JP2003133205A - 反射型マスク、反射型マスク製造方法及び反射型マスク洗浄方法 - Google Patents
反射型マスク、反射型マスク製造方法及び反射型マスク洗浄方法Info
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- JP2003133205A JP2003133205A JP2001326022A JP2001326022A JP2003133205A JP 2003133205 A JP2003133205 A JP 2003133205A JP 2001326022 A JP2001326022 A JP 2001326022A JP 2001326022 A JP2001326022 A JP 2001326022A JP 2003133205 A JP2003133205 A JP 2003133205A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
- G03F1/24—Reflection masks; Preparation thereof
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】液洗浄耐性を有する材質から成る膜を表面に形
成することによって、付着物を洗浄除去することができ
るようにする。 【解決手段】下地基板２１及び該下地基板２１上に形成
された露光波長での屈折率が異なる複数種類の材質から
成る多層膜２２を備えるマスクブランクス２０と、該マ
スクブランクス２０上に形成されたマスクパターンと、
前記マスクブランクス２０又はマスクパターンの少なく
とも１面をコーティングする耐薬液洗浄保護膜とを有す
る。
成することによって、付着物を洗浄除去することができ
るようにする。 【解決手段】下地基板２１及び該下地基板２１上に形成
された露光波長での屈折率が異なる複数種類の材質から
成る多層膜２２を備えるマスクブランクス２０と、該マ
スクブランクス２０上に形成されたマスクパターンと、
前記マスクブランクス２０又はマスクパターンの少なく
とも１面をコーティングする耐薬液洗浄保護膜とを有す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、反射型マスク、反
射型マスク製造方法及び反射型マスク洗浄方法に関する
ものである。
射型マスク製造方法及び反射型マスク洗浄方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子の高集積化に伴って、
１００〔ｎｍ〕以下の極微細加工を可能にする新たなプ
ロセス技術の確立が急務になっている。そして、リソグ
ラフィ技術においても、光源の短波長化によって光学的
な解像力の向上を図るために、従来の水銀ランプやエキ
シマレーザによる紫外線と比べて、波長が１０〜１５
〔ｎｍ〕程度と１桁（けた）以上も短いＥＵＶ（極紫
外：Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光を光
源に用いて高解像化を可能とするＥＵＶリソグラフィの
開発が精力的に行われている。
１００〔ｎｍ〕以下の極微細加工を可能にする新たなプ
ロセス技術の確立が急務になっている。そして、リソグ
ラフィ技術においても、光源の短波長化によって光学的
な解像力の向上を図るために、従来の水銀ランプやエキ
シマレーザによる紫外線と比べて、波長が１０〜１５
〔ｎｍ〕程度と１桁（けた）以上も短いＥＵＶ（極紫
外：Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光を光
源に用いて高解像化を可能とするＥＵＶリソグラフィの
開発が精力的に行われている。
【０００３】この場合、ＥＵＶ光は物質に対する吸収が
非常に著しく、ＥＵＶ光に対する物質の屈折率もほとん
ど真空の値に等しい。したがって、ＥＵＶ光をレンズに
よって集光することが困難なので、ＥＵＶリソグラフィ
の光学系には、凸面鏡と凹面鏡とを組み合わせた反射光
学系が用いられる（精密光学会誌第６４巻第２号２８２
項−２８６項（１９９８年）参照）。また、マスクも光
レチクルのような透過型では吸収によるＥＵＶ光の強度
低下が著しいことから、反射型マスクが用いられる。
非常に著しく、ＥＵＶ光に対する物質の屈折率もほとん
ど真空の値に等しい。したがって、ＥＵＶ光をレンズに
よって集光することが困難なので、ＥＵＶリソグラフィ
の光学系には、凸面鏡と凹面鏡とを組み合わせた反射光
学系が用いられる（精密光学会誌第６４巻第２号２８２
項−２８６項（１９９８年）参照）。また、マスクも光
レチクルのような透過型では吸収によるＥＵＶ光の強度
低下が著しいことから、反射型マスクが用いられる。
【０００４】図２は従来の反射型マスクの断面図であ
る。
る。
【０００５】図に示されるように、反射型マスクは、Ｓ
ｉＯ2 を主成分とするガラス又はシリコン（Ｓｉ）から
成る下地基板１１、該下地基板１１上の全面にコーティ
ングされた多層膜１２、及び、該多層膜１２上に所望の
パターン形状に形成された金属薄膜から成るマスクパタ
ーン１３を有する。
ｉＯ2 を主成分とするガラス又はシリコン（Ｓｉ）から
成る下地基板１１、該下地基板１１上の全面にコーティ
ングされた多層膜１２、及び、該多層膜１２上に所望の
パターン形状に形成された金属薄膜から成るマスクパタ
ーン１３を有する。
【０００６】ここで、前記多層膜１２は、２種類以上の
材質から成る層を積層して形成され、反射型マスクの表
面にほぼ垂直に入射したＥＵＶ光に対して高い反射率を
得るために、露光波長における屈折率が大きく異なる材
質から成る層が隣り合うように組み合わされる。そし
て、いくつかの層から成る組み合わせを基本周期とし、
３０〜４０周期程度繰り返して積層させることによっ
て、前記多層膜１２が形成される。
材質から成る層を積層して形成され、反射型マスクの表
面にほぼ垂直に入射したＥＵＶ光に対して高い反射率を
得るために、露光波長における屈折率が大きく異なる材
質から成る層が隣り合うように組み合わされる。そし
て、いくつかの層から成る組み合わせを基本周期とし、
３０〜４０周期程度繰り返して積層させることによっ
て、前記多層膜１２が形成される。
【０００７】また、前記マスクパターン１３は、所望の
パターン形状に形成された金属薄膜から成り、ＥＵＶ光
を吸収して非反射部分となるので露光コントラストを生
じることになる。
パターン形状に形成された金属薄膜から成り、ＥＵＶ光
を吸収して非反射部分となるので露光コントラストを生
じることになる。
【０００８】一般に、従来の反射型マスクにおいては、
下地基板１１上にコーティングされる多層膜１２とし
て、基本周期がモリブデン（Ｍｏ）層１２ａとシリコン
（Ｓｉ）層１２ｂとを積層させて形成したものが広く用
いられている。そして、露光波長の約半分の周期で積層
させることによって、波長が１３．５〔ｎｍ〕付近のＥ
ＵＶ光に対して最大約７０〔％〕の反射率を得ることが
できる。
下地基板１１上にコーティングされる多層膜１２とし
て、基本周期がモリブデン（Ｍｏ）層１２ａとシリコン
（Ｓｉ）層１２ｂとを積層させて形成したものが広く用
いられている。そして、露光波長の約半分の周期で積層
させることによって、波長が１３．５〔ｎｍ〕付近のＥ
ＵＶ光に対して最大約７０〔％〕の反射率を得ることが
できる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の反射型マスクにおいては、パーティクルや堆（た
い）積物が付着した場合、洗浄して除去することができ
ないことがある。この場合、前記反射型マスクは使用不
能になってしまう。
来の反射型マスクにおいては、パーティクルや堆（た
い）積物が付着した場合、洗浄して除去することができ
ないことがある。この場合、前記反射型マスクは使用不
能になってしまう。
【００１０】図３は従来の反射型マスクの製造工程を示
す第１の図、図４は従来の反射型マスクの製造工程を示
す第２の図、図５は従来の反射型マスクの製造工程を示
す第３の図である。
す第１の図、図４は従来の反射型マスクの製造工程を示
す第２の図、図５は従来の反射型マスクの製造工程を示
す第３の図である。
【００１１】まず、スパッタリングによって下地基板１
１上に多層膜１２をコーティングし、該多層膜１２上の
全面に、スパッタリングによって、マスクパターン用の
金属薄膜１４を堆積させる。このとき、マスクパターン
加工を容易にするために、前記金属薄膜１４の下にバッ
ファー（Ｂｕｆｆｅｒ）層として別の膜を堆積してもよ
い。
１上に多層膜１２をコーティングし、該多層膜１２上の
全面に、スパッタリングによって、マスクパターン用の
金属薄膜１４を堆積させる。このとき、マスクパターン
加工を容易にするために、前記金属薄膜１４の下にバッ
ファー（Ｂｕｆｆｅｒ）層として別の膜を堆積してもよ
い。
【００１２】次に、前記金属薄膜１４上の全面にレジス
トを塗布し、電子線やレーザ光の走査による露光及び現
像によって、図３に示されるように、所望のパターン形
状を有するレジストパターン１５を形成する。
トを塗布し、電子線やレーザ光の走査による露光及び現
像によって、図３に示されるように、所望のパターン形
状を有するレジストパターン１５を形成する。
【００１３】続いて、図４に示されるように、レジスト
パターン１５をマスクとしてプラズマドライエッチング
を行い、該レジストパターン１５でマスクされていない
