JP2003179430A - 発振器用集積回路 - Google Patents
発振器用集積回路Info
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- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 27
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 24
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 24
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 24
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/02—Details
- H03B5/04—Modifications of generator to compensate for variations in physical values, e.g. power supply, load, temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1206—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification
- H03B5/1212—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification the amplifier comprising a pair of transistors, wherein an output terminal of each being connected to an input terminal of the other, e.g. a cross coupled pair
- H03B5/1215—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification the amplifier comprising a pair of transistors, wherein an output terminal of each being connected to an input terminal of the other, e.g. a cross coupled pair the current source or degeneration circuit being in common to both transistors of the pair, e.g. a cross-coupled long-tailed pair
-
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- H03B5/1231—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising one or more bipolar transistors
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- H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
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- H03B5/1243—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance the means comprising voltage variable capacitance diodes
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 静電破壊防止用のダイオードによって狭くな
った発振周波数の可変範囲を広げる。 【解決手段】 内部に構成された発振トランジスタ１
４、１５と、発振トランジスタ１４、１５のベースに結
合され、外部に設けられる共振回路４１が接続される端
子１０ａとを備え、端子１０ａとグランドとの間に介挿
され、発振トランジスタ１４、１５の静電破壊を防止す
るための２個のダイオード４５、４６を内部に構成し、
２個のダイオード４５、４６のカソードを互いに接続
し、一方のダイオード４５のアノードを接地すると共に
カソードに電圧を印加し、他方のダイオード４６を第一
の抵抗４７を介して端子１０ａに接続し、端子１０ａを
直流的に接地するための第二の抵抗４８を内部に構成し
た。
った発振周波数の可変範囲を広げる。 【解決手段】 内部に構成された発振トランジスタ１
４、１５と、発振トランジスタ１４、１５のベースに結
合され、外部に設けられる共振回路４１が接続される端
子１０ａとを備え、端子１０ａとグランドとの間に介挿
され、発振トランジスタ１４、１５の静電破壊を防止す
るための２個のダイオード４５、４６を内部に構成し、
２個のダイオード４５、４６のカソードを互いに接続
し、一方のダイオード４５のアノードを接地すると共に
カソードに電圧を印加し、他方のダイオード４６を第一
の抵抗４７を介して端子１０ａに接続し、端子１０ａを
直流的に接地するための第二の抵抗４８を内部に構成し
た。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、特にテレビジョ
ンチューナの局部発振器を構成するのに好適な発振器用
集積回路に関する。
ンチューナの局部発振器を構成するのに好適な発振器用
集積回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】テレビジョンチューナに使用される従来
