JP2002049060A - Chiral smectic liquid crystal element - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はフラットパネルディ
スプレイ、プロジェクションディスプレイ、プリンター
等に用いられるライトバルブに使用されるカイラルスメ
クチック液晶素子に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a chiral smectic liquid crystal device used for a light valve used in a flat panel display, a projection display, a printer and the like.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、TFT(Thin Film T
ransistor)等の能動素子を用いた表示素子と
して広範に用いられているネマティック液晶表示素子の
代表的な液晶モードとして、たとえばエム・シャット
(M.Schadt)とダブリュー・ヘルフリッヒ
(W.Helfrich)著“Applied Phy
sics Letters”第18巻、第4号(197
1年2月15日発行)第127頁から128頁において
示されたツイステッドネマチック(Twisted N
ematic)モードが広く用いられている。一方最近
では、横方向電界を利用したインプレインスイッチング
(In−Plain Switching)モードや垂
直配向(Vertical Alignment)モー
ドを用いた液晶ディスプレイが発表されており、従来型
の液晶ディスプレイの欠点であった視野角特性の改善が
なされている。このように、こうしたネマティック液晶
を用いたTFT表示素子に用いるための液晶モードとし
ていくつかのモードが存在するのであるが、そのいずれ
のモードの場合にも液晶の応答速度が数十ミリ秒以上と
遅く、更なる応答速度の改善が要求されている。2. Description of the Related Art Conventionally, a TFT (Thin Film T)
Representative liquid crystal modes of a nematic liquid crystal display element widely used as a display element using an active element such as a ransistor are, for example, “M. Schadt” and “W. Helfrich”. Applied Phys
sics Letters "Vol. 18, No. 4 (197
Twisted Nmatic (Twisted N) shown on pages 127 to 128
e) mode is widely used. On the other hand, recently, a liquid crystal display using an in-plane switching (In-Plane Switching) mode using a lateral electric field and a vertical alignment (Vertical Alignment) mode has been announced. The angular characteristics have been improved. As described above, there are several liquid crystal modes for use in a TFT display element using such a nematic liquid crystal. In any of these modes, the response speed of the liquid crystal is several tens of milliseconds or more. Slow, further improvement in response speed is required.
【0003】このような従来型のネマティック液晶素子
の応答速度を改善するものとして、近年、カイラルスメ
クチック相を示す液晶を用いた液晶モードがいくつか提
案されている。例えば、「ショートピッチタイプの強誘
電性液晶」、「高分子安定型強誘電性液晶」、「無閾反
強誘電性液晶」などが提案されており、未だ実用化には
至っていないものの、いずれもサブミリ秒以下の高速応
答性が実現できると報告されている。In order to improve the response speed of such a conventional nematic liquid crystal device, recently, several liquid crystal modes using a liquid crystal exhibiting a chiral smectic phase have been proposed. For example, "short-pitch type ferroelectric liquid crystal", "polymer stable ferroelectric liquid crystal", "thresholdless antiferroelectric liquid crystal" and the like have been proposed, but although not yet commercialized, It is also reported that high-speed response of sub-millisecond or less can be realized.
【0004】一方、本発明者等は特開2000−338
464号公報に記載されている素子(以下「先願1」と
記載)を発明し提案している。当該発明では、例えば、
高温側より等方性液体相(ISO. )−コレステリック
相(Ch)−カイラルスメクチックC相(SmC*)又
は等方性液体相(ISO. )−カイラルスメクチックC
相(SmC*)を示す相系列の材料に着目し、仮想コー
ンのエッジより内側の位置にて単安定化させるようにし
ている。そして例えば、Ch−SmC*相転移の際、又
は等方相- SmC*相転移の際に一対の基板間に正負い
ずれかのDC電圧を印加する、などによって層方向を一
方向に均一化させ、これにより高速応答且つ階調制御が
可能であり、動画質に優れた高輝度の液晶素子が、高い
量産性とともに実現しうる。そして先願の素子は上述の
各種スメクチック液晶モードと比較して自発分極値を小
さくする事ができることからTFT等のアクティブ素子
とのマッチングがよい素子となっている。On the other hand, the present inventors have disclosed Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-338.
Patent No. 464 (hereinafter referred to as "prior application 1") has been invented and proposed. In the present invention, for example,
From the high temperature side, isotropic liquid phase (ISO.)-Cholesteric phase (Ch) -chiral smectic C phase (SmC * ) or isotropic liquid phase (ISO.)-Chiral smectic C
Attention is paid to a phase-series material showing a phase (SmC * ), and monostabilization is performed at a position inside the edge of the virtual cone. Then, for example, a positive or negative DC voltage is applied between the pair of substrates at the time of the Ch-SmC * phase transition or at the time of the isotropic phase-SmC * phase transition, so that the layer direction is made uniform in one direction. Accordingly, a high-speed response and gradation control can be performed, and a high-brightness liquid crystal element excellent in moving image quality can be realized with high mass productivity. Since the element of the prior application can reduce the spontaneous polarization value as compared with the above-mentioned various smectic liquid crystal modes, it is an element having good matching with an active element such as a TFT.
【0005】同様に、我々は特開2000−01007
6号公報に記載されている素子(以下「先願2」と記
載)を発明し提案している。当該発明では、例えば、高
温側より等方性液体相(ISO. )−コレステリック相
(Ch)−カイラルスメクチックC相(SmC*)又は
等方性液体相(ISO. )−カイラルスメクチックC相
(SmC*)を示す相系列の材料に着目し、仮想コーン
エッジの位置にて単安定化させるようにしている。そし
て例えば、Ch−SmC*相転移の際、又は等方相−S
mC*相転移の際に一対の基板間に正負いずれかのDC
電圧を印加する、などによって層方向を一方向に均一化
させ、これにより高速応答且つ階調制御が可能であり、
動画質に優れた高輝度の液晶素子が、高い量産性ととも
に実現しうる。また先願2の素子はヒステリシスが小さ
く安定な中間調表示が実現でき、かつ上述した他の各種
スメクチック液晶モードと比較して自発分極値を小さく
する事ができることからTFT等のアクティブ素子との
マッチングがよい素子となっている。[0005] Similarly, we have disclosed in JP-A-2000-01007.
No. 6 (hereinafter referred to as “prior application 2”) has been invented and proposed. In the present invention, for example, from the high temperature side, isotropic liquid phase (ISO.)-Cholesteric phase (Ch) -chiral smectic C phase (SmC * ) or isotropic liquid phase (ISO.)-Chiral smectic C phase (SmC) * ) Focusing on the phase-series material indicated by ( ), monostabilization is performed at the position of the virtual cone edge. And, for example, at the time of Ch-SmC * phase transition or isotropic phase -S
either positive or negative DC between a pair of substrates during mC * phase transition
By applying a voltage, the layer direction is made uniform in one direction, whereby high-speed response and gradation control are possible.
A high-brightness liquid crystal element with excellent moving image quality can be realized with high mass productivity. The element of the prior application 2 has a small hysteresis, can realize a stable halftone display, and can reduce the spontaneous polarization value as compared with other various smectic liquid crystal modes described above. Is a good element.
【0006】以上述べたように、従来ネマティック液晶
を用いたTFT液晶ディスプレイが抱えていた応答速度
に関する問題点を解決できるという意味において、カイ
ラルスメクティック液晶、特に先願1、2の液晶素子を
用いた液晶表示素子の実現が期待されている。As described above, a chiral smectic liquid crystal, in particular, a liquid crystal element using the liquid crystal elements of the prior applications 1 and 2 is used in the sense that the problem relating to the response speed of the TFT liquid crystal display using the nematic liquid crystal can be solved. The realization of liquid crystal display elements is expected.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】このように、高速応答
性能など次世代のディスプレイ等に階調表示能を有する
先願の様なスメクチック液晶素子が期待されている。し
かしながら、ポリイミドに代表されるラビングを用いて
配向制御を行った場合、ラビングに起因すると思われる
筋が問題となりコントラストを悪化させる大きな問題が
あった。As described above, a smectic liquid crystal element as described in the prior application, which has a gradation display capability in a next-generation display or the like such as a high-speed response performance, is expected. However, when alignment control is performed using rubbing represented by polyimide, there is a serious problem that a streak caused by rubbing becomes a problem and the contrast deteriorates.
【0008】本発明は、この様な従来技術の問題点を解
決するためになされたものであり、斜方蒸着法を用い
て、作成が容易で、且つコントラストの高いカイラルス
メクチック液晶素子を提供することを目的とするもので
ある。The present invention has been made to solve such problems of the prior art, and provides a chiral smectic liquid crystal element which can be easily formed and has a high contrast by using an oblique evaporation method. The purpose is to do so.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、カイラ
ルスメクチック液晶と、該液晶に電圧を印加する一対の
電極と、該液晶を挟持して対向する一対の基板と、該基
板の少なくとも一方に偏光板とを備え、かつ該基板に設
けられた配向制御層を斜方蒸着法により形成し、スメク
ティック液晶相内液晶分子長軸配向方向との蒸着方向が
ほぼ直交しており、蒸着時に形成されるカラムと基板の
角度が70°以下である液晶素子であって、前記カイラ
ルスメクチック液晶の相転移系列が、高温側より等方性
液体相(ISO.)−コレステリック相(Ch)−カイ
ラルスメクチックC相(SmC*)又は等方性液体相
(ISO.)−カイラルスメクチックC相(SmC*)
であって、前記基板の少なくとも一方は各画素に対応す
る電極に接続したアクティブ素子を有していることを特
徴とするカイラルスメクチック液晶素子である。That is, the present invention provides a chiral smectic liquid crystal, a pair of electrodes for applying a voltage to the liquid crystal, a pair of substrates opposed to each other with the liquid crystal interposed therebetween, and at least one of the substrates. A polarizing plate is provided, and the orientation control layer provided on the substrate is formed by oblique deposition, and the deposition direction is substantially orthogonal to the long-axis alignment direction of the liquid crystal molecules in the smectic liquid crystal phase. A liquid crystal device wherein the angle between the column and the substrate to be formed is 70 ° or less, wherein the phase transition series of the chiral smectic liquid crystal is isotropic liquid phase (ISO.)-Cholesteric phase (Ch) -chiral smectic from a high temperature side. C phase (SmC * ) or isotropic liquid phase (ISO.)-Chiral smectic C phase (SmC * )
Wherein at least one of the substrates has an active element connected to an electrode corresponding to each pixel, which is a chiral smectic liquid crystal element.
【0010】本発明の液晶素子においては、電圧無印加
時では該液晶の平均分子軸が単安定化された第一の状態
を示し、第一の極性の電圧印加時には該液晶の平均分子
軸は印加電圧の大きさに応じた角度で該単安定化された
位置から一方の側にチルトし、該第一の極性とは逆極性
の第二の極性の電圧印加時には該液晶の平均分子軸は該
単安定化された位置から第一の極性の電圧を印加したと
きとは逆側にチルトする液晶素子であり、前記第一の極
性の電圧印加時と第二の極性の電圧印加時の液晶の平均
分子軸の該第一の状態における単安定化された位置を基
準とした最大チルト状態のチルトの角度をそれぞれ
β1、β2としたとき、β1>β2であるのが好ましい。In the liquid crystal device of the present invention, when no voltage is applied, the average molecular axis of the liquid crystal shows a first state in which the average molecular axis is monostable, and when a voltage of the first polarity is applied, the average molecular axis of the liquid crystal becomes The tilt is tilted to one side from the mono-stabilized position at an angle corresponding to the magnitude of the applied voltage, and when a voltage having a second polarity opposite to the first polarity is applied, the average molecular axis of the liquid crystal is A liquid crystal element that tilts from the mono-stabilized position in a direction opposite to a direction in which a voltage of the first polarity is applied, and a liquid crystal element in which a voltage of the first polarity is applied and a liquid crystal in which the voltage of the second polarity is applied. It is preferable that β 1 > β 2 where β 1 and β 2 are the tilt angles in the maximum tilt state with reference to the mono-stabilized position of the average molecular axis in the first state in the first state.
