JP2003133078A - Organic EL element, manufacturing method thereof and display device - Google Patents
Organic EL element, manufacturing method thereof and display deviceInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 製造プロセスを複雑にあるいは困難にするこ
となく、陰極となるアルカリ土類金属の変成を防止し、
信頼性を向上し得る有機ＥＬ素子とその製造方法を提供
する。
【解決手段】 本発明の有機ＥＬ素子は、ガラス基板１
６上に透明電極１７、正孔輸送層２２、発光層１８が順
次積層され、発光層１８上の一部にＣａ層１９とＡｌ層
２０の２層からなるＣａ／Ａｌ積層電極２１が形成さ
れ、その上には保護層２３、フォトレジストパターン２
４がさらに積層されている。そして、Ｃａ層１９の端面
にはＣａＦ2層２５が形成されている。
(57) [Summary] [PROBLEMS] To prevent the transformation of alkaline earth metal serving as a cathode without complicating or making a production process complicated,
Provided are an organic EL device capable of improving reliability and a method for manufacturing the same. SOLUTION: The organic EL element of the present invention comprises a glass substrate 1
6, a transparent electrode 17, a hole transport layer 22, and a light emitting layer 18 are sequentially laminated, and a Ca / Al laminated electrode 21 composed of two layers of a Ca layer 19 and an Al layer 20 is formed on a part of the light emitting layer 18. And a protective layer 23 and a photoresist pattern 2 thereon.
4 are further laminated. The CaF 2 layer 25 is formed on the end face of the Ca layer 19.
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、有機エレクトロル
ミネッセンス（Electro-Luminescence, 本明細書ではＥ
Ｌと略記する）素子とその製造方法ならびに表示装置に
関し、特に信頼性に優れた有機ＥＬ素子の構成に関する
ものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to organic electroluminescence (Electro-Luminescence, herein referred to as E-Luminescence).
The present invention relates to an element, abbreviated as L), a method of manufacturing the element, and a display device, and particularly to a structure of an organic EL element having excellent reliability.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、自発光型の表示装置として有機Ｅ
Ｌ素子を用いた表示装置が脚光を浴びている。また、有
機ＥＬ素子は自身が表示用ディスプレイとなるばかりで
なく、例えば反射型液晶パネルのような非発光型の表示
装置のフロントライト（照明装置）として用いることも
考えられている。有機ＥＬ素子の基本構成は、例えばガ
ラス基板上に透明電極（陽極）、発光層、金属電極（陰
極）が積層された構造であり、陽極には仕事関数の大き
な材料が用いられ、陰極には仕事関数の小さな材料が用
いられ、発光層に有機ＥＬ材料が用いられている。そし
て、双方の電極から発光層に注入される正孔と電子とが
発光層で再結合することによって発光する。2. Description of the Related Art In recent years, organic E has been used as a self-luminous display device.
A display device using an L element is in the spotlight. Further, it is considered that the organic EL element is not only used as a display for itself but also used as a front light (illumination device) of a non-emissive display device such as a reflective liquid crystal panel. The basic structure of an organic EL element is, for example, a structure in which a transparent electrode (anode), a light emitting layer, and a metal electrode (cathode) are laminated on a glass substrate. A material having a large work function is used for the anode and a cathode is used for the cathode. A material having a small work function is used, and an organic EL material is used for the light emitting layer. Then, holes and electrons injected from both electrodes into the light emitting layer recombine in the light emitting layer to emit light.
【０００３】上記有機ＥＬ素子においては、陰極から発
光層への電子注入効率を高め、陰極としての安定性を保
ち、反射率を確保するために、仕事関数の小さいＣａ
（カルシウム）、Ｍｇ（マグネシウム）等のアルカリ土
類金属と、これよりも仕事関数の大きいＡｌ（アルミニ
ウム）、Ａｇ（銀）等の金属からなる積層電極を陰極に
用いることがある。ところが、このような積層電極を用
いた場合、Ｃａ等のアルカリ土類金属が大気中の酸素や
水分と徐々に反応し、変成が進むことによって信頼性が
低下し、素子の寿命が短くなるという問題があった。In the above organic EL device, in order to enhance the efficiency of electron injection from the cathode to the light emitting layer, maintain the stability as the cathode, and secure the reflectance, Ca having a small work function is used.
A laminated electrode made of an alkaline earth metal such as (calcium) or Mg (magnesium) and a metal such as Al (aluminum) or Ag (silver) having a work function larger than that may be used for the cathode. However, when such a laminated electrode is used, the alkaline earth metal such as Ca gradually reacts with oxygen and moisture in the atmosphere, the metamorphosis progresses, the reliability is lowered, and the life of the element is shortened. There was a problem.
【０００４】そこで、上記の問題を対策するために、積
層電極の構成材料に単なるアルカリ土類金属ではなく、
アルカリ土類金属のフッ化物を用いる技術が、例えば特
開２０００−１８２７８２号公報、特開平１１−１９１
４９０号公報などに開示されている。アルカリ土類金属
のフッ化物は、単体のアルカリ土類金属、さらにはアル
カリ土類金属のフッ化物以外の化合物（酸化物、窒化
物、ハロゲン化物、その他化合物を含む）に比べて化学
的に安定であり、水分との反応性が低いものである。よ
って、アルカリ土類金属のフッ化物の使用により、従来
よりも信頼性を向上させ、素子の寿命を長くすることが
できる。Therefore, in order to solve the above problems, the constituent material of the laminated electrode is not simply an alkaline earth metal, but
A technique using a fluoride of an alkaline earth metal is disclosed, for example, in JP-A-2000-182782 and JP-A-11-191.
It is disclosed in Japanese Patent Publication No. 490 and the like. Alkaline earth metal fluorides are chemically more stable than simple alkaline earth metal compounds and compounds (including oxides, nitrides, halides and other compounds) other than alkaline earth metal fluorides. And has low reactivity with water. Therefore, by using the fluoride of the alkaline earth metal, it is possible to improve reliability and prolong the life of the device as compared with the conventional case.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】有機ＥＬ素子を表示用
ディスプレイとして用いる場合には、基板上に陰極とな
る金属電極を形成し、発光層を挟んで陽極となる透明電
極側から視認する構成とすることができる。この場合、
陰極は基板上の全面にわたって形成すれば済み、パター
ニングは不要となる。これに対して、例えば表示装置の
フロントライトとして用いる場合には、表示を視認する
ためには金属電極からなる陰極を全面にわたって形成す
るわけにはいかず、パターニングが必要になる。この
際、Ｃａ等のアルカリ土類金属とＡｌ等の金属からなる
積層膜をドライエッチング等を用いてパターニングする
ことになるが、パターニング後、パターンの縁ではアル
カリ土類金属の端面が露出するので、この端面からアル
カリ土類金属の変成が進行し、信頼性の低下につながる
ことになる。When an organic EL element is used as a display for display, a metal electrode serving as a cathode is formed on a substrate and viewed from the transparent electrode side serving as an anode with a light emitting layer interposed therebetween. can do. in this case,
The cathode need only be formed over the entire surface of the substrate, and patterning is unnecessary. On the other hand, when it is used as a front light of a display device, for example, it is not possible to form a cathode made of a metal electrode over the entire surface in order to visually recognize a display, and patterning is required. At this time, a laminated film composed of an alkaline earth metal such as Ca and a metal such as Al is patterned by dry etching or the like. However, after patterning, the end face of the alkaline earth metal is exposed at the edge of the pattern, so , The metamorphism of alkaline earth metal progresses from this end face, which leads to a decrease in reliability.
【０００６】上記公報に記載の技術のように、ＣａＦ2
等のアルカリ土類金属のフッ化物層を最初から成膜する
ことも考えられるが、化学的に安定性の高いＣａＦ2は
その後工程でのパターニングが困難であるという問題が
あった。以上の事情から、陰極をパターニングする構成
の有機ＥＬ素子において、製造プロセスを困難にするこ
となく、アルカリ土類金属の変成を確実に防止し、信頼
性を向上させることのできる方法の提供が望まれてい
た。さらに、陰極のパターニング時のフォトリソグラフ
ィー工程においてＡｌ等の金属が現像液に晒されるが、
これによりＡｌ、さらにはＡｌのピンホールの存在によ
りその下層のアルカリ土類金属が腐食するという問題も
あり、このことも信頼性や発光特性の低下につながって
いた。As in the technique described in the above publication, CaF 2
It is possible to form a fluoride layer of an alkaline earth metal such as the above from the beginning, but CaF 2 having high chemical stability has a problem that patterning in the subsequent step is difficult. In view of the above circumstances, it is desired to provide a method capable of reliably preventing the conversion of alkaline earth metal and improving the reliability of an organic EL device having a structure in which a cathode is patterned without complicating the manufacturing process. It was rare. Furthermore, although a metal such as Al is exposed to the developing solution in the photolithography process at the time of patterning the cathode,
As a result, there is a problem that Al, and further, the existence of Al pinholes corrode the underlying alkaline earth metal, which also leads to deterioration in reliability and light emission characteristics.
