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JP2003220556A - ポリッシング装置及び方法 - Google Patents

ポリッシング装置及び方法

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JP2003220556A
JP2003220556A JP2003016795A JP2003016795A JP2003220556A JP 2003220556 A JP2003220556 A JP 2003220556A JP 2003016795 A JP2003016795 A JP 2003016795A JP 2003016795 A JP2003016795 A JP 2003016795A JP 2003220556 A JP2003220556 A JP 2003220556A
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JP
Japan
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polishing
cleaning
polished
clean
unit
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JP2003016795A
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English (en)
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Katsuya Okumura
勝弥 奥村
Riichiro Aoki
利一郎 青木
Hiromi Yajima
比呂海 矢島
Masako Kodera
雅子 小寺
Shiro Mishima
志朗 三島
Atsushi Shigeta
厚 重田
Masayoshi Hirose
政義 廣瀬
Norio Kimura
憲雄 木村
Seiji Ishikawa
誠二 石川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ebara Corp
Toshiba Corp
Original Assignee
Ebara Corp
Toshiba Corp
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Publication date
Application filed by Ebara Corp, Toshiba Corp filed Critical Ebara Corp
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Publication of JP2003220556A publication Critical patent/JP2003220556A/ja
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Publication of JP3623220B2 publication Critical patent/JP3623220B2/ja
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  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ポリッシング対象物を研磨した後に洗浄及び
乾燥し、清浄で乾燥したポリッシング対象物を搬出する
ことができるポリッシング装置を提供する。 【解決手段】 ポリッシング装置内でポリッシング対象
物Sを搬送するロボット10と;研磨を行うべきポリッ
シング対象物Sを載置するロード部11であってロボッ
ト10の把持アームの到達範囲に配置されたロード部1
1と;ロード部11から搬送されたポリッシング対象物
Sを研磨する研磨部13と;研磨後のポリッシング対象
物Sを洗浄し乾燥させる洗浄部15と;洗浄後の清浄で
乾燥したポリッシング対象物Sを載置するアンロード部
12であってロボット10の把持アームの到達範囲に配
置されたアンロード部12とを備え;ロボット10は、
ロード部11から研磨を行なうべきポリッシング対象物
Sをピッキングし、且つ、アンロード部12へ研磨、洗
浄及び乾燥が終了したポリッシング対象物Sを搬送可能
である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はポリッシング装置及
び方法に係り、特に半導体ウエハ等のポリッシング対象
物を研磨部に搬入して研磨した後に洗浄部で洗浄し、清
浄なポリッシング対象物を搬出するポリッシング装置及
び方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体デバイスの高集積化が進む
につれて回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭く
なりつつある。特に0.5μm以下の光リソグラフィの
場合、焦点深度が浅くなるためステッパの結像面の平坦
度を必要とする。そこで、半導体ウエハの表面を平坦化
することが必要となるが、この平坦化法の1手段として
ポリッシング装置により研磨することが行われている。
【0003】従来のポリッシング装置の多くは、研磨の
みを単独で行うものであった。従って、研磨後の洗浄を
行う場合にはポリッシング装置から洗浄装置への搬送が
必要であり、異なる研磨条件で再び研磨を行う場合には
ポリッシング装置から別のポリッシング装置への搬送が
必要であった。これらの搬送は、搬送途中でのウエハの
乾燥を防ぐために水中保管で人手により行われていた。
しかし、このように各機器が独立して設けられており、
また、その間の搬送が水中保管で行われていることか
ら、ポリッシング装置や洗浄装置等をクリーンルーム内
に設置すること、および工程の全自動化が困難であると
いう問題があった。
【0004】これらの問題を解決するために、研磨部と
洗浄部を同一のパッケージ内に収納したポリッシング装
置が開発されている。また、必要に応じて、複数の研磨
部が同一のパッケージ内に収納されたポリッシング装置
とする可能性がある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】このように、研磨部と
洗浄部とを一体化したポリッシング装置、および複数の
研磨部が同一のパッケージ内に収納されたポリッシング
装置等においては、ポリッシング装置内での全体として
の処理速度を高くするために、従来からポリッシング装
置以外の半導体製造プロセス、例えばエッチングや化学
的蒸着(CVD)の装置に取り入れられているように、
各機能ごとにユニット化をはかり、かつ汎用の搬送ロボ
ットを使用すること、即ち、いわゆるクラスター構造を
採用することが考えられる。
【0006】しかし、上述のようにポリッシング装置に
クラスター構造を採用する場合に、即ち、各機能ごとに
ユニット化を図り汎用の搬送ロボットで搬送を行う場合
に、ポリッシング装置では、研磨後の半導体ウエハが砥
液や研磨屑等によりダーティかつウェットな状態である
のに対して、ロード部およびアンロード部等ではクリー
ンかつドライな状態にあり、この異なった状態の半導体
ウエハを搬送およびハンドリングすることになる。従っ
て、従来の他の半導体製造プロセス装置のクラスター構
造におけるロボットのように単一のロボットおよびアー
ム、または、単に到達範囲や配置だけの必要から複数あ
るだけでダーティとクリーンの使い分けがなされていな
いロボットおよびアームでは、ポリッシング装置内での
十分な搬送およびハンドリングを行うことが出来ず、も
しそのまま適用するとすれば、ロボットおよびアームの
洗浄および乾燥工程を必要に応じて追加しなければなら
ず、処理能力の低下等の問題が起こる可能性がある。
【0007】また、ポリッシング装置内でダーティな半
導体ウエハをハンドリングした後のロボットまたはアー
ムをそのまま長時間放置した場合には、研磨スラリー中
の砥粒や研磨屑という固形分が乾燥、固着して、次回の
ポリッシング時の半導体ウエハの逆汚染、およびポリッ
シング装置内の汚染の原因になる恐れがある。
【0008】本発明は上述の事情に鑑みなされたもの
で、ポリッシング対象物を研磨した後に洗浄及び乾燥
し、清浄で乾燥したポリッシング対象物を搬出すること
ができるポリッシング装置を提供することを目的とす
る。
【0009】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ため、本発明のポリッシング装置の1態様は、ポリッシ
ング対象物を搬入して研磨した後に洗浄し、清浄なポリ
ッシング対象物を搬出するポリッシング装置であって;
把持アームを具備し前記ポリッシング装置内でポリッシ
ング対象物を搬送するロボットと;研磨を行うべきポリ
ッシング対象物を載置するロード部であって前記ロボッ
トの前記把持アームの到達範囲に配置されたロード部
と;該ロード部から搬送されたポリッシング対象物を研
磨する少なくとも1つの研磨部と;研磨後のポリッシン
グ対象物を洗浄し乾燥させる少なくとも1つの洗浄部
と;洗浄後の清浄で乾燥したポリッシング対象物を載置
するアンロード部であって前記ロボットの前記把持アー
ムの到達範囲に配置されたアンロード部とを備え;前記
ロボットは、前記ロード部から研磨を行なうべきポリッ
シング対象物をピッキングし、且つ、前記アンロード部
へ研磨、洗浄及び乾燥が終了したポリッシング対象物を
搬送可能である。ここで、隣接する2つの部分間でポリ
ッシング対象物を搬送して受け渡す搬送機構を備えた。
また、前記ロード部及びアンロード部に隣接して、研磨
を必要とするポリッシング対象物及び研磨を完了したポ
リッシング対象物をストックしておくストッカーが配置
されている。
【0010】本発明のポリッシング方法の1態様は、ポ
リッシング対象物をポリッシング装置内に搬入して研磨
した後に洗浄し、清浄なポリッシング対象物を該ポリッ
シング装置から搬出するポリッシング方法であって;ポ
リッシング対象物を前記ポリッシング装置内に搬入し、
研磨を行うべきポリッシング対象物を載置するロード部
に載置する載置工程と;前記ロード部に載置されたポリ
ッシング対象物を、該ロード部から、ポリッシング対象
物を研磨する研磨部に、ロボットで搬送する搬送工程
