JP2003218408A - 発光ダイオード及びledライト - Google Patents
発光ダイオード及びledライトInfo
- Publication number
- JP2003218408A JP2003218408A JP2002331608A JP2002331608A JP2003218408A JP 2003218408 A JP2003218408 A JP 2003218408A JP 2002331608 A JP2002331608 A JP 2002331608A JP 2002331608 A JP2002331608 A JP 2002331608A JP 2003218408 A JP2003218408 A JP 2003218408A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- light emitting
- emitting element
- led
- reflecting mirror
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 47
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 32
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 9
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 47
- 230000008901 benefit Effects 0.000 abstract description 9
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 28
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 28
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 27
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 27
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 22
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 22
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 19
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 11
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 7
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 6
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 6
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 5
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 5
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 2
- 102100024522 Bladder cancer-associated protein Human genes 0.000 description 1
- 101150110835 Blcap gene Proteins 0.000 description 1
- 102100033040 Carbonic anhydrase 12 Human genes 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000867855 Homo sapiens Carbonic anhydrase 12 Proteins 0.000 description 1
- 101100493740 Oryza sativa subsp. japonica BC10 gene Proteins 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000000191 radiation effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
Landscapes
- Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
薄型を生かしつつ見栄え良く1個の発光素子で大面積を
照射でき、高い外部放射効率が得られること。 【解決手段】 LED32の発光素子から上面に向かっ
た光は入射角が大きいため全て全反射されて全てX−Y
平面に平行に進み、側面は発光素子を中心とする球面の
一部をなしているため、光はほぼそのまま平行に進んで
Z軸周り360度の方向に放射される。その先には階段
状の反射鏡33があり、略45度の傾斜を有する反射面
33aがあるが、上面で反射されてX−Y平面に略平行
に進んできた光を始めとして、側面から直接放射された
光もX−Y平面に平行に近いため、反射面33aで反射
された光はそれぞれがほぼ垂直に近く上方へ進み、少な
くともZ軸から20度の範囲内で、図示しない透明な前
板を通り抜けて外部放射される。
Description
「LEDチップ」とも呼ぶ)を搭載したパッケージ樹脂
またはレンズ系等の光学装置を含む発光装置全体(以
下、「発光ダイオード」または「LED」とも呼ぶ)、
及び発光ダイオードを光源として用いて車載用ライト等
の照明装置、表示装置等に応用するLEDライトに関す
るものである。
バックライト等にLEDを光源としたLEDライトが用
いられることが多くなってきた。LEDは、スペクトル
がシャープで視認性が良い。また、応答速度が速いた
め、後続車への信号伝達速度が速く、高速走行中、静止
距離の短縮に顕著な効果が認められている。さらに、L
EDはそれ自体単色光源であるので、白熱電球のように
必要色以外の光をフィルターカットする必要もなく、単
色光源として高効率であり、省エネルギー化にもつなが
る。
す。図25は、従来のLEDライトの一例の全体構成を
示す断面図である。図25に示されるように、このLE
Dライト130は、発光素子132を透明エポキシ樹脂
135で凸レンズ形に封止したレンズ型LED131を
光源として用いている。レンズ型LED131は、1対
のリード133a,133bのうちリード133aに発
光素子132をマウントして、発光素子132とリード
133bとをワイヤ134でボンディングして、全体を
透明エポキシ樹脂135で凸レンズ形に封止したもので
ある。そして、レンズ型LED131の周囲を回転放物
面形の反射鏡136で覆い、上方中央部にはフレネルレ
ンズ137が形成されている。以上の構成において、レ
ンズ型LED131から放射された光は反射鏡136で
反射され、またはフレネルレンズ137で集光されて、
すべて上方へ略平行に出射される。そして、樹脂レンズ
139の下面に設けられた凹凸の界面によって拡げられ
て樹脂レンズ139を透過した光は、車載用バックライ
トの規格である略20度の拡がりをもった放射光として
外部放射される。
た今日、少ない発光素子で所定面積の発光エリアをカバ
ーする必要が生じてきている。これは、部品数を減ら
し、部品実装の手間を削減するためである。しかし、上
述したLEDライト130において、1個の発光素子で
より大面積をカバーしようとすると、形状が相似形で大
きくなり、面積方向に大型になるとともに厚さ方向にも
厚くなる。また、無理に薄くしようとすると見栄えが低
下する。このため、LEDの特長である薄型の光源とす
ることができないという問題点があった。さらに、発光
素子132から反射鏡136にもフレネルレンズ137
にも至らない光は光学制御されず外部放射できないの
で、外部放射効率の点からもまだ課題のあるものであっ
た。
えば、特許文献1に示すLEDライトがある。
トを表し、(a)は光源を中心とする縦断面図、(b)
はLEDライトの構成を示す部分斜視図である。このL
EDライトでは、光源150と、光源150と対向する
中心軸上の位置に配置されて光源150から放射された
光を、光源150の中心軸Xと略直交するY方向の光と
して反射する放物反射面151aを有する第1の反射面
151と、第1の反射面151を中心にしてその周囲に
配置され、第1の反射面151で反射された光を、中心
軸X方向の光にして反射する複数の小反射面152aを
備えた第2の反射面152とを備えている。このような
構成において、光源150から放射された光は第1の反
射面151の放物反射面151aによってY方向へ反射
され、この反射光が第2の反射面152の小反射面15
2aによって中心軸X方向に反射されることにより、所
定の放射角度を有した車両用信号光を所定の面積にわた
って放射することができる。
源150の真上に第1の反射面151が配置されている
ので、光源150から直接出射される光は、第1の反射
面151に妨げられて垂直方向に照射されることは無
く、このため中心に暗部が生じ、ライトとしての見栄え
が悪くなるという問題があった。
て、例えば、特許文献2に示すLEDライトがある。
よび図4)
トを示し、(a)は光源を中心とする縦断面図、(b)
は(a)のK−K部における断面図を示す。このLED
ライトでは、発光素子160を発光源としてドーム部1
61およびベース部161Aを有する光源162と、入
射面163、第1の反射領域164、第1の反射面16
4A、直接伝導領域165、第2の反射領域166、照
射面167、縁168および169、ポスト172およ
び173とからなるレンズ要素174と、ピローレンズ
175Aをアレイ状に形成した光学要素175とを有
し、レンズ要素174の第2の反射領域166には抽出
面166Aとステップダウン部(step downs)166B
との組が第1の反射領域164の周囲360度に形成さ
れている。また、(b)に示すように、光源162は、
ベース部161Aの窪み162Aおよび162Bとレン
ズ要素174のポスト172および173とを結合させ
ることによってドーム部161が第1の反射領域164
の中心に位置決めされる。
光を放射すると、第1の反射面164Aで光源162の
中心軸方向と直交する方向に反射され、更に抽出面16
6Aで中心軸方向に反射されて照射面167から放射さ
れる光Aと、光源162から直接伝導領域165を透過
