JP2003163138A - 固体電解コンデンサ及びその製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサ及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】陰極体を構成する粒子が電解質層に浸透するこ
とを妨げることなく、誘電体層上に生じた欠陥部に前記
陰極体を構成する粒子が付着することによって起こる絶
縁破壊を未然に防ぐことで漏れ電流の低減を実現し、良
好な固体電解コンデンサ及びその製造方法を提供する。 【解決手段】素子リード線を埋設し、弁作用金属粉末を
焼結してなる陽極体の表面上に誘電体層が形成され、係
る誘電体層上に形成された電解質層上に陰極体及び銀ペ
ースト層が形成され、前記素子リード線及び前記銀ペー
スト層のそれぞれに外部端子が接続され、係る外部端子
を露出させる態様で樹脂封止を施してなり、前記電解質
層内には前記陰極体を構成する粒子が含有された固体電
解コンデンサにおいて、前記誘電体層と電解質層との間
に非導電性の粒子を介在せしめてなることを特徴とす
る。
とを妨げることなく、誘電体層上に生じた欠陥部に前記
陰極体を構成する粒子が付着することによって起こる絶
縁破壊を未然に防ぐことで漏れ電流の低減を実現し、良
好な固体電解コンデンサ及びその製造方法を提供する。 【解決手段】素子リード線を埋設し、弁作用金属粉末を
焼結してなる陽極体の表面上に誘電体層が形成され、係
る誘電体層上に形成された電解質層上に陰極体及び銀ペ
ースト層が形成され、前記素子リード線及び前記銀ペー
スト層のそれぞれに外部端子が接続され、係る外部端子
を露出させる態様で樹脂封止を施してなり、前記電解質
層内には前記陰極体を構成する粒子が含有された固体電
解コンデンサにおいて、前記誘電体層と電解質層との間
に非導電性の粒子を介在せしめてなることを特徴とす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する分野】本発明は、固体電解コンデンサ及
びその製造方法に関するものである。
びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、固体電解コンデンサは、陽極
−誘電体−電解質層−陰極の構成となっており、一般的
に陽極として弁作用を有する金属（弁作用金属）の表層
に誘電体層として酸化被膜（以下、誘電体層とする）を
形成し、その上に半導体層として固体電解質層が形成さ
れると共に陰極としてグラファイト等の陰極体を形成し
た構造となっている。ここで、弁作用金属とは、陽極酸
化によって厚みの制御可能な酸化被膜を形成させること
のできる金属であり、Ｎｂ、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｈｆ、
Ｚｒなどをさすが、現実的にはＡｌ、Ｔａの２つが主に
使用されている。このうち、Ａｌについてはエッチング
箔を陽極として使用することが多く、Ｔａは粉末焼結さ
れ多孔質体を形成し、それを陽極に用いている。多孔質
焼結体タイプの電解コンデンサは、固体電解コンデンサ
の中でも特に小型大容量化が可能であるため、携帯電
話、情報端末機器などの小型化のニーズにマッチした部
品として強い需要がある。
−誘電体−電解質層−陰極の構成となっており、一般的
に陽極として弁作用を有する金属（弁作用金属）の表層
に誘電体層として酸化被膜（以下、誘電体層とする）を
形成し、その上に半導体層として固体電解質層が形成さ
れると共に陰極としてグラファイト等の陰極体を形成し
た構造となっている。ここで、弁作用金属とは、陽極酸
化によって厚みの制御可能な酸化被膜を形成させること
のできる金属であり、Ｎｂ、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｈｆ、
Ｚｒなどをさすが、現実的にはＡｌ、Ｔａの２つが主に
使用されている。このうち、Ａｌについてはエッチング
箔を陽極として使用することが多く、Ｔａは粉末焼結さ
れ多孔質体を形成し、それを陽極に用いている。多孔質
焼結体タイプの電解コンデンサは、固体電解コンデンサ
の中でも特に小型大容量化が可能であるため、携帯電
話、情報端末機器などの小型化のニーズにマッチした部
品として強い需要がある。
【０００３】以下に、Ｔａ固体電解コンデンサの従来の
構造及び製造方法について図面を用いて説明する。図５
は、Ｔａ固体電解コンデンサの従来の構成を示す断面図
である。図５に示すように、Ｔａを用いた従来の固体電
解コンデンサ１は、素子リード線１１ａが埋設されたＴ
ａ混合粉末を焼結してなる陽極体１１の表面に誘電体層
１２が形成され、固体電解質層として炭素粉末等を含有
する導電性高分子層が前記誘電体層１２の表面に形成さ
れている。また、半導体層として形成された前記電解質
層１３上には、陰極としての機能を有するグラファイト
ペースト層１４と、Ａｇペースト層１５とが形成されて
いる。このようにして、前記陽極体１１側の素子リード
線１１ａ及び前記Ａｇペースト層１５のそれぞれにリー
ドフレーム５２が接合され、係るリードフレーム５２を
露出させる態様で、全体が樹脂５１でモールド外装され
る。
構造及び製造方法について図面を用いて説明する。図５
は、Ｔａ固体電解コンデンサの従来の構成を示す断面図
である。図５に示すように、Ｔａを用いた従来の固体電
解コンデンサ１は、素子リード線１１ａが埋設されたＴ
ａ混合粉末を焼結してなる陽極体１１の表面に誘電体層
１２が形成され、固体電解質層として炭素粉末等を含有
する導電性高分子層が前記誘電体層１２の表面に形成さ
れている。また、半導体層として形成された前記電解質
層１３上には、陰極としての機能を有するグラファイト
ペースト層１４と、Ａｇペースト層１５とが形成されて
いる。このようにして、前記陽極体１１側の素子リード
線１１ａ及び前記Ａｇペースト層１５のそれぞれにリー
ドフレーム５２が接合され、係るリードフレーム５２を
