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JP2003316321A - 表示装置および電子機器 - Google Patents

表示装置および電子機器

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JP2003316321A
JP2003316321A JP2002124136A JP2002124136A JP2003316321A JP 2003316321 A JP2003316321 A JP 2003316321A JP 2002124136 A JP2002124136 A JP 2002124136A JP 2002124136 A JP2002124136 A JP 2002124136A JP 2003316321 A JP2003316321 A JP 2003316321A
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JP
Japan
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display
light emitting
display device
pixel
organic
Prior art date
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Pending
Application number
JP2002124136A
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English (en)
Inventor
Nobuyuki Ito
信行 伊藤
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Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Dai Nippon Printing Co Ltd filed Critical Dai Nippon Printing Co Ltd
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Priority to US10/512,660 priority patent/US7084576B2/en
Priority to CNB038092905A priority patent/CN100524414C/zh
Priority to PCT/JP2003/005369 priority patent/WO2003091982A1/ja
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 消費電力の面から、走査の回数を効率的に行
なって、ノーマリーホワイト表示をすることができる、
有機EL表示装置を提供する。 【解決手段】 発光部と、発光部を発光させる動作を行
なうための半導体スイッチ回路とを備えた画素部を、複
数配列してなる表示装置であって、各画素の半導体スイ
ッチ回路は、インバーターを有し、発光部を発光させる
動作を行なうための動作出力を、該インバーターを介し
て出力するもので、各画素が非選択時には、インバータ
ーを介して発光部に動作出力が供給され、発光部は発光
し、選択時には、インバーターを介して発光部に動作出
力が供給されず、発光部は発光しないで、全体としてノ
ーマリーホワイト表示を行うものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、エレクトロルミネ
ッセンス素子(以下、エレクトロルミネッセンスをEL
で表現し、EL素子とも言う)を利用したディスプレイ
装置であるELディスプレイ装置と、該ELディスプレ
イ装置を表示部に用いた電子機器に関し、特に、EL素
子を用い、且つ、半導体素子を用いて駆動するアクティ
ブマトリクスディスプレイ装置(以下、アクティブEL
ディスプレイとも言う)に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、平面表示装置( 以下、フラットデ
ィスプレイとも言う) が多くの分野、場所で使われてお
り、情報化が進む中で、ますます、その重要性が高まっ
ている。現在、フラットディスプレイの代表と言えば液
晶ディスプレイ(以下、LCDとも言う)であるが、L
CDとは異なる表示原理に基づくフラットディスプレイ