金属薄膜１４を除去する。続いて、レジストパターン１
５を除去すると、図５に示されるように、所望のパター
ンに形成されたマスクパターン１３を有する反射型マス
クを得ることができる。
パターン１５をマスクとしてプラズマドライエッチング
を行い、該レジストパターン１５でマスクされていない
金属薄膜１４を除去する。続いて、レジストパターン１
５を除去すると、図５に示されるように、所望のパター
ンに形成されたマスクパターン１３を有する反射型マス
クを得ることができる。
【００１４】なお、反射型マスクの下地基板１１として
は、マスクブランクス（マスク素材）として広く使用さ
れているガラス基板が一般的である。また、前記金属薄
膜１４としては、タンタル（Ｔａ）及び該タンタルを主
成分とした合金膜（例えば、ＴａＧｅ、ＴａＢ、ＴａＮ
等）を使用することができる。この場合、タンタル膜
は、ＥＵＶ光の吸収率が高く、マスクパターン加工も容
易であるので、反射型マスクの金属薄膜１４に適した材
料である。また、タンタルを主成分とした合金膜は、そ
の膜構造がアモルファス構造になるので、大気中での膜
応力の経時変化を抑制することができるという特徴を有
する。さらに、窒化タンタル（ＴａＮ）膜は、ＤＵＶ
（深紫外：Ｄｅｅｐ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光に対
する多層膜１２との反射率差が大きいことから、ＤＵＶ
光を用いたマスクパターン検査を可能にすることができ
る（特願２０００−０４８６５４号参照）。
は、マスクブランクス（マスク素材）として広く使用さ
れているガラス基板が一般的である。また、前記金属薄
膜１４としては、タンタル（Ｔａ）及び該タンタルを主
成分とした合金膜（例えば、ＴａＧｅ、ＴａＢ、ＴａＮ
等）を使用することができる。この場合、タンタル膜
は、ＥＵＶ光の吸収率が高く、マスクパターン加工も容
易であるので、反射型マスクの金属薄膜１４に適した材
料である。また、タンタルを主成分とした合金膜は、そ
の膜構造がアモルファス構造になるので、大気中での膜
応力の経時変化を抑制することができるという特徴を有
する。さらに、窒化タンタル（ＴａＮ）膜は、ＤＵＶ
（深紫外：Ｄｅｅｐ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光に対
する多層膜１２との反射率差が大きいことから、ＤＵＶ
光を用いたマスクパターン検査を可能にすることができ
る（特願２０００−０４８６５４号参照）。
【００１５】ところで、一般に、リソグラフィで使用さ
れるマスクは、使用しているうちにマスク上にパーティ
クルや堆積物が付着するので、それらを除去するために
ウェット洗浄を行うようになっている。そして、物理的
に付着しているパーティクル等は、純水洗浄、又は、純
水洗浄に物理的衝撃を加えた洗浄（代表的には超音波洗
浄）によって除去される場合がほとんどである。
れるマスクは、使用しているうちにマスク上にパーティ
クルや堆積物が付着するので、それらを除去するために
ウェット洗浄を行うようになっている。そして、物理的
に付着しているパーティクル等は、純水洗浄、又は、純
水洗浄に物理的衝撃を加えた洗浄（代表的には超音波洗
浄）によって除去される場合がほとんどである。
【００１６】一方、マスクの表面で化学的に結合してい
るようなパーティクル等に対しては、前述されたような
洗浄方法だけでは除去しきれない。そこで、薬品を使用
した化学的作用を加えて除去する洗浄方法が必要にな
る。
るようなパーティクル等に対しては、前述されたような
洗浄方法だけでは除去しきれない。そこで、薬品を使用
した化学的作用を加えて除去する洗浄方法が必要にな
る。
【００１７】ところが、薬品を使用した洗浄方法におい
ては、前記薬品が多層膜１２やマスクパターン１３に作
用して、その特性を変えてしまうことを避けなければな
らない。したがって、前記多層膜１２やマスクパターン
１３に影響を与えずに、かつ、パーティクル等を除去す
ることができるような薬品を選択する必要がある。
ては、前記薬品が多層膜１２やマスクパターン１３に作
用して、その特性を変えてしまうことを避けなければな
らない。したがって、前記多層膜１２やマスクパターン
１３に影響を与えずに、かつ、パーティクル等を除去す
ることができるような薬品を選択する必要がある。
【００１８】そして、薬品を使用してパーティクル等を
除去する方法を検討する場合、ＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ Ｓ
ｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）製
造技術で用いられている洗浄方法が参考になる。ここ
で、該洗浄方法として良く知られている薬品を洗浄剤と
して用いた洗浄方法としては、硫酸過水洗浄（ＳＰ
Ｍ）、アンモニア過水洗浄（ＡＰＭ）、塩酸過水洗浄
（ＨＰＭ）、沸酸洗浄（ＤＨＦ）等がある。
除去する方法を検討する場合、ＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ Ｓ
ｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）製
造技術で用いられている洗浄方法が参考になる。ここ
で、該洗浄方法として良く知られている薬品を洗浄剤と
して用いた洗浄方法としては、硫酸過水洗浄（ＳＰ
Ｍ）、アンモニア過水洗浄（ＡＰＭ）、塩酸過水洗浄
（ＨＰＭ）、沸酸洗浄（ＤＨＦ）等がある。
【００１９】まず、硫酸過水洗浄においては、硫酸（Ｈ
2 ＳＯ4 ）と過酸化水素（Ｈ2 Ｏ2）とを混合して得ら
れる強力な酸化作用を有する洗浄剤が使用される。そし
て、硫酸過水洗浄は、金属や金属酸化物の無機系異物の
除去に用いられ、また、レジスト等の有機系異物も酸化
分解する。
2 ＳＯ4 ）と過酸化水素（Ｈ2 Ｏ2）とを混合して得ら
れる強力な酸化作用を有する洗浄剤が使用される。そし
て、硫酸過水洗浄は、金属や金属酸化物の無機系異物の
除去に用いられ、また、レジスト等の有機系異物も酸化
分解する。
【００２０】また、アンモニア過水洗浄においては、ア
ンモニア（ＮＨ4 ＯＨ）と過酸化水素と水とを混合した
洗浄剤が使用される。そして、半導体基板等の基板の表
面に付着している異物を、基板をエッチングすることに
よるリフトオフ現象によって除去する。
ンモニア（ＮＨ4 ＯＨ）と過酸化水素と水とを混合した
洗浄剤が使用される。そして、半導体基板等の基板の表
面に付着している異物を、基板をエッチングすることに
よるリフトオフ現象によって除去する。
【００２１】さらに、塩酸過水洗浄においては、塩酸
（ＨＣｌ）と過酸化水素と水とを混合した洗浄剤が使用
される。そして、重金属及びアルカリ金属は、ＨＣｌ−
Ｈ2 Ｏ 2 中で一種の錯体を形成するので、該錯体を溶出
させて除去する。
（ＨＣｌ）と過酸化水素と水とを混合した洗浄剤が使用
される。そして、重金属及びアルカリ金属は、ＨＣｌ−
Ｈ2 Ｏ 2 中で一種の錯体を形成するので、該錯体を溶出
させて除去する。
【００２２】なお、沸酸洗浄は、沸酸（ＨＦ）が洗浄剤
として使用され、自然酸化膜の除去及び仕上げの洗浄に
用いられる。
として使用され、自然酸化膜の除去及び仕上げの洗浄に
用いられる。
【００２３】図６は従来の他の反射型マスクの断面図、
図７は従来の他の反射型マスクにおける窒化タンタル膜
の薬液処理によるシート抵抗の変化を示す図、図８は従
来の他の反射型マスクにおける酸化シリコン膜の薬液処
理による膜厚の変化を示す図である。なお、図７におい
て縦軸は窒化タンタル膜表面のシート抵抗の変化率
〔％〕を示し、図８において縦軸は酸化シリコン膜の減
少率〔％〕を示している。
図７は従来の他の反射型マスクにおける窒化タンタル膜
の薬液処理によるシート抵抗の変化を示す図、図８は従
来の他の反射型マスクにおける酸化シリコン膜の薬液処
理による膜厚の変化を示す図である。なお、図７におい
て縦軸は窒化タンタル膜表面のシート抵抗の変化率
〔％〕を示し、図８において縦軸は酸化シリコン膜の減
少率〔％〕を示している。
【００２４】反射型マスクを前述されたような洗浄方法
によって洗浄する場合、マスクの表面に面している材質
が洗浄剤によって受ける影響を考慮する必要がある。図
６に示される反射型マスクにおいて、下地基板１１の材
料はガラス（酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）が主成分）であ
り、多層膜１２の最上層はアモルファスシリコン（α−
Ｓｉ）であり、マスクパターン１３は窒化タンタル（Ｔ
ａＮ）膜１７であり、バッファー層は酸化シリコン膜１
６である。
によって洗浄する場合、マスクの表面に面している材質
が洗浄剤によって受ける影響を考慮する必要がある。図
６に示される反射型マスクにおいて、下地基板１１の材
料はガラス（酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）が主成分）であ
り、多層膜１２の最上層はアモルファスシリコン（α−
Ｓｉ）であり、マスクパターン１３は窒化タンタル（Ｔ
ａＮ）膜１７であり、バッファー層は酸化シリコン膜１
６である。
【００２５】図７においては、窒化タンタル膜１７につ
いて、硫酸、アンモニア、塩酸及び沸酸の４種類の薬液
に浸した前後、すなわち、薬液処理の前後における膜表
面のシート抵抗の変化の度合いを示している。ここで、
