JP2003122305A - 有機ｅｌ表示装置およびその制御方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 発光画素の駆動を入力信号レベルにかかわら
ず常に一定の条件で行うと、高輝度化、高コントラスト
化については発光素子の特性に依存する割合が大きく、
低消費電力化についても発光素子の特性に依存せざるを
得ない。 【解決手段】 有機ＥＬ素子１２を含む発光画素が行列
状に配置されてなる有機ＥＬ表示装置において、画素領
域の全画素の総電流値を電流検出回路１４で検出し、そ
の検出した電流を電流−電圧変換回路１５で電圧に変換
し、その検出電圧Ｖｄｅｔを比較器１６で基準電圧Ｖｒ
ｅｆと比較する。そして、その比較結果に基づいて、デ
ューティ制御回路１７により、画素回路のＴＦＴ１３を
ＯＮ／ＯＦＦ駆動することによって有機ＥＬ素子１２の
発光時間を制御する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、各発光画素の発光
素子（電気光学素子）として、有機材料のエレクトロル
ミネッセンス(以下、有機ＥＬ(electroluminescence)と
記す)素子を用いた有機ＥＬ表示装置およびその制御方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】有機ＥＬ素子は、有機材料を陽極・陰極
の２つの電極で挟み込む構造を持ち、電極間に電圧が印
加されることにより、陰極から電子が、陽極から正孔が
有機層に注入され、電子・正孔が再結合することによっ
て発光するものであり、１０Ｖ以下の駆動電圧で、数１
００〜数１００００ｃｄ／ｍ²の輝度を得ることができ
る。したがって、この有機ＥＬ素子を画素の発光素子と
して用いた有機ＥＬ表示装置は、次世代のフラットパネ
ルディスプレイとして有望視されている。

【０００３】有機ＥＬ表示装置の駆動方式としては、単
純（パッシブ）マトリクス方式とアクティブマトリクス
方式とが挙げられる。ディスプレイの大型化・高精細化
を実現するには、単純マトリクス方式の場合は、各画素
の発光期間が走査線（即ち、垂直方向の画素数）の増加
によって減少するため、瞬間的に各画素の有機ＥＬ素子
が高輝度で発光することが要求される。一方、アクティ
ブマトリクス方式の場合は、各画素が１フレームの期間
に亘って発光を持続するため、ディスプレイの大型化・
高精細化が容易である。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】このアクティブマトリ
クス型有機ＥＬ表示装置においては、従来、発光画素の
駆動については入力信号（表示信号）レベルにかかわら
ず常に一定の条件で行っていた。そのため、高輝度化、
高コントラスト化については有機ＥＬ素子の特性に依存
する割合が大きく、同様に低消費電力化についても有機
ＥＬ素子の特性に依存せざるを得なかった。しかも、高
輝度化のために有機ＥＬ素子に対して高い電圧を印加し
たり、あるいは大きい電流を流し続けると、有機ＥＬ素
子の特性が劣化する傾向にあり、さらに消費電力も増大
するという問題が発生する。

【０００５】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは、有機ＥＬ素子の特性
に依存することなく、高コントラスト化および低消費電
力化が可能な有機ＥＬ表示装置およびその制御方法を提
供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明では、発光画素（有機ＥＬ素子）が行列状
に配置されてなる有機ＥＬ表示装置において、発光画素
に流れる電流値を検出し、その検出した電流値に基づい
て発光画素の発光時間を制御する構成を採っている。

【０００７】発光画素に流れる電流に基づく発光時間の
制御において、検出した電流値が大きいときには、発光
画素の発光時間を短く設定することで、画面全体の発光
輝度および消費電力が抑制される。一方、検出した電流
値が小さいときには、発光画素の発光時間を長く設定す
ることで、高輝度化が図られる。

【０００８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。

【０００９】［第１実施形態］図1は、本発明の第１実
施形態に係る有機ＥＬ表示装置を示す概略構成図であ
り、モノクロ方式の有機ＥＬ表示装置に適用した場合を
例に採って示している。ここでは、図面の簡略化のため
に、６行３７列の画素配列の場合を例に採って示してい
る。

【００１０】図１において、有機ＥＬパネル１１は、透
明ガラスなどの基板上に有機ＥＬ素子１２が行列状に多
数配された構成となっている。具体的には、基板上に、
透明導電膜からなる第１の電極（例えば、陽極）が形成
され、その上にさらに正孔輸送層、発光層、電子輸送層
および電子注入層が順次堆積されることで有機層が形成
され、この有機層上にさらに低仕事関数の金属からなる
第２の電極（例えば、陰極）が形成されることで有機Ｅ
Ｌ素子１２が形成されている。

