JP2003123498A - 半導体記憶装置の不良品選別方法および不良品選別装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】将来的に不良となる可能性が高い半導体記憶装
置を不良品として選別可能とし、また不良品選別試験が
歩留まりに与える影響をコントロール可能とする。 【解決手段】半導体記憶装置４の不良品選別試験をする
際に、予め選別基準として第１の設定値Ｃ１および第２
の設定値Ｃ２を設定し、半導体記憶装置の複数の記憶セ
ルグループのそれぞれに対して順に厳しくなる第１〜第
７の選別条件で１回目〜７回目の選別試験を行い、１回
目の選別試験で複数の記憶セルグループのいずれかが不
合格であるとき、あるいは２回目〜７回目の選別試験の
うち、記憶セルグループの不合格数が第１の設定値Ｃ１
以下となる選別試験の回数が第２の設定値Ｃ２以上とな
るとき、この半導体記憶装置を不良品として選別する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、複数の記憶セル
を有する半導体記憶装置の不良品選別方法および不良品
選別装置に関する。詳しくは、半導体記憶装置の複数の
記憶セルグループのそれぞれに対して順に厳しくなる第
１〜第ｎの選別条件（ｎは２以上の整数）で１回目〜ｎ
回目の選別試験を行い、１回目の選別試験で上記複数の
記憶セルグループのいずれかが不合格であるとき、ある
いは上記２回目〜ｎ回目の選別試験のうち、記憶セルグ
ループの不合格数が第１の設定値以下となる選別試験の
回数が第２の設定値以上となるとき、上記半導体記憶装
置を不良品として選別することによって、ウィークビッ
トが存在して将来的に不良となる可能性が高い半導体記
憶装置を不良品として選別できると共に、不良品選別試
験が歩留まりに与える影響をコントロールできる半導体
記憶装置の不良品選別方法および不良品選別装置に係る
ものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体記憶装置は、高速化、大容量化、
高機能化に進みつつある。信頼性の高い半導体記憶装置
を供給するためには、半導体記憶装置のテスト技術も重
要となっている。半導体記憶装置の性能試験は、例え
ば、メモリテスターと呼ばれる不良品選別試験装置を用
いて行われ、例えば、動作電圧、温度等に関して、性能
試験が行われる。半導体記憶装置の不良品選別方法は、
同一品種の半導体記憶装置であれば、ある一定の選別条
件で選別試験を行ない、その選別試験のパス（PASS）・
フェイル（FAIL）判定により不良品を選別する方法が用
いられている。

【０００３】以下、図４〜図６を参照しながら、従来の
半導体記憶装置の不良品選別方法について説明する。図
４は、ある同一品種の半導体記憶装置の集団に含まれ
る、５つの半導体記憶装置についての、各選別条件にお
けるパス・フェイル判定結果を示している。これら５つ
の半導体記憶装置は、以下、サンプル１、サンプル２、
サンプル３、サンプル４、サンプル５と呼ぶことにす
る。また、ここで意味するパスとは動作可能な状態、フ
ェイルとは動作不可能な状態である。

【０００４】図４では、パスを○、フェイルを×、ある
一定の値をＪ、選別試験のきざみとして適切な値をａと
して示しており、Ｊ、ａを用いて、各選別条件毎の選別
値を定義している。図４の各サンプルには、任意の記憶
セルグループＧ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４がある。

【０００５】また、図４では、説明を簡単にするため、
Ｇ１〜Ｇ４と４つのグループ分けを行なっているが、グ
ループ分けに関する定義は特に設けていない。例えば、
記憶セル単位やＩ／Ｏ単位などでグループ分けしても良
く、試験者が自由に設定して良いとする。

【０００６】図４に示すサンプル１、サンプル３は、欠
陥などが無い理想的なサンプルである。ただし、サンプ
ル１は全体的な特性の優れたサンプルであり、サンプル
３は全体的な特性の劣るサンプルである。実際の製品で
は、製造バラツキの影響で半導体記憶装置の全体的な特
性が変動することが多々あり、同一品種の半導体記憶装
置であっても、サンプル１のように全体的な特性の良い
もの、サンプル３のように全体的に特性の悪いものが混
在している。

