JP2003224162A - 超音波フリップチップ実装方法および装置 - Google Patents
超音波フリップチップ実装方法および装置Info
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
- H01L2224/113—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector
- H01L2224/1133—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form
- H01L2224/1134—Stud bumping, i.e. using a wire-bonding apparatus
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01021—Scandium [Sc]
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】超音波振動に起因するICチップや回路基板の
ダメージを軽減する。 【解決手段】ICチップの電極に形成した先端の尖った
形状のバンプを、回路基板の電極に位置合わせして超音
波接合する超音波フリップチップ実装方法であって、前
記回路基板の電極に対する前記バンプの加圧力を時間の
経過に伴い増大させる一方、接合部に加える超音波振動
の振幅を、前記加圧力の増大に応じて減少させることを
特徴とする超音波フリップチップ実装方法および装置。
ダメージを軽減する。 【解決手段】ICチップの電極に形成した先端の尖った
形状のバンプを、回路基板の電極に位置合わせして超音
波接合する超音波フリップチップ実装方法であって、前
記回路基板の電極に対する前記バンプの加圧力を時間の
経過に伴い増大させる一方、接合部に加える超音波振動
の振幅を、前記加圧力の増大に応じて減少させることを
特徴とする超音波フリップチップ実装方法および装置。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】ICチップを単体(ベアチッ
プ)の状態で回路基板に実装する場合に、ICチップの
電極に形成したバンプを回路基板の電極に押圧しつつ超
音波振動を与えて接合する超音波フリップチップ実装方
法と、装置とに関するものである。
プ)の状態で回路基板に実装する場合に、ICチップの
電極に形成したバンプを回路基板の電極に押圧しつつ超
音波振動を与えて接合する超音波フリップチップ実装方
法と、装置とに関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、モバイル情報通信関連商品等にお
いては、回路実装基板のよりいっそうの小型、軽量、高
周波化による高性能化と、コストダウンとが切望されて
いる。そのため、ICと回路基板の直接実装が可能なフ
リップチップ実装が有効となる。中でも超音波振動を利
用した金属拡散接合は、低接続抵抗、高接合強度、短時
間接合等の特徴があり、ますます注目を集めている。
いては、回路実装基板のよりいっそうの小型、軽量、高
周波化による高性能化と、コストダウンとが切望されて
いる。そのため、ICと回路基板の直接実装が可能なフ
リップチップ実装が有効となる。中でも超音波振動を利
用した金属拡散接合は、低接続抵抗、高接合強度、短時
間接合等の特徴があり、ますます注目を集めている。
【0003】ここで図4、図5および図6に基づいて従
来の超音波フリップチップ実装方法を説明する。図4は
ICチップの電極に対するワイヤボンディング工法を利
用したバンプの形成方法を示す。まず、図4(a)にお
いて、キャピラリ201に保持された金ワイヤ202の
先端に放電作用によりボール203を形成し、キャピラ
リ201を矢印アの方向に移動させることによりボール
203をICチップ204の電極205に押圧し接合す
る。
来の超音波フリップチップ実装方法を説明する。図4は
ICチップの電極に対するワイヤボンディング工法を利
用したバンプの形成方法を示す。まず、図4(a)にお
いて、キャピラリ201に保持された金ワイヤ202の
先端に放電作用によりボール203を形成し、キャピラ
リ201を矢印アの方向に移動させることによりボール
203をICチップ204の電極205に押圧し接合す
る。
【0004】この接合には熱圧着あるいはこれに超音波
振動を加える方法がある。さらに図4(b)で示すよう
に、金ワイヤ202と共にキャピラリ201を矢印イの
方向に移動させることにより金ワイヤ202を引きちぎ
り、電極205上にバンプ206を形成する。このよう
にして形成されたバンプ206は先端206Aが尖った