【０００７】本発明は、上記の課題を解決するためにな
されたものであって、製造プロセスを困難にすることな
く、陰極として用いるアルカリ土類金属の変成を確実に
防止し、信頼性を向上できる構造を有する有機ＥＬ素子
とその製造方法を提供することを目的とする。The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and surely prevents the transformation of alkaline earth metal used as the cathode without making the manufacturing process difficult and improves the reliability. An object of the present invention is to provide an organic EL element having a possible structure and a manufacturing method thereof.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の第１の有機ＥＬ素子は、基板上に少なく
とも透明導電性材料を含む陽極と、有機ＥＬ材料を含む
発光層と、アルカリ土類金属層とそれ以外の導電体層と
を含む陰極とが基板側からこの順に積層された有機ＥＬ
素子であって、前記発光層の形成領域の一部に前記陰極
が形成され、前記陰極を構成するアルカリ土類金属層の
端面にアルカリ土類金属のフッ化物層が形成されたこと
を特徴とする。なお、アルカリ土類金属は、Ｍｇ（マグ
ネシウム）、Ｃａ（カルシウム）、Ｓｒ（ストロンチウ
ム）、Ｂａ（バリウム）の４元素を含むものである。ま
た、陰極を構成するその他の導電体層には、Ａｌ（アル
ミニウム）、Ａｇ（銀）などの可視光反射率の高い金属
が多く用いられる。In order to achieve the above object, the first organic EL device of the present invention comprises, on a substrate, an anode containing at least a transparent conductive material, and a light emitting layer containing the organic EL material. , An organic EL in which a cathode including an alkaline earth metal layer and a conductor layer other than the alkaline earth metal layer is laminated in this order from the substrate side.
In the device, the cathode is formed in a part of the formation region of the light emitting layer, and an alkaline earth metal fluoride layer is formed on an end surface of the alkaline earth metal layer forming the cathode. To do. The alkaline earth metal contains four elements of Mg (magnesium), Ca (calcium), Sr (strontium), and Ba (barium). In addition, a metal having a high visible light reflectance, such as Al (aluminum) or Ag (silver), is often used for the other conductor layers forming the cathode.
【０００９】上述したように、本発明の対象となる有機
ＥＬ素子は、陰極が基板全面にわたってベタで形成され
ているものではなく、陰極がパターニングされ、発光層
を間に挟んで陽極の上方に部分的に形成された構成のも
のである。この構成の場合、従来は陰極を構成するアル
カリ土類金属層の端面が製造工程の途中で露出していた
ため、ここからアルカリ土類金属の変成が進行し、信頼
性の低下を引き起こしていた。これに対して、本発明の
第１の有機ＥＬ素子においては、例えば後述する本発明
の製造方法を用いることによってアルカリ土類金属層の
端面にアルカリ土類金属のフッ化物層が形成された構成
となっているため、アルカリ土類金属のフッ化物が化学
的に安定で酸素や水分との反応性が低いという特性か
ら、その内側のアルカリ土類金属層の変成が抑えられ、
素子の信頼性を向上させることができる。As described above, in the organic EL element which is the object of the present invention, the cathode is not formed entirely over the substrate, but the cathode is patterned, and the cathode is formed above the anode with the light emitting layer interposed therebetween. It is of a partially formed configuration. In the case of this structure, conventionally, since the end surface of the alkaline earth metal layer forming the cathode was exposed in the middle of the manufacturing process, the conversion of the alkaline earth metal progressed from there and the reliability was lowered. On the other hand, in the first organic EL element of the present invention, for example, the alkaline earth metal fluoride layer is formed on the end face of the alkaline earth metal layer by using the manufacturing method of the present invention described later. Therefore, since the fluoride of the alkaline earth metal is chemically stable and has low reactivity with oxygen and moisture, the transformation of the alkaline earth metal layer inside thereof is suppressed,
The reliability of the device can be improved.
【００１０】本発明の第２の有機ＥＬ素子は、基板上に
少なくとも、透明導電性材料を含む陽極と、有機ＥＬ材
料を含む発光層と、アルカリ土類金属層とそれ以外の導
電体層とを含む陰極とが基板側からこの順に積層された
有機ＥＬ素子であって、前記陰極を構成する層のうち、
前記アルカリ土類金属層以外の導電体層が前記アルカリ
土類金属層の上面の一部に形成され、前記アルカリ土類
金属層のうち、少なくとも前記導電体層の下方に位置す
る部分以外の領域がアルカリ土類金属のフッ化物となっ
ていることを特徴とする。The second organic EL device of the present invention comprises, on a substrate, at least an anode containing a transparent conductive material, a light emitting layer containing an organic EL material, an alkaline earth metal layer and a conductor layer other than the above. A cathode containing a is an organic EL element laminated in this order from the substrate side, of the layers constituting the cathode,
A conductor layer other than the alkaline earth metal layer is formed on a part of the upper surface of the alkaline earth metal layer, and in the alkaline earth metal layer, a region other than at least a portion located below the conductor layer Is a fluoride of an alkaline earth metal.
【００１１】次に本発明者は、アルカリ土類金属がフッ
化物になると光透過率が格段に向上し、ほとんど透明状
態となることに着目した。この点を考慮すると、Ａｌ等
の導電体層のみをパターニングし、アルカリ土類金属層
はパターニングしなくても、導電体層がない部分のアル
カリ土類金属層をフッ化物にしてしまえば、この部分で
光を透過することができ、アルカリ土類金属層をパター
ニングしたものと同様、表示装置のフロントライト等に
用いることができる。したがって、本発明の第２の有機
ＥＬ素子においても、導電体層がその上に存在しない部
分（製造工程中に露出する部分）のアルカリ土類金属層
がアルカリ土類金属のフッ化物に変換されているため、
アルカリ土類金属層の変成が抑えられ、素子の信頼性を
向上させることができる。Next, the present inventor has noticed that when the alkaline earth metal is changed to a fluoride, the light transmittance is remarkably improved to be almost transparent. Considering this point, if only the conductor layer such as Al is patterned and the alkaline earth metal layer is not patterned, if the alkaline earth metal layer in the portion without the conductor layer is made into fluoride, Light can be transmitted through the portion, and it can be used for a front light of a display device or the like, similarly to the case where the alkaline earth metal layer is patterned. Therefore, also in the second organic EL element of the present invention, the alkaline earth metal layer in the portion where the conductor layer does not exist thereon (the portion exposed during the manufacturing process) is converted into the fluoride of the alkaline earth metal. Because
It is possible to suppress the transformation of the alkaline earth metal layer and improve the reliability of the device.
【００１２】本発明の有機ＥＬ素子においては、さらに
前記導電体層を覆う保護層が形成されていることが望ま
しい。この構成によれば、例えば、陰極のパターニング
時にフォトレジストの下地にあたるＡｌ等の導電体層が
現像液等の薬品に晒される状況があったとしても、保護
層によって導電体層が保護されるので、導電体層、さら
には導電体層のピンホールの存在によりその下層のアル
カリ土類金属が腐食することもなく、これによる信頼性
の低下を防止することができる。In the organic EL device of the present invention, it is desirable that a protective layer covering the conductor layer is further formed. According to this configuration, for example, even if the conductor layer such as Al underlying the photoresist is exposed to a chemical such as a developer during patterning of the cathode, the conductor layer is protected by the protective layer. The presence of the conductor layer, and further the pinholes in the conductor layer, does not corrode the underlying alkaline earth metal, and it is possible to prevent a decrease in reliability due to this.