【０００７】図４に示すサンプル２、サンプル４は、ウ
ィークビットが存在するサンプルであり、ウィークビッ
トが存在する記憶セルグループのみが相対的に劣った特
性を示している。ただし、サンプル１とサンプル４で
は、ウィークビットの程度に差がある。ここで、ウイー
クビットは、特性が相対的に劣る記憶セルを意味する。

【０００８】また、図４に示すサンプル５は、ある１つ
の記憶セルグループのみが相対的に優れた特性を持つサ
ンプルである。このサンプル５は、ウィークビットが存
在する記憶セルグループが多く存在すると考えるより、
ある１つの記憶セルグループのみが相対的に優れた特性
を持つと考えるべきサンプルである。

【０００９】各サンプルにおける動作可能能力は、記憶
セルグループＧ１〜Ｇ４から決まり、Ｇ１〜Ｇ４の全て
がパスする領域がそのサンプルの能力となる。サンプル
１の能力は選別条件３であり、サンプル２、サンプル
３、サンプル５の能力は選別条件６、サンプル４の能力
は選別条件４となる。

【００１０】図５は、サンプル１〜サンプル５を含む半
導体記憶装置の集団を、９つの選別条件で試験した場合
の動作可能サンプル数の分布を示している。図５に示す
ように、従来の不良品選別試験では、同一品種であれ
ば、ある一定の選別条件で試験を行ない、その試験のパ
ス・フェイル判定によりサンプルを選別する絶対的選別
方法を用いている。例えば、不良品選別値を選別条件７
とすると、従来の不良品選別試験では、サンプル１〜サ
ンプル５は全て良品と選別されてしまう。

【００１１】図６は、従来の半導体記憶装置の不良品選
別試験のフローチャートを示している。以下、図６を参
照しながら、従来の不良品選別試験の動作について説明
する。各記憶セルグループのある選別条件に対する選別
試験における試験結果は、G1_1、G2_1、・・・・Gm_1の
ようなルールで表記されることとする。パスの場合は、
「０」の値が入り、フェイルの場合は、「１」の値が入
る。例えば、記憶セルグループG2_1が選別試験パスの場
合は、G2_1 = 0 、フェイルの場合は、G2_1 =1 で表記
する。

【００１２】また、半導体記憶装置の選別試験結果は、
関数Ｆで表記する。 Ｆ＝G1_1＋G2_1＋・・・・＋Gm_1 Ｆ＝０、即ち、ｍ個すべての記憶セルグループがパスと
なる場合、半導体記憶装置がパスである。Ｆ1０、記憶
セルグループの少なくともいずれかがフェイルとなる場
合、半導体記憶装置がフェイルである。選別試験がスタ
ートすると、ステップＳ１１で、選別条件（選別値：J-
(ax0)）における特性試験が、各記憶セルグループ毎に
行なわれ、選別試験結果G1_1〜Gm_1が得られる。

【００１３】次に、ステップＳ１２で、選別試験結果G1
_1〜Gm_1を基に、不良品か良品かを判定する。ここは、
絶対的な判定を行なうので、全記憶セルグループが選別
条件（選別値：J-(ax0)）でパスならば良品と選別さ
れ、１つでもフェイルならば不良品と選別される。

【００１４】図４に示すサンプル１の場合、選別条件を
図４に示す選別条件７（選別値:J -(ax0)）とすると、
全ての記憶セルグループが選別条件（選別値：J-(ax
0)）をパスしているので Ｆ＝G1_1＋G2_1＋G3_1＋G4_1 ＝0＋0＋0＋0 ＝0 となり、良品（パス）として選別される。また、サンプ
ル２、３、４、５も同様にＦ＝０となり、良品（パス）
として選別される。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】上述したように従来の
半導体記憶装置の不良品選別方法を用いて選別する場
合、被試験の半導体記憶装置が選別条件をクリアさえす
れば、どのようなサンプルでも良品として選別されてい
た。