シート抵抗とは、４端針法によって測定した膜表面の抵
抗である。なお、薬液によってエッチングされたり変質
したりしなければ、薬液処理の前後において膜表面のシ
ート抵抗値は変わらないので、膜表面のシート抵抗の変
化によって該各薬液に対する耐性を評価することができ
る。
いて、硫酸、アンモニア、塩酸及び沸酸の４種類の薬液
に浸した前後、すなわち、薬液処理の前後における膜表
面のシート抵抗の変化の度合いを示している。ここで、
シート抵抗とは、４端針法によって測定した膜表面の抵
抗である。なお、薬液によってエッチングされたり変質
したりしなければ、薬液処理の前後において膜表面のシ
ート抵抗値は変わらないので、膜表面のシート抵抗の変
化によって該各薬液に対する耐性を評価することができ
る。
【００２６】また、図８においては、酸化シリコン膜１
６の材料について、硫酸、アンモニア、塩酸及び沸酸の
４種類の薬液処理の前後における膜厚の変化量としての
膜減り量を示している。
６の材料について、硫酸、アンモニア、塩酸及び沸酸の
４種類の薬液処理の前後における膜厚の変化量としての
膜減り量を示している。
【００２７】図７及び８から分かるように、窒化タンタ
ル膜１７が薬液洗浄耐性を有するのは、硫酸に対する場
合だけである。ここで、薬液洗浄耐性を有すると判断さ
れるのは、シート抵抗の変化した値が１〔％〕以内の場
合を指している。
ル膜１７が薬液洗浄耐性を有するのは、硫酸に対する場
合だけである。ここで、薬液洗浄耐性を有すると判断さ
れるのは、シート抵抗の変化した値が１〔％〕以内の場
合を指している。
【００２８】同様に、酸化シリコン膜１６が薬液洗浄耐
性を有するのは、硫酸及び塩酸に対する場合である。ま
た、アモルファスシリコンにおいては、酸化シリコン膜
１６と同様の結果を得ることができた。
性を有するのは、硫酸及び塩酸に対する場合である。ま
た、アモルファスシリコンにおいては、酸化シリコン膜
１６と同様の結果を得ることができた。
【００２９】したがって、下地基板１１上にシリコン層
１２ｂが最上層に存在する多層膜１２を形成したマスク
ブランクスにおいては、アンモニア及び沸酸でしか除去
することができないようなパーティクル等が付着した場
合、シリコン層１２ｂに影響を与えることなく前記パー
ティクル等を除去することができないので、前記マスク
ブランクスを使用することができなくなってしまう。
１２ｂが最上層に存在する多層膜１２を形成したマスク
ブランクスにおいては、アンモニア及び沸酸でしか除去
することができないようなパーティクル等が付着した場
合、シリコン層１２ｂに影響を与えることなく前記パー
ティクル等を除去することができないので、前記マスク
ブランクスを使用することができなくなってしまう。
【００３０】また、前記マスクブランクス上にマスクパ
ターン１３が形成されている図６に示されるような反射
型マスクにおいては、硫酸による洗浄だけが可能であ
り、アンモニア、塩酸及び沸酸でしか除去することがで
きないようなパーティクルが付着した場合、酸化シリコ
ン膜１６及び窒化タンタル膜１７に影響を与えることな
く前記パーティクル等を除去することができないので、
前記反射型マスクを使用することができなくなってしま
う。
ターン１３が形成されている図６に示されるような反射
型マスクにおいては、硫酸による洗浄だけが可能であ
り、アンモニア、塩酸及び沸酸でしか除去することがで
きないようなパーティクルが付着した場合、酸化シリコ
ン膜１６及び窒化タンタル膜１７に影響を与えることな
く前記パーティクル等を除去することができないので、
前記反射型マスクを使用することができなくなってしま
う。
【００３１】本発明は、前記従来の反射型マスクの問題
点を解決して、薬液洗浄耐性を有する材質から成る膜を
表面に形成することによって、付着物を洗浄除去するこ
とができる反射型マスクを提供することを目的とする。
点を解決して、薬液洗浄耐性を有する材質から成る膜を
表面に形成することによって、付着物を洗浄除去するこ
とができる反射型マスクを提供することを目的とする。
【００３２】
【課題を解決するための手段】そのために、本発明の反
射型マスクにおいては、下地基板及び該下地基板上に形
成された露光波長での屈折率が異なる複数種類の材質か
ら成る多層膜を備えるマスクブランクスと、該マスクブ
ランクス上に形成されたマスクパターンと、前記マスク
ブランクス又はマスクパターンの少なくとも１面をコー
ティングする耐薬液洗浄保護膜とを有する。
射型マスクにおいては、下地基板及び該下地基板上に形
成された露光波長での屈折率が異なる複数種類の材質か
ら成る多層膜を備えるマスクブランクスと、該マスクブ
ランクス上に形成されたマスクパターンと、前記マスク
ブランクス又はマスクパターンの少なくとも１面をコー
ティングする耐薬液洗浄保護膜とを有する。
【００３３】本発明の他の反射型マスクにおいては、さ
らに、前記多層膜は、シリコン又はベリリウムとモリブ
デンとから成り、最上層がシリコン層又はベリリウム層
である。
らに、前記多層膜は、シリコン又はベリリウムとモリブ
デンとから成り、最上層がシリコン層又はベリリウム層
である。
【００３４】本発明の更に他の反射型マスクにおいて
は、さらに、前記耐薬液洗浄保護膜は、ルテニウムから
成り、入射光の反射面以外の少なくとも１面をコーティ
ングする。
は、さらに、前記耐薬液洗浄保護膜は、ルテニウムから
成り、入射光の反射面以外の少なくとも１面をコーティ
ングする。
【００３５】本発明の更に他の反射型マスクにおいて
は、さらに、前記マスクパターンは窒化タンタル膜を備
え、前記耐薬液洗浄保護膜は前記マスクパターンをコー
ティングするマスクパターン保護膜を備える。
は、さらに、前記マスクパターンは窒化タンタル膜を備
え、前記耐薬液洗浄保護膜は前記マスクパターンをコー
ティングするマスクパターン保護膜を備える。
【００３６】本発明の更に他の反射型マスクにおいて
は、さらに、前記マスクパターン保護膜はタンタルから
成る。
は、さらに、前記マスクパターン保護膜はタンタルから
成る。
【００３７】本発明の更に他の反射型マスクにおいて
は、さらに、前記マスクパターン保護膜は、前記マスク
パターンをコーティングするタンタル膜を酸化して形成
された酸化タンタル膜である。
は、さらに、前記マスクパターン保護膜は、前記マスク
パターンをコーティングするタンタル膜を酸化して形成
された酸化タンタル膜である。
【００３８】本発明の更に他の反射型マスクにおいて
は、さらに、前記マスクパターン保護膜は、スパッタリ
ング法、ＣＶＤ法等によって形成された酸化タンタル膜
である。
は、さらに、前記マスクパターン保護膜は、スパッタリ
ング法、ＣＶＤ法等によって形成された酸化タンタル膜
である。
【００３９】本発明の更に他の反射型マスクにおいて
は、さらに、前記マスクパターンはタンタル膜又はタン
タル合金膜を備える。
は、さらに、前記マスクパターンはタンタル膜又はタン
タル合金膜を備える。
【００４０】本発明の更に他の反射型マスクにおいて
は、さらに、前記耐薬液洗浄保護膜は前記マスクパター
ンをコーティングする酸化タンタルから成るマスクパタ
ーン保護膜を備える。
は、さらに、前記耐薬液洗浄保護膜は前記マスクパター
ンをコーティングする酸化タンタルから成るマスクパタ
ーン保護膜を備える。
【００４１】本発明の更に他の反射型マスクにおいて
は、さらに、半導体素子に微細パターンを形成するため
に使用される。
は、さらに、半導体素子に微細パターンを形成するため
に使用される。
【００４２】本発明の反射型マスク製造方法において
は、反射型マスクのマスクパターンを薬液洗浄によって
除去し、前記マスクブランクス上に他のマスクパターン
を形成する。
は、反射型マスクのマスクパターンを薬液洗浄によって
除去し、前記マスクブランクス上に他のマスクパターン
を形成する。
【００４３】本発明の反射型マスク洗浄方法において
は、反射型マスクを薬液によって洗浄する。
は、反射型マスクを薬液によって洗浄する。
【００４４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら詳細に説明する。
て図面を参照しながら詳細に説明する。
【００４５】図１は本発明の第１の実施の形態における
反射型マスクのマスクブランクスの断面図である。
反射型マスクのマスクブランクスの断面図である。
【００４６】図に示されるように、マスク素材としての
マスクブランクス２０は、酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）を
主成分とするガラス又はシリコン（Ｓｉ）から成る下地
基板２１、及び、該下地基板２１上にモリブデン（Ｍ
ｏ）層２２ａとシリコン層２２ｂとを積層させて形成し
た多層膜２２を有する。なお、該多層膜２２の最上層は
シリコン層２２ｂである。そして、前記マスクブランク
ス２０は、「従来の技術」において説明したマスクブラ
ンクスと同様に、マスク上のパターンを多層膜２２上に
転写し、半導体素子の１００〔ｎｍ〕以下の極微細加工
を可能にするためのＥＵＶリソグラフィに使用される反
射型マスクに適したものである。
マスクブランクス２０は、酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）を
主成分とするガラス又はシリコン（Ｓｉ）から成る下地
基板２１、及び、該下地基板２１上にモリブデン（Ｍ
ｏ）層２２ａとシリコン層２２ｂとを積層させて形成し
