JP2003273517A

JP2003273517A - 多層回路基板及びその製造方法

Info

Publication number: JP2003273517A
Application number: JP2002076548A
Authority: JP
Inventors: Kei Nakamura; 圭中村; Satoshi Tanigawa; 聡谷川; Toshikazu Baba; 俊和馬場
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2002-03-19
Filing date: 2002-03-19
Publication date: 2003-09-26

Abstract

(57)【要約】【課題】部品実装時にも高い接続信頼性を有する多層
回路基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る多層回路基板１００は、絶
縁層２の両面に配線回路を構成する導体層１、８が形成
されている。前記両面にそれぞれ形成された各配線回路
は、金属粉末３を分散した半田製導電体９が充填された
ビアホール２ａによって電気的に接続されており、ビア
ホール２ａ内には、前記配線回路を構成する金属と、半
田製導電体９を構成する金属とからなり、部品実装温度
よりも高い溶融温度を有する合金が形成されていること
を特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、配線回路の電気的
接続が、半田製導電体が充填されたビアホールによって
なされた多層回路基板及びその製造方法に関し、特に、
部品実装時にも高い接続信頼性を有する多層回路基板及
びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、多層回路基板の電気的な層間接続
法として、ビアホールを用いた層間接続法が種々知られ
ている。より具体的には、銅粉末や銀粉末等の金属粉末
を樹脂中に分散させたものをビアホール内に充填した
り、銅メッキによってビアホール内を充填する方法が提
案されている。このような背景下、本発明の発明者ら
も、半田製導電体（半田粉末、粘着付与樹脂等から形成
される導電体）をビアホールに充填することにより層間
接続された多層回路基板を提案している。

【０００３】しかしながら、前記半田製導電体がビアホ
ールに充填された多層回路基板に対して、チップ等の部
品を実装する場合、前記半田製導電体に起因した接続不
良が生じる場合がある。これは、部品実装時に、多層回
路基板自体が２５０℃以上の温度に曝されて半田製導電
体が再溶融することにより、ビアホール周辺部の密着力
が不十分である場合、再溶融した半田製導電体が、導体
層と絶縁層との界面に流動して接続不良を招くことが原
因である。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、斯かる従来
技術の問題点を解決するべくなされたものであり、部品
実装時にも高い接続信頼性を有する多層回路基板及びそ
の製造方法を提供することを課題とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】斯かる課題を解決するべ
く、本発明は、請求項１に記載の如く、絶縁層の両面に
配線回路を構成する導体層が形成された多層回路基板で
あって、前記両面にそれぞれ形成された各配線回路は、
金属粉末を分散した半田製導電体が充填されたビアホー
ルによって電気的に接続されており、前記ビアホール内
には、前記配線回路を構成する金属と、半田製導電体を
構成する金属とからなり、部品実装温度よりも高い溶融
温度を有する合金が形成されていることを特徴とする多
層回路基板を提供するものである。

【０００６】請求項１に係る発明は、半田製導電体に金
属粉末（例えばニッケルなど）を分散することにより、
当該金属粉末を核として、配線回路を構成する金属（例
えば銅など）と、半田製導電体を構成する金属（例えば
スズなど）との合金が、ビアホール全体に形成されるこ
とを本発明の発明者らが見出し、完成したものである。
例えば、銅とスズの合金であるＣｕ₆Ｓｎ₅は４１５℃以
上の溶融温度を有し、Ｃｕ₃Ｓｎであればさらに高い溶
融温度を有する。一方、部品実装温度は、半田溶融温度
の近辺とされるのが通常であるため、先に例示した銅と
スズとの合金は、部品実装温度（半田溶融温度）よりも
高い溶融温度であると言える。請求項１に係る発明は、
銅とスズとの合金に限らず、配線回路を構成する金属
と、半田製導電体を構成する金属との合金が、部品実装
温度よりも高い溶融温度を有する限りにおいて、種々の
構成を含むものであり、前記合金が前記金属粉末を核と
してビアホール全体に形成されるため、部品実装時にも
高い接続信頼性を得ることが可能である。