の発振器用集積回路（以下、単に集積回路という）を図
３によって説明する。先ず、集積回路６０内にはエミッ
タ同士が互いに接続された一対の発振トランジスタ６
１、６２と、定電流源６３とが構成されている。そし
て、第一の発振トランジスタ６１及び第二の発振トラン
ジスタ６２の各エミッタは定電流源６３に接続される。
また、各発振トランジスタ６１、６２のコレクタにはそ
れぞれ給電用の抵抗を介して電圧が印加される。また、
集積回路６０内には第一乃至第四の結合コンデンサ６４
乃至６７が構成される。
の発振器用集積回路（以下、単に集積回路という）を図
３によって説明する。先ず、集積回路６０内にはエミッ
タ同士が互いに接続された一対の発振トランジスタ６
１、６２と、定電流源６３とが構成されている。そし
て、第一の発振トランジスタ６１及び第二の発振トラン
ジスタ６２の各エミッタは定電流源６３に接続される。
また、各発振トランジスタ６１、６２のコレクタにはそ
れぞれ給電用の抵抗を介して電圧が印加される。また、
集積回路６０内には第一乃至第四の結合コンデンサ６４
乃至６７が構成される。
【０００３】集積回路１には第一の端子６０ａと第二の
端子６０ｂとが設けられ、第一の端子６０ａには第一の
結合コンデンサ６４を介して第一の発振トランジスタ６
１のベースが結合されると共に、第二の結合コンデンサ
６５を介して第二の発振トランジスタ６２のコレクタが
結合される。また、第二の端子６０ｂには第三の結合コ
ンデンサ６６を介して第一の発振トランジスタ６１のコ
レクタが結合されると共に、第四の結合コンデンサ６７
を介して第二の発振トランジスタ６２のベースが結合さ
れる。また、集積回路６０内には第一の端子６０ａにカ
ソードが接続され、アノードが接地されたダイオード６
８と、第二の端子６０ｂにカソードが接続され、アノー
ドが接地されたダイオード６９とが構成される。
端子６０ｂとが設けられ、第一の端子６０ａには第一の
結合コンデンサ６４を介して第一の発振トランジスタ６
１のベースが結合されると共に、第二の結合コンデンサ
６５を介して第二の発振トランジスタ６２のコレクタが
結合される。また、第二の端子６０ｂには第三の結合コ
ンデンサ６６を介して第一の発振トランジスタ６１のコ
レクタが結合されると共に、第四の結合コンデンサ６７
を介して第二の発振トランジスタ６２のベースが結合さ
れる。また、集積回路６０内には第一の端子６０ａにカ
ソードが接続され、アノードが接地されたダイオード６
８と、第二の端子６０ｂにカソードが接続され、アノー
ドが接地されたダイオード６９とが構成される。
【０００４】また、集積回路６０内にはエミッタ同士が
互いに接続された一対の発振トランジスタ７１、７２
と、定電流源７３とが構成されている。そして、第三及
び第四の発振トランジスタ７１、７２のエミッタは定電
流源７３に接続される。また、各発振トランジスタ７
１、７２のコレクタにはそれぞれ給電用の抵抗を介して
電圧が印加される。さらに、集積回路６０内には第三の
発振トランジスタ７１のベースに接続された第五の結合
コンデンサ７４と第四の発振トランジスタ７２のコレク
タに接続された第六の結合コンデンサ７５とが構成され
ると共に、第四の発振トランジスタ７２のベースを接地
するコンデンサ７６が構成される。
互いに接続された一対の発振トランジスタ７１、７２
と、定電流源７３とが構成されている。そして、第三及
び第四の発振トランジスタ７１、７２のエミッタは定電
流源７３に接続される。また、各発振トランジスタ７
１、７２のコレクタにはそれぞれ給電用の抵抗を介して
電圧が印加される。さらに、集積回路６０内には第三の
発振トランジスタ７１のベースに接続された第五の結合
コンデンサ７４と第四の発振トランジスタ７２のコレク
タに接続された第六の結合コンデンサ７５とが構成され
ると共に、第四の発振トランジスタ７２のベースを接地
するコンデンサ７６が構成される。
【０００５】そして、集積回路６０には第三の端子６０
ｃが設けられ、第三の端子１０ｃと第三の発振トランジ
スタ７４のベースとの間に第五の結合コンデンサ７４が
接続され、第三の端子１０ｃと第四の発振トランジスタ
７５のコレクタとの間に第六の結合コンデンサ７５が接
続される。また、第三の端子６０ｃにカソードが接続さ
れアノードが接地されたダイオード７７が集積回路６０
内に構成される。
ｃが設けられ、第三の端子１０ｃと第三の発振トランジ
スタ７４のベースとの間に第五の結合コンデンサ７４が
接続され、第三の端子１０ｃと第四の発振トランジスタ
７５のコレクタとの間に第六の結合コンデンサ７５が接
続される。また、第三の端子６０ｃにカソードが接続さ
れアノードが接地されたダイオード７７が集積回路６０
内に構成される。
【０００６】上記の三個のダイオード６８、６９、７７
は、外部から各端子６０ａ、６０ｂ、６０ｃに誘導され
る静電気によって発振トランジスタ６１、６２、７１が
破壊されるのを防止する保護ダイオードとして機能す
る。
は、外部から各端子６０ａ、６０ｂ、６０ｃに誘導され
る静電気によって発振トランジスタ６１、６２、７１が
破壊されるのを防止する保護ダイオードとして機能す
る。
【０００７】以上の構成によって、第一の端子６０ａと
第二の端子６０ｂとの間に共振回路を接続すれば、第一
及び第二の発振トランジスタ６１、６２と共に平衡型の
発振器が構成され、また、第三の端子６０ｃに別の共振
回路の一端を接続し他端を接地すれば、第三及び第四の
発振トランジスタ７１、７２と共に不平衡型の発振器が
構成される。
第二の端子６０ｂとの間に共振回路を接続すれば、第一
及び第二の発振トランジスタ６１、６２と共に平衡型の
発振器が構成され、また、第三の端子６０ｃに別の共振
回路の一端を接続し他端を接地すれば、第三及び第四の
