JP2003168500A - 極細同軸ケーブルアセンブリおよび極細同軸ケーブルの接続方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 多数の極細同軸ケーブルを装置の基板に容易
に接続することができ、また、基板のケーブル接続付近
の部材に及ぼされる熱による悪影響を無くすことができ
る極細同軸ケーブルアセンブリを提供する。 【解決手段】 基板の上面に突出した凸部１２，１３
に、上面に沿って貫通して複数の穴１４，１５を形成
し、凸部１２，１３で区切られた上面のうち、一方の上
面に極細同軸ケーブル２のシールド導体９を接続するた
めの無電解メッキを施したグランド配線１６を形成し、
他方の面に極細同軸ケーブル２の中心導体７を接続する
ための無電解メッキを施した配線１７を形成する。そし
て、極細同軸ケーブルの中心導体を電気的接続に必要な
長さ露出させ、この露出後の極細同軸ケーブルを穴１
４，１５に通して中心導体を配線１７の位置に配置した
後、グランド配線１６の位置のシールド導体を露出さ
せ、中心導体と配線１７との間、シールド導体とグラン
ド配線１６との間に異方導電性接着剤を介在させて接続
を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、医療用超音波診断
装置などに使用される極細同軸ケーブルアセンブリおよ
び極細同軸ケーブルの接続方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】図３は、従来の医療用超音波診断装置の
本体と探触子をつなぐプローブケーブルの断面図であ
る。

【０００３】この図３に示すプローブケーブル１は、極
細同軸ケーブル２を１６本程度撚り合わせて形成した極
細同軸ケーブルユニット３を複数本撚り合わせ、この外
周にシース４、シールド導体５、ジャケット６をこの順
に覆い構成されている。１本のプローブケーブル１に使
用される極細同軸ケーブル２は、少ないもので５０心程
度、多いものでは２０００心を超える。

【０００４】次に、極細同軸ケーブル２の断面図を図４
に示す。極細同軸ケーブル２は、複数本を撚り合わせた
中心導体７の外周に、絶縁体８、さらにシールド導体
９、ジャケット１０をこの順に被覆して構成される。中
心導体７は、細いもので４４ＡＷＧ（素線径２０μｍ導
体の７本撚り線）から４６ＡＷＧ（素線径１６μｍ導体
の７本撚り線）が適用され始めている。また、中心導体
７には撚り線の代わりに単線を適用してもよい。

【０００５】プローブケーブル１を接続する場合、図示
せぬ本体側の基板との接続と、探触子側の基板との接続
を行う。これは、まず、プローブケーブル１の端部のジ
ャケット６、シールド導体５、シース４を除去し、極細
同軸ケーブルユニット３を露出させる。その後、極細同
軸ケーブルユニット３内の極細同軸ケーブル２について
１心ずつ導通を確認しながら基板上に並べ手作業で半田
付けを行う。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の極細同
軸ケーブルの接続方法においては、極細同軸ケーブル２
と、ＦＰＣやプリント基板とを接続する際、一番狭いも
ので、０．３ｍｍピッチのものもあり、前述した接続方
法では、熟練者でも莫大な時間を要する。初心者では不
可能に近い。これを解決するためには、極細同軸ケーブ
ル２と基板とを一括して接続するのが理想である。しか
し、極細同軸ケーブルユニット３をほぐした際に、極細
同軸ケーブル２に撚り癖が残り、正確なピッチに並べる
のは困難であるため、１心ずつ手作業で半田付けを行っ
ている。このような理由から、プローブケーブル１の極
細同軸ケーブル２を、所望の装置、例えば医療用超音波
診断装置の基板に接続する場合、その接続に非常に手間
がかかるという問題がある。

【０００７】ところで、プローブケーブル１の多心化、
本体側や探触子側の基板の狭ピッチ化が進んでおり、従
来技術による半田付けは限界に近づいている。また、半
田の鉛フリー化が進んでいるが、鉛フリー半田は融点が
高いことから半田付け温度も高くなる。このため、基板
の極細同軸ケーブル２が接続される付近の部材に、熱に
よる悪影響を及ぼすという問題がある。

