JP2003195311A - Method for manufacturing liquid crystal element - Google Patents
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Landscapes
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、カイラルスメクチ
ック液晶を備えた液晶素子の製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a liquid crystal device having a chiral smectic liquid crystal.
【0002】[0002]
【従来の技術】(1) 従来、液晶素子にはネマチック液晶
が用いられていたが、このネマチック液晶の場合、応答
速度が遅いという問題があった。以下、その点について
詳述する。2. Description of the Related Art (1) Conventionally, a nematic liquid crystal has been used for a liquid crystal element, but this nematic liquid crystal has a problem that the response speed is slow. Hereinafter, that point will be described in detail.
【0003】従来、ネマチック液晶を用いた液晶素子と
しては、アクティブマトリクス型のもの(すなわち、一
つ一つの画素にトランジスタのような能動素子を配置し
たタイプのもの)の開発が行われている。Conventionally, as a liquid crystal element using a nematic liquid crystal, an active matrix type (that is, a type in which an active element such as a transistor is arranged in each pixel) has been developed.
【0004】このアクティブマトリクス型液晶素子に用
いられるネマチック液晶のモードとして、ツイステッド
ネマチック(Twisted Nematic)モード
が広く知られている。なお、該モードの詳細は「たとえ
ばエム・シャット(M.Schadt)とダブリユー・
ヘルフリッヒ(w.Helfrich)著Applie
d Physics Letters第18巻、第4号
(1971年2月15日発行)第127頁から128
頁」において示されている。A twisted nematic mode is widely known as a mode of the nematic liquid crystal used in the active matrix type liquid crystal element. The details of the mode are described in “For example, M. Schadt and Double.
Applie by W. Helfrich
d Physics Letters Volume 18, Issue 4 (Published February 15, 1971), pages 127-128.
Page ”.
【0005】しかしながら、このようなツイステッドネ
マチックモードで[TNモード]は液晶の応答速度が数
十msと遅いため、ビデオレートに対応できず、動画像
表示には適さないという問題があった。However, in the twisted nematic mode [TN mode], since the response speed of the liquid crystal is as slow as several tens of ms, it cannot cope with the video rate and is not suitable for displaying moving images.
【0006】(2) このようなネマチック液晶と異なり、
強誘電性液晶や反強誘電性液晶等のスメクチック液晶
は、自発分極による反転スイッチングを行うために応答
速度を速くできることから、次世代のディスプレイ等へ
の適用が期待されている。以下、該液晶について説明す
る。(2) Unlike such a nematic liquid crystal,
Smectic liquid crystals such as ferroelectric liquid crystals and anti-ferroelectric liquid crystals are expected to be applied to the next-generation displays and the like because they can increase the response speed because they perform inversion switching due to spontaneous polarization. The liquid crystal will be described below.
【0007】液晶が双安定性を示す素子(SSFLC/
Surface Stabilized FLC)がク
ラーク(Clark)およびラガウェル(Lagerw
all)により提案されている(特開昭56−1072
16号公報、米国特許第4367924号明細書)。こ
の双安定性を示す液晶としては、一般にカイラルスメク
チックC相を示す強誘電性液晶が用いられている。この
強誘電性液晶では、電圧印加の際に液晶分子の自発分極
に電圧が作用し分子の反転スイッチングがなされるた
め、非常に速い応答速度が得られる上にメモリー性のあ
る双安定状態を発現させることができる。さらに視野角
特性も優れていることから、高速、高精細、大面積の表
示素子あるいはライトバルブとして適していると考えら
れる。A device in which liquid crystal exhibits bistability (SSFLC /
Surface Stabilized FLC by Clark and Lagerwell
all) (JP-A-56-1072).
16 and U.S. Pat. No. 4,367,924). As the liquid crystal exhibiting this bistability, a ferroelectric liquid crystal exhibiting a chiral smectic C phase is generally used. In this ferroelectric liquid crystal, when a voltage is applied, the voltage acts on the spontaneous polarization of the liquid crystal molecules to cause the inversion switching of the molecules, so that a very fast response speed is obtained and a bistable state with a memory property is exhibited. Can be made. Further, since it has excellent viewing angle characteristics, it is considered to be suitable as a high-speed, high-definition, large-area display element or light valve.
【0008】ここで、双安定性強誘電液晶を用いた液晶
素子(SSFLC)について図3に沿って簡単に説明す
る。図中の符号124及び125は偏光子を示し、符号
124a及び125aはそれぞれの偏光軸の方位を示
す。符号122は液晶素子を示し、その液晶平均分子軸
は、印加される電圧の極性に応じて122a又は122
bに示す位置を選択的に取るようになっている。ここ
で、液晶平均分子軸とは、厳密には液晶層による屈折率
楕円体の液晶層面内での高屈折率軸または低屈折率軸の
いずれかを示すものとする。A liquid crystal element (SSFLC) using a bistable ferroelectric liquid crystal will be briefly described with reference to FIG. Reference numerals 124 and 125 in the figure indicate polarizers, and reference numerals 124a and 125a indicate the directions of the respective polarization axes. Reference numeral 122 indicates a liquid crystal element, the liquid crystal average molecular axis of which is 122 a or 122 depending on the polarity of the applied voltage.
The position shown in b is selectively taken. Here, strictly speaking, the liquid crystal average molecular axis indicates either the high refractive index axis or the low refractive index axis in the liquid crystal layer plane of the refractive index ellipsoid formed by the liquid crystal layer.
【0009】いま、液晶平均分子軸が122aにあった
場合、偏光子124を通過してきた光線は、偏光状態を
保ったまま液晶素子122を通過し偏光子125に到達
するが、偏光子125の偏光方向125aと光線の偏光
方向122aとは直交するため、光線は偏光子125を
通過することができずに黒状態を呈する。これに対し
て、液晶平均分子軸が122bにあった場合は、偏光子
124を通過してきた光線は、液晶パネル122の複屈
折特性により偏光回転して符号125aに示す方位を取
り、そのまま偏光子125を透過して白状態を呈する。
なお、このときの透過率は、
sin2 (2θ)・sin2 (π・Δnd/λ)
で表される(『液晶デバイスハンドブック(日本学術振
興会第142委員会編)』参照)。ここで、θはカイラ
ルスメクチック液晶のコーン角であり、Δnは液晶の複
屈折、dは基板間距離、入は光線の波長である。表示素
子の設計においては、人間の比視感度曲線のピーク波長
である550nm付近の波長が用いられることが多い。
これはこの波長域が人間の感じる光強度及びコントラス
トにもっとも影響するためである。このさい、透過率の
極大条件より液晶パネルのリタデーション量Δn・d
は、550nmの半分に設定されるのが好ましい。Now, when the liquid crystal average molecular axis is 122a, the light rays passing through the polarizer 124 pass through the liquid crystal element 122 while maintaining the polarization state and reach the polarizer 125. Since the polarization direction 125a and the polarization direction 122a of the light beam are orthogonal to each other, the light beam cannot pass through the polarizer 125, and the light beam exhibits a black state. On the other hand, when the average molecular axis of the liquid crystal is 122b, the light ray passing through the polarizer 124 is polarized and rotated by the birefringence characteristic of the liquid crystal panel 122 to take the azimuth indicated by reference numeral 125a, and the polarizer is left as it is. It passes through 125 and exhibits a white state.
The transmittance at this time is represented by sin 2 (2θ) · sin 2 (π · Δnd / λ) (see “Liquid Crystal Device Handbook (edited by the 142nd Committee, Japan Society for the Promotion of Science)”). Here, θ is the cone angle of the chiral smectic liquid crystal, Δn is the birefringence of the liquid crystal, d is the distance between the substrates, and is the wavelength of the light beam. In designing a display element, a wavelength around 550 nm, which is the peak wavelength of the human spectral luminous efficiency curve, is often used.
This is because this wavelength range has the greatest influence on the light intensity and the contrast perceived by humans. At this time, the retardation amount Δn · d of the liquid crystal panel is set according to the maximum transmittance condition
Is preferably set to half of 550 nm.
【0010】また、最近では、上述のような双安定性を
示す強誘電性液晶の他に、3安定性状態を示す反強誘電
性液晶が注目されている。この反強誘電性液晶も、強誘
電性液晶と同様に、液晶分子の自発分極への作用により
分子の反転スイッチングがなされるため、非常に速い応
答速度が得られる。この液晶材料は、電圧無印加時には
液晶分子は互いの自発分極を打ち消し合うような分子配
列構造をとるため、電圧を印加しない状態では自発分極
は存在しないことが特徴となっている。Recently, in addition to the ferroelectric liquid crystal exhibiting the above-mentioned bistability, attention has been paid to the anti-ferroelectric liquid crystal exhibiting the tri-stable state. Similar to the ferroelectric liquid crystal, the antiferroelectric liquid crystal has a very fast response speed because the molecules undergo inversion switching due to the action on the spontaneous polarization of the liquid crystal molecules. This liquid crystal material has a molecular alignment structure in which liquid crystal molecules cancel each other's spontaneous polarization when no voltage is applied, and thus is characterized by the absence of spontaneous polarization when no voltage is applied.