【0011】また、第一の極性の電圧印加時と第二の極
性の電圧印加時の液晶の平均分子軸の該第一の状態にお
ける単安定化された位置を基準とした最大チルト状態の
チルトの角度をそれぞれβ1、β2としたとき、β1>5
×β2であるのが好ましい。The tilt in the maximum tilt state based on the mono-stabilized position in the first state of the average molecular axis of the liquid crystal when the voltage of the first polarity is applied and when the voltage of the second polarity is applied. Β 1 and β 2 respectively, β 1 > 5
× β 2 is preferred.
【0012】また、電圧無印加時では該液晶の平均分子
軸が単安定化された第一の状態を示し、第一の極性の電
圧印加時には該液晶の平均分子軸は印加電圧の大きさに
応じた角度で該単安定化された位置から一方の側にチル
トし、該第一の極性とは逆極性の第二の極性の電圧印加
時には、該液晶の平均分子軸は該単安定化された位置か
ら実質的に変化しない液晶素子であるのが好ましい。Further, when no voltage is applied, the average molecular axis of the liquid crystal shows a first state in which the average molecular axis is monostable, and when a voltage of the first polarity is applied, the average molecular axis of the liquid crystal becomes smaller than the magnitude of the applied voltage. When tilted to one side from the mono-stabilized position at an appropriate angle, and when a voltage of a second polarity having a polarity opposite to the first polarity is applied, the average molecular axis of the liquid crystal is mono-stabilized. It is preferable that the liquid crystal element does not substantially change from the position.
【0013】また、前記カイラルスメクチック液晶のバ
ルク状態でのらせんピッチはセル厚の2倍より長い液晶
素子であるのが好ましい。The helical pitch of the chiral smectic liquid crystal in a bulk state is preferably a liquid crystal element longer than twice the cell thickness.
【0014】[0014]
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の上記課題は、下記の本発明によって解決され
る。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in detail.
The above object of the present invention is solved by the present invention described below.
【0015】即ち、本発明の第一は、カイラルスメクチ
ック液晶と、該液晶に電圧を印加する一対の電極と、該
液晶を挟持して対向する一対の基板を用い、配向制御層
を斜方蒸着法により形成し、スメクティック液晶相内液
晶分子の一軸方向との蒸着方向がほぼ直交していること
を特徴とし、蒸着時に形成されるカラムと基板の角度が
70°以下であり、少なくとも一方の基板に偏光板とを
備えた液晶素子であって、前記カイラルスメクチック液
晶の相転移系列が、高温側より、等方性液体相(IS
O.)−コレステリック相(Ch)−カイラルスメクチ
ックC相(SmC *)又は等方性液体相(ISO.)−
カイラルスメクチックC相(SmC*)であって、前記
液晶素子に用いる基板の少なくとも一方は各画素に対応
する電極に接続したアクティブ素子を有していることを
特徴とするカイラルスメクチック液晶素子である。That is, the first of the present invention is chiral smectic
A liquid crystal, a pair of electrodes for applying a voltage to the liquid crystal,
An alignment control layer is formed by using a pair of substrates opposed to each other while sandwiching a liquid crystal.
Is formed by oblique evaporation and the liquid in the smectic liquid crystal phase is
The deposition direction is almost perpendicular to the uniaxial direction of the crystal molecules
The angle between the column and the substrate formed during evaporation is
70 ° or less, and a polarizing plate on at least one of the substrates.
A liquid crystal device comprising the chiral smectic liquid
The phase transition series of the crystal is isotropic liquid phase (IS
O. ) -Cholesteric phase (Ch) -Chiral smectic
Check C phase (SmC *) Or isotropic liquid phase (ISO.)-
Chiral smectic C phase (SmC*) Wherein said
At least one of the substrates used for the liquid crystal element corresponds to each pixel
Having an active element connected to the
This is a chiral smectic liquid crystal element.
【0016】また、当該カイラルスメクチック液晶素子
は電圧無印加時では、該液晶の平均分子軸が単安定化さ
れた第一の状態を示し、第一の極性の電圧印加時には、
該液晶の平均分子軸は印加電圧の大きさに応じた角度で
該単安定化された位置から一方の側にチルトし、該第一
の極性とは逆極性の第二の極性の電圧印加時には、該液
晶の平均分子軸は該単安定化された位置から第一の極性
の電圧を印加したときとは逆側にチルトする液晶素子で
あり、前記第一の極性の電圧印加時と第二の極性の電圧
印加時の液晶の平均分子軸の該第一の状態における単安
定化された位買を基準とした最大チルト状態のチルトの
角度をそれぞれβ1、β2としたとき、β 1>β2となる液
晶素子であって、上記β1、β2の関係は、β1>5×β2
であることがより好ましい。あるいはβ2は実質的にゼ
ロであることが好ましい。一方の基板に反射電極を用
い、反射型の液晶素子として用いることもできる。Also, the chiral smectic liquid crystal device
Means that the average molecular axis of the liquid crystal is monostable when no voltage is applied.
Indicates a first state, and when a voltage of the first polarity is applied,
The average molecular axis of the liquid crystal is at an angle corresponding to the magnitude of the applied voltage.
Tilt to one side from the mono-stabilized position,
When a voltage having a second polarity opposite to the polarity of
The average molecular axis of the crystal is the first polarity from the monostabilized position.
Liquid crystal element that tilts to the opposite side when the
There is a voltage of the first polarity and a voltage of the second polarity
Simple average of the average molecular axis of liquid crystal in the first state when applied
Of tilt in the maximum tilt state based on
Angle is β1, ΒTwoAnd β 1> ΒTwoLiquid
A crystal element, wherein β1, ΒTwoIs β1> 5 × βTwo
Is more preferable. Or βTwoIs virtually
It is preferably b. Use reflective electrode on one substrate
Alternatively, it can be used as a reflection type liquid crystal element.
【0017】ポリイミドに代表されるような配向制御層
を用いた場合、通常はラビングという手法で一軸配向性
を付与する。この手法では、ラビングに起因する筋配向
が問題となっていた。When an orientation control layer typified by polyimide is used, usually uniaxial orientation is imparted by a method called rubbing. In this method, the streak orientation caused by rubbing has been a problem.
【0018】そこで、本発明者らは、ミクロな視点で均
一である配向制御手法である斜方蒸着法により非常に均
一な配向状態をプロセス的に安定に作り出す手法を見い
だした。斜方蒸着の手法としては、“液晶デバイスハン
ドブック”(日本学術振興会142委員会編)P242
ページ等に細かく記載されている。液晶組成物がコレス
テリック(またはカイラルネマティック)相−SA相−
カイラルスメクチックC相(SmC*)やSA相−カイ
ラルスメクチックC相(SmC*)の相系列を持つ液晶
組成物を斜方蒸着膜により一軸配向性を付与させた例は
多数報告されているが、(“液晶討論会予稿集”198
7年 3Z05、1988年 3B1243B125)
液晶分子の配向方向は蒸着方向に対して平行に並びスメ
クチック相内で層の法線方向と斜方蒸着方向は平行であ
った。Therefore, the present inventors have found a method for stably producing a very uniform alignment state in a process by oblique deposition, which is an alignment control method that is uniform from a microscopic viewpoint. For the method of oblique deposition, see "Liquid Crystal Device Handbook" (edited by 142 Committee of the Japan Society for the Promotion of Science) P242
It is described in detail on the page. The liquid crystal composition has a cholesteric (or chiral nematic) phase -SA phase-
There have been reported many examples in which a liquid crystal composition having a chiral smectic C phase (SmC * ) or a SA-chiral smectic C phase (SmC * ) phase series is imparted with uniaxial orientation by an oblique deposition film. ("Preprints of Liquid Crystal Symposium" 198
7 years 3Z05, 1988 3B1243B125)
The orientation direction of the liquid crystal molecules was parallel to the deposition direction, and the normal direction of the layer and the oblique deposition direction were parallel in the smectic phase.
【0019】図6は斜方蒸着法の一例を示す概略図であ
り、図6(a)は斜方蒸着装置、図6(b)は蒸着角度
の説明図である。図中、61は基板、62は膜厚モニ
タ、63は蒸発源、64はシャッタ、65は排気ポン
プ、θは蒸着角度を示す。64シャッタは蒸着時には開
く様に形成されている。また、蒸着角度θは、図6
(b)のAの方向の蒸着角度を示す。FIG. 6 is a schematic view showing an example of the oblique evaporation method, FIG. 6 (a) is an oblique evaporation apparatus, and FIG. 6 (b) is an explanatory view of an evaporation angle. In the figure, 61 is a substrate, 62 is a film thickness monitor, 63 is an evaporation source, 64 is a shutter, 65 is an exhaust pump, and θ is a deposition angle. The 64 shutter is formed so as to open during vapor deposition. The deposition angle θ is shown in FIG.
(B) shows the deposition angle in the direction of A.
【0020】斜方蒸着法は、図6に示す様に、蒸着角度
θによりカラム形成角度を制御する。層法線方向と蒸着
方向が平行な場合は液晶分子にプレチルトが付与され
る。斜方蒸着法の課題として、カラム角の制御は非常に
難しく大型のディスプレイの面内ばらつきや、ロット間
でのばらつき等を制御することは非常に難しい。本発明
者らは、相系列としてコレステリック(カイラルネマテ
ィック)−カイラルスメクチックC相(SmC*)相系
列、あるいは等方性液体相(ISO.)−カイラルスメ
クチックC相(SmC*)相系列を持つ液晶組成物を用
いることにより液晶分子長軸の配向方向が斜方蒸着方向
とほぼ垂直になることがわかった。In the oblique deposition method, as shown in FIG. 6, the column formation angle is controlled by the deposition angle θ. When the layer normal direction and the vapor deposition direction are parallel, a pretilt is given to the liquid crystal molecules. As a problem of the oblique deposition method, it is very difficult to control the column angle, and it is very difficult to control in-plane variation of a large display, variation between lots, and the like. The present inventors have proposed a liquid crystal having a cholesteric (chiral nematic) -chiral smectic C phase (SmC * ) phase series, or an isotropic liquid phase (ISO.)-Chiral smectic C phase (SmC * ) phase series. It was found that by using the composition, the alignment direction of the long axis of the liquid crystal molecules was almost perpendicular to the oblique deposition direction.
【0021】このことをよりくわしく云えば層法線方向
と蒸着方向とが平行な場合にはカラム形成角度に依存し
たプレチルト角が付与される。このような場合の斜方蒸
着法の課題として、点状の蒸着源よりSiO等の物質が
放射状に蒸着されるため、蒸着角度を厳密に制御したと
してもその被蒸着物質が大型のパネルであった場合には
パネル面内でカラム角度が異なってしまうことになる。
その結果、大型パネルではプレチルト角の面内ムラが発
生してしまうため、素子特性の面内ムラが顕著に発生す
る原因となることが課題となっていた。同様な問題は同
一の基板から複数パネルを取り出す多面取りプロセスに
おけるパネル間でも起こりうるため、このことがパネル
間ばらつきの原因になることは容易に予測できる。More specifically, when the layer normal direction and the vapor deposition direction are parallel, a pretilt angle depending on the column forming angle is provided. As a problem of the oblique evaporation method in such a case, since a substance such as SiO is radially evaporated from a point-like evaporation source, even if the evaporation angle is strictly controlled, the material to be evaporated is a large panel. In this case, the column angle will be different in the panel plane.