と;前記研磨部に搬送されたポリッシング対象物を研磨
する研磨工程と;前記研磨されたポリッシング対象物を
洗浄する洗浄工程と;前記洗浄されたポリッシング対象
物を乾燥させる乾燥工程と;前記洗浄後の清浄で乾燥し
たポリッシング対象物を、前記ロボットで、清浄なポリ
ッシング対象物を載置するアンロード部に搬送する搬送
工程とを備える。
【0011】本発明の半導体デバイスを製造する方法の
1態様は、半導体ウエハをポリッシング装置内に搬入し
て研磨した後に洗浄し、清浄な半導体ウエハを該ポリッ
シング装置から搬出して、半導体デバイスを製造する方
法であって;半導体ウエハをポリッシング装置内に搬入
し、研磨を行うべき半導体ウエハを載置するロード部に
載置する載置工程と;前記ロード部に載置された半導体
ウエハを、該ロード部から、半導体ウエハを研磨する研
磨部に、ロボットで搬送する搬送工程と;前記研磨部に
搬送された半導体ウエハを研磨する研磨工程と;前記研
磨された半導体ウエハを洗浄する洗浄工程と;前記洗浄
されたポリッシング対象物を乾燥させる乾燥工程と;前
記洗浄後の清浄で乾燥した半導体ウエハを、前記ロボッ
トで、清浄な半導体ウエハを載置するアンロード部に搬
送する搬送工程とを備える。
【0012】本発明のポリッシング装置の他の態様は、
ポリッシング対象物を搬入して研磨した後に洗浄し、清
浄なポリッシング対象物を搬出するポリッシング装置で
あって、研磨を行うべきポリッシング対象物を載置する
ロード部と、該ロード部から搬送されたポリッシング対
象物を研磨する少なくとも1つの研磨部と、研磨後のポ
リッシング対象物を洗浄し乾燥させる少なくとも1つの
洗浄部と、洗浄後の清浄で乾燥したポリッシング対象物
を載置するアンロード部と、装置内でポリッシング対象
物を搬送する搬送ロボットとを備え、前記ポリッシング
装置をカバーで覆った。ここで、前記カバーに排気機構
を設けた。
【0013】本発明のポリッシング装置の他の態様は、
ポリッシング対象物を搬入して研磨した後に洗浄し、清
浄なポリッシング対象物を搬出するポリッシング装置で
あって、研磨を行うべきポリッシング対象物を載置する
ロード部と、該ロード部から搬送されたポリッシング対
象物を研磨する少なくとも1つの研磨部と、研磨後のポ
リッシング対象物を洗浄し乾燥させる少なくとも1つの
洗浄部と、洗浄後の清浄で乾燥したポリッシング対象物
を載置するアンロード部と、装置内でポリッシング対象
物を搬送する搬送ロボットとを備え、前記ロード部とア
ンロード部は一体的に構成配置されている。
【0014】本発明のポリッシング装置の他の態様は、
ポリッシング対象物を搬入して研磨した後に洗浄し、清
浄なポリッシング対象物を搬出するポリッシング装置で
あって、研磨を行うべきポリッシング対象物を載置する
ロード部と、該ロード部から搬送されたポリッシング対
象物を研磨する少なくとも1つの研磨部と、研磨後のポ
リッシング対象物を洗浄し乾燥させる少なくとも1つの
洗浄部と、洗浄後の清浄で乾燥したポリッシング対象物
を載置するアンロード部と、前記ロード部から研磨を行
うべきポリッシング対象物をピッキングし、かつ、前記
アンロード部へ研磨及び洗浄が終了し乾燥したポリッシ
ング対象物を搬送する搬送ロボットを有する。
【0015】本発明のポリッシング装置の他の態様は、
ポリッシング対象物を搬入して研磨した後に洗浄し、清
浄なポリッシング対象物を搬出するポリッシング装置で
あって、研磨を行うべきポリッシング対象物を載置する
ロード部と、該ロード部から搬送されたポリッシング対
象物を研磨する少なくとも1つの研磨部と、研磨後のポ
リッシング対象物を洗浄し乾燥させる少なくとも1つの
洗浄部と、洗浄後の清浄で乾燥したポリッシング対象物
を載置するアンロード部と、装置内でポリッシング対象
物を搬送する搬送ロボットとを備え、前記洗浄部は研磨
後にリンス洗浄水によりリンス洗浄したポリッシング対
象物を一次洗浄する一次洗浄ステーションと、一次洗浄
ステーションで一次洗浄されたポリッシング対象物を二
次洗浄する二次洗浄ステーションを有する。ここで、前
記リンス洗浄をする場所は前記一次洗浄ステーションお
よび二次洗浄ステーションと異なった場所である。ま
た、前記リンス洗浄を行なうリンス洗浄容器を備える。
また、前記ポリッシング装置をカバーで覆った。前記研
磨部と洗浄部間でポリッシング対象物を搬送する搬送機
構を備え、前記搬送ロボットは研磨前又は洗浄後のクリ
ーンなポリッシング対象物を搬送し、前記搬送機構は研
磨後のダーティなポリッシング対象物を搬送する。前記
搬送ロボットは2台設置され、一方の搬送ロボットは研
磨前又は洗浄後のクリーンなポリッシング対象物を搬送
し、他方の搬送ロボットは研磨後のダーティなポリッシ
ング対象物を搬送する。前記搬送ロボットは、研磨後の
ダーティなポリッシング対象物を保持するアームと、研
磨前又は洗浄後のクリーンなポリッシング対象物を保持
するアームを別個に有している。また、ポリッシング対
象物を、研磨する前に、反転するための反転機構を備え
た。また、ポリッシング対象物を、研磨後に、反転する
ための反転機構を備えた。また、ポリッシング対象物の
厚さを測定するための厚さ計を備えた。前記ロード部と
前記アンロード部が一体的に構成配置されている。前記
一体的に構成配置された前記ロード部及びアンロード部
にバスケットを配置し、ポリッシング対象物を収納した
バスケットからポリッシング対象物をピッキングし、研
磨後に洗浄乾燥を終了し清浄なポリッシング対象物を前
記バスケットに戻す。前記研磨部は、ターンテーブルと
ポリッシング対象物を保持しターンテーブルに押圧する
ためのトップリングとを有する。ここで、ターンテーブ
ル上の研磨クロスをドレッシングするドレッシング機構
を有する。また、研磨後にトップリングがポリッシング
対象物を解放した後にポリッシング対象物をリンス洗浄
する。また、研磨後にトップリングがポリッシング対象
物を解放した後にトップリングを洗浄する洗浄機構を備
えた。また、前記研磨部は、研磨クロスとポリッシング
対象物を保持し研磨クロスに押圧するためのトップリン
グとを有する。また、研磨クロスをドレッシングするド
レッシング機構を有する。また、研磨後にトップリング
がポリッシング対象物を解放した後にポリッシング対象
物をリンス洗浄する。また、研磨後にトップリングがポ
リッシング対象物を解放した後にトップリングを洗浄す
る洗浄機構を備えた。また、前記トップリングは軸心回
りに回転するとともに支持アームによって揺動する。
【0016】本発明のポリッシング装置の他の態様は、
研磨を行うべきポリッシング対象物を載置するロード部
と、ロード部から搬入されたポリッシング対象物を研磨
する少なくとも1つの研磨部と、研磨後のポリッシング
対象物を洗浄し乾燥させる少なくとも1つの洗浄部と、
洗浄後の清浄で乾燥したポリッシング対象物を載置する
アンロード部とを、搬送ロボットを中心としてその周囲
に配置した。前記搬送ロボットは、研磨後のウェットな
ポリッシング対象物を搬送する第1のアームと、洗浄後
の清浄で乾燥した状態にあるポリッシング対象物を搬送
する第2のアームを有する。前記搬送ロボットは、研磨
後のウエットなポリッシング対象物を搬送する第1のロ
ボットと、洗浄後の清浄で乾燥した状態にあるポリッシ
ング対象物を搬送する第2のロボットからなる。
【0017】本発明のポリッシング装置の他の態様は、
ポリッシング対象物を搬入して研磨した後に洗浄し、清
浄なポリッシング対象物を搬出するポリッシング装置で
あって、研磨を行うべきポリッシング対象物を載置する
ロード部と、該ロード部から搬送されたポリッシング対
象物を研磨する少なくとも1つの研磨部と、研磨後のポ
リッシング対象物を洗浄し乾燥させる少なくとも1つの
洗浄部と、洗浄後の清浄で乾燥したポリッシング対象物
を載置するアンロード部と、装置内でポリッシング対象
物を搬送する搬送ロボットと、前記研磨部と洗浄部間で
ポリッシング対象物を搬送する搬送機構とを備え、前記
ポリッシング装置をカバーで覆い、前記搬送ロボットは
研磨前又は洗浄後のクリーンなポリッシング対象物を搬
送し、前記搬送機構は研磨後のダーティなポリッシング
対象物を搬送する。前記カバーに排気機構を設ける。ま
た、ポリッシング対象物を、研磨する前に、反転するた
めの反転機構を備えた。また、ポリッシング対象物を、
研磨後に、反転するための反転機構を備えた。また、前
記洗浄部は研磨後にリンス洗浄水によりリンス洗浄した
ポリッシング対象物を一次洗浄する一次洗浄ステーショ
ンと、一次洗浄ステーションで一次洗浄されたポリッシ
ング対象物を二次洗浄する二次洗浄ステーションを有す
る。
【0018】本発明のポリッシング装置の他の態様は、
ポリッシング対象物を搬入して研磨した後に洗浄し、清
浄なポリッシング対象物を搬出するポリッシング装置で
あって、研磨を行うべきポリッシング対象物を載置する
ロード部と、該ロード部から搬送されたポリッシング対
象物を研磨する少なくとも1つの研磨部と、研磨後のポ
リッシング対象物を洗浄し乾燥させる少なくとも1つの
洗浄部と、洗浄後の清浄で乾燥したポリッシング対象物
を載置するアンロード部と、装置内でポリッシング対象
物を搬送する搬送ロボットとを備え、前記ポリッシング
装置をカバーで覆い、前記研磨部は、ターンテーブルと
ポリッシング対象物を保持しターンテーブルに押圧する
ためのトップリングとを有する。また、ターンテーブル
上の研磨クロスをドレッシングするドレッシング機構を
有する。また、研磨後にトップリングがポリッシング対
象物を解放した後にポリッシング対象物をリンス洗浄す
る。また、研磨後にトップリングがポリッシング対象物
を解放した後にトップリングを洗浄する洗浄機構を備え
た。また、前記カバーに排気機構を設ける。また、ポリ
ッシング対象物を、研磨する前に、反転するための反転
機構を備えた。また、ポリッシング対象物を、研磨後
に、反転するための反転機構を備えた。
【0019】本発明のポリッシング方法の他の態様は、
ポリッシング対象物を研磨した後に洗浄するポリッシン
グ方法であって、ポリッシング装置をカバーで覆うこと
によりクリーンルーム内に設置し、クリーンルーム内か
らポリッシング対象物をポリッシング装置内に搬入し、
ポリッシング対象物を研磨し、研磨後のポリッシング対
象物を洗浄し、乾燥させ、洗浄乾燥の終了した清浄なポ
リッシング対象物をポリッシング装置からクリーンルー
ム内に搬出する。
【0020】本発明のポリッシング方法の他の態様は、
ポリッシング対象物を研磨した後に洗浄するポリッシン