【0011】一方、上述のように複数の安定状態を示す
のではなくて、安定状態を1つしか示さないカイラルス
メクチック液晶がある(特願平10−117145
号)。この液晶は、
・ 電圧を印加しない状態では液晶の平均分子軸は単安
定状態の位置を取り、
・ 一方の極性の電圧を印加した場合には、該平均分子
軸は印加電圧の大きさに応じた角度で単安定化された位
置から一方の側にチルトし、
・ 他方の極性の電圧を印加した場合には、平均分子軸
は逆側にチルトする、ようになっている。該液晶は、印
加電圧に応じてチルト角(平均分子軸がチルトする角
度)が変化する特性を利用して階調表示に利用されてい
る。On the other hand, there is a chiral smectic liquid crystal that does not exhibit a plurality of stable states as described above but only one stable state (Japanese Patent Application No. 10-117145).
issue). The liquid crystal has the following properties: -When no voltage is applied, the average molecular axis of the liquid crystal is in a monostable position.-When a voltage of one polarity is applied, the average molecular axis depends on the magnitude of the applied voltage. It tilts to one side from the monostable position at different angles, and when a voltage of the other polarity is applied, the average molecular axis tilts to the opposite side. The liquid crystal is used for gradation display by utilizing the characteristic that the tilt angle (angle at which the average molecular axis tilts) changes according to the applied voltage.
【0012】[0012]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
カイラルスメクチック液晶(特願平10−117145
号)においては、印加電圧とチルト角との関係は安定し
てはおらずに時間と共に変化してしまい、表示画像の画
質が悪くなってしまうという問題があった。例えば、所
定の階調を表示しようとして所定の電圧を印加したとし
ても、上述のように印加電圧とチルト角との関係が変化
しているために、表示される階調にズレが発生してしま
い、画質が悪くなってしまうという問題があった。However, the above-mentioned chiral smectic liquid crystal (Japanese Patent Application No. 10-117145).
No.), there is a problem that the relationship between the applied voltage and the tilt angle is not stable and changes with time, and the quality of the displayed image deteriorates. For example, even if a predetermined voltage is applied in an attempt to display a predetermined gradation, the displayed gradation may deviate due to the change in the relationship between the applied voltage and the tilt angle as described above. Therefore, there was a problem that the image quality deteriorates.
【0013】本発明者が、上記現象(印加電圧とチルト
角との関係が時間と共に変化してしまうという現象)の
発生原因を確認すべく、アクティブ素子を持たない単画
素の液晶パネルを作製し、駆動電圧を印加し続けたとこ
ろ、液晶層中のイオン(以下、“可動イオン”とする)
が配向膜界面付近まで泳動して該配向膜に吸着されてし
まい、駆動中の電圧保持率が変化することが確認され
た。このことより、アクティブ素子を持つ液晶パネルに
おいては、電圧保持率の変動による透過率の経時変化が
起こり得ることが容易に推察できる。In order to confirm the cause of the above phenomenon (a phenomenon in which the relationship between the applied voltage and the tilt angle changes with time), the present inventor manufactured a single pixel liquid crystal panel having no active element. , When the drive voltage is continuously applied, the ions in the liquid crystal layer (hereinafter referred to as “movable ions”)
It was confirmed that the particles migrated to the vicinity of the alignment film interface and were adsorbed by the alignment film, and the voltage holding ratio during driving changed. From this, it can be easily inferred that in a liquid crystal panel having active elements, the transmittance may change with time due to a change in voltage holding ratio.
【0014】そこで、本発明は、表示階調のズレ等を防
止する液晶素子の製造方法を提供することを目的とする
ものである。Therefore, it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a liquid crystal element which prevents a shift in display gradation.
【0015】[0015]
【課題を解決するための手段】本発明は上記事情を考慮
してなされたものであり、所定間隙を開けた状態に一対
の基板を配置する工程と、これら一対の基板の間隙にカ
イラルスメクチック液晶を配置する工程と、該カイラル
スメクチック液晶を挟み込むと共に複数の画素を構成す
るように一対の電極を配置する工程と、アクティブ素子
を各画素毎に一方の電極に接続した状態に配置する工程
と、からなる液晶素子の製造方法において、前記カイラ
ルスメクチック液晶が、高温側より、等方性液体相(I
SO.)-コレステリック相(Ch)-カイラルスメクチ
ックC相(SmC*)、又は、等方性液体相(IS
O.)-カイラルスメクチックC相(SmC*)、の相転
移系列を示す液晶であって、コレステリック相(Ch)
-カイラルスメクチックC相(SmC*)又は等方性液体
相(ISO.)-カイラルスメクチックC相(SmC*)
の相転移温度よりも高い温度にて、前記一対の電極を介
して前記液晶に交番電圧を印加する、ことを特徴とす
る。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in consideration of the above circumstances, and a step of arranging a pair of substrates with a predetermined gap left therebetween and a chiral smectic liquid crystal in the gap between the pair of substrates. A step of arranging, a step of arranging a pair of electrodes so as to form a plurality of pixels while sandwiching the chiral smectic liquid crystal, a step of arranging an active element in a state of being connected to one electrode for each pixel, In the method for producing a liquid crystal device, the chiral smectic liquid crystal is added to the isotropic liquid phase (I
SO. ) -Cholesteric phase (Ch) -Chiraral smectic C phase (SmC *) or isotropic liquid phase (IS
O. ) -Chiral smectic C phase (SmC *), a liquid crystal exhibiting a phase transition sequence of a cholesteric phase (Ch)
-Chiral smectic C phase (SmC *) or isotropic liquid phase (ISO.)-Chiral smectic C phase (SmC *)
An alternating voltage is applied to the liquid crystal through the pair of electrodes at a temperature higher than the phase transition temperature of 1.
【0016】[0016]
【発明の実施の形態】以下、図1及び図2を参照して、
本発明の実施の形態について説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, referring to FIG. 1 and FIG.
An embodiment of the present invention will be described.
【0017】(1) まず、本実施の形態にて製造され駆動
される液晶素子の全体構成について図1を参照して説明
する。(1) First, the overall structure of the liquid crystal element manufactured and driven in this embodiment will be described with reference to FIG.
【0018】本実施の形態に係る液晶素子は、図1に示
すように、所定間隙を開けた状態に配置された一対の基
板1a,1bと、これら一対の基板1a,1bの間隙に
配置されたカイラルスメクチック液晶2と、複数の画素
を構成すると共に該カイラルスメクチック液晶2を挟み
込むように配置された一対の電極3a,3bと、これら
の一対の電極のいずれか一方(図1では電極3b)に接
続された状態で各画素毎に配置された複数のアクティブ
素子4と、を備えており、前記一対の電極3a,3bを
介して前記カイラルスメクチック液晶2に電圧を印加す
ることにより駆動されるように構成されている。As shown in FIG. 1, the liquid crystal element according to the present embodiment is arranged in a pair of substrates 1a and 1b which are arranged with a predetermined gap therebetween, and in the gap between the pair of substrates 1a and 1b. The chiral smectic liquid crystal 2, a pair of electrodes 3a and 3b arranged so as to sandwich the chiral smectic liquid crystal 2 while constituting a plurality of pixels, and either one of the pair of electrodes (electrode 3b in FIG. 1). A plurality of active elements 4 arranged for each pixel in a state of being connected to each other, and driven by applying a voltage to the chiral smectic liquid crystal 2 through the pair of electrodes 3a and 3b. Is configured.
【0019】なお、カイラルスメクチック液晶2として
は、高温側より、等方性液体相(ISO.)-コレステ
リック相(Ch)-カイラルスメクチックC相(SmC
*)、又は、等方性液体相(ISO.)-カイラルスメク
チックC相(SmC*)、の相転移系列を示すものを用
いる。なお、かかる液晶2は、電圧を印加していない状
態で液晶分子が仮想コーンのエッジ、或いは仮想コーン
の内側の位置で安定化する状態で用いると良い。As the chiral smectic liquid crystal 2, from the high temperature side, an isotropic liquid phase (ISO.)-Cholesteric phase (Ch) -chiral smectic C phase (SmC).
*) Or an isotropic liquid phase (ISO.)-Chiral smectic C phase (SmC *), which exhibits a phase transition series. The liquid crystal 2 is preferably used in a state where liquid crystal molecules are stabilized at the edge of the virtual cone or at the position inside the virtual cone in the state where no voltage is applied.
【0020】(2) 次に、本実施の形態に係る液晶素子の
製造方法について説明する。(2) Next, a method of manufacturing the liquid crystal element according to the present embodiment will be described.