鋲状の形態を呈する。
振動を加える方法がある。さらに図4(b)で示すよう
に、金ワイヤ202と共にキャピラリ201を矢印イの
方向に移動させることにより金ワイヤ202を引きちぎ
り、電極205上にバンプ206を形成する。このよう
にして形成されたバンプ206は先端206Aが尖った
鋲状の形態を呈する。
【0005】図5は従来の一般的な超音波フリップチッ
プ実装装置の主要部を示す。図6はその接合過程を説明
する図である。まず、前述した方法でバンプ206が形
成されたICチップ204をバンプ206の形成面を下
にして、接合ツール先端101にエア流路10を利用し
て発生させた負圧により吸着保持する。
プ実装装置の主要部を示す。図6はその接合過程を説明
する図である。まず、前述した方法でバンプ206が形
成されたICチップ204をバンプ206の形成面を下
にして、接合ツール先端101にエア流路10を利用し
て発生させた負圧により吸着保持する。
【0006】さらにステージ103上に回路基板104
を載置し、ICチップ204に形成されたバンプ206
と回路基板104上の電極105とを位置合わせしたの
ち、接合ツール101を加圧手段1により矢印エの方向
に下降させる。この結果バンプ206の先端206Aが
電極105に当接し、先端206Aが僅かにつぶれる。
ここで超音波発振器106は電気エネルギーを振動子1
07に出力し、振動子107は前記電気エネルギーを機
械的な超音波振動に変換する。
を載置し、ICチップ204に形成されたバンプ206
と回路基板104上の電極105とを位置合わせしたの
ち、接合ツール101を加圧手段1により矢印エの方向
に下降させる。この結果バンプ206の先端206Aが
電極105に当接し、先端206Aが僅かにつぶれる。
ここで超音波発振器106は電気エネルギーを振動子1
07に出力し、振動子107は前記電気エネルギーを機
械的な超音波振動に変換する。
【0007】さらに前記超音波振動は超音波ホーン10
8により矢印ウ方向の縦波として伝達され、これに連結
あるいは形成された接合ツール101に所定の超音波振
動を与える。このようにして、接合部に回路基板104
の表面と平行方向の超音波振動を付与し、同時に回路基
板104の表面に対して垂直に押圧する矢印エ方向の加
圧力を加える。さらにこの接合部を所定の温度に加熱し
ておくことでバンプ206は図6(a)から図6(b)
のように変形しながら電極105に接合する。
8により矢印ウ方向の縦波として伝達され、これに連結
あるいは形成された接合ツール101に所定の超音波振
動を与える。このようにして、接合部に回路基板104
の表面と平行方向の超音波振動を付与し、同時に回路基
板104の表面に対して垂直に押圧する矢印エ方向の加
圧力を加える。さらにこの接合部を所定の温度に加熱し
ておくことでバンプ206は図6(a)から図6(b)
のように変形しながら電極105に接合する。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】ここで接合初期の段
階、つまり図6(a)の段階においては、回路基板10
4の表面と平行方向の超音波振動が加わったとしても、
バンプ206の細く突出した部分の撓み変形により超音
波振動の過剰な振幅成分は吸収される。
階、つまり図6(a)の段階においては、回路基板10
4の表面と平行方向の超音波振動が加わったとしても、
バンプ206の細く突出した部分の撓み変形により超音
波振動の過剰な振幅成分は吸収される。
【0009】しかし、その後矢印エ方向の加圧力を増加
させつつ接合が進行し、バンプ206の形状が図6
(b)のようにつぶれた状態になったときには、バンプ
206におけるあらゆる高さでの水平断面の面積が大き
くなり、前記したバンプ206の撓み変形がほぼ生じな
くなる。
させつつ接合が進行し、バンプ206の形状が図6
(b)のようにつぶれた状態になったときには、バンプ
206におけるあらゆる高さでの水平断面の面積が大き
くなり、前記したバンプ206の撓み変形がほぼ生じな
くなる。
【0010】このとき超音波振動は、バンプ206と回
路基板104の電極105との接合面、バンプ206と
ICチップ204の電極205との接合面、さらには回
路基板104本体と電極105との接合面、およびIC
チップ204本体と電極205との接合面に対して剪断
力を加えることになる。
路基板104の電極105との接合面、バンプ206と
ICチップ204の電極205との接合面、さらには回
路基板104本体と電極105との接合面、およびIC
チップ204本体と電極205との接合面に対して剪断
力を加えることになる。