して中心軸方向に放射される光Bが得られることによ
り、光学要素175に照射範囲の拡大された光を入射し
ている。
トによると、光源162からの放射光を中心軸上に集光
させるドーム部161を有するため厚みが大きくなって
しまうという問題がある。
62の中心軸を完全に一致させて組み立てることが困難
なため、位置ずれを起こし易く全方向の明るさが不均一
となり易い。即ち、光源162とレンズ要素174とを
別体で形成し、これらを位置決めしているため、レンズ
要素174の第1の反射領域164に対する光源162
の中心軸の位置精度が低下すると、第1の反射領域16
4によって全反射方向に反射される反射光の光量が不均
一となってLEDライトの表面に明暗(明るさの差)が
生じるという問題がある。特に、光源162の出射光の
殆どが上方に放射される集光度の高い光学系である場合
には、光源162自体の配光ばらつきや、上述のレンズ
要素174と光源162との中心軸に対し垂直な方向へ
の位置ずれによる光学特性のばらつきによる明るさの差
が顕著になる。即ち、上記LEDライトにおいては、発
光素子160からの発光がドーム部161により集光さ
れて放射されるため、発光素子160の中心軸とドーム
部161の中心軸とがわずかな位置ずれを起こしただけ
でもドーム部161から集光放射される光の配光に大き
なばらつきを生じるものとなる。このように、光源16
2の構造自体に配光特性のばらつきが生じやすいという
課題を内在している上、さらに、上記のように、別体で
あるレンズ要素174の取り付け時の位置ずれにより、
第1の反射領域164によって全反射方向に反射される
反射光の光量が不均一になるという課題が加重されてし
まうという不都合があった。
集光できない側方光は、光の利用効率が低下し、照射面
積の増大ができないという問題もある。即ち、光源16
2から水平面方向(X方向)に放出された光は第2の反
射領域166によって反射されず、また第1の反射領域
164及び第2の反射領域166のどちらにも反射され
ない光はZ方向に放射されないため、光効率が劣るとい
う課題があった。
ように光源162とレンズ要素174とが別体であるた
め、光源162から放射された光が一旦空気層を通過し
た後レンズ要素174の入射面163に入射するため、
途中の空気層や界面で光のロスを生じたり、光源162
とレンズ要素174との界面によごれがたまったりして
更に光のロスにつながることがあった。更に、別体であ
るため、物理的衝撃が生じた場合に位置ズレを起こし易
く、発光素子と反射鏡とを近接させた光学系を成立でき
なかった。また、部品点数や組み立て工程数が増加した
り、組み立て精度のばらつきが大きくなるという問題点
もあった。
は、上記課題を解決して、LEDの特長である薄型とい
う点を生かしつつ見栄え良く1個の発光素子で大面積の
放射面積とすることができ、全方向の明るさが均一で、
高い外部放射効率が得られる発光ダイオード及びLED
ライトを提供することにある。
め、本発明の発光ダイオードは、電源供給手段に実装さ
れた発光素子と、該発光素子を封止する透光性材料によ
る封止手段と、前記発光素子の発光面側に対向し前記発
光素子が発する光を前記発光素子の中心軸と直交ないし
は中心軸と大きな角度をなす方向へ反射する反射面と、
前記反射面によって反射された光を側面から前記発光素
子の中心軸と直交ないしは中心軸と大きな角度をなす方
向へ放射する側面放射面を有することを特徴とする。
した光を前記発光素子の中心軸と略平行な方向へ放射す
る中央放射面を有することができる。
さくすることが望ましく、例えば中央放射面を円形にし
た場合には0.1mm以上で発光素子の発光面の対角長
さ以下とすることがより望ましい。上記範囲が望ましい
としたのは、0.1mm未満では中央放射部からの放射
効果があまり期待できないためであり、一方発光面の対
角長さを超えると、水平方向に効率よく放射することが
できなくなると共に、発光ダイオードの周囲に反射鏡を
設けた場合に反射鏡による反射強度と中央放射面からの
放射強度とのバランスがとれなくなるためである。ま
た、前記中央放射面は平面、R面、凹面、凸面のいずれ
か、またはそれらの組み合わせとすることができる。
って反射された光に加えて発光素子から直接到達する光
を前記中心軸と直交ないしは中心軸と大きな角度をなす
方向へ放射させても良い。
記発光素子に対して近接させることができる。中央放射
面と発光素子間の距離としては、例えば、素子発光面か
ら0.1mm〜1.5mmの範囲にあることが好まし
く、発光素子としてワイヤボンディング型のものを用い
る場合には、前記中央放射面は、前記発光素子の発光面
から前記発光素子の中心軸方向に0.3mm〜1.0m
mの範囲で形成されていることがより好ましい。上記範
囲がより好ましいとしたのは、ワイヤボンディング型の
発光素子を用いる場合には、ワイヤは上方に引き出され
曲げられるが、極度な曲げを行うと断線が生じ易くなる
こと、およびこのワイヤも透光性樹脂で封止される必要
があることとで、少なくとも0.3mmのスペースが必
要となるためであり、一方1.0mmより大きくなると
図3の説明の箇所で後述するようにワイヤボンディング
型発光素子において反射面の立体角増分は減少して中央
放射部を形成しない場合との差が小さくなってしまうか
らである。
径は5〜15mmであることが好ましい。上記範囲とし
たのは、5mm未満では反射面での十分な反射効率が期
待できなくなるためであり、15mmを超えると樹脂応
力による発光素子へのダメージが大きくなり好ましくな
いためである。
オードの周囲に反射鏡を備えたLEDライトであって、
前記発光ダイオードは、電源供給手段に実装された発光
素子と、該発光素子を封止する透光性材料による封止手
段と、前記発光素子の発光面側に対向し前記発光素子が
発する光を前記発光素子の中心軸と直交ないしは中心軸
と大きな角度をなす方向へ反射する反射面と、前記反射
面によって反射された光を側面から前記発光素子の中心
軸と直交ないしは中心軸と大きな角度をなす方向へ放射
する側面放射面を有することを特徴とする。
した光を前記発光素子の中心軸と略平行な方向へ放射す
る中央放射面を有することができる。また、前記LED
ライトにおいて、前記反射鏡を、複数の略平面ミラーと
することができる。
光素子と、該発光素子の上方に設けられた前記発光素子
からの光を側面方向へ反射する第1の反射鏡と、該第1
の反射鏡による反射光を上方へ放射する第2の反射鏡と
を具備するものである。
鏡は反射面が複数に分割することができる。
射鏡が中心から階段状に高くなっていき、それぞれの段
の部分が約45度に傾いたリング状の反射面となってい
るものなどが挙げられる。
平行光とすることができる。
光素子と、該発光素子に電力を供給する電気系と、前記
発光素子及び前記電気系を封止し、封止面の上面で前記
発光素子から発せられた光を側面方向に全反射する第1
の反射鏡を構成する光透過性材料と、前記側面方向に全
反射された光を上方へ反射する周辺反射鏡(第2の反射
鏡)とを具備するものである。
面と対向する光透過性材料の面をいう。
子を封止している光透過性材料の上面において、臨界角
よりも大きな角度で入射するように作製されている。
全反射された光がやや下方へ屈折するように前記光透過
性材料の側面の形状を整えることができる。
素子を一方の焦点とする楕円体の表面の一部等がある。
鏡または前記周辺反射鏡の内側に前記発光素子の側方へ
出射した光を上方へ反射する第3の反射鏡を設けること
ができる。
上にマウントすることができる。
鏡とを一体の光学体に形成することができる。
射するものであって、反射されず透過した光を上方へ反
射するための補助反射鏡を備えることができる。
射鏡を、上方から見たとき多角形あるいはそれに近い形
にすることができる。
形、平行四辺形、正六角形等を含むものである。
0度以上の範囲の光を反射するものとすることができ
る。
て図面を参照して説明する。
オードの実施の形態1について、図1、図2を参照して
説明する。図1に示す発光ダイオード10において、4
00×400μm寸法の発光素子1がリードフレーム2
a上にAgペースト(図示せず)を介してマウントさ
れ、一方、発光素子1の発光面中央部に形成された直径
0.1mmの電極及びその上の金ワイヤのボール(図示
せず)が直径30μmのワイヤ3により対極リード2b
と電気的接触がなされ、これらが透光性樹脂4で封止さ
れるとともに、光学面がモールドされている。
4a、上面反射面4b、側面放射面4cで構成されてい
る。ここで、中央放射面4aは発光素子1の上面からh
=0.5mm高さで、直径Wc=0.3mmの円形状に
形成され、上面反射面4bは発光素子1の上面中央部を
焦点とし、中央放射面4aの端部を通り、対称軸がz軸
に垂直な放物線をz軸のまわりに回転させた形状で形成
されている。また、4cはz軸に略垂直(型抜きのため
のわずかなテーパーを有する)な円筒面とされている。
このような中央放射面4a、上面反射面4b、側面放射
面4cを有する透光性樹脂4の外径(直径)がWM=
7.5mmとされている。
大きな立体角を得るためには、上面反射面を焦点位置が
同じで相似比の小さい放物線の回転形状(例えば4b’
から4b)とすればよいが、ワイヤボンディング型発光
素子の場合、図1に示すように発光素子1の上部にはワ
イヤスペースが必要となる。即ち、発光素子1の上面に
は電極(n電極又はp電極)を有し、ワイヤ3がボンデ
ィングされている。ワイヤ3は上方に引き出され曲げら
れるが、極度な曲げを行うと断線が生じ易くなること、
およびこのワイヤ3も透光性樹脂で封止される必要があ
ることとで、少なくとも0.3mm(ワイヤ0.2m
m、封止0.1mm)のスペースが必要である。このた
め光学面は波線で示された仮想の上面反射面4b’より
相似比が小さい放物線である上面反射面4bとすると共
に中央放射面4aを設けてある。
パッケージの中央からZ軸方向への光を放射できるとと
もに、Z軸に対し略垂直な方向への反射効率の向上を図
ることができる。即ち、図2において、発光素子1の発
光面の中央部を点Oとし、Z軸に対する、点Oから上面反
射面の端縁方向の角度は、波線で示された4b’の場
合、θ0=60度であるのに対し、実線で示された4b
の場合、θ1=65度となり、これらは、立体的にみれ
ば、それぞれ、点Oに対し、A0=3.1strad、A1=
3.6stradの立体角となる(いづれの場合も点Oを焦点
とし、対称軸がZ軸に対し垂直な放物線をZ軸まわりに回
転させた形状の上面反射面の場合)。一方、Z軸に対す
る、点Oから中央放射面の端部方向の角度θ2は、17度
で、点Oに対する立体角は、A2=0.25stradとな
る。つまり、実線に示した光学面とすることで、中央放
