JP2003264122A

JP2003264122A - 可変容量素子

Info

Publication number: JP2003264122A
Application number: JP2002063141A
Authority: JP
Inventors: Yasuo Fujii; 康生藤井; Shinji Kobayashi; 真司小林; Hiroshi Kawai; 浩史川合; Koji Takemura; 光司竹村; Yoshihiro Konaka; 義宏小中
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2002-03-08
Filing date: 2002-03-08
Publication date: 2003-09-19
Anticipated expiration: 2022-03-08
Also published as: JP3783635B2

Abstract

(57)【要約】【課題】電極の設計の自由度を高める。【解決手段】基板２上には高周波信号が導通する線路
３を形成する。基板２の上方側には基板２と間隔を介し
て線路３の少なくとも一部分に対向させて可動体６を配
置する。この可動体６の基板対向面にはコプレーナー線
路３に対向する可動電極８を形成する。また、可動体６
には可動体変位用可動側電極１０を形成し、この可動体
変位用可動側電極１０と間隔を介して対向する可動体変
位用固定側電極１１を設ける。可動体変位用可動側電極
１０と可動体変位用固定側電極１１間の直流電圧印加に
よる静電引力によって可動体６が変位して、可動電極８
と線路３間の静電容量が可変する。可動電極８と可動体
変位用可動側電極１０を別々に設けたので、可動電極８
の機能と可動体変位用可動側電極１０の機能とを兼用す
る電極を設ける場合に比べて、電極設計の自由度が向上
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高周波回路に組み
込まれる可変容量素子に関するものである。

【０００２】

【背景技術】図４（ａ）には可変容量素子であるシャン
トスイッチ素子の一例が断面図により簡略化されて示さ
れている。このシャントスイッチ素子３０は誘電体から
成る基板３１を有し、この基板３１上にはコプレーナー
線路３２が形成されている。このコプレーナー線路３２
は高周波信号を通電する線路であり、３本の線路３３g
1，３３ｓ，３３g2が基板３１上に間隔を介し並設され
て構成されている。その真ん中の線路３３ｓは信号線路
と成し、信号線路３３ｓの両側の線路３３g1，３３g2は
グランド線路と成している。

【０００３】コプレーナー線路３２上には、電極ブリッ
ジ３４が、その両端をそれぞれグランド線路３３g1，３
３g2に接合させ信号線路３３ｓの上方側を跨ぐ形態で配
置されている。図４（ｂ）にはコプレーナー線路３２と
電極ブリッジ３４を図４（ａ）の上方側から見た図が模
式的に示されている。

【０００４】このシャントスイッチ素子３０を構成する
信号線路３３ｓと電極ブリッジ３４間に直流電圧を印加
すると、信号線路３３ｓと電極ブリッジ３４間に静電引
力が発生する。この結果、発生した静電引力により、電
極ブリッジ３４が信号線路３３ｓに引き寄せられ、電極
ブリッジ３４と、コプレーナー線路３２の信号線路３３
ｓとの間の静電容量が変化する。

【０００５】ところで、コプレーナー線路３２と電極ブ
リッジ３４の等価回路は図４（ｃ）の如く表すことがで
きる。この図４（ｃ）において、符号Ｃは信号線路３３
ｓと電極ブリッジ３４間の静電容量を示し、符号Ｌは電
極ブリッジ３４が持つインダクタンス成分を示し、符号
Ｒは電極ブリッジ３４が持つ抵抗成分を示している。

【０００６】信号線路３３ｓと電極ブリッジ３４間の間
隔が狭くて当該信号線路３３ｓと電極ブリッジ３４間の
静電容量Ｃが大きくなると、図４（ｃ）のＬＣ直列回路
の自己共振周波数が低下する。ＬＣ直列回路の自己共振
周波数において、そのＬＣ直列回路のインピーダンスは
最低となる。これにより、信号線路３３ｓから電極ブリ
ッジ３４を介してグランド線路３３g1，３３g2側を見た
ときにＬＣ直列回路の自己共振周波数において高周波的
に短絡した状態となって、コプレーナー線路３２（信号
線路３３ｓ）の高周波信号の導通がオフする。

【０００７】また、信号線路３３ｓと電極ブリッジ３４
間の間隔が広くて当該信号線路３３ｓと電極ブリッジ３
４間の静電容量Ｃが小さくなると、図４（ｃ）のＬＣ直
列回路の自己共振周波数が上昇する。この結果、信号線
路３３ｓから電極ブリッジ３４を介してグランド線路３
３g1，３３g2側を見たときに高周波的にオープンとなっ
て、コプレーナー線路３２の高周波信号の導通がオンす
る。