As a result, in-plane non-uniformity of the pretilt angle occurs in a large-sized panel, so that the in-plane non-uniformity of element characteristics has been a problem. Since a similar problem can occur between panels in a multi-paneling process of extracting a plurality of panels from the same substrate, it can be easily predicted that this causes a variation between panels.
【0022】一方、本発明者らは相系列としてコレステ
リック(カイラルネマティック)−SmC*相系列を持
つ液晶組成物を用いることにより液晶分子長軸の配向方
向が斜方蒸着方向とほぼ垂直になることがわかった。一
般にこういった配向状態を取る場合、プレチルト角がゼ
ロになることが知られている。本発明においてもプレチ
ルト角はゼロであることが本発明者らの実験により確か
められた。すなわちCh−SmC*相系列を用いてカラ
ム角を適宜調整することによって、プレチルト角の面内
ムラを有することのない面内の特性が均一な素子を得る
ことが出来る。On the other hand, the present inventors use the liquid crystal composition having a cholesteric (chiral nematic) -SmC * phase series as a phase series, so that the alignment direction of the long axis of the liquid crystal molecules becomes almost perpendicular to the oblique deposition direction. I understood. It is generally known that when such an alignment state is taken, the pretilt angle becomes zero. It has been confirmed by the present inventors that the pretilt angle is also zero in the present invention. That is, by appropriately adjusting the column angle using the Ch-SmC * phase series, an element having uniform in-plane characteristics without in-plane unevenness of the pretilt angle can be obtained.
【0023】図7(a)はスメクチックA相の相系列を
持つ液晶組成物を斜方蒸着膜により一軸配向性を付与さ
せた場合の液晶分子の様子を示した模式図である。FIG. 7A is a schematic diagram showing the state of liquid crystal molecules when a liquid crystal composition having a smectic A phase series is given uniaxial orientation by an oblique deposition film.
【0024】11は基板、12は斜方蒸着によって形成
されたカラム、13は液晶分子である。カラム12は図
示されるように、ある蒸着方向15から蒸着された柱状
構造の蒸着物である。この場合の蒸着角度は大きい角度
である。液晶分子13は長尺形状であり紙面においてそ
の長尺形状が示されている。そして液晶分子13はカラ
ムの斜面から点線で図示される方向に層14を形成す
る。なおその層の法線方向16を図中に示した。Reference numeral 11 denotes a substrate, 12 denotes a column formed by oblique evaporation, and 13 denotes liquid crystal molecules. As shown, the column 12 is a deposition having a columnar structure deposited from a certain deposition direction 15. The deposition angle in this case is a large angle. The liquid crystal molecules 13 have a long shape, and the long shape is shown on the paper. The liquid crystal molecules 13 form a layer 14 in the direction shown by the dotted line from the slope of the column. The normal direction 16 of the layer is shown in the figure.
【0025】一方、図7(b)はスメクチックA相の相
系列を有さない液晶組成物を斜方蒸着膜により一軸配向
性を付与させた場合の液晶分子の様子を示した模式図で
ある。なお本発明者はこのようなスメクチックA相の相
系列を有さない液晶分子に斜方蒸着膜により一軸配向性
を付与させた。On the other hand, FIG. 7 (b) is a schematic view showing the state of liquid crystal molecules when a liquid crystal composition having no smectic A phase is imparted with uniaxial orientation by an oblique deposition film. . The inventor of the present invention imparted uniaxial orientation to the liquid crystal molecules having no such smectic A phase series by an oblique deposition film.
【0026】図7(b)の11、12、13は図7
(a)と同じものを示す。図7(b)に示すように、ス
メクチックA相の相系列を有さない液晶分子、つまりス
メクチックA相の相系列を有する液晶組成物を構成する
液晶分子とは異なる液晶分子は、紙面表裏方向にその長
尺方向を向けていることが発明者によりわかった。いい
かえれば、蒸着方向と液晶分子長軸方向とが垂直である
ということがわかった。FIG. 7B shows 11, 12, and 13
The same thing as (a) is shown. As shown in FIG. 7B, the liquid crystal molecules having no smectic A phase sequence, that is, liquid crystal molecules different from the liquid crystal molecules constituting the liquid crystal composition having the smectic A phase sequence, are oriented in the direction perpendicular to the paper. It was found by the inventor that the long direction was directed to the object. In other words, it was found that the deposition direction was perpendicular to the liquid crystal molecule long axis direction.
【0027】またそのような場合でさらに蒸着時に形成
されるカラムと基板とのなす角度θcを70°以下、好
ましくは30°〜70°である液晶素子の場合、先に触
れたようなこと、即ちポリイミド等の配向膜にラビング
処理を施したものを用いた場合に生じる筋は観察されな
いことはもちろんのこと、C1配向とC2配向とに起因
するいわゆるジグザグ欠陥も観察されなかった。そして
そのような液晶素子の場合、コントラストの高い液晶素
子を提供できた。なお、カラムと基板とのなす角度θc
は、斜方蒸着法によりカラムは断面が三角形の形状に形
成されるが、該三角形の蒸着方向と平行な辺と基板表面
とのなす角度を示す。Further, in such a case, in the case of a liquid crystal element in which the angle θc between the column formed at the time of vapor deposition and the substrate is 70 ° or less, preferably 30 ° to 70 °, That is, not only streaks generated when a rubbing treatment was performed on an alignment film such as polyimide were not observed, but also so-called zigzag defects caused by the C1 orientation and the C2 orientation were not observed. And in the case of such a liquid crystal element, a liquid crystal element with high contrast could be provided. The angle θc between the column and the substrate
Indicates the angle formed between a side of the column parallel to the deposition direction of the triangle and the surface of the substrate when the column is formed in a triangular shape by oblique deposition.
【0028】ポリイミド系配向膜をラビングする事で配
向制御を行った、コレステリック−カイラルスメクティ
ックC相系列を持つ液晶素子の場合、分子長軸方向がラ
ビング方向から0°〜10°程度傾くことが知られてい
る。斜方蒸着法の場合でも蒸着方向に対してラビング時
と同等に傾くことがわかった。液晶分子の方向は、蒸着
方向と垂直方向に対して若干ずれている。この配向状熊
の場合、液晶分子のプレチルト角はほぼ0°であり、カ
ラム角度の制御による配向制御が非常に容易となる。す
なわち、カラム角が若干ずれたとしても液晶素子の特性
に影響するプレチルト角がほぼ0°のまま不変であるた
めにカラム角度の厳密な制御が不要となる結果、非常に
広いプロセスマージンを有することになる。さらに、ミ
クロな視点でのばらつきも少なく、非常に均一な配向性
を達成することができた。In the case of a liquid crystal device having a cholesteric-chiral smectic C phase series in which the alignment is controlled by rubbing a polyimide-based alignment film, it is known that the major axis direction of the molecule is inclined about 0 ° to 10 ° from the rubbing direction. Have been. It was found that even in the case of the oblique deposition method, the substrate was inclined with respect to the deposition direction as in the case of rubbing. The direction of the liquid crystal molecules is slightly shifted from the deposition direction and the vertical direction. In the case of this alignment state, the pretilt angle of the liquid crystal molecules is almost 0 °, and it becomes very easy to control the alignment by controlling the column angle. That is, even if the column angle is slightly deviated, the pretilt angle, which affects the characteristics of the liquid crystal element, remains unchanged at almost 0 °, so that strict control of the column angle becomes unnecessary, resulting in a very wide process margin. become. Furthermore, there was little variation from a micro viewpoint, and very uniform orientation could be achieved.
【0029】特に上記表示素子の好適な態様として、液
晶と、該液晶に電圧を印加する一対の電極と、該液晶を
挟持して対向すると共に少なくとも一方の対向面に該液
晶を配向させるための斜方蒸着が施された一対の基板
と、少なくとも一方の基板に偏光板とを備え、1秒間に
複数フレームでの画像を表示し、各フレーム内において
液晶の配向状態が経時的に変化する液晶素子が提供され
る。Particularly, as a preferred embodiment of the display element, a liquid crystal, a pair of electrodes for applying a voltage to the liquid crystal, and a pair of electrodes for sandwiching the liquid crystal and facing the liquid crystal and aligning the liquid crystal on at least one facing surface. A pair of substrates on which oblique deposition is performed, and a polarizing plate on at least one of the substrates, a liquid crystal in which images in a plurality of frames are displayed in one second and the alignment state of the liquid crystal changes with time in each frame. An element is provided.
【0030】更に本発明では、上述したような素子製造
法によって作製される素子として、上述したような電圧
無印加時に液晶が単安定状態を呈するようなカイラルス
メクチック液晶を用いた液晶素子が提供される。Further, the present invention provides a liquid crystal device using a chiral smectic liquid crystal in which the liquid crystal exhibits a monostable state when no voltage is applied as described above, as a device manufactured by the above-described device manufacturing method. You.
【0031】その本発明に適用できる液晶素子は、特開
2000−338464号公報あるいは特開2000−
010076号公報に記載の素子であり、該液晶材料の
相転移系列が等方性液体相(ISO.)−コレステリッ
ク相(Ch)−カイラルスメクチックC相(Sm
C*)、または等方性液体相(ISO.)−カイラルス
メクチックC相(SmC*)を示し、SmC*相への転移
の際に一対の基板間へ、正負いずれかのDC電圧を印加
することで、2つの層方向のうち一方の層方向のみに揃
え、即ち平均一軸配向処理軸とスメクチック層法線方向
のずれ方向が一定となるようにし、電圧無印加の状態で
液晶分子仮想コーンエッジ上、あるいはその内側に安定
化させ、そのメモリ性を消失させたSmC*相の配向状
態を得ている。The liquid crystal element applicable to the present invention is disclosed in JP-A-2000-338564 or JP-A-2000-38464.
01076, wherein the phase transition series of the liquid crystal material is isotropic liquid phase (ISO.)-Cholesteric phase (Ch) -chiral smectic C phase (Sm
C * ), or an isotropic liquid phase (ISO.)-Chiral smectic C phase (SmC * ), and a positive or negative DC voltage is applied between a pair of substrates during the transition to the SmC * phase. In this way, only one of the two layer directions is aligned, that is, the deviation direction between the average uniaxial alignment processing axis and the normal direction of the smectic layer is constant, and the virtual cone edge of the liquid crystal molecule is applied in the state of no voltage application. The orientation state of the SmC * phase is stabilized on the upper side or the inner side, and the memory property is lost.
【0032】また、本発明に用いられるカイラルスメク
チック液晶は相転移系列が、高温側より、等方性液体相
(ISO. )−コレステリック相(Ch)−カイラルス
メクチックC相又は等方性液体相(ISO. )−カイラ
ルスメクチックC相であるものが好ましい。In the chiral smectic liquid crystal used in the present invention, the phase transition series is such that the isotropic liquid phase (ISO.)-Cholesteric phase (Ch) -chiral smectic C phase or isotropic liquid phase (high temperature side). ISO.)-Chiral smectic C phase is preferred.
【0033】以下に本発明で用いられる液晶組成物を構
成する好ましい化合物の具体例を(1)〜(4)に示
す。Specific examples of preferred compounds constituting the liquid crystal composition used in the present invention are shown in (1) to (4) below.