として、有機EL、無機EL、プラズマディスプレイパ
ネル(以下、PDPとも言う)、ライトエミッティング
ダイオード表示装置(以下、LEDとも言う)、蛍光表
示管表示装置(以下、VFDとも言う)、フィールドェ
ミッションディスプレイ(以下、FEDとも言う)など
の開発も活発に行われている。これらの新しいフラット
ディスプレイはいずれも自発光型と呼ばれるもので、L
CDとは次の点で大きく異なり、LCDには無い優れた
特徴を有している。LCDは、受光型と呼ばれ、液晶は
自身では発光することはなく、外光を透過、遮断する、
いわゆるシャッターとして動作し、表示装置を構成す
る。このため光源を必要とし、ー般に、バックライトが
必要である。これに対して自発光型は、装置自身が発光
するため別光源が不要である。LCDの様な受光型では
表示情報の様態に拘わらず常にバックライトが点灯し、
全表示状態とほぼ変わらない電力を消費することにな
る。これに対して自発光型は、表示情報に応じて点灯す
る必要のある箇所だけが電力を消費するだけなので、受
光型表示装置に比較して電力消費が少ないという利点が
原理的にある。LCDでは、バックライト光源の光を遮
光して暗状態を得るため、少量であっても光漏れを完全
に無くすことは困難であるのに対して、自発光型では発
光しない状態がまさに暗状態であるので理想的な暗状態
を容易に得ることができコントラストにおいても自発光
型が圧倒的に優位である。また、LCDは液晶の複屈折
による偏光制御を利用しているため、観察する方向こよ
って大きく表示状態が変わるいわゆる視野角依存性が強
いが、自発光型ではこの問題がほとんど無い。さらに、
LCDは有機弾性物質である液晶の誘電異方性に由来す
る配向変化を利用するため、原理的に電気信号に対する
応答時間が1ms以上である。これに対して、開発が進
められている上記の技術では電子/ 正孔といったいわゆ
るキャリア遷移、電子放出、プラズマ放電などを利用し
ているため、応答時間はns桁であり、液晶とは比較に
ならないほど高速であり、LCDの応答の遅さに由来す
る動画残像の問題が無い。
【0003】これらの中でも、特に、有機ELの研究が
活発である。有機ELはOEL(Organic E
L)または有機ライトエミッティングダイオード(OL
ED;Organic Light Emitting
Diode)とも呼ばれている。OEL素子、OEL
D素子は、陽極と陰極の一対の電極間に有機化合物を含
む(EL層)を挟持した構造となっており、Tang等
の「アノード電極/ 正孔注入層/ 発光層/ カソード電
極」の積層構造が基本になっている。(特許15260
26号公報) また、Tang等が低分子材料を用いているの対して、
中野らは、高分子材料を用いている。(特開平3−27
3087号公報) また、正孔注入層や電子注入層を用いて効率を向上させ
たり、発光層に蛍光色素等をドーブして発光色を制御す
ることも行われている。尚、ここでは、画素電極と対向
電極が陽極、陰極のいずれかに相当し、ー対の電極を構
成する。そして、ー対の電極間に設けられる全ての層
を、総称して、EL層と呼び、上記の正孔注入層、正孔
輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層がこれに含ま
れる。
【0004】図12に有機EL素子の断面構造を示す。
有機ELは、電極間に電場を印加し、EL層に電流を通
じることで、発光するが、従来はー重頃励起状態から基
底状態に戻る際の蛍光発光のみを利用していたが、最近
の研究により、三重項励起状態から基底状態に戻る際の
燐光発光を有効に利用することができるようになり、効
率が向上している。通常、ガラス基板やプラスチック基
板といった透光性の支持基板24にー方の電極を形成し
てから、EL層(発光層)26、対向電極の順に形成し
て製造される。基板上に形成される電極は陽極(アノー
ドとも言う)25であっても陰極(カソーとも言う)ド
27であっても良く、これによって図12のように、基
板側に発光28するボトムエミッション構造と図13の
様に基板逆方向に発光28するトップエミッション構造
がある。トップエミッション構造の場合は基板は透光性
である必要はない。透光性基板の光導波路効果によって
失活される発光を低屈折率材料を用いて外部に取り出
し、光取り出し効率を向上させる研究も行われている。
なお、図12、図13では図示しないが、有機EL素子
は水分や酸素による特性劣化が著しいため、ー般には、
素子が水分や酸素に触れない様に不活性ガスを充満した
上で、別基板を用いたり、薄膜蒸着によりいわゆる封止
