JP2003140980A - 記録装置 - Google Patents
記録装置Info
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- JP2003140980A JP2003140980A JP2001334243A JP2001334243A JP2003140980A JP 2003140980 A JP2003140980 A JP 2003140980A JP 2001334243 A JP2001334243 A JP 2001334243A JP 2001334243 A JP2001334243 A JP 2001334243A JP 2003140980 A JP2003140980 A JP 2003140980A
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/08—Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
- G06F11/10—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
- G06F11/1008—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
- G06F11/1068—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices in sector programmable memories, e.g. flash disk
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Television Signal Processing For Recording (AREA)
- Studio Devices (AREA)
- Debugging And Monitoring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 システムにおける実効記録レートが、書き込
みデータのレートを下回ってしまうことに起因するシス
テム破綻を回避する。 【解決手段】 データの書き込みを可能とするデータ領
域、及び上記データ領域に書き込まれるデータの管理情
報を書き込み可能な管理領域を含むメモリ部(11)
と、上記メモリ部の動作を制御するメモリコントロール
部(14)とを含んで記録装置が構成されるとき、上記
データ領域での書き込みエラーに対しては同じデータの
再書き込みを指示することなく、次のデータの書き込み
を指示し、上記管理領域での書き込みエラーに対しては
同じデータの再書き込みを指示するための制御手段(1
5)を設けることにより、実効記録レートが、書き込み
データのレートを下回るのを回避する。
みデータのレートを下回ってしまうことに起因するシス
テム破綻を回避する。 【解決手段】 データの書き込みを可能とするデータ領
域、及び上記データ領域に書き込まれるデータの管理情
報を書き込み可能な管理領域を含むメモリ部(11)
と、上記メモリ部の動作を制御するメモリコントロール
部(14)とを含んで記録装置が構成されるとき、上記
データ領域での書き込みエラーに対しては同じデータの
再書き込みを指示することなく、次のデータの書き込み
を指示し、上記管理領域での書き込みエラーに対しては
同じデータの再書き込みを指示するための制御手段(1
5)を設けることにより、実効記録レートが、書き込み
データのレートを下回るのを回避する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、記録装置に関し、
例えばフラッシュメモリを含む記録装置に適用して有効
な技術に関する。
例えばフラッシュメモリを含む記録装置に適用して有効
な技術に関する。
【0002】
【従来の技術】不揮発性メモリの一例であるフラッシュ
メモリは、電気的な消去・書き込みによって情報を書換
え可能であって、EPROM(エレクトリカリ・プログ
ラマブル・リード・オンリ・メモリ)と同様に、そのメ
モリセルを1個のトランジスタで構成することができ、
メモリセルの全てを一括して、またはメモリセルのブロ
ックを一括して電気的に消去する機能を持つ。カード状
に形成された記録装置における記録媒体として、フラッ
シュメモリを提供するものがある。例えば、JEIDA
メモリカード(タイプI)、すなわち、JEIDAメモ
リカードインタフェースに適合されたインタフェースを
持つメモリカードは、その一例とされる。この種のメモ
リカードは、ローカルメモリとカードコントローラを備
え、両者はローカルバスで接続され、全体としてカード
基板に構成されている。ローカルメモリは、数メガビッ
トの記憶容量を持つフラッシュメモリを複数個配列して
成る。上記カードコントローラは、上記JEIDAに適
合するインタフェースを介してフラッシュメモリを制御
する。
メモリは、電気的な消去・書き込みによって情報を書換
え可能であって、EPROM(エレクトリカリ・プログ
ラマブル・リード・オンリ・メモリ)と同様に、そのメ
モリセルを1個のトランジスタで構成することができ、
メモリセルの全てを一括して、またはメモリセルのブロ
ックを一括して電気的に消去する機能を持つ。カード状
に形成された記録装置における記録媒体として、フラッ
シュメモリを提供するものがある。例えば、JEIDA
メモリカード(タイプI)、すなわち、JEIDAメモ
リカードインタフェースに適合されたインタフェースを
持つメモリカードは、その一例とされる。この種のメモ
リカードは、ローカルメモリとカードコントローラを備
え、両者はローカルバスで接続され、全体としてカード
基板に構成されている。ローカルメモリは、数メガビッ
トの記憶容量を持つフラッシュメモリを複数個配列して
成る。上記カードコントローラは、上記JEIDAに適
合するインタフェースを介してフラッシュメモリを制御
する。
【0003】特開平2−289997号公報には一括消
去型EEPROM(エレクトリカリ・イレーザブル・ア
ンド・プログラマブル・リード・オンリ・メモリ)につ
いて記載されている。この一括消去型EEPROMは、
本明細書におけるフラッシュメモリと同意義に把握する
ことができる。
去型EEPROM(エレクトリカリ・イレーザブル・ア
ンド・プログラマブル・リード・オンリ・メモリ)につ
いて記載されている。この一括消去型EEPROMは、
本明細書におけるフラッシュメモリと同意義に把握する
ことができる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ビデオカメラにおける
動画データの記録媒体として、フラッシュメモリカード
を採用することができる。動画データはリアルタイム性
が重要とされるため、フラッシュメモリカードへの動画
データの書き込みが円滑に行われなければならない。ビ
デオカメラにおける動画データのようにリアルタイム性
が重視される場合の記録媒体としては、最小書き込み時
間を保証することによって、システム破綻を回避する必
要がある。本願発明者の検討によれば、この動画像デー
タのようなリアルタイム性を優先するデータをフラッシ
ュメモリカードに書き込む場合、平均書き込み速度が、
書き込みデータのレート以上であってもシステムの破綻
を来す場合のあることが見いだされた。例えば、平均書
き込み速度が、書き込みデータのレート以上であるにも
かかわらず、書き込みエラー発生による同一データの再
書き込み等の発生により、あるセクタへの書き込みに対
する時間が所定時間を超える場合には、システムにおけ
る実効記録レートが、書き込みデータのレートを下回っ
てしまい、その結果、システムの破綻を来すことが考え
られる。
動画データの記録媒体として、フラッシュメモリカード
を採用することができる。動画データはリアルタイム性
が重要とされるため、フラッシュメモリカードへの動画
データの書き込みが円滑に行われなければならない。ビ
デオカメラにおける動画データのようにリアルタイム性
が重視される場合の記録媒体としては、最小書き込み時
間を保証することによって、システム破綻を回避する必
要がある。本願発明者の検討によれば、この動画像デー
タのようなリアルタイム性を優先するデータをフラッシ
ュメモリカードに書き込む場合、平均書き込み速度が、
書き込みデータのレート以上であってもシステムの破綻
を来す場合のあることが見いだされた。例えば、平均書
き込み速度が、書き込みデータのレート以上であるにも
かかわらず、書き込みエラー発生による同一データの再
書き込み等の発生により、あるセクタへの書き込みに対
する時間が所定時間を超える場合には、システムにおけ
る実効記録レートが、書き込みデータのレートを下回っ
てしまい、その結果、システムの破綻を来すことが考え
られる。
【0005】本発明の目的は、システムにおける実効記
録レートが、書き込みデータのレートを下回ってしまう
ことに起因するシステム破綻を回避するための技術を提
供することにある。
録レートが、書き込みデータのレートを下回ってしまう
ことに起因するシステム破綻を回避するための技術を提
供することにある。
【0006】本発明の前記並びにその他の目的と新規な
特徴は本明細書の記述及び添付図面から明らかになるで
あろう。
特徴は本明細書の記述及び添付図面から明らかになるで
あろう。
【0007】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記
の通りである。
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記
の通りである。
【0008】〔1〕データの書き込みを可能とするデー
タ領域、及び上記データ領域に書き込まれるデータの管
理情報を書き込み可能な管理領域を含むメモリ部と、上
記メモリ部の動作を制御するメモリコントロール部とを
含んで記録装置が構成されるとき、上記データ領域での
書き込みエラーに対しては同じデータの再書き込みを指
示することなく、次のデータの書き込みを指示し、上記
管理領域での書き込みエラーに対しては同じデータの再
書き込みを指示するための制御手段を設ける。ここで、
上記書き込みエラーは、書き込みデータを正しく書き込
むことができなかったことを意味する。再書き込みと
は、同じデータについて再度行われる書き込みを意味す
る。
タ領域、及び上記データ領域に書き込まれるデータの管
理情報を書き込み可能な管理領域を含むメモリ部と、上
記メモリ部の動作を制御するメモリコントロール部とを
含んで記録装置が構成されるとき、上記データ領域での
書き込みエラーに対しては同じデータの再書き込みを指
示することなく、次のデータの書き込みを指示し、上記
管理領域での書き込みエラーに対しては同じデータの再
書き込みを指示するための制御手段を設ける。ここで、
上記書き込みエラーは、書き込みデータを正しく書き込
むことができなかったことを意味する。再書き込みと
は、同じデータについて再度行われる書き込みを意味す
る。
【0009】上記の手段によれば、上記データ領域での
書き込みエラーに対しては同じデータの再書き込みを指
示することなく、次のデータの書き込みを指示すること
により、所定レート以上の書き込み速度を保証すること
によって、実効記録レートが、書き込みデータのレート
を下回るのを回避する。また、上記管理領域での書き込
みエラーに対しては同じデータの再書き込みを指示する
ことにより、管理領域においては、書き込みを行うため
の精度を保証する。例えばリアルタイム性が重視される
動画データの場合、多少のデータエラーが生じたとして
も、それは動画の性質上、それほど影響はない。そこ
で、リアルタイム性が重視されるデータについては、同
じデータの再書き込みを省略することにより、実効記録
レートが、書き込みデータのレートを下回るのを回避し
てシステムの破綻を防止することができる。
書き込みエラーに対しては同じデータの再書き込みを指