露出させる態様で、全体が樹脂５１でモールド外装され
る。
【０００４】次に、Ｔａ固体電解コンデンサの従来の製
造方法について図６を用いて説明する。 （１）Ｔａ多孔質体の形成（Ｓ１） Ｔａ粉末調合 プレス成形性を向上させるためにＴａ粉末にバインダー
を添加して混合する。 プレス・焼結 前記Ｔａ混合粉末の中に陽極の素子リード線を挿入し、
円柱状又は直方体状にプレス成形する。ついで、そのプ
レス成形品を高真空中（１０−４Ｐａ以下）で，１３０
０〜２０００℃に加熱することによって焼結し、Ｔａ多
孔質体、すなわち陽極体を形成する。
造方法について図６を用いて説明する。 （１）Ｔａ多孔質体の形成（Ｓ１） Ｔａ粉末調合 プレス成形性を向上させるためにＴａ粉末にバインダー
を添加して混合する。 プレス・焼結 前記Ｔａ混合粉末の中に陽極の素子リード線を挿入し、
円柱状又は直方体状にプレス成形する。ついで、そのプ
レス成形品を高真空中（１０−４Ｐａ以下）で，１３０
０〜２０００℃に加熱することによって焼結し、Ｔａ多
孔質体、すなわち陽極体を形成する。
【０００５】（２）誘電体層形成（Ｓ２）
化成処理（Ｓ２ａ）
前記Ｔａ多孔質体を陽極として対向電極とともに燐酸な
どの電解液中に浸漬し、化成電圧を印加することによっ
てＴａ多孔質体表面に誘電体となるＴａ酸化皮膜を形成
する（陽極酸化法）。このとき、化成電圧の条件（Ｖｆ
（フォーメーションボルト））により誘電体層（Ｔａ酸
化皮膜）の厚さが決まり、コンデンサとしての特性が決
定される。なお、前記電解液は、その濃度を０．６容量
％とした燐酸水溶液などが用いられる。
どの電解液中に浸漬し、化成電圧を印加することによっ
てＴａ多孔質体表面に誘電体となるＴａ酸化皮膜を形成
する（陽極酸化法）。このとき、化成電圧の条件（Ｖｆ
（フォーメーションボルト））により誘電体層（Ｔａ酸
化皮膜）の厚さが決まり、コンデンサとしての特性が決
定される。なお、前記電解液は、その濃度を０．６容量
％とした燐酸水溶液などが用いられる。
【０００６】（３）電解質層形成（Ｓ３）
前段階で形成されたＴａ多孔質体の酸化皮膜の上に、半
導体層として固体電解質層が形成される。（Ｓ３ａ） 固体電解質としては、二酸化マンガンや、ピロール、チ
オフェン及びその誘導体を重合させた導電性高分子など
を用いる。ここで、例えば固体電解質としてピロール重
合体を用いた場合には、表面に誘電体層が形成された陽
極体をモノマー溶液を用いて化学重合、電解重合させる
ことによって固体電解質層が形成される。また、固体電
解質層としてマンガンを用いる場合には、表面に誘電体
層が形成された陽極体を硝酸マンガン等に浸漬して加熱
処理等を順次行うことにより固体電解質層が形成され
る。
導体層として固体電解質層が形成される。（Ｓ３ａ） 固体電解質としては、二酸化マンガンや、ピロール、チ
オフェン及びその誘導体を重合させた導電性高分子など
を用いる。ここで、例えば固体電解質としてピロール重
合体を用いた場合には、表面に誘電体層が形成された陽
極体をモノマー溶液を用いて化学重合、電解重合させる
ことによって固体電解質層が形成される。また、固体電
解質層としてマンガンを用いる場合には、表面に誘電体
層が形成された陽極体を硝酸マンガン等に浸漬して加熱
処理等を順次行うことにより固体電解質層が形成され
る。
【０００７】（４）再化成工程（Ｓ４）
次に、前記固体電解質層の形成工程時、特にマンガンを
固体電解質層の成分として選択した場合には、その工程
中に行われる熱処理によって前記誘電体層が破壊されて
いる箇所がある。この誘電体層の破壊箇所を再び修復す
るために、誘電体層及び固体電解質層が順次形成された
陽極体を化成液に再び浸漬する。
固体電解質層の成分として選択した場合には、その工程
中に行われる熱処理によって前記誘電体層が破壊されて
いる箇所がある。この誘電体層の破壊箇所を再び修復す
るために、誘電体層及び固体電解質層が順次形成された
陽極体を化成液に再び浸漬する。
【０００８】（５）陰極体形成（Ｓ５）
グラファイトペースト層形成（Ｓ５ａ）、Ａｇペースト
層形成（Ｓ６） 前記固体電解質層の上に陰極体としての機能を有するグ
ラファイト層、さらにＡｇペースト層を形成する。 （６）リードフレーム接合（Ｓ７）、モールド外装（Ｓ
８） 次に、陽極の素子リード線にリードフレーム陽極部をス
ポット溶接によって接合し、Ａｇペースト層にリードフ
レーム陰極部を導電性接着剤によって接合する。最後に
全体を樹脂でモールド外装し、図４に示すような構造の
Ｔａ固体電解コンデンサが完成する。
層形成（Ｓ６） 前記固体電解質層の上に陰極体としての機能を有するグ
ラファイト層、さらにＡｇペースト層を形成する。 （６）リードフレーム接合（Ｓ７）、モールド外装（Ｓ
８） 次に、陽極の素子リード線にリードフレーム陽極部をス
ポット溶接によって接合し、Ａｇペースト層にリードフ
レーム陰極部を導電性接着剤によって接合する。最後に
全体を樹脂でモールド外装し、図４に示すような構造の
Ｔａ固体電解コンデンサが完成する。
【０００９】従来の固体電解コンデンサにおいては、前
記電解質層には多数の空隙が存在し、この空隙には、前
記電解質層上に形成される陰極層の形成物質である導電
性の粒子が入り込んでいる。このような現象が顕著であ
ると、固体電解コンデンサ自体のＥＳＲ（等価直列抵
抗）を低下させるといった利点に加え、高周波でも容量
を出すことができるという点で有利な効果をもたらす。
しかしながら、電解質層の空隙に入り込んだ陰極体を形
成する物質（導電性物質）が、誘電体層上の欠陥部に達
すると、その部分に電界が集中し、発熱し、誘電体層の
結晶化が起こり、誘電体層の絶縁破壊が生じやすくな
る。ここで、前記誘電体層上の欠陥部分とは、一般に
は、当初予定していた誘電体層の厚さとは著しく厚さの
異なる領域を指し、現在の固体電解コンデンサの製法に
おいては、生じざるを得ない部分である。
記電解質層には多数の空隙が存在し、この空隙には、前