【００１６】しかし、品質上の観点から見ると、この絶
対的な選別方法は、必ずしも充分では無い。例えば、欠
陥やダストによる静電的断絶やリークが存在する場合、
欠陥やダストの存在する記憶セルは動作するものの、そ
の記憶セルの特性だけが、相対的に劣っているケースは
多い。このような特性の劣る記憶セル、つまりウィーク
ビットは、選別試験はパスするものの、選別試験後の加
速試験や実使用下における故障を引き起こす場合があ
る。

【００１７】例えば、品質上の観点から見ると、サンプ
ル２のような明らかにウィークビットが存在するサンプ
ルは、選別試験はパスするものの、選別試験後の加速試
験や実使用下における故障を引き起こす場合があるの
で、不良品（フェイル）として選別したい。このサンプ
ル２を不良品と選別するには、この試験の不良品選別値
を選別条件３，４，５に設定すると良いが、しかし、そ
のように設定すると、ただ単に全体的な特性が劣るサン
プルであるサンプル３や、相対的に特性が劣る記憶セル
グループが存在するが、品質上の観点から見ると、故障
を引き起こす可能性が低いサンプル４やサンプル５まで
も不良品と選別してしまい、歩留まりに影響を与える。

【００１８】したがって、このように従来の絶対的な選
別方法では、下記(1)、(2)、(3)を同時に満たすことが
出来ない問題点があった。 (1) 不良品選別試験をパスしても、明らかにウィークビ
ットが存在するサンプルは、品質的観点から不良品と選
別したい。 (2) 製造バラツキが原因で、単に全体的な特性が劣るサ
ンプルは、良品と選別したい。 (3) 相対的に特性が劣る記憶セルグループが存在する
が、品質上の観点から見ると、故障を引き起こす可能性
が低いサンプルは良品と選別したい。

【００１９】そこで、この発明は、ウィークビットが存
在して将来的に不良となる可能性が高い半導体記憶装置
を不良品として選別できると共に、不良品選別試験が歩
留まりに与える影響をコントロールできる半導体記憶装
置の不良品選別方法等を提供することを目的とする。

【００２０】

【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体記
憶装置の不良品選別方法は、複数の記憶セルを有する半
導体記憶装置の不良品選別方法であって、半導体記憶装
置の複数の記憶セルグループのそれぞれに対して第１の
選別条件で１回目の選別試験を行うステップと、１回目
の選別試験で複数の記憶セルグループのいずれかが不合
格であるとき、半導体記憶装置を不良品として選別する
ステップと、１回目の選別試験で複数の記憶セルグルー
プの全てが合格のとき、複数の記憶セルグループのそれ
ぞれに対して、順に厳しくなる第２〜第ｎの選別条件
（ｎは２以上の整数）で２回目〜ｎ回目の選別試験を行
うステップと、２回目〜ｎ回目の選別試験のうち、記憶
セルグループの不合格数が第１の設定値以下となる選別
試験の回数が第２の設定値以上となるとき、半導体記憶
装置を不良品として選別するステップとを備えるもので
ある。

【００２１】この発明に係る半導体記憶装置の不良品選
別装置は、複数の記憶セルを有する半導体記憶装置の不
良品選別装置であって、半導体記憶装置の複数の記憶セ
ルグループのそれぞれに対して順に厳しくなる第１〜第
ｎの選別条件（ｎは２以上の整数）で１回目〜ｎ回目の
選別試験を行う試験手段と、１回目〜ｎ回目の選別試験
のそれぞれにおける、複数の記憶セルグループの合格、
不合格の情報を格納する記憶手段と、記憶手段に格納さ
れた情報に基づき、１回目の選別試験で複数の記憶セル
グループのいずれかが不合格であるとき、あるいは２回
目〜ｎ回目の選別試験のうち、記憶セルグループの不合
格数が第１の設定値以下となる選別試験の回数が第２の
設定値以上となるとき、半導体記憶装置を不良品として
選別する不良品選別手段とを備えるものである。