射面が形成された部分についてはZ軸に対し略垂直な方
向への反射が期待できないため立体角がA2=0.25s
trad分マイナスとなるものの、4b’を4bとしたこと
による立体角の増分がA1−A0=0.5となり、上記マ
イナス分を引いても(A1−A0)−A2=0.25とな
り0.25の増分となる。従って、光源に対する上面反
射面の立体角増分は0.25/π、即ち約1割増しとな
り、Z軸に対し略垂直な方向への放射効率の向上を図る
ことができる。
0では、400μm角の発光素子に対し、直径0.3m
mの中央放射面を形成した例を説明したが、これに限ら
ず、他のサイズでも構わない。但し、中央放射面4aを
極度に広くすると、上面から多くの光が放射され、Z軸
に対し略垂直な方向への放射効率が低下し、本来のコン
セプトを失うため、発光素子の発光面程度のサイズ以下
に留めるのが望ましい。また、発光素子1の上面放射面
と中央放射面との距離hは0.5mm、透光性樹脂4の
直径は7.5mmとして説明したが、これに限定される
ものではなく、効果の得られる範囲で適度な値とすれば
よい。
の直径をそれぞれ5mm,7.5mm、15mmとした
際の、中央放射面4aを形成しない場合(図2の4
b’)に対する、放射面を形成した場合(4a及び4
b)の点Oに対する上面反射面の立体角増分をhの関数
として表した。図3(b)より、透光性樹脂の直径が
7.5mmの場合では、h=0.6mmで、放射面を形
成しない場合に対し、立体角増分を最大に取ることがで
きる。hをこれより大きくすると、放射面を形成しない
場合との差が小さくなり、上面反射面の立体角増分は減
少する。一方、hを小さくすると、中央放射面が占める
立体角が増すため、上面反射面の立体角増分は減少す
る。また、透光性樹脂の直径を変えても同じ傾向が認め
られる。このような傾向は、透光性樹脂の径が大きい場
合より、径が小さい場合の方が顕著となるものの、直径
が15mm以下であれば中央放射部を設けることで立体
角の増分に関して優位な効果を得ることができる。以上
の結果に鑑みれば、h=0.3〜1.0mmの範囲、透
光性樹脂の直径を5〜15mmの範囲とするのが望まし
い。
直径が15mmで、h=0.3mmの場合のように、中
央放射面4aが発光素子1の発光面に近接すると理論上
は中央放射面4aの端部の角度(θ2)とその立体角
(A2)が大きくなる。このため、中央放射面を形成し
ない場合に対する、放射面を形成した場合の点Oに対す
る上面反射面4bの立体角増分((A1−A0)−A2)
は図3(c)に示すようにマイナスとなる。しかしなが
ら、実際には中央放射面4a直下の発光素子の発光面中
央部は、直径0.1mmの電極が形成されており、その
上には、金ワイヤのボールが存在し、いずれも非発光部
であるため、実際上は中央放射面からの外部放射光量は
増加しない。このため、A2に起因する立体角増分がマ
イナスになるという影響は実際上は少なく、A1−A0の
増分によるZ軸に対し略垂直な方向への放射効率の向上
を期待できる。
に平面形状に限らず、例えば(b)のように中央放射面
4aと上面反射面4bの境界部分のみがR形状のもの、
(c)のように中央放射面4a全体がR形状のもの、
(d)のように凹状のもの、(e)のように凸状のもの
としても良い。また上面反射面4bは、発光素子の上面
中央部を焦点とし、X軸方向を対称軸とした放物線の回
転体のみならず、図5のように対称軸がX軸方向から傾
いた放物線の回転体でも良いし、放物線に限らず、長焦
点の楕円や双曲線の回転体としても良い。さらに他の形
状を回転させたものであっても構わない。
面周辺部に電極があるものを用いても良い。この場合、
ワイヤスペースという観点からは上述のようなhの寸法
の制限は生じない。しかし、近接させ過ぎると、上面反
射面4bでは中央放射面4aの立体角(対発光素子)が
著しく大きくなる。また、樹脂封止の際、隙間が狭いと
未充填になり易く、封止後も素子に不自然な応力が加わ
るものとなり易い。このため、上述のように発光素子1
の上面放射面と中央放射面との間に所定スペースを設け
るのが望ましい。
に限らず、図6に示すように、金属基板7上に絶縁層6
を介し、銅箔パターン5a,5bを形成し、その上に発
光素子1を形成したものや、図7に示すように、リード
8a,8bを下方に引き出したものでも構わない。ま
た、発光素子に蛍光体をコーティングしたものを用いて
も良いが、その際には、図8に示すように、蛍光体12
を内部にコーティングして発光素子1を封止した光源9
を用いることができる。
えば、トランスファーモールド法によって製造すること
ができる。以下にトランスファーモールド法による製造
方法を図9を参照して説明する。まず、プレス加工によ
って形成されたリードフレーム2aに発光素子1をフェ
イスアップ接合する。次に、発光素子1のAlボンディ
ングパットとリードフレーム2bとをワイヤ3で電気的
に接続する。次に、発光素子1を実装されたリードフレ
ーム2a、2bを金型20Bに位置決め載置し、上方か
ら金型20Aを降下させて挟持することによりリードフ
レームと金型との位置保持をする。次に、剥離成分を含
有した透明エポキシ樹脂4を金型内に注入する。次に、
透明エポキシ樹脂4を160℃、5分の硬化条件で硬化
させる。次に、金型20A、20Bを上下分離して透明
エポキシ樹脂4を硬化させた発光ダイオード10を取り
出す。このようなトランスファーモールド法による発光
ダイオード10の製造では、金型20A、20Bでリー
ドフレーム2a、2bを挟持した状態で金型内部20
C、20Dに透明エポキシ樹脂8を注入するので、発光
素子1と光学面との位置決め精度を±0.1mmの高精
度で実現することが可能になり、近接光学系を用いた発
光ダイオード10の個体差による配光特性のばらつきを
防ぐことができる。
ティングモールド法によっても製造することができる。
以下、キャスティングモールド法による製造方法を図1
0を参照にして説明する。まず、プレス加工によってリ
ードフレーム21a、21bを打ち抜き加工する。この
とき、リードフレーム21a、21bは分断せずに複数
個分の後端がリードで連結された状態にする。次に、リ
ードで連結された後端を支持部材に固定する。次に、リ
ードフレーム21bの先端に発光素子1をフェイスアッ
プ接合する。次に、発光素子1のAlボンディングパッ
トとリードフレーム21aとをワイヤ3で電気的に接続
する。次に、リードフレーム21a、21bをモールド
成型用のキャスティング20F上に移動させる。次に、
キャスティング20F内に樹脂4を注入する。次に、樹
脂4を注入されたキャスティング20F内にリードフレ
ーム21a、21bを浸漬する。次に、キャスティング
20Fおよびリードフレーム21a、21bを配置した
空間20Eを真空にして樹脂4の気泡抜きを行う。次
に、樹脂4を120℃、60分の硬化条件で硬化させ
る。次に、キャスティング20Fから樹脂4を硬化させ
た発光ダイオード4を取り出す。キャスティングモール
ド法では、リードフレーム21a、21bの先端(自由
端)がキャスティングで支持拘束されていないので、発
光素子1と光学面との位置決め精度は±0.2mmとト
ランスファーモールド法による製造より低下するが、透
明エポキシ樹脂4の長時間硬化を行うことで熱応力むら
は小になり、リードフレーム21a、21bと透明エポ
キシ樹脂4の剥離が生じにくくなる。なお、製造工程管
理や発光素子1の配光特性を選別することで、配光特性
の安定化を図ることは可能である。
ついて、図11乃至図19を参照して説明する。
かるLEDライトの全体構成を示す平面図、(b)は
(a)のA−A断面図、(c)は(b)のP部分の拡大
図である。図12は本発明の実施の形態2にかかるLE
Dライトの光源であるLEDの縦断面図である。図13
は本発明の実施の形態2にかかるLEDライトの周囲を
矩形にカットし、複数個を合わせて一定範囲をカバーす
るようにした構造を示す平面図である。図14は本発明
の実施の形態2にかかるLEDライトの光源であるLE
Dの第1の変形例を示す縦断面図である。図15は本発
明の実施の形態2にかかるLEDライトの光源であるL
EDの第2の変形例を示す縦断面図である。
EDライトの光源であるLEDの第3の変形例を示す説
明図である。図17は本発明の実施の形態2にかかるL
EDライトの第4の変形例を示す部分拡大図である。図
18(a)は本発明の実施の形態2にかかるLEDライ
トの第5変形例を示す平面図、(b)は(a)のB−B
断面図、(c)は(a)のC−C断面図、(d)は
(a)のD−D断面図である。図19(a)は本発明の
実施の形態2にかかるLEDライトの第6の変形例を示
す平面図、(b)は(a)のE−E断面図、(c)は
(a)のF−F断面図である。
のLEDライト1は円形の本体の中心に光源となるLE
D32を搭載して、その周囲を第2の反射鏡としての同
心円の階段状の反射鏡33で囲んだ構造をしている。こ
こで、発光素子の中心軸をZ軸とし発光素子上面をその
原点とし、この原点においてX軸とY軸とが直角に交わ
るように定めてある。以下の各変形例、各実施の形態に
おいても同様である。
鏡33の反射面33aは、図のX−Y平面に対して約4
5度に傾斜している。反射鏡33は、透明アクリル樹脂
で成形した後、アルミ蒸着して反射面を形成している。
を参照して説明する。図12に示されるように、X−Y
平面上に設けられた1対のリード板35a,35bのう
ち面積の広いリード板35aの先端に発光素子36をマ
ウントしている。発光素子36の上面の電極とリード板
35bの先端とは、ワイヤ37でボンディングされて電
気的接続がなされている。これらの電気系としてのリー
ド板35a,35bの先端、発光素子36、ワイヤ37
が樹脂封止用金型にセットされて、光透過性材料として
の透明エポキシ樹脂38によって図に示すような断面形
状に樹脂封止されている。ここで、LED32の上面3
9の中心部分には平坦面39aがあって、この平坦面3
9aに続いて第1の反射鏡39bとして発光素子36の
発光面の中心を焦点とし、X軸方向を対称軸とする放物
線の一部を原点からZ軸に対して60度以上の範囲内に
おいてZ軸の周りに回転させた傘のような形状をしてい
る(したがって、回転放物面ではない)。また、LED
32の側面40は、発光素子36を中心とする球面の一
部をなしている。このような構成を有するLED32が
円形のLEDライト31の中心に固定されている。
射原理について、図11,図12を参照して説明する。
LED32のリード板35a,35bに電圧を印加する
と発光素子36が発光する。発光素子36から発せられ
た光のうち、Z方向即ち真上に向かった光は平坦面39
aから透明エポキシ樹脂38外へ放射され、LEDライ
ト31の上に被せられている図示しない透明な前板を透
