JP2003291043A - チャックテーブル - Google Patents
チャックテーブルInfo
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- JP2003291043A JP2003291043A JP2002098401A JP2002098401A JP2003291043A JP 2003291043 A JP2003291043 A JP 2003291043A JP 2002098401 A JP2002098401 A JP 2002098401A JP 2002098401 A JP2002098401 A JP 2002098401A JP 2003291043 A JP2003291043 A JP 2003291043A
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- JP
- Japan
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- chuck
- semiconductor wafer
- chuck plate
- chuck table
- plate
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- Jigs For Machine Tools (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 裏面を研磨すべき半導体ウエーハを吸着する
のに好適に使用され、半導体ウエーハが過剰に加熱され
るのを効果的に回避することができるチャックテーブル
を提供する。 【解決手段】 チャックテーブル２は支持基台４上に装
着され、この支持基台４に固定されたチャック板６及び
チャック板６を通して吸引する吸引手段とを具備する。
チャック板６は粒径６０乃至１０００μｍの炭化珪素を
７０％以上含有し、結合材を混合焼結された多孔質材料
よりなり２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を有する。
のに好適に使用され、半導体ウエーハが過剰に加熱され
るのを効果的に回避することができるチャックテーブル
を提供する。 【解決手段】 チャックテーブル２は支持基台４上に装
着され、この支持基台４に固定されたチャック板６及び
チャック板６を通して吸引する吸引手段とを具備する。
チャック板６は粒径６０乃至１０００μｍの炭化珪素を
７０％以上含有し、結合材を混合焼結された多孔質材料
よりなり２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チャックテーブ
ル、殊に、それに限定されるものではないが、研磨工具
によって裏面が研磨される半導体ウエーハを吸着するの
に好適に使用することができるチャックテーブルに関す
る。
ル、殊に、それに限定されるものではないが、研磨工具
によって裏面が研磨される半導体ウエーハを吸着するの
に好適に使用することができるチャックテーブルに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップの製造においては、半導体
ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートによっ
て多数の矩形領域を区画し、矩形領域の各々に半導体回
路を配設する。そして、ストリートの各々に沿って半導
体ウエーハを切削することによって矩形領域の各々を分
離し半導体チップにせしめている。半導体チップの小型
化及び軽量化のために、矩形領域の各々に分離するのに
先立って半導体ウエーハの裏面を研削し、これによって
半導体ウエーハの厚さを減少せしめることが望まれるこ
とが少なくない。また、先ダイシングと称される様式に
おいては、ストリートに沿って半導体ウエーハをその全
厚さではなくて所定深さまで切削し、しかる後に半導体
ウエーハの裏面を研削して半導体ウエーハの厚さを上記
所定深さ以下にせしめ、かくして矩形領域の各々を分離
している。いずれの場合にも、半導体ウエーハの裏面の
研削は、通常、ダイヤモンド砥粒を合成樹脂結合材の如
き適宜の結合材で固着して形成した研削手段を有する研
削工具を、高速回転せしめながら半導体ウエーハの裏面
に押圧せしめることによって遂行されている。半導体ウ
エーハの裏面及び／又は研削工具には純水でよい冷却液