記電解質層上に形成される陰極層の形成物質である導電
性の粒子が入り込んでいる。このような現象が顕著であ
ると、固体電解コンデンサ自体のＥＳＲ（等価直列抵
抗）を低下させるといった利点に加え、高周波でも容量
を出すことができるという点で有利な効果をもたらす。
しかしながら、電解質層の空隙に入り込んだ陰極体を形
成する物質（導電性物質）が、誘電体層上の欠陥部に達
すると、その部分に電界が集中し、発熱し、誘電体層の
結晶化が起こり、誘電体層の絶縁破壊が生じやすくな
る。ここで、前記誘電体層上の欠陥部分とは、一般に
は、当初予定していた誘電体層の厚さとは著しく厚さの
異なる領域を指し、現在の固体電解コンデンサの製法に
おいては、生じざるを得ない部分である。
【００１０】本発明は、以上の従来技術における問題に
鑑みてなされたものであり、陰極体を構成する粒子が電
解質層に浸透することを妨げることなく、誘電体層上に
生じた欠陥部に前記陰極体を構成する粒子が付着するこ
とによって起こる絶縁破壊を未然に防ぐことで漏れ電流
の低減を実現し、良好な固体電解コンデンサ及びその製
造方法を提供することを目的とする。
鑑みてなされたものであり、陰極体を構成する粒子が電
解質層に浸透することを妨げることなく、誘電体層上に
生じた欠陥部に前記陰極体を構成する粒子が付着するこ
とによって起こる絶縁破壊を未然に防ぐことで漏れ電流
の低減を実現し、良好な固体電解コンデンサ及びその製
造方法を提供することを目的とする。
【００１１】前記課題を解決するために提供する本願第
一の発明に係る固体電解コンデンサは、素子リード線を
埋設し、弁作用金属粉末を焼結してなる陽極体の表面上
に誘電体層が形成され、係る誘電体層上に形成された電
解質層上に陰極体が形成され、その陰極体上に銀ペース
ト層が形成され、前記素子リード線及び前記銀ペースト
層のそれぞれに外部端子が接続され、係る外部端子を露
出させる態様で樹脂封止を施してなり、前記電解質層内
には前記陰極体を構成する粒子が含有された固体電解コ
ンデンサにおいて、前記誘電体層と電解質層との間に非
導電性の粒子を介在せしめてなることを特徴とする。
一の発明に係る固体電解コンデンサは、素子リード線を
埋設し、弁作用金属粉末を焼結してなる陽極体の表面上
に誘電体層が形成され、係る誘電体層上に形成された電
解質層上に陰極体が形成され、その陰極体上に銀ペース
ト層が形成され、前記素子リード線及び前記銀ペースト
層のそれぞれに外部端子が接続され、係る外部端子を露
出させる態様で樹脂封止を施してなり、前記電解質層内
には前記陰極体を構成する粒子が含有された固体電解コ
ンデンサにおいて、前記誘電体層と電解質層との間に非
導電性の粒子を介在せしめてなることを特徴とする。
【００１２】係る構成とすることにより、モールド実装
及びはんだ実装における熱膨張や熱収縮等で、陰極体を
形成し、電解質層に存在する導電性の粒子が誘電体層に
必要以上に接触し、電界集中が生じるのを防ぐことがで
きる。従って、誘電体層の絶縁破壊によるショート不良
を未然に防止し、製品の歩留まりを向上させることがで
きる。
及びはんだ実装における熱膨張や熱収縮等で、陰極体を
形成し、電解質層に存在する導電性の粒子が誘電体層に
必要以上に接触し、電界集中が生じるのを防ぐことがで
きる。従って、誘電体層の絶縁破壊によるショート不良
を未然に防止し、製品の歩留まりを向上させることがで
きる。
【００１３】前記課題を解決するために提供する本願第
二の発明に係る固体電解コンデンサは、請求項１に記載
の固体電解コンデンサにおいて、前記非導電性の粒子が
前記誘電体層上の凹部をなす領域に配置されたことを特
徴とする。
二の発明に係る固体電解コンデンサは、請求項１に記載
の固体電解コンデンサにおいて、前記非導電性の粒子が
前記誘電体層上の凹部をなす領域に配置されたことを特
徴とする。
【００１４】係る構成とすることにより、不均一な厚さ
で形成された誘電体層上の領域に生じる深刻な電界集中
を防ぐことができる。前記不均一な厚さ、とは特にＴ
ａ中への不純物混入や、化成工程における電流の不均
一や、外部からの機械的ストレス等、止むを得ない事
情で部分的に薄くなった部分である。このような領域
は、予定通りの厚さで形成された領域よりも電界集中が
生じやすく、この領域の電界集中を未然に防ぐことによ
って、製品の歩留まりを向上させることができる。
で形成された誘電体層上の領域に生じる深刻な電界集中
を防ぐことができる。前記不均一な厚さ、とは特にＴ
ａ中への不純物混入や、化成工程における電流の不均
一や、外部からの機械的ストレス等、止むを得ない事
情で部分的に薄くなった部分である。このような領域
は、予定通りの厚さで形成された領域よりも電界集中が
生じやすく、この領域の電界集中を未然に防ぐことによ
って、製品の歩留まりを向上させることができる。
【００１５】前記課題を解決するために提供する本願第
三の発明に係る固体電解コンデンサは、請求項１に記載
の固体電解コンデンサにおいて、前記非導電性の粒子
は、前記電解質層及び誘電体層の界面と陽極体表面との
距離が前記誘電体層の厚さの平均よりも小となる連続的
な領域に配置されたことを特徴とする。
三の発明に係る固体電解コンデンサは、請求項１に記載
の固体電解コンデンサにおいて、前記非導電性の粒子
は、前記電解質層及び誘電体層の界面と陽極体表面との
距離が前記誘電体層の厚さの平均よりも小となる連続的
な領域に配置されたことを特徴とする。
【００１６】係る構成とすることにより、不均一な厚さ
で形成された誘電体層上の領域に生じる深刻な電界集中
を防ぐことができる。
で形成された誘電体層上の領域に生じる深刻な電界集中
を防ぐことができる。
【００１７】前記課題を解決するために提供する本願第
四の発明に係る固体電解コンデンサは、請求項２又は請
求項３の何れか一に記載の固体電解コンデンサにおい
て、前記非導電性の粒子は、前記誘電体層の表面上と陰
極体を形成する粒子との間に存在することを特徴とす
る。
四の発明に係る固体電解コンデンサは、請求項２又は請