発振トランジスタ７１、７２と共に不平衡型の発振器が
構成される。
【０００８】集積回路６０の外部には第一の共振回路８
１と第二の共振回路８２とが設けられる。第一の共振回
路８１はインダクタンス素子８１ａとバラクタダイオー
ド８１ｂとからなる並列共振回路で構成され、第一の端
子６０ａと第二の端子６０ｂとの間に接続される。そし
て、バラクタダイオード８１ｂのアノードは抵抗８１ｃ
によって直流的に接地され、カソードには同調電圧Ｖｔ
が印加される。この発振回路はＶＨＦ帯のハイバンドの
テレビジョン信号を受信するための局部発振器として使
用される。
１と第二の共振回路８２とが設けられる。第一の共振回
路８１はインダクタンス素子８１ａとバラクタダイオー
ド８１ｂとからなる並列共振回路で構成され、第一の端
子６０ａと第二の端子６０ｂとの間に接続される。そし
て、バラクタダイオード８１ｂのアノードは抵抗８１ｃ
によって直流的に接地され、カソードには同調電圧Ｖｔ
が印加される。この発振回路はＶＨＦ帯のハイバンドの
テレビジョン信号を受信するための局部発振器として使
用される。
【０００９】また、第二の共振回路８２はインダクタン
ス素子８２ａとバラクタダイオード８２ｂとからなる並
列共振回路で構成され、その一端が第三の端子６０ｃに
接続され、他端は接地される。そして、バラクタダイオ
ード８２ｂのアノードはインダクタンス素子８１ａによ
って直流的に接地され、カソードには同調電圧Ｖｔが印
加される。この発振器はローバンドのテレビジョン信号
を受信するための局部発振器として使用される。
ス素子８２ａとバラクタダイオード８２ｂとからなる並
列共振回路で構成され、その一端が第三の端子６０ｃに
接続され、他端は接地される。そして、バラクタダイオ
ード８２ｂのアノードはインダクタンス素子８１ａによ
って直流的に接地され、カソードには同調電圧Ｖｔが印
加される。この発振器はローバンドのテレビジョン信号
を受信するための局部発振器として使用される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】発振トランジスタの静
電破壊を防止するダイオードは等価的な容量成分（１ｐ
Ｆ（ピコファラッド）程度）を持ち、これが共振回路に
並列に接続される形となるので、共振回路のバラクタダ
イオードに印加する同調電圧によって発振周波数を変え
る場合に、バラクタダイオードを最小容量値にしてもダ
イオードの容量成分が残留するので、これによって発振
周波数の可変範囲が狭められるという問題があった。
電破壊を防止するダイオードは等価的な容量成分（１ｐ
Ｆ（ピコファラッド）程度）を持ち、これが共振回路に
並列に接続される形となるので、共振回路のバラクタダ
イオードに印加する同調電圧によって発振周波数を変え
る場合に、バラクタダイオードを最小容量値にしてもダ
イオードの容量成分が残留するので、これによって発振
周波数の可変範囲が狭められるという問題があった。
【００１１】そこで、本発明では静電破壊防止用のダイ
オードによって狭くなった発振周波数の可変範囲を広げ
ることを目的とする。
オードによって狭くなった発振周波数の可変範囲を広げ
ることを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明では、内部に構成された発振トランジスタ
と、前記発振トランジスタのベースに結合され、外部に
設けられる共振回路が接続される端子とを備え、前記端
子とグランドとの間に介挿され、前記発振トランジスタ
の静電破壊を防止するためのダイオードを内部に構成
し、前記ダイオードに逆バイアス電圧を印加した。
め、本発明では、内部に構成された発振トランジスタ
と、前記発振トランジスタのベースに結合され、外部に
設けられる共振回路が接続される端子とを備え、前記端
子とグランドとの間に介挿され、前記発振トランジスタ
の静電破壊を防止するためのダイオードを内部に構成
し、前記ダイオードに逆バイアス電圧を印加した。
【００１３】また、逆バイアスされた前記ダイオードを
２個直列に接続した。
２個直列に接続した。
【００１４】また、前記２個のダイオードに直列に第一
の抵抗を介挿した。
の抵抗を介挿した。
【００１５】また、前記第一の抵抗の抵抗値を５０乃至
２００オームとした。
２００オームとした。
【００１６】また、前記２個のダイオードのカソードを
互いに接続し、一方のダイオードのアノードを接地する
と共にカソードに電圧を印加し、他方のダイオードを前
記第一の抵抗を介して前記端子に接続し、前記端子を直
流的に接地するための第二の抵抗を内部に構成した。
互いに接続し、一方のダイオードのアノードを接地する
と共にカソードに電圧を印加し、他方のダイオードを前
記第一の抵抗を介して前記端子に接続し、前記端子を直
流的に接地するための第二の抵抗を内部に構成した。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明の発振器用集積回路（以
下、単に集積回路という）を図１によって説明する。集
積回路１０内にはエミッタ同士が互いに接続された一対
の発振トランジスタ１１、１２と、定電流源１３とが構
成されている。そして、第一の発振トランジスタ１１及
び第二の発振トランジスタ１２の各エミッタは定電流源
１３に接続される。また、各発振トランジスタ１１、１
２のコレクタにはそれぞれ給電用の抵抗を介して電圧が
印加される。また、集積回路１０内には第一乃至第四の
結合コンデンサ１４乃至１７が構成される。
下、単に集積回路という）を図１によって説明する。集
積回路１０内にはエミッタ同士が互いに接続された一対
の発振トランジスタ１１、１２と、定電流源１３とが構
成されている。そして、第一の発振トランジスタ１１及
び第二の発振トランジスタ１２の各エミッタは定電流源