を供給する。かような様式によって半導体ウエーハの裏
面を研削すると、当業者には周知の如く、半導体ウエー
ハの裏面に加工歪が生成され、これによって半導体ウエ
ーハの抗折強度が相当低減される。
ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートによっ
て多数の矩形領域を区画し、矩形領域の各々に半導体回
路を配設する。そして、ストリートの各々に沿って半導
体ウエーハを切削することによって矩形領域の各々を分
離し半導体チップにせしめている。半導体チップの小型
化及び軽量化のために、矩形領域の各々に分離するのに
先立って半導体ウエーハの裏面を研削し、これによって
半導体ウエーハの厚さを減少せしめることが望まれるこ
とが少なくない。また、先ダイシングと称される様式に
おいては、ストリートに沿って半導体ウエーハをその全
厚さではなくて所定深さまで切削し、しかる後に半導体
ウエーハの裏面を研削して半導体ウエーハの厚さを上記
所定深さ以下にせしめ、かくして矩形領域の各々を分離
している。いずれの場合にも、半導体ウエーハの裏面の
研削は、通常、ダイヤモンド砥粒を合成樹脂結合材の如
き適宜の結合材で固着して形成した研削手段を有する研
削工具を、高速回転せしめながら半導体ウエーハの裏面
に押圧せしめることによって遂行されている。半導体ウ
エーハの裏面及び／又は研削工具には純水でよい冷却液
を供給する。かような様式によって半導体ウエーハの裏
面を研削すると、当業者には周知の如く、半導体ウエー
ハの裏面に加工歪が生成され、これによって半導体ウエ
ーハの抗折強度が相当低減される。
【０００３】そこで、本出願人の出願にかかる特願２０
０１−９３３９７及び特願２００１−９３３９８の明細
書及び図面には、半導体ウエーハの裏面を研削した後に
半導体ウエーハの裏面を研磨し、かくして半導体ウエー
ハの裏面を研削することによって生成された加工歪を除
去し、抗折強度の低減を回避することが開示されてい
る。半導体ウエーハの裏面を研磨する際には、チャック
テーブルに半導体ウエーハを表裏を反転した状態で吸着
する。そして、チャックテーブルを回転せしめると共
に、フェルト中に砥粒を分散せしめて形成された研磨手
段を有する研磨工具を高速回転せしめながら半導体ウエ
ーハの裏面に押圧せしめる。チャックテーブルは支持基
台とこの支持基台上に装着されたチャック板とチャック
板を通して吸引する吸引手段とを具備する。裏面を研磨
すべき半導体ウエーハは、表裏を反転した状態で、即ち
表面をチャック板の表面に密着せしめた状態で、チャッ
ク板の表面に吸着される。半導体ウエーハの表面には、
通常、保護のための合成樹脂フィルムが貼着されてい
る。研磨の際に冷却液が供給されることはなく、研磨は
乾式で遂行される。
０１−９３３９７及び特願２００１−９３３９８の明細
書及び図面には、半導体ウエーハの裏面を研削した後に
半導体ウエーハの裏面を研磨し、かくして半導体ウエー
ハの裏面を研削することによって生成された加工歪を除
去し、抗折強度の低減を回避することが開示されてい
る。半導体ウエーハの裏面を研磨する際には、チャック
テーブルに半導体ウエーハを表裏を反転した状態で吸着
する。そして、チャックテーブルを回転せしめると共
に、フェルト中に砥粒を分散せしめて形成された研磨手
段を有する研磨工具を高速回転せしめながら半導体ウエ
ーハの裏面に押圧せしめる。チャックテーブルは支持基
台とこの支持基台上に装着されたチャック板とチャック
板を通して吸引する吸引手段とを具備する。裏面を研磨
すべき半導体ウエーハは、表裏を反転した状態で、即ち
表面をチャック板の表面に密着せしめた状態で、チャッ
ク板の表面に吸着される。半導体ウエーハの表面には、
通常、保護のための合成樹脂フィルムが貼着されてい
る。研磨の際に冷却液が供給されることはなく、研磨は
乾式で遂行される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】而して、本発明者の経
験によれば、上述したとおりの乾式研磨を遂行すると、
半導体ウエーハが相当高温に加熱され、半導体ウエーハ
の裏面に所謂焼けが発生され、そしてまた半導体ウエー
ハの表面に貼着されている合成樹脂フィルムが溶解され
てしまう傾向がある。
験によれば、上述したとおりの乾式研磨を遂行すると、
半導体ウエーハが相当高温に加熱され、半導体ウエーハ
の裏面に所謂焼けが発生され、そしてまた半導体ウエー
ハの表面に貼着されている合成樹脂フィルムが溶解され
てしまう傾向がある。