【０００８】本発明は、かかる点に鑑みてなされたもの
であり、多数の極細同軸ケーブルを装置の基板に容易に
接続することができ、また、基板のケーブル接続付近の
部材に及ぼされる熱による悪影響を無くすことができる
極細同軸ケーブルアセンブリおよび極細同軸ケーブルの
接続方法を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の極細同軸ケーブルアセンブリは、中心導体
の外周に絶縁体を介して外部導体を配置し、この外部導
体を絶縁被覆して成る極細同軸ケーブルが、配線基板に
電気的に接続される極細同軸ケーブルアセンブリにおい
て、前記配線基板面に突出して形成された２つの凸部
と、前記凸部に、前記配線基板面に沿って貫通して形成
された複数の穴と、前記凸部で区切られた面のうち、一
方の面に前記外部導体を接続するために形成された第１
の無電解メッキ配線および、他方の面に前記中心導体を
接続するために形成された第２の無電解メッキ配線とを
備えたことを特徴としている。

【００１０】また、前記第１および第２の無電解メッキ
配線は、前記複数の穴の各々に対応させて配線基板面に
形成されたＵ字又はＶ字の溝に、導電性材料による無電
解メッキが施されて形成されることを特徴としている。

【００１１】また、前記凸部を有する配線基板は、３次
元射出成形によって形成されることを特徴としている。

【００１２】また、前記極細同軸ケーブルの端部の露出
された前記中心導体が、前記穴に通されて前記第２の無
電解メッキ配線の位置に配置されると共に、前記極細同
軸ケーブルの露出された前記外部導体が前記第２の無電
解メッキ配線の位置に配置され、前記中心導体と前記第
２の無電解メッキ配線との間、前記外部導体と前記第１
の無電解メッキ配線との間に、異方導電性接着剤が介在
されて接続されていることを特徴としている。

【００１３】また、前記極細同軸ケーブルの端部の露出
された前記中心導体が、前記穴に通されて前記第２の無
電解メッキ配線の位置に配置されると共に、前記極細同
軸ケーブルの露出された前記外部導体が前記第２の無電
解メッキ配線の位置に配置され、前記中心導体および前
記第２の無電解メッキ配線の接続部と、前記外部導体お
よび前記第１の無電解メッキ配線の接続部とが、噴流半
田浴の通過による一括した半田付けで接続されているこ
とを特徴としている。

【００１４】また、前記極細同軸ケーブルの端部の露出
された前記中心導体が、前記穴に通されて前記第２の無
電解メッキ配線の位置に配置されると共に、前記極細同
軸ケーブルの露出された前記外部導体が前記第２の無電
解メッキ配線の位置に配置され、前記中心導体および前
記第２の無電解メッキ配線の接続部と、前記外部導体お
よび前記第１の無電解メッキ配線の接続部とが、クリー
ム半田による半田付けで接続されていることを特徴とし
ている。

【００１５】また、本発明の極細同軸ケーブルの接続方
法は、中心導体の外周に絶縁体を介して外部導体を配置
し、この外部導体を絶縁被覆して成る極細同軸ケーブル
を、配線基板に電気的に接続する極細同軸ケーブルの接
続方法において、前記配線基板面に突出して２つの凸部
を形成し、前記凸部に、前記配線基板面に沿って貫通し
て複数の穴を形成し、前記凸部で区切られた面のうち、
一方の面に前記外部導体を接続するための第１の無電解
メッキ配線を形成し、他方の面に前記中心導体を接続す
るための第２の無電解メッキ配線を形成し、前記極細同
軸ケーブルの端部の前記中心導体を電気的接続に必要な
長さ露出させ、この露出後の極細同軸ケーブルを前記穴
に通して前記中心導体を前記第２の無電解メッキ配線の
位置に配置した後、前記第１の無電解メッキ配線の位置
の前記外部導体を露出させ、前記中心導体と前記第２の
無電解メッキ配線との間、前記外部導体と前記第１の無
電解メッキ配線との間に、異方導電性接着剤を介在させ
て接続を行うことを特徴としている。

