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JP2003316456A - Current mirror circuit - Google Patents

Current mirror circuit

Info

Publication number
JP2003316456A
JP2003316456A JP2002125651A JP2002125651A JP2003316456A JP 2003316456 A JP2003316456 A JP 2003316456A JP 2002125651 A JP2002125651 A JP 2002125651A JP 2002125651 A JP2002125651 A JP 2002125651A JP 2003316456 A JP2003316456 A JP 2003316456A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
potential point
base
reference potential
current
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002125651A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tetsuji Toyooka
徹至 豊岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2002125651A priority Critical patent/JP2003316456A/en
Publication of JP2003316456A publication Critical patent/JP2003316456A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Control Of Electrical Variables (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ばらつきが少なく出力電圧範囲の広い電流出
力が得られるカレントミラー回路を提供する。 【解決手段】 エミッタが第1の抵抗R1を通じて第1
の基準電位点V1に接続された第1のトランジスタQ1
のベースと、コレクタが第2の基準電位点V2に接続さ
れた第2のトランジスタQ2のエミッタと、エミッタが
第3の抵抗R3を通じて第1の基準電位点V1に接続さ
れた第3のトランジスタQ3のベースとを共通接続する
と共に、第1のトランジスタQ1のコレクタと、第2の
トランジスタQ2のベースと、一端が第2の基準電位点
V2に接続された基準入力電流源I1の他端とを共通接
続し、さらに、エミッタが第1の基準電位点V1に接続
された第4のトランジスタQ4のベースと、一端が第3
のトランジスタQ3のベースに接続された第2の抵抗R
2の他端と、第3のトランジスタQ3のコレクタとを共
通接続してなり、第4のトランジスタQ4のコレクタか
ら定電流を取り出すようにしたものである。
(57) [Problem] To provide a current mirror circuit capable of obtaining a current output with a small variation and a wide output voltage range. An emitter is connected to a first resistor through a first resistor.
Transistor Q1 connected to reference potential point V1 of
, The emitter of the second transistor Q2 having the collector connected to the second reference potential point V2, and the third transistor Q3 having the emitter connected to the first reference potential point V1 through the third resistor R3. And the base of the first transistor Q1, the base of the second transistor Q2, and the other end of the reference input current source I1 whose one end is connected to the second reference potential point V2. The base of the fourth transistor Q4, which is connected in common and whose emitter is connected to the first reference potential point V1, and one end of which is connected to the third transistor Q4.
Resistance R connected to the base of transistor Q3
The other end of the second transistor Q2 and the collector of the third transistor Q3 are connected in common, and a constant current is taken out from the collector of the fourth transistor Q4.