【０００５】本発明は上記事実に鑑みてなされたもので
あり、その主たる技術的課題は、それに限定されるもの
ではないが、裏面を研磨すべき半導体ウエーハを吸着す
るのに好適に使用され、半導体ウエーハが過剰に加熱さ
れるのを効果的に回避して、半導体ウエーハの裏面にお
ける焼けの発生及び合成樹脂フィルムの溶解を回避する
ことを可能にする、新規且つ改良されたチャックテーブ
ルを提供することである。
あり、その主たる技術的課題は、それに限定されるもの
ではないが、裏面を研磨すべき半導体ウエーハを吸着す
るのに好適に使用され、半導体ウエーハが過剰に加熱さ
れるのを効果的に回避して、半導体ウエーハの裏面にお
ける焼けの発生及び合成樹脂フィルムの溶解を回避する
ことを可能にする、新規且つ改良されたチャックテーブ
ルを提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は、鋭意検討の
結果、チャック板の熱伝導率を２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上に
せしめることによって上記主たる技術的課題を達成する
ことができることを見出した。
結果、チャック板の熱伝導率を２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上に
せしめることによって上記主たる技術的課題を達成する
ことができることを見出した。
【０００７】即ち、本発明によれば、上記主たる技術的
課題を達成するチャックテーブルとして、支持基台と、
該支持基台上に装着され、表面が露呈せしめられるチャ
ック板と、該チャック板の表面に被加工物を吸着するた
めに、該チャック板を通して吸引する吸引手段とを具備
するチャックテーブルにして、該チャック板は２００Ｗ
／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を有する、ことを特徴とするチ
ャックテーブルが提供される。
課題を達成するチャックテーブルとして、支持基台と、
該支持基台上に装着され、表面が露呈せしめられるチャ
ック板と、該チャック板の表面に被加工物を吸着するた
めに、該チャック板を通して吸引する吸引手段とを具備
するチャックテーブルにして、該チャック板は２００Ｗ
／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を有する、ことを特徴とするチ
ャックテーブルが提供される。
【０００８】チャック板は充分な強度を有し、そしてま
た研削工具によって充分容易に表面を平滑に研削するこ
とができることも重要であり、かかる見地から、該チャ
ック板は重量割合で７５％以上の炭化珪素を含有する多
孔性材料から形成されているのが好適である。好ましく
は、該チャック板は粒径が６０乃至１０００μm である
炭化珪素粒に結合材を混合して焼結することによって形
成されている。結合材は二酸化珪素であり、焼結温度は
１２００乃至１３００℃であるのが好ましい。好適実施
形態においては、該チャック板は実質上平坦な表面を有
し、該支持基台は表面に該チャック板が固定される支持
盤と該支持盤上に固定されて該チャック板の周囲を囲繞
するリング部材とを含み、該リング部材の表面は該チャ
ック板の表面よりも０．５ｍｍ以下であるｘｍｍ（ｘｍ
ｍ≦０．５ｍｍ）だけ突出する。該リング部材は少なく
とも１枚の調整ワッシャを介して該支持盤上に固定され
る。被加工物は裏面が研磨工具によって乾式研磨される
半導体ウエーハであり、表面を該チャック板の表面に密
接せしめて該チャック板の表面に吸引される。
た研削工具によって充分容易に表面を平滑に研削するこ
とができることも重要であり、かかる見地から、該チャ
ック板は重量割合で７５％以上の炭化珪素を含有する多
孔性材料から形成されているのが好適である。好ましく
は、該チャック板は粒径が６０乃至１０００μm である
炭化珪素粒に結合材を混合して焼結することによって形
成されている。結合材は二酸化珪素であり、焼結温度は
１２００乃至１３００℃であるのが好ましい。好適実施
形態においては、該チャック板は実質上平坦な表面を有
し、該支持基台は表面に該チャック板が固定される支持
盤と該支持盤上に固定されて該チャック板の周囲を囲繞
するリング部材とを含み、該リング部材の表面は該チャ
ック板の表面よりも０．５ｍｍ以下であるｘｍｍ（ｘｍ
ｍ≦０．５ｍｍ）だけ突出する。該リング部材は少なく
とも１枚の調整ワッシャを介して該支持盤上に固定され