【００１３】本発明の第１の有機ＥＬ素子の製造方法
は、基板上に少なくとも、透明導電体層を含む陽極と、
有機ＥＬ材料を含む発光層と、アルカリ土類金属層とそ
れ以外の導電体層とを含む陰極とが基板側からこの順に
積層された有機ＥＬ素子の製造方法であって、基板上に
少なくとも前記透明導電体層、前記発光層、前記アルカ
リ土類金属層、前記導電体層をこの順に積層する工程
と、前記導電体層の上方にマスク材を形成し、該マスク
材を用いた前記導電体層および前記アルカリ土類金属層
のエッチングを前記発光層の表面が露出するまで行うこ
とにより前記陰極を形成する工程と、プラズマフッ化処
理を行うことにより、前記陰極を構成するアルカリ土類
金属層の端面にアルカリ土類金属のフッ化物層を形成す
る工程とを含むことを特徴とする。A first method for manufacturing an organic EL device of the present invention comprises: an anode including at least a transparent conductor layer on a substrate;
A method for manufacturing an organic EL element, comprising a light emitting layer containing an organic EL material, a cathode containing an alkaline earth metal layer and a conductor layer other than the above, laminated in this order from the substrate side, at least the above A step of laminating a transparent conductor layer, the light emitting layer, the alkaline earth metal layer, and the conductor layer in this order; and forming a mask material above the conductor layer, and using the mask material A layer and the alkaline earth metal layer are etched until the surface of the light emitting layer is exposed to form the cathode, and a plasma fluorination treatment is performed to form an alkaline earth metal layer forming the cathode. And a step of forming a fluoride layer of an alkaline earth metal on the end face of.
【００１４】上記本発明の有機ＥＬ素子の構成は、上記
本発明の製造方法を用いることによって容易に実現する
ことができる。すなわち、基板上に少なくとも陽極とな
る透明導電体層、発光層、アルカリ土類金属層、導電体
層を積層した後、導電体層の上方にマスク材を形成し、
マスク材を用いた導電体層、アルカリ土類金属層のエッ
チングを発光層の表面が露出するまで行うことによっ
て、陰極がパターニングされる。この際、アルカリ土類
金属層の端面が露出するが、その後、プラズマフッ化処
理を行うことにより、アルカリ土類金属層の端面にアル
カリ土類金属のフッ化物層を形成することができる。こ
の方法によれば、成膜工程に負担がかかることがなく、
製造プロセスがそれ程複雑になることもない。The structure of the organic EL element of the present invention can be easily realized by using the manufacturing method of the present invention. That is, a transparent conductor layer serving as at least an anode, a light emitting layer, an alkaline earth metal layer, and a conductor layer are laminated on a substrate, and then a mask material is formed above the conductor layer,
The cathode is patterned by etching the conductor layer and the alkaline earth metal layer using the mask material until the surface of the light emitting layer is exposed. At this time, the end surface of the alkaline earth metal layer is exposed, but by performing plasma fluorination treatment thereafter, a fluoride layer of alkaline earth metal can be formed on the end surface of the alkaline earth metal layer. According to this method, the film forming process is not burdened,
The manufacturing process is not so complicated.
【００１５】本発明の第２の有機ＥＬ素子の製造方法
は、基板上に少なくとも、透明導電体層を含む陽極と、
有機ＥＬ材料を含む発光層と、アルカリ土類金属層とそ
れ以外の導電体層とを含む陰極とが基板側からこの順に
積層された有機ＥＬ素子の製造方法であって、基板上に
少なくとも前記透明導電体層、前記発光層、前記アルカ
リ土類金属層、前記導電体層をこの順に積層する工程
と、前記導電体層の上方にマスク材を形成し、該マスク
材を用いた前記導電体層のエッチングを前記アルカリ土
類金属層の表面が露出するまで行うことにより前記陰極
を形成する工程と、プラズマフッ化処理を行うことによ
り、前記アルカリ土類金属層の少なくとも前記導電体層
の下方に位置する部分以外の領域をアルカリ土類金属の
フッ化物に変換する工程とを含むことを特徴とする。The second method for manufacturing an organic EL device of the present invention comprises: an anode containing at least a transparent conductor layer on a substrate;
A method for manufacturing an organic EL element, comprising a light emitting layer containing an organic EL material, a cathode containing an alkaline earth metal layer and a conductor layer other than the above, laminated in this order from the substrate side, at least the above A step of laminating a transparent conductor layer, the light emitting layer, the alkaline earth metal layer, and the conductor layer in this order; and forming a mask material above the conductor layer, and using the mask material A step of forming the cathode by performing etching of a layer until the surface of the alkaline earth metal layer is exposed, and performing a plasma fluorination treatment, at least below the conductor layer of the alkaline earth metal layer. And a step of converting a region other than the portion located in the above into a fluoride of an alkaline earth metal.
【００１６】この製造方法は、導電体層のみをパターニ
ングし、アルカリ土類金属層はパターニングしないとい
う上述の素子構造を形成するための方法である。この本
発明の第２の製造方法においても、成膜工程に負担がか
からず、製造プロセスがそれ程複雑になることがない、
という第１の製造方法と同様の効果を得ることができ
る。また、この第２の製造方法の場合、導電体層がその
上に存在しない部分の光透過率を最大限に上げるために
アルカリ土類金属層の膜厚方向の全てをフッ化物に変換
することが望ましく、そのようにプラズマフッ化処理条
件を設定することが望ましい。そして、アルカリ土類金
属層のエッチングが不要になるという利点もある。This manufacturing method is a method for forming the above-mentioned element structure in which only the conductor layer is patterned and the alkaline earth metal layer is not patterned. Also in the second manufacturing method of the present invention, the film forming process is not burdened, and the manufacturing process does not become so complicated.
The same effect as that of the first manufacturing method can be obtained. In addition, in the case of the second manufacturing method, all of the alkaline earth metal layer in the film thickness direction is converted to fluoride in order to maximize the light transmittance of the portion where the conductor layer does not exist thereon. Is desirable, and it is desirable to set the plasma fluorination treatment condition as such. There is also an advantage that etching of the alkaline earth metal layer becomes unnecessary.
【００１７】また、透明導電体層、発光層、アルカリ土
類金属層、導電体層を積層する工程において導電体層の
上方にさらに保護層を形成し、前記エッチング工程にお
いて導電体層のエッチングに先立って保護層のエッチン
グを行うことが望ましい。この構成によれば、例えば、
陰極のパターニング時にフォトレジストの下地にあたる
層が現像液等の薬品に晒される状況があったとしても、
保護層によって導電体層が保護されるので、導電体層、
さらには導電体層のピンホールの存在によりその下層の
アルカリ土類金属が腐食することがない。Further, in the step of laminating the transparent conductor layer, the light emitting layer, the alkaline earth metal layer and the conductor layer, a protective layer is further formed above the conductor layer, and the conductor layer is etched in the etching step. It is desirable to etch the protective layer in advance. According to this configuration, for example,
Even if there is a situation where the layer underlying the photoresist is exposed to a chemical such as a developer when patterning the cathode,
Since the conductor layer is protected by the protective layer, the conductor layer,
Furthermore, the existence of the pinholes in the conductor layer prevents the alkaline earth metal thereunder from being corroded.
【００１８】前記マスク材としては、一般的にはフォト
レジストを用いるのが最も簡単であるが、その他の膜を
マスク材としてもよい。通常は陰極のパターニングにフ
ォトリソグラフィー技術を使用する関係から、マスク材
に感光性材料を用いるのが望ましいが、このマスク材が
前記保護層を兼ねる構成としてもよい。その場合、積層
構造が簡単になる。As the mask material, it is generally the simplest to use a photoresist, but other films may be used as the mask material. Normally, it is desirable to use a photosensitive material as the mask material because the photolithography technique is used for patterning the cathode, but the mask material may also serve as the protective layer. In that case, the laminated structure becomes simple.
【００１９】また、少なくとも前記エッチング工程を経
てアルカリ土類金属層の表面または端面が露出した後、
プラズマフッ化処理を終了するまでの間、基板が大気に
触れない不活性ガス雰囲気下で作業を行うことが望まし
い。エッチング工程を経てアルカリ土類金属層の表面ま
たは端面が露出した直後、プラズマフッ化処理を行え
ば、アルカリ土類金属層の変成をある程度抑えることは
できるが、アルカリ土類金属層の表面または端面が露出
した後、プラズマフッ化処理を終了するまでの間、基板
が大気に触れない不活性ガス雰囲気下で作業を行うよう
にすれば、アルカリ土類金属層の変成をより確実に防止
することができる。After the surface or end face of the alkaline earth metal layer is exposed through at least the etching step,
It is desirable to work in an inert gas atmosphere in which the substrate does not come into contact with the atmosphere until the plasma fluorination treatment is completed. Immediately after the surface or the end surface of the alkaline earth metal layer is exposed through the etching process, if the plasma fluorination treatment is performed, the transformation of the alkaline earth metal layer can be suppressed to some extent, but the surface or the end surface of the alkaline earth metal layer is suppressed. It is possible to prevent the transformation of the alkaline earth metal layer more reliably if the work is performed in an inert gas atmosphere in which the substrate does not come into contact with the atmosphere after the plasma is exposed and until the plasma fluorination treatment is completed. You can
【００２０】本発明の表示装置は、上記本発明の有機Ｅ
Ｌ素子を含む照明手段と、該照明手段から出射される光
を反射表示に用いる表示手段とを備えたことを特徴とす
る。この構成によれば、信頼性の高いフロントライト等
の照明手段を備えた表示装置を提供することができる。The display device of the present invention is the organic E of the present invention.