【0021】上述した液晶素子を製造するに際しては、
・ 所定間隙を開けた状態に一対の基板1a,1bを配
置する工程と、
・ これら一対の基板1a,1bの間隙にカイラルスメ
クチック液晶2を配置する工程と、
・ 該カイラルスメクチック液晶2を挟み込むと共に複
数の画素を構成するように一対の電極3a,3bを配置
する工程と、
・ アクティブ素子4を各画素毎に一方の電極3bに接
続した状態に配置する工程と、を適切な順序で実施す
る。In manufacturing the above-mentioned liquid crystal element, a step of arranging the pair of substrates 1a and 1b with a predetermined gap left between them, and a chiral smectic liquid crystal 2 in the gap between the pair of substrates 1a and 1b. And a step of arranging a pair of electrodes 3a and 3b so as to form a plurality of pixels while sandwiching the chiral smectic liquid crystal 2, and a state in which an active element 4 is connected to one electrode 3b for each pixel. And the step of arranging in step 1.
【0022】その後、コレステリック相(Ch)-カイ
ラルスメクチックC相(SmC*)又は等方性液体相
(ISO.)-カイラルスメクチックC相(SmC*)の
相転移温度よりも高い温度にて、前記一対の電極3a,
3bを介して前記液晶2に交番電圧を印加する(以下、
このような電圧印加処理を“可動イオン低減処理”とす
る)。これにより、該液晶中の可動イオン量を低減する
ことができる。Then, at a temperature higher than the phase transition temperature of the cholesteric phase (Ch) -chiral smectic C phase (SmC *) or the isotropic liquid phase (ISO.)-Chiral smectic C phase (SmC *), A pair of electrodes 3a,
An alternating voltage is applied to the liquid crystal 2 via 3b (hereinafter,
Such voltage application processing is referred to as “movable ion reduction processing”). As a result, the amount of mobile ions in the liquid crystal can be reduced.
【0023】この交番電圧の印加は、前記アクティブ素
子4を周期的にオンしながら行うと良い。また、交番電
圧は、矩形波交番電圧とすると良く、振幅を±1V以上
にすると良い。The application of the alternating voltage may be performed while the active element 4 is periodically turned on. The alternating voltage may be a rectangular wave alternating voltage, and the amplitude may be ± 1 V or more.
【0024】(3) 次に、液晶素子の詳細構造について説
明する。(3) Next, the detailed structure of the liquid crystal element will be described.
【0025】(3-1) カイラルスメクチック液晶2につい
て説明する。(3-1) The chiral smectic liquid crystal 2 will be described.
【0026】本実施の形態にて用いるカイラルスメクチ
ック液晶2としては、上述のような相転移系列のもの、
すなわち、高温側より、等方性液体相(ISO.)-コ
レステリック相(Ch)-カイラルスメクチックC相
(SmC*)、又は、等方性液体相(ISO.)-カイラ
ルスメクチックC相(SmC*)、の相転移系列を示す
ものを用いれば良いが、具体的には、次の(1) 〜(4) に
示す化合物を挙げることができる。As the chiral smectic liquid crystal 2 used in the present embodiment, those of the above phase transition series,
That is, from the high temperature side, isotropic liquid phase (ISO.)-Cholesteric phase (Ch) -chiral smectic C phase (SmC *) or isotropic liquid phase (ISO.)-Chiral smectic C phase (SmC *) ), And those showing the phase transition series of the above, specifically, the compounds shown in the following (1) to (4) can be mentioned.
【0027】(1)(1)
【化1】
R1,R2 : 炭素原子数が1〜20である置換基を
有していてもよい直鎖または分岐状のアルキル基
X1,X2 : 単結合、O、COO、OOC
Y1,Y2,Y3,Y4: HまたはF
n:0または1[Chemical 1] R 1, R 2: an alkyl group X 1 having 1 to 20 carbon atoms and is optionally substituted linear or branched, X 2: single bond, O, COO, OOC Y 1 , Y 2 , Y 3 , Y 4 : H or F n: 0 or 1
【0028】(2)(2)
【化2】
R1,R2 : 炭素原子数が1〜20である置換基を
有していてもよい直鎖または分岐状のアルキル基
X1,X2 : 単結合、O、COO、OOC
Y1,Y2,Y3,Y4: HまたはF[Chemical 2] R 1, R 2: an alkyl group X 1 having 1 to 20 carbon atoms and is optionally substituted linear or branched, X 2: single bond, O, COO, OOC Y 1 , Y 2 , Y 3 , Y 4 : H or F
【0029】(3)(3)
【化3】
R1,R2 : 炭素原子数が1〜20である置換基を
有していてもよい直鎖または分岐状のアルキル基
X1,X2 : 単結合、O、COO、OOC
Y1,Y2,Y3,Y4: HまたはF[Chemical 3] R 1, R 2: an alkyl group X 1 having 1 to 20 carbon atoms and is optionally substituted linear or branched, X 2: single bond, O, COO, OOC Y 1 , Y 2 , Y 3 , Y 4 : H or F
【0030】(4)(4)
【化4】
R1,R2 : 炭素原子数が1〜20である置換基を
有していてもよい直鎖または分岐状のアルキル基
X1,X2 : 単結合、O、COO、OOC
Y1,Y2,Y3,Y4: HまたはF[Chemical 4] R 1, R 2: an alkyl group X 1 having 1 to 20 carbon atoms and is optionally substituted linear or branched, X 2: single bond, O, COO, OOC Y 1 , Y 2 , Y 3 , Y 4 : H or F
【0031】ところで、本実施の形態では、カイラルス
メクチック液晶2については、その液晶材料の組成を調
整し、更に液晶材料の処理や素子構成、例えば配向制御
膜5a,5bの材料、処理条件等を適宜設定することに
より、駆動電圧が印加されていない場合には、該液晶の
平均分子軸(液晶分子)が単安定化されている配向状態
を示し、一の極性の駆動電圧が印加されて駆動される場
合には、液晶分子の平均分子軸が駆動電圧の大きさに応
じた角度で前記単安定化された位置から一方の側にチル
トし、他方の極性(前記一の極性に対する逆極性をい
う。以下、同じ)の電圧が印加されている場合には、液
晶分子の平均分子軸が駆動電圧の大きさに応じた角度で
前記単安定化された位置から他方の側(すなわち、前記
一の極性の電圧を印加したときにチルトする側とは反対
の側)にチルトする、ような特性を示すようにすると良
い。つまり、本実施の形態に用いる液晶2は、カイラル
スメクチック液晶本来のメモリ性(双安定性)が消失さ
れたものであって、チルト角の大きさを印加電圧によっ
て連続的に制御することができ、それに伴って液晶素子
の光量も連続的に変化させることができ、階調表示を可
能とするものである。この場合、前記一の極性の駆動電
圧を印加することによって最大チルト状態とした場合に
おけるチルト角は、前記他の極性の電圧を印加すること
によって最大チルト状態とした場合におけるチルト角と
異ならせると良い。例えば、該他の極性の電圧を印加し
た場合、該電圧の大きさにかかわらず、液晶の平均分子
軸がほとんどチルトしないような特性にしても良い。By the way, in the present embodiment, with respect to the chiral smectic liquid crystal 2, the composition of the liquid crystal material is adjusted, and further the treatment of the liquid crystal material and the element configuration, for example, the materials of the orientation control films 5a and 5b, the treatment conditions and the like are set. By setting appropriately, when the drive voltage is not applied, the average molecular axis (liquid crystal molecule) of the liquid crystal shows an alignment state in which the liquid crystal molecules are mono-stabilized, and the drive voltage of one polarity is applied to drive. In this case, the average molecular axis of the liquid crystal molecules tilts from the mono-stabilized position to one side at an angle according to the magnitude of the driving voltage, and the other polarity (reverse polarity to the one polarity is set). Hereinafter, when the same voltage is applied, the average molecular axis of the liquid crystal molecules is at an angle corresponding to the magnitude of the driving voltage from the mono-stabilized position on the other side (that is, the one side). Mark the polarity voltage May the side to tilt when tilt in the opposite side), as shown in the characteristic way. That is, the liquid crystal 2 used in the present embodiment is one in which the original memory property (bistability) of the chiral smectic liquid crystal is lost, and the magnitude of the tilt angle can be continuously controlled by the applied voltage. Accordingly, the light quantity of the liquid crystal element can be continuously changed, and gradation display is possible. In this case, the tilt angle in the maximum tilt state by applying the drive voltage of the one polarity may be different from the tilt angle in the maximum tilt state by applying the voltage of the other polarity. good. For example, when a voltage of the other polarity is applied, the property may be such that the average molecular axis of the liquid crystal hardly tilts regardless of the magnitude of the voltage.
【0032】(3-2) 次に、カイラルスメクチック液晶2
以外の各構成部材等について説明する。(3-2) Next, the chiral smectic liquid crystal 2
Each component other than the above will be described.