【００２２】この発明においては、半導体記憶装置の不
良品選別試験をする際に、予め選別基準として第１の設
定値および第２の設定値を設定し、半導体記憶装置の複
数の記憶セルグループのそれぞれに対して順に厳しくな
る第１〜第ｎの選別条件（ｎは２以上の整数）で１回目
〜ｎ回目の選別試験を行い、１回目の選別試験で複数の
記憶セルグループのいずれかが不合格であるとき、ある
いは２回目〜ｎ回目の選別試験のうち、記憶セルグルー
プの不合格数が第１の設定値以下となる選別試験の回数
が第２の設定値以上となるとき、この半導体記憶装置を
不良品として選別することによって、ウィークビットが
存在して将来的に不良となる可能性が高い半導体記憶装
置を不良品として選別できる。

【００２３】また、この発明においては、例えば、第１
の設定値および第２の設定値を設定する設定手段を備え
ることによって、不良品の選別基準を自由に設定できる
ため、不良品選別試験が歩留まりに与える影響をコント
ロールすることが可能となる。

【００２４】

【発明の実施の形態】図１は、本実施の形態の半導体記
憶装置の不良品選別装置１０の構成を示している。図１
に示すように、この不良品選別装置１０は、記憶手段と
してのメモリテスター本体１と、設定手段としての操作
部２と、選別試験結果などを表示する表示部３とから構
成されている。

【００２５】メモリテスター本体１は、半導体記憶装置
４の選別試験結果を一時的に記憶するメモリ１ａを内蔵
している。また、操作部２は、選別試験の開始、終了を
指示すること、また設定値の設定を行うことが可能とな
っている。

【００２６】以下、不良品選別装置１０を用いた半導体
記憶装置４の不良品選別試験の動作を図２のフローチャ
ートを使用して説明する。ここで、半導体記憶装置４の
各記憶セルグループの各選別条件に対する選別試験にお
ける試験結果は、表1のようなルールで表記されること
とする。

【００２７】

【表１】

【００２８】つまり、記憶セルグループGxの、ｙ回目の
選別試験における試験結果は、Gx_yで表記される。ｘは
変数であり、記憶セルグループがｍ個存在する場合、１
≦ｘ≦ｍである。同様に、ｙも変数であり、選別試験を
ｎ回目まで行なった場合、１≦ｙ≦ｎとなる。

【００２９】また、選別試験がパス（合格）の場合は、
Gx_yに「０」の値が入り、フェイル（不合格）の場合
は、「１」の値が入ることとする。即ち、記憶セルグル
ープGxのｙ回目の選別試験がパスの場合は、Gx_y = 0
となり、記憶セルグループGxのｙ回目選別試験がフェイ
ルの場合は、Gx_y = 1 となる。

【００３０】また、相対的な判定を行なうため、ここ
で、以下の関数Ｆを定義する。Ｆは、ｙ回目の選別試験
において、ｍ個の記憶セルグループの中で、何個の記憶
セルグループがフェイルしたかを表す関数である。 Ｆ＝G1_y＋G2_y＋・・・・＋Gm_y Ｆ＝０の場合、ｍ個すべての記憶セルグループがパス Ｆ＝ｍの場合、ｍ個すべての記憶セルグループがフェイ
ル ０＜Ｆ＜ｍ の場合、ｍ個のうちのＦ個の記憶セルグル
ープがフェイル

【００３１】本実施の形態の不良品選別方法は、ウィー
クビットが存在して将来的に不良になる可能性が高いサ
ンプルを不良品として選別するために、相対的な選別方
法を用いる。しかし、単純に相対比較を行い、少しでも
相対的に劣る記憶セルグループが存在するサンプルを不
良品として選別してしまうと、歩留まりに大きな影響を
与えてしまう可能性がある。

【００３２】そこで、本実施の形態の不良品選別方法
は、単純に相対比較による不良品選別を行なうのではな
く、試験者が自由に不良品選別基準を設定することで、
歩留まりに与える影響をコントロール可能とする。

【００３３】試験者が自由に不良品選別基準を設定でき
るようにするため、第１の設定値Ｃ１（Criteria1）、
第２の設定値Ｃ２（Criteria2）およびＺを定義する。
不良品選別基準は、Ｃ１、Ｃ２の両方を満たす条件とな
る。 Ｃ１：ｍ個の記憶セルグループの中で、何個以下の記憶
セルグループがフェイルした場合、不良と定義するかの
基準。 Ｚ：Ｃ１を満たさなかった回数。 Ｃ２：Ｃ１を何回満たさなかった場合、不良と定義する
かの基準。