示することなく、次のデータの書き込みを指示すること
により、所定レート以上の書き込み速度を保証すること
によって、実効記録レートが、書き込みデータのレート
を下回るのを回避する。また、上記管理領域での書き込
みエラーに対しては同じデータの再書き込みを指示する
ことにより、管理領域においては、書き込みを行うため
の精度を保証する。例えばリアルタイム性が重視される
動画データの場合、多少のデータエラーが生じたとして
も、それは動画の性質上、それほど影響はない。そこ
で、リアルタイム性が重視されるデータについては、同
じデータの再書き込みを省略することにより、実効記録
レートが、書き込みデータのレートを下回るのを回避し
てシステムの破綻を防止することができる。
【0010】〔2〕さらに具体的な態様としては、デー
タの書き込みを可能とするデータ領域、及び上記データ
領域に書き込まれるデータの管理情報を書き込み可能な
管理領域を含むメモリ部と、上記メモリ部の動作に関す
る各種コマンドを発行可能なメモリコントローラと、上
記メモリコントローラから発行されたコマンドに従って
上記メモリ部の動作を制御するためのメモリコントロー
ル部とを含んで記録装置が構成されるとき、上記メモリ
コントロール部は、上記メモリ部に対する書き込みにお
いてエラーを生じた場合に再書き込みを行うことなく、
上記メモリコントローラに対してエラー情報を送出し、
上記メモリコントローラは、上記メモリコントロール部
からエラー情報が伝達されたときの書き込み動作が上記
データ領域に対するものである場合に同じデータの再書
き込みを行うことなく次のデータを書き込むように制御
し、上記メモリコントロール部からエラー情報が伝達さ
れたときの書き込み動作が上記管理領域に対するもので
ある場合には同じデータの再書き込みを制御するように
構成することもできる。
タの書き込みを可能とするデータ領域、及び上記データ
領域に書き込まれるデータの管理情報を書き込み可能な
管理領域を含むメモリ部と、上記メモリ部の動作に関す
る各種コマンドを発行可能なメモリコントローラと、上
記メモリコントローラから発行されたコマンドに従って
上記メモリ部の動作を制御するためのメモリコントロー
ル部とを含んで記録装置が構成されるとき、上記メモリ
コントロール部は、上記メモリ部に対する書き込みにお
いてエラーを生じた場合に再書き込みを行うことなく、
上記メモリコントローラに対してエラー情報を送出し、
上記メモリコントローラは、上記メモリコントロール部
からエラー情報が伝達されたときの書き込み動作が上記
データ領域に対するものである場合に同じデータの再書
き込みを行うことなく次のデータを書き込むように制御
し、上記メモリコントロール部からエラー情報が伝達さ
れたときの書き込み動作が上記管理領域に対するもので
ある場合には同じデータの再書き込みを制御するように
構成することもできる。
【0011】上記の手段によれば、メモリコントローラ
は、上記メモリコントロール部からエラー情報が伝達さ
れたときの書き込み動作が上記データ領域に対するもの
である場合に同じデータの再書き込みを行うことなく次
のデータを書き込むように制御し、上記メモリコントロ
ール部からエラー情報が伝達されたときの書き込み動作
が上記管理領域に対するものである場合には同じデータ
の再書き込みを制御する。かかる制御により、上記デー
タ領域での書き込みエラーに対しては同じデータの再書
き込みを指示することなく、次のデータの書き込みを指
示することにより、所定レート以上の書き込み速度を保
証することによって、実効記録レートが、書き込みデー
タのレートを下回るのを回避することができ、また、上
記管理領域での書き込みエラーに対しては同じデータの
再書き込みを指示することにより、管理領域において
は、書き込みを行うための精度を保証することができ
る。
は、上記メモリコントロール部からエラー情報が伝達さ
れたときの書き込み動作が上記データ領域に対するもの
である場合に同じデータの再書き込みを行うことなく次
のデータを書き込むように制御し、上記メモリコントロ
ール部からエラー情報が伝達されたときの書き込み動作
が上記管理領域に対するものである場合には同じデータ
の再書き込みを制御する。かかる制御により、上記デー
タ領域での書き込みエラーに対しては同じデータの再書
き込みを指示することなく、次のデータの書き込みを指
示することにより、所定レート以上の書き込み速度を保
証することによって、実効記録レートが、書き込みデー
タのレートを下回るのを回避することができ、また、上
記管理領域での書き込みエラーに対しては同じデータの
再書き込みを指示することにより、管理領域において
は、書き込みを行うための精度を保証することができ
る。
【0012】〔3〕このとき、データのリアルタイム性
を優先し、データのリアルタイム性を阻害するような処
理を可能な限り省略するため、上記コントローラには、
上記データ領域に書き込むべきデータについては当該デ
ータの誤り訂正のための符号の付加を省略し、上記管理
領域に書き込むべきデータには当該データの誤り訂正の
ための符号を付加することができる。
を優先し、データのリアルタイム性を阻害するような処
理を可能な限り省略するため、上記コントローラには、
上記データ領域に書き込むべきデータについては当該デ
ータの誤り訂正のための符号の付加を省略し、上記管理
領域に書き込むべきデータには当該データの誤り訂正の
ための符号を付加することができる。
【0013】〔4〕上記メモリコントローラは、上記管
理領域に対する書き込みの場合には、同じデータの再書
き込みを伴う第1書き込みモードを指定するための第1
コマンドを発行し、上記データ領域に対する書き込みの
場合には、同じデータの再書き込みを行わない第2書き
込みモードを指定するための第2コマンドを発行し、さ
らに、上記第2コマンドによって上記第2書き込みモー
ドが指定された状態での書き込みエラーに対しては、同
じデータの再書き込みを行わず、上記第1コマンドによ
って第1書き込みモードが指定された状態での書き込み
エラーに対しては、同じデータの再書き込みを行うよう
に構成することができる。
理領域に対する書き込みの場合には、同じデータの再書
き込みを伴う第1書き込みモードを指定するための第1
コマンドを発行し、上記データ領域に対する書き込みの
場合には、同じデータの再書き込みを行わない第2書き
込みモードを指定するための第2コマンドを発行し、さ
らに、上記第2コマンドによって上記第2書き込みモー
ドが指定された状態での書き込みエラーに対しては、同
じデータの再書き込みを行わず、上記第1コマンドによ
って第1書き込みモードが指定された状態での書き込み
エラーに対しては、同じデータの再書き込みを行うよう
に構成することができる。
【0014】上記の手段によれば、上記データ領域に対
する書き込みの場合には、上記メモリコントロール部に
対して上記第2書き込みモードによる書き込み制御が指
示され、上記管理領域に対する書き込みの場合には、上
記メモリコントロール部に対して上記第1書き込みモー
ドによる書き込み制御が指示される。このことが、所定
レート以上の書き込み速度を保証することによって、実
効記録レートが、書き込みデータのレートを下回るのを
回避する。また、上記管理領域での書き込みエラーに対
しては同じデータの再書き込みを指示することにより、
管理領域においては、書き込みを行うための精度を保証
する。
する書き込みの場合には、上記メモリコントロール部に
対して上記第2書き込みモードによる書き込み制御が指
示され、上記管理領域に対する書き込みの場合には、上
記メモリコントロール部に対して上記第1書き込みモー
ドによる書き込み制御が指示される。このことが、所定
レート以上の書き込み速度を保証することによって、実
効記録レートが、書き込みデータのレートを下回るのを
回避する。また、上記管理領域での書き込みエラーに対
しては同じデータの再書き込みを指示することにより、
管理領域においては、書き込みを行うための精度を保証
する。
【0015】〔5〕このとき、データのリアルタイム性
を優先し、データのリアルタイム性を阻害するような処
理を可能な限り省略するため、上記コントローラは、上
記データ領域に書き込むべきデータについては当該デー
タの誤り訂正のための符号の付加を省略し、上記管理領
域に書き込むべきデータには当該データの誤り訂正のた
めの符号を付加するように構成することができる。
を優先し、データのリアルタイム性を阻害するような処
理を可能な限り省略するため、上記コントローラは、上
記データ領域に書き込むべきデータについては当該デー
タの誤り訂正のための符号の付加を省略し、上記管理領
域に書き込むべきデータには当該データの誤り訂正のた
めの符号を付加するように構成することができる。
【0016】〔6〕上記第1書き込みモードによる書き
込み制御の指示、及び上記第2書き込みモードによる書
き込み制御の指示は、そのような指示に基づく処理の円
滑化を図るため、書き込みアドレスや書き込みデータの
取り込みを可能とする端子を介して、所定コマンドによ
り、上記書き込みアドレスや上記書き込みデータよりも
先に上記メモリコントロール部に与えることができる。
込み制御の指示、及び上記第2書き込みモードによる書
き込み制御の指示は、そのような指示に基づく処理の円
滑化を図るため、書き込みアドレスや書き込みデータの
取り込みを可能とする端子を介して、所定コマンドによ
り、上記書き込みアドレスや上記書き込みデータよりも
先に上記メモリコントロール部に与えることができる。
【0017】〔7〕そして、上記メモリコントロール部
において、上記第1書き込みモードや、第2書き込みモ
ードを含む場合においても、データのリアルタイム性を
優先し、データのリアルタイム性を阻害するような処理
を可能な限り省略するため、上記データ領域に書き込む
べきデータについては当該データの誤り訂正のための符
号の付加を省略し、上記管理領域に書き込むべきデータ
には当該データの誤り訂正のための符号を付加すること
ができる。
において、上記第1書き込みモードや、第2書き込みモ
ードを含む場合においても、データのリアルタイム性を
優先し、データのリアルタイム性を阻害するような処理
を可能な限り省略するため、上記データ領域に書き込む
べきデータについては当該データの誤り訂正のための符
号の付加を省略し、上記管理領域に書き込むべきデータ
には当該データの誤り訂正のための符号を付加すること
ができる。
【0018】〔8〕上記データ領域に書き込まれるデー
タは、動画データ又は音声データとすることができ、そ
の場合に、上記データ領域での書き込みエラーに対して
は同じデータの再書き込みを指示することなく、次のデ
ータの書き込みを指示することにより、所定レート以上
の書き込み速度を保証することができるので、動画デー
タ又は音声データの良好な記録が可能とされる。
タは、動画データ又は音声データとすることができ、そ
の場合に、上記データ領域での書き込みエラーに対して
は同じデータの再書き込みを指示することなく、次のデ
ータの書き込みを指示することにより、所定レート以上
の書き込み速度を保証することができるので、動画デー
タ又は音声データの良好な記録が可能とされる。
【0019】
【発明の実施の形態】図2には本発明にかかる記録装置
の一例とされるデータ記録システムの構成例が示され
る。
の一例とされるデータ記録システムの構成例が示され
る。
【0020】図2に示されるデータ記録システム101
は、リアルタイム性を優先するデータの記録を可能とす
るもので、特に制限されないが、インタフェース制御部
2、バッファメモリ3、制御部4、及び入力部5が、バ
ス100によって互いに信号のやり取りが可能に結合さ
れている。リアルタイム性を優先するデータの記録媒体
としてフラッシュメモリシステム1が設けられ、上記イ
ンタフェース制御部2は、このフラッシュメモリシステ
ム1とバス100との間に介在され、フラッシュメモリ
システム1とそれが搭載されるシステムとの間のインタ
フェース制御を行う。上記フラッシュメモリシステム1