【0011】また前記4箇所の接合面には、前記剪断力
に加えて、バンプ206の高さ方向の軸心が傾斜しよう
とする力が各接合面に与えるモーメントとなり、特に各
電極の端部では引き剥がし力と押圧力が繰り返し加えら
れることになる。
に加えて、バンプ206の高さ方向の軸心が傾斜しよう
とする力が各接合面に与えるモーメントとなり、特に各
電極の端部では引き剥がし力と押圧力が繰り返し加えら
れることになる。
【0012】したがって、矢印エ方向の加圧力が増大し
バンプ206がつぶれた状態においては、超音波振動の
過剰振幅成分はICチップ204と回路基板104の両
電極部にダメージを与える危険因子となる他、せっかく
進行したバンプ206と電極105との接合面や予め接
合していたバンプ206と電極205との接合面にも悪
影響を与える。
バンプ206がつぶれた状態においては、超音波振動の
過剰振幅成分はICチップ204と回路基板104の両
電極部にダメージを与える危険因子となる他、せっかく
進行したバンプ206と電極105との接合面や予め接
合していたバンプ206と電極205との接合面にも悪
影響を与える。
【0013】前記した超音波振動の過剰振幅成分による
悪影響は従来の技術では、図5で示す接合ツール101
の吸着面とICチップ204の上面である被吸着面の滑
り作用により回避するしかなかった。前記吸着面と被吸
着面間には矢印エ方向の加圧力により摩擦力が発生する
が、この摩擦力は前記吸着面と被吸着面双方の摩擦係数
と前記加圧力により左右されるため、ワークであるIC
チップ204のバンプ数、あるいはバンプ206の形状
や大きさに応じてコントロールすることが困難であっ
た。
悪影響は従来の技術では、図5で示す接合ツール101
の吸着面とICチップ204の上面である被吸着面の滑
り作用により回避するしかなかった。前記吸着面と被吸
着面間には矢印エ方向の加圧力により摩擦力が発生する
が、この摩擦力は前記吸着面と被吸着面双方の摩擦係数
と前記加圧力により左右されるため、ワークであるIC
チップ204のバンプ数、あるいはバンプ206の形状
や大きさに応じてコントロールすることが困難であっ
た。
【0014】また接合の繰り返しによる摩耗で前記摩擦
係数が変化するため、長期間摩擦力を一定に保つのが困
難であり、更には矢印エ方向の加圧力が増大するのに伴
ってバンプがつぶれ、超音波振動の過剰振幅成分を吸収
する作用として前記吸着面の滑りに依存する割合が高ま
るのに対して、吸着面の摩擦力は前記加圧力の増大に伴
って増大し滑りにくくなるため、接合の進行に伴う時間
の経過において両者は理想と逆方向の相対的変化を示
す。
係数が変化するため、長期間摩擦力を一定に保つのが困
難であり、更には矢印エ方向の加圧力が増大するのに伴
ってバンプがつぶれ、超音波振動の過剰振幅成分を吸収
する作用として前記吸着面の滑りに依存する割合が高ま
るのに対して、吸着面の摩擦力は前記加圧力の増大に伴
って増大し滑りにくくなるため、接合の進行に伴う時間
の経過において両者は理想と逆方向の相対的変化を示
す。
【0015】つまり、前記加圧力が増大しても前記吸着
面の滑り量が減少しないという、従来から一般に見られ
る超音波接合の現象は、吸着面の摩擦力の増大にもかか
わらず吸着面に滑りを生じさせ得る力でもって、ICチ
ップ204や回路基板104の電極部、更にはバンプ2
06と電極の接合面に機械的負荷(ダメージ)を与えて
いることになる。
面の滑り量が減少しないという、従来から一般に見られ
る超音波接合の現象は、吸着面の摩擦力の増大にもかか
わらず吸着面に滑りを生じさせ得る力でもって、ICチ
ップ204や回路基板104の電極部、更にはバンプ2
06と電極の接合面に機械的負荷(ダメージ)を与えて
いることになる。
【0016】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、ICチップ204の電極205や回路基板
104の電極105、加えてバンプ206と両電極20
5,105との接合面に対して与えるダメージを低減す
ることで不良率の低い接合を実現することにより、信頼
性の高い超音波フリップチップ実装方法および装置を提
供することを目的とする。
れたもので、ICチップ204の電極205や回路基板
104の電極105、加えてバンプ206と両電極20
5,105との接合面に対して与えるダメージを低減す
ることで不良率の低い接合を実現することにより、信頼
性の高い超音波フリップチップ実装方法および装置を提
供することを目的とする。
【0017】
【課題を解決するための手段】本発明は、ICチップの
電極に形成した先端の尖った形状のバンプを、回路基板