求項３の何れか一に記載の固体電解コンデンサにおい
て、前記非導電性の粒子は、前記誘電体層の表面上と陰
極体を形成する粒子との間に存在することを特徴とす
る。
【００１８】係る構成とすることにより、誘電体層表面
上の不完全な領域に導電性の粒子（陰極体を構成する粒
子）が直接付着することを防止し、誘電体層の絶縁破壊
を防ぎ、製品の歩留まりを向上させる。
上の不完全な領域に導電性の粒子（陰極体を構成する粒
子）が直接付着することを防止し、誘電体層の絶縁破壊
を防ぎ、製品の歩留まりを向上させる。
【００１９】前記課題を解決するために提供する本願第
五の発明に係る固体電解コンデンサは、請求項１乃至請
求項４の何れか一に記載の固体電解コンデンサにおい
て、前記非導電性の粒子の大きさの平均は、前記陰極体
を形成する粒子の大きさの平均よりも小であることを特
徴とする。
五の発明に係る固体電解コンデンサは、請求項１乃至請
求項４の何れか一に記載の固体電解コンデンサにおい
て、前記非導電性の粒子の大きさの平均は、前記陰極体
を形成する粒子の大きさの平均よりも小であることを特
徴とする。
【００２０】係る構成とすることにより、非導電性の粒
子を効率よく誘電体層上に付着させることができる。
子を効率よく誘電体層上に付着させることができる。
【００２１】前記課題を解決するために提供する本願第
六の発明に係る固体電解コンデンサの製造方法は、素子
リード線を埋設し、弁作用金属粉末を焼結して陽極体を
形成する工程と、その陽極体の表面上に誘電体層を形成
する工程と、前記誘電体層上に電解質層を形成する工程
と、非導電性のコロイド粒子を分散したコロイド溶液に
浸漬し、乾燥して前記誘電体層と前記電解質層との間に
非導電性の粒子を介在せしめる工程と、前記電解質層上
に陰極体及び銀ペースト層を形成して、前記素子リード
線及び前記銀ペースト層のそれぞれに外部端子を接続
し、係る外部端子を露出させる態様で樹脂封止を施して
なることを特徴とする。
六の発明に係る固体電解コンデンサの製造方法は、素子
リード線を埋設し、弁作用金属粉末を焼結して陽極体を
形成する工程と、その陽極体の表面上に誘電体層を形成
する工程と、前記誘電体層上に電解質層を形成する工程
と、非導電性のコロイド粒子を分散したコロイド溶液に
浸漬し、乾燥して前記誘電体層と前記電解質層との間に
非導電性の粒子を介在せしめる工程と、前記電解質層上
に陰極体及び銀ペースト層を形成して、前記素子リード
線及び前記銀ペースト層のそれぞれに外部端子を接続
し、係る外部端子を露出させる態様で樹脂封止を施して
なることを特徴とする。
【００２２】係る方法を採用することにより、モールド
実装及びはんだ実装における熱膨張や熱収縮等で、陰極
体を形成し、電解質層に存在する導電性の粒子が誘電体
層に必要以上に接触し、電界集中が生じるのを防ぐこと
ができる。従って、誘電体層の絶縁破壊によるショート
不良を未然に防止し、製品の歩留まりを向上させること
ができる。
実装及びはんだ実装における熱膨張や熱収縮等で、陰極
体を形成し、電解質層に存在する導電性の粒子が誘電体
層に必要以上に接触し、電界集中が生じるのを防ぐこと
ができる。従って、誘電体層の絶縁破壊によるショート
不良を未然に防止し、製品の歩留まりを向上させること
ができる。
【００２３】前記課題を解決するために提供する本願第
七の発明に係る固体電解コンデンサの製造方法は、素子
リード線を埋設し、弁作用金属粉末を焼結して陽極体を
形成する工程と、その陽極体の表面上に誘電体層を形成
する工程と、前記誘電体層上に電解質層を形成する工程
と、非導電性のコロイド粒子を分散したコロイド溶液に
浸漬し、乾燥して誘電体層表面上の凹部をなす領域上に
前記コロイド粒子を存在させる工程と、前記電解質層上
に陰極体及び銀ペースト層を形成して、前記素子リード
線及び前記銀ペースト層のそれぞれに外部端子を接続
し、係る外部端子を露出させる態様で樹脂封止を施して
なることを特徴とする。
七の発明に係る固体電解コンデンサの製造方法は、素子
リード線を埋設し、弁作用金属粉末を焼結して陽極体を
形成する工程と、その陽極体の表面上に誘電体層を形成
する工程と、前記誘電体層上に電解質層を形成する工程
と、非導電性のコロイド粒子を分散したコロイド溶液に
浸漬し、乾燥して誘電体層表面上の凹部をなす領域上に
前記コロイド粒子を存在させる工程と、前記電解質層上
に陰極体及び銀ペースト層を形成して、前記素子リード
線及び前記銀ペースト層のそれぞれに外部端子を接続
し、係る外部端子を露出させる態様で樹脂封止を施して
なることを特徴とする。
【００２４】係る方法を採用することにより、不均一な
厚さで形成された誘電体層上に生じる深刻な電界集中を
防ぐことができる。
厚さで形成された誘電体層上に生じる深刻な電界集中を
防ぐことができる。
【００２５】前記課題を解決するために提供する本願第
八の発明に係る固体電解コンデンサの製造方法は、素子
リード線を埋設し、弁作用金属粉末を焼結して陽極体を
形成する工程と、その陽極体の表面上に誘電体層を形成
する工程と、前記誘電体層上に電解質層を形成する工程
と、非導電性のコロイド粒子を分散したコロイド溶液に
減圧下で浸漬し、乾燥して前記電解質層及び誘電体層の
界面と陽極体表面との距離が前記誘電体層の厚さの平均
よりも小となる誘電体層表面上の領域に前記コロイド粒
子を存在させる工程と、前記電解質層上に陰極体及び銀
ペースト層を形成して、前記素子リード線及び前記銀ペ
ースト層のそれぞれに外部端子を接続し、係る外部端子
を露出させる態様で樹脂封止を施してなることを特徴と
する。
八の発明に係る固体電解コンデンサの製造方法は、素子
リード線を埋設し、弁作用金属粉末を焼結して陽極体を
形成する工程と、その陽極体の表面上に誘電体層を形成
する工程と、前記誘電体層上に電解質層を形成する工程
と、非導電性のコロイド粒子を分散したコロイド溶液に
減圧下で浸漬し、乾燥して前記電解質層及び誘電体層の