グ方法であって、一体的に構成配置されたロード部及び
アンロード部にあるバスケットから研磨すべきポリッシ
ング対象物をピッキングし、ポリッシング対象物を研磨
部で研磨し、研磨後のポリッシング対象物を洗浄し、乾
燥させ、洗浄乾燥の終了した清浄なポリッシング対象物
を前記バスケットに戻す。
【0021】本発明のポリッシング方法の他の態様は、
ポリッシング対象物を研磨した後に洗浄するポリッシン
グ方法であって、ロード部にある研磨すべきポリッシン
グ対象物をピッキングし、ポリッシング対象物を研磨部
で研磨する研磨工程と、研磨後のポリッシング対象物を
リンス洗浄する工程と、リンス洗浄されたポリッシング
対象物を一次洗浄する工程と、一次洗浄されたポリッシ
ング対象物を二次洗浄する工程と、洗浄後のポリッシン
グ対象物を乾燥する乾燥工程とを備え、洗浄乾燥の終了
した清浄なポリッシング対象物をアンロード部に戻す。
ここで、前記研磨後のダーティなポリッシング対象物を
ポリッシング装置内でハンドリングし、前記洗浄乾燥の
終了した清浄なポリッシング対象物をポリッシング装置
内でハンドリングし、前記ダーティなポリッシング対象
物をハンドリングする手段と前記清浄なポリッシング対
象物をハンドリングする手段とは、異なっている。ま
た、前記ポリッシング対象物を1個のターンテーブルで
研磨した後に、さらに別のターンテーブルで研磨する。
また、前記ポリッシング対象物を1個の研磨クロスで研
磨した後に、さらに別の研磨クロスで研磨する。また、
前記ポリッシング対象物を、研磨工程の間に洗浄する。
また、前記ポリッシング対象物は1つの研磨部で研磨さ
れ、別のポリッシング対象物は別の研磨部で研磨され
る。また、前記ポリッシング対象物は研磨前に反転され
る。また、前記ポリッシング対象物は研磨後に反転され
る。また、前記研磨すべきポリッシング対象物は、一体
的に構成配置されたロード部およびアンロード部にある
バスケットからピッキングされ、研磨後に洗浄乾燥を終
了した清浄なポリッシング対象物は、前記バスケットに
戻す。また、前記研磨後のポリッシング対象物をリンス
洗浄した後に前記ポリッシング対象物の洗浄および乾燥
を行う。また、前記ポリッシング対象物の洗浄は、ポリ
ッシング対象物を一次洗浄する工程と、一次洗浄工程で
洗浄されたポリッシング対象物を二次洗浄する二次洗浄
工程を含む。また、前記ポリッシング対象物の研磨は、
ポリッシング対象物をトップリングにより保持しつつタ
ーンテーブルに押し当てることにより行い、研磨後にポ
リッシング対象物を解放したトップリングを洗浄する。
また、前記ポリッシング対象物を厚さ計により測定す
る。
【0022】本発明の半導体デバイス製造方法の他の態
様は、半導体ウエハを研磨した後に洗浄して半導体デバ
イスを製造する半導体デバイス製造方法であって、ポリ
ッシング装置をカバーで覆うことによりクリーンルーム
内に設置し、クリーンルーム内から半導体ウエハをポリ
ッシング装置内に搬入し、半導体ウエハを研磨し、研磨
後の半導体ウエハを洗浄し、乾燥させ、洗浄乾燥の終了
した清浄な半導体ウエハをポリッシング装置からクリー
ンルーム内に搬出する。
【0023】本発明の半導体デバイス製造方法の他の態
様は、半導体ウエハを研磨した後に洗浄して半導体デバ
イスを製造する半導体デバイス製造方法であって、一体
的に構成配置されたロード部及びアンロード部にあるバ
スケットから研磨すべき半導体ウエハをピッキングし、
半導体ウエハを研磨部で研磨し、研磨後の半導体ウエハ
を洗浄し、乾燥させ、洗浄乾燥の終了した清浄な半導体
ウエハを前記バスケットに戻す。
【0024】本発明の半導体デバイス製造方法の他の態
様は、半導体ウエハを研磨した後に洗浄して半導体デバ
イスを製造する半導体デバイス製造方法であって、ロー
ド部にある研磨すべき半導体ウエハをピッキングし、半
導体ウエハを研磨部で研磨し、研磨後の半導体ウエハを
リンス洗浄し、リンス洗浄された半導体ウエハを一次洗
浄し、一次洗浄された半導体ウエハを二次洗浄した後、
乾燥させ、洗浄乾燥の終了した清浄な半導体ウエハをア
ンロード部に戻す。
【0025】本発明のポリッシング方法の他の態様は、
ポリッシング対象物を研磨した後に洗浄するポリッシン
グ方法であって、ポリッシング装置をカバーで覆うこと
によりクリーンルーム内に設置し、クリーンルーム内か
らポリッシング対象物をポリッシング装置内に搬入し、
ポリッシング対象物を1個のターンテーブルで研磨した
後に、さらに別のターンテーブルで研磨し、研磨後のポ
リッシング対象物を洗浄し、乾燥させ、洗浄乾燥の終了
した清浄なポリッシング対象物をポリッシング装置から
クリーンルーム内に搬出する。ここで、前記ポリッシン
グ対象物は研磨前に反転される。また、前記ポリッシン
グ対象物は研磨後に反転される。また、前記研磨すべき
ポリッシング対象物は、一体的に構成配置されたロード
部およびアンロード部にあるバスケットからピッキング
され、研磨後に洗浄乾燥を終了した清浄なポリッシング
対象物は、前記バスケットに戻す。また、前記研磨後の
ポリッシング対象物をリンス洗浄した後に前記ポリッシ
ング対象物の洗浄および乾燥を行う。また、前記ポリッ
シング対象物の洗浄は、ポリッシング対象物を一次洗浄
する工程と、一次洗浄工程で洗浄されたポリッシング対
象物を二次洗浄する二次洗浄工程を含む。また、前記ポ
リッシング対象物の研磨は、ポリッシング対象物をトッ
プリングにより保持しつつターンテーブルに押し当てる
ことにより行い、研磨後にポリッシング対象物を解放し
たトップリングを洗浄する。また、前記ポリッシング対
象物を厚さ計により測定する。
【0026】本発明のポリッシング方法の他の態様は、
ポリッシング対象物を研磨した後に洗浄するポリッシン
グ方法であって、ポリッシング装置をカバーで覆うこと
によりクリーンルーム内に設置し、クリーンルーム内か
らポリッシング対象物をポリッシング装置内に搬入し、
ポリッシング対象物を1個の研磨クロスで研磨した後
に、さらに別の研磨クロスで研磨し、研磨後のポリッシ
ング対象物を洗浄し乾燥させ、洗浄乾燥の終了した清浄
なポリッシング対象物をポリッシング装置からクリーン
ルーム内に搬出する。ここで、前記ポリッシング対象物
は研磨前に反転される。また、前記ポリッシング対象物
は研磨後に反転される。また、前記研磨すべきポリッシ
ング対象物は、一体的に構成配置されたロード部および
アンロード部にあるバスケットからピッキングされ、研
磨後に洗浄乾燥を終了した清浄なポリッシング対象物
は、前記バスケットに戻す。また、前記研磨後のポリッ
シング対象物をリンス洗浄した後に前記ポリッシング対
象物の洗浄および乾燥を行う。また、前記ポリッシング
対象物の洗浄は、ポリッシング対象物を一次洗浄する工
程と、一次洗浄工程で洗浄されたポリッシング対象物を
二次洗浄する二次洗浄工程を含む。また、前記ポリッシ
ング対象物の研磨は、ポリッシング対象物をトップリン
グにより保持しつつ研磨クロスに押し当てることにより
行い、研磨後にポリッシング対象物を解放したトップリ
ングを洗浄する。また、前記ポリッシング対象物を厚さ
計により測定する。
【0027】本発明の好ましい態様は、ポリッシング対
象物を搬入して研磨した後に洗浄し、清浄なポリッシン
グ対象物を搬出するポリッシング装置であって、把持ア
ームを具備しポリッシング装置内でポリッシング対象物
を搬送して各部に受け渡す汎用搬送ロボットと、前記汎
用搬送ロボットを中心としてその周囲に配置され、研磨
を行うべきポリッシング対象物を載置するロード部と、
該ロード部から搬入されたポリッシング対象物を研磨す
る少なくとも1つの研磨部と、研磨後のポリッシング対
象物を洗浄する少なくとも1つの洗浄部と、洗浄後の清
浄なポリッシング対象物を載置するアンロード部と、隣
接する2つの部分間でポリッシング対象物を搬送して受
け渡す専用搬送機構と、を備え、前記汎用搬送ロボット
はクリーンなポリッシング対象物を搬送し、前記専用搬
送機構はダーティなポリッシング対象物を搬送すること
を特徴とする。
【0028】また、本発明の好ましい態様は、ポリッシ
ング対象物を搬入して研磨した後に洗浄し、清浄なポリ
ッシング対象物を搬出するポリッシング装置であって、
把持アームを具備しポリッシング装置内でポリッシング
対象物を搬送して各部に受け渡す汎用搬送ロボットと、
前記汎用搬送ロボットを中心としてその周囲に配置さ
れ、研磨を行うべきポリッシング対象物を載置するロー
ド部と、該ロード部から搬入されたポリッシング対象物
を研磨する少なくとも1つの研磨部と、研磨後のポリッ
シング対象物を洗浄する少なくとも1つの洗浄部と、洗
浄後の清浄なポリッシング対象物を載置するアンロード
部と、を備え、前記汎用搬送ロボットはクリーンなポリ
ッシング対象物のみを搬送する把持アームとダーティな
ポリッシング対象物のみを搬送する把持アームとを具備
することを特徴とする。
【0029】さらに、本発明の好ましい態様は、ポリッ
シング対象物を搬入して研磨した後に洗浄し、清浄なポ
リッシング対象物を搬出するポリッシング装置であっ
て、把持アームを具備しポリッシング装置内でポリッシ
ング対象物を搬送して各部に受け渡す汎用搬送ロボット
と、前記汎用搬送ロボットを中心としてその周囲に配置
され、研磨を行うべきポリッシング対象物を載置するロ
ード部と、該ロード部から搬入されたポリッシング対象
物を研磨する少なくとも1つの研磨部と、研磨後のポリ
ッシング対象物を洗浄する少なくとも1つの洗浄部と、
洗浄後の清浄なポリッシング対象物を載置するアンロー
ド部と、を備え、前記汎用搬送ロボットは2台設置さ
れ、ー方の汎用搬送ロボットはクリーンなポリッシング
対象物のみを搬送し、他方の汎用搬送ロボットはダーテ
ィなポリッシング対象物のみを搬送することを特徴とす
る。
【0030】本発明によれば、汎用搬送ロボットの周辺
にロード部、アンロード部、研磨部及び洗浄部が配置さ
れている。ロード部に載置されたクリーンなポリッシン
グ対象物は1台の汎用搬送ロボットによりピッキングさ
れ研磨部にローディングされた後、研磨部で研磨され
る。研磨が終了したダーティなポリッシング対象物は研
磨部と洗浄部間に設置された専用搬送機構により洗浄部
に移送され、洗浄部で洗浄が行われる。洗浄乾燥の終了
したクリーンなポリッシング対象物は、再び汎用搬送ロ
ボットによりアンロード部に載置される。
【0031】また、本発明によれば、汎用搬送ロボット
の周辺にロード部、アンロード部、研磨部及び洗浄部が
配置されている。ロード部に載置されたクリーンなポリ