【０００８】このシャントスイッチ素子３０では、前述
したように、電極ブリッジ３４を変位させて当該電極ブ
リッジ３４と信号線路３３ｓ間の静電容量Ｃを可変する
ことにより、コプレーナー線路３２の高周波信号の導通
オン・オフを制御することができる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】このシャントスイッチ
素子３０の構成では、電極ブリッジ３４は、駆動用固定
電極と対を成して静電引力を発生させるための駆動電極
としての機能と、信号線路３３ｓと対を成して図４
（ｃ）に示すＬＣ直列回路の自己共振周波数を決定する
ための静電容量用の電極としての機能とを兼用してい
る。

【００１０】しかしながら、コプレーナー線路３２を導
通する信号が例えばミリ波帯などの高周波信号の場合、
前述の如く静電容量変化を利用したＬＣ直列回路の自己
共振周波数の変化によってコプレーナー線路３２の高周
波信号の導通オン・オフを精度良く行うためには、電極
ブリッジ３４の電極面を小さく形成する必要がある。一
方、そのように電極ブリッジ３４を小さく形成すると、
当該電極ブリッジ３４を変位させるための静電引力を発
生させるためには、電極ブリッジ３４と駆動用固定電極
間に大きな直流電圧を印加しなければならない。しか
し、低い直流電圧で電極ブリッジ３４を変位させること
が望ましいので、変位駆動の面から見ると、電極ブリッ
ジ３４は大きく形成することが好ましい。

【００１１】このように、高周波信号の導通オン・オフ
制御に適した電極ブリッジ３４の大きさと、電極ブリッ
ジ３４自体の変位に適した電極ブリッジ３４の大きさと
にずれがあることから、電極ブリッジ３４の設計が難し
いという問題がある。

【００１２】この発明は上記課題を解決するために成さ
れたものであり、その目的は、電極設計の自由度を向上
させることができる可変容量素子を提供することにあ
る。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は次に示す構成をもって前記課題を解決す
るための手段としている。すなわち、第１の発明は、基
板と、この基板上に形成される高周波信号導通部と、基
板の上方側に基板と間隔を介して配置され高周波信号導
通部の少なくとも一部分に対向する可動体と、この可動
体に形成され高周波信号導通部に対向する可動電極とを
有し、前記基板上には可動体に対向する領域に可動体変
位用固定側電極が高周波信号導通部と間隔を介して形成
されており、前記可動体は、高周波信号に対して絶縁性
を有する半導体又は絶縁体により構成され、この可動体
の基板対向面には、前記基板上の可動体変位用固定側電
極に対向する可動体変位用可動側電極が前記可動電極と
間隔を介して形成されており、それら可動体変位用可動
側電極と可動体変位用固定側電極は、当該可動体変位用
可動側電極と可動体変位用固定側電極間の直流電圧印加
による静電引力によって可動体を基板側に変位させて、
可動体に形成されている可動電極と、基板上の高周波信
号導通部との間の静電容量を可変する容量可変手段を構
成していることを特徴としている。

【００１４】第２の発明は、第１の発明の構成を備え、
可動体の上方側に間隔を介して上部部材が配置されてお
り、可動体変位用可動側電極を可動体の基板対向面に設
けるのに代えて、可動体変位用可動側電極は可動体の上
部部材対向面に形成され、また、可動体変位用固定側電
極を基板に設けるのに代えて、可動体変位用固定側電極
は、上部部材に、可動体変位用可動側電極に対向して形
成されており、それら可動体変位用可動側電極と可動体
変位用固定側電極は、当該可動体変位用可動側電極と可
動体変位用固定側電極間の直流電圧印加による静電引力
によって可動体を上部部材側に変位させて、可動体に形
成されている可動電極と、基板上の高周波信号導通部と
の間の静電容量を可変する容量可変手段を構成している
ことを特徴としている。

【００１５】第３の発明は、第１又は第２の発明の構成
を備え、高周波信号導通部は、コプレーナー線路とマイ
クロストリップ線路のうちの一方側と成し、可変容量素
子は、可動電極と高周波信号導通部間の静電容量変化を
利用して高周波信号導通部であるコプレーナー線路又は
マイクロストリップ線路の信号の導通オン・オフを制御
するシャントスイッチ素子であることを特徴としてい
る。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下に、この発明に係る実施形態
例を図面に基づいて説明する。