【００１６】また、本発明の極細同軸ケーブルの接続方
法は、中心導体の外周に絶縁体を介して外部導体を配置
し、この外部導体を絶縁被覆して成る極細同軸ケーブル
を、配線基板に電気的に接続する極細同軸ケーブルの接
続方法において、前記配線基板面に突出して２つの凸部
を形成し、前記凸部に、前記配線基板面に沿って貫通し
て複数の穴を形成し、前記凸部で区切られた面のうち、
一方の面に前記外部導体を接続するための第１の無電解
メッキ配線を形成し、他方の面に前記中心導体を接続す
るための第２の無電解メッキ配線を形成し、前記極細同
軸ケーブルの端部の前記中心導体を電気的接続に必要な
長さ露出させ、この露出後の極細同軸ケーブルを前記穴
に通して前記中心導体を前記第２の無電解メッキ配線の
位置に配置した後、前記第１の無電解メッキ配線の位置
の前記外部導体を露出させ、前記中心導体および前記第
２の無電解メッキ配線の接続部と、前記外部導体および
前記第１の無電解メッキ配線の接続部とを、噴流半田浴
を通過させることによって一括して半田付けを行うこと
を特徴としている。

【００１７】また、本発明の極細同軸ケーブルの接続方
法は、中心導体の外周に絶縁体を介して外部導体を配置
し、この外部導体を絶縁被覆して成る極細同軸ケーブル
を、配線基板に電気的に接続する極細同軸ケーブルの接
続方法において、前記配線基板面に突出して２つの凸部
を形成し、前記凸部に、前記配線基板面に沿って貫通し
て複数の穴を形成し、前記凸部で区切られた面のうち、
一方の面に前記外部導体を接続するための第１の無電解
メッキ配線を形成し、他方の面に前記中心導体を接続す
るための第２の無電解メッキ配線を形成し、前記第１お
よび第２の無電解メッキ配線に更にクリーム半田を塗布
し、前記極細同軸ケーブルの端部の前記中心導体を電気
的接続に必要な長さ露出させ、この露出後の極細同軸ケ
ーブルを前記穴に通して前記中心導体を前記第２の無電
解メッキ配線の位置に配置した後、前記第１の無電解メ
ッキ配線の位置の前記外部導体を露出させ、前記中心導
体および前記第２の無電解メッキ配線の接続部と、前記
外部導体および前記第１の無電解メッキ配線の接続部と
を、リフロー炉を通過させることによって一括して半田
付けを行うことを特徴としている。

【００１８】また、前記中心導体および前記第２の無電
解メッキ配線の接続部と、前記外部導体および前記第１
の無電解メッキ配線の接続部とを、リフロー炉を通過さ
せることに代え、接続部のみにレーザー光を照射するこ
とよって加熱し半田付けを行うことを特徴としている。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して詳細に説明する。

【００２０】（第１の実施の形態）図１は、本発明の第
１の実施の形態に係る極細同軸ケーブルを接続する３次
元射出成形基板の構成を示す斜視図である。

【００２１】図１に示す３次元射出成形基板（極細同軸
ケーブルアセンブリ）１１は、直方体の上面に突出した
２つの凸部１２，１３を有する形状を成しており、その
上面と直角な位置関係にある各凸部１２，１３の側面
に、図３および図４に示した極細同軸ケーブル２を整列
させるための多数の穴１４，１５が横一列に形成されて
いる。これらの穴１４，１５は、凸部１２，１３の短手
方向に上面と平行に貫通して形成されると共に、凸部１
２，１３の各々に同数ずつ形成されており、一方の凸部
１２の穴１４と他方の凸部１３の穴１５とが対向した位
置関係となっている。

【００２２】また、３次元射出成形基板１１における各
凸部１２，１３で区切られた２つの上面のうち、凸部１
２と凸部１３間の上面には、極細同軸ケーブル２のシー
ルド導体９を接続するためのグランド配線１６が形成さ
れ、他方の上面には、中心導体７を接続するための配線
１７が形成されている。各配線１６，１７におけるシー
ルド導体９又は中心導体７の接続部には、穴１４，１５
のピッチに合わせてＵ字又はＶ字の溝が切られており、
その上に無電解メッキで銅メッキ、錫メッキが施されて
いる。

【００２３】また、図には示していないが、各配線１
６，１７からは、極細同軸ケーブル２の電気的接続の対
象となる電機部品と電気的に接続すべく配線が延びて回
路パターンが形成されている。