It is characterized in that it is provided with an illuminating means including an L element, and a display means for using light emitted from the illuminating means for reflective display. According to this configuration, it is possible to provide a display device including a highly reliable lighting means such as a front light.
【００２１】また、前記表示手段として反射型液晶表示
装置を用いた場合、前記照明手段をなす有機ＥＬ素子の
陰極が、反射型液晶表示装置の非開口領域に対応して配
置されていることが望ましい。この構成によれば、有機
ＥＬ素子を有する照明手段を備えた場合でも反射型液晶
表示装置の開口率が低下することがなく、明るい表示を
得ることができる。When a reflection type liquid crystal display device is used as the display means, the cathode of the organic EL element forming the illumination means is arranged corresponding to the non-aperture area of the reflection type liquid crystal display device. desirable. According to this configuration, even when the lighting unit having the organic EL element is provided, the aperture ratio of the reflective liquid crystal display device does not decrease, and a bright display can be obtained.
【００２２】[0022]
【発明の実施の形態】［第１の実施の形態］以下、本発
明の第１の実施の形態を図１〜図５を参照して説明す
る。本実施の形態では、本発明の表示装置として液晶表
示装置を例に挙げて説明するが、本発明の有機ＥＬ素子
をフロントライト（照明手段）として備えている。ま
た、液晶表示装置のタイプとしては、薄膜トランジスタ
（Thin Film Transistor, 以下、ＴＦＴと略記する）を
スイッチング素子として用いたアクティブマトリクス方
式の反射型液晶表示装置の例を挙げる。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION [First Embodiment] A first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. In the present embodiment, a liquid crystal display device will be described as an example of the display device of the present invention, but the organic EL element of the present invention is provided as a front light (illumination means). As a type of the liquid crystal display device, an example of an active matrix type reflective liquid crystal display device using a thin film transistor (hereinafter abbreviated as TFT) as a switching element is given.
【００２３】図１は本実施の形態の液晶表示装置の全体
の概略構成を示す斜視図、図２は図１のＡ−Ａ’線に沿
う断面図、図３は同、液晶表示装置のフロントライトの
部分のみを示す断面図、図４および図５はフロントライ
トの製造方法を説明するための工程断面図である。ま
た、各図においては、各層や各構成要素を認識可能な程
度の大きさとするため、各層や各構成要素毎に膜厚や寸
法等の縮尺を異ならせてある。FIG. 1 is a perspective view showing an overall schematic structure of the liquid crystal display device of the present embodiment, FIG. 2 is a sectional view taken along the line AA 'in FIG. 1, and FIG. 3 is the front view of the liquid crystal display device. FIG. 4 and FIG. 5 are sectional views showing the steps of the method for manufacturing the front light, showing only the light portion. Further, in each drawing, in order to make each layer and each component recognizable, the scales such as film thickness and dimensions are made different for each layer and each component.
【００２４】本実施の形態の液晶表示装置１は、図１に
示すように、液晶セル２（表示手段）と、その前面側に
配置されたフロントライト３（照明手段）とから概略構
成されている。液晶セル２は、ＴＦＴが形成された側の
素子基板４と対向基板５とが対向配置され、これら基板
４，５間に液晶層（図示略）が封入されている。素子基
板４の内面側には、多数のソース線６および多数のゲー
ト線７が互いに交差するように格子状に設けられてい
る。各ソース線６と各ゲート線７の交差点の近傍にはＴ
ＦＴ８が形成されており、各ＴＦＴ８を介して画素電極
９がそれぞれ接続されている。すなわち、マトリクス状
に配置された各画素１０毎に一つのＴＦＴ８と画素電極
９が設けられている。一方、対向基板５の内面側全面に
は、多数の画素１０がマトリクス状に配列されてなる表
示領域の全体にわたって一つの共通電極１１が形成され
ている。As shown in FIG. 1, the liquid crystal display device 1 of the present embodiment is roughly composed of a liquid crystal cell 2 (display means) and a front light 3 (illumination means) arranged on the front side thereof. There is. In the liquid crystal cell 2, the element substrate 4 on the side where the TFT is formed and the counter substrate 5 are arranged to face each other, and a liquid crystal layer (not shown) is sealed between these substrates 4 and 5. On the inner surface side of the element substrate 4, a large number of source lines 6 and a large number of gate lines 7 are provided in a grid pattern so as to intersect with each other. T near the intersection of each source line 6 and each gate line 7
The FT 8 is formed, and the pixel electrodes 9 are connected to each other via each TFT 8. That is, one TFT 8 and one pixel electrode 9 are provided for each pixel 10 arranged in a matrix. On the other hand, one common electrode 11 is formed on the entire inner surface of the counter substrate 5 over the entire display area in which a large number of pixels 10 are arranged in a matrix.
【００２５】液晶セル２の断面構造は、図２に示すよう
に、下側に素子基板４となるガラス基板１３が配置さ
れ、ガラス基板１３の内面に各画素１０毎に画素電極９
が形成されている。一方、上側に対向基板５となるガラ
ス基板１４が配置され、ガラス基板１４の内面に共通電
極１１が形成されている。そして、素子基板４と対向基
板５との間にＴＮ液晶からなる液晶層１５が挟持されて
いる。なお、図２においては、各基板の内面側の各種配
線やＴＦＴ８、配向膜等の図示は省略した。そして、液
晶セル２の上面にフロントライト３が配置されている。
フロントライト３の概略構成は、ガラス基板１６上の全
面に透明電極１７（陽極）および発光層１８が形成さ
れ、発光層１８上の一部にＣａ層１９（アルカリ土類金
属層）とＡｌ層２０（導電体層）の２層からなるＣａ／
Ａｌ積層電極２１（陰極）が形成されている。さらに、
これらを覆うように封止層２６が全面に形成され、その
上がカバーガラス２７で覆われている。As shown in FIG. 2, the cross-sectional structure of the liquid crystal cell 2 is such that a glass substrate 13 serving as an element substrate 4 is arranged on the lower side, and the pixel electrode 9 for each pixel 10 is provided on the inner surface of the glass substrate 13.
Are formed. On the other hand, the glass substrate 14 serving as the counter substrate 5 is arranged on the upper side, and the common electrode 11 is formed on the inner surface of the glass substrate 14. A liquid crystal layer 15 made of TN liquid crystal is sandwiched between the element substrate 4 and the counter substrate 5. Note that, in FIG. 2, various wirings on the inner surface side of each substrate, the TFT 8, the alignment film, and the like are omitted. The front light 3 is arranged on the upper surface of the liquid crystal cell 2.
The general structure of the front light 3 is that a transparent electrode 17 (anode) and a light emitting layer 18 are formed on the entire surface of a glass substrate 16, and a Ca layer 19 (alkaline earth metal layer) and an Al layer are formed on a part of the light emitting layer 18. Ca / consisting of two layers of 20 (conductor layer)
An Al laminated electrode 21 (cathode) is formed. further,
A sealing layer 26 is formed on the entire surface so as to cover these, and a cover glass 27 covers it.
【００２６】また、説明を簡単にするため、図２におい
ては、液晶セル２の画素電極９の縁を実効的に表示に寄
与する開口領域Ｋとし、隣接する画素電極９間の領域を
図示しない遮光膜が配置された非開口領域Ｈとする。本
実施の形態の液晶表示装置１においては、有機ＥＬ素子
のＣａ／Ａｌ積層電極２１が液晶セル２の非開口領域Ｈ
に対応して配置されている。Further, for simplification of description, in FIG. 2, the edge of the pixel electrode 9 of the liquid crystal cell 2 is defined as an opening region K that effectively contributes to display, and a region between adjacent pixel electrodes 9 is not shown. The non-opening area H is where the light shielding film is arranged. In the liquid crystal display device 1 of the present embodiment, the Ca / Al laminated electrode 21 of the organic EL element has the non-opening region H of the liquid crystal cell 2.