た多層膜２２を有する。なお、該多層膜２２の最上層は
シリコン層２２ｂである。そして、前記マスクブランク
ス２０は、「従来の技術」において説明したマスクブラ
ンクスと同様に、マスク上のパターンを多層膜２２上に
転写し、半導体素子の１００〔ｎｍ〕以下の極微細加工
を可能にするためのＥＵＶリソグラフィに使用される反
射型マスクに適したものである。
【００４７】ここで、ＥＵＶは、極紫外又は遠紫外と称
される３〜５０〔ｎｍ〕の波長帯域の電磁放射であり、
軟Ｘ線とも呼ばれる。なお、前記ＥＵＶリソグラフィに
おいては、一般に、波長が１０〜１５〔ｎｍ〕付近のＥ
ＵＶ光が使用される。
される３〜５０〔ｎｍ〕の波長帯域の電磁放射であり、
軟Ｘ線とも呼ばれる。なお、前記ＥＵＶリソグラフィに
おいては、一般に、波長が１０〜１５〔ｎｍ〕付近のＥ
ＵＶ光が使用される。
【００４８】そして、前記多層膜２２は、ＥＵＶ光を反
射するためのものであり、「従来の技術」において説明
した反射型マスクの多層膜１２と同様の構成を有し、反
射型マスクの表面にほぼ垂直に入射したＥＵＶ光に対し
て高い反射率を得るために、露光波長における屈折率が
大きく異なる材質から成る層が隣り合うように組み合わ
されている。そして、複数の層から成る組み合わせを基
本周期とし、３０〜４０周期程度繰り返して積層させる
ことによって、前記多層膜２２が形成される。例えば、
波長が１３．５〔ｎｍ〕付近のＥＵＶ光に対して最大約
７０〔％〕の反射率を得るものである。
射するためのものであり、「従来の技術」において説明
した反射型マスクの多層膜１２と同様の構成を有し、反
射型マスクの表面にほぼ垂直に入射したＥＵＶ光に対し
て高い反射率を得るために、露光波長における屈折率が
大きく異なる材質から成る層が隣り合うように組み合わ
されている。そして、複数の層から成る組み合わせを基
本周期とし、３０〜４０周期程度繰り返して積層させる
ことによって、前記多層膜２２が形成される。例えば、
波長が１３．５〔ｎｍ〕付近のＥＵＶ光に対して最大約
７０〔％〕の反射率を得るものである。
【００４９】本実施の形態において、マスクブランクス
２０の周囲、すなわち、前記多層膜２２と下地基板２１
の表裏面及び側壁全面には、耐薬液洗浄保護膜としての
ルテニウム（Ｒｕ）膜２３がコーティングされる。な
お、該ルテニウム膜２３は、蒸着法、スパッタ法、ＣＶ
Ｄ法等によってコーティングされる。また、前記多層膜
２２を形成する前に、下地基板２１の表裏面又は側壁全
面にルテニウム膜２３を形成してもよい。
２０の周囲、すなわち、前記多層膜２２と下地基板２１
の表裏面及び側壁全面には、耐薬液洗浄保護膜としての
ルテニウム（Ｒｕ）膜２３がコーティングされる。な
お、該ルテニウム膜２３は、蒸着法、スパッタ法、ＣＶ
Ｄ法等によってコーティングされる。また、前記多層膜
２２を形成する前に、下地基板２１の表裏面又は側壁全
面にルテニウム膜２３を形成してもよい。
【００５０】そして、前記下地基板２１表面（図におけ
る上面）のルテニウム膜２３上の全面に、スパッタリン
グによって、マスクパターン用の金属薄膜を堆積させ
る。なお、マスクパターン加工を容易にするために、前
記金属薄膜の下にバッファー層として別の膜を堆積して
もよい。次に、前記金属薄膜上の全面にレジストを塗布
し、電子線やレーザ光の走査による露光及び現像によっ
て、所望のパターン形状を有するレジストパターンを形
成する。続いて、レジストパターンをマスクとしてプラ
ズマドライエッチングを行い、該レジストパターンでマ
スクされていない金属薄膜を除去した後、レジストパタ
ーンを除去すると、所望のパターンに形成されたマスク
パターンを有する反射型マスクを得ることができる。
る上面）のルテニウム膜２３上の全面に、スパッタリン
グによって、マスクパターン用の金属薄膜を堆積させ
る。なお、マスクパターン加工を容易にするために、前
記金属薄膜の下にバッファー層として別の膜を堆積して
もよい。次に、前記金属薄膜上の全面にレジストを塗布
し、電子線やレーザ光の走査による露光及び現像によっ
て、所望のパターン形状を有するレジストパターンを形
成する。続いて、レジストパターンをマスクとしてプラ
ズマドライエッチングを行い、該レジストパターンでマ
スクされていない金属薄膜を除去した後、レジストパタ
ーンを除去すると、所望のパターンに形成されたマスク
パターンを有する反射型マスクを得ることができる。
【００５１】このように形成された多層膜２２及び下地
基板２１の周囲をルテニウム膜２３でコーティングした
マスクブランクス２０は、ＬＳＩ製造工程のような半導
体製造工程で一般に用いられている薬品を洗浄剤として
用いた洗浄方法、すなわち、薬液洗浄に対して非常に優
れた薬液洗浄耐性を有する。
基板２１の周囲をルテニウム膜２３でコーティングした
マスクブランクス２０は、ＬＳＩ製造工程のような半導
体製造工程で一般に用いられている薬品を洗浄剤として
用いた洗浄方法、すなわち、薬液洗浄に対して非常に優
れた薬液洗浄耐性を有する。
【００５２】図９は本発明の第１の実施の形態における
ルテニウム膜の薬液処理によるシート抵抗の変化を示す
図である。なお、図において縦軸はルテニウム膜表面の
シート抵抗の変化率〔％〕を示している。
ルテニウム膜の薬液処理によるシート抵抗の変化を示す
図である。なお、図において縦軸はルテニウム膜表面の
シート抵抗の変化率〔％〕を示している。
【００５３】本実施の形態においては、「発明が解決し
ようとする課題」において説明したように、ＬＳＩ製造
技術で用いられている洗浄方法として良く知られている
硫酸過水洗浄（ＳＰＭ）、アンモニア過水洗浄（ＡＰ
Ｍ）、塩酸過水洗浄（ＨＰＭ）及び沸酸洗浄（ＤＨＦ）
において、洗浄剤として使用される硫酸（Ｈ2 Ｓ
Ｏ4 ）、アンモニア（ＮＨ4 ＯＨ）、塩酸（ＨＣｌ）及
び沸酸（ＨＦ）の４種類の薬品による薬液処理について
試験を行った。そして、前記４種類の薬品による薬液処
理の前後におけるルテニウム膜２３表面のシート抵抗の
変化の度合いを計測した。ここで、シート抵抗は、４端
針法によって測定した膜表面の抵抗である。
ようとする課題」において説明したように、ＬＳＩ製造
技術で用いられている洗浄方法として良く知られている
硫酸過水洗浄（ＳＰＭ）、アンモニア過水洗浄（ＡＰ
Ｍ）、塩酸過水洗浄（ＨＰＭ）及び沸酸洗浄（ＤＨＦ）
において、洗浄剤として使用される硫酸（Ｈ2 Ｓ
Ｏ4 ）、アンモニア（ＮＨ4 ＯＨ）、塩酸（ＨＣｌ）及
び沸酸（ＨＦ）の４種類の薬品による薬液処理について
試験を行った。そして、前記４種類の薬品による薬液処
理の前後におけるルテニウム膜２３表面のシート抵抗の
変化の度合いを計測した。ここで、シート抵抗は、４端
針法によって測定した膜表面の抵抗である。
【００５４】そして、前記４種類の薬品による薬液処理
の前のルテニウム膜２３表面のシート抵抗に対し、薬液
処理の後におけるルテニウム膜２３表面のシート抵抗
は、図９に示されるように変化した。この場合、薬液処
理によってルテニウム膜２３がエッチングされたり変質
したりしなければ、薬液処理の前後において膜表面のシ
ート抵抗値は変わらないので、膜表面のシート抵抗の変
化によって薬液洗浄耐性を評価することができる。ここ
で、シート抵抗の変化率が１〔％〕以内の場合、薬液洗
浄耐性を有すると判断することができる。
の前のルテニウム膜２３表面のシート抵抗に対し、薬液
処理の後におけるルテニウム膜２３表面のシート抵抗
は、図９に示されるように変化した。この場合、薬液処
理によってルテニウム膜２３がエッチングされたり変質
したりしなければ、薬液処理の前後において膜表面のシ
ート抵抗値は変わらないので、膜表面のシート抵抗の変
化によって薬液洗浄耐性を評価することができる。ここ
で、シート抵抗の変化率が１〔％〕以内の場合、薬液洗
浄耐性を有すると判断することができる。
【００５５】図９に示されるように、本実施の形態にお
いてマスクブランクス２０の周囲に形成されたルテニウ
ム膜２３は、すべての薬品による薬液処理の前後におい
て膜表面のシート抵抗値は変わらない、すなわち、変化
率が１〔％〕以内なので、薬液洗浄耐性を有することが
分かる。したがって、前記マスクブランクス２０を使用
して形成された反射型マスクは、パーティクルや堆積物
が表面に化学的に結合して付着した場合でも、薬液処理
を行って、前記パ−ティクル等を除去することができ
る。この場合、前記マスクブランクス２０の周囲をルテ
ニウム膜２３でコーティングしているので、多層膜２２
等が薬液処理によって変質したりダメージを受けたりす
ることがない。
いてマスクブランクス２０の周囲に形成されたルテニウ
ム膜２３は、すべての薬品による薬液処理の前後におい
て膜表面のシート抵抗値は変わらない、すなわち、変化
率が１〔％〕以内なので、薬液洗浄耐性を有することが
分かる。したがって、前記マスクブランクス２０を使用
して形成された反射型マスクは、パーティクルや堆積物
が表面に化学的に結合して付着した場合でも、薬液処理
を行って、前記パ−ティクル等を除去することができ
る。この場合、前記マスクブランクス２０の周囲をルテ
ニウム膜２３でコーティングしているので、多層膜２２
等が薬液処理によって変質したりダメージを受けたりす
ることがない。
【００５６】なお、本実施の形態においては、多層膜２
２の表面がシリコン層２２ｂになっているが、前記表面
がモリブデン層２２ａになっている場合でも、ルテニウ
ム膜２３でコーティングすることによって同等の特性を