【００２４】このような構成の３次元射出成形基板１１
に、プローブケーブル１の極細同軸ケーブル２を接続す
る場合の方法を、図２を参照して説明する。

【００２５】まず、プローブケーブル１のジャケット
６、シールド導体５およびシース４を、３次元射出成形
基板１１の概略長手方向の長さ除去して極細同軸ケーブ
ルユニット３を露出させる。次に、極細同軸ケーブル２
の端部のジャケット１０、シールド導体９および絶縁体
８を除去して中心導体７を電気的接続に必要な長さ露出
させ、導通を確認しながら穴１４，１５に通す。

【００２６】全ての穴１４，１５を通し終えたら、シー
ルド導体９を、グランド配線１６に接続させるに必要な
長さに露出させる。その後、無電解メッキが施されたグ
ランド配線１６とシールド導体９との間、および無電解
メッキが施された配線１７と中心導体７との間に異方導
電性接着剤を介在させて配線接続を行う。

【００２７】このように、第１の実施の形態によれば、
３次元射出成形基板１１を、その上面に突出して２つの
凸部１２，１３を形成し、この凸部１２，１３に、上面
に沿って貫通して複数の穴１４，１５を形成し、凸部１
２，１３で区切られた上面のうち、一方の上面に極細同
軸ケーブル２のシールド導体９を接続するための無電解
メッキを施したグランド配線１６を形成し、他方の面に
極細同軸ケーブル２の中心導体７を接続するための無電
解メッキを施した配線１７を形成した構成とした。

【００２８】そして、極細同軸ケーブル２の中心導体７
を電気的接続に必要な長さ露出させ、この露出後の極細
同軸ケーブル２を穴１４，１５に通して中心導体７を配
線１７の位置に配置した後、グランド配線１６の位置の
シールド導体９を露出させ、中心導体７と配線１７との
間、シールド導体９とグランド配線１６との間に、異方
導電性接着剤を介在させて接続を行うようにした。

【００２９】このような構成の３次元射出成形基板１１
を所望の装置に用いれば、プローブケーブル１における
極細同軸ケーブル２の接続工程が、上記方法のように簡
略化されるので、多数の極細同軸ケーブル２を所望の装
置に容易に接続することができ、初心者でも極細同軸ケ
ーブル２の接続が可能となる。

【００３０】また、シールド導体９および中心導体７を
一括して接続できるため、生産効率が向上する。さら
に、半田を使用しないため極細同軸ケーブル２の接続部
に、熱影響が加わらなくなった。つまり、基板のケーブ
ル接続付近の部材に及ぼされる熱による悪影響を無くす
ことができる。

【００３１】この他、３次元射出成形基板１１は、例え
ば、銅メッキ部がニッケルメッキであるものとか、ケー
ブル接続部が表裏２面あるものなど様々な応用展開を図
ることが可能である。また、３次元射出成形基板１１
は、２次元では困難な回路パターンを形成することがで
きる。

【００３２】（第２の実施の形態）本発明の第２の実施
の形態に係る極細同軸ケーブルの接続方法について説明
する。

【００３３】この極細同軸ケーブルの接続方法は、第１
の実施の形態で説明した３次元射出成形基板１１を用
い、第１の実施の形態で説明した接続方法と同様に、極
細同軸ケーブル２の中心導体７を露出させて穴１４，１
５に通し、シールド導体９を露出させた後、グランド配
線１６とシールド導体９との接続部、および、配線１７
と中心導体７との接続部を、噴流半田浴を通過させるこ
とによって一括して半田付けを行う。

【００３４】このように、第２の実施の形態の極細同軸
ケーブルの接続方法によれば、グランド配線１６とシー
ルド導体９、および、配線１７と中心導体７との複数の
接続部を一括して半田付けを行うことができる。従っ
て、従来のように、極細同軸ケーブル２を１心ずつ手作
業で半田付けを行うことによって接続に非常に手間がか
かるといったことが無くなる。初心者でも極細同軸ケー
ブル２の半田付けが可能となる。また、シールド導体９
および中心導体７を一括して半田付けできるため、生産
効率が向上する。

