JP2003270654A

JP2003270654A - 液晶表示装置

Info

Publication number: JP2003270654A
Application number: JP2002076907A
Authority: JP
Inventors: Shigeki Matsuo; 茂樹松尾; Masaharu Takiyama; 正晴瀧山
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2002-03-19
Filing date: 2002-03-19
Publication date: 2003-09-25

Abstract

(57)【要約】【課題】対向基板側のブラックマトリクスによって、画
素部分の開口率が低下していた。また、反射型の液晶パ
ネルを実現するために、透過型と比較して新しく反射膜
を形成しなければならず、構造が複雑になっていた。【解決手段】複数の画像信号配線と、複数の走査信号配
線とを絶縁膜を介して交差して設け、この画像信号配線
と走査信号配線との交差部に、画素電極とこの画素電極
に画像信号を供給するスイッチング素子とを設け、前記
画素電極とこの画素電極に対向して設けられた対向電極
との間に液晶材料が保持されている液晶表示装置におい
て、前記画素電極の裏面側に前記絶縁膜を介して、前記
画素電極よりも前記画像信号配線側に張り出し、各画素
毎に分離された光反射性の帯状金属膜を設けた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に関
し、特に各画素にスイッチング素子を設けたアクティブ
マトリクス方式の液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】アクティブマトリクス方式の液晶表示装
置は、単純マトリクス方式と比べてコントラストが高
く、多階調表示特性に優れているため、カラー液晶表示
装置では欠かせない技術となっている。特に、スイッチ
ング素子として薄膜トランジスタを使用したアクティブ
マトリクス方式の液晶表示装置は、ＣＲＴと同等の画質
が得られるようになった。また、近年、カラー携帯電話
の普及等から屋外での良好な視認性、低消費消費電力の
特性を併せ持つ反射型、半透過型の液晶表示装置の需要
が拡大している。

【０００３】以下、図面を参照しながら、従来の半透過
型の液晶表示装置を説明する。図１３は、従来の液晶表
示装置の一画素の拡大図、図１４および図１５はそれぞ
れ図１３のＡ−Ａ’線およびＢ−Ｂ’線の断面図であ
る。また、図１６は図１３の液晶表示装置の等価回路図
である。

【０００４】図１３、図１４、図１５、図１６におい
て、５は逆スタガ型の薄膜トランジスタ、１は金属膜よ
りなる走査信号配線およびこの走査信号配線と同時に形
成される薄膜トランジスタのゲート電極（Ｇ）、２は金
属膜と透明導電膜の積層膜よりなる画像信号配線および
薄膜トランジスタ５のソース電極（Ｓ）、３は透明導電
膜よりなる透明画素電極、１４は光反射機能を持つ金属
膜よりなる反射画素電極、６は薄膜トランジスタ５の半
導体膜、８は薄膜トランジスタ５のゲート絶縁膜、９は
絶縁性保護膜、１５は絶縁性有機膜、1０は液晶材料、
１１は透明導電膜よりなる対向電極、７はブラックマト
リクス、７' はブラックマトリクスの開口部、１２、１
３は透明ガラス基板である。

【０００５】ここで、反射画素電極１４は透明画素電極
３の上部に絶縁性保護膜９および絶縁性有機膜１５を介
して設けられており、画素中央部において前記絶縁膜を
除去した領域で透明画素電極３と接続された構造となっ
ている。

【０００６】また、図１２において、Ｃlc は透明画素
電極３および反射画素電極１４と対向電極１１との間の
液晶容量、Ｃs は透明画素電極３と隣接する走査信号配
線１’との間の付加容量である。

【０００７】このアクティブマトリクス方式の半透過型
液晶表示装置によれば、走査信号配線１から供給される
走査信号によって逆スタガ型の薄膜トランジスタ５がス
イッチングされ、画像信号配線２の信号電圧をドレイン
（Ｄ）電極の延長である透明画素電極３および反射画素
電極１４に印加することにより、透明画素電極３および
反射画素電極１４と対向電極１１との間に保持された液
晶材料１０に電圧を印加し、画像の表示を行う。そし
て、反射画素電極１４の領域が反射画像を表示し、反射
画素電極１４の中央部の透過画素電極３の領域が透過画
像を表示する。