は、不揮発性メモリシステムの一例であって、特に制限
されないが、カード状に形成され、データ記録システム
101に着脱自在とされる。フラッシュメモリシステム
1に対して行われる制御は、特に制限されないが、Th
e Multi Media Card System
Specification Version3.1の
プロトコルに準拠する。
は、リアルタイム性を優先するデータの記録を可能とす
るもので、特に制限されないが、インタフェース制御部
2、バッファメモリ3、制御部4、及び入力部5が、バ
ス100によって互いに信号のやり取りが可能に結合さ
れている。リアルタイム性を優先するデータの記録媒体
としてフラッシュメモリシステム1が設けられ、上記イ
ンタフェース制御部2は、このフラッシュメモリシステ
ム1とバス100との間に介在され、フラッシュメモリ
システム1とそれが搭載されるシステムとの間のインタ
フェース制御を行う。上記フラッシュメモリシステム1
は、不揮発性メモリシステムの一例であって、特に制限
されないが、カード状に形成され、データ記録システム
101に着脱自在とされる。フラッシュメモリシステム
1に対して行われる制御は、特に制限されないが、Th
e Multi Media Card System
Specification Version3.1の
プロトコルに準拠する。
【0021】バッファメモリ3は、比較的小さな記憶容
量を有し、フラッシュメモリシステム1に書き込むべき
データを一時的に蓄えておくのに利用される。制御部4
は、特に制限されないが、マイクロコンピュータとさ
れ、予め設定されたプログラムに従って、このデータ記
録システム101全体の動作制御を行う。入力部5は、
動画像データや音声データなどのリアルタイム性を優先
するデータの取り込みを可能とする。
量を有し、フラッシュメモリシステム1に書き込むべき
データを一時的に蓄えておくのに利用される。制御部4
は、特に制限されないが、マイクロコンピュータとさ
れ、予め設定されたプログラムに従って、このデータ記
録システム101全体の動作制御を行う。入力部5は、
動画像データや音声データなどのリアルタイム性を優先
するデータの取り込みを可能とする。
【0022】上記入力部5を介して取り込まれ動画像デ
ータや音声データは、バッファメモリ3に蓄えられた後
に、インタフェース制御部2の制御によりフラッシュメ
モリシステム1に書き込まれる。また、このフラッシュ
メモリシステム1に書き込まれたデータは、必要に応じ
て読み出すことができる。
ータや音声データは、バッファメモリ3に蓄えられた後
に、インタフェース制御部2の制御によりフラッシュメ
モリシステム1に書き込まれる。また、このフラッシュ
メモリシステム1に書き込まれたデータは、必要に応じ
て読み出すことができる。
【0023】図3には、上記データ記録システム11の
別の構成例が示される。
別の構成例が示される。
【0024】図3に示されるデータ記録システム101
が、図2に示されるシステムと大きく相違するのは、カ
メラ部6、カメラ信号処理部7、画像圧縮伸長処理部
8、表示部9、及び操作部10を有する点である。
が、図2に示されるシステムと大きく相違するのは、カ
メラ部6、カメラ信号処理部7、画像圧縮伸長処理部
8、表示部9、及び操作部10を有する点である。
【0025】カメラ部6は、動画像の撮影を行うもの
で、光学系やCCD(Charg Coupld De
vice)などの固定撮像素子を含んで成る。カメラ信
号処理部7は、固定撮像素子からの映像信号をディジタ
ル信号に変換するためのA/D(アナログ/ディジタ
ル)コンバータ、このA/Dコンバータから出力された
ディジタル信号に対してγ補正等の各種画像処理を行う
ためのDSP(ディジタル・シグナル・プロセッサ)等
を含む。画像圧縮伸長処理部8は、上記カメラ信号処理
部7から伝達された映像信号をMPEGフォーマットで
圧縮し、また、圧縮された映像信号を伸長する機能を有
する。圧縮データは、バッファメモリ3を経由して、イ
ンタフェース制御部2の制御下でフラッシュメモリシス
テムに書き込まれる。表示部9は、カメラ信号処理部7
からの映像信号を表示するための液晶表示パネルを有す
る。操作部10は、このデータ記録システム101を操
作するための各種スイッチを含む。フラッシュメモリシ
ステム1に書き込まれた圧縮データは、必要に応じて読
み出され、画像圧縮伸長処理部8で伸長されてからカメ
ラ信号処理部7を介して表示部9に表示することができ
る。
で、光学系やCCD(Charg Coupld De
vice)などの固定撮像素子を含んで成る。カメラ信
号処理部7は、固定撮像素子からの映像信号をディジタ
ル信号に変換するためのA/D(アナログ/ディジタ
ル)コンバータ、このA/Dコンバータから出力された
ディジタル信号に対してγ補正等の各種画像処理を行う
ためのDSP(ディジタル・シグナル・プロセッサ)等
を含む。画像圧縮伸長処理部8は、上記カメラ信号処理
部7から伝達された映像信号をMPEGフォーマットで
圧縮し、また、圧縮された映像信号を伸長する機能を有
する。圧縮データは、バッファメモリ3を経由して、イ
ンタフェース制御部2の制御下でフラッシュメモリシス
テムに書き込まれる。表示部9は、カメラ信号処理部7
からの映像信号を表示するための液晶表示パネルを有す
る。操作部10は、このデータ記録システム101を操
作するための各種スイッチを含む。フラッシュメモリシ
ステム1に書き込まれた圧縮データは、必要に応じて読
み出され、画像圧縮伸長処理部8で伸長されてからカメ
ラ信号処理部7を介して表示部9に表示することができ
る。
【0026】図1には、図2及び図3に示されるフラッ
シュメモリシステム1の構成例が示される。
シュメモリシステム1の構成例が示される。
【0027】上記フラッシュメモリシステム1は、特に
制限されないが、メモリチップ16と、このメモリチッ
プ16の動作を制御するためのフラッシュメモリコント
ローラ15とを含んで、カード状に形成される。
制限されないが、メモリチップ16と、このメモリチッ
プ16の動作を制御するためのフラッシュメモリコント
ローラ15とを含んで、カード状に形成される。
【0028】メモリチップ16は、複数のフラッシュメ
モリセルがアレイ状に配列されて成るメモリ部11と、
このメモリ部11を、上記フラッシュメモリコントロー
ラ15からの各種コマンド等に応じて動作制御するため
のメモリコントロール部14とを含む。メモリ部11
は、特に制限されないが、管理領域12と、データ領域
13とを含む。管理領域12には、上記データ領域13
に書き込まれるデータの管理情報が書き込まれる。デー
タ領域13には、特に制限されないが、動画データや音
声データなどのようにリアルタイム性が優先されるデー
タが書き込まれる。
モリセルがアレイ状に配列されて成るメモリ部11と、
このメモリ部11を、上記フラッシュメモリコントロー
ラ15からの各種コマンド等に応じて動作制御するため
のメモリコントロール部14とを含む。メモリ部11
は、特に制限されないが、管理領域12と、データ領域
13とを含む。管理領域12には、上記データ領域13
に書き込まれるデータの管理情報が書き込まれる。デー
タ領域13には、特に制限されないが、動画データや音
声データなどのようにリアルタイム性が優先されるデー
タが書き込まれる。
【0029】上記メモリチップ16には、特に制限され
ないが、各種コマンドや書き込みアドレス、書き込みデ
ータ、ステータス情報などを取り込んだり、読み出しデ
ータの出力を可能とするための入出力端子I/O、書き
込みの有効性を示すライトイネーブル信号/WEを取り
込むためのライトイネーブル信号入力端子、シリアルク
ロック信号SCを取り込むためのシリアルクロック入力
端子、出力データの有効性を示すアウトプットイネーブ
ル信号/OEを取り込むためのアウトプットイネーブル
信号入力端子、メモリチップ16がレディ状態であるか
ビジー状態であるかをチップ外部に対して示すためのレ
ディ・ビジー信号R/Bの出力端子が設けられている。
ないが、各種コマンドや書き込みアドレス、書き込みデ
ータ、ステータス情報などを取り込んだり、読み出しデ
ータの出力を可能とするための入出力端子I/O、書き
込みの有効性を示すライトイネーブル信号/WEを取り
込むためのライトイネーブル信号入力端子、シリアルク
ロック信号SCを取り込むためのシリアルクロック入力
端子、出力データの有効性を示すアウトプットイネーブ
ル信号/OEを取り込むためのアウトプットイネーブル
信号入力端子、メモリチップ16がレディ状態であるか
ビジー状態であるかをチップ外部に対して示すためのレ
ディ・ビジー信号R/Bの出力端子が設けられている。
【0030】フラッシュメモリコントローラ15から上
記メモリコントロール部14に対して与えられる各種コ
マンドには、メモリ部11へのデータ書き込みを指示す
るための書き込みコマンド、書き込みベリファイを指示
するためのコマンド、メモリ部11からのデータ読み出
しを指示するための読み出しコマンド、メモリ部11の
記憶データを消去するための消去コマンドなどが含まれ
る。
記メモリコントロール部14に対して与えられる各種コ
マンドには、メモリ部11へのデータ書き込みを指示す
るための書き込みコマンド、書き込みベリファイを指示
するためのコマンド、メモリ部11からのデータ読み出
しを指示するための読み出しコマンド、メモリ部11の
記憶データを消去するための消去コマンドなどが含まれ
る。
【0031】メモリコントロール部14は、フラッシュ
メモリコントローラ15からのコマンドやその他の制御
信号を受けて、メモリ部11の読出し、消去、書き込み
動作、書き込みベリファイなどの各種内部動作を、内部
の読み出し専用メモリに格納されたプログラムに従って
制御する。例えば書き込み動作についての指示は、所定
のコマンドによって行われるが、このとき、上記フラッ
シュメモリセルの消去動作及び書き込みデータの書き込
み動作は一連の動作として制御される。つまり、消去動
作指示と書き込み動作指示とが個別的に与えられるので
はなく、書き込み動作が指示されると、それに基づいて
先ずフラッシュメモリセルアレイ13の消去動作が行わ
れ、その後にデータの書き込みが行われる。
メモリコントローラ15からのコマンドやその他の制御
信号を受けて、メモリ部11の読出し、消去、書き込み
動作、書き込みベリファイなどの各種内部動作を、内部
の読み出し専用メモリに格納されたプログラムに従って
制御する。例えば書き込み動作についての指示は、所定
のコマンドによって行われるが、このとき、上記フラッ
シュメモリセルの消去動作及び書き込みデータの書き込
み動作は一連の動作として制御される。つまり、消去動
作指示と書き込み動作指示とが個別的に与えられるので
はなく、書き込み動作が指示されると、それに基づいて
先ずフラッシュメモリセルアレイ13の消去動作が行わ
れ、その後にデータの書き込みが行われる。
【0032】消去動作には、消去状態が適切であるか否
かを判別するためのベリファイ動作が含まれる。消去動
作の終了により、書き込みデータがメモリ部11に書き
込まれる。この書き込みデータがメモリ部11に書き込
まれる期間、メモリコントロール部14によって、デー
タ書き込み動作中を示すレディ・ビジー信号R/Bがロ
ーレベルにされることにより、現在データの書き込み動
作中であることがフラッシュメモリコントローラ15に
知らされる。レディ・ビジー信号R/B*がハイレベル
の期間は、データの書き込みが可能であることを示して
いる。書き込み動作には、書き込み状態が適切であるか
否かを判別するためのベリファイ動作が含まれる。
かを判別するためのベリファイ動作が含まれる。消去動
作の終了により、書き込みデータがメモリ部11に書き
込まれる。この書き込みデータがメモリ部11に書き込
まれる期間、メモリコントロール部14によって、デー
タ書き込み動作中を示すレディ・ビジー信号R/Bがロ
ーレベルにされることにより、現在データの書き込み動