【００３５】この他、半田浴については、錫・鉛共晶半
田のみならず錫・銀・銅からなる鉛フリー半田などの適
用が可能である。

【００３６】（第３の実施の形態）本発明の第３の実施
の形態に係る極細同軸ケーブルを接続する３次元射出成
形基板および極細同軸ケーブルの接続方法について説明
する。

【００３７】この第３の実施の形態の３次元射出成形基
板は、第１の実施の形態で説明した３次元射出成形基板
１１とほぼ同構成であるが、異なる点は、第１の実施の
形態同様にＵ字又はＶ字の溝の上に無電解メッキで銅メ
ッキ、錫メッキを施した後、さらに錫・鉛共晶半田のク
リーム半田を塗布した点にある。

【００３８】そして、第３の実施の形態の極細同軸ケー
ブルの接続方法は、上記構成の３次元射出成形基板を用
い、まず、第１の実施の形態で説明した接続方法と同様
に、極細同軸ケーブル２の中心導体７を露出させて穴１
４，１５に通し、シールド導体９を露出させた後、グラ
ンド配線１６とシールド導体９との接続部、および、配
線１７と中心導体７との接続部を、リフロー炉を通過さ
せることによって一括して半田付けを行う。

【００３９】このように、第３の実施の形態による３次
元射出成形基板を用いた極細同軸ケーブルの接続方法に
よれば、グランド配線１６とシールド導体９、および、
配線１７と中心導体７との複数の接続部を一括して半田
付けを行うことができる。従って、従来のように、極細
同軸ケーブル２を１心ずつ手作業で半田付けを行うこと
によって接続に非常に手間がかかるといったことが無く
なる。初心者でも極細同軸ケーブル２の半田付けが可能
となる。また、シールド導体９および中心導体７を一括
して半田付けできるため、生産効率が向上する。

【００４０】この他、各接続部に半導体レーザを照射し
て半田付けを行っても良い。この方法は、接続部のみに
レーザを照射して半田付けするため、接続部以外への熱
影響が低減できる。

【００４１】また、レーザ半田付けの場合、錫・鉛共晶
半田のみならず錫・銀・銅からなる鉛フリー半田などの
適用が可能であり、このように、錫・鉛共晶半田に比べ
て融点が高い鉛フリー半田を適用した際にも、半田付け
部以外の熱影響を抑えることができる。

【００４２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
中心導体の外周に絶縁体を介して外部導体を配置し、こ
の外部導体を絶縁被覆して成る極細同軸ケーブルを、配
線基板に電気的に接続する場合に、配線基板面に突出し
て２つの凸部を形成し、凸部に、配線基板面に沿って貫
通して複数の穴を形成し、凸部で区切られた面のうち、
一方の面に外部導体を接続するための第１の無電解メッ
キ配線を形成し、他方の面に中心導体を接続するための
第２の無電解メッキ配線を形成し、この後、極細同軸ケ
ーブルの端部の中心導体を電気的接続に必要な長さ露出
させ、この露出後の極細同軸ケーブルを穴に通して中心
導体を第２の無電解メッキ配線の位置に配置した後、第
１の無電解メッキ配線の位置の外部導体を露出させ、中
心導体と第２の無電解メッキ配線との間、外部導体と第
１の無電解メッキ配線との間に、異方導電性接着剤を介
在させて接続を行うようにした。

【００４３】これによって、多数の極細同軸ケーブルを
装置の基板に容易に接続することができ、また、基板の
ケーブル接続付近の部材に及ぼされる熱による悪影響を
無くすことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る極細同軸ケー
ブルを接続する３次元射出成形基板の構成を示す斜視図
である。

【図２】上記３次元射出成形基板にプローブケーブルの
極細同軸ケーブルを接続する場合の方法を説明するため
の図である。

【図３】医療用超音波診断装置の本体と探触子をつなぐ
プローブケーブルの断面図である。

【図４】上記プローブケーブルにおける極細同軸ケーブ
ルの断面図である。

【符号の説明】

１ プローブケーブル ２ 極細同軸ケーブル ３ 極細同軸ケーブルユニット ４ シース ５，９ シールド導体 ６，１０ ジャケット ７ 中心導体 ８ 絶縁体 １１ ３次元射出成形基板 １２，１３ 凸部 １４，１５ 貫通した穴 １６ グランド配線 １７ 極細同軸ケーブル２の中心導体７を接続する配線