【００１１】この有機ＥＬ素子１２において、第１の電
極と第２の電極との間に直流電圧を印加することによ
り、正孔が第１の電極（陽極）から正孔輸送層を経て、
電子が第２の電極（陰極）から電子輸送層を経てそれぞ
れ発光層内に注入され、この注入された正負のキャリア
によって発光層内の蛍光分子が励起状態となり、この励
起分子の緩和過程で発光が得られるようになっている。

【００１２】有機ＥＬ素子１２を含む画素回路におい
て、有機ＥＬ素子１２を駆動する能動素子として、一般
的に、薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor;ＴＦ
Ｔ)が用いられる。画素回路は、通常、ＴＦＴを複数個
有するとともに、画素情報（輝度情報）を保持するキャ
パシタを有する構成となっている。ただし、ここでは、
図面の簡略化のために、画素回路として、有機ＥＬ素子
１２に対して直列に接続されて当該素子を駆動するため
のＴＦＴ１３のみを代表して示している。

【００１３】有機ＥＬ素子１２には、ＴＦＴ１３を通し
て駆動電圧が選択的に与えられることによって当該素子
の駆動が行われる。ここで、有機ＥＬ素子１２が例えば
流れる電流によって輝度が変化する構成の素子であると
すると、各画素の有機ＥＬ素子１２に流れる電流は、各
画素の輝度情報に応じて図示せぬＴＦＴによって制御さ
れることになる。

【００１４】有機ＥＬ素子１２の一端（本例では、カソ
ード）は全画素共通に接続され、さらに電流検出回路１
４の入力端に接続されている。電流検出回路１４は、全
画素に流れる電流を映像信号の垂直周期、即ち１フィー
ルド期間に亘って検出し、その検出した電流値を電流−
電圧変換回路１５に供給する。電流−電圧変換回路１５
は、電流検出回路１４で検出された電流値を電圧値に変
換し、その電圧値の検出電圧Ｖｄｅｔを比較器１６に供
給する。

【００１５】比較器１６は、電流−電圧変換回路１５か
ら出力される検出電圧Ｖｄｅｔを基準電圧Ｖｒｅｆと比
較し、例えば、検出電圧Ｖｄｅｔが基準電圧Ｖｒｅｆよ
りも高いときに高レベル、検出電圧Ｖｄｅｔが基準電圧
Ｖｒｅｆ以下のときに低レベルの比較結果（デジタル信
号）を出力し、デューティ制御回路１７に供給する。デ
ューティ制御回路１７は、比較器１６の比較結果が高レ
ベルのときは有機ＥＬ素子１２の発光時間を短く設定
し、当該比較結果が低レベルのときは発光時間を長く設
定するようにＴＦＴ１３を駆動する。

【００１６】次に、上記構成の第１実施形態に係る有機
ＥＬ表示装置の動作について、図２および図３の各波形
図を用いて説明する。なお、図２は、１フィールドにお
ける映像信号と基準電圧Ｖｒｅｆとの関係を示す波形図
である。また、図３は、１フィールドにおけるデューテ
ィ制御による発光期間−非発光期間の関係を示す波形図
である。

【００１７】先ず、電流検出回路１４で全画素に流れる
電流値を１フィールド期間に亘って検出する。通常、映
像信号には垂直ブランキング区間が存在するため、入力
信号（表示信号）と全画素に流れる電流とを比較した場
合、この垂直ブランキング区間において電流は減少す
る。それ以外の部分については、入力信号および画素の
発光時間との関係に比例した出力が得られる。

【００１８】電流検出回路１４で検出された電流値は、
電流−電圧変換回路１５で電圧値に変換されて比較器１
６に供給される。電流−電圧変換回路１５では、検出電
圧Ｖｄｅｔが入力信号に比例した成分と垂直ブランキン
グ区間の成分とを含んでいるため、それらの影響を考慮
して電圧変換を行うようにする。比較器１６では、任意
に設定した基準電圧Ｖｒｅｆと検出電圧Ｖｄｅｔとを比
較する。

【００１９】この比較において、比較器１６は例えば、
検出電圧Ｖｄｅｔが基準電圧Ｖｒｅｆよりも高いときに
高レベル、検出電圧Ｖｄｅｔが基準電圧Ｖｒｅｆ以下の
ときに低レベルのデジタル信号を出力し、デューティ制
御回路１７に供給する。これにより、以降、すべてデジ
タル処理となるため、アナログ的なバラツキや偏差など
を考慮する必要はない。