作中であることがフラッシュメモリコントローラ15に
知らされる。レディ・ビジー信号R/B*がハイレベル
の期間は、データの書き込みが可能であることを示して
いる。書き込み動作には、書き込み状態が適切であるか
否かを判別するためのベリファイ動作が含まれる。
【0033】レディ・ビジー信号R/Bがローレベルの
期間はデータ書き込み動作中とされるが、このデータ書
き込み動作中においてメモリコントロール部14は、書
き込みコマンドに応じたデータ書き込みが正しく行われ
たか否かの判別を行う。この判別結果は、フラッシュメ
モリコントローラ15によって読み出されるステータス
信号に反映される。メモリコントロール部14は、上記
メモリ部11に対する書き込みにおいてエラーを生じた
場合に同一データの再書き込みを行うことなく、上記イ
ンタフェース制御部2に対してエラー情報を送出する。
このエラー情報は、特に制限されないが、レディ・ビジ
ー信号R/B*がローレベルからハイレベルに遷移され
て書き込み動作が終了された後に出力されるステータス
信号の所定ビットによってフラッシュメモリコントロー
ラ15に伝達される。
期間はデータ書き込み動作中とされるが、このデータ書
き込み動作中においてメモリコントロール部14は、書
き込みコマンドに応じたデータ書き込みが正しく行われ
たか否かの判別を行う。この判別結果は、フラッシュメ
モリコントローラ15によって読み出されるステータス
信号に反映される。メモリコントロール部14は、上記
メモリ部11に対する書き込みにおいてエラーを生じた
場合に同一データの再書き込みを行うことなく、上記イ
ンタフェース制御部2に対してエラー情報を送出する。
このエラー情報は、特に制限されないが、レディ・ビジ
ー信号R/B*がローレベルからハイレベルに遷移され
て書き込み動作が終了された後に出力されるステータス
信号の所定ビットによってフラッシュメモリコントロー
ラ15に伝達される。
【0034】フラッシュメモリコントローラ15は、バ
ス100を介して受け取ったメモリ論理アドレスから物
理アドレスへのアドレス変換やメモリコントロール部1
4に対して各種コマンドや各種制御信号を発行する。ま
た、フラッシュメモリコントローラ15は、上記メモリ
コントロール部14からエラー情報が伝達されたときの
書き込み動作が上記データ領域13に対するものである
場合に同じデータの再書き込みを行うことなく、次のデ
ータを書き込むように制御し、上記メモリコントロール
部14からエラー情報が伝達されたときの書き込み動作
が上記管理領域12に対するものである場合には同じデ
ータの再書き込みを制御する。すなわち、上記メモリコ
ントロール部14からエラー情報が伝達されたときの書
き込み動作が上記データ領域13に対するものである場
合に同じデータの再書き込みを行うと、システムにおけ
る実効記録レートが、書き込みデータのレートを下回っ
てしまうおそれがあり、それを回避するために、エラー
情報が伝達されたときの書き込み動作が上記データ領域
13に対するものである場合には、リアルタイム性を優
先して、当該エラーにかかるデータの再書き込みは一切
行わずに次のデータの書き込み動作に移る。それに対し
て、上記メモリコントロール部14からエラー情報が伝
達されたときの書き込み動作が上記管理領域12に対す
るものである場合には、書き込みを行うための精度を保
証するため、エラーにかかるデータの再書き込みを行
う。ここで、このフラッシュメモリコントローラ15が
本発明における制御手段の一例とされる。
ス100を介して受け取ったメモリ論理アドレスから物
理アドレスへのアドレス変換やメモリコントロール部1
4に対して各種コマンドや各種制御信号を発行する。ま
た、フラッシュメモリコントローラ15は、上記メモリ
コントロール部14からエラー情報が伝達されたときの
書き込み動作が上記データ領域13に対するものである
場合に同じデータの再書き込みを行うことなく、次のデ
ータを書き込むように制御し、上記メモリコントロール
部14からエラー情報が伝達されたときの書き込み動作
が上記管理領域12に対するものである場合には同じデ
ータの再書き込みを制御する。すなわち、上記メモリコ
ントロール部14からエラー情報が伝達されたときの書
き込み動作が上記データ領域13に対するものである場
合に同じデータの再書き込みを行うと、システムにおけ
る実効記録レートが、書き込みデータのレートを下回っ
てしまうおそれがあり、それを回避するために、エラー
情報が伝達されたときの書き込み動作が上記データ領域
13に対するものである場合には、リアルタイム性を優
先して、当該エラーにかかるデータの再書き込みは一切
行わずに次のデータの書き込み動作に移る。それに対し
て、上記メモリコントロール部14からエラー情報が伝
達されたときの書き込み動作が上記管理領域12に対す
るものである場合には、書き込みを行うための精度を保
証するため、エラーにかかるデータの再書き込みを行
う。ここで、このフラッシュメモリコントローラ15が
本発明における制御手段の一例とされる。
【0035】また、このフラッシュメモリコントローラ
15は、データのリアルタイム性を阻害するような処理
を可能な限り省略するため、上記データ領域13に書き
込むべきデータについては当該データの誤り訂正のため
の符号の付加を省略している。そして、上記管理領域1
2に書き込むべきデータには、データの信頼性を優先し
て当該データの誤り訂正のための符号を付加する。ここ
で、上記誤り訂正符号は、特に制限されないが、ECC
(error checking and corre
cting)とされ、1ビット誤りの自動訂正と2ビッ
ト誤りの検出が可能とされる。そのようなECCコード
が、データに付加されて書き込まれることにより、その
データの読み出しの際に誤り訂正が可能とされる。
15は、データのリアルタイム性を阻害するような処理
を可能な限り省略するため、上記データ領域13に書き
込むべきデータについては当該データの誤り訂正のため
の符号の付加を省略している。そして、上記管理領域1
2に書き込むべきデータには、データの信頼性を優先し
て当該データの誤り訂正のための符号を付加する。ここ
で、上記誤り訂正符号は、特に制限されないが、ECC
(error checking and corre
cting)とされ、1ビット誤りの自動訂正と2ビッ
ト誤りの検出が可能とされる。そのようなECCコード
が、データに付加されて書き込まれることにより、その
データの読み出しの際に誤り訂正が可能とされる。
【0036】図12にはフラッシュメモリシステム1の
フォーマット例が示される。これは、FATファイルシ
ステムを用いた場合のフォーマット時に形成され、管理
領域12とデータ領域13とが論理アドレス順に配列さ
れている。
フォーマット例が示される。これは、FATファイルシ
ステムを用いた場合のフォーマット時に形成され、管理
領域12とデータ領域13とが論理アドレス順に配列さ
れている。
【0037】管理領域12は、MBR(マスタブートレ
コード)、空き領域、PBR(パーティションブートレ
コード)、FAT1(メディア容量依存)、FAT2
(メディア容量依存)、DIR(32セクタ固定)の順
に割り当てられる。マスタブートレコード、及びパーテ
ィションブートレコードは、何れも1セクタ固定であ
り、それぞれパーティションテーブル、及びBIOSパ
ラメータブロックを含む。フォーマット後、フラッシュ
メモリコントローラ15は、マスタブートレコード、及
びパーティションブートレコード等のデータより、管理
領域12とデータ領域13の論理アドレスを確認する。
コード)、空き領域、PBR(パーティションブートレ
コード)、FAT1(メディア容量依存)、FAT2
(メディア容量依存)、DIR(32セクタ固定)の順
に割り当てられる。マスタブートレコード、及びパーテ
ィションブートレコードは、何れも1セクタ固定であ
り、それぞれパーティションテーブル、及びBIOSパ
ラメータブロックを含む。フォーマット後、フラッシュ
メモリコントローラ15は、マスタブートレコード、及
びパーティションブートレコード等のデータより、管理
領域12とデータ領域13の論理アドレスを確認する。
【0038】図4には管理領域12への書き込み動作が
示され、図6にはその場合における主要部の動作タイミ
ングが示される。
示され、図6にはその場合における主要部の動作タイミ
ングが示される。
【0039】管理領域12に管理情報を書き込む場合、
フラッシュメモリコントローラ15は、ECCコード1
51を生成し、当該コードと共にデータを管理領域に書
き込むようにメモリコントロール部14に対してアクセ
スコマンドを発行する(41)。管理領域12への書き
込みにおいては、図6に示されるように、フラッシュメ
モリシステム1の入出力端子I/Oには、書き込みコマ
ンドxxh、書き込みアドレスSA1,SA2、書き込
みデータDin、及び書き込みスタートコマンド40h
が順次フラッシュメモリコントローラ15から伝達され
る。書き込みアドレスSA1は、メモリ部1のロー系の
アドレス信号とされ、それに続いて入力される書き込み
アドレスSA2は、メモリ部1のカラム系のアドレス信
号とされる。書き込みアドレスSA2はメモリアクセス
の初期アドレスとされ、それに続くアドレスは、フラッ
シュメモリコントローラ15から伝達されたシリアルク
ロック信号SCに同期してメモリコントロール部14で
生成される。入出力端子I/Oに伝達された書き込みデ
ータDinは、シリアルクロック信号SCに同期してメ
モリコントロール部14に取り込まれる。そして、書き
込みスタートコマンド40hに呼応して書き込みが開始
される。レディ・ビジー信号R/Bのローレベル期間に
管理領域12への書き込みが行われる。書き込みの終了
が確認された後に、フラッシュメモリコントローラ15
によってアウトプットイネーブル信号/OEがローレベ
ルにアサートされることにより、入出力端子I/Oから
ステータス情報Statusが出力される(43)。フ
ラッシュメモリコントローラ15では、上記ステータス
情報Statusにおける所定ビットの論理をチェック
することによって、上記の書き込みデータDinの書き
込みにおいて書き込みエラーを生じたか否かを判別する
ことができる。例えば上記ステータス情報Status
における所定ビットの論理がローレベルとされる場合に
は、書き込みが正常に行われたことを示し、それがハイ
レベルとされる場合には、書き込みが正常に行われてい
ないことを示す。
フラッシュメモリコントローラ15は、ECCコード1
51を生成し、当該コードと共にデータを管理領域に書
き込むようにメモリコントロール部14に対してアクセ
スコマンドを発行する(41)。管理領域12への書き
込みにおいては、図6に示されるように、フラッシュメ
モリシステム1の入出力端子I/Oには、書き込みコマ
ンドxxh、書き込みアドレスSA1,SA2、書き込
みデータDin、及び書き込みスタートコマンド40h
が順次フラッシュメモリコントローラ15から伝達され
る。書き込みアドレスSA1は、メモリ部1のロー系の
アドレス信号とされ、それに続いて入力される書き込み
アドレスSA2は、メモリ部1のカラム系のアドレス信
号とされる。書き込みアドレスSA2はメモリアクセス
の初期アドレスとされ、それに続くアドレスは、フラッ
シュメモリコントローラ15から伝達されたシリアルク
ロック信号SCに同期してメモリコントロール部14で
生成される。入出力端子I/Oに伝達された書き込みデ
ータDinは、シリアルクロック信号SCに同期してメ
モリコントロール部14に取り込まれる。そして、書き
込みスタートコマンド40hに呼応して書き込みが開始
される。レディ・ビジー信号R/Bのローレベル期間に
管理領域12への書き込みが行われる。書き込みの終了
が確認された後に、フラッシュメモリコントローラ15
によってアウトプットイネーブル信号/OEがローレベ
ルにアサートされることにより、入出力端子I/Oから
ステータス情報Statusが出力される(43)。フ