得ることができる。また、モリブデンがルテニウムと同
等の薬液洗浄耐性を有する場合、モリブデン層２２ａの
表面にルテニウム膜２３をコーティングしなくても、前
述されたような薬液処理を施して、パーティクル等を除
去することができる。さらに、前記シリコン層２２ｂを
ベリリウム（Ｂｅ）層に代えて、前記多層膜２２をモリ
ブデン層２２ａとベリリウム層によって形成してもよ
い。
２の表面がシリコン層２２ｂになっているが、前記表面
がモリブデン層２２ａになっている場合でも、ルテニウ
ム膜２３でコーティングすることによって同等の特性を
得ることができる。また、モリブデンがルテニウムと同
等の薬液洗浄耐性を有する場合、モリブデン層２２ａの
表面にルテニウム膜２３をコーティングしなくても、前
述されたような薬液処理を施して、パーティクル等を除
去することができる。さらに、前記シリコン層２２ｂを
ベリリウム（Ｂｅ）層に代えて、前記多層膜２２をモリ
ブデン層２２ａとベリリウム層によって形成してもよ
い。
【００５７】このように、本実施の形態においては、マ
スクブランクス２０の周囲全面をルテニウム膜２３でコ
ーティングしたので、半導体製造工程で一般に用いられ
ている洗浄方法である硫酸過水洗浄、アンモニア過水洗
浄、塩酸過水洗浄及び沸酸洗浄によって反射型マスクを
洗浄しても、変質したりダメージを受けたりすることが
ない。
スクブランクス２０の周囲全面をルテニウム膜２３でコ
ーティングしたので、半導体製造工程で一般に用いられ
ている洗浄方法である硫酸過水洗浄、アンモニア過水洗
浄、塩酸過水洗浄及び沸酸洗浄によって反射型マスクを
洗浄しても、変質したりダメージを受けたりすることが
ない。
【００５８】次に、本発明の第２の実施の形態について
説明する。なお、第１の実施の形態と同じ構造を有する
もの及び同じ動作については、その説明を省略する。
説明する。なお、第１の実施の形態と同じ構造を有する
もの及び同じ動作については、その説明を省略する。
【００５９】図１０は本発明の第２の実施の形態におけ
る反射型マスクの断面図である。
る反射型マスクの断面図である。
【００６０】図に示されるように、反射型マスク３０
は、前記第１の実施の形態と同様の構成を有するマスク
ブランクス２０の下地基板２１及び多層膜２２上に、マ
スクパターンとして形成された窒化タンタル（ＴａＮ）
膜３１を有する。該窒化タンタル膜３１は、反射型マス
クに入射したＥＵＶ光を吸収するものであり、前記窒化
タンタル膜３１の下にバッファー層として別の膜が堆積
されていてもよい。そして、前記窒化タンタル膜３１の
最表面及び側壁には耐薬液洗浄保護膜としての薄いタン
タル膜（又は、タンタル合金膜）３２がコーティングさ
れている。
は、前記第１の実施の形態と同様の構成を有するマスク
ブランクス２０の下地基板２１及び多層膜２２上に、マ
スクパターンとして形成された窒化タンタル（ＴａＮ）
膜３１を有する。該窒化タンタル膜３１は、反射型マス
クに入射したＥＵＶ光を吸収するものであり、前記窒化
タンタル膜３１の下にバッファー層として別の膜が堆積
されていてもよい。そして、前記窒化タンタル膜３１の
最表面及び側壁には耐薬液洗浄保護膜としての薄いタン
タル膜（又は、タンタル合金膜）３２がコーティングさ
れている。
【００６１】次に、前記反射型マスク３０の製造工程に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００６２】図１１は本発明の第２の実施の形態におけ
る反射型マスクの製造工程を示す第１の図、図１２は本
発明の第２の実施の形態における反射型マスクの製造工
程を示す第２の図、図１３は本発明の第２の実施の形態
における反射型マスクの製造工程を示す第３の図、図１
４は本発明の第２の実施の形態における反射型マスクの
製造工程を示す第４の図である。
る反射型マスクの製造工程を示す第１の図、図１２は本
発明の第２の実施の形態における反射型マスクの製造工
程を示す第２の図、図１３は本発明の第２の実施の形態
における反射型マスクの製造工程を示す第３の図、図１
４は本発明の第２の実施の形態における反射型マスクの
製造工程を示す第４の図である。
【００６３】まず、前記第１の実施の形態における図１
に示されるものと同様の構成を有するマスクブランクス
２０の表面のルテニウム膜２３上の全面に、スパッタリ
ング法、ＣＶＤ法等によって、マスクパターン用の金属
薄膜として窒化タンタルの薄膜を堆積させる。なお、マ
スクパターン加工を容易にするために前記窒化タンタル
の薄膜の下にバッファー層として別の膜を堆積してもよ
い。そして、前記第１の実施の形態と同様にして、前記
窒化タンタルの薄膜上にレジストパターンを形成し、該
レジストパターンをマスクとしてプラズマドライエッチ
ングを行い、図１１に示されるように、所望のパターン
に形成されたマスクパターンとしての窒化タンタル膜３
１を得ることができる。
に示されるものと同様の構成を有するマスクブランクス
２０の表面のルテニウム膜２３上の全面に、スパッタリ
ング法、ＣＶＤ法等によって、マスクパターン用の金属
薄膜として窒化タンタルの薄膜を堆積させる。なお、マ
スクパターン加工を容易にするために前記窒化タンタル
の薄膜の下にバッファー層として別の膜を堆積してもよ
い。そして、前記第１の実施の形態と同様にして、前記
窒化タンタルの薄膜上にレジストパターンを形成し、該
レジストパターンをマスクとしてプラズマドライエッチ
ングを行い、図１１に示されるように、所望のパターン
に形成されたマスクパターンとしての窒化タンタル膜３
１を得ることができる。
【００６４】次に、図１２に示されるように、該窒化タ
ンタル膜３１が形成されたマスクブランクス２０の表面
上の全面に、スパッタリング法、ＣＶＤ法等によって、
タンタル膜（又は、ＴａＧｅ、ＴａＢ等のタンタル合金
膜）３２を形成する。続いて、該タンタル膜３２上の全
面にホトレジストを塗布し、マスクパターンに沿ってレ
ジストを露光及び現像し、図１３に示されるように、レ
ジストパターン３５を形成する。続いて、該レジストパ
ターン３５をマスクとしてプラズマドライエッチングを
行い、図１４に示されるように、該レジストパターン３
５でマスクされていないタンタル膜３２を除去する。そ
して、レジストパターン３５を除去することによって図
１０に示されるような反射型マスク３０が形成される。
ンタル膜３１が形成されたマスクブランクス２０の表面
上の全面に、スパッタリング法、ＣＶＤ法等によって、
タンタル膜（又は、ＴａＧｅ、ＴａＢ等のタンタル合金
膜）３２を形成する。続いて、該タンタル膜３２上の全
面にホトレジストを塗布し、マスクパターンに沿ってレ
ジストを露光及び現像し、図１３に示されるように、レ
ジストパターン３５を形成する。続いて、該レジストパ
ターン３５をマスクとしてプラズマドライエッチングを
行い、図１４に示されるように、該レジストパターン３
５でマスクされていないタンタル膜３２を除去する。そ
して、レジストパターン３５を除去することによって図
１０に示されるような反射型マスク３０が形成される。
【００６５】これにより、マスクブランクス２０の周
囲、すなわち、前記多層膜２２と下地基板２１の表裏面
及び側壁全面に、ルテニウム膜２３がコーティングさ
れ、マスクパターンとしての窒化タンタル膜３１の周囲
全面にタンタル膜（又は、タンタル合金膜）３２がコー
ティングされた反射型マスク３０を得ることができる。
囲、すなわち、前記多層膜２２と下地基板２１の表裏面
及び側壁全面に、ルテニウム膜２３がコーティングさ
れ、マスクパターンとしての窒化タンタル膜３１の周囲
全面にタンタル膜（又は、タンタル合金膜）３２がコー
ティングされた反射型マスク３０を得ることができる。
【００６６】このような構造を有する本実施の形態の反
射型マスク３０は、アンモニア過水洗浄以外の洗浄方法
によって洗浄することができる。
射型マスク３０は、アンモニア過水洗浄以外の洗浄方法
によって洗浄することができる。
【００６７】図１５は本発明の第２の実施の形態におけ
るタンタル膜、窒化タンタル膜及びルテニウム膜の薬液
処理によるシート抵抗の変化を示す図である。なお、図
における縦軸はタンタル膜、窒化タンタル膜及びルテニ
ウム膜表面のシート抵抗の変化率〔％〕を示している。
るタンタル膜、窒化タンタル膜及びルテニウム膜の薬液
処理によるシート抵抗の変化を示す図である。なお、図
における縦軸はタンタル膜、窒化タンタル膜及びルテニ
ウム膜表面のシート抵抗の変化率〔％〕を示している。
【００６８】図に示されるように、窒化タンタル膜３１
は、塩酸及び沸酸による薬液処理を施した場合、膜表面
のシート抵抗の変化率が上昇しているが、タンタル膜３
２はシート抵抗にほとんど変化がない。これは、タンタ
ル膜３２は、塩酸及び沸酸に対する薬液洗浄耐性を有す
ることを示している。したがって、マスクパターンとし
ての窒化タンタル膜３１の表面にタンタル膜３２をコー
ティングすることによって、塩酸及び沸酸による薬液処
理を施して、パ−ティクル等を除去することができる。
は、塩酸及び沸酸による薬液処理を施した場合、膜表面
のシート抵抗の変化率が上昇しているが、タンタル膜３
２はシート抵抗にほとんど変化がない。これは、タンタ
ル膜３２は、塩酸及び沸酸に対する薬液洗浄耐性を有す
ることを示している。したがって、マスクパターンとし
ての窒化タンタル膜３１の表面にタンタル膜３２をコー
ティングすることによって、塩酸及び沸酸による薬液処
理を施して、パ−ティクル等を除去することができる。