の電極に位置合わせして超音波接合する超音波フリップ
チップ実装方法であって、第1の態様として、前記回路
基板の電極に対する前記バンプの加圧力を時間の経過に
伴い増大させる一方、接合部に加える超音波振動の振幅
を、前記加圧力の増大に応じて減少させることを特徴と
する超音波フリップチップ実装方法を提供する。
電極に形成した先端の尖った形状のバンプを、回路基板
の電極に位置合わせして超音波接合する超音波フリップ
チップ実装方法であって、第1の態様として、前記回路
基板の電極に対する前記バンプの加圧力を時間の経過に
伴い増大させる一方、接合部に加える超音波振動の振幅
を、前記加圧力の増大に応じて減少させることを特徴と
する超音波フリップチップ実装方法を提供する。
【0018】第2の態様として、接合部に加える超音波
振動の振幅を、前記加圧力に基づいて制御することを特
徴とする第1の態様として記載の超音波フリップチップ
実装方法を提供する。
振動の振幅を、前記加圧力に基づいて制御することを特
徴とする第1の態様として記載の超音波フリップチップ
実装方法を提供する。
【0019】第3の態様として、前記バンプの加圧力を
時間の経過に基づいて制御する一方、接合部に加える超
音波振動の振幅を、前記加圧力と対応付けられた前記時
間の経過に基づいて制御することを特徴とする第1の態
様として記載の超音波フリップチップ実装方法を提供す
る。
時間の経過に基づいて制御する一方、接合部に加える超
音波振動の振幅を、前記加圧力と対応付けられた前記時
間の経過に基づいて制御することを特徴とする第1の態
様として記載の超音波フリップチップ実装方法を提供す
る。
【0020】第4の態様として、接合部に加える超音波
振動の振幅を、前記加圧力の増大に伴って変化する前記
バンプの変形量に基づいて制御することを特徴とする第
1の態様として記載の超音波フリップチップ実装方法を
提供する。
振動の振幅を、前記加圧力の増大に伴って変化する前記
バンプの変形量に基づいて制御することを特徴とする第
1の態様として記載の超音波フリップチップ実装方法を
提供する。
【0021】第5の態様として、接合部に加える超音波
振動の振幅を、前記加圧力の増大に応じて、ほぼ連続的
に減少させることを特徴とする第1から第4のいずれか
の態様として記載の超音波フリップチップ実装方法を提
供する。
振動の振幅を、前記加圧力の増大に応じて、ほぼ連続的
に減少させることを特徴とする第1から第4のいずれか
の態様として記載の超音波フリップチップ実装方法を提
供する。
【0022】第6の態様として、回路基板の電極に対す
るバンプの加圧力は、時間経過に対してほぼ連続的に増
大する第1から第5のいずれかの態様として記載の超音
波フリップチップ実装方法を提供する。
るバンプの加圧力は、時間経過に対してほぼ連続的に増
大する第1から第5のいずれかの態様として記載の超音
波フリップチップ実装方法を提供する。
【0023】第7の態様として、バンプは、ボンディン
グワイヤの先端に放電作用によって形成したボールをI
Cチップの電極に加圧あるいは加圧に超音波振動を付加
して接合した後、ワイヤを引きちぎることにより形成さ
れる第1から第6のいずれかの態様として記載の超音波
フリップチップ実装方法を提供する。
グワイヤの先端に放電作用によって形成したボールをI
Cチップの電極に加圧あるいは加圧に超音波振動を付加
して接合した後、ワイヤを引きちぎることにより形成さ
れる第1から第6のいずれかの態様として記載の超音波
フリップチップ実装方法を提供する。
【0024】第8の態様として、ICチップの電極に形
成した先端が尖った形状のバンプを、回路基板の電極に
位置合わせして超音波接合する超音波フリップチップ実
装装置であって、回路基板を載置し保持するステージ
と、ICチップをそのバンプを前記回路基板の電極に位
置合わせして保持する接合ツールと、この接合ツールを
介して、前記バンプに前記回路基板の電極に対する加圧
力を発生させる加圧手段と、前記接合ツールに振動子の
超音波振動を伝達する超音波ホーンと、前記振動子を駆
動する超音波発振器と、前記加圧手段による加圧力を時
間の経過に伴い増大させる一方、超音波振動の振幅を前
記加圧力の増大に応じて減少させるように前記超音波発
振器を制御するコントローラとを備えることを特徴とす
る超音波フリップチップ実装装置を提供する。
成した先端が尖った形状のバンプを、回路基板の電極に
位置合わせして超音波接合する超音波フリップチップ実
装装置であって、回路基板を載置し保持するステージ
と、ICチップをそのバンプを前記回路基板の電極に位
置合わせして保持する接合ツールと、この接合ツールを
介して、前記バンプに前記回路基板の電極に対する加圧