過し外部放射される。また、発光素子36が発した光の
うちZ軸に対して60度以上の範囲内の光が第1の反射
鏡としての上面39に至り、これらの光は上面39への
入射角が大きいため全て全反射されて側面40に向か
う。ここで、上面39は発光素子36を焦点としX軸を
対称軸とする放物線の一部をZ軸の周りに回転させた形
状をしているため、上面39で反射された光は全てX−
Y平面に平行に進み、側面40は発光素子36を中心と
する球面の一部をなしているため、光はほぼそのまま平
行に進んでZ軸周り360度の方向に略平面状に外部放
射される。さらに、発光素子36から側面40に直接至
る光は、側面40は発光素子36を中心とする球面の一
部をなしているため、屈折することなく直進し、外部放
射される。
反射鏡33があり、略45度の傾斜を有する反射面33
aがあるが、上面39で反射されてX−Y平面に略平行
に放射された光と、側面40から直接放射された光はX
−Y平面に平行に放射されているため、反射面33aで
反射された光はそれぞれがほぼ垂直に近く上方へ進み、
少なくともZ軸から20度の範囲内で、図示しない透明
な前板を通り抜けて外部放射される。なお、上記で「平
行」と表現している光も、発光素子36の大きさがある
ために完全な平行にはならないが、いずれの光もほぼ平
行になり、少なくともZ軸から20度の範囲内には確実
に入るものとなる。
ライト31は、LEDの特長である薄型という利点を生
かして、薄型で1個の発光素子で大面積を照射すること
ができ、高い外部放射効率を得ることができる。
として、図13に示されるように、円形のLEDライト
1を正方形またはその一部に切断して、断片41a,4
1b,41c,41d,41e,41fの6個を作製
し、これらを図のように組み合わせて所定エリアをカバ
ーする複数の発光素子を有する一体のLEDライト41
とすることができる。
ト31の第1の変形例として、図14に示されるように
一対のリード板42a,42bを発光素子36の周辺の
み凹ませて第3の反射鏡とする。これによって、図12
の基本形においては発光素子36の真上のみ直接上方に
光が放射されるのに対して、LED内の発光素子36の
周辺からも上方に光が放射されるようになり、より全体
が発光しているように見えて、見栄えが向上するという
効果が得られる。
ト31の第2の変形例として、一対のリード板43a,
43bにハーフエッチングやスタンピングパターンによ
り、図15に示されるようなパターンを設けることによ
って、発光素子36から斜め下方に放射される光を反射
して上方に光を放射するようにしても良い。複数の同心
円反射鏡を形成することにより、変形例1と同様により
全体が発光しているように見せることができ、見栄え向
上を図ることができる。なお、この場合には、透明エポ
キシ樹脂38とリード板43a,43bとの接着面積が
増し、接着形状を平面形状でなくすることによる剥離不
良低減の効果もある。特に、発熱の大きい大電流タイプ
の場合に有効である。
ト31の第3の変形例として、図16に示されるよう
に、LEDの透明エポキシ樹脂38による封止部分の側
面形状を変更しても良い。基本例の側面40は発光素子
36を中心とする球面形状の一部であり、発光素子36
から出た光は側面40に略垂直に入射してそのまま直進
するようになっていたが、この変形例3においては、側
面44は発光素子36を一方の焦点とする楕円体表面の
一部をなしており、発光素子36から出た光は側面44
において直進方向に対してやや下方に屈折する。したが
って、LEDの周囲の階段状反射鏡33をより低い位置
にもってきても高い外部放射効率が得られるLEDライ
トとなる。これによって、LEDライトをより薄型にす
ることができる。
ト1の第4の変形例として、図17に示されるように、
第1の反射鏡としての上面39における側方への反射
を、透明エポキシ樹脂38と空気の境界面における全反
射によらず、上面39にメッキ、蒸着等を施して金属反
射膜45を付着させても良い。この場合には、発光素子
36の真上を平坦にしてしまうと真上に放射される光は
外部放射されなくなるので、上面39の中心部分まで全
て発光素子36を焦点とする放物線の一部をZ軸周りに
回転させた形状とする必要がある。
ト31の第5の変形例51として、基本例のように全体
を略均一に光らせるのではなく、発光点を点在させるこ
ともできる。即ち、図18(a)に示されるように、第
2の反射鏡としての円形反射鏡53を扇形に分割して、
図18(b),(c),(d)に示されるようにLED
52から反射面53aまでの距離を何種類かに分ける。
これによって、上方から見たときに反射光の放射される
位置が円の中で散らばり、きらきらと光り美しく見える
という効果がある。この際、LED52には、微小な中
央放射面4aを備えていることで、さらに見栄えを良く
する効果がある。即ち、中央放射面4aと反射面53a
とから外部放射される光の輝度を同等とし、かつ輝点を
バランス良く配置することができる。中央放射面4aか
ら外部放射される光量は、LED52の周囲に放射され
た後円形反射鏡53で反射されて外部放射される光量に
対し、1/10以下といったごくわずかな割合とし、大
半がLED52の周囲に放射する特性とすることで輝度
が同等となる。さらに詳細には、円形反射鏡53がより
大きいほど中央放射面4aから外部放射される光量比は
小さくてよい。また、きらきらと光り美しく見える効果
は反射面53aが略平面あるいは凸面の際に得られる
が、凸面そして凸面の曲率が大きいほど中央放射面4a
から外部放射される光量比は小さくて良い。なお、この
変形例5においては、各扇形においてそれぞれ一段の反
射面53aでLED52からの光を全て反射しなければ
ならないので、各反射面53aの高さは図18(b),
(c),(d)に示されるように、図11(b)に示さ
れる基本例の円形階段形反射鏡33の全体の高さhと同
じ高さにするのが望ましい。また、輝度を同等とすると
説明したが、周辺ほど輝度が高いものやその逆など輝度
アクセントをつけたものとしても良い。
ト31の第6の変形例54として、図19に示されるよ
うに、第2の反射鏡としての反射鏡56を扇形に分割し
てそれぞれ長さを変えることによって、反射鏡56の形
状を多角形の1つとしての正方形に近づけることができ
る。即ち、図19(b),(c)に示されるように、最
も短い扇形においては反射面56aから次の反射面56
aまでの長さをLとすると、その扇形から45度ずれた
最も長い扇形においては反射面56aから次の反射面5
6aまでの長さを√2Lとする。これによって、図13
に示されるように、複数の正方形のLEDライト41
a,…を連結する場合でも、円形のLEDライト31を
正方形にカットする必要がないので、外部放射効率の低
下がなく、より明るい連結型ライトとなる。また、略円
筒形のLED55の代わりに略正方形のLEDを光源と
して用いた場合、LEDの各側面から反射鏡56までの
距離が全周に亘ってほぼ等しくなるという利点もある。
態3について、図20を参照して説明する。図20は本
発明の実施の形態3にかかるLEDライトに用いられる
LEDの全体構成を示す縦断面図である。
のLED61は、1対のリード板63a,63bのうち
リード板63aの先端に発光素子64がマウントされ、
発光素子64の上面の電極とリード板63bの先端とが
ワイヤ65でボンディングされて電気的接続がなされて
いる。これらの電気系としてのリード板63a,63b
の先端、発光素子64、ワイヤ65が光透過性材料とし
ての透明エポキシ樹脂66によって封止されている。こ
の透明エポキシ樹脂66の外形は、発光素子64を中心
とする球形の半分の上部を円錐形に抉り取った形状をし
ている。この場合には、発光素子64から出た光は第1
の反射鏡としての上面62で全反射されるが、反射光は
上面62に対する発光素子64の鏡映点からの放射光に
相当するので、集光された光ではなく、拡がり角をもっ
て側面67から放射される。したがって、これらの光を
上方へ反射する第2の反射鏡としての円形階段状反射鏡
も実施の形態2で用いたLED32と比較するとZ方向
に長いものが必要とされる。
光でも良いもの、またLEDライトとして極めて薄いも
のが要求されない場合などには、このような単純な円錐
形の反射面62を用いることもできる。
態4について、図21を参照して説明する。図21は本
発明の実施の形態4にかかるLEDライトの全体構成を
示す縦断面図である。
のLEDライト70は、1対のリード板63a,63b
のうちリード板63aの先端に発光素子64がマウント
され、発光素子64の上面の電極とリード板63bの先
端とがワイヤ65でボンディングされて電気的接続がな
されている。これらの電気系としてのリード板63a,
63bの先端、発光素子64、ワイヤ65が透明エポキ
シ樹脂66によって封止されている。この透明エポキシ
樹脂66の形状は、通常の円筒形であり、したがって透
明エポキシ樹脂66の上面は第1の反射鏡の役目を果た
し得ない。その代わりに透明アクリル樹脂で成形した傘
のような形状の円形の光学体68を、透明エポキシ樹脂
66の上面に光透過性材料67を介して取り付けてい
る。この光学体68の上面69は、発光素子64を焦点
としX軸方向を対称軸とする放物線の一部をZ軸の周り
に回転させた形状をしている。
射鏡としての実施の形態2の円形階段状反射鏡の代わり
をすべく、約45度の段のついた円形の階段状となって
いる。そして、下面71にはアルミ蒸着72がされて、
その上からアルミ蒸着膜の保護のために図示しないオー
バーコートが行なわれる。本実施の形態4においては、
蒸着鏡面化の後のオーバーコートの自由度が大きくでき
る。即ち、オーバーコートを有色のものにしても構わな
いし、厚さの制限もない。
1対のリード板63a,63bに所定の電圧がかけられ
ると発光素子64が発光して、そのうち真上へ向かった
光は遮るものがないのでそのまま直進して、図示しない
透明な前板を透過して外部放出される。また、斜め上方
から側方へかけて放射された光は、光透過性材料67を
透過して光学体68内に入り、第1の反射鏡としての上
面69に当った光は全反射するが、上面69は発光素子
64を焦点とする放物線の一部をZ軸の周りに回転させ
た形状をしているので、全て側面方向へX−Y平面に略
平行に反射される。そして、第2の反射鏡としての円形
階段状反射鏡71で上方へZ軸に略平行に反射されて上
面69から前記前板を透過して外部放射される。光学体
68内に入り、円形階段状反射鏡71に直接当った光も
同様に上方へ放射される。
という点を生かしつつ、通常の円筒形のLEDを用いて
見栄え良く1個の発光素子で大面積を照射することがで
き、高い外部放射効率が得られるLEDライトとなる。