を行ない信頼性を確保している。EL層の形成方法とし
ては、低分子材料ではー般に真空蒸着法が用いられ、高
分子材料では溶液化して、スピンコートや印刷法、転写
法が用いられる。異なる発光色材料を微細画素に形成し
てカラー表示装置を作製する場合には、低分子材料では
マスク蒸着法が用いられ、高分子材料ではインクジェッ
ト法や印刷法、転写法などが用いられる。
【0005】有機EL素子をディスプレイとして利用す
る場合、LCDと同様に、電極構成と駆動方法によりパ
ッシブマトリクス方式とアクティブマトリクス方式に大
別することが出来る。パッシブマトリクス方式は、EL
層を挟んで互いに交差する水平方向電極と垂直方向電極
によりー対の電極を構成するもので構造が簡単である
が、画像を表示するためには時分割走査により走査線の
本数倍だけ瞬間輝度を高めなければならず、通常のVG
A以上のディスプレイでは10000cd/m2 を上回
る有機ELの瞬間輝度が必要であり、ディスプレイとし
ては実用上多くの問題がある。アクティブマトリクス方
式は、TFTを形成した基板に画素電極を形成し、EL
層、対向電極を形成するもので、パッシブマトリクス方
式に比べて構造は複雑であるが、発光輝度、消費電力、
クロストークといった多くの点で有機ELディスプレイ
として有利である。さらに、ポリシリコン膜を用いたア
クティブマトリクス方式ディスプレイでは、アモルファ
スシリコン膜よりも電界効果移動度が高いので、TFT
の大電流処理が可能であり、電流駆動素子である有機E
Lの駆動に適している。また、ポリシリコンTFTでは
高速動作が可能であることにより、従来、外付けのIC
で処理していた各種制御回路を、ディスプレイ画素と同
一基板上に形成し、表示装置の小型化、低コスト化、多
機能化等多くのメリットがある。
【0006】このように多くの特徴を持った有機EL表
示装置であるが、実用上.受光型のLCDに比べて不利
な点がある。LCDではバックライトを点灯させておい
てシャッター効果で各画素の光透過、非透過を切り替え
ることで明暗を制御し画像を表示するので、バックグラ
ウンドが明状態で画像情報が暗状態であるいわゆるノー
マリーホワイト表示であっても、バックグラウンドか暗
状態で画像情報が明状態であるいわゆるノーマリーブラ
ック表示であっても、消費電力が変わる事は無く、用途
によってあるしいはユーザーの好みによってどちらを選
択することもできる。これに対して、これまでの有機E
L表示装置では、発光によって明状態を作り出すため、
発光しないバックグラウンドが暗状態で画像情報が明状
態である、いわゆるノーマリーブラック表示となること
が避けられない。一方、これらの技術的な面からではな
く、白い紙に筆記具で文字を書くという非常に長い文化
的な歴史の為にテキスト表示ではノーマリーホワイト表
示が好まれる。これまでのノーマリーブラック表示の有
機EL表示装置では、図7の様な表示になってしまいユ
ーザーの嗜好に適したディスプレイとはならない。前述
したように、現在の有機EL表示装置は、コントラスト
や動画性能の高さが特徴であり、グラフィックユーザー
インターフェース(GUI)画像や動画表示などのいわ
ゆるグラフィック表示には適しているが、ノーマリーホ
ワイト表示を必要とするテキスト表示には適していない
ものであった。
【0007】これまでディスプレイは、動画を表示する
TV、静止画やテキストを表示するPCなどディスプレ
イが搭載される機器ごとに表示する情報が分かれてい
た。しかし、インターネットの発達と通信速度の向上に
よりTV、PC、デジタルカメラ、PDAなど全ての器
機がネットワークに接続される様になるとディスプレイ
には動画、静止画.テキストなどを区別無く融合した情
報を表示する機能が要求されるようになる。例えば、デ
ィスプレイのー部で動画を表示しながら、他の部分でテ
キストを表示するなど、あらゆる情報をーつのディスプ
レイで表示することが要求されるようになる。自発光型
である有機EL表示装置でユーザーに好まれるノーマリ
ーホワイト表示を行う為には、全面素を点灯させてから
画像情報のある画素を消灯させる必要があるが、これで
は表示情報に応じて点灯する必要のある箇所だけを点灯
させる従来の電力消費が少ないという利点を十分に活か
せないことになる。これまで有機EL表示装置の自発光
型である優れた性能を活かしながら、ノーマリーホワイ
ト表示を効率的に行う表示装置は無かった。
【0008】図15に、従来のアクティブマトリクス方
式の有機EL表示装置の信号処理システムを示す。コン