【0034】[0034]
【化1】 Embedded image
【0035】R1,R2:炭素原子数が1〜20である置
換基を有していてもよい直鎖または分岐状のアルキル基 X1,X2:単結合、O、COO、OOC Y1,Y2,Y3,Y4:HまたはF n:0または1R 1 , R 2 : straight-chain or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms which may have a substituent X 1 , X 2 : single bond, O, COO, OOC Y 1 , Y 2 , Y 3 , Y 4 : H or F n: 0 or 1
【0036】[0036]
【化2】 Embedded image
【0037】R1,R2:炭素原子数が1〜20である置
換基を有していてもよい直鎖または分岐状のアルキル基 X1,X2:単結合、O、COO、OOC Y1,Y2,Y3,Y4:HまたはFR 1 , R 2 : linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms which may have a substituent X 1 , X 2 : single bond, O, COO, OOC Y 1, Y 2, Y 3, Y 4: H or F
【0038】[0038]
【化3】 Embedded image
【0039】R1,R2:炭素原子数が1〜20である置
換基を有していてもよい直鎖または分岐状のアルキル基 X1,X2:単結合、O、COO、OOC Y1,Y2,Y3,Y4:HまたはFR 1 , R 2 : linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms which may have a substituent X 1 , X 2 : single bond, O, COO, OOC Y 1, Y 2, Y 3, Y 4: H or F
【0040】[0040]
【化4】 Embedded image
【0041】R1,R2:炭素原子数が1〜20である置
換基を有していてもよい直鎖または分岐状のアルキル基 X1,X2:単結合、O、COO、OOC Y1,Y2,Y3,Y4:HまたはFR 1 , R 2 : straight-chain or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms which may have a substituent X 1 , X 2 : single bond, O, COO, OOC Y 1, Y 2, Y 3, Y 4: H or F
【0042】以下、図1を参照して本発明の液晶素子の
具体的な一実施形態について説明する。Hereinafter, a specific embodiment of the liquid crystal device of the present invention will be described with reference to FIG.
【0043】同図に示す液晶素子80では、一対のガラ
ス、プラスチック等透明性の高い材料からなる基板81
a、81b間に液晶85、好ましくはカイラルスメクチ
ック相を呈する液晶を挟持したセルが互いに偏光軸が直
交した一対の偏光板87a及び87b間に挟装した構造
となっている。In the liquid crystal element 80 shown in FIG. 7, a substrate 81 made of a pair of highly transparent materials such as glass and plastic is used.
The cell has a structure in which a liquid crystal 85, preferably a liquid crystal exhibiting a chiral smectic phase is sandwiched between a and 81b, and is sandwiched between a pair of polarizing plates 87a and 87b whose polarization axes are orthogonal to each other.
【0044】基板81a、81bには、夫々液晶85に
電圧を印加するためのIn2 O3 、ITO等の材料から
なる電極82a、82bが設けられており、例えば後述
するように一方の基板にドット状の透明電極をマトリッ
クス状に配置し、各透明電極にTFTやMIM(Met
al−Insulator−Metal)等のスイッチ
ング素子を接続し、他方の基板の一面上あるいは所定パ
ターンの対向電極を設けアクティブマトリックス構造を
形成している。The substrates 81a and 81b are provided with electrodes 82a and 82b made of a material such as In 2 O 3 or ITO for applying a voltage to the liquid crystal 85, respectively. Dot-shaped transparent electrodes are arranged in a matrix, and a TFT or MIM (Met (Met)
Al-Insulator-Metal) and other switching elements are connected, and an opposing electrode having a predetermined pattern is formed on one surface of the other substrate or the other substrate to form an active matrix structure.
【0045】電極82a,82b上には、必要に応じて
これらのショートを防止する等の機能を持つSiO2 、
TiO2 、Ta2 O5 等の材料からなる絶縁膜83a,
83bが夫々設けられる。The electrodes 82a, On 82b, SiO 2 having a function such as to prevent these short as necessary,
An insulating film 83a made of a material such as TiO 2 , Ta 2 O 5 ,
83b are provided respectively.
【0046】更に、絶縁膜83a,83b上には、液晶
85に接し、その配向状態を制御するべく機能する配向
制御層84a,84bが設けられている。かかる配向制
御層84a,84bは、斜方蒸着膜であり、SiO、S
iOx、CaF2等が知られている。Further, on the insulating films 83a and 83b, alignment control layers 84a and 84b which are in contact with the liquid crystal 85 and function to control the alignment state are provided. The orientation control layers 84a and 84b are obliquely deposited films, and include SiO, S
iOx, CaF 2 and the like are known.
【0047】基板81a及び81bは、スペーサー86
を介して対向している。かかるスペーサー86は、基板
81a、81bの間の距離(セルギャップ)を決定する
ものであり、シリカビーズ等が用いられる。ここで決定
されるセルギャップについては、液晶材料の違いによっ
て最適範囲及び上限値が異なるが、均一な一軸配向性、
また電圧無印加時に液晶分子の平均分子軸をほぼ配向処
理軸の平均方向の軸と実質的に同一にする配向状態を発
現させるべく、0.3〜10μmの範囲に設定すること
が好ましい。The substrates 81a and 81b are
Are opposed to each other. The spacer 86 determines a distance (cell gap) between the substrates 81a and 81b, and silica beads or the like are used. Regarding the cell gap determined here, the optimum range and the upper limit are different depending on the difference of the liquid crystal material, but the uniform uniaxial orientation,
In order to develop an alignment state in which the average molecular axis of the liquid crystal molecules is substantially the same as the average direction axis of the alignment processing axis when no voltage is applied, it is preferable to set the average molecular axis in the range of 0.3 to 10 μm.
【0048】スペーサー86に加えて、基板81a及び
81b間の接着性を向上させ、カイラルスメクチック相
を示す液晶の耐衝撃性を向上させるべく、エポキシ樹脂
等の樹脂材料等からなる接着粒子を分散配置することも
できる(図示せず)。In addition to the spacer 86, adhesive particles made of a resin material such as an epoxy resin are dispersed to improve the adhesiveness between the substrates 81a and 81b and to improve the impact resistance of the liquid crystal exhibiting a chiral smectic phase. (Not shown).
【0049】上記構造の液晶素子80では、液晶85と
してカイラルスメクチック相を示す液晶を用いる場合に
ついては、その材料の組成を調整し、更に液晶材料の処
理や素子構成、例えば配向制御層84a及び84bの材
料、処理条件等を適宜設定することにより、電圧無印加
時では、該液晶の平均分子軸(液晶分子)が単安定化さ
れている配向状態を示し、駆動時では一方の極性(第一
の極性)の電圧印加時に印加電圧の大きさに応じて平均
分子軸の単安定化される位置を基準としたチルト角度が
連続的に変化し、他方の極性(第二の極性)の電圧印加
時には液晶の平均分子軸は、印加電圧の大きさに応じた
角度でチルトするような特性を示すようにする。このと
き、第一の極性の電圧印加による最大チルト角度が、第
二の極性の電圧印加による最大チルト角度より大きいよ
うな特性を示すようにしてもよい。または第2の極性の
電圧印加時には平均分子軸が印加電圧の大きさによらず
チルトしないような特性にしても良い。In the liquid crystal element 80 having the above-described structure, when a liquid crystal exhibiting a chiral smectic phase is used as the liquid crystal 85, the composition of the material is adjusted, and further, the processing of the liquid crystal material and the element structure, for example, the alignment control layers 84a and 84b By appropriately setting the material, processing conditions, and the like, when no voltage is applied, the liquid crystal exhibits an alignment state in which the average molecular axis (liquid crystal molecules) of the liquid crystal is monostable. Of the average molecular axis, the tilt angle changes continuously according to the magnitude of the applied voltage, and the voltage of the other polarity (second polarity) is applied. Sometimes, the average molecular axis of the liquid crystal exhibits characteristics such that it tilts at an angle corresponding to the magnitude of the applied voltage. At this time, the characteristic may be such that the maximum tilt angle by applying the voltage of the first polarity is larger than the maximum tilt angle by applying the voltage of the second polarity. Alternatively, the characteristics may be such that the average molecular axis does not tilt regardless of the magnitude of the applied voltage when the voltage of the second polarity is applied.
【0050】そして、カイラルスメクチック相を示す液
晶材料としては、前述したような特性(液晶材料固有の
物性値コーン角Θ、スメクチック層の層間隔d、傾斜角
δについての特性)を示すようなビフェニル骨格やフェ
ニルシクロヘキサンエステル骨格、フェニルピリミジン
骨格等を有する炭化水素系液晶材料、ナフタレン系液晶
材料、ポリフッ素系液晶材料を適宜選択して調製した組
成物を用いる。As the liquid crystal material exhibiting a chiral smectic phase, biphenyl having the above-mentioned properties (properties relating to the physical property value cone angle Θ, the layer spacing d of the smectic layer, and the inclination angle δ inherent to the liquid crystal material) is used. A composition prepared by appropriately selecting a hydrocarbon-based liquid crystal material, a naphthalene-based liquid crystal material, or a polyfluorine-based liquid crystal material having a skeleton, a phenylcyclohexane ester skeleton, a phenylpyrimidine skeleton, or the like is used.
【0051】当該液晶素子では、基板81a及び81b
の一方に少なくともR,G,Bのカラーフィルターを設
け、カラー液晶素子とすることもできる。また光源とし
てR,G,Bの光源を順次切り替えることで、時分割に
よる混色を利用してフルカラー表示させる方法を用いる
こともできる。In the liquid crystal device, the substrates 81a and 81b
At least one of R, G, and B color filters may be provided to provide a color liquid crystal element. Further, a method of performing full-color display using time-division color mixture by sequentially switching the R, G, and B light sources as the light source can also be used.
【0052】尚、当該液晶素子は、基板81a及び81
bの両方の基板に一対の偏光板を設けた透過型の液晶素
子、即ち基板81a及び81bのいずれも透光性の基板
であり、一方の基板側からの入射光(例えば外部光源に
よる光)を変調し他方側に出射するタイプの素子、又は
少なくとも一方の基板に偏光板を設けた反射型の液晶素
子、即ち基板81a及び81bのいずれか一方の側に反
射板を設けるかあるいは一方の基板自体又は基板に設け
る部材として反射性の材料を用いて、入射光及び反射光
を変調し、入射側と同様の側に光を出射するタイプの素
子のいずれにも適用することができる。Note that the liquid crystal element is composed of substrates 81a and 81
b, a transmissive liquid crystal element in which a pair of polarizing plates is provided on both substrates, ie, both the substrates 81a and 81b are translucent substrates, and incident light from one substrate side (for example, light from an external light source) Or a reflection type liquid crystal element in which a polarizing plate is provided on at least one substrate, that is, a reflection plate is provided on one of the substrates 81a and 81b, or one substrate is provided. The present invention can be applied to any type of element that modulates incident light and reflected light by using a reflective material as a member provided on itself or a substrate and emits light to the same side as the incident side.
