで所定の傾斜で上昇する上昇ランプ波形（Ｒａ
ｍｐ−ｕｐ）がすべてのスキャン電極（Ｙ）とサステイ
ン電極（Ｚ）に同時に印加される。これと同時に、アド
レス電極（Ｘ）には０Ｖや基底電圧（ＧＮＤ）が印加さ
れる。このようにスキャン電極（Ｙ）とサステイン電極
（Ｚ）に同時に印加される上昇ランプ波形（Ｒａｍｐ−
ｕｐ）により全画面のセル内で光がほとんど発生しない
暗放電が起きて、その結果スキャン電極（Ｙ）とサステ
イン電極（Ｚ）のそれぞれに負極性（−）の壁電荷が蓄
積され、アドレス電極（Ｘ）の上に正極性（＋）の壁電
荷が蓄積される。
【０１３３】上昇ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｕｐ）に引き
続いて、ほぼサステイン電圧（Ｖｓ）から降下する降下
ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｄｎ）がスキャン電極（Ｙ）に
印加されると同時にスキャンバイアス電圧（Ｖscan-co
m）と同一であるかそれより高い電圧のバイアス電圧
（Ｖz-com）がサステイン電極（Ｚ）に印加される。こ
の時アドレス電極（Ｘ）は０Ｖや基底電圧（ＧＮＤ）を
維持する。サステイン電極（Ｚ）に印加されるバイアス
電圧（Ｖz-com）はアドレス期間まで維持される。スキ
ャン電極（Ｙ）に供給される降下ランプ波形（Ｒａｍｐ
−ｄｎ）によりスキャン電極（Ｙ）とアドレス電極
（Ｘ）の間に暗放電が発生する。この放電の結果で、ス
キャン電極（Ｙ）とアドレス電極（Ｘ）の上の過度壁電
荷が消去される。一方に、上昇ランプ波形（Ｒａｍｐ−
ｕｐ）によるセットアップ放電の時発生したサステイン
電極（Ｙ）の上の壁電荷の大部分はサステイン放電が開
始されるまでそのまま維持される。
【０１３４】初期化期間の間スキャン電極（Ｙ）とアド
レス電極（Ｘ）の間でのみ消去放電が起きる一方、サス
テイン電極（Ｚ）とアドレス電極（Ｘ）の間には消去放
電が起きない。このためにサステイン放電が開始される
前までサステイン電極（Ｚ）の上に残留する負極性壁電
荷の量が十分になり、スキャン電極（Ｙ）とサステイン
電極（Ｚ）の間のサステイン放電を起こしやすくなる。
【０１３５】図３５は本発明の第２３実施形態に係るＰ
ＤＰの駆動方法に適用される波形を示す波形図である。
図３５を参照すると、本実施形態に係るＰＤＰの駆動方
法はそれぞれのサブフィールドでスキャン電極（Ｙ）と
サステイン電極（Ｚ）に上昇ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｕ
ｐ）を供給した後、降下ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｄｎ）
をスキャン電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）に供給す
ると同時に正極性の直流バイアス電圧（Ｖｘｂ１）をア
ドレス電極（Ｘ）に供給して全画面のセルを初期化させ
る。
【０１３６】初期化期間（リセット期間）において、ほ
ぼサステイン電圧（Ｖｓ）からセットアップ電圧（Ｖse
tup）まで所定の傾斜で上昇する上昇ランプ波形（Ｒａ
ｍｐ−ｕｐ）がすべてのスキャン電極（Ｙ）とサステイ
ン電極（Ｚ）に同時に印加される。これと同時に、アド
レス電極（Ｘ）には０Ｖや基底電圧（ＧＮＤ）が印加さ
れる。このようにスキャン電極（Ｙ）とサステイン電極
（Ｚ）に同時に印加される上昇ランプ波形（Ｒａｍｐ−
ｕｐ）により全画面のセル内で光がほとんど発生しない
暗放電が起き、その結果スキャン電極（Ｙ）とサステイ
ン電極（Ｚ）のそれぞれに負極性（−）の壁電荷が蓄積
され、アドレス電極（Ｘ）の上に正極性（＋）の壁電荷
が蓄積される。
【０１３７】上昇ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｕｐ）に引き
続いて、ほぼサステイン電圧（Ｖｓ）から降下する降下
ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｄｎ）がスキャン電極（Ｙ）と
サステイン電極（Ｚ）に印加されると同時にデータ電圧
（Ｖｄ）と同一であるか、あるいは異なる正極性の直流
バイアス電圧（Ｖｘｂ１）がアドレス電極（Ｚ）に印加
される。スキャン電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）に
供給される降下ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｄｎ）によりス
キャン電極（Ｙ）とアドレス電極（Ｘ）の間、そしてサ
ステイン電極（Ｚ）とアドレス電極（Ｘ）の間に暗放電
が発生する。この放電の結果で、アドレス放電に不必要
な過度壁電荷が各電極（Ｘ、Ｙ、Ｚ）の上で消去され
る。
【０１３８】降下ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｄｎ）がスキ
ャン電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）に供給されてい
る間、アドレス電極（Ｘ）に正極性の直流バイアス電圧
（Ｖｘｂ１）が印加されるので、消去放電の時スキャン
電極（Ｙ）とアドレス電極（Ｘ）の間の電圧差とサステ
イン電極（Ｚ）とアドレス電極（Ｚ）の間の電圧差がよ