【0033】上述した基板1a,1bには、ガラスやプ
ラスチック等の透明性の高い材料を用いれば良い。For the substrates 1a and 1b described above, a highly transparent material such as glass or plastic may be used.
【0034】また、電極3a,3bには、In2O3や
ITO(インジウム・ティン・オキサイド)等の材料を
用いれば良く、これらの電極3a,3bはそれぞれの基
板1a,1bに形成すると良い。なお、アクティブ素子
4を接続する方の電極3bは、ドット状にマトリクス状
に配置し、他方の電極3aは、基板1aのほぼ全面(或
いは特定の領域)に形成すると良い。さらに、アクティ
ブ素子4としては、TFTやMIM(Metal-In
sulator-Metal)等を用いれば良い。図1上
ではTFT素子を例として図示する。The electrodes 3a and 3b may be made of a material such as In 2 O 3 or ITO (indium tin oxide), and these electrodes 3a and 3b may be formed on the respective substrates 1a and 1b. . The electrodes 3b for connecting the active elements 4 may be arranged in a dot-like matrix, and the other electrode 3a may be formed on almost the entire surface (or a specific region) of the substrate 1a. Further, as the active element 4, a TFT or MIM (Metal-In) is used.
It is sufficient to use such as a "slutor-Metal". In FIG. 1, a TFT element is shown as an example.
【0035】また、カイラルスメクチック液晶2に接す
る位置には、その配向状態を制御するために一軸配向処
理を施した配向制御膜5a,5bを配置すると良い。か
かる配向制御膜5a,5bとしては、
* ポリイミド、ポリイミドアミド、ポリアミド、ポリ
ビニルアルコール等の有機材料からなる溶液を塗布して
膜を形成し、該膜の表面にラビング処理を施したもの
や、
* SiO等の酸化物や窒化物からなる無機材料を基板
1a,1bに斜め方向から所定の角度で蒸着させて形成
した斜方蒸着膜、
* 紫外線照射等によって一軸配向規制力を発生しうる
光配向膜を用いたもの、を挙げることができる。なお、
この配向制御膜5a,5bの材質や一軸配向処理の条件
等により、液晶分子のプレチルト角(すなわち、配向制
御膜5a,5bの界面近傍において液晶分子が配向制御
膜5a,5bに対してなす角度)が調整される。In addition, at the position in contact with the chiral smectic liquid crystal 2, alignment control films 5a and 5b subjected to uniaxial alignment treatment in order to control the alignment state may be arranged. As the orientation control films 5a and 5b, * those obtained by applying a solution made of an organic material such as polyimide, polyimideamide, polyamide, polyvinyl alcohol or the like to form a film, and subjecting the surface of the film to a rubbing treatment, * An oblique vapor deposition film formed by vapor-depositing an inorganic material such as an oxide such as SiO or a nitride on the substrates 1a and 1b at a predetermined angle from an oblique direction, * Optical alignment capable of generating a uniaxial alignment regulating force by ultraviolet irradiation or the like The thing using a membrane can be mentioned. In addition,
Depending on the material of the alignment control films 5a and 5b, the condition of the uniaxial alignment treatment, etc., the pretilt angle of the liquid crystal molecules (that is, the angle formed by the liquid crystal molecules with respect to the alignment control films 5a and 5b near the interface between the alignment control films 5a and 5b). ) Is adjusted.
【0036】このような配向制御膜5a,5bは、カイ
ラルスメクチック液晶2の両側に配置してそれらの両方
に一軸配向処理を施せば良く、その場合における一軸配
向処理方向(特にラビング方向)の関係は、用いる液晶
材料を考慮して、
* アンチパラレル(両一軸配向処理方向が平行かつ逆
方向)、
* パラレル(両一軸配向処理方向が平行かつ同方
向)、
* 45°以下の範囲でクロスする関係、
のいずれかになるように設定すれば良い。なお、45°
以下の範囲でクロスする関係とは、2つのベクトル(一
軸配向処理方向を示すベクトル)が45°以下の範囲内
でクロスする場合であって、それぞれのベクトル方向が
同方向(正確には、45°以下の角度ズレを有する。)
である場合や、それぞれのベクトル方向が逆方向である
場合の両方を挙げることができる。そして、互いのベク
トルの交差角度(狭い方の交差角度)の値が45°以下
で且つ0°に近いような場合は、それぞれのベクトルの
関係が実質的にアンチパラレル乃至パラレルの関係とみ
なしてもよい。また、上述のアンチパラレル或いはパラ
レルの関係もそれぞれベクトル同士が必ず平行である以
外に、例えば数°程度ずれているような場合でも実質的
にアンチパラレル乃至パラレルの関係とみなしてもよ
い。本明細書において配向制御膜とは、一軸配向処理さ
れた膜以外に、液晶に直接接触されることによって液晶
の配向に何らかの影響を与える膜のことを言う。なお、
両側の配向制御膜に一軸配向処理を施さなくても、片側
の配向制御膜のみに一軸配向処理を施しても良い。Such alignment control films 5a and 5b may be arranged on both sides of the chiral smectic liquid crystal 2 and both of them may be subjected to uniaxial alignment treatment. In that case, the relationship of the uniaxial alignment treatment direction (particularly the rubbing direction). Takes into account the liquid crystal material used, * anti-parallel (both uniaxial alignment treatment directions are parallel and opposite directions), * parallel (both uniaxial alignment treatment directions are parallel and same directions), * crosses within 45 ° It can be set so that it is either relationship or. 45 °
The relationship of crossing in the following range is a case where two vectors (vectors indicating the uniaxial orientation processing directions) cross in a range of 45 ° or less, and the respective vector directions are in the same direction (to be exact, 45 There is an angle deviation of less than °.)
And the case where the respective vector directions are opposite directions. When the value of the crossing angle (narrower crossing angle) between the vectors is 45 ° or less and close to 0 °, the relation between the respective vectors is regarded as a substantially antiparallel or parallel relation. Good. Further, the above-mentioned anti-parallel or parallel relationship may be regarded as a substantially anti-parallel or parallel relationship, in addition to the fact that the vectors are always parallel to each other, for example, even when they are deviated by several degrees. In the present specification, the orientation control film refers to a film which has some influence on the alignment of the liquid crystal by being in direct contact with the liquid crystal, in addition to the film subjected to the uniaxial alignment treatment. In addition,
The alignment control films on both sides may not be subjected to the uniaxial alignment treatment, but the alignment control films on one side may be subjected to the uniaxial alignment treatment.
【0037】さらに、基板1a,1bの間隙には、シリ
カビーズ等からなるスペーサー(不図示)を配置して、
かかるスペーサーによってその間隙寸法を規定するよう
にしてもよい。なお、間隙寸法は、液晶材料を考慮して
最適範囲になるように調整すれば良いが、均一な一軸配
向性を達成させたり、電圧が印加されていない状態での
液晶分子の平均分子軸を配向処理軸の平均方向の軸と実
質的に一致させるために、0.3〜10μmの範囲に設
定することが好ましい。Further, a spacer (not shown) made of silica beads or the like is arranged in the gap between the substrates 1a and 1b,
The gap size may be defined by such a spacer. It should be noted that the gap size may be adjusted so as to be in an optimum range in consideration of the liquid crystal material, but it is possible to achieve uniform uniaxial orientation and to determine the average molecular axis of liquid crystal molecules in the state where no voltage is applied. It is preferable to set it in the range of 0.3 to 10 μm in order to substantially coincide with the axis of the average orientation direction axis.
【0038】またさらに、基板1a,1bの間隙にエポ
キシ樹脂等からなる接着粒子(不図示)を分散配置し
て、両基板1a,1bの接着性や、液晶素子の耐衝撃性
を向上させると良い。Furthermore, by disposing adhesive particles (not shown) made of epoxy resin or the like in the gap between the substrates 1a and 1b to improve the adhesion between the substrates 1a and 1b and the impact resistance of the liquid crystal element. good.
【0039】さらに、液晶素子は、透過型としても良
く、反射型としても良い。なお、透過型の場合には両方
の基板1a,1bを透明にする必要があり、反射型の場
合には、基板1a,1bの一方に光を反射させる機能を
付与する必要がある。ここで、光を反射させる機能を付
与する方法としては、
* 反射板や反射膜を、基板1a又は1bとは別体に設
ける方法や、
* 基板1a又は1b自体を反射部材で形成する方法
や、
等を挙げることができる。ここで、透過型の液晶素子の
場合には両方の基板1a,1bに偏光板を(それらの偏
光軸が互いに直交するように)配置すれば良く、反射型
の液晶素子の場合には少なくとも一方の基板1a又は1
bに偏光板を設ければ良い。Further, the liquid crystal element may be of a transmissive type or a reflective type. In the case of the transmissive type, both substrates 1a and 1b need to be transparent, and in the case of the reflective type, one of the substrates 1a and 1b needs to have a function of reflecting light. Here, as a method of imparting a function of reflecting light, * a method of providing a reflection plate or a reflection film separately from the substrate 1a or 1b, or a method of forming the substrate 1a or 1b itself with a reflection member, or , And the like. Here, in the case of a transmissive liquid crystal element, polarizing plates may be arranged on both substrates 1a and 1b (so that their polarization axes are orthogonal to each other), and in the case of a reflective liquid crystal element, at least one of them may be arranged. Substrate 1a or 1
A polarizing plate may be provided on b.