トローラー11で制御される走査信号、データ信号に、
それぞれ応じて、ゲートドライバー12、データドライ
バー13が動作して、各画素をON/OFF制御する。
電源回路14は、発光ダイオードのー種である有機EL
素子に電流を供給するためのものであり、ON制御され
た画素には電流が供給され、有機EL素子が発光する。
このようなアクティブマトリクス方式の有機EL装置で
は、画素が発光することによる素子の消費電力に加え
て、ゲートドライバー12、データドライバー13のド
ライバーの動作による消費電力がディスプレイシステム
全体として重要である。すなわち、発光画素の総数で決
まる発光面積が同じであっても、ドライバーの消費電力
が少なければディスプレイ全体としては低消費電力とな
り、効率的な表示装置となる。ドライバーの消費電力は
動作周波数つまり信号書き換えの回数で決まり、動作周
波数が低く信号書き換えの頻度が少ないほど消費電力を
少なくすることが出来る。
【0009】図11は、従来の有機EL表示装置の代表
的な画素回路構成である。走査線G(1)、データ信号
線D(2)、電源供給線V(3)の各バスラインに加え
て、スイッチング用TFT(4)、ゲート保持容量
(5)、駆動用TFT(6)とEL素子(7)で構成さ
れる。走査線G(1)で選択されたスイッチング用TF
T(4)のゲートがオープンされデータ信号線D(2)
から発光強度に応じた信号電圧がTFTソースに加えら
れると駆動用TFT(6)のゲートが信号電圧の大きさ
に応じてアナログ的にオープンされ、その状態がゲート
保持容量(5)で保持される。電源供給線V(3)から
駆動用TFT(6)のソースに電圧が印加されるとゲー
トの開き具合に応じた電流がEL素子(7)に流れ、信
号電圧の大きさに応じて階調的に発光する。このような
回路構成の表示装置では、スイッチング用TFT(4)
が選択されない通常時は、有機EL素子(7)が非発光
状態であり、スイッチング用TFT(4)が選択された
選択時に、有機EL素子(7)が発光状態となり、図7
に示すノーマリーブラック表示である。
【0010】有機EL表示装置の回路構成、駆動方法と
しては、他にTFTの数を更に多くしたもの(Yumo
toらの『Pixel Driving Method
sfor Large−Sized Poly−si
AM−OLED Displays』Asia Dis
play/IDW’01 P. 1395−1398)
や、時間分割階調(Mizukamiらの『6−bit
Digital VGA OLED』SID’00
P. 912−915)や面積分割階調(Miyasit
aらの『Full Color Displays F
abricated by Ink−Jet Prin
ting』Asia Display/IDW’01
P. 1399−1402)などのディジタル階調駆動法
があるが、いずれも同様に、ノーマリーブラック表示で
ある。
【0011】これらの有機EL表示装置でノーマリーホ
ワイト表示を行うためには、図8に示すように、全ゲー
ト走査線を選択走査しながら、画像情報の無いほとんど
の画素に相当するデータ線も選択してバックグランドを
発光状態にしながら、画像情報のある画素のデータ線だ
けを非選択にして、非発光状態にする必要がある。全て
の走査線上、データ線上には必ず明状態のバックグラン
ド、すなわち選択画素が存在するため、走査条件として
は、ゲート線、データ線ともに全画面走査全画面選択の
動作となる。全画面走査、全画面選択するため、ゲート
ドライバー、データドライバーを合わせたドライバーの
動作消費電力は最大となってしまう。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来、
有機EL表示装置においてノーマリーホワイト表示を行
なうためには、バックグランドを発光状態にする走査
と、画像情報を非発光状態とする走査とが、それぞれ、
全画面に対して行われており、LCD等のノーマリーホ
ワイト表示の場合にくらべ、走査の回数が多くなり、そ
の消費電力の面からも、その対応が求められていた。本
発明は、これに対応するもので、消費電力の面から、走
査の回数を効率的に行なって、ノーマリーホワイト表示
をすることができる、有機EL表示装置を提供しようと
するものである。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明の表示装置は、発
光部と、発光部を発光させる動作を行なうための半導体
スイッチ回路とを備えた画素部を、複数配列してなる表
示装置であって、各画素の半導体スイッチ回路は、イン