り大きくなる。このために降下ランプ波形（Ｒａｍｐ−
ｄｎ）の終了電圧（−Ｖｙｒ、−Ｖｚｒ）はさらに高く
なることができる。すなわち、降下ランプ波形（Ｒａｍ
ｐ−ｄｎ）の終了電圧の絶対値はさらに低くなる。
【０１３９】一方、サステイン放電がより起きやすくな
るように、サステイン電極（Ｚ）に供給される降下ラン
プ波形（Ｒａｍｐ−ｄｎ）は、そのランプの傾斜度、開
始電圧、終了電圧がスキャン電極（Ｚ）に供給される降
下ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｄｎ）と異なることある。
【０１４０】図３６は本発明の第２４実施形態に係るＰ
ＤＰの駆動波形を説明するための波形図である。図３６
を参照すると、本実施形態に係るＰＤＰの駆動方法は、
それぞれのサブフィールドでスキャン電極（Ｙ）とサス
テイン電極（Ｚ）に上昇ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｕｐ）
を供給した後、上昇ランプ波形の開始電圧と異なる電圧
から降下する降下ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｄｎ）をスキ
ャン電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）に供給して全画
面のセルを初期化させて、サステイン期間とポスト消去
期間の間、正極性の直流バイアス電圧（Ｖｘｂ２）をア
ドレス電極（Ｘ）に供給する。
【０１４１】初期化期間（リセット期間）において、ほ
ぼサステイン電圧（Ｖｓ）からセットアップ電圧（Ｖse
tup）まで所定の傾斜で上昇する上昇ランプ波形（Ｒａ
ｍｐ−ｕｐ）がすべてのスキャン電極（Ｙ）とサステイ
ン電極（Ｚ）に同時に印加される。これと同時に、アド
レス電極（Ｘ）には０Ｖや基底電圧（ＧＮＤ）が印加さ
れる。このようにスキャン電極（Ｙ）とサステイン電極
（Ｚ）に同時に印加される上昇ランプ波形（Ｒａｍｐ−
ｕｐ）により全画面のセル内で光がほとんど発生しない
暗放電が起きて、その結果スキャン電極（Ｙ）とサステ
イン電極（Ｚ）のそれぞれに負極性（−）の壁電荷が蓄
積され、アドレス電極（Ｘ）の上に正極性（＋）の壁電
荷が蓄積される。
【０１４２】上昇ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｕｐ）に引き
続いて、ほぼサステイン電圧（Ｖｓ）から降下する降下
ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｄｎ）がスキャン電極（Ｙ）と
サステイン電極（Ｚ）に同時に印加される。この時アド
レス電極（Ｘ）は０Ｖや基底電圧（ＧＮＤ）を維持す
る。この降下ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｄｎ）によりスキ
ャン電極（Ｙ）とアドレス電極（Ｘ）の間、そしてサス
テイン電極（Ｚ）とアドレス電極（Ｘ）の間に暗放電が
発生する。この放電の結果で、アドレス放電に不必要な
過度壁電荷が消去される。そして全セル内には均一な壁
電荷が残留する。
【０１４３】アドレス期間は先の実施形態と実質的に同
一なので詳細な説明を省略する。アドレス放電により選
択されたセル内にはスキャン電極（Ｙ）と対向するアド
レス電極（Ｘ）の上に負極性の壁電荷が蓄積される。
【０１４４】サステイン期間には先にスキャン電極
（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）にパルス幅が広いサステ
インパルス（ｓｕｓ）が印加された後に、サステイン電
極（Ｚ）とスキャン電極（Ｘ）とに交互にパルス幅が小
さな正常なサステインパルス（ｓｕｓ）が供給される。
そしてパルス幅が広い最後のサステインパルス（ｓｕ
ｓ）がスキャン電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）に供
給される。このようなサステイン期間の間アドレス電極
（Ｘ）には正極性の直流バイアス電圧（Ｖｘｂ２）が供
給される。この直流バイアス電圧（Ｖｘｂ２）はサステ
インパルス（ｓｕｓ）が供給されるスキャン電極（Ｙ）
とサステイン電極（Ｚ）に対するアドレス電極（Ｘ）の
電圧差を減少させることで、サステイン放電をスキャン
電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）の間で起こさせる。
アドレス放電により選択されたオンセルはセル内の壁電
圧にサステインパルス（ｓｕｓ）が加わってサスティン
パルス（ｓｕｓ）が印加される度にスキャン電極（Ｙ）
とサステイン電極（Ｚ）の間にサステイン放電が発生す
る。
【０１４５】ポスト消去期間にはサステイン放電により
生成された壁電荷を消去させるための上昇傾斜のポスト
消去信号（Ｐｏｓｔ−ｅｒｓ）がスキャン電極（Ｙ）と
サステイン電極（Ｚ）に相互に供給される。この消去期
間の間、アドレス電極（Ｘ）の上の電圧は正極性の直流
バイアス電圧（Ｖｘｂ２）を維持する。このポスト消去
信号（Ｐｏｓｔ−ｅｒｓ）により各電極（Ｘ、Ｙ、Ｚ）
の間に消去放電が起きる。
【０１４６】一方、上昇ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｕｐ）