ラッシュメモリコントローラ15では、上記ステータス
情報Statusにおける所定ビットの論理をチェック
することによって、上記の書き込みデータDinの書き
込みにおいて書き込みエラーを生じたか否かを判別する
ことができる。例えば上記ステータス情報Status
における所定ビットの論理がローレベルとされる場合に
は、書き込みが正常に行われたことを示し、それがハイ
レベルとされる場合には、書き込みが正常に行われてい
ないことを示す。
【0040】メモリコントロール部14は書き込みエラ
ーを生じた場合でも、同一データの再書き込みは行わず
(42)、ステータス情報Statusにおける所定ビ
ットにより、フラッシュメモリコントローラ15にエラ
ーを生じたことを示すエラー情報を送出する(43)。
フラッシュメモリコントローラ15は、メモリコントロ
ール部14からエラー情報が伝達されたときの書き込み
動作が管理領域12に対するものである場合には、メモ
リコントロール部14に対して同じデータの再書き込み
を指示する。すなわち、図6において、62で示される
ように再びフラッシュメモリシステム1の入出力端子I
/Oには、書き込みコマンドxxh、書き込みアドレス
SA1,SA2、書き込みデータDin、及び書き込み
スタートコマンド40hが順次フラッシュメモリコント
ローラ15から伝達されることによって、再書き込みが
行われる(62)。この再書き込みにおいてもステータ
ス情報Statusによるエラー判別が行われ、エラー
が発生している場合には、再び上記再書き込み(62)
が行われる。何度もエラーが発生する場合には、管理領
域12において予め設定されている代替領域へ書き込み
が行われるように書き込みアドレスの変換が行われる。
ーを生じた場合でも、同一データの再書き込みは行わず
(42)、ステータス情報Statusにおける所定ビ
ットにより、フラッシュメモリコントローラ15にエラ
ーを生じたことを示すエラー情報を送出する(43)。
フラッシュメモリコントローラ15は、メモリコントロ
ール部14からエラー情報が伝達されたときの書き込み
動作が管理領域12に対するものである場合には、メモ
リコントロール部14に対して同じデータの再書き込み
を指示する。すなわち、図6において、62で示される
ように再びフラッシュメモリシステム1の入出力端子I
/Oには、書き込みコマンドxxh、書き込みアドレス
SA1,SA2、書き込みデータDin、及び書き込み
スタートコマンド40hが順次フラッシュメモリコント
ローラ15から伝達されることによって、再書き込みが
行われる(62)。この再書き込みにおいてもステータ
ス情報Statusによるエラー判別が行われ、エラー
が発生している場合には、再び上記再書き込み(62)
が行われる。何度もエラーが発生する場合には、管理領
域12において予め設定されている代替領域へ書き込み
が行われるように書き込みアドレスの変換が行われる。
【0041】図5にはデータ領域13への書き込み動作
が示され、図7にはその場合における主要部の動作タイ
ミングが示される。
が示され、図7にはその場合における主要部の動作タイ
ミングが示される。
【0042】データ領域13へデータを書き込む場合、
フラッシュメモリコントローラ15は、データをデータ
領域13に書き込むようにメモリコントロール部14に
対してアクセスコマンドを発行する(51)。このと
き、フラッシュメモリコントローラ15ではECCコー
ド151の生成は行われない。これは、データ領域13
へデータを書き込む場合には、データのリアルタイム性
を優先し、データのリアルタイム性を阻害するような処
理を可能な限り省略するためである。
フラッシュメモリコントローラ15は、データをデータ
領域13に書き込むようにメモリコントロール部14に
対してアクセスコマンドを発行する(51)。このと
き、フラッシュメモリコントローラ15ではECCコー
ド151の生成は行われない。これは、データ領域13
へデータを書き込む場合には、データのリアルタイム性
を優先し、データのリアルタイム性を阻害するような処
理を可能な限り省略するためである。
【0043】データ領域13への書き込みにおいては、
図7に示されるように、フラッシュメモリシステム1の
入出力端子I/Oには、書き込みコマンドxxh、書き
込みアドレスSA1,SA2、書き込みデータDin、
及び書き込みスタートコマンド40hが順次フラッシュ
メモリコントローラ15から伝達される。書き込みアド
レスSA1は、メモリ部1のロー系のアドレス信号とさ
れ、それに続いて入力される書き込みアドレスSA2
は、メモリ部1のカラム系のアドレス信号とされる。書
き込みアドレスSA2はメモリアクセスの初期アドレス
とされ、それに続くアドレスは、フラッシュメモリコン
トローラ15から伝達されたシリアルクロック信号SC
に同期してメモリコントロール部14で生成される。入
出力端子I/Oに伝達された書き込みデータDinは、
シリアルクロック信号SCに同期してメモリコントロー
ル部14に取り込まれる。そして、書き込みスタートコ
マンド40hに呼応して書き込みが行われる。レディ・
ビジー信号R/Bのローレベル期間に管理領域12への
書き込みが行われる。ここで、管理領域12への書き込
みの際には、書き込みの終了が確認された後に、書き込
みステータス情報Statusにおける所定ビットの論
理をチェックすることによって書き込みエラーを生じた
か否かの判別が行われたが(図4,図6参照)、データ
領域13への書き込みにおいては、上記ステータス情報
Statusによるエラー判別を行うことなく、書き込
みが終了される(71)。すなわち、メモリコントロー
ル部14による再書き込み(52)や、メモリコントロ
ール部14からフラッシュメモリコントローラ15への
エラー情報の伝達(53)も行われない。これは、デー
タ領域13に書き込まれるデータのリアルタイム性を優
先し、このデータのリアルタイム性を阻害するような処
理を可能な限り省略するためである。
図7に示されるように、フラッシュメモリシステム1の
入出力端子I/Oには、書き込みコマンドxxh、書き
込みアドレスSA1,SA2、書き込みデータDin、
及び書き込みスタートコマンド40hが順次フラッシュ
メモリコントローラ15から伝達される。書き込みアド
レスSA1は、メモリ部1のロー系のアドレス信号とさ
れ、それに続いて入力される書き込みアドレスSA2
は、メモリ部1のカラム系のアドレス信号とされる。書
き込みアドレスSA2はメモリアクセスの初期アドレス
とされ、それに続くアドレスは、フラッシュメモリコン
トローラ15から伝達されたシリアルクロック信号SC
に同期してメモリコントロール部14で生成される。入
出力端子I/Oに伝達された書き込みデータDinは、
シリアルクロック信号SCに同期してメモリコントロー
ル部14に取り込まれる。そして、書き込みスタートコ
マンド40hに呼応して書き込みが行われる。レディ・
ビジー信号R/Bのローレベル期間に管理領域12への
書き込みが行われる。ここで、管理領域12への書き込
みの際には、書き込みの終了が確認された後に、書き込
みステータス情報Statusにおける所定ビットの論
理をチェックすることによって書き込みエラーを生じた
か否かの判別が行われたが(図4,図6参照)、データ
領域13への書き込みにおいては、上記ステータス情報
Statusによるエラー判別を行うことなく、書き込
みが終了される(71)。すなわち、メモリコントロー
ル部14による再書き込み(52)や、メモリコントロ
ール部14からフラッシュメモリコントローラ15への
エラー情報の伝達(53)も行われない。これは、デー
タ領域13に書き込まれるデータのリアルタイム性を優
先し、このデータのリアルタイム性を阻害するような処
理を可能な限り省略するためである。
【0044】上記の例によれば、以下の作用効果を得る
ことができる。
ことができる。
【0045】(1)メモリコントロール部14は、上記
メモリ部11に対する書き込みにおいてエラーを生じた
場合に再書き込みを行うことなく、上記インタフェース
制御部に対してエラー情報を送出し、インタフェース制
御部2は、上記メモリコントロール部14からエラー情
報が伝達されたときの書き込み動作が上記データ領域1
1に対するものである場合に同じデータの再書き込みを
行うことなく次のデータを書き込むように制御し、上記
メモリコントロール部14からエラー情報が伝達された
ときの書き込み動作が上記管理領域12に対するもので
ある場合には同じデータの再書き込みを制御するための
コントローラ15を含んで構成されることにより、上記
メモリコントロール部14からエラー情報が伝達された
ときの書き込み動作が上記データ領域に対するものであ
る場合に同じデータの再書き込みを行うことなく次のデ
ータを書き込むように制御され、上記メモリコントロー
ル部14からエラー情報が伝達されたときの書き込み動
作が上記管理領域に対するものである場合には同じデー
タの再書き込みが制御される。かかる制御により、上記
データ領域での書き込みエラーに対しては同じデータの
再書き込みを指示することなく、次のデータの書き込み
を指示することにより、所定レート以上の書き込み速度
を保証することによって、実効記録レートが、書き込み
データのレートを下回るのを回避することができ、ま
た、上記管理領域での書き込みエラーに対しては同じデ
ータの再書き込みを指示することにより、管理領域にお
いては、書き込みを行うための精度を保証することがで
きる。
メモリ部11に対する書き込みにおいてエラーを生じた
場合に再書き込みを行うことなく、上記インタフェース
制御部に対してエラー情報を送出し、インタフェース制
御部2は、上記メモリコントロール部14からエラー情
報が伝達されたときの書き込み動作が上記データ領域1
1に対するものである場合に同じデータの再書き込みを
行うことなく次のデータを書き込むように制御し、上記
メモリコントロール部14からエラー情報が伝達された
ときの書き込み動作が上記管理領域12に対するもので
ある場合には同じデータの再書き込みを制御するための
コントローラ15を含んで構成されることにより、上記
メモリコントロール部14からエラー情報が伝達された
ときの書き込み動作が上記データ領域に対するものであ
る場合に同じデータの再書き込みを行うことなく次のデ
ータを書き込むように制御され、上記メモリコントロー
ル部14からエラー情報が伝達されたときの書き込み動
作が上記管理領域に対するものである場合には同じデー
タの再書き込みが制御される。かかる制御により、上記
データ領域での書き込みエラーに対しては同じデータの
再書き込みを指示することなく、次のデータの書き込み
を指示することにより、所定レート以上の書き込み速度
を保証することによって、実効記録レートが、書き込み
データのレートを下回るのを回避することができ、ま
た、上記管理領域での書き込みエラーに対しては同じデ
ータの再書き込みを指示することにより、管理領域にお
いては、書き込みを行うための精度を保証することがで
きる。
【0046】(2)上記フラッシュメモリコントローラ
15に、上記データ領域に書き込むべきデータについて
は当該データの誤り訂正のための符号の付加を省略し、
上記管理領域に書き込むべきデータには当該データの誤
り訂正のための符号を付加するための処理を上記フラッ
シュメモリコントローラ15で行うことは、データのリ
アルタイム性を阻害するような処理が省略されることか
ら、システムにおける実効記録レートが、書き込みデー
タのレートを下回ってしまうことに起因するシステム破
綻を回避する上で有効とされる。
15に、上記データ領域に書き込むべきデータについて
は当該データの誤り訂正のための符号の付加を省略し、
上記管理領域に書き込むべきデータには当該データの誤
り訂正のための符号を付加するための処理を上記フラッ
シュメモリコントローラ15で行うことは、データのリ
アルタイム性を阻害するような処理が省略されることか
ら、システムにおける実効記録レートが、書き込みデー