It is arranged corresponding to.
【００２７】フロントライト３の構成は、より詳細には
図３に示した通りである。ガラス基板１６上の全面にイ
ンジウム錫酸化物（Indium Tin Oxide, 以下、ＩＴＯと
略記する）等の透明導電膜からなる透明電極１７が形成
され、透明電極１７上に正孔輸送層２２、発光層１８が
順次積層されている。本実施の形態においては、正孔輸
送層２２の材料として例えばバイエル社製Ｂｙｔｒｏｎ
Ｐ、発光層１８の材料として例えば高分子系白色発光
材料を用いることができる。また、発光層１８上の一部
にＣａ層１９（アルカリ土類金属層）とＡｌ層２０（導
電体層）の２層からなるＣａ／Ａｌ積層電極２１が形成
され、その上には紫外線硬化性もしくは熱硬化性を有す
るエポキシ樹脂、アクリル樹脂等からなる保護層２３、
フォトレジストパターン２４がさらに積層されている。
そして、Ｃａ層１９の端面にはＣａＦ2層２５（アルカ
リ土類金属のフッ化物層）が形成されている。さらに、
これらＣａ／Ａｌ積層電極２１や発光層１８を覆うよう
に、紫外線硬化性もしくは熱硬化性を有するエポキシ樹
脂、アクリル樹脂等の材料からなる封止層２６が全面に
形成され、その上がカバーガラス２７で覆われている。The structure of the front light 3 is as shown in more detail in FIG. A transparent electrode 17 made of a transparent conductive film such as indium tin oxide (hereinafter abbreviated as ITO) is formed on the entire surface of the glass substrate 16, and the hole transport layer 22 and the light emitting layer are formed on the transparent electrode 17. 18 are sequentially stacked. In the present embodiment, the material for the hole transport layer 22 is, for example, Bytron manufactured by Bayer.
As the material of P and the light emitting layer 18, for example, a polymer white light emitting material can be used. Further, a Ca / Al laminated electrode 21 composed of two layers of a Ca layer 19 (alkaline earth metal layer) and an Al layer 20 (conductor layer) is formed on a part of the light emitting layer 18, and ultraviolet curing is performed thereon. Protective layer 23 made of epoxy resin, acrylic resin, or the like having heat resistance or thermosetting property,
A photoresist pattern 24 is further laminated.
A CaF 2 layer 25 (fluoride layer of alkaline earth metal) is formed on the end surface of the Ca layer 19. further,
A sealing layer 26 made of a material such as an epoxy resin or an acrylic resin having a UV curability or a thermosetting property is formed on the entire surface so as to cover the Ca / Al laminated electrode 21 and the light emitting layer 18, and a cover glass is formed thereon. Covered with 27.
【００２８】また、上記積層構造の膜厚の一例を挙げる
と、下側からガラス基板１６が０．５ｍｍ程度、透明電
極１７が１００〜２００ｎｍ程度（例えば１５０ｎ
ｍ）、正孔輸送層２２が５０ｎｍ程度、発光層１８が５
０ｎｍ程度、Ｃａ層１９が２０ｎｍ程度、Ａｌ層２０が
２００ｎｍ程度、保護層２３が５００ｎｍ程度、フォト
レジストパターン２４が８００ｎｍ程度、封止層２６が
１．５〜３．０μｍ程度、カバーガラス２７が０．１ｍ
ｍ程度である。As an example of the film thickness of the above-mentioned laminated structure, the glass substrate 16 is about 0.5 mm from the bottom, and the transparent electrode 17 is about 100 to 200 nm (eg 150 n from the bottom).
m), the hole transport layer 22 has a thickness of about 50 nm, and the light emitting layer 18 has a thickness of 5 nm.
0 nm, Ca layer 19 is about 20 nm, Al layer 20 is about 200 nm, protective layer 23 is about 500 nm, photoresist pattern 24 is about 800 nm, sealing layer 26 is about 1.5 to 3.0 μm, and cover glass 27 is 0.1 m
It is about m.
【００２９】以下、上記構成の有機ＥＬ素子からなるフ
ロントライトの製造方法について図４、図５を用いて説
明する。なお、図４、図５では基板の端部を合わせて示
す。まず最初に、図４（ａ）に示すように、ガラス基板
１６上に透明電極１７となるＩＴＯ等の透明導電膜２
９、正孔輸送層２２となるバイエル社製ＢｙｔｒｏｎＰ
膜３０、発光層１８となる高分子系白色発光材料膜３
１、アルカリ土類金属層となるＣａ層１９、導電体層と
なるＡｌ層２０をこの順に成膜する。発光層１８の成膜
方法としては、低分子タイプの有機ＥＬ材料を用いる場
合には蒸着法など、高分子タイプの有機ＥＬ材料を用い
る場合にはインクジェット法、スピンコート法などを採
用することができる。A method of manufacturing a front light composed of the organic EL element having the above structure will be described below with reference to FIGS. 4 and 5, the end portions of the substrate are shown together. First, as shown in FIG. 4A, a transparent conductive film 2 such as ITO, which will be the transparent electrode 17, is formed on the glass substrate 16.
9. Bytron P manufactured by Bayer to be the hole transport layer 22
Polymer-based white light-emitting material film 3 serving as the film 30 and the light-emitting layer 18
1. A Ca layer 19 serving as an alkaline earth metal layer and an Al layer 20 serving as a conductor layer are formed in this order. As a method of forming the light emitting layer 18, a vapor deposition method or the like may be used when a low molecular type organic EL material is used, and an inkjet method, a spin coating method or the like may be used when a high molecular type organic EL material is used. it can.
【００３０】さらに、図４（ｂ）に示すように、Ａｌ層
２０上に保護層２３となる樹脂膜３２、フォトレジスト
膜３３を順次形成する。なお、基板の端部においては、
任意のマスク材を形成した上で成膜を行うことにより、
発光層１８および正孔輸送層２２の端面がガラス基板１
６の端面よりも若干内側に位置するように形成し、Ｃａ
層１９およびＡｌ層２０の端面が発光層１８および正孔
輸送層２２の端面よりも若干内側に位置するように形成
する。その上で、樹脂膜３２、フォトレジスト膜３３が
発光層１８、正孔輸送層２２、Ｃａ層１９およびＡｌ層
２０の全ての端面を覆うようにガラス基板１６の端面の
位置まで形成する。Further, as shown in FIG. 4B, a resin film 32 to be the protective layer 23 and a photoresist film 33 are sequentially formed on the Al layer 20. At the edge of the board,
By forming a film after forming an arbitrary mask material,
The end faces of the light emitting layer 18 and the hole transport layer 22 are the glass substrate 1
It is formed so as to be located slightly inside the end face of 6, and Ca
The end faces of the layer 19 and the Al layer 20 are formed so as to be located slightly inside the end faces of the light emitting layer 18 and the hole transport layer 22. Then, the resin film 32 and the photoresist film 33 are formed to the position of the end surface of the glass substrate 16 so as to cover all the end surfaces of the light emitting layer 18, the hole transport layer 22, the Ca layer 19 and the Al layer 20.
【００３１】次に、図４（ｃ）に示すように、フォトリ
ソグラフィー技術を用いてフォトレジスト膜３３の露
光、現像を行い、フォトレジストパターン２４を形成す
る。この時、ガラス基板１６の周縁部にはフォトレジス
トパターン２４を残す。Next, as shown in FIG. 4C, the photoresist film 33 is exposed and developed by using a photolithography technique to form a photoresist pattern 24. At this time, the photoresist pattern 24 is left on the peripheral portion of the glass substrate 16.
【００３２】次に、図５（ｄ）に示すように、フォトレ
ジストパターン２４をマスク材としたドライエッチング
により、樹脂膜３２、Ａｌ層２０、Ｃａ層１９を発光層
１８の表面が露出するまで順次エッチングする。エッチ
ングガスとして、樹脂膜３２には例えばＯ2ガス、Ａｌ
層２０には例えばＢＣｌ3を含む塩素系ガス、Ｃａ層１
９には例えばＡｒガスを用いたスパッタエッチングを用
いることができる。この工程により、Ｃａ／Ａｌ積層電
極２１がパターニングされる。Next, as shown in FIG. 5D, the resin film 32, the Al layer 20, and the Ca layer 19 are exposed by dry etching using the photoresist pattern 24 as a mask until the surface of the light emitting layer 18 is exposed. Etch sequentially. As the etching gas, for example, O 2 gas or Al is used for the resin film 32.