【０００７】好ましくは、請求項２に記載の如く、前記
配線回路を構成する導体層は、銅層とされる。

【０００８】また、ビアホールに充填される半田製導電
体を構成する金属は、その製造工程で溶融し、当該溶融
した金属が配線回路と接触することにより、配線回路を
構成する金属が一部溶融することになる。換言すれば、
配線回路が前記溶融した金属に浸漬されて、当該配線回
路を構成する金属の一部が溶出することになる。溶出し
た金属は、前述のように、ビアホール内に分散された金
属粉末を核として、半田製導電体を構成する金属と合金
を形成する。従って、請求項３に記載の如く、前記配線
回路は、前記合金の形成によって一部侵食された状態と
なる。

【０００９】好ましくは、請求項４に記載の如く、前記
半田製導電体は、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｂｉ及びＺ
ｎから選ばれる少なくとも一種の金属か、若しくは、こ
れらの金属の合金からなる。

【００１０】好ましくは、請求項５に記載の如く、前記
ビアホール内に形成されている合金は、Ｓｎ及びＣｕを
主成分とする合金とされる。

【００１１】好ましくは、請求項６に記載の如く、前記
金属粉末は、融点が３５０℃以上とされる。

【００１２】好ましくは、請求項７に記載の如く、前記
金属粉末は、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃ
ｒ、Ｐｄ、Ｃｏ及びＲｈから選ばれる少なくとも一種の
金属か、若しくは、これらの金属の合金とされる。

【００１３】好ましくは、請求項８に記載の如く、前記
半田製導電体は、半田粉末を含有するペーストの充填及
び熱圧着によって形成される。

【００１４】また、本発明は、請求項１から８のいずれ
かに記載の多層回路基板を製造する方法であって、第１
の導体層の上に開口部を有する熱硬化性接着剤層を形成
する工程、或いは、第１の導体層の上に熱硬化性接着剤
層を形成した後に開口部を形成する工程と、前記開口部
に、半田粉末及び金属粉末を５〜５０℃で充填する工程
と、前記半田粉末及び金属粉末が充填された前記開口部
を含む前記熱硬化性接着剤層の上に第２の導体層を形成
する工程と、前記半田粉末を加熱溶融して、前記第１の
導体層と前記第２の導体層とを電気的に接続する工程と
を含むことを特徴とする多層回路基板の製造方法をも提
供するものである。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しつつ、本
発明に係る多層回路基板の製造方法の一実施形態につい
て説明する。

【００１６】図１は、本発明に係る多層回路基板の製造
方法の一実施形態（本実施形態では両面回路基板の製造
方法）を示す説明図であり、図１（ａ）〜（ｈ）の各々
は、各工程における部材の縦断面図を示す。

【００１７】本実施形態に係る方法では、まず、図１
（ａ）に示すように、第１の導体層１（本実施形態では
銅箔とされており、以下、第１の銅箔１という）の上
に、熱硬化性接着剤層２（以下、適宜熱硬化性接着剤２
という）をＢステージ状態（熱硬化性接着剤が所定の形
状を保持できる程度まで硬化された硬化途中の状態）で
形成した後、図１（ｂ）に示すように、熱硬化性接着剤
層２に開口部２ａを形成する。

【００１８】熱硬化性接着剤２は、配線回路基板の接着
剤層に通常使用され、Ｂステージ状態とすることができ
る限りにおいて、特に制限されるものではなく、例え
ば、アクリル系接着剤、エポキシ系接着剤、アミドイミ
ド系接着剤、ポリイミド系接着剤、及び、これらの熱硬
化性接着剤を混合したものが用いられる。なお、熱硬化
性接着剤２は、その硬化温度が、１００℃以上、好まし
くは、１２５〜２００℃のものが好ましく用いられる。