【００２０】デューティ制御回路１７は、比較器１６の
比較結果が高レベルのとき、即ち検出電圧Ｖｄｅｔが基
準電圧Ｖｒｅｆよりも高いときには、有機ＥＬ素子１２
の発光時間を短く設定することで、画面全体の発光輝度
および消費電力を抑制する。発光時間が短くなることに
より、一般的な動作状態における消費電力の削減が可能
となる。

【００２１】一方、比較器１６の比較結果が低レベルの
とき、即ち検出電圧Ｖｄｅｔが基準電圧Ｖｒｅｆ以下の
ときには、有機ＥＬ素子１２の発光時間を長く設定する
ことで、高輝度化を図る。発光時間を長く設定すること
で、一般的な動作状態における最大輝度を大きくするこ
とが可能となる。

【００２２】上述したように、有機ＥＬ素子１２を含む
発光画素が行列状に配置されてなるモノクロ方式の有機
ＥＬ表示装置において、画素領域の全画素の総電流値を
検出し、その検出した総電流値に基づく検出電圧Ｖｄｅ
ｔと基準電圧Ｖｒｅｆとの比較結果に応じて有機ＥＬ素
子１２の発光時間を制御するようにし、発光期間／非発
光期間を適宜組み合わせることにより、高コントラスト
化と低消費電力化という相反する条件を両立することが
可能となる。

【００２３】すなわち、小面積を光らせるときには、発
光期間を長く設定し、高輝度で有機ＥＬ素子１２を発光
させることにより、コントラスト感のあるインパクトの
ある画像を表示できる。また、大面積の明るい画面にお
いては、輝度を抑制することにより、画質を損なうこと
なく、有機ＥＬ素子１２の発熱や駆動電流による有機Ｅ
Ｌ素子１２の劣化を抑制することができるため、本有機
ＥＬ表示装置の長寿命化が図れる。

【００２４】また、基準電圧Ｖｒｅｆの設定により、最
大輝度と消費電力とのどちらを重要視するかを任意に選
択することができる。さらに、上記の制御においては、
有機ＥＬ素子１２の発光時間のみを制御するようにして
いるため、信号の階調表現に影響を与えることなく、入
力信号（表示信号）に応じた発光時間の最適な設定が可
能となる。

【００２５】なお、本実施形態においては、検出電圧Ｖ
ｄｅｔを比較器１６で単一の基準電圧Ｖｒｅｆと比較
し、その比較結果に基づいて有機ＥＬ素子１２の発光時
間を２段階に制御するとしたが、この２段階制御に限ら
れるものではなく、電圧値が異なる複数の基準電圧を用
意し、これら複数の基準電圧との比較結果に基づいて発
光時間を多段階に制御する構成を採ることも可能であ
る。

【００２６】また、基準電圧Ｖｒｅｆの電圧値を可変と
し、入力信号に応じてその電圧値を切り替えるようにす
ることも可能である。一例として、テキスト表示と動画
表示とで基準電圧Ｖｒｅｆの電圧値を切り替えるように
することで、入力信号（表示する画像）に応じた最適な
表示を実現できる。

【００２７】［第２実施形態］図４は、本発明の第２実
施形態に係るモノクロ方式の有機ＥＬ表示装置を示す概
略構成図であり、図中、図１と同等部分には同一符号を
付して示している。ここでは、図面の簡略化のために、
８行３７列の画素配列の場合を例に採って示している。

【００２８】本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置では、
有機ＥＬ素子１２を含む発光画素が行列状に配置されて
なる画素領域を所定の領域単位で分割し、その分割した
領域毎に有機ＥＬ素子１２に流れる電流値を電流検出回
路１４で検出し、この検出した領域毎の電流値に基づい
てデューティ制御回路１７によって有機ＥＬ素子１２の
発光時間を制御する構成を採っている。

【００２９】具体的には、本例に係る８行３７列の画素
配列の画素領域において、１行毎に行単位で領域を８分
割し、その分割した領域毎に有機ＥＬ素子１２に流れる
電流値を電流検出回路１４で検出するようにしている。
ここでは、簡単のために、８行３７列の画素配列を例に
採っているが、実際の有機ＥＬ表示装置においては、さ
らに多数の画素配列となることから、所定数の行毎に行
単位で領域を８分割することになる。ただし、分割数は
８分割に限られるものではなく、任意に設定可能であ
る。