For the layer 20, for example, a chlorine-based gas containing BCl 3 , a Ca layer 1
For 9, sputter etching using Ar gas can be used, for example. By this step, the Ca / Al laminated electrode 21 is patterned.
【００３３】次に、図５（ｅ）に示すように、プラズマ
フッ化処理を行うことにより、Ｃａ層１９のうち、露出
している端面の部分をフッ化してＣａＦ2層２５に変換
する。この際、実際にはＡｌ層２０の端面も若干フッ化
される。なお、ドライエッチング工程を経てＣａ層１９
の端面が露出した直後にプラズマフッ化処理を行えば、
Ｃａ層１９の変成をある程度抑えることはできるが、で
きればＣａ層１９の端面が露出した後からプラズマフッ
化処理を終了するまでの間、基板が大気に触れない不活
性ガス雰囲気下で作業を行うことが望ましい。そうする
と、Ｃａ層１９の変成を確実に防止することができる。
具体的には、ドライエッチング装置のチャンバー内に基
板を入れたまま、ガスの切り換えだけで各層のエッチン
グとプラズマフッ化処理を行うか、それが難しい場合に
は窒素ガス等の不活性ガス雰囲気内で基板を搬送する等
の方法を採ればよい。Next, as shown in FIG. 5E, a plasma fluorination treatment is performed to fluorinate the exposed end face portion of the Ca layer 19 to convert it into the CaF 2 layer 25. At this time, the end surface of the Al layer 20 is actually slightly fluorinated. In addition, the Ca layer 19 is subjected to a dry etching process.
If the plasma fluorination treatment is performed immediately after the end face of is exposed,
Although it is possible to suppress the transformation of the Ca layer 19 to some extent, if possible, work is performed in an inert gas atmosphere in which the substrate does not come into contact with the atmosphere after the end face of the Ca layer 19 is exposed until the plasma fluorination treatment is completed. Is desirable. Then, the transformation of the Ca layer 19 can be reliably prevented.
Specifically, with the substrate kept in the chamber of the dry etching equipment, etching of each layer and plasma fluorination are performed only by switching the gas, or if it is difficult, in an atmosphere of an inert gas such as nitrogen gas. A method of transporting the substrate may be adopted.
【００３４】最後に、図５（ｆ）に示すように、封止層
２６を、パターニングしたＣａ／Ａｌ積層電極２１や発
光層１８を覆うように全面に形成し、その上にカバーガ
ラス２７を貼着することにより、本実施の形態の有機Ｅ
Ｌ素子を備えたフロントライト３が完成する。Finally, as shown in FIG. 5F, a sealing layer 26 is formed on the entire surface so as to cover the patterned Ca / Al laminated electrode 21 and the light emitting layer 18, and a cover glass 27 is formed thereon. By sticking the organic E of the present embodiment
The front light 3 including the L element is completed.
【００３５】本実施の形態の有機ＥＬ素子を備えたフロ
ントライト３においては、Ｃａ／Ａｌ積層電極２１を構
成するＣａ層１９の端面にＣａＦ2層２５が形成されて
いるため、その内側のＣａ層１９の変成が抑えられ、素
子の信頼性を向上させることができる。さらにＡｌ層２
０の上方に保護層２３が形成されているため、Ｃａ／Ａ
ｌ積層電極２１のパターニング時に保護層２３によって
Ａｌ層２０が保護されるので、現像液によってＡｌ層２
０やＡｌのピンホールの存在によりＣａ層１９が腐食す
ることもなく、これによる信頼性の低下を防止すること
ができる。In the front light 3 provided with the organic EL element of the present embodiment, the CaF 2 layer 25 is formed on the end face of the Ca layer 19 constituting the Ca / Al laminated electrode 21, so that the Ca inside the CaF 2 layer 25 is formed. Deformation of the layer 19 can be suppressed and the reliability of the device can be improved. Further Al layer 2
Since the protective layer 23 is formed above 0, Ca / A
Since the Al layer 20 is protected by the protective layer 23 when the laminated electrode 21 is patterned, the Al layer 2 is protected by the developing solution.
The Ca layer 19 does not corrode due to the presence of pinholes of 0 or Al, and it is possible to prevent a decrease in reliability due to this.
【００３６】また、上記の構成は、Ｃａ／Ａｌ積層電極
２１のパターニングに続いてプラズマフッ化処理を行う
だけで形成できるので、従来の方法のように成膜工程に
負担がかかることがなく、製造プロセスがそれ程複雑に
なることもない。Further, since the above-mentioned structure can be formed only by performing the plasma fluorination treatment after the patterning of the Ca / Al laminated electrode 21, there is no burden on the film forming step as in the conventional method. The manufacturing process is not so complicated.
【００３７】そして、本実施の形態によれば、信頼性の
高いフロントライト３を備えた液晶表示装置を提供する
ことができる。さらに、有機ＥＬ素子のＣａ／Ａｌ積層
電極２１が液晶セル２の非開口領域に対応して配置され
ているので、有機ＥＬ素子を有するフロントライトを備
えていても開口率が低下することがなく、明るい表示を
得ることができる。Then, according to the present embodiment, it is possible to provide a liquid crystal display device having the highly reliable front light 3. Further, since the Ca / Al laminated electrode 21 of the organic EL element is arranged corresponding to the non-opening region of the liquid crystal cell 2, the aperture ratio does not decrease even if the front light having the organic EL element is provided. , You can get a bright display.
【００３８】[第２の実施の形態]以下、本発明の第２の
実施の形態を図６、図７を参照して説明する。図６は本
実施の形態の液晶表示装置のフロントライトを示す断面
図、図７はフロントライトの製造方法を説明するための
工程断面図である。本実施の形態の液晶表示装置の基本
構成、およびフロントライトの基本構成は第１の実施の
形態と全く同様であり、フロントライトを構成するアル
カリ土類金属層の構成が異なるのみである。よって、図
６、図７において図３〜図５と共通の構成要素には同一
の符号を付し、詳細な説明は省略する。[Second Embodiment] A second embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 6 and 7. FIG. 6 is a cross-sectional view showing the front light of the liquid crystal display device of the present embodiment, and FIG. 7 is a process cross-sectional view for explaining the method of manufacturing the front light. The basic structure of the liquid crystal display device of this embodiment and the basic structure of the front light are exactly the same as those of the first embodiment, and only the structure of the alkaline earth metal layer forming the front light is different. Therefore, in FIGS. 6 and 7, the same components as those in FIGS. 3 to 5 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
【００３９】第１の実施の形態では陰極を構成するＣａ
層およびＡｌ層がともにパターニングされていたのに対
し、本実施の形態ではＡｌ層のみがパターニングされて
おり、Ｃａ層がパターニングされていない点が異なって
いる。すなわち、図６に示すように、ガラス基板１６上
の全面にＩＴＯからなる透明電極１７、正孔輸送層２
２、発光層１８、Ｃａ層１９（アルカリ土類金属層）が
順次積層されている。また、Ｃａ層１９上の一部にＡｌ
層２０（導電体層）が形成され、Ａｌ層２０上には保護
層２３、フォトレジストパターン２４がさらに積層され
ている。そして、Ｃａ層１９のうち、Ａｌ層２０の下方
に位置する部分以外の領域がＣａＦ2層２５（アルカリ
土類金属のフッ化物層）に変換されている。In the first embodiment, Ca that constitutes the cathode
The layer and the Al layer are both patterned, whereas the present embodiment is different in that only the Al layer is patterned and the Ca layer is not patterned. That is, as shown in FIG. 6, the transparent electrode 17 made of ITO and the hole transport layer 2 are formed on the entire surface of the glass substrate 16.
2. The light emitting layer 18 and the Ca layer 19 (alkaline earth metal layer) are sequentially stacked. In addition, Al is partially formed on the Ca layer 19.
A layer 20 (conductor layer) is formed, and a protective layer 23 and a photoresist pattern 24 are further laminated on the Al layer 20. Then, the region of the Ca layer 19 other than the portion located below the Al layer 20 is converted into the CaF 2 layer 25 (fluoride layer of alkaline earth metal).