【００１９】前述のように、第１の銅箔１の上に、熱硬
化性接着剤層２をＢステージ状態で形成するには、例え
ば、熱硬化性接着剤を含む溶液を、第１の銅箔１の上に
塗布した後、加熱して乾燥させると同時にＢステージ状
態とするか、或いは、予めＢステージ状態とされた熱硬
化性接着剤からなる接着シートを第１の銅箔１の上に、
加熱及び／又は加圧することにより積層（仮接着）すれ
ば良い。

【００２０】また、熱硬化性接着剤層２に開口部２ａを
形成するには、例えば、ＹＡＧレーザなどのレーザを用
いて開口し形成すれば良い。開口部２ａの大きさは、例
えば、円形である場合には、その直径が５０〜３００μ
ｍ、好ましくは、５０〜２００μｍとされる。なお、第
１の銅箔１の上に熱硬化性接着剤層２を形成した後に開
口部２ａを形成するのではなく、第１の銅箔１の上に予
め開口部２ａが形成された熱硬化性接着剤層２を形成す
るようにしても良い。この場合には、例えば、熱硬化性
接着剤からなる接着シートに、ドリルやパンチなどを用
いて予め開口部２ａを開口し形成し、これを熱硬化性接
着剤層２として第１の銅箔１の上に積層すれば良い。

【００２１】また、図１（ａ）に示す工程において、熱
硬化性接着剤層２には、第１の銅箔１と接触している表
面と反対側の表面に、後述する金属粉末３及び半田粉末
４の充填工程において半田粉末４が不必要な部分に付着
することを防止するべく、好ましくは、セパレータ５を
積層する。

【００２２】セパレータ５としては、例えば、ポリエス
テル樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリイミド
樹脂などの合成樹脂のフィルムが用いられ、その厚み
は、７．５〜５０μｍとされる。なお、セパレータ５
は、開口部２ａが形成される前の熱硬化性接着剤層２の
表面に貼着しておき、熱硬化性接着剤層２に開口部２ａ
を形成する際に、当該開口部２ａに相当する箇所が同時
に開口されるようにすれば良い。

【００２３】次に、図１（ｃ）に示すように、熱硬化性
接着剤層２の開口部２ａに、所定量で混合した金属粉末
３及び半田粉末４を５〜５０℃で充填する。

【００２４】半田粉末４は、特に制限されるものでは無
いが、例えば、Ｓｎ／Ａｇ、Ｓｎ／Ｃｕ、Ｓｎ／Ｚｎな
どからなる二元系組成や、Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕ、Ｓｎ／Ａ
ｇ／Ｃｕ／Ｂｉなどからなる多元系組成のものを用いる
ことができる。また、半田粉末４の平均粒子径として
は、５０μｍ以下、好ましくは、２０μｍ以下のものが
用いられる。

【００２５】金属粉末３は、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、
Ｆｅ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ｃｏ及びＲｈから選ばれる少
なくとも一種の金属か、若しくは、これらの金属の合金
が好適に用いられる。また、金属粉末３の平均粒子径と
しては、５０μｍ以下、好ましくは、２０μｍ以下のも
のが用いられる。

【００２６】なお、半田粉末４に対する金属粉末３の混
合比は、０．１〜６０重量％とするのが好ましい。この
範囲より小さいと、開口部２ａ内において金属粉末３の
分散性が確保できず、前記範囲より大きいと、金属粉末
３同士の凝集が発生し、半田粉末４同士の溶融一体化を
妨げるからである。

【００２７】熱硬化性接着剤層２の開口部２ａに対して
各粉末を充填するには、まず、半田粉末４及び金属粉末
３を溶剤６に配合して半田ペースト７を調整し、セパレ
ータ５をマスクとして、半田ペースト７を５〜５０℃、
好ましくは、１０〜３０℃、より具体的には、常温下に
おいて、開口部２ａに対して適量（相当量程度）で印刷
すればよい。なお、常温下とは、特に加熱しない室温雰
囲気下のことを意味する。