【0040】(3-3) 次にTFT素子をアクティブ素子と
して用いた場合の詳細な構造について説明する。(3-3) Next, a detailed structure when the TFT element is used as an active element will be described.
【0041】図1の基板1bの側には、図2に示すよう
に、ゲート線G1,G2,…が図示横方向に多数配置さ
れ、ゲート線G1,G2,…とは絶縁された状態のソー
ス線S1,S2,…が図示縦方向に多数配置されてい
る。そして、これらのゲート線G1,G2,…及びソー
ス線S1,S2,…の各交点の画素には、アクティブ素
子としての薄膜トランジスタ(アモルファスSiTF
T)4や、ITO膜等の透明導電膜からなる画素電極3
b及び保持容量電極6等が配置されている。[0041] the side of the substrate 1b of FIG. 1, as shown in FIG. 2, the gate lines G 1, G 2, ... are arranged in large numbers in the illustrated transverse direction, the gate lines G 1, G 2, ... and the insulating A large number of source lines S 1 , S 2 , ... In the opened state are arranged in the vertical direction in the drawing. Then, these gate lines G 1, G 2, ... and the source lines S 1, S 2, ... to the pixels of each intersection of a thin film transistor (amorphous SiTF as an active element
T) 4 or the pixel electrode 3 made of a transparent conductive film such as an ITO film
b, the storage capacitor electrode 6 and the like are arranged.
【0042】このうち、アモルファスSiTFT4は、
図1に示すように、ゲート電極42と、窒化シリコン
(SiNx)からなる絶縁膜(ゲート絶緑膜)43と、
半導体層であるa-Si層44やn+a-Si層45,4
6と、ソース電極47と、ドレイン電極48と、チャネ
ルを保護するチャネル保護膜49と、によって構成され
ている。すなわち、ガラス基板1bには各画素毎にゲー
ト電極42が形成され、該ゲート電極42の表面は絶縁
膜43にて覆われ、絶縁膜43の表面であってゲート電
極42を形成した位置にはa-Si層44が形成されて
いる。また、このa-Si層44の表面には、互いに離
間するようにn+a-Si層45,46が形成されてお
り、各n+a-Si層45,46にはソース電極47や
ドレイン電極48が互いに離間した状態に形成されてい
る。さらに、これらのa-Si層44や電極47,48
を覆うようにチャネル保護膜49が形成されている。Of these, the amorphous SiTFT 4 is
As shown in FIG. 1, a gate electrode 42, an insulating film (gate insulating film) 43 made of silicon nitride (SiNx),
A-Si layer 44 and n + a-Si layers 45 and 4 which are semiconductor layers
6, a source electrode 47, a drain electrode 48, and a channel protective film 49 that protects the channel. That is, the gate electrode 42 is formed for each pixel on the glass substrate 1b, the surface of the gate electrode 42 is covered with the insulating film 43, and at the position of the surface of the insulating film 43 where the gate electrode 42 is formed. An a-Si layer 44 is formed. Further, n + a-Si layers 45 and 46 are formed on the surface of the a-Si layer 44 so as to be separated from each other, and a source electrode 47 and a drain electrode 48 are provided on each of the n + a-Si layers 45 and 46. It is formed in a separated state. Furthermore, these a-Si layer 44 and electrodes 47, 48
A channel protective film 49 is formed so as to cover the.
【0043】そして、TFT4のゲート電極42は上述
したゲート線G1,G2,…を介して走査信号ドライバ
7に接続され、TFT4のソース電極47はソース線S
1,S2,…を介して情報信号ドライバ8に接続され、
TFT4のドレイン電極48は画素電極3bに接続され
ている。The gate electrode 42 of the TFT 4 is connected to the scanning signal driver 7 via the above-mentioned gate lines G 1 , G 2 , ... And the source electrode 47 of the TFT 4 is connected to the source line S.
Is connected to the information signal driver 8 via 1 , S 2 ,.
The drain electrode 48 of the TFT 4 is connected to the pixel electrode 3b.
【0044】ところで、上述した保持容量電極6はガラ
ス基板1bの表面に形成されており、上述した絶縁膜4
3は、この保持容量電極6及びガラス基板1bを覆う位
置まで形成され、上述したソース電極47や画素電極3
bはこの絶縁膜43の表面に形成されている。これによ
り、保持容量電極6と画素電極3bとは、絶縁膜43を
挟んだ状態に配置されることとなり、これらによって、
液晶2と並列の形で設けられた保持容量Csが構成され
ることとなる。なお、この保持容量電極6は、面積を大
きくした場合における開口率低下を防止するため、透明
なITOによって形成すると良い。By the way, the above-mentioned storage capacitor electrode 6 is formed on the surface of the glass substrate 1b, and the above-mentioned insulating film 4 is formed.
3 is formed up to the position covering the storage capacitor electrode 6 and the glass substrate 1b, and the source electrode 47 and the pixel electrode 3 described above are formed.
b is formed on the surface of the insulating film 43. As a result, the storage capacitor electrode 6 and the pixel electrode 3b are arranged with the insulating film 43 sandwiched between them.
The storage capacitor Cs provided in parallel with the liquid crystal 2 is configured. The storage capacitor electrode 6 is preferably made of transparent ITO in order to prevent the aperture ratio from decreasing when the area is increased.
【0045】また、図1に示すように、上述したTFT
4や画素電極3bの表面には配向制御膜5bが形成され
ており、その表面には一軸配向処理(ラビング処理)が
施されている。Further, as shown in FIG. 1, the above-mentioned TFT
An alignment control film 5b is formed on the surfaces of the pixel electrodes 4 and the pixel electrodes 3b, and the surface is subjected to uniaxial alignment treatment (rubbing treatment).
【0046】さらに、これらのガラス基板1a,1bの
間隙であって、画素電極3bと共通電極3aとの間に
は、自発分極を有するカイラルスメクチック液晶2が配
置されていて、液晶容量Clcが構成されることとなる。Furthermore, a chiral smectic liquid crystal 2 having spontaneous polarization is arranged between the pixel electrodes 3b and the common electrode 3a in the gap between the glass substrates 1a and 1b, and constitutes a liquid crystal capacitance Clc. Will be done.
【0047】また、このような液晶素子の両側には、互
いに偏光軸が直交した関係にある一対の偏光板(不図
示)が配置されている。A pair of polarizing plates (not shown) having polarization axes orthogonal to each other are arranged on both sides of such a liquid crystal element.
【0048】なお、図1に示す液晶素子ではアモルファ
スSiTFTを用いているが、もちろんこれに限る必要
はなく、多結晶Si(P-Si)TFTや単結晶Si
(C-Si)TFTを用いても良い。Although the liquid crystal element shown in FIG. 1 uses an amorphous SiTFT, it is of course not limited to this, and a polycrystalline Si (P-Si) TFT or a single crystal Si is used.
(C-Si) TFT may be used.
【0049】(3-4) 次に、上述した液晶素子Pの駆動方
法(通常の画像表示を行う場合の駆動方法)の一例につ
いて説明する。(3-4) Next, an example of the driving method of the above-mentioned liquid crystal element P (driving method for normal image display) will be described.
【0050】上述した液晶素子においては、走査信号ド
ライバ7から各ゲート線G1,G2,…にはゲート電圧
が線順次に印加され、TFT4はゲート電圧が印加され
ることによってオン状態となる。In the above-mentioned liquid crystal element, the gate voltage is line-sequentially applied from the scanning signal driver 7 to each gate line G 1 , G 2 , ... And the TFT 4 is turned on by applying the gate voltage. .
【0051】一方、ゲート電圧の印加に同期して、情報
信号ドライバ8からソース線S1,S2,…にはソース
電圧(各画素に書き込む情報に応じた情報信号電圧)が
印加される。したがって、TFT4がオン状態にある画
素では、ソース電圧がTFT4及び画素電極3bを介し
て液晶2に印加され、液晶2のスイッチングが画素単位
で行われる。On the other hand, in synchronization with the application of the gate voltage, the source voltage (the information signal voltage corresponding to the information to be written in each pixel) is applied from the information signal driver 8 to the source lines S 1 , S 2 ,. Therefore, in the pixel in which the TFT 4 is in the ON state, the source voltage is applied to the liquid crystal 2 via the TFT 4 and the pixel electrode 3b, and the liquid crystal 2 is switched in a pixel unit.