タのレートを下回ってしまうことに起因するシステム破
綻を回避する上で有効とされる。
【0047】次に、別の例について説明する。
【0048】図1及び図2に示されるフラッシュメモリ
システム1及びインタフェース制御部2での処理を次の
ように変更することができる。
システム1及びインタフェース制御部2での処理を次の
ように変更することができる。
【0049】メモリコントロール部14は、メモリ部1
1への書き込み動作において同じデータの再書き込みを
伴う第1書き込みモードと、それを伴わない第2書き込
みモードとを備えている。そして、インタフェース制御
部2は、フラッシュメモリコントローラ15を有し、こ
のラッシュメモリコントローラ15は、データ領域13
に対する書き込みの場合には、上記メモリコントロール
部14に対して上記第2書き込みモードによる書き込み
制御を指示し、管理領域12に対する書き込みの場合に
は、上記メモリコントロール部14に対して上記第1書
き込みモードによる書き込み制御を指示する。このと
き、上記第1書き込みモードによる書き込み制御の指
示、及び上記第2書き込みモードによる書き込み制御の
指示は、書き込みアドレスや書き込みデータの取り込み
を可能とする入出力端子I/Oを介して、所定コマンド
により、上記書き込みアドレスや上記書き込みデータよ
りも先に上記コントローラから上記メモリコントロール
部14に与えられる。
1への書き込み動作において同じデータの再書き込みを
伴う第1書き込みモードと、それを伴わない第2書き込
みモードとを備えている。そして、インタフェース制御
部2は、フラッシュメモリコントローラ15を有し、こ
のラッシュメモリコントローラ15は、データ領域13
に対する書き込みの場合には、上記メモリコントロール
部14に対して上記第2書き込みモードによる書き込み
制御を指示し、管理領域12に対する書き込みの場合に
は、上記メモリコントロール部14に対して上記第1書
き込みモードによる書き込み制御を指示する。このと
き、上記第1書き込みモードによる書き込み制御の指
示、及び上記第2書き込みモードによる書き込み制御の
指示は、書き込みアドレスや書き込みデータの取り込み
を可能とする入出力端子I/Oを介して、所定コマンド
により、上記書き込みアドレスや上記書き込みデータよ
りも先に上記コントローラから上記メモリコントロール
部14に与えられる。
【0050】尚、フラッシュメモリコントローラ15に
おいて、上記データ領域に書き込むべきデータについて
は当該データの誤り訂正のための符号の付加が省略さ
れ、上記管理領域に書き込むべきデータには当該データ
の誤り訂正のための符号が付加されることや、その他の
処理は、上記実施態様の場合と同様とされるため、それ
についての詳細な説明を省略する。
おいて、上記データ領域に書き込むべきデータについて
は当該データの誤り訂正のための符号の付加が省略さ
れ、上記管理領域に書き込むべきデータには当該データ
の誤り訂正のための符号が付加されることや、その他の
処理は、上記実施態様の場合と同様とされるため、それ
についての詳細な説明を省略する。
【0051】図8には管理領域12への書き込み動作が
示され、図10にはその場合における主要部の動作タイ
ミングが示される。
示され、図10にはその場合における主要部の動作タイ
ミングが示される。
【0052】管理領域12に管理情報を書き込む場合、
フラッシュメモリコントローラ15は、ECCコード1
51を生成し、当該コードと共にデータを管理領域に書
き込むようにメモリコントロール部14に対してアクセ
スコマンドを発行する(81)。このとき、図10に示
されるように、フラッシュメモリシステム1の入出力端
子I/Oには、リトライ有り書き込みコマンドRTC、
書き込みアドレスSA1,SA2、書き込みデータDi
n、及び書き込みスタートコマンド40hが順次フラッ
シュメモリコントローラ15から伝達される。リトライ
有り書き込みコマンドRTCは、メモリ部11への書き
込み動作において同じデータの再書き込みを伴う第1書
き込みモードを指示するコマンドとされる。そのような
コマンドがフラッシュメモリコントローラ15からメモ
リコントロール部14に与えられることにより、管理領
域12への書き込みは上記第1書き込みモードにより行
われる(82)。書き込みアドレスSA1は、メモリ部
1のロー系のアドレス信号とされ、それに続いて入力さ
れる書き込みアドレスSA2は、メモリ部1のカラム系
のアドレス信号とされる。書き込みアドレスSA2はメ
モリアクセスの初期アドレスとされ、それに続くアドレ
スは、フラッシュメモリコントローラ15から伝達され
たシリアルクロック信号SCに同期してメモリコントロ
ール部14で生成される。入出力端子I/Oに伝達され
た書き込みデータDinは、シリアルクロック信号SC
に同期してメモリコントロール部14に取り込まれる。
そして、書き込みスタートコマンド40hに呼応して書
き込みが行われる。レディ・ビジー信号R/Bのローレ
ベル期間に管理領域12への書き込みが行われる。レデ
ィ・ビジー信号R/Bのローレベル期間において、メモ
リコントロール部14から出力される内部書き込み信号
Writeがローレベルにアサートされた期間で第1回
目の書き込みが行われ、メモリコントロール部14にお
いて、内部ステータス情報(Status)102にお
ける所定ビットの論理判定が行われる。この論理判定に
おいて、書き込みエラーが発生していると判断された場
合には、メモリコントロール部14において、管理領域
12に対して同一データの再書き込みが行われ、再び、
内部ステータス情報(Status)103における所
定ビットの論理判定が行われる。この論理判定におい
て、書き込みエラーが発生していないと判断された場合
には、メモリコントロール部15によりレディ・ビジー
信号R/Bがハイレベルにされる。これによりフラッシ
ュメモリコントローラ15は、管理領域12への書き込
みの終了を知り、アウトプットイネーブル信号/OEを
ローレベルにアサートする。それにより、入出力端子I
/Oからステータス信号(Status)101が出力
され、フラッシュメモリコントローラ15は、このステ
ータス信号(Status)101によりフラッシュメ
モリシステム1の状態を知ることができる。
フラッシュメモリコントローラ15は、ECCコード1
51を生成し、当該コードと共にデータを管理領域に書
き込むようにメモリコントロール部14に対してアクセ
スコマンドを発行する(81)。このとき、図10に示
されるように、フラッシュメモリシステム1の入出力端
子I/Oには、リトライ有り書き込みコマンドRTC、
書き込みアドレスSA1,SA2、書き込みデータDi
n、及び書き込みスタートコマンド40hが順次フラッ
シュメモリコントローラ15から伝達される。リトライ
有り書き込みコマンドRTCは、メモリ部11への書き
込み動作において同じデータの再書き込みを伴う第1書
き込みモードを指示するコマンドとされる。そのような
コマンドがフラッシュメモリコントローラ15からメモ
リコントロール部14に与えられることにより、管理領
域12への書き込みは上記第1書き込みモードにより行
われる(82)。書き込みアドレスSA1は、メモリ部
1のロー系のアドレス信号とされ、それに続いて入力さ
れる書き込みアドレスSA2は、メモリ部1のカラム系
のアドレス信号とされる。書き込みアドレスSA2はメ
モリアクセスの初期アドレスとされ、それに続くアドレ
スは、フラッシュメモリコントローラ15から伝達され
たシリアルクロック信号SCに同期してメモリコントロ
ール部14で生成される。入出力端子I/Oに伝達され
た書き込みデータDinは、シリアルクロック信号SC
に同期してメモリコントロール部14に取り込まれる。
そして、書き込みスタートコマンド40hに呼応して書
き込みが行われる。レディ・ビジー信号R/Bのローレ
ベル期間に管理領域12への書き込みが行われる。レデ
ィ・ビジー信号R/Bのローレベル期間において、メモ
リコントロール部14から出力される内部書き込み信号
Writeがローレベルにアサートされた期間で第1回
目の書き込みが行われ、メモリコントロール部14にお
いて、内部ステータス情報(Status)102にお
ける所定ビットの論理判定が行われる。この論理判定に
おいて、書き込みエラーが発生していると判断された場
合には、メモリコントロール部14において、管理領域
12に対して同一データの再書き込みが行われ、再び、
内部ステータス情報(Status)103における所
定ビットの論理判定が行われる。この論理判定におい
て、書き込みエラーが発生していないと判断された場合
には、メモリコントロール部15によりレディ・ビジー
信号R/Bがハイレベルにされる。これによりフラッシ
ュメモリコントローラ15は、管理領域12への書き込
みの終了を知り、アウトプットイネーブル信号/OEを
ローレベルにアサートする。それにより、入出力端子I
/Oからステータス信号(Status)101が出力
され、フラッシュメモリコントローラ15は、このステ
ータス信号(Status)101によりフラッシュメ
モリシステム1の状態を知ることができる。
【0053】図9にはデータ領域13への書き込み動作
が示され、図11にはその場合における主要部の動作タ
イミングが示される。
が示され、図11にはその場合における主要部の動作タ
イミングが示される。
【0054】データ領域13にデータを書き込む場合、
フラッシュメモリコントローラはECCコードを作成せ
ず、データのみをデータ領域13に書き込むよう、メモ
リコントロール部14にアクセスコマンドを発行する
(91)。このとき、図11に示されるように、フラッ
シュメモリシステム1の入出力端子I/Oには、リトラ
イ無し書き込みコマンドNRC、書き込みアドレスSA
1,SA2、書き込みデータDin、及び書き込みスタ
ートコマンド40hが順次フラッシュメモリコントロー
ラ15から伝達される。リトライ無し書き込みコマンド
NRCは、メモリ部11への書き込み動作において同じ
データの再書き込みを伴わない第2書き込みモードを指
示するコマンドとされる。そのようなコマンドがフラッ
シュメモリコントローラ15からメモリコントロール部
14に与えられることにより、データ領域13への書き
込みは上記第2書き込みモードにより行われる(9
2)。書き込みアドレスSA1は、メモリ部1のロー系
のアドレス信号とされ、それに続いて入力される書き込
みアドレスSA2は、メモリ部1のカラム系のアドレス
信号とされる。書き込みアドレスSA2はメモリアクセ
スの初期アドレスとされ、それに続くアドレスは、フラ
ッシュメモリコントローラ15から伝達されたシリアル
クロック信号SCに同期してメモリコントロール部14
で生成される。入出力端子I/Oに伝達された書き込み
データDinは、シリアルクロック信号SCに同期して
メモリコントロール部14に取り込まれる。そして、書
き込みスタートコマンド40hに呼応して書き込みが行
われる。レディ・ビジー信号R/Bのローレベル期間に
データ領域12への書き込みが行われる。レディ・ビジ
ー信号R/Bのローレベル期間において、メモリコント
ロール部14から出力される内部書き込み信号Writ
eがローレベルにアサートされた期間でデータの書き込
みが行われる。このとき、内部ステータス情報(Sta
tus)112は生成されるが、この情報における所定
ビットの論理判定によるエラー判定は行われない。すな
わち、内部ステータス情報(Status)112の内
容にかかわらず、データ書き込みが終了される。これ
は、データのリアルタイム性を優先し、データのリアル
タイム性を阻害するような処理を可能な限り省略するた
めである。
フラッシュメモリコントローラはECCコードを作成せ
ず、データのみをデータ領域13に書き込むよう、メモ
リコントロール部14にアクセスコマンドを発行する
(91)。このとき、図11に示されるように、フラッ
シュメモリシステム1の入出力端子I/Oには、リトラ
イ無し書き込みコマンドNRC、書き込みアドレスSA