がスキャン電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）に供給さ
れて発生するセットアップ放電の時、アドレス電極
（Ｘ）の上に正極性の壁電荷がより多く蓄積されている
と、アドレス電極（Ｘ）とスキャン電極（Ｙ）の間の電
圧差、そしてアドレス電極（Ｘ）とサステイン電極
（Ｚ）の間の電圧差がそれだけ小くなる。このために上
昇ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｕｐ）が発生する時アドレス
電極（Ｘ）の上に正極性の壁電荷がたくさん蓄積されて
いるとセットアップ放電が発生しにくい。この実施形態
はポスト消去期間の間、アドレス電極（Ｘ）の上の電圧
を高めることでアドレス電極（Ｘ）とスキャン電極
（Ｙ）の間の電圧差とアドレス電極（Ｘ）とサステイン
電極（Ｙ）の電圧差をアドレス電極（Ｘ）の上の電圧が
０Ｖや基底電圧（ＧＮＤ）の場合に比べてより大きくす
る。その結果、ポスト消去放電が比較的大きく起き、ア
ドレス電極（Ｘ）上の壁電荷、特に、正極性の壁電荷が
初期化期間の前にさらに消去されるので初期化が安定的
に成り立つ。
【０１４７】サステイン放電を起きやすくするように、
サステイン電極（Ｚ）に供給される降下ランプ波形（Ｒ
ａｍｐ−ｄｎ）はそのランプの傾斜度、開始電圧、終了
電圧がスキャン電極（Ｚ）に供給される降下ランプ波形
（Ｒａｍｐ−ｄｎ）と異なることもある。
【０１４８】図３７は本発明の第２５実施形態に係るＰ
ＤＰの駆動波形を説明するための波形図である。図３７
を参照すると、本実施形態に係るＰＤＰの駆動方法はそ
れぞれのサブフィールドでスキャン電極（Ｙ）とサステ
イン電極（Ｚ）に上昇ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｕｐ）を
供給した後、上昇ランプ波形の開始電圧と異なる電圧か
ら降下する降下ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｄｎ）をスキャ
ン電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）に供給して全画面
のセルを初期化させて、ポスト消去期間の間に正極性の
直流バイアス電圧（Ｖｘｂ３）をアドレス電極（Ｘ）に
供給する。
【０１４９】初期化期間、アドレス期間及びポスト消去
期間は図３６に図示された波形と実質的に同一なのでこ
れに対する詳細な説明を省略する。この実施形態でサス
テイン期間の間アドレス電極（Ｘ）には０Ｖや基底電圧
（ＧＮＤ）を維持する。この実施形態は第２４実施形態
と同じくポスト消去期間の間、アドレス電極（Ｘ）の上
の電圧を高めることで初期化期間のセットアップ放電を
安定化させる。
【０１５０】本発明の実施形態で開示された駆動波形
は、１フレーム期間に含まれたサブフィールドの全てに
適用してもよく、また、一部のサブフィールドにだけ限
定的に適用してもよい。また、本発明で開示された実施
形態の駆動波形はアドレス期間にオフセルを選択する選
択的消去方式のサブフィールドやアドレス期間にオンセ
ルを選択する選択的書き込み方式のサブフィールドに適
用することができる。
【０１５１】また、ポスト消去信号（Ｐｏｓｔ−ｅｒ
ｓ）を実施形態のようにスキャン電極（Ｙ）とサステイ
ン電極（Ｚ）に供給することもできるが、スキャン電極
（Ｙ）にだけ供給してもポスト期間の消去放電と初期化
期間のセットアップ放電が安定する。また、実施形態で
はサステイン放電をさらに安定化させるためにサステイ
ン電極（Ｚ）に印加される降下ランプ波形のランプの傾
斜度、開始電圧、終了電圧などをスキャン電極（Ｙ）と
異なるように設定する例を中心に説明されたが、これと
類似の效果を得るためにサステイン電極（Ｚ）に印加さ
れる上昇ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｕｐ）のランプの傾斜
度、開始電圧、上限電圧などをスキャン電極（Ｙ）と異
なるように設定することもできる。
【０１５２】本願出願人はアメリカ合衆国特許出願第０
９／８０３，９９３号を通して図３８のように１フレー
ム期間の間に選択的書き込みサブフィールドと選択的消
去サブフィールドを一緒に配置してＰＤＰのコントラス
ト特性と輝度を高くした上で、高速駆動ができるように
するＳＷＳＥ方式（Ｓｅｌｅｃｉｔｉｖｅ ｗｒｉｔｉ
ｎｇ ａｎｄ ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ ｅｒａｓｕｒｅ）
を提案した事がある。このＳＷＳＥ方式は図３８で分か
るように１フレームの間に選択的書き込みサブフィール
ド（ＷＳＦ）と選択的消去サブフィールド（ＥＳＦ）を
配置する。
【０１５３】選択的書き込みサブフィールド（ＷＳＦ）
は、ｍ（ただし、ｍは０より大きい定数）個のサブフィ
ールド（ＳＦ１〜ＳＦｍ）を含む。ｍ番目のサブフィー
ルド（ＳＦｍ）を除いた第１〜第ｍ−１サブフィールド
（ＳＦ１〜ＳＦｍ−１）のそれぞれは全画面のセルに一
定な量の壁電荷を均一に形成するためのリセット期間、
書き込み放電を利用してオンセル（ｏｎ−ｃｅｌｌｓ）
を選択する選択的書き込みアドレス期間（以下、“書き
込みアドレス期間”という）、選択されたオンセルに対
してサステイン放電を起こさせるサステイン期間及びサ