【0052】そして、このような駆動を一定期間(フレ
ーム期間)毎に繰り返し、画像の書き換えを行うように
なっている。Then, such driving is repeated every fixed period (frame period) to rewrite the image.
【0053】ところで、コレステリック相からカイラル
スメクチックC相へと相転移する相転移過程を詳細に偏
光顕微鏡観測したとき、スメクチックA相と酷似した配
向状態が観測される場合がある。しかしながら本発明に
使用される素子の本質はスメクチック層の法線方向と一
軸配向処理方向とが大きく異なっており電圧無印加時に
安定な分子位置がラビング方向に近い位置にあることで
ある。つまり、こうした関係の層形成方向が実現されて
いる場合には上記スメクチックA相的な液晶相は配向に
は寄与しないこととなるため、本願においてはこうした
材料についてもスメクチックA相を含まない材料と定義
する。By the way, when a detailed phase transition process of a phase transition from a cholesteric phase to a chiral smectic C phase is observed with a polarization microscope, an alignment state very similar to that of the smectic A phase may be observed. However, the essence of the device used in the present invention is that the normal direction of the smectic layer and the uniaxial orientation treatment direction are greatly different, and the stable molecular position is close to the rubbing direction when no voltage is applied. That is, when the layer forming direction having such a relationship is realized, the above-mentioned smectic A-phase liquid crystal phase does not contribute to the alignment. Therefore, in the present application, such a material is also referred to as a material not containing the smectic A phase. Define.
【0054】なお、図2に示す液晶素子において可動イ
オン低減処理を行う場合には、走査信号ドライバ7から
各ゲート線G1,G2,…にゲート電圧を印加し、この
電圧印加に同期するように、情報信号ドライバ8からソ
ース線S1,S2,…に可動イオン低減用電圧を印加す
ると良い。或いは、各ゲート線及びソース線に印加する
電圧を0Vとし、共通電極3aに可動イオン低減用電圧
を印加するようにしても良い。When the movable ion reduction process is performed in the liquid crystal device shown in FIG. 2, a gate voltage is applied from the scanning signal driver 7 to each gate line G 1 , G 2 , ... And synchronized with this voltage application. As described above, it is preferable to apply the movable ion reducing voltage from the information signal driver 8 to the source lines S 1 , S 2 , ... Alternatively, the voltage applied to each gate line and the source line may be set to 0 V, and the movable ion reducing voltage may be applied to the common electrode 3a.
【0055】(4) 次に、本実施の形態の効果について説
明する。(4) Next, the effect of this embodiment will be described.
【0056】本実施の形態によれば、液晶素子の製造工
程において上述のように交番電圧を印加することによ
り、液晶2中の可動イオンを配向膜5a,5bに吸着さ
せて、該液晶中の可動イオン量を低減することができる
(一旦配向膜5a,5bに吸着されたイオンは分散力に
よって配向膜5a,5b上に固着され、液晶2に再泳動
するようなことはない)。したがって、その後、画像表
示のために駆動電圧を印加したとしても、液晶中の可動
イオン量の変化が抑制され、印加電圧とチルト角との関
係は安定し、表示画像の画質の悪化も防止される。つま
り、印加電圧とチルト角との関係は安定しているため、
所定の電圧を印加すれば必ず所定の階調が表示されるこ
ととなり、画質は安定する。According to the present embodiment, by applying the alternating voltage as described above in the manufacturing process of the liquid crystal element, the movable ions in the liquid crystal 2 are adsorbed to the alignment films 5a and 5b, and the liquid crystal in the liquid crystal is absorbed. The amount of mobile ions can be reduced (the ions once adsorbed on the alignment films 5a and 5b are fixed on the alignment films 5a and 5b by the dispersion force and do not re-migrate to the liquid crystal 2). Therefore, even if a drive voltage is applied thereafter for image display, the change in the amount of movable ions in the liquid crystal is suppressed, the relationship between the applied voltage and the tilt angle is stabilized, and the deterioration of the image quality of the displayed image is prevented. It That is, since the relationship between the applied voltage and the tilt angle is stable,
When a predetermined voltage is applied, a predetermined gradation is always displayed, and the image quality is stable.
【0057】また、可動イオンの泳動は液晶2の温度が
高いほど顕著となる。本実施の形態では、交番電圧の印
加を、コレステリック相(Ch)-カイラルスメクチッ
クC相(SmC*)又は等方性液体相(ISO.)-カイ
ラルスメクチックC相(SmC*)の相転移温度よりも
高い温度で行うため、可動イオンの配向膜への吸着を促
進することができる。The migration of mobile ions becomes more remarkable as the temperature of the liquid crystal 2 increases. In this embodiment, the alternating voltage is applied from the phase transition temperature of the cholesteric phase (Ch) -chiral smectic C phase (SmC *) or the isotropic liquid phase (ISO.)-Chiral smectic C phase (SmC *). Also at a high temperature, it is possible to promote adsorption of mobile ions to the alignment film.
【0058】[0058]
【実施例】以下、実施例に沿って本発明を更に詳細に説
明する。The present invention will be described in more detail below with reference to examples.
【0059】(1) 液晶組成物の調製
まず、下記液晶性化合物を、それぞれの右側に併記した
重量比率で混合し液晶組成物LC-1を調製した。(1) Preparation of Liquid Crystal Composition First, the following liquid crystal compounds were mixed in the weight ratios shown on the right side of each to prepare a liquid crystal composition LC-1.
【0060】[0060]
【化5】 [Chemical 5]
【0061】コーン角(30℃) : Θ=24.1°
上記液晶組成物LCの物性パラメータを以下に示す。
自発分極(30℃):Ps=2.9nC/cm2
コーン角(30℃):Θ=23.3°(100Hz,±
12.5V、基板間隙は1.4μm)
SmC*相でのらせんピッチ(30℃) :20μm以
上Cone angle (30 ° C.): Θ = 24.1 °
The physical property parameters of the liquid crystal composition LC are shown below.
Spontaneous polarization (30 ° C.): Ps = 2.9 nC / cmTwo
Cone angle (30 ° C): Θ = 23.3 ° (100Hz, ±
12.5V, substrate gap 1.4μm)
Helical pitch in SmC * phase (30 ° C): 20 μm or less
Up
【0062】(2) 単画素液晶セルの作製
本実施例では、本発明の効果を確認するための単画素液
晶セルを作製した。なお、この単画素液晶セルは、所定
間隙を開けた状態に配置された一対のガラス基板を備え
たものであって、各ガラス基板の表面には透明電極が形
成され、各透明電極を覆うように配向膜が形成され、基
板間隙にはカイラルスメクチック液晶が配置されたもの
であって、透明電極をマトリクス化せずに1つの画素を
構成させたものである。(2) Preparation of Single Pixel Liquid Crystal Cell In this example, a single pixel liquid crystal cell was prepared for confirming the effect of the present invention. This single pixel liquid crystal cell is provided with a pair of glass substrates arranged with a predetermined gap therebetween, and a transparent electrode is formed on the surface of each glass substrate so as to cover each transparent electrode. An alignment film is formed on the substrate, and a chiral smectic liquid crystal is arranged between the substrates, and one pixel is formed without forming the transparent electrode into a matrix.
【0063】この単画素液晶セルを作製するに当たって
は、2枚のガラス基板(厚さ1.1mm)の表面に70
0Å厚のITO膜(透明電極)を形成した。そして、各
透明電極を覆うように、市販のTFT用配向膜(日産化
学社製のSE7992)をスピンコート法により塗布
し、その後、80℃の温度で5分間の前乾燥を行ない、
さらに200℃で1時間加熱焼成を施し膜厚150Åの
ポリイミド被膜(配向膜)を得た。In producing this single-pixel liquid crystal cell, two glass substrates (thickness: 1.1 mm) were provided with 70
An ITO film (transparent electrode) having a thickness of 0Å was formed. Then, a commercially available alignment film for TFT (SE7992 manufactured by Nissan Kagaku Co., Ltd.) was applied by a spin coating method so as to cover each transparent electrode, and then pre-dried at a temperature of 80 ° C. for 5 minutes,
Further, it was heated and baked at 200 ° C. for 1 hour to obtain a polyimide film (alignment film) having a film thickness of 150 Å.
【0064】続いて、それぞれのポリイミド膜に対して
一軸配向処理としてナイロン布によるラビング処理を施
した。このラビング処理には、外周面にナイロン(NF
-77/帝人製)を貼り付けた径10cmのラビングロー
ルを用い、押し込み量を0.7mmとし、送り速度を1
0cm/secとし、回転数を1000rpmとし、送
り回数を4回とした。Subsequently, each polyimide film was subjected to rubbing treatment with a nylon cloth as uniaxial orientation treatment. For this rubbing treatment, nylon (NF
-77 / made by Teijin) with a rubbing roll with a diameter of 10 cm and a pushing amount of 0.7 mm and a feed rate of 1
The rotation frequency was 0 cm / sec, the rotation speed was 1000 rpm, and the feeding frequency was 4 times.