【００６９】このように、本実施の形態においては、マ
スクパターンとしての窒化タンタル膜３１の周囲全面に
タンタル膜（又は、ＴａＧｅ、ＴａＢ等のタンタル合金
膜）３２をコーティングしたので、半導体製造工程で一
般に用いられている洗浄方法である硫酸過水洗浄、塩酸
過水洗浄及び沸酸洗浄によって反射型マスク３０を洗浄
しても、マスクパターンが変質したりダメージを受けた
りすることがない。
スクパターンとしての窒化タンタル膜３１の周囲全面に
タンタル膜（又は、ＴａＧｅ、ＴａＢ等のタンタル合金
膜）３２をコーティングしたので、半導体製造工程で一
般に用いられている洗浄方法である硫酸過水洗浄、塩酸
過水洗浄及び沸酸洗浄によって反射型マスク３０を洗浄
しても、マスクパターンが変質したりダメージを受けた
りすることがない。
【００７０】次に、本発明の第３の実施の形態について
説明する。なお、第１及び第２の実施の形態と同じ構造
を有するもの及び同じ動作については、その説明を省略
する。
説明する。なお、第１及び第２の実施の形態と同じ構造
を有するもの及び同じ動作については、その説明を省略
する。
【００７１】図１６は本発明の第３の実施の形態におけ
る反射型マスクの断面図である。
る反射型マスクの断面図である。
【００７２】図に示されるように、本実施の形態におけ
る反射型マスク４０は、前記第１及び第２の実施の形態
と同様の構成を有するマスクブランクス２０の下地基板
２１及び多層膜２２上に、マスクパターンとして形成さ
れた窒化タンタル膜３１を有する。なお、該窒化タンタ
ル膜３１の下にバッファー層として別の膜が堆積されて
いてもよい。そして、前記窒化タンタル膜３１の最表面
及び側壁には薄い酸化タンタル（ＴａＯ）膜４２がコー
ティングされている。
る反射型マスク４０は、前記第１及び第２の実施の形態
と同様の構成を有するマスクブランクス２０の下地基板
２１及び多層膜２２上に、マスクパターンとして形成さ
れた窒化タンタル膜３１を有する。なお、該窒化タンタ
ル膜３１の下にバッファー層として別の膜が堆積されて
いてもよい。そして、前記窒化タンタル膜３１の最表面
及び側壁には薄い酸化タンタル（ＴａＯ）膜４２がコー
ティングされている。
【００７３】本実施の形態においては、前記第２の実施
の形態と同様の製造工程によって、マスクパターンとし
ての窒化タンタル膜３１の表面及び側壁にタンタル膜を
コーティングし、該タンタル膜を酸素を含んだガス雰囲
気での熱処理やプラズマ処理によって酸化することによ
って、窒化タンタル膜３１の表面及び側壁に耐薬液洗浄
保護膜としての酸化タンタル膜４２を形成する。
の形態と同様の製造工程によって、マスクパターンとし
ての窒化タンタル膜３１の表面及び側壁にタンタル膜を
コーティングし、該タンタル膜を酸素を含んだガス雰囲
気での熱処理やプラズマ処理によって酸化することによ
って、窒化タンタル膜３１の表面及び側壁に耐薬液洗浄
保護膜としての酸化タンタル膜４２を形成する。
【００７４】このようにして形成された本実施の形態の
反射型マスク４０において、ＥＵＶ光を吸収する吸収体
として機能するマスクパターンとしての窒化タンタル膜
３１は、周囲を酸化タンタル膜４２によってコーティン
グされており、前記第２の実施の形態の窒化タンタル膜
３１と比較して、同等の薬液洗浄耐性を有し、かつ、Ｄ
ＵＶ光に対するマスクコントラストを上昇させることが
できる。これは、タンタル膜よりも酸化タンタル膜の方
がＤＵＶ光に対する反射率が小さくなるからである（特
願２００１−０４３７２０号参照）。
反射型マスク４０において、ＥＵＶ光を吸収する吸収体
として機能するマスクパターンとしての窒化タンタル膜
３１は、周囲を酸化タンタル膜４２によってコーティン
グされており、前記第２の実施の形態の窒化タンタル膜
３１と比較して、同等の薬液洗浄耐性を有し、かつ、Ｄ
ＵＶ光に対するマスクコントラストを上昇させることが
できる。これは、タンタル膜よりも酸化タンタル膜の方
がＤＵＶ光に対する反射率が小さくなるからである（特
願２００１−０４３７２０号参照）。
【００７５】ここで、ＤＵＶは、深紫外又は真空紫外と
称される１００〜２５０〔ｎｍ〕の波長帯域の電磁放射
である。
称される１００〜２５０〔ｎｍ〕の波長帯域の電磁放射
である。
【００７６】このように、本実施の形態においては、マ
スクパターンとしての窒化タンタル膜３１の周囲全面に
酸化タンタル膜４２をコーティングしたので、半導体製
造工程で一般に用いられている洗浄方法である硫酸過水
洗浄、塩酸過水洗浄及び沸酸洗浄によって反射型マスク
４０を洗浄しても、マスクパターンが変質したりダメー
ジを受けたりすることがない。しかも、ＤＵＶ光に対す
るマスクコントラストを低減させることがない。
スクパターンとしての窒化タンタル膜３１の周囲全面に
酸化タンタル膜４２をコーティングしたので、半導体製
造工程で一般に用いられている洗浄方法である硫酸過水
洗浄、塩酸過水洗浄及び沸酸洗浄によって反射型マスク
４０を洗浄しても、マスクパターンが変質したりダメー
ジを受けたりすることがない。しかも、ＤＵＶ光に対す
るマスクコントラストを低減させることがない。
【００７７】次に、本発明の第４の実施の形態について
説明する。なお、第１〜３の実施の形態と同じ構造を有
するもの及び同じ動作については、その説明を省略す
る。
説明する。なお、第１〜３の実施の形態と同じ構造を有
するもの及び同じ動作については、その説明を省略す
る。
【００７８】図１７は本発明の第４の実施の形態におけ
る反射型マスクの製造工程を示す第１の図、図１８は本
発明の第４の実施の形態における反射型マスクの製造工
程を示す第２の図、図１９は本発明の第４の実施の形態
における反射型マスクの製造工程を示す第３の図、図２
０は本発明の第４の実施の形態における反射型マスクの
製造工程を示す第４の図である。
る反射型マスクの製造工程を示す第１の図、図１８は本
発明の第４の実施の形態における反射型マスクの製造工
程を示す第２の図、図１９は本発明の第４の実施の形態
における反射型マスクの製造工程を示す第３の図、図２
０は本発明の第４の実施の形態における反射型マスクの
製造工程を示す第４の図である。
【００７９】本実施の形態における反射型マスク４０
は、前記第３の実施の形態と同様であるが、マスクパタ
ーンとしての窒化タンタル膜３１の周囲をコーティング
する酸化タンタル膜を形成する工程が相違する。
は、前記第３の実施の形態と同様であるが、マスクパタ
ーンとしての窒化タンタル膜３１の周囲をコーティング
する酸化タンタル膜を形成する工程が相違する。
【００８０】まず、前記第１の実施の形態における図１
に示されるようなマスクブランクス２０の表面のルテニ
ウム膜２３上の全面に、スパッタリング法、ＣＶＤ法等
によって、マスクパターン用の金属薄膜として窒化タン
タルの薄膜を堆積させる。なお、マスクパターン加工を
容易にするために前記窒化タンタルの薄膜の下にバッフ
ァー層として別の膜を堆積してもよい。そして、前記第
１の実施の形態と同様にして、前記窒化タンタルの薄膜
上にレジストパターンを形成し、該レジストパターンを
マスクとしてプラズマドライエッチングを行い、図１７
に示されるように、所望のパターンに形成されたマスク
パターンとしての窒化タンタル膜３１を得ることができ
る。
に示されるようなマスクブランクス２０の表面のルテニ
ウム膜２３上の全面に、スパッタリング法、ＣＶＤ法等
によって、マスクパターン用の金属薄膜として窒化タン
タルの薄膜を堆積させる。なお、マスクパターン加工を
容易にするために前記窒化タンタルの薄膜の下にバッフ
ァー層として別の膜を堆積してもよい。そして、前記第
１の実施の形態と同様にして、前記窒化タンタルの薄膜
上にレジストパターンを形成し、該レジストパターンを
マスクとしてプラズマドライエッチングを行い、図１７
に示されるように、所望のパターンに形成されたマスク
パターンとしての窒化タンタル膜３１を得ることができ
る。
【００８１】次に、図１８に示されるように、該窒化タ
ンタル膜３１が形成されたマスクブランクス２０の表面
上の全面に、スパッタリング法、ＣＶＤ法等によって、
酸化タンタル膜５２を形成する。続いて、該酸化タンタ
ル膜５２上の全面にホトレジストを塗布し、マスクパタ
ーンに沿ってレジストを露光及び現像し、図１９に示さ
れるように、レジストパターン３５を形成する。続い
て、該レジストパターン３５をマスクとしてプラズマド
ライエッチングを行い、図２０に示されるように、該レ
ジストパターン３５でマスクされていない酸化タンタル
膜５２を除去する。そして、レジストパターン３５を除
去することによって、前記第３の実施の形態における図
１６に示されるものと同様の反射型マスク４０が形成さ
れる。
ンタル膜３１が形成されたマスクブランクス２０の表面
上の全面に、スパッタリング法、ＣＶＤ法等によって、
酸化タンタル膜５２を形成する。続いて、該酸化タンタ
ル膜５２上の全面にホトレジストを塗布し、マスクパタ
ーンに沿ってレジストを露光及び現像し、図１９に示さ
れるように、レジストパターン３５を形成する。続い
て、該レジストパターン３５をマスクとしてプラズマド
ライエッチングを行い、図２０に示されるように、該レ
ジストパターン３５でマスクされていない酸化タンタル
膜５２を除去する。そして、レジストパターン３５を除
去することによって、前記第３の実施の形態における図
１６に示されるものと同様の反射型マスク４０が形成さ
れる。
【００８２】これにより、マスクブランクス２０の周