【００３０】分割した領域毎に電流検出回路１４で検出
した電流値は、その領域毎に順に電流−電圧変換回路１
５で電圧値に変換され、その領域毎の検出電圧Ｖｄｅｔ
が比較器１６で順に基準電圧Ｖｒｅｆと比較され、その
比較結果が領域単位で順次デューティ制御回路１７に供
給される。そして、比較器１６から順に供給される比較
結果に基づいて、デューティ制御回路１７により、有機
ＥＬ素子１２の発光時間の制御が行われる。

【００３１】次に、上記構成の第２実施形態に係る有機
ＥＬ表示装置の動作について、図５および図６の各波形
図を用いて説明する。なお、図５は、１フィールドにお
ける映像信号と基準電圧Ｖｒｅｆおよび検出データとの
関係を示す波形図である。また、図６は、１フィールド
におけるデューティ制御による発光期間−非発光期間の
関係を示す波形図である。

【００３２】先ず、画素領域を８分割し、その分割した
領域毎に有機ＥＬ素子１２に流れる電流値を検出すると
いうことは、１画面（１フィールド）を８分割し、画素
電流を１画面当たり８回検出することを意味している。
具体的には、電流検出回路１４は、図５のサンプリング
パルスに同期して、分割した領域毎に有機ＥＬ素子１２
に流れる電流値（画素電流）を検出する。

【００３３】以降、電流検出回路１４で検出した電流を
電流−電圧変換回路１５で電圧（検出電圧）Ｖｄｅｔに
変換し、この検出電圧Ｖｄｅｔを比較器１６で基準電圧
Ｖｒｅｆと比較する動作が、分割した領域単位で順に行
われる。なお、電流検出回路１４、電流−電圧変換回路
１５および比較器１６での処理動作は、基本的に、第１
実施形態の場合と同じである。そして、デューティ制御
回路１７において、比較器１６から順に供給される比較
結果に基づいて有機ＥＬ素子１２の発光時間の制御が行
われる。

【００３４】上述したように、１画面を複数の領域に分
割し、その分割した各領域毎に画素電流を検出すること
により、１画面の全画素電流を検出するよりも検出時間
が短くなり、１画面をより細かくデューティ制御するこ
とが可能となるため、第１実施形態に係る作用効果に加
えて、画面の明るさに速やかに追従する制御を実現でき
るとともに、よりダイナミックな画像表示を実現でき
る、という作用効果が得られる。

【００３５】具体的な制御としては、例えば、検出した
８データすべてが基準電圧Ｖｒｅｆよりも高い場合、即
ち画面全体が明るい場合には、サンプリングした検出デ
ータがすべて高レベルとなる。このときは、制御ステッ
プ幅を大きくし、早く発光時間の下限値へ到達させるよ
うに制御を行う。

【００３６】ここで、制御ステップ幅について説明す
る。制御ステップ幅は、制御の分解能とも言える。垂直
走査周波数が例えば６０Ｈｚの場合、１フィールドは約
１６．６ｍｓであり、発光時間の上限と下限との差を５
０％とし、１％ステップ幅で制御とすると、全体が白の
画面から黒の画面に急に切り替わったときに制御にかか
る時間Ｔは、 Ｔ＝１６．６ｍｓ×５０＝８３０ｍｓ となる。

【００３７】本例の場合は、１画面につき８データで発
光時間の制御を行うため、発光時間の上限から下限への
制御にかかる時間は、約１００ｍｓ（≒８３０ｍｓ／
８）となる。したがって、ブラウン管のテレビジョンに
おけるビーム電流を制御することによる明るさ制御にか
かる時間がおよそ２００ｍｓであることと比較しても、
動画表示においてもまったく問題ない、即ち違和感を生
じさせないレベルにすることができる。

【００３８】なお、本実施形態においては、発光画素が
行列状に配置されてなる画素領域を垂直方向において行
単位で分割するとしたが、垂直方向での分割に限られる
ものではなく、水平方向において列単位で分割したり、
垂直および水平の両方向において分割することも可能で
ある。

【００３９】［第３実施形態］図７は、本発明の第３実
施形態に係る有機ＥＬ表示装置を示す概略構成図であ
り、カラー方式の有機ＥＬ表示装置に適用した場合を例
に採って示している。