【0053】本発明では、上述の液晶素子に対して階調
信号を供給する駆動回路を設け、上述したような電圧の
印加により液晶の平均分子軸の単安定位置からの連続的
なチルト角度の変化、及び素子からの出射光量が連続的
に変化する特性を利用し階調表示を行う液晶表示素子を
構成することができる。例えば、液晶素子の一方の基板
として前述したようなTFT等を備えたアクティブマト
リクス基板を用い、駆動回路で振幅変調によるアクティ
ブマトリクス駆動を行うことでアナログ階調表示が可能
となる。In the present invention, a drive circuit for supplying a gradation signal to the above-described liquid crystal element is provided, and by applying the above-described voltage, a continuous tilt angle from the monostable position of the average molecular axis of the liquid crystal is set. A liquid crystal display element that performs gradation display by utilizing the change and the characteristic that the amount of light emitted from the element changes continuously can be configured. For example, by using an active matrix substrate provided with the above-described TFT or the like as one substrate of a liquid crystal element and performing active matrix driving by amplitude modulation with a driving circuit, analog gray scale display can be performed.
【0054】次に、図2〜図4を参照して、本発明の液
晶素子において、このようなアクティブマトリクス基板
を用いた例について説明する。図2は、当該液晶素子
を、駆動手段を備えた形で、一方の基板(アクティブマ
トリクス基板)の構成を中心に模式的に示したものであ
る。Next, an example in which such an active matrix substrate is used in the liquid crystal device of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 2 schematically shows the liquid crystal element provided with a driving means, mainly focusing on the configuration of one substrate (active matrix substrate).
【0055】図2に示す構成では、液晶素子に相当する
パネル部90において、駆動手段である走査信号ドライ
バ91に連結した走査線に相当する図面上水平方向のゲ
ート線Gl、G2・・・・と、駆動手段である情報信号
ドライバ92に連結した情報信号線に相当する図面上縦
方向のソース線Sl、S2・・・・が互いに絶縁された
状態で直交するように設けられており、その各交点の画
素に対応してスイッチング素子に相当する薄膜トランジ
スタ(TFT)94及び画素電極95が設けられている
(同図では簡略化のため5×5画素の領域のみを示
す)。尚、スイッチング素子として、TFTの他、MI
M素子を用いることもできる。ゲート線Gl、G2・・
・はTFT94のゲート電極(図示せず)に接続され、
ソース線Sl、S2・・・はTFT94のソース電極
(図示せず)に接続され、画素電極95はTFT94の
ドレイン電極(図示せず)に接続されている。かかる構
成において、走査信号ドライバ91によりゲート線G
l、G2・・・が例えば線順次に走査選択されてゲート
電圧が供給され、このゲート線の走査選択に同期して情
報信号ドライバ92から、各画素に書き込む情報に応じ
た情報信号電圧がソース線Sl、S2・・・に供給さ
れ、TFT94を介して各画素電極に印加される。In the configuration shown in FIG. 2, in the panel section 90 corresponding to the liquid crystal element, horizontal gate lines G1, G2,... In the drawing corresponding to the scanning lines connected to the scanning signal driver 91 as the driving means. , Corresponding to the information signal lines connected to the information signal driver 92 as the driving means, are provided so as to be orthogonal to each other while being insulated from each other in the vertical direction in the drawing. A thin film transistor (TFT) 94 corresponding to a switching element and a pixel electrode 95 are provided corresponding to the pixel at each intersection (only a 5 × 5 pixel area is shown for simplification). In addition, as a switching element, in addition to TFT, MI
An M element can also be used. Gate lines Gl, G2 ...
Is connected to the gate electrode (not shown) of the TFT 94,
Are connected to a source electrode (not shown) of the TFT 94, and the pixel electrodes 95 are connected to a drain electrode (not shown) of the TFT 94. In such a configuration, the scanning signal driver 91 controls the gate line G
, G2... are line-sequentially selected for scanning and a gate voltage is supplied, and an information signal voltage corresponding to information to be written to each pixel is supplied from the information signal driver 92 in synchronization with the scanning selection of the gate line. Are supplied to the lines S1, S2,... And are applied to each pixel electrode via the TFT 94.
【0056】図3は、図2に示すようなパネル構成にお
ける各画素部分(1ビット分)の断面構造の一例を示
す。同図に示す構造では、TFT94及び画素電極95
を備えるアクティブマトリクス基板20と共通電極42
を備えた対向基板40間に、自発分極を有する液晶層4
9が挟持され、液晶容量(C1c)31が構成されてい
る。FIG. 3 shows an example of a sectional structure of each pixel portion (1 bit) in the panel configuration as shown in FIG. In the structure shown in FIG.
Active matrix substrate 20 having a common electrode 42
Liquid crystal layer 4 having spontaneous polarization between opposing substrates 40 provided with
9 are sandwiched to form a liquid crystal capacitor (C 1c ) 31.
【0057】アクティブマトリクス基板20について
は、TFT94としてアモルファスSiTFTを用いた
例が示されている。TFT94はガラス等からなる基板
21上に形成され、図2に示すゲート線Gl、G2・・
・に接続したゲート電極22上に窒化シリコン(SiN
x)等の材料からなる絶縁膜(ゲート絶縁膜)23を介
してa−Si層24が設けられており、該a−Si層2
4上に、夫々n+a−Si層25、26を介してソース
電極27、ドレイン電極28が互いに離間して設けられ
ている。As for the active matrix substrate 20, an example in which an amorphous Si TFT is used as the TFT 94 is shown. The TFT 94 is formed on a substrate 21 made of glass or the like, and the gate lines G1, G2,.
Silicon nitride (SiN) on the gate electrode 22 connected to
x), an a-Si layer 24 is provided via an insulating film (gate insulating film) 23 made of a material such as
4, a source electrode 27 and a drain electrode 28 are provided separately from each other via n + a-Si layers 25 and 26, respectively.
【0058】ソース電極27は図2に示すソース線S
l、S2・・・に接続し、ドレイン電極28はITO膜
等の透明導電膜からなる画素電極95に接続している。
また、TFT94におけるa−Si層24上をチャネル
保護膜29が被覆している。このTFT94は、該当す
るゲート線が走査選択された期間においてゲート電極2
2にゲートパルスが印加されオン状態となる。The source electrode 27 is connected to the source line S shown in FIG.
, S2,..., and the drain electrode 28 is connected to a pixel electrode 95 made of a transparent conductive film such as an ITO film.
The channel protection film 29 covers the a-Si layer 24 of the TFT 94. The TFT 94 has a gate electrode 2 during a period in which the corresponding gate line is selected for scanning.
A gate pulse is applied to 2 to turn it on.
【0059】更に、アクティブマトリクス基板20にお
いては、画素電極95と、該電極のガラス基板側に設け
られた保持容量電極30により絶縁膜23(ゲート電極
22上の絶縁膜と連続的に設けられた膜)を挟持した構
造により保持容量(Cs)32が液晶層49と並列の形
で設けられている。保持容量電極はその面積が大きい場
合、開口率が低下するため、ITO膜等の透明導電膜に
より形成される。Further, in the active matrix substrate 20, the insulating film 23 (continuously provided with the insulating film on the gate electrode 22) is formed by the pixel electrode 95 and the storage capacitor electrode 30 provided on the glass substrate side of the electrode. A storage capacitor (C s ) 32 is provided in parallel with the liquid crystal layer 49 by a structure sandwiching the film. When the area of the storage capacitor electrode is large, the aperture ratio is reduced, and thus the storage capacitor electrode is formed of a transparent conductive film such as an ITO film.
【0060】アクティブマトリクス基板20のTFT9
4及び画素電極95上には液晶の配向状態を制御する為
の例えばラビング処理等の一軸配向処理が施された配向
膜43aが設けられている。The TFT 9 of the active matrix substrate 20
On the pixel electrode 95 and the pixel electrode 95, there is provided an alignment film 43a which has been subjected to a uniaxial alignment process such as a rubbing process for controlling the alignment state of the liquid crystal.
【0061】一方、対向基板40では、ガラス基板41
上に、全面同様の厚みで共通電極42、及び液晶の配向
状態を制御する為の配向膜43bが積層されている。
尚、上記セル構造は、互いに偏光軸が直交した関係にあ
る一対の偏光板間に挟持されている(図示せず)。On the other hand, in the counter substrate 40, the glass substrate 41
A common electrode 42 and an alignment film 43b for controlling the alignment state of the liquid crystal are laminated on the entire surface with the same thickness.
The cell structure is sandwiched between a pair of polarizing plates whose polarization axes are orthogonal to each other (not shown).
【0062】上記構造のパネルの画素部分において、液
晶層49としては、自発分極を有する液晶、例えばカイ
ラルスメクチック相を呈する液晶が用いられる。In the pixel portion of the panel having the above structure, a liquid crystal having spontaneous polarization, for example, a liquid crystal exhibiting a chiral smectic phase is used as the liquid crystal layer 49.
【0063】尚、図2及び図3に示すようなパネル構成
において、アクティブマトリクス基板として、多結晶S
i(p−Si)TFTを備えた基板を用いることができ
る。In the panel configuration shown in FIGS. 2 and 3, polycrystalline S
A substrate provided with an i (p-Si) TFT can be used.
【0064】図3に示すパネルの画素部分の等価回路を
図4に示す。図4及び図5を参照して上記構造の液晶素
子における特性を利用したアクティブマトリクス駆動に
ついて述べる。本発明の液晶素子におけるアクティブマ
トリクス駆動では、例えば一画素においてある情報を表
示するための期間(1フレーム)を複数のフィールド
(例えば図5に示すlF及び2F)に分割し、これら2
フィールドにおいて平均的に所定の情報に応じた出射光
量を得る。以下では、液晶層49が一方の極性の電圧印
加で十分な透過光強度であり、逆極性ではそれより小さ
い透過光強度である特性を示す場合における2フィール
ドに分割された例について説明する。FIG. 4 shows an equivalent circuit of a pixel portion of the panel shown in FIG. The active matrix driving utilizing the characteristics of the liquid crystal device having the above structure will be described with reference to FIGS. In the active matrix driving of the liquid crystal element of the present invention, for example, a period (one frame) for displaying certain information in one pixel is divided into a plurality of fields (for example, IF and 2F shown in FIG. 5).
In the field, an emitted light amount according to predetermined information is obtained on average. Hereinafter, an example in which the liquid crystal layer 49 is divided into two fields in a case where the transmission light intensity is sufficient when a voltage of one polarity is applied and the transmission light intensity is smaller when the polarity is reversed, will be described.
【0065】図5(a)は、一画素を着目した際に、当
該画素に接続する走査線となる一ゲート線に印加される
電圧を示す。上記構造の液晶素子では、各フィールド毎
にゲート線Gl、G2・・・が例えば線順次で選択さ
れ、一ゲート線には選択期間Tonにおいて所定のゲー
ト電圧Vgが印加され、ゲート電極22に電圧Vgが加
わりTFT94がオン状態となる。他のゲート線が選択
されている期間に相当する非選択期間Toffにはゲー
ト電極22に電圧が加わらずTFT94は高抵抗状態
(オフ状態)となり、Toff毎に所定の同一のゲート
線が選択されてゲート電極22にゲート電圧Vgが印加
される。FIG. 5A shows a voltage applied to one gate line serving as a scanning line connected to the pixel when focusing on one pixel. In the liquid crystal element having the above structure, the gate lines G1, G2,... Are selected, for example, line-sequentially for each field, a predetermined gate voltage Vg is applied to one gate line during the selection period Ton, and a voltage is applied to the gate electrode 22. Vg is applied, and the TFT 94 is turned on. In a non-selection period Toff corresponding to a period in which another gate line is selected, no voltage is applied to the gate electrode 22 and the TFT 94 enters a high resistance state (off state), and a predetermined same gate line is selected for each Toff. As a result, a gate voltage Vg is applied to the gate electrode 22.