囲、すなわち、前記多層膜２２と下地基板２１の表裏面
及び側壁全面に、耐薬液洗浄保護膜としてのルテニウム
膜２３がコーティングされ、マスクパターンとしての窒
化タンタル膜３１の周囲全面に耐薬液洗浄保護膜として
の酸化タンタル膜５２がコーティングされた反射型マス
ク４０を得ることができる。
囲、すなわち、前記多層膜２２と下地基板２１の表裏面
及び側壁全面に、耐薬液洗浄保護膜としてのルテニウム
膜２３がコーティングされ、マスクパターンとしての窒
化タンタル膜３１の周囲全面に耐薬液洗浄保護膜として
の酸化タンタル膜５２がコーティングされた反射型マス
ク４０を得ることができる。
【００８３】このように、本実施の形態において、マス
クパターンとしての窒化タンタル膜３１の周囲全面をコ
ーティングする酸化タンタル膜５２を形成するに当た
り、スパッタリング法、ＣＶＤ法等によって、酸化タン
タル膜５２を直接形成するようになっている。そのた
め、タンタル膜を酸化するための酸化工程を省略するこ
とができ、反射型マスク４０の製造工程を簡略化するこ
とができる。
クパターンとしての窒化タンタル膜３１の周囲全面をコ
ーティングする酸化タンタル膜５２を形成するに当た
り、スパッタリング法、ＣＶＤ法等によって、酸化タン
タル膜５２を直接形成するようになっている。そのた
め、タンタル膜を酸化するための酸化工程を省略するこ
とができ、反射型マスク４０の製造工程を簡略化するこ
とができる。
【００８４】次に、本発明の第５の実施の形態について
説明する。なお、第１〜４の実施の形態と同じ構造を有
するもの及び同じ動作については、その説明を省略す
る。
説明する。なお、第１〜４の実施の形態と同じ構造を有
するもの及び同じ動作については、その説明を省略す
る。
【００８５】図２１は本発明の第５の実施の形態におけ
る反射型マスクの断面図である。
る反射型マスクの断面図である。
【００８６】本実施の形態における反射型マスクは、前
記第３及び第４の実施の形態と同様であるが、マスクパ
ターンとしての窒化タンタル膜３１の周囲をコーティン
グする酸化タンタル膜を形成する工程が相違する。
記第３及び第４の実施の形態と同様であるが、マスクパ
ターンとしての窒化タンタル膜３１の周囲をコーティン
グする酸化タンタル膜を形成する工程が相違する。
【００８７】まず、前記第１の実施の形態における図１
に示されるようなマスクブランクス２０の表面のルテニ
ウム膜２３上の全面に、スパッタリング法、ＣＶＤ法等
によって、マスクパターン用の金属薄膜としてタンタル
（又は、ＴａＧｅ、ＴａＢ等のタンタル合金）の薄膜を
堆積させる。なお、マスクパターン加工を容易にするた
めに前記タンタル（又は、タンタル合金）の薄膜の下に
バッファー層として別の膜を堆積してもよい。そして、
前記第１の実施の形態と同様にして、前記タンタル（又
は、タンタル合金）の薄膜上にレジストパターンを形成
し、該レジストパターンをマスクとしてプラズマドライ
エッチングを行い、所望のパターンに形成されたマスク
パターンとしてのタンタル膜（又は、ＴａＧｅ、ＴａＢ
等のタンタル合金膜）４１を得ることができる。
に示されるようなマスクブランクス２０の表面のルテニ
ウム膜２３上の全面に、スパッタリング法、ＣＶＤ法等
によって、マスクパターン用の金属薄膜としてタンタル
（又は、ＴａＧｅ、ＴａＢ等のタンタル合金）の薄膜を
堆積させる。なお、マスクパターン加工を容易にするた
めに前記タンタル（又は、タンタル合金）の薄膜の下に
バッファー層として別の膜を堆積してもよい。そして、
前記第１の実施の形態と同様にして、前記タンタル（又
は、タンタル合金）の薄膜上にレジストパターンを形成
し、該レジストパターンをマスクとしてプラズマドライ
エッチングを行い、所望のパターンに形成されたマスク
パターンとしてのタンタル膜（又は、ＴａＧｅ、ＴａＢ
等のタンタル合金膜）４１を得ることができる。
【００８８】次に、該タンタル膜（又は、ＴａＧｅ、Ｔ
ａＢ等のタンタル合金膜）４１を酸素を含んだガス雰囲
気での熱処理やプラズマ処理によって酸化することによ
って、タンタル膜（又は、タンタル合金膜）４１の表面
及び側壁に耐薬液洗浄保護膜としての薄い酸化タンタル
膜４２を形成する。
ａＢ等のタンタル合金膜）４１を酸素を含んだガス雰囲
気での熱処理やプラズマ処理によって酸化することによ
って、タンタル膜（又は、タンタル合金膜）４１の表面
及び側壁に耐薬液洗浄保護膜としての薄い酸化タンタル
膜４２を形成する。
【００８９】このように、本実施の形態においては、マ
スクパターンとしてのタンタル膜（又は、ＴａＧｅ、Ｔ
ａＢ等のタンタル合金膜）４１を酸化することによっ
て、該タンタル膜（又は、ＴａＧｅ、ＴａＢ等のタンタ
ル合金膜）４１の周囲全面に酸化タンタル膜４２をコー
ティングするようになっている。そのため、マスクパタ
ーンの周囲をコーティングする薄膜を新たに形成するた
めの工程を省略することができ、反射型マスクの製造工
程を簡略化することができる。
スクパターンとしてのタンタル膜（又は、ＴａＧｅ、Ｔ
ａＢ等のタンタル合金膜）４１を酸化することによっ
て、該タンタル膜（又は、ＴａＧｅ、ＴａＢ等のタンタ
ル合金膜）４１の周囲全面に酸化タンタル膜４２をコー
ティングするようになっている。そのため、マスクパタ
ーンの周囲をコーティングする薄膜を新たに形成するた
めの工程を省略することができ、反射型マスクの製造工
程を簡略化することができる。
【００９０】また、大気中での酸化によるマスクパター
ンの応力変化を抑制することができる。しかも、マスク
パターンの最表面がタンタル膜である場合、ＤＵＶ光に
対するマスクコントラストが低下してしまうが、前記酸
化タンタル膜４２を形成することによってＤＵＶ光に対
するマスクコントラストの低減を抑えることができる。
ンの応力変化を抑制することができる。しかも、マスク
パターンの最表面がタンタル膜である場合、ＤＵＶ光に
対するマスクコントラストが低下してしまうが、前記酸
化タンタル膜４２を形成することによってＤＵＶ光に対
するマスクコントラストの低減を抑えることができる。
【００９１】さらに、本実施の形態の反射型マスクは、
アンモニア過水洗浄以外の洗浄方法により洗浄すること
ができる。
アンモニア過水洗浄以外の洗浄方法により洗浄すること
ができる。
【００９２】次に、本発明の第６の実施の形態について
説明する。なお、第１〜５の実施の形態と同じ構造を有
するもの及び同じ動作については、その説明を省略す
る。
説明する。なお、第１〜５の実施の形態と同じ構造を有
するもの及び同じ動作については、その説明を省略す
る。
【００９３】図２２は本発明の第６の実施の形態におけ
る反射型マスクの断面図、図２３は本発明の第６の実施
の形態における反射型マスクのマスクブランクスの断面
図である。
る反射型マスクの断面図、図２３は本発明の第６の実施
の形態における反射型マスクのマスクブランクスの断面
図である。
【００９４】本実施の形態において、反射型マスク３０
は、前記第１の実施の形態と同様の構成を有し、周囲を
ルテニウム膜２３でコーティングされたマスクブランク
ス２０上に、窒化タンタル、タンタル、タンタル合金又
は酸化タンタルからなるマスクパターン５１を有する。
そして、前記反射型マスク３０にアンモニア過水洗浄を
施すと、ルテニウム膜２３がアンモニアに対する薬液洗
浄耐性を備えているので、前記マスクブランクス２０は
ダメージを受けることがない。これに対し、前記第２実
施の形態において説明したように、窒化タンタル、タン
タル、タンタル合金又は酸化タンタルがアンモニアに対
する薬液洗浄耐性を備えていないので、アンモニア過水
洗浄が施されると、前記マスクパターン５１は、アンモ
ニア水によって、エッチングされ、除去される。これに
より、図２３に示されるように、周囲をルテニウム膜２
３でコーティングされたマスクブランクス２０が残留す
る。
は、前記第１の実施の形態と同様の構成を有し、周囲を
ルテニウム膜２３でコーティングされたマスクブランク
ス２０上に、窒化タンタル、タンタル、タンタル合金又
は酸化タンタルからなるマスクパターン５１を有する。
そして、前記反射型マスク３０にアンモニア過水洗浄を
施すと、ルテニウム膜２３がアンモニアに対する薬液洗
浄耐性を備えているので、前記マスクブランクス２０は
ダメージを受けることがない。これに対し、前記第２実
施の形態において説明したように、窒化タンタル、タン
タル、タンタル合金又は酸化タンタルがアンモニアに対
する薬液洗浄耐性を備えていないので、アンモニア過水
洗浄が施されると、前記マスクパターン５１は、アンモ
ニア水によって、エッチングされ、除去される。これに
より、図２３に示されるように、周囲をルテニウム膜２
３でコーティングされたマスクブランクス２０が残留す
る。
【００９５】このように、本実施の形態においては、マ
スクパターン５１が不要になった場合、アンモニア過水
洗浄を施すことによって、周囲をルテニウム膜２３でコ
ーティングされたマスクブランクス２０にダメージを与
えることなく、マスクパターン５１を除去することがで
きる。そのため、前記マスクブランクス２０上に新たな
マスクパターンを形成することができる。したがって、
前記マスクブランクス２０を再利用することができる。
スクパターン５１が不要になった場合、アンモニア過水
洗浄を施すことによって、周囲をルテニウム膜２３でコ
ーティングされたマスクブランクス２０にダメージを与
えることなく、マスクパターン５１を除去することがで