【００４０】上記構成の有機ＥＬ素子を備えたフロント
ライト４０を製造する際には、第１の実施の形態におけ
る図４（ｃ）の工程までは全く共通であり、この工程の
後、積層膜のドライエッチングを行う際に、図７（ｄ）
に示すように、樹脂膜３２、Ａｌ層２０をＣａ層１９の
表面が露出するまでエッチングし、Ｃａ層１９をエッチ
ングせずに全面に残す。When manufacturing the front light 40 including the organic EL element having the above-described structure, the steps up to the step of FIG. 4C in the first embodiment are completely common, and after this step, the laminated film is formed. 7 (d) when performing the dry etching of
As shown in, the resin film 32 and the Al layer 20 are etched until the surface of the Ca layer 19 is exposed, and the Ca layer 19 is left on the entire surface without being etched.
【００４１】次に、図７（ｅ）に示すように、プラズマ
フッ化処理を行うことにより、Ｃａ層１９のうち、少な
くともＡｌ層２０の下方に位置する部分以外の部分をフ
ッ化してＣａＦ2層２５に変換する。このとき、フッ化
処理の条件を調整することでＡｌ層２０の下方の一部ま
でＣａＦ2層２５を拡大することもできる。本実施の形
態の場合も、Ｃａ層１９の表面が露出した後からプラズ
マフッ化処理を終了するまでの間、基板が大気に触れな
い雰囲気下で作業を行うことが望ましい。また、Ｃａ層
１９の膜厚方向の全てがＣａＦ2層２５に変換されるよ
うにプラズマフッ化処理条件を設定する必要がある。Next, as shown in FIG. 7E, a plasma fluorination treatment is performed to fluorinate at least a portion of the Ca layer 19 other than the portion located below the Al layer 20, thereby CaF 2 Convert to layer 25. At this time, the CaF 2 layer 25 can be expanded to a part below the Al layer 20 by adjusting the fluorination condition. Also in the case of the present embodiment, it is desirable to perform the work in an atmosphere in which the substrate is not exposed to the air after the surface of the Ca layer 19 is exposed and before the plasma fluorination treatment is completed. Further, it is necessary to set the plasma fluorination condition so that the entire Ca layer 19 in the film thickness direction is converted into the CaF 2 layer 25.
【００４２】最後に、図７（ｆ）に示すように、封止層
２６を全面に形成し、その上にカバーガラス２７を貼着
することにより、本実施の形態の有機ＥＬ素子を備えた
フロントライト４０が完成する。Finally, as shown in FIG. 7 (f), a sealing layer 26 is formed on the entire surface, and a cover glass 27 is adhered on the sealing layer 26 to provide the organic EL element of the present embodiment. The front light 40 is completed.
【００４３】本実施の形態の有機ＥＬ素子を備えたフロ
ントライト４０においても、少なくともＡｌ層２０がそ
の上に存在しない部分（すなわち製造工程中に露出する
部分）のＣａ層１９がＣａＦ2層２５に変換されている
ため、Ｃａ層１９の変成が抑えられ、素子の信頼性が向
上するといった第１の実施の形態と同様の効果を得るこ
とができる。また、ＣａＦ2層２５の光透過率が高く、
ほとんど透明状態であるため、フロントライトとして支
障なく用いることができる。また本実施の形態の場合、
Ｃａ層１９のエッチングが不要になるという利点もあ
る。Also in the front light 40 including the organic EL element of the present embodiment, at least the portion where the Al layer 20 does not exist thereon (that is, the portion exposed during the manufacturing process) is the CaF 2 layer 25. Since the Ca layer 19 is converted into the element, it is possible to obtain the same effect as that of the first embodiment such that the transformation of the Ca layer 19 is suppressed and the reliability of the element is improved. In addition, the CaF 2 layer 25 has a high light transmittance,
Since it is almost transparent, it can be used as a front light without any problems. In the case of this embodiment,
There is also an advantage that etching of the Ca layer 19 becomes unnecessary.
【００４４】なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態
に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない
範囲において種々の変更を加えることが可能である。例
えば上記実施の形態ではＡｌ層の上方に保護層とフォト
レジストパターンの２層を残す例を示したが、保護層の
材料に感光性樹脂を用いてマスク材と保護層を兼ねる構
成としてもよく、その場合、積層構造が簡単になる。ま
た、アルカリ土類金属としてＣａの例を挙げたが、Ｍ
ｇ、Ｓｒ、Ｂａ等の他のアルカリ土類金属の場合もＣａ
と同様の作用が生じるため、本発明に適用することがで
きる。また、有機ＥＬ素子の構成としては、発光層と正
孔輸送層の他、正孔注入層、電子注入層などを備えた構
成としてもよい。The technical scope of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. For example, in the above-described embodiment, an example in which two layers of the protective layer and the photoresist pattern are left above the Al layer has been shown, but a photosensitive resin may be used as the material of the protective layer to serve as both the mask material and the protective layer. In that case, the laminated structure becomes simple. Although the example of Ca is given as the alkaline earth metal, M
Ca in the case of other alkaline earth metals such as g, Sr, Ba, etc.
Since the same effect as described above occurs, it can be applied to the present invention. The organic EL element may have a structure including a hole injection layer, an electron injection layer, etc. in addition to the light emitting layer and the hole transport layer.
【００４５】その他、上記実施の形態では表示装置とし
て液晶表示装置の例を挙げたが、例えばデジタルミラー
デバイス（ＤＭＤ）、電気泳動表示装置等の非発光型表
示装置の照明手段として本発明の有機ＥＬ素子を用いる
ことができる。さらに、照明手段として用いるだけでな
く、本発明の有機ＥＬ素子自身を表示装置として用いる
こともできる。ただしその場合、陽極と陰極のパターニ
ングを行い、パッシブマトリクス型表示装置として適用
される。In addition, although an example of a liquid crystal display device is given as a display device in the above-described embodiments, the organic material of the present invention is used as a lighting means of a non-emissive display device such as a digital mirror device (DMD) or an electrophoretic display device. An EL element can be used. Furthermore, the organic EL element itself of the present invention can be used not only as a lighting means but also as a display device. However, in that case, the anode and the cathode are patterned to be applied as a passive matrix type display device.
【００４６】[0046]
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、陰極パターニング後のプラズマフッ化処理によ
ってアルカリ土類金属層の表面または端面にアルカリ土
類金属のフッ化物層が形成されるため、製造プロセスを
それ程複雑にあるいは困難にすることなく、アルカリ土
類金属層の変成が抑えられ、素子の信頼性を向上させる
ことができる。As described above in detail, according to the present invention, the alkaline earth metal fluoride layer is formed on the surface or the end face of the alkaline earth metal layer by the plasma fluorination treatment after the cathode patterning. Therefore, the transformation of the alkaline earth metal layer can be suppressed and the reliability of the device can be improved without making the manufacturing process so complicated or difficult.
【図１】 本発明の第１の実施の形態の液晶表示装置の
全体の概略構成を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing an overall schematic configuration of a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.
【図２】 図１のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line A-A ′ of FIG.
【図３】 同、液晶表示装置のフロントライトを示す断
面図である。FIG. 3 is a sectional view showing a front light of the liquid crystal display device.
【図４】 同、フロントライトの製造方法を説明するた
めの工程断面図である。FIG. 4 is a process sectional view for explaining the manufacturing method for the front light.
【図５】 同、工程断面図の続きである。FIG. 5 is a continuation of the process cross-sectional view of the same.
【図６】 本発明の第２の実施形態のフロントライトを
示す断面図である。FIG. 6 is a sectional view showing a front light according to a second embodiment of the present invention.
【図７】 同、フロントライトの製造方法を説明するた
めの工程断面図である。FIG. 7 is a process sectional view for explaining the manufacturing method for the front light of the same.