力を発生させる加圧手段と、前記接合ツールに振動子の
超音波振動を伝達する超音波ホーンと、前記振動子を駆
動する超音波発振器と、前記加圧手段による加圧力を時
間の経過に伴い増大させる一方、超音波振動の振幅を前
記加圧力の増大に応じて減少させるように前記超音波発
振器を制御するコントローラとを備えることを特徴とす
る超音波フリップチップ実装装置を提供する。
【0025】
【発明の実施の形態】図1は本発明の1実施形態を示す
超音波フリップチップ実装装置の斜視図である。図1に
おいて、回路基板104はステージ103に載置され図
示しない保持手段により位置ずれしないように保持され
る。また、ICチップ204は超音波ホーン108に具
設された接合ツール101の吸着面に、エア流路10を
利用して発生させた負圧により吸着保持される。
超音波フリップチップ実装装置の斜視図である。図1に
おいて、回路基板104はステージ103に載置され図
示しない保持手段により位置ずれしないように保持され
る。また、ICチップ204は超音波ホーン108に具
設された接合ツール101の吸着面に、エア流路10を
利用して発生させた負圧により吸着保持される。
【0026】回路基板104上の電極105とICチッ
プ204の下面に形成してある図示しないバンプ206
を位置合わせしたのち、制御部2から加圧手段1に指令
が発せられ、接合ツール101の下降に伴ってICチッ
プ204が下降する。
プ204の下面に形成してある図示しないバンプ206
を位置合わせしたのち、制御部2から加圧手段1に指令
が発せられ、接合ツール101の下降に伴ってICチッ
プ204が下降する。
【0027】やがてバンプ206の先端が電極105に
当接し、その後加圧手段1が更に加圧力を増大させると
共に制御部2から発振器106に指令が発せられ、発振
器106は超音波振動の電気エネルギーを振動子107
に出力する。
当接し、その後加圧手段1が更に加圧力を増大させると
共に制御部2から発振器106に指令が発せられ、発振
器106は超音波振動の電気エネルギーを振動子107
に出力する。
【0028】振動子107は入力された電気エネルギー
を機械的な超音波振動に変換して超音波ホーン108に
出力する。超音波ホーン108はこの超音波振動を接合
ツール101に伝達し、バンプ206と電極105は矢
印エ方向の圧力が加えられると共に回路基板104の表
面と平行方向の超音波振動が加えられる。
を機械的な超音波振動に変換して超音波ホーン108に
出力する。超音波ホーン108はこの超音波振動を接合
ツール101に伝達し、バンプ206と電極105は矢
印エ方向の圧力が加えられると共に回路基板104の表
面と平行方向の超音波振動が加えられる。
【0029】このときの加圧力と超音波振動の振幅と時
間との関係を図2に示す。まずバンプ206の先端が電
極105表面に接触した時点Taにおいては、1バンプ
あたりの加圧力Paはゼロである。その後加圧力を増加
させることにより尖ったバンプの先端が所定量(約20
μm)つぶれる。圧力特性Qで示すように、この時刻T
b加圧力Pbの状態で、全てのバンプが電極105に当
接し先端が若干つぶれた状態となり、超音波接合の開始
準備が整う。このPbを第1設定荷重とする。
間との関係を図2に示す。まずバンプ206の先端が電
極105表面に接触した時点Taにおいては、1バンプ
あたりの加圧力Paはゼロである。その後加圧力を増加
させることにより尖ったバンプの先端が所定量(約20
μm)つぶれる。圧力特性Qで示すように、この時刻T
b加圧力Pbの状態で、全てのバンプが電極105に当
接し先端が若干つぶれた状態となり、超音波接合の開始
準備が整う。このPbを第1設定荷重とする。
【0030】その後第1設定荷重Pbから更に加圧力を
ほぼ連続的に増大させるのであるが、本実施例では加圧
力がほぼ増減しない時間帯TRが存在する。この時間T
Rは加圧力Pbをトリガーとして、加圧力制御系を高速
圧力制御系に切換えるために設けている時間帯であり、
バンプ206と電極105の接触当初から接合終了まで
制御系を切換えない場合には必要ないものである。
ほぼ連続的に増大させるのであるが、本実施例では加圧
力がほぼ増減しない時間帯TRが存在する。この時間T
Rは加圧力Pbをトリガーとして、加圧力制御系を高速
圧力制御系に切換えるために設けている時間帯であり、
バンプ206と電極105の接触当初から接合終了まで
制御系を切換えない場合には必要ないものである。
【0031】圧力特性Qが第1設定荷重Pbから第2設
定荷重Pcに向けて上昇し始めたのち、時刻Tcにおい
て超音波振動の印加を開始する。このときの振幅が最大