きる。そのため、前記マスクブランクス２０上に新たな
マスクパターンを形成することができる。したがって、
前記マスクブランクス２０を再利用することができる。
【００９６】なお、本発明は前記実施の形態に限定され
るものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々変形させ
ることが可能であり、それらを本発明の範囲から排除す
るものではない。
るものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々変形させ
ることが可能であり、それらを本発明の範囲から排除す
るものではない。
【００９７】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、反射型マスクの裏面を含めた全面に、ルテニウム
膜のような薬液洗浄耐性を有する膜を薄くコーティング
したことによって、マスクブランクスの薬液洗浄耐性を
向上させることができる。また、ＥＵＶ光の吸収体膜で
ある窒化タンタル膜、タンタル膜又はタンタル合金膜
の、全体又は表面に酸化タンタルを意図的に形成するこ
とによって、大気中での酸化による吸収体の応力変化を
抑制し、かつ、吸収体の表面のＤＵＶ光に対する反射率
を低減することができ、かつ、薬液洗浄に対する耐性を
向上させることができる。
れば、反射型マスクの裏面を含めた全面に、ルテニウム
膜のような薬液洗浄耐性を有する膜を薄くコーティング
したことによって、マスクブランクスの薬液洗浄耐性を
向上させることができる。また、ＥＵＶ光の吸収体膜で
ある窒化タンタル膜、タンタル膜又はタンタル合金膜
の、全体又は表面に酸化タンタルを意図的に形成するこ
とによって、大気中での酸化による吸収体の応力変化を
抑制し、かつ、吸収体の表面のＤＵＶ光に対する反射率
を低減することができ、かつ、薬液洗浄に対する耐性を
向上させることができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態における反射型マス
クのマスクブランクスの断面図である。
クのマスクブランクスの断面図である。
【図２】従来の反射型マスクの断面図である。
【図３】従来の反射型マスクの製造工程を示す第１の図
である。
である。
【図４】従来の反射型マスクの製造工程を示す第２の図
である。
である。
【図５】従来の反射型マスクの製造工程を示す第３の図
である。
である。
【図６】従来の他の反射型マスクの断面図である。
【図７】従来の他の反射型マスクにおける窒化タンタル
膜の薬液処理によるシート抵抗の変化を示す図である。
膜の薬液処理によるシート抵抗の変化を示す図である。
【図８】従来の他の反射型マスクにおける酸化シリコン
膜の薬液処理による膜厚の変化を示す図である。
膜の薬液処理による膜厚の変化を示す図である。
【図９】本発明の第１の実施の形態におけるルテニウム
膜の薬液処理によるシート抵抗の変化を示す図である。
膜の薬液処理によるシート抵抗の変化を示す図である。
【図１０】本発明の第２の実施の形態における反射型マ
スクの断面図である。
スクの断面図である。
【図１１】本発明の第２の実施の形態における反射型マ
スクの製造工程を示す第１の図である。
スクの製造工程を示す第１の図である。
【図１２】本発明の第２の実施の形態における反射型マ
スクの製造工程を示す第２の図である。
スクの製造工程を示す第２の図である。
【図１３】本発明の第２の実施の形態における反射型マ
スクの製造工程を示す第３の図である。
スクの製造工程を示す第３の図である。
【図１４】本発明の第２の実施の形態における反射型マ
スクの製造工程を示す第４の図である。
スクの製造工程を示す第４の図である。
【図１５】本発明の第２の実施の形態におけるタンタル
膜、窒化タンタル膜及びルテニウム膜の薬液処理による
シート抵抗の変化を示す図である。
膜、窒化タンタル膜及びルテニウム膜の薬液処理による
シート抵抗の変化を示す図である。
【図１６】本発明の第３の実施の形態における反射型マ
スクの断面図である。
スクの断面図である。
【図１７】本発明の第４の実施の形態における反射型マ
スクの製造工程を示す第１の図である。
スクの製造工程を示す第１の図である。
【図１８】本発明の第４の実施の形態における反射型マ
スクの製造工程を示す第２の図である。
スクの製造工程を示す第２の図である。
【図１９】本発明の第４の実施の形態における反射型マ
スクの製造工程を示す第３の図である。
スクの製造工程を示す第３の図である。
【図２０】本発明の第４の実施の形態における反射型マ
スクの製造工程を示す第４の図である。
スクの製造工程を示す第４の図である。
【図２１】本発明の第５の実施の形態における反射型マ
スクの断面図である。
スクの断面図である。
【図２２】本発明の第６の実施の形態における反射型マ
スクの断面図である。
スクの断面図である。
【図２３】本発明の第６の実施の形態における反射型マ
スクのマスクブランクスの断面図である。
スクのマスクブランクスの断面図である。
２０ マスクブランクス
２１ 下地基板
２２ 多層膜
２２ｂ シリコン層
２３ ルテニウム膜
３０、４０ 反射型マスク
３１ 窒化タンタル膜
３２、４１ タンタル膜
４２、５２ 酸化タンタル膜
５１ マスクパターン
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 米田 尚史
東京都調布市柴崎２丁目１番地３ 島田理
化工業株式会社内
Ｆターム(参考） 2H095 BA01 BA10 BB22 BC20
5F046 CB17 GD10
Claims (12)
- 【請求項１】 （ａ）下地基板及び該下地基板上に形成
された露光波長での屈折率が異なる複数種類の材質から
成る多層膜を備えるマスクブランクスと、（ｂ）該マス
クブランクス上に形成されたマスクパターンと、（ｃ）
前記マスクブランクス又はマスクパターンの少なくとも
１面をコーティングする耐薬液洗浄保護膜とを有するこ
とを特徴とする反射型マスク。 - 【請求項２】 前記多層膜は、シリコン又はベリリウム
と、モリブデンとから成り、最上層がシリコン層又はベ
リリウム層である請求項１に記載の反射型マスク。 - 【請求項３】 前記耐薬液洗浄保護膜は、ルテニウムか
ら成り、入射光の反射面以外の少なくとも１面をコーテ
ィングする請求項１又は２に記載の反射型マスク。 - 【請求項４】 前記マスクパターンは窒化タンタル膜を
備え、前記耐薬液洗浄保護膜は前記マスクパターンをコ
ーティングするマスクパターン保護膜を備える請求項１
〜３のいずれか１項に記載の反射型マスク。 - 【請求項５】 前記マスクパターン保護膜はタンタルか
ら成る請求項４に記載の反射型マスク。 - 【請求項６】 前記マスクパターン保護膜は、前記マス
クパターンをコーティングするタンタル膜を酸化して形
成された酸化タンタル膜である請求項４に記載の反射型
マスク。 - 【請求項７】 前記マスクパターン保護膜は、スパッタ
リング法、ＣＶＤ法等によって形成された酸化タンタル
膜である請求項４に記載の反射型マスク。 - 【請求項８】 前記マスクパターンはタンタル膜又はタ
ンタル合金膜を備える請求項１〜３のいずれか１項に記
載の反射型マスク。 - 【請求項９】 前記耐薬液洗浄保護膜は前記マスクパタ
ーンをコーティングする酸化タンタルから成るマスクパ
ターン保護膜を備える請求項８に記載の反射型マスク。 - 【請求項１０】 半導体素子に微細パターンを形成する
ために使用される請求項１〜９のいずれか１項に記載の
反射型マスク。 - 【請求項１１】 （ａ）請求項１〜１０のいずれか１項
に記載の反射型マスクのマスクパターンを薬液洗浄によ
って除去し、（ｂ）前記マスクブランクス上に他のマス
クパターンを形成することを特徴とする反射型マスク製
造方法。 - 【請求項１２】 （ａ）請求項１〜１０のいずれか１項
に記載の反射型マスクを薬液によって洗浄することを特
徴とする反射型マスク洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001326022A JP2003133205A (ja) | 2001-10-24 | 2001-10-24 | 反射型マスク、反射型マスク製造方法及び反射型マスク洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001326022A JP2003133205A (ja) | 2001-10-24 | 2001-10-24 | 反射型マスク、反射型マスク製造方法及び反射型マスク洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003133205A true JP2003133205A (ja) | 2003-05-09 |
Family
ID=19142480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001326022A Withdrawn JP2003133205A (ja) | 2001-10-24 | 2001-10-24 | 反射型マスク、反射型マスク製造方法及び反射型マスク洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003133205A (ja) |
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