態5について、図22を参照して説明する。図22は本
発明の実施の形態5にかかるLEDライトの全体構成を
示す縦断面図である。
のLEDライト80は、金属板としてのアルミベース8
1の上に形成されている。アルミベース81の上には、
絶縁層82を挟んで回路パターン83が形成されてお
り、その上に発光素子84がマウントされてワイヤ85
でボンディングされ、電気的接続がなされている。これ
らの電気系としての回路パターン83、発光素子84、
ワイヤ85の上に、内側を半球形91にくりぬかれた傘
のような形状の透明アクリル樹脂で成形された光学体8
7が被せられる。このとき、半球形91の部分に光透過
性材料としての透明シリコン樹脂が充填されて、回路パ
ターン83、発光素子84、ワイヤ85が隙間なく封止
される。このように固定された状態で、この光学体87
の上面88は、発光素子84を焦点とする放物線の一部
をZ軸の周りに回転させた形状をしている。
射鏡としての約45度の段のついた円形の階段状となっ
ている。そして、下面89にはアルミ蒸着90がされ
て、その上からアルミ蒸着膜の保護のために図示しない
オーバーコートが行なわれる。本実施の形態5において
も、蒸着鏡面化の後のオーバーコートの自由度が大きく
できる。即ち、オーバーコートを有色のものにしても構
わないし、厚さの制限もない。
光素子84が発光すると、そのうち真上へ向かった光は
遮るものがないのでそのまま直進して、図示しない透明
な前板を透過して外部放出される。また、斜め上方から
側方へかけて放射された光は、透明シリコン樹脂86を
透過して光学体87内に入り、第1の反射鏡としての上
面88に当った光は全反射するが、上面88は発光素子
84を焦点とする放物線の一部をZ軸の周りに回転させ
た形状をしているので、全て側面方向へX−Y平面に略
平行に反射される。そして、第2の反射鏡としての円形
階段状反射鏡89で上方へZ軸に略平行に反射されて上
面88から前記前板を透過して外部放射される。光学体
87内に入り、円形階段状反射鏡89に直接当った光も
同様に上方へ放射される。
ては、熱伝導性に優れたアルミベース81の上に形成し
ているので、放熱性が大幅に向上し、発光素子84に大
電流を投入しても熱飽和が起きないため大きな光出力が
得られるという利点がある。
し、熱飽和の制限を受けることなく大きな光出力が得ら
れ、高光度のLEDライトとできるだけでなく、大面積
としても薄型とできる本実施形態において、大面積かつ
高輝度のLEDライトを具現化することができる。
態6について、図23を参照して説明する。図23は本
発明の実施の形態6にかかるLEDライトの全体構成を
示す縦断面図である。
のLEDライト100も、金属板としてのアルミベース
95の上に形成されている。アルミベース95の上に
は、絶縁層96を挟んで回路パターン97が形成されて
おり、その上に発光素子98がマウントされてワイヤ9
9でボンディングされ、電気的接続がなされている。こ
れらの電気系としての回路パターン97、発光素子9
8、ワイヤ99は光透過性材料としての透明エポキシ樹
脂102で封止されている。その上から、円形の透明ア
クリル樹脂で成形された光学体101が固定されてい
る。このように固定された状態で、この光学体101の
上面103は、発光素子98を焦点とする放物線の一部
をZ軸の周りに回転させた形状をしており、第1の反射
鏡として機能する。
の反射鏡としての約45度の段のついた円形の階段状と
なっている。ここで、本実施の形態6のLEDライト1
00においては、光学体101の下面104に金属蒸着
が施されていない。即ち、第1の反射鏡としての光学体
101の上面103で側面方向に反射された発光素子9
8からの光は、第2の反射鏡としての光学体101の下
面104で全反射によって上方へ反射される。つまり、
光学体101の下面104に金属蒸着を施さなくても、
下面104における全反射のみで大部分の光は上方へ反
射される。全反射されずに下面104を突き抜けてきた
光を反射するために、補助反射体105が光学体101
の下に下面104と空気層を空けて回路基板97の上に
固定されている。補助反射体105の上面はメッキ塗装
によって反射面が形成されており、下面104を突き抜
けてきた光を上方へ反射する。
ト100においては、第1の反射鏡と第2の反射鏡を兼
ねた光学体101の下面104に金属蒸着を施す必要が
なく、補助反射体105を設けて簡易なメッキ塗装を施
すだけで、発光素子98から発せられた光をほぼ全て上
方へ外部放射することができ、高い外部放射効率を得る
ことができる。また、本実施の形態6のLEDライト1
00においても熱伝導性に優れたアルミベース95の上
に形成しているので、放熱性が大幅に向上し、発光素子
98に大電流を投入しても熱飽和が起きないため大きな
光出力が得られるという利点がある。
射効率が得られるとともに、薄型で大きな放熱性を有
し、熱飽和の制限を受けることなく大きな光出力が得ら
れ、明るい放射光が得られるLEDライトとなる。
態7について、図24を参照して説明する。図24
(a)は本発明の実施の形態7にかかるLEDライトの
全体構成を示す平面図、(b)は(a)のG−G断面図
である。
のLEDライト110は、下面113が第2の反射鏡と
しての階段状の反射面となっており、中心部に円筒形の
空間114が設けられた透明アクリル樹脂で成形された
光学体111と、中心部の空間114内に固定された実
施の形態2のLEDライト31と同様のLED32との
組み合わせで構成されている。即ち、LED32は発光
素子115等を透明エポキシ樹脂で封止するとともに、
その上面を第1の反射鏡としての放物面116にしてお
り、発光素子115から出て上面116で側面方向へ反
射された光は、光学体111の下面113で上方へ反射
され、図示しない透明な前板を透過して外部放射され
る。
ら直接(上面116で反射されずに)放射された光は、
実施の形態2のLEDライト31においては、二点鎖線
で示される経路を辿って、上方へ反射されず有効利用さ
れずに終わっていたが、本実施の形態7のLEDライト
110においては、破線で示されるように光学体111
の水平な上面112で反射されて下面113で上方へ反
射されて有効利用される。これによって、薄型でより外
部放射効率の高いLEDライトとなる。また、空間11
4に入射した光はZ軸に対し大きな角度となる方向に屈
折されるので、図24(a)で上方から見た場合の周辺
部の輝度が向上する。
を封止する光透過性材料として透明エポキシ樹脂を主に
用いているが、その他の光透過性材料でも構わない。
の反射鏡としての、または第1の反射鏡と第2の反射鏡
を兼ねる光学体として透明アクリル樹脂を用いている
が、その他の透明合成樹脂を始めとして、他の材料を用
いることもできる。
央からの放射光を得るとして説明したが、サイズの大き
い発光素子を用いたり上面光学系を極めて近接させたり
などして、発光素子からの上面光学系への入射角を臨界
角以内とし、特に中央放射面を設けずしてLED中央か
らの放射光を得るものとしても構わない。
用いる場合、上面光学系は必ずしも近接しなくとも十分
な側面放射を得ることができる。
状、数量、材質、大きさ、接続関係等についても、上記
各実施の形態に限定されるものではない。
オードは、電源供給手段に実装された発光素子と、該発
光素子を封止する透光性材料による封止手段と、前記発
光素子の発光面側に対向し前記発光素子が発する光を前
記発光素子の中心軸と直交ないしは中心軸と大きな角度
をなす方向へ反射する反射面と、前記反射面によって反
射された光を側面から前記発光素子の中心軸と直交ない
しは中心軸と大きな角度をなす方向へ放射する側面放射
面を有することを特徴とする。
反射面及び側面放射面の中心軸を発光素子の中心軸に一
致させて精度良く形成することができ、発光素子から放
射された光が反射面で均一に反射されるため、放出され
る光の明るさが場所によらず全方向で均一なものとな
る。このため、ドーム部によって集光放射している従来
型のLEDの外部に反射鏡を設けた従来型の構造のLE
Dライトが内在していた、LED自体に配光のばらつき
が生じ易く、さらにLEDの外部に設けられた反射鏡と
の位置ずれによるばらつきが生じ易い、という配光特性
のばらつきに関する従来の問題点を解消することができ
る。また透光性材料により発光素子が一体的に封止する
ことができるので、製造後も物理的衝撃が生じた場合に
も位置ずれを生じることがなく、発光素子と反射面との
間に界面等が存在しないため、よごれ等が進入する恐れ
もなく、界面やよごれ等による光損失を生じることがな
い。更に、発光素子を透光性材料内に直接封止している
ため、全体の厚みを小さくすることができ、LEDの特
長である薄型という点を最大限に生かすことができる。
子が発した光を前記発光素子の中心軸と略平行な方向へ
放射する中央放射面を設けると、、発光素子から上方に
放射される光を中央放射面から直接取り出すことができ
るため、発光の中心部が中抜け状態になることが無く、
見栄えを向上させることができる。
発光面から前記発光素子の中心軸方向に0.3mm〜
1.0mmの範囲で形成すると、前記反射面の立体角を
増加させて光学的特性の向上を図ることが可能になると
共に、中央放射面の形成により反射面を発光素子に近接
させた場合であってもワイヤボンディングの際のボンデ
ィングスペースや樹脂モールドの空間を確保することが
可能となる。
発光面積より小さくすることにより、発光ダイオードの
周囲に反射鏡を設けた場合に反射鏡による反射強度と中
央放射面との放射強度のバランスが取れ、見栄えの良い
ものとすることができる。
射された光に加えて発光素子から直接到達する光を前記
中心軸と直交ないしは中心軸と大きな角度をなす方向へ
放射するものとすると、発光素子から側方に放射されて
上面反射面で反射されない光も、上面反射面によって反
射された光と同様に、側面放射面により外部に放射され
るため、高い外部放射効率が得られるものとなる。
オードの周囲に反射鏡を備えたLEDライトであって、
前記発光ダイオードは、電源供給手段に実装された発光
素子と、該発光素子を封止する透光性材料による封止手
段と、前記発光素子の発光面側に対向し前記発光素子が
発する光を前記発光素子の中心軸と直交ないしは中心軸
と大きな角度をなす方向へ反射する反射面と、前記反射
面によって反射された光を側面から前記発光素子の中心
軸と直交ないしは中心軸と大きな角度をなす方向へ放射
する側面放射面を有することを特徴とする。
ダイオードの反射面で均一に反射され、発光素子の中心
軸とほぼ直交する方向に均一に放射されるため、放出さ
れる光の明るさが場所によらず均一なものとなる。この
ように発光ダイオードから均一に放射された光を発光ダ