【０００８】ここで、付加容量Ｃs は液晶材料１０に印
加する電圧を一定期間保持するための電荷保持用の容量
である。

【０００９】次に従来の他の液晶表示装置の例を示す。
図１７は一画素の拡大図、図１８および図１９はそれぞ
れ図１７のＡ−Ａ’線およびＢ−Ｂ’線の断面図であ
る。また、図１６は図１７の液晶表示装置の等価回路図
である。

【００１０】図１７、図１８、図１９、図１６におい
て、５は逆スタガ型の薄膜トランジスタ、１は金属膜よ
りなる走査信号配線およびこの走査信号配線と同時に形
成される薄膜トランジスタのゲート電極（Ｇ）、２は金
属膜と透明導電膜の積層膜よりなる画像信号配線および
薄膜トランジスタ５のソース電極（Ｓ）、３は透明導電
膜よりなる透明画素電極、４は光反射機能を持つ金属膜
よりなる反射画素電極、６は薄膜トランジスタ５の半導
体膜、８は薄膜トランジスタ５のゲート絶縁膜、９は絶
縁性保護膜、1０は液晶材料、１１は透明導電膜よりな
る対向電極、７はブラックマトリクス、７' はブラック
マトリクスの開口部、１２、１３は透明ガラス基板であ
る。

【００１１】ここで、反射画素電極４は透明画素電極３
の下部にゲート絶縁膜８を介して設けられ、光の反射機
能を有している。

【００１２】また、図１２において、Ｃlc は透明画素
電極３と対向電極１１との間の液晶容量、Ｃs は透明画
素電極３と隣接する走査信号配線１’との間の付加容量
である。

【００１３】このアクティブマトリクス方式の半透過型
液晶表示装置によれば、走査信号配線１から供給される
走査信号によって逆スタガ型の薄膜トランジスタ５がス
イッチングされ、画像信号配線２の信号電圧をドレイン
（Ｄ）電極の延長である透明画素電極３に印加すること
により、透明画素電極３と対向電極１１との間に保持さ
れた液晶材料１０に電圧を印加し、画像の表示を行う。
そして、反射画素電極４の領域が反射画像を表示し、反
射画素電極４の外周部の透過画素電極３の領域が透過画
像を表示する。

【００１４】ここで、付加容量Ｃs は液晶材料１０に印
加する電圧を一定期間保持するための電荷保持用の容量
である。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】図１４に示す従来の半
透過型液晶表示装置では、図１４および図１５に示すよ
うに、極力画素電極を大きくし、明るい液晶表示装置を
実現することを目的に、絶縁性保護膜９の上に厚さ２〜
３μｍの絶縁性有機膜１５を形成し、薄膜トランジスタ
５および画像信号配線２の上部にも反射画素電極１４を
形成した構造である。そのため、画素電極の面積が大き
く、開口率は向上しているが、その反面、絶縁性有機膜
１５の成膜およびパターニング、反射画素電極１４の成
膜およびパターニングというように工程数が大幅に増加
し、生産性および歩留まりを低下させていた。

【００１６】また、図１７に示す従来の半透過型液晶表
示装置では、図１８および図１９に示すように、一般に
画素電極３周辺部の透過光を遮光するために、対向基板
１２側にクロム（Ｃｒ）などの金属膜でブラックマトリ
クス７を形成しており、このブラックマトリクス７が開
口部７'の大きさである画素部分の開口率を低下させて
いた。

【００１７】すなわち、上述した液晶表示装置は、対向
基板１２側にブラックマトリクス７を形成すると、対向
基板１２を含めた開口部は、図１７の点線で示す領域
７'に限られ、画素部分の開口率の向上が図れないとい
う問題があった。

【００１８】特に画素電極３とブラックマトリクス７
は、別の基板１２、１３に形成されているため、両基板
１２、１３の貼り合わせのズレ量をマージンとして、例
えば６〜１０μｍ程度画素電極３の端から画素電極３の
内側に形成する必要があり、画素部分の開口率が大幅に
低下するという問題があった。

【００１９】本発明は、このような従来技術の問題点に
鑑みて完成されたものであり、その目的は、製造プロセ
スを増やすことなく、対向基板側のブラックマトリクス
による開口率の低下を解消した液晶表示装置を提供する
ことにある。