【００１７】図１（ａ）には可変容量素子であるシャン
トスイッチ素子の第１実施形態例が模式的な断面図によ
り示されている。

【００１８】第１実施形態例のシャントスイッチ素子１
は、誘電体から成る基板２を有し、この基板２上にはコ
プレーナー線路３が形成されている。コプレーナー線路
３は、前述したと同様に、例えば５ＧHz以上の高周波信
号が導通する高周波信号通電部として機能する線路であ
り、３本の線路４g1，４ｓ，４g2が基板２上に間隔を介
し並設されている。真ん中の線路４ｓは信号線路であ
り、この信号線路４ｓの両側の線路４g1，４g2はグラン
ド線路である。

【００１９】また、基板２上には、例えばガラスから成
る上部部材５が、コプレーナー線路３の上方側を間隔を
介して覆うように配置されている。この上部部材５と基
板２は基板２の端縁部において接合している。この上部
部材５と基板２との間の間隙には、可動体６が、コプレ
ーナー線路３の一部分に間隔を介し対向して設けられて
いる。この可動体６は支持部７を介して上部部材５に支
持されている。可動体６は、絶縁体、又は、高周波信号
に対しては絶縁性を示すＳｉやＧａＡｓ等の高抵抗（例
えば抵抗率が1000Ωcm以上、かつ、10000Ωcmの範囲
内）の半導体により構成されている。

【００２０】可動体６の基板対向面６ａには、可動電極
８が、コプレーナー線路３の一方側のグランド電極４g1
から信号線路４ｓを介し他方側のグランド電極４g2にか
けて当該線路４g1，４ｓ，４g2の一部分に対向して形成
されている。また、可動体６の上部部材対向面６ｂには
可動体変位用可動側電極１０が形成されている。図１
（ｂ）には、それらコプレーナー線路３と可動電極８と
可動体変位用可動側電極１０を図１（ａ）の上方側から
見た配置関係例が模式図により示されている。

【００２１】さらに、上部部材５には、可動体変位用固
定側電極１１が、可動体変位用可動側電極１０と対向し
て形成されている。さらにまた、上部部材５にはスルー
ホール１２が形成されており、このスルーホール１２を
介して可動体変位用可動側電極１０と可動体変位用固定
側電極１１は、それぞれ、外部と導通することが可能と
なっている。

【００２２】外部からスルーホール１２を利用して可動
体変位用可動側電極１０と可動体変位用固定側電極１１
間に直流電圧（例えば５Ｖ程度の直流電圧）が印加され
ると、当該可動体変位用可動側電極１０と可動体変位用
固定側電極１１間に静電引力が発生し、当該静電引力に
よって可動体６が上部部材５側に引き寄せられる。これ
により、コプレーナー線路３の信号線路４ｓと可動電極
８間の間隔が広がって当該信号線路４ｓと可動電極８間
の静電容量Ｃが小さくなる。すなわち、この第１実施形
態例では、可動体変位用可動側電極１０と可動体変位用
固定側電極１１は、可動体６を変位させてコプレーナー
線路３の信号線路４ｓと可動電極８との間の静電容量Ｃ
を可変する容量可変手段を構成している。

【００２３】この第１実施形態例のシャントスイッチ素
子１では、可動体変位用可動側電極１０と可動体変位用
固定側電極１１から成る容量可変手段によって、可動体
６が上部部材５側に変位してコプレーナー線路３と可動
電極８間の静電容量Ｃが小さくなると、この静電容量Ｃ
の変化によって信号線路４ｓから可動電極８を介してグ
ランド線路４g1，４g2を見たときのインピーダンスが大
きくなり、信号線路４ｓから可動電極８を介してグラン
ド側を見たときに高周波的にオープンとなる。これによ
り、コプレーナー線路３（信号線路４ｓ）の信号導通が
オンする。

【００２４】反対に、可動体変位用可動側電極１０と可
動体変位用固定側電極１１間の静電引力が無くなると、
可動体６は図１（ａ）のような位置に配置されてコプレ
ーナー線路３と可動電極８間の静電容量Ｃが大きくなっ
て、信号線路４ｓは可動電極８を介してグランド側と高
周波的にショートする。これにより、コプレーナー線路
３（信号線路４ｓ）の信号導通がオフする。