【００２８】溶剤６としては、特に制限はないが、後述
する乾燥工程において、７５〜２００℃、好ましくは、
７５〜１６０℃の範囲で乾燥除去が可能な溶剤６を選択
することが好ましい。７５℃より低い温度で乾燥可能な
溶剤６を選択すると、半田ペースト７の保存安定性や連
続印刷性が低下する場合があり、２００℃より高い温度
で乾燥可能な溶剤６を選択すると、乾燥工程において熱
硬化性接着剤層２の硬化が進み、後述する第２の導体層
８（本実施形態では銅箔とされており、以下、第２の銅
箔８という）との界面の接着強度が低下する場合がある
からである。

【００２９】より具体的には、溶剤６として、例えば、
脂肪族アルコールに、増粘効果を付与すべく、セルロー
ス系樹脂を添加したもの等が好ましく用いられる。な
お、セルロース系樹脂の添加量は、例えば、半田粉末４
に対して、０．００５〜５体積％程度とされる。半田ペ
ースト７は、例えば、半田粉末４、金属粉末３及び溶剤
６を、その体積比が９：１：１０程度となる割合で混合
することにより調整することができる。

【００３０】次に、図１（ｄ）に示すように、乾燥によ
って溶剤６を除去する。溶剤６の乾燥除去は、前述のよ
うに、７５〜２００℃、好ましくは、７６〜１６０℃の
範囲で所定時間加熱することにより実施される。乾燥時
間は、開口部２ａに対する半田ペースト７の充填量や、
第１の銅箔１のサイズ等に応じて適宜決定される。一般
的に、乾燥時間が短過ぎると、溶剤６が開口部２ａに残
存して、加熱によりアウトガスの発生を招き、導通不良
の要因となる場合がある。また、逆に乾燥時間が長過ぎ
ると、熱硬化性接着剤層２の硬化が進行し、後述する第
２の銅箔８との界面の接着力が低下する場合がある。以
上の観点より、乾燥時間としては、例えば１〜５分程度
にするのが好ましい。斯かる乾燥工程を経て、図１
（ｅ）に示すように、セパレータ５を剥離する。

【００３１】次に、図１（ｆ）に示すように、第２の銅
箔８を別途用意し、当該第２の銅箔８を、金属粉末３及
び半田粉末４が充填された開口部２ａを含む熱硬化性接
着剤層２の上に積層形成する。

【００３２】斯かる積層は、真空熱プレス装置などの加
熱加圧装置を、第１の銅箔１及び第２の銅箔８の両側に
配置して、加圧及び／又は加熱することにより実施すれ
ば良い。加圧及び／又は加熱の条件は、第１の銅箔１や
第２の銅箔８のサイズ等に応じて適宜決定すれば良い
が、加圧条件としては、例えば、１〜１０ＭＰａ、好ま
しくは、３〜５ＭＰａとされ、また、加熱条件として
は、例えば、１６０〜２２５℃、好ましくは、１７５〜
２００℃とされる。これにより、Ｂステージ状態である
熱硬化性接着剤層２が硬化して、第２の銅箔８が熱硬化
性接着剤層２を介して第１の銅箔１に接着積層される。

【００３３】次に、図１（ｇ）に示すように、半田粉末
４を加熱溶融して、互いに対向する第１の銅箔１と第２
の銅箔８とを電気的に接続する半田製導電体９を形成す
る。ここで、半田粉末４の加熱溶融は、使用する半田粉
末４の溶融温度以上に設定すれば良く、この加熱と共
に、１〜１０ＭＰａ、好ましくは、３〜５ＭＰａで加圧
することが好ましい。

【００３４】なお、以上に説明した熱硬化性接着剤層２
の硬化、及び、半田粉末４の加熱溶融は、本実施形態の
ようにそれぞれ別工程として順次行っても良いが、適宣
条件を選択して、同一工程で同時に行うことも可能であ
る。

【００３５】最後に、図１（ｈ）に示すように、通常の
エッチング法によって、第１の銅箔１及び第２の銅箔８
に配線回路を形成することにより、両面の配線回路が、
半田製導電体９が充填された開口部（ビアホール）２ａ
によって電気的に接続された両面回路基板１００を形成
することができる。