ッシング対象物は汎用搬送ロボットのクリーン専用把持
アームによりピッキングされ研磨部にローディングされ
た後、研磨部で研磨される。研磨が終了したダーティな
ポリッシング対象物は汎用搬送ロボットのダーティ専用
把持アームにより洗浄部に移送され、洗浄部で洗浄が行
われる。洗浄乾燥の終了したクリーンなポリッシング対
象物は、再び汎用搬送ロボットのクリーン専用把持アー
ムによりアンロード部に載置される。
【0032】本発明によれば、汎用搬送ロボットの周辺
にロード部、アンロード部、研磨部及び洗浄部が配置さ
れている。ロード部に載置されたクリーンなポリッシン
グ対象物はクリーン専用の汎用搬送ロボットによりピッ
キングされ研磨部にローディングされた後、研磨部で研
磨される。研磨が終了したダーティなポリッシング対象
物はダーティ専用の汎用搬送ロボットにより洗浄部に移
送され、洗浄部で洗浄が行われる。洗浄乾燥の終了した
クリーンな半導体ウエハは、再びクリーン専用の汎用搬
送ロボットによりアンロード部に載置される。
【0033】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るポリッシング
装置の実施例を図面に基づいて説明する。以下の実施例
においては、ポリッシング対象物として半導体ウエハを
例にとり説明する。 (第1実施例)図1は本発明のポリッシング装置の第1
実施例の構成を示す図である。本ポリッシング装置は、
中央部に汎用搬送ロボットを構成するセンターロボット
10を備え、センターロボット10の周辺でアーム10
−1の到達範囲に、ポリッシングを必要とする半導体ウ
エハSを載置するロード部11、ポリッシングを完了し
た半導体ウエハを載置するアンロード部12、半導体ウ
エハSをポリッシングする研磨部13,14、半導体ウ
エハSを洗浄する洗浄部15を備えている。
【0034】研磨部13,14は、それぞれポリッシン
グヘッド支持アーム13−3,14−3及びターンテー
ブル13−4,14−4を有し、ポリッシングヘッド支
持アーム13−3,14−3にはトップリング(後述す
る)が回転自在に設けられている。ポリッシングヘッド
支持アーム13−3,14−3は、それぞれ半導体ウエ
ハSを各研磨部のロードポジション13−1,14−1
からターンテーブル13−4,14−4の上へ搬送する
専用搬送機構を構成する。またポリッシングヘッド支持
アーム13−3,14−3は、それぞれ半導体ウエハS
を研磨部13,14から洗浄部15へ搬送する専用搬送
機構を構成する。なお、16,17は研磨部13,14
のターンテーブル13−4,14−4に張付けられてい
る研磨クロス(布)のドレッシング(目たて)をするド
レッシングツール(ブラシ状のツール)を載置するドレ
ッシングツール載置台である。
【0035】上記のように配置されたポリッシング装置
において、ロード部11に載置されたポリッシングを必
要とする半導体ウエハSはセンターロボット10のロー
ディング把持アーム10−1でピッキング(真空吸着)
され、研磨面が下向きになるように反転された後、研磨
部13のロードポジション13−1に移送される。研磨
部13のポリッシングヘッド支持アーム13−3はその
先端部に設けられたトップリングで半導体ウエハSをチ
ャッキング(吸着)し、半導体ウエハSの研磨面を回転
しているテーブル13−4の上面に押し当て半導体ウエ
ハSの表面を研磨する。この時トップリング自体は、そ
の軸心回わりに回転すると共に、ポリッシングヘッド支
持アーム13−3によってターンテーブル13−4上を
揺動するようになっている。
【0036】ポリッシングの終了した半導体ウエハSは
ポリッシングヘッド支持アーム13−3により、洗浄部
15のローディング位置15−1に移送される。ローデ
ィング位置15−1で半導体ウエハSを解放したポリッ
シングヘッド支持アーム13−3は、ドレッシングツー
ル載置台16でドレッシングツール16−1をチャッキ
ングし、ターンテーブル13−4にドレッシングツール
16−1を押し当て研磨クロス(布)のドレッシングを
する。但し、このドレッシングは後述するように専用の
ドレッシング機構を設けてもよい(図2及び図3参
照)。
【0037】なお、センターロボット10のローディン
グ専用アーム10−1により研磨部14のロードポジシ
ョン14−1に移送された半導体ウエハSもポリッシン
グヘッド支持アーム14−3のトップリングでチャッキ
ングされ、回転しているターンテーブル14−4の上面
に押し当てられ研磨される。ポリッシングの終了した半
導体ウエハSは洗浄部15のローディング位置15−2
に移送される。また、ローディング位置15−2で半導
体ウエハSを解放したポリッシングヘッド支持アーム1
4−3は、ドレッシングツール載置台17でドレッシン
グツール17−1をチャッキングし、ターンテーブル1
4−4にドレッシングツール17−1を押し当て研磨ク
ロス(布)のドレッシングをする。
【0038】洗浄部15のローディング位置15−1,
15−2に移送された半導体ウエハSは、洗浄部15内
で一次洗浄、二次洗浄された後、アンローディング位置
15−3に移送される。アンローディング位置15−3
に移送された半導体ウエハSは、センターロボット10
のアンロード専用把持アーム10−2によりアンロード
部12に移送される。上記動作は全て自動的に行われ
る。以下、研磨部14、洗浄部15の詳細を説明する。
【0039】図2(a)は本発明のポリッシング装置の
構成を示す一部平面図で、同図(b)は洗浄機構15の
上段部分を示す図、図3は図2(a)のA1−A2断面
を示す図、図4は図2(a)のB1−B2断面を示す
図、図5は図2(a)のC1−C2−C3−D1断面を
示す図、図6は図2(a)のD1−D2断面を示す図で
ある。図2乃至図6は図1と同様に第1実施例を説明す
る図であるが、図2乃至図6では、ドレッシングツール
及びドレッシングツール載置台を設けないで、別途ドレ
ッシング機構15−11を設けた場合を示している。ロ
ード部11に載置された半導体ウエハSはセンターロボ
ット10のアーム10−1でピッキングされ、反転機構
11−2に於いて、研磨面が下を向くように反転され
て、しかる後に、研磨部14のロードポジション14−
1に移送される。図3に示されるように半導体ウエハS
はポリッシングヘッド支持アーム14−3の先端部に設
けられたトップリング14−5でチャッキング(真空吸
着)され、ターンテーブル14−4の上方に搬送され
る。
【0040】ここでトップリング14−5は下降し、図
4に示されるようにモータ14−6によりタイミングベ
ルト14−7を介して回転しているターンテーブル14
−4の上面に半導体ウエハSを押し当てポリッシングす
る。ポリッシングの終了した半導体ウエハSは、図5に
示されるように洗浄部15のローディング位置15−2
の開口部に待機しているリンス洗浄容器15−4に収容
され、リンス洗浄水によりリンス洗浄される。このリン
ス洗浄時、ローディング位置15−2の開口部は蓋体1
5−5で閉鎖されるようになっている。また、半導体ウ
エハSを解放したトップリング14−5は洗浄部15の
ローディング位置で洗浄機構(図示せず)により洗浄さ
れる。
【0041】リンス洗浄された半導体ウエハSは図5の
矢印aで示されるように搬送され、反転機構15−6に
達する。ここで位置決め反転機構15−6で研磨された
面が再び上を向くように、吸着反転され、一次洗浄ステ
ーション15−7に移送され、ここで洗浄水(純水)に
より一次洗浄される。続いて半導体ウエハSはトランス
ファロボット15−8(図6参照)によりピックアップ
され、矢印b,cに示すように移送され、二次洗浄ステ
ーション15−9に到達する。半導体ウエハSは二次洗
浄ステーション15−9で洗浄水(純水)により二次洗
浄される。
【0042】二次洗浄された半導体ウエハSはセンター
ロボット10のアンロード専用アーム10−2でピック
アップされ、図6の矢印d,eに示すように移送され、
図1に示すアンロード部12に載置される。なお、15
−11はターンテーブル14−4の上面の研磨クロス
(布)のドレッシングを行うドレッシング機構であり、
図3に示すように回転ブラシ15−12が設けられてい
る。なお、図2乃至図6で示す構成の研磨部13,14
及び洗浄部の構成は一例であり、これに限定されるもの
ではない。
【0043】本実施例のポリッシング装置は、把持アー
ム10−1,10−2を具備しポリッシング装置内で半
導体ウエハSを搬送して各部に受け渡す汎用搬送ロボッ
トを構成するセンターロボット10と、センターロボッ
ト10を中心としてその周囲に配置され、研磨を行うべ
き半導体ウエハSを載置するロード部11と、ロード部
11から搬入された半導体ウエハSを研磨する2つの研
磨部13,14と、研磨後の半導体ウエハSを洗浄する
洗浄部15と、洗浄後の清浄な半導体ウエハSを載置す
るアンロード部12と、隣接する2つの部分間で半導体
ウエハSを搬送して受け渡す専用搬送機構を構成するポ
リッシングヘッド支持アーム13−3,14−3とを備
え、センターロボット10はクリーンかつドライな半導
体ウエハSを搬送し、ポリッシングヘッド支持アーム1
3−3,14−3はダーティかつウェットな半導体ウエ
ハSを搬送するように構成されている。
【0044】本実施例のセンターロボット10は、ロー
ド専用アーム10−1とアンロード専用アーム10−2
の2つのアームを具備しており、ロード部11から搬入
する半導体ウエハSのクリーン度とアンロード部12へ
搬出する半導体ウエハSのクリーン度が異なる場合に好
適に適用される。
【0045】(第2実施例〕図7は本発明のポリッシン
グ装置の第2実施例の構成を示す図である。同図におい
て図1と同一符号を付した部分は同一又は相当部分を示
す。本ポリッシング装置は、センターロボット10の周
辺で且つ該センターロボット10のアームの到達範囲に
六角形状に、ロード部11、アンロード部12、研磨部
13,14及び洗浄・乾燥を行う洗浄部15を備え、更
に他の工程が必要とされる場合を予想し、それらの工程
を行う機構や装置が配置される予備スペース18,19
を備えている。
【0046】前記予備スペース18,19には、例え
ば、半導体ウエハの厚さを測定する厚さ計が配置され
る。この場合、半導体ウエハSをセンターロボット10
のアーム10−1により把持して予備スペース18内の
厚さ計に導き、研磨前の半導体ウエハSの厚さを計測
し、その後、アーム10−1により研磨部13のロード