【００３４】ｍ個の記憶セルグループを有する半導体記
憶装置４に対して、選別試験をｎ回（ｎ個の選別値）行
なうこととする。選別試験の回数（ｎ）は、試験者が自
由に決めて良いこととする。また、第１の選別条件は選
別値:J-(ax0)とする。

【００３５】選別試験がスタートすると、まず、ステッ
プＳ１で、第１の選別条件（選別値：J-(ax0)）におけ
る選別試験を、１回目の選別試験としてＧ１〜Ｇｍの各
記憶セルグループ毎に行って、選別試験結果を一時的に
メモリテスター本体１のメモリ１ａに記憶する。

【００３６】次に、ステップＳ２で、記憶された第１回
の選別試験結果を基に、半導体記憶装置４の合格と不合
格を判定する。この場合、絶対的な判定を行なうので、
全記憶セルグループが第１の選別条件（選別値：J-(ax
0)）でパスならば良品と選別され、次の相対選別試験に
進める。１つでもフェイルならば不良品と選別される。
（ここでは、従来の絶対的な選別値を満たさないサンプ
ルは、相対選別試験を行なっても無駄であるので、相対
選別試験に進めるべきか否かを判定することを目的とし
ている)。ここで、関数Ｆによる判定を行なう。Ｆ＝０
の場合、Ｙｅｓの方向へ進む。Ｆ1０の場合、半導体記
憶装置４を不良品として選別する。

【００３７】次に、ステップＳ３で、２回目からｎ回目
までの選別試験をＧ１〜Ｇｍの各記憶セルグループ毎に
行って、選別試験結果を一時的にメモリテスター本体１
のメモリ１ａに記憶する。ステップＳ３での選別試験の
回数が増すほど、厳しい条件での試験となる。この場
合、選別値はJ-(ax1)〜J-(ax(n-1))に変化して行く。

【００３８】次に、ステップＳ４で、ｙ値をインクリメ
ントする。次に、ステップＳ５で、ｙ回目（最初はｙ＝
２）の選別試験の結果に対して、関数Ｆによる判定を行
う。Ｆ＝０の場合、ステップＳ６へ進む。ステップＳ６
で、Ｚの値とＣ２の値とを比較する。Ｚ＜Ｃ２の場合、
ステップＳ７へ進む。Ｚ＜Ｃ２でない場合、半導体記憶
装置４を不良品として選別する。

【００３９】ステップＳ７で、選別試験回数ｙを確認す
る。ｙ＜ｎの場合は、Ｙｅｓの方へ進む。ステップＳ７
からステップＳ４に戻り、ｙ値をインクリメントして、
上述した処理を繰り返し行う。もし、ステップＳ５で、
Ｆ1０となった場合、ステップＳ８へ進む。ステップＳ
８で、Ｆ≦Ｃ１を確認する。Ｆ≦Ｃ１の場合、Ｙｅｓの
方へ進む。

【００４０】次に、ステップＳ９で、Ｚ値をインクリメ
ントし、その後にステップＳ６に進む。また、ステップ
Ｓ８でＦ≦Ｃ１でない場合もステップＳ６に進む。次
に、ステップＳ６で、上述と同様に、Ｚの値とＣ２の値
とを比較する。Ｚ＜Ｃ２の場合、ステップＳ７へ進む。
Ｚ＜Ｃ２でない場合、半導体記憶装置４を不良品として
選別する。また、ステップＳ７でｙ＜ｎでない場合、即
ちｙ＝ｎとなった場合には、半導体記憶装置４を良品と
して選別する。

【００４１】次に、図４に示すサンプルの選別試験につ
いて説明する。例えば、サンプル２の場合、４つの記憶
セルグループがあるので、ｍ＝４である。選別試験の回
数（ｎ）は、例えば、選別試験を７回行なうこととする
と、ｎ＝７となる。また、初期の選別条件は図４の条件
７（選別値:J-(ax0)）とする。

【００４２】また、第１の設定値Ｃ１＝１、第２の設定
値Ｃ２＝２と設定する。即ち、４つの記憶セルグループ
のうち１つが、２つの選別条件の選別試験でフェイルし
たら不良品として選別する。フローチャートの初期値
は、ｙ＝１、Ｚ＝０となる。