【００３６】以上に説明した本実施形態に係る製造方法
により得られた両面回路基板１００の開口部２ａ内に
は、配線回路を構成する金属（銅など）と、半田製導電
体９を構成する金属（スズなど）とからなり、部品実装
温度よりも高い溶融温度を有する合金が形成されると共
に、当該合金が金属粉末３を核として開口部２ａ内全体
に形成されるため、部品実装時にも高い接続信頼性を得
ることが可能である。

【００３７】なお、本実施形態では、第１の銅箔１の上
に第２の銅箔８を積層する態様として説明したが、その
積層数などは何ら限定されるず、例えば、予め配線回路
が形成された２枚の両面回路基板を用意し、これらを積
層すれば、４層回路基板を形成することができる。ま
た、片面回路基板と両面回路基板とを用意し、これらを
積層すれば、３層回路基板を形成することができる。

【００３８】

【実施例】以下、実施例及び比較例を示すことにより、
本発明の特徴とするところをより一層明らかにする。

【００３９】（実施例１）本実施例では、２枚の銅箔１
０、１１（厚み１８μｍ）と、芳香族アミド系接着剤か
らなる接着シート１２とを用意した。

【００４０】図２（ａ）に示すように、銅箔１０の上
に、接着シート１２を、更にその上に、厚み１２μｍの
ポリエチレンナフタレートフィルム１３を、真空プレス
装置を用いて、１５０℃、１．５ＭＰａ、３ｍｉｎの条
件で仮接着した。

【００４１】次に、図２（ｂ）に示すように、銅箔１０
の上に積層された接着シート１２の所定箇所に、ＹＡＧ
レーザを用いて開口部１２ａ（１５０μｍφ）を形成し
た。

【００４２】次に、図２（ｃ）に示すように、開口部１
２ａに、ポリエチレンナフタレートフィルム１３をマス
クとし、スクリーン印刷によってＳｎ／Ａｇ系の半田ペ
ースト１４（平均粒子径１０μｍ）を印刷した後、１６
０℃で５分間乾燥し、半田ペースト１４内に含まれる溶
剤成分を除去した。ここで、半田ぺースト１４として
は、半田粉末としてのＳｎ／Ａｇ粉末、金属粉末として
のＮｉ粉末、アルコール系溶剤及びエチルセルロース
を、体積比４０：１０：４９．５：０．５で配合したも
のを用いた。

【００４３】次に、図２（ｄ）に示すように、ポリエチ
レンナフタレートフィルム１３を剥離した後、開口部１
２ａに半田粉末及びＮｉ粉末が充填された基材１５上
に、銅箔１１を積層し、真空下（１０ｍｍＨｇ以下）に
おいて、加熱加圧（２００℃、３ＭＰａ、３０分間）す
ることにより、これらを一体化させた。なお、この状態
において、接着シート１２は、絶縁層１６となる。

【００４４】次に、図２（ｅ）に示すように、真空加圧
下（１０ｍｍＨｇ以下、３ＭＰａ）において、半田粉末
の溶融温度以上（２５０℃）に昇温し、溶融一体化され
た半田製導電体１７を形成した。

【００４５】最後に、図２（ｆ）に示すように、エッチ
ング法によって、銅箔１０、１１に配線回路１０ａ、１
１ａを形成し、両面回路基板２００を得た。

【００４６】（実施例２）本実施例では、２枚の両面回
路基材１８、１９（商品名「ＥＳＰＡＮＥＸ」、Ｃｕ／
ＰＩ／Ｃｕ＝１８／１３／１８μｍ）と、芳香族アミド
系接着剤からなる接着シート２０とを用意した。

【００４７】図３（ａ）に示すように、両面回路基材１
８の上に、接着シート２０を、更にその上に、厚み１２
μｍのポリエチレンナフタレートフィルム２１を、真空
プレス装置を用いて、１５０℃、１．５ＭＰａ、３ｍｉ
ｎの条件で仮接着した。

【００４８】次に、図３（ｂ）に示すように、両面回路
基材１８の配線回路１８ａ上に積層された接着シート２
０の所定箇所に、ＹＡＧレーザを用いて開口部２０ａ
（１５０μｍφ）を形成した。