設定振幅Scであるのは、接合面の超音波振動による摩
擦熱を利用しバンプ206の接合面を短時間で加熱する
目的に基づいている。またこの時、過剰振幅成分が存在
してもバンプ先端の細く突出した部分の撓み変形で吸収
されるため、ICチップ204と回路基板104の両電
極部に対して大きなダメージを与える心配はない。
定荷重Pcに向けて上昇し始めたのち、時刻Tcにおい
て超音波振動の印加を開始する。このときの振幅が最大
設定振幅Scであるのは、接合面の超音波振動による摩
擦熱を利用しバンプ206の接合面を短時間で加熱する
目的に基づいている。またこの時、過剰振幅成分が存在
してもバンプ先端の細く突出した部分の撓み変形で吸収
されるため、ICチップ204と回路基板104の両電
極部に対して大きなダメージを与える心配はない。
【0032】また本実施例では時刻Tcにおいて、超音
波振動の振幅が2値的な立ち上がり方をしているが、こ
れが振幅特性Vで示すような連続的に振幅を増加させる
ような立ち上がりでも良いし、図示しないが段階的に振
幅Scに立ち上がっていく設定を行っても良い。
波振動の振幅が2値的な立ち上がり方をしているが、こ
れが振幅特性Vで示すような連続的に振幅を増加させる
ような立ち上がりでも良いし、図示しないが段階的に振
幅Scに立ち上がっていく設定を行っても良い。
【0033】その後接合が進行し加圧力(特性Q)の増
加と共にバンプが変形しつぶれていくが、第2設定荷重
Pcに近づいた時点Tdにおいて超音波振動を振幅特性
Aのように振幅Sbに切換える。従来の振幅特性Wのよ
うに接合が終了するまで最大設定振幅Scを維持するの
ではなく、振幅を小さくすることにより過剰振幅成分の
発生を抑える。(請求項1)
加と共にバンプが変形しつぶれていくが、第2設定荷重
Pcに近づいた時点Tdにおいて超音波振動を振幅特性
Aのように振幅Sbに切換える。従来の振幅特性Wのよ
うに接合が終了するまで最大設定振幅Scを維持するの
ではなく、振幅を小さくすることにより過剰振幅成分の
発生を抑える。(請求項1)
【0034】ここで、振幅特性Aのように2段階あるい
は3段階以上にして段階的に振幅を減少させる方法のほ
か、振幅特性Bのように一定の変化率で減少させる方法
や振幅特性Cのように2次曲線等の関数曲線に沿うよう
に減少させる方法をとって、振幅を連続的に減少させる
方法も有効である。(請求項5)
は3段階以上にして段階的に振幅を減少させる方法のほ
か、振幅特性Bのように一定の変化率で減少させる方法
や振幅特性Cのように2次曲線等の関数曲線に沿うよう
に減少させる方法をとって、振幅を連続的に減少させる
方法も有効である。(請求項5)
【0035】前述したように加圧力の増大に応じて超音
波振動の振幅を減少させる方法として、次の方法が可能
である。第1には図1で示すように、加圧手段の下にロ
ードセル等の圧力センサ3を設け、これから加圧力を制
御部2にフィードバックすることにより、加圧力に基づ
いた超音波振動の振幅制御を行う。(請求項2)
波振動の振幅を減少させる方法として、次の方法が可能
である。第1には図1で示すように、加圧手段の下にロ
ードセル等の圧力センサ3を設け、これから加圧力を制
御部2にフィードバックすることにより、加圧力に基づ
いた超音波振動の振幅制御を行う。(請求項2)
【0036】第2には図2で示すように、加圧力の制御
を接合工程において経過する時間に基づいて行い、この
加圧力と対応付けられた時間に基づいて超音波振動の振
幅制御を行う。(請求項3)
を接合工程において経過する時間に基づいて行い、この
加圧力と対応付けられた時間に基づいて超音波振動の振
幅制御を行う。(請求項3)
【0037】第3には図1で示すように、モータである
加圧手段1にあるエンコーダ4から得られる位置(高
さ)情報により、バンプの変形量の最も主要な要素であ
るつぶれ量を制御部2にフィードバックし、このつぶれ
量に基づいて超音波振動の振幅制御を行う。図3にこの
場合の高さ特性Hと超音波振動の振幅制御との関係を示
す。(請求項4)
加圧手段1にあるエンコーダ4から得られる位置(高
さ)情報により、バンプの変形量の最も主要な要素であ
るつぶれ量を制御部2にフィードバックし、このつぶれ
量に基づいて超音波振動の振幅制御を行う。図3にこの
場合の高さ特性Hと超音波振動の振幅制御との関係を示
す。(請求項4)
【0038】
【発明の効果】本発明によれば、加圧力の増大に応じて
超音波振動の振幅を減少させることにより、接合が進行
することによりつぶれたバンプが超音波振動の過剰振幅
成分を吸収できなくなり、ICチップ204や回路基板
104の電極部にダメージを与えることを防ぎ、接合の