ステイン放電後、セル内の壁電荷を消去させるためのポ
スト消去期間に分けられる。選択的書き込みサブフィー
ルド（ＷＳＦ）の最後のサブフィールドである第ｍサブ
フィールド（ＳＦｍ）はリセット期間、書き込みアドレ
ス期間及びサステイン期間に分けられる。選択的書き込
みサブフィールド（ＷＳＦ）のリセット期間、書き込み
アドレス期間及び消去期間は各サブフィールド（ＳＦ１
〜ＳＦｍ）ごとに同じであるのに対して、サステイン期
間はあらかじめ設定した輝度加重値が同一か異なるよう
に設定される。ここで、選択的書き込みサブフィールド
（ＷＳＦ）に配置されたリセット期間は省略してもよ
い。
【０１５４】一方、選択的書き込みサブフィールド（Ｗ
ＳＦ）の最初のサブフィールド（ＳＦ１）の前には以前
のフレームで蓄積されたセル内の壁電荷をすべて消去す
るために、スキャン電極ライン（Ｙ）とサステイン電極
ライン（Ｚ）の少なくとも一方に消去信号を供給するた
めの別の消去期間を設けてもよい。
【０１５５】選択的消去サブフィールド（ＥＳＦ）は、
ｎ−ｍ（ただし、ｎはｍより大きい定数）個のサブフィ
ールド（ＳＦｍ＋１〜ＳＦｎ）を含む。第ｍ＋１〜第ｎ
−１サブフィールド（ＳＦｍ＋１〜ＳＦｎ−１）のそれ
ぞれは消去放電を利用してオフセル（ｏｆｆ−ｃｅｌ
ｌ）を選択するための選択的消去アドレス期間（以下、
“消去アドレス期間”という）及びオンセルに対してサ
ステイン放電を起こすためのサステイン期間に分けられ
る。選択的消去サブフィールド（ＥＳＦ）の最後のサブ
フィールドである第ｎサブフィールド（ＳＦｎ）は消去
アドレス期間とサステイン期間以外にサステイン期間に
つながるように最終段に配置されるポスト消去期間をさ
らに含む。選択的消去サブフィールド（ＥＳＦ）のサブ
フィールド（ＳＦｍ＋１〜ＳＦｎ）における消去アドレ
ス期間は同一に設定され、サステイン期間は輝度比によ
り同一に設定したり異なるように設定される。
【０１５６】選択的消去サブフィールド（ＥＳＦ）の最
後のサブフィールドである第ｎサブフィールド（ＳＦ
ｎ）は選択的書き込みサブフィールド（ＷＳＦ）の第１
〜第ｍ−１サブフィールド（ＳＦ１〜ＳＦｍ−１）と同
様に、ポスト消去期間が終わりに配置されて選択的書き
込みサブフィールド（ＷＳＦ）の最後のサブフィールド
である第ｍサブフィールド（ＳＦｍ）には選択的消去サ
ブフィールド（ＷＳＦ）の第ｍ＋１〜第ｎ−１サブフィ
ールド（ＳＦｍ＋１〜ＳＦｎ−１）と同一にポスト消去
期間がない。
【０１５７】このようなＳＷＳＥ方式はフレームの前の
方に配置された第１〜第５サブフィールド（ＳＦ１〜Ｓ
Ｆ５）はバイナリコーディングでセルの輝度を決定して
グレイスケール値を表現する。本発明の実施形態に開示
された駆動波形をＳＷＳＥ方式で選択的書き込みサブフ
ィールドに適用することができる。図３９は図５、図
６、図１１〜図２２に図示された駆動波形がＳＷＳＥ方
式の選択的書き込みサブフィールド（ＷＳＦ）に適用さ
れた場合である。
【０１５８】図４０は図２３、図２６、図２７、図２９
〜図３７に図示された駆動波形がＳＷＳＥ方式の選択的
書き込みサブフィールド（ＷＳＦ）に適用された場合を
示している。
【０１５９】図３９及び図４０を参照すると、選択的書
き込みサブフィールド（ＷＳＦ）の初期化期間の間に上
昇ランプ波形だけが、または上昇ランプ波形と降下ラン
プ波形がスキャン電極（Ｙ）とサステイン電極に同時に
供給される。選択的書き込みサブフィールド（ＷＳＦ）
の最後のサブフィールド（ＳＦｍ）にはポスト信号が印
加されない。図３９及び図４０において、‘ＳＷＤ’は
選択的書き込みサブフィールド（ＷＳＦ）からオンセル
（ｏｎ−ｃｅｌｌ）を選択するための書き込みデータで
あり、‘ＳＷＳＣＮ’は選択的書き込みサブフィールド
（ＷＳＦ）で書くデータが書き込みされる水平ラインを
選択するための書き込みスキャンパルスである。そして
‘ＳＥＤ’は選択的消去サブフィールド（ＥＳＦ）から
オフセル（ｏｆｆ−ｃｅｌｌ）を選択するための消去デ
ータであり、‘ＳＥＳＣＮ’は選択的消去サブフィール
ド（ＥＳＦ）で消去データが書き込みされる水平ライン
を選択するための消去スキャンパルスである。
【０１６０】
【発明の効果】上述したように、本発明に係るＰＤＰの
駆動方法及び装置は、初期化期間にスキャン電極（Ｙ）
とサステイン電極（Ｚ）の上に十分な量の壁電荷を蓄積
させることができるので低電圧駆動が可能であると同時
に、アドレス放電を開始する前にスキャン電極（Ｙ）と
サステイン電極（Ｚ）の間の電圧差を０Ｖに維持するこ
とができるので高温環境で発生する誤放電を防止するこ
とができる。
【０１６１】また、本発明に係るＰＤＰの駆動方法及び
装置はＨｉ−ＸｅＰＤＰに適用された場合に、效率を高
めることだけではなくアドレス動作とサステイン動作を
安定化させることができるのでＨｉ−ＸｅＰＤＰに效果
的に適用することができる。
【０１６２】さらに、本発明に係るＰＤＰの駆動方法及
び装置はアドレス期間とサステイン期間の間にプレ消去
期間を設定してそのプレ消去期間内でスキャン電極
（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）に同時にプレ消去信号を
加えることで初期化期間の後に残留するオフセル内の壁
電荷を消去させることができ、オフセルを安定的に動作
させることができる。
【０１６３】さらに、本発明に係るＰＤＰの駆動方法及