【００２０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に係る本発明の液晶表示装置は、複数の画
像信号配線と、複数の走査信号配線とを絶縁膜を介して
交差して設け、この画像信号配線と走査信号配線との交
差部に、画素電極とこの画素電極に画像信号を供給する
スイッチング素子とを設け、前記画素電極とこの画素電
極に対向して設けられた対向電極との間に液晶材料が保
持されている反射型または半透過型の装置において、前
記画素電極の裏面側に前記絶縁膜を介して、前記画素電
極よりも前記画像信号配線側に張り出し、各画素毎に分
離された光反射性の帯状金属膜を設けたことを特徴とす
る。

【００２１】請求項２に係る本発明の液晶表示装置は、
前記画素電極と前記帯状金属膜との間の重なり容量Ｃps
が前記帯状金属膜と前記対向電極との間の液晶容量Ｃlc
1の２倍以上であることを特徴とする。

【００２２】請求項３に係る本発明の液晶表示装置は、
前記帯状金属膜が前記画像信号配線と垂直方向において
一部重なっていることを特徴とする。

【００２３】請求項４に係る本発明の液晶表示装置は、
前記画素電極と前記帯状金属膜との間の重なり容量をＣ
ps、前記帯状金属膜と前記画像信号配線との間の重なり
容量をＣsd、前記スイッチング素子のゲート電極とドレ
イン電極との間の容量をＣgd、前記画素電極と隣接画素
の走査信号配線との間の重なり容量をＣs 、前記画素電
極と前記対向電極との間の液晶容量をＣlcとしたとき、
（Ｃps・Ｃsd／（Ｃps＋Ｃsd））が、（Ｃlc ＋Ｃs ＋
Ｃgd）の１／５以下であることを特徴とする。

【００２４】請求項５に係る本発明の液晶表示装置は、
前記帯状金属膜が前記走査信号配線と同一材料で形成さ
れ、前記走査信号配線とは分離されていることを特徴と
する。

【００２５】請求項６に係る本発明の液晶表示装置は、
前記スイッチング素子が逆スタガ型薄膜トランジスタで
あることを特徴とする。

【００２６】本発明の液晶表示装置によれば、上記構成
のように、画素電極の裏面側に絶縁膜を介して画素電極
よりも画像信号配線側に張り出した光反射性の帯状金属
膜を設けたことで、この部分での光漏れを発生せず、ま
た、帯状金属膜が反射電極として機能する。これによ
り、この画像信号配線との対峙部分のブラックマトリク
スは不要になるか、もしくは幅狭に形成でき、その結
果、開口率を向上させた反射、半透過型の液晶パネルを
実現することができる。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づき詳細に説明する。図１は本発明に係る液晶
表示装置の実施の一形態を示す画素部分の平面図であ
り、図２は図１のＡ−Ａ’線断面図、図３は図１のＢ−
Ｂ’線断面図、図４は図１の液晶表示装置の等価回路図
である。

【００２８】図１乃至図４において、１は走査信号配
線、２は画像信号配線、３は画素電極、４は光反射機能
を持つ帯状金属膜（反射画素電極）、５は薄膜トランジ
スタから成るスイッチング素子、７はブラックマトリク
ス、８はゲート絶縁膜、９は保護膜、１０は液晶材料、
１１は対向電極、１２、１３は透明ガラス基板である。

【００２９】走査信号配線１と画像信号配線２はそれぞ
れ複数設けられており、この走査信号配線１と画像信号
配線２の各交差部に画素電極３及びスイッチング素子５
が設けられている。

【００３０】スイッチング素子５は、走査信号配線２に
連続して形成されたゲート電極（Ｇ）、ゲート絶縁膜
８、チャネル部となる半導体膜６、画像信号配線２に連
続して形成されたソース電極（Ｓ）及び画素電極３に連
続して形成されたドレイン電極（Ｄ）にて形成される。

【００３１】走査信号配線１及びゲート電極（Ｇ）は、
アルミニウム合金（ＡｌX）やタンタル（Ｔａ）などの
光反射機能を持つ金属膜で形成される。

【００３２】ゲート絶縁膜８は、窒化シリコン（ＳｉＮ
x）、酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）、酸化タンタル（Ｔａ
Ｏx ）などで形成される。