ポジション13−1に移送する。研磨部13で研磨され
た半導体ウエハSは第1実施例と同様な方法で洗浄部1
5に移送され、ここで洗浄された後に、センターロボッ
ト10のアーム10−1により再び予備スペース18内
の厚さ計に導かれる。そして、厚さ計により研磨後の半
導体ウエハSの厚さを計測した後、半導体ウエハはアー
ム10−2によりアンロード部12に移送される。
【0047】(第3実施例)図8は本発明のポリッシン
グ装置の第3実施例の構成を示す図である。本ポリッシ
ング装置は、センターロボット10の周辺で且つ該セン
ターロボット10のアームの到達範囲に六角形状に、ロ
ード部11、アンロード部12、2台の研磨部13,1
3と1台の研磨部14、研磨部13と研磨部13の間及
び研磨部14とアンロード部12の間にそれぞれ洗浄部
15,15を備えている。この配置構成は研磨部13の
ポリッシング工程が研磨部14のポリッシング工程の2
倍の時間を必要とする場合に好適な配置である。
【0048】研磨部13,13から洗浄部15への移送
及び研磨部14から洗浄部15への移送はセンターロボ
ット10で行わず、別な移送手段(例えばポリッシング
ヘッド支持アーム13−3,14−3)で行うが、研磨
部13,13,14への半導体ウエハのロード及び洗浄
部15,15からの洗浄完了した半導体ウエハのピック
アップはセンターロボット10の把持アームで行う。即
ち、センターロボット10は研磨部13,13,14で
のポリッシングによりスラリーの付着した半導体ウエハ
を取り扱わないようにし、把持アームが汚染されないよ
うにする。これにより、汚染を少なくすることが可能と
なる。
【0049】(第4実施例)図9は本発明のポリッシン
グ装置の第4実施例の構成を示す図であり、センターロ
ボット10が1本の把持アーム10−1のみを有する場
合のポリッシング装置の概略構成を示す図である。図9
において、図1及び図2と同一符号を付した部分は同一
又は相当分を示し、その作用も同一であるので説明は省
略する。このように1本の把持アーム10−1のみを有
する場合には、図示するように、研磨部13と14の
間、研磨部13,14と洗浄部15の間にそれぞれ専用
搬送機構が設置され、ロード部11からピッキングする
半導体ウエハSのクリーン度とアンロード部12へ収納
する半導体ウエハSのクリーン度が同じレベルの場合に
適用が可能である。
【0050】(第5実施例)図10は本発明のポリッシ
ング装置の第5実施例の構成を示す図である。本ポリッ
シング装置は、センターロボット10の周辺で且つ該セ
ンターロボット10の把持アームの到達範囲に六角形状
に、ロード部11、4台の研磨部13,14,21,2
2、洗浄部15を具備し、洗浄部15の端部にアンロー
ド部12を具備している。更にポリッシング装置は、ロ
ード部11及びアンロード部12に隣接してポリッシン
グを必要とする半導体ウエハ及びポリッシングを完了し
た半導体ウエハをストックしておく、ストッカー23を
具備している。そしてストッカー23からポリッシング
を完了した半導体ウエハを搬出したり、ストッカー23
にポリッシングを必要とする半導体ウエハを搬入するた
めに自動搬送車24が設置されている。
【0051】ここでは、研磨部13,14,21,22
及び洗浄部15へのローディング、ロード部11及び研
磨部13,14,21,22からのピッキングは全てセ
ンターロボット10で行うようになっている。センター
ロボット10はクリーンな半導体ウエハSを把持するク
リーン専用アームとダーティな半導体ウエハSを把持す
るダーティ専用アームとを具備し、ロード部11からク
リーンな半導体ウエハSを把持し研磨部13,14,2
1,22のいずれかへの搬送および洗浄部15で洗浄、
乾燥が終了した半導体ウエハSのアンロード部12への
搬送はクリーン専用アームで行い、研磨部13,14,
21,22間の搬送及び研磨部から洗浄部15への搬送
はダーティ専用アームで行う。例えば、図1のセンター
ロボットを用いる場合は、アーム10−1をクリーン専
用アームとしアーム10−2をダーティ専用アームとす
る。これにより汚染を極力少なくすることが可能とな
る。
【0052】本実施例のポリッシング装置は、把持アー
ム10−1,10−2を具備しポリッシング装置内で半
導体ウエハSを搬送して各部に受け渡す汎用搬送ロボッ
トを構成するセンターロボット10と、センターロボッ
ト10を中心としてその周囲に配置され、研磨を行うべ
き半導体ウエハSを載置するロード部11と、ロード部
11から搬入された半導体ウエハSを研磨する研磨部1
3,14,21,22と、研磨後の半導体ウエハSを洗
浄する洗浄部15と、洗浄後の清浄な半導体ウエハSを
載置するアンロード部12とを備え、センターロボット
10はクリーンな半導体ウエハSのみを搬送するクリー
ン専用アーム10−1とダーティな半導体ウエハSのみ
を搬送するダーティ専用アーム10−2とを具備する。
【0053】ダーティ専用アーム10−2は、ダーティ
な半導体ウエハをハンドリングした後に、洗浄部15に
設けられた洗浄機構(図示せず)により洗浄される。
【0054】(第6実施例)図11は本発明のポリッシ
ング装置の第6実施例の構成を示す図である。本実施例
では、クリーンな半導体ウエハ専用の汎用搬送ロボット
10Aと、ダーティな半導体ウエハ専用の汎用搬送ロボ
ット10Bが別個に設けられている。また、本実施例で
は2つの研磨部13,14と1つの洗浄部15とを備え
ている。具体的な研磨手順は次の通りである。まず、ク
リーンな半導体ウエハ専用の汎用搬送ロボット10Aが
ロード部11から研磨対象物である半導体ウエハSを受
け取り、搬送し、研磨部13のロードポジション13−
1に載置する。
【0055】研磨部13での研磨が終了した後、ダーテ
ィな半導体ウエハ専用の汎用搬送ロボット10Bが半導
体ウエハSを受け取り、搬送し、洗浄部15のローディ
ング位置15−1に載置する。洗浄部15での洗浄が終
了した後、クリーンな半導体ウエハ専用の汎用搬送ロボ
ット10Aが洗浄部15のアンローディング位置15−
3から半導体ウエハSを受け取り、搬送し、アンロード
部12に載置する。以上の行程により、一連の研磨と洗
浄が行われる。研磨部14で研磨が行われる場合にも同
様の行程で研磨と洗浄が行われる。
【0056】本実施例に示すポリッシング装置によれ
ば、研磨部13と14の両方の研磨部で研磨を行い、ど
ちらの研磨部で研磨した半導体ウエハについても洗浄部
15で洗浄することにより、2つの研磨部に対して1つ
の洗浄部で対応することが可能である。特に、半導体ウ
エハ1枚の研磨時間に比べて洗浄部での半導体ウエハの
処理間隔、即ちあるウエハが洗浄工程に入ってから次の
ウエハが洗浄工程に入るまでの間隔が短い場合には、洗
浄工程によって制約を受けて研磨工程での待ち時間が生
じるということが無いので処理速度を落とさずにコンパ
クト化を得られて、極めて有効である。
【0057】また、研磨部13と14で異なる研磨条件
に設定しておき、研磨対象物であるウエハの性状に対応
して、より適した方の研磨部を選択することが可能であ
る。更に、同一の半導体ウエハに関して、研磨部13で
研磨を行い、洗浄部15で洗浄を行った後に研磨部14
で研磨を行い、洗浄部15で洗浄を行うことにより1枚
の半導体ウエハに2回の研磨を実施することも可能であ
る。なお、符号18,19は予備スペースである。
【0058】本実施例のポリッシング装置は、ポリッシ
ング装置内で半導体ウエハを搬送して各部に受け渡す2
台の汎用搬送ロボット10A,10Bと、前記汎用搬送
ロボット10A,10Bを中心としてその周囲に配置さ
れ、研磨を行うべき半導体ウエハSを研磨する2つの研
磨部13,14と、研磨後の半導体ウエハSを洗浄する
洗浄部15と、洗浄後の清浄な半導体ウエハSを載置す
るアンロード部12を備えている。そして前記2台の汎
用搬送ロボットのうち、一方の汎用搬送ロボット10A
はクリーンな半導体ウエハSのみを搬送し、他方の汎用
搬送ロボット10Bはダーティな半導体ウエハSのみを
搬送する。汎用搬送ロボット10Bは、ダーティな半導
体ウエハをハンドリングした後に、洗浄部15に設けら
れた洗浄機構(図示せず)により洗浄される。
【0059】上記第1〜第6実施例に示すようにポリッ
シング装置を構成することにより、半導体ウエハに種々
の工程の機械的化学的ポリッシングを行う複数の研磨部
及び洗浄部をセンターロボットの周辺に配置するので、
装置全体をコンパクトにできるから、例えば該装置全体
をカバー等で覆い、排気を独自に設けることにより、ク
リーンルームに直接配置してもクリーン度を低下させる
ことなく、且つ高価なクリーンルームにおいて設置スペ
ースも少なくできる。
【0060】なお、上記実施例ではロード部11及びア
ンロード部12は別々に配置した例を示したが、ロード
部11とアンロード部12は一体的に構成配置してもよ
い。例えばポリッシングを必要とする半導体ウエハを収
納したバスケットから半導体ウエハをピッキングし、ポ
リッシング完了後(ポリッシング及び洗浄工程が終了
後)、同じバスケットに収納する場合は、一体的な構成
配置となる。
【0061】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、以
下の効果を奏する。 1)ポリッシング対象物をポリッシング装置に搬入して
研磨した後に洗浄及び乾燥し、清浄で乾燥したポリッシ
ング対象物をポリッシング装置から搬出することができ
る。 2)ポリッシング装置をクリーンルーム内に設置するこ
とができる。 3)研磨、洗浄等の各機能ごとにユニット化を図り、か
つ汎用の搬送ロボットを使用するクラスター構造のポリ
ッシング装置を構成することができる。このことから、
洗浄工程を含む一連の研磨を行うポリッシング装置にお
いて省スペース化と処理速度の向上を達成でき、研磨部
及び洗浄部等の各機器に関して効率的な組み合わせにす
ること、即ち研磨時間が洗浄の処理間隔に比べて長い場
合は複数の研磨部に対して1つの洗浄部で対応し、研磨
時間が洗浄の処理間隔に比べて短い場合は研磨部よりも
多くの洗浄部で対応すること等ができ、更に、1又は2
以上の研磨工程及び洗浄工程を全自動化することができ
るとともに工程の変更に容易に対応できる。
【0062】4)クリーンなポリッシング対象物とダー
ティなポリッシング対象物を個別にハンドリングする手
段を有するため、ダーティなポリッシング対象物に起因
する他のポリッシング対象物の汚染及びポリッシング装