る。被加工物は裏面が研磨工具によって乾式研磨される
半導体ウエーハであり、表面を該チャック板の表面に密
接せしめて該チャック板の表面に吸引される。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明に従って構成された
チャックテーブルの好適実施形態を図示している添付図
面を参照して、更に詳細に説明する。
チャックテーブルの好適実施形態を図示している添付図
面を参照して、更に詳細に説明する。
【００１０】図１及び図２を参照して説明すると、本発
明に従って構成された、全体を番号２で示すチャックテ
ーブルは、支持基台４とチャック板６とを具備してい
る。
明に従って構成された、全体を番号２で示すチャックテ
ーブルは、支持基台４とチャック板６とを具備してい
る。
【００１１】図示に実施形態における支持基台４は、支
持盤８とこの支持盤８上に固定されるリング部材１０と
から構成されている。支持盤８は適宜の金属、望ましく
は熱伝達率が比較的大きいアルムニウムの如き金属から
形成することができる。支持盤８は全体として円柱形状
であり、適宜の軸支手段（図示していない）を介して実
質上鉛直に延びる中心軸線を中心として回転自在に装着
されている。支持盤８の上面中央部には円形突出部１２
が形成されており、かかる突出部１２の周縁には環状肩
面１３が規定されている。円形突出部１２の表面には、
中央に位置する円形凹部１４、内側環状溝１６、外側環
状溝１８、円形凹部１４から内側環状溝１６を横切って
外側環状溝１８まで延びる４個の放射状溝２０が形成さ
れている。円形凹部１４の中心部、内側環状溝１６及び
外側環状溝１８と放射状溝２０の各々との交差部には、
下方に延びる連通孔２２が形成されている。これらの連
通個２２は、適宜の連通路（図示していない）を介し
て、真空ポンプから構成することができる吸引手段２４
に連通されている。環状肩面１２には、周方向に間隔を
おいて下方に延びる４個の盲ねじ孔２５が形成されてい
る。
持盤８とこの支持盤８上に固定されるリング部材１０と
から構成されている。支持盤８は適宜の金属、望ましく
は熱伝達率が比較的大きいアルムニウムの如き金属から
形成することができる。支持盤８は全体として円柱形状
であり、適宜の軸支手段（図示していない）を介して実
質上鉛直に延びる中心軸線を中心として回転自在に装着
されている。支持盤８の上面中央部には円形突出部１２
が形成されており、かかる突出部１２の周縁には環状肩
面１３が規定されている。円形突出部１２の表面には、
中央に位置する円形凹部１４、内側環状溝１６、外側環
状溝１８、円形凹部１４から内側環状溝１６を横切って
外側環状溝１８まで延びる４個の放射状溝２０が形成さ
れている。円形凹部１４の中心部、内側環状溝１６及び
外側環状溝１８と放射状溝２０の各々との交差部には、
下方に延びる連通孔２２が形成されている。これらの連
通個２２は、適宜の連通路（図示していない）を介し
て、真空ポンプから構成することができる吸引手段２４
に連通されている。環状肩面１２には、周方向に間隔を
おいて下方に延びる４個の盲ねじ孔２５が形成されてい
る。
【００１２】リング部材１０は環状フランジ部２６とこ
のフランジ部２６の内周円から上方に突出する直立リン
グ部２７とを有する。フランジ部２６の外径は支持盤８
の外径と実質上同一でよく、フランジ部２６及び直立リ
ング部２７の内径は支持盤８の突出部１２の外径と実質
上同一でよい。フランジ部２６には周方向に間隔をおい
て４個の貫通孔２８が形成されている。かかるリング部
材１０は必要に応じて１枚又は複数枚の調整ワッシャ３
０を介在せしめて支持盤８の環状肩面１３上に固定され
る。更に詳しくは、適宜の金属から形成することができ
る調整ワッシャ３０にも周方向に間隔をおいて４個の孔
３２が形成されており、リング部材１０のフランジ部２
４に形成されている貫通孔２８、調整ワッシャ３０に形
成されている孔３２を通して、支持盤８の環状肩面１３
に形成されている盲ねじ孔２５に締結ボルト３４を螺着
することによって、支持盤８の環状肩面１３上にリング
部材１０が固定される。後の説明から理解される如く、
リング部材１０の上面には研磨手段が接触し得るので、
リング部材１０は比較的高硬度の材料、例えばステンレ
ス鋼又は適宜のセラミックスから形成されているのが好
都合である。
のフランジ部２６の内周円から上方に突出する直立リン
グ部２７とを有する。フランジ部２６の外径は支持盤８