【００４３】選別試験がスタートすると、まず、ステッ
プＳ１で、１回目の選別試験をＧ１〜Ｇ４の各記憶セル
グループ毎に行なって、選別試験結果を一時的にメモリ
テスター本体１のメモリ１ａに記憶する。

【００４４】次に、ステップＳ２で、記憶された１回目
の選別試験結果を基に、半導体記憶装置４の合格と不合
格を判定する。この場合、全ての記憶セルグループが選
別条件（選別値：J-(ax0)）をパスしているので、 Ｆ＝G1_1＋G2_1＋G3_1＋G4_1 ＝0＋0＋0＋0 ＝0 となり、Ｙｅｓの方向へ進む。

【００４５】次に、ステップＳ３で、２回目から７回目
までの選別試験をＧ１〜Ｇ４の各記憶セルグループ毎に
行なって、選別試験結果を一時的にメモリテスター本体
１のメモリ１ａに記憶する。次に、ステップＳ４で、ｙ
をインクリメントする。これにより、ｙ＝２となる。

【００４６】次に、ステップＳ５で、選別試験の結果に
対して、関数Ｆによる判定を行う。現時点ではｙ＝２で
あるので、２回目の選別試験結果を基に判定が行なわれ
る。 Ｆ＝G1_2＋G2_2＋G3_2＋G4_2 ＝0＋0＋0＋0 ＝0 となり、Ｙｅｓの方向へ進む。

【００４７】ステップＳ６で、Ｚの値とＣ２の値とを比
較する。Ｚの初期値は０であった。現時点ではＺの値の
変動はないので、Ｚは０のままである。また、Ｃ２＝２
であるので、Ｚ＜Ｃ２の判定は、Ｙｅｓの方へ進む。ス
テップＳ７で、ｙ値を確認する。現時点でのｙ＝２であ
り、また、ｎ＝７であるので、ｙ＜ｎの判定は、Ｙｅｓ
の方へ進む。

【００４８】ステップＳ７からステップＳ４に戻り、ｙ
値がインクリメントされてｙ＝３となる。また、ステッ
プＳ５で、関数Ｆによる判定を行う。現時点ではｙ＝３
であるので、３回目の選別試験結果を基に判定が行なわ
れる。 Ｆ＝G1_3＋G2_3＋G3_3＋G4_3 ＝0＋1＋0＋0 ＝1 となり、Ｎｏの方向へ進む。

【００４９】ステップＳ８で、Ｆ≦Ｃ１を確認する。現
時点でのＦは１、また、Ｃ１＝１と設定されているの
で、Ｆ≦Ｃ１の判定により、Ｙｅｓの方へ進む。次に、
ステップＳ９で、Ｚ値を計算する。Ｚの初期値は０であ
ったが、インクリメントされてＺ＝１となる。

【００５０】次に、ステップＳ６で、Ｚの値とＣ２の値
とを比較する。現時点ではＺ＝１、また、Ｃ２＝２であ
るので、Ｚ＜Ｃ２の判定は、Ｙｅｓの方へ進む。ステッ
プＳ７で、ｙ値を確認する。現時点でｙ＝３、また、ｎ
＝７であるので、ｙ＜ｎの判定は、Ｙｅｓの方へ進む。

【００５１】再びステップＳ７からステップＳ４に戻
り、ｙ値がインクリメントされてｙ＝４となる。再度、
ステップＳ５で、関数Ｆによる判定を行う。現時点では
ｙ＝４であるので、４回目の選別試験結果を基に判定が
行なわれる。 Ｆ＝G1_4＋G2_4＋G3_4＋G4_4 ＝0＋1＋0＋0 ＝1 となり、Ｎｏの方向へ進む。

【００５２】次に、ステップＳ８で、Ｆ≦Ｃ１を確認す
る。現時点ではＦ＝１、また、Ｃ１＝１であるので、Ｆ
≦Ｃ１の判定は、Ｙｅｓの方へ進む。ステップＳ９で、
Ｚの値がインクリメントされてＺ＝２となる。次に、ス
テップＳ６で、Ｚの値とＣ２の値とを比較する。現時点
ではＺ＝２、また、Ｃ２＝２であるので、Ｚ＜Ｃ２の判
定は、Ｎｏの方へ進む。これにより、このサンプル２は
フェイルになり、不良品として選別される。