【００３３】半導体膜６はアモルファスシリコン膜など
で形成される。また、画素電極３は、ＩＴＯなどの透明
導電膜で形成される。画像信号配線２、ソース電極
（Ｓ）及びドレイン電極（Ｄ）は、チタン（Ｔｉ）、モ
リブデン（Ｍｏ）、アルミニウム合金（ＡｌX）などの
金属膜２ａとＩＴＯなどの透明導電膜２ｂの積層膜で形
成される。なお、これらの画像信号配線２、ソース電極
（Ｓ）及びドレイン電極（Ｄ）は、金属膜２ａと透明導
電膜２ｂの二層構造とする場合に限らず、金属膜２ｂだ
けの一層構造のものでもよい。

【００３４】本発明の液晶表示装置では、画素電極３の
裏面側に絶縁膜８を介して、この画素電極３よりも画像
信号配線２側に張り出し、各画素毎に分離された光反射
機能を持つ帯状金属膜４、４’が形成されている。この
金属膜４、４’は遮光性を有することから、画素電極３
と画像信号配線２との間で光漏れが発生する隙間が小さ
くなる。したがって、図1、図２、図３に示すように、
画像信号配線２に対峙する部分のブラックマトリクス７
を幅狭にでき、開口部の領域７'が拡大することから、
画素部分の開口率を向上させることができる。

【００３５】また、帯状金属膜が光反射機能を持つこと
により、反射、半透過型液晶表示装置の反射画素電極と
して機能する。

【００３６】このように帯状金属膜４を画素毎に分離す
ると、この金属膜４と他の配線間にショートが発生して
も一画素の点欠陥になるだけであって、他の画素に影響
を及ぼすこともない。

【００３７】ここで、画素電極３と隣接する走査信号配
線１’との間で、液晶材料１０に印加する電圧を一定期
間保持するための付加容量Ｃs が画素電極３と対向電極
１１との間で液晶容量Ｃlc が帯状金属膜４、４’と対
向電極１１との間で液晶容量Ｃlc1、Ｃlc2が、画素電極
３と帯状金属膜４、４’との間の重なり容量Ｃps1 、Ｃ
ps2 がそれぞれ形成され、図４に示すような等価回路と
なる。

【００３８】この場合、画素電極３に印加される電圧を
Ｖp とすると、帯状金属膜４には、Ｃps1 ／（Ｃps1＋
Ｃlc1）×Ｖｐの電圧が印加され、帯状金属膜４’に
は、Ｃps2 ／（Ｃps2＋Ｃlc2）×Ｖpの電圧が印加され
るが、Ｃps1＞２Ｃlc1およびＣps2＞２Ｃlc2の場合、帯
状金属膜４、４’には、２／３・Ｖp〜Ｖpの電圧（画素
電極３に近い電圧）が印加され、画素電極３と帯状金属
膜４、４’との電位差がほぼ無くなり、これにより、帯
状金属膜４、４’も画素電極と同様の機能を持ち、この
部分でのディスクリネーションの発生がない良好な表示
特性が得られる。すなわち、画素電極３と帯状金属膜
４、４’との重なり容量Ｃps1、Ｃps2が帯状金属膜４、
４’と対向電極１１との間の液晶容量Ｃlc1、Ｃlc2の２
倍以上となるように形成すればよい。

【００３９】次に他の実施形態例を述べる。図５、図
６、図７、図８は、他の実施の形態を示す図であり、図
５は一画素の平面図、図６は図5のＡ−Ａ’線断面図、
図７は図６のＢ−Ｂ’線断面図、図８は図５の液晶表示
装置の等価回路図である。

【００４０】図５、図６、図７、図８において、１は走
査信号配線、２は画像信号配線、３は画素電極、４は帯
状金属膜、５は薄膜トランジスタから成るスイッチング
素子、７はブラックマトリクス、８はゲート絶縁膜、９
は保護膜、１０は液晶材料、１１は対向電極、１２、１
３は透明ガラス基板である。