の外径と実質上同一でよく、フランジ部２６及び直立リ
ング部２７の内径は支持盤８の突出部１２の外径と実質
上同一でよい。フランジ部２６には周方向に間隔をおい
て４個の貫通孔２８が形成されている。かかるリング部
材１０は必要に応じて１枚又は複数枚の調整ワッシャ３
０を介在せしめて支持盤８の環状肩面１３上に固定され
る。更に詳しくは、適宜の金属から形成することができ
る調整ワッシャ３０にも周方向に間隔をおいて４個の孔
３２が形成されており、リング部材１０のフランジ部２
４に形成されている貫通孔２８、調整ワッシャ３０に形
成されている孔３２を通して、支持盤８の環状肩面１３
に形成されている盲ねじ孔２５に締結ボルト３４を螺着
することによって、支持盤８の環状肩面１３上にリング
部材１０が固定される。後の説明から理解される如く、
リング部材１０の上面には研磨手段が接触し得るので、
リング部材１０は比較的高硬度の材料、例えばステンレ
ス鋼又は適宜のセラミックスから形成されているのが好
都合である。
【００１３】図示の実施形態においては円板形状である
チャック板６は、充分に大きい熱伝導率、即ち２００Ｗ
／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を有することが重要である。加
えて、充分な強度を有することが望まれ、そしてまたそ
の表面に載置される半導体ウエーハを所要とおりにチャ
ックするためにその表面は充分に平滑であることが望ま
れ、従って例えばダイアモンド粒子を合成樹脂結合材の
如き結合材で固着して形成した研削手段を有する研削工
具によって充分容易に研削することができることが望ま
れる。かような要望を充足しながら２００Ｗ／ｍ・Ｋ以
上の熱伝導率を有するチャック板６を形成するには、例
えば炭化珪素粒に適宜の結合材を混合して焼結すること
によって形成される多孔性材料からチャック板６を形成
することができる。充分に大きい熱伝導率を達成するた
めには、多孔性材料は重量割合で７５％以上、特に９０
％以上の炭化珪素を含有しているのが好適である。炭化
珪素粒の粒径は６０乃至１０００μm 程度でよい。好適
結合材としては二酸化珪素を挙げることができる。焼結
温度が１２００乃至１３００℃程度でよい。チャック板
６は適宜の接着剤を介して支持盤８の突出部１２上に固
定することができる。上記吸引手段２４によってチャッ
ク板６を通して吸引することによってチャック板６の表
面に半導体ウエーハを吸着するために、接着剤はチャッ
ク板６の下面全域ではなく、適宜に分散せしめた多数の
領域、特に突出部１２の上面に形成されている円形凹部
１４、内側環状溝１６、外側環状溝１８及び放射溝２０
に対応する領域以外に適宜に分散せしめた多数の領域に
おいて、支持盤８の突出部１０の表面とチャック板６の
裏面との間に介在せしめられることが重要である。
チャック板６は、充分に大きい熱伝導率、即ち２００Ｗ
／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を有することが重要である。加
えて、充分な強度を有することが望まれ、そしてまたそ
の表面に載置される半導体ウエーハを所要とおりにチャ
ックするためにその表面は充分に平滑であることが望ま
れ、従って例えばダイアモンド粒子を合成樹脂結合材の
如き結合材で固着して形成した研削手段を有する研削工
具によって充分容易に研削することができることが望ま
れる。かような要望を充足しながら２００Ｗ／ｍ・Ｋ以
上の熱伝導率を有するチャック板６を形成するには、例
えば炭化珪素粒に適宜の結合材を混合して焼結すること
によって形成される多孔性材料からチャック板６を形成
することができる。充分に大きい熱伝導率を達成するた
めには、多孔性材料は重量割合で７５％以上、特に９０
％以上の炭化珪素を含有しているのが好適である。炭化
珪素粒の粒径は６０乃至１０００μm 程度でよい。好適
結合材としては二酸化珪素を挙げることができる。焼結
温度が１２００乃至１３００℃程度でよい。チャック板
６は適宜の接着剤を介して支持盤８の突出部１２上に固
定することができる。上記吸引手段２４によってチャッ
ク板６を通して吸引することによってチャック板６の表
面に半導体ウエーハを吸着するために、接着剤はチャッ
ク板６の下面全域ではなく、適宜に分散せしめた多数の
領域、特に突出部１２の上面に形成されている円形凹部
１４、内側環状溝１６、外側環状溝１８及び放射溝２０
に対応する領域以外に適宜に分散せしめた多数の領域に
おいて、支持盤８の突出部１０の表面とチャック板６の