工程での歩留まりを向上させ、信頼性の高いフリップチ
ップ実装を実現することが可能となる。(請求項1)
超音波振動の振幅を減少させることにより、接合が進行
することによりつぶれたバンプが超音波振動の過剰振幅
成分を吸収できなくなり、ICチップ204や回路基板
104の電極部にダメージを与えることを防ぎ、接合の
工程での歩留まりを向上させ、信頼性の高いフリップチ
ップ実装を実現することが可能となる。(請求項1)
【0039】また発明の詳細な説明で示した鋲状バンプ
に限らず、あらゆる製法で形成されたミクロな目で見て
複数の尖った先端を有するバンプに関しても同様の作用
が生じ、フリップチップ実装の品質を高めるのに有効で
ある。(請求項1)
に限らず、あらゆる製法で形成されたミクロな目で見て
複数の尖った先端を有するバンプに関しても同様の作用
が生じ、フリップチップ実装の品質を高めるのに有効で
ある。(請求項1)
【0040】ここで、超音波振動の振幅制御を加圧力情
報に基づいて行うことにより、加圧力の変化が何らかの
要因で時間的に前後しても、その時点での加圧力に最適
な超音波振動の振幅が得られる。(請求項2)
報に基づいて行うことにより、加圧力の変化が何らかの
要因で時間的に前後しても、その時点での加圧力に最適
な超音波振動の振幅が得られる。(請求項2)
【0041】また、加圧力の制御を時間の経過に基づい
て行い、超音波振動の振幅制御を加圧力と対応付けられ
た時間に基づいて行うことにより、接合動作の時間管理
が容易に行え、さらに制御が単純に統一されて制御系全
体のコントロールが容易になる。(請求項3)
て行い、超音波振動の振幅制御を加圧力と対応付けられ
た時間に基づいて行うことにより、接合動作の時間管理
が容易に行え、さらに制御が単純に統一されて制御系全
体のコントロールが容易になる。(請求項3)
【0042】また、超音波振動の振幅制御をバンプの変
形量に基づいて行うことにより、最も制御の目的に近い
情報をフィードバックすることができ、バンプの素材の
違いや物性のばらつきに左右されない制御が実現でき
る。(請求項4)
形量に基づいて行うことにより、最も制御の目的に近い
情報をフィードバックすることができ、バンプの素材の
違いや物性のばらつきに左右されない制御が実現でき
る。(請求項4)
【0043】また、超音波振動の振幅を加圧力の増大に
応じてほぼ連続的に減少させることで、段階的に減少さ
せるよりも、拡散接合自体に与える振幅変動の影響を適
切にコントロールできる。(請求項5)
応じてほぼ連続的に減少させることで、段階的に減少さ
せるよりも、拡散接合自体に与える振幅変動の影響を適
切にコントロールできる。(請求項5)
【図1】本発明の1実施の形態を示す超音波フリップチ
ップ実装装置の斜視図
ップ実装装置の斜視図
【図2】加圧力制御と超音波振動の振幅制御の一例を示
す図
す図
【図3】バンプの高さ情報と超音波振動の振幅制御の一
例を示す図
例を示す図
【図4】バンプ形成方法を示す断面図
【図5】従来の超音波フリップチップ実装装置の主要部
を示す図
を示す図
【図6】従来の接合過程を説明する図
1 加圧手段
2 制御部
3 圧力センサ
4 エンコーダ
10 エア流路
101 接合ツール
103 ステージ
104 回路基板
105 電極
106 超音波発振器
107 振動子
108 超音波ホーン
204 ICチップ
205 電極
206 バンプ
Claims (8)
- 【請求項1】 ICチップの電極に形成した先端の尖っ
た形状のバンプを、回路基板の電極に位置合わせして超
音波接合する超音波フリップチップ実装方法であって、 前記回路基板の電極に対する前記バンプの加圧力を時間
の経過に伴い増大させる一方、 接合部に加える超音波振動の振幅を、前記加圧力の増大
に応じて減少させることを特徴とする超音波フリップチ
ップ実装方法。 - 【請求項2】 接合部に加える超音波振動の振幅を、前
記加圧力に基づいて制御することを特徴とする請求項1
の超音波フリップチップ実装方法。 - 【請求項3】 前記バンプの加圧力を時間の経過に基づ
いて制御する一方、 接合部に加える超音波振動の振幅を、前記加圧力と対応
付けられた前記時間の経過に基づいて制御することを特
徴とする請求項1の超音波フリップチップ実装方法。 - 【請求項4】 接合部に加える超音波振動の振幅を、前
記加圧力の増大に伴って変化する前記バンプの変形量に
基づいて制御することを特徴とする請求項1の超音波フ
リップチップ実装方法。 - 【請求項5】 接合部に加える超音波振動の振幅を、前
記加圧力の増大に応じて、ほぼ連続的に減少させること
を特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の超音波