界面と陽極体表面との距離が前記誘電体層の厚さの平均
よりも小となる誘電体層表面上の領域に前記コロイド粒
子を存在させる工程と、前記電解質層上に陰極体及び銀
ペースト層を形成して、前記素子リード線及び前記銀ペ
ースト層のそれぞれに外部端子を接続し、係る外部端子
を露出させる態様で樹脂封止を施してなることを特徴と
する。
【００２６】係る方法を採用することにより、不均一な
厚さで形成された誘電体層上に生じる深刻な電界集中を
防ぐことができる。
厚さで形成された誘電体層上に生じる深刻な電界集中を
防ぐことができる。
【００２７】前記課題を解決するために提供する本願第
九の発明に係る固体電解コンデンサの製造方法は、請求
項６乃至請求項８の何れか一に記載の固体電解コンデン
サの製造方法において、前記非導電性の粒子の大きさの
平均は、前記陰極体を形成する粒子の大きさの平均より
も小であることを特徴とする。
九の発明に係る固体電解コンデンサの製造方法は、請求
項６乃至請求項８の何れか一に記載の固体電解コンデン
サの製造方法において、前記非導電性の粒子の大きさの
平均は、前記陰極体を形成する粒子の大きさの平均より
も小であることを特徴とする。
【００２８】係る方法を採用することにより、非導電性
の粒子を効率よく誘電体層上に付着させることができる
の粒子を効率よく誘電体層上に付着させることができる
【００２９】以下に、本発明に係る固体電解コンデンサ
及びその製造方法の一実施の形態について図面を参照し
て説明する。図１は、本発明に係る固体電解コンデンサ
の一実施の形態における構成を示す断面図である。図１
に示すように、本発明に係る固体電解コンデンサ１は、
コンデンサ素子１０と、そのコンデンサ素子１０の陽極
部及び陰極部のそれぞれが直接的又は間接的にリードフ
レーム５２に接合され、モールド樹脂５１によって封止
されてなる。前記コンデンサ素子１０は、Ｔａよりなる
素子リード線１１ａが埋設されたＴａ混合粉末を焼結し
てなる陽極体１１の表面に誘電体層１２が形成され、そ
の誘電体層１２の表面に電解質層１３及び陰極体１４が
形成されてなる。この電解質層１３は、前記誘電体層１
２の表面に形成される導電性高分子１３１からなる。ま
た、前記電解質層１３を包むように、前記陰極体１４と
してグラファイトペースト層１４１が形成され、Ａｇペ
ースト層１５が前記陰極体１４上に形成されている。こ
こで、前記陽極部とは、陽極体１１形成時に挿入された
素子リード線１１ａを指し、この素子リード線１１ａの
表面には、接合される前記リードフレーム５２に導通さ
せるために前記誘電体層１２の形成は施されていない。
また、前記陰極部とは、前記Ａｇペースト層１５のよう
に、前記リードフレーム５２が接合され、コンデンサ素
子１０の陰極体１４と導通した最外殻の部分（又は層）
を指すものである。すなわち、前記リードフレーム５２
は、陽極部である素子リード線１１ａ及び陰極部である
Ａｇペースト層１５のそれぞれに陽極端子及び陰極端子
として接合されている。なお、前記陰極端子側のリード
フレーム５２とＡｇペースト層１５とは導電性接着剤５
３によって接合されている。また、前記陽極体１１は焼
結体であるため、その表面に形成された誘電体層１２及
び陰極体１３は図１に示すように形成されるわけではな
く、図１はあくまでもそれらの構成を模式的に示した図
である。
及びその製造方法の一実施の形態について図面を参照し
て説明する。図１は、本発明に係る固体電解コンデンサ
の一実施の形態における構成を示す断面図である。図１
に示すように、本発明に係る固体電解コンデンサ１は、
コンデンサ素子１０と、そのコンデンサ素子１０の陽極
部及び陰極部のそれぞれが直接的又は間接的にリードフ
レーム５２に接合され、モールド樹脂５１によって封止
されてなる。前記コンデンサ素子１０は、Ｔａよりなる
素子リード線１１ａが埋設されたＴａ混合粉末を焼結し
てなる陽極体１１の表面に誘電体層１２が形成され、そ
の誘電体層１２の表面に電解質層１３及び陰極体１４が
形成されてなる。この電解質層１３は、前記誘電体層１
２の表面に形成される導電性高分子１３１からなる。ま
た、前記電解質層１３を包むように、前記陰極体１４と
してグラファイトペースト層１４１が形成され、Ａｇペ
ースト層１５が前記陰極体１４上に形成されている。こ
こで、前記陽極部とは、陽極体１１形成時に挿入された
素子リード線１１ａを指し、この素子リード線１１ａの
表面には、接合される前記リードフレーム５２に導通さ
せるために前記誘電体層１２の形成は施されていない。
また、前記陰極部とは、前記Ａｇペースト層１５のよう
に、前記リードフレーム５２が接合され、コンデンサ素
子１０の陰極体１４と導通した最外殻の部分（又は層）
を指すものである。すなわち、前記リードフレーム５２
は、陽極部である素子リード線１１ａ及び陰極部である
Ａｇペースト層１５のそれぞれに陽極端子及び陰極端子
として接合されている。なお、前記陰極端子側のリード
フレーム５２とＡｇペースト層１５とは導電性接着剤５
３によって接合されている。また、前記陽極体１１は焼
結体であるため、その表面に形成された誘電体層１２及
び陰極体１３は図１に示すように形成されるわけではな
く、図１はあくまでもそれらの構成を模式的に示した図
である。
【００３０】ここで、本発明に係る固体電解コンデンサ
の構造、特に前記コンデンサ素子の構造について、図２
を参照して以下に説明する。図２は、本発明に係る固体
電解コンデンサにおけるコンデンサ素子の断面図であ
る。図２に示すように、本発明に係る固体電解質コンデ
ンサのコンデンサ素子１０は、表面及び内部に多数の凹
凸部を有する焼結体である陽極体１１と、その陽極体１
１の表面に形成された誘電体層１２と、係る誘電体層１
２の表面上に形成された電解質層１３と、これらを包む
ように形成された陰極体１４（グラファイトペースト層
１４１）と、Ａｇペースト層１５とからなる。この電解
質層１３は、前記誘電体層１２の表面及び空隙部１３３
に充填されるように形成された導電性高分子１３１から