1,SA2、書き込みデータDin、及び書き込みスタ
ートコマンド40hが順次フラッシュメモリコントロー
ラ15から伝達される。リトライ無し書き込みコマンド
NRCは、メモリ部11への書き込み動作において同じ
データの再書き込みを伴わない第2書き込みモードを指
示するコマンドとされる。そのようなコマンドがフラッ
シュメモリコントローラ15からメモリコントロール部
14に与えられることにより、データ領域13への書き
込みは上記第2書き込みモードにより行われる(9
2)。書き込みアドレスSA1は、メモリ部1のロー系
のアドレス信号とされ、それに続いて入力される書き込
みアドレスSA2は、メモリ部1のカラム系のアドレス
信号とされる。書き込みアドレスSA2はメモリアクセ
スの初期アドレスとされ、それに続くアドレスは、フラ
ッシュメモリコントローラ15から伝達されたシリアル
クロック信号SCに同期してメモリコントロール部14
で生成される。入出力端子I/Oに伝達された書き込み
データDinは、シリアルクロック信号SCに同期して
メモリコントロール部14に取り込まれる。そして、書
き込みスタートコマンド40hに呼応して書き込みが行
われる。レディ・ビジー信号R/Bのローレベル期間に
データ領域12への書き込みが行われる。レディ・ビジ
ー信号R/Bのローレベル期間において、メモリコント
ロール部14から出力される内部書き込み信号Writ
eがローレベルにアサートされた期間でデータの書き込
みが行われる。このとき、内部ステータス情報(Sta
tus)112は生成されるが、この情報における所定
ビットの論理判定によるエラー判定は行われない。すな
わち、内部ステータス情報(Status)112の内
容にかかわらず、データ書き込みが終了される。これ
は、データのリアルタイム性を優先し、データのリアル
タイム性を阻害するような処理を可能な限り省略するた
めである。
【0055】上記の例によれば、以下の作用効果を得る
ことができる。
ことができる。
【0056】(1)メモリコントロール部14は、メモ
リ部11への書き込み動作において同じデータの再書き
込みを伴う第1書き込みモードと、それを伴わない第2
書き込みモードとを含み、フラッシュメモリコントロー
ラ15は、データ領域13に対する書き込みの場合に
は、上記メモリコントロール部14に対して上記第2書
き込みモードによる書き込み制御を指示し、管理領域1
2に対する書き込みの場合には、上記メモリコントロー
ル部に対して上記第1書き込みモードによる書き込み制
御を指示する。これにより、上記データ領域での書き込
みエラーに対しては同じデータの再書き込みを指示する
ことなく、次のデータの書き込みが指示されるため、上
記の例の場合と同様に、所定レート以上の書き込み速度
を保証することによって、実効記録レートが、書き込み
データのレートを下回るのを回避することができる。ま
た、上記管理領域での書き込みエラーに対しては同じデ
ータの再書き込みを指示することにより、管理領域にお
いては、書き込みを行うための精度を保証することがで
きる。
リ部11への書き込み動作において同じデータの再書き
込みを伴う第1書き込みモードと、それを伴わない第2
書き込みモードとを含み、フラッシュメモリコントロー
ラ15は、データ領域13に対する書き込みの場合に
は、上記メモリコントロール部14に対して上記第2書
き込みモードによる書き込み制御を指示し、管理領域1
2に対する書き込みの場合には、上記メモリコントロー
ル部に対して上記第1書き込みモードによる書き込み制
御を指示する。これにより、上記データ領域での書き込
みエラーに対しては同じデータの再書き込みを指示する
ことなく、次のデータの書き込みが指示されるため、上
記の例の場合と同様に、所定レート以上の書き込み速度
を保証することによって、実効記録レートが、書き込み
データのレートを下回るのを回避することができる。ま
た、上記管理領域での書き込みエラーに対しては同じデ
ータの再書き込みを指示することにより、管理領域にお
いては、書き込みを行うための精度を保証することがで
きる。
【0057】(2)上記フラッシュメモリコントローラ
15は、上記データ領域に書き込むべきデータについて
は当該データの誤り訂正のための符号の付加を省略し、
上記管理領域に書き込むべきデータには当該データの誤
り訂正のための符号を付加することにより、データのリ
アルタイム性を優先し、データのリアルタイム性を阻害
するような処理を可能な限り省略することができるの
で、所定レート以上の書き込み速度を保証することによ
って、実効記録レートが、書き込みデータのレートを下
回るのを回避する上で有効とされる。
15は、上記データ領域に書き込むべきデータについて
は当該データの誤り訂正のための符号の付加を省略し、
上記管理領域に書き込むべきデータには当該データの誤
り訂正のための符号を付加することにより、データのリ
アルタイム性を優先し、データのリアルタイム性を阻害
するような処理を可能な限り省略することができるの
で、所定レート以上の書き込み速度を保証することによ
って、実効記録レートが、書き込みデータのレートを下
回るのを回避する上で有効とされる。
【0058】(3)第1書き込みモードによる書き込み
制御の指示や、第2書き込みモードによる書き込み制御
の指示が、書き込みアドレスや書き込みデータの取り込
みを可能とする端子を介して、所定コマンドにより、上
記書き込みアドレスや上記書き込みデータよりも先にメ
モリコントロール部14に与えることにより、そのよう
な指示に基づく処理の円滑化を図ることができる。
制御の指示や、第2書き込みモードによる書き込み制御
の指示が、書き込みアドレスや書き込みデータの取り込
みを可能とする端子を介して、所定コマンドにより、上
記書き込みアドレスや上記書き込みデータよりも先にメ
モリコントロール部14に与えることにより、そのよう
な指示に基づく処理の円滑化を図ることができる。
【0059】(4)データ領域13に書き込むべきデー
タについては当該データの誤り訂正のための符号の付加
を省略し、管理領域12に書き込むべきデータには当該
データの誤り訂正のための符号を付加することにより、
データのリアルタイム性を優先し、データのリアルタイ
ム性を阻害するような処理を可能な限り省略することが
できるので、実効記録レートが、書き込みデータのレー
トを下回るのを回避する上で有効とされる。
タについては当該データの誤り訂正のための符号の付加
を省略し、管理領域12に書き込むべきデータには当該
データの誤り訂正のための符号を付加することにより、
データのリアルタイム性を優先し、データのリアルタイ
ム性を阻害するような処理を可能な限り省略することが
できるので、実効記録レートが、書き込みデータのレー
トを下回るのを回避する上で有効とされる。
【0060】以上本発明者によってなされた発明を具体
的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではな
く、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であるこ
とはいうまでもない。
的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではな
く、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であるこ
とはいうまでもない。
【0061】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるデータ
記録システムについて説明したが、本発明はそれに限定
されるものではなく、各種記録装置に適用することがで
きる。
なされた発明をその背景となった利用分野であるデータ
記録システムについて説明したが、本発明はそれに限定
されるものではなく、各種記録装置に適用することがで
きる。
【0062】本発明は、少なくともデータの書き込みを
可能とするデータ領域、及び上記データ領域に書き込ま
れるデータの管理情報を書き込み可能な管理領域を含む
ことを条件に適用することができる。
可能とするデータ領域、及び上記データ領域に書き込ま
れるデータの管理情報を書き込み可能な管理領域を含む
ことを条件に適用することができる。
【0063】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記
の通りである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記
の通りである。
【0064】すなわち、データ領域に対する書き込みエ
ラーに対しては同じデータの再書き込みを指示すること
なく、次のデータの書き込みを指示することにより、所
定レート以上の書き込み速度を保証することによって、
実効記録レートが、書き込みデータのレートを下回るの
を回避する。それにより、システムにおける実効記録レ
ートが、書き込みデータのレートを下回ってしまうこと
に起因するシステム破綻を回避することができる。ま
た、上記管理領域での書き込みエラーに対しては同じデ
ータの再書き込みを指示することにより、管理領域にお
いては、書き込みを行うための精度を保証することがで
きる。
ラーに対しては同じデータの再書き込みを指示すること
なく、次のデータの書き込みを指示することにより、所
定レート以上の書き込み速度を保証することによって、
実効記録レートが、書き込みデータのレートを下回るの
を回避する。それにより、システムにおける実効記録レ
ートが、書き込みデータのレートを下回ってしまうこと
に起因するシステム破綻を回避することができる。ま
た、上記管理領域での書き込みエラーに対しては同じデ
ータの再書き込みを指示することにより、管理領域にお
いては、書き込みを行うための精度を保証することがで
きる。
【図1】本発明にかかる記録装置の一例とされるデータ
記録システムにおける主要部の構成例ブロック図であ
る。
記録システムにおける主要部の構成例ブロック図であ
る。
【図2】上記データ記録システムの構成例ブロック図で
ある。
ある。
【図3】上記データ記録システムの別の構成例ブロック
図である。
図である。
【図4】上記データ記録システムにおける管理領域への
書き込みについての説明図である。
書き込みについての説明図である。
【図5】上記データ記録システムにおけるデータ領域へ
の書き込みについての説明図である。
の書き込みについての説明図である。
【図6】上記データ記録システムにおける管理領域への
書き込みについての動作タイミング図である。
書き込みについての動作タイミング図である。
【図7】上記データ記録システムにおけるデータ領域へ
の書き込みについての動作タイミング図である。
の書き込みについての動作タイミング図である。
【図8】上記データ記録システムにおける管理領域への
書き込みについての別の説明図である。
書き込みについての別の説明図である。
【図9】上記データ記録システムにおけるデータ領域へ
の書き込みについての別の説明図である。
の書き込みについての別の説明図である。
【図10】上記データ記録システムにおける管理領域へ
の書き込みについての別の動作タイミング図である。
の書き込みについての別の動作タイミング図である。
【図11】上記データ記録システムにおけるデータ領域
への書き込みについての別の動作タイミング図である。
への書き込みについての別の動作タイミング図である。
【図12】上記データ記録システムに含まれるフラッシ
ュメモリシステムのフォーマット例説明図である。
ュメモリシステムのフォーマット例説明図である。
1 フラッシュメモリシステム
2 インタフェースシステム
3 バッファメモリ
4 制御部
6 カメラ部
7 カメラ信号処理部
8 画像圧縮伸長処理部
9 表示部
10 操作部
11 メモリ部
12 管理領域
13 データ領域
14 メモリコントロール部
15 フラッシュメモリコントローラ
16 メモリチップ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考)