イオードの周囲に備えた反射鏡で更に反射させることに
よって、大面積の外部放射光を得ることが可能となる。
子が発した光を前記発光素子の中心軸と略平行な方向へ
放射する中央放射面を設けると、発光素子から上方に放
射される光を中央放射面から直接取り出すことができる
ため、発光の中心部が中抜け状態になることが無く、均
一な光となり、見栄えを向上できるLEDライトとな
る。
とすると、キラキラ感のある外部放射光を得ることがで
きるLEDライトとなる。
光素子と、該発光素子の上方に設けられた前記発光素子
からの光を側面方向へ反射する第1の反射鏡と、該第1
の反射鏡による反射光を上方へ放射する第2の反射鏡と
を具備するものである。
へ反射する第1の反射鏡を設置するのみで、この反射光
を上方へ反射する第2の反射鏡を第1の反射鏡から離す
ほど大面積の外部放射光を得ることができる。また、側
面に反射された光は全て光学制御されて上方へ反射され
て外部放射されるので、高い外部放射効率が得られる。
という点を生かして、薄型で1個の発光素子で大面積を
照射することができ、高い外部放射効率を得ることがで
きるLEDライトとなる。
射鏡は反射面が複数に分割されていることにより、上方
から見たときに反射光の放射される位置が円の中で散ら
ばり、きらきらと光り美しく見えるという効果がある。
略平行光とすることによって、放射面が略平面状である
ときには、ほぼ全ての光が外部放射され、外部放射効率
の高いLEDライトとなる。また、上述した車載用バッ
クライトのように放射角を約20度に拡げたい場合に
は、境界面または放射面を凹凸にして制御すれば良い。
その他、第2の反射鏡による反射光が略平行光であれ
ば、放射光をいかようにも制御できるので、光制御の自
由度の高いLEDライトとなる。
と、該発光素子に電力を供給する電気系と、前記発光素
子及び前記電気系を封止し、封止面の上面で前記発光素
子から発せられた光を側面方向に全反射する第1の反射
鏡を構成する光透過性材料と、前記側面方向に全反射さ
れた光を上方へ反射する第2の反射鏡とを具備するもの
である。
子を封止している光透過性材料の上面において、臨界角
よりも大きな角度で入射するように作製されている。こ
れによって、第1の反射鏡を作製するのにメッキ、蒸着
等の表面処理の必要がなくなり、封止金型の形状を調節
すれば良いだけなので、LEDライトの作製工程が極め
て短縮され、また低コスト化される。また、光透過性材
料の側面は発光素子を中心とする球面の一部とすること
によってそのまま側面へ透過して第2の反射鏡によって
上方へ反射される。これによって、発光素子から光透過
性材料の上面・側面へ放射された光はいずれも第2の反
射鏡によって上方へ反射されるので、LEDの薄型の特
徴を生かしつつ外部放射効率の高いLEDライトとな
る。
全反射された光がやや下方へ屈折するように前記光透過
性材料の側面の形状を整えたものである。
透過性材料の側面においてやや下方に屈折する。したが
って、LEDの周囲の第2の反射鏡をより低い位置にも
ってきても高い外部放射効率が得られるLEDライトと
なる。これによって、LEDライトをより薄型にするこ
とができる。
周囲に前記発光素子の側方へ出射した光を上方へ反射す
る第3の反射鏡を設けると第3の反射鏡を設けない発明
にかかるLEDライトにおいては発光素子の真上のみ上
方に光が放射されるのに対して、発光素子の周辺からも
上方に光が放射されるようになり、より全体が発光して
いるように見えて、見栄えが向上するという効果が得ら
れる。
板上にマウントすると、熱伝導性に優れた金属板の上に
発光素子をマウントしているので、放熱性が大幅に向上
し、発光素子に大電流を投入しても熱飽和が起きないた
め、大きな光出力が得られるという利点がある。このよ
うにして、薄型で大きな放熱性を有し、熱飽和の制限を
受けることなく大きな光出力が得られ、明るい放射光が
得られるLEDライトとなる。
鏡とが一体の光学体に形成されていることによって、構
成が簡単になるとともに、第1の反射鏡と第2の反射鏡
が位置ずれを起こすこともなくなって、確実に高い外部
放射効率が得られるLEDライトとなる。
射するものであって、反射されず透過した光を上方へ反
射するための補助反射鏡を備えたものとすることによっ
て、第2の反射鏡にメッキ・蒸着等の処理を施す必要が
なくなるとともに、補助反射鏡は第2の反射鏡から漏れ
た光を反射するだけのものなので、基材にメッキ塗装等
をするような簡単な工程で作製でき、しかも高い外部放
射効率が得られる。このようにして、簡単な工程で高い
外部放射効率が得られるLEDライトとなる。
き多角形あるいはそれに近い形であるものにすることに
よって、複数の同形の多角形を組み合わせることによっ
て、外部放射効率を低下させることなく、一定の形状の
範囲を光らせることができ、車載用ライト等として応用
することができる。
0度以上の範囲の光を反射するものとすることによっ
て、発光素子の上面の中心軸から60度の範囲内に放射
される光は全て第1の反射鏡で側面方向へ反射され、中
心軸から60度より大きい範囲内に放射される光は直接
側面方向へ向かい、いずれも第2の反射鏡によって上方
へ反射される。したがって、発光素子から放射される大
部分の光が外部放射されるため、極めて外部放射効率の
高いLEDライトとなる。
ドの縦断面図である。
ドの一部を拡大した縦断面図である。
子の上面から中央放射面までの距離hと立体角の増分と
の関係を示すグラフであり、(a)は透光性樹脂の直径
が5mmの場合、(b)は7.5mmの場合、(c)は
15mmの場合である。
央放射部の形状の例を示す縦断面図であり、(a)は平
面形状のもの、(b)は中央放射面と上面反射面の境界
部分のみがR形状のもの、(c)は中央放射面全体がR
形状のもの、(d)は凹状のもの、(e)は凸状のもの
である。
面反射面の他の例を説明するグラフである。
の例を示す縦断面図である。
の例を示す縦断面図である。
の例を示す縦断面図である。
ドの一製造方法であるトランスファーモールド法を説明
する断面図である。
ードの一製造方法であるキャスティングモールド法を説
明する断面図である。
EDライトの全体構成を示す平面図、(b)は(a)の
A−A断面図、(c)は(b)のP部分の拡大図であ
る。
トの光源であるLEDの縦断面図である。
トの周囲を矩形にカットし、複数個を合わせて一定範囲
をカバーするようにした構造を示す平面図である。
トの光源であるLEDの第1の変形例を示す縦断面図で
ある。
トの光源であるLEDの第2の変形例を示す縦断面図で
ある。
トの光源であるLEDの第3の変形例を示す説明図であ
る。
トの第4の変形例を示す部分拡大図である。
EDライトの第5変形例を示す平面図、(b)は(a)
のB−B断面図、(c)は(a)のC−C断面図、
(d)は(a)のD−D断面図である。
EDライトの第6の変形例を示す平面図、(b)は
(a)のE−E断面図、(c)は(a)のF−F断面図
である。
トに用いられるLEDの全体構成を示す縦断面図であ
る。
トの全体構成を示す縦断面図である。
トの全体構成を示す縦断面図である。
トの全体構成を示す縦断面図である。
EDライトの全体構成を示す平面図、(b)は(a)の
G−G断面図である。
す断面図である。
は光源を中心とする縦断面図、(b)はLEDライトの
構成を示す部分斜視図である。
は光源を中心とする縦断面図、(b)は(a)のK−K
部における断面図全体構成を示す断面図である。
央放射面、4b 反射面、 4c 側面放射面、10 発光ダイオード 31,51,54,61,70,80,100,110
LEDライト 33,53,56,71,89,104,113 第2
の反射鏡 35a,35b,37,42a,42b,43a,43
b,63a,63b,65,83,85,97,99
電気系 3,64,84,98,115 発光素子 38,66,86,102 光透過性材料 39,45,62,69,88,103,116 第1
の反射鏡 42a,42b,43a,43b 第3の反射鏡 45 金属面 68,87,101,111 光学体 81,95 金属板 83,97 回路基板 105 補助反射鏡
Claims (19)
- 【請求項1】 電源供給手段に実装された発光素子と、
該発光素子を封止する透光性材料による封止手段と、前
記発光素子の発光面側に対向し前記発光素子が発する光
を前記発光素子の中心軸と直交ないしは中心軸と大きな
角度をなす方向へ反射する反射面と、前記反射面によっ
て反射された光を側面から前記発光素子の中心軸と直交
ないしは中心軸と大きな角度をなす方向へ放射する側面
放射面を有することを特徴とする発光ダイオード。 - 【請求項2】 前記反射面の中央部に、前記発光素子が
発した光を前記発光素子の中心軸と略平行な方向へ放射
する中央放射面を有することを特徴とする請求項1記載
の発光ダイオード。 - 【請求項3】 前記中央放射面は、前記発光素子の発光
面から前記発光素子の中心軸方向に0.3mm〜1.0
mmの範囲で形成されていることを特徴とする請求項2
記載の発光ダイオード。 - 【請求項4】 前記中央放射面は、前記発光素子の発光
面積より小さいことを特徴とする請求項2または請求項
3記載の発光ダイオード。 - 【請求項5】 前記側面放射面は、前記反射面によって
反射された光に加えて発光素子から直接到達する光を前
記中心軸と直交ないしは中心軸と大きな角度をなす方向
へ放射することを特徴とする請求項1乃至請求項4のい
ずれか1つに記載の発光ダイオード。 - 【請求項6】 発光ダイオードの周囲に反射鏡を備えた
LEDライトであって、前記発光ダイオードは、電源供
給手段に実装された発光素子と、該発光素子を封止する
透光性材料による封止手段と、前記発光素子の発光面側
に対向し前記発光素子が発する光を前記発光素子の中心
軸と直交ないしは中心軸と大きな角度をなす方向へ反射
する反射面と、前記反射面によって反射された光を側面
から前記発光素子の中心軸と直交ないしは中心軸と大き
な角度をなす方向へ放射する側面放射面を有することを
特徴とするLEDライト。 - 【請求項7】 前記反射面の中央部に、前記発光素子が
発した光を前記発光素子の中心軸と略平行な方向へ放射
する中央放射面を有することを特徴とする請求項6記載
のLEDライト。 - 【請求項8】 前記反射鏡は、複数の略平面ミラーであ
ることを特徴とする請求項6または請求項7記載のLE
Dライト。 - 【請求項9】 発光素子と、該発光素子の上方に設けら
れた前記発光素子からの光を側面方向へ反射する第1の
反射鏡と、該第1の反射鏡による反射光を上方へ放射す
る第2の反射鏡とを具備するLEDライト。 - 【請求項10】 前記第2の反射鏡は反射面が複数に分
割されていることを特徴とする請求項9に記載のLED