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明はカレントミラー回
路、特に、相対精度良く定電流出力電圧範囲を広く設定
できるカレントミラー回路に関するものである。 【0002】 【従来の技術】以下、電流相対精度の向上を図った従来
のカレントミラー回路について図面を参照しながら説明
する。図2は従来のカレントミラー回路の一例を示す回
路図である。 【0003】図2において、Q1,Q2,Q4,Q5は
トランジスタ、R1,R4は抵抗、I1は基準入力電流
源、Voは定電流出力端子である。 【0004】この回路に示されるように、トランジスタ
Q1,Q2,Q5のようにカレントミラー接続とされて
いるトランジスタQ1,Q5のエミッタに相対精度の高
い抵抗R1,R4を接続し、抵抗の両端電圧を0.2V
程度に設定することにより、トランジスタのベース、エ
ミッタ間電圧相対誤差(ΔVBE)による電流誤差の影
響を低減させることが慣用されているが、近年特にビデ
オムービー、デジタルスチルカメラ等のポータブル機器
の低電源電圧化に伴い、カレントミラー回路の一部の出
力電圧範囲を広く設定するため従来のカレントミラー回
路のべース端に抵抗R2の一端を接続し他端をトランジ
スタQ4のベースに接続して、エミッタを接地する回路
も良く知られている。 【0005】次に図2に示すカレントミラー回路の動作
について詳細に説明する。 【0006】まず、トランジスタQ1のコレクタに基準
電流源I1より基準電流を入力することにより、トラン
ジスタQ5のコレクタより精度良い電流出力I5及びト
ランジスタQ4のコレクタより出力電圧範囲が広い電流
出力Ioが得られる。ここで例えば電流出力Ioとトラ
ンジスタQ5のコレクタ電流I5とを等しくするには、
抵抗R2の両端での電圧差V2と抵抗R4の両端での電
圧差V4とが等しくなれば良いので、これを式で表すと
(数1),(数2),(数3)に示すようになる。 【0007】 【数1】(1+hfe5)/hfe5×I5×R4=I
o/hfe4×R2 【0008】 【数2】I5/Io=1/hfe4×hfe5/(1+
hfe5)×R2/R4 ここでI5/Io=1となるには、hfe5/(1+h
fe5)≒1とすると(数3)の条件が必要となる。 【0009】 【数3】R2=hfe4×R4 【0010】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成、すなわち、一つの基準電流より精度良い電流
出力と出力電圧範囲が広い電流出力を同時に実現するカ
レントミラー回路において出力電圧範囲が広い電流出力
を得ようとすると(数3)から明らかなように抵抗R2
を抵抗R4に比べて極端に大きくする必要があると共
に、hfe4の製造時の絶対ばらつきが直接電流比のば
らつきになり0.5〜2倍と大きなばらつきが発生する
という問題点があった。 【0011】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
であり、ばらつきが少なく出力電圧範囲の広い電流出力
が得られるカレントミラー回路を提供することを目的と
する。 【0012】 【課題を解決するための手段】本発明のカレントミラー
回路は、エミッタが第1の抵抗を通じて第1の基準電位
点に接続された第1のトランジスタのベースと、コレク
タが第2の基準電位点に接続された第2のトランジスタ
のエミッタと、エミッタが第3の抵抗を通じて前記第1
の基準電位点に接続された第3のトランジスタのベース
とを共通接続すると共に、前記第1のトランジスタのコ
レクタと、前記第2のトランジスタのベースと、一端が
前記第2の基準電位点に接続された基準入力電流源の他
端とを共通接続し、さらに、エミッタが前記第1の基準
電位点に接続された第4のトランジスタのベースと、一
端が前記第3のトランジスタのベースに接続された第2
の抵抗の他端と、前記第3のトランジスタのコレクタと
を共通接続してなり、前記第4のトランジスタのコレク
タから定電流を取り出すようにしたものである。 【0013】この発明によれば、ばらつきが少なく出力
電圧範囲の広い電流出力が得られるカレントミラー回路
が得られる。 【0014】 【発明の実施の形態】以下本発明の一実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。なお、前記従来のも
のと同一の部分については同一符号を用いるものとす
る。図1は本発明のカレントミラー回路の一実施の形態
における構成を示す回路図である。 【0015】図1に示すカレントミラー回路は、エミッ
タが第1の抵抗R1を通じて第1の基準電位点V1に接
続された第1のトランジスタQ1のベースと、コレクタ
が第2の基準電位点V2に接続された第2のトランジス
タQ2のエミッタと、エミッタが第3の抵抗R3を通じ
て基準電位点V1に接続された第3のトランジスタQ3
のベースとが共通接続され、また、トランジスタQ1の
コレクタとトランジスタQ2のベースと、一端が基準電
位点V2に接続された基準入力電流源I1の他端とが共
通接続され、さらに、エミッタが基準電位点V1に接続
された第4のトランジスタQ4のベースと、一端がトラ
ンジスタQ3のベースに接続された第2の抵抗R2の他
端と、トランジスタQ3のコレクタとが共通接続され
て、トランジスタQ4のコレクタから定電流を電流出力
Ioとして取り出すように構成されている。なお、トラ
ンジスタの種類としては図示のNPNトランジスタに限
られる訳ではなく、PNPトランジスタでも、MOSト
ランジスタでも実現可能である。以上のように構成され
たカレントミラー回路について以下その動作を説明す
る。 【0016】電流出力IoとトランジスタQ3のコレク
タ電流I3とを等しくするには、抵抗R2の両端での電
圧差V2と抵抗R3の両端での電圧差V3とが等しくな
れば良いので、これを式で表すと(数4),(数5),
(数6)に示すようになる。 【0017】 【数4】V2=(I3+Io/hfe4)×R2 【0018】 【数5】 V3=(1+hfe3)/hfe3×I3×R3 これらの(数4),(数5)より、 【0019】 【数6】 (I3+Io/hfe4)×R2=(1+hfe3)/hfe3×I3×R3 Io={(1+hfe3)/hfe3×R3/R2−1}hfe4×I3 ={(1+hfe3)/hfe4×hfe4/hfe3×R3/R2−1}h fe4×I3 ={(1/hfe3)×(R3/R2)+(hfe3/hfe4)×(hfe 4/hfe3)×(R3/R2)−1}×hfe4×I3 ={(1/hfe3)×(R3/R2)+(R3/R2)−1}×hfe4× I3 (数6)でhfe3≒hfe4=hfeとし、R3=R
2に設定すると 【0020】 【数7】Io=I3 となることより、I3とI1はカレントミラーが成り立
っているのでI3=I1より、IoとI1もカレントミ
ラーが成り立ちIo=I1となる。 【0021】また、(数6)で(R3/R2)の相対精
度を1%、(R3/R2)−1≒0、(hfe3/hf
e4)の相対精度を4%、とすると定電流の電流出力I
oは(数8)のようになる。 【0022】 【数8】Io/I3≒{(hfe4/hfe3)×(R
3/R2)} この(数8)から明らかなように、電流出力Ioのばら
つきは素子の相対ばらつきのみで決定され、(数9)の
ようになる。 【0023】 【数9】 Δ(Io/I3)=√{Δ(hfe4/hfe3)2×Δ(R3/R2)2} =√{(4%)2×(1%)2} ≒4.1% 以上のように本実施の形態によれば、電流出力のばらつ
きは素子のばらつきのみで決定されるので、これを小さ
く抑えることができ、ばらつきが少なく出力電圧範囲の
広い電流出力が得られるカレントミラー回路を実現する
ことができる。 【0024】なお、本実施の形態ではI1=I3=Io
として説明したが、電流出力Ioを基準電流より多く流
す場合、例えば電流出力Io=2×I3とするには、ト
ランジスタQ3とトランジスタQ4のトランジスタサイ
ズ比を1:2にすると共に、V2とV3とを等しくすれ
ば良いので、V2=V3より、 【0025】 【数10】(I3+Io/hfe4)×R2=(1+h
fe3)/hfe3×I3×R3 Io/I3={(1/hfe)×(R3/R2)+(R
3/R2)−1}×hfe ここで、Io/I3=2より 【0026】 【数11】 (R3/R2)=(hfe+2)/(hfe+1)≒1 となりほぼ同様の効果が得られる。 【0027】 【発明の効果】以上のように本発明によれば、ばらつき
が少なく出力電圧範囲の広い電流出力が得られる優れた
カレントミラー回路を実現できるという有利な効果が得