び装置はスキャン電極とサステイン電極に上昇ランプ波
形と降下ランプ波形を供給することで赤色、緑色及び青
色のセル別に差がでる放電開始電圧にほとんど影響を受
けずに広い駆動マージンで安定するようにＰＤＰを動作
させることができる。
【０１６４】さらに、本発明によるＰＤＰの駆動方法及
び装置はサステイン電極に印加される初期化波形をスキ
ャン電極に印加される初期化波形と異なるように設定す
ることでサステイン電極の上に多くの壁電荷をサステイ
ン放電が開始される前まで残留させることでサステイン
放電をさらに安定化させることができる。
【０１６５】以上説明した内容を通して当業者であれば
本発明の技術思想を逸脱しない範囲で多様な変更及び修
正が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】 従来の３電極交流面放電型プラズマディスプ
レイパネルの電極配置を概略的に示す平面図である。
【図２】 ２５６グレイスケールを実現するための８ビ
ートデフォルトコードのフレーム構成を示す図である。
【図３】 従来のＰＤＰを駆動するための駆動波形を示
す波形図である。
【図４】 本発明の実施形態に係るプラズマディスプレ
イパネルの駆動装置を概略的に示すブロック図である。
【図５】 本発明の第１実施形態に係るＰＤＰの駆動方
法を説明するための波形図である。
【図６】 図５の波形にポスト消去信号が追加された波
形を示す波形図である。
【図７】 図６の波形図が適用される場合にオンセル内
での時間経過による壁電荷の分布の変化を示したもので
ある。
【図８Ａ】 初期化期間の間、壁電荷の分布の変化を詳
しく示すシミュレーションの結果である。
【図８Ｂ】 初期化期間の間、壁電荷の分布の変化を詳
しく示すシミュレーションの結果である。
【図８Ｃ】 初期化期間の間、壁電荷の分布の変化を詳
しく示すシミュレーションの結果である。
【図８Ｄ】 初期化期間の間、壁電荷の分布の変化を詳
しく示すシミュレーションの結果である。
【図９】 本発明の第１実施形態に係るプラズマディス
プレイパネルの駆動方法及び装置に対する效果を立証す
るためのシミュレーションで利用された駆動波形を示す
シミュレーション画面である。
【図１０】 図９の波形が印加される時、スキャン電極
とサステイン電極の間の電位差を示すシミュレーション
画面である。
【図１１】 本発明の第２実施形態に係るＰＤＰの駆動
方法に適用される波形を示す波形図である。
【図１２】 本発明の第３実施形態に係るＰＤＰの駆動
方法に適用される波形を示す波形図である。
【図１３】 本発明の第４実施形態に係るＰＤＰの駆動
方法に適用される波形を示す波形図である。
【図１４】 本発明の第５実施形態に係るＰＤＰの駆動
方法に適用される波形を示す波形図である。
【図１５】 本発明の第６実施形態に係るＰＤＰの駆動
方法に適用される波形を示す波形図である。
【図１６】 本発明の第７実施形態に係るＰＤＰの駆動
方法に適用される波形を示す波形図である。
【図１７】 本発明の第８実施形態に係るＰＤＰの駆動
方法に適用される波形を示す波形図である。
【図１８】 本発明の第９実施形態に係るＰＤＰの駆動
方法に適用される波形を示す波形図である。
【図１９】 本発明の第１０実施形態に係るＰＤＰの駆
動方法に適用される波形を示す波形図である。
【図２０】 本発明の第１１実施形態に係るＰＤＰの駆
動方法に適用される波形を示す波形図である。
【図２１】 本発明の第１２実施形態に係るＰＤＰの駆
動方法に適用される波形を示す波形図である。
【図２２】 本発明の第１３実施形態に係るＰＤＰの駆
動方法に適用される波形を示す波形図である。
【図２３】 本発明の第１４実施形態に係るＰＤＰの駆
動方法を説明するための波形図である。
【図２４】 図２３の波形図が適用される場合、オンセ
ル内での時間経過による壁電荷分布の変化を示したもの
である。
【図２５Ａ】〜
【図２５Ｐ】 図２３の駆動波形がセルに印加される
時、そのセルの壁電荷分布の変化を詳しく示すシミュレ
ーション結果である。
【図２６】 本発明の第１５実施形態に係るＰＤＰの駆
動方法を説明するための波形図である。
【図２７】 本発明の第１６実施形態に係るＰＤＰの駆
動方法に適用される波形を示す波形図である。
【図２８】 図２７に図示された波形が印加される時の
電圧と電流特性をシミュレーションした結果である。
【図２９】 本発明の第１７実施形態に係るＰＤＰの駆
動方法に適用される波形を示す波形図である。
【図３０】 本発明の第１８実施形態に係るＰＤＰの駆
動方法に適用される波形を示す波形図である。
【図３１】 本発明の第１９実施形態に係るＰＤＰの駆
動方法を説明するための波形図である。
【図３２】 本発明の第２０実施形態に係るＰＤＰの駆
動方法に適用される波形を示す波形図である。
【図３３】 本発明の第２１実施形態に係るＰＤＰの駆
動方法に適用される波形を示す波形図である。
【図３４】 本発明の第２２実施形態に係るＰＤＰの駆
動方法に適用される波形を示す波形図である。
【図３５】 本発明の第２３実施形態に係るＰＤＰの駆
動方法を説明するための波形図である。
【図３６】 本発明の第２４実施形態に係るＰＤＰの駆
動方法に適用される波形を示す波形図である。
【図３７】 本発明の第２５実施形態に係るＰＤＰの駆
動方法を説明するための波形図である。
【図３８】 ＳＷＳＥ方式のフレーム構成を示す図でで