１３に接続される。また、各発振トランジスタ１１、１
２のコレクタにはそれぞれ給電用の抵抗を介して電圧が
印加される。また、集積回路１０内には第一乃至第四の
結合コンデンサ１４乃至１７が構成される。
【００１８】集積回路１０には第一の端子１０ａと第二
の端子１０ｂとが設けられ、第一の端子１０ａには第一
の結合コンデンサ１４を介して第一の発振トランジスタ
１１のベースが結合されると共に、第二の結合コンデン
サ１５を介して第二の発振トランジスタ１２のコレクタ
が結合される。また、第二の端子１０ｂには第三の結合
コンデンサ１６を介して第一の発振トランジスタ１１の
コレクタが結合されると共に、第四の結合コンデンサ１
７を介して第二の発振トランジスタ１２のベースが結合
される。また、集積回路１０内には第一の端子１０ａに
カソードが接続され、アノードが接地されたダイオード
１８と、第二の端子１０ｂにカソードが接続され、アノ
ードが接地されたダイオード１９とが構成される。
の端子１０ｂとが設けられ、第一の端子１０ａには第一
の結合コンデンサ１４を介して第一の発振トランジスタ
１１のベースが結合されると共に、第二の結合コンデン
サ１５を介して第二の発振トランジスタ１２のコレクタ
が結合される。また、第二の端子１０ｂには第三の結合
コンデンサ１６を介して第一の発振トランジスタ１１の
コレクタが結合されると共に、第四の結合コンデンサ１
７を介して第二の発振トランジスタ１２のベースが結合
される。また、集積回路１０内には第一の端子１０ａに
カソードが接続され、アノードが接地されたダイオード
１８と、第二の端子１０ｂにカソードが接続され、アノ
ードが接地されたダイオード１９とが構成される。
【００１９】ダイオード１８のカソードには抵抗２１を
介して５ボルトの電源から電圧が印加され、此によって
逆バイアスされている。同様に、ダイオード１９のカソ
ードにも抵抗２２を介して電源から電圧が印加され、こ
れによって逆バイアスされる。
介して５ボルトの電源から電圧が印加され、此によって
逆バイアスされている。同様に、ダイオード１９のカソ
ードにも抵抗２２を介して電源から電圧が印加され、こ
れによって逆バイアスされる。
【００２０】また、集積回路１０内にはエミッタ同士が
互いに接続された一対の発振トランジスタ３１、３２
と、定電流源３３とが構成されている。そして、第三及
び第四の発振トランジスタ３１、３２のエミッタは定電
流源３３に接続される。また、各発振トランジスタ３
１、３２のコレクタにはそれぞれ給電用の抵抗を介して
電圧が印加される。さらに、集積回路１０内には第三の
発振トランジスタ３１のベースに接続された第五の結合
コンデンサ３４と第四の発振トランジスタ３２のコレク
タに接続された第六の結合コンデンサ３５とが構成され
ると共に、第四の発振トランジスタ３２のベースを接地
するコンデンサ３６が構成される。
互いに接続された一対の発振トランジスタ３１、３２
と、定電流源３３とが構成されている。そして、第三及
び第四の発振トランジスタ３１、３２のエミッタは定電
流源３３に接続される。また、各発振トランジスタ３
１、３２のコレクタにはそれぞれ給電用の抵抗を介して
電圧が印加される。さらに、集積回路１０内には第三の
発振トランジスタ３１のベースに接続された第五の結合
コンデンサ３４と第四の発振トランジスタ３２のコレク
タに接続された第六の結合コンデンサ３５とが構成され
ると共に、第四の発振トランジスタ３２のベースを接地
するコンデンサ３６が構成される。
【００２１】そして、集積回路１０には第三の端子１０
ｃが設けられ、第三の端子１０ｃと第三の発振トランジ
スタ３１のベースとの間に第五の結合コンデンサ３４が
接続され、同様に、第三の端子１０ｃと第四の発振トラ
ンジスタ３２のコレクタとの間に第六の結合コンデンサ
３５が接続される。また、第三の端子１０ｃにカソード
が接続されアノードが接地されたダイオード３７が集積
回路１０内に構成され、ダイオード３７のカソードには
抵抗３８を介して電源から電圧が印加される。此によっ
てダイオード３７は逆バイアスされる。
ｃが設けられ、第三の端子１０ｃと第三の発振トランジ
スタ３１のベースとの間に第五の結合コンデンサ３４が
接続され、同様に、第三の端子１０ｃと第四の発振トラ
ンジスタ３２のコレクタとの間に第六の結合コンデンサ
３５が接続される。また、第三の端子１０ｃにカソード
が接続されアノードが接地されたダイオード３７が集積
回路１０内に構成され、ダイオード３７のカソードには
抵抗３８を介して電源から電圧が印加される。此によっ
てダイオード３７は逆バイアスされる。
【００２２】上記の三個のダイオード１８、１９、３７
は、外部から各端子１０ａ、１０ｂ、１０ｃに誘導され
る静電気によって発振トランジスタ１１、１２、２１が
破壊されるのを防止する保護ダイオードとして機能す
る。
は、外部から各端子１０ａ、１０ｂ、１０ｃに誘導され
る静電気によって発振トランジスタ１１、１２、２１が
破壊されるのを防止する保護ダイオードとして機能す
る。
【００２３】以上の構成によって、第一の端子１０ａと
第二の端子１０ｂとの間に共振回路を接続すれば、第一
及び第二の発振トランジスタ１１、１２と共に平衡型の
発振器が構成され、また、第三の端子１０ｃに別の共振
回路の一端を接続し他端を接地すれば、第三及び第四の
発振トランジスタ２１、２２と共に不平衡型の発振器が
構成される。
第二の端子１０ｂとの間に共振回路を接続すれば、第一
及び第二の発振トランジスタ１１、１２と共に平衡型の
発振器が構成され、また、第三の端子１０ｃに別の共振
回路の一端を接続し他端を接地すれば、第三及び第四の
発振トランジスタ２１、２２と共に不平衡型の発振器が
構成される。
【００２４】集積回路１０の外部には第一の共振回路４
１と第二の共振回路４２とが設けられる。第一の共振回
路４１はインダクタンス素子４１ａとバラクタダイオー
ド４１ｂとからなる並列共振回路で構成され、第一の端
子１０ａと第二の端子１０ｂとの間に接続される。そし
て、バラクタダイオード４１ｃのアノードは抵抗４１ｃ
によって直流的に接地され、カソードには同調電圧Ｖｔ
が印加される。この発振器はＶＨＦ帯のハイバンドのテ
レビジョン信号を受信するための局部発振器として使用
される。
１と第二の共振回路４２とが設けられる。第一の共振回
路４１はインダクタンス素子４１ａとバラクタダイオー
ド４１ｂとからなる並列共振回路で構成され、第一の端
子１０ａと第二の端子１０ｂとの間に接続される。そし
て、バラクタダイオード４１ｃのアノードは抵抗４１ｃ
によって直流的に接地され、カソードには同調電圧Ｖｔ
が印加される。この発振器はＶＨＦ帯のハイバンドのテ
レビジョン信号を受信するための局部発振器として使用
される。
【００２５】また、第二の共振回路４２はインダクタン
ス素子４２ａとバラクタダイオード４２ｂとからなる並
列共振回路で構成され、その一端が第三の端子１０ｃに
接続され、他端は接地される。そして、バラクタダイオ
ード４２ｂのアノードはインダクタンス素子４１ａによ
って直流的に接地され、カソードには同調電圧Ｖｔが印
加される。この発振器はローバンドのテレビジョン信号
を受信するための局部発振器として使用される。
ス素子４２ａとバラクタダイオード４２ｂとからなる並
列共振回路で構成され、その一端が第三の端子１０ｃに
接続され、他端は接地される。そして、バラクタダイオ
ード４２ｂのアノードはインダクタンス素子４１ａによ
って直流的に接地され、カソードには同調電圧Ｖｔが印
加される。この発振器はローバンドのテレビジョン信号
を受信するための局部発振器として使用される。
【００２６】以上の構成において、各ダイオード１８、
１９、３７には５ボルトの逆バイアス電圧が印加されて
いるので、その等価的な容量値はほぼ０．７ｐＦと小さ
くなる。従ってダイオード１８、１９、２０による残留
容量が少なくなり、従来よりも発振周波数の可変範囲が
広くなる。
１９、３７には５ボルトの逆バイアス電圧が印加されて
いるので、その等価的な容量値はほぼ０．７ｐＦと小さ
くなる。従ってダイオード１８、１９、２０による残留
容量が少なくなり、従来よりも発振周波数の可変範囲が
広くなる。
【００２７】図２は静電破壊防止用のダイオードを各端
子１０ａ、１０ｂ、１０ｃ毎に２個設けた構成を示す。
すなわち、第一の端子１０ａとグランドとの間には直列
接続された二つのダイオード４５、４６が接続される
が、一方のダイオード４５のアノードは接地され、その
カソードと他方のダイオード４６のカソードが互いに接
続され、ダイオード４６のアノードは第一の抵抗（抵抗
値は５０オーム乃至２００オーム）４７によって第一の
端子１０ａに接続される。また、第一の端子１０ａは第
二の抵抗４８によって直流的に接地される。そして、各
カソードには抵抗２０から電圧が印加される。
子１０ａ、１０ｂ、１０ｃ毎に２個設けた構成を示す。
すなわち、第一の端子１０ａとグランドとの間には直列
接続された二つのダイオード４５、４６が接続される
が、一方のダイオード４５のアノードは接地され、その
カソードと他方のダイオード４６のカソードが互いに接
続され、ダイオード４６のアノードは第一の抵抗（抵抗
値は５０オーム乃至２００オーム）４７によって第一の
端子１０ａに接続される。また、第一の端子１０ａは第
二の抵抗４８によって直流的に接地される。そして、各
カソードには抵抗２０から電圧が印加される。
【００２８】同様に、第二の端子１０ｂとグランドとの
間には直列接続された二つのダイオード４９、５０が接
続されるが、一方のダイオード４９のアノードは接地さ
れ、そのカソードと他方のダイオード５０のカソードが
互いに接続され、他方のダイオード５０のアノードは第
一の抵抗（抵抗値は５０オーム乃至２００オーム）５１
によって第二の端子１０ｂに接続される。また、第二の
端子１０ｂは第二の抵抗５２によって直流的に接地され
る。そして、各カソードには抵抗２１から電圧が印加さ
れる。
間には直列接続された二つのダイオード４９、５０が接
続されるが、一方のダイオード４９のアノードは接地さ
れ、そのカソードと他方のダイオード５０のカソードが
互いに接続され、他方のダイオード５０のアノードは第
一の抵抗（抵抗値は５０オーム乃至２００オーム）５１
によって第二の端子１０ｂに接続される。また、第二の
端子１０ｂは第二の抵抗５２によって直流的に接地され
る。そして、各カソードには抵抗２１から電圧が印加さ
れる。
【００２９】さらに、第三の端子１０ｃとグランドとの
間には直列接続された二つのダイオード５３、５４が接
続されるが、一方のダイオード５３のアノードは接地さ
れ、そのカソードと他方のダイオード５４のカソードが
互いに接続され、他方のダイオード５４のアノードは第
一の抵抗（抵抗値は５０オーム乃至２００オーム）５５
によって第三の端子１０ｃに接続される。また、第三の
端子１０ｃは第二の抵抗５６によって直流的に接地され
る。そして、各カソードには抵抗３８から電圧が印加さ
れる。
間には直列接続された二つのダイオード５３、５４が接
続されるが、一方のダイオード５３のアノードは接地さ
れ、そのカソードと他方のダイオード５４のカソードが
互いに接続され、他方のダイオード５４のアノードは第
一の抵抗（抵抗値は５０オーム乃至２００オーム）５５
によって第三の端子１０ｃに接続される。また、第三の
端子１０ｃは第二の抵抗５６によって直流的に接地され
る。そして、各カソードには抵抗３８から電圧が印加さ
れる。
【００３０】以上の構成において、第一の共振回路４１
のバラクタダイオード４１ｂのアノードを直接第一の端
子１０ａに接続すれば、アノードは第二の抵抗４８によ
って接地される。また、第二の共振回路４２のバラクタ
ダイオード４２ｂを直接第三の端子１０ｃに接続すれ
ば、アノードを第二の抵抗５６によって接地できる。
のバラクタダイオード４１ｂのアノードを直接第一の端
子１０ａに接続すれば、アノードは第二の抵抗４８によ
って接地される。また、第二の共振回路４２のバラクタ
ダイオード４２ｂを直接第三の端子１０ｃに接続すれ
ば、アノードを第二の抵抗５６によって接地できる。
【００３１】各端子とグランドとの間には逆バイアスさ
れた二つのダイオードが直列に介挿されるので、トータ
ルの等価的な残留容量値は１／２となり、発振周波数の
可変範囲を更に広げることができる。また、第一の抵抗
が二つのダイオードに対して直列に介挿されるので、第
一の抵抗と二つのダイオードとの直列回路を並列回路に
変換した場合の、共振回路に並列に付加される等価容量
値は更に小さくなる。さらに、第二の抵抗が各端子を直
流的に接地するので、カソードに印加した電圧によって
二つのダイオードを逆バイアスすることが可能であると
ともに、外部に設けた共振回路のバラクタダイオードの
アノードを第二の抵抗によって接地することも出来る。
れた二つのダイオードが直列に介挿されるので、トータ
ルの等価的な残留容量値は１／２となり、発振周波数の
可変範囲を更に広げることができる。また、第一の抵抗
が二つのダイオードに対して直列に介挿されるので、第
一の抵抗と二つのダイオードとの直列回路を並列回路に
変換した場合の、共振回路に並列に付加される等価容量
値は更に小さくなる。さらに、第二の抵抗が各端子を直
流的に接地するので、カソードに印加した電圧によって
二つのダイオードを逆バイアスすることが可能であると
ともに、外部に設けた共振回路のバラクタダイオードの
アノードを第二の抵抗によって接地することも出来る。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、内部に
構成された発振トランジスタと、発振トランジスタのベ
ースに結合され、外部に設けられる共振回路が接続され
る端子とを備え、端子とグランドとの間に介挿され、発
振トランジスタの静電破壊を防止するためのダイオード
を内部に構成し、ダイオードに逆バイアス電圧を印加し
たので、ダイオードの等価的な容量値が小さくなって発
振周波数の可変範囲が広くなる。
構成された発振トランジスタと、発振トランジスタのベ
ースに結合され、外部に設けられる共振回路が接続され
る端子とを備え、端子とグランドとの間に介挿され、発
振トランジスタの静電破壊を防止するためのダイオード
を内部に構成し、ダイオードに逆バイアス電圧を印加し
たので、ダイオードの等価的な容量値が小さくなって発
振周波数の可変範囲が広くなる。
【００３３】また、逆バイアスされたダイオードを２個
直列に接続したので、等価的な容量値は一層小さくな
る。
直列に接続したので、等価的な容量値は一層小さくな
る。
【００３４】また、２個のダイオードに直列に第一の抵
抗を介挿したので、並列回路に変換した場合の等価的な
容量値が更に小さくなる。
抗を介挿したので、並列回路に変換した場合の等価的な
容量値が更に小さくなる。
【００３５】また、第一の抵抗の抵抗値を５０乃至２０
０オームとしたので、静電破壊の防止の効果を維持した
まま等価的な容量値を少なくすることが出来る。
０オームとしたので、静電破壊の防止の効果を維持した
まま等価的な容量値を少なくすることが出来る。
【００３６】また、２個のダイオードのカソードを互い
に接続し、一方のダイオードのアノードを接地すると共
にカソードに電圧を印加し、他方のダイオードを第一の
抵抗を介して端子に接続し、端子を直流的に接地するた
めの第二の抵抗を内部に構成したので、二つのダイオー
ドを簡単に逆バイアスすることができる。さらに、外部
に設けた共振回路のバラクタダイオードのアノードを端
子に直接接続することで第二の抵抗によって直流的に接
地できる。従って、使用する部品を少なくすることがで
きる。
に接続し、一方のダイオードのアノードを接地すると共
にカソードに電圧を印加し、他方のダイオードを第一の
抵抗を介して端子に接続し、端子を直流的に接地するた
めの第二の抵抗を内部に構成したので、二つのダイオー
ドを簡単に逆バイアスすることができる。さらに、外部
に設けた共振回路のバラクタダイオードのアノードを端
子に直接接続することで第二の抵抗によって直流的に接
地できる。従って、使用する部品を少なくすることがで
きる。
【図１】本発明の発振器用集積回路の構成を示す回路図
である。
である。
【図２】本発明の発振器用集積回路の他の構成を示す回
路図である。
路図である。
【図３】従来の発振器用集積回路の構成を示す回路図で
ある。
ある。
１０ 集積回路
１０ａ 第一の端子
１０ｂ 第二の端子
１０ｃ 第三の端子
１１ 第一の発振トランジスタ
１２ 第二の発振トランジスタ
１３ 定電流源
１４ 第一の結合コンデンサ
１５ 第二の結合コンデンサ
１６ 第三の結合コンデンサ
１７ 第四の結合コンデンサ
１８、１９ ダイオード
２０、２１ 抵抗
３１ 第三の発振トランジスタ
３２ 第四の発振トランジスタ
３３ 定電流源
３４ 第五の結合コンデンサ
３５ 第六の結合コンデンサ
３６ 接地コンデンサ
３７ ダイオード
３８ 抵抗
４１ 第一の共振回路
４１ａ インダクタンス素子
４１ｂ バラクタダイオード
４２ 第二の共振回路
４２ａ インダクタンス素子
４２ｂ バラクタダイオード
４５、４６ ダイオード
４７、５１、５５ 第一の抵抗
４８、５２、５６ 第二の抵抗
Claims (5)
- 【請求項１】 内部に構成された発振トランジスタと、
前記発振トランジスタのベースに結合され、外部に設け
られる共振回路が接続される端子とを備え、前記端子と
グランドとの間に介挿され、前記発振トランジスタの静
電破壊を防止するためのダイオードを内部に構成し、前
記ダイオードに逆バイアス電圧を印加したことを特徴と
する発振器用集積回路。 - 【請求項２】 逆バイアスされた前記ダイオードを２個
直列に接続したことを特徴とする請求項１に記載の発振
器用集積回路。 - 【請求項３】 前記２個のダイオードに直列に第一の抵
抗を介挿したことを特徴とする請求項２に記載の発振器
用集積回路。 - 【請求項４】 前記第一の抵抗の抵抗値を５０乃至２０
０オームとしたことを特徴とする請求項３に記載の発振
器用集積回路。 - 【請求項５】 前記２個のダイオードのカソードを互い
に接続し、一方のダイオードのアノードを接地すると共
にカソードに電圧を印加し、他方のダイオードを前記第
一の抵抗を介して前記端子に接続し、前記端子を直流的
に接地するための第二の抵抗を内部に構成したことを特
徴とする請求項４に記載の発振器用集積回路。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001376597A JP3930307B2 (ja) | 2001-12-11 | 2001-12-11 | 発振器用集積回路 |
| US10/309,494 US6873217B2 (en) | 2001-12-11 | 2002-12-04 | IC for oscillator having electrostatic breakdown preventive diodes |
| EP02258424A EP1320188B1 (en) | 2001-12-11 | 2002-12-06 | Oscillator circuit |
| DE60204532T DE60204532T2 (de) | 2001-12-11 | 2002-12-06 | Oszillatorschaltung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001376597A JP3930307B2 (ja) | 2001-12-11 | 2001-12-11 | 発振器用集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003179430A true JP2003179430A (ja) | 2003-06-27 |
| JP3930307B2 JP3930307B2 (ja) | 2007-06-13 |
Family
ID=19184751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001376597A Expired - Fee Related JP3930307B2 (ja) | 2001-12-11 | 2001-12-11 | 発振器用集積回路 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6873217B2 (ja) |
| EP (1) | EP1320188B1 (ja) |
| JP (1) | JP3930307B2 (ja) |
| DE (1) | DE60204532T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7312672B2 (en) | 2004-08-20 | 2007-12-25 | Alps Electric Co., Ltd. | Local oscillating circuit for receiving high-band and low-band signal |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8074248B2 (en) | 2005-07-26 | 2011-12-06 | Activevideo Networks, Inc. | System and method for providing video content associated with a source image to a television in a communication network |
| US9826197B2 (en) | 2007-01-12 | 2017-11-21 | Activevideo Networks, Inc. | Providing television broadcasts over a managed network and interactive content over an unmanaged network to a client device |
| EP3145200A1 (en) | 2007-01-12 | 2017-03-22 | ActiveVideo Networks, Inc. | Mpeg objects and systems and methods for using mpeg objects |
| EP2695388B1 (en) | 2011-04-07 | 2017-06-07 | ActiveVideo Networks, Inc. | Reduction of latency in video distribution networks using adaptive bit rates |
| US10409445B2 (en) | 2012-01-09 | 2019-09-10 | Activevideo Networks, Inc. | Rendering of an interactive lean-backward user interface on a television |
| US9800945B2 (en) | 2012-04-03 | 2017-10-24 | Activevideo Networks, Inc. | Class-based intelligent multiplexing over unmanaged networks |
| US9123084B2 (en) | 2012-04-12 | 2015-09-01 | Activevideo Networks, Inc. | Graphical application integration with MPEG objects |
| US10275128B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-04-30 | Activevideo Networks, Inc. | Multiple-mode system and method for providing user selectable video content |
| US9294785B2 (en) | 2013-06-06 | 2016-03-22 | Activevideo Networks, Inc. | System and method for exploiting scene graph information in construction of an encoded video sequence |
| US9219922B2 (en) | 2013-06-06 | 2015-12-22 | Activevideo Networks, Inc. | System and method for exploiting scene graph information in construction of an encoded video sequence |
| WO2014197879A1 (en) | 2013-06-06 | 2014-12-11 | Activevideo Networks, Inc. | Overlay rendering of user interface onto source video |
| US9788029B2 (en) | 2014-04-25 | 2017-10-10 | Activevideo Networks, Inc. | Intelligent multiplexing using class-based, multi-dimensioned decision logic for managed networks |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2580116B2 (ja) * | 1985-12-16 | 1997-02-12 | ソニー株式会社 | Ｉｃ化高周波可変周波数発振回路 |
| US5265716A (en) | 1991-05-10 | 1993-11-30 | Alps Electric Co., Ltd. | Switch with multiple levers and multiple switch assembly using same |
| US6147564A (en) | 1996-12-04 | 2000-11-14 | Seiko Epson Corporation | Oscillation circuit having electrostatic protective circuit |
| JP3536561B2 (ja) | 1996-12-04 | 2004-06-14 | セイコーエプソン株式会社 | 発振回路、電子回路、これらを備えた半導体装置、時計および電子機器 |
| JP3371769B2 (ja) | 1997-09-01 | 2003-01-27 | セイコーエプソン株式会社 | 電圧制御圧電発振用ｉｃ |
-
2001
- 2001-12-11 JP JP2001376597A patent/JP3930307B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-12-04 US US10/309,494 patent/US6873217B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-12-06 EP EP02258424A patent/EP1320188B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-12-06 DE DE60204532T patent/DE60204532T2/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7312672B2 (en) | 2004-08-20 | 2007-12-25 | Alps Electric Co., Ltd. | Local oscillating circuit for receiving high-band and low-band signal |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE60204532D1 (de) | 2005-07-14 |
| EP1320188B1 (en) | 2005-06-08 |
| EP1320188A2 (en) | 2003-06-18 |
| US20030107443A1 (en) | 2003-06-12 |
| JP3930307B2 (ja) | 2007-06-13 |
| DE60204532T2 (de) | 2006-03-16 |
| EP1320188A3 (en) | 2003-07-09 |
| US6873217B2 (en) | 2005-03-29 |
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