裏面との間に介在せしめられることが重要である。
【００１４】図２に図示する如く、支持盤８上にリング
部材１０とチャック板６とを所要とおりに固定した状態
においては、リング部材１０はチャック板６の周囲を囲
繞する。図２に誇張して図示する如く、リング部材１０
の表面、即ちその直立リング部２７の上面は、チャック
板６の表面をｘｍｍだけ越えて上方に突出しており、ｘ
ｍｍは０．５ｍｍ以下、即ちｘ≦０．５であるのが好適
である（この点については後に更に言及する）。
部材１０とチャック板６とを所要とおりに固定した状態
においては、リング部材１０はチャック板６の周囲を囲
繞する。図２に誇張して図示する如く、リング部材１０
の表面、即ちその直立リング部２７の上面は、チャック
板６の表面をｘｍｍだけ越えて上方に突出しており、ｘ
ｍｍは０．５ｍｍ以下、即ちｘ≦０．５であるのが好適
である（この点については後に更に言及する）。
【００１５】上述したとおりのチャックテーブル２を使
用して被加工物である半導体ウエーハ３６の裏面を研磨
する場合、図２に二点鎖線で図示する如く、半導体ウエ
ーハ３６を表裏を反転した状態、即ち研磨すべき裏面を
上方に向けた状態でチャック板６上に載置する。そし
て、吸引手段２４を作動せしめてチャック板６上に半導
体ウエーハ３６を吸着する。チャック板６の表面に密接
せしめられる、半導体ウエーハ３６の表面には、保護の
ために適宜の合成樹脂フィルムを貼着することができ
る。そして、チャックテーブル２を実質上鉛直に延びる
中心軸線を中心として回転せしめながら、半導体ウエー
ハ３６の裏面に二点鎖線で図示する研磨工具３８を作用
せしめる。研磨工具３８は円板形状の支持部材４０とこ
の支持部材４０の下面に固定された研磨手段４２とから
構成されている。研磨手段４２はフェルト中に砥粒を分
散せしめて形成することができる。かような研磨工具３
８は実質上延着に延びる回転軸（図示していない）の下
端に装着され、高速で回転せしめられながら、半導体ウ
エーハ３６の裏面に押圧せしめられる。チャック板６上
に半導体ウエーハ３６を吸着した状態において、半導体
ウエーハ３６の研磨すべき裏面は、リング部材１０の表
面、即ち直立リング部２６の上面と実質上同一平面をな
す或いはそれよりも若干下方に没入して位置せしめられ
るのが好都合である。本発明者の経験によれば、半導体
ウエーハ３６の裏面がリング部材１０の表面を越えて上
方に突出する場合、半導体ウエーハ３６の裏面を研磨工
具３８で研磨すると、半導体ウエーハ３６の裏面におけ
る周縁部が幾分丸みを帯びた状態になり、従ってち半径
方向外方に向かって漸次薄くなり、半導体ウエーハ３６
の周縁部の強度が過小になってしまう傾向がある。一
方、半導体ウエーハ３６の裏面がリング部材１０の表面
よりも過剰に没入せしめられると、研磨工具３８による
研磨が不充分になってしまう。フェルトに砥粒を分散せ
しめて形成された研磨手段を有する研磨工具を使用する
場合、リング部材１０の表面に対する半導体ウエーハ３
６の裏面の没入量が０．５ｍｍ以下であるならば、半導
体ウエーハ３６の裏面を所要とおりに研磨することがで
る。近時においては、裏面を研磨すべき半導体ウエーハ
３６の厚さは５０乃至１００μm 程度であるので、リン
グ部材１０の表面とチャック板６の表面との段差ｘを
０．５ｍｍ以下に設定しておけば、通常、半導体ウエー
ハ３６の裏面の周縁部を丸みを帯びた状態にせしめるこ
となく充分良好に研磨することができる。リング部材１
０の表面とチャック板６の表面との間の段差ｘは、支持
盤８の環状肩面１３とリング部材１０との間に介在せし
める調整ワッシャ３０の交換或いは追加乃減少によって
適宜に調整することができる。
用して被加工物である半導体ウエーハ３６の裏面を研磨
する場合、図２に二点鎖線で図示する如く、半導体ウエ
ーハ３６を表裏を反転した状態、即ち研磨すべき裏面を
上方に向けた状態でチャック板６上に載置する。そし
て、吸引手段２４を作動せしめてチャック板６上に半導
体ウエーハ３６を吸着する。チャック板６の表面に密接
せしめられる、半導体ウエーハ３６の表面には、保護の
ために適宜の合成樹脂フィルムを貼着することができ
る。そして、チャックテーブル２を実質上鉛直に延びる
中心軸線を中心として回転せしめながら、半導体ウエー
ハ３６の裏面に二点鎖線で図示する研磨工具３８を作用
せしめる。研磨工具３８は円板形状の支持部材４０とこ
の支持部材４０の下面に固定された研磨手段４２とから