ある。
【図３９】 本発明の実施形態などに係るＰＤＰの駆動
波形がＳＷＳＥ方式に適用された一つの例を示す波形面
である。
【図４０】 本発明の実施形態などに係るＰＤＰの駆動
波形がＳＷＳＥ方式に適用された一つの例を示す波形面
である。
【符号の説明】
４１ ： タイミングコントローラ ４２ ： データ駆動部 ４３ ： スキャン駆動部 ４４ ： サステイン駆動部 ４５ ： 駆動電圧発生部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 ２００３−２０８６５ (32)優先日 平成15年４月２日(2003．4．2) (33)優先権主張国 韓国（ＫＲ） (72)発明者 パク，ウン・チュル 大韓民国・キョンサンブク−ド・クミ− シ・ビサン−ドン・（番地なし）・ギャン ビュン ボスン アパートメント・103− 1501 (72)発明者 カン，ボン・クー 大韓民国・キョンサンブク−ド・ポハン− シ・ナム−ク・ジコック−ドン・756・キ ョス アパートメント・ナンバー ４− 201 (72)発明者 ハン，ジュン・グワァン 大韓民国・キョンサンブク−ド・クミ− シ・グポ−ドン・（番地なし）・スンウォ ン アパートメント・ナンバー 108− 1201 Ｆターム(参考） 5C080 AA05 BB05 DD09 DD26 EE29 FF12 HH04 HH05 HH06 HH07 JJ02 JJ04 JJ05

Claims (44)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第１と第２電極からなる電極対を多数上
    板に形成し、その電極対と交差する第３電極を下板に形
    成し、それらの電極の交差部にセルをマトリックスの形
    態に配置したプラズマディスプレイパネルを駆動する方
    法であって、電圧が上昇する少なくとも一つの上昇期間
    と電圧が維持される少なくとも一つの維持期間を含む初
    期化信号を前記第１と第２電極に供給してセルを初期化
    させる第１段階と、前記第１と第２電極のいずれかにス
    キャン信号を供給すると共に前記第３電極にデータを供
    給して前記セルを選択する第２段階と、前記第１と第２
    電極に交互にサステイン信号を供給して前記選択された
    セルに対して表示を行う第３段階を含むことを特徴とす
    るプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
  2. 【請求項２】 第１と第２電極からなる電極対を多数上
    板に形成し、その電極対と交差する第３電極を下板に形
    成し、それらの電極の交差部にセルをマトリックスの形
    態に配置したプラズマディスプレイパネルを駆動する方
    法であって、前記セルの中からオンセルを選択する第１
    段階と、前記第１と第２電極にプレ消去信号を供給して
    前記オンセル以外のオフセル内に残留する電荷を消去さ
    せる第２段階と、前記第１と第２電極に交互にサステイ
    ン信号を供給して画像を表示する第３段階を含むことを
    特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
  3. 【請求項３】 第１と第２電極からなる電極対を多数上
    板に形成し、その電極対と交差する第３電極を下板に形
    成し、それらの電極の交差部にセルをマトリックスの形
    態に配置したプラズマディスプレイパネルを駆動する方
    法であって、電荷を前記第１と第２電極上に対称的に形
    成させる第１段階と、前記第１と第２電極上に対称的に
    形成された電荷を利用して前記セルを選択する第２段階
    と、前記第１と第２電極に交互にサステイン信号を供給
    して画像を表示する第３段階を含むことを特徴とするプ
    ラズマディスプレイパネルの駆動方法。
  4. 【請求項４】 第１と第２電極からなる電極対を多数上
    板に形成し、その電極対と交差する第３電極を下板に形
    成し、それらの電極の交差部にセルをマトリックスの形
    態に配置したプラズマディスプレイパネルを駆動する方
    法であって、電圧が上昇する第１初期化信号を前記第１
    と第２電極に供給し、電圧が降下する第２初期化信号を
    前記第１と第２電極の少なくとも一つに供給してセルを
    初期化させる第１段階と、前記第１と第２電極のいずれ
    かにスキャン信号を供給すると共に前記第３電極にデー
    タを供給して前記セルを選択する第２段階と、前記第１
    と第２電極に交互にサステイン信号を供給して画像を表
    示する第３段階を含むことを特徴とするプラズマディス
    プレイパネルの駆動方法。
  5. 【請求項５】 第４項において、前記セル内の電荷を消
    去する第４段階をさらに含むことを特徴とするプラズマ
    ディスプイパネルの駆動方法。
  6. 【請求項６】 第５項において、前記サステイン信号の
    中で最後のサステイン信号は前記第１と第２電極の中で
    スキャン信号が印加されない電極に供給されることを特
    徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