バーターを有し、発光部を発光させる動作を行なうため
の動作出力を、該インバーターを介して出力するもの
で、各画素が非選択時には、インバーターを介して発光
部に動作出力が供給され、発光部は発光し、選択時に
は、インバーターを介して発光部に動作出力が供給され
ず、発光部は発光しないで、全体としてノーマリーホワ
イト表示を行うものであることを特徴とするものであ
る。そして、上記において、走査線毎に走査線上の選択
画素の有無を判断する制御手段を有し、該走査線上に選
択画素が無い場合は走査しないものであることを特徴と
するものである。そしてまた、上記において、各画素が
選択時には、発光部に動作出力が供給され、発光部は発
光し、非選択時には、発光部に動作出力が供給されず、
発光部は発光しないで、全体としてノーマリーブラック
表示を行なうための回路として、各画素には、前記半導
体スイッチ回路に併設して、前記半導体スイッチ回路に
おいてインバーターを有しない回路を設けており、画素
ごとにいずれかの回路を選択する制御手段を備えている
ことを特徴とするものである。また、上記において、前
記インバーターがCMOS構造のTFTであることを特
徴とするものである。
【0014】本発明の電子機器は、上記、本発明の表示
装置を、表示部に用いたことを特徴とするものである。
【0015】
【作用】本発明の表示装置は、このような構成にするこ
とにより、消費電力の面から、走査の回数を効率的に行
なって、ノーマリーホワイト表示をすることができる、
有機EL表示装置の提供を可能とするものである。即
ち、例えば、非選択状態で全面が発光状態であるから、
図6に示すように、表示情報のある部分だけを選択的に
走査して非発光状態にすればノーマリーホワイト表示を
行うことができる。走査線上の表示情報の存在によっ
て、走査、非走査を判断する制御手段は、コントローラ
(図15のコントローラ11に相当)をプログラム制御
することで、容易に、その機能を持たせることができ
る。従来方法でノーマリーホワイト表示した場合(図
8)と比較すると、ドライバーの動作消費電力を大幅に
低減することができる。本発明の表示装置による図6に
示すノーマリーホワイト表示と、従来装置(図11)に
よる図8のノーマリーホワイト表示とは、発光部の面積
は同じ場合、有機EL素子の発光に要する電力は同一で
あるが.ドライバーの動作消費電力を低減できるので、
本発明の表示装置では、全消費電力を少なくすることが
できる。
【0016】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態の例を、図に
基づいて説明する。図1は、本発明の表示装置の実施の
形態第1の例の、特徴部である1画素の回路構成図で、
図2は実施の形態の第1の例の表示装置の、画素配列に
対応した回路構成図で、図3は共通化電源V1、2を説
明するための回路構成図で、図4は実施の形態の第1の
例の表示装置における画像信号を制御する制御回路部の
概略構成図で、図5はインバーターの回路構成を説明す
るための1画素の回路構成図で、図14は本発明の表示
装置の実施の形態の第2の例の、特徴部である1画素の
回路構成図である。また、図9(a)〜図9(c)はそ
れぞれ本発明の電子機器とその表示の1例の図で、図1
0(a)〜図10(c)はそれぞれ本発明の電子機器と
その表示の他の1例の図である。図1〜図5、図9、図
10、図14中、1はゲート走査線G、2はデータ信号
線D、3は電源供給線V、4はスイッチング用TFT、
5はゲート保持容量、6はEL駆動用TFT、7はEL
素子、8はインバーター、9は画素、10は画像信号、
11はコントローラ、12はゲートドライバー、13は
データドライバー、14は電源回路、16は表示部、1
7、18、19は機器(電子機器とも言う)、29はモ
ードセレクタ、161、201は動画像部(単に絵柄領
域部とも言う)である。
【0017】はじめに、本発明の表示装置の第1の例を
説明する。本例の表示装置は、図1に示すように、画素
部に駆動用TFT(6)にインバーター(8)を設置し
た有機EL表示装置で、各画素(9)を、図2に示すよ
うに、マトリクス状に配置したもので、電源を入れるだ
けで、画素が非選択状態で発光するものである。尚、配
線の簡略化のために、隣接する画素の電源供給線を共通
化して、図3のように、共通化電源供給線V1、2を配
設しても良い。
【0018】インバーターとしては、例えば、図5に示
すCMOS構造のTFT(CMOSTFT)を用いる。
尚、CMOSTFTを用いた有機EL装置としては特開