構成されている。研磨手段４２はフェルト中に砥粒を分
散せしめて形成することができる。かような研磨工具３
８は実質上延着に延びる回転軸（図示していない）の下
端に装着され、高速で回転せしめられながら、半導体ウ
エーハ３６の裏面に押圧せしめられる。チャック板６上
に半導体ウエーハ３６を吸着した状態において、半導体
ウエーハ３６の研磨すべき裏面は、リング部材１０の表
面、即ち直立リング部２６の上面と実質上同一平面をな
す或いはそれよりも若干下方に没入して位置せしめられ
るのが好都合である。本発明者の経験によれば、半導体
ウエーハ３６の裏面がリング部材１０の表面を越えて上
方に突出する場合、半導体ウエーハ３６の裏面を研磨工
具３８で研磨すると、半導体ウエーハ３６の裏面におけ
る周縁部が幾分丸みを帯びた状態になり、従ってち半径
方向外方に向かって漸次薄くなり、半導体ウエーハ３６
の周縁部の強度が過小になってしまう傾向がある。一
方、半導体ウエーハ３６の裏面がリング部材１０の表面
よりも過剰に没入せしめられると、研磨工具３８による
研磨が不充分になってしまう。フェルトに砥粒を分散せ
しめて形成された研磨手段を有する研磨工具を使用する
場合、リング部材１０の表面に対する半導体ウエーハ３
６の裏面の没入量が０．５ｍｍ以下であるならば、半導
体ウエーハ３６の裏面を所要とおりに研磨することがで
る。近時においては、裏面を研磨すべき半導体ウエーハ
３６の厚さは５０乃至１００μm 程度であるので、リン
グ部材１０の表面とチャック板６の表面との段差ｘを
０．５ｍｍ以下に設定しておけば、通常、半導体ウエー
ハ３６の裏面の周縁部を丸みを帯びた状態にせしめるこ
となく充分良好に研磨することができる。リング部材１
０の表面とチャック板６の表面との間の段差ｘは、支持
盤８の環状肩面１３とリング部材１０との間に介在せし
める調整ワッシャ３０の交換或いは追加乃減少によって
適宜に調整することができる。
【００１６】半導体ウエーハ３６の裏面を研磨工具３８
によって研磨すると、半導体ウエーハ３６の裏面と研磨
工具３８の研磨手段４２との摩擦等によって半導体ウエ
ーハ３６が相当加熱されるが、本発明に従って構成され
たチャックテーブル２においては、チャック板６が２０
０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を有する故に、半導体ウエ
ーハ３６からチャック板６を介して支持基台４に熱が良
好に伝導され、半導体ウエーハ３６が過剰に加熱されて
しまうことが効果的に回避される。
によって研磨すると、半導体ウエーハ３６の裏面と研磨
工具３８の研磨手段４２との摩擦等によって半導体ウエ
ーハ３６が相当加熱されるが、本発明に従って構成され
たチャックテーブル２においては、チャック板６が２０
０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を有する故に、半導体ウエ
ーハ３６からチャック板６を介して支持基台４に熱が良
好に伝導され、半導体ウエーハ３６が過剰に加熱されて
しまうことが効果的に回避される。
【００１７】
【発明の効果】本発明のチャックテーブルは、裏面を研
磨すべき半導体ウエーハを吸着するのに好適に使用さ
れ、半導体ウエーハが過剰に加熱されるのを効果的に回
避して、半導体ウエーハの裏面における焼けの発生及び
合成樹脂フィルムの溶解を回避することを可能にする。
磨すべき半導体ウエーハを吸着するのに好適に使用さ
れ、半導体ウエーハが過剰に加熱されるのを効果的に回
避して、半導体ウエーハの裏面における焼けの発生及び
合成樹脂フィルムの溶解を回避することを可能にする。
【図１】本発明に従って構成されたチャックテーブルの
好適実施形態を示す分解斜面図。
好適実施形態を示す分解斜面図。
【図２】図１に示すチャックテーブルの断面図。
２：チャックテーブル
４：支持基台
６：チャック板
８：支持盤
１０：リング部材
２４：吸引手段
３６：半導体ウエーハ（被加工物）
３８：研磨工具
Claims (7)
- 【請求項１】 支持基台と、該支持基台上に装着され、
表面が露呈せしめられるチャック板と、該チャック板の
表面に被加工物を吸着するために、該チャック板を通し
て吸引する吸引手段とを具備するチャックテーブルにし
て、 該チャック板は２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を有す
る、ことを特徴とするチャックテーブル。 - 【請求項２】 該チャック板は重量割合で７５％以上の