  7. 【請求項７】 第５項において、前記第４段階は、前記
    第２段階と前記第３段階の間に前記第１と第２電極のい
    ずれかにプレ消去信号を供給して前記第２段階で選択さ
    れたセル以外のオフセル内に残留する電荷を消去させる
    ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方
    法。
  8. 【請求項８】 第５項において、前記第４段階は、前記
    第３段階に引き続いて前記セル内の電荷を消去させるた
    めのポスト消去信号を第１と第２電極の少なくとも一つ
    に供給することを特徴とするプラズマディスプレイパネ
    ルの駆動方法。
  9. 【請求項９】 第４項において、前記第１及び第２初期
    化信号の少なくとも一つは上昇傾斜で電圧レベルが上昇
    するランプ波形であることを特徴とするプラズマディス
    プレイパネルの駆動方法。
  10. 【請求項１０】 第４項において、前記第１及び第２初
    期化信号の少なくとも一つは曲線形態の波形であること
    を特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
  11. 【請求項１１】 第４項において、前記第１及び第２初
    期化信号の少なくとも一つはサイン波であることを特徴
    とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
  12. 【請求項１２】 第４項において、前記第２初期化信号
    は前記第１初期化信号に引き続いて前記第１と第２電極
    に供給されることを特徴とするプラズマディスプレイパ
    ネルの駆動方法。
  13. 【請求項１３】 第４項において、前記第１及び第２初
    期化信号は開始電圧がそれぞれ異なることを特徴とする
    プラズマディスプレイパネルの駆動方法。
  14. 【請求項１４】 第４項において、前記第２電極に供給
    される前記第２初期化信号はランプの傾斜度、開始電圧
    及び終了電圧の少なくとも一つが前記第１電極に供給さ
    れる前記第２初期化信号と異なることを特徴とするプラ
    ズマディスプレイパネルの駆動方法。
  15. 【請求項１５】 第４項において、前記第２電極に供給
    される前記第２初期化信号のランプの傾斜度は前記第１
    電極に供給される前記第２初期化信号より低いことを特
    徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
  16. 【請求項１６】 第４項において、前記第２電極に供給
    される前記第２初期化信号の開始電圧は前記第１電極に
    供給される前記第２初期化信号より高いことを特徴とす
    るプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
  17. 【請求項１７】 第４項において、前記第２電極に供給
    される前記第２初期化信号の終了電圧は前記第１電極に
    供給される前記第２初期化信号より高いことを特徴とす
    るプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
  18. 【請求項１８】 第４項において、前記第２電極に供給
    される前記第１初期化信号はランプの傾斜度、開始電圧
    及び終了電圧の少なくとも一つが前記第１電極に供給さ
    れる前記第１初期化信号と異なることを特徴とするプラ
    ズマディスプレイパネルの駆動方法。
  19. 【請求項１９】 第４項において、前記第２初期化信号
    は前記第１電極にだけ供給されることを特徴とするプラ
    ズマディスプレイパネルの駆動方法。
  20. 【請求項２０】 第４項において、前記第２初期化信号
    が前記第１と第２電極の少なくとも一つに供給されてい
    るときに前記第３電極に正極性の直流電圧が供給される
    ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方
    法。
  21. 【請求項２１】 第４項において、前記第１と第２電極
    に前記サステイン信号が供給されているときに前記第３
    電極に正極性の直流電圧を供給する第６段階をさらに含
    むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動
    方法。
  22. 【請求項２２】 第８項において、前記第１と第２電極
    の少なくとも一つに前記ポスト消去信号が供給されてい
    るときに前記第３電極に正極性の直流電圧が供給される
    ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方
    法。
  23. 【請求項２３】 第４項において、前記プラズマディス
    プレイパネルは１フレーム期間を、オンセルを選択する
    選択的書き込みサブフィールドとオフセルを選択する選
    択的消去サブフィールドに分けて時分割駆動されて、前
    記第１及び第２初期化信号は前記選択的書き込みサブフ
    ィールドに割当てされることを特徴とするプラズマディ
    スプレイパネルの駆動方法.