【００５３】上述したように、図４に示すサンプル２以
外のサンプルについて同様の方法で選別試験を行い、Ｃ
１＝１、Ｃ２＝２と設定した場合、サンプル１、サンプ
ル３、サンプル４、サンプル５は良品として選別され
る。

【００５４】以上により、この発明の不良品選別方法を
用いることで、選別条件７（選別値：J-(ax0)）を、第
１の選別条件として選別する場合、サンプル２のような
ウィークビットが存在するものを不良品として選別でき
る。一方、従来の不良品選別方法を用い、選別条件７
（選別値：J-(ax0)）で選別する場合、上述したよう
に、全て良品として選別される。サンプル２のようなウ
ィークビットが存在するものを不良品として選別するこ
とができない。もし、サンプル２を不良品として選別す
るために、選別条件５を用いて選別試験を行うと、ただ
単に全体的な特性が劣るサンプルであるサンプル３も不
良品として選別されてしまう。歩留まりに影響を与え
る。

【００５５】このように本実施の形態においては、半導
体記憶装置の不良品選別試験をする際に、予め選別基準
として第１の設定値Ｃ１および第２の設定値Ｃ２を設定
し、半導体記憶装置の複数の記憶セルグループのそれぞ
れに対して順に厳しくなる第１〜第ｎの選別条件で１回
目〜７回目の選別試験を行い、１回目の選別試験で複数
の記憶セルグループのいずれかが不合格であるとき、あ
るいは２回目〜ｎ回目の選別試験のうち、記憶セルグル
ープの不合格数が第１の設定値Ｃ１以下となる選別試験
の回数が第２の設定値Ｃ２以上となるとき、この半導体
記憶装置を不良品として選別するものであり、ウィーク
ビットが存在して将来的に不良となる可能性が高い半導
体記憶装置を不良品として選別できる。

【００５６】なお、不良品選別装置１０の操作部２で、
第１の設定値Ｃ１、および第２の設定値Ｃ２の設定を変
え、即ち、不良品選別基準を変更すると、選別の結果が
変化する。 例えば、Ｃ１＝１、Ｃ２＝１と設定した場合、 良品：サンプル１、サンプル３、サンプル５ 不良品：サンプル２、サンプル４ また、例えば、Ｃ１＝３、Ｃ２＝１と設定した場合、 良品：サンプル１、サンプル３ 不良品：サンプル２、サンプル４、サンプル５

【００５７】このように本実施の形態においては、第１
の設定値Ｃ１および第２の設定値Ｃ２を設定する設定手
段としての操作部２を備えることによって、不良品選別
基準が自由に設定できるため、不良品選別試験が歩留ま
りに与える影響をコントロールすることが可能となる。

【００５８】なお、上述した本実施の形態においては、
１回目の選別試験で複数の記憶セルグループの全てが合
格のとき、複数の記憶セルグループのそれぞれに対し
て、順に厳しくなる第２〜第ｎの選別条件（ｎは２以上
の整数）で２回目〜ｎ回目の選別試験を行った後、各回
の選別試験結果に対して、ステップＳ５でＦ＝０かを判
断するものであったが、これに限定されるものではな
い。例えば、図３に示すように、１回目の選別試験で合
格となった半導体記憶装置に対して、２回目〜ｎ回目の
毎回の試験後、その選別試験結果に対して、ステップＳ
５でＦ＝０かを判断するようにしてもよい。この場合、
第２〜第ｎの全ての選別条件の選別試験を行う前に不良
品を選別することが可能となり、効率よく不良品を選別
することができる。