なるものである。ここで、導電性高分子１３１のさらな
る導電性向上を目的としてＳｎＯ２、ＺｎＯの粉末、そ
れらを被覆した無機粒子（ＴｉＯ２、ＢａＳＯ４な
ど）、カーボンブラック、黒鉛、カーボン繊維などのカ
ーボン系導電性フィラーなどを添加することも可能であ
る。上記添加剤の含有量は特に限定しないが、導電性高
分子１００重量部に対して４０００重量部以下の割合で
あることが望ましい。４０００重量部以下を越える場合
には導電層の粘度が上がり、塗布ムラの原因となる恐れ
がある。また、前記電解質層１３には、多数の空隙部が
形成されており、この空隙部内にグラファイト粒子等導
電性の粒子が適正量存在することで、電解質層１３が半
導体層としての機能をなすと共に、ＥＳＲを低下させる
働きがある。ここで、本発明に係る固体電解コンデンサ
においては、誘電体層１２の表面（電解質層１３形成側
の面）が凹部を形成している領域（１２１）、すなわち
誘電体層１２の平均厚さよりも著しく小の領域に前記非
導電性粒子１００ａを介してグラファイト粒子１４１ａ
が付着している。これは、電解質層１３内に存在するグ
ラファイト粒子１４１のうち、誘電体層１２の表面側
で、前記凹部１２１内に存在しするグラファイト粒子１
４１ａが誘電体層１２に接触することを防ぐための構成
であり、このように非導電性粒子１００ａがグラファイ
ト粒子１４１ａと誘電体層１２との接触を妨げることに
よって、凹部１２１における電界集中を防ぐことができ
る。さらに、前記非導電性粒子１００ａの大きさは、電
解質層１３内のグラファイト粒子１４１ａが誘電体層１
２に接触することを可能な限り防止するために、非導電
性粒子１００ａの大きさ＜グラファイト粒子１４１ａの
大きさとする。
の構造、特に前記コンデンサ素子の構造について、図２
を参照して以下に説明する。図２は、本発明に係る固体
電解コンデンサにおけるコンデンサ素子の断面図であ
る。図２に示すように、本発明に係る固体電解質コンデ
ンサのコンデンサ素子１０は、表面及び内部に多数の凹
凸部を有する焼結体である陽極体１１と、その陽極体１
１の表面に形成された誘電体層１２と、係る誘電体層１
２の表面上に形成された電解質層１３と、これらを包む
ように形成された陰極体１４（グラファイトペースト層
１４１）と、Ａｇペースト層１５とからなる。この電解
質層１３は、前記誘電体層１２の表面及び空隙部１３３
に充填されるように形成された導電性高分子１３１から
なるものである。ここで、導電性高分子１３１のさらな
る導電性向上を目的としてＳｎＯ２、ＺｎＯの粉末、そ
れらを被覆した無機粒子（ＴｉＯ２、ＢａＳＯ４な
ど）、カーボンブラック、黒鉛、カーボン繊維などのカ
ーボン系導電性フィラーなどを添加することも可能であ
る。上記添加剤の含有量は特に限定しないが、導電性高
分子１００重量部に対して４０００重量部以下の割合で
あることが望ましい。４０００重量部以下を越える場合
には導電層の粘度が上がり、塗布ムラの原因となる恐れ
がある。また、前記電解質層１３には、多数の空隙部が
形成されており、この空隙部内にグラファイト粒子等導
電性の粒子が適正量存在することで、電解質層１３が半
導体層としての機能をなすと共に、ＥＳＲを低下させる
働きがある。ここで、本発明に係る固体電解コンデンサ
においては、誘電体層１２の表面（電解質層１３形成側
の面）が凹部を形成している領域（１２１）、すなわち
誘電体層１２の平均厚さよりも著しく小の領域に前記非
導電性粒子１００ａを介してグラファイト粒子１４１ａ
が付着している。これは、電解質層１３内に存在するグ
ラファイト粒子１４１のうち、誘電体層１２の表面側
で、前記凹部１２１内に存在しするグラファイト粒子１
４１ａが誘電体層１２に接触することを防ぐための構成
であり、このように非導電性粒子１００ａがグラファイ
ト粒子１４１ａと誘電体層１２との接触を妨げることに
よって、凹部１２１における電界集中を防ぐことができ
る。さらに、前記非導電性粒子１００ａの大きさは、電
解質層１３内のグラファイト粒子１４１ａが誘電体層１
２に接触することを可能な限り防止するために、非導電
性粒子１００ａの大きさ＜グラファイト粒子１４１ａの
大きさとする。
【００３１】次に、本発明に係る固体電解コンデンサの
一実施の形態における製造方法について図面を参照して
以下に説明する。ここで、本発明に係る固体電解コンデ
ンサ及びその製造方法の実施の形態に記載された溶液の
濃度表記は特別な記載がない限り容量％を意味するもの
とする。図３は、本発明に係る固体電解コンデンサの一
実施の形態における製造方法を示すフローチャートであ
る。図３に示すように、まず、 （１）Ｔａ多孔質体（陽極体）の形成（Ｓ１０１） Ｔａ粉末調合 プレス成形性を向上させるためにＴａ粉末にバインダー
を添加して混合する。 プレス・焼結 前記Ｔａ混合粉末の中に陽極の素子リード線を挿入し、
円柱状及び直方体状にプレス成形する。ついで、そのプ
レス成形品を高真空中（１０−４Ｐａ以下）で，１４０
０〜２０００℃に加熱することによって焼結し、Ｔａ多
孔質体（陽極体）を形成する。
一実施の形態における製造方法について図面を参照して
以下に説明する。ここで、本発明に係る固体電解コンデ
ンサ及びその製造方法の実施の形態に記載された溶液の
濃度表記は特別な記載がない限り容量％を意味するもの
とする。図３は、本発明に係る固体電解コンデンサの一
実施の形態における製造方法を示すフローチャートであ
る。図３に示すように、まず、 （１）Ｔａ多孔質体（陽極体）の形成（Ｓ１０１） Ｔａ粉末調合 プレス成形性を向上させるためにＴａ粉末にバインダー
を添加して混合する。 プレス・焼結 前記Ｔａ混合粉末の中に陽極の素子リード線を挿入し、
円柱状及び直方体状にプレス成形する。ついで、そのプ
レス成形品を高真空中（１０−４Ｐａ以下）で，１４０
０〜２０００℃に加熱することによって焼結し、Ｔａ多
孔質体（陽極体）を形成する。
【００３２】（２）誘電体層形成（Ｓ１０２）