【００４９】次に、図３（ｃ）に示すように、開口部２
０ａに、ポリエチレンナフタレートフィルム２１をマス
クとし、スクリーン印刷によってＳｎ／Ａｇ系の半田ペ
ースト２２（平均粒子径１０μｍ）を印刷した後、１６
０℃で５分間乾燥し、半田ペースト２２内に含まれる溶
剤成分を除去した。ここで、半田ペースト２２として
は、半田粉末としてのＳｎ／Ａｇ粉末、金属粉末として
のＮｉ粉末、アルコール系溶剤及びエチルセルロース
を、体積比４０：１０：４９．５：０．５で配合したも
のを用いた。

【００５０】次に、図３（ｄ）に示すように、ポリエチ
レンナフタレートフィルム２１を剥離した後、開口部２
０ａに半田粉末及びＮｉ粉末が充填された両面回路基材
１８と、配線回路１９ａが形成された両面回路基材１９
とを、それぞれ位置合わせして積層し、真空下（１０ｍ
ｍＨｇ以下）で、加熱加圧（２００℃、３ＭＰａ、３０
分間）することにより、これらを一体化させた。なお、
この状態では、接着シート２０は、接着剤層２３とな
る。

【００５１】次に、図３（ｅ）に示すように、真空加圧
下（１０ｍｍＨｇ以下、３ＭＰａ）において、半田粉末
の溶融温度以上（２５０℃）に昇温し、溶融一体化され
た半田製導電体２４を形成した。これにより、２枚の両
面回路基材が積層一体化された４層回路基板２５を得
た。

【００５２】（比較例１）半田ぺーストとして、半田粉
末としてのＳｎ／Ａｇ粉末、アルコール系溶剤及びエチ
ルセルロースを、体積比５０：４９．５：０．５で配合
したものを用いた以外は、実施例１と同様にして、両面
回路基板を作成した。

【００５３】（比較例２）半田ぺーストとして、半田粉
末としてのＳｎ／Ａｇ粉末、アルコール系溶剤及びエチ
ルセルロースを、体積比５０：４９．５：０．５で配合
したものを用いた以外は、実施例２と同様にして、４層
回路基板を作成した。

【００５４】（評価）図４は、実施例１（図４（ａ））
及び実施例２（図４（ｂ））によって得られた回路基板
のビアホール断面写真を示す。また、図５は、比較例１
（図５（ａ））及び比較例２（図５（ｂ））によって得
られた回路基板のビアホール断面写真を示す。

【００５５】図５に示すように、比較例１、２によって
得られたビアホールは、Ｃｕとの接合部位において、Ｓ
ｎ／Ｃｕからなる合金が形成されているものの、バルク
層は、Ｓｎを主体とした半田製導電体で形成されている
ことが観察できた。

【００５６】これに対して、図４に示すように、実施例
１、２によって得られたビアホールは、バルク層におい
てもＳｎ／Ｃｕを主体とした合金が形成されていること
が観察できた。

【００５７】以上の結果を踏まえ、Ｓｎ、及び、Ｓｎ／
Ｃｕの溶融温度をそれぞれ測定したところ、Ｓｎは、２
００〜２２５℃で溶融するのに対して、Ｓｎ／Ｃｕから
なる合金は、４００℃でも溶融が観察されなかった。従
って、斯かる合金がビアホール全体に形成されることに
より、ビアホール内全体の耐熱性が向上するのは明らか
である。

【００５８】さらに、実施例１及び比較例１の両面回路
基板と、実施例２及び比較例２の４層回路基板とを用い
て、吸湿リフロー試験を行った。その結果を表１に示
す。なお、試験条件としては、８５℃６０％ＲＨで１６
８時間吸湿させた後、ＩＲリフロー試験を３回繰り返し
た。リフロー温度は、最高到達温度２６０℃とした。