ライト。 - 【請求項11】 前記第2の反射鏡による反射光が略平
行光であることを特徴とする請求項9または請求項10
に記載のLEDライト。 - 【請求項12】 発光素子と、該発光素子に電力を供給
する電気系と、前記発光素子及び前記電気系を封止し、
封止面の上面で前記発光素子から発せられた光を側面方
向に全反射する第1の反射鏡を構成する光透過性材料
と、前記側面方向に全反射された光を上方へ反射する周
辺反射鏡とを具備するLEDライト。 - 【請求項13】 前記側面方向に全反射された光がやや
下方へ屈折するように前記光透過性材料の側面の形状を
整えたことを特徴とする請求項12に記載のLEDライ
ト。 - 【請求項14】 前記発光素子の周囲の前記第2の反射
鏡または前記周辺反射鏡の内側に前記発光素子の側方へ
出射した光を上方へ反射する第3の反射鏡を設けたこと
を特徴とする請求項9乃至請求項13のいずれか1つに
記載のLEDライト。 - 【請求項15】 前記発光素子を金属板の上の回路基板
上にマウントしたことを特徴とする請求項9乃至請求項
14のいずれか1つに記載のLEDライト。 - 【請求項16】 前記第1の反射鏡と前記第2の反射鏡
または前記周辺反射鏡とが一体の光学体に形成されてい
ることを特徴とする請求項9乃至請求項15のいずれか
1つに記載のLEDライト。 - 【請求項17】 前記第2の反射鏡または前記周辺反射
鏡が全反射により反射するものであって、反射されず透
過した光を上方へ反射するための補助反射鏡を備えたこ
とを特徴とする請求項9乃至請求項16のいずれか1つ
に記載のLEDライト。 - 【請求項18】 前記第2の反射鏡または前記周辺反射
鏡が上方から見たとき多角形あるいはそれに近い形であ
ることを特徴とする請求項9乃至請求項17のいずれか
1つに記載のLEDライト。 - 【請求項19】 前記第1の反射鏡が中心軸に対して6
0度以上の範囲の光を反射することを特徴とする請求項
9乃至請求項18のいずれか1つに記載のLEDライ
ト。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
AU2002365761A AU2002365761A1 (en) | 2001-11-16 | 2002-11-15 | Light-emitting diode, led light, and light apparatus |
CNB028226461A CN100369274C (zh) | 2001-11-16 | 2002-11-15 | 发光二极管、led灯及灯具 |
US10/495,644 US7781787B2 (en) | 2001-11-16 | 2002-11-15 | Light-emitting diode, led light, and light apparatus |
EP02804348A EP1453107A4 (en) | 2001-11-16 | 2002-11-15 | LED, LED LAMP AND LAMP |
TW091133621A TW569476B (en) | 2001-11-16 | 2002-11-15 | Light emitting diode, LED lighting module, and lamp apparatus |
PCT/JP2002/011968 WO2003049207A1 (en) | 2001-11-16 | 2002-11-15 | Light-emitting diode, led light, and light apparatus |
JP2002331608A JP4239563B2 (ja) | 2001-11-16 | 2002-11-15 | 発光ダイオード及びledライト |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001351743 | 2001-11-16 | ||
JP2001-351743 | 2001-11-16 | ||
JP2002331608A JP4239563B2 (ja) | 2001-11-16 | 2002-11-15 | 発光ダイオード及びledライト |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003218408A true JP2003218408A (ja) | 2003-07-31 |
JP4239563B2 JP4239563B2 (ja) | 2009-03-18 |
Family
ID=27667290
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002331608A Expired - Fee Related JP4239563B2 (ja) | 2001-11-16 | 2002-11-15 | 発光ダイオード及びledライト |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4239563B2 (ja) |
Cited By (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005132336A (ja) * | 2003-10-07 | 2005-05-26 | Toyoda Gosei Co Ltd | 後視鏡装置 |
JP2005159149A (ja) * | 2003-11-27 | 2005-06-16 | Aoki Denki Kogyo Kk | 高輝度led発光部 |
JP2006252841A (ja) * | 2005-03-09 | 2006-09-21 | Koito Ind Ltd | 標識灯 |
US7111964B2 (en) | 2003-03-14 | 2006-09-26 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | LED package |
JP2006339650A (ja) * | 2005-06-01 | 2006-12-14 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 側面発光型ledパッケージ及びその製造方法 |
JP2007034307A (ja) * | 2005-07-26 | 2007-02-08 | Samsung Electronics Co Ltd | 光学レンズ及び光学パッケージ、これらを有するバックライトアセンブリ及び表示装置、並びに点光源を含むが導光板が省略されたバックライトアセンブリから均一な光を出射させる方法 |
JP2007042320A (ja) * | 2005-08-01 | 2007-02-15 | Sony Corp | 面状光源装置及びカラー液晶表示装置組立体 |
KR20070021843A (ko) * | 2005-08-20 | 2007-02-23 | 주식회사 코렌 | Led용 렌즈 |
CN100381905C (zh) * | 2004-05-03 | 2008-04-16 | 三星电机株式会社 | 提供背光的发光二极管阵列组件及具有该组件的背光单元 |
JP2008166145A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Toyota Motor Corp | 車両用灯具及び発光ダイオードバルブ |
CN100405175C (zh) * | 2004-05-28 | 2008-07-23 | 三星电机株式会社 | Led封装和包括该led封装的用于lcd的背光组件 |
JP2008544537A (ja) * | 2005-06-24 | 2008-12-04 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 発光素子パッケージ及び発光素子パッケージの製造方法 |
US7549781B2 (en) | 2004-11-03 | 2009-06-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode and lens for the same |
JP2010062286A (ja) * | 2008-09-03 | 2010-03-18 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体発光装置 |
WO2010095441A1 (ja) * | 2009-02-19 | 2010-08-26 | シャープ株式会社 | 発光装置、面光源、及び表示装置 |
JP2011014852A (ja) * | 2009-06-05 | 2011-01-20 | Konica Minolta Opto Inc | 発光装置 |
JP2011233308A (ja) * | 2010-04-26 | 2011-11-17 | Twinbird Corp | 照明装置 |
JP2011253658A (ja) * | 2010-06-01 | 2011-12-15 | Koito Mfg Co Ltd | 車両用灯具 |
JP2012003845A (ja) * | 2010-06-14 | 2012-01-05 | Nittoh Kogaku Kk | 発光装置 |
KR101157293B1 (ko) * | 2004-09-08 | 2012-07-20 | 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 | 측면으로 방출하는 방사선 발생 소자 및 상기 소자용 렌즈 |
JP2013161841A (ja) * | 2012-02-02 | 2013-08-19 | Panasonic Corp | Ledパッケージ及びledパッケージ用フレーム |
US8525206B2 (en) | 2005-02-28 | 2013-09-03 | Osram Opto Semiconductor Gmbh | Illumination device |
WO2023176301A1 (ja) * | 2022-03-14 | 2023-09-21 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置 |
-
2002
- 2002-11-15 JP JP2002331608A patent/JP4239563B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7111964B2 (en) | 2003-03-14 | 2006-09-26 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | LED package |