（化成処理（Ｓ１０２ａ））
前記Ｔａ多孔質体を陽極として対向電極とともに燐酸な
どの電解水溶液中に浸漬し、化成電圧を印加することに
よってＴａ多孔質体表面に誘電体層となるＴａ酸化皮膜
を形成する（陽極酸化法）。このとき、化成電圧の条件
（Ｖｆ（フォーメーションボルト））によりＴａ酸化皮
膜の厚さが決まり、コンデンサとしての特性が決定され
る。なお、電解液としては、その濃度を０．６％とした
燐酸水溶液などが用いられる。また、このようにして表
面に誘電体層が形成された陽極体を化成体として、以下
に説明を続ける。
どの電解水溶液中に浸漬し、化成電圧を印加することに
よってＴａ多孔質体表面に誘電体層となるＴａ酸化皮膜
を形成する（陽極酸化法）。このとき、化成電圧の条件
（Ｖｆ（フォーメーションボルト））によりＴａ酸化皮
膜の厚さが決まり、コンデンサとしての特性が決定され
る。なお、電解液としては、その濃度を０．６％とした
燐酸水溶液などが用いられる。また、このようにして表
面に誘電体層が形成された陽極体を化成体として、以下
に説明を続ける。
【００３３】（３）電解質層形成（Ｓ１０３）
本願発明における電解質層は導電性高分子からなる。
・導電性高分子層形成（Ｓ１０３ａ）
本願発明における半導体層として機能する主要な要素で
ある電解質層の形成には、導電性高分子が用いられる。
この導電性高分子材料としては、ピロール、チオフェン
及びその誘導体を重合させた導電性高分子などが用いら
れる。従って、この電解質層の形成は、前記誘電体層の
形成後に、酸化剤に浸漬し、乾燥した後、モノマー溶液
に浸漬することによってなされる。
ある電解質層の形成には、導電性高分子が用いられる。
この導電性高分子材料としては、ピロール、チオフェン
及びその誘導体を重合させた導電性高分子などが用いら
れる。従って、この電解質層の形成は、前記誘電体層の
形成後に、酸化剤に浸漬し、乾燥した後、モノマー溶液
に浸漬することによってなされる。
【００３４】（４）再化成工程（Ｓ１０４）
次に、前記誘電体の修復を目的として前記化成処理（Ｓ
１０２ａ）を再び行う。
１０２ａ）を再び行う。
【００３５】（５）非導電性粒子配置工程（Ｓ１０５）
非導電性の粒子を誘電体層上に（配置）付着させる方法
としては、まず、非導電性の粒子を予めコロイド粒子と
して用意し、溶媒に分散させてコロイド溶液を作成す
る。このとき、コロイド溶液の所要は、０．１重量％〜
５重量％のシリカ水溶液とした。このようにして作成さ
れたコロイド溶液に再化成工程まで施した化成体を浸漬
する。その後、浸漬された化成体を１００℃〜１５０℃
で乾燥、すなわち、溶媒に分散された非導電性の粒子を
電解質層の空隙部等及び前記凹部の細部に入り込ませ、
溶媒を気化させる。
としては、まず、非導電性の粒子を予めコロイド粒子と
して用意し、溶媒に分散させてコロイド溶液を作成す
る。このとき、コロイド溶液の所要は、０．１重量％〜
５重量％のシリカ水溶液とした。このようにして作成さ
れたコロイド溶液に再化成工程まで施した化成体を浸漬
する。その後、浸漬された化成体を１００℃〜１５０℃
で乾燥、すなわち、溶媒に分散された非導電性の粒子を
電解質層の空隙部等及び前記凹部の細部に入り込ませ、
溶媒を気化させる。
【００３６】（６）陰極体形成（Ｓ１０６）
グラファイト層形成（Ｓ１０６ａ）
そして、前記電解質層１３を包むように、グラファイト
からなる陰極体を形成する。
からなる陰極体を形成する。
【００３７】（７）Ａｇペースト層形成（Ｓ１０７）
その後、前記陰極体と陰極端子との接合を良好にするた
めに前記陰極体の上にＡｇペースト層を形成する。
めに前記陰極体の上にＡｇペースト層を形成する。
【００３８】（８）リードフレーム接合（Ｓ１０８）
次に、陽極の素子リード線にリードフレーム陽極部をス
ポット溶接によって接合し、Ａｇペースト層にリードフ
レーム陰極部を導電性接着剤によって接合する。
ポット溶接によって接合し、Ａｇペースト層にリードフ
レーム陰極部を導電性接着剤によって接合する。
【００３９】（９）モールド外装（Ｓ１０９）
最後に全体を樹脂でモールド外装し、図１に示すような
構成のＴａ固体電解コンデンサが完成する。
構成のＴａ固体電解コンデンサが完成する。
【００４０】（実施例）このようにして製造される本発
明に係る固体電解コンデンサの製造工程中のＬＣ不良率
及び実装後のＬＣ不良率のそれぞれについて、従来の製
造方法によって得られた固体電解コンデンサと比較した
結果を表１に示す。ここで、本発明に使用したコロイド
粒子（非導電性粒子）の平均の大きさ（径）は陰極体を
形成する導電性粒子（グラファイト粒子）の平均の大き
さ（径）を５．０×１０−６ｍ〜２．０×１０−５ｍと
し、電解質層の空隙の平均の大きさ（径）を１．０×１
０−６ｍ〜１．０×１０−４ｍとしたとき、１．０×１
０− ９ｍ〜１．０×１０−７ｍとしたものである。
明に係る固体電解コンデンサの製造工程中のＬＣ不良率
及び実装後のＬＣ不良率のそれぞれについて、従来の製
造方法によって得られた固体電解コンデンサと比較した
結果を表１に示す。ここで、本発明に使用したコロイド
粒子（非導電性粒子）の平均の大きさ（径）は陰極体を
形成する導電性粒子（グラファイト粒子）の平均の大き
さ（径）を５．０×１０−６ｍ〜２．０×１０−５ｍと
し、電解質層の空隙の平均の大きさ（径）を１．０×１
０−６ｍ〜１．０×１０−４ｍとしたとき、１．０×１
０− ９ｍ〜１．０×１０−７ｍとしたものである。
【表１】
表１に示されるように、非導電性粒子を誘電体層上の凹
部（一般には欠陥部とも呼ばれる）に、導電性の粒子の
付着を遮断するように付着させることによって、工程中
及び実装後におけるＬＣ不良率が格段に低下することが
分かる。
部（一般には欠陥部とも呼ばれる）に、導電性の粒子の
付着を遮断するように付着させることによって、工程中
及び実装後におけるＬＣ不良率が格段に低下することが
分かる。
【００４１】以上説明したように、本発明に係る固体電