【0065】その後、一方の基板上にはスペーサーとし
てのシリカビーズ(平均粒径1.5μm)を散布し、ラ
ビング処理方向が互いに反平行(アンチパラレル)とな
るように2枚の基板を貼り合わせた。そして、基板間隙
に液晶組成物LC-1をCh相の温度で注入し、単画素
液晶セルを作製した。After that, silica beads (average particle size: 1.5 μm) as spacers are scattered on one of the substrates, and the two substrates are bonded so that the rubbing treatment directions are antiparallel to each other. It was Then, the liquid crystal composition LC-1 was injected into the gap between the substrates at a temperature of the Ch phase to manufacture a single pixel liquid crystal cell.
【0066】このような単画素液晶セルを2個作製し、
一方の液晶セルに対しては、液晶がCh相状態にある6
3℃付近まで冷却し、その温度において±5V,60H
zの矩形波電圧を24時間印加して液晶層のイオンを低
減させる処理を行い、その後、“液晶がカイラルスメク
チック液晶相を示す温度”まで冷却し、液晶がCh相か
らSmC*相に相転移する際に−2Vのオフセット電圧
(直流電圧)を印加した。Two such single pixel liquid crystal cells were prepared,
For one liquid crystal cell, the liquid crystal is in the Ch phase state 6
Cool down to around 3 ℃, at that temperature ± 5V, 60H
A rectangular wave voltage of z is applied for 24 hours to reduce the ions in the liquid crystal layer, and then cooled to "the temperature at which the liquid crystal exhibits a chiral smectic liquid crystal phase", and the liquid crystal undergoes a phase transition from the Ch phase to the SmC * phase. In doing so, an offset voltage (DC voltage) of -2 V was applied.
【0067】もう一方の液晶セルに対しては、上述のよ
うな矩形波電圧の印加は行わず、“液晶がカイラルスメ
クチック液晶相を示す温度”まで冷却し、液晶がCh相
からSmC*相に相転移する際に−2Vのオフセット電
圧(直流電圧)だけを印加した。The rectangular wave voltage as described above is not applied to the other liquid crystal cell, but the liquid crystal is cooled to "the temperature at which the liquid crystal exhibits a chiral smectic liquid crystal phase", and the liquid crystal changes from the Ch phase to the SmC * phase. Only an offset voltage of −2 V (DC voltage) was applied during the phase transition.
【0068】このようにして作製した2個の単画素液晶
セルの可動イオン量を東陽テクニカ社製液晶イオン量測
定装置MTR−1を用いて測定したところ、矩形波電圧
を印加した方の液晶セルの可動イオン量は1nC/cm
2程度であり、矩形波電圧を印加しなかった方の液晶セ
ルの可動イオン量は4nC/cm2程度であった。The movable ion amount of the two single-pixel liquid crystal cells thus produced was measured by using a liquid crystal ion amount measuring device MTR-1 manufactured by Toyo Technica. The liquid crystal cell to which a rectangular wave voltage was applied was measured. Mobile ion amount is 1 nC / cm
It was about 2 , and the movable ion amount of the liquid crystal cell to which the rectangular wave voltage was not applied was about 4 nC / cm 2 .
【0069】また、東陽テクニカ社製電圧保持率測定シ
ステムを用いて電圧保持率を測定したところ、矩形波電
圧を印加した方の液晶セルの電圧保持率は55%程度で
あり、矩形波電圧を印加しなかった方の液晶セルの電圧
保持率は48%程度であった。When the voltage holding ratio was measured using a voltage holding ratio measuring system manufactured by Toyo Technica, the voltage holding ratio of the liquid crystal cell to which the rectangular wave voltage was applied was about 55%. The voltage holding ratio of the liquid crystal cell to which no voltage was applied was about 48%.
【0070】次に、両方の液晶セルに対して駆動耐久試
験を行った。すなわち、それぞれの液晶セルに(正確に
は、それぞれの液晶セルにおける一側の透明電極に)T
FTを接続し、そのゲート電極には60Hzの周波数で
ゲート電圧を印加し、そのソース電極には±5Vのソー
ス電圧を交互に印加し、かかる駆動耐久試験を50時間
連続して行った。その後、再び、それぞれの液晶セルの
可動イオン量や電圧保持率を測定したところ、矩形波電
圧を印加した方の液晶セルの可動イオン量は1nC/c
m2程度で電圧保持率は56%であり、矩形波電圧を印
加しなかった方の液晶セルの可動イオン量は1nC/c
m2程度で電圧保持率は55%程度であり、矩形波電圧
を印加した方の液晶セルにおいて常温における駆動中の
可動イオン量と電圧保持率の変化が低減されていること
が確認できた。Next, a driving durability test was conducted on both liquid crystal cells. That is, for each liquid crystal cell (to be precise, for one transparent electrode on each liquid crystal cell) T
An FT was connected, a gate voltage was applied to the gate electrode at a frequency of 60 Hz, and a source voltage of ± 5 V was alternately applied to the source electrode, and the drive durability test was continuously performed for 50 hours. After that, when the movable ion amount and the voltage holding ratio of each liquid crystal cell were measured again, the movable ion amount of the liquid crystal cell to which the rectangular wave voltage was applied was 1 nC / c.
The voltage holding ratio was 56% at about m 2 , and the movable ion amount of the liquid crystal cell to which the rectangular wave voltage was not applied was 1 nC / c.
The voltage holding ratio was about 55% at about m 2 , and it was confirmed that in the liquid crystal cell to which the rectangular wave voltage was applied, changes in the amount of movable ions and the voltage holding ratio during driving at room temperature were reduced.
【0071】本実施例においては液晶としてカイラルネ
マチック液晶を用いた液晶素子に対してイオン低減処理
を施したが、ネマチック液晶素子に対しても有用であ
る。In this embodiment, the liquid crystal element using the chiral nematic liquid crystal as the liquid crystal is subjected to the ion reduction treatment, but it is also useful for the nematic liquid crystal element.
【0072】(3) アクティブマトリクス型液晶パネルの
作製
次に、図1及び図2に示すアクティブマトリクス型液晶
パネル(液晶素子)を作成した。(3) Preparation of Active Matrix Liquid Crystal Panel Next, an active matrix liquid crystal panel (liquid crystal element) shown in FIGS. 1 and 2 was prepared.
【0073】なお、基板1a,1bには厚さ1.1mm
のガラス基板を用い、それらには透明電極3a,3bを
形成した。また、一方のガラス基板1aにはRGBのカ
ラーフィルター(不図示)を形成した。そして、画面サ
イズは10.4インチとし、画素数は800×600と
した。The thickness of the substrates 1a and 1b is 1.1 mm.
The transparent electrodes 3a and 3b were formed on these glass substrates. An RGB color filter (not shown) was formed on one glass substrate 1a. The screen size was 10.4 inches and the number of pixels was 800 × 600.
【0074】さらに、アクティブ素子4にはa-SiT
FTを用い、該TFT4のゲート絶縁膜43には窒化シ
リコン膜を用いた。Further, the active element 4 is made of a-SiT.
FT was used, and a silicon nitride film was used as the gate insulating film 43 of the TFT 4.
【0075】また、配向制御膜5a,5bは、ポリイミ
ド膜にて形成した。具体的には、市販のTFT用配向膜
(日産化学社製のSE7992)をスピンコート法によ
り電極3a,3bを覆うように塗布し、その後、80℃
の温度で5分間の前乾燥を行ない、さらに200℃の温
度で1時間の加熱焼成を施すことによって形成し、その
膜厚を150Åとした。なお、これらの配向制御膜5
a,5bには、ナイロン布によるラビング処理(一軸配
向処理)を施した。このラビング処理には、外周面にコ
ットン布を貼り合わせた径10cmのラビングロールを
用い、押し込み量を0.7mm、送り速度を10cm/
secとし、回転数を1000rpm、送り回数を4回
とした。The orientation control films 5a and 5b are formed of polyimide film. Specifically, a commercially available alignment film for TFT (SE7992 manufactured by Nissan Chemical Co., Ltd.) is applied by a spin coating method so as to cover the electrodes 3a and 3b, and then at 80 ° C.
Was pre-dried at a temperature of 5 minutes and further heated and baked at a temperature of 200 ° C. for 1 hour to form a film having a thickness of 150 Å. In addition, these alignment control films 5
Rubbing treatment (uniaxial orientation treatment) with a nylon cloth was applied to a and 5b. For this rubbing treatment, a rubbing roll having a diameter of 10 cm with a cotton cloth bonded to the outer peripheral surface was used, the pushing amount was 0.7 mm, and the feeding speed was 10 cm /
sec, the number of rotations was 1000 rpm, and the number of feeds was 4 times.