【００４０】図７において、有機ＥＬパネル２１上に
は、Ｒ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）の各有機ＥＬ素子２２
Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂが各行毎に例えばＲＧＢの順に繰返
し配列されている。そして、有機ＥＬ素子２２Ｒ，２２
Ｇ，２２Ｂの各一端（本例では、カソード）が各色毎に
共通に接続され、さらに電流検出回路２４の３系統の各
入力端に接続されている。

【００４１】電流検出回路２４は、ＲＧＢの各色に対応
した回路部分を有し、各色毎に有機ＥＬ素子２２Ｒ，２
２Ｇ，２２Ｂに流れる電流値を１フィールド期間に亘っ
て検出し、その検出した電流値を電流−電圧変換回路２
５に供給する。電流−電圧変換回路２５は、ＲＧＢの各
色に対応した回路部分を有し、電流検出回路２４で検出
された各色毎の電流値を電圧値に変換し、その電圧値を
各色毎に比較器２６に供給する。

【００４２】比較器２６は、ＲＧＢの各色に対応した回
路部分を有し、電流−電圧変換回路２５から各色毎に出
力される検出電圧ＶｄｅｔＲ，ＶｄｅｔＧ，ＶｄｅｔＢ
を、例えば各色共通の基準電圧Ｖｒｅｆと比較し、例え
ば、検出電圧ＶｄｅｔＲ，ＶｄｅｔＧ，ＶｄｅｔＢが基
準電圧Ｖｒｅｆよりも高いときに高レベル、検出電圧Ｖ
ｄｅｔＲ，ＶｄｅｔＧ，ＶｄｅｔＢが基準電圧Ｖｒｅｆ
以下のときに低レベルの比較結果を各色毎に出力し、デ
ューティ制御回路２７に供給する。

【００４３】デューティ制御回路２７は、ＲＧＢの各色
に対応した回路部分を有し、比較器２６の各色毎の比較
結果に基づいて、有機ＥＬ素子２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂ
に対して直列に接続されたＴＦＴ２３Ｒ，２３Ｇ，２３
ＢをＯＮ／ＯＦＦ駆動することによって有機ＥＬ素子２
２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂの発光時間を制御する。具体的に
は、比較器２６の比較結果が高レベルのときは有機ＥＬ
素子２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂの発光時間を短く設定し、
当該比較結果が低レベルのときは発光時間を長く設定す
るように、ＴＦＴ２３Ｒ，２３Ｇ，２３ＢをＯＮ／ＯＦ
Ｆ駆動する。

【００４４】上述したように、カラー方式の有機ＥＬ表
示装置において、各色毎に有機ＥＬ素子２２Ｒ，２２
Ｇ，２２Ｂに流れる電流値を検出し、その色毎の検出電
流値に基づいて有機ＥＬ素子２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂの
発光時間をＲＧＢ毎に制御するようにしたことにより、
第１実施形態に係る作用効果に加えて、ホワイトバラン
スに影響を与えることなく、入力信号に応じた最適な設
定が可能となる。ＲＧＢそれぞれの発光時間が異なる場
合には、一定の係数をかけることにより、ホワイトバラ
ンスに影響を与えないようにすることができる。

【００４５】なお、本実施形態においては、ＲＧＢの各
色に対して共通の基準電圧Ｖｒｅｆを設定するとした
が、ＲＧＢの各色に対して別々の基準電圧を設定するよ
うにすることも可能である。

【００４６】また、本実施形態では、有機ＥＬ素子２２
Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂに流れる電流値を各色毎に検出する
としたが、有機ＥＬ素子２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂに流れ
る全画素分の総電流値を検出し、この総電流値に基づい
て有機ＥＬ素子２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂの発光時間をＲ
ＧＢ毎に制御するようにすることも可能である。

【００４７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
有機ＥＬ表示装置において、発光画素に流れる電流値を
検出し、その検出した電流値に基づいて発光画素の発光
時間を制御することにより、有機ＥＬ素子の特性に依存
することなく、高コントラスト化および低消費電力化が
可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置
を示す概略構成図である。