【表１】

【００５９】表１に示すように、ビアホール内に合金を
形成させた実施例１の両面回路基板と、実施例２の４層
回路基板とは、リフロー試験前後における、ビアホール
内の抵抗値変動が小さいことが分かった。これは、ＩＲ
リフロー試験において、ビアホール内の大部分（合金）
が再溶融しないために、高い接続信頼性が得られたこと
を示すものである。

【００６０】

【発明の効果】以上に説明したように、本発明に係る多
層回路基板は、配線回路を構成する金属と、半田製導電
体を構成する金属とからなり、部品実装温度よりも高い
溶融温度を有する合金が、ビアホール全体に形成される
ため、部品実装時にも高い接続信頼性を得ることができ
るという優れた効果を奏するものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明に係る多層回路基板の製造方
法の一実施形態を示す説明図である。

【図２】図２は、実施例１に係る多層回路基板の製造
方法を示す説明図である。

【図３】図３は、実施例２に係る多層回路基板の製造
方法を示す説明図である。

【図４】図４は、実施例１及び実施例２によって得ら
れた回路基板のビアホール断面写真を示す。

【図５】図５は、比較例１及び比較例２によって得ら
れた回路基板のビアホール断面写真を示す。

【符号の説明】

１・・・第１の銅箔２・・・熱硬化性接着剤層２ａ・・・開口部３・・・金属粉末５・・・セパレータ６・・・溶剤８・・・第２の銅箔９・・・半田製導電体１００・・・両面回路基板

フロントページの続き (72)発明者馬場俊和大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号日東電工株式会社内Ｆターム(参考） 5E317 AA24 BB12 BB18 CC17 CC25 CD32 5E346 AA43 CC08 CC10 CC32 DD12 FF19 GG15 HH07

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁層の両面に配線回路を構成する導体
層が形成された多層回路基板であって、前記両面にそれぞれ形成された各配線回路は、金属粉末
を分散した半田製導電体が充填されたビアホールによっ
て電気的に接続されており、前記ビアホール内には、前記配線回路を構成する金属
と、半田製導電体を構成する金属とからなり、部品実装
温度よりも高い溶融温度を有する合金が形成されている
ことを特徴とする多層回路基板。
【請求項２】前記配線回路を構成する導体層は、銅層
であることを特徴とする請求項１に記載の多層回路基
板。
【請求項３】前記配線回路は、前記合金の形成によっ
て一部侵食されていることを特徴とする請求項１又は２
に記載の多層回路基板。
【請求項４】前記半田製導電体は、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａ
ｇ、Ｃｕ、Ｂｉ及びＺｎから選ばれる少なくとも一種の
金属か、若しくは、これらの金属の合金からなることを
特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の多層回路
基板。
【請求項５】前記ビアホール内に形成されている合金
は、Ｓｎ及びＣｕを主成分とする合金であることを特徴
とする請求項１から４のいずれかに記載の多層回路基
板。
【請求項６】前記金属粉末は、融点が３５０℃以上で
あることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載
の多層回路基板。
【請求項７】前記金属粉末は、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃ
ｕ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ｃｏ及びＲｈから選ばれ
る少なくとも一種の金属か、若しくは、これらの金属の
合金であることを特徴とする請求１から６のいずれかに
記載の多層回路基板。
【請求項８】前記半田製導電体は、半田粉末及び金属
粉末を含有するペーストの充填及び熱圧着によって形成
されていることを特徴とする請求項１から７のいずれか
に記載の多層回路基板。
【請求項９】請求項１から８のいずれかに記載の多層
回路基板を製造する方法であって、第１の導体層の上に開口部を有する熱硬化性接着剤層を
形成する工程、或いは、第１の導体層の上に熱硬化性接
着剤層を形成した後に開口部を形成する工程と、前記開口部に、半田粉末及び金属粉末を５〜５０℃で充
填する工程と、前記半田粉末及び金属粉末が充填された前記開口部を含
む前記熱硬化性接着剤層の上に第２の導体層を形成する
工程と、前記半田粉末を加熱溶融して、前記第１の導体層と前記
第２の導体層とを電気的に接続する工程とを含むことを
特徴とする多層回路基板の製造方法。