置内の汚染を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のポリッシング装置の第1実施例の構成
を示す概略平面図である。
【図2】図2(a)は本発明のポリッシング装置の構成
を示す一部平面図で、同図(b)は洗浄機構15の上段
部分を示す図である。
【図3】図2(a)のA1−A2断面を示す図である。
【図4】図2(a)のB1−B2断面を示す図である。
【図5】図2(a)のC1−C2−C3−D1断面を示
す図である。
【図6】図2(a)のD1−D2断面を示す図である。
【図7】本発明のポリッシング装置の第2実施例の構成
を示す概略平面図である。
【図8】本発明のポリッシング装置の第3実施例の構成
を示す概略平面図である。
【図9】本発明のポリッシング装置の第4実施例の構成
を示す概略平面図である。
【図10】本発明のポリッシング装置の第5実施例の構
成を示す概略平面図である。
【図11】本発明のポリッシング装置の第6実施例の構
成を示す概略平面図である。
【符号の説明】
10 センターロボット 11 ロード部 12 アンロード部 13 研磨部 14 研磨部 15 洗浄部 16 ドレッシングツール載置台 17 ドレッシングツール載置台 18 予備スペース 19 予備スペース 21 研磨部 22 研磨部 23 ストッカー 24 自動搬送車 S 半導体ウエハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 青木 利一郎 神奈川県川崎市幸区堀川町72番地 株式会 社東芝堀川町工場内 (72)発明者 矢島 比呂海 神奈川県川崎市幸区堀川町72番地 株式会 社東芝堀川町工場内 (72)発明者 小寺 雅子 神奈川県川崎市幸区堀川町72番地 株式会 社東芝堀川町工場内 (72)発明者 三島 志朗 神奈川県川崎市幸区堀川町72番地 株式会 社東芝堀川町工場内 (72)発明者 重田 厚 神奈川県川崎市幸区堀川町72番地 株式会 社東芝堀川町工場内 (72)発明者 廣瀬 政義 東京都大田区羽田旭町11番1号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 木村 憲雄 東京都大田区羽田旭町11番1号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 石川 誠二 東京都大田区羽田旭町11番1号 株式会社 荏原製作所内 Fターム(参考) 3C058 AA07 AB03 AC05 CA01 CB03 5F031 CA02 FA01 FA07 FA11 FA12 FA20 GA08 GA40 GA43 GA47 GA49 GA50 HA48 HA59 MA04 MA22 MA23

Claims (79)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ポリッシング対象物を搬入して研磨した
    後に洗浄し、清浄なポリッシング対象物を搬出するポリ
    ッシング装置であって;把持アームを具備し前記ポリッ
    シング装置内でポリッシング対象物を搬送するロボット
    と;研磨を行うべきポリッシング対象物を載置するロー
    ド部であって前記ロボットの前記把持アームの到達範囲
    に配置されたロード部と;該ロード部から搬送されたポ
    リッシング対象物を研磨する少なくとも1つの研磨部
    と;研磨後のポリッシング対象物を洗浄し乾燥させる少
    なくとも1つの洗浄部と;洗浄後の清浄で乾燥したポリ
    ッシング対象物を載置するアンロード部であって前記ロ
    ボットの前記把持アームの到達範囲に配置されたアンロ
    ード部とを備え;前記ロボットは、前記ロード部から研
    磨を行なうべきポリッシング対象物をピッキングし、且
    つ、前記アンロード部へ研磨、洗浄及び乾燥が終了した
    ポリッシング対象物を搬送可能である;ポリッシング装
    置。
  2. 【請求項2】 隣接する2つの部分間でポリッシング対
    象物を搬送して受け渡す搬送機構を備えたことを特徴と
    する請求項1に記載のポリッシング装置。
  3. 【請求項3】 前記ロード部及びアンロード部に隣接し
    て、研磨を必要とするポリッシング対象物及び研磨を完
    了したポリッシング対象物をストックしておくストッカ
    ーが配置されていることを特徴とする請求項1又は2項
    に記載のポリッシング装置。
  4. 【請求項4】 ポリッシング対象物をポリッシング装置
    内に搬入して研磨した後に洗浄し、清浄なポリッシング
    対象物を該ポリッシング装置から搬出するポリッシング
    方法であって;ポリッシング対象物を前記ポリッシング
    装置内に搬入し、研磨を行うべきポリッシング対象物を
    載置するロード部に載置する載置工程と;前記ロード部
    に載置されたポリッシング対象物を、該ロード部から、
    ポリッシング対象物を研磨する研磨部に、ロボットで搬
    送する搬送工程と;前記研磨部に搬送されたポリッシン
    グ対象物を研磨する研磨工程と;前記研磨されたポリッ
    シング対象物を洗浄する洗浄工程と;前記洗浄されたポ
    リッシング対象物を乾燥させる乾燥工程と;前記洗浄後
    の清浄で乾燥したポリッシング対象物を、前記ロボット
    で、清浄なポリッシング対象物を載置するアンロード部
    に搬送する搬送工程とを備える;ポリッシング方法。
  5. 【請求項5】 半導体ウエハをポリッシング装置内に搬
    入して研磨した後に洗浄し、清浄な半導体ウエハを該ポ
    リッシング装置から搬出して、半導体デバイスを製造す
    る方法であって;半導体ウエハをポリッシング装置内に
    搬入し、研磨を行うべき半導体ウエハを載置するロード
    部に載置する載置工程と;前記ロード部に載置された半
    導体ウエハを、該ロード部から、半導体ウエハを研磨す
    る研磨部に、ロボットで搬送する搬送工程と;前記研磨
    部に搬送された半導体ウエハを研磨する研磨工程と;前
    記研磨された半導体ウエハを洗浄する洗浄工程と;前記
    洗浄されたポリッシング対象物を乾燥させる乾燥工程
    と;前記洗浄後の清浄で乾燥した半導体ウエハを、前記
    ロボットで、清浄な半導体ウエハを載置するアンロード
    部に搬送する搬送工程とを備える;半導体デバイスを製
    造する方法。
  6. 【請求項6】 ポリッシング対象物を搬入して研磨した
    後に洗浄し、清浄なポリッシング対象物を搬出するポリ
    ッシング装置であって、 研磨を行うべきポリッシング対象物を載置するロード部
    と、 該ロード部から搬送されたポリッシング対象物を研磨す
    る少なくとも1つの研磨部と、 研磨後のポリッシング対象物を洗浄し乾燥させる少なく
    とも1つの洗浄部と、 洗浄後の清浄で乾燥したポリッシング対象物を載置する
    アンロード部と、 装置内でポリッシング対象物を搬送する搬送ロボットと
    を備え、 前記ポリッシング装置をカバーで覆ったことを特徴とす
    るポリッシング装置。
  7. 【請求項7】 前記カバーに排気機構を設けることを特
    徴とする請求項6に記載のポリッシング装置。
  8. 【請求項8】 ポリッシング対象物を搬入して研磨した
    後に洗浄し、清浄なポリッシング対象物を搬出するポリ
    ッシング装置であって、 研磨を行うべきポリッシング対象物を載置するロード部
    と、 該ロード部から搬送されたポリッシング対象物を研磨す
    る少なくとも1つの研磨部と、 研磨後のポリッシング対象物を洗浄し乾燥させる少なく
    とも1つの洗浄部と、 洗浄後の清浄で乾燥したポリッシング対象物を載置する
    アンロード部と、 装置内でポリッシング対象物を搬送する搬送ロボットと
    を備え、 前記ロード部とアンロード部は一体的に構成配置されて
    いることを特徴とするポリッシング装置。
  9. 【請求項9】 ポリッシング対象物を搬入して研磨した
    後に洗浄し、清浄なポリッシング対象物を搬出するポリ
    ッシング装置であって、 研磨を行うべきポリッシング対象物を載置するロード部
    と、 該ロード部から搬送されたポリッシング対象物を研磨す
    る少なくとも1つの研磨部と、 研磨後のポリッシング対象物を洗浄し乾燥させる少なく
    とも1つの洗浄部と、 洗浄後の清浄で乾燥したポリッシング対象物を載置する
    アンロード部と、 前記ロード部から研磨を行うべきポリッシング対象物を
    ピッキングし、かつ、前記アンロード部へ研磨及び洗浄
    が終了し乾燥したポリッシング対象物を搬送する搬送ロ
    ボットを有することを特徴とするポリッシング装置。
  10. 【請求項10】 ポリッシング対象物を搬入して研磨し
    た後に洗浄し、清浄なポリッシング対象物を搬出するポ
    リッシング装置であって、 研磨を行うべきポリッシング対象物を載置するロード部
    と、 該ロード部から搬送されたポリッシング対象物を研磨す
    る少なくとも1つの研磨部と、 研磨後のポリッシング対象物を洗浄し乾燥させる少なく
    とも1つの洗浄部と、洗浄後の清浄で乾燥したポリッシ
    ング対象物を載置するアンロード部と、 装置内でポリッシング対象物を搬送する搬送ロボットと
    を備え、 前記洗浄部は研磨後にリンス洗浄水によりリンス洗浄し
    たポリッシング対象物を一次洗浄する一次洗浄ステーシ
    ョンと、一次洗浄ステーションで一次洗浄されたポリッ
    シング対象物を二次洗浄する二次洗浄ステーションを有
    することを特徴とするポリッシング装置。
  11. 【請求項11】 前記リンス洗浄をする場所は前記一次
    洗浄ステーションおよび二次洗浄ステーションと異なっ
    た場所であることを特徴とする請求項10に記載のポリ
    ッシング装置。
  12. 【請求項12】 前記リンス洗浄を行なうリンス洗浄容
    器を備えることを特徴とする請求項10又は11記載の
    ポリッシング装置。
  13. 【請求項13】 前記ポリッシング装置をカバーで覆っ
    たことを特徴とする請求項8又は9又は11又は12に
    記載のポリッシング装置。
  14. 【請求項14】 前記研磨部と洗浄部間でポリッシング
    対象物を搬送する搬送機構を備え、前記搬送ロボットは