【００４１】この例についても、図１乃至図４に示す実
施例とほぼ同じであるが、この例では、画素電極３の裏
面側に絶縁膜８を介して画像信号配線２側に張り出した
帯状の光反射機能を持つ金属膜４が垂直方向において画
像信号配線２と一部重なって設けられている。

【００４２】この金属膜４は、アルミニウム合金（Ａｌ
X）やタンタル（Ｔａ）などから成り、光反射機能およ
び透過光遮光性を有する。また、画像信号配線２もチタ
ン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム合金
（ＡｌX）などの金属膜２ａとＩＴＯなどの透明導電膜
２ｂで形成され、遮光性を有する。

【００４３】したがって、図５、図６、図７に示すよう
に、画像信号配線２に対峙する部分のブラックマトリク
ス７をより幅狭にでき、開口部の領域７'がさらに拡大
することで、画素部分の開口率を大幅に向上させること
ができる。

【００４４】帯状金属膜４と画像信号配線２の一部を垂
直方向に重ねた場合、画素電極３と画像信号配線２間の
クロストークは、画素電極３と帯状金属膜４間の容量Ｃ
ps（Ｃps1 、Ｃps2 ）と、帯状金属膜４と画像信号配線
２間の容量Ｃsd（Ｃsd1 、Ｃsd2 ）との直列の容量、す
なわち（Ｃps×Ｃsd／（Ｃps＋Ｃsd））に比例するが、
画素電極３と対向電極１１との間の液晶容量をＣLC1 、
画素電極３と隣接する走査信号配線１’との間の付加容
量をＣs 、スイッチング素子５のゲート電極（Ｇ）とド
レイン電極（Ｄ）間の容量をＣgdとしたときに、上述の
（Ｃps×Ｃsd／（Ｃps＋Ｃsd））を（Ｃlc＋Ｃs ＋Ｃg
d）の１／５以下にすることにより、クロストークが殆
ど発生しない良好な表示装置となる。

【００４５】また、帯状金属膜４を走査信号と同一材料
で形成すると、製造工程を全く煩雑化させることなく帯
状金属膜を形成できるという点で好適である。

【００４６】さらに、画素電極３の左右方向で光の漏れ
量が異なるように液晶の配向方向を設定した場合は、画
素電極３の片側のみに帯状金属膜４を設けてもよい。

【００４７】図９、図１０、図１１、図１２にて、さら
に他の実施の形態を示す。図９は一画素の平面図、図１
０は図９のＡ−Ａ’線断面図、図１１は図９のＢ−Ｂ’
線断面図、図１２は図９の液晶表示装置の等価回路図で
ある。

【００４８】この例においても、図１乃至図４に示す例
とほぼ同じであるが、本例では、画素電極３の裏面側に
絶縁膜８を介して画像信号配線２側に張り出した２個の
帯状の光反射機能を持つ金属膜４、４'が一つに接続さ
れている。

【００４９】なお、本例では画素電極３と帯状の光反射
機能を持つ金属膜４、４'がゲート絶縁膜８を介して絶
縁されていたが、部分的にゲート絶縁膜８を除去し、画
素電極３と帯状の光反射機能を持つ金属膜４、４'を接
続してもなんら問題はない。

【００５０】

【発明の効果】以上のとおり、本発明の液晶表示装置に
よれば、画素電極の裏面側に絶縁膜を介して、この画素
電極よりも画像信号配線側に張り出し、各画素毎に分離
された光反射性の帯状金属膜を設けたことで、画像信号
配線と画素電極間の漏れ光を削減でき、この部分のブラ
ックマトリクスを削減でき、その結果、画素部分の開口
率が向上した。

【００５１】また、本発明によれば、帯状金属膜が光反
射機能を持つことで、帯状金属膜が反射画素電極として
機能し、開口率を向上させた反射、半透過型の液晶パネ
ルを実現することができた。

【００５２】さらにまた、本発明によれば、帯状金属膜
は周辺の配線と接続されずに独立していることから、こ
の帯状金属膜による画素電極の負荷容量の増加や周辺配
線の負荷容量の増加は殆どなく、大画面化した場合の液
晶パネルの容量増加がなく、高速動作が可能な低消費電
力の液晶パネルが実現できた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の液晶表示装置の一画素の拡大図であ
る。