【0066】図5(b)は、当該画素の情報信号線(ソ
ース線)に印加される電圧Vsを示す。図5(a)で示
すように各フィールドで選択期間Tonでゲート電極2
2にゲート電圧が印加された際、これに同期して当該画
素に接続する情報線となるソース線Sl、S2・・・か
らソース電極27に、所定のソース電圧(情報信号電
圧)Vs(基準電位を共通電極42の電位Vcとする)
が印加される。FIG. 5B shows the voltage Vs applied to the information signal line (source line) of the pixel. As shown in FIG. 5A, in each field, the gate electrode 2 is turned on during the selection period Ton.
When a gate voltage is applied to the pixel 2, a predetermined source voltage (information signal voltage) Vs (reference) is applied to the source electrode 27 from the source lines S 1, S 2,. (The potential is the potential Vc of the common electrode 42)
Is applied.
【0067】ここで、1フレームを構成する第一のフィ
ールド(lF)では、当該画素に書込まれる情報、例え
ば用いる液晶に応じた電圧−透過率特性を基に当該画素
で得ようとする光学状態又は表示情報(透過率)に応じ
たレベルVxの正極性のソース電圧(情報信号電圧)
(基準電位を共通電極42の電位Vcとする)が印加さ
れる。この時、TFT94がオン状態であるため、上記
ソース電極27に印加される電圧Vxがドレイン電極2
8を介して画素電極95に印加され、液晶容量(C1c)
31及び保持容量32(Cs)に充電がなされ、画素電
極の電位が情報信号電圧Vxになる。続いて、当該画素
の属するゲート線の非選択期間ToffにおいてTFT
94は高抵抗(オフ状態)となるため、この非選択期間
には、液晶セル(液晶容量C1c)31及び保持容量(C
s)32では選択期間Tonで充電された電荷が蓄積さ
れた状態を維持し、電圧Vxが保持される。そして、当
該画素における液晶層49に第1フィールドlFの期間
を通して電圧Vxが印加され、当該画素の液晶部分では
この電圧値に応じた光学状態(透過光量)が得られる。
このとき液晶の応答速度がゲートオン期間より遅い場
合、液晶セル(液晶容量C1c)31及び保持容量
(Cs)32に充電が完了し、ゲートがオフされた非選
択期間にスイッチングが開始される。このような場合は
自発分極の反転によって充電された電荷が相殺されて、
液晶層に印加される電圧が図5(c)のようにVxより
小さいVx’という値を取る。Here, in the first field (1F) that constitutes one frame, optical information to be obtained by the pixel based on information written in the pixel, for example, voltage-transmittance characteristics according to the liquid crystal used. Source voltage of positive polarity (information signal voltage) of level Vx according to state or display information (transmittance)
(The reference potential is the potential Vc of the common electrode 42). At this time, since the TFT 94 is in the ON state, the voltage Vx applied to the source electrode 27
8, and is applied to the pixel electrode 95 to provide a liquid crystal capacitance (C 1c ).
31 and the storage capacitor 32 (C s ) are charged, and the potential of the pixel electrode becomes the information signal voltage Vx. Subsequently, in the non-selection period Toff of the gate line to which the pixel belongs, the TFT
Since the resistor 94 has a high resistance (OFF state), during this non-selection period, the liquid crystal cell (liquid crystal capacitor C 1c ) 31 and the storage capacitor (C
s ) At 32, the state in which the charge charged during the selection period Ton is accumulated is maintained, and the voltage Vx is held. Then, the voltage Vx is applied to the liquid crystal layer 49 in the pixel throughout the period of the first field IF, and an optical state (light transmission amount) corresponding to the voltage value is obtained in the liquid crystal portion of the pixel.
At this time, if the response speed of the liquid crystal is slower than the gate-on period, the charging of the liquid crystal cell (liquid crystal capacitor C 1c ) 31 and the storage capacitor (C s ) 32 is completed, and switching starts in the non-selection period in which the gate is turned off. . In such a case, the charged charge is offset by the reversal of spontaneous polarization,
The voltage applied to the liquid crystal layer takes a value of Vx ′ smaller than Vx as shown in FIG.
【0068】次に、第二のフィールド(2F)の選択期
間Tonでは、第一のフィールドlFとは極性が逆で実
質的に同様の電圧値Vxを有するソース電圧(−Vx)
がソース電極27に印加される。この時、TFT94が
オン状態であり、画素電極95に電圧−Vxが印加され
て、液晶容量(C1c)31及び保持容量32(Cs)に
充電がなされ、画素電極の電位が情報信号電圧−Vxに
なる。続いて、非選択期間ToffにおいてTFT94
は高抵抗(オフ状態)となるため、この非選択期間に
は、液晶セル(液晶容量C1c)31及び保持容量
(Cs)32では選択期間Tonで充電された電荷が蓄
積された状態を維持し、電圧−Vxが保持される。そし
て、当該画素における液晶層49に第2のフィールド2
F期間を通して電圧−Vxが印加され、当該画素ではこ
の電圧値に応じた光学状態(出射光量)が得られる。こ
のときも同様に液晶の応答速度がゲートオン期間より遅
い場合、液晶セル(液晶容量C1c)31及び保持容量
(Cs)32に充電が完了し、ゲートがオフされた非選
択期間にスイッチングが開始される。このような場合は
自発分極の反転によって充電された電荷が相殺されて、
液晶層に印加される電圧が図5(c)のように−Vxよ
り小さい−Vx’という値を取る。Next, in the selection period Ton of the second field (2F), the source voltage (-Vx) having a polarity opposite to that of the first field IF and having substantially the same voltage value Vx.
Is applied to the source electrode 27. At this time, TFT 94 is ON state, the voltage -Vx is applied to the pixel electrode 95, charged in the liquid crystal capacitance (C 1c) 31 and the storage capacitor 32 (C s) is performed, the potential of the pixel electrode data signal voltage −Vx. Subsequently, in the non-selection period Toff, the TFT 94
Becomes a high resistance (off state), during this non-selection period, the liquid crystal cell (liquid crystal capacitance C 1c ) 31 and the storage capacitance (C s ) 32 change the state in which the charges charged during the selection period Ton are accumulated. And the voltage -Vx is maintained. Then, the second field 2 is added to the liquid crystal layer 49 in the pixel.
The voltage -Vx is applied throughout the F period, and the pixel obtains an optical state (light emission amount) corresponding to the voltage value. At this time, similarly, when the response speed of the liquid crystal is slower than the gate-on period, the charging of the liquid crystal cell (liquid crystal capacitor C 1c ) 31 and the storage capacitor (C s ) 32 is completed, and switching is performed during the non-selection period when the gate is turned off. Be started. In such a case, the charged charge is offset by the reversal of spontaneous polarization,
The voltage applied to the liquid crystal layer takes a value of -Vx 'which is smaller than -Vx as shown in FIG.
【0069】図5(c)は、上述したような当該画素の
液晶容量及び保持容量に実際に保持され液晶層49に印
加される電圧値Vpixを、図5(d)は当該画素での
液晶の実際の光学応答(透過型液晶素子とした場合での
光学応答)を模式的に示す。図5(c)に示すように、
2フィールドlF及び2Fを通じて印加電圧は互いに極
性が反転しただけの同一レベル(絶対値)Vx’であ
る。一方、図5(d)に示すように第一フィールドlF
では、Vx’に応じた階調表示状態(出射光量)が得ら
れ、第二フィールド2Fでは、−Vx’に応じた階調表
示状態が得られるが、実際にはわずか透過光量の変化し
か得られず、透過光量はTxより小さく、0レベルに近
いTyとなる。FIG. 5C shows the voltage value Vpix actually held in the liquid crystal capacitor and the storage capacitor of the pixel as described above and applied to the liquid crystal layer 49, and FIG. The actual optical response (optical response in the case of a transmissive liquid crystal element) is schematically shown. As shown in FIG.
The applied voltage is the same level (absolute value) Vx ′ whose polarity is inverted from each other through the two fields 1F and 2F. On the other hand, as shown in FIG.
In the second field 2F, a gradation display state corresponding to -Vx 'is obtained, but in practice, only a slight change in the amount of transmitted light is obtained. However, the transmitted light amount is smaller than Tx and becomes Ty close to the 0 level.
【0070】上述したようなアクティブマトリクス駆動
では、カイラルスメクチック相を示す液晶を用いた場合
で良好な高速応答性に基づいた階調表示が可能となると
同時に一画素であるレベルの階調表示を、高い透過光量
を得る第一フィールドと低い透過光量を得る第二フィー
ルドに分割して連続的に行うため、時間開口率が50%
以下となり、人間の目の感じる動画高速応答特性も良好
になる。また、第二フィールドにおいては液晶分子の若
干のスイッチング動作により完全に透過光量が0にはな
らないので、フレーム期間全体での人間の目に感じる輝
度は確保される。更に、第一及び第二フィールドで同様
のレベルの電圧が極性反転して液晶層49に印加される
ため、液晶層49に実際に印加される電圧が交流化され
液晶の劣化を防止する。In the active matrix driving as described above, when liquid crystal exhibiting a chiral smectic phase is used, gradation display based on good high-speed response can be performed, and at the same time, gradation display of one pixel level can be performed. Since it is divided into a first field for obtaining a high transmitted light amount and a second field for obtaining a low transmitted light amount and is continuously performed, the time aperture ratio is 50%.
As a result, the high-speed moving image response characteristics perceived by human eyes are also improved. Further, in the second field, the transmitted light amount does not become completely zero due to a slight switching operation of the liquid crystal molecules, so that the luminance perceived by human eyes during the entire frame period is secured. Further, since the voltage of the same level is inverted and applied to the liquid crystal layer 49 in the first and second fields, the voltage actually applied to the liquid crystal layer 49 is converted into an alternating current, thereby preventing the liquid crystal from deteriorating.
【0071】上記のアクティブマトリクス駆動では、2
フィールドからなる1フレーム全体では、TxとTyを
平均した透過光量が得られる。このため、情報信号電圧
Vsについては、実際に当該フレームで当該画素で得よ
うとする画像情報(階調情報)に応じて、所定のレベル
だけ大きな透過光量を得ることのできる電圧値を選択し
て印加することで、第一フィールドlFにおいて、所望
の階調状態より高いレベル透過光量での階調状態を表示
することも好ましい。In the above-described active matrix driving, 2
In one entire frame composed of fields, a transmitted light amount obtained by averaging Tx and Ty is obtained. Therefore, as the information signal voltage Vs, a voltage value capable of obtaining a large amount of transmitted light by a predetermined level is selected according to image information (gradation information) to be actually obtained by the pixel in the frame. It is also preferable to display the gradation state with a higher level of transmitted light than the desired gradation state in the first field IF by applying the voltage.
【0072】なお、ここでは詳細には触れていないが上
記駆動法を応用し、RGB各色光源とを組み合わせるこ
とにより時分割による混色を利用してフルカラー表示さ
せる方法を用いることも可能である。Although not described in detail here, it is also possible to apply a method of performing full color display by utilizing color mixture by time division by combining the above driving method and RGB light sources.
【0073】[0073]
【実施例】以下、本発明を実施例に沿って詳細に説明す
る。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to embodiments.
【0074】実施例1 (液晶組成物の調製)下記液晶性化合物を混合して液晶
組成物LC−1を調製した。構造式に併記した数値は混
合の際の重量比率である。Example 1 (Preparation of liquid crystal composition) A liquid crystal composition LC-1 was prepared by mixing the following liquid crystal compounds. The numerical values described in the structural formula are weight ratios at the time of mixing.