2000−208777号、特開2000−20877
8号、特開2000−216396号、特開2000−
216397号、特開2000−216398号、特開
2000−216399号、特開2000−23609
7号が開示されているが、これらはいずれも、本例とは
目的も設置される場所も効果も全く異なるものである。
例えば、特開2000−208777号の場合、その図
29にあるように、図1のでスイッチング用TFT
(4)に相当する部分を、ダブルゲート構造としてスイ
ッチング用TFTのオフ電流を軽減するものである。
【0019】はじめに、本発明の表示装置の第2の例を
説明する。第2の例の表示装置は、図14に示すよう
に、各画素に第1の例と同様のインバーター(8)を含
みノーマリーホワイト表示を行う回路と、インバーター
を有しないでノーマリーブラック表示を行う、従来の通
常の回路とを併設し、画像情報に応じて画素ごとにいず
れかを選択する制御手段としてモードセレクタ(29)
を備えたものである。本例では、予めプログラム制御さ
れたモードセレクタ(29)により、インバーター回路
と通常の回路とを選択するものである。
【0020】次に、本発明の電子機器の実施の形態例を
図9の基づいて説明する。図9(a)に示す第1の例の
電子機器(機器17)はPC(パーソナルコンピュー
タ)で、図9(b)に示す第2の例の電子機器(機器1
8)は携帯電話で、図9(c)に示す第3の例の電子機
器(機器19)はPDAで、いずれも、先に述べた、実
施の形態の第1の例の表示装置、あるいは、実施の形態
の第2の例の表示装置を、その表示部16としたもので
ある。画面のー部で動画像やグラフィックユーザーイン
ターフェイス(GUI)と言った自発光型である有機E
Lが本来得意とするグラフィック画像をノーマリーブラ
ック表示しながら、同時に画面の他の部分でメールやニ
ュースと言ったテキスト画面をユーザーが好むノーマリ
ーホワイト表示で表示することができる。尚、従来の有
機EL表示装置20で全体の消費電力を増加させないよ
うに、このような複合情報を表示すると、図10のよう
に、テキスト部分がノーマリーブラック表示になってし
まい、ユーザの望む形態にならないため、使い難い機器
21、22、23となってしまう。
【0021】尚、本発明は、上記の実施の形態に限定さ
れるものではない。
【0022】
【実施例】実施例を挙げて、本発明を更に説明する。 (実施例1)実施例1は、実施の形態例の第1の例の表
示装置を作製したもので、ガラス基板上にポリシリコン
膜を使って、図5に示すCMOS構造TFTを駆動TF
Tとした画素構成の有機EL素子を、図2のように、マ
トリクス配置して、4'' のQVGA表示装置を作製した
もので、更に、作製された表示部をPCの表示部とし
て、その表示状態を確認した。まず、図4に示す、ゲー
トドライバー12とデータドライバー13もポリシリコ
ン膜で作製した。これらの画素回路、ドライバー回路を
作製した上に、パッシベーション層を介して画素駆動T
FTに画素形状にバターニングしたITO透明電極を陽
極25としてスパッタ接続した後に、図12に示す構造
のEL層25を積層して作製した。有機EL層26は、
発光有機材料Alq3 (tris(8−hydroxy
quinoline)aluminium)と、正孔注
入層TPD(N,N’−diphenyl−N,N’−
bis(3methyl−phenyl)−1,−di
phenyl−4,4’−diamine)を積層し
た。陰極27として、MgAg合金を用いた。TPDと
ITOとが接する積層順とした。ITOは厚さ150n
mとし、高真空下で予熱を十分に行った昇華精製装置で
精製したTPD(m)をタングステンボードに装荷して
抵抗加熱法で50nm成膜した。そして、この上に昇華
精製されたAlq3 を石英ボードで装荷して、抵抗加熱
法で30nmの厚さに成膜した。最後にMgAg合金
(Mg:Ag=10:1)を厚さ150nmになるよう
に蒸着し、さらにその上に、保護層として、Agを20
0nmの厚みになるように蒸着し、最後に、別に用意し
たガラス板とUV硬化シール材により封止し、有機EL
表示装置のパネル部を完成した。この有機ELパネルに
コントローラーと電源回路を接続して表示装置を完成し
た。この有機EL表示装置の電源回路を動作させたとこ
ろ、ゲート走査信号、データ信号をいずれも与えていな
いのに全面発光した。なお、発光色はAlq3 に由来す
る緑色であった。そして、この有機EL表示装置を搭載
して、図9(a)に示すPC17を得た。PC17上で