炭化珪素を含有する多孔性材料から形成されている、請
求項１記載のチャックテーブル。 - 【請求項３】 該チャック板は粒径が６０乃至１０００
μm である炭化珪素粒に結合材を混合して焼結すること
によって形成されている、請求項２記載のチャックテー
ブル。 - 【請求項４】 結合材は二酸化珪素であり、焼結温度は
１２００乃至１３００℃である、請求項３記載のチャッ
クテーブル。 - 【請求項５】 該チャック板は実質上平坦な表面を有
し、該支持基台は表面に該チャック板が固定される支持
盤と該支持盤上に固定されて該チャック板の周囲を囲繞
するリング部材とを含み、該リング部材の表面は該チャ
ック板の表面よりも０．５ｍｍ以下であるｘｍｍ（ｘｍ
ｍ≦０．５ｍｍ）だけ突出する、請求項１から４までの
いずかに記載のチャックテーブル。 - 【請求項６】 該リング部材は少なくとも１枚の調整ワ
ッシャを介して該支持盤上に固定される、請求項５記載
のチャックテーブル。 - 【請求項７】 被加工物は裏面が研磨工具によって乾式
研磨される半導体ウエーハであり、表面を該チャック板
の表面に密接せしめて該チャック板の表面に吸引され
る、請求項１から６までのいずれかに記載のチャックテ
ーブル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002098401A JP2003291043A (ja) | 2002-04-01 | 2002-04-01 | チャックテーブル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002098401A JP2003291043A (ja) | 2002-04-01 | 2002-04-01 | チャックテーブル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003291043A true JP2003291043A (ja) | 2003-10-14 |
Family
ID=29240408
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002098401A Pending JP2003291043A (ja) | 2002-04-01 | 2002-04-01 | チャックテーブル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003291043A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101166430B1 (ko) | 2010-12-20 | 2012-07-19 | 쿠어스텍아시아 유한회사 | 반도체 웨이퍼 진공 고정용 포러스 척 |
| CN108213993A (zh) * | 2018-03-30 | 2018-06-29 | 科德数控股份有限公司 | 一种卧式五轴加工中心用铣车工作台 |
| KR20240122150A (ko) * | 2023-02-03 | 2024-08-12 | (주)코멕스카본 | 그라파이트 통형 링 부품 가공용 압착 고정 수단 및 이를 이용해 내경과 외경의 치수 정밀도를 향상시킨 그라파이트 통형 링 부품 제조 방법 |
-
2002
- 2002-04-01 JP JP2002098401A patent/JP2003291043A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| CN108213993A (zh) * | 2018-03-30 | 2018-06-29 | 科德数控股份有限公司 | 一种卧式五轴加工中心用铣车工作台 |
| KR20240122150A (ko) * | 2023-02-03 | 2024-08-12 | (주)코멕스카본 | 그라파이트 통형 링 부품 가공용 압착 고정 수단 및 이를 이용해 내경과 외경의 치수 정밀도를 향상시킨 그라파이트 통형 링 부품 제조 방법 |
| KR102794570B1 (ko) | 2023-02-03 | 2025-04-15 | (주)코멕스카본 | 그라파이트 통형 링 부품 가공용 압착 고정 수단 및 이를 이용해 내경과 외경의 치수 정밀도를 향상시킨 그라파이트 통형 링 부품 제조 방법 |
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