【0075】[0075]
【化5】 Embedded image
【0076】上記液晶組成物LC−1の物性パラメータ
を以下に示す。 相転移温度(℃) Iso.(86.3)Ch(61.2)SmC*(−
7.2)Cry. 自発分極(30℃):Ps=2.9nC/cm2 コーン角(30℃):Θ=23.3°(100Hz,±
12.5V,セルギヤップ=1.4μm) スメクチック層の傾き角δ(30℃) :21.6°
(セルギヤップ=1.4μm) SmC*相でのらせんピッチ(30℃):20μm以上The physical properties of the liquid crystal composition LC-1 are shown below. Phase transition temperature (° C.) Iso. (86.3) Ch (61.2) SmC * (−
7.2) Cry. Spontaneous polarization (30 ° C.): Ps = 2.9 nC / cm 2 Cone angle (30 ° C.): Θ = 23.3 ° (100 Hz, ±)
12.5 V, cell gear gap = 1.4 μm) Inclination angle δ of the smectic layer (30 ° C.): 21.6 °
(Cell gap = 1.4 μm) Spiral pitch in SmC * phase (30 ° C): 20 μm or more
【0077】尚、DSC測定(測定装置:Perkin
Elmer社製「DSC Pyrisl」、測定条
件:100℃で1分間保持した後、5℃/minで−3
0℃まで降温し、その後−30℃で5分間保持した後、
5℃/minで100℃まで昇温して測定)を降温下で
測定を行た結果、SmA相を発現しない液晶素子であつ
た。Incidentally, DSC measurement (measuring device: Perkin
"DSC Pyrisl" manufactured by Elmer, measurement conditions: After holding at 100 ° C for 1 minute, -3 at 5 ° C / min.
After cooling down to 0 ° C and then keeping at -30 ° C for 5 minutes,
The temperature was raised at a rate of 5 ° C./min to 100 ° C.), and the measurement was performed at a lower temperature. As a result, the liquid crystal device did not exhibit an SmA phase.
【0078】〔自発分極Psの測定〕上記自発分極は、
K.ミヤサト他「三角波による強誘電性液晶の自発分極
の直接測定方法」(日本応用物理学会誌、22,10号
(661)1983,“Direct Method
with Triangular Waves for
Measuring Spontaneous Po
larizationin Ferroelectri
c Liquid Crystal”,asdescr
ibed by K.Miyasato et al.
(Jap.J.appl.Phys.22.No.1
0,L661(1983)))によって測定した。[Measurement of spontaneous polarization Ps]
K. Miyasato et al., "Direct Measurement Method of Spontaneous Polarization of Ferroelectric Liquid Crystal by Triangular Wave" (Journal of the Japan Society of Applied Physics, 22, 10, (661) 1983, "Direct Method"
with Triangle Waves for
Measuring Spontaneos Po
laration in Ferroelectric
c Liquid Crystal ", asdescr
ibed by K.I. Miyasato et al.
(Jap. J. appl. Phys. 22. No. 1)
0, L661 (1983))).
【0079】〔コーン角Θの測定〕±12.5〜±50
V、1〜100HzのAC(交流)を液晶素子の上下基
板間に電極を介して印加しながら、直交ニコル下、その
間に配置された液晶素子を偏光板と平行に回転させると
同時に、フォトマル(浜松フォトニクス社製)で光学応
答を検知しながら、第1の消光位(透過率が最も低くな
る位置)及び第2の消光位を求める。そしてこの時の第
1の消光位から第2の消光位までの角度の1/2をコー
ン角Θとする。[Measurement of cone angle Θ] ± 12.5 to ± 50
V, an AC (alternating current) of 1 to 100 Hz is applied between the upper and lower substrates of the liquid crystal element via electrodes, and the liquid crystal element disposed therebetween is rotated in parallel with the polarizing plate under orthogonal Nicols, and at the same time, the photomultiplier is rotated. The first extinction position (the position where the transmittance is lowest) and the second extinction position are obtained while detecting the optical response with (Hamamatsu Photonics). Then, 1/2 of the angle from the first extinction position to the second extinction position at this time is defined as a cone angle Θ.
【0080】〔スメクチック層の傾き角δの測定〕スメ
クチック層の傾き角は、基本的には、クラークやラガー
ウォルによって行われた方法(Japan Displ
ay’86,Sep.30〜Oct.2,1986,4
56〜458)、或いは、大内らの方法(J.J.A.
P.27(5)(1988)725〜728)と同様の
方法により測定した。測定装置は、回転陰極方式X線回
折装置(MACサイセンス社製)を用い、液晶セルのガ
ラス基板へのX線の吸収を低減させるため、基板にはコ
ーニング社製のマイクロシート(80μm)を用いた。[Measurement of Angle of Inclination δ of Smectic Layer] The angle of inclination of the smectic layer is basically determined by a method performed by Clark or Lagerwal (Japan Displ.
ay'86, Sep. 30 to Oct. 2,1986,4
56-458) or the method of Ouchi et al.
P. 27 (5) (1988) 725-728). As a measuring device, a rotating cathode X-ray diffractometer (manufactured by MAC Sysense) was used. In order to reduce the absorption of X-rays to the glass substrate of the liquid crystal cell, a microsheet (80 μm) manufactured by Corning was used for the substrate. Was.
【0081】(液晶セルAの作製)一方の基板として前
に述べた画素構造を有し、ゲート絶縁膜として窒化シリ
コン膜を備えたa−SiTFTを有するアクティブマト
リクス基板と、対向する基板としてRGBのカラーフィ
ルタと厚み70nmの透明電極を有している、厚さ1.
1mmの一対の基板を用意した。画面サイズは3インチ
を用いた。これを日本真空社製、真空蒸着器 EBH6
型を用いて、SiOを真空加熱蒸着した。(真空度13
3.32×10-6Pa(10-6Toor)、蒸着速度1
nm/s)(Production of Liquid Crystal Cell A) An active matrix substrate having an a-Si TFT having the pixel structure described above as one substrate and a silicon nitride film as a gate insulating film, and an RGB substrate as an opposing substrate. 1. having a color filter and a transparent electrode having a thickness of 70 nm;
A pair of 1 mm substrates was prepared. The screen size was 3 inches. This is a vacuum evaporator EBH6 manufactured by Nihon Vacuum Corporation.
Using a mold, SiO was vapor-deposited under vacuum. (Vacuum degree 13
3.32 × 10 −6 Pa (10 −6 Toor), deposition rate 1
nm / s)
【0082】基板の傾け角度(蒸着角度θ、図6参照)
は、0°、20°、30°、60°、80°の5種類を
作成した(SiO膜厚は60nm)。続いて、一方の基
板上にスペーサーとして、平均粒径1.5μmのシリカ
ビーズを散布し、各基板の蒸着方向が互いに反平行(ア
ンチパラレル)となるように対向させ、均一なセルギヤ
ップのセル(アクティブマトリクスパネルA)を得た。Inclination angle of substrate (deposition angle θ, see FIG. 6)
Prepared five types of 0 °, 20 °, 30 °, 60 °, and 80 ° (SiO film thickness is 60 nm). Subsequently, silica beads having an average particle size of 1.5 μm are sprayed as spacers on one of the substrates, and the substrates are opposed to each other so that the deposition directions of the substrates are antiparallel to each other (anti-parallel). An active matrix panel A) was obtained.
【0083】(液晶セルBの作製)一方の基板として前
に述べた画素構造を有し、ゲート絶縁膜として窒化シリ
コン膜を備えたa−SiTFTを有するアクティブマト
リクス基板と、対向する基板としてRGBのカラーフィ
ルタと厚み70nmの透明電極を有している、厚さ1.
1mmの一対の基板を用意した。画面サイズは3インチ
を用いた。該基板の透明電極上に、市販のTFT用配向
膜 SE7992(日産化学社製)をスピンコート法に
より塗布し、その後、80℃,5分間の前乾燥を行なっ
た後、200℃で1時間加熱焼成を施し、膜厚50nm
のポリイミド被膜を得た。(Production of Liquid Crystal Cell B) An active matrix substrate having an a-Si TFT having the pixel structure described above as one substrate and having a silicon nitride film as a gate insulating film, and an RGB substrate as an opposing substrate 1. having a color filter and a transparent electrode having a thickness of 70 nm;
A pair of 1 mm substrates was prepared. The screen size was 3 inches. On the transparent electrode of the substrate, a commercially available alignment film for TFT SE7992 (manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.) was applied by spin coating, followed by pre-drying at 80 ° C. for 5 minutes, and then heating at 200 ° C. for 1 hour. Baking, film thickness 50nm
Was obtained.
【0084】続いて、当該基板上のポリイミド膜に対し
て一軸配向処理としてナイロン布によるラビング処理を
施した。ラビング処理の条件は、径10cmのロールに
ナイロン(NF−77/帝人製)を貼り合わせたラビン
クロールを用い、押し込み量0.3mm、送り速度10
cm/sec、回転数1000rpm、送り回数4回と
した。続いて、一方の基板上にスペーサーとして、平均
粒径1.5μmのシリカビーズを散布し、各基板のラビ
ング処理方向が互いに反平行(アンチパラレル)となる
ように対向させ、均一なセルギヤップのセル(アクティ
ブマトリクスパネルB)を得た。Subsequently, the polyimide film on the substrate was subjected to a rubbing treatment with a nylon cloth as a uniaxial orientation treatment. The conditions for the rubbing treatment were as follows: a rubbing roll in which nylon (NF-77 / manufactured by Teijin) was bonded to a roll having a diameter of 10 cm;
cm / sec, the number of rotations was 1000 rpm, and the number of times of feeding was 4 times. Subsequently, silica beads having an average particle size of 1.5 μm are scattered as spacers on one of the substrates, and the rubbing directions of the substrates are opposed to each other so as to be antiparallel to each other. (Active matrix panel B) was obtained.
【0085】上記のプロセスで作製したパネルA及びB
に液晶組成物LC−1をCh相の温度で注入し、液晶を
カイラルスメクティック液晶相を示す温度まで冷却し、
この冷却の際、Ch−SmC*相転移前後において、−
2Vのオフセット電圧(直流)電圧を印加して冷却を行
う処理を施し、液晶パネルA(斜方蒸着パネル)及び液
晶パネルB(ポリイミド系配向膜パネル)を作製した。
これらの液晶パネルA,Bについて、コントラストおよ
び配向性を観察した。その結果を表1に示す。Panels A and B produced by the above process
The liquid crystal composition LC-1 is injected at a temperature of a Ch phase, and the liquid crystal is cooled to a temperature showing a chiral smectic liquid crystal phase.
During this cooling, before and after the Ch-SmC * phase transition,
A liquid crystal panel A (oblique deposition panel) and a liquid crystal panel B (polyimide-based alignment film panel) were produced by performing a cooling process by applying an offset voltage (DC) voltage of 2 V.
Contrast and orientation of these liquid crystal panels A and B were observed. Table 1 shows the results.
【0086】なお、液晶パネルA及びBのスメクティッ
ク液晶相内液晶分子長軸配向方向と蒸着方向は、液晶パ
ネルAでは2度であり、液晶パネルBでは2度であっ
た。Note that the liquid crystal panel A and the liquid crystal panel in the smectic liquid crystal phase had a liquid crystal molecule long axis alignment direction and a vapor deposition direction of 2 degrees, and the liquid crystal panel B had a 2 degree direction.