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 間野 哲 東京都千代田区大手町一丁目６番１号 日 立電線株式会社内 (72)発明者 市川 貴朗 東京都千代田区大手町一丁目６番１号 日 立電線株式会社内 (72)発明者 上野 仁志 東京都千代田区大手町一丁目６番１号 日 立電線株式会社内 (72)発明者 国井 正史 東京都千代田区大手町一丁目６番１号 日 立電線株式会社内 (72)発明者 田中 寛大 東京都千代田区大手町一丁目６番１号 日 立電線株式会社内 (72)発明者 木本 大輔 東京都千代田区大手町一丁目６番１号 日 立電線株式会社内 (72)発明者 青山 正義 東京都千代田区大手町一丁目６番１号 日 立電線株式会社内 Ｆターム(参考） 5E077 BB06 BB26 BB37 DD01 DD04 JJ02 JJ05 5E085 BB04 BB30 CC03 DD01 DD05 GG03 HH01 JJ22

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 中心導体の外周に絶縁体を介して外部導
   体を配置し、この外部導体を絶縁被覆して成る極細同軸
   ケーブルが、配線基板に電気的に接続される極細同軸ケ
   ーブルアセンブリにおいて、 前記配線基板面に突出して形成された２つの凸部と、 前記凸部に、前記配線基板面に沿って貫通して形成され
   た複数の穴と、 前記凸部で区切られた面のうち、一方の面に前記外部導
   体を接続するために形成された第１の無電解メッキ配線
   および、他方の面に前記中心導体を接続するために形成
   された第２の無電解メッキ配線とを備えたことを特徴と
   する極細同軸ケーブルアセンブリ。
2. 【請求項２】 前記第１および第２の無電解メッキ配線
   は、前記複数の穴の各々に対応させて配線基板面に形成
   されたＵ字又はＶ字の溝に、導電性材料による無電解メ
   ッキが施されて形成されることを特徴とする請求項１記
   載の極細同軸ケーブルアセンブリ。
3. 【請求項３】 前記凸部を有する配線基板は、３次元射
   出成形によって形成されることを特徴とする請求項１記
   載の極細同軸ケーブルアセンブリ。
4. 【請求項４】 前記極細同軸ケーブルの端部の露出され
   た前記中心導体が、前記穴に通されて前記第２の無電解
   メッキ配線の位置に配置されると共に、前記極細同軸ケ
   ーブルの露出された前記外部導体が前記第２の無電解メ
   ッキ配線の位置に配置され、前記中心導体と前記第２の
   無電解メッキ配線との間、前記外部導体と前記第１の無
   電解メッキ配線との間に、異方導電性接着剤が介在され
   て接続されていることを特徴とする請求項１記載の極細
   同軸ケーブルアセンブリ。
5. 【請求項５】 前記極細同軸ケーブルの端部の露出され
   た前記中心導体が、前記穴に通されて前記第２の無電解
   メッキ配線の位置に配置されると共に、前記極細同軸ケ
   ーブルの露出された前記外部導体が前記第２の無電解メ
   ッキ配線の位置に配置され、前記中心導体および前記第
   ２の無電解メッキ配線の接続部と、前記外部導体および
   前記第１の無電解メッキ配線の接続部とが、噴流半田浴
   の通過による一括した半田付けで接続されていることを
   特徴とする請求項１記載の極細同軸ケーブルアセンブ
   リ。
6. 【請求項６】 前記極細同軸ケーブルの端部の露出され
   た前記中心導体が、前記穴に通されて前記第２の無電解
   メッキ配線の位置に配置されると共に、前記極細同軸ケ
   ーブルの露出された前記外部導体が前記第２の無電解メ
   ッキ配線の位置に配置され、前記中心導体および前記第
   ２の無電解メッキ配線の接続部と、前記外部導体および
   前記第１の無電解メッキ配線の接続部とが、クリーム半
   田による半田付けで接続されていることを特徴とする請
   求項１記載の極細同軸ケーブルアセンブリ。