【図２】第１実施形態に係る１フィールドにおける映像
信号と基準電圧Ｖｒｅｆとの関係を示す波形図である。

【図３】第１実施形態に係る１フィールドにおけるデュ
ーティ制御による発光期間−非発光期間の関係を示す波
形図である。

【図４】本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置
を示す概略構成図である。

【図５】第２実施形態に係る１フィールドにおける映像
信号と基準電圧Ｖｒｅｆおよび検出データとの関係を示
す波形図である。

【図６】第２実施形態に係る１フィールドにおけるデュ
ーティ制御による発光期間−非発光期間の関係を示す波
形図である。

【図７】本発明の第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置
を示す概略構成図である。

【符号の説明】

１１，２１…有機ＥＬパネル、１２，２２Ｒ，２２Ｇ，
２２Ｂ…有機ＥＬ素子、１３，２３…ＴＦＴ（薄膜トラ
ンジスタ）、１４，２４…電流検出回路、１５，２５…
電流−電圧変換回路、１６，２６…比較器、１７，２７
…デューティ制御回路

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｇ 3/20 Ｇ０９Ｇ 3/20 ６４２Ｐ Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ａ Ｆターム(参考） 3K007 AB03 AB17 DB03 GA04 5C080 AA06 BB05 CC03 DD04 DD05 DD26 DD29 EE30 FF11 JJ02 JJ04 5C094 AA06 AA08 AA22 AA31 BA03 BA12 BA27 CA19 CA24 EA04 EA07 GA10

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 発光画素に流れる電流値を検出する検出
   手段と、 前記検出手段が検出した電流値に基づいて前記発光画素
   の発光時間を制御する制御手段とを備えたことを特徴と
   する有機ＥＬ表示装置。
2. 【請求項２】 前記制御手段は、前記検出手段が検出し
   た電流値を基準値と比較する比較手段を有し、その比較
   手段の比較結果に基づいて前記発光画素の発光時間を制
   御することを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ表示装
   置。
3. 【請求項３】 前記検出手段は、前記発光画素に流れる
   全画素分の総電流値を検出することを特徴とする請求項
   １記載の有機ＥＬ表示装置。
4. 【請求項４】 前記検出手段は、前記発光画素が行列状
   に配されてなる画素領域を所定の領域単位で分割し、そ
   の分割した領域毎に前記発光画素に流れる電流値を検出
   することを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ表示装
   置。
5. 【請求項５】 前記発光画素は、Ｒ（赤）Ｇ（緑）Ｂ
   （青）の各発光色に対応して設けられており、 前記検出手段は、ＲＧＢ毎に前記発光画素に流れる電流
   値を検出し、 前記制御手段は、前記検出手段が検出したＲＧＢ毎の電
   流値に基づいて前記発光画素の発光時間をＲＧＢ毎に制
   御することを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ表示装
   置。
6. 【請求項６】 前記発光画素は、Ｒ（赤）Ｇ（緑）Ｂ
   （青）の各発光色に対応して設けられており、 前記検出手段は、前記発光画素に流れる全画素分の総電
   流値を検出し、 前記制御手段は、前記検出手段が検出した総電流値に基
   づいて前記発光画素の発光時間をＲＧＢ毎に制御するこ
   とを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ表示装置。
7. 【請求項７】 発光画素に流れる電流値を検出し、 その検出電流値に基づいて前記発光画素の発光時間を制
   御することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の制御方法。
8. 【請求項８】 前記検出電流値を基準値と比較し、その
   比較結果に基づいて前記発光画素の発光時間を制御する
   ことを特徴とする請求項７記載の有機ＥＬ表示装置の制
   御方法。
9. 【請求項９】 前記発光画素に流れる全画素分の総電流
   値を検出することを特徴とする請求項７記載の有機ＥＬ
   表示装置の制御方法。
10. 【請求項１０】 前記発光画素が行列状に配されてなる
    画素領域を所定の領域単位で分割し、その分割した領域
    毎に前記発光画素に流れる電流値を検出することを特徴
    とする請求項７記載の有機ＥＬ表示装置の制御方法。
11. 【請求項１１】 前記発光画素は、Ｒ（赤）Ｇ（緑）Ｂ
    （青）の各発光色に対応して設けられており、 ＲＧＢ毎に前記発光画素に流れる電流値を検出し、 そのＲＧＢ毎の検出電流値に基づいて前記発光画素の発
    光時間をＲＧＢ毎に制御することを特徴とする請求項７
    記載の有機ＥＬ表示装置の制御方法。
12. 【請求項１２】 前記発光画素は、Ｒ（赤）Ｇ（緑）Ｂ
    （青）の各発光色に対応して設けられており、 前記発光画素に流れる全画素分の総電流値を検出し、 その検出総電流値に基づいて前記発光画素の発光時間を
    ＲＧＢ毎に制御することを特徴とする請求項７記載の有
    機ＥＬ表示装置の制御方法。