    研磨前又は洗浄後のクリーンなポリッシング対象物を搬
    送し、前記搬送機構は研磨後のダーティなポリッシング
    対象物を搬送することを特徴とする請求項8又は10に
    記載のポリッシング装置。
  15. 【請求項15】 前記搬送ロボットは2台設置され、一
    方の搬送ロボットは研磨前又は洗浄後のクリーンなポリ
    ッシング対象物を搬送し、他方の搬送ロボットは研磨後
    のダーティなポリッシング対象物を搬送することを特徴
    とする請求項6乃至10のいずれか1項に記載のポリッ
    シング装置。
  16. 【請求項16】 前記搬送ロボットは、研磨後のダーテ
    ィなポリッシング対象物を保持するアームと、研磨前又
    は洗浄後のクリーンなポリッシング対象物を保持するア
    ームを別個に有していることを特徴とする請求項6乃至
    10のいずれか1項に記載のポリッシング装置。
  17. 【請求項17】 ポリッシング対象物を、研磨する前
    に、反転するための反転機構を備えたことを特徴とする
    請求項6乃至16のいずれか1項に記載のポリッシング
    装置。
  18. 【請求項18】 ポリッシング対象物を、研磨後に、反
    転するための反転機構を備えたことを特徴とする請求項
    6乃至17のいずれか1項に記載のポリッシング装置。
  19. 【請求項19】 ポリッシング対象物の厚さを測定する
    ための厚さ計を備えたことを特徴とする請求項6乃至1
    8のいずれか1項に記載のポリッシング装置。
  20. 【請求項20】 前記ロード部と前記アンロード部が一
    体的に構成配置されていることを特徴とする請求項6又
    は9又は10記載のポリッシング装置。
  21. 【請求項21】 前記一体的に構成配置された前記ロー
    ド部及びアンロード部にバスケットを配置し、ポリッシ
    ング対象物を収納したバスケットからポリッシング対象
    物をピッキングし、研磨後に洗浄乾燥を終了し清浄なポ
    リッシング対象物を前記バスケットに戻すことを特徴と
    する請求項8又は20記載のポリッシング装置。
  22. 【請求項22】 前記研磨部は、ターンテーブルとポリ
    ッシング対象物を保持しターンテーブルに押圧するため
    のトップリングとを有することを特徴とする請求項8乃
    至14及び19乃至21のいずれか1項に記載のポリッ
    シング装置。
  23. 【請求項23】 ターンテーブル上の研磨クロスをドレ
    ッシングするドレッシング機構を有することを特徴とす
    る請求項22記載のポリッシング装置。
  24. 【請求項24】 研磨後にトップリングがポリッシング
    対象物を解放した後にポリッシング対象物をリンス洗浄
    することを特徴とする請求項22に記載のポリッシング
    装置。
  25. 【請求項25】 研磨後にトップリングがポリッシング
    対象物を解放した後にトップリングを洗浄する洗浄機構
    を備えたことを特徴とする請求項22に記載のポリッシ
    ング装置。
  26. 【請求項26】 前記研磨部は、研磨クロスとポリッシ
    ング対象物を保持し研磨クロスに押圧するためのトップ
    リングとを有することを特徴とする請求項6乃至21の
    いずれか1項に記載のポリッシング装置。
  27. 【請求項27】 研磨クロスをドレッシングするドレッ
    シング機構を有することを特徴とする請求項26に記載
    のポリッシング装置。
  28. 【請求項28】 研磨後にトップリングがポリッシング
    対象物を解放した後にポリッシング対象物をリンス洗浄
    することを特徴とする請求項26に記載のポリッシング
    装置。
  29. 【請求項29】 研磨後にトップリングがポリッシング
    対象物を解放した後にトップリングを洗浄する洗浄機構
    を備えたことを特徴とする請求項26に記載のポリッシ
    ング装置。
  30. 【請求項30】 前記トップリングは軸心回りに回転す
    るとともに支持アームによって揺動することを特徴とす
    る請求項22乃至29のいずれか1項に記載のポリッシ
    ング装置。
  31. 【請求項31】 研磨を行うべきポリッシング対象物を
    載置するロード部と、ロード部から搬入されたポリッシ
    ング対象物を研磨する少なくとも1つの研磨部と、研磨
    後のポリッシング対象物を洗浄し乾燥させる少なくとも
    1つの洗浄部と、洗浄後の清浄で乾燥したポリッシング
    対象物を載置するアンロード部とを、搬送ロボットを中
    心としてその周囲に配置したことを特徴とするポリッシ
    ング装置。
  32. 【請求項32】 前記搬送ロボットは、研磨後のウェッ
    トなポリッシング対象物を搬送する第1のアームと、洗
    浄後の清浄で乾燥した状態にあるポリッシング対象物を
    搬送する第2のアームを有することを特徴とする請求項
    31記載のポリッシング装置。
  33. 【請求項33】 前記搬送ロボットは、研磨後のウエッ
    トなポリッシング対象物を搬送する第1のロボットと、
    洗浄後の清浄で乾燥した状態にあるポリッシング対象物
    を搬送する第2のロボットからなることを特徴とする請
    求項31記載のポリッシング装置。
  34. 【請求項34】 ポリッシング対象物を搬入して研磨し
    た後に洗浄し、清浄なポリッシング対象物を搬出するポ
    リッシング装置であって、 研磨を行うべきポリッシング対象物を載置するロード部
    と、 該ロード部から搬送されたポリッシング対象物を研磨す
    る少なくとも1つの研磨部と、 研磨後のポリッシング対象物を洗浄し乾燥させる少なく
    とも1つの洗浄部と、 洗浄後の清浄で乾燥したポリッシング対象物を載置する
    アンロード部と、 装置内でポリッシング対象物を搬送する搬送ロボット
    と、 前記研磨部と洗浄部間でポリッシング対象物を搬送する
    搬送機構とを備え、 前記ポリッシング装置をカバーで覆い、 前記搬送ロボットは研磨前又は洗浄後のクリーンなポリ
    ッシング対象物を搬送し、前記搬送機構は研磨後のダー
    ティなポリッシング対象物を搬送することを特徴とする
    ポリッシング装置。
  35. 【請求項35】 前記カバーに排気機構を設けることを
    特徴とする請求項34に記載のポリッシング装置。
  36. 【請求項36】 ポリッシング対象物を、研磨する前
    に、反転するための反転機構を備えたことを特徴とする
    請求項34に記載のポリッシング装置。
  37. 【請求項37】 ポリッシング対象物を、研磨後に、反
    転するための反転機構を備えたことを特徴とする請求項
    34に記載のポリッシング装置。
  38. 【請求項38】 前記洗浄部は研磨後にリンス洗浄水に
    よりリンス洗浄したポリッシング対象物を一次洗浄する
    一次洗浄ステーションと、一次洗浄ステーションで一次
    洗浄されたポリッシング対象物を二次洗浄する二次洗浄
    ステーションを有することを特徴とする請求項34に記
    載のポリッシング装置。
  39. 【請求項39】 ポリッシング対象物を搬入して研磨し
    た後に洗浄し、清浄なポリッシング対象物を搬出するポ
    リッシング装置であって、 研磨を行うべきポリッシング対象物を載置するロード部
    と、 該ロード部から搬送されたポリッシング対象物を研磨す
    る少なくとも1つの研磨部と、 研磨後のポリッシング対象物を洗浄し乾燥させる少なく
    とも1つの洗浄部と、 洗浄後の清浄で乾燥したポリッシング対象物を載置する
    アンロード部と、 装置内でポリッシング対象物を搬送する搬送ロボットと
    を備え、 前記ポリッシング装置をカバーで覆い、 前記研磨部は、ターンテーブルとポリッシング対象物を
    保持しターンテーブルに押圧するためのトップリングと
    を有することを特徴とするポリッシング装置。
  40. 【請求項40】 ターンテーブル上の研磨クロスをドレ
    ッシングするドレッシング機構を有することを特徴とす
    る請求項39記載のポリッシング装置。
  41. 【請求項41】 研磨後にトップリングがポリッシング
    対象物を解放した後にポリッシング対象物をリンス洗浄
    することを特徴とする請求項39に記載のポリッシング
    装置。
  42. 【請求項42】 研磨後にトップリングがポリッシング
    対象物を解放した後にトップリングを洗浄する洗浄機構
    を備えたことを特徴とする請求項39に記載のポリッシ
    ング装置。
  43. 【請求項43】 前記カバーに排気機構を設けることを
    特徴とする請求項39に記載のポリッシング装置。
  44. 【請求項44】 ポリッシング対象物を、研磨する前
    に、反転するための反転機構を備えたことを特徴とする
    請求項39に記載のポリッシング装置。
  45. 【請求項45】 ポリッシング対象物を、研磨後に、反
    転するための反転機構を備えたことを特徴とする請求項
    39に記載のポリッシング装置。
  46. 【請求項46】 ポリッシング対象物を研磨した後に洗
    浄するポリッシング方法であって、 ポリッシング装置をカバーで覆うことによりクリーンル
    ーム内に設置し、クリーンルーム内からポリッシング対
    象物をポリッシング装置内に搬入し、ポリッシング対象
    物を研磨し、研磨後のポリッシング対象物を洗浄し、乾
    燥させ、洗浄乾燥の終了した清浄なポリッシング対象物
    をポリッシング装置からクリーンルーム内に搬出するこ
    とを特徴とするポリッシング方法。
  47. 【請求項47】 ポリッシング対象物を研磨した後に洗
    浄するポリッシング方法であって、 一体的に構成配置されたロード部及びアンロード部にあ
    るバスケットから研磨すべきポリッシング対象物をピッ
    キングし、ポリッシング対象物を研磨部で研磨し、研磨
    後のポリッシング対象物を洗浄し、乾燥させ、洗浄乾燥
    の終了した清浄なポリッシング対象物を前記バスケット
    に戻すことを特徴とするポリッシング方法。
  48. 【請求項48】 ポリッシング対象物を研磨した後に洗
    浄するポリッシング方法であって、 ロード部にある研磨すべきポリッシング対象物をピッキ