【0076】続いて、一方の基板上には、平均粒径1.
5μmのシリカビーズ(スペーサー)を散布し、各基板
1a,1bのラビング処理方向が互いにアンチパラレル
となるように貼り合わせ、均一な基板間隙のセルを得
た。Subsequently, the average grain size of 1.
5 μm silica beads (spacers) were scattered and bonded so that the rubbing directions of the substrates 1a and 1b were anti-parallel to each other to obtain cells having uniform substrate gaps.
【0077】このようなプロセスで作製したセルに液晶
組成物LC-1をCh相の温度で注入し液晶パネルを作
製した。A liquid crystal panel was prepared by injecting the liquid crystal composition LC-1 into the cell prepared by the above process at the temperature of Ch phase.
【0078】次に、作製した液晶パネルPに対して温度
63℃にてイオン低減処理を施した。具体的には、フレ
ームレートを60Hzとし、1フレーム期間(=1/6
0sec)を2つのフィールド期間(=1/120se
c)に分割し、各フィールド期間では、600本のゲー
ト線G1,G2,…に対して、選択期間Ton=13.9
μsのゲート電圧Vg=+12Vを印加していき、1本
ずつ線順次走査した。なお、非選択期間Toffにおける
ゲート線G1,G2,…の電位は-12Vとし、ソース
電圧Vsは、60Hzの周波数で±5Vの交番電圧を印
加することとした。Next, the produced liquid crystal panel P was subjected to ion reduction treatment at a temperature of 63 ° C. Specifically, the frame rate is 60 Hz, and one frame period (= 1/6)
0 sec) is two field periods (= 1 / 120se)
c), and the selection period Ton = 13.9 for 600 gate lines G 1 , G 2 , ... In each field period.
A gate voltage Vg = + 12 V of μs was applied and line by line scanning was performed one by one. The potential of the gate lines G 1 , G 2 , ... In the non-selection period Toff is -12 V, and the source voltage Vs is an alternating voltage of ± 5 V at a frequency of 60 Hz.
【0079】その後、液晶がカイラルスメクチック液晶
相を示す温度まで冷却し、液晶がCh相からSmC*相
に相転移する際に−2Vのオフセット電圧(直流電圧)
を印加した。Then, the liquid crystal is cooled to a temperature at which it exhibits a chiral smectic liquid crystal phase, and when the liquid crystal undergoes a phase transition from the Ch phase to the SmC * phase, an offset voltage (DC voltage) of -2V is applied.
Was applied.
【0080】以上の方法によりイオン低減処理を施した
液晶セルPに特定の画像(白黒市松模様等)を4時間程度
表示した。その後、全画面黒画像、全画面中間調画像、
全画面白画像を表示したが、先の特定の画像に対応する
焼き付きパターンは確認されなかった。これは前述の単
画素液晶セルにおいて確認された電圧保持率変化量の低
減によるものと思われる。A specific image (black and white checkered pattern, etc.) was displayed for about 4 hours on the liquid crystal cell P which had been subjected to the ion reduction treatment by the above method. After that, full screen black image, full screen halftone image,
A full-screen white image was displayed, but no burn-in pattern corresponding to the specific image was confirmed. This is considered to be due to the reduction in the amount of change in the voltage holding ratio confirmed in the above-mentioned single pixel liquid crystal cell.
【0081】[0081]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
交番電圧を印加することにより、液晶中の可動イオンを
配向膜等に吸着させて、該液晶中の可動イオン量を低減
することができる。したがって、その後、画像表示のた
めに駆動電圧を印加したとしても、液晶中の可動イオン
量の変化が抑制され、印加電圧とチルト角との関係は安
定し、表示画像の画質の悪化も防止される。つまり、印
加電圧とチルト角との関係は安定しているため、所定の
電圧を印加すれば必ず所定の階調が表示されることとな
り、画質は安定する。As described above, according to the present invention,
By applying an alternating voltage, the mobile ions in the liquid crystal can be adsorbed to the alignment film or the like, and the amount of mobile ions in the liquid crystal can be reduced. Therefore, even if a drive voltage is applied thereafter for image display, the change in the amount of movable ions in the liquid crystal is suppressed, the relationship between the applied voltage and the tilt angle is stabilized, and the deterioration of the image quality of the displayed image is prevented. It That is, since the relationship between the applied voltage and the tilt angle is stable, a predetermined gradation is always displayed when a predetermined voltage is applied, and the image quality is stable.
【0082】また、可動イオンの泳動は液晶の温度が高
いほど顕著となる。本発明では、交番電圧の印加を、コ
レステリック相(Ch)-カイラルスメクチックC相
(SmC*)又は等方性液体相(ISO.)-カイラルス
メクチックC相(SmC*)の相転移温度よりも高い温
度で行うため、可動イオンの配向膜への吸着を促進する
ことができる。The migration of mobile ions becomes more remarkable as the temperature of the liquid crystal is higher. In the present invention, the application of the alternating voltage is higher than the phase transition temperature of the cholesteric phase (Ch) -chiral smectic C phase (SmC *) or the isotropic liquid phase (ISO.)-Chiral smectic C phase (SmC *). Since it is performed at a temperature, adsorption of mobile ions to the alignment film can be promoted.
【図1】本発明によって作製される液晶パネルの構造を
示す断面図。FIG. 1 is a cross-sectional view showing the structure of a liquid crystal panel manufactured according to the present invention.
【図2】電極の形状等を示す平面図。FIG. 2 is a plan view showing the shape of electrodes.
【図3】強誘電性液晶を用いた液晶素子の駆動原理等を
説明するための分解斜視図。FIG. 3 is an exploded perspective view for explaining a driving principle of a liquid crystal element using a ferroelectric liquid crystal.
1a,1b 基板 2 カイラルスメクチック液晶 3a 共通電極 3b 画素電極 1a, 1b substrate 2 Chiral smectic liquid crystal 3a Common electrode 3b Pixel electrode
フロントページの続き (72)発明者 浅尾 恭史 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 Fターム(参考) 2H088 GA03 GA04 GA17 HA08 JA17 JA20 MA10 MA13 2H090 KA14 KA15 LA02 LA04 MA02 MA10 MA17 MB01 MB14 Continued front page (72) Inventor Yasushi Asao 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Non non corporation F-term (reference) 2H088 GA03 GA04 GA17 HA08 JA17 JA20 MA10 MA13 2H090 KA14 KA15 LA02 LA04 MA02 MA10 MA17 MB01 MB14
Claims (3)
置する工程と、これら一対の基板の間隙にカイラルスメ
クチック液晶を配置する工程と、該カイラルスメクチッ
ク液晶を挟み込むと共に複数の画素を構成するように一
対の電極を配置する工程と、アクティブ素子を各画素毎
に一方の電極に接続した状態に配置する工程と、からな
る液晶素子の製造方法において、 前記カイラルスメクチック液晶が、高温側より、等方性
液体相(ISO.)-コレステリック相(Ch)-カイラ
ルスメクチックC相(SmC*)、又は、等方性液体相
(ISO.)-カイラルスメクチックC相(SmC*)、
の相転移系列を示す液晶であって、 コレステリック相(Ch)-カイラルスメクチックC相
(SmC*)又は等方性液体相(ISO.)-カイラルス
メクチックC相(SmC*)の相転移温度よりも高い温
度にて、前記一対の電極を介して前記液晶に交番電圧を
印加する、ことを特徴とする液晶素子の製造方法。1. A step of disposing a pair of substrates in a state where a predetermined gap is formed, a step of disposing a chiral smectic liquid crystal in the gap between the pair of substrates, and sandwiching the chiral smectic liquid crystal to form a plurality of pixels. As such, a step of disposing a pair of electrodes, a step of disposing an active element in a state of being connected to one electrode for each pixel, in a method of manufacturing a liquid crystal element, wherein the chiral smectic liquid crystal is from a high temperature side, Isotropic liquid phase (ISO.)-Cholesteric phase (Ch) -chiral smectic C phase (SmC *), or isotropic liquid phase (ISO.)-Chiral smectic C phase (SmC *),
Which is a liquid crystal exhibiting a phase transition sequence of cholesteric phase (Ch) -chiral smectic C phase (SmC *) or isotropic liquid phase (ISO.)-Chiral smectic C phase (SmC *). A method for manufacturing a liquid crystal element, comprising applying an alternating voltage to the liquid crystal through the pair of electrodes at a high temperature.
ことを特徴とする請求項1に記載の液晶素子の製造方
法。2. The alternating voltage is a rectangular wave alternating voltage,
The method for manufacturing a liquid crystal element according to claim 1, wherein
る、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の液晶素子
の製造方法。3. The method for manufacturing a liquid crystal element according to claim 1, wherein the alternating voltage has an amplitude of ± 1 V or more.
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2001
- 2001-12-25 JP JP2001391567A patent/JP2003195311A/en active Pending
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