られる。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a current mirror circuit, and more particularly to a current mirror circuit capable of setting a constant current output voltage range with high relative accuracy. 2. Description of the Related Art A conventional current mirror circuit for improving the relative current accuracy will be described below with reference to the drawings. FIG. 2 is a circuit diagram showing an example of a conventional current mirror circuit. In FIG. 2, Q1, Q2, Q4, and Q5 are transistors, R1 and R4 are resistors, I1 is a reference input current source, and Vo is a constant current output terminal. As shown in this circuit, resistors R1 and R4 of high relative accuracy are connected to the emitters of transistors Q1 and Q5 which are current mirror connected like transistors Q1, Q2 and Q5, and the voltage between both ends of the resistors is provided. 0.2V
It is customary to reduce the influence of the current error due to the relative voltage error (ΔVBE) between the base and the emitter of the transistor by setting the voltage to about the same level. With the increase in voltage, one end of the resistor R2 is connected to the base end of the conventional current mirror circuit and the other end is connected to the base of the transistor Q4 in order to set a wide output voltage range of a part of the current mirror circuit. Circuits for grounding the emitter are also well known. Next, the operation of the current mirror circuit shown in FIG. 2 will be described in detail. First, by inputting a reference current from the reference current source I1 to the collector of the transistor Q1, a current output I5 more accurate than the collector of the transistor Q5 and a current output Io having a wider output voltage range than the collector of the transistor Q4 are obtained. . Here, for example, to make the current output Io equal to the collector current I5 of the transistor Q5,
It is sufficient that the voltage difference V2 at both ends of the resistor R2 is equal to the voltage difference V4 at both ends of the resistor R4, and this can be expressed by the following equations (Equation 1), (Equation 2), and (Equation 3). become. (1 + hfe5) / hfe5 × I5 × R4 = I
o / hfe4 × R2 I5 / Io = 1 / hfe4 × hfe5 / (1+
hfe5) × R2 / R4 Here, to satisfy I5 / Io = 1, hfe5 / (1 + h
fe5) If ≒ 1, the condition of (Equation 3) is required. However, R2 = hfe4 × R4. However, such a configuration, that is, a current output more accurate than one reference current and a current output having a wider output voltage range. When trying to obtain a current output with a wide output voltage range in a current mirror circuit that simultaneously realizes the resistance R2
Is required to be extremely large compared to the resistance R4, and the absolute variation at the time of manufacturing the hfe4 is directly a variation in the current ratio, which causes a large variation of 0.5 to 2 times. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to provide a current mirror circuit capable of obtaining a current output with a small variation and a wide output voltage range. In a current mirror circuit according to the present invention, a base of a first transistor having an emitter connected to a first reference potential point through a first resistor and a collector connected to a second transistor are provided. An emitter of a second transistor connected to a reference potential point, and an emitter connected to the first transistor through a third resistor;
, The base of a third transistor connected to the reference potential point of the first transistor, the collector of the first transistor, the base of the second transistor, and one end connected to the second reference potential point. The other end of the reference input current source is connected in common, the emitter is connected to the base of a fourth transistor whose emitter is connected to the first reference potential point, and one end is connected to the base of the third transistor. The second