１ 液晶表示装置（表示装置） ２ 液晶セル（表示手段） ３ フロントライト（照明手段） １６ ガラス基板 １７ 透明電極（陽極） １８ 発光層 １９ Ｃａ層（アルカリ土類金属層） ２０ Ａｌ層（導電体層） ２１ Ｃａ／Ａｌ積層電極（陰極） ２２ 正孔輸送層 ２３ 保護層 ２４ フォトレジストパターン（マスク材） ２５ ＣａＦ2層（アルカリ土類金属のフッ化物層）DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Liquid crystal display device (display device) 2 Liquid crystal cell (display means) 3 Front light (illumination means) 16 Glass substrate 17 Transparent electrode (anode) 18 Light emitting layer 19 Ca layer (alkaline earth metal layer) 20 Al layer (conductor) Layer) 21 Ca / Al laminated electrode (cathode) 22 hole transport layer 23 protective layer 24 photoresist pattern (mask material) 25 CaF 2 layer (fluoride layer of alkaline earth metal)
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ａ Front page continuation (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) H05B 33/14 H05B 33/14 A
Claims (10)
含む陽極と、有機ＥＬ材料を含む発光層と、アルカリ土
類金属層とそれ以外の導電体層とを含む陰極とが基板側
からこの順に積層された有機ＥＬ素子であって、 前記発光層の形成領域の一部に前記陰極が形成され、前
記陰極を構成するアルカリ土類金属層の端面にアルカリ
土類金属のフッ化物層が形成されたことを特徴とする有
機ＥＬ素子。1. A substrate including at least an anode containing a transparent conductive material, a light emitting layer containing an organic EL material, and a cathode containing an alkaline earth metal layer and a conductor layer other than the anode, from the substrate side. In the organic EL device, which is sequentially stacked, the cathode is formed in a part of a formation region of the light emitting layer, and an alkaline earth metal fluoride layer is formed on an end surface of the alkaline earth metal layer forming the cathode. An organic EL device characterized by being processed.
含む陽極と、有機ＥＬ材料を含む発光層と、アルカリ土
類金属層とそれ以外の導電体層とを含む陰極とが基板側
からこの順に積層された有機ＥＬ素子であって、 前記陰極を構成する層のうち、前記アルカリ土類金属層
以外の導電体層が前記アルカリ土類金属層の上面の一部
に形成され、前記アルカリ土類金属層のうち、少なくと
も前記導電体層の下方に位置する部分以外の領域がアル
カリ土類金属のフッ化物となっていることを特徴とする
有機ＥＬ素子。2. On the substrate, at least an anode containing a transparent conductive material, a light emitting layer containing an organic EL material, and a cathode containing an alkaline earth metal layer and a conductor layer other than this are provided from the substrate side. In the organic EL element laminated in order, among the layers constituting the cathode, a conductor layer other than the alkaline earth metal layer is formed on a part of the upper surface of the alkaline earth metal layer, An organic EL element characterized in that, in the metal-containing layer, at least a region other than a portion located below the conductor layer is a fluoride of an alkaline earth metal.
ことを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ素
子。3. The organic EL device according to claim 1, wherein a protective layer is formed to cover the conductor layer.
む陽極と、有機ＥＬ材料を含む発光層と、アルカリ土類
金属層とそれ以外の導電体層とを含む陰極とが基板側か
らこの順に積層された有機ＥＬ素子の製造方法であっ
て、 基板上に少なくとも前記透明導電体層、前記発光層、前
記アルカリ土類金属層、前記導電体層をこの順に積層す
る工程と、 前記導電体層の上方にマスク材を形成し、該マスク材を
用いた前記導電体層および前記アルカリ土類金属層のエ
ッチングを前記発光層の表面が露出するまで行うことに
より前記陰極を形成する工程と、 プラズマフッ化処理を行うことにより、前記陰極を構成
するアルカリ土類金属層の端面にアルカリ土類金属のフ
ッ化物層を形成する工程とを含むことを特徴とする有機
ＥＬ素子の製造方法。4. An anode including at least a transparent conductor layer, a light emitting layer including an organic EL material, and a cathode including an alkaline earth metal layer and other conductor layers are provided on the substrate from the substrate side. A method of manufacturing an organic EL element laminated in order, comprising a step of laminating at least the transparent conductor layer, the light emitting layer, the alkaline earth metal layer, and the conductor layer on a substrate in this order; Forming a mask material above the layer, forming the cathode by performing etching of the conductor layer and the alkaline earth metal layer using the mask material until the surface of the light emitting layer is exposed; A step of forming a fluoride layer of an alkaline earth metal on an end face of the alkaline earth metal layer forming the cathode by performing a plasma fluorination treatment.
む陽極と、有機ＥＬ材料を含む発光層と、アルカリ土類
金属層とそれ以外の導電体層とを含む陰極とが基板側か
らこの順に積層された有機ＥＬ素子の製造方法であっ
て、 基板上に少なくとも前記透明導電体層、前記発光層、前
記アルカリ土類金属層、前記導電体層をこの順に積層す
る工程と、 前記導電体層の上方にマスク材を形成し、該マスク材を
用いた前記導電体層のエッチングを前記アルカリ土類金
属層の表面が露出するまで行うことにより前記陰極を形
成する工程と、 プラズマフッ化処理を行うことにより、前記アルカリ土
類金属層の少なくとも前記導電体層の下方に位置する部
分以外の領域をアルカリ土類金属のフッ化物に変換する
工程とを含むことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方
法。5. An anode containing at least a transparent conductor layer, a light emitting layer containing an organic EL material, and a cathode containing an alkaline earth metal layer and other conductor layers are formed on the substrate from the substrate side. A method of manufacturing an organic EL element laminated in order, comprising a step of laminating at least the transparent conductor layer, the light emitting layer, the alkaline earth metal layer, and the conductor layer on a substrate in this order; Forming a mask by forming a mask material above the layer and performing etching of the conductor layer using the mask material until the surface of the alkaline earth metal layer is exposed; and plasma fluorination treatment. By converting at least a region of the alkaline earth metal layer other than a portion located below the conductor layer into a fluoride of an alkaline earth metal. Manufacturing method.
ルカリ土類金属層、前記導電体層を積層する工程におい
て前記導電体層の上方にさらに保護層を形成し、前記エ
ッチング工程において前記導電体層のエッチングに先立
って前記保護層のエッチングを行うことを特徴とする請
求項４または５に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。6. A protective layer is further formed above the conductor layer in the step of laminating the transparent conductor layer, the light emitting layer, the alkaline earth metal layer, and the conductor layer, and the protective layer is formed in the etching step. The method for manufacturing an organic EL element according to claim 4, wherein the protective layer is etched prior to etching the conductor layer.
を特徴とする請求項６に記載の有機ＥＬ素子の製造方
法。7. The method of manufacturing an organic EL element according to claim 6, wherein the mask material also serves as the protective layer.
記アルカリ土類金属層の表面または端面が露出した後、
前記プラズマフッ化処理を終了するまでの間、前記基板
を不活性ガス雰囲気下において作業を行うことを特徴と
する請求項４ないし７のいずれか一項に記載の有機ＥＬ
素子の製造方法。8. After the surface or the end face of the alkaline earth metal layer is exposed through at least the etching step,
8. The organic EL device according to claim 4, wherein the substrate is operated in an inert gas atmosphere until the plasma fluorination treatment is completed.
Device manufacturing method.
の有機ＥＬ素子を含む照明手段と、該照明手段から出射
される光を反射表示に用いる表示手段とを備えたことを
特徴とする表示装置。9. An illumination unit including the organic EL element according to claim 1, and a display unit that uses light emitted from the illumination unit for reflective display. Display device.
あり、前記照明手段をなす前記有機ＥＬ素子の陰極が、
前記反射型液晶表示装置の非開口領域に対応して配置さ
れていることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。10. The display means is a reflective liquid crystal display device, and the cathode of the organic EL element forming the illuminating means comprises:
The display device according to claim 9, wherein the display device is arranged corresponding to a non-opening region of the reflective liquid crystal display device.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001329587A JP2003133078A (en) | 2001-10-26 | 2001-10-26 | Organic EL element, manufacturing method thereof and display device |
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|---|---|
| JP (1) | JP2003133078A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7414362B2 (en) | 2004-07-02 | 2008-08-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display panel |
| EP1796171A3 (en) * | 2005-12-09 | 2010-10-20 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Flat panel display and method of fabricating the same |
| JP2011249541A (en) * | 2010-05-26 | 2011-12-08 | Harison Toshiba Lighting Corp | Light emitting panel |
-
2001
- 2001-10-26 JP JP2001329587A patent/JP2003133078A/en active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7414362B2 (en) | 2004-07-02 | 2008-08-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display panel |
| EP1796171A3 (en) * | 2005-12-09 | 2010-10-20 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Flat panel display and method of fabricating the same |
| US8203264B2 (en) | 2005-12-09 | 2012-06-19 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Flat panel display and method of fabricating the same |
| US8890406B2 (en) | 2005-12-09 | 2014-11-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Flat panel display and method of fabricating the same |
| JP2011249541A (en) * | 2010-05-26 | 2011-12-08 | Harison Toshiba Lighting Corp | Light emitting panel |
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