H04N 5/225 G11C 17/00 611Z
5/907 639C
5/91 H04N 5/91 Z
(72)発明者 内田 博之
東京都小平市上水本町五丁目20番1号 株
式会社日立製作所半導体グループ内
(72)発明者 黒河内 真一
東京都小平市上水本町5丁目22番1号 株
式会社日立超エル・エス・アイ・システム
ズ内
(72)発明者 飯田 好和
東京都小平市上水本町五丁目20番1号 株
式会社日立製作所半導体グループ内
Fターム(参考) 5B018 GA02 GA06 HA15 KA01 KA12
NA06 QA15
5B025 AA01 AD04 AE05
5C022 AA11 AC31 AC69
5C052 GA01 GA07 GD03 GE06 GF02
5C053 FA09 FA27 GB14 GB17 KA04
KA19
Claims (8)
- 【請求項1】 データの書き込みを可能とするデータ領
域、及び上記データ領域に書き込まれるデータの管理情
報を書き込み可能な管理領域を含むメモリ部と、上記メ
モリ部の動作を制御するメモリコントロール部と、を含
む記録装置であって、 上記データ領域での書き込みエラーに対しては同じデー
タの再書き込みを指示することなく、次のデータの書き
込みを指示し、上記管理領域での書き込みエラーに対し
ては同じデータの再書き込みを指示するための制御手段
を含んで成ることを特徴とする記録装置。 - 【請求項2】 データの書き込みを可能とするデータ領
域、及び上記データ領域に書き込まれるデータの管理情
報を書き込み可能な管理領域を含むメモリ部と、上記メ
モリ部の動作に関する各種コマンドを発行可能なメモリ
コントローラと、上記メモリコントローラから発行され
たコマンドに従って上記メモリ部の動作を制御するため
のメモリコントロール部と、を含む記録装置であって、 上記メモリコントロール部は、上記メモリ部に対する書
き込みにおいてエラーを生じた場合に再書き込みを行う
ことなく、上記メモリコントローラに対してエラー情報
を送出し、 上記メモリコントローラは、上記メモリコントロール部
からエラー情報が伝達されたときの書き込み動作が上記
データ領域に対するものである場合に同じデータの再書
き込みを行うことなく次のデータを書き込むように制御
し、上記メモリコントロール部からエラー情報が伝達さ
れたときの書き込み動作が上記管理領域に対するもので
ある場合には同じデータの再書き込みを制御することを
特徴とする記録装置。 - 【請求項3】 データの書き込みを可能とするデータ領
域、及び上記データ領域に書き込まれるデータの管理情
報を書き込み可能な管理領域を含むメモリ部と、上記メ
モリ部の動作に関する各種コマンドを発行可能なメモリ
コントローラと、上記メモリコントローラから発行され
たコマンドに従って上記メモリ部の動作を制御するため
のメモリコントロール部と、を含む記録装置であって、 上記メモリコントロール部は、上記メモリ部に対する書
き込みエラーを生じた場合に再書き込みを行うことな
く、上記メモリコントローラに対してエラー情報を送出
し、 上記メモリコントローラは、上記データ領域に書き込む
べきデータには当該データの誤り訂正のための符号の付
加を省略し、上記管理領域に書き込むべきデータには当
該データの誤り訂正のための符号を付加し、さらに上記
メモリコントロール部からエラー情報が伝達されたとき
の書き込み動作が上記データ領域に対するものである場
合に同じデータの再書き込みを行うことなく次のデータ
を書き込むように制御し、上記メモリコントロール部か
らエラー情報が伝達されたときの書き込み動作が上記管
理領域に対するものである場合には同じデータの再書き
込みを制御することを特徴とする記録装置。 - 【請求項4】 データの書き込みを可能とするデータ領
域、及び上記データ領域に書き込まれるデータの管理情
報を書き込み可能な管理領域を含むメモリ部と、上記メ
モリ部の動作に関する各種コマンドを発行可能なメモリ
コントローラと、上記メモリコントローラから発行され
たコマンドに従って上記メモリ部の動作を制御するため
のメモリコントロール部と、を含む記録装置であって、 上記メモリコントローラは、上記管理領域に対する書き
込みの場合には、同じデータの再書き込みを伴う第1書
き込みモードを指定するための第1コマンドを発行し、
上記データ領域に対する書き込みの場合には、同じデー
タの再書き込みを行わない第2書き込みモードを指定す
るための第2コマンドを発行し、 上記メモリコントロール部は、上記第2書き込みモード
での書き込みエラーに対しては、同じデータの再書き込
みを行わず、上記第1書き込みモードでの書き込みエラ
ーに対しては、同じデータの再書き込みを行うことを特
徴とする記録装置。 - 【請求項5】 データの書き込みを可能とするデータ領
域、及び上記データ領域に書き込まれるデータの管理情
報を書き込み可能な管理領域を含むメモリ部と、上記メ
モリ部の動作に関する各種コマンドを発行可能なメモリ
コントローラと、上記メモリコントローラから発行され
たコマンドに従って上記メモリ部の動作を制御するため
のメモリコントロール部と、を含む記録装置であって、 上記メモリコントローラは、上記管理領域に対する書き
込みの場合には、同じデータの再書き込みを伴う第1書
き込みモードを指定するための第1コマンドを発行し、
上記データ領域に対する書き込みの場合には、同じデー
タの再書き込みを行わない第2書き込みモードを指定す
るための第2コマンドを発行し、さらに上記データ領域
に書き込むべきデータについては当該データの誤り訂正
のための符号の付加を省略し、上記管理領域に書き込む
べきデータには当該データの誤り訂正のための符号を付
加し、 上記メモリコントロール部は、上記第2書き込みモード
での書き込みエラーに対しては、同じデータの再書き込
みを行わず、上記第1書き込みモードでの書き込みエラ
ーに対しては、同じデータの再書き込みを行うことを特
徴とする記録装置。 - 【請求項6】 データの書き込みを可能とするデータ領
域、及び上記データ領域に書き込まれるデータの管理情
報を書き込み可能な管理領域を含むメモリ部と、上記メ
モリ部の動作に関する各種コマンドを発行可能なメモリ
コントローラと、上記メモリコントローラから発行され
たコマンドに従って上記メモリ部の動作を制御するため
のメモリコントロール部と、を含む記録装置であって、 上記メモリコントローラは、上記管理領域に対する書き
込みの場合には、同じデータの再書き込みを伴う第1書
き込みモードを指定するための第1コマンドを発行し、
上記データ領域に対する書き込みの場合には、同じデー
タの再書き込みを行わない第2書き込みモードを指定す
るための第2コマンドを発行し、 上記メモリコントロール部は、上記第2書き込みモード
が指定された状態での書き込みエラーに対しては、同じ
データの再書き込みを行わず、上記第1書き込みモード
での書き込みエラーに対しては、同じデータの再書き込
みを行い、 上記第1コマンド及び上記第2コマンドは、書き込みア
ドレスや書き込みデータの取り込みを可能とする端子を
介して、上記書き込みアドレスや上記書き込みデータよ
りも先に上記メモリコントロール部に与えられることを
特徴とする記録装置。 - 【請求項7】 データの書き込みを可能とするデータ領
域、及び上記データ領域に書き込まれるデータの管理情
報を書き込み可能な管理領域を含むメモリ部と、上記メ
モリ部の動作に関する各種コマンドを発行可能なメモリ
コントローラと、上記メモリコントローラから発行され
たコマンドに従って上記メモリ部の動作を制御するため
のメモリコントロール部と、を含む記録装置であって、 上記メモリコントローラは、上記管理領域に対する書き
込みの場合には、同じデータの再書き込みを伴う第1書
き込みモードを指定するための第1コマンドを発行し、
上記データ領域に対する書き込みの場合には、同じデー
タの再書き込みを行わない第2書き込みモードを指定す
るための第2コマンドを発行し、さらに上記データ領域
に書き込むべきデータには当該データの誤り訂正のため
の符号の付加を省略し、上記管理領域に書き込むべきデ
ータには当該データの誤り訂正のための符号を付加し、 上記メモリコントロール部は、上記第2書き込みモード
での書き込みエラーに対しては、同じデータの再書き込
みを行わず、上記第1書き込みモードでの書き込みエラ
ーに対しては、同じデータの再書き込みを行い、 上記第1コマンド及び上記第2コマンドは、書き込みア
ドレスや書き込みデータの取り込みを可能とする端子を
介して、上記書き込みアドレスや上記書き込みデータよ
りも先に上記メモリコントロール部に与えられることを
特徴とする記録装置。 - 【請求項8】 上記データ領域に書き込まれるデータ
は、動画データ又は音声データとされる請求項1乃至7
の何れか1項記載の記録装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001334243A JP2003140980A (ja) | 2001-10-31 | 2001-10-31 | 記録装置 |
| KR1020020063076A KR20030035906A (ko) | 2001-10-31 | 2002-10-16 | 기록장치 |
| US10/270,590 US20030110361A1 (en) | 2001-10-31 | 2002-10-16 | Nonvolatile memory |
| TW091132089A TW200300257A (en) | 2001-10-31 | 2002-10-29 | Recording device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001334243A JP2003140980A (ja) | 2001-10-31 | 2001-10-31 | 記録装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003140980A true JP2003140980A (ja) | 2003-05-16 |
Family
ID=19149400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001334243A Withdrawn JP2003140980A (ja) | 2001-10-31 | 2001-10-31 | 記録装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20030110361A1 (ja) |
| JP (1) | JP2003140980A (ja) |
| KR (1) | KR20030035906A (ja) |
| TW (1) | TW200300257A (ja) |
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-
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- 2002-10-16 US US10/270,590 patent/US20030110361A1/en not_active Abandoned
- 2002-10-29 TW TW091132089A patent/TW200300257A/zh unknown
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| US20030110361A1 (en) | 2003-06-12 |
| KR20030035906A (ko) | 2003-05-09 |
| TW200300257A (en) | 2003-05-16 |
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|
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