7. 【請求項７】 中心導体の外周に絶縁体を介して外部導
   体を配置し、この外部導体を絶縁被覆して成る極細同軸
   ケーブルを、配線基板に電気的に接続する極細同軸ケー
   ブルの接続方法において、 前記配線基板面に突出して２つの凸部を形成し、前記凸
   部に、前記配線基板面に沿って貫通して複数の穴を形成
   し、前記凸部で区切られた面のうち、一方の面に前記外
   部導体を接続するための第１の無電解メッキ配線を形成
   し、他方の面に前記中心導体を接続するための第２の無
   電解メッキ配線を形成し、 前記極細同軸ケーブルの端部の前記中心導体を電気的接
   続に必要な長さ露出させ、この露出後の極細同軸ケーブ
   ルを前記穴に通して前記中心導体を前記第２の無電解メ
   ッキ配線の位置に配置した後、前記第１の無電解メッキ
   配線の位置の前記外部導体を露出させ、前記中心導体と
   前記第２の無電解メッキ配線との間、前記外部導体と前
   記第１の無電解メッキ配線との間に、異方導電性接着剤
   を介在させて接続を行うことを特徴とする極細同軸ケー
   ブルの接続方法。
8. 【請求項８】 中心導体の外周に絶縁体を介して外部導
   体を配置し、この外部導体を絶縁被覆して成る極細同軸
   ケーブルを、配線基板に電気的に接続する極細同軸ケー
   ブルの接続方法において、 前記配線基板面に突出して２つの凸部を形成し、前記凸
   部に、前記配線基板面に沿って貫通して複数の穴を形成
   し、前記凸部で区切られた面のうち、一方の面に前記外
   部導体を接続するための第１の無電解メッキ配線を形成
   し、他方の面に前記中心導体を接続するための第２の無
   電解メッキ配線を形成し、 前記極細同軸ケーブルの端部の前記中心導体を電気的接
   続に必要な長さ露出させ、この露出後の極細同軸ケーブ
   ルを前記穴に通して前記中心導体を前記第２の無電解メ
   ッキ配線の位置に配置した後、前記第１の無電解メッキ
   配線の位置の前記外部導体を露出させ、前記中心導体お
   よび前記第２の無電解メッキ配線の接続部と、前記外部
   導体および前記第１の無電解メッキ配線の接続部とを、
   噴流半田浴を通過させることによって一括して半田付け
   を行うことを特徴とする極細同軸ケーブルの接続方法。
9. 【請求項９】 中心導体の外周に絶縁体を介して外部導
   体を配置し、この外部導体を絶縁被覆して成る極細同軸
   ケーブルを、配線基板に電気的に接続する極細同軸ケー
   ブルの接続方法において、 前記配線基板面に突出して２つの凸部を形成し、前記凸
   部に、前記配線基板面に沿って貫通して複数の穴を形成
   し、前記凸部で区切られた面のうち、一方の面に前記外
   部導体を接続するための第１の無電解メッキ配線を形成
   し、他方の面に前記中心導体を接続するための第２の無
   電解メッキ配線を形成し、前記第１および第２の無電解
   メッキ配線に更にクリーム半田を塗布し、 前記極細同軸ケーブルの端部の前記中心導体を電気的接
   続に必要な長さ露出させ、この露出後の極細同軸ケーブ
   ルを前記穴に通して前記中心導体を前記第２の無電解メ
   ッキ配線の位置に配置した後、前記第１の無電解メッキ
   配線の位置の前記外部導体を露出させ、前記中心導体お
   よび前記第２の無電解メッキ配線の接続部と、前記外部
   導体および前記第１の無電解メッキ配線の接続部とを、
   リフロー炉を通過させることによって一括して半田付け
   を行うことを特徴とする極細同軸ケーブルの接続方法。
10. 【請求項１０】 前記中心導体および前記第２の無電解
    メッキ配線の接続部と、前記外部導体および前記第１の
    無電解メッキ配線の接続部とを、リフロー炉を通過させ
    ることに代え、接続部のみにレーザー光を照射すること
    よって加熱し半田付けを行うことを特徴とする請求項９
    記載の極細同軸ケーブルの接続方法。