解コンデンサ及びその製造方法によれば、非導電性の粒
子が誘電体層と電解質層との間、特に前記誘電体層上の
欠陥部と前記電解質との間に所定の密度で介在している
ことにより、陰極体を形成している導電性粒子が前記欠
陥部に付着することを防ぐことができる。すなわち、前
記導電性粒子等の導電性物質が前記欠陥部に直接付着す
ることによって引き起こされる電界集中を未然に防ぎ、
結果として誘電体層の絶縁破壊を防止することができ
る。
解コンデンサ及びその製造方法によれば、非導電性の粒
子が誘電体層と電解質層との間、特に前記誘電体層上の
欠陥部と前記電解質との間に所定の密度で介在している
ことにより、陰極体を形成している導電性粒子が前記欠
陥部に付着することを防ぐことができる。すなわち、前
記導電性粒子等の導電性物質が前記欠陥部に直接付着す
ることによって引き起こされる電界集中を未然に防ぎ、
結果として誘電体層の絶縁破壊を防止することができ
る。
【図１】本発明に係る固体電解コンデンサの一実施の形
態における構成を示す断面図である。
態における構成を示す断面図である。
【図２】本発明に係る固体電解コンデンサの一実施の形
態における構造を示す模式断面図である。
態における構造を示す模式断面図である。
【図３】本発明に係る固体電解コンデンサの製造方法の
一実施の形態を示すフローチャートである。
一実施の形態を示すフローチャートである。
【図４】従来における固体電解コンデンサの構造を示す
断面図である。
断面図である。
【図５】従来における固体電解コンデンサの製造方法を
示すフローチャートである。
示すフローチャートである。
１．固体電解コンデンサ
１０．コンデンサ素子
１１．陽極体
１２．誘電体層
１３．電解質層
１４．陰極体
１５．銀ペースト層
５１．外装樹脂
５２．リードフレーム
５３．導電性接着剤
１００．非導電性粒子
１２１．欠陥部
１３１．導電性高分子
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 船屋 修
富山県下新川郡入善町入膳560番地 富山
日本電気株式会社内
Claims (9)
- 【請求項１】素子リード線を埋設し、弁作用金属粉末を
焼結してなる陽極体の表面上に誘電体層が形成され、係
る誘電体層上に形成された電解質層上に陰極体が形成さ
れ、その陰極体上に銀ペースト層が形成され、前記素子
リード線及び前記銀ペースト層のそれぞれに外部端子が
接続され、係る外部端子を露出させる態様で樹脂封止を
施してなり、前記電解質層内には前記陰極体を構成する
粒子が含有された固体電解コンデンサにおいて、前記誘
電体層と電解質層との間に非導電性の粒子を介在せしめ
てなることを特徴とする固体電解コンデンサ。 - 【請求項２】前記非導電性の粒子が前記誘電体層上の凹
部をなす領域に配置されたことを特徴とする請求項１に
記載の固体電解コンデンサ。 - 【請求項３】前記非導電性の粒子は、前記電解質層及び
誘電体層の界面と陽極体表面との距離が前記誘電体層の
厚さの平均よりも小となる連続的な領域に配置されたこ
とを特徴とする請求項１に記載の固体電解コンデンサ。 - 【請求項４】前記非導電性の粒子は、前記誘電体層の表
面上と陰極体を形成する粒子との間に存在することを特
徴とする請求項２又は請求項３の何れか一に記載の固体
電解コンデンサ。 - 【請求項５】前記非導電性の粒子の大きさの平均は、前
記陰極体を形成する粒子の大きさの平均よりも小である
ことを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れか一に記
載の固体電解コンデンサ。 - 【請求項６】素子リード線を埋設し、弁作用金属粉末を
焼結して陽極体を形成する工程と、その陽極体の表面上
に誘電体層を形成する工程と、前記誘電体層上に電解質
層を形成する工程と、非導電性のコロイド粒子を分散し
たコロイド溶液に浸漬し、乾燥して前記誘電体層と前記
電解質層との間に非導電性の粒子を介在せしめる工程
と、前記電解質層上に陰極体及び銀ペースト層を形成し
て、前記素子リード線及び前記銀ペースト層のそれぞれ
に外部端子を接続し、係る外部端子を露出させる態様で
樹脂封止を施してなることを特徴とする固体電解コンデ
ンサの製造方法。 - 【請求項７】素子リード線を埋設し、弁作用金属粉末を
焼結して陽極体を形成する工程と、その陽極体の表面上
に誘電体層を形成する工程と、前記誘電体層上に電解質
層を形成する工程と、非導電性のコロイド粒子を分散し
たコロイド溶液に浸漬し、乾燥して誘電体層表面上の凹
部をなす領域上に前記コロイド粒子を存在させる工程
と、前記電解質層上に陰極体及び銀ペースト層を形成し
て、前記素子リード線及び前記銀ペースト層のそれぞれ
に外部端子を接続し、係る外部端子を露出させる態様で
樹脂封止を施してなることを特徴とする固体電解コンデ
ンサの製造方法。 - 【請求項８】素子リード線を埋設し、弁作用金属粉末を
焼結して陽極体を形成する工程と、その陽極体の表面上
に誘電体層を形成する工程と、前記誘電体層上に電解質
層を形成する工程と、非導電性のコロイド粒子を分散し
たコロイド溶液に減圧下で浸漬し、乾燥して前記電解質
層及び誘電体層の界面と陽極体表面との距離が前記誘電
体層の厚さの平均よりも小となる誘電体層表面上の領域
に前記コロイド粒子を存在させる工程と、前記電解質層
上に陰極体及び銀ペースト層を形成して、前記素子リー
ド線及び前記銀ペースト層のそれぞれに外部端子を接続
し、係る外部端子を露出させる態様で樹脂封止を施して
なることを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。 - 【請求項９】前記非導電性の粒子の大きさの平均は、前
記陰極体を形成する粒子の大きさの平均よりも小である
ことを特徴とする請求項６乃至請求項８の何れか一に記
載の固体電解コンデンサの製造方法。
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