【図２】図１のＡ−Ａ’線断面図である。

【図３】図１のＢ−Ｂ’線断面図である。

【図４】図１に示す液晶表示装置の等価回路図である。

【図５】本発明の他の液晶表示装置を示す拡大図であ
る。

【図６】図５のＡ−Ａ’線断面図である。

【図７】図５のＢ−Ｂ’線断面図である。

【図８】図５に示す液晶表示装置の等価回路図である。

【図９】本発明のさらに他の液晶表示装置の拡大図であ
る。

【図１０】図９のＡ−Ａ’線断面図である。

【図１１】図９のＢ−Ｂ’線断面図である。

【図１２】図９に示す液晶表示装置の等価回路図であ
る。

【図１３】従来の液晶表示装置の一画素の拡大図であ
る。

【図１４】図１３のＡ−Ａ’線断面図である。

【図１５】図１３のＢ−Ｂ’線断面図である。

【図１６】図１３と図１７に示す液晶表示装置の等価回
路図である。

【図１７】他の従来の液晶表示装置の一画素の拡大図で
ある。

【図１８】図１７のＡ−Ａ’線断面図である。

【図１９】図１７のＢ−Ｂ’線断面図である。

【符号の説明】

１・・・走査信号配線、２・・・画像信号配線、３・・
・画素電極、４・・・帯状の光反射機能を持つ金属膜、
５・・・スイッチング素子、７・・・ブラックマトリク
ス、８・・・ゲート絶縁膜、９・・・保護膜、１０・・
・液晶材料、１１・・・対向電極、１２、１３・・・透
明ガラス基板、１４・・・金属膜、１５・・・絶縁性有
機膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 2H042 DA02 DA12 DA22 2H091 FA14Y FA35Y FB08 FD04 FD06 GA02 LA12 LA13 LA16 LA17 LA18 2H092 GA17 GA24 GA25 JA24 JB07 JB24 JB26 JB31 JB33 JB35 JB51 JB52 JB54 JB61 JB64 JB68 JB69 NA01 NA07 NA29

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の画像信号配線と、複数の走査信号配
線とを絶縁膜を介して交差して設け、この画像信号配線
と走査信号配線との交差部に、画素電極とこの画素電極
に画像信号を供給するスイッチング素子とを設け、前記
画素電極とこの画素電極に対向して設けられた対向電極
との間に液晶材料が保持されている液晶表示装置におい
て、前記画素電極の裏面側に前記絶縁膜を介して、前記
画素電極よりも前記画像信号配線側に張り出し、各画素
毎に分離された光反射性の帯状金属膜を設けたことを特
徴とする反射型または半透過型の液晶表示装置。
【請求項２】前記画素電極と前記帯状金属膜との間の重
なり容量Ｃpsが前記帯状金属膜と前記対向電極との間の
液晶容量Ｃlc1の２倍以上であることを特徴とする請求
項１に記載の反射型または半透過型の液晶表示装置。
【請求項３】前記帯状金属膜が前記画像信号配線と垂直
方向において一部重なっていることを特徴とする請求項
１に記載の反射型または半透過型の液晶表示装置。
【請求項４】前記画素電極と前記帯状金属膜との間の重
なり容量をＣps、前記帯状金属膜と前記画像信号配線と
の間の重なり容量をＣsd、前記スイッチング素子のゲー
ト電極とドレイン電極との間の容量をＣgd、前記画素電
極と隣接画素の走査信号配線との間の重なり容量をＣs
、前記画素電極と前記対向電極との間の液晶容量をＣl
cとしたとき、（Ｃps・Ｃsd／（Ｃps＋Ｃsd））が、
（Ｃlc ＋Ｃs＋Ｃgd）の１／５以下であることを特徴と
する請求項３に記載の反射型または半透過型の液晶表示
装置。
【請求項５】前記帯状金属膜が前記走査信号配線と同一
材料で形成され、前記走査信号配線とは分離されている
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の反射型
または半透過型の液晶表示装置。
【請求項６】前記スイッチング素子が逆スタガ型薄膜ト
ランジスタであることを特徴とする請求項１乃至請求項
５に記載の反射型または半透過型の液晶表示装置。