【００２５】この第１実施形態例では、可動電極８は、
コプレーナー線路３を流れる高周波信号の周波数を考慮
して、可動電極８と信号線路４ｓ間の静電容量変化によ
り精度良くコプレーナー線路３の信号導通のオン・オフ
を行うことができるための電極面の大きさを有してい
る。また、可動体変位用可動側電極１０は、可動電極８
よりも大きな電極面を有し、低い直流電圧でもって可動
体６を上部部材５側に静電引力によって変位させること
ができるようになっている。

【００２６】この第１実施形態例によれば、コプレーナ
ー線路３の信号導通のオン・オフを制御するための可動
電極８と、可動体６を変位させるための可動体変位用可
動側電極１０とを別々に形成したので、可動電極８と可
動体変位用可動側電極１０をそれぞれ独立に設計するこ
とができる。これにより、図４に示されるシャントスイ
ッチ素子３０の如く可動電極８の機能と可動体変位用可
動側電極１０の機能とを兼用する電極ブリッジ３４が設
けられる場合と比べて、電極設計の自由度を格段に向上
させることができる。

【００２７】よって、可動電極８は、コプレーナー線路
３の信号の周波数を考慮して当該高周波信号の導通オン
・オフを精度良く行うことができる適切な大きさを持つ
ことができる。また、可動体変位用可動側電極１０は、
低い直流電圧でもって可動体６を静電引力により変位さ
せることができる適切な大きさを持つことができる。す
なわち、少ない消費電力でコプレーナー線路３の信号導
通のオン・オフを精度良く制御することができるシャン
トスイッチ素子１を提供することが容易となる。

【００２８】また、図４に示すシャントスイッチ素子３
０では、電極ブリッジ３４自体が撓み変位するので、電
極ブリッジ３４は金属疲労を起こし易かったが、この第
１実施形態例では、可動電極８や可動体変位用可動側電
極１０とは別に可動体６が設けられており、この可動体
６の変位に伴って可動電極８と可動体変位用可動側電極
１０が変位する構成であるので、可動電極８や可動体変
位用可動側電極１０の金属疲労を抑制することができ
る。また、可動体６を柔軟性を持つ材料により構成する
ことによって、可動体６の変位による劣化を抑制するこ
とができる。これにより、この第１実施形態例の構成で
は、シャントスイッチ素子１の耐久性を向上させること
ができる。

【００２９】以下に、第２実施形態例を説明する。な
お、この第２実施形態例の説明では、第１実施形態例と
同一構成部分には同一符号を付し、その共通部分の重複
説明は省略する。

【００３０】この第２実施形態例では、図２に示される
ように、可動体６の上面に可動体変位用可動側電極１０
を設けるのに代えて、可動体変位用可動側電極１０（１
０ａ，１０ｂ）が可動体６の基板対向面に可動電極８と
間隔を介して形成されている。また、基板２上には、可
動体変位用固定側電極１１（１１ａ，１１ｂ）が可動体
変位用可動側電極１０（１０ａ，１０ｂ）に対向させ、
かつ、コプレーナー線路３と間隔を介して形成されてい
る。さらに、基板２には固定部１３（１３ａ，１３ｂ）
が可動体６を挟み込むようにして配設されており、可動
体６は梁１４（１４ａ，１４ｂ）を介し固定部１３に支
持されている。

【００３１】第１実施形態例では、可動体変位用固定側
電極１１を可動体６の上方側に配置するために、上部部
材５を可動体６の上方側に配設していたが、この第２実
施形態例では、可動体変位用固定側電極１１は基板２上
に形成する構成であるために、上部部材５を設けなくと
も済む。このことから、この第２実施形態例では、上部
部材５が省略されている。これにより、シャントスイッ
チ素子１の構造および製造工程の簡略化を図ることがで
きる。

【００３２】また、上部部材５を省略することができ、
さらに、可動体変位用可動側電極１０と可動体変位用固
定側電極１１から成る容量可変手段の静電引力によって
可動体６は上方側には変位しない構成であるので、シャ
ントスイッチ素子１の低背化を図ることができる。

【００３３】上記以外の構成は、第１実施形態例と同様
である。

【００３４】この第２実施形態例においても、第１実施
形態例と同様に、可動体変位用可動側電極１０と可動体
変位用固定側電極１１間に直流電圧を印加すると、当該
直流電圧に起因した静電引力が可動体変位用可動側電極
１０と可動体変位用固定側電極１１間に発生する。この
静電引力によって可動体６が基板２側に引き寄せられ
る。この可動体６の変位によって、可動電極８とコプレ
ーナー線路３間の間隔が狭くなって当該可動電極８とコ
プレーナー線路３間の静電容量Ｃが大きくなる。これに
より、可動電極８とコプレーナー線路３間が高周波的に
ショートしてコプレーナー線路３の信号導通がオフす
る。このように可動体６の変位による可動電極８とコプ
レーナー線路３間の静電容量Ｃの変化によって、コプレ
ーナー線路３の高周波信号の導通オン・オフが制御され
る。