    ングし、ポリッシング対象物を研磨部で研磨する研磨工
    程と、研磨後のポリッシング対象物をリンス洗浄する工
    程と、リンス洗浄されたポリッシング対象物を一次洗浄
    する工程と、一次洗浄されたポリッシング対象物を二次
    洗浄する工程と、洗浄後のポリッシング対象物を乾燥す
    る乾燥工程とを備え、洗浄乾燥の終了した清浄なポリッ
    シング対象物をアンロード部に戻すことを特徴とするポ
    リッシング方法。
  49. 【請求項49】 前記研磨後のダーティなポリッシング
    対象物をポリッシング装置内でハンドリングし、前記洗
    浄乾燥の終了した清浄なポリッシング対象物をポリッシ
    ング装置内でハンドリングし、前記ダーティなポリッシ
    ング対象物をハンドリングする手段と前記清浄なポリッ
    シング対象物をハンドリングする手段とは、異なってい
    ることを特徴とする請求項46乃至48のいずれか1項
    に記載のポリッシング方法。
  50. 【請求項50】 前記ポリッシング対象物を1個のター
    ンテーブルで研磨した後に、さらに別のターンテーブル
    で研磨することを特徴とする請求項47乃至49のいず
    れか1項に記載のポリッシング方法。
  51. 【請求項51】 前記ポリッシング対象物を1個の研磨
    クロスで研磨した後に、さらに別の研磨クロスで研磨す
    ることを特徴とする請求項47乃至49のいずれか1項
    に記載のポリッシング方法。
  52. 【請求項52】 前記ポリッシング対象物を、研磨工程
    の間に洗浄することを特徴とする請求項50又は51に
    記載のポリッシング方法。
  53. 【請求項53】 前記ポリッシング対象物は1つの研磨
    部で研磨され、別のポリッシング対象物は別の研磨部で
    研磨されることを特徴とする請求項46乃至48のいず
    れか1項に記載のポリッシング方法。
  54. 【請求項54】 前記ポリッシング対象物は研磨前に反
    転されることを特徴とする請求項46乃至53のいずれ
    か1項に記載のポリッシング方法。
  55. 【請求項55】 前記ポリッシング対象物は研磨後に反
    転されることを特徴とする請求項46乃至54のいずれ
    か1項に記載のポリッシング方法。
  56. 【請求項56】 前記研磨すべきポリッシング対象物
    は、一体的に構成配置されたロード部およびアンロード
    部にあるバスケットからピッキングされ、研磨後に洗浄
    乾燥を終了した清浄なポリッシング対象物は、前記バス
    ケットに戻すことを特徴とする請求項46又は48記載
    のポリッシング方法。
  57. 【請求項57】 前記研磨後のポリッシング対象物をリ
    ンス洗浄した後に前記ポリッシング対象物の洗浄および
    乾燥を行うことを特徴とする請求項46又は47記載の
    ポリッシング方法。
  58. 【請求項58】 前記ポリッシング対象物の洗浄は、ポ
    リッシング対象物を一次洗浄する工程と、一次洗浄工程
    で洗浄されたポリッシング対象物を二次洗浄する二次洗
    浄工程を含むことを特徴とする請求項46又は47記載
    のポリッシング方法。
  59. 【請求項59】 前記ポリッシング対象物の研磨は、ポ
    リッシング対象物をトップリングにより保持しつつター
    ンテーブルに押し当てることにより行い、研磨後にポリ
    ッシング対象物を解放したトップリングを洗浄すること
    を特徴とする請求項46乃至58のいずれか1項に記載
    のポリッシング方法。
  60. 【請求項60】 前記ポリッシング対象物を厚さ計によ
    り測定することを特徴とする請求項46乃至48のいず
    れか1項に記載のポリッシング方法。
  61. 【請求項61】 半導体ウエハを研磨した後に洗浄して
    半導体デバイスを製造する半導体デバイス製造方法であ
    って、 ポリッシング装置をカバーで覆うことによりクリーンル
    ーム内に設置し、クリーンルーム内から半導体ウエハを
    ポリッシング装置内に搬入し、半導体ウエハを研磨し、
    研磨後の半導体ウエハを洗浄し、乾燥させ、洗浄乾燥の
    終了した清浄な半導体ウエハをポリッシング装置からク
    リーンルーム内に搬出することを特徴とする半導体デバ
    イス製造方法。
  62. 【請求項62】 半導体ウエハを研磨した後に洗浄して
    半導体デバイスを製造する半導体デバイス製造方法であ
    って、 一体的に構成配置されたロード部及びアンロード部にあ
    るバスケットから研磨すべき半導体ウエハをピッキング
    し、半導体ウエハを研磨部で研磨し、研磨後の半導体ウ
    エハを洗浄し、乾燥させ、洗浄乾燥の終了した清浄な半
    導体ウエハを前記バスケットに戻すことを特徴とする半
    導体デバイス製造方法。
  63. 【請求項63】 半導体ウエハを研磨した後に洗浄して
    半導体デバイスを製造する半導体デバイス製造方法であ
    って、 ロード部にある研磨すべき半導体ウエハをピッキング
    し、半導体ウエハを研磨部で研磨し、研磨後の半導体ウ
    エハをリンス洗浄し、リンス洗浄された半導体ウエハを
    一次洗浄し、一次洗浄された半導体ウエハを二次洗浄し
    た後、乾燥させ、洗浄乾燥の終了した清浄な半導体ウエ
    ハをアンロード部に戻すことを特徴とする半導体デバイ
    ス製造方法。
  64. 【請求項64】 ポリッシング対象物を研磨した後に洗
    浄するポリッシング方法であって、 ポリッシング装置をカバーで覆うことによりクリーンル
    ーム内に設置し、クリーンルーム内からポリッシング対
    象物をポリッシング装置内に搬入し、ポリッシング対象
    物を1個のターンテーブルで研磨した後に、さらに別の
    ターンテーブルで研磨し、研磨後のポリッシング対象物
    を洗浄し、乾燥させ、洗浄乾燥の終了した清浄なポリッ
    シング対象物をポリッシング装置からクリーンルーム内
    に搬出することを特徴とするポリッシング方法。
  65. 【請求項65】 前記ポリッシング対象物は研磨前に反
    転されることを特徴とする請求項64に記載のポリッシ
    ング方法。
  66. 【請求項66】 前記ポリッシング対象物は研磨後に反
    転されることを特徴とする請求項64に記載のポリッシ
    ング方法。
  67. 【請求項67】 前記研磨すべきポリッシング対象物
    は、一体的に構成配置されたロード部およびアンロード
    部にあるバスケットからピッキングされ、研磨後に洗浄
    乾燥を終了した清浄なポリッシング対象物は、前記バス
    ケットに戻すことを特徴とする請求項64に記載のポリ
    ッシング方法。
  68. 【請求項68】 前記研磨後のポリッシング対象物をリ
    ンス洗浄した後に前記ポリッシング対象物の洗浄および
    乾燥を行うことを特徴とする請求項64に記載のポリッ
    シング方法。
  69. 【請求項69】 前記ポリッシング対象物の洗浄は、ポ
    リッシング対象物を一次洗浄する工程と、一次洗浄工程
    で洗浄されたポリッシング対象物を二次洗浄する二次洗
    浄工程を含むことを特徴とする請求項64に記載のポリ
    ッシング方法。
  70. 【請求項70】 前記ポリッシング対象物の研磨は、ポ
    リッシング対象物をトップリングにより保持しつつター
    ンテーブルに押し当てることにより行い、研磨後にポリ
    ッシング対象物を解放したトップリングを洗浄すること
    を特徴とする請求項64に記載のポリッシング方法。
  71. 【請求項71】 前記ポリッシング対象物を厚さ計によ
    り測定することを特徴とする請求項64に記載のポリッ
    シング方法。
  72. 【請求項72】 ポリッシング対象物を研磨した後に洗
    浄するポリッシング方法であって、 ポリッシング装置をカバーで覆うことによりクリーンル
    ーム内に設置し、クリーンルーム内からポリッシング対
    象物をポリッシング装置内に搬入し、ポリッシング対象
    物を1個の研磨クロスで研磨した後に、さらに別の研磨
    クロスで研磨し、研磨後のポリッシング対象物を洗浄し
    乾燥させ、洗浄乾燥の終了した清浄なポリッシング対象
    物をポリッシング装置からクリーンルーム内に搬出する
    ことを特徴とするポリッシング方法。
  73. 【請求項73】 前記ポリッシング対象物は研磨前に反
    転されることを特徴とする請求項72に記載のポリッシ
    ング方法。
  74. 【請求項74】 前記ポリッシング対象物は研磨後に反
    転されることを特徴とする請求項72に記載のポリッシ
    ング方法。
  75. 【請求項75】 前記研磨すべきポリッシング対象物
    は、一体的に構成配置されたロード部およびアンロード
    部にあるバスケットからピッキングされ、研磨後に洗浄
    乾燥を終了した清浄なポリッシング対象物は、前記バス
    ケットに戻すことを特徴とする請求項72に記載のポリ
    ッシング方法。
  76. 【請求項76】 前記研磨後のポリッシング対象物をリ
    ンス洗浄した後に前記ポリッシング対象物の洗浄および
    乾燥を行うことを特徴とする請求項72に記載のポリッ
    シング方法。
  77. 【請求項77】 前記ポリッシング対象物の洗浄は、ポ
    リッシング対象物を一次洗浄する工程と、一次洗浄工程
    で洗浄されたポリッシング対象物を二次洗浄する二次洗
    浄工程を含むことを特徴とする請求項72に記載のポリ
    ッシング方法。
  78. 【請求項78】 前記ポリッシング対象物の研磨は、ポ
    リッシング対象物をトップリングにより保持しつつ研磨
    クロスに押し当てることにより行い、研磨後にポリッシ
    ング対象物を解放したトップリングを洗浄することを特
    徴とする請求項72に記載のポリッシング方法。
  79. 【請求項79】 前記ポリッシング対象物を厚さ計によ
    り測定することを特徴とする請求項72に記載のポリッ
    シング方法。
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