ワープロソフトで作られたノーマリーホワイト表示の白
黒テキスト画像を画像信号として入力したところ、パソ
コン上のテキスト画面と同じバックグランドが明状態で
テキストが暗状態である表示を得ることができた。続い
て、テキスト情報の無い走査線は非走査としさらにテキ
スト情報が無い画素にもデータ信号を与えていたタイミ
ングではデータドライバーの動作を休止するようにコン
トローラーにプログラムして上記と同様にテキスト画像
を表示させたところ、表示画像は変化することなく、消
費電力の低減した装置を得ることができた。実用的な装
置である4'' のQVGA表示装置を作製し、実用的な輝
度である100cd/m2で表示したところ、前者では
100mWであった消費電力が、後者では80mWまで
低減した。
【0023】(実施例2)実施例2は、実施例1で用い
た緑色発光材料Alq3 に加えて、青色発光材料として
DPVBi(1,4−bis(2,2−dipheny
livinyl)biphenyl)、赤色発光材料と
してAlq3 にDCM(ジシアノメチレンピラン誘導
体) を1. 0wt%添加したものを用いて、マスク蒸着
により3 色並置蒸着しサブピクセルとしてフルカラー表
示装置とした以外は実施例1と同様に行なった。R、
G、B3原色を用いたことでバックグランドが白色にな
り、より忠実なノーマリーホワイト表示のテキスト表示
が得られた。
【0024】(実施例3)実施例3は、実施例1で用い
た低分子有機EL材料を高分子有機EL材料とした以外
は、実施例1と同じで、実施例1同様に行なった。正孔
注入層はPEDOT(ポリチオフェン:Bayer C
H8000)をスピンコートにより80nmの厚さに塗
布し、160℃で焼成して形成した。PEDOTの上
に、下記の高分子有機EL材料を、溶媒に溶解して液状
化したものをインクジェット法により3色並置蒸着し、
サブピクセルとしてフルカラー表示装置とした。尚、有
機EL材料を水分、酸素による劣化から保護するために
PEDOTの焼成から封止までは全て窒素置換したグロ
ーブボックス内で行なった。実施例1と同機に、消費電
力が低減された忠実なノーマリーホワイト表示のテキス
ト表示が得られた。 (有機EL層形成用塗布液組成) ・ポリビニルカルバゾール 70 重量部 ・オキサジアゾール化合物 30 重量部 ・蛍光色素 1 重量部 ・モノクロロベンゼン(溶媒) 4900重量部 ここで、蛍光色素がクマリン6の場合は501nmをピ
ークに持つ緑色発光、ペリレンの場合は460nm〜4
70nmに持つ青色発光、DCMの場合は570nmを
ピークに持つ赤色発光が得られた。
【0025】(実施例4)実施例4は、実施の形態例の
第2の例の表示装置を作製したもので、画素の回路構成
を図14のようにした以外は、実施例1と同様に、表示
装置の作製を行ない、更に、同様に作製された表示部を
電子機器(ここでは携帯電子機器(PDAとも言う)と
する)の表示部として、その表示状態を確認した。図9
のような動画像とテキスト画面が混在した画像情報の場
合に、モードセレクタ(図14の19)で従来回路とイ
ンバーター回路とに振り分けるようにコントローラーに
ブログラムしておき、実際に該画像信号を入力したとこ
ろ、図9に示す動画像とノーマリーホワイト表示のテキ
スト画像が混在した画像をスムーズに得ることができ
た。そして、この有機EL表示装置を搭載して、図9
(b)に示すような電池駆動の携帯電子機器18を得
た。
【0026】(比較例)比較例は、画素の回路構成を図
11のようにした以外は、実施例4と同様にして、有機
EL表示装置の作製を行ない、作製された有機EL表示
装置を搭載した図9(b)に示す様な電池駆動の携帯電
子機器を得た。実施例4の場合と同様に、図9に示す動
画像とノーマリーホワイト表示のテキスト画像が混在し
た画像を表示したところ、表示装置の消費電力が増加し
たため電池寿命が実施例4よりも短くなってしまった。
以上、本発明の実施例について説明したが、本発明はこ
れに限定されるものではない。
【0027】
【発明の効果】本発明は、上記のように、消費電力の面
から、走査の回数を効率的に行なって、ノーマリーホワ
イト表示をすることができる、有機EL等の自己発光型
の表示装置の提供を可能とした。本発明により、有機E
L等の自己発光型の表示装置で、ノーマリーホワイト表
示を効率的に行うことができる。さらに高コントラスト
で優れたグラフィック表示と、ー般にユーザーに好まれ
るノーマリーホワイト表示のテキスト表示とを、同時に
達成する有機EL等の自己発光型の表示装置を得ること