JP2005132336A (ja) * | 2003-10-07 | 2005-05-26 | Toyoda Gosei Co Ltd | 後視鏡装置 |
JP2005159149A (ja) * | 2003-11-27 | 2005-06-16 | Aoki Denki Kogyo Kk | 高輝度led発光部 |
CN100381905C (zh) * | 2004-05-03 | 2008-04-16 | 三星电机株式会社 | 提供背光的发光二极管阵列组件及具有该组件的背光单元 |
CN100405175C (zh) * | 2004-05-28 | 2008-07-23 | 三星电机株式会社 | Led封装和包括该led封装的用于lcd的背光组件 |
KR101157293B1 (ko) * | 2004-09-08 | 2012-07-20 | 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 | 측면으로 방출하는 방사선 발생 소자 및 상기 소자용 렌즈 |
US7549781B2 (en) | 2004-11-03 | 2009-06-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode and lens for the same |
US8525206B2 (en) | 2005-02-28 | 2013-09-03 | Osram Opto Semiconductor Gmbh | Illumination device |
JP2006252841A (ja) * | 2005-03-09 | 2006-09-21 | Koito Ind Ltd | 標識灯 |
JP2006339650A (ja) * | 2005-06-01 | 2006-12-14 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 側面発光型ledパッケージ及びその製造方法 |
US7833811B2 (en) | 2005-06-01 | 2010-11-16 | Samsung Led Co., Ltd. | Side-emitting LED package and method of manufacturing the same |
US9564567B2 (en) | 2005-06-24 | 2017-02-07 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package and method of fabricating the same |
JP2008544537A (ja) * | 2005-06-24 | 2008-12-04 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 発光素子パッケージ及び発光素子パッケージの製造方法 |
US8178894B2 (en) | 2005-06-24 | 2012-05-15 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package and method of fabricating the same |
US8395178B2 (en) | 2005-06-24 | 2013-03-12 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package and method of fabricating the same |
JP2007034307A (ja) * | 2005-07-26 | 2007-02-08 | Samsung Electronics Co Ltd | 光学レンズ及び光学パッケージ、これらを有するバックライトアセンブリ及び表示装置、並びに点光源を含むが導光板が省略されたバックライトアセンブリから均一な光を出射させる方法 |
JP2007042320A (ja) * | 2005-08-01 | 2007-02-15 | Sony Corp | 面状光源装置及びカラー液晶表示装置組立体 |
KR20070021843A (ko) * | 2005-08-20 | 2007-02-23 | 주식회사 코렌 | Led용 렌즈 |
JP2008166145A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Toyota Motor Corp | 車両用灯具及び発光ダイオードバルブ |
JP2010062286A (ja) * | 2008-09-03 | 2010-03-18 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体発光装置 |
CN102301499A (zh) * | 2009-02-19 | 2011-12-28 | 夏普株式会社 | 发光装置、面光源以及显示装置 |
WO2010095441A1 (ja) * | 2009-02-19 | 2010-08-26 | シャープ株式会社 | 発光装置、面光源、及び表示装置 |
US8648358B2 (en) | 2009-02-19 | 2014-02-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device, planar light source, and display device |
JP2011014852A (ja) * | 2009-06-05 | 2011-01-20 | Konica Minolta Opto Inc | 発光装置 |
JP2011233308A (ja) * | 2010-04-26 | 2011-11-17 | Twinbird Corp | 照明装置 |
JP2011253658A (ja) * | 2010-06-01 | 2011-12-15 | Koito Mfg Co Ltd | 車両用灯具 |
JP2012003845A (ja) * | 2010-06-14 | 2012-01-05 | Nittoh Kogaku Kk | 発光装置 |
JP2013161841A (ja) * | 2012-02-02 | 2013-08-19 | Panasonic Corp | Ledパッケージ及びledパッケージ用フレーム |
WO2023176301A1 (ja) * | 2022-03-14 | 2023-09-21 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4239563B2 (ja) | 2009-03-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4239563B2 (ja) | 発光ダイオード及びledライト | |
CN100369274C (zh) | 发光二极管、led灯及灯具 | |
JP4182783B2 (ja) | Ledパッケージ | |
KR100853240B1 (ko) | 발광다이오드 | |
JP3964590B2 (ja) | 光半導体パッケージ | |
JP5903672B2 (ja) | 発光装置及びそれを用いた照明装置 | |
JP4182784B2 (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
US20120235553A1 (en) | Spherical Light Output LED Lens and Heat Sink Stem System | |
JP4699966B2 (ja) | 光線を投射するためのモジュール | |
JP2003158302A (ja) | 発光ダイオード | |
JP4816707B2 (ja) | 発光器及び自動車のバックライト | |
WO2012132736A1 (ja) | 照明装置および光源装置 | |
JP5167099B2 (ja) | 照明装置 | |
JP4239565B2 (ja) | 発光器および灯具 | |
JPH10335706A (ja) | 発光ダイオードランプ | |
JPH11266036A (ja) | 平面光源装置およびその製造方法 | |
JP4239476B2 (ja) | 発光ダイオード、ledライトおよび反射鏡 | |
JP4239564B2 (ja) | 発光ダイオードおよびledライト | |
JP2000277812A (ja) | ライン光源装置およびその製造方法 | |
JP2004088007A (ja) | 発光ダイオード | |
JP2004087630A (ja) | 発光ダイオードおよびledライト | |
JP4239477B2 (ja) | 発光ダイオードおよびledライト | |
US20060243994A1 (en) | Light emitting diode lamp and manufacturing method thereof | |
JP2002111070A (ja) | 反射型発光ダイオード | |
JP2002231014A (ja) | 発光ダイオードを用いた車両用灯具 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050224 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20080819 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080924 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081020 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20081202 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081215 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120109 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4239563 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130109 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140109 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |