JP2003168942A - Manufacturing method of surface acoustic wave device - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、樹脂等で封止さ
れる表面波デバイスの製造方法に関する。特に、移動体
通信用端末の周波数フィルタなどに好適な弾性表面波デ
バイスの製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a surface acoustic wave device sealed with resin or the like. In particular, the present invention relates to a method of manufacturing a surface acoustic wave device suitable for a frequency filter of a mobile communication terminal.
【0002】[0002]
【従来の技術】弾性表面波デバイスは、圧電体上に設け
られた薄膜金属からなる櫛歯状電極(インターデジタル
トランスデューサ:IDT)により電気信号と弾性表面
波(SAW)との変換を行って信号を送受信するデバイ
スであり、弾性表面波フィルタ、弾性表面波共振子、遅
延回路等に用いられる。この弾性表面波デバイスは、薄
型化・小型化が可能であるというメリットにより、近
年、特に携帯電話などの移動体通信の分野で広く用いら
れるようになっている。2. Description of the Related Art A surface acoustic wave device is a signal obtained by converting an electric signal and a surface acoustic wave (SAW) by a comb-shaped electrode (interdigital transducer: IDT) made of a thin film metal provided on a piezoelectric body. The device is a device for transmitting and receiving, and is used in a surface acoustic wave filter, a surface acoustic wave resonator, a delay circuit, and the like. This surface acoustic wave device has been widely used in recent years, particularly in the field of mobile communication such as a mobile phone, due to its merit that it can be made thin and compact.
【0003】また、携帯電話の小型化に伴い、弾性表面
波デバイスへの要求も益々厳しくなってきている。携帯
電話の高周波(RF)回路部品をセットしたフロントエ
ンドモジュール(FEM)も世の中に出回り始め、FE
M向けSAWデバイスは、携帯電話メーカ向けよりもさ
らに薄型化の要求が厳しい。Further, with the miniaturization of mobile phones, the demand for surface acoustic wave devices has become more and more severe. Front-end modules (FEM) that set radio frequency (RF) circuit components for mobile phones have also begun to appear in the world, and FE
SAW devices for M are required to be thinner than those for mobile phone makers.
【0004】本願発明がなされる以前では、弾性表面波
デバイスは、例えば次のような方法で製造されていた。
まず、圧電体上に、IDTおよび端子電極を含む弾性表
面波素子が、アルミニウムなどの金属薄膜により形され
る。次に、感光性樹脂などにより弾性表面波素子を囲ん
だダムが形成される(フォトリソグラフィ)。次に、端
子電極上に金属バンプがボンディング形成され、この状
態で素子がダイシングなどで個片に切り離される。次
に、予め外部接続端子および素子接続端子が形成された
ベースに、弾性表面波素子が、超音波圧着などの方法
(フリップチップボンディング)で接合される。そし
て、弾性表面波素子の素子形成面と反対側の面から封止
樹脂などにより一体的に包覆固定することにより、ID
Tを内包する弾性表面波デバイスが密閉される。その
後、密閉されたデバイスはダイシングにより個片化さ
れ、弾性表面波デバイスとなる。Prior to the invention of the present application, the surface acoustic wave device was manufactured, for example, by the following method.
First, a surface acoustic wave element including an IDT and a terminal electrode is formed on a piezoelectric body with a metal thin film such as aluminum. Next, a dam that surrounds the surface acoustic wave element is formed with a photosensitive resin or the like (photolithography). Next, a metal bump is formed on the terminal electrode by bonding, and in this state, the element is separated into individual pieces by dicing or the like. Next, the surface acoustic wave element is joined to a base on which external connection terminals and element connection terminals are formed in advance by a method such as ultrasonic pressure bonding (flip chip bonding). Then, the surface of the surface acoustic wave device opposite to the device formation surface is integrally covered and fixed with a sealing resin or the like, so that the ID
The surface acoustic wave device containing T is sealed. After that, the sealed device is diced into individual pieces to be surface acoustic wave devices.
【0005】なお、フリップチップボンディング(ある
いはフェイスダウンボンディング)工法を利用した公知
例としては、例えば特開平11−74755号公報に開
示された「弾性表面波装置」がある。A known example using the flip-chip bonding (or face-down bonding) method is the "surface acoustic wave device" disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 11-74755.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】上記本願発明がなされ
る以前の製造方法においては、ダム形成にフォトリソグ
ラフィを行っているので、生産工程数が多かった。ま
た、ダムの高さは、金属バンプより低くかつ前記封止樹
脂が流れ込むのをせき止められる高さにしなければなら
ず、ダムの高さに制約があった。また、封止樹脂の流れ
込み(進入/侵入)を確実に阻止するためには封止樹脂
として流動性の高い液状樹脂でなくシート状樹脂を使用
しなければならないことが多く、封止樹脂の材質および
/または形状に制約があった。In the manufacturing method before the above-described invention of the present application, photolithography was performed for forming the dam, so that the number of manufacturing steps was large. In addition, the height of the dam must be lower than the height of the metal bumps and must be high enough to prevent the sealing resin from flowing in, which limits the height of the dam. Further, in order to surely prevent the inflow (entry / invasion) of the sealing resin, it is often necessary to use a sheet resin instead of a liquid resin having high fluidity as the sealing resin. And / or there was a constraint on the shape.
【0007】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、その目的は、生産性が良く(生産工程数を少なくで
き)、信頼性の高い(封止樹脂の進入を確実に防止でき
る)弾性表面波デバイスの製造方法を提供することであ
る。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is an elastic surface having high productivity (reducing the number of production steps) and high reliability (reliably preventing encapsulation resin from entering). A method of manufacturing a wave device is provided.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】この発明の実施の形態に
係る弾性表面波デバイスの製造方法によれば、弾性表面
波素子が形成された圧電体と外部接続端子および素子接
続端子が形成されたベースとが、フリップチップボンデ
ィングおよびダム剤で接続される。この弾性表面波デバ
イスの製造においては、個々の弾性表面波素子をダイシ
ング等により個片化した後に、ダムがディスペンサで形
成される。そして、フリップチップボンディングをする
と同時に(フリップチップボンディング時の熱/押圧力
で形状変化する金属バンプの変形変化に合わせて)ダム
剤の硬化を行って、ベースと圧電体とを接続するように
している。According to the method of manufacturing a surface acoustic wave device according to the embodiment of the present invention, a piezoelectric body having a surface acoustic wave element, an external connection terminal and an element connection terminal are formed. The base is connected by flip chip bonding and dam agent. In the manufacture of this surface acoustic wave device, a dam is formed by a dispenser after individual surface acoustic wave elements are diced into individual pieces. At the same time as the flip chip bonding, the dam agent is hardened (according to the deformation change of the metal bump whose shape is changed by heat / pressing force during the flip chip bonding) to connect the base and the piezoelectric body. There is.
【0009】[0009]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の一実施の形態に係る弾性表面波デバイスおよびその製
造方法を説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A surface acoustic wave device and a method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【0010】図1は、この発明の一実施の形態に係る弾
性表面波デバイス100の構造を説明する図である。図
1(a)において、弾性表面波素子(デバイスチップ)
1は、圧電体上の所定位置に、アルミニウムや銅等の金
属膜からなる櫛歯状電極(インターデジタル変換器ID
T)8および端子電極12を形成したものである。ま
た、セラミックス等からなる基板(ベース)3の上面所
定位置には素子接続端子14が形成され、その下面所定
位置には外部接続端子16が形成されている。各端子1
4は、それぞれに対応する端子16へ、ベース3の所定
位置を貫通する導電体ビアホール18を介して、電気的
に接続されている。デバイスチップ1上の電極12各々
には金などの金属バンプ2が取り付けられ、各バンプ2
が対応する電極14に当接するように構成されている。FIG. 1 is a diagram for explaining the structure of a surface acoustic wave device 100 according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1A, a surface acoustic wave element (device chip)
1 is a comb-shaped electrode (interdigital converter ID) made of a metal film such as aluminum or copper at a predetermined position on the piezoelectric body.
T) 8 and the terminal electrode 12 are formed. Further, element connection terminals 14 are formed at predetermined positions on the upper surface of the substrate (base) 3 made of ceramics or the like, and external connection terminals 16 are formed at predetermined positions on the lower surface. Each terminal 1
The terminals 4 are electrically connected to the corresponding terminals 16 through conductor via holes 18 penetrating predetermined positions of the base 3. Metal bumps 2 such as gold are attached to each of the electrodes 12 on the device chip 1.
Are configured to contact the corresponding electrodes 14.
【0011】デバイスチップ1の外周部分には、図1
(a)(b)に示すように、櫛歯状電極8および金属バ
ンプ2を取り囲むように、ダム20が配設されている。
このダム20は、適当な粘度あるいはチクソ性(thixot
ropy)を持つ熱硬化性樹脂(エポキシ系、メラミン系、
フェノール系、あるいは尿素系の樹脂)を、ディスペン
サで塗布することで形成できる。具体的には、主剤と硬
化剤との比率が1:1〜1:3程度に調合された2液混
合型エポキシ系樹脂を、ダム20に利用できる。The outer peripheral portion of the device chip 1 is shown in FIG.
As shown in (a) and (b), the dam 20 is arranged so as to surround the comb-shaped electrode 8 and the metal bump 2.
This dam 20 has an appropriate viscosity or thixot property.
ropy) thermosetting resin (epoxy, melamine,
It can be formed by applying a phenol-based or urea-based resin with a dispenser. Specifically, a two-component mixed epoxy resin in which the ratio of the main agent to the curing agent is about 1: 1 to 1: 3 can be used for the dam 20.
【0012】このダム20は、デバイスチップ1をベー
ス3にフリップチップボンディングする直前は硬化して
おらず、比較的柔らかい(つまり周囲の構造状態に合わ
せて変形可能な)状態にある。しかし、デバイスチップ
1をベース3にフリップチップボンディングすると、そ
のときに発生する熱で、ダム20は硬化する。その際、
硬化する前のダム20は、フリップチップボンディング
による熱および加圧で変形した金属バンプ2の潰れ具合
に合わせた形状に変化し、デバイスチップ1とベース3
とを接続する形で、フリップチップボンディング終了時
までにほぼ固まる(完全に固まるのはその後でもよ
い)。The dam 20 is not hardened just before the device chip 1 is flip-chip bonded to the base 3, and is in a relatively soft state (that is, it can be deformed according to the surrounding structural state). However, when the device chip 1 is flip-chip bonded to the base 3, the heat generated at that time cures the dam 20. that time,
The dam 20 before being hardened changes into a shape according to the crushed state of the metal bump 2 deformed by heat and pressure by flip chip bonding, and the device chip 1 and the base 3
By connecting and, almost completely set by the end of flip chip bonding (it may be completely set after that).
【0013】以上のようにして、デバイスチップ1とベ
ース3とが金属バンプ2およびダム20を介して電気的
および機械的(構造的)に接続された後は、ダム20の
内側に、図1(a)(b)に示すような中空部7が形成
される。この櫛歯状電極8周辺の中空部7はダム20に
より取り囲まれている。その更に外側から、デバイスチ
ップ1を包覆するように、封止樹脂5が、印刷等により
塗布される。この封止樹脂5は、塗布時は流動性が高い
(濡れ性がよい)状態になっており、ダム20がないと
中空部7側に進入しやすい。しかし、デバイスチップ1
およびベース3の双方に密着しているダム20があるた
め、封止樹脂5はダム20により完全にブロックされ、
櫛歯状電極8が配置された中空部7側へ進入できない。
このことから、電極8に異物(封止樹脂5)が付着する
ことによる製品不良の発生の恐れを払拭できる。After the device chip 1 and the base 3 are electrically and mechanically (structurally) connected to each other via the metal bumps 2 and the dam 20 as described above, the inside of the dam 20 is shown in FIG. The hollow portion 7 as shown in (a) and (b) is formed. The hollow portion 7 around the comb-shaped electrode 8 is surrounded by a dam 20. A sealing resin 5 is applied by printing or the like from the outside of the device so as to cover the device chip 1. The sealing resin 5 is in a state of high fluidity (good wettability) at the time of application and easily enters the hollow portion 7 side without the dam 20. However, device chip 1
Since the dam 20 is in close contact with both the base 3 and the base 3, the sealing resin 5 is completely blocked by the dam 20,
It cannot enter the hollow portion 7 side where the comb-shaped electrode 8 is arranged.
From this, it is possible to eliminate the risk of product defects due to foreign matter (sealing resin 5) adhering to the electrodes 8.
【0014】別の言い方で図1の実施の形態の特徴を言
うと、次のようになる。すなわち、デバイスチップ(弾
性表面波素子)1とベース(基板)3との間において、
中空部(空間部)7への封止樹脂(封止材)5の進入を
防止する位置に配設されたダム20が、金属バンプ2と
協同して、デバイスチップ1とベース3を構造的(機械
的)に接続するように構成されている。このように構成
すると、デバイスチップ1とベース3をバンプ2だけで
接続する場合よりも、両者間の機械的接続強度を高める
ことができる。つまり、ダム20が、本来の樹脂進入防
止機能の他に、バンプ2を介した機械的接続を補強する
機能も持つようになっている。In other words, the features of the embodiment shown in FIG. 1 are as follows. That is, between the device chip (surface acoustic wave element) 1 and the base (substrate) 3,
A dam 20 arranged at a position to prevent the sealing resin (sealing material) 5 from entering the hollow portion (space portion) 7 cooperates with the metal bump 2 to structurally connect the device chip 1 and the base 3 to each other. It is configured to connect (mechanically). With such a configuration, the mechanical connection strength between the device chip 1 and the base 3 can be increased as compared with the case where the device chip 1 and the base 3 are connected only by the bump 2. That is, the dam 20 has a function of reinforcing the mechanical connection via the bump 2 in addition to the original function of preventing resin from entering.
【0015】この補強機能を得るために重要なことは、
デバイスチップ1とベース3との間において、(a)フ
リップチップボンディング時にダム20がバンプ2以上
の高さで先に硬化していてはならない(ダム20が先に
硬化しているとバンプ2による電極12〜端子14間の
接続が不完全になる恐れがあるし、仮にこの接続が完全
であったとしても硬いダム20が間に挟まることでデバ
イスチップ1に機械的な歪みが残り、弾性表面波素子の
特性が変化する恐れもある)ことと;(b)フリップチ
ップボンディング時にダム20がバンプ2の形状変化に
合わせて変形してから硬化し、硬化したダム20がデバ
イスチップ1およびベース3の双方に密着することであ
る(密着していないと機械的な接続強度の補強にならな
いし、密着しない部分の隙間が大きいと封止樹脂の進入
を防止する機能も損なわれる恐れがある)。The important thing to obtain this reinforcing function is
Between the device chip 1 and the base 3, (a) the dam 20 must not be cured first at the height of the bump 2 or higher during the flip chip bonding (if the dam 20 is cured first, it depends on the bump 2). The connection between the electrode 12 and the terminal 14 may be incomplete, and even if this connection is perfect, the hard dam 20 is sandwiched between them, so that mechanical strain remains in the device chip 1 and the elastic surface (B) The characteristics of the wave element may change); (b) During flip chip bonding, the dam 20 is deformed and hardened according to the shape change of the bump 2, and the hardened dam 20 is hardened. (If it is not adhered, it does not reinforce the mechanical connection strength, and if there is a large gap in the part that does not adhere, it also prevents the encapsulation resin from entering. There is a risk of rope).
【0016】図2は、この発明の一実施の形態に係る弾
性表面波デバイス100の製造方法を説明する図であ
る。ここでは、図1の構造を持つデバイス100を、効
率よく量産する方法を述べる。FIG. 2 is a diagram illustrating a method of manufacturing the surface acoustic wave device 100 according to the embodiment of the present invention. Here, a method for efficiently mass-producing the device 100 having the structure of FIG. 1 will be described.
【0017】まず、例えば数10×数10のデバイス1
00が縦横に並んで形成される大きさの圧電体ウエハ
(圧電性基板)1aが用意される(図2a)。このウエ
ハ1aには、例えば四ほう酸リチウムあるいはタンタル
酸リチウムを用いることができる。First, for example, the device 1 of several 10 × 10
A piezoelectric wafer (piezoelectric substrate) 1a having a size in which 00s are formed vertically and horizontally is prepared (FIG. 2a). For this wafer 1a, for example, lithium tetraborate or lithium tantalate can be used.
【0018】このウエハ1aの上に、櫛歯状電極(ID
T)8および端子電極12を含む弾性表面波素子(デバ
イスチップ)1が形成される(図2b)。これらの電極
8および12には、例えばアルミニウム合金あるいは銅
合金の薄膜を用いることができる。On the wafer 1a, comb-shaped electrodes (ID
The surface acoustic wave element (device chip) 1 including T) 8 and the terminal electrode 12 is formed (FIG. 2b). Thin films of aluminum alloy or copper alloy, for example, can be used for these electrodes 8 and 12.
【0019】次に、各デバイスチップ1の端子電極12
上に、金属バンプ2が、ボンディングなどにより付けら
れる(図2c)。このバンプ2には、例えば金あるいは
金合金を用いることができる。Next, the terminal electrode 12 of each device chip 1
The metal bumps 2 are attached to the top by bonding or the like (FIG. 2c). For this bump 2, for example, gold or a gold alloy can be used.
【0020】こうして端子電極12上にバンプ2が付け
られた各デバイスチップ1は、ダイシングなどにより、
図2cの破線位置で、個片に切断される(図2d)。こ
のダイシングには、例えばダイヤモンドカッタを用いる
ことができる。Each device chip 1 having the bumps 2 attached to the terminal electrodes 12 in this manner is subjected to dicing or the like.
At the broken line position in Figure 2c, it is cut into pieces (Figure 2d). For this dicing, for example, a diamond cutter can be used.
【0021】次に、個片化されたデバイスチップ1上の
所定箇所に、図1(a)(b)に示すようなダム20が
形成される(図2e)。このダム形成は、例えばエポキ
シ系の熱硬化性樹脂を、金属バンプ20の高さより少し
高い厚みとなるように塗布することで、行うことができ
る。Next, a dam 20 as shown in FIGS. 1A and 1B is formed at a predetermined position on the individualized device chip 1 (FIG. 2E). This dam formation can be performed, for example, by applying an epoxy thermosetting resin so that the thickness thereof is slightly higher than the height of the metal bumps 20.
【0022】具体例を挙げると、フリップチップボンデ
ィング前の状態で電極12の厚み+バンプ20の高さが
40μm〜60μm程度に管理されているとすれば、デ
ィスペンサで塗布されるダム20用樹脂の厚さは、例え
ば70μm〜140μm程度(あるいはそれ以上)に管
理すればよい。As a specific example, assuming that the thickness of the electrode 12 + the height of the bump 20 is controlled to about 40 μm to 60 μm before the flip chip bonding, the resin for the dam 20 applied by a dispenser is The thickness may be controlled to, for example, about 70 μm to 140 μm (or more).
【0023】こうして金属バンプ20およびダム20が
形成された各デバイスチップ1は、素子接続端子14お
よびこの端子14にビアホール18を介して電気的に接
続された外部接続端子16が予め形成された平板状ベー
ス3に、フェイスダウンマウントされる(図2e〜図2
f)。このベース2は、例えばアルミナ等のセラミック
スで作ることができる。Each device chip 1 on which the metal bumps 20 and the dams 20 are formed in this manner is a flat plate on which the element connection terminals 14 and the external connection terminals 16 electrically connected to the terminals 14 via the via holes 18 are formed in advance. Face-down mounted on the base 3 (see FIGS. 2e to 2).
f). The base 2 can be made of ceramics such as alumina.
【0024】金属バンプ2および(硬化前の)ダム20
を介して複数のデバイスチップ1が当接されたベース3
は、図示しない超音波ボンディング装置により、所定の
加熱/加圧下で、所定時間超音波加振され、フリップチ
ップボンディングが行われる(図2f)。Metal bumps 2 and dams 20 (before curing)
Base 3 to which a plurality of device chips 1 are abutted via
Is subjected to ultrasonic vibration for a predetermined time under predetermined heating / pressurization by an ultrasonic bonding device (not shown) to perform flip chip bonding (FIG. 2f).
【0025】このフリップチップボンディングにより、
金属バンプ2と電極12および金属バンプ2と端子14
との接触面が部分的に溶解して溶接が行われる。その
際、金属バンプ2は多少潰れた形状に変形する。そのと
きはダム20はまだ硬化前の状態にあり、ダム20は、
バンプ2の変形に合わせて容易に薄くなって、デバイス
チップ1およびベース3の双方に密着する。ダム20
は、このフリップチップボンディング時に加わえられた
熱で即座に硬化を開始し、フリップチップボンディング
終了時にはバンプ2の変形に合わせた厚さでほぼ固まる
(フリップチップボンディング終了直後では完全に固ま
っていなくても、次の工程までにダムとして機能できる
程度まで固まっておればよい)。By this flip chip bonding,
Metal bump 2 and electrode 12 and metal bump 2 and terminal 14
The contact surface with is partially melted and welding is performed. At that time, the metal bump 2 is deformed into a somewhat crushed shape. At that time, the dam 20 is still in a state before curing, and the dam 20 is
The bump 2 is easily thinned in accordance with the deformation of the bump 2 and adheres to both the device chip 1 and the base 3. Dam 20
Starts to be hardened immediately by the heat applied at the time of flip chip bonding, and at the end of the flip chip bonding, it is almost solidified with a thickness according to the deformation of the bump 2 (it is not completely solidified immediately after the completion of the flip chip bonding. Also, it should be solid enough to function as a dam by the next step).
【0026】次に、多数のデバイスチップ1がフリップ
チップボンディングで取り付けられたベース3の上から
(個々のデバイスチップ1側から見れば電極8形成面と
反対面側から)、所定の粘度および/または所定のチク
ソ性を持った封止樹脂5が、印刷等の手法で塗布される
(図2g)。この段階では各デバイスチップ1のダム2
0は固化しており、ダムとして完全に機能できるように
なっている。そのため、封止樹脂5が各デバイスチップ
1の内部空間(中空部7)に進入する恐れはない。した
がって、封止樹脂5には、流動性の高い(濡れ性のよ
い)液状樹脂を用いることができる。ただし、封止樹脂
5を液状樹脂に限定する必要はなく、シート状樹脂を封
止樹脂5として用いてもよい。Next, from the top of the base 3 to which a large number of device chips 1 are attached by flip chip bonding (from the side opposite to the surface on which the electrodes 8 are formed when viewed from the individual device chips 1 side), a predetermined viscosity and / Alternatively, the sealing resin 5 having a predetermined thixotropy is applied by a technique such as printing (FIG. 2g). At this stage, dam 2 of each device chip 1
0 is solidified and is now fully functional as a dam. Therefore, there is no possibility that the sealing resin 5 will enter the internal space (hollow portion 7) of each device chip 1. Therefore, as the sealing resin 5, a liquid resin having high fluidity (having good wettability) can be used. However, the sealing resin 5 need not be limited to the liquid resin, and a sheet-shaped resin may be used as the sealing resin 5.
【0027】封止樹脂5が完全に固まってから、各デバ
イスチップ1は、封止樹脂5およびベース3ごと図2g
の破線位置で個片に切断され、個々の弾性表面波デバイ
ス100が完成する(図2h)。このダイシングにも、
例えばダイヤモンドカッタを用いることができる。After the encapsulating resin 5 is completely solidified, each device chip 1 together with the encapsulating resin 5 and the base 3 is shown in FIG.
Each surface acoustic wave device 100 is completed by cutting into individual pieces at the position indicated by the broken line (FIG. 2h). For this dicing,
For example, a diamond cutter can be used.
【0028】図3は、この発明の他の実施の形態に係る
弾性表面波デバイスの構造を説明する図である。図3の
構成では、金属バンプ2の配置よりも内側でで櫛歯状電
極8を取り囲む位置に、ダム20が配置されている。金
属バンプ2に封止樹脂5が触れても弾性表面波デバイス
として特に異常は生じないので、バンプ2がダム20の
外側にあってもよい場合の例として、図3を示してお
く。FIG. 3 is a diagram for explaining the structure of a surface acoustic wave device according to another embodiment of the present invention. In the configuration of FIG. 3, the dam 20 is arranged at a position that surrounds the comb-shaped electrode 8 inside the arrangement of the metal bumps 2. Even if the sealing resin 5 comes into contact with the metal bumps 2, no particular abnormality occurs in the surface acoustic wave device. Therefore, FIG. 3 is shown as an example of the case where the bumps 2 may be outside the dam 20.
【0029】なお、図3の構成では、バンプ2の配置・
寸法が図1の構成と同じときは、ダムと電極8との間の
中空部7が図1の場合よりも狭くなる。中空部7が狭く
なるとデバイス100の製造過程でダム剤の一部が電極
8に付く可能性が出てくる。そのようなときは、図3の
構成を採用せず、図1の構成を採用すればよい。In the structure shown in FIG. 3, the bumps 2 are arranged and
When the dimensions are the same as in the configuration of FIG. 1, the hollow portion 7 between the dam and the electrode 8 becomes narrower than in the case of FIG. If the hollow portion 7 becomes narrower, there is a possibility that part of the dam agent will stick to the electrode 8 during the manufacturing process of the device 100. In such a case, the configuration of FIG. 1 may be adopted instead of the configuration of FIG.
【0030】なお、この発明は上記各実施の形態に限定
されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸
脱しない範囲で種々な変形・変更が可能である。また、
各実施の形態は可能な限り適宜組み合わせて実施されて
もよく、その場合組み合わせによる効果が得られる。The present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, and various modifications and changes can be made at the stage of carrying out the invention without departing from the spirit of the invention. Also,
The respective embodiments may be combined as appropriate as much as possible, and in that case, the effect of the combination can be obtained.
【0031】さらに、上記実施の形態には種々な段階の
発明が含まれており、この出願で開示される複数の構成
要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出
され得る。たとえば、実施の形態に示される全構成要件
から1または複数の構成要件が削除されても、この発明
の効果あるいはこの発明の実施に伴う効果のうち少なく
とも1つが得られるときは、この構成要件が削除された
構成が発明として抽出され得るものである。Further, the above embodiments include inventions at various stages, and various inventions can be extracted by appropriately combining a plurality of constituent elements disclosed in this application. For example, even if one or more constituent elements are deleted from all the constituent elements shown in the embodiment, if at least one of the effect of the present invention or the effect of implementing the present invention is obtained, the constituent element is The deleted configuration can be extracted as an invention.
【0032】<実施の形態の効果>ダム20をディスペ
ンサで形成し、かつダム剤の硬化とフリップチップボン
ディングを同時に行うことにより、生産工程数を少なく
でき、弾性表面波デバイスの生産性を高めることができ
る。<Effects of the Embodiment> By forming the dam 20 with a dispenser and simultaneously curing the dam agent and flip-chip bonding, the number of production steps can be reduced and the productivity of the surface acoustic wave device can be improved. You can
【0033】また、デバイスチップ1およびベース3の
双方にダム20が構造的に接続されるようにしたことに
より、樹脂封止する際に封止樹脂5はダム20によりブ
ロックされ、櫛歯状電極8のある位置へ流れ込むこと
(進入または侵入)がない。このことから、電極8に異
物(封止樹脂)が付着する恐れがなくなり、製品の信頼
性が高くなる。また、封止樹脂5の材質および/または
形状に関する制約も殆ど無くなる(液状樹脂でもシート
状樹脂でも、封止樹脂5として使用できる)。Further, since the dam 20 is structurally connected to both the device chip 1 and the base 3, the sealing resin 5 is blocked by the dam 20 during resin sealing, and the comb-teeth-shaped electrode is formed. There is no inflow (entry or intrusion) to a position of 8. As a result, there is no risk of foreign matter (sealing resin) adhering to the electrode 8 and the reliability of the product is improved. Further, there are almost no restrictions on the material and / or the shape of the sealing resin 5 (a liquid resin or a sheet resin can be used as the sealing resin 5).
【0034】さらに、デバイスチップ1およびベース3
の双方に構造的に接続されたダム20は、フリップチッ
プボンディング工程後は硬化して比較的強固な構造体と
なる。そのため、デバイスチップ1とベース3との間の
機械的な接続強度に関しては、金属バンプ2による接続
強度を、硬化したダム20がさらに強化するように作用
する。つまり、封止樹脂5の進入を防止する位置に配設
されたダム20は、金属バンプ2と協同して、デバイス
チップ1とベース3を構造的(機械的)に強固に接続す
る。Further, the device chip 1 and the base 3
The dam 20 structurally connected to both of them is cured after the flip chip bonding process to become a relatively strong structure. Therefore, regarding the mechanical connection strength between the device chip 1 and the base 3, the hardened dam 20 acts to further strengthen the connection strength by the metal bumps 2. That is, the dam 20 arranged at a position where the encapsulation resin 5 is prevented from entering cooperates with the metal bump 2 to firmly connect the device chip 1 and the base 3 structurally (mechanically).
【0035】さらに、硬化前のダム剤はフリップチップ
ボンディング時におけるバンプ2の変形に合わせて容易
に変形でき、ダム剤はその後に硬化するので、ダム20
の存在に起因してデバイスチップ(弾性表面波素子)1
に機械的な歪み(圧電体内部への応力歪み)を与えるこ
とはない。Further, the dam agent before curing can be easily deformed in accordance with the deformation of the bumps 2 during flip chip bonding, and the dam agent is cured thereafter, so that the dam 20 is used.
Due to the presence of the device chip (surface acoustic wave element) 1
No mechanical strain (stress strain inside the piezoelectric body) is applied to the.
【0036】[0036]
【発明の効果】封止樹脂の材質および/または形状に関
する制約が少なく、それでいて生産性が良く信頼性の高
い弾性表面波デバイスの製造方法を得ることができる。EFFECTS OF THE INVENTION There are few restrictions on the material and / or shape of the encapsulating resin, and it is possible to obtain a method of manufacturing a surface acoustic wave device having high productivity and high reliability.
【図1】この発明の一実施の形態に係る弾性表面波デバ
イスの構造を説明する図。FIG. 1 is a diagram illustrating a structure of a surface acoustic wave device according to an embodiment of the present invention.
【図2】この発明の一実施の形態に係る弾性表面波デバ
イスの製造方法(量産方法)を説明する図。FIG. 2 is a diagram illustrating a method of manufacturing a surface acoustic wave device (mass production method) according to an embodiment of the present invention.
【図3】この発明の他の実施の形態に係る弾性表面波デ
バイスの構造を説明する図。FIG. 3 is a diagram illustrating the structure of a surface acoustic wave device according to another embodiment of the present invention.
1…デバイスチップ(弾性表面波素子);1a…圧電体
ウエハ;2…金属バンプ(導電性バンプ);3…ベース
(基板);5…封止樹脂(封止材);7…中空部(空間
部);8…櫛歯状電極(インターデジタル変換器ID
T);12…端子電極;14…素子接続端子;16…外
部接続端子;18…ビアホール;20…ダム(ダム
剤);100…弾性表面波デバイス。DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Device chip (surface acoustic wave element); 1a ... Piezoelectric wafer; 2 ... Metal bump (conductive bump); 3 ... Base (substrate); 5 ... Sealing resin (sealing material); 7 ... Hollow part ( Space part; 8 ... Comb-shaped electrode (interdigital converter ID
T); 12 ... Terminal electrode; 14 ... Element connection terminal; 16 ... External connection terminal; 18 ... Via hole; 20 ... Dam (dam agent); 100 ... Surface acoustic wave device.
Claims (4)
してなる弾性表面波素子を複数作製する工程と、 作製された複数の前記弾性表面波素子各々の前記端子電
極に接触する所定位置に金属バンプを取り付けるととも
に、前記櫛歯状電極の形成位置および前記金属バンプの
取り付け位置を避けた所定位置にディスペンサで熱硬化
性樹脂からなるダム剤を形成する工程と、 所定の位置に素子接続端子および外部接続端子を持つベ
ースに対して、前記取り付けられた金属バンプが前記素
子接続端子と当接するように、複数の前記弾性表面波素
子をマウントする工程と、 所定の温度および加圧下で超音波印加することにより前
記金属バンプを部分的に溶融させて、前記端子電極およ
び前記素子接続端子を前記金属バンプを介して電気的か
つ機械的に接続するフリップチップボンディング工程
と、 前記フリップチップボンディング工程終了後に、前記櫛
歯状電極の形成面と反対側から、封止材により、複数の
前記弾性表面波素子を一体的に包覆する封止工程と、 前記封止工程終了後に、複数の前記弾性表面波素子各々
を含む部分を個片化する工程とを備えた弾性表面波デバ
イスの製造方法。1. A step of producing a plurality of surface acoustic wave elements each having a comb-shaped electrode and a terminal electrode formed on a piezoelectric body, and a predetermined step of contacting the terminal electrodes of each of the plurality of produced surface acoustic wave elements. Attaching a metal bump to the position, forming a dam agent made of a thermosetting resin with a dispenser at a predetermined position avoiding the formation position of the comb tooth-shaped electrode and the attachment position of the metal bump, and an element at a predetermined position. Mounting a plurality of the surface acoustic wave devices on a base having connection terminals and external connection terminals so that the attached metal bumps come into contact with the device connection terminals; and under a predetermined temperature and pressure. By applying ultrasonic waves, the metal bumps are partially melted, and the terminal electrodes and the element connection terminals are electrically and mechanically connected via the metal bumps. Flip chip bonding step of connecting, and sealing after the flip chip bonding step is completed, integrally encapsulating the plurality of surface acoustic wave elements with a sealing material from the side opposite to the surface on which the comb-shaped electrodes are formed. A method of manufacturing a surface acoustic wave device, comprising: a step; and, after the sealing step, a step of dividing a portion including each of the plurality of surface acoustic wave elements into individual pieces.
ディング工程において硬化するように構成されたことを
特徴とする請求項1に記載の方法。2. The method of claim 1, wherein the dam agent is configured to cure in the flip chip bonding process.
ディング工程前では非硬化状態にあり、前記フリップチ
ップボンディング工程時に、前記ダム剤が、前記導電性
バンプの形状変化に合わせた形状で硬化するように構成
されたことを特徴とする請求項1または請求項2に記載
の方法。3. The dam agent is in a non-hardened state before the flip chip bonding step, and the dam agent is hardened in a shape according to the shape change of the conductive bump during the flip chip bonding step. The method according to claim 1 or 2, wherein the method is configured as follows.
系、フェノール系、尿素系等の熱硬化性樹脂を用いたも
のであることを特徴とする請求項1ないし請求項3のい
ずれか1項に記載の方法。4. The dam agent according to claim 1, wherein the dam agent is an epoxy-based, melamine-based, phenol-based, or urea-based thermosetting resin. The method described in.
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2013099963A1 (en) * | 2011-12-27 | 2013-07-04 | 京セラ株式会社 | Electronic component |
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2001
- 2001-11-30 JP JP2001366934A patent/JP2003168942A/en active Pending
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