  24. 【請求項２４】 第１と第２電極からなる電極対を多数
    上板に形成し、その電極対と交差する第３電極を下板に
    形成し、それらの電極の交差部にセルをマトリックスの
    形態に配置したプラズマディスプレイパネルにおいて、
    電圧が上昇する少なくとも一つの上昇期間と電圧が維持
    される少なくとも一つの維持期間を含む初期化信号を前
    記第１電極に供給する第１駆動部と、前記初期化信号を
    前記第２電極に供給する第２駆動部と、前記第３電極に
    データを供給する第３駆動部を具備して、前記第１及び
    第２駆動部は、前記第１と第２電極に交互にサステイン
    信号を供給して前記選択されたセルに対して表示を行う
    ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動装
    置。
  25. 【請求項２５】 第１と第２電極からなる電極対を多数
    上板に形成し、その電極対と交差する第３電極を下板に
    形成し、それらの電極の交差部にセルが配置されるプラ
    ズマディスプレイパネルを駆動する装置において、前記
    セルの中からオンセルを選択する第１駆動部と、前記第
    １と第２電極にプレ消去信号を供給して前記オンセル以
    外のオフセル内に残留する電荷を消去させる第２駆動部
    と、前記第１と第２電極に交互にサステイン信号を供給
    して画像を表示する第３駆動部を具備することを特徴と
    するプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
  26. 【請求項２６】 第１と第２電極からなる電極対を多数
    上板に形成し、その電極対と交差する第３電極を下板に
    形成し、それらの電極の交差部にセルが配置されるプラ
    ズマディスプレイパネルにおいて、電圧が上昇する第１
    初期化信号を前記第１と第２電極に供給し、電圧が降下
    する第２初期化信号を前記第１と第２電極の少なくとも
    一つに供給してセルを初期化させる第１駆動部と、前記
    第１と第２電極のいずれかにスキャン信号を供給すると
    共に前記第３電極にデータを供給してセルを選択する第
    ２駆動部と、前記第１と第２電極に交互にサステイン信
    号を供給して画像を表示する第３駆動部を具備すること
    を特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
  27. 【請求項２７】 第２６項において、前記第３駆動部は
    前記サステイン信号の中で最後のサステイン信号を前記
    第１と第２電極の中でスキャン信号が印加されない電極
    に供給することを特徴とするプラズマディスプレイパネ
    ルの駆動装置。
  28. 【請求項２８】 第２６項において、前記第１と第２電
    極のいずれかにプレ消去信号を供給して前記選択された
    セル以外のオフセル内に残留する電荷を消去させる第４
    駆動部をさらに具備することを特徴とするプラズマディ
    スプレイパネルの駆動装置。
  29. 【請求項２９】 第２６項において、前記サステイン信
    号に引き続いて前記セル内の電荷を消去させるためのポ
    スト消去信号を第１と第２電極の少なくとも一つに供給
    するための第５駆動部をさらに具備することを特徴とす
    るプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
  30. 【請求項３０】 第２６項において、前記第１及び第２
    初期化信号の少なくとも一つは上昇傾斜で電圧レベルが
    上昇するランプ波形であることを特徴とするプラズマデ
    ィスプレイパネルの駆動装置。
  31. 【請求項３１】 第２６項において、前記第１及び第２
    初期化信号の少なくとも一つは曲線形態の波形であるこ
    とを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動装
    置。
  32. 【請求項３２】 第２６項において、前記第１及び第２
    初期化信号の少なくとも一つはサイン波であることを特
    徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
  33. 【請求項３３】 第２６項において、前記第２初期化信
    号は前記第１初期化信号に引き続いて、前記第１と第２
    電極に供給されることを特徴とするプラズマディスプレ
    イパネルの駆動装置。
  34. 【請求項３４】 第２６項において、前記第１及び第２
    初期化信号は開始電圧がそれぞれ異なることを特徴とす
    るプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
  35. 【請求項３５】 第２６項において、前記第２電極に供
    給される前記第２初期化信号はランプの傾斜度、開始電
    圧及び終了電圧の少なくとも一つが前記第１電極に供給
    される前記第２初期化信号と異なることを特徴とするプ
    ラズマディスプレイパネルの駆動装置。
  36. 【請求項３６】 第２６項において、前記第２電極に供
    給される前記第２初期化信号のランプの傾斜度は前記第
    １電極に供給される前記第２初期化信号より低いことを
    特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
  37. 【請求項３７】 第２６項において、前記第２電極に供
    給される前記第２初期化信号の開始電圧は前記第１電極
    に供給される前記第２初期化信号より高いことを特徴と
    するプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
  38. 【請求項３８】 第２６項において、前記第２電極に供
    給される前記第２初期化信号の終了電圧は前記第１電極
    に供給される前記第２初期化信号より高いことを特徴と
    するプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
  39. 【請求項３９】 第２６項において、前記第２電極に供
    給される前記第１初期化信号はランプの傾斜度、開始電
    圧及び終了電圧の少なくとも一つが前記第１電極に供給
    される前記第１初期化信号と異なることを特徴とするプ
    ラズマディスプレイパネルの駆動装置。
  40. 【請求項４０】 第２６項において、前記第２初期化信
    号は前記第１電極にだけ供給されることを特徴とするプ
    ラズマディスプレイパネルの駆動装置。
  41. 【請求項４１】 第２６項において、前記第２初期化信
    号が前記第１と第２電極の少なくとも一つに供給されて
    いるときに前記第３電極に正極性の直流電圧を供給する
    ための第６駆動部をさらに具備することを特徴とするプ
    ラズマディスプレイパネルの駆動装置。
  42. 【請求項４２】 第２６項において、前記第１と第２電
    極に前記サステインパルスが供給されているときに前記
    第３電極に正極性の直流電圧を供給する第７駆動部をさ
    らに具備することを特徴とするプラズマディスプレイパ
    ネルの駆動装置。
  43. 【請求項４３】 第２９項において、前記第１と第２電
    極の少なくとも一つに前記ポスト消去信号が供給されて
    いるときに前記第３電極に正極性の直流電圧を供給する
    第８駆動部をさらに具備することを特徴とするプラズマ
    ディスプレイパネルの駆動装置。
  44. 【請求項４４】 第２６項において、前記プラズマディ
    スプレイパネルは１フレーム期間を、オンセルを選択す
    る選択的書き込みサブフィールドとオフセルを選択する
    選択的消去サブフィールドに分けて時分割駆動されて、
    前記第１及び第２初期化信号は前記選択的書き込みサブ
    フィールドに割り当てられることを特徴とするプラズマ
    ディスプレイパネルの駆動装置。
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