【００５９】

【発明の効果】この発明によれば、半導体記憶装置の不
良品選別試験をする際に、予め選別基準として第１の設
定値および第２の設定値を設定し、半導体記憶装置の複
数の記憶セルグループのそれぞれに対して順に厳しくな
る第１〜第ｎの選別条件（ｎは２以上の整数）で１回目
〜ｎ回目の選別試験を行い、１回目の選別試験で複数の
記憶セルグループのいずれかが不合格であるとき、ある
いは２回目〜ｎ回目の選別試験のうち、記憶セルグルー
プの不合格数が第１の設定値以下となる選別試験の回数
が第２の設定値以上となるとき、この半導体記憶装置を
不良品として選別するものであり、ウィークビットが存
在して将来的に不良となる可能性が高い半導体記憶装置
を不良品として選別できる。

【００６０】また、第１の設定値および第２の設定値を
自由に設定することができるため、不良品選別試験が歩
留まりに与える影響を任意にコントロールすることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施の形態の不良品選別装置の構成を示す図で
ある。

【図２】実施の形態の選別試験のフローチャートであ
る。

【図３】実施の形態の選別試験のフローチャートの他の
例である。

【図４】同一品種の半導体記憶装置の集団に含まれる５
つの半導体記憶装置のパス・フェイル結果を示す図であ
る。

【図５】半導体記憶装置の集団における動作可能サンプ
ル数分布を示す図である。

【図６】従来の選別試験のフローチャートである。

【符号の説明】

１・・・メモリテスター本体、１ａ・・・メモリ、２・
・・操作部、３・・・表示部、４・・・半導体記憶装
置、１０・・・不良品選別装置、Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ
４，Ｇｍ・・・任意の記憶セルグループ、Ｊ・・・ある
一定の値、ａ・・・選別試験のきざみとして適切な値、
○・・・パス、×・・・フェイル、Ｆ・・・関数、ｙ・
・・選別試験回数、Ｃ１・・・第１の設定値、Ｃ２・・
・第２の設定値、Ｚ・・・Ｃ１を満たさなかった回数

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数の記憶セルを有する半導体記憶装置
   の不良品選別方法であって、 上記半導体記憶装置の複数の記憶セルグループのそれぞ
   れに対して第１の選別条件で１回目の選別試験を行うス
   テップと、 上記１回目の選別試験で上記複数の記憶セルグループの
   いずれかが不合格であるとき、上記半導体記憶装置を不
   良品として選別するステップと、 上記１回目の選別試験で上記複数の記憶セルグループの
   全てが合格のとき、上記複数の記憶セルグループのそれ
   ぞれに対して、順に厳しくなる第２〜第ｎの選別条件
   （ｎは２以上の整数）で２回目〜ｎ回目の選別試験を行
   うステップと、 上記２回目〜ｎ回目の選別試験のうち、記憶セルグルー
   プの不合格数が第１の設定値以下となる選別試験の回数
   が第２の設定値以上となるとき、上記半導体記憶装置を
   不良品として選別するステップとを備えることを特徴と
   する半導体記憶装置の不良品選別方法。
2. 【請求項２】 上記第１の設定値および上記第２の設定
   値を設定するステップをさらに備えることを特徴とする
   請求項１に記載の半導体記憶装置の不良品選別方法。
3. 【請求項３】 複数の記憶セルを有する半導体記憶装置
   の不良品選別装置であって、 上記半導体記憶装置の複数の記憶セルグループのそれぞ
   れに対して順に厳しくなる第１〜第ｎの選別条件（ｎは
   ２以上の整数）で１回目〜ｎ回目の選別試験を行う試験
   手段と、 上記１回目〜ｎ回目の選別試験のそれぞれにおける、上
   記複数の記憶セルグループの合格、不合格の情報を格納
   する記憶手段と、 上記記憶手段に格納された情報に基づき、上記１回目の
   選別試験で上記複数の記憶セルグループのいずれかが不
   合格であるとき、あるいは上記２回目〜ｎ回目の選別試
   験のうち、記憶セルグループの不合格数が第１の設定値
   以下となる選別試験の回数が第２の設定値以上となると
   き、上記半導体記憶装置を不良品として選別する不良品
   選別手段とを備えることを特徴とする半導体記憶装置の
   不良品選別装置。
4. 【請求項４】 上記第１の設定値および上記第２の設定
   値を設定する設定手段をさらに備えることを特徴とする
   請求項３に記載の半導体記憶装置の不良品選別装置。