The other end of the resistor and the collector of the third transistor are connected in common, and a constant current is taken out from the collector of the fourth transistor. According to the present invention, it is possible to obtain a current mirror circuit capable of obtaining a current output with a small variation and a wide output voltage range. Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. Note that the same reference numerals are used for the same parts as those of the related art. FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of a current mirror circuit according to an embodiment of the present invention. In the current mirror circuit shown in FIG. 1, the base of the first transistor Q1 whose emitter is connected to the first reference potential point V1 through the first resistor R1, and the collector is connected to the second reference potential point V2 The emitter of the connected second transistor Q2 and the third transistor Q3 whose emitter is connected to the reference potential point V1 through the third resistor R3.
The collector of the transistor Q1, the base of the transistor Q2, the other end of the reference input current source I1 whose one end is connected to the reference potential point V2, and the emitter is connected to the base of the transistor Q1. The base of the fourth transistor Q4 connected to the potential point V1, the other end of the second resistor R2 having one end connected to the base of the transistor Q3, and the collector of the transistor Q3 are connected in common. It is configured to take out a constant current from the collector as a current output Io. Note that the type of transistor is not limited to the illustrated NPN transistor, but can be realized by a PNP transistor or a MOS transistor. The operation of the current mirror circuit configured as described above will be described below. In order to make the current output Io equal to the collector current I3 of the transistor Q3, the voltage difference V2 across the resistor R2 and the voltage difference V3 across the resistor R3 only need to be equal. (Equation 4), (Equation 5),
(Formula 6) is obtained. V2 = (I3 + Io / hfe4) × R2 V5 = (1 + hfe3) / hfe3 × I3 × R3 From these (Formula 4) and (Formula 5), (I3 + Io / hfe4) × R2 = (1 + hfe3) / hfe3 × I3 × R3 Io = {(1 + hfe3) / hfe3 × R3 / R2-1} hfe4 × I3 = {(1 + hfe3) / hfe4 × hfe4 / hfe × R3 / R2-1} hfe4 × I3 = {(1 / hfe3) × (R3 / R2) + (hfe3 / hfe4) × (hfe4 / hfe3) × (R3 / R2) -1} × hfe4 × I3 = {(1 / hfe3) × (R3 / R2) + (R3 / R2) −1} × hfe4 × I3 (equation 6) where hfe3 ≒ hfe4 = hfe, and R3 = R
When it is set to 2, since Io = I3, since I3 and I1 are current mirrors, Io and I1 are also current mirrors from I3 = I1 and Io = I1. In (Equation 6), the relative accuracy of (R3 / R2) is 1%, (R3 / R2) -1 ≒ 0, (hfe3 / hf
Assuming that the relative accuracy of e4) is 4%, the constant current output I
o becomes as shown in (Equation 8). ## EQU8 ## Io / I3 ≒ {(hfe4 / hfe3) × (R
3 / R2)} As is apparent from (Expression 8), the variation of the current output Io is determined only by the relative variation of the elements, and becomes as shown in (Expression 9). Δ (Io / I3) = {Δ (hfe4 / hfe3) 2 × Δ (R3 / R2) 2 } = {(4%) 2 × (1%) 2 } {4. 1% As described above, according to the present embodiment, the variation in the current output is determined only by the variation in the element, so that the variation can be suppressed to a small value, and a current output with a small variation and a wide output voltage range can be obtained. A current mirror circuit can be realized. In this embodiment, I1 = I3 = Io
However, when the current output Io is made to flow more than the reference current, for example, in order to make the current output Io = 2 × I3, the transistor size ratio between the transistor Q3 and the transistor Q4 is set to 1: 2, and V2 and V3 are Since V2 = V3, the following equation is obtained: (I3 + Io / hfe4) × R2 = (1 + h)
fe3) / hfe3 × I3 × R3 Io / I3 = {(1 / hfe) × (R3 / R2) + (R
3 / R2) -1} × hfe Here, from Io / I3 = 2, the following equation is obtained: (R3 / R2) = (hfe + 2) / (hfe + 1) ≒ 1 and almost the same effect can be obtained. As described above, according to the present invention, there is obtained an advantageous effect that an excellent current mirror circuit which can obtain a current output with a small variation and a wide output voltage range can be realized.