フリップチップ実装方法。 - 【請求項6】 回路基板の電極に対するバンプの加圧力
は、時間経過に対してほぼ連続的に増大する請求項1か
ら5のいずれかに記載の超音波フリップチップ実装方
法。 - 【請求項7】 バンプは、ボンディングワイヤの先端に
放電作用によって形成したボールをICチップの電極に
加圧あるいは加圧に超音波振動を付加して接合した後、
ワイヤを引きちぎることにより形成される請求項1から
6のいずれかに記載の超音波フリップチップ実装方法。 - 【請求項8】 ICチップの電極に形成した先端が尖っ
た形状のバンプを、回路基板の電極に位置合わせして超
音波接合する超音波フリップチップ実装装置であって、 回路基板を載置し保持するステージと、 ICチップをそのバンプを前記回路基板の電極に位置合
わせして保持する接合ツールと、 この接合ツールを介して、前記バンプに前記回路基板の
電極に対する加圧力を発生させる加圧手段と、 前記接合ツールに振動子の超音波振動を伝達する超音波
ホーンと、 前記振動子を駆動する超音波発振器と、 前記加圧手段による加圧力を時間の経過に伴い増大させ
る一方,超音波振動の振幅を前記加圧力の増大に応じて
減少させるように前記超音波発振器を制御するコントロ
ーラと、 を備えることを特徴とする超音波フリップチップ実装装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002023226A JP2003224162A (ja) | 2002-01-31 | 2002-01-31 | 超音波フリップチップ実装方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002023226A JP2003224162A (ja) | 2002-01-31 | 2002-01-31 | 超音波フリップチップ実装方法および装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003224162A true JP2003224162A (ja) | 2003-08-08 |
Family
ID=27745996
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002023226A Pending JP2003224162A (ja) | 2002-01-31 | 2002-01-31 | 超音波フリップチップ実装方法および装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003224162A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008147367A (ja) * | 2006-12-08 | 2008-06-26 | Sony Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
CN106206339A (zh) * | 2016-07-12 | 2016-12-07 | 中南大学 | 一种微铜柱间铜铜直接热超声倒装键合方法及其装置 |
-
2002
- 2002-01-31 JP JP2002023226A patent/JP2003224162A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008147367A (ja) * | 2006-12-08 | 2008-06-26 | Sony Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
CN106206339A (zh) * | 2016-07-12 | 2016-12-07 | 中南大学 | 一种微铜柱间铜铜直接热超声倒装键合方法及其装置 |
CN106206339B (zh) * | 2016-07-12 | 2018-12-21 | 中南大学 | 一种微铜柱间铜铜直接热超声倒装键合方法及其装置 |
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Effective date: 20050531 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
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A02 | Decision of refusal |
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