ができる。さらには、高コントラストで優れたグラフィ
ック表示と、ー般にユーザーに好まれるノーマリーホワ
イト表示のテキスト表示を同時に達成する有機EL等の
自己発光型の表示装置を、搭載したすぐれた電子機器を
得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】発明の表示装置の実施の形態第1の例の、特徴
部である1画素の回路構成図である。
【図2】本実施の形態の第1の例の表示装置の、画素配
列に対応した回路構成図である。
【図3】共通化電源V1、2を説明するための回路構成
図である。
【図4】実施の形態の第1の例の表示装置における画像
信号を制御する制御回路部の概略構成図である。
【図5】インバーターの回路構成を説明するための1画
素の回路構成図である。
【図6】本発明の有機EL表示装置のノーマリーホワイ
ト表示方法を示す図である。
【図7】従来の有機EL表示装置の表示方式であるノー
マリーブラック表示を示す図である。
【図8】従来の有機EL表示装置でノーマリーホワイト
表示を行う場合の表示方法を示す図である。
【図9】図9(a)〜図9(c)はそれぞれ本発明の電
子機器とその表示の1例の図である。
【図10】図10(a)〜図10(c)はそれぞれ本発
明の電子機器とその表示の他の1例の図である。
【図11】従来の有機EL表示装置の1画素の回路構成
図である。
【図12】有機EL素子の構造を示す断面図である。
【図13】有機EL素子の構造を示す断面図である。
【図14】本発明の表示装置の実施の形態の第2の例
の、特徴部である1画素の回路構成図である。
【図15】従来の表示装置における画像信号を制御する
制御回路部の概略構成図である。
【符号の説明】
1 ゲート走査線G 2 データ信号線D 3 電源供給線V 4 スイッチング用TFT 5 ゲート保持容量 6 EL駆動用TFT 7 EL素子 8 インバーター 9 画素 10 画像信号 11 コントローラ 12 ゲートドライバー 13 データドライバー 14 電源回路 16 表示部 17、18、19 機器(電子機器とも言う) 20 表示部 21、22、23 機器(電子機器とも言う) 29 モードセレクタ 161、201 動画像部(単に絵柄領域部とも言
う)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G09G 3/20 624 G09G 3/20 624B H05B 33/14 H05B 33/14 A

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 発光部と、発光部を発光させる動作を行
    なうための半導体スイッチ回路とを備えた画素部を、複
    数配列してなる表示装置であって、各画素の半導体スイ
    ッチ回路は、インバーターを有し、発光部を発光させる
    動作を行なうための動作出力を、該インバーターを介し
    て出力するもので、各画素が非選択時には、インバータ
    ーを介して発光部に動作出力が供給され、発光部は発光
    し、選択時には、インバーターを介して発光部に動作出
    力が供給されず、発光部は発光しないで、全体としてノ
    ーマリーホワイト表示を行うものであることを特徴とす
    る表示装置。
  2. 【請求項2】 請求項1において、走査線毎に走査線上
    の選択画素の有無を判断する制御手段を有し、該走査線
    上に選択画素が無い場合は走査しないものであることを
    特徴とする表示装置。
  3. 【請求項3】 請求項1ないし2において、各画素が選
    択時には、発光部に動作出力が供給され、発光部は発光
    し、非選択時には、発光部に動作出力が供給されず、発
    光部は発光しないで、全体としてノーマリーブラック表
    示を行なうための回路として、各画素には、前記半導体
    スイッチ回路に併設して、前記半導体スイッチ回路にお
    いてインバーターを有しない回路を設けており、画素ご
    とにいずれかの回路を選択する制御手段を備えているこ
    とを特徴とする表示装置。
  4. 【請求項4】 請求項1ないし3において、前記インバ
    ーターがCMOS構造のTFTであることを特徴とする
    表示装置。
  5. 【請求項5】 前記請求項1記載から請求項4記載の表
    示装置を、表示部に用いたことを特徴とする電子機器。
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