【００３５】なお、この発明は第１や第２の実施形態例
に限定されるものではなく、様々な実施の形態を採り得
る。例えば、第１や第２の実施形態例では、高周波信号
導通部としてコプレーナー線路３を例にして説明した
が、コプレーナー線路３に代えて、マイクロストリップ
線路を設けてもよい。

【００３６】また、第１や第２の実施形態例の構成に加
えて、対向し合うコプレーナー線路３の表面と可動電極
８の表面のうちの少なくとも一方側に保護用の例えばＳ
ｉＮ等の絶縁膜を形成してもよい。

【００３７】さらに、第２実施形態例に示した図２の構
成では、上部部材５が省略されていたが、低背化を気に
しない場合などの場合には、可動体６やコプレーナー線
路３等の保護を図る観点から、第１実施形態例に示すよ
うに、基板２の上方側に上部部材５を設けてもよい。

【００３８】さらに、第１や第２の実施形態例では、シ
ャントスイッチ素子１はいわゆる並列スイッチであった
が、図３に示すような直列スイッチを構成してもよい。
つまり、図３において、コプレーナー線路３の信号線路
４ｓには分断部１５が形成されており、この分断部１５
の両端の線路部分に共通に対向するように可動電極８が
配置されている。なお、この場合、可動電極８は、グラ
ンド線路４g1，４g2には対向していない。

【００３９】この構成では、可動電極８と、分断部１５
の両端の線路部分との間隔が狭くなり、当該可動電極８
と、分断部１５の両端の線路部分との間の静電容量が大
きくなって、可動電極８と、分断部１５の両端の線路部
分とが高周波的にショートすると、高周波信号は可動電
極８を介して信号線路４ｓを流れ当該信号線路４ｓの信
号導通がオンする。また反対に、可動電極８と、分断部
１５の両端の線路部分との間の間隔が広くなり、当該可
動電極８と、分断部１５の両端の線路部分との間の静電
容量が小さなって、可動電極８と、分断部１５の両端の
線路部分とが高周波的にオープンになると、信号線路４
ｓの高周波信号の導通はオフする。

【００４０】さらに、第１や第２の実施形態例では、シ
ャントスイッチ素子を例にして説明したが、本発明は、
例えば、高周波回路に組み込まれて可変コンデンサとし
て機能する可変容量素子にも適用することができるもの
である。

【００４１】

【発明の効果】この発明によれば、高周波信号導通部と
対を成して当該高周波信号導通部との間に静電容量を発
生させる可動電極と、この可動電極が設けられている可
動体を静電引力を利用して変位させるための可動体変位
用可動側電極とを別々に設ける構成とした。

【００４２】従来では、高周波信号導通部との間に静電
容量を生じさせるための電極（つまり、可動電極）とし
ての機能と、当該電極を変位させるための電極（つま
り、可動体変位用可動側電極）としての機能とを兼用す
る電極（電極ブリッジ）が設けられる構成であった。こ
の電極ブリッジの設計には、それら両方の機能を果たす
ための制約が多く、電極設計の自由度が低いものであっ
た。

【００４３】これに対して、この発明では、それら機能
をそれぞれ別々の可動電極、可動体変位用可動側電極に
持たせる構成としたので、それら可動電極と可動体変位
用可動側電極とをそれぞれ独立に設計することができる
こととなり、電極設計の自由度を高めることができる。

【００４４】また、従来の電極ブリッジは、当該電極ブ
リッジ自体を撓み変形させることで、高周波信号導通部
と電極ブリッジ間の静電容量を可変する構成であったた
めに、電極ブリッジの金属疲労が発生し易かった。これ
に対して、この発明では、可動電極および可動体変位用
可動側電極は可動体に形成され、また、その可動体は金
属以外の例えば柔軟性と絶縁性を持つ材料により構成す
ることが可能である。このことから、可動体の変位によ
る劣化や、可動電極や可動体変位用可動側電極の金属疲
労が起こりにくく、これにより、可変容量素子の耐久性
を高めることができる。

【００４５】さらに、可動体変位用可動側電極が可動体
の基板対向面に形成され、また、可動体変位用固定側電
極が基板上に形成されているものにあっては、可動体変
位用固定側電極を可動体の上方側に配置するための上部
部材を設けなくとも済むので、上部部材を省略すること
ができる。これにより、可変容量素子の構造および製造
工程の簡略化を図ることができる。