【図面の簡単な説明】 【図1】本発明のカレントミラー回路の一実施の形態に
おけ構成を示す回路図 【図2】従来のカレントミラー回路の一例を示す回路図 【符号の説明】 Q1,Q2,Q3,Q4,Q5 トランジスタ R1,R2,R3,R4 抵抗 I1 基準入力電流源 Vo 定電流出力端子
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of a current mirror circuit according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a circuit diagram showing an example of a conventional current mirror circuit. , Q2, Q3, Q4, Q5 Transistors R1, R2, R3, R4 Resistance I1 Reference input current source Vo Constant current output terminal

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5H420 BB13 CC02 DD02 EA11 EA18 EB37 LL08 NA15 NA23 NA32 NB03 NB12 NB24 NB36 NC02 NC12 NC23 5J091 AA01 AA43 CA00 CA33 FA00 HA02 HA25 KA05 KA09 MA21   ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page    F term (reference) 5H420 BB13 CC02 DD02 EA11 EA18                       EB37 LL08 NA15 NA23 NA32                       NB03 NB12 NB24 NB36 NC02                       NC12 NC23                 5J091 AA01 AA43 CA00 CA33 FA00                       HA02 HA25 KA05 KA09 MA21

Claims (1)

【特許請求の範囲】 【請求項1】 エミッタが第1の抵抗を通じて第1の基
準電位点に接続された第1のトランジスタのベースと、
コレクタが第2の基準電位点に接続された第2のトラン
ジスタのエミッタと、エミッタが第3の抵抗を通じて前
記第1の基準電位点に接続された第3のトランジスタの
ベースとを共通接続すると共に、前記第1のトランジス
タのコレクタと、前記第2のトランジスタのベースと、
一端が前記第2の基準電位点に接続された基準入力電流
源の他端とを共通接続し、さらに、エミッタが前記第1
の基準電位点に接続された第4のトランジスタのベース
と、一端が前記第3のトランジスタのベースに接続され
た第2の抵抗の他端と、前記第3のトランジスタのコレ
クタとを共通接続してなり、前記第4のトランジスタの
コレクタから定電流を取り出すようにしたことを特徴と
するカレントミラー回路。
Claims: 1. A base of a first transistor having an emitter connected to a first reference potential point through a first resistor;
The emitter of the second transistor, the collector of which is connected to the second reference potential point, is commonly connected to the base of the third transistor, whose emitter is connected to the first reference potential point through a third resistor. A collector of the first transistor, a base of the second transistor,
One end is commonly connected to the other end of the reference input current source connected to the second reference potential point, and further, the emitter is connected to the first reference potential point.
, The base of a fourth transistor connected to the reference potential point of the second transistor, the other end of a second resistor having one end connected to the base of the third transistor, and the collector of the third transistor. A current mirror circuit for extracting a constant current from a collector of the fourth transistor.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009194558A (en) * 2008-02-13 2009-08-27 Toshiba Corp Current mirror circuit and digital-to-analog conversion circuit

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