【0087】[0087]
【表1】 [Table 1]
【0088】(注1)カラム角度は電子顕微鏡により断
面の写真を撮影し、基板とカラムの角度を測定すること
により求めた。 (注2)コントラストは、フォトマルチメータからの出
力値により求めた。(Note 1) The column angle was determined by taking a photograph of a cross section with an electron microscope and measuring the angle between the substrate and the column. (Note 2) The contrast was obtained from the output value from the photomultimeter.
【0089】表1の結果の通り、斜方蒸着法では、カラ
ム角度70°以下、さらには30°以上でより一軸配向
性が得られた。また、カラム角度70°以下、さらには
30°以上でコントラスト値はラビングによるものより
高い値が得られた。As shown in Table 1, in the oblique deposition method, more uniaxial orientation was obtained at a column angle of 70 ° or less, and further at a column angle of 30 ° or more. When the column angle was 70 ° or less, and more preferably 30 ° or more, a higher contrast value than that obtained by rubbing was obtained.
【0090】[0090]
【発明の効果】以上説明した様に、本発明によれば、斜
方蒸着法を用いて、プロセス的に作成が容易で、且つコ
ントラストの高いカイラルスメクチック液晶素子を得る
ことができる。As described above, according to the present invention, it is possible to obtain a chiral smectic liquid crystal element which is easy to process and has high contrast by using the oblique deposition method.
【図1】本発明の液晶素子の一実施形態を示す概略図で
ある。FIG. 1 is a schematic view showing one embodiment of a liquid crystal element of the present invention.
【図2】本発明の液晶素子を駆動手段を備えた形で一方
の基板の構成を中心に模式的に示した図である。FIG. 2 is a diagram schematically showing a liquid crystal element of the present invention provided with a driving means, with a focus on the structure of one substrate.
【図3】図2に示すようなパネル構成における各画素部
分(1ビット分)の断面構造の一例を示す概略図であ
る。3 is a schematic diagram showing an example of a cross-sectional structure of each pixel portion (for one bit) in the panel configuration shown in FIG.
【図4】パネルの画素部分の等価回路を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing an equivalent circuit of a pixel portion of the panel.
【図5】液晶素子のアクティブマトリクス駆動を示す図
である。FIG. 5 is a diagram illustrating active matrix driving of a liquid crystal element.
【図6】斜方蒸着法の一例を示す概略図である。FIG. 6 is a schematic diagram illustrating an example of an oblique deposition method.
【図7】斜方蒸着で得られたカラムと液晶分子とを示す
概略図である。FIG. 7 is a schematic view showing columns and liquid crystal molecules obtained by oblique deposition.
11 基板 12 カラム 13 液晶分子 14 層 15 蒸着方向 16 層法線方向 20 アクティブマトリクス基板 21 基板 22 ゲート電極 23 絶縁膜(ゲート絶縁膜) 24 a−Si層 25、26 n+ a−Si層 27 ソース電極 28 ドレイン電極 29 チャネル保護膜 30 保持容量電極 31 液晶容量 32 共通電極 40 対向基板 41 ガラス基板 42 共通電極 43a,43b 配向膜 49 液晶層 61 基板 62 膜厚モニタ 63 蒸発源 64 シャッタ 65 排気ポンプ θ 蒸着角度 80 液晶素子 8la、8lb 基板 82a、82b 電極 83a、83b 絶縁膜 84a,84b 配向制御層 85 液晶 86 スペーサー 87a、87b 偏光板 90 パネル部 91 走査信号ドライバ 92 情報信号ドライバ 94 薄膜トランジスタ(TFT) 95 画素電極DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Substrate 12 Column 13 Liquid crystal molecule 14 layer 15 Deposition direction 16 Layer normal direction 20 Active matrix substrate 21 Substrate 22 Gate electrode 23 Insulating film (gate insulating film) 24 a-Si layer 25, 26 n + a-Si layer 27 Source Electrode 28 Drain electrode 29 Channel protective film 30 Storage capacitor electrode 31 Liquid crystal capacitor 32 Common electrode 40 Counter substrate 41 Glass substrate 42 Common electrode 43 a, 43 b Alignment film 49 Liquid crystal layer 61 Substrate 62 Film thickness monitor 63 Evaporation source 64 Shutter 65 Exhaust pump θ Deposition angle 80 Liquid crystal element 8la, 8lb Substrate 82a, 82b Electrode 83a, 83b Insulating film 84a, 84b Alignment control layer 85 Liquid crystal 86 Spacer 87a, 87b Polarizing plate 90 Panel section 91 Scan signal driver 92 Information signal driver 94 Thin film transistor (TF) ) 95 pixel electrode
フロントページの続き (72)発明者 浅尾 恭史 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 礒部 隆一郎 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 棟方 博英 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 Fターム(参考) 2H088 EA12 EA33 FA02 FA29 GA03 GA04 GA17 HA03 HA08 HA12 HA28 JA17 KA12 KA14 MA02 MA13 2H090 HB03X HB03Y HB04Y HB06X HB08Y HC01 HD14 KA14 LA02 LA04 LA15 LA16 MA06 MA10 MB02 MB03 4H027 BA06 BD16 BD18 BD20 BE02 DE01 DE03 DE09 DF01 DJ01Continuing on the front page (72) Inventor Yoji Asao 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Inside Canon Inc. (72) Inventor Ryuichiro Isobe 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Inside Canon Inc. (72) Inventor Hirohide Munakata 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo F-term in Canon Inc. (reference) 2H088 EA12 EA33 FA02 FA29 GA03 GA04 GA17 HA03 HA08 HA12 HA28 JA17 KA12 KA14 MA02 MA13 2H090 HB03X HB03Y HB04Y HBX HB08Y HC01 HD14 KA14 LA02 LA04 LA15 LA16 MA06 MA10 MB02 MB03 4H027 BA06 BD16 BD18 BD20 BE02 DE01 DE03 DE09 DF01 DJ01
Claims (5)
電圧を印加する一対の電極と、該液晶を挟持して対向す
る一対の基板と、該基板の少なくとも一方に偏光板とを
備え、かつ該基板に設けられた配向制御層を斜方蒸着法
により形成し、スメクティック液晶相内液晶分子長軸配
向方向との蒸着方向がほぼ直交しており、蒸着時に形成
されるカラムと基板の角度が70°以下である液晶素子
であって、前記カイラルスメクチック液晶の相転移系列
が、高温側より等方性液体相(ISO.)−コレステリ
ック相(Ch)−カイラルスメクチックC相(Sm
C*)又は等方性液体相(ISO.)−カイラルスメク
チックC相(SmC*)であって、前記基板の少なくと
も一方は各画素に対応する電極に接続したアクティブ素
子を有していることを特徴とするカイラルスメクチック
液晶素子。1. A liquid crystal display comprising: a chiral smectic liquid crystal, a pair of electrodes for applying a voltage to the liquid crystal, a pair of substrates sandwiching the liquid crystal, and a polarizing plate on at least one of the substrates. Is formed by oblique deposition, the deposition direction of the liquid crystal molecules in the smectic liquid crystal phase is substantially orthogonal to the deposition direction, and the angle between the column and the substrate formed during deposition is 70 °. Wherein the phase transition series of the chiral smectic liquid crystal is isotropic liquid phase (ISO.)-Cholesteric phase (Ch) -chiral smectic C phase (Sm)
C * ) or isotropic liquid phase (ISO.)-Chiral smectic C phase (SmC * ), wherein at least one of the substrates has an active element connected to an electrode corresponding to each pixel. Characteristic chiral smectic liquid crystal element.
単安定化された第一の状態を示し、第一の極性の電圧印
加時には該液晶の平均分子軸は印加電圧の大きさに応じ
た角度で該単安定化された位置から一方の側にチルト
し、該第一の極性とは逆極性の第二の極性の電圧印加時
には該液晶の平均分子軸は該単安定化された位置から第
一の極性の電圧を印加したときとは逆側にチルトする液
晶素子であり、前記第一の極性の電圧印加時と第二の極
性の電圧印加時の液晶の平均分子軸の該第一の状態にお
ける単安定化された位置を基準とした最大チルト状態の
チルトの角度をそれぞれβ1 、β2 としたとき、β1 >
β2 である請求項1記載のカイラルスメクチック液晶素
子。2. When no voltage is applied, the average molecular axis of the liquid crystal shows a first state in which the average molecular axis is monostable, and when a voltage of the first polarity is applied, the average molecular axis of the liquid crystal becomes smaller than the magnitude of the applied voltage. The tilt is tilted to one side from the mono-stabilized position at an appropriate angle, and the average molecular axis of the liquid crystal is mono-stabilized when a voltage of a second polarity having a polarity opposite to the first polarity is applied. It is a liquid crystal element that tilts from the position to the opposite side when a voltage of the first polarity is applied, and the average molecular axis of the liquid crystal when the voltage of the first polarity is applied and when the voltage of the second polarity is applied. When the tilt angles of the maximum tilt state based on the mono-stabilized position in the first state are β 1 and β 2 , respectively, β 1 >
chiral smectic liquid crystal device according to claim 1, wherein the beta 2.
電圧印加時の液晶の平均分子軸の該第一の状態における
単安定化された位置を基準とした最大チルト状態のチル
トの角度をそれぞれβ1 、β2 としたとき、β1 >5×
β2 である請求項2記載のカイラルスメクチック液晶素
子。3. A tilt in a maximum tilt state with reference to a mono-stabilized position in the first state of the average molecular axis of the liquid crystal when a voltage of the first polarity is applied and when a voltage of the second polarity is applied. Where β 1 and β 2 respectively, β 1 > 5 ×
3. The chiral smectic liquid crystal device according to claim 2, which is β2.
単安定化された第一の状態を示し、第一の極性の電圧印
加時には該液晶の平均分子軸は印加電圧の大きさに応じ
た角度で該単安定化された位置から一方の側にチルト
し、該第一の極性とは逆極性の第二の極性の電圧印加時
には、該液晶の平均分子軸は該単安定化された位置から
実質的に変化しない液晶素子である請求項1記載のカイ
ラルスメクチック液晶素子。4. When no voltage is applied, the average molecular axis of the liquid crystal shows a first state in which the average molecular axis is monostable, and when a voltage of the first polarity is applied, the average molecular axis of the liquid crystal becomes smaller than the magnitude of the applied voltage. When tilted to one side from the mono-stabilized position at an appropriate angle, and when a voltage of a second polarity having a polarity opposite to the first polarity is applied, the average molecular axis of the liquid crystal is mono-stabilized. 2. The chiral smectic liquid crystal device according to claim 1, wherein the liquid crystal device does not substantially change from the position where it is placed.
状態でのらせんピッチはセル厚の2倍より長い請求項1
乃至4のいずれかの項に記載のカイラルスメクチック液
晶素子。5. The helical pitch of the chiral smectic liquid crystal in a bulk state is longer than twice the cell thickness.
5. The chiral smectic liquid crystal device according to any one of items 4 to 4.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001152360A JP2002049060A (en) | 2000-05-22 | 2001-05-22 | Chiral smectic liquid crystal element |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000150375 | 2000-05-22 | ||
JP2000-150375 | 2000-05-22 | ||
JP2001152360A JP2002049060A (en) | 2000-05-22 | 2001-05-22 | Chiral smectic liquid crystal element |
Publications (1)
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---|---|
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012123308A (en) * | 2010-12-10 | 2012-06-28 | Asahi Glass Co Ltd | Projection type display device |
-
2001
- 2001-05-22 JP JP2001152360A patent/JP2002049060A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2012123308A (en) * | 2010-12-10 | 2012-06-28 | Asahi Glass Co Ltd | Projection type display device |
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