【００４６】また、そのように上部部材を省略すること
ができ、さらに、可動体は、可動体変位用可動側電極と
可動体変位用固定側電極間の静電引力によって基板側に
変位するものであり、静電引力によって基板から離れる
上方側に変位するものではないので、可変容量素子の低
背化を図ることができる。

【００４７】高周波信号導通部がコプレーナー線路又は
マイクロストリップ線路であり、可変容量素子はシャン
トスイッチ素子であるものにあっては、高周波信号導通
部の信号導通オン・オフを精度良く制御するためには、
可動電極は、高周波信号導通部を流れる高周波信号の高
い周波数に応じて電極面を小さく形成することが好まし
い。一方、可動体を低い電圧で変位させるためには、可
動体変位用可動側電極と可動体変位用固定側電極の対向
し合う電極面を大きく形成することが好ましい。

【００４８】この発明では、可動電極と、可動体変位用
可動側電極とを独立して設計することができるので、高
周波信号導通部の信号導通のオン・オフ制御に適した大
きさに可動電極を適切に設計でき、かつ、この可動電極
とは別に、可動体の変位駆動に適した大きさに可動体変
位用可動側電極を適切に設計することができる。これに
より、低い電圧供給で精度良く高周波信号の導通オン・
オフを制御できる性能の高いシャントスイッチ素子を提
供することが容易となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施形態例の可変容量素子であるシャント
スイッチ素子を説明するための図である。

【図２】第２実施形態例を説明するための模式的な断面
図である。

【図３】その他の実施形態例を説明するための図であ
る。

【図４】従来例を説明するための図である。

【符号の説明】

１シャントスイッチ素子２基板３コプレーナー線路５上部部材６可動体８可動電極１０可動体変位用可動側電極１１可動体変位用固定側電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者川合浩史京都府長岡京市天神二丁目26番10号株式会社村田製作所内 (72)発明者竹村光司京都府長岡京市天神二丁目26番10号株式会社村田製作所内 (72)発明者小中義宏京都府長岡京市天神二丁目26番10号株式会社村田製作所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板と、この基板上に形成される高周波
信号導通部と、基板の上方側に基板と間隔を介して配置
され高周波信号導通部の少なくとも一部分に対向する可
動体と、この可動体に形成され高周波信号導通部に対向
する可動電極とを有し、前記基板上には可動体に対向す
る領域に可動体変位用固定側電極が高周波信号導通部と
間隔を介して形成されており、前記可動体は、高周波信
号に対して絶縁性を有する半導体又は絶縁体により構成
され、この可動体の基板対向面には、前記基板上の可動
体変位用固定側電極に対向する可動体変位用可動側電極
が前記可動電極と間隔を介して形成されており、それら
可動体変位用可動側電極と可動体変位用固定側電極は、
当該可動体変位用可動側電極と可動体変位用固定側電極
間の直流電圧印加による静電引力によって可動体を基板
側に変位させて、可動体に形成されている可動電極と、
基板上の高周波信号導通部との間の静電容量を可変する
容量可変手段を構成していることを特徴とする可変容量
素子。
【請求項２】可動体の上方側に間隔を介して上部部材
が配置されており、可動体変位用可動側電極を可動体の
基板対向面に設けるのに代えて、可動体変位用可動側電
極は可動体の上部部材対向面に形成され、また、可動体
変位用固定側電極を基板に設けるのに代えて、可動体変
位用固定側電極は、上部部材に、可動体変位用可動側電
極に対向して形成されており、それら可動体変位用可動
側電極と可動体変位用固定側電極は、当該可動体変位用
可動側電極と可動体変位用固定側電極間の直流電圧印加
による静電引力によって可動体を上部部材側に変位させ
て、可動体に形成されている可動電極と、基板上の高周
波信号導通部との間の静電容量を可変する容量可変手段
を構成していることを特徴とする請求項１記載の可変容
量素子。
【請求項３】高周波信号導通部は、コプレーナー線路
とマイクロストリップ線路のうちの一方側と成し、可変
容量素子は、可動電極と高周波信号導通部間の静電容量
変化を利用して高周波信号導通部であるコプレーナー線
路又はマイクロストリップ線路の信号の導通オン・オフ
を制御するシャントスイッチ素子であることを特徴とす
る請